JP2002043889A - ベアｓａｗチップの実装封止構造及び封止方法並びに高周波回路モジュール - Google Patents
ベアｓａｗチップの実装封止構造及び封止方法並びに高周波回路モジュールInfo
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- JP2002043889A JP2002043889A JP2000229581A JP2000229581A JP2002043889A JP 2002043889 A JP2002043889 A JP 2002043889A JP 2000229581 A JP2000229581 A JP 2000229581A JP 2000229581 A JP2000229581 A JP 2000229581A JP 2002043889 A JP2002043889 A JP 2002043889A
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 パッケージを用いることなく基板にフェース
ダウンボンディングしたベアＳＡＷチップの周縁部を気
密封止することにより、実装面積の縮小や低背化を実現
する。 【解決手段】 表面パターン１１をベース基板２０に対
面させてベアＳＡＷチップ１０を該基板２０にフェース
ダウンボンディングし、かつ前記表面パターン１１の少
なくともＳＡＷ伝搬部分に面する密閉空間が形成される
ように前記ベアＳＡＷチップ１０の周縁部と基板２０と
の間を封止樹脂３０で気密封止する。前記封止樹脂３０
は加熱硬化性、紫外線硬化性のいずれか又は両方の性質
を有するとともに、チキソ性を有している。
ダウンボンディングしたベアＳＡＷチップの周縁部を気
密封止することにより、実装面積の縮小や低背化を実現
する。 【解決手段】 表面パターン１１をベース基板２０に対
面させてベアＳＡＷチップ１０を該基板２０にフェース
ダウンボンディングし、かつ前記表面パターン１１の少
なくともＳＡＷ伝搬部分に面する密閉空間が形成される
ように前記ベアＳＡＷチップ１０の周縁部と基板２０と
の間を封止樹脂３０で気密封止する。前記封止樹脂３０
は加熱硬化性、紫外線硬化性のいずれか又は両方の性質
を有するとともに、チキソ性を有している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ベアＳＡＷチップ
の実装技術に係るもので、特にＳＡＷ（弾性表面波）を
利用したデバイスの内でフェースダウンボンディングで
基板と電気的に接続し、封止するためのベアＳＡＷチッ
プの実装封止構造及び封止方法並びに高周波回路モジュ
ールに関する。
の実装技術に係るもので、特にＳＡＷ（弾性表面波）を
利用したデバイスの内でフェースダウンボンディングで
基板と電気的に接続し、封止するためのベアＳＡＷチッ
プの実装封止構造及び封止方法並びに高周波回路モジュ
ールに関する。
【０００２】
【従来の技術】携帯電話の市場は右肩上がりの急激な成
長を見せており、２０００年の全世界の携帯電話生産数
は、５億台に近づくと見られている。年成長率も３０％
を越え、２００３年には８億台に達するとの予測も出て
いる。
長を見せており、２０００年の全世界の携帯電話生産数
は、５億台に近づくと見られている。年成長率も３０％
を越え、２００３年には８億台に達するとの予測も出て
いる。
【０００３】一方、携帯電話の小形軽量化競争は相変わ
らず激烈である。また、携帯電話としての機能の高度
化、複雑化もめざましく、たとえば、インターネットに
つなげて電子メールを送る、ＴＶカメラを携帯電話に取
り付けお互いの画像を見ながら通話を楽しめる、などな
ど。
らず激烈である。また、携帯電話としての機能の高度
化、複雑化もめざましく、たとえば、インターネットに
つなげて電子メールを送る、ＴＶカメラを携帯電話に取
り付けお互いの画像を見ながら通話を楽しめる、などな
ど。
【０００４】このように、性能をアップしつつ、小形軽
量、薄形化を進めてゆくために、携帯電話を構成する部
品へのさらなる小形化、軽量化、薄形化、また、部品点
数の削減、さらには低消費電力化への要求は日増しに高
まっている。
量、薄形化を進めてゆくために、携帯電話を構成する部
品へのさらなる小形化、軽量化、薄形化、また、部品点
数の削減、さらには低消費電力化への要求は日増しに高
まっている。
【０００５】一般に、このような要求を具現化するため
に、アクティブ素子としてのＬＳＩによる機能の集積
化、取り込み（アクティブインテグレーション）、性能
向上がもっとも重要である。ＬＳＩの開発と並行して、
ＬＳＩも含めてその周辺の受動部品類の集積化（パッシ
ブインテグレーション）もまた同様に重要である。
に、アクティブ素子としてのＬＳＩによる機能の集積
化、取り込み（アクティブインテグレーション）、性能
向上がもっとも重要である。ＬＳＩの開発と並行して、
ＬＳＩも含めてその周辺の受動部品類の集積化（パッシ
ブインテグレーション）もまた同様に重要である。
【０００６】携帯電話を始めとする移動体通信機器用の
高周波部品（無線による送受信回路部品）へも同様のニ
ーズがあり、日夜研究開発が進められているが、前記の
ような集積化への要望が一段と高まっている。
高周波部品（無線による送受信回路部品）へも同様のニ
ーズがあり、日夜研究開発が進められているが、前記の
ような集積化への要望が一段と高まっている。
【０００７】携帯電話等の移動体通信機器に用いられる
ＳＡＷフィルタ等のＳＡＷ素子においても、他の受動部
品類と同様の要求があるが、ＳＡＷ素子特有の問題、つ
まりＳＡＷが伝搬する表面パターンに水分、塵埃等の異
物が付着しないようにかつＳＡＷの伝搬を妨げないよう
に中空状態で気密封止する必要性から、従来は所定のパ
ッケージ内にベアＳＡＷチップを収納する構造をとって
いた。
ＳＡＷフィルタ等のＳＡＷ素子においても、他の受動部
品類と同様の要求があるが、ＳＡＷ素子特有の問題、つ
まりＳＡＷが伝搬する表面パターンに水分、塵埃等の異
物が付着しないようにかつＳＡＷの伝搬を妨げないよう
に中空状態で気密封止する必要性から、従来は所定のパ
ッケージ内にベアＳＡＷチップを収納する構造をとって
いた。
【０００８】図６は従来のベアＳＡＷチップの実装封止
構造の１例であり、セラミック又は樹脂パッケージ１の
内側底面に、ベアＳＡＷチップ１０が表面パターン１１
（ＳＡＷが伝搬する面）を上向きとして接着されてい
る。そして、パッケージ１側の電極２とベアＳＡＷチッ
プのボンディングパッド間はアルミワイヤ３によるワイ
ヤボンディングで接続されている。そして、セラミッ
ク、樹脂又は金属の蓋体４がベアＳＡＷチップ１０を覆
ってパッケージ５に気密に接着されている。
構造の１例であり、セラミック又は樹脂パッケージ１の
内側底面に、ベアＳＡＷチップ１０が表面パターン１１
（ＳＡＷが伝搬する面）を上向きとして接着されてい
る。そして、パッケージ１側の電極２とベアＳＡＷチッ
プのボンディングパッド間はアルミワイヤ３によるワイ
ヤボンディングで接続されている。そして、セラミッ
ク、樹脂又は金属の蓋体４がベアＳＡＷチップ１０を覆
ってパッケージ５に気密に接着されている。
【０００９】図７は従来のベアＳＡＷチップの実装封止
構造の他の例であり、セラミック又は樹脂パッケージ５
の電極６に対してＡｕバンプ等の接続電極１２を有する
ベアＳＡＷチップ１０が表面パターン１１を下向きとし
てフェースダウンボンディングされている。そして、セ
ラミック、樹脂又は金属の蓋体７がベアＳＡＷチップ１
０を覆ってパッケージ５に気密に接着されている。
構造の他の例であり、セラミック又は樹脂パッケージ５
の電極６に対してＡｕバンプ等の接続電極１２を有する
ベアＳＡＷチップ１０が表面パターン１１を下向きとし
てフェースダウンボンディングされている。そして、セ
ラミック、樹脂又は金属の蓋体７がベアＳＡＷチップ１
０を覆ってパッケージ５に気密に接着されている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図６の従来
例はベアＳＡＷチップ１０をワイヤボンディングでパッ
ケージ側電極に接続しているが、ＳＡＷの伝搬する表面
パターンが上向きであるため、塵埃等が製造過程や製造
後に付着しやすい。このため、図７の従来例のようにベ
アＳＡＷチップ１０をパッケージ側電極にフェースダウ
ンボンディングする構造が採用されるようになってきて
いる。
例はベアＳＡＷチップ１０をワイヤボンディングでパッ
ケージ側電極に接続しているが、ＳＡＷの伝搬する表面
パターンが上向きであるため、塵埃等が製造過程や製造
後に付着しやすい。このため、図７の従来例のようにベ
アＳＡＷチップ１０をパッケージ側電極にフェースダウ
ンボンディングする構造が採用されるようになってきて
いる。
【００１１】しかしながら、図６及び図７の構造はいず
れもベアＳＡＷチップをパッケージ内に収納するもので
あるため、実装面積が大きくなり、また厚みもパッケー
ジの肉厚分だけ大きくなり、低背化が困難である。例え
ば、図６、図７のいずれにおいても、高さＨ＝１mm以上
必要となる。
れもベアＳＡＷチップをパッケージ内に収納するもので
あるため、実装面積が大きくなり、また厚みもパッケー
ジの肉厚分だけ大きくなり、低背化が困難である。例え
ば、図６、図７のいずれにおいても、高さＨ＝１mm以上
必要となる。
【００１２】本発明の第１の目的は、上記の点に鑑み、
パッケージを用いることなく基板にフェースダウンボン
ディングしたベアＳＡＷチップの周縁部を気密封止する
ことにより、実装面積の縮小や低背化を実現可能とした
ベアＳＡＷチップの実装封止構造及び封止方法を提供す
ることにある。
パッケージを用いることなく基板にフェースダウンボン
ディングしたベアＳＡＷチップの周縁部を気密封止する
ことにより、実装面積の縮小や低背化を実現可能とした
ベアＳＡＷチップの実装封止構造及び封止方法を提供す
ることにある。
【００１３】本発明の第２の目的は、パッケージを用い
ることなく基板にフェースダウンボンディングしたベア
ＳＡＷチップの周縁部を気密封止するとともに、他の電
子部品も同一基板に装着することにより、小型化や低背
化を実現可能とした高周波回路モジュールを提供するこ
とにある。
ることなく基板にフェースダウンボンディングしたベア
ＳＡＷチップの周縁部を気密封止するとともに、他の電
子部品も同一基板に装着することにより、小型化や低背
化を実現可能とした高周波回路モジュールを提供するこ
とにある。
【００１４】本発明のその他の目的や新規な特徴は後述
の実施の形態において明らかにする。
の実施の形態において明らかにする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本願請求項１の発明に係るベアＳＡＷチップの実装
封止構造は、表面パターンを基板に対面させてベアＳＡ
Ｗチップを該基板にフェースダウンボンディングし、か
つ前記表面パターンの少なくともＳＡＷ伝搬部分に面す
る密閉空間が形成されるように前記ベアＳＡＷチップの
周縁部と基板との間を樹脂で気密封止したことを特徴と
している。
に、本願請求項１の発明に係るベアＳＡＷチップの実装
封止構造は、表面パターンを基板に対面させてベアＳＡ
Ｗチップを該基板にフェースダウンボンディングし、か
つ前記表面パターンの少なくともＳＡＷ伝搬部分に面す
る密閉空間が形成されるように前記ベアＳＡＷチップの
周縁部と基板との間を樹脂で気密封止したことを特徴と
している。
【００１６】本願請求項２の発明に係るベアＳＡＷチッ
プの実装封止構造は、請求項１において、前記樹脂が加
熱硬化性、紫外線硬化性のいずれか又は両方の性質を有
することを特徴としている。
プの実装封止構造は、請求項１において、前記樹脂が加
熱硬化性、紫外線硬化性のいずれか又は両方の性質を有
することを特徴としている。
【００１７】本願請求項３の発明に係るベアＳＡＷチッ
プの実装封止構造は、請求項１又は２において、前記樹
脂がチキソ性を有することを特徴としている。
プの実装封止構造は、請求項１又は２において、前記樹
脂がチキソ性を有することを特徴としている。
【００１８】本願請求項４の発明に係るベアＳＡＷチッ
プの実装封止方法は、表面パターンを基板に対面させて
ベアＳＡＷチップを該基板にフェースダウンボンディン
グする工程と、前記フェースダウンボンディングする工
程と並行して又は前記フェースダウンボンディングする
工程の後に、前記表面パターンの少なくともＳＡＷ伝搬
部分に面する密閉空間が形成されるように前記ベアＳＡ
Ｗチップの周縁部と基板との間に樹脂を設ける工程と、
前記樹脂を設ける工程の後に加熱、紫外線照射のいずれ
か又は両方で前記樹脂を硬化させて気密封止する工程を
備えることを特徴としている。
プの実装封止方法は、表面パターンを基板に対面させて
ベアＳＡＷチップを該基板にフェースダウンボンディン
グする工程と、前記フェースダウンボンディングする工
程と並行して又は前記フェースダウンボンディングする
工程の後に、前記表面パターンの少なくともＳＡＷ伝搬
部分に面する密閉空間が形成されるように前記ベアＳＡ
Ｗチップの周縁部と基板との間に樹脂を設ける工程と、
前記樹脂を設ける工程の後に加熱、紫外線照射のいずれ
か又は両方で前記樹脂を硬化させて気密封止する工程を
備えることを特徴としている。
【００１９】本願請求項５の発明に係る高周波回路モジ
ュールは、表面パターンを基板に対面させてベアＳＡＷ
チップを該基板にフェースダウンボンディングし、かつ
前記表面パターンの少なくともＳＡＷ伝搬部分に面する
密閉空間が形成されるように前記ベアＳＡＷチップの周
縁部と基板との間を樹脂で気密封止するとともに、前記
ベアＳＡＷチップ以外の電子部品を前記基板に装着した
ことを特徴としている。
ュールは、表面パターンを基板に対面させてベアＳＡＷ
チップを該基板にフェースダウンボンディングし、かつ
前記表面パターンの少なくともＳＡＷ伝搬部分に面する
密閉空間が形成されるように前記ベアＳＡＷチップの周
縁部と基板との間を樹脂で気密封止するとともに、前記
ベアＳＡＷチップ以外の電子部品を前記基板に装着した
ことを特徴としている。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係るベアＳＡＷチ
ップの実装封止構造及び封止方法並びに高周波回路モジ
ュールの実施の形態を図面に従って説明する。
ップの実装封止構造及び封止方法並びに高周波回路モジ
ュールの実施の形態を図面に従って説明する。
【００２１】図１は本発明の第１の実施の形態であっ
て、ベアＳＡＷチップの実装封止構造及び封止方法を示
し、図２はベアＳＡＷチップのＳＡＷ（弾性表面波）の
伝搬する電極指部分を含む表面パターンの例である。
て、ベアＳＡＷチップの実装封止構造及び封止方法を示
し、図２はベアＳＡＷチップのＳＡＷ（弾性表面波）の
伝搬する電極指部分を含む表面パターンの例である。
【００２２】これらの図において、２０は樹脂等のベー
ス基板であり、ベアＳＡＷチップを単独で搭載するため
の素子基板であってもよいし、他の電子部品を混載する
モジュール基板、さらには携帯電話等の装置基板であっ
てもよい。このベース基板２０上にはベアＳＡＷチップ
１０が有するＡｕバンプ等の接続電極１２に対応した基
板側電極２１が少なくとも形成されている。そして、ベ
アＳＡＷチップ１０は表面パターン１１を下向きにして
ベース基板２０上にフェースダウンボンディングされ
る。例えば、ベアＳＡＷチップ１０側の接続電極１２が
Ａｕバンプであれば、基板側電極２１の表面をＡｕとし
て超音波ボンディング等で接続を行う。
ス基板であり、ベアＳＡＷチップを単独で搭載するため
の素子基板であってもよいし、他の電子部品を混載する
モジュール基板、さらには携帯電話等の装置基板であっ
てもよい。このベース基板２０上にはベアＳＡＷチップ
１０が有するＡｕバンプ等の接続電極１２に対応した基
板側電極２１が少なくとも形成されている。そして、ベ
アＳＡＷチップ１０は表面パターン１１を下向きにして
ベース基板２０上にフェースダウンボンディングされ
る。例えば、ベアＳＡＷチップ１０側の接続電極１２が
Ａｕバンプであれば、基板側電極２１の表面をＡｕとし
て超音波ボンディング等で接続を行う。
【００２３】前記フェースダウンボンディングの際又は
その後に、封止樹脂３０でベアＳＡＷチップ１０の周縁
部とベース基板２０との間を気密封止する。つまり、ベ
アＳＡＷチップ１０周囲の少なくとも４側面とベース基
板２０との間に封止樹脂３０を塗布して気密に塞ぐよう
にする。このとき、表面パターン１１の少なくともＳＡ
Ｗ伝搬部分に面する密閉空間が表面パターン１１とベー
ス基板２０との間に残るようにし、封止樹脂３０が表面
パターン１１のＳＡＷ伝搬部分に回り込まないようにす
る。すなわち、図２のベアＳＡＷチップ１０の表面パタ
ーン１１において、斜線部分Ｐより内側の流れ込み不可
領域Ｑ（ＳＡＷ用電極指１３が配置されている領域）に
封止樹脂が流れ込まないようにする必要がある。
その後に、封止樹脂３０でベアＳＡＷチップ１０の周縁
部とベース基板２０との間を気密封止する。つまり、ベ
アＳＡＷチップ１０周囲の少なくとも４側面とベース基
板２０との間に封止樹脂３０を塗布して気密に塞ぐよう
にする。このとき、表面パターン１１の少なくともＳＡ
Ｗ伝搬部分に面する密閉空間が表面パターン１１とベー
ス基板２０との間に残るようにし、封止樹脂３０が表面
パターン１１のＳＡＷ伝搬部分に回り込まないようにす
る。すなわち、図２のベアＳＡＷチップ１０の表面パタ
ーン１１において、斜線部分Ｐより内側の流れ込み不可
領域Ｑ（ＳＡＷ用電極指１３が配置されている領域）に
封止樹脂が流れ込まないようにする必要がある。
【００２４】そのため、前記封止樹脂３０は、常温にお
いてディスペンサー等による塗布作業が容易でかつ塗布
後は流動しないような、チキソ性に富んだ（チキソトロ
ピーを有する）樹脂とし、しかも塗布後迅速に硬化させ
得るように前記封止樹脂３０は紫外線硬化性、加熱硬化
性のいずれか又は両方の性質を有する。
いてディスペンサー等による塗布作業が容易でかつ塗布
後は流動しないような、チキソ性に富んだ（チキソトロ
ピーを有する）樹脂とし、しかも塗布後迅速に硬化させ
得るように前記封止樹脂３０は紫外線硬化性、加熱硬化
性のいずれか又は両方の性質を有する。
【００２５】ベアＳＡＷチップ１０の気密封止工程は、
上記のような性質を有する封止樹脂３０を用い、ディス
ペンサー等でベアＳＡＷチップ１０周囲と基板２０間に
封止樹脂３０を塗布後、紫外線照射、加熱のいずれか、
又は両方の硬化処理を施して封止樹脂３０を迅速に硬化
させて封止構造を完成させる。樹脂３０の塗布時にはチ
ップ１０とベース基板２０の隙間や樹脂３０の温度流動
性を最適化し、さらには樹脂硬化時においてチップ１０
の表面パターン１１に付着しやすい不純物を含むガスを
発生させたりしないように配慮する。
上記のような性質を有する封止樹脂３０を用い、ディス
ペンサー等でベアＳＡＷチップ１０周囲と基板２０間に
封止樹脂３０を塗布後、紫外線照射、加熱のいずれか、
又は両方の硬化処理を施して封止樹脂３０を迅速に硬化
させて封止構造を完成させる。樹脂３０の塗布時にはチ
ップ１０とベース基板２０の隙間や樹脂３０の温度流動
性を最適化し、さらには樹脂硬化時においてチップ１０
の表面パターン１１に付着しやすい不純物を含むガスを
発生させたりしないように配慮する。
【００２６】この第１の実施の形態によれば、次の通り
の効果を得ることができる。
の効果を得ることができる。
【００２７】(1) 表面パターン１１をベース基板２０
に対面させてベアＳＡＷチップ１０を該基板２０にフェ
ースダウンボンディングし、かつ表面パターン１１の少
なくともＳＡＷ伝搬部分に密閉空間が形成されるように
前記ベアＳＡＷチップ１０の周縁部と基板２０との間を
封止樹脂３０で気密封止したので、ワイヤボンディング
の手法によらないフェースダウンボンディング工法によ
る構造でＳＡＷに影響を与えずに封止を行うことがで
き、しかも封止は大きな体積を取らずに高い信頼性を確
保することができる。このため、従来必要であったベア
ＳＡＷチップ１０を収納するパッケージが不要となり、
実装面積の縮小や低背化が可能である。
に対面させてベアＳＡＷチップ１０を該基板２０にフェ
ースダウンボンディングし、かつ表面パターン１１の少
なくともＳＡＷ伝搬部分に密閉空間が形成されるように
前記ベアＳＡＷチップ１０の周縁部と基板２０との間を
封止樹脂３０で気密封止したので、ワイヤボンディング
の手法によらないフェースダウンボンディング工法によ
る構造でＳＡＷに影響を与えずに封止を行うことがで
き、しかも封止は大きな体積を取らずに高い信頼性を確
保することができる。このため、従来必要であったベア
ＳＡＷチップ１０を収納するパッケージが不要となり、
実装面積の縮小や低背化が可能である。
【００２８】図３（Ａ），（Ｂ）は第１の実施の形態と
図７の従来例の実装面積を比較した例であり、ベアＳＡ
Ｗチップ１０が１．３×０．８mmであるとき、図３
（Ａ）の第１の実施の形態では周囲に０．２mmの封止樹
脂３０があるため実装面積は１．７×１．２＝２．０４
mm２となるが、図３（Ｂ）に示す図７の従来例の場合で
はパッケージを用いるため実装面積は２．５×２．０＝
５．０mm２となり、第１の実施の形態ではほぼ６０％程
度実装面積を削減できている。
図７の従来例の実装面積を比較した例であり、ベアＳＡ
Ｗチップ１０が１．３×０．８mmであるとき、図３
（Ａ）の第１の実施の形態では周囲に０．２mmの封止樹
脂３０があるため実装面積は１．７×１．２＝２．０４
mm２となるが、図３（Ｂ）に示す図７の従来例の場合で
はパッケージを用いるため実装面積は２．５×２．０＝
５．０mm２となり、第１の実施の形態ではほぼ６０％程
度実装面積を削減できている。
【００２９】また、第１の実施の形態では高さＨ＝０．
５mmにすることが可能であり、図６や図７の従来例（Ｈ
＝１mm）に比較して５０％の削減ができる。さらに、封
止樹脂３０のベアＳＡＷチップ１０上側へのはみ出しを
無くせばＨ＝０．４mmまで低減可能である。
５mmにすることが可能であり、図６や図７の従来例（Ｈ
＝１mm）に比較して５０％の削減ができる。さらに、封
止樹脂３０のベアＳＡＷチップ１０上側へのはみ出しを
無くせばＨ＝０．４mmまで低減可能である。
【００３０】(2) 封止樹脂３０は基板２０上に塗布後
にその塗布形状を保持するチキソ性を持つため、ベアＳ
ＡＷチップ１０の表面パターン１１側への回り込みを防
止して、ＳＡＷの伝搬する電極指１３部分を含む領域に
封止樹脂３０が付着しないようにすることができる。ま
た、封止樹脂３０が加熱硬化性、紫外線硬化性を有する
ことで、迅速な硬化処理が可能である。
にその塗布形状を保持するチキソ性を持つため、ベアＳ
ＡＷチップ１０の表面パターン１１側への回り込みを防
止して、ＳＡＷの伝搬する電極指１３部分を含む領域に
封止樹脂３０が付着しないようにすることができる。ま
た、封止樹脂３０が加熱硬化性、紫外線硬化性を有する
ことで、迅速な硬化処理が可能である。
【００３１】図４は上記第１の実施の形態に示した構造
を応用可能な携帯電話のフロントエンドジュールのブロ
ック図であり、このブロック図中のＢＰＦ（バンドパス
フィルタ）がＳＡＷフィルタであって第１の実施の形態
の構造を適用可能である。
を応用可能な携帯電話のフロントエンドジュールのブロ
ック図であり、このブロック図中のＢＰＦ（バンドパス
フィルタ）がＳＡＷフィルタであって第１の実施の形態
の構造を適用可能である。
【００３２】図５（Ａ）は本発明の第２の実施の形態で
あって、ベアＳＡＷチップ１０を第１の実施の形態と同
様にフェースダウンボンディングするとともに、それ以
外の電子部品４０をモジュール基板５０にはんだ付け等
で装着した高周波回路モジュールである。ベアＳＡＷチ
ップ１０以外の電子部品４０としては、例えば図４のＬ
ＰＦ（ローパスフィルタ）、ＲＦスイッチ、ダイプレク
サ等が挙げられる。そして、モジュール基板５０には各
部品を覆うようにキャップ５１が被せられて固着されて
いる。なお、図１と同一部材には同一符号を付した。
あって、ベアＳＡＷチップ１０を第１の実施の形態と同
様にフェースダウンボンディングするとともに、それ以
外の電子部品４０をモジュール基板５０にはんだ付け等
で装着した高周波回路モジュールである。ベアＳＡＷチ
ップ１０以外の電子部品４０としては、例えば図４のＬ
ＰＦ（ローパスフィルタ）、ＲＦスイッチ、ダイプレク
サ等が挙げられる。そして、モジュール基板５０には各
部品を覆うようにキャップ５１が被せられて固着されて
いる。なお、図１と同一部材には同一符号を付した。
【００３３】図５（Ｂ）は比較のために従来の図６や図
７のパッケージタイプのＳＡＷ素子６０を装着した高周
波回路モジュールの例である。図５（Ｂ）ではパッケー
ジタイプのＳＡＷ素子６０を用いるため、モジュール基
板５０Ａの実装面積が大きくなり、キャップ５１Ａの高
さも大きくなる。図５（Ｂ）では基板も含めた高周波回
路モジュールの全体高さが例えば、２．０mmであるのに
対し、同図（Ａ）のベアＳＡＷチップ１０を用いた第２
の実施の形態の高周波回路モジュールでは１．６mmにま
で低背化できる。また、図５（Ｂ）で実装面積が例えば
８．４×５．０＝４２．０mm２であったものが、同図
（Ａ）のベアＳＡＷチップ１０を用いた第２の実施の形
態の高周波回路モジュールでは７．５×４．８mm２に縮
小できる（約１４％削減）。
７のパッケージタイプのＳＡＷ素子６０を装着した高周
波回路モジュールの例である。図５（Ｂ）ではパッケー
ジタイプのＳＡＷ素子６０を用いるため、モジュール基
板５０Ａの実装面積が大きくなり、キャップ５１Ａの高
さも大きくなる。図５（Ｂ）では基板も含めた高周波回
路モジュールの全体高さが例えば、２．０mmであるのに
対し、同図（Ａ）のベアＳＡＷチップ１０を用いた第２
の実施の形態の高周波回路モジュールでは１．６mmにま
で低背化できる。また、図５（Ｂ）で実装面積が例えば
８．４×５．０＝４２．０mm２であったものが、同図
（Ａ）のベアＳＡＷチップ１０を用いた第２の実施の形
態の高周波回路モジュールでは７．５×４．８mm２に縮
小できる（約１４％削減）。
【００３４】本発明の第２の実施の形態によれば、ベア
ＳＡＷチップ１０及びその他の電子部品４０を同一モジ
ュール基板５０に搭載することで高周波回路モジュール
の小型化、低背化を図ることができる。
ＳＡＷチップ１０及びその他の電子部品４０を同一モジ
ュール基板５０に搭載することで高周波回路モジュール
の小型化、低背化を図ることができる。
【００３５】以上本発明の実施の形態について説明して
きたが、本発明はこれに限定されることなく請求項の記
載の範囲内において各種の変形、変更が可能なことは当
業者には自明であろう。
きたが、本発明はこれに限定されることなく請求項の記
載の範囲内において各種の変形、変更が可能なことは当
業者には自明であろう。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
表面パターンを基板に対面させてベアＳＡＷチップを該
基板にフェースダウンボンディングし、かつ前記表面パ
ターンの少なくともＳＡＷ伝搬部分に密閉空間が形成さ
れるように前記ベアＳＡＷチップの周縁部と基板との間
を樹脂で気密封止することができ、ＳＡＷフィルタ等の
ＳＡＷ素子、あるいはＳＡＷ素子を含んだ高周波回路モ
ジュールの小型化、低背化、構造の簡素化を図ることが
できる。
表面パターンを基板に対面させてベアＳＡＷチップを該
基板にフェースダウンボンディングし、かつ前記表面パ
ターンの少なくともＳＡＷ伝搬部分に密閉空間が形成さ
れるように前記ベアＳＡＷチップの周縁部と基板との間
を樹脂で気密封止することができ、ＳＡＷフィルタ等の
ＳＡＷ素子、あるいはＳＡＷ素子を含んだ高周波回路モ
ジュールの小型化、低背化、構造の簡素化を図ることが
できる。
【図１】本発明の第１の実施の形態であってベアＳＡＷ
チップの実装封止構造及び封止方法を示す正断面図であ
る。
チップの実装封止構造及び封止方法を示す正断面図であ
る。
【図２】本発明の第１の実施の形態で用いるベアＳＡＷ
チップの表面パターンの例を示すフェースダウンボンデ
ィング前の平面図である。
チップの表面パターンの例を示すフェースダウンボンデ
ィング前の平面図である。
【図３】第１の実施の形態と従来例との実装面積とを対
比した平面図である。
比した平面図である。
【図４】ＳＡＷ素子を用いた携帯電話用フロントエンド
モジュールのブロック図である。
モジュールのブロック図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態の高周波回路モジュ
ールを、従来例のＳＡＷ素子を用いた高周波回路モジュ
ールと対比して示す正断面図である。
ールを、従来例のＳＡＷ素子を用いた高周波回路モジュ
ールと対比して示す正断面図である。
【図６】ベアＳＡＷチップの実装封止構造の従来例を示
す正断面図である。
す正断面図である。
【図７】ベアＳＡＷチップの実装封止構造の他の従来例
を示す正断面図である。
を示す正断面図である。
１，５ パッケージ ２，６，１２，２１ 電極 ３ アルミワイヤ ４，７ 蓋体 １０ ベアＳＡＷチップ １１ 表面パターン １２ 接続電極 １３ 電極指 ２０ ベース基板 ３０ 封止樹脂 ４０ 電子部品 ５０ モジュール基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０３Ｈ 3/08 Ｈ０３Ｈ 3/08 Ｆターム(参考） 5F044 KK02 LL00 RR17 RR18 5F061 AA01 BA03 CA05 FA06 5J097 AA30 AA33 EE05 HA04 JJ03 JJ06 JJ09 KK10 LL08
Claims (5)
- 【請求項１】 表面パターンを基板に対面させてベアＳ
ＡＷチップを該基板にフェースダウンボンディングし、
かつ前記表面パターンの少なくともＳＡＷ伝搬部分に面
する密閉空間が形成されるように前記ベアＳＡＷチップ
の周縁部と基板との間を樹脂で気密封止したことを特徴
とするベアＳＡＷチップの実装封止構造。 - 【請求項２】 前記樹脂が加熱硬化性、紫外線硬化性の
いずれか又は両方の性質を有するものである請求項１記
載のベアＳＡＷチップの実装封止構造。 - 【請求項３】 前記樹脂がチキソ性を有するものである
請求項１又は２記載のベアＳＡＷチップの実装封止構
造。 - 【請求項４】 表面パターンを基板に対面させてベアＳ
ＡＷチップを該基板にフェースダウンボンディングする
工程と、 前記フェースダウンボンディングする工程と並行して又
は前記フェースダウンボンディングする工程の後に、前
記表面パターンの少なくともＳＡＷ伝搬部分に面する密
閉空間が形成されるように前記ベアＳＡＷチップの周縁
部と基板との間に樹脂を設ける工程と、 前記樹脂を設ける工程の後に加熱、紫外線照射のいずれ
か又は両方で前記樹脂を硬化させて気密封止する工程を
備えることを特徴とするベアＳＡＷチップの実装封止方
法。 - 【請求項５】 表面パターンを基板に対面させてベアＳ
ＡＷチップを該基板にフェースダウンボンディングし、
かつ前記表面パターンの少なくともＳＡＷ伝搬部分に面
する密閉空間が形成されるように前記ベアＳＡＷチップ
の周縁部と基板との間を樹脂で気密封止するとともに、
前記ベアＳＡＷチップ以外の電子部品を前記基板に装着
したことを特徴とする高周波回路モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000229581A JP2002043889A (ja) | 2000-07-28 | 2000-07-28 | ベアｓａｗチップの実装封止構造及び封止方法並びに高周波回路モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000229581A JP2002043889A (ja) | 2000-07-28 | 2000-07-28 | ベアｓａｗチップの実装封止構造及び封止方法並びに高周波回路モジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002043889A true JP2002043889A (ja) | 2002-02-08 |
Family
ID=18722673
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000229581A Pending JP2002043889A (ja) | 2000-07-28 | 2000-07-28 | ベアｓａｗチップの実装封止構造及び封止方法並びに高周波回路モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002043889A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002208652A (ja) * | 2001-01-09 | 2002-07-26 | Namics Corp | 中空構造の電子デバイス及びその製造方法 |
| JP2007073554A (ja) * | 2005-09-02 | 2007-03-22 | Dainippon Printing Co Ltd | 樹脂封止デバイスの製造方法及びその製造装置 |
-
2000
- 2000-07-28 JP JP2000229581A patent/JP2002043889A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002208652A (ja) * | 2001-01-09 | 2002-07-26 | Namics Corp | 中空構造の電子デバイス及びその製造方法 |
| JP4575601B2 (ja) * | 2001-01-09 | 2010-11-04 | ナミックス株式会社 | 中空構造の電子デバイスの製造方法 |
| JP2007073554A (ja) * | 2005-09-02 | 2007-03-22 | Dainippon Printing Co Ltd | 樹脂封止デバイスの製造方法及びその製造装置 |
| JP4579104B2 (ja) * | 2005-09-02 | 2010-11-10 | 大日本印刷株式会社 | 樹脂封止デバイスの製造方法及びその製造装置 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
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| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080528 |