JP2002050926A - 電圧制御発振回路 - Google Patents

電圧制御発振回路

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JP2002050926A
JP2002050926A JP2000231741A JP2000231741A JP2002050926A JP 2002050926 A JP2002050926 A JP 2002050926A JP 2000231741 A JP2000231741 A JP 2000231741A JP 2000231741 A JP2000231741 A JP 2000231741A JP 2002050926 A JP2002050926 A JP 2002050926A
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JP
Japan
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frequency
resonance
oscillation
capacitor
circuit
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JP2000231741A
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English (en)
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Kyoji Takakura
恭二 高倉
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Kyocera Corp
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Kyocera Corp
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  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、例えば2GHz以上の高周波発振
させても、可変周波数度合を自己共振周波数的2GHz
の可変容量ダイオードを用いたまま、容易に調整でき、
安定な発振出力特性が得られる電圧制御発振回路を提供
する。 【解決手段】 共振回路部Xと、前記共振回路部Xと接
続し、該共振回路部Xの共振周波数に基づいて発振条件
を整え、且つ発振信号を出力する発振用トランジスタT
r1を含む負性抵抗回路部Yと、前記負性抵抗回路部Y
に接続し、前記発振信号を増幅して所定の発振出力を行
なう増幅用トランジスタTr2を含む増幅回路部Zとか
ら成る電圧制御発振回路である。そして、発振出力の可
変周波数範囲は、前記共振用可変容量ダイオードに並列
に接続されるコンデンサC2の自己共振周波数よりも高
い値の領域に設定されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は高い周波数領域で安
定化させて、もって、安定な発振出力が可能な電圧制御
発振回路に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、移動体通信機器やその他の通信機
器には、送信用発振器や受信用局部発振器が多用されて
いる。このような発振器は、外部からの供給される制御
電圧により、発振周波数の範囲を直線的に可変できる電
圧制御発振回路で構成されている。近年、電圧制御発振
回路の発振出力の周波数可変領域(発振周波数)が高周
波化の一途をたどっている。
【0003】従来、電圧制御発振回路は、図3に示すよ
うに、共振回路部X、負性抵抗回路部Y、増幅回路部Z
から構成されていた。共振回路部Xは、共振手段である
ストリップラインSLと、可変容量ダイオードDVと、
各種コンデンサC1、C3、C4とから主に構成されて
いる。ここで、共振回路部Xの共振周波数を決定する共
振回路は、ストリップラインSLと可変容量ダイオード
DV、コンデンサC3、C4とで構成されている。負性
抵抗回路部Yは発振用トランジスタTr1、各種コンデ
ンサC6、C7、C9、各種抵抗とから構成されてい
る。
【0004】また、増幅回路部Zは増幅用トランジスタ
Tr2、各種コンデンサC8、C10、C11、抵抗、
インダクタンス素子L2とから構成されている。
【0005】このような発振回路では、発振用トランジ
スタTr1のコレクタをコンデンサC9を介して、交流
的に接地すれば、ベースから見たインピーダンスは負性
となり、そして、発振用トランジスタTr1のベースに
共振回路部Xを、結合コンデンサC5を介して接続し、
他端を接地すれば、この回路は共振回路部Xの振幅特性
とトランジスタの負性利得が1以上で共振回路とトラン
ジスタの負性の位相角の和が2nπ(nは整数)となる
条件を満たす周波数にて発振する。
【0006】そして、この発振信号は増幅用トランジス
タTr2に供給され、ここで増幅されて結合コンデンサ
C11を介して出力端子OUTより発振出力される。
尚、共振回路部Xにおいて、端子Vcは制御電圧端子で
ある。また、制御端子Vcには、可変容量ダイオードD
Vの容量成分を制御する制御電圧が供給される。即ち、
可変容量ダイオードDVに印加される電圧を所定値に制
御することにより、ストリップラインSL及びコンデン
サC4から成る共振回路に、さらに、コンデンサC3と
シリーズにつながった可変容量ダイオードDVの容量成
分が並列的に接続されることになり、共振回路部Xの共
振周波数を所定値に制御する。制御端子Vcによる可変
容量ダイオードDVによる制御により周波数調整とによ
り、一定周波数帯域内で可変制御が可能となる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかし、発振出力の発
振周波数が高周波化すると、特に、共振回路における可
変容量ダイオードDvの自己共振周波数を超えてしま
い、この可変容量ダイオードは誘導性の領域で動作する
ことになる。従って、従来の共振回路の容量変化で共振
周波数を制御することができなくなる。即ち、従来の電
圧制御発振回路では周波数可変制御時の周波数変化度合
を共振回路のC成分としての可変容量ダイオード特性も
しくは、それと直列に挿入されるコンデンサまたは並列
に挿入されるコンデンサにて調整していたが、例えば、
2GHz(一般的な可変容量ダイオードの自己共振周波
数)を超える発振周波数では、共振回路でその手法を用
いることが困難となってしまう。
【0008】本発明は、上述の課題に鑑みて案出さ
れたものであり、その目的は、例えば、2GHz
以上の高い周波数領域で発振させても、容易に周波数可
変感度を調整でき、安定な発振出力特性が得られる電圧
制御発振回路を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、共振線
路と、該共振線路の一端に、互いに並列接続される可変
容量ダイオード及びコンデンサとを含む共振回路部と、
前記共振回路部と接続し、該共振回路部の共振周波数に
基づいて発振条件を整え、且つ発振信号を出力する発振
用トランジスタを含む負性抵抗回路部と、前記負性抵抗
回路部に接続し、前記発振信号を増幅して所定の発振出
力を行なう増幅用トランジスタを含む増幅回路部とから
成る電圧制御発振回路において、前記共振回路部の可変
周波数範囲は、前記変容量ダイオード及び前記コンデン
サのいずれの自己共振周波数よりも高い値の領域に設定
されていることを特徴とする電圧制御発振回路である。
【作用】本発明の電圧制御発振回路は、共振回路部の可
変容量ダイオードの自己共振周波数より高い周波数で共
振させる場合に、可変容量ダイオードは誘導性領域で動
作する点を利用している。共振回路の周波数可変を共振
回路にて、誘導性にて動作する可変容量ダイオードと、
直列に挿入されたストリッブラインの合成誘導成分にて
行うことから、前記可変容量ダイオードと並列に挿入し
た、動作周波数(発振出力の周波数の可変範囲)の共振
周波数より低い自己共振周波数を有するコンデンサを利
用している。即ち、この電圧制御型発振回路では、コン
デンサ及び可変容量ダイオードのいずれの自己共振周波
数よりも高い動作周波数する。この場合、コンデンサ
は、容量性から誘導性に振る舞って動作する。
【0010】そして、コンデンサの誘導性においては、
その周波数でインピーダンスが飽和した状態となり、こ
の動作領域ではインピーダンスの変動が少なくなる。
【0011】従って、可変容量ダイオードと並列接続し
たコンデンサを、動作周波数よりも低い自己共振周波数
で動作するように設定すれば、可変容量ダイオードにお
ける誘導性変化分の度合を任意に調整可能とできる。
【0012】この結果、共振回路の周波数可変感度が容
易に調整でき、所望の発振出力特性が容易に得られるこ
とになる。
【0013】
【発明の実施の形態】以下、本発明の電圧制御発振回路
を図面に基づいて説明する。図1は、本発明の電圧制御
発振回路の回路図であり、図2は、動作時の等価回路図
てある。尚、従来と同一部分は、同一符号を付す。
【0014】本発明の電圧制御型発振回路において、共
振回路部Xは、共振回路を構成するストリップラインS
L、可変容量ダイオードDV、コンデンサ、C1、C
2、C4、直流電流を導くインダクタンス素子L1とか
ら主に構成されている。そして、共振回路部Xは制御電
圧端子Vcを有し、また、結合コンデンサC5を介して
負性抵抗回路部Yに接続されている。具体的には、共振
回路部Xは、制御電圧端子Vc側から負性抵抗回路部Y
側に向けて、インダクタンス素子L1、共振回路の共振
線路(ストリップラインSL)が直列的に接続されてお
り、さらに、結合コンデンサC5を介して負性抵抗回路
部Yに接続されている。
【0015】また、ストリップラインSLの一端、即
ち、制御電圧端子Vc側の一端とグランド電位との間に
は、可変容量ダイオードDV、コンデンサC2とが接続
されている。また、ストリップラインSLの他端には、
コンデンサC4が接続されている。即ち、可変容量ダイ
オードDVとコンデンサC2とが互いに並列接続されて
いる。尚、負性抵抗回路部Y、増裾回路部Zの各回路部
の全体的な動作は、実質的に図3に説明した通りであ
る。負性抵抗回路部Yは発振用トランジスタTr1、コ
ンデンサC6、C7、C9、抵抗とから構成されてい
る。さらに、増幅回路部Zは増幅用トランジスタTr2
と、インダクタンス素子L2、コンデンサC8、C1
0、C11、抵抗とから構成されている。
【0016】前記共振回路部のコンデンサC2は、可変
容量ダイオードDvと並列に接続され、且つストリップ
ラインSLに直列に接続されている。このコンデンサC
2は、動作周波数、即ち、制御電圧Vcによる可変周波
数が自己共振周波数を越える値となるように選択されて
いる。
【0017】そして、発振用トランジスタTr1のベー
スから見たインピーダンスは負性となり、このベースに
共振回路部Xを、結合コンデンサC5を介して接続し、
他端を接地すれば、共振回路部Xの振幅特性とトランジ
スタの負性利得が1以上で共振回路部Xと発振用トラン
ジスタTr1の負性の位相角の和が2nπ(nは整数)
となる条件を満たす周波数にて発振する。
【0018】そして、この発振信号は増幅用トランジス
タTr2に供給され、ここで増幅されて結合コンデンサ
C11を介して出力端子OUTより発振出力される。
【0019】本発明では、可変容量ダイオードDv及び
該可変容量ダイオードDvに並列に接続されるコンデン
サC2の自己共振周波数と、この発振回路の動作周波数
(発振出力の可変周波数範囲)との関係において、電圧
制御型発振回路の動作周波数が、可変容量ダイオードD
v及びコンデンサC2のいずれの自己共振周波数よりも
高い値の領域に設定されている。尚、一般に可変容量ダ
イオードDvの自己共振周波数は例えば2GHz程度で
あり、コンデンサC2の自己共振周波数(容量性と誘導
性との境界)は、コンデンサの容量、誘電体材料によっ
て左右される。
【0020】そして、コンデンサC2は、その自己共振
周波数が動作周波数より高くなるように設定する。ま
た、コンデンサC4については、自己共振周波数が動作
周波数よりも小さくなるように設定する。
【0021】即ち、本発明の電圧制御発振回路の発振周
波数は、可変容量ダイオード及びコンデンサC2の夫々
の自己共振周波数以上で発振させることになる。尚、所
望の発振周波数の周波数が決まれば、逆に、この周波数
よりも、自己共振周波数が低い可変容量ダイオードDv
及びコンデンサC2を用いる。さらに、コンデンサC4
の設定する。
【0022】このように、コンデンサC2は、自己共振
周波数以上である発振周波数においては、誘導性領域で
振る舞うことになる。
【0023】この動作状態では、図2に示すように、可
変容量ダイオードは、可変インダクタンス成分Dvとし
て、コンデンサC2は、固定的なコイルLSと示すこと
ができる。尚、コンデンサC4は、容量性で振る舞うた
めそのままである。
【0024】本発明においては、可変ダイオードDvに
並列に接続するコンデンサC2が、自己共振周波数で、
容量性から誘導性を動作変化するののの、誘導性領域に
おいては非常に周波数によるインピーダンスの変動が少
ない。
【0025】このため、可変変容量ダイオードDvに
は、非常に安定したインピーダンスが接続されることに
なり、可変容量ダイオードDvの調整のみにで可変度合
(発振周波数の可変制御)を容易に調整できる。
【0026】即ち、本発明において、可変容量ダイオー
ドDvの誘導性、コンデンサC4(コイルLS)及びス
トリップラインSL、コンデンサc4で共振回路を構成
し、可変容量ダイオードDvの誘導性度合いのみで、発
振周波数の可変制御が可能とあるものである。
【0027】従って、従来、共振回路の容量成分を調整
したものに比較して、高い周波数での発振出力が可能と
なり、しかも、その発振出力の周波数可変制御も容易行
えることになる。
【0028】コンデンサの自己共振周波数(容量性と誘
導性との境界)は、コンデンサの容量、誘電体材料によ
って左右される。また、誘導性領域におけるインピーダ
ンスの安定性は、コンデンサの容量によって左右され
る。従って、本発明において、可変容量ダイオードDv
の並列接続コンデンサC2としては、比較的に高い容量
値を示すコンデンサを用いることがのぞましい。
【0029】図4は、可変周波数範囲(動作周波数)と
コンデンサC2のインピーダンスを示している。線A
は、高い容量のコンデンサを示し、線Bは低い容量のコ
ンデンサを用いた場合のインピーダンス特性を示す。図
4の線A、線Bのインピーダンス特性で、谷部分は、も
つともインピーダンスが低くなる点部分であり、この部
分に自己共振周波数が存在している。この図4から、線
A、線Bについても自己共振周波数を越えた誘導性にお
いては、インピーダンスが飽和に達して、インピーダン
ス特性が安定化領域となっていることが判る。
【0030】そして、本発明では、動作周波数(制御電
圧により発振出力の可変周波数範囲:f1〜f2)が、
線A、線Bで示すコンデンサC2の自己共振周波数より
も高い周波数領域に設定して、インピーダンスが飽和に
達成した安定領域で用いでいる。
【0031】また、インピーダンスの安定性について
は、動作周波数と自己共振周波数とを考慮して、コンデ
ンサC2が誘導性で振るった、動作周波数の範囲でイン
ピーダンス特性の変化率の傾きが小さいものが得られ
る。
【0032】本発明者は、発振出力の可変周波数範囲の
中心的な周波数と、可変容量ダイオードDvと並列接続
のコンデンサC2の容量値との関係を調べた。
【0033】例えば、動作周波数が2.3GHz〜3.
6GHzの発振周波数では、所望の周波数可変感度を得
る可変容量ダイオードDvに並列に接続するためのコン
デンサC2としては、自己共振周波数が0.5〜1GH
zとなるようなコンデンサを用い、その容量は、30〜
数100pFである。
【0034】動作周波数において、その特性が安定した
誘導性であれば、求められる発振の特性要求に応じて要
求されるインピーダンスの絶対値の大きさを選択するた
めに幅広くコンデンサC2の容量値を選択できる。
【0035】要は、コンデンサC2としては、自己共振
周波数が動作周波数の10%〜50%程度の低さで、し
かも、その容量値は、少なくとも数10pF以上のコン
デンサを用いることとなる。尚、自己共振周波数を1G
Hz程度に設定する場合には、、コンデンサの容量が概
ね30PFのコンデンサを、2GHz程度に設定する場
合には15pFのコンデンサを、3.6GHz程度に設
定する場合には、5〜6pF程度に設定する。
【0036】尚、本発明は共振回路部Xにおける共振用
可変容量ダイオードに並列に接続されるコンデンサC2
の設定の条件を定めたものであり、電圧制御発振回路を
構成する他の回路部、共振回路部X、増幅回路部Zにつ
いて種々の変更しても構わない。
【0037】
【発明の効果】本発明では、電圧制御発振回路におい
て、例えば可変容量ダイオードの自己共振周波数を越え
る高周波領域で発振させるにあたり、共振回路部の可変
容量ダイオードで、周波数可変感度を容易に調整でき、
これより、所望の安定した発振出力が得られることにな
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の電圧制御発振回路の回路図である。
【図2】本発明の電圧制御発振回路の動作時における等
価的な回路図である。
【図3】典型的な電圧制御発振回路の回路図である。
【図4】周波数とコンデンサのインピーダンスとの関係
を示す特性図である。
【符号の説明】
X..共振回路部 Y..負性抵抗回路部 Z..増幅回路部 SL..ストリップライン Tr1..発振用トランジスタ Tr2..増幅用トランジスタ C2..可変容量ダイオードに並列なコンデンサ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】共振線路と、該共振線路の一端に、互いに
    並列接続される可変容量ダイオード及びコンデンサとを
    含む共振回路部と、 前記共振回路部と接続し、該共振回路部の共振周波数に
    基づいて発振条件を整え、且つ発振信号を出力する発振
    用トランジスタを含む負性抵抗回路部と、 前記負性抵抗回路部に接続し、前記発振信号を増幅して
    所定の発振出力を行なう増幅用トランジスタを含む増幅
    回路部とから成る電圧制御発振回路において、 前記共振回路部の可変周波数範囲は、前記変容量ダイオ
    ード及び前記コンデンサのいずれの自己共振周波数より
    も高い値の領域に設定されていることを特徴とする電圧
    制御発振回路。
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