JP2002060979A - マイクロコンタクト・プリンティングによるパターン化されたインジウム亜鉛酸化物フィルムおよびインジウムすず酸化物フィルムの形成方法 - Google Patents
マイクロコンタクト・プリンティングによるパターン化されたインジウム亜鉛酸化物フィルムおよびインジウムすず酸化物フィルムの形成方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、概ね誘導および表面のパターン化
に関し、マイクロコンタクト・プリンティングを用いる
金属酸化物に自己集合分子単一層の形成方法およびこれ
らにより製造された誘導体物体を提供する。 【解決手段】 本発明は、マイクロコンタクト・プリン
ティングおよびエッチングによりＩＺＯまたはＩＴＯの
パターン化されたフィルムを形成する方法を提供する。
この方法は、スタンプとＩＺＯまたはＩＴＯフィルムの
表面とを接触させ、第１のパターンの分子種の自己集合
単分子層を転写させることを含む。自己集合単分子層
は、第２のパターンのＩＺＯまたはＩＴＯフィルム表面
の露光される部分に連続している。ＩＺＯまたはＩＴＯ
フィルムは、ＩＺＯまたはＩＴＯと化学的に反応し、自
己集合単分子層については不活性であるエッチャント
と、ＩＺＯまたはＩＴＯフィルムの露光された部分とを
接触させることにより、第２のパターンにしたがって、
下側の基板から除去される。
に関し、マイクロコンタクト・プリンティングを用いる
金属酸化物に自己集合分子単一層の形成方法およびこれ
らにより製造された誘導体物体を提供する。 【解決手段】 本発明は、マイクロコンタクト・プリン
ティングおよびエッチングによりＩＺＯまたはＩＴＯの
パターン化されたフィルムを形成する方法を提供する。
この方法は、スタンプとＩＺＯまたはＩＴＯフィルムの
表面とを接触させ、第１のパターンの分子種の自己集合
単分子層を転写させることを含む。自己集合単分子層
は、第２のパターンのＩＺＯまたはＩＴＯフィルム表面
の露光される部分に連続している。ＩＺＯまたはＩＴＯ
フィルムは、ＩＺＯまたはＩＴＯと化学的に反応し、自
己集合単分子層については不活性であるエッチャント
と、ＩＺＯまたはＩＴＯフィルムの露光された部分とを
接触させることにより、第２のパターンにしたがって、
下側の基板から除去される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、概ね誘導および表
面のパターン化に関し、より詳細には、マイクロコンタ
クト・プリンティングを用いる金属酸化物表面に自己集
合分子単一層の形成およびこれらにより製造された誘導
体物体に関する。
面のパターン化に関し、より詳細には、マイクロコンタ
クト・プリンティングを用いる金属酸化物表面に自己集
合分子単一層の形成およびこれらにより製造された誘導
体物体に関する。
【０００２】
【従来の技術】超小型電子装置、センサ、光学素子、電
子ディスプレイの分野において、比較的に低故障率で、
便利かつ比較的安価に製造される装置の開発が重要とな
っている。
子ディスプレイの分野において、比較的に低故障率で、
便利かつ比較的安価に製造される装置の開発が重要とな
っている。
【０００３】そのような装置の製造に良く知られた方法
としてフォトリソグラフィがある。この技術によれば、
ネガ型またはポジ型レジスト（フォトレジスト）は、基
板の露光された表面にコーティングされている。このレ
ジストは、予め決められたパターンの放射線が照射さ
れ、照射されたレジスト（ポジ型レジスト）の部分、ま
たは、照射されていないレジスト（ネガ型レジスト）の
部分は、表面が洗浄されて、基板に予め決められたレジ
スト・パターンを形成する。これは、１またはそれを超
える手順により行われる。例えば、そのレジストは、レ
ジストで被覆されない範囲の材料が化学的に除去され、
レジストの除去を行い、基板の導電体、絶縁体、あるい
は半導体材料の予め決められたパターンを露出させると
いうエッチング・プロセスのマスクとして提供される。
としてフォトリソグラフィがある。この技術によれば、
ネガ型またはポジ型レジスト（フォトレジスト）は、基
板の露光された表面にコーティングされている。このレ
ジストは、予め決められたパターンの放射線が照射さ
れ、照射されたレジスト（ポジ型レジスト）の部分、ま
たは、照射されていないレジスト（ネガ型レジスト）の
部分は、表面が洗浄されて、基板に予め決められたレジ
スト・パターンを形成する。これは、１またはそれを超
える手順により行われる。例えば、そのレジストは、レ
ジストで被覆されない範囲の材料が化学的に除去され、
レジストの除去を行い、基板の導電体、絶縁体、あるい
は半導体材料の予め決められたパターンを露出させると
いうエッチング・プロセスのマスクとして提供される。
【０００４】他の例によれば、パターン化された表面
は、めっき媒体または（例えば、真空下における）金属
堆積物に露光され、そのレジストを除去して、材料表面
に予め決められためっきパターンを形成する。フォトリ
ソグラフィに加え、Ｘ線および電子線リソグラフィは、
類似するものとして使用される。
は、めっき媒体または（例えば、真空下における）金属
堆積物に露光され、そのレジストを除去して、材料表面
に予め決められためっきパターンを形成する。フォトリ
ソグラフィに加え、Ｘ線および電子線リソグラフィは、
類似するものとして使用される。
【０００５】上述した放射線を照射するリゾグラフ方法
は、多くの場合に効果的であり、すべてが複数の基板に
特定のパターンを再現させるため、相対的に精巧で、高
価な装置を必要とする。加えて、一般により多くの反応
物を消費し、付随する二次加工段階において最適条件よ
りも多くの副生成物を生じる。さらに、これらは、相対
的に時間を消費するものである。
は、多くの場合に効果的であり、すべてが複数の基板に
特定のパターンを再現させるため、相対的に精巧で、高
価な装置を必要とする。加えて、一般により多くの反応
物を消費し、付随する二次加工段階において最適条件よ
りも多くの副生成物を生じる。さらに、これらは、相対
的に時間を消費するものである。
【０００６】予め決められたパターンにしたがって表面
をエッチングする適切で、安価で、再現可能な方法に対
する技術が必要とされている。その方法は、ミクロンお
よびサブミクロン領域の形状を持つパターンを理想的に
生じ、既存のパターンを適切に再現することができるも
のである。
をエッチングする適切で、安価で、再現可能な方法に対
する技術が必要とされている。その方法は、ミクロンお
よびサブミクロン領域の形状を持つパターンを理想的に
生じ、既存のパターンを適切に再現することができるも
のである。
【０００７】自己集合単分子層（ＳＡＭ）の研究は、重
要な科学研究の範囲となっている。そのような単分子層
は、概して選択的に特定の表面に付着する互いに官能基
を持つ分子で形成されていて、残りのそれぞれの分子
は、単分子層内の隣接する分子と反応し、相対的に順序
通りの配列を形成する。上述したＳＡＭは、金属、シリ
コン二酸化物、ガリウム・ヒ化合物、その他を含む様々
な基板に形成される。ＳＡＭは、照射のパターン化やマ
イクロコンタクト・プリンティングのような、より精巧
な方法とともに、表面を単に充填することを含む様々な
方法で、予め決められたパターンにおいて表面に供給さ
れる。
要な科学研究の範囲となっている。そのような単分子層
は、概して選択的に特定の表面に付着する互いに官能基
を持つ分子で形成されていて、残りのそれぞれの分子
は、単分子層内の隣接する分子と反応し、相対的に順序
通りの配列を形成する。上述したＳＡＭは、金属、シリ
コン二酸化物、ガリウム・ヒ化合物、その他を含む様々
な基板に形成される。ＳＡＭは、照射のパターン化やマ
イクロコンタクト・プリンティングのような、より精巧
な方法とともに、表面を単に充填することを含む様々な
方法で、予め決められたパターンにおいて表面に供給さ
れる。
【０００８】広範囲な研究が行われ、いくつかの特許の
対象とされるＳＡＭの例としては、長鎖アルキル基を持
つ分子種や、一片の末端にチオール（−ＳＨ）基を有す
る分子種を挙げることができる。これらのＳＡＭは、
金、銀、銅といった金属表面に形成されている。例え
ば、Ｋｕｍａｒらの米国特許５，５１２，１３１号に
は、金といった金属表面にアルキル・チオールのパター
ン化された転写について開示されている。酸化物表面に
ＳＡＭを形成する可能性がある他の分子種としては、通
常、一片の末端にトリクロロ基、トリアルコキシ・シラ
ン基を含んでいて、金属酸化物のヒドロキシル化された
表面に共有結合を形成するものを挙げることができる。
シラン含有化合物を用いる欠点としては、これらの材料
が非常に反応性が高く、マイクロコンタクト・プリンテ
ィングに使用するスタンプの表面または溶液中において
架橋構造物を形成することにある。トリクロロシラン
は、分解を避けるために不活性雰囲気の下で取り扱わな
ければならない。パターン化を行う一般的な開示は、マ
イクロコンタクト・プリンティングによる製品のエッチ
ング方法に関するＷｈｉｔｅｓｉｄｅｓらの米国特許
５，９００，１６０号に見出すことができる。
対象とされるＳＡＭの例としては、長鎖アルキル基を持
つ分子種や、一片の末端にチオール（−ＳＨ）基を有す
る分子種を挙げることができる。これらのＳＡＭは、
金、銀、銅といった金属表面に形成されている。例え
ば、Ｋｕｍａｒらの米国特許５，５１２，１３１号に
は、金といった金属表面にアルキル・チオールのパター
ン化された転写について開示されている。酸化物表面に
ＳＡＭを形成する可能性がある他の分子種としては、通
常、一片の末端にトリクロロ基、トリアルコキシ・シラ
ン基を含んでいて、金属酸化物のヒドロキシル化された
表面に共有結合を形成するものを挙げることができる。
シラン含有化合物を用いる欠点としては、これらの材料
が非常に反応性が高く、マイクロコンタクト・プリンテ
ィングに使用するスタンプの表面または溶液中において
架橋構造物を形成することにある。トリクロロシラン
は、分解を避けるために不活性雰囲気の下で取り扱わな
ければならない。パターン化を行う一般的な開示は、マ
イクロコンタクト・プリンティングによる製品のエッチ
ング方法に関するＷｈｉｔｅｓｉｄｅｓらの米国特許
５，９００，１６０号に見出すことができる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
目的は、概ね高価で複雑な装置に関連した問題と、光学
および電子装置に用いるインジウム亜鉛酸化物（ＩＺ
Ｏ）およびインジウムすず酸化物（ＩＴＯ）をパターン
化することに関連した他の複雑さを解決することにあ
る。
目的は、概ね高価で複雑な装置に関連した問題と、光学
および電子装置に用いるインジウム亜鉛酸化物（ＩＺ
Ｏ）およびインジウムすず酸化物（ＩＴＯ）をパターン
化することに関連した他の複雑さを解決することにあ
る。
【００１０】１つの目的としては、ＩＺＯおよびＩＴＯ
表面に様々なＳＡＭパターンを適切、かつ再現可能に生
じさせ、そのパターンがミクロン領域の解像度を持ち、
エッチングに耐えうる方法を提供することである。
表面に様々なＳＡＭパターンを適切、かつ再現可能に生
じさせ、そのパターンがミクロン領域の解像度を持ち、
エッチングに耐えうる方法を提供することである。
【００１１】本発明のもう１つの目的は、概ね適切、か
つ安価に製造され、様々なシステムに適用可能な電子お
よび光学素子や装置を提供することである。
つ安価に製造され、様々なシステムに適用可能な電子お
よび光学素子や装置を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の金属酸化物表面
をパターン化する方法は、 ａ）薄い金属酸化物、好ましくはＩＺＯおよびＩＴＯで
コーティングされ、前記金属酸化物の厚さがおおよそ５
０ｎｍ〜おおよそ１０００ｎｍであるシリコン・ウェー
ハ、ガラス、石英、ポリイミド、ポリアクリレート、ポ
リエステルといった高分子材料の固体基板を与える段階
と、 ｂ）少なくとも１つの凹部、凹部製作手段により形成さ
れる前記凹部を有する実質的に連続する表面を持つスタ
ンプを与える段階と、 ｃ）前記金属酸化物と反応可能な官能基を末端とする分
子種で前記スタンプ表面をコーティングし、前記官能基
と前記金属酸化物表面との間に結合を形成する段階と、 ｄ）前記金属酸化物の表面に前記コーティングされたス
タンプを配置し、前記官能基が前記金属酸化物の少なく
とも一部に接触して反応し、それらの間に結合を形成す
る段階と、 ｅ）前記金属酸化物の表面から前記スタンプを除去し、
前記分子種の前記官能基と前記金属酸化物との反応生成
物を含む自己集合単分子層を得る段階と、を含む。
をパターン化する方法は、 ａ）薄い金属酸化物、好ましくはＩＺＯおよびＩＴＯで
コーティングされ、前記金属酸化物の厚さがおおよそ５
０ｎｍ〜おおよそ１０００ｎｍであるシリコン・ウェー
ハ、ガラス、石英、ポリイミド、ポリアクリレート、ポ
リエステルといった高分子材料の固体基板を与える段階
と、 ｂ）少なくとも１つの凹部、凹部製作手段により形成さ
れる前記凹部を有する実質的に連続する表面を持つスタ
ンプを与える段階と、 ｃ）前記金属酸化物と反応可能な官能基を末端とする分
子種で前記スタンプ表面をコーティングし、前記官能基
と前記金属酸化物表面との間に結合を形成する段階と、 ｄ）前記金属酸化物の表面に前記コーティングされたス
タンプを配置し、前記官能基が前記金属酸化物の少なく
とも一部に接触して反応し、それらの間に結合を形成す
る段階と、 ｅ）前記金属酸化物の表面から前記スタンプを除去し、
前記分子種の前記官能基と前記金属酸化物との反応生成
物を含む自己集合単分子層を得る段階と、を含む。
【００１３】前記分子種と反応しない前記金属酸化物表
面の非接触部分は、エッチャントと接することにより除
去される。
面の非接触部分は、エッチャントと接することにより除
去される。
【００１４】本発明に用いられる分子種は、ホスホン酸
基が末端となるアルキル基を含む有機化合物であり、下
記式
基が末端となるアルキル基を含む有機化合物であり、下
記式
【００１５】
【化３】
【００１６】で示され、アルキル部分においてｎが５〜
２１である。
２１である。
【００１７】これとは別に、分子種は、ホスホン酸基が
末端となる全体または一部がフッ素化されたアルキル基
から構成される有機化合物を含み、下記式
末端となる全体または一部がフッ素化されたアルキル基
から構成される有機化合物を含み、下記式
【００１８】
【化４】
【００１９】で示され、ｎが０〜２０、かつｎ＋ｍが５
〜２０である。
〜２０である。
【００２０】本発明は、マイクロコンタクト・プリンテ
ィングおよびエッチングによりＩＺＯまたはＩＴＯのパ
ターン化されたフィルムを形成する方法を提供する。こ
の方法は、スタンプとＩＺＯまたはＩＴＯフィルムの表
面とを接触させ、第１のパターンの分子種の自己集合単
分子層を転写させることを含む。自己集合単分子層は、
第２のパターンのＩＺＯまたはＩＴＯフィルム表面の露
光される部分に連続している。ＩＺＯまたはＩＴＯフィ
ルムは、ＩＺＯまたはＩＴＯと化学的に反応し、自己集
合単分子層については不活性であるエッチャントと、Ｉ
ＺＯまたはＩＴＯフィルムの露光された部分とを接触さ
せることにより、第２のパターンにしたがって、下側の
基板から除去される。
ィングおよびエッチングによりＩＺＯまたはＩＴＯのパ
ターン化されたフィルムを形成する方法を提供する。こ
の方法は、スタンプとＩＺＯまたはＩＴＯフィルムの表
面とを接触させ、第１のパターンの分子種の自己集合単
分子層を転写させることを含む。自己集合単分子層は、
第２のパターンのＩＺＯまたはＩＴＯフィルム表面の露
光される部分に連続している。ＩＺＯまたはＩＴＯフィ
ルムは、ＩＺＯまたはＩＴＯと化学的に反応し、自己集
合単分子層については不活性であるエッチャントと、Ｉ
ＺＯまたはＩＴＯフィルムの露光された部分とを接触さ
せることにより、第２のパターンにしたがって、下側の
基板から除去される。
【００２１】本発明を特徴づける新しい様々な構成は、
添付する本明細書の一部となる請求項において詳細に示
されている。本発明および本発明の使用により得られる
作用効果や特定の目的をよりよく理解するため、本発明
の好ましい実施の形態を図示し、説明する図面および明
細書を参照することができる。
添付する本明細書の一部となる請求項において詳細に示
されている。本発明および本発明の使用により得られる
作用効果や特定の目的をよりよく理解するため、本発明
の好ましい実施の形態を図示し、説明する図面および明
細書を参照することができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】図１(ａ)〜（ｄ）には、マイクロ
コンタクト・プリンティングを用いるＩＺＯまたはＩＴ
Ｏのパターン化されたフィルムを形成する方法が概略的
に示されている。図１（ａ）で、スタンプ２０は、凹部
を含むパターンを形成するように形成された複数の凹部
２２を含む表面２１を有しているのが示されている。こ
れら凹部２２は、スタンピング・パターンを画成するス
タンピング表面２３に連続している。
コンタクト・プリンティングを用いるＩＺＯまたはＩＴ
Ｏのパターン化されたフィルムを形成する方法が概略的
に示されている。図１（ａ）で、スタンプ２０は、凹部
を含むパターンを形成するように形成された複数の凹部
２２を含む表面２１を有しているのが示されている。こ
れら凹部２２は、スタンピング・パターンを画成するス
タンピング表面２３に連続している。
【００２３】マイクロプリンティングする前に、スタン
ピング表面２３、典型的にはスタンプの全面２１は、分
子種２４でコーティングされる。分子種２４は、ＩＺＯ
またはＩＴＯ表面に結合し、配列された自己集合単分子
層を形成するように選択されるホスホン酸官能基を末端
としている。図示されているように、分子種２４の末端
にあるホスホン酸官能基は、基板２７に与えられた材料
２６（ＩＺＯまたはＩＴＯ）の表面２５と結合し、表面
２５に自己集合単一層を形成するように選択される。
ピング表面２３、典型的にはスタンプの全面２１は、分
子種２４でコーティングされる。分子種２４は、ＩＺＯ
またはＩＴＯ表面に結合し、配列された自己集合単分子
層を形成するように選択されるホスホン酸官能基を末端
としている。図示されているように、分子種２４の末端
にあるホスホン酸官能基は、基板２７に与えられた材料
２６（ＩＺＯまたはＩＴＯ）の表面２５と結合し、表面
２５に自己集合単一層を形成するように選択される。
【００２４】図１（ｂ）に示すように、スタンプ２０
は、予め決められた方向に、スタンピング表面２３が物
体表面２５の第１の部分２８に接触するように基板２７
に隣接して配置される。スタンピング表面２３は、材料
２６の表面２５部分に押し当てられ、材料表面に分子種
２４を保持させて、ホスホン酸基を結合させる。
は、予め決められた方向に、スタンピング表面２３が物
体表面２５の第１の部分２８に接触するように基板２７
に隣接して配置される。スタンピング表面２３は、材料
２６の表面２５部分に押し当てられ、材料表面に分子種
２４を保持させて、ホスホン酸基を結合させる。
【００２５】図１（ｃ）では、スタンプ２０は、表面２
５から除去され、スタンピング表面２３のスタンピング
・パターンにしたがって表面２５に分子種２４のＳＡＭ
２９を与える。表面２５の、第１の部分２８に連続する
第２の部分３０には分子種２４は残らない。図２は、分
子種２４が図１（ａ）〜図１（ｃ）で示された方法にし
たがってマイクロコンタクト・プリンティングされた表
面に、材料２６（ＩＺＯ）の薄い層でコーティングされ
たシリコン基板２７の様子を示す図である。
５から除去され、スタンピング表面２３のスタンピング
・パターンにしたがって表面２５に分子種２４のＳＡＭ
２９を与える。表面２５の、第１の部分２８に連続する
第２の部分３０には分子種２４は残らない。図２は、分
子種２４が図１（ａ）〜図１（ｃ）で示された方法にし
たがってマイクロコンタクト・プリンティングされた表
面に、材料２６（ＩＺＯ）の薄い層でコーティングされ
たシリコン基板２７の様子を示す図である。
【００２６】スタンプ２０を除去した後、エッチャント
が表面に供給される。分子種２４は、エッチャントによ
り乱されることはないので、エッチャントは、分子種２
４で被覆された表面２５の範囲をおかすことはない。エ
ッチャントは、ギャップ３０を介して基板２７上の材料
２６の表面２５と接触し、ギャップ３０の材料２６を溶
解する。スタンピング表面２３のパターンは、このよう
に材料２６のフィルムへ転写される。その結果を図１
（ｄ）に示す。図示された実施の形態によるパターン化
されたシリコン基板２７上の材料２６（ＩＺＯ）の様子
を、図３に示す。
が表面に供給される。分子種２４は、エッチャントによ
り乱されることはないので、エッチャントは、分子種２
４で被覆された表面２５の範囲をおかすことはない。エ
ッチャントは、ギャップ３０を介して基板２７上の材料
２６の表面２５と接触し、ギャップ３０の材料２６を溶
解する。スタンピング表面２３のパターンは、このよう
に材料２６のフィルムへ転写される。その結果を図１
（ｄ）に示す。図示された実施の形態によるパターン化
されたシリコン基板２７上の材料２６（ＩＺＯ）の様子
を、図３に示す。
【００２７】分子種２４は、いかなる適切な方法により
スタンピング表面２３にコーティングされていても良
く、例えば、分子種２４がスタンピング表面２３にスプ
レーされていても良い。これとは別に、綿棒またはそれ
と同様のものがスタンピング表面２３に分子種２４を転
写させるために使用されていても良い。あるいは、分子
種２４を紙片に吸収させ、その後スタンピング表面２３
が紙片に押し当てられるようにされていても良い。
スタンピング表面２３にコーティングされていても良
く、例えば、分子種２４がスタンピング表面２３にスプ
レーされていても良い。これとは別に、綿棒またはそれ
と同様のものがスタンピング表面２３に分子種２４を転
写させるために使用されていても良い。あるいは、分子
種２４を紙片に吸収させ、その後スタンピング表面２３
が紙片に押し当てられるようにされていても良い。
【００２８】一般に、分子種２４は、スタンピング表面
２３へ転写するために溶媒中に溶解される。転写のため
に上述した溶媒中の分子種２４の濃度は、良好に画成さ
れたＳＡＭがにじむことなく表面２５へ転写するのに充
分低く、また、ＳＡＭがエッチャントから下側の表面２
５を保護するのに充分高くなるように選択される。典型
的に、分子種２４は、１００ｍＭ未満の濃度、好ましく
は略０．５〜略２０．０ｍＭ、さらに好ましくは略１．
０〜略１０．０ｍＭの溶媒中でスタンピング表面２３へ
転写される。分子種２４が溶解するのであれば、いかな
る有機溶媒でも好適である。分子種２４が溶媒中または
溶媒近くのいずれかにおいて、スタンピング表面２３へ
転写される場合には、スタンピング表面２３は、スタン
ピング・プロセスを実行する前に乾燥される。もし、ス
タンピング表面２３は、ＳＡＭが材料表面にスタンプさ
れる際に乾燥されていない場合、すなわち大部分の液が
スタンピング表面に残っている場合には、スタンピング
表面下から液が分散することからＳＡＭのにじみが生じ
る。スタンピング表面２３は、空気乾燥、送風乾燥、そ
の他いかなる適切な手段で乾燥されても良い。乾燥手段
は、単にＳＡＭ形成分子種を劣化させないように選択さ
れる。
２３へ転写するために溶媒中に溶解される。転写のため
に上述した溶媒中の分子種２４の濃度は、良好に画成さ
れたＳＡＭがにじむことなく表面２５へ転写するのに充
分低く、また、ＳＡＭがエッチャントから下側の表面２
５を保護するのに充分高くなるように選択される。典型
的に、分子種２４は、１００ｍＭ未満の濃度、好ましく
は略０．５〜略２０．０ｍＭ、さらに好ましくは略１．
０〜略１０．０ｍＭの溶媒中でスタンピング表面２３へ
転写される。分子種２４が溶解するのであれば、いかな
る有機溶媒でも好適である。分子種２４が溶媒中または
溶媒近くのいずれかにおいて、スタンピング表面２３へ
転写される場合には、スタンピング表面２３は、スタン
ピング・プロセスを実行する前に乾燥される。もし、ス
タンピング表面２３は、ＳＡＭが材料表面にスタンプさ
れる際に乾燥されていない場合、すなわち大部分の液が
スタンピング表面に残っている場合には、スタンピング
表面下から液が分散することからＳＡＭのにじみが生じ
る。スタンピング表面２３は、空気乾燥、送風乾燥、そ
の他いかなる適切な手段で乾燥されても良い。乾燥手段
は、単にＳＡＭ形成分子種を劣化させないように選択さ
れる。
【００２９】材料２６のフィルムは、スパッタリングの
ような適切な方法により、例えば、シリコン、シリコン
二酸化物といった、いかなる適切な基板に被覆される。
材料２６のフィルム厚さは、典型的には５００ｎｍ未満
とされ、好ましくは略２５〜略１００ｎｍ、さらに好ま
しくは略５０〜略７５ｎｍとされる。
ような適切な方法により、例えば、シリコン、シリコン
二酸化物といった、いかなる適切な基板に被覆される。
材料２６のフィルム厚さは、典型的には５００ｎｍ未満
とされ、好ましくは略２５〜略１００ｎｍ、さらに好ま
しくは略５０〜略７５ｎｍとされる。
【００３０】本発明の別の実施の形態によれば、ＳＡＭ
２９は、表面２５の全体に形成される。例えば、ＳＡＭ
２９は、分子種２４の溶液中に表面２５を浸漬すること
により形成される。これとは別に、スタンプ表面２１が
いかなる凹部も含まないスタンプでも、図１のようにマ
イクロコンタクト・プリンティング・プロセスで使用す
ることができる。
２９は、表面２５の全体に形成される。例えば、ＳＡＭ
２９は、分子種２４の溶液中に表面２５を浸漬すること
により形成される。これとは別に、スタンプ表面２１が
いかなる凹部も含まないスタンプでも、図１のようにマ
イクロコンタクト・プリンティング・プロセスで使用す
ることができる。
【００３１】これらの機能や効果、本発明の他の実施の
形態は、後述する実施例から、より完全に理解すること
ができる。後述する実施例は、本発明の利点を示すもの
であるが、本発明の全範囲を例示するものではない。
形態は、後述する実施例から、より完全に理解すること
ができる。後述する実施例は、本発明の利点を示すもの
であるが、本発明の全範囲を例示するものではない。
【００３２】（実施例１） （マイクロコンタクト・プリンティング・スタンプの製
作）露光・現像フォトレジスト・パターンを構成するテ
ンプレートをフォトリソグラフィによって製作した。２
ｍｍ高さの境界をテンプレートの表面の境界の周りに２
ｍｍ厚さで、裏に粘着性のあるフォームのストリップを
固定することにより形成した。ＰＤＭＳ−シルガード・
シリコン・エラストマ１８４と、シルガード硬化剤１８
４（ミシガン州ミッドランドのダウ・コーニング株式会
社製）とを１０：１（質量比または体積比）とした混合
物を、約１０分間真空下で脱気した。その後、その混合
物をテンプレートに注いで、フォームのおおよそ境界高
さとした。ＰＤＭＳを６０分間６５℃で硬化した。室温
まで冷却した後、ＰＤＭＳ−スタンプを注意深くテンプ
レートから剥離した。
作）露光・現像フォトレジスト・パターンを構成するテ
ンプレートをフォトリソグラフィによって製作した。２
ｍｍ高さの境界をテンプレートの表面の境界の周りに２
ｍｍ厚さで、裏に粘着性のあるフォームのストリップを
固定することにより形成した。ＰＤＭＳ−シルガード・
シリコン・エラストマ１８４と、シルガード硬化剤１８
４（ミシガン州ミッドランドのダウ・コーニング株式会
社製）とを１０：１（質量比または体積比）とした混合
物を、約１０分間真空下で脱気した。その後、その混合
物をテンプレートに注いで、フォームのおおよそ境界高
さとした。ＰＤＭＳを６０分間６５℃で硬化した。室温
まで冷却した後、ＰＤＭＳ−スタンプを注意深くテンプ
レートから剥離した。
【００３３】（実施例２） （マイクロコンタクト・プリンティングによるＩＺＯフ
ィルムのパターン化およびウェット・エッチング）実施
例１にしたがって形成されるスタンプを製造した。その
スタンプを凹部領域により囲まれたピクセル・アレイを
有するように製作した。すなわち、スタンプがスタンピ
ング表面のピクセルを分離する複数の凹部を含むパター
ンを有する。その表面を少量の溶液を与えることによ
り、エタノール中でオクタデシル・ホスホン酸でコーテ
ィングして、スタンプ表面を被覆した。その溶液を３０
秒間スタンプの表面に接触させた後、スタンプ表面を乾
燥窒素下において乾燥した。スタンプをＩＺＯ表面に施
し、除去して、アルカンホスホン酸の１つのパターンを
形成した。残された未保護のＩＺＯを蓚酸水溶液（１０
％ｗ：ｖ）を用いてシリコン基板の表面から除去し、Ｉ
ＺＯフィルムにスタンプのパターンを転写した。得られ
たパターンの光学顕微鏡写真の模式図を図４に示し、図
５には、走査型電子顕微鏡写真の模式図を示す。
ィルムのパターン化およびウェット・エッチング）実施
例１にしたがって形成されるスタンプを製造した。その
スタンプを凹部領域により囲まれたピクセル・アレイを
有するように製作した。すなわち、スタンプがスタンピ
ング表面のピクセルを分離する複数の凹部を含むパター
ンを有する。その表面を少量の溶液を与えることによ
り、エタノール中でオクタデシル・ホスホン酸でコーテ
ィングして、スタンプ表面を被覆した。その溶液を３０
秒間スタンプの表面に接触させた後、スタンプ表面を乾
燥窒素下において乾燥した。スタンプをＩＺＯ表面に施
し、除去して、アルカンホスホン酸の１つのパターンを
形成した。残された未保護のＩＺＯを蓚酸水溶液（１０
％ｗ：ｖ）を用いてシリコン基板の表面から除去し、Ｉ
ＺＯフィルムにスタンプのパターンを転写した。得られ
たパターンの光学顕微鏡写真の模式図を図４に示し、図
５には、走査型電子顕微鏡写真の模式図を示す。
【００３４】（実施例３） （マイクロコンタクト・プリンティングによるＩＴＯフ
ィルムのパターン化およびウェット・エッチング）実施
例１にしたがって形成されるスタンプを製造した。上述
した実施例２の手順に従い、同様の結果を得た。スタン
プのパターンをＩＴＯフィルムに転写した。得られたパ
ターンの光学顕微鏡写真の様子は、図４と同様であり、
走査型電子顕微鏡写真の様子は、図５と同様であった。
ィルムのパターン化およびウェット・エッチング）実施
例１にしたがって形成されるスタンプを製造した。上述
した実施例２の手順に従い、同様の結果を得た。スタン
プのパターンをＩＴＯフィルムに転写した。得られたパ
ターンの光学顕微鏡写真の様子は、図４と同様であり、
走査型電子顕微鏡写真の様子は、図５と同様であった。
【００３５】上述したように、本発明の基本的で新規な
構成を、現時点で好ましい実施の形態に適用する場合に
ついて図示し、説明し、指摘を行ってきたが、図示され
た形状、方法、装置および操作の詳細において、様々な
省略、置換、変更は、本発明の範囲から逸脱せずに当業
者により行うことができる。加えて、図面は、制限する
ために与える必要があるものではなく、単に概念的な性
質のものとして理解されるべきである。したがって、本
発明は、請求項に記載の範囲のみによって限定される。
構成を、現時点で好ましい実施の形態に適用する場合に
ついて図示し、説明し、指摘を行ってきたが、図示され
た形状、方法、装置および操作の詳細において、様々な
省略、置換、変更は、本発明の範囲から逸脱せずに当業
者により行うことができる。加えて、図面は、制限する
ために与える必要があるものではなく、単に概念的な性
質のものとして理解されるべきである。したがって、本
発明は、請求項に記載の範囲のみによって限定される。
【００３６】以下に本発明をまとめる。 （１）金属酸化物表面をパターン化する方法であって、 ａ）金属酸化物でコーティングされた基板を与える段階
と、 ｂ）少なくとも１つの凹部を有する実質的に連続する表
面を持つスタンプを与える段階と、 ｃ）前記金属酸化物表面と反応可能な官能基を末端とす
る分子種で前記スタンプをコーティングし、前記官能基
と前記金属酸化物表面との間に結合を形成する段階と、 ｄ）前記金属酸化物表面の少なくとも一部に前記官能基
が接触して反応するように前記金属酸化物の表面に前記
コーティングされたスタンプを配置し、前記官能基と前
記金属酸化物表面との間に結合を形成する段階と、 ｅ）前記金属酸化物の表面から前記スタンプを除去し、
前記分子種の前記官能基と前記金属酸化物との反応生成
物を含む自己集合単分子層を得る段階と、を含む金属酸
化物表面をパターン化する方法。 （２）前記金属酸化物と反応可能であり、前記官能基と
前記金属酸化物表面との間に結合を形成する前記官能基
を末端とする分子種は、前記スタンプ表面をコーティン
グするのに使用される溶媒に溶解する、（１）に記載の
金属酸化物表面をパターン化する方法。 （３）前記金属酸化物表面の非接触部分は、前記分子種
と反応せず、エッチャントと接触することにより除去さ
れる、（１）に記載の金属酸化物表面をパターン化する
方法。 （４）前記分子種は、ホスホン酸基を末端とするアルキ
ル基を含み、下記式
と、 ｂ）少なくとも１つの凹部を有する実質的に連続する表
面を持つスタンプを与える段階と、 ｃ）前記金属酸化物表面と反応可能な官能基を末端とす
る分子種で前記スタンプをコーティングし、前記官能基
と前記金属酸化物表面との間に結合を形成する段階と、 ｄ）前記金属酸化物表面の少なくとも一部に前記官能基
が接触して反応するように前記金属酸化物の表面に前記
コーティングされたスタンプを配置し、前記官能基と前
記金属酸化物表面との間に結合を形成する段階と、 ｅ）前記金属酸化物の表面から前記スタンプを除去し、
前記分子種の前記官能基と前記金属酸化物との反応生成
物を含む自己集合単分子層を得る段階と、を含む金属酸
化物表面をパターン化する方法。 （２）前記金属酸化物と反応可能であり、前記官能基と
前記金属酸化物表面との間に結合を形成する前記官能基
を末端とする分子種は、前記スタンプ表面をコーティン
グするのに使用される溶媒に溶解する、（１）に記載の
金属酸化物表面をパターン化する方法。 （３）前記金属酸化物表面の非接触部分は、前記分子種
と反応せず、エッチャントと接触することにより除去さ
れる、（１）に記載の金属酸化物表面をパターン化する
方法。 （４）前記分子種は、ホスホン酸基を末端とするアルキ
ル基を含み、下記式
【化５】 で示され、アルキル部分はｎが５〜２１である、（１）
に記載の金属酸化物表面をパターン化する方法。 （５）前記分子種は、ホスホン酸基を末端とする全体ま
たは一部がフッ素化されたアルキル基を含み、下記式
に記載の金属酸化物表面をパターン化する方法。 （５）前記分子種は、ホスホン酸基を末端とする全体ま
たは一部がフッ素化されたアルキル基を含み、下記式
【化６】 で示され、ｎが０〜２０、かつｎ＋ｍが５〜２０であ
る、（１）に記載の金属酸化物表面をパターン化する方
法。 （６）前記酸化物表面は、シリコン・ウェーハ、ガラ
ス、石英、ポリイミド、ポリアクリレート、ポリエステ
ルからなる群から選択される固体基板に堆積した前記酸
化物の薄いフィルムである、（１）に記載の金属酸化物
表面をパターン化する方法。 （７）前記金属酸化物層の厚さは、５０〜１０００ｎｍ
である、（６）に記載の金属酸化物表面をパターン化す
る方法。 （８）前記金属酸化物は、ドープしたインジウム亜鉛酸
化物である、（７）に記載の金属酸化物表面をパターン
化する方法。 （９）前記金属酸化物は、ドープしたインジウムすず酸
化物である、（７）に記載の金属酸化物表面をパターン
化する方法。 （１０）前記ドープしたインジウム亜鉛酸化物をパター
ン化する方法であって、 ａ）前記ドープしたインジウム亜鉛酸化物の表面に前記
分子種でコーティングされた前記スタンプを配置し、そ
の後前記ドープしたインジウム亜鉛酸化物の選ばれた部
分に接触させて前記分子種と反応させる段階と、 ｂ）前記ドープしたインジウム亜鉛酸化物の表面から前
記スタンプを除去し、前記分子種の前記官能基と前記ド
ープしたインジウム亜鉛酸化物表面との反応生成物を含
む自己集合単分子層を得る段階と、 ｃ）前記結合した分子種と反応しない前記ドープしたイ
ンジウム亜鉛酸化物の非接触部分をエッチャントで除去
し、前記基板に前記ドープしたインジウム亜鉛酸化物の
パターンを形成する段階と、を含む（８）に記載の金属
酸化物表面をパターン化する方法。 （１１）前記ドープしたインジウムすず酸化物をパター
ン化する方法であって、 ａ）前記ドープしたインジウムすず酸化物の表面に前記
分子種でコーティングされた前記スタンプを配置し、そ
の後前記ドープしたインジウムすず酸化物の選ばれた部
分に接触させて前記分子種と反応させる段階と、 ｂ）前記ドープしたインジウムすず酸化物の表面から前
記スタンプを除去し、前記分子種の前記官能基と前記ド
ープしたインジウムすず酸化物表面との反応生成物を含
む自己集合単分子層を得る段階と、 ｃ）前記結合された分子種と反応しない前記ドープした
インジウムすず酸化物の非接触部分をエッチャントで除
去し、前記基板に前記ドープしたインジウムすず酸化物
のパターンを形成する段階と、を含む（９）に記載の金
属酸化物表面をパターン化する方法。 （１２）ホスホン酸基が末端となる前記アルキル基と反
応しないシリコン・ウェーハ基板にドープしたインジウ
ム亜鉛酸化物の部分は、エッチャントにより取り除か
れ、前記ドープしたインジウム亜鉛酸化物のパターンを
形成する、（８）に記載の金属酸化物表面をパターン化
する方法。 （１３）ホスホン酸基が末端となる前記アルキル基と反
応しないシリコン・ウェーハ基板にドープしたインジウ
ムすず酸化物の部分は、エッチャントにより除去され、
前記ドープしたインジウムすず酸化物のパターンを形成
する、（９）に記載の金属酸化物表面をパターン化する
方法。 （１４）前記パターン化された基板は、液晶ディスプレ
イを含む光電子装置の製作に用いられる、（１０）に記
載の金属酸化物表面をパターン化する方法。 （１５）前記パターン化された基板は、液晶ディスプレ
イを含む光電子装置の製作に用いられる、（１１）に記
載の金属酸化物表面をパターン化する方法。 （１６）前記凹部は、Ｘ線および電子線リソグラフィに
より形成される、（１）に記載の金属酸化物表面をパタ
ーン化する方法。 （１７）前記金属酸化物表面と反応可能であり、前記溶
媒に溶解する前記金属酸化物表面と前記官能基との間の
結合を形成する前記官能基を末端とする分子種の濃度
は、１００ｍＭ未満である、（２）に記載の金属酸化物
表面をパターン化する方法。 （１８）前記溶媒中の前記分子種の濃度は、略０．５ｍ
Ｍ〜略２０ｍＭである、（１７）に記載の金属酸化物表
面をパターン化する方法。 （１９）前記溶媒中の前記分子種の濃度は、略１．０ｍ
Ｍ〜略１０ｍＭである、（１７）に記載の金属酸化物表
面をパターン化する方法。
る、（１）に記載の金属酸化物表面をパターン化する方
法。 （６）前記酸化物表面は、シリコン・ウェーハ、ガラ
ス、石英、ポリイミド、ポリアクリレート、ポリエステ
ルからなる群から選択される固体基板に堆積した前記酸
化物の薄いフィルムである、（１）に記載の金属酸化物
表面をパターン化する方法。 （７）前記金属酸化物層の厚さは、５０〜１０００ｎｍ
である、（６）に記載の金属酸化物表面をパターン化す
る方法。 （８）前記金属酸化物は、ドープしたインジウム亜鉛酸
化物である、（７）に記載の金属酸化物表面をパターン
化する方法。 （９）前記金属酸化物は、ドープしたインジウムすず酸
化物である、（７）に記載の金属酸化物表面をパターン
化する方法。 （１０）前記ドープしたインジウム亜鉛酸化物をパター
ン化する方法であって、 ａ）前記ドープしたインジウム亜鉛酸化物の表面に前記
分子種でコーティングされた前記スタンプを配置し、そ
の後前記ドープしたインジウム亜鉛酸化物の選ばれた部
分に接触させて前記分子種と反応させる段階と、 ｂ）前記ドープしたインジウム亜鉛酸化物の表面から前
記スタンプを除去し、前記分子種の前記官能基と前記ド
ープしたインジウム亜鉛酸化物表面との反応生成物を含
む自己集合単分子層を得る段階と、 ｃ）前記結合した分子種と反応しない前記ドープしたイ
ンジウム亜鉛酸化物の非接触部分をエッチャントで除去
し、前記基板に前記ドープしたインジウム亜鉛酸化物の
パターンを形成する段階と、を含む（８）に記載の金属
酸化物表面をパターン化する方法。 （１１）前記ドープしたインジウムすず酸化物をパター
ン化する方法であって、 ａ）前記ドープしたインジウムすず酸化物の表面に前記
分子種でコーティングされた前記スタンプを配置し、そ
の後前記ドープしたインジウムすず酸化物の選ばれた部
分に接触させて前記分子種と反応させる段階と、 ｂ）前記ドープしたインジウムすず酸化物の表面から前
記スタンプを除去し、前記分子種の前記官能基と前記ド
ープしたインジウムすず酸化物表面との反応生成物を含
む自己集合単分子層を得る段階と、 ｃ）前記結合された分子種と反応しない前記ドープした
インジウムすず酸化物の非接触部分をエッチャントで除
去し、前記基板に前記ドープしたインジウムすず酸化物
のパターンを形成する段階と、を含む（９）に記載の金
属酸化物表面をパターン化する方法。 （１２）ホスホン酸基が末端となる前記アルキル基と反
応しないシリコン・ウェーハ基板にドープしたインジウ
ム亜鉛酸化物の部分は、エッチャントにより取り除か
れ、前記ドープしたインジウム亜鉛酸化物のパターンを
形成する、（８）に記載の金属酸化物表面をパターン化
する方法。 （１３）ホスホン酸基が末端となる前記アルキル基と反
応しないシリコン・ウェーハ基板にドープしたインジウ
ムすず酸化物の部分は、エッチャントにより除去され、
前記ドープしたインジウムすず酸化物のパターンを形成
する、（９）に記載の金属酸化物表面をパターン化する
方法。 （１４）前記パターン化された基板は、液晶ディスプレ
イを含む光電子装置の製作に用いられる、（１０）に記
載の金属酸化物表面をパターン化する方法。 （１５）前記パターン化された基板は、液晶ディスプレ
イを含む光電子装置の製作に用いられる、（１１）に記
載の金属酸化物表面をパターン化する方法。 （１６）前記凹部は、Ｘ線および電子線リソグラフィに
より形成される、（１）に記載の金属酸化物表面をパタ
ーン化する方法。 （１７）前記金属酸化物表面と反応可能であり、前記溶
媒に溶解する前記金属酸化物表面と前記官能基との間の
結合を形成する前記官能基を末端とする分子種の濃度
は、１００ｍＭ未満である、（２）に記載の金属酸化物
表面をパターン化する方法。 （１８）前記溶媒中の前記分子種の濃度は、略０．５ｍ
Ｍ〜略２０ｍＭである、（１７）に記載の金属酸化物表
面をパターン化する方法。 （１９）前記溶媒中の前記分子種の濃度は、略１．０ｍ
Ｍ〜略１０ｍＭである、（１７）に記載の金属酸化物表
面をパターン化する方法。
【図１】 Ｓｉ／ＳｉＯ２上のＩＺＯまたはＩＴＯフィ
ルム表面に自己集合分子単一層のマイクロコンタクト・
プリンティングする工程を示す図である。
ルム表面に自己集合分子単一層のマイクロコンタクト・
プリンティングする工程を示す図である。
【図２】マイクロコンタクト・プリンティングされた表
面に、ＩＺＯの薄い層でコーティングされたシリコン基
板を走査型電子顕微鏡で観察した様子の図である。
面に、ＩＺＯの薄い層でコーティングされたシリコン基
板を走査型電子顕微鏡で観察した様子の図である。
【図３】 パターン化されたシリコン基板上のＩＺＯの
走査型電子顕微鏡写真の様子を示す図である。
走査型電子顕微鏡写真の様子を示す図である。
【図４】 図１に示す技術を用いて得られたＩＺＯ表面
を示した図である。
を示した図である。
【図５】 図１に示す技術を用いて得られたＩＺＯ表面
を示した図である。
を示した図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 トリシア・エル・ブリーン アメリカ合衆国、10591、ニューヨーク州 タールタウン、クレセント・ドライブ、 1922 (72)発明者 ペータ・フライヤ アメリカ合衆国、10598、ニューヨーク州 ヨークタウン・ハイツ、ジュニパ・ドライ ブ、138 (72)発明者 ロナルド・ウェイン・ヌネス アメリカ合衆国、12533、ニューヨーク州 ホープウェル・ジャンクション、ジョー ン・ロード、９ (72)発明者 メアリ・エリザベス・ロズウェル アメリカ合衆国、06877、コネチカット州 リッジフィールド、ウッドランド・ウェ イ、36 Ｆターム(参考） 2H090 JA06 JC07 LA01 4K044 AA11 AA12 AA16 AB10 BA12 BA19 BB04 BB10
Claims (19)
- 【請求項１】 金属酸化物表面をパターン化する方法で
あって、 ａ）金属酸化物でコーティングされた基板を与える段階
と、 ｂ）少なくとも１つの凹部を有する実質的に連続する表
面を持つスタンプを与える段階と、 ｃ）前記金属酸化物表面と反応可能な官能基を末端とす
る分子種で前記スタンプをコーティングし、前記官能基
と前記金属酸化物表面との間に結合を形成する段階と、 ｄ）前記金属酸化物表面の少なくとも一部に前記官能基
が接触して反応するように前記金属酸化物の表面に前記
コーティングされたスタンプを配置し、前記官能基と前
記金属酸化物表面との間に結合を形成する段階と、 ｅ）前記金属酸化物の表面から前記スタンプを除去し、
前記分子種の前記官能基と前記金属酸化物との反応生成
物を含む自己集合単分子層を得る段階と、を含む金属酸
化物表面をパターン化する方法。 - 【請求項２】 前記金属酸化物と反応可能であり、前記
官能基と前記金属酸化物表面との間に結合を形成する前
記官能基を末端とする分子種は、前記スタンプ表面をコ
ーティングするのに使用される溶媒に溶解する、請求項
１に記載の金属酸化物表面をパターン化する方法。 - 【請求項３】 前記金属酸化物表面の非接触部分は、前
記分子種と反応せず、エッチャントと接触することによ
り除去される、請求項１に記載の金属酸化物表面をパタ
ーン化する方法。 - 【請求項４】 前記分子種は、ホスホン酸基を末端とす
るアルキル基を含み、下記式 【化１】 で示され、アルキル部分はｎが５〜２１である、請求項
１に記載の金属酸化物表面をパターン化する方法。 - 【請求項５】 前記分子種は、ホスホン酸基を末端とす
る全体または一部がフッ素化されたアルキル基を含み、
下記式 【化２】 で示され、ｎが０〜２０で、かつｎ＋ｍが５〜２０であ
る、請求項１に記載の金属酸化物表面をパターン化する
方法。 - 【請求項６】 前記酸化物表面は、シリコン・ウェー
ハ、ガラス、石英、ポリイミド、ポリアクリレート、ポ
リエステルからなる群から選択される固体基板に堆積し
た前記酸化物の薄いフィルムである、請求項１に記載の
金属酸化物表面をパターン化する方法。 - 【請求項７】 前記金属酸化物層の厚さは、５０〜１０
００ｎｍである、請求項６に記載の金属酸化物表面をパ
ターン化する方法。 - 【請求項８】 前記金属酸化物は、ドープしたインジウ
ム亜鉛酸化物である、請求項７に記載の金属酸化物表面
をパターン化する方法。 - 【請求項９】 前記金属酸化物は、ドープしたインジウ
ムすず酸化物である、請求項７に記載の金属酸化物表面
をパターン化する方法。 - 【請求項１０】 前記ドープしたインジウム亜鉛酸化物
をパターン化する方法であって、 ａ）前記ドープしたインジウム亜鉛酸化物の表面に前記
分子種でコーティングされた前記スタンプを配置し、そ
の後前記ドープしたインジウム亜鉛酸化物の選ばれた部
分に接触させて前記分子種と反応させる段階と、 ｂ）前記ドープしたインジウム亜鉛酸化物の表面から前
記スタンプを除去し、前記分子種の前記官能基と前記ド
ープしたインジウム亜鉛酸化物表面との反応生成物を含
む自己集合単分子層を得る段階と、 ｃ）前記結合した分子種と反応しない前記ドープしたイ
ンジウム亜鉛酸化物の非接触部分をエッチャントで除去
し、前記基板に前記ドープしたインジウム亜鉛酸化物の
パターンを形成する段階と、を含む請求項８に記載の金
属酸化物表面をパターン化する方法。 - 【請求項１１】 前記ドープしたインジウムすず酸化物
をパターン化する方法であって、 ａ）前記ドープしたインジウムすず酸化物の表面に前記
分子種でコーティングされた前記スタンプを配置し、そ
の後前記ドープしたインジウムすず酸化物の選ばれた部
分に接触させて前記分子種と反応させる段階と、 ｂ）前記ドープしたインジウムすず酸化物の表面から前
記スタンプを除去し、前記分子種の前記官能基と前記ド
ープしたインジウムすず酸化物表面との反応生成物を含
む自己集合単分子層を得る段階と、 ｃ）前記結合した分子種と反応しない前記ドープしたイ
ンジウムすず酸化物の非接触部分をエッチャントで除去
し、前記基板に前記ドープしたインジウムすず酸化物の
パターンを形成する段階と、を含む請求項９に記載の金
属酸化物表面をパターン化する方法。 - 【請求項１２】 ホスホン酸基が末端となる前記アルキ
ル基と反応しないシリコン・ウェーハ基板にドープした
インジウム亜鉛酸化物の部分は、エッチャントにより除
去され、前記ドープしたインジウム亜鉛酸化物のパター
ンを形成する、請求項８に記載の金属酸化物表面をパタ
ーン化する方法。 - 【請求項１３】 ホスホン酸基が末端となる前記アルキ
ル基と反応しないシリコン・ウェーハ基板にドープした
インジウムすず酸化物の部分は、エッチャントにより除
去され、前記ドープしたインジウムすず酸化物のパター
ンを形成する、請求項９に記載の金属酸化物表面をパタ
ーン化する方法。 - 【請求項１４】 前記パターン化された基板は、液晶デ
ィスプレイを含む光電子装置の製作に用いられる、請求
項１０に記載の金属酸化物表面をパターン化する方法。 - 【請求項１５】 前記パターン化された基板は、液晶デ
ィスプレイを含む光電子装置の製作に用いられる、請求
項１１に記載の金属酸化物表面をパターン化する方法。 - 【請求項１６】 前記凹部は、Ｘ線および電子線リソグ
ラフィにより形成される、請求項１に記載の金属酸化物
表面をパターン化する方法。 - 【請求項１７】 前記金属酸化物表面と反応可能であ
り、前記溶媒に溶解する前記金属酸化物表面と前記官能
基との間の結合を形成する前記官能基を末端とする分子
種の濃度は、１００ｍＭ未満である、請求項２に記載の
金属酸化物表面をパターン化する方法。 - 【請求項１８】 前記溶媒中の前記分子種の濃度は、略
０．５ｍＭ〜略２０ｍＭである、請求項１７に記載の金
属酸化物表面をパターン化する方法。 - 【請求項１９】 前記溶媒中の前記分子種の濃度は、略
１．０ｍＭ〜略１０ｍＭである、請求項１７に記載の金
属酸化物表面をパターン化する方法。
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