JP2002040304A

JP2002040304A - 光検出装置

Info

Publication number: JP2002040304A
Application number: JP2000230409A
Authority: JP
Inventors: Takao Sakurai; 孝夫桜井
Original assignee: Advantest Corp
Current assignee: Advantest Corp
Priority date: 2000-07-31
Filing date: 2000-07-31
Publication date: 2002-02-06

Abstract

(57)【要約】【課題】光軸のアライメントを行わなくても、光導波
路とフォトダイオード等の受光器とを結合させることが
できる光検出装置を提供する。【解決手段】誘電体基板２２上に形成された光導波路
２０と、光導波路２０を進む光の進行方向を誘電体基板
２２の厚さ方向に変化させ、光が誘電体基板２２を貫通
するようにする切り込みミラー３２と、切り込みミラー
３２により進行方向が変化された光を受光して受光信号
を生成するフォトダイオード１０と、を備え、フォトダ
イオード１０を誘電体基板２２上に配置すれば受光する
ことができるので、光導波路２０とフォトダイオード１
０とを接続するためにレンズ等を使用する必要がない。
よって、光軸のアライメント等が不要になり、光導波路
２０とフォトダイオード１０との接続が容易になる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光導波路と光検出
器との結合に関する。

【０００２】

【従来の技術】光導波路とフォトダイオード（PD : Pho
to Diode）とを結合させて、光導波路に光が流れたか否
かを検出することがある。この場合、光導波路の方向が
フォトダイオードの受光面に垂直になっている必要があ
る。光導波路とフォトダイオードとを結合させた構成を
図７に示す。

【０００３】フォトダイオード１１０はサブキャリア１
１２に載せられている。フォトダイオード１１０はレン
ズ１１４を介して光導波路１２０に結合される。このと
き、フォトダイオード１１０の受光面は光導波路１２０
の方向と垂直になっている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、フォト
ダイオード１１０が正確に光導波路１２０を流れる光を
検出するためには、光軸のアライメントが必要になる。
よって、フォトダイオード１１０と光導波路１２０とを
結合させるための工数が多くなってしまう。

【０００５】また、サブキャリア１１２と光導波路１２
０とが別構造になるため、温度変化による光軸のずれも
起こりやすい。

【０００６】さらに、光導波路１２０に関するデバイス
（変調器、スイッチ、偏波制御器）の電極が配置されて
いる面と、フォトダイオード１１０の電極面とが離れて
いるため、光導波路１２０に関するデバイスの制御とフ
ォトダイオード１１０の制御との双方を高速にすること
が難しい。

【０００７】そこで、本発明は、光軸のアライメントを
行わなくても、光導波路とフォトダイオード等の受光器
とを結合させることができる光検出装置を提供すること
を課題とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、誘電体基板上に形成された光導波路と、光導波路を
進む光の進行方向を誘電体基板の厚さ方向に変化させ、
光が誘電体基板を貫通するようにする光路変化手段と、
光路変化手段により進行方向が変化された光を受光して
受光信号を生成する受光手段と、を備えるように構成さ
れる。

【０００９】上記のように構成された光検出装置によれ
ば、受光手段を誘電体基板上に配置すれば受光すること
ができるので、光導波路と受光手段とを接続するために
レンズ等を使用する必要がない。よって、光軸のアライ
メント等が不要になり、光導波路と受光手段との接続が
容易になる。

【００１０】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の発明であって、光導波路が形成されている光導波路形
成面と対向する裏面に形成され、受光信号を伝送する伝
送路を備えるように構成される。

【００１１】請求項３に記載の発明は、請求項１に記載
の発明であって、裏面に取り付けられ、光の反射を防止
する反射防止手段を備えるように構成される。

【００１２】請求項４に記載の発明は、誘電体基板上に
形成された光導波路と、光導波路を進む光の進行方向を
誘電体基板の厚さ方向に変化させ、光が誘電体基板から
離れるようにする光路変化手段と、光路変化手段により
進行方向が変化された光を受光して受光信号を生成する
受光手段と、を備えるように構成される。

【００１３】上記のように構成された光検出装置によれ
ば、受光手段を誘電体基板上に配置すれば受光すること
ができるので、光導波路と受光手段とを接続するために
レンズ等を使用する必要がない。よって、光軸のアライ
メント等が不要になり、光導波路と受光手段との接続が
容易になる。

【００１４】請求項５に記載の発明は、請求項４に記載
の発明であって、光導波路が形成されている光導波路形
成面に形成され、受光信号を伝送する伝送路を備えるよ
うに構成される。

【００１５】請求項６に記載の発明は、請求項４に記載
の発明であって、光導波路に取り付けられ、光の反射を
防止する反射防止手段を備えるように構成される。

【００１６】請求項７に記載の発明は、請求項１ないし
６のいずれか一項に記載の発明であって、光路変化手段
は、光導波路に形成された切り込みである、ものであ
る。

【００１７】請求項８に記載の発明は、請求項１ないし
７のいずれか一項に記載の発明であって、切り込みは、
光導波路に対して４５度傾いている、ものである。

【００１８】請求項９に記載の発明は、請求項１ないし
８のいずれか一項に記載の発明であって、受光手段は、
伝送路と接続するための電極を受光面上に備えるように
構成される。

【００１９】請求項１０に記載の発明は、請求項１ない
し９のいずれか一項に記載の発明であって、受光手段お
よび誘電体基板は接合用パッドを有し、受光手段および
誘電体基板は、接合用パッドを介して接合材により接合
される、ものである。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。

【００２１】第一の実施形態図１は、本発明の第一の実
施形態にかかる光検出装置１を示す図であり、図１
（ａ）は平面図、図１（ｂ）は側面図、図１（ｃ）は底
面図である。

【００２２】光検出装置１は、フォトダイオード１０、
光導波路２０、誘電体基板２２、切り込み３０、切り込
みミラー３２、伝送路４０、カソード側伝送路４２、ア
ノード側伝送路４４、増幅用ＩＣ基板５０を備える。

【００２３】フォトダイオード１０は、図１（ｂ）
（ｃ）に示すように、誘電体基板２２に取り付けられて
いる。より詳細には、フォトダイオード１０は、光導波
路２０が形成されている誘電体基板２２の光導波路形成
面２２ａと対向する裏面２２ｂにハンダバンプ６０によ
り接合されている（図１（ｂ）参照）。フォトダイオー
ド１０は受光すると、受光信号を生成する。なお、フォ
トダイオード１０には、カソード電極、アノード電極、
接合用パッドが受光面上に設けられているが、詳細は後
述する。また、フォトダイオード１０の受光面は、誘電
体基板２２に向かい合わせになっている面である。

【００２４】誘電体基板２２は、誘電体で構成された基
板である。例えば誘電体基板２２は、LiNbO₃基板であ
る。光導波路２０は、図１（ａ）（ｂ）に示すように、
誘電体基板２２の表面上に形成されている。光導波路２
０は、光を伝達するものであり、例えばTi（チタン）
を、LiNbO₃基板である誘電体基板２２に熱拡散して作製
できる。なお、光は光導波路２０を図１（ａ）に示す矢
印の向き（右向き）へ進行するものとする。また、誘電
体基板２２には、接合用パッドおよび反射防止膜が裏面
２２ｂに設けられているが、詳細は後述する。

【００２５】切り込み３０は、図１（ａ）（ｂ）に示す
ように、光導波路２０および誘電体基板２２にダイシン
グソーのＶ字型のブレードで切り込んだ切り込みであ
る。ダイシングソーは、高精度のステージを有してお
り、水平方向、高さ方向ともにサブミクロン・オーダー
の位置精度で切削加工することも可能である。切り込み
３０の光導波路２０における切り口が切り込みミラー３
２である。なお、切り込み３０の形状については後述す
る。

【００２６】伝送路４０は、受光信号を伝送するための
線路であり、カソード側伝送路４２、アノード側伝送路
４４を有する。図１（ｃ）を参照すると、カソード側伝
送路４２およびアノード側伝送路４４は裏面２２ｂに形
成されている。伝送路４０は、誘電体基板２２の誘電率
に合わせ、コプレーナあるいはマイクロストリップ構造
により、ある所定の特性インピーダンス（例．５０Ω）
を有するにようにされている。なお、カソード側伝送路
４２、アノード側伝送路４４の詳細については後述す
る。

【００２７】増幅用ＩＣ基板５０は、伝送路４０により
伝送された受光信号を増幅する増幅用ＩＣ（図示省略）
が取り付けられている基板である。増幅用ＩＣは伝送路
４０と接続されている。

【００２８】次に、各部の詳細を説明する。まず、光検
出装置１の切り込み３０付近の拡大図である図２を参照
して、誘電体基板２２に設けられた反射防止膜、および
切り込み３０の形状について説明する。

【００２９】誘電体基板２２の光導波路形成面２２ａに
は光導波路２０が形成されており、切り込み３０は誘電
体基板２２および光導波路２０を切り込んでいる。切り
込み３０はＶ字型であり、切り込みミラー３２は光導波
路２０に対して４５度傾いている。なお、切り込みミラ
ー３２の傾きは４５度が一般的ではあるが、全反射の条
件を満たせば、それ以外の角度であってもよい。

【００３０】光導波路２０を進行する光は、切り込みミ
ラー３２により、誘電体基板２２の厚さ方向のほぼ真下
に進行するが、図２示す破線矢印のように、光の進行方
向には、ある程度のばらつきがある。そこで、反射防止
膜２６は誘電体基板２２を貫通した光を受けられるよう
な広がりをもって、裏面２２ｂに取り付けられている。
反射防止膜２６は、誘電体基板２２内部を進行した光が
裏面２２ｂにおいて屈折率の不整合により反射してしま
うことを防止するものである。反射防止膜２６は、例え
ばＡＲ（Anti-Reflective）コートである。

【００３１】なお、誘電体基板２２は裏面２２ｂに接合
用パッド２４を備え、フォトダイオード１０は受光面に
接合用パッド１２を備える。接合用パッド１２、２４は
ハンダバンプ６０により接合される。

【００３２】次に、図３を参照してフォトダイオード１
０の電極の配置を説明する。フォトダイオード１０の受
光面には、接合用パッド１２ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、カソ
ード電極１４ａ、ｂ、ｃ、ｄ、アノード電極１６が設け
られている。カソード電極１４ａ、ｂ、ｃ、ｄは、フォ
トダイオード１０の受光面の隅に設けられている。接合
用パッド１２ａ、ｂ、ｃ、ｄは、それぞれカソード電極
１４ａ、ｂ、ｃ、ｄ上の、対角線上の中心よりに設けら
れている。アノード電極１６は、フォトダイオード１０
の受光面の中心に設けられたリング状の電極である。ア
ノード電極１６に隣接して接合用パッド１２ｅが設けら
れている。

【００３３】なお、フォトダイオード１０には、例えば
フォトコンダクタ、MSM‐PD、Pin‐PDが含まれる。な
お、Pin‐PDの場合は、カソード電極が受光面の反対側
に設けられていることが一般的であるから、サイドメタ
ライズや金リボンなどによりカソード電極を受光面側に
延伸するようにする。

【００３４】次に、図４を参照して、誘電体基板２２の
接合用パッドおよびカソード側伝送路４２、アノード側
伝送路４４の配置を説明する。接合用パッド１２ａ、
ｂ、ｃ、ｄ、ｅに向かい合う位置に接合用パッド２４
ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅが設けられている。このような接合
用パッドの配置により、接合用パッド間をハンダバンプ
で接合することで、フォトダイオード１０の受光面が、
誘電体基板２２を貫通する光を受けられるように配置で
きる。アノード側伝送路４４は、接合用パッド２４ｅか
ら増幅用ＩＣ基板５０に直線状に伸びている。カソード
側伝送路４２は、接合用パッド１２ａ、ｂ、ｃ、ｄを通
り、接合用パッド２４ｅおよびアノード側伝送路４４を
囲むように形成され、増幅用ＩＣ基板５０に向かって伸
びている。

【００３５】次に、第一の実施形態の動作を説明する。
まず、光は光導波路２０を図１（ａ）の矢印の向きに進
行し、切り込み３０に行き当たる。そこで、図２に示す
ように、切り込みミラー３２により反射され、ほぼ９０
度、光路が変換される。そして、光は光導波路形成面２
２ａから入射され、誘電体基板２２を貫通し、裏面２２
ｂから出射される。光が裏面２２ｂから出射する際に、
屈折率の不整合により裏面２２ｂにおいて反射されない
ように、反射防止膜２６が取り付けられているので、光
は裏面２２ｂから出射され、フォトダイオード１０の受
光面に入射される。フォトダイオード１０の受光面に光
が入射されると、フォトキャリアが発生し、カソード電
極１４ａ、ｂ、ｃ、ｄおよびアノード電極１６の間に電
流が流れる。この電流が受光信号である。カソード電極
１４ａ、ｂ、ｃ、ｄはハンダバンプ６０を介してカソー
ド側伝送路４２に接続され、アノード電極１６はハンダ
バンプ６０を介してアノード側伝送路４４に接続されて
いるので、カソード側伝送路４２およびアノード側伝送
路４４に電流が流れ、受光信号が伝送される。

【００３６】第一の実施形態によれば、光導波路２０を
進行した光が誘電体基板２２を貫通するので、フォトダ
イオード１０を誘電体基板２２の裏面２２ｂ上に配置す
れば受光することができる。よって、光導波路２０とフ
ォトダイオード１０とを接続するためにレンズ等を使用
する必要がない。従って、光軸のアライメント等が不要
になり、光導波路２０とフォトダイオード１０との接続
が容易になる。

【００３７】しかも、伝送路４０を裏面２２ｂ上に形成
したため、電気的配線を短くできる。また、反射防止膜
２６を裏面２２ｂ上に形成したため、光が裏面２２ｂに
より反射されてしまうことを防止できる。さらに、光路
を変化させるための切り込みミラー３２は、切り込み３
０をダイシングソーなどで作製すればすむので、簡単に
光路を変化させられる。

【００３８】また、フォトダイオード１０は誘電体基板
２２に向かい合う受光面にカソード電極１４ａ−ｄ、ア
ノード電極１６を設けているため、光導波路２０に関す
るデバイス（変調器、スイッチ、偏波制御器）の電極が
配置されている面と、フォトダイオード１０の電極面と
が近接する。よって、光導波路２０に関するデバイスの
制御とフォトダイオード１０の制御との双方を高速にす
ることができる。

【００３９】さらに、フォトダイオード１０の接合用パ
ッド１２ａ−ｅに向かい合う位置に誘電体基板２２の接
合用パッド２４ａ−ｅが設けられているので、接合用パ
ッド間をハンダバンプ６０で接合するといった簡単な工
程によって、フォトダイオード１０の受光面が、誘電体
基板２２を貫通する光を受けられるように配置できる。

【００４０】また、フォトダイオード１０も光導波路２
０も共に誘電体基板２２に設けられているので、温度変
化に対する相対位置のずれを防止できる。

【００４１】第二の実施形態第二の実施形態にかかる光
検出装置１は、第一の実施形態にかかる光検出装置１と
比較して、光導波路２０を進んできた光を誘電体基板２
２から離れるように、直上に光路を変化させる点が異な
る。図５は、本発明の第二の実施形態にかかる光検出装
置１を示す図であり、図５（ａ）は側面図、図５（ｂ）
は切り込み３０付近の拡大図である。以下、第一の実施
形態と同様な部分は、同じ番号を付して説明を省略する
ことがある。

【００４２】光検出装置１は、フォトダイオード１０、
光導波路２０、誘電体基板２２、切り込み３０、切り込
みミラー３２、伝送路４０（図示省略）、カソード側伝
送路４２、アノード側伝送路４４、増幅用ＩＣ基板５０
を備える。

【００４３】フォトダイオード１０は、誘電体基板２２
に取り付けられている。より詳細には、フォトダイオー
ド１０は、光導波路２０が形成されている誘電体基板２
２の光導波路形成面２２ａにハンダバンプ６０により接
合されている。フォトダイオード１０は受光すると、受
光信号を生成する。なお、フォトダイオード１０には、
カソード電極、アノード電極、接合用パッドが受光面上
に設けられているが、詳細は第一の実施形態と同様であ
るので説明を省略する（図３参照）。また、フォトダイ
オード１０の受光面は、誘電体基板２２に向かい合わせ
になっている面である。

【００４４】誘電体基板２２は、誘電体で構成された基
板である。例えば誘電体基板２２は、LiNbO₃基板であ
る。光導波路２０は、誘電体基板２２の表面上に形成さ
れている。光導波路２０は、光を伝達するものであり、
例えばTi（チタン）を、LiNbO₃基板である誘電体基板２
２に熱拡散して作製できる。なお、光は光導波路２０を
図５（ａ）に示す矢印の向き（右向き）へ進行するもの
とする。また、誘電体基板２２には、接合用パッドおよ
び反射防止膜が光導波路形成面２２ａに設けられてい
る。詳細は、第一の実施形態と同様であるので説明を省
略する（図４参照）。ただし、光導波路形成面２２ａに
設けられていることが、第一の実施形態とは異なる。

【００４５】切り込み３０は、切り込みミラー３２が４
５度傾くように、ブレードにより切り込まれたものであ
る。第一の実施形態同様、傾きは４５度に限定されるも
のではない。なお、切り込みミラー３２は、その上端が
下端よりもせりだしている。

【００４６】また、光導波路２０を進行する光は、切り
込みミラー３２により、誘電体基板２２の厚さ方向のほ
ぼ真上に進行するが、図５（ｂ）に示す破線矢印のよう
に、光の進行方向には、ある程度のばらつきがある。そ
こで、反射防止膜３４は、光導波路２０からほぼ直上に
出射する光を受けられるような広がりをもって、光導波
路２０に取りつけられる。反射防止膜３４は、光導波路
２０から出射すべき光が光導波路２０の上面において屈
折率の不整合により反射してしまうことを防止するもの
である。反射防止膜３４は、例えばＡＲ（Anti-Reflect
ive）コートである。

【００４７】伝送路４０は、図５においては図示省略さ
れているが、受光信号を伝送するための線路であり、カ
ソード側伝送路４２、アノード側伝送路４４を有する。
カソード側伝送路４２、アノード側伝送路４４の詳細は
第一の実施形態と同様であるので説明を省略する。ただ
し、光導波路形成面２２ａに設けられていることが、第
一の実施形態とは異なる。

【００４８】増幅用ＩＣ基板５０は、第一の実施形態と
同様であるので説明を省略する。

【００４９】次に、第二の実施形態の動作を説明する。
まず、光は光導波路２０を図５（ａ）の矢印の向きに進
行し、切り込み３０に行き当たる。そこで、図２に示す
ように、切り込みミラー３２により反射され、ほぼ９０
度、光路が変換される。そして、光は光導波路２０から
ほぼ真上に出射される。光が光導波路２０から出射する
際に、屈折率の不整合により光導波路２０の上面におい
て反射されないように、反射防止膜３４が取り付けられ
ているので、光は光導波路２０からほぼ真上に出射さ
れ、フォトダイオード１０の受光面に入射される。フォ
トダイオード１０の受光面に光が入射されると、フォト
キャリアが発生し、カソード電極１４ａ、ｂ、ｃ、ｄお
よびアノード電極１６の間に電流が流れる。この電流が
受光信号である。カソード電極１４ａ、ｂ、ｃ、ｄはハ
ンダバンプ６０を介してカソード側伝送路４２に接続さ
れ、アノード電極１６はハンダバンプ６０を介してアノ
ード側伝送路４４に接続されているので、カソード側伝
送路４２およびアノード側伝送路４４に電流が流れ、受
光信号が伝送される。

【００５０】第二の実施形態によれば、光導波路２０を
進行した光が誘電体基板２２から離れるようにほぼ直上
に進行するので、フォトダイオード１０を誘電体基板２
２の光導波路形成面２２ａ上に配置すれば受光すること
ができる。よって、光導波路２０とフォトダイオード１
０とを接続するためにレンズ等を使用する必要がない。
よって、光軸のアライメント等が不要になり、光導波路
２０とフォトダイオード１０との接続が容易になる。

【００５１】しかも、伝送路４０を光導波路形成面２２
ａ上に形成したため、電気的配線を短くできる。また、
反射防止膜３４を光導波路２０上に形成したため、光が
光導波路２０により反射されてしまうことを防止でき
る。さらに、光路を変化させるための切り込みミラー３
２は、切り込み３０をブレードなどで作製すればすむの
で、簡単に光路を変化させられる。

【００５２】また、フォトダイオード１０は誘電体基板
２２に向かい合う受光面にカソード電極１４ａ−ｄ、ア
ノード電極１６を設けているため、光導波路２０に関す
るデバイス（変調器、スイッチ、偏波制御器）の電極が
配置されている面と、フォトダイオード１０の電極面と
が近接する。よって、光導波路２０に関するデバイスの
制御とフォトダイオード１０の制御との双方を高速にす
ることができる。

【００５３】さらに、フォトダイオード１０の接合用パ
ッド１２ａ―ｅに向かい合う位置に誘電体基板２２の接
合用パッド２４ａ―ｅが設けられているので、接合用パ
ッド間をハンダバンプ６０で接合するといった簡単な工
程によって、フォトダイオード１０の受光面が、誘電体
基板２２を貫通する光を受けられるように配置できる。

【００５４】また、フォトダイオード１０も光導波路２
０も共に誘電体基板２２に設けられているので、温度変
化に対する相対位置のずれを防止できる。

【００５５】第三の実施形態第三の実施形態は、第一お
よび第二の実施形態における光導波路２０を複数本、ア
レイ状に誘電体基板２２に設けたものである。

【００５６】図６（ａ）は、第一の実施形態における光
導波路２０を複数本、アレイ状に誘電体基板２２に設け
たものの平面図および底面図である。図６（ｂ）は、第
二の実施形態における光導波路２０を複数本、アレイ状
に誘電体基板２２に設けたものの平面図である。

【００５７】上記のように、光導波路２０を平行に複数
本配置した場合にも、本発明は適用できる。

【００５８】

【発明の効果】本発明によれば、受光手段を誘電体基板
上に配置すれば受光することができるので、光導波路と
受光手段とを接続するためにレンズ等を使用する必要が
ない。よって、光軸のアライメント等が不要になり、光
導波路と受光手段との接続が容易になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第一の実施形態にかかる光検出装置１
を示す図であり、図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）は側
面図、図１（ｃ）は底面図である。

【図２】光検出装置１の切り込み３０付近の拡大図であ
る。

【図３】フォトダイオード１０の電極の配置を示す、フ
ォトダイオード１０の平面図である。

【図４】誘電体基板２２の接合用パッドおよびカソード
側伝送路４２、アノード側伝送路４４の配置を示す、誘
電体基板２２の底面図である。

【図５】本発明の第二の実施形態にかかる光検出装置１
を示す図であり、図５（ａ）は側面図、図５（ｂ）は切
り込み３０付近の部分拡大図である。

【図６】本発明の第三の実施形態にかかる光検出装置１
を示す図であり、図６（ａ）は、第一の実施形態におけ
る光導波路２０を複数本、アレイ状に誘電体基板２２に
設けたものの平面図および底面図である。図６（ｂ）
は、第二の実施形態における光導波路２０を複数本、ア
レイ状に誘電体基板２２に設けたものの平面図である。

【図７】従来技術における、光導波路とフォトダイオー
ドとを結合させた構成を示す図である。

【符号の説明】

１０フォトダイオード２０光導波路２２誘電体基板３０切り込み３２切り込みミラー４０伝送路４２カソード側伝送路４４アノード側伝送路５０増幅用ＩＣ基板

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】誘電体基板上に形成された光導波路と、前記光導波路を進む光の進行方向を前記誘電体基板の厚
さ方向に変化させ、前記光が前記誘電体基板を貫通する
ようにする光路変化手段と、前記光路変化手段により進行方向が変化された光を受光
して受光信号を生成する受光手段と、を備えた光検出装置。
【請求項２】前記光導波路が形成されている光導波路形
成面と対向する裏面に形成され、前記受光信号を伝送す
る伝送路を備えた請求項１に記載の光検出装置。
【請求項３】前記裏面に取り付けられ、前記光の反射を
防止する反射防止手段を備えた請求項１に記載の光検出
装置。
【請求項４】誘電体基板上に形成された光導波路と、前記光導波路を進む光の進行方向を前記誘電体基板の厚
さ方向に変化させ、前記光が前記誘電体基板から離れる
ようにする光路変化手段と、前記光路変化手段により進行方向が変化された光を受光
して受光信号を生成する受光手段と、を備えた光検出装置。
【請求項５】前記光導波路が形成されている光導波路形
成面に形成され、前記受光信号を伝送する伝送路を備え
た請求項４に記載の光検出装置。
【請求項６】前記光導波路に取り付けられ、前記光の反
射を防止する反射防止手段を備えた請求項４に記載の光
検出装置。
【請求項７】前記光路変化手段は、前記光導波路に形成
された切り込みである、請求項１ないし６のいずれか一
項に記載の光検出装置。
【請求項８】前記切り込みは、前記光導波路に対して４
５度傾いている、請求項１ないし７のいずれか一項に記
載の光検出装置。
【請求項９】前記受光手段は、前記伝送路と接続するた
めの電極を受光面上に備えた請求項１ないし８のいずれ
か一項に記載の光検出装置。
【請求項１０】前記受光手段および前記誘電体基板は接
合用パッドを有し、前記受光手段および前記誘電体基板は、前記接合用パッ
ドを介して接合材により接合される、請求項１ないし９
のいずれか一項に記載の光検出装置。