JP2002038282A - フォトエッチング方法 - Google Patents
フォトエッチング方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 エッチング加工前の前処理において、薬品の
調合並びに廃液処理が不要であり、前処理後の水洗及び
水洗後残存する薬品の還元処理並びに還元処理後の水洗
を不要とするのみならず、エッチング製品の寸法精度の
向上を可能とするフォトエッチング方法を提供する。 【解決手段】 半導体、酸化皮膜、金属材料などの被エ
ッチング材の表面にフォトレジストの塗布、乾燥の後マ
スクを載置し、マスクを介して、露光、現像してレジス
トパターンを形成する。次いで、前記レジストパターン
を設けた被エッチング材にオゾン水を用いて前処理を施
す。しかる後、エッチングを行う。
調合並びに廃液処理が不要であり、前処理後の水洗及び
水洗後残存する薬品の還元処理並びに還元処理後の水洗
を不要とするのみならず、エッチング製品の寸法精度の
向上を可能とするフォトエッチング方法を提供する。 【解決手段】 半導体、酸化皮膜、金属材料などの被エ
ッチング材の表面にフォトレジストの塗布、乾燥の後マ
スクを載置し、マスクを介して、露光、現像してレジス
トパターンを形成する。次いで、前記レジストパターン
を設けた被エッチング材にオゾン水を用いて前処理を施
す。しかる後、エッチングを行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フォトエッチング
方法に係り、更に詳しくはエッチング製品の加工精度を
向上させたフォトエッチング方法に関する。
方法に係り、更に詳しくはエッチング製品の加工精度を
向上させたフォトエッチング方法に関する。
【０００２】従来、金属酸化物、金属材料などの被エッ
チング材の表面にフォトレジストを塗布し、乾燥の後マ
スクを載置し、マスクを介して、露光、現像してレジス
トパターンを形成し、しかる後エッチングを行うフォト
エッチング方法において、エッチングを行う前にレジス
トパターンを設けた被エッチング材に過マンガン酸塩な
どの薬品による処理を施して被エッチング材の露出部の
汚染度合いを低減することが行われていた。
チング材の表面にフォトレジストを塗布し、乾燥の後マ
スクを載置し、マスクを介して、露光、現像してレジス
トパターンを形成し、しかる後エッチングを行うフォト
エッチング方法において、エッチングを行う前にレジス
トパターンを設けた被エッチング材に過マンガン酸塩な
どの薬品による処理を施して被エッチング材の露出部の
汚染度合いを低減することが行われていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の方法は薬品の調合が必要であるのみならず廃液
の処理が必要であり、作業性、コスト面及び環境面で問
題がある。
た従来の方法は薬品の調合が必要であるのみならず廃液
の処理が必要であり、作業性、コスト面及び環境面で問
題がある。
【０００４】また従来の方法では、過マンガン酸塩など
の薬品による前処理の後、（１）水洗処理、（２）水洗
後残存している薬品の還元処理、（３）還元処理後の水
洗処理の３つの工程を必要とした。
の薬品による前処理の後、（１）水洗処理、（２）水洗
後残存している薬品の還元処理、（３）還元処理後の水
洗処理の３つの工程を必要とした。
【０００５】またレジストのフリンジやメタル面に残る
微小なレジスト残渣を十分に除去しきれず、そのため十
分な寸法精度を得ることはできなかった。
微小なレジスト残渣を十分に除去しきれず、そのため十
分な寸法精度を得ることはできなかった。
【０００６】そこで、本発明が解決しようとする課題
は、エッチング加工前の前処理において、薬品の調合並
びに廃液処理が不要であり、前処理後の水洗及び水洗後
残存する薬品の還元処理並びに還元処理後の水洗を不要
とするのみならず、エッチング製品の寸法精度の向上を
可能とするフォトエッチング方法を提供することであ
る。
は、エッチング加工前の前処理において、薬品の調合並
びに廃液処理が不要であり、前処理後の水洗及び水洗後
残存する薬品の還元処理並びに還元処理後の水洗を不要
とするのみならず、エッチング製品の寸法精度の向上を
可能とするフォトエッチング方法を提供することであ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の課題を解
決するもので、金属酸化物、金属材料などの被エッチン
グ材の表面にフォトレジストを塗布し、乾燥の後マスク
を通して、露光、現像してレジストパターンを形成し、
しかる後エッチングを行うフォトエッチング方法におい
て、エッチングを行う前にレジストパターンを設けた被
エッチング材にオゾン水を用いて前処理を施した後にエ
ッチングを行うことを特徴とする。
決するもので、金属酸化物、金属材料などの被エッチン
グ材の表面にフォトレジストを塗布し、乾燥の後マスク
を通して、露光、現像してレジストパターンを形成し、
しかる後エッチングを行うフォトエッチング方法におい
て、エッチングを行う前にレジストパターンを設けた被
エッチング材にオゾン水を用いて前処理を施した後にエ
ッチングを行うことを特徴とする。
【０００８】本発明において、エッチング加工前の処理
をオゾン水で行うので、従来のように前処理後に水洗、
残存している薬品の還元処理、その後の水洗の３つの工
程を必要としない。
をオゾン水で行うので、従来のように前処理後に水洗、
残存している薬品の還元処理、その後の水洗の３つの工
程を必要としない。
【０００９】本発明において用いるオゾン水の濃度は５
〜４０ｐｐｍであるのが望ましい。オゾンの含有量が５
ｐｐｍよりも少ないときは被エッチング材の露出部の汚
染を十分に除去することはできない。一方オゾンの含有
量が４０ｐｐｍを超えるときは、残すべきレジスト部分
も除去されてしまい、しかもオゾン臭が強くなり作業性
の面で問題がある。
〜４０ｐｐｍであるのが望ましい。オゾンの含有量が５
ｐｐｍよりも少ないときは被エッチング材の露出部の汚
染を十分に除去することはできない。一方オゾンの含有
量が４０ｐｐｍを超えるときは、残すべきレジスト部分
も除去されてしまい、しかもオゾン臭が強くなり作業性
の面で問題がある。
【００１０】本発明において、前記前処理は被エッチン
グ材を前記オゾン水に浸漬するか若しくは前記被エッチ
ング材料に前記オゾン水をスプレー又はシャワーするこ
とにより行うことができる。その場合、前処理を被エッ
チング材に超音波振動を加えながらオゾン水をスプレー
又はシャワーすることにより、或いは被エッチング材に
対し紫外線照射を行いながら被エッチング材をオゾン水
に浸漬するか若しくは被エッチング材にオゾン水をスプ
レー又はシャワーすることにより、更に高い処理効果を
得ることができる。
グ材を前記オゾン水に浸漬するか若しくは前記被エッチ
ング材料に前記オゾン水をスプレー又はシャワーするこ
とにより行うことができる。その場合、前処理を被エッ
チング材に超音波振動を加えながらオゾン水をスプレー
又はシャワーすることにより、或いは被エッチング材に
対し紫外線照射を行いながら被エッチング材をオゾン水
に浸漬するか若しくは被エッチング材にオゾン水をスプ
レー又はシャワーすることにより、更に高い処理効果を
得ることができる。
【００１１】本発明においては、前処理を行った後水洗
処理の必要がないので、前処理とエッチング加工を連続
してインラインで行うことができ、或いは前処理直後乾
燥し、しかる後オフラインでエッチング加工を行うこと
ができる。
処理の必要がないので、前処理とエッチング加工を連続
してインラインで行うことができ、或いは前処理直後乾
燥し、しかる後オフラインでエッチング加工を行うこと
ができる。
【００１２】また本発明によれば、レジストパターンを
設けた被エッチング材におけるレジストのフリンジや露
出している金属等の被エッチング材面に付着する微細な
レジスト残渣を除くことができ、その結果エッチング製
品の寸法精度を向上させることができる。
設けた被エッチング材におけるレジストのフリンジや露
出している金属等の被エッチング材面に付着する微細な
レジスト残渣を除くことができ、その結果エッチング製
品の寸法精度を向上させることができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】図１は、本発明によるフォトエッ
チング方法を模式的に示す。金属材料などの被エッチン
グ材１の表面にフォトレジストを塗布、乾燥の後マスク
を載置し、マスクを介して、露光、現像してレジストパ
ターン（２）を形成する。このレジストパターン２を有
する被エッチング材１にはレジストパターンの縁に沿っ
てフリンジが存在したり、被エッチング材露出面に微小
なレジスト残渣が存在する。これらを除き、被エッチン
グ材の露出面の汚染を除くために本発明においては、図
１（ａ）に示すように、エッチングを行う前にレジスト
パターン２を設けた被エッチング材１に、オゾン水５を
用いて、常温下で、例えば図１（ｂ）に一例として図示
するようにオゾン水５をスプレーすることにより、前処
理を施す。
チング方法を模式的に示す。金属材料などの被エッチン
グ材１の表面にフォトレジストを塗布、乾燥の後マスク
を載置し、マスクを介して、露光、現像してレジストパ
ターン（２）を形成する。このレジストパターン２を有
する被エッチング材１にはレジストパターンの縁に沿っ
てフリンジが存在したり、被エッチング材露出面に微小
なレジスト残渣が存在する。これらを除き、被エッチン
グ材の露出面の汚染を除くために本発明においては、図
１（ａ）に示すように、エッチングを行う前にレジスト
パターン２を設けた被エッチング材１に、オゾン水５を
用いて、常温下で、例えば図１（ｂ）に一例として図示
するようにオゾン水５をスプレーすることにより、前処
理を施す。
【００１４】オゾン水として５〜４０ｐｐｍのオゾン水
を用いるのが望ましい。オゾンの含有量が５ｐｐｍより
も少ないときは被エッチング材の露出部の汚染を十分に
除去することはできない。一方オゾンの含有量が４０ｐ
ｐｍを超えるときは、残すべきレジスト部分も除去され
てしまい、しかもオゾン臭が強くなり作業性の面で問題
がある。
を用いるのが望ましい。オゾンの含有量が５ｐｐｍより
も少ないときは被エッチング材の露出部の汚染を十分に
除去することはできない。一方オゾンの含有量が４０ｐ
ｐｍを超えるときは、残すべきレジスト部分も除去され
てしまい、しかもオゾン臭が強くなり作業性の面で問題
がある。
【００１５】前記前処理を被エッチング材をオゾン水に
浸漬するか若しくは被エッチング材料にオゾン水をスプ
レー又はシャワーすることにより行うことができる。こ
の場合、処理時間は２０秒以上が望ましい。
浸漬するか若しくは被エッチング材料にオゾン水をスプ
レー又はシャワーすることにより行うことができる。こ
の場合、処理時間は２０秒以上が望ましい。
【００１６】また、前記前処理を被エッチング材に超音
波振動を加えながらオゾン水をスプレー又はシャワーす
ることにより行うこともできる。この場合、超音波とし
て８００ｋＨｚ以上の超音波を適用するのが望ましく、
またシャワーノズルから超音波振動を供給するようにす
る。被エッチング材の移動速度が３ｍ／ｍｉｎ未満のと
きはシャワー処理を１回、移動速度が３ｍ／ｍｉｎ以上
６ｍ／ｍｉｎ未満のときはシャワー処理の回数を２回と
するといったように、被エッチング材の移動速度に対応
して処理回数を適宜選択するのが望ましい。またオゾン
水のシャワー処理と超音波振動処理を併用する場合、被
エッチング材の表裏をシャワー処理してもよいし、また
被エッチング材の片面を浸漬し、片面にシャワー処理す
ることも可能である。
波振動を加えながらオゾン水をスプレー又はシャワーす
ることにより行うこともできる。この場合、超音波とし
て８００ｋＨｚ以上の超音波を適用するのが望ましく、
またシャワーノズルから超音波振動を供給するようにす
る。被エッチング材の移動速度が３ｍ／ｍｉｎ未満のと
きはシャワー処理を１回、移動速度が３ｍ／ｍｉｎ以上
６ｍ／ｍｉｎ未満のときはシャワー処理の回数を２回と
するといったように、被エッチング材の移動速度に対応
して処理回数を適宜選択するのが望ましい。またオゾン
水のシャワー処理と超音波振動処理を併用する場合、被
エッチング材の表裏をシャワー処理してもよいし、また
被エッチング材の片面を浸漬し、片面にシャワー処理す
ることも可能である。
【００１７】更に、オゾン水浸漬処理に低圧水銀ランプ
から発せられる紫外線照射を併用することも可能であ
る。この場合、処理時間は２０秒以上が望ましい。オゾ
ン水浸漬処理と紫外線照射の併用によりオゾンの分解が
促進され、汚染の除去効果は高められる。
から発せられる紫外線照射を併用することも可能であ
る。この場合、処理時間は２０秒以上が望ましい。オゾ
ン水浸漬処理と紫外線照射の併用によりオゾンの分解が
促進され、汚染の除去効果は高められる。
【００１８】また、被エッチング材にオゾン水をスプレ
ー又はシャワーすることと紫外線照射との併用も可能で
ある。
ー又はシャワーすることと紫外線照射との併用も可能で
ある。
【００１９】前記前処理により、図１（ｃ）に模式的に
図示するように、被エッチング材１の露出面の汚染を除
くことができ、しかる後被エッチング材１をエッチング
することにより図１（ｄ）に模式的に図示するように孔
ｈを有するエッチング製品６を得ることができる。
図示するように、被エッチング材１の露出面の汚染を除
くことができ、しかる後被エッチング材１をエッチング
することにより図１（ｄ）に模式的に図示するように孔
ｈを有するエッチング製品６を得ることができる。
【００２０】本発明の方法においては、前処理がオゾン
水により行われるのであるので、前処理後水洗等の処理
を必要としない。それ故、前処理後水洗水処理をするこ
となく連続してエッチング、乾燥等の処理を行うことが
できる。即ち、図２に示すように、レジストパターン２
を有する被エッチング材１に対して、この被エッチング
材１を前処理槽７内を通過させながら、オゾン水５をオ
ゾン水供給装置９から供給してオーバーフロー方式によ
りオゾン水５を被エッチング材１にかけて前処理を行
い、引き続きエッチング槽８内を通過させながらエッチ
ングを行って前処理過程とエッチング過程を連続してイ
ンラインで行い、しかる後剥離、水洗乾燥を経て最終の
エッチング製品を得ることができる。或いは、図３に示
すように、レジストパターンを有する被エッチング材１
に対して、この被エッチング材１を前処理槽７内を通過
させながら、オゾン水５をオゾン水供給装置９から供給
してオーバーフロー方式によりオゾン水５を被エッチン
グ材１にかけて前処理を行い、引き続き乾燥装置１０内
を通過させて乾燥したものをエッチング装置へ送り、オ
フラインでエッチング加工を行うことができる。このよ
うに前処理後の水洗が不要であるので装置の長さを短く
することができ、また作業時間も短くてすむ。
水により行われるのであるので、前処理後水洗等の処理
を必要としない。それ故、前処理後水洗水処理をするこ
となく連続してエッチング、乾燥等の処理を行うことが
できる。即ち、図２に示すように、レジストパターン２
を有する被エッチング材１に対して、この被エッチング
材１を前処理槽７内を通過させながら、オゾン水５をオ
ゾン水供給装置９から供給してオーバーフロー方式によ
りオゾン水５を被エッチング材１にかけて前処理を行
い、引き続きエッチング槽８内を通過させながらエッチ
ングを行って前処理過程とエッチング過程を連続してイ
ンラインで行い、しかる後剥離、水洗乾燥を経て最終の
エッチング製品を得ることができる。或いは、図３に示
すように、レジストパターンを有する被エッチング材１
に対して、この被エッチング材１を前処理槽７内を通過
させながら、オゾン水５をオゾン水供給装置９から供給
してオーバーフロー方式によりオゾン水５を被エッチン
グ材１にかけて前処理を行い、引き続き乾燥装置１０内
を通過させて乾燥したものをエッチング装置へ送り、オ
フラインでエッチング加工を行うことができる。このよ
うに前処理後の水洗が不要であるので装置の長さを短く
することができ、また作業時間も短くてすむ。
【００２１】図４は、本発明のフォトエッチング方法に
よるエッチング製品と従来の過マンガン酸塩処理のよる
前処理を行うエッチング方法によるエッチング製品につ
いて求めた寸法精度を３σ（標準偏差の３倍値）で示す
グラフである。本発明の方法に関しては、被エッチング
材として、６４μｍ厚のＳＵＳ３０４を用い、前処理
は、濃度２０ｐｐｍのオゾン水を用い、室温下で、オゾ
ン水に被エッチング材を浸漬することにより、また
（１）オゾン水処理３０秒、（２）オゾン水処理６０
秒、（３）オゾン水処理１２０秒、（４）オゾン水処理
１８０秒、（５）オゾン水処理１０秒＋超音波の各種の
条件で行った。前処理後、夫々について同じエッチング
条件でエッチングを行い、得られたエッチング製品の治
具穴の寸法を測定し、その測定結果から３σを求めた。
同様に被エッチング材として６４μｍ厚のＳＵＳ３０４
を用い、前処理は、従来の過マンガン酸塩による処理に
よる方法で行い、本発明の方法について行ったのと同エ
ッチング条件でエッチングを行い、得られたエッチング
製品の治具穴の寸法を測定し、その測定結果から３σを
求めた。さらに同様に被エッチング材として６４μｍ厚
のＳＵＳ３０４を用い、前処理は行わず、本発明の方法
について行ったのと同エッチング条件でエッチングを行
い、得られたエッチング製品の治具穴の寸法を測定し、
その測定結果から３σを求めた。実験の結果、未処理の
場合及び従来の過マンガン酸塩による処理による方法に
比較して、本発明の方法により得たエッチング製品につ
いて. 求めた３σは極めて低く寸法のばらつきが少ない
ことがわかった。
よるエッチング製品と従来の過マンガン酸塩処理のよる
前処理を行うエッチング方法によるエッチング製品につ
いて求めた寸法精度を３σ（標準偏差の３倍値）で示す
グラフである。本発明の方法に関しては、被エッチング
材として、６４μｍ厚のＳＵＳ３０４を用い、前処理
は、濃度２０ｐｐｍのオゾン水を用い、室温下で、オゾ
ン水に被エッチング材を浸漬することにより、また
（１）オゾン水処理３０秒、（２）オゾン水処理６０
秒、（３）オゾン水処理１２０秒、（４）オゾン水処理
１８０秒、（５）オゾン水処理１０秒＋超音波の各種の
条件で行った。前処理後、夫々について同じエッチング
条件でエッチングを行い、得られたエッチング製品の治
具穴の寸法を測定し、その測定結果から３σを求めた。
同様に被エッチング材として６４μｍ厚のＳＵＳ３０４
を用い、前処理は、従来の過マンガン酸塩による処理に
よる方法で行い、本発明の方法について行ったのと同エ
ッチング条件でエッチングを行い、得られたエッチング
製品の治具穴の寸法を測定し、その測定結果から３σを
求めた。さらに同様に被エッチング材として６４μｍ厚
のＳＵＳ３０４を用い、前処理は行わず、本発明の方法
について行ったのと同エッチング条件でエッチングを行
い、得られたエッチング製品の治具穴の寸法を測定し、
その測定結果から３σを求めた。実験の結果、未処理の
場合及び従来の過マンガン酸塩による処理による方法に
比較して、本発明の方法により得たエッチング製品につ
いて. 求めた３σは極めて低く寸法のばらつきが少ない
ことがわかった。
【００２２】上記の実験と共に、レジストパターンの開
口部から露出する被エッチング材露出部の汚染度合いを
ＡＥＳ法（オージェ電子分光法）により求めた。
口部から露出する被エッチング材露出部の汚染度合いを
ＡＥＳ法（オージェ電子分光法）により求めた。
【００２３】図５は、オゾン水処理したときの処理時間
対Ｃ量atomicＣ％グラフを示す。ここでは、被エッチン
グ材として、６４μｍ厚のＳＵＳ３０４を用い、前処理
は、室温下で、オゾン濃度２０ｐｐｍのオゾン水を用
い、（１）オゾン水処理３０秒、（２）オゾン水処理６
０秒、（３）オゾン水処理１２０秒、（４）オゾン水処
理１８０秒の各種の条件で前処理を行い、しかる後、Ａ
ＥＳ法により. 前処理後の被エッチング材表面の汚染度
合いを調べた。また、前処理を施さない場合についても
同様にして被エッチング材表面の汚染度合いを調べた。
この実験の結果から、処理時間が長くなるほど炭素量は
少なくなり、また、グラフと合わせて記した３σからも
わかるように汚染度合いが低くなるほど３σは小さくな
ることがわかった。
対Ｃ量atomicＣ％グラフを示す。ここでは、被エッチン
グ材として、６４μｍ厚のＳＵＳ３０４を用い、前処理
は、室温下で、オゾン濃度２０ｐｐｍのオゾン水を用
い、（１）オゾン水処理３０秒、（２）オゾン水処理６
０秒、（３）オゾン水処理１２０秒、（４）オゾン水処
理１８０秒の各種の条件で前処理を行い、しかる後、Ａ
ＥＳ法により. 前処理後の被エッチング材表面の汚染度
合いを調べた。また、前処理を施さない場合についても
同様にして被エッチング材表面の汚染度合いを調べた。
この実験の結果から、処理時間が長くなるほど炭素量は
少なくなり、また、グラフと合わせて記した３σからも
わかるように汚染度合いが低くなるほど３σは小さくな
ることがわかった。
【００２４】図６は、オゾン水浸漬処理と紫外線照射を
併用したときの処理時間対Ｃ量atomicＣ％グラフを示
す。ここでは、被エッチング材として、６４μｍ厚のＳ
ＵＳ３０４を用い、前処理は、室温下で、オゾン濃度２
０ｐｐｍのオゾン水を用い、（１）オゾン水処理３０
秒、（２）オゾン水処理６０秒、（３）オゾン水処理１
２０秒、（４）オゾン水処理１８０秒の各種の条件の浸
漬処理と紫外線照射を併用して前処理を行い、しかる
後、ＡＥＳ法により. 前処理後の被エッチング材表面の
汚染度合いを調べた。また、前処理を施さない場合につ
いても同様にして被エッチング材表面の汚染度合いを調
べた。この実験の結果から、特に処理時間が１２０秒以
上になると汚染度合いが低くなることがわかった。
併用したときの処理時間対Ｃ量atomicＣ％グラフを示
す。ここでは、被エッチング材として、６４μｍ厚のＳ
ＵＳ３０４を用い、前処理は、室温下で、オゾン濃度２
０ｐｐｍのオゾン水を用い、（１）オゾン水処理３０
秒、（２）オゾン水処理６０秒、（３）オゾン水処理１
２０秒、（４）オゾン水処理１８０秒の各種の条件の浸
漬処理と紫外線照射を併用して前処理を行い、しかる
後、ＡＥＳ法により. 前処理後の被エッチング材表面の
汚染度合いを調べた。また、前処理を施さない場合につ
いても同様にして被エッチング材表面の汚染度合いを調
べた。この実験の結果から、特に処理時間が１２０秒以
上になると汚染度合いが低くなることがわかった。
【００２５】図７は、オゾン水のシャワー処理とシャワ
ーノズルから超音波振動をかけることを併用したときの
処理時間対Ｃ量atomic％グラフを示す。ここでは、被エ
ッチング材として、６４μｍ厚のＳＵＳ３０４を用い、
前処理は、室温下で、オゾン濃度２０ｐｐｍのオゾン水
を用い、（１）オゾン水処理３０秒、（２）オゾン水処
理６０秒、（３）オゾン水処理１２０秒、（４）オゾン
水処理１８０秒の各種の条件のオゾン水のシャワー処理
と超音波振動をかけることを併用して前処理を行い、し
かる後、ＡＥＳ法により、前処理後の被エッチング材表
面の汚染度合いを調べた。また、前処理を施さない場合
についても同様にして被エッチング材表面の汚染度合い
を調べた。この実験の結果から、特に処理時間が６０秒
のとき汚染度合いが低くなることがわかった。
ーノズルから超音波振動をかけることを併用したときの
処理時間対Ｃ量atomic％グラフを示す。ここでは、被エ
ッチング材として、６４μｍ厚のＳＵＳ３０４を用い、
前処理は、室温下で、オゾン濃度２０ｐｐｍのオゾン水
を用い、（１）オゾン水処理３０秒、（２）オゾン水処
理６０秒、（３）オゾン水処理１２０秒、（４）オゾン
水処理１８０秒の各種の条件のオゾン水のシャワー処理
と超音波振動をかけることを併用して前処理を行い、し
かる後、ＡＥＳ法により、前処理後の被エッチング材表
面の汚染度合いを調べた。また、前処理を施さない場合
についても同様にして被エッチング材表面の汚染度合い
を調べた。この実験の結果から、特に処理時間が６０秒
のとき汚染度合いが低くなることがわかった。
【００２６】以上、被エッチング材が金属材料の場合に
ついて説明したが本発明は、金属酸化物についても適用
し得ることは、いうまでもないことである。
ついて説明したが本発明は、金属酸化物についても適用
し得ることは、いうまでもないことである。
【００２７】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように本発明の方
法によれば、エッチング製品の寸法精度を向上させ、ば
らつきの少ない製品加工を可能とするのみならず、前処
理後の水洗処理が不要であるので作業時間を従来法に比
較して短くすることが可能となるのみならず装置の長さ
を短くすることが可能となりコストの削減が可能とな
る。また廃液処理が不要であるので環境面でも優れてい
る。
法によれば、エッチング製品の寸法精度を向上させ、ば
らつきの少ない製品加工を可能とするのみならず、前処
理後の水洗処理が不要であるので作業時間を従来法に比
較して短くすることが可能となるのみならず装置の長さ
を短くすることが可能となりコストの削減が可能とな
る。また廃液処理が不要であるので環境面でも優れてい
る。
【図１】本発明のフォトエッチング方法の過程を示す模
式断面図である。
式断面図である。
【図２】本発明の方法に従ってインラインで前処理をエ
ッチング加工前に行うことを示す模式図である。
ッチング加工前に行うことを示す模式図である。
【図３】本発明の方法に従って前処理及び乾燥を行い、
しかる後オフラインでエッチング加工を行うことを説明
する模式図である。
しかる後オフラインでエッチング加工を行うことを説明
する模式図である。
【図４】種々の前処理条件対３σのグラフである。
【図５】オゾン水処理による前処理を行った場合の処理
時間対Ｃ量atomic％のグラフである。
時間対Ｃ量atomic％のグラフである。
【図６】紫外線照射＋オゾン水処理による前処理を行っ
た場合の処理時間対Ｃ量atomic％のグラフである。
た場合の処理時間対Ｃ量atomic％のグラフである。
【図７】紫外線照射＋オゾン水処理による前処理を行っ
た場合の処理時間対Ｃ量atomic％のグラフである。
た場合の処理時間対Ｃ量atomic％のグラフである。
１ 被エッチング材 ２ レジストパターン ３ フリンジ ４ レジスト残渣 ５ オゾン水 ６ エッチング製品 ７ 前処理槽 ８ エッチング槽 ９ オゾン水供給装置 １０ 乾燥装置 ｈ 孔
Claims (7)
- 【請求項１】 金属酸化物、金属材料などの被エッチン
グ材の表面にフォトレジストを塗布し、乾燥の後マスク
を載置し、マスクを介して、露光、現像してレジストパ
ターンを形成し、しかる後エッチングを行うフォトエッ
チング方法において、エッチングを行う前にレジストパ
ターンを設けた被エッチング材にオゾン水を用いて前処
理を施した後にエッチングを行うことを特徴とするフォ
トエッチング方法。 - 【請求項２】 前記オゾン水として５〜４０ｐｐｍのオ
ゾン水を用いることを特徴とする請求項１に記載のフォ
トエッチング方法。 - 【請求項３】 前記前処理を被エッチング材をオゾン水
に浸漬するか若しくは被エッチング材料にオゾン水をス
プレー又はシャワーすることにより行うことを特徴とす
る請求項1 に記載のフォトエッチング方法。 - 【請求項４】 前記前処理を被エッチング材に超音波振
動を加えながらオゾン水をスプレー又はシャワーするこ
とにより行うことを特徴とする請求項１に記載のフォト
エッチング方法。 - 【請求項５】 前記前処理を被エッチング材に対し紫外
線照射を行いながら被エッチング材をオゾン水に浸漬す
るか若しくは被エッチング材にオゾン水をスプレー又は
シャワーすることにより行うことを特徴とする請求項１
に記載のフォトエッチング方法。 - 【請求項６】 前記前処理及びエッチング加工を連続し
てインラインで行うことを特徴とする請求項１に記載の
フォトエッチング方法。 - 【請求項７】 前記前処理直後乾燥し、しかる後オフラ
インでエッチング加工を行うことを特徴とする請求項１
に記載のフォトエツチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000225490A JP3394510B2 (ja) | 2000-07-26 | 2000-07-26 | フォトエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000225490A JP3394510B2 (ja) | 2000-07-26 | 2000-07-26 | フォトエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002038282A true JP2002038282A (ja) | 2002-02-06 |
| JP3394510B2 JP3394510B2 (ja) | 2003-04-07 |
Family
ID=18719254
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000225490A Expired - Fee Related JP3394510B2 (ja) | 2000-07-26 | 2000-07-26 | フォトエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3394510B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012107270A (ja) * | 2010-11-15 | 2012-06-07 | Citizen Finetech Miyota Co Ltd | オゾン水による金属表面の改質方法 |
| US9797046B2 (en) | 2012-04-27 | 2017-10-24 | Japan Science And Technology Agency | Method for etching metal or metal oxide by ozone water, method for smoothing surface of metal or metal oxide by ozone water, and patterning method using ozone water |
| US10290511B2 (en) | 2012-08-08 | 2019-05-14 | SCREEN Holdings Co., Ltd | Substrate treatment apparatus and substrate treatment method |
-
2000
- 2000-07-26 JP JP2000225490A patent/JP3394510B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| US9797046B2 (en) | 2012-04-27 | 2017-10-24 | Japan Science And Technology Agency | Method for etching metal or metal oxide by ozone water, method for smoothing surface of metal or metal oxide by ozone water, and patterning method using ozone water |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3394510B2 (ja) | 2003-04-07 |
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