JP2002057104A5 - - Google Patents
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【0046】
続いて、電子線ユニット26により選択的に露光処理が施された基板14等を紫外線露光システム42に移送し、紫外線によるレジスト22の露光工程(第2の露光工程)を行う。すなわち、紫外線露光システム42の紫外線コントローラ54は、コンベアー46上に基板14等が載置されると、コンベアー46を稼動させ、基板14等を搬送させる。そして、紫外線コントローラ54は、コンベアー46により基板14等を搬送させた状態において、紫外線ランプ50に露光処理を実行させる。これにより、紫外線ランプ50からレジスト22に約200nm〜230nmの波長の紫外線が照射され、レジスト22の表面全体(第2の部分)が露光される。露光時における露光密度は、例えば、紫外線の照射に起因するレジスト22の損傷を回避するため、約100mJ/cm2 未満、より好ましくは85mJ/cm2 〜90mJ/cm2 とするのが好ましい。
続いて、電子線ユニット26により選択的に露光処理が施された基板14等を紫外線露光システム42に移送し、紫外線によるレジスト22の露光工程(第2の露光工程)を行う。すなわち、紫外線露光システム42の紫外線コントローラ54は、コンベアー46上に基板14等が載置されると、コンベアー46を稼動させ、基板14等を搬送させる。そして、紫外線コントローラ54は、コンベアー46により基板14等を搬送させた状態において、紫外線ランプ50に露光処理を実行させる。これにより、紫外線ランプ50からレジスト22に約200nm〜230nmの波長の紫外線が照射され、レジスト22の表面全体(第2の部分)が露光される。露光時における露光密度は、例えば、紫外線の照射に起因するレジスト22の損傷を回避するため、約100mJ/cm2 未満、より好ましくは85mJ/cm2 〜90mJ/cm2 とするのが好ましい。
【0050】
マスク78の具体的な利用用途としては、例えば、磁性材料等よりなる各種のパターン構造の形成が挙げられ、マスク78は、例えばリフトオフ処理,電解めっき処理,エッチング処理などの既存の多くの選択的処理に利用可能である。リフトオフ処理では、例えば、基板14等を覆うように強磁性金属膜を形成したのち、マスク78を溶解可能な溶剤中に基板14等を浸漬させる。強磁性金属膜のうち、マスク78に対応する部分がマスク78と共に選択的に除去され、それ以外の部分が基板14上に残存することにより、基板14上に強磁性金属膜パターンが選択的に形成される。電解めっき処理では、例えば、マスク78を用いて基板14にめっき処理を施すことにより、基板14上にめっき膜パターンが選択的に形成される。エッチング処理では、マスク78を用いて基板14にエッチング処理を施すことにより、基板14のうち、マスク78により覆われていない部分が選択的にエッチングされ、所望のパターン構造を有するように基板14が加工される。
マスク78の具体的な利用用途としては、例えば、磁性材料等よりなる各種のパターン構造の形成が挙げられ、マスク78は、例えばリフトオフ処理,電解めっき処理,エッチング処理などの既存の多くの選択的処理に利用可能である。リフトオフ処理では、例えば、基板14等を覆うように強磁性金属膜を形成したのち、マスク78を溶解可能な溶剤中に基板14等を浸漬させる。強磁性金属膜のうち、マスク78に対応する部分がマスク78と共に選択的に除去され、それ以外の部分が基板14上に残存することにより、基板14上に強磁性金属膜パターンが選択的に形成される。電解めっき処理では、例えば、マスク78を用いて基板14にめっき処理を施すことにより、基板14上にめっき膜パターンが選択的に形成される。エッチング処理では、マスク78を用いて基板14にエッチング処理を施すことにより、基板14のうち、マスク78により覆われていない部分が選択的にエッチングされ、所望のパターン構造を有するように基板14が加工される。
【0065】
続いて、現像条件によるレジスト厚の変化について説明する。現像処理時おけるレジスト厚の変化量は、主に、現像液66の種類に応じて変動する。ここでは、例えば、酢酸Nアミル,酢酸ブチル,ジエチルケトンよりなる3種類の現像液66を用いて現像試験を行った。これらの現像液66のうち、例えば、酢酸Nアミルは主として高解像度を要するパターニング用途に用いられ、ジエチルケトンは主として高感度を要するパターニング用途に用いられる。レジスト22に対して電子線露光を行ったのち、紫外線露光を行った場合あるいは行わなかった場合について、上記した各種の現像液66を用いて現像処理を行ったところ、現像処理時におけるレジスト厚の経時変化について、図3に示した結果が得られた。図3中に示した3A〜3Eについての現像液66の種類および紫外線露光の有無は、3Aについて酢酸Nアミル,露光無、3Bについて酢酸ブチル,露光無、3Cについて酢酸Nアミル,露光有、3Dについて酢酸Nアミル,露光有、3Eについてジエチルケトン,露光無である。なお、現像時の温度は、露光処理の有無に関係なく、酢酸Nアミル,酢酸ブチル,ジエチルケトンについてそれぞれ約27℃,約24℃,約20℃とした。
続いて、現像条件によるレジスト厚の変化について説明する。現像処理時おけるレジスト厚の変化量は、主に、現像液66の種類に応じて変動する。ここでは、例えば、酢酸Nアミル,酢酸ブチル,ジエチルケトンよりなる3種類の現像液66を用いて現像試験を行った。これらの現像液66のうち、例えば、酢酸Nアミルは主として高解像度を要するパターニング用途に用いられ、ジエチルケトンは主として高感度を要するパターニング用途に用いられる。レジスト22に対して電子線露光を行ったのち、紫外線露光を行った場合あるいは行わなかった場合について、上記した各種の現像液66を用いて現像処理を行ったところ、現像処理時におけるレジスト厚の経時変化について、図3に示した結果が得られた。図3中に示した3A〜3Eについての現像液66の種類および紫外線露光の有無は、3Aについて酢酸Nアミル,露光無、3Bについて酢酸ブチル,露光無、3Cについて酢酸Nアミル,露光有、3Dについて酢酸Nアミル,露光有、3Eについてジエチルケトン,露光無である。なお、現像時の温度は、露光処理の有無に関係なく、酢酸Nアミル,酢酸ブチル,ジエチルケトンについてそれぞれ約27℃,約24℃,約20℃とした。
【0066】
図3から判るように、現像液66として酢酸Nアミルや酢酸ブチルを用い、紫外線露光を行わなかった場合(3A,3B)には、レジスト厚が極僅かしか減少せず、このときのレジスト厚の減少量は、レジスト22のパターニング処理に適したものであった。また、同様の現像液66を用い、紫外線露光を行った場合(3C,3D)には、紫外線露光を行わなかった場合(3A,3B)よりもレジスト22の厚みの減少量が若干増加するものの、現像時間が約3分以内(好ましくは約2分以内)であれば、このときのレジスト厚の減少量はレジスト22のパターニング処理を行う上で許容範囲内であった。なお、現像液66としてジエチルケトンを用いた場合(3E)には、レジスト厚が短時間で激減してしまい、このときのレジスト厚の変化はレジスト22のパターニング処理に不適であった。
図3から判るように、現像液66として酢酸Nアミルや酢酸ブチルを用い、紫外線露光を行わなかった場合(3A,3B)には、レジスト厚が極僅かしか減少せず、このときのレジスト厚の減少量は、レジスト22のパターニング処理に適したものであった。また、同様の現像液66を用い、紫外線露光を行った場合(3C,3D)には、紫外線露光を行わなかった場合(3A,3B)よりもレジスト22の厚みの減少量が若干増加するものの、現像時間が約3分以内(好ましくは約2分以内)であれば、このときのレジスト厚の減少量はレジスト22のパターニング処理を行う上で許容範囲内であった。なお、現像液66としてジエチルケトンを用いた場合(3E)には、レジスト厚が短時間で激減してしまい、このときのレジスト厚の変化はレジスト22のパターニング処理に不適であった。
【0067】
続いて、露光パターンのサイズ(L&S)による電子線露光量の変化について説明する。上記したように、本実施の形態によれば、nmオーダーでレジスト22をパターニングする際にレジスト感度が向上する。一般に、100nmより小さいサイズの直接描画を行うために要する電子線露光量は、1μmより小さいサイズの直接描画を行うために要する電子線露光量よりも大きくなることが知られている。ここで、L&S=約40nm〜80nmでレジスト22をパターニングするために要する電子線の最小露光量を調べたところ、レジスト22のパターニングに要する電子線露光量の変化について、図4に示した結果が得られた。図4中に示した4Aでは現像液66として酢酸Nアミル(ZED N50)を用い、現像温度=約27℃,現像時間=約5分間で現像処理を行い、4Bでは現像液66として酢酸ブチル(ZR100)を用い、現像温度=約23℃,現像時間=約1分間で現像処理を行った。直接描画を行うための最小露光量について、60nm,70nm,80nmのラインに対するピッチをそれぞれ120nm,140nm,160とした。図4から判るように、L&S=40nmのときの臨界露光量は、レジスト感度が標準的な場合の露光量(例えば酢酸Nアミルについて約55μC/cm2 )の少なくとも2倍程度であり、このときの露光量は、現像工程においてレジスト全体を除去可能な露光量に相当するものであった。比較的厚いレジスト(>約150nm厚)に約40nm〜80nmのホールを直接描画するために必要な最小露光量は、約110μC/cm2 〜300μC/cm2 であることが確認された。
続いて、露光パターンのサイズ(L&S)による電子線露光量の変化について説明する。上記したように、本実施の形態によれば、nmオーダーでレジスト22をパターニングする際にレジスト感度が向上する。一般に、100nmより小さいサイズの直接描画を行うために要する電子線露光量は、1μmより小さいサイズの直接描画を行うために要する電子線露光量よりも大きくなることが知られている。ここで、L&S=約40nm〜80nmでレジスト22をパターニングするために要する電子線の最小露光量を調べたところ、レジスト22のパターニングに要する電子線露光量の変化について、図4に示した結果が得られた。図4中に示した4Aでは現像液66として酢酸Nアミル(ZED N50)を用い、現像温度=約27℃,現像時間=約5分間で現像処理を行い、4Bでは現像液66として酢酸ブチル(ZR100)を用い、現像温度=約23℃,現像時間=約1分間で現像処理を行った。直接描画を行うための最小露光量について、60nm,70nm,80nmのラインに対するピッチをそれぞれ120nm,140nm,160とした。図4から判るように、L&S=40nmのときの臨界露光量は、レジスト感度が標準的な場合の露光量(例えば酢酸Nアミルについて約55μC/cm2 )の少なくとも2倍程度であり、このときの露光量は、現像工程においてレジスト全体を除去可能な露光量に相当するものであった。比較的厚いレジスト(>約150nm厚)に約40nm〜80nmのホールを直接描画するために必要な最小露光量は、約110μC/cm2 〜300μC/cm2 であることが確認された。
【0068】
続いて、露光パターンのサイズ(L&S)による紫外線露光量の変化について説明する。レジスト22(レジスト厚=約179nm厚)に対して電子線露光を施したのち、紫外線露光を行った場合あるいは行わなかった場合において現像処理を行ったところ、レジスト22のパターニング(L&S=約60nm〜80nm)に要する紫外線露光量の変化について、図5(A),(B)に示した結果が得られた。図5(A)に示した5A1,5A2および図5(B)に示した5B1〜5B3についての現像液66の種類,現像時間,紫外線露光の有無は、5A1について酢酸ブチル(ZR100),約1分間,露光無、5A2について酢酸ブチル,約1分間,露光有、5B1について酢酸Nアミル(ZED N50),約5分間,露光無、5B2について酢酸Nアミル,約2分間,露光有、5B3について酢酸Nアミル,約3分間,露光有である。なお、現像時の温度は、露光処理の有無に関係なく、酢酸Nアミル,酢酸ブチルについてそれぞれ約27℃,約24℃とした。図5(A),(B)から判るように、現像液66として酢酸Nアミルまたは酢酸ブチルのいずれを用いた場合においても、紫外線露光を行うことにより、露光処理を行わない場合よりもレジスト感度が約15〜20%向上することが確認された。特に、現像液66として酢酸Nアミルを用いた場合には、高いレジスト感度を確保しつつ、現像時間を2分程度まで短縮することができる。
続いて、露光パターンのサイズ(L&S)による紫外線露光量の変化について説明する。レジスト22(レジスト厚=約179nm厚)に対して電子線露光を施したのち、紫外線露光を行った場合あるいは行わなかった場合において現像処理を行ったところ、レジスト22のパターニング(L&S=約60nm〜80nm)に要する紫外線露光量の変化について、図5(A),(B)に示した結果が得られた。図5(A)に示した5A1,5A2および図5(B)に示した5B1〜5B3についての現像液66の種類,現像時間,紫外線露光の有無は、5A1について酢酸ブチル(ZR100),約1分間,露光無、5A2について酢酸ブチル,約1分間,露光有、5B1について酢酸Nアミル(ZED N50),約5分間,露光無、5B2について酢酸Nアミル,約2分間,露光有、5B3について酢酸Nアミル,約3分間,露光有である。なお、現像時の温度は、露光処理の有無に関係なく、酢酸Nアミル,酢酸ブチルについてそれぞれ約27℃,約24℃とした。図5(A),(B)から判るように、現像液66として酢酸Nアミルまたは酢酸ブチルのいずれを用いた場合においても、紫外線露光を行うことにより、露光処理を行わない場合よりもレジスト感度が約15〜20%向上することが確認された。特に、現像液66として酢酸Nアミルを用いた場合には、高いレジスト感度を確保しつつ、現像時間を2分程度まで短縮することができる。
【0069】
図6は、レジスト厚を約87nmとしたことを除き、図5に示した場合と同様の現像処理を行った際の紫外線露光量の変化を表している。図6(A)に示した6A1,6A2および図6(B)に示した6B1〜6B3についての現像液66の種類,現像時間,紫外線露光の有無に関する条件は、図5に示した5A1,5A2,5B1〜5B3の場合とそれぞれ同様である。図6から判るように、レジスト22の厚みを薄くした場合においても、図5に示した場合と同様にレジスト感度の向上が確認された。
図6は、レジスト厚を約87nmとしたことを除き、図5に示した場合と同様の現像処理を行った際の紫外線露光量の変化を表している。図6(A)に示した6A1,6A2および図6(B)に示した6B1〜6B3についての現像液66の種類,現像時間,紫外線露光の有無に関する条件は、図5に示した5A1,5A2,5B1〜5B3の場合とそれぞれ同様である。図6から判るように、レジスト22の厚みを薄くした場合においても、図5に示した場合と同様にレジスト感度の向上が確認された。
【0070】
続いて、紫外線露光の有無によるレジストパターンの形状変化について説明する。レジスト22のパターニング(L&S=約60nm〜80nm)に関する解像度を評価するため、レジスト22に電子線露光(露光量=約75μC/cm2 )を行ったのち、このレジスト22に紫外線露光を行った場合あるいは行わなかった場合ついて現像処理を行い、得られたレジストパターンの形状を比較した。現像液66として酢酸Nアミルを用い、紫外線露光を行わなかったところ、現像処理(現像温度=約27℃,現像時間=約4分間)により得られた最良のレジストパターンの形状は、図7(A)に示したように、パターン幅が頂部近傍よりも低部近傍において狭くなり、所望のアスペクト比が再現されなかった。これは、基板14からの後方散乱現象に起因するものと想定される。レジストパターンの形状は現像時間に依存するため、例えば酢酸Nアミルなどの高解像度タイプの現像液66を用いると、所望のアスペクト比が再現されにくくなる。現像時間を短くすると、上記したイオンビームオフの後方散乱現象を抑制するために露光量を増加させる必要があるため、現像時間および露光時間の双方を短縮させることが困難になる。
続いて、紫外線露光の有無によるレジストパターンの形状変化について説明する。レジスト22のパターニング(L&S=約60nm〜80nm)に関する解像度を評価するため、レジスト22に電子線露光(露光量=約75μC/cm2 )を行ったのち、このレジスト22に紫外線露光を行った場合あるいは行わなかった場合ついて現像処理を行い、得られたレジストパターンの形状を比較した。現像液66として酢酸Nアミルを用い、紫外線露光を行わなかったところ、現像処理(現像温度=約27℃,現像時間=約4分間)により得られた最良のレジストパターンの形状は、図7(A)に示したように、パターン幅が頂部近傍よりも低部近傍において狭くなり、所望のアスペクト比が再現されなかった。これは、基板14からの後方散乱現象に起因するものと想定される。レジストパターンの形状は現像時間に依存するため、例えば酢酸Nアミルなどの高解像度タイプの現像液66を用いると、所望のアスペクト比が再現されにくくなる。現像時間を短くすると、上記したイオンビームオフの後方散乱現象を抑制するために露光量を増加させる必要があるため、現像時間および露光時間の双方を短縮させることが困難になる。
【0071】
これに対して、現像液66として酢酸ブチルを用い、紫外線露光を行ったことを除き、図7(A)に示した場合と同様に現像処理を行ったところ、得られたレジストパターンの形状は、図7(B)に示したように、パターン幅がほぼ均一になり、ほぼ矩形状となった。しかも、現像時の温度はほぼ室温(約24℃)であり、現像時間は約1分間であった。現像時間を長くすると、レジストパターンのパターン幅が若干広くなったが、図7(A)において見られた深刻なパターン形状の崩れは観察されたかった。
これに対して、現像液66として酢酸ブチルを用い、紫外線露光を行ったことを除き、図7(A)に示した場合と同様に現像処理を行ったところ、得られたレジストパターンの形状は、図7(B)に示したように、パターン幅がほぼ均一になり、ほぼ矩形状となった。しかも、現像時の温度はほぼ室温(約24℃)であり、現像時間は約1分間であった。現像時間を長くすると、レジストパターンのパターン幅が若干広くなったが、図7(A)において見られた深刻なパターン形状の崩れは観察されたかった。
【0072】
続いて、現像時間によるレジストパターンの形状変化について説明する。レジスト22に電子線露光を施し、引き続きレジスト22に紫外線露光を施したのち、現像液66として酢酸Nアミルを用い、現像時間を変化させて現像処理を行った。電子線による露光量を約85μC/cm2 とし、現像時間を約2分間としたところ、現像処理により得られたレジストパターンの形状は、図8(A)に示したように、図7(B)に示した場合に類似し、ほぼ矩形状となった。また、電子線による露光量を約75μC/cm2 とし、現像時間を約3分間としたところ、レジストパターンの形状は、図8(B)に示したように、図7(A)に示した場合(紫外線露光無,現像時間=約5分間)に類似し、所望のアスペクト比が再現されなかった。さらに、現像時間を約5分間より長くしたところ、L&S=約60nmでパターニングされたレジストパターンの形状は、図8(C)に示したように、パターン幅が低部近傍において極単に狭くなったことに起因して崩壊してしまった。
続いて、現像時間によるレジストパターンの形状変化について説明する。レジスト22に電子線露光を施し、引き続きレジスト22に紫外線露光を施したのち、現像液66として酢酸Nアミルを用い、現像時間を変化させて現像処理を行った。電子線による露光量を約85μC/cm2 とし、現像時間を約2分間としたところ、現像処理により得られたレジストパターンの形状は、図8(A)に示したように、図7(B)に示した場合に類似し、ほぼ矩形状となった。また、電子線による露光量を約75μC/cm2 とし、現像時間を約3分間としたところ、レジストパターンの形状は、図8(B)に示したように、図7(A)に示した場合(紫外線露光無,現像時間=約5分間)に類似し、所望のアスペクト比が再現されなかった。さらに、現像時間を約5分間より長くしたところ、L&S=約60nmでパターニングされたレジストパターンの形状は、図8(C)に示したように、パターン幅が低部近傍において極単に狭くなったことに起因して崩壊してしまった。
【0073】
また、現像液66として酢酸ブチルを用い、現像温度=約24℃,現像時間=約1分間として現像処理を行ったところ、紫外線露光の有無によりレジストパターンの形状に差異が生じることが確認された。すなわち、紫外線露光を行わない場合(電子線露光量=約75μC/cm2 )には、図9(A)に示したようにレジストパターンの形状が崩れたのに対して、紫外線露光を行った場合(電子線露光量=約65μC/cm2 )には、図9(B)に示したように、レジストパターンがほぼ矩形状になった。
また、現像液66として酢酸ブチルを用い、現像温度=約24℃,現像時間=約1分間として現像処理を行ったところ、紫外線露光の有無によりレジストパターンの形状に差異が生じることが確認された。すなわち、紫外線露光を行わない場合(電子線露光量=約75μC/cm2 )には、図9(A)に示したようにレジストパターンの形状が崩れたのに対して、紫外線露光を行った場合(電子線露光量=約65μC/cm2 )には、図9(B)に示したように、レジストパターンがほぼ矩形状になった。
【0074】
以上のことから、電子線露光と紫外線露光とを併用することによりレジスト感度が顕著に向上するため、例えば酢酸Nアミルなどの高解像度タイプの現像液66を用いて現像処理を行うと、現像処理により得られるレジストパターンの形状は、例えば酢酸ブチルなどの高感度タイプの現像液66を用いた場合に得られるレジストパターンの形状に類似し、シャープな端縁を有する矩形状になる。しかも、レジスト感度の向上に伴い、レジスト22の溶解度に関する酢酸Nアミルと酢酸ブチルとの間の差異が小さくなるため、現像時間は5分間程度から2分間程度まで短縮される。このように、現像液として酢酸Nアミルを用い、現像条件を調整することによりレジスト厚を制御する手法は、現像時間を短縮する観点において非常に有用である。現像時間が長くなると、レジスト厚が減少し過ぎるだけでなく、パターン幅が頂部近傍よりも底部近傍において狭くなり、レジストパターンの形状が崩れてしまう。現像液として酢酸ブチルを用いた場合には、1分間程度の短い時間でレジスト厚が激減してしまうため、現像液66としては、高感度タイプの酢酸ブチルよりも高解像度タイプの酢酸Nアミル(例えば現像温度=約27℃,現像時間=約2分間)などを用いるのが好ましい。この場合には、図10に示したように、レジストパターンの解像度および感度の双方を確保することが可能となり、約87nm厚のレジストについて、L&S=約40nmまで解像度を向上させることができる。
以上のことから、電子線露光と紫外線露光とを併用することによりレジスト感度が顕著に向上するため、例えば酢酸Nアミルなどの高解像度タイプの現像液66を用いて現像処理を行うと、現像処理により得られるレジストパターンの形状は、例えば酢酸ブチルなどの高感度タイプの現像液66を用いた場合に得られるレジストパターンの形状に類似し、シャープな端縁を有する矩形状になる。しかも、レジスト感度の向上に伴い、レジスト22の溶解度に関する酢酸Nアミルと酢酸ブチルとの間の差異が小さくなるため、現像時間は5分間程度から2分間程度まで短縮される。このように、現像液として酢酸Nアミルを用い、現像条件を調整することによりレジスト厚を制御する手法は、現像時間を短縮する観点において非常に有用である。現像時間が長くなると、レジスト厚が減少し過ぎるだけでなく、パターン幅が頂部近傍よりも底部近傍において狭くなり、レジストパターンの形状が崩れてしまう。現像液として酢酸ブチルを用いた場合には、1分間程度の短い時間でレジスト厚が激減してしまうため、現像液66としては、高感度タイプの酢酸ブチルよりも高解像度タイプの酢酸Nアミル(例えば現像温度=約27℃,現像時間=約2分間)などを用いるのが好ましい。この場合には、図10に示したように、レジストパターンの解像度および感度の双方を確保することが可能となり、約87nm厚のレジストについて、L&S=約40nmまで解像度を向上させることができる。
【0075】
以上、実施の形態および実施例を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態および実施例に限定されず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態および実施例において説明した形成装置10の構成および動作機構、並びに形成装置10によるマスク78の形成手順等は、必ずしもこれに限られるものではなく、電子線および紫外線の双方によりレジスト22を露光し、レジスト22を高精度かつ短時間でパターニングすることが可能な限り、自由に変更可能である。
以上、実施の形態および実施例を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態および実施例に限定されず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態および実施例において説明した形成装置10の構成および動作機構、並びに形成装置10によるマスク78の形成手順等は、必ずしもこれに限られるものではなく、電子線および紫外線の双方によりレジスト22を露光し、レジスト22を高精度かつ短時間でパターニングすることが可能な限り、自由に変更可能である。
【0076】
また、例えば、上記実施の形態および実施例では、形成装置10により形成されたレジストパターン(マスク78)をチップ,集積回路,磁気記憶メディア用の記録・再生ヘッド,各種のパターン化された磁気構造物などの電子デバイスの製造に適用する場合について説明したが、必ずしもこれに限られるものではなく、これらの電子デバイス以外の各種分野における製品等の製造にも適用可能である。
また、例えば、上記実施の形態および実施例では、形成装置10により形成されたレジストパターン(マスク78)をチップ,集積回路,磁気記憶メディア用の記録・再生ヘッド,各種のパターン化された磁気構造物などの電子デバイスの製造に適用する場合について説明したが、必ずしもこれに限られるものではなく、これらの電子デバイス以外の各種分野における製品等の製造にも適用可能である。
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