JP2002043595A

JP2002043595A - 薄膜太陽電池の製造方法およびその方法で作られた薄膜太陽電池

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Publication number: JP2002043595A
Application number: JP2000229276A
Authority: JP
Inventors: Yasutoshi Otake; 保年大竹
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 2000-07-28
Filing date: 2000-07-28
Publication date: 2002-02-08
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Abstract

(57)【要約】【課題】軽量化および薄型化が図られた薄膜太陽電池
を歩留り率を低下させることなく容易に製造できる薄膜
太陽電池の製造方法を提供すること。【解決手段】薄膜太陽電池の製造方法は、絶縁基板表
面に裏面電極層、光電変換層、表面電極層を積層し、裏
面電極層の端部に金属層を介して電力取り出し用電極を
接合する薄膜太陽電池の製造方法において、絶縁基板の
表面に裏面電極層、光電変換層、表面電極層を積層して
表面電極層を保護マスクで覆ってから、絶縁基板の裏面
を処理して前記基板を薄く加工する加工工程と、前記金
属層を裏面電極層の端部に積層する積層工程とを備え、
前記保護マスクを前記加工工程と積層工程とに兼用す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、薄膜太陽電池の
製造方法およびその方法で作られた薄膜太陽電池に関
し、詳しくは、特に薄型のガラス基板を備える薄膜太陽
電池の製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来の一般的な薄膜太陽電池の製造方法
とその構成を図４に示す。ここで、（ａ）は斜視図、
（ｂ）は断面図であり、絶縁基板以外の部分の厚みを拡
大して示している。図４（ａ）および（ｂ）に示すよう
に、ｔ１が約２ｍｍ程度の厚さを有するガラスなどの絶
縁基板１上に、モリブデンなどの裏面電極層２を形成
し、パターニング（図示せず）などを施した後に、光電
変換を行うセレン化銅インジウム（ＣｕＩｎＳｅ₂）
（以下、この明細書中において「ＣＩＳ」という）や表
面電極層となる酸化亜鉛（ＺｎＯ）などで構成された光
電変換層３を形成する。光電変換層３にも同様にパター
ニング（図示せず）などを施し、光電変換層３内部でパ
ターニング数に比例した直列数を有する集積型の薄膜太
陽電池を形成する。

【０００３】その後、図４（ｃ）に示すように、裏面電
極層２の両端にはんだコーティングを施した銅リボンな
どからなる金属材料５をはんだ付けで取り付ける。この
金属材料５がそれぞれ正極及び負極の電極となり、図示
しないリード線に連結されることにより薄膜太陽電池か
ら電力が取り出される。その後、薄膜太陽電池を密閉、
保護するために、光電変換層３上にガラスなどの透明材
料からなるカバー材料６をシール材７によって接着して
薄膜太陽電池を完成させる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】昨今、薄膜太陽電池を
用いた様々な製品が供給されているが、これらの製品の
なかでも宇宙用や携帯端末用として用いられる製品には
より一層の小型軽量化が求められている。このような要
求に対応するため、従来よりも軽量化と薄型化が図られ
た薄膜太陽電池が必要とされている。

【０００５】薄膜太陽電池を軽量化および薄型化する手
法としては、薄膜太陽電池の絶縁基板としてより薄い絶
縁基板を用いる手法を挙げることができる。従来の薄膜
太陽電池、例えばＣＩＳ系の薄膜太陽電池では絶縁基板
として厚さ約２ｍｍのガラス基板が使われていた。この
ような絶縁基板の厚さを薄くすれば、薄膜太陽電池の軽
量化と薄型化を達成できることになる。

【０００６】しかし、絶縁基板の厚さを薄くすると製造
工程中に基板が破損および変形してしまう可能性が高ま
り、薄膜太陽電池の歩留り率が低下する。つまり、薄膜
太陽電池の製造工程では、室温から５００℃程度の範囲
内で温度上昇と温度低下が繰り返され、更に洗浄などの
工程が必須となる。このため薄い絶縁基板を用いた場
合、絶縁基板上に成膜した膜の応力や熱によって絶縁基
板が反り易くなり、絶縁基板搬送時のトラブルなどプロ
セス上の問題を引き起こしやすくなるのである。

【０００７】従って、安易に絶縁基板の厚さを薄くする
ことはできず、仮に、薄い絶縁基板を使用して軽量・薄
型化を図るとすると、製造設備の改善や製造設備に別途
の機能の追加が必要となってコスト高になるという別の
問題点が生じてくる。

【０００８】また、従来の薄膜太陽電池において電力取
り出し用電極を形成する際に用いられていたはんだは軽
量化にふさわしくなく、また、はんだ付けによる盛り上
がりは携帯端末などに要求される薄型化に適さないので
前記電極の形成は別の手法、例えば金属片や金属箔を溶
接するなどの手法に替えていく必要がある。

【０００９】この発明は以上のような事情を考慮してな
されたものであり、コスト高を招くことなく製造方法が
容易で、基板の軽量化および薄型化を図ることができる
薄膜太陽電池の製造方法とその方法で製造された薄膜太
陽電池を提供するものである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】この発明は、絶縁基板表
面に裏面電極層、光電変換層、表面電極層を積層し、裏
面電極層の端部に金属層を介して電力取り出し用電極を
接合する薄膜太陽電池の製造方法において、絶縁基板の
表面に裏面電極層、光電変換層、表面電極層を積層して
表面電極層を保護マスクで覆ってから、絶縁基板の裏面
を処理して前記基板を薄く加工する加工工程と、前記金
属層を裏面電極層の端部に積層する積層工程とを備え、
前記保護マスクを前記加工工程と積層工程とに兼用する
ことを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法を提供するも
のである。

【００１１】

【発明の実施の形態】この発明による薄膜太陽電池の製
造方法は、絶縁基板表面に裏面電極層、光電変換層およ
び表面電極層の各層を形成してから絶縁基板の裏面を処
理して絶縁基板を薄く加工する。つまり、薄膜太陽電池
の製造工程において、熱や応力が絶縁基板に加わる裏面
電極層、光電変換層および表面電極層など各層の形成工
程では、十分な厚みと強度を有する絶縁基板を使用す
る。そして、絶縁基板表面に薄膜太陽電池を構成する各
層が形成されて、熱や応力が加わらなくなった段階で、
絶縁基板の裏面を処理して絶縁基板を薄く加工するので
ある。

【００１２】これにより、歩留り率を低下させることな
く薄型化および軽量化の図られた薄膜太陽電池を製造す
ることができる。なお、絶縁基板の裏面を処理して絶縁
基板を薄く加工する際には光電変換層や表面電極層を傷
つけないようにするため、表面電極層を覆う保護マスク
が必要となる。

【００１３】また、電力取り出し用電極は、裏面電極層
の端部に直接接合されるのではなく金属層を介して接合
される。これは以下のような理由による。従来の薄膜太
陽電池ではモリブデンなどからなる裏面電極層上にはん
だコーティングが施された銅リボンなどをはんだ付けす
ることにより電力取り出し用の電極が設けられていた。
しかし、これは上述のようにはんだの盛り上がりなどが
生じるため、薄膜太陽電池の軽量化および薄型化を図っ
ていく上で望ましくない。

【００１４】電極部分の軽量化および薄型化を図ってい
くためには、電力取り出し用の電極となる金属片や金属
箔（以下、この明細書中において「インターコネクタ」
という）などを裏面電極層上に溶接で接合することが望
まれる。

【００１５】つまり、電力取り出し用の電極としてイン
ターコネクタを溶接で接合すれば、従来のようにはんだ
付けによる膨らみや盛り上がりをなくすことができるの
で、電極部分の厚みは銀箔などのインターコネクタの厚
み、例えば約３０μｍを考慮するだけですむようにな
る。しかし、単にモリブデン一層の上では、通常使用さ
れている例えば銀製のインターコネクタは溶接が極めて
困難である。

【００１６】発明者は、インターコネクタの接合方法に
ついて種々検討した結果、生産上問題なく溶接を行うた
めには、モリブデンなどからなる裏面電極層のインター
コネクタ接合部上に、例えばチタン−パラジウム−銀
（Ｔｉ−Ｐｄ−Ａｇ）の３層からなる金属層を真空蒸着
等の方法によって厚さ約３μｍ以上積層する必要がある
ことを発見した。

【００１７】しかし、このような金属層が薄膜太陽電池
の表面、すなわち表面電極層の表面に付着することは望
ましくないため、表面電極層を何らかの方法で保護する
必要が生じてくる。そこで、この発明では表面電極層を
保護マスクで覆ってから金属層の積層工程を実施するの
である。

【００１８】なお、絶縁基板の裏面を処理して絶縁基板
を薄く加工する加工工程と、金属層を裏面電極層の端部
に積層する積層工程では、同じ保護マスクを兼用するこ
とができる。つまり薄膜太陽電池の製造工程において、
表面電極層を保護マスクで覆うのは１回だけである。

【００１９】このような製造方法によれば、薄膜太陽電
池の歩留り率を低下させることなく軽量化および薄型化
が図られた薄膜太陽電池を作製することができ、さらに
は工程数の削減と工程の短縮を図ることもできる。従っ
て、軽量化および薄型化の図られた薄膜太陽電池を容易
に低コストで作製できるようになる。

【００２０】この発明による薄膜太陽電池の製造方法
は、金属層を積層する積層工程が、絶縁基板の裏面を処
理して絶縁基板を薄く加工する加工工程の後で行われて
もよい。また、金属層を積層する積層工程が、絶縁基板
の裏面を処理して絶縁基板を薄く加工する加工工程の前
に行われてもよい。つまり、絶縁基板の裏面を処理して
絶縁基板を薄く加工する加工工程と、金属層を積層する
積層工程は、どちらが先でも後でも構わない。

【００２１】また、この発明による薄膜太陽電池の製造
方法は、絶縁基板の裏面を処理して絶縁基板を薄く加工
する加工工程が、絶縁基板の裏面を機械的に研磨する工
程であってもよい。

【００２２】絶縁基板の裏面を機械的に研磨する場合に
は、保護マスクとしてカバーガラス、剥離可能なテープ
を貼り付けたカバーガラス、耐酸性のワックスを塗布し
たカバーガラスなどを用いることができる。その他の保
護マスクとしては、粘着力の弱いブルーテープ、ＵＶテ
ープなどの剥離可能なテープのみを保護マスクとして用
いることもできる。

【００２３】また、この発明による薄膜太陽電池の製造
方法は、絶縁基板の裏面を処理して絶縁基板を薄く加工
する加工工程が、絶縁基板の裏面を化学的に処理する工
程であってもよい。

【００２４】また、絶縁基板の裏面を化学的に処理する
場合には、保護マスクとして剥離可能なテープを貼り付
けたカバーガラス、または耐酸性のワックスを塗布した
カバーガラスを用いることができる。

【００２５】絶縁基板の裏面を化学的に処理する場合で
あって、かつ、絶縁基板がガラス基板である場合、フッ
酸を主成分とするエッチング液を用いたウェットエッチ
ング法によって処理することができる。なお、フッ酸の
代わりにＣＦ₄ガスなどを用いたドライエッチング法で
絶縁基板の裏面を処理してもよい。

【００２６】また、この発明による薄膜太陽電池の製造
方法で作られた薄膜太陽電池は、絶縁基板がガラス基板
であり、裏面電極層がモリブデンからなり、光電変換層
がセレン化銅インジウムからなり、表面電極層が酸化亜
鉛からなっていてもよい。

【００２７】また、この発明による薄膜太陽電池の製造
方法で作られた薄膜太陽電池は、絶縁基板がガラス基板
であり、金属層が銀を含み、ガラス基板は裏面が薄く加
工されることによって厚さ約０．２ｍｍ以下に加工さ
れ、金属層は約３μｍ以上の厚さを有していてもよい。

【００２８】例えば、従来の薄膜太陽電池において一般
的に用いられていた約２ｍｍ厚のガラス基板を厚さ約
０．２ｍｍ程度まで薄く加工すれば、ガラス基板以外の
各層は数μｍ程度と薄く、それらの重さはほぼ無視でき
るので、太陽電池全体として従来の単位重さ当たりの出
力約２２ｍＷ／ｇ（太陽光スペクトルＡＭ０において変
換効率１０％）を２２０ｍＷ／ｇ程度まで高めることが
できる。

【００２９】

【実施例】以下に図面に示す実施例に基づいてこの発明
を詳述する。なお、この実施例によってこの発明が限定
されるものではない。

【００３０】実施例１この発明の実施例１について図１に基づいて説明する。
図１は薄膜太陽電池の製造工程を示す工程図である。な
お、図１中（ａ）のみが斜視図であり、図１（ｂ）は図
１（ａ）に対応する断面図である。図１（ｃ）〜（ｇ）
は、図１（ａ）および（ｂ）以降の工程を示す断面図で
ある。

【００３１】図１（ａ）および（ｂ）に示すように、例
えばｔ１が約２ｍｍ程度の厚さを有するガラスからなる
絶縁基板１の表面に、約１μｍ程度の厚さを有するモリ
ブデンなどの裏面電極層２を形成してパターニング（図
示しない）を施す。その後、裏面電極層２の上にＣＩＳ
（光電変換層）やＺｎＯ（表面電極層）からなる光電変
換層３（実施例では光電変換層と表面電極層とを併せて
「光電変換層」とよぶ）をさらに形成する。その後、光
電変換層３にもパターニング（図示しない）を施し、光
電変換層３の内部でパターニング数に比例した直列数を
有する集積型の薄膜太陽電池とする。光電変換層３の厚
みは合計で約３〜５μｍである。

【００３２】次に、図１（ｃ）に示すように、光電変換
層３に保護マスク４として粘性の小さいブルーテープ、
例えば、大和化成株式会社製の「プロタックテープ」
（品番：Ｐ−５０ＥＢ）を貼り付ける。ブルーテープの
代わりにＵＶテープ、例えば、リンテック株式会社製の
「Ａｄｗｉｌｌ」（Ｅシリーズ）を用いても良い。

【００３３】次に、図１（ｄ）に示すように、絶縁基板
１の裏面を処理して絶縁基板１を薄く加工する（加工工
程）。具体的には、サンドペーパーや研磨材を用いる研
磨機を使用し、冷却剤を散布しながら研磨して絶縁基板
１を薄く加工する（機械的処理）。この加工により、絶
縁基板１の厚さｔ２は約０．２ｍｍとなった。

【００３４】なお、ダイヤモンド砥石などを用いたカッ
プ型ホイールを装備した研削機を使用して研削する方法
でも良い。もちろん、１回の研磨、研削で完了させるの
ではなく、２回以上に分けて行うこともできる。例え
ば、最初は研削によって粗削りを行い、最後に研磨によ
り仕上げを行っても良い。

【００３５】実施例１では上述のように機械的処理で絶
縁基板１の裏面を処理し、絶縁基板１を薄く加工した
が、絶縁基板１の処理方法としてはこれに限られるもの
ではなく、例えば、化学的な処理方法も用いることもで
きる。

【００３６】化学的な処理方法を用いる場合は、例え
ば、化学的処理に耐え得る耐酸性のワックス、例えば、
日化精工株式会社製の「プロテクトワックス」（品番：
ＫＰＷ−Ａ）を塗布したカバーガラス、又は化学的処理
に耐え得る容易に剥離可能なテープ、例えば、東レ・デ
ュポン株式会社製、「カプトン」（品番：１００Ｈ）を
貼り付けたカバーガラスを光電変換層３上にシール材に
よって接着する。その後フッ酸（ＨＦ）を主成分とした
ウェットエッチング法によって絶縁基板１の裏面を処理
し、絶縁基板１を薄く加工するとよい。また、フッ酸の
代わりにＣＦ₄ガスなどを用いたドライエッチング法で
絶縁基板１の裏面を処理してもよい。

【００３７】次に、図１（ｅ）に示すように、薄型化し
た絶縁基板１を洗浄し、乾燥させた後、真空蒸着装置
（図示せず）に持ち込み、Ｔｉ−Ｐｄ−Ａｇの３層から
なる金属層５を裏面電極層２の両端に蒸着する（積層工
程）。

【００３８】なお、上述のように、実施例１では絶縁基
板１の裏面を処理して絶縁基板１を薄く加工してから、
金属層５を裏面電極層２の両端に蒸着した。しかし、こ
れとは逆の順序、つまり、金属層５の蒸着を行った後、
絶縁基板１の裏面を処理して絶縁基板１を薄く加工して
もよい。但し、金属層５の蒸着を行った後で絶縁基板１
を薄く加工する場合は、金属層５の材料とエッチング液
とが反応しないように配慮する必要がある。

【００３９】次に、図１（ｆ）に示すように保護マスク
４を除去する。次に、図１（ｇ）に示すように、厚さ約
０．１ｍｍのカバーガラス６をシール材７によって接着
すると共に、金属層５にインターコネクタ８を溶接によ
り接合して薄膜太陽電池をモジュール化する。

【００４０】図示は行わないが、その後、モジュール化
された薄膜太陽電池どうしを並べ、インターコネクタ８
を隣の薄膜太陽電池の金属層上に溶接によって接合し、
モジュール化された薄膜太陽電池どうしを接続する。

【００４１】以上のように、実施例１の製造方法によれ
ば、工程初期段階から薄い絶縁基板を使用するのではな
く、光電変換層形成工程など、物理的または熱的衝撃を
与える工程が完了した後で絶縁基板１の裏面を処理して
絶縁基板１を薄く加工する。また、金属層積層工程およ
び絶縁基板の薄型化工程で必要となる表面電極層上の保
護マスクを、両工程で兼用する。従って、薄膜太陽電池
の歩留り率を低下させることなく軽量化および薄型化が
図られた薄膜太陽電池を容易に製造できる。

【００４２】実施例２この発明の実施例２について図２に基づいて説明する。
図２は薄膜太陽電池の製造工程を示す工程図である。な
お、図２中（ａ）のみが斜視図であり、図２（ｂ）は図
２（ａ）に対応する断面図である。図２（ｃ）〜（ｆ）
は、図２（ａ）および（ｂ）以降の工程を示す断面図で
ある。なお、実施例１と同じ名称の部材は同じ符号を付
して説明する。また、特に説明をしない部材の材料およ
び寸法は実施例１と同じものとする。

【００４３】図２（ａ）および（ｂ）に示すように、実
施例１と同様にガラスからなる絶縁基板１上に裏面電極
層２と光電変換層３を形成する。

【００４４】次に、図２（ｃ）に示すように、カバーガ
ラス６をシール材７によって接着する。このカバーガラ
ス６は光電変換層３の保護マスクとしても利用される。
次に、図２（ｄ）に示すように、絶縁基板１の裏面を処
理して絶縁基板１を薄く加工する。加工方法は、実施例
１と同様に機械的な研削および研磨で行う。

【００４５】次に、図２（ｅ）に示すように、実施例１
と同様にＴｉ−Ｐｄ−Ａｇの３層からなる金属層５を絶
縁基板１の両端に蒸着する。なお、金属層５を絶縁基板
１の両端に蒸着する際には、カバーガラス６上に金属層
５の材料が付着するのを防止するために通常の蒸着装置
で用いられる簡易なメタルマスクを使用する（図示しな
い）。

【００４６】次に、図２（ｆ）に示すように、金属層５
にインターコネクタ８を溶接により接合して薄膜太陽電
池をモジュール化する。図示しないが、その後、モジュ
ール化された薄膜太陽電池どうしを並べ、インターコネ
クタ８を隣の薄膜太陽電池の金属層上に溶接によって接
合し、モジュール化された薄膜太陽電池どうしを接続す
る。

【００４７】以上のように、実施例２の製造方法によれ
ば、絶縁基板１とカバーガラス６とをシール材７によっ
て接着した後に絶縁基板１の薄型化工程を実施するの
で、カバーガラス６接着後の製造工程で受ける外力に対
する全体強度が実施例１よりも高まる。また、カバーガ
ラス６が保護マスクとしての役割を兼ねているので、実
施例１のように保護マスク（テープ）を後で除去する必
要がなくなり、製造工程がより一層簡略化される。

【００４８】実施例３この発明の実施例３について図３に基づいて説明する。
図３は薄膜太陽電池の製造工程を示す工程図である。な
お、図３中（ａ）のみが斜視図であり、図３（ｂ）は図
３（ａ）に対応する断面図である。図３（ｃ）〜（ｆ）
は、図３（ａ）および（ｂ）以降の工程を示す断面図で
ある。なお、実施例１と同じ名称の部材は同じ符号を付
して説明する。また、特に説明をしない部材の材料およ
び寸法は実施例１と同じものとする。

【００４９】図３（ａ）および（ｂ）に示すように、実
施例１と同様にガラスからなる絶縁基板１上に裏面電極
層２と光電変換層３を形成する。次に、図３（ｃ）に示
すように、化学的処理に耐え得る容易に剥離可能なテー
プを保護マスク４として貼り付けたカバーガラス６を、
シール材７によって光電変換層３に接着する。なお、実
施例３において用いる保護マスク４は化学的処理に耐え
得る耐酸性ワックスでもよい。

【００５０】次に、図３（ｄ）に示すように、フッ酸
（ＨＦ）をエッチング液として用いたウェットエッチン
グ法によって絶縁基板１の裏面を処理して絶縁基板１を
薄く加工する。なお、このような化学的処理でなく、実
施例１と同様に機械的に研削および研磨して絶縁基板１
を薄く加工してもよい。

【００５１】次に、図３（ｅ）に示すように、実施例１
と同様にＴｉ−Ｐｄ−Ａｇの３層からなる金属層５を絶
縁基板１の両端に蒸着する。次に、図３（ｆ）に示すよ
うに保護マスク４を除去すると共に、金属層５にインタ
ーコネクタ８を溶接により接合して薄膜太陽電池をモジ
ュール化する。図示しないが、その後、モジュール化さ
れた薄膜太陽電池どうしを並べ、インターコネクタ８を
隣の薄膜太陽電池の金属層上に溶接によって接合し、モ
ジュール化された薄膜太陽電池どうしを接続する。

【００５２】以上のように、実施例３の製造方法によれ
ば、実施例２と同様に絶縁基板１とカバーガラス６とを
シール材７によって接着した後に絶縁基板１の薄型化工
程を実施するので、カバーガラス６接着後の製造工程で
受ける外力に対する全体強度が高まる。さらには、カバ
ーガラス６を保護マスク４でさらに保護しつつ製造する
ので、完成した薄膜太陽電池の品質がより一層向上す
る。

【００５３】

【発明の効果】この発明によれば、表面電極層を保護マ
スクで覆ってから、絶縁基板の裏面を処理して絶縁基板
を薄く加工する加工工程と、金属層を裏面電極層の端部
に積層する積層工程とを実施するので、物理的または熱
的衝撃を受ける製造工程初期では十分な強度と厚みを有
する絶縁基板を使用することができ、さらには、絶縁基
板を薄く加工する加工工程と金属層を積層する積層工程
とで同じ保護マスクを兼用することができ、結果とし
て、歩留り率を低下させることなく、軽量化および薄型
化が図られた薄膜太陽電池を容易に製造できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１に係る薄膜太陽電池の製造方法を示す
工程図である。

【図２】実施例２に係る薄膜太陽電池の製造方法を示す
工程図である。

【図３】実施例３に係る薄膜太陽電池の製造方法を示す
工程図である。

【図４】従来の薄膜太陽電池の製造方法を示す工程図で
ある。

【符号の説明】

１・・・絶縁基板２・・・裏面電極層３・・・光電変換層４・・・保護マスク５・・・金属層６・・・カバーガラス７・・・シール材８・・・インターコネクタ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁基板表面に裏面電極層、光電変換
層、表面電極層を積層し、裏面電極層の端部に金属層を
介して電力取り出し用電極を接合する薄膜太陽電池の製
造方法において、絶縁基板の表面に裏面電極層、光電変
換層、表面電極層を積層して表面電極層を保護マスクで
覆ってから、絶縁基板の裏面を処理して前記基板を薄く
加工する加工工程と、前記金属層を裏面電極層の端部に
積層する積層工程とを備え、前記保護マスクを前記加工
工程と積層工程とに兼用することを特徴とする薄膜太陽
電池の製造方法。
【請求項２】金属層を積層する積層工程が、絶縁基板
の裏面を処理して前記基板を薄く加工する加工工程の後
で行われることを特徴とする請求項１に記載の薄膜太陽
電池の製造方法。
【請求項３】金属層を積層する積層工程が、絶縁基板
の裏面を処理して前記基板を薄く加工する加工工程の前
で行われることを特徴とする請求項１に記載の薄膜太陽
電池の製造方法。
【請求項４】絶縁基板の裏面を処理して前記基板を薄
く加工する加工工程が、絶縁基板の裏面を機械的に研磨
する工程であることを特徴とする請求項１〜３のいずれ
か１つに記載の薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項５】絶縁基板の裏面を処理して前記基板を薄
く加工する加工工程が、絶縁基板の裏面を化学的に処理
する工程であることを特徴とする請求項１〜３のいずれ
か１つに記載の薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項６】絶縁基板がガラス基板であり、化学的な
処理をフッ酸を主成分とするエッチング液を用いて行う
ことを特徴とする請求項５に記載の薄膜太陽電池の製造
方法。
【請求項７】保護マスクがカバーガラスであることを
特徴とする請求項４に記載の薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項８】保護マスクが剥離可能なテープを貼り付
けたカバーガラスまたは耐酸性のワックスを塗布したカ
バーガラスであることを特徴とする請求項１〜６のいず
れか１つに記載の薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項９】請求項１〜８のいずれか１つに記載の製
造方法で作られた薄膜太陽電池であって、絶縁基板がガ
ラス基板であり、裏面電極層がモリブデンからなり、光
電変換層がセレン化銅インジウムからなり、表面電極層
が酸化亜鉛からなることを特徴とする薄膜太陽電池。
【請求項１０】請求項１〜８のいずれか１つに記載の
製造方法で作られた薄膜太陽電池であって、絶縁基板が
ガラス基板であり、金属層が銀を含み、ガラス基板は裏
面が薄く加工されることによって厚さ０．２ｍｍ以下に
加工され、金属層は３μｍ以上の厚さを有する薄膜太陽
電池。