JP2002043174A - チップ状コンデンサおよびその製造方法 - Google Patents

チップ状コンデンサおよびその製造方法

Info

Publication number
JP2002043174A
JP2002043174A JP2000219544A JP2000219544A JP2002043174A JP 2002043174 A JP2002043174 A JP 2002043174A JP 2000219544 A JP2000219544 A JP 2000219544A JP 2000219544 A JP2000219544 A JP 2000219544A JP 2002043174 A JP2002043174 A JP 2002043174A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
anode
capacitor
anode lead
extraction layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2000219544A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4570739B2 (ja
Inventor
Takashi Mizuguchi
隆 水口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nichicon Corp
Original Assignee
Nichicon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nichicon Corp filed Critical Nichicon Corp
Priority to JP2000219544A priority Critical patent/JP4570739B2/ja
Publication of JP2002043174A publication Critical patent/JP2002043174A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4570739B2 publication Critical patent/JP4570739B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 小形、大容量で、ESR特性に優れたチップ
状コンデンサを提供すること。 【解決手段】 陽極導出線2を備えたコンデンサ素子1
に、誘電体酸化皮膜3、固体電解質層4、陰極引出層5
を形成し、樹脂外装してなるチップ状コンデンサにおい
て、上記コンデンサ素子1の陽極導出線2が導出される
面と異なる面に弁金属からなる陽極引出層10を備え、
該陽極引出層10と陽極リードフレーム8とを接続して
なることを特徴としている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、小形、大容量で、
高周波領域でも等価直列抵抗(ESR)の低いチップ状
コンデンサおよびその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、電子機器の軽薄短小化と、高周波
化に伴い、単位体積当たりの収納容量が大きく、高周波
領域でもESRの小さいチップ状コンデンサが要求され
ている。
【0003】以下に、従来のチップ状焼結型固体電解コ
ンデンサの構造について説明する。図3は従来のチップ
状コンデンサの断面図である。
【0004】陽極導出線2を備えた弁作用金属粉末を成
形焼結したコンデンサ素子1の表面に、陽極酸化法によ
り誘電体酸化皮膜3を形成し、該誘電体酸化皮膜3の上
に金属酸化物や、導電性高分子からなる固体電解質層4
を形成後、カーボン層と銀層からなる陰極引出層5を順
次形成する。
【0005】該陰極引出層5に、陰極側外部電極となる
陰極リードフレーム7を導電性接着剤6を用いて固着
し、他方、陽極導出線2に、陽極側外部電極となる陽極
リードフレーム8を溶接した後、コンデンサ素子をトラ
ンスファーモールドによりモールド樹脂9で外装するこ
とによりチップ状コンデンサを構成していた。
【0006】チップ状コンデンサは弁作用金属にタンタ
ルを用いたタンタル固体電解コンデンサが一般的である
が、アルミニウムを用いたコンデンサも製造されてい
る。また、固体電解質としては二酸化マンガンが一般的
であったが、低ESR化の需要拡大により固有抵抗が二
酸化マンガンより低いポリピロールや、ポリアニリン等
の導電性高分子への移行が急速に進んでいる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来のチップ状コンデンサの構造では、陽極導出線2
に板状の陽極リードフレーム8を溶接して陽極電極を外
部に引き出すため、モールド樹脂の内部に陽極導出線と
陽極リードフレームおよびその接合点に占められる領域
が発生し、コンデンサ素子を大きくできない、すなわち
大容量化できないという問題があった。
【0008】また、陽極導出線2に陽極リードフレーム
8を溶接して外部に電極を引き出す構造のため、陽極リ
ードフレーム8と陽極導出線2の接合点、陽極導出線2
とコンデンサ素子1の接合点および陽極導出線2の電気
抵抗により高周波領域でのESRが数mΩから数10m
Ω高くなるという問題があった。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するもので、コンデンサ素子から陽極導出線を介さずに
陽極側外部電極を引き出す構造とすることにより、容量
に寄与しない陽極導出線と陽極リードフレームとの接合
点をなくし、電気抵抗の増加を抑えることにより、小形
大容量で高周波領域のESRが低いチップ状コンデンサ
を得ることができるものである。すなわち、陽極導出線
2を備えたコンデンサ素子1に、誘電体酸化皮膜3、固
体電解質層4、陰極引出層5を形成し、樹脂外装してな
るチップ状コンデンサにおいて、上記コンデンサ素子1
の陽極導出線2が導出される面と異なる面に弁金属から
なる陽極引出層10を備え、該陽極引出層10と陽極リ
ードフレーム8とを接続してなることを特徴とするチッ
プ状コンデンサである。
【0010】また、陽極導出線2を備えたコンデンサ素
子1に、誘電体酸化皮膜3、固体電解質層4、陰極引出
層5を形成し、樹脂外装してなるチップ状コンデンサに
おいて、上記コンデンサ素子1の陽極導出線2が導出さ
れる面と異なる面に弁金属からなる陽極引出層10を形
成後、コンデンサ素子1に誘電体酸化皮膜3を形成し、
陽極引出層10上の誘電体酸化皮膜3表面に撥水性樹脂
層11を形成後、固体電解質層4、陰極引出層5を順次
形成し、陽極引出層10上の誘電体酸化皮膜3と撥水性
樹脂層11を除去して陽極引出層10を露出させ、該陽
極引出層10と陽極リードフレーム8、陰極引出層5と
陰極リードフレーム7を接続してなることを特徴とする
チップ状コンデンサおよびその製造方法である。
【0011】さらに、上記陽極引出層10が、真空蒸着
法、PVD法、CVD法のいずれかで形成されているこ
とを特徴とするチップ状コンデンサおよびその製造方法
である。
【0012】
【発明の実施の形態】本発明を図面に基づき詳細に説明
する。図1は本発明の一実施例である。コンデンサ素子
1の陽極導出線2と異なる面に真空蒸着法、PVD法、
CVD法の何れかの方法で弁金属からなる陽極引出層1
0を形成し、該陽極引出層10と陽極リードフレーム8
を接続することで、小形、大容量で、高周波領域で低E
SRのチップ状コンデンサが得られる。
【0013】
【実施例】〔実施例1〕コンデンサの外形寸法が、幅
1.6mm×長さ3.2mm×高さ1.6mmとなるよ
うに、1グラム当たりの粉末CV値(容量と化成電圧の
積)が30000μF・V/gで、幅1.2mm×長さ
2.4mm×高さ0.7mmで、1.2mm×0.7m
mの面に陽極導出線2(タンタルワイヤー)を植立した
直方形タンタル微粉末焼結体をコンデンサ素子1とし
た。真空容器の上面に陽極引出層形成用金属のターゲッ
トを、下面に被コーティング物設置治具を配置したアー
クイオンプレーティング装置に、タンタルワイヤー植立
面を下にしてコンデンサ素子1を被コーティング物設置
治具に設置し、ターゲットにタンタルを設置した。真空
容器内をロータリーポンプとターボ分子ポンプを併用し
て1.2mPa以下に排気した後、ターゲットを陽極、
真空容器全体を陰極として真空アーク放電を発生させ、
コンデンサ素子1のタンタルワイヤー植立面と反対の面
に厚さ100μmのタンタルからなる陽極引出層10を
形成した。陽極引出層10を形成したコンデンサ素子1
を、0.05%リン酸水溶液中で20V印加して陽極酸
化し、誘電体酸化皮膜を形成した後、洗浄乾燥した。陽
極引出層10上の誘電体酸化皮膜3表面に水溶性テフロ
ン(登録商標)樹脂を塗布後200℃で硬化し撥水性樹
脂層11とした。次に、 ・ピロールモノマー 5wt% ・p−トルエンスルホン酸第2鉄 25wt% ・n−ブタノール 35wt% ・i−プロパノール 35wt% からなる溶液に浸漬後50℃で1時間化学重合を行った
後、未反応のモノマーと過剰の酸化剤を水洗して除去し
100℃で5分間乾燥する工程を14回繰り返して固体
電解質層4としてポリピロール層を形成した。そして公
知の方法でポリピロール層上に、カーボン層、陰極銀層
からなる陰極引出層5を形成した。その後、コンデンサ
素子1の陽極引出層10側に10WのYAGレーザーを
照射し、陽極引出層10上の誘電体酸化皮膜と撥水性樹
脂を除去した。タンタル金属面が露出した陽極引出層1
0の表面に陽極リードフレーム8を溶接した後、タンタ
ルワイヤーを短く切断し、陰極リードフレーム7と陰極
銀層とを導電性接着剤6で接着した。さらに、トランス
ファーモールドによりモールド樹脂で外装してチップ状
タンタルコンデンサを100個作製した。
【0014】〔実施例2〕幅1.2mm×長さ2.7m
m×高さ0.6mmのコンデンサ素子1で図2のような
構造のチップ状タンタルコンデンサを実施例1と同様に
100個作製した。なお、陽極引出層10形成部以外を
マスキングしてから、アークイオンプレーティング装置
に設置し、陽極引出層10を形成した。
【0015】〔従来例〕実施例1より長さ方向の寸法が
0.8mm短い、幅1.2mm×長さ1.6mm×高さ
0.7mmのコンデンサ素子を用いて、実施例1と同様
に誘電体酸化皮膜3、固体電解質層4、陰極引出層5を
形成し、タンタルワイヤーに陽極リードフレーム8を溶
接し、陰極リードフレーム7と陰極銀層とを導電性接着
剤6で接着した後、トラスファーモールドによりモール
ド樹脂で外装して図3のような構造のチップ状タンタル
コンデンサを100個作製した。
【0016】得られたコンデンサの容量、tanδ、ES
R、漏れ電流の平均値を表1に示した。
【0017】
【表1】
【0018】表1より、実施例1,2は従来例より容量
が高く、ESRに優れていることが分かる。また、実施
例1,2の寸法のコンデンサ素子で、従来例と同様にコ
ンデンサを作製したが、陰極リードフレーム7を基準に
すると、陽極導出線2がモールド樹脂よりはみ出し、コ
ンデンサとならなかった。
【0019】実施例1,2では陽極引出層10の形成方
法にPVD法の一種であるアークイオンプレーティング
法を用いたが、マグネトロンスパッタリング等のスパッ
タリング法、EB(電子ビーム)法、HCD(中空陰極
放電)法等のPVD法、CVD法、その他一般的な真空
蒸着法を用いても本実施例と同等の効果がある。また、
陽極引出層厚みは、10〜150μmが望ましい。
【0020】また、陽極引出層の弁金属は、タンタル、
アルミニウム、ニオブ、チタン、ジルコニウム、ハフニ
ウム、マグネシウム等が使用でき、コンデンサ素子と、
陽極引出層に使用する弁金属は、同種弁金属だけでな
く、異種弁金属であっても実施例と同様の効果が得られ
る。
【0021】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、コンデン
サ素子の陽極導出線の導出された面と異なる面に弁金属
からなる陽極引出層を設け、該陽極引出層と陽極リード
フレームとを接続することで、コンデンサ素子寸法が拡
大でき、さらに固体電解質層と陽極引出層との接触面積
の拡大とコンデンサ素子・陽極リードフレーム間の抵抗
を低減できるので、コンデンサの大容量化と、tan
δ、ESRの低減を図ることができる。また、撥水性樹
脂層を形成することで余分な固体電解質層の形成を防止
し、陽極リードフレームと固体電解質層間の短絡を防止
することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による一実施例のチップ状コンデンサの
断面図である。
【図2】本発明によるその他の実施例のチップ状コンデ
ンサの断面図である。
【図3】従来例のチップ状コンデンサの断面図である。
【符号の説明】
1 コンデンサ素子 2 陽極導出線 3 誘電体酸化皮膜 4 固体電解質層 5 陰極引出層 6 導電性接着剤 7 陰極リードフレーム 8 陽極リードフレーム 9 モールド樹脂 10 陽極引出層 11 撥水性樹脂
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01G 9/15 H01G 9/05 F

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 陽極導出線を備えたコンデンサ素子に、
    誘電体酸化皮膜、固体電解質層、陰極引出層を形成し、
    樹脂外装してなるチップ状コンデンサにおいて、 上記コンデンサ素子の陽極導出線が導出される面と異な
    る面に弁金属からなる陽極引出層を備え、該陽極引出層
    と陽極リードフレームとを接続してなることを特徴とす
    るチップ状コンデンサ。
  2. 【請求項2】 陽極導出線を備えたコンデンサ素子に、
    誘電体酸化皮膜、固体電解質層、陰極引出層を形成し、
    樹脂外装してなるチップ状コンデンサにおいて、 上記コンデンサ素子の陽極導出線が導出される面と異な
    る面に弁金属からなる陽極引出層を形成後、コンデンサ
    素子に誘電体酸化皮膜を形成し、陽極引出層上の誘電体
    酸化皮膜表面に撥水性樹脂層を形成後、固体電解質層、
    陰極引出層を順次形成し、陽極引出層上の誘電体酸化皮
    膜と撥水性樹脂層を除去して陽極引出層を露出させ、該
    陽極引出層と陽極リードフレーム、陰極引出層と陰極リ
    ードフレームを接続してなることを特徴とするチップ状
    コンデンサおよびその製造方法。
  3. 【請求項3】 上記陽極引出層が、真空蒸着法、PVD
    法、CVD法のいずれかで形成されていることを特徴と
    する請求項1または請求項2記載のチップ状コンデンサ
    およびその製造方法。
JP2000219544A 2000-07-19 2000-07-19 チップ状コンデンサの製造方法 Expired - Fee Related JP4570739B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000219544A JP4570739B2 (ja) 2000-07-19 2000-07-19 チップ状コンデンサの製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000219544A JP4570739B2 (ja) 2000-07-19 2000-07-19 チップ状コンデンサの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002043174A true JP2002043174A (ja) 2002-02-08
JP4570739B2 JP4570739B2 (ja) 2010-10-27

Family

ID=18714309

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000219544A Expired - Fee Related JP4570739B2 (ja) 2000-07-19 2000-07-19 チップ状コンデンサの製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4570739B2 (ja)

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5897824A (ja) * 1981-12-07 1983-06-10 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 固体電解コンデンサ
JPS61278124A (ja) * 1985-05-31 1986-12-09 ニチコン株式会社 固体電解コンデンサの製造方法
JPH0499308A (ja) * 1990-08-17 1992-03-31 Nec Corp 固体電解コンデンサ
JPH05275289A (ja) * 1992-03-27 1993-10-22 Nippon Steel Corp チップ型固体電解コンデンサ
JPH06252009A (ja) * 1993-02-26 1994-09-09 Rohm Co Ltd 固体電解コンデンサーの構造及び固体電解コンデンサーの製造方法
JPH07320982A (ja) * 1994-05-30 1995-12-08 Rohm Co Ltd タンタル固体電解コンデンサ用コンデンサ素子の製造方法
JPH08167540A (ja) * 1994-12-12 1996-06-25 Nec Corp チップ状固体電解コンデンサ及びその製造方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5897824A (ja) * 1981-12-07 1983-06-10 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 固体電解コンデンサ
JPS61278124A (ja) * 1985-05-31 1986-12-09 ニチコン株式会社 固体電解コンデンサの製造方法
JPH0499308A (ja) * 1990-08-17 1992-03-31 Nec Corp 固体電解コンデンサ
JPH05275289A (ja) * 1992-03-27 1993-10-22 Nippon Steel Corp チップ型固体電解コンデンサ
JPH06252009A (ja) * 1993-02-26 1994-09-09 Rohm Co Ltd 固体電解コンデンサーの構造及び固体電解コンデンサーの製造方法
JPH07320982A (ja) * 1994-05-30 1995-12-08 Rohm Co Ltd タンタル固体電解コンデンサ用コンデンサ素子の製造方法
JPH08167540A (ja) * 1994-12-12 1996-06-25 Nec Corp チップ状固体電解コンデンサ及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP4570739B2 (ja) 2010-10-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7262954B1 (en) Solid electrolytic capacitor element, solid electrolytic capacitor, and manufacturing method therefor
US6771488B2 (en) Solid electrolytic capacitor and method of manufacturing the capacitor
TWI478189B (zh) 固體電解電容器及其製造方法
US6522527B2 (en) Anode member for a solid electrolytic capacitor, an electrolytic capacitor using the same, and a method of making the same
EP0844630B1 (en) Fabrication method of solid electrolytic capacitor
JP4868601B2 (ja) 固体電解コンデンサ及びその製造方法
JP2008244184A (ja) 固体電解コンデンサおよびその製造方法
JP5062770B2 (ja) 固体電解コンデンサおよびその製造方法
KR20210066237A (ko) 고체 전해 커패시터 및 이의 제조방법
US11521802B2 (en) Solid electrolyte capacitor and fabrication method thereof
JP2002025860A (ja) チップ状コンデンサ
JP2009105171A (ja) 固体電解コンデンサ及びその製造方法
JP2004087713A (ja) アルミニウム固体電解コンデンサ
JPH06168855A (ja) 積層形固体電解コンデンサ及びその製造方法
JP2002043174A (ja) チップ状コンデンサおよびその製造方法
JP3485848B2 (ja) 固体電解コンデンサ
WO2022091854A1 (ja) 電解コンデンサ
JP2008053512A (ja) 固体電解コンデンサ
WO2024143172A1 (ja) 固体電解コンデンサ
JP2001155965A (ja) 固体電解コンデンサの製造方法
JPH0645200A (ja) 固体電解コンデンサ
WO2022163400A1 (ja) 固体電解コンデンサおよび固体電解コンデンサの製造方法
JPH10335187A (ja) 固体電解コンデンサおよびその製造方法
JP3401447B2 (ja) 固体電解コンデンサ及びその製造方法
JP2004319646A (ja) 電解コンデンサ及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070117

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20091026

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20091217

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20100308

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100514

A911 Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20100615

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100720

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100811

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130820

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130820

Year of fee payment: 3

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130820

Year of fee payment: 3

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130820

Year of fee payment: 3

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130820

Year of fee payment: 3

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees