JP2002033250A - 半導体基板、半導体基板の識別方法および半導体基板の製造方法 - Google Patents
半導体基板、半導体基板の識別方法および半導体基板の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＳＯＩ基板であっても容易に識別コードを検
出することができる半導体基板を提供する。 【解決手段】 ＳＯＩ基板Ｗ２は、バルクシリコン層２
３上にシリコン酸化膜２２を形成し、そのシリコン酸化
膜２２上に回路パターンを形成すべき活性シリコン層２
１を形成して構成される。識別コードパターン３０は、
バルクシリコン層２３のシリコン酸化膜２２との界面に
形成される。従って、後工程の研磨等によって識別コー
ドパターン３０が削られるおそれはなく、ＳＯＩ基板Ｗ
２の識別コードを容易に検出することができる。この容
易にＳＯＩ基板Ｗ２に、例えばＸ線を透過させることに
よって、確実に識別コードを検出してＳＯＩ基板Ｗ２を
識別することができる。
出することができる半導体基板を提供する。 【解決手段】 ＳＯＩ基板Ｗ２は、バルクシリコン層２
３上にシリコン酸化膜２２を形成し、そのシリコン酸化
膜２２上に回路パターンを形成すべき活性シリコン層２
１を形成して構成される。識別コードパターン３０は、
バルクシリコン層２３のシリコン酸化膜２２との界面に
形成される。従って、後工程の研磨等によって識別コー
ドパターン３０が削られるおそれはなく、ＳＯＩ基板Ｗ
２の識別コードを容易に検出することができる。この容
易にＳＯＩ基板Ｗ２に、例えばＸ線を透過させることに
よって、確実に識別コードを検出してＳＯＩ基板Ｗ２を
識別することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ロット番号やウェ
ハ番号等の識別コードを付した半導体基板、その半導体
基板の製造方法および当該識別コードを検出して半導体
基板を識別する方法に関する。
ハ番号等の識別コードを付した半導体基板、その半導体
基板の製造方法および当該識別コードを検出して半導体
基板を識別する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、半導体デバイスの製造工程に
おいては、複数枚の半導体基板を１つのロットとして一
括して処理する場合も多い。このような半導体基板を管
理するために、各基板にはロット番号やウェハ番号（こ
れらを総称して識別コードとする）を書き込んでいる。
半導体基板に識別コードを書き込む手法としては、レー
ザー印字法や写真露光法等が存在するが、一般にはレー
ザー印字法による場合が多い。
おいては、複数枚の半導体基板を１つのロットとして一
括して処理する場合も多い。このような半導体基板を管
理するために、各基板にはロット番号やウェハ番号（こ
れらを総称して識別コードとする）を書き込んでいる。
半導体基板に識別コードを書き込む手法としては、レー
ザー印字法や写真露光法等が存在するが、一般にはレー
ザー印字法による場合が多い。
【０００３】図８は、レーザー印字法によって識別コー
ドが書き込まれた従来の半導体基板を示す平面図であ
る。半導体基板Ｗ１の面内領域の大部分は回路パターン
を形成するための回路領域１によって占められている。
そして、識別コードを書き込むためのＩＤ領域１０は回
路領域１の外側であって半導体基板Ｗ１の周辺部分に設
定されることが多い。レーザー印字法においては、この
ＩＤ領域１０に所定の波長のレーザーを照射してシリコ
ンを溶融させることにより半導体基板Ｗ１に識別コード
を書き込んでいる。なお、レーザー印字法におけるレー
ザーの波長としてはシリコンを溶融させるのに最適な波
長が選択される。ＩＤ領域１０に書き込まれた識別コー
ドを光学的に読みとることによってそれぞれの半導体基
板の識別を行っている。
ドが書き込まれた従来の半導体基板を示す平面図であ
る。半導体基板Ｗ１の面内領域の大部分は回路パターン
を形成するための回路領域１によって占められている。
そして、識別コードを書き込むためのＩＤ領域１０は回
路領域１の外側であって半導体基板Ｗ１の周辺部分に設
定されることが多い。レーザー印字法においては、この
ＩＤ領域１０に所定の波長のレーザーを照射してシリコ
ンを溶融させることにより半導体基板Ｗ１に識別コード
を書き込んでいる。なお、レーザー印字法におけるレー
ザーの波長としてはシリコンを溶融させるのに最適な波
長が選択される。ＩＤ領域１０に書き込まれた識別コー
ドを光学的に読みとることによってそれぞれの半導体基
板の識別を行っている。
【０００４】ところで、近年の半導体技術の進展に伴
い、回路パターンを形成すべきシリコン層を絶縁膜上に
設けるＳＯＩ（silicon on insulator）技術が注目され
ている。図９は、ＳＯＩ基板の断面構造を示す模式図で
ある。ＳＯＩ基板Ｗ２は、バルクシリコン層２３と活性
シリコン層２１との間に絶縁層であるシリコン酸化膜２
２を挟み込んで構成されている。活性シリコン層２１が
回路パターンを形成する活性領域として用いられる部分
であり、その厚さは１μｍ以下である。なお、図９にお
いては図示の便宜上、活性シリコン層２１に相当の厚み
を持たせているがその実際の厚さはバルクシリコン層２
３に比較すると著しく薄いものである。
い、回路パターンを形成すべきシリコン層を絶縁膜上に
設けるＳＯＩ（silicon on insulator）技術が注目され
ている。図９は、ＳＯＩ基板の断面構造を示す模式図で
ある。ＳＯＩ基板Ｗ２は、バルクシリコン層２３と活性
シリコン層２１との間に絶縁層であるシリコン酸化膜２
２を挟み込んで構成されている。活性シリコン層２１が
回路パターンを形成する活性領域として用いられる部分
であり、その厚さは１μｍ以下である。なお、図９にお
いては図示の便宜上、活性シリコン層２１に相当の厚み
を持たせているがその実際の厚さはバルクシリコン層２
３に比較すると著しく薄いものである。
【０００５】このようなＳＯＩ基板Ｗ２にレーザー印字
によって識別コードを書き込むときには、活性シリコン
層２１のＩＤ領域１０にレーザーを照射してシリコンを
溶融させることにより行われる。
によって識別コードを書き込むときには、活性シリコン
層２１のＩＤ領域１０にレーザーを照射してシリコンを
溶融させることにより行われる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
如く、活性シリコン層２１は厚さ１μｍ以下の非常に薄
い層であり、この程度の厚さのレーザー印字を行ったと
しても、後工程での薄膜デポジションやケミカルメカニ
カルポリッシング法（以下、ＣＭＰ法とする）による研
磨によって識別コードが削られ、それを読みとることが
不可能となる。
如く、活性シリコン層２１は厚さ１μｍ以下の非常に薄
い層であり、この程度の厚さのレーザー印字を行ったと
しても、後工程での薄膜デポジションやケミカルメカニ
カルポリッシング法（以下、ＣＭＰ法とする）による研
磨によって識別コードが削られ、それを読みとることが
不可能となる。
【０００７】印字された識別コードの削除を防止するた
めには、レーザー印字時にＳＯＩ基板Ｗ２のシリコン酸
化膜２２をも溶融し、識別コードの印字深さを大きくす
る必要がある。ところが、シリコン（Ｓｉ）の融点が約
１４００℃であるのに対して、シリコン酸化物（ＳｉＯ
2）の融点は約１６００℃と高い。このため、シリコン
酸化膜２２をも溶融できるレーザー波長を得ることは困
難であり、従来のレーザー印字法に用いられていたレー
ザー波長によってはシリコン酸化膜２２を溶融すること
はできず、読み取り可能な十分な深さにてＳＯＩ基板Ｗ
２に識別コードを書き込むことができないという問題が
生じていた。
めには、レーザー印字時にＳＯＩ基板Ｗ２のシリコン酸
化膜２２をも溶融し、識別コードの印字深さを大きくす
る必要がある。ところが、シリコン（Ｓｉ）の融点が約
１４００℃であるのに対して、シリコン酸化物（ＳｉＯ
2）の融点は約１６００℃と高い。このため、シリコン
酸化膜２２をも溶融できるレーザー波長を得ることは困
難であり、従来のレーザー印字法に用いられていたレー
ザー波長によってはシリコン酸化膜２２を溶融すること
はできず、読み取り可能な十分な深さにてＳＯＩ基板Ｗ
２に識別コードを書き込むことができないという問題が
生じていた。
【０００８】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
であり、ＳＯＩ基板であっても容易に識別コードを検出
することができる半導体基板、その半導体基板の製造方
法および当該識別コードを検出して半導体基板を識別す
る方法を提供することを目的とする。
であり、ＳＯＩ基板であっても容易に識別コードを検出
することができる半導体基板、その半導体基板の製造方
法および当該識別コードを検出して半導体基板を識別す
る方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項１の発明は、バルクシリコン層上にシリコン
酸化膜を形成し、当該シリコン酸化膜上に活性シリコン
層を形成した半導体基板において、前記バルクシリコン
層の前記シリコン酸化膜との界面に、その半導体基板を
識別するための識別コードのパターンを形成している。
め、請求項１の発明は、バルクシリコン層上にシリコン
酸化膜を形成し、当該シリコン酸化膜上に活性シリコン
層を形成した半導体基板において、前記バルクシリコン
層の前記シリコン酸化膜との界面に、その半導体基板を
識別するための識別コードのパターンを形成している。
【００１０】また、請求項２の発明は、請求項１の発明
に係る半導体基板にＸ線を透過させることによって前記
識別コードを検出する検出工程と、前記検出工程での検
出結果に基づいて当該半導体基板を識別する識別工程
と、を備えている。
に係る半導体基板にＸ線を透過させることによって前記
識別コードを検出する検出工程と、前記検出工程での検
出結果に基づいて当該半導体基板を識別する識別工程
と、を備えている。
【００１１】また、請求項３の発明は、請求項１の発明
に係る半導体基板に超音波を放射することによって前記
識別コードを検出する検出工程と、前記検出工程での検
出結果に基づいて当該半導体基板を識別する識別工程
と、を備えている。
に係る半導体基板に超音波を放射することによって前記
識別コードを検出する検出工程と、前記検出工程での検
出結果に基づいて当該半導体基板を識別する識別工程
と、を備えている。
【００１２】また、請求項４の発明は、請求項３の発明
に係る半導体基板の識別方法において、前記検出工程
に、前記半導体基板に放射した超音波の透過波を検出す
る工程を含ませている。
に係る半導体基板の識別方法において、前記検出工程
に、前記半導体基板に放射した超音波の透過波を検出す
る工程を含ませている。
【００１３】また、請求項５の発明は、請求項３の発明
に係る半導体基板の識別方法において、前記検出工程
に、前記半導体基板に放射した超音波の反射波を検出す
る工程を含ませている。
に係る半導体基板の識別方法において、前記検出工程
に、前記半導体基板に放射した超音波の反射波を検出す
る工程を含ませている。
【００１４】また、請求項６の発明は、半導体基板の製
造方法において、バルクシリコン層上にレーザー印字法
によって半導体基板を識別するための識別コードのパタ
ーンを刻設する印字工程と、前記バルクシリコン層上に
熱酸化によってシリコン酸化膜を形成する酸化工程と、
前記シリコン酸化膜の表面を平坦化する平坦化工程と、
平坦化された前記シリコン酸化膜上に活性シリコン層を
貼り合わせる貼着工程と、を備えている。
造方法において、バルクシリコン層上にレーザー印字法
によって半導体基板を識別するための識別コードのパタ
ーンを刻設する印字工程と、前記バルクシリコン層上に
熱酸化によってシリコン酸化膜を形成する酸化工程と、
前記シリコン酸化膜の表面を平坦化する平坦化工程と、
平坦化された前記シリコン酸化膜上に活性シリコン層を
貼り合わせる貼着工程と、を備えている。
【００１５】また、請求項７の発明は、半導体基板の製
造方法において、バルクシリコン層上にレジストを塗布
してレジスト膜を形成する塗布工程と、前記レジスト膜
に半導体基板を識別するための識別コードのパターンを
露光する露光工程と、露光後の前記レジスト膜を現像す
る現像工程と、前記レジスト膜が形成された前記バルク
シリコン層をエッチングすることによって前記バルクシ
リコン層上に前記識別コードのパターンを刻設するエッ
チング工程と、前記レジスト膜を除去し、前記バルクシ
リコン層上に熱酸化によってシリコン酸化膜を形成する
酸化工程と、前記シリコン酸化膜の表面を平坦化する平
坦化工程と、平坦化された前記シリコン酸化膜上に活性
シリコン層を貼り合わせる貼着工程と、を備えている。
造方法において、バルクシリコン層上にレジストを塗布
してレジスト膜を形成する塗布工程と、前記レジスト膜
に半導体基板を識別するための識別コードのパターンを
露光する露光工程と、露光後の前記レジスト膜を現像す
る現像工程と、前記レジスト膜が形成された前記バルク
シリコン層をエッチングすることによって前記バルクシ
リコン層上に前記識別コードのパターンを刻設するエッ
チング工程と、前記レジスト膜を除去し、前記バルクシ
リコン層上に熱酸化によってシリコン酸化膜を形成する
酸化工程と、前記シリコン酸化膜の表面を平坦化する平
坦化工程と、平坦化された前記シリコン酸化膜上に活性
シリコン層を貼り合わせる貼着工程と、を備えている。
【００１６】
【発明の実施の形態】実施の形態１．以下、図面を参照
しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。図
１は、本発明に係る半導体基板の断面構造を示す図であ
る。図１に示す半導体基板は、ＳＯＩ基板である。この
ＳＯＩ基板Ｗ２は、バルクシリコン層２３上にシリコン
酸化膜２２を形成し、そのシリコン酸化膜２２上に活性
シリコン層２１を形成して構成されている。活性シリコ
ン層２１に回路パターンが形成される点は既述した通り
である。そして、本発明に係るＳＯＩ基板Ｗ２において
は、バルクシリコン層２３に識別コードパターン３０を
形成している。識別コードパターン３０は、バルクシリ
コン層２３のシリコン酸化膜２２との界面に形成される
ものであり、その形成手法については後述の実施の形態
において説明する。なお、識別コードパターン３０は凹
凸形状にて構成されたロット番号やウェハ番号のパター
ンであり、そのＳＯＩ基板Ｗ２を識別するためのもので
ある。
しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。図
１は、本発明に係る半導体基板の断面構造を示す図であ
る。図１に示す半導体基板は、ＳＯＩ基板である。この
ＳＯＩ基板Ｗ２は、バルクシリコン層２３上にシリコン
酸化膜２２を形成し、そのシリコン酸化膜２２上に活性
シリコン層２１を形成して構成されている。活性シリコ
ン層２１に回路パターンが形成される点は既述した通り
である。そして、本発明に係るＳＯＩ基板Ｗ２において
は、バルクシリコン層２３に識別コードパターン３０を
形成している。識別コードパターン３０は、バルクシリ
コン層２３のシリコン酸化膜２２との界面に形成される
ものであり、その形成手法については後述の実施の形態
において説明する。なお、識別コードパターン３０は凹
凸形状にて構成されたロット番号やウェハ番号のパター
ンであり、そのＳＯＩ基板Ｗ２を識別するためのもので
ある。
【００１７】識別コードパターン３０は、バルクシリコ
ン層２３のシリコン酸化膜２２との界面に形成されるも
のであるため、ＳＯＩ基板Ｗ２の外部から光学的に認識
することは不可能である。このため、実施の形態１にお
いては、Ｘ線を用いて識別コードパターン３０を検出し
ている。
ン層２３のシリコン酸化膜２２との界面に形成されるも
のであるため、ＳＯＩ基板Ｗ２の外部から光学的に認識
することは不可能である。このため、実施の形態１にお
いては、Ｘ線を用いて識別コードパターン３０を検出し
ている。
【００１８】図２は、Ｘ線を用いてＳＯＩ基板Ｗ２の識
別コードパターン３０を検出する様子を示す図である。
Ｘ線発生管４０とＸ線検出部４１との間に検査対象とな
るＳＯＩ基板Ｗ２を置く。なお、Ｘ線発生管４０とＳＯ
Ｉ基板Ｗ２およびＸ線検出部４１とＳＯＩ基板Ｗ２のそ
れぞれは非接触状態とされている。
別コードパターン３０を検出する様子を示す図である。
Ｘ線発生管４０とＸ線検出部４１との間に検査対象とな
るＳＯＩ基板Ｗ２を置く。なお、Ｘ線発生管４０とＳＯ
Ｉ基板Ｗ２およびＸ線検出部４１とＳＯＩ基板Ｗ２のそ
れぞれは非接触状態とされている。
【００１９】次に、Ｘ線発生管４０からＳＯＩ基板Ｗ２
に向けて矢印ＡＲ２１にて示すようにＸ線を照射する。
照射されたＸ線はＳＯＩ基板Ｗ２を透過して矢印ＡＲ２
２にて示すようにＸ線検出部４１に入射する。Ｘ線検出
部４１は、ＳＯＩ基板Ｗ２を透過したＸ線の強度を測定
する。ＳＯＩ基板Ｗ２は、図中ＸＹ面内においてＸ方向
およびＹ方向のそれぞれに走査され、その全面にＸ線が
照射されるようにする。なお、ＳＯＩ基板Ｗ２を固定
し、Ｘ線発生管４０およびＸ線検出部４１を図中ＸＹ面
内で走査するようにしても良い。
に向けて矢印ＡＲ２１にて示すようにＸ線を照射する。
照射されたＸ線はＳＯＩ基板Ｗ２を透過して矢印ＡＲ２
２にて示すようにＸ線検出部４１に入射する。Ｘ線検出
部４１は、ＳＯＩ基板Ｗ２を透過したＸ線の強度を測定
する。ＳＯＩ基板Ｗ２は、図中ＸＹ面内においてＸ方向
およびＹ方向のそれぞれに走査され、その全面にＸ線が
照射されるようにする。なお、ＳＯＩ基板Ｗ２を固定
し、Ｘ線発生管４０およびＸ線検出部４１を図中ＸＹ面
内で走査するようにしても良い。
【００２０】ＳＯＩ基板Ｗ２をＸ線発生管４０およびＸ
線検出部４１に対して相対的に走査することによって、
ＳＯＩ基板Ｗ２の全面について透過Ｘ線の強度を測定す
ることができる。Ｘ線検出部４１が測定したＸ線強度
は、電気信号に変換されて画像表示部４２に送信され
る。画像表示部４２は、その電気信号を画素の濃度値
（または階調値）に変換し、ＳＯＩ基板Ｗ２の全面につ
いての透過Ｘ線強度を画像として表示する。
線検出部４１に対して相対的に走査することによって、
ＳＯＩ基板Ｗ２の全面について透過Ｘ線の強度を測定す
ることができる。Ｘ線検出部４１が測定したＸ線強度
は、電気信号に変換されて画像表示部４２に送信され
る。画像表示部４２は、その電気信号を画素の濃度値
（または階調値）に変換し、ＳＯＩ基板Ｗ２の全面につ
いての透過Ｘ線強度を画像として表示する。
【００２１】シリコンとシリコン酸化物とではＸ線の透
過率が異なる。そして、識別コードパターン３０は凹凸
形状にて構成されており、識別コードパターン３０が形
成された部分ではシリコン酸化物の厚さが厚くなって
（シリコンが薄くなって）透過Ｘ線の強度変化が生じ
る。Ｘ線検出部４１は、そのような強度変化を測定する
ことによって識別コードを検出し、画像表示部４２に伝
達する。そして、画像表示部４２は、このような強度変
化を識別コードの画像として表示するのである。
過率が異なる。そして、識別コードパターン３０は凹凸
形状にて構成されており、識別コードパターン３０が形
成された部分ではシリコン酸化物の厚さが厚くなって
（シリコンが薄くなって）透過Ｘ線の強度変化が生じ
る。Ｘ線検出部４１は、そのような強度変化を測定する
ことによって識別コードを検出し、画像表示部４２に伝
達する。そして、画像表示部４２は、このような強度変
化を識別コードの画像として表示するのである。
【００２２】図３は、画像表示部４２に表示された識別
コードの画像を示す図である。ここでは、識別コードと
して「ＳＫＤ−１２３４−０１」という画像が画像表示
部４２に表示されている。このような識別コードの画像
を目視によってまたは文字認識装置によって認識するこ
とによりＳＯＩ基板Ｗ２を識別する。
コードの画像を示す図である。ここでは、識別コードと
して「ＳＫＤ−１２３４−０１」という画像が画像表示
部４２に表示されている。このような識別コードの画像
を目視によってまたは文字認識装置によって認識するこ
とによりＳＯＩ基板Ｗ２を識別する。
【００２３】以上のように、実施の形態１においては、
識別コードパターン３０をバルクシリコン層２３のシリ
コン酸化膜２２との界面に形成している。従って、後工
程での薄膜デポジションやＣＭＰ法による研磨によって
識別コードパターン３０が削られるおそれがなくなり、
ＳＯＩ基板であっても容易に識別コードを検出すること
ができる。
識別コードパターン３０をバルクシリコン層２３のシリ
コン酸化膜２２との界面に形成している。従って、後工
程での薄膜デポジションやＣＭＰ法による研磨によって
識別コードパターン３０が削られるおそれがなくなり、
ＳＯＩ基板であっても容易に識別コードを検出すること
ができる。
【００２４】また、ＳＯＩ基板Ｗ２にＸ線を透過させる
ことによってその識別コードを検出し、当該検出結果に
基づいてＳＯＩ基板Ｗ２を識別しているため、ＳＯＩ基
板Ｗ２の内部に識別コードパターン３０が形成されてい
ても容易に識別コードを検出してＳＯＩ基板Ｗ２を識別
することができる。
ことによってその識別コードを検出し、当該検出結果に
基づいてＳＯＩ基板Ｗ２を識別しているため、ＳＯＩ基
板Ｗ２の内部に識別コードパターン３０が形成されてい
ても容易に識別コードを検出してＳＯＩ基板Ｗ２を識別
することができる。
【００２５】実施の形態２．次に、本発明の実施の形態
２について説明する。実施の形態１ではＸ線を用いて識
別コードパターン３０を検出していたが、実施の形態２
においてはいわゆる超音波顕微鏡を用いて識別コードパ
ターン３０を検出する内容について説明する。超音波顕
微鏡は、サファイアなどで作成した音響レンズによって
超音波を集束し、その焦点面に置いた試料を走査し、試
料の部分的な超音波透過率または反射率の変化を検出し
て画像として表示する装置である。なお、検出対象であ
るＳＯＩ基板Ｗ２の構成は実施の形態１と全く同じであ
る。
２について説明する。実施の形態１ではＸ線を用いて識
別コードパターン３０を検出していたが、実施の形態２
においてはいわゆる超音波顕微鏡を用いて識別コードパ
ターン３０を検出する内容について説明する。超音波顕
微鏡は、サファイアなどで作成した音響レンズによって
超音波を集束し、その焦点面に置いた試料を走査し、試
料の部分的な超音波透過率または反射率の変化を検出し
て画像として表示する装置である。なお、検出対象であ
るＳＯＩ基板Ｗ２の構成は実施の形態１と全く同じであ
る。
【００２６】図４は、超音波の透過を用いてＳＯＩ基板
Ｗ２の識別コードパターン３０を検出する様子を示す図
である。超音波顕微鏡は、超音波発生器５０、透過超音
波検出部５１、画像表示部５２および図示を省略する試
料走査機構によって構成されている。
Ｗ２の識別コードパターン３０を検出する様子を示す図
である。超音波顕微鏡は、超音波発生器５０、透過超音
波検出部５１、画像表示部５２および図示を省略する試
料走査機構によって構成されている。
【００２７】超音波発生器５０と透過超音波検出部５１
との間であって、超音波の焦点面に検査対象となるＳＯ
Ｉ基板Ｗ２を置く。次に、超音波発生器５０からＳＯＩ
基板Ｗ２に向けて矢印ＡＲ４１にて示すように超音波を
放射する。放射された超音波はＳＯＩ基板Ｗ２を透過し
て矢印ＡＲ４２にて示すように透過超音波検出部５１に
入射する。透過超音波検出部５１は、ＳＯＩ基板Ｗ２を
透過した超音波の強度や伝播時間等を測定する。ＳＯＩ
基板Ｗ２は、試料走査機構によって図中ＸＹ面内におい
てＸ方向およびＹ方向のそれぞれに走査され、その全面
に超音波が放射されるようにする。なお、ＳＯＩ基板Ｗ
２を固定し、超音波発生器５０および透過超音波検出部
５１を図中ＸＹ面内で走査するようにしても良い。
との間であって、超音波の焦点面に検査対象となるＳＯ
Ｉ基板Ｗ２を置く。次に、超音波発生器５０からＳＯＩ
基板Ｗ２に向けて矢印ＡＲ４１にて示すように超音波を
放射する。放射された超音波はＳＯＩ基板Ｗ２を透過し
て矢印ＡＲ４２にて示すように透過超音波検出部５１に
入射する。透過超音波検出部５１は、ＳＯＩ基板Ｗ２を
透過した超音波の強度や伝播時間等を測定する。ＳＯＩ
基板Ｗ２は、試料走査機構によって図中ＸＹ面内におい
てＸ方向およびＹ方向のそれぞれに走査され、その全面
に超音波が放射されるようにする。なお、ＳＯＩ基板Ｗ
２を固定し、超音波発生器５０および透過超音波検出部
５１を図中ＸＹ面内で走査するようにしても良い。
【００２８】ＳＯＩ基板Ｗ２を超音波発生器５０および
透過超音波検出部５１に対して相対的に走査することに
よって、ＳＯＩ基板Ｗ２の全面について透過波の強度ま
たは伝播時間等を測定することができる。透過超音波検
出部５１が測定した透過超音波の強度または伝播時間等
は、電気信号に変換されて画像表示部５２に送信され
る。画像表示部５２は、その電気信号を画素の濃度値
（または階調値）に変換し、ＳＯＩ基板Ｗ２の全面につ
いての透過超音波の強度または伝播時間を画像として表
示する。
透過超音波検出部５１に対して相対的に走査することに
よって、ＳＯＩ基板Ｗ２の全面について透過波の強度ま
たは伝播時間等を測定することができる。透過超音波検
出部５１が測定した透過超音波の強度または伝播時間等
は、電気信号に変換されて画像表示部５２に送信され
る。画像表示部５２は、その電気信号を画素の濃度値
（または階調値）に変換し、ＳＯＩ基板Ｗ２の全面につ
いての透過超音波の強度または伝播時間を画像として表
示する。
【００２９】シリコンとシリコン酸化物とでは超音波の
透過率が異なる。そして、識別コードパターン３０は凹
凸形状にて構成されており、識別コードパターン３０が
形成された部分ではシリコン酸化物の厚さが厚くなって
（シリコンが薄くなって）透過超音波の強度、伝播時間
等に変化が生じる。透過超音波検出部５１は、そのよう
な強度、伝播時間等の変化を測定することによって識別
コードを検出し、画像表示部５２に伝達する。そして、
画像表示部５２は、このような強度、伝播時間等の変化
を解析し、識別コードの画像として表示するのである。
透過率が異なる。そして、識別コードパターン３０は凹
凸形状にて構成されており、識別コードパターン３０が
形成された部分ではシリコン酸化物の厚さが厚くなって
（シリコンが薄くなって）透過超音波の強度、伝播時間
等に変化が生じる。透過超音波検出部５１は、そのよう
な強度、伝播時間等の変化を測定することによって識別
コードを検出し、画像表示部５２に伝達する。そして、
画像表示部５２は、このような強度、伝播時間等の変化
を解析し、識別コードの画像として表示するのである。
【００３０】画像表示部５２の表示内容は図３に示した
のと同様である。画像表示部５２に表示された識別コー
ドの画像を目視によってまたは文字認識装置によって認
識することによりＳＯＩ基板Ｗ２を識別する。
のと同様である。画像表示部５２に表示された識別コー
ドの画像を目視によってまたは文字認識装置によって認
識することによりＳＯＩ基板Ｗ２を識別する。
【００３１】また、図５は、超音波の反射を用いてＳＯ
Ｉ基板Ｗ２の識別コードパターン３０を検出する様子を
示す図である。この場合の超音波顕微鏡は、超音波発生
器５０、反射超音波検出部５５、画像表示部５２および
図示を省略する試料走査機構によって構成されている。
Ｉ基板Ｗ２の識別コードパターン３０を検出する様子を
示す図である。この場合の超音波顕微鏡は、超音波発生
器５０、反射超音波検出部５５、画像表示部５２および
図示を省略する試料走査機構によって構成されている。
【００３２】超音波発生器５０から放射される超音波の
焦点面に検査対象となるＳＯＩ基板Ｗ２を置く。次に、
超音波発生器５０からＳＯＩ基板Ｗ２に向けて矢印ＡＲ
５１にて示すように超音波を放射する。放射された超音
波はＳＯＩ基板Ｗ２にて反射されて矢印ＡＲ５２にて示
すように反射超音波検出部５５に入射する。反射超音波
検出部５５は、ＳＯＩ基板Ｗ２にて反射された超音波の
強度や伝播時間等を測定する。ＳＯＩ基板Ｗ２は、試料
走査機構によって図中ＸＹ面内においてＸ方向およびＹ
方向のそれぞれに走査され、その全面に超音波が放射さ
れるようにする。なお、ＳＯＩ基板Ｗ２を固定し、超音
波発生器５０および反射超音波検出部５５を図中ＸＹ面
内で走査するようにしても良い。
焦点面に検査対象となるＳＯＩ基板Ｗ２を置く。次に、
超音波発生器５０からＳＯＩ基板Ｗ２に向けて矢印ＡＲ
５１にて示すように超音波を放射する。放射された超音
波はＳＯＩ基板Ｗ２にて反射されて矢印ＡＲ５２にて示
すように反射超音波検出部５５に入射する。反射超音波
検出部５５は、ＳＯＩ基板Ｗ２にて反射された超音波の
強度や伝播時間等を測定する。ＳＯＩ基板Ｗ２は、試料
走査機構によって図中ＸＹ面内においてＸ方向およびＹ
方向のそれぞれに走査され、その全面に超音波が放射さ
れるようにする。なお、ＳＯＩ基板Ｗ２を固定し、超音
波発生器５０および反射超音波検出部５５を図中ＸＹ面
内で走査するようにしても良い。
【００３３】ＳＯＩ基板Ｗ２を超音波発生器５０および
反射超音波検出部５５に対して相対的に走査することに
よって、ＳＯＩ基板Ｗ２の全面について反射波の強度ま
たは伝播時間等を測定することができる。反射超音波検
出部５５が測定した反射超音波の強度または伝播時間等
は、電気信号に変換されて画像表示部５２に送信され
る。画像表示部５２は、その電気信号を画素の濃度値
（または階調値）に変換し、ＳＯＩ基板Ｗ２の全面につ
いての反射超音波の強度または伝播時間を画像として表
示する。
反射超音波検出部５５に対して相対的に走査することに
よって、ＳＯＩ基板Ｗ２の全面について反射波の強度ま
たは伝播時間等を測定することができる。反射超音波検
出部５５が測定した反射超音波の強度または伝播時間等
は、電気信号に変換されて画像表示部５２に送信され
る。画像表示部５２は、その電気信号を画素の濃度値
（または階調値）に変換し、ＳＯＩ基板Ｗ２の全面につ
いての反射超音波の強度または伝播時間を画像として表
示する。
【００３４】シリコンとシリコン酸化物とでは超音波の
透過率が異なる。そして、識別コードパターン３０は凹
凸形状にて構成されており、識別コードパターン３０が
形成された部分ではシリコン酸化物の厚さが厚くなって
（シリコンが薄くなって）反射超音波の強度、伝播時間
等に変化が生じる。反射超音波検出部５５は、そのよう
な強度、伝播時間等の変化を測定することによって識別
コードを検出し、画像表示部５２に伝達する。そして、
画像表示部５２は、このような強度、伝播時間等の変化
を解析し、識別コードの画像として表示するのである。
透過率が異なる。そして、識別コードパターン３０は凹
凸形状にて構成されており、識別コードパターン３０が
形成された部分ではシリコン酸化物の厚さが厚くなって
（シリコンが薄くなって）反射超音波の強度、伝播時間
等に変化が生じる。反射超音波検出部５５は、そのよう
な強度、伝播時間等の変化を測定することによって識別
コードを検出し、画像表示部５２に伝達する。そして、
画像表示部５２は、このような強度、伝播時間等の変化
を解析し、識別コードの画像として表示するのである。
【００３５】画像表示部５２の表示内容は図３に示した
のと同様である。画像表示部５２に表示された識別コー
ドの画像を目視によってまたは文字認識装置によって認
識することによりＳＯＩ基板Ｗ２を識別する。
のと同様である。画像表示部５２に表示された識別コー
ドの画像を目視によってまたは文字認識装置によって認
識することによりＳＯＩ基板Ｗ２を識別する。
【００３６】以上のように、実施の形態２においては、
ＳＯＩ基板Ｗ２に超音波を透過または反射させることに
よってその識別コードを検出し、当該検出結果に基づい
てＳＯＩ基板Ｗ２を識別しているため、ＳＯＩ基板Ｗ２
の内部に識別コードパターン３０が形成されていても容
易に識別コードを検出してＳＯＩ基板Ｗ２を識別するこ
とができる。
ＳＯＩ基板Ｗ２に超音波を透過または反射させることに
よってその識別コードを検出し、当該検出結果に基づい
てＳＯＩ基板Ｗ２を識別しているため、ＳＯＩ基板Ｗ２
の内部に識別コードパターン３０が形成されていても容
易に識別コードを検出してＳＯＩ基板Ｗ２を識別するこ
とができる。
【００３７】実施の形態３．次に、本発明の実施の形態
３について説明する。実施の形態３においては、ＳＯＩ
基板Ｗ２の製造方法およびその工程について説明する。
３について説明する。実施の形態３においては、ＳＯＩ
基板Ｗ２の製造方法およびその工程について説明する。
【００３８】図６は、実施の形態３におけるＳＯＩ基板
Ｗ２の製造工程を示す図である。まず、図６（ａ）に示
すようなバルクシリコン層２３にレーザー印字法によっ
て凹凸の識別コードパターン３０を刻設する（図６
（ｂ））。図６（ａ）に示すバルクシリコン層２３は円
盤状のシリコン基板である。レーザー印字法は、円盤状
のバルクシリコン層２３に所定の波長のレーザーを照射
してシリコンを溶融させることによりバルクシリコン層
２３上に凹凸の識別コードパターン３０を刻設する手法
である。
Ｗ２の製造工程を示す図である。まず、図６（ａ）に示
すようなバルクシリコン層２３にレーザー印字法によっ
て凹凸の識別コードパターン３０を刻設する（図６
（ｂ））。図６（ａ）に示すバルクシリコン層２３は円
盤状のシリコン基板である。レーザー印字法は、円盤状
のバルクシリコン層２３に所定の波長のレーザーを照射
してシリコンを溶融させることによりバルクシリコン層
２３上に凹凸の識別コードパターン３０を刻設する手法
である。
【００３９】次に、図６（ｃ）に示すように、識別コー
ドパターン３０が刻設されたバルクシリコン層２３上に
熱酸化法によってシリコン酸化膜２２を形成する。熱酸
化法は、酸素雰囲気または水蒸気を含んだ気体雰囲気中
にてバルクシリコン層２３を高温加熱することにより、
シリコンを酸化してバルクシリコン層２３上にシリコン
酸化膜２２を形成する手法である。このときに、バルク
シリコン層２３に刻設された識別コードパターン３０も
酸化されてシリコン酸化物によって埋められ、その酸化
された識別コードパターン３０の上にさらにシリコン酸
化膜２２が堆積されることとなる。従って、熱酸化の工
程を経ることによって、識別コードパターン３０はシリ
コン酸化物の凹凸によって構成されることとなる。
ドパターン３０が刻設されたバルクシリコン層２３上に
熱酸化法によってシリコン酸化膜２２を形成する。熱酸
化法は、酸素雰囲気または水蒸気を含んだ気体雰囲気中
にてバルクシリコン層２３を高温加熱することにより、
シリコンを酸化してバルクシリコン層２３上にシリコン
酸化膜２２を形成する手法である。このときに、バルク
シリコン層２３に刻設された識別コードパターン３０も
酸化されてシリコン酸化物によって埋められ、その酸化
された識別コードパターン３０の上にさらにシリコン酸
化膜２２が堆積されることとなる。従って、熱酸化の工
程を経ることによって、識別コードパターン３０はシリ
コン酸化物の凹凸によって構成されることとなる。
【００４０】次に、図６（ｄ）に示すように、シリコン
酸化膜２２の表面をＣＭＰ法やエッチバック法によって
平坦化する。熱酸化法によって形成された直後のシリコ
ン酸化膜２２の表面には多少の凹凸が形成されている。
特に、識別コードパターン３０の上部において凹凸が激
しい（図６（ｃ）参照）。このような凹凸がシリコン酸
化膜２２の表面に残留したままであると、後工程である
活性シリコン層の張り合わせに支障が生じるため、平坦
化処理を行うのである。
酸化膜２２の表面をＣＭＰ法やエッチバック法によって
平坦化する。熱酸化法によって形成された直後のシリコ
ン酸化膜２２の表面には多少の凹凸が形成されている。
特に、識別コードパターン３０の上部において凹凸が激
しい（図６（ｃ）参照）。このような凹凸がシリコン酸
化膜２２の表面に残留したままであると、後工程である
活性シリコン層の張り合わせに支障が生じるため、平坦
化処理を行うのである。
【００４１】ＣＭＰ法は、研磨剤と研磨布を用い、機械
的な研磨加工によってシリコン酸化膜２２の表面を平坦
化する手法である。エッチバック法は、凹凸のあるシリ
コン酸化膜２２上にレジストまたはＳＯＧ（spin on gl
ass）を塗布して凹凸をなくし、この状態にて塗布膜と
シリコン酸化膜２２のエッチングレートがほぼ同じとな
るエッチングを行うことにより、シリコン酸化膜２２の
表面を平坦化する手法である。
的な研磨加工によってシリコン酸化膜２２の表面を平坦
化する手法である。エッチバック法は、凹凸のあるシリ
コン酸化膜２２上にレジストまたはＳＯＧ（spin on gl
ass）を塗布して凹凸をなくし、この状態にて塗布膜と
シリコン酸化膜２２のエッチングレートがほぼ同じとな
るエッチングを行うことにより、シリコン酸化膜２２の
表面を平坦化する手法である。
【００４２】その後、図６（ｅ）に示すように、平坦化
されたシリコン酸化膜２２上に活性シリコン層２１を貼
り合わせる。具体的には、平坦化されたシリコン酸化膜
２２上に活性シリコン層２１を機械的に貼り合わせ、そ
の状態にて１０００℃程度の熱処理を行う。これによ
り、シリコン酸化膜２２と活性シリコン層２１とが接合
され、ＳＯＩ基板Ｗ２となるのである。
されたシリコン酸化膜２２上に活性シリコン層２１を貼
り合わせる。具体的には、平坦化されたシリコン酸化膜
２２上に活性シリコン層２１を機械的に貼り合わせ、そ
の状態にて１０００℃程度の熱処理を行う。これによ
り、シリコン酸化膜２２と活性シリコン層２１とが接合
され、ＳＯＩ基板Ｗ２となるのである。
【００４３】以上のようにして、容易に識別コードを検
出することができるＳＯＩ基板Ｗ２を確実に製造するこ
とができる。
出することができるＳＯＩ基板Ｗ２を確実に製造するこ
とができる。
【００４４】実施の形態４．次に、本発明の実施の形態
４について説明する。実施の形態４においても、ＳＯＩ
基板Ｗ２の製造方法およびその工程について説明する。
実施の形態３ではレーザー印字法によって識別コードパ
ターン３０を形成していたが、実施の形態４においては
いわゆるフォトリソグラフィーの技術によって識別コー
ドパターン３０を形成する。
４について説明する。実施の形態４においても、ＳＯＩ
基板Ｗ２の製造方法およびその工程について説明する。
実施の形態３ではレーザー印字法によって識別コードパ
ターン３０を形成していたが、実施の形態４においては
いわゆるフォトリソグラフィーの技術によって識別コー
ドパターン３０を形成する。
【００４５】図７は、実施の形態４におけるＳＯＩ基板
Ｗ２の製造工程を示す図である。まず、図７（ａ）に示
すようなバルクシリコン層２３上にレジスト（フォトレ
ジスト）を塗布してレジスト膜２５を形成する（図７
（ｂ））。図７（ａ）に示すバルクシリコン層２３は円
盤状のシリコン基板である。レジストの塗布は、例えば
いわゆるスピンコート法によって行えば良く、具体的に
はバルクシリコン層２３を回転させつつ、その上にレジ
ストを滴下することによってバルクシリコン層２３上に
均一なレジスト膜２５を形成する。
Ｗ２の製造工程を示す図である。まず、図７（ａ）に示
すようなバルクシリコン層２３上にレジスト（フォトレ
ジスト）を塗布してレジスト膜２５を形成する（図７
（ｂ））。図７（ａ）に示すバルクシリコン層２３は円
盤状のシリコン基板である。レジストの塗布は、例えば
いわゆるスピンコート法によって行えば良く、具体的に
はバルクシリコン層２３を回転させつつ、その上にレジ
ストを滴下することによってバルクシリコン層２３上に
均一なレジスト膜２５を形成する。
【００４６】次に、識別コードパターン３０と同じパタ
ーンを有するマスクを用いてレジスト膜２５に露光処理
を行う。この処理によって識別コードのパターンが露光
され、図７（ｃ）に示すように、レジスト膜２５のうち
の光が照射された部分が化学変化により露光部２５ａと
なる。なお、露光部２５ａは識別コードパターン３０と
同じパターンを有する。
ーンを有するマスクを用いてレジスト膜２５に露光処理
を行う。この処理によって識別コードのパターンが露光
され、図７（ｃ）に示すように、レジスト膜２５のうち
の光が照射された部分が化学変化により露光部２５ａと
なる。なお、露光部２５ａは識別コードパターン３０と
同じパターンを有する。
【００４７】次に、露光後のレジスト膜２５を現像す
る。露光部２５ａは化学変化によって現像液に可溶とな
っており、現像処理によって図７（ｄ）に示すように、
露光部２５ａが溶けて無くなる。一方、レジスト膜２５
のうちの露光部２５ａ以外の部分はバルクシリコン層２
３上に残留する。
る。露光部２５ａは化学変化によって現像液に可溶とな
っており、現像処理によって図７（ｄ）に示すように、
露光部２５ａが溶けて無くなる。一方、レジスト膜２５
のうちの露光部２５ａ以外の部分はバルクシリコン層２
３上に残留する。
【００４８】次に、図７（ｅ）に示すように、露光後の
レジスト膜２５が残留しているバルクシリコン層２３を
エッチングすることによってバルクシリコン層２３上に
凹凸の識別コードパターン３０を刻設する。レジスト膜
２５はエッチング液に対して耐食性を有している一方、
シリコンは当該エッチング液によって腐食される。従っ
て、エッチング処理により、シリコンが露出した部分
（レジスト膜２５によって覆われていない部分）が選択
的に腐食され、バルクシリコン層２３上に凹凸の識別コ
ードパターン３０が刻設されるのである。なお、エッチ
ングの手法としては、エッチング液を用いるウェットエ
ッチング法の他に、プラズマ等を用いるドライエッチン
グ法を採用するようにしても良い。
レジスト膜２５が残留しているバルクシリコン層２３を
エッチングすることによってバルクシリコン層２３上に
凹凸の識別コードパターン３０を刻設する。レジスト膜
２５はエッチング液に対して耐食性を有している一方、
シリコンは当該エッチング液によって腐食される。従っ
て、エッチング処理により、シリコンが露出した部分
（レジスト膜２５によって覆われていない部分）が選択
的に腐食され、バルクシリコン層２３上に凹凸の識別コ
ードパターン３０が刻設されるのである。なお、エッチ
ングの手法としては、エッチング液を用いるウェットエ
ッチング法の他に、プラズマ等を用いるドライエッチン
グ法を採用するようにしても良い。
【００４９】次に、図７（ｆ）に示すように、バルクシ
リコン層２３からレジスト膜２５を除去する。その後の
工程は、実施の形態３と同じである。すなわち、図７
（ｇ）に示すように、凹凸の識別コードパターン３０が
刻設されたバルクシリコン層２３上に熱酸化法によって
シリコン酸化膜２２を形成する。そして、図７（ｈ）に
示す如く、シリコン酸化膜２２の表面をＣＭＰ法やエッ
チバック法によって平坦化する。最後に、図７（ｉ）に
示すように、平坦化されたシリコン酸化膜２２上に活性
シリコン層２１を貼り合わせる。これらの工程の具体的
な内容は、実施の形態３と同じであるため、その詳述は
省略する。
リコン層２３からレジスト膜２５を除去する。その後の
工程は、実施の形態３と同じである。すなわち、図７
（ｇ）に示すように、凹凸の識別コードパターン３０が
刻設されたバルクシリコン層２３上に熱酸化法によって
シリコン酸化膜２２を形成する。そして、図７（ｈ）に
示す如く、シリコン酸化膜２２の表面をＣＭＰ法やエッ
チバック法によって平坦化する。最後に、図７（ｉ）に
示すように、平坦化されたシリコン酸化膜２２上に活性
シリコン層２１を貼り合わせる。これらの工程の具体的
な内容は、実施の形態３と同じであるため、その詳述は
省略する。
【００５０】以上のようにすれば、容易に識別コードを
検出することができるＳＯＩ基板Ｗ２をフォトリソグラ
フィー技術によっても確実に製造することができる。
検出することができるＳＯＩ基板Ｗ２をフォトリソグラ
フィー技術によっても確実に製造することができる。
【００５１】
【発明の効果】以上、説明したように、請求項１の発明
によれば、バルクシリコン層のシリコン酸化膜との界面
に、半導体基板を識別するための識別コードのパターン
を形成しているため、後工程においてそのパターンが削
られるおそれがなくなり、半導体基板がＳＯＩ基板であ
っても容易に識別コードを検出することができる。
によれば、バルクシリコン層のシリコン酸化膜との界面
に、半導体基板を識別するための識別コードのパターン
を形成しているため、後工程においてそのパターンが削
られるおそれがなくなり、半導体基板がＳＯＩ基板であ
っても容易に識別コードを検出することができる。
【００５２】また、請求項２の発明によれば、半導体基
板にＸ線を透過させることによって識別コードを検出
し、その検出結果に基づいて当該半導体基板を識別して
いるため、半導体基板のバルクシリコン層に識別コード
のパターンが形成されていても容易に識別コードを検出
して半導体基板を識別することができる。
板にＸ線を透過させることによって識別コードを検出
し、その検出結果に基づいて当該半導体基板を識別して
いるため、半導体基板のバルクシリコン層に識別コード
のパターンが形成されていても容易に識別コードを検出
して半導体基板を識別することができる。
【００５３】また、請求項３の発明によれば、半導体基
板に超音波を放射することによって識別コードを検出
し、その検出結果に基づいて当該半導体基板を識別して
いるため、半導体基板のバルクシリコン層に識別コード
のパターンが形成されていても容易に識別コードを検出
して半導体基板を識別することができる。
板に超音波を放射することによって識別コードを検出
し、その検出結果に基づいて当該半導体基板を識別して
いるため、半導体基板のバルクシリコン層に識別コード
のパターンが形成されていても容易に識別コードを検出
して半導体基板を識別することができる。
【００５４】また、請求項４の発明によれば、半導体基
板に放射した超音波の透過波を検出しているため、半導
体基板のバルクシリコン層に識別コードのパターンが形
成されていても容易に識別コードを検出して半導体基板
を識別することができる。
板に放射した超音波の透過波を検出しているため、半導
体基板のバルクシリコン層に識別コードのパターンが形
成されていても容易に識別コードを検出して半導体基板
を識別することができる。
【００５５】また、請求項５の発明によれば、半導体基
板に放射した超音波の反射波を検出しているため、半導
体基板のバルクシリコン層に識別コードのパターンが形
成されていても容易に識別コードを検出して半導体基板
を識別することができる。
板に放射した超音波の反射波を検出しているため、半導
体基板のバルクシリコン層に識別コードのパターンが形
成されていても容易に識別コードを検出して半導体基板
を識別することができる。
【００５６】また、請求項６の発明によれば、バルクシ
リコン層上にレーザー印字法によって半導体基板を識別
するための識別コードのパターンを刻設する印字工程
と、当該バルクシリコン層上に熱酸化によってシリコン
酸化膜を形成する酸化工程と、そのシリコン酸化膜の表
面を平坦化する平坦化工程と、平坦化されたシリコン酸
化膜上に活性シリコン層を貼り合わせる貼着工程と、を
備えているため、容易に識別コードを検出することがで
きる半導体基板を確実に製造することができる。
リコン層上にレーザー印字法によって半導体基板を識別
するための識別コードのパターンを刻設する印字工程
と、当該バルクシリコン層上に熱酸化によってシリコン
酸化膜を形成する酸化工程と、そのシリコン酸化膜の表
面を平坦化する平坦化工程と、平坦化されたシリコン酸
化膜上に活性シリコン層を貼り合わせる貼着工程と、を
備えているため、容易に識別コードを検出することがで
きる半導体基板を確実に製造することができる。
【００５７】また、請求項７の発明によれば、バルクシ
リコン層上にレジストを塗布してレジスト膜を形成する
塗布工程と、そのレジスト膜に半導体基板を識別するた
めの識別コードのパターンを露光する露光工程と、露光
後のレジスト膜を現像する現像工程と、レジスト膜が形
成されたバルクシリコン層をエッチングすることによっ
てそのバルクシリコン層上に識別コードのパターンを刻
設するエッチング工程と、レジスト膜を除去し、当該バ
ルクシリコン層上に熱酸化によってシリコン酸化膜を形
成する酸化工程と、そのシリコン酸化膜の表面を平坦化
する平坦化工程と、平坦化されたシリコン酸化膜上に活
性シリコン層を貼り合わせる貼着工程と、を備えている
ため、容易に識別コードを検出することができる半導体
基板を確実に製造することができる。
リコン層上にレジストを塗布してレジスト膜を形成する
塗布工程と、そのレジスト膜に半導体基板を識別するた
めの識別コードのパターンを露光する露光工程と、露光
後のレジスト膜を現像する現像工程と、レジスト膜が形
成されたバルクシリコン層をエッチングすることによっ
てそのバルクシリコン層上に識別コードのパターンを刻
設するエッチング工程と、レジスト膜を除去し、当該バ
ルクシリコン層上に熱酸化によってシリコン酸化膜を形
成する酸化工程と、そのシリコン酸化膜の表面を平坦化
する平坦化工程と、平坦化されたシリコン酸化膜上に活
性シリコン層を貼り合わせる貼着工程と、を備えている
ため、容易に識別コードを検出することができる半導体
基板を確実に製造することができる。
【図１】 本発明に係る半導体基板の断面構造を示す図
である。
である。
【図２】 Ｘ線を用いてＳＯＩ基板の識別コードパター
ンを検出する様子を示す図である。
ンを検出する様子を示す図である。
【図３】 画像表示部に表示された識別コードの画像を
示す図である。
示す図である。
【図４】 超音波の透過を用いてＳＯＩ基板の識別コー
ドパターンを検出する様子を示す図である。
ドパターンを検出する様子を示す図である。
【図５】 超音波の反射を用いてＳＯＩ基板の識別コー
ドパターンを検出する様子を示す図である。
ドパターンを検出する様子を示す図である。
【図６】 実施の形態３におけるＳＯＩ基板の製造工程
を示す図である。
を示す図である。
【図７】 実施の形態４におけるＳＯＩ基板の製造工程
を示す図である。
を示す図である。
【図８】 レーザー印字法によって識別コードが書き込
まれた従来の半導体基板を示す平面図である。
まれた従来の半導体基板を示す平面図である。
【図９】 ＳＯＩ基板の断面構造を示す模式図である。
２１ 活性シリコン層、２２ シリコン酸化膜、２３
バルクシリコン層、２５ レジスト膜、３０ 識別コー
ドパターン、４０ Ｘ線発生管、４１ Ｘ線検出部、４
２ 画像表示部、５０ 超音波発生部、５１ 透過超音
波検出部、５２画像表示部、５５ 反射超音波検出部、
Ｗ２ ＳＯＩ基板。
バルクシリコン層、２５ レジスト膜、３０ 識別コー
ドパターン、４０ Ｘ線発生管、４１ Ｘ線検出部、４
２ 画像表示部、５０ 超音波発生部、５１ 透過超音
波検出部、５２画像表示部、５５ 反射超音波検出部、
Ｗ２ ＳＯＩ基板。
Claims (7)
- 【請求項１】 バルクシリコン層上にシリコン酸化膜を
形成し、当該シリコン酸化膜上に活性シリコン層を形成
した半導体基板であって、 前記バルクシリコン層の前記シリコン酸化膜との界面
に、その半導体基板を識別するための識別コードのパタ
ーンを形成したことを特徴とする半導体基板。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体基板にＸ線を透過
させることによって前記識別コードを検出する検出工程
と、 前記検出工程での検出結果に基づいて当該半導体基板を
識別する識別工程と、を備えることを特徴とする半導体
基板の識別方法。 - 【請求項３】 請求項１記載の半導体基板に超音波を放
射することによって前記識別コードを検出する検出工程
と、 前記検出工程での検出結果に基づいて当該半導体基板を
識別する識別工程と、を備えることを特徴とする半導体
基板の識別方法。 - 【請求項４】 請求項３記載の半導体基板の識別方法に
おいて、 前記検出工程は、前記半導体基板に放射した超音波の透
過波を検出する工程を含むことを特徴とする半導体基板
の識別方法。 - 【請求項５】 請求項３記載の半導体基板の識別方法に
おいて、 前記検出工程は、前記半導体基板に放射した超音波の反
射波を検出する工程を含むことを特徴とする半導体基板
の識別方法。 - 【請求項６】 バルクシリコン層上にレーザー印字法に
よって半導体基板を識別するための識別コードのパター
ンを刻設する印字工程と、 前記バルクシリコン層上に熱酸化によってシリコン酸化
膜を形成する酸化工程と、 前記シリコン酸化膜の表面を平坦化する平坦化工程と、 平坦化された前記シリコン酸化膜上に活性シリコン層を
貼り合わせる貼着工程と、 を備えることを特徴とする半導体基板の製造方法。 - 【請求項７】 バルクシリコン層上にレジストを塗布し
てレジスト膜を形成する塗布工程と、 前記レジスト膜に半導体基板を識別するための識別コー
ドのパターンを露光する露光工程と、 露光後の前記レジスト膜を現像する現像工程と、 前記レジスト膜が形成された前記バルクシリコン層をエ
ッチングすることによって前記バルクシリコン層上に前
記識別コードのパターンを刻設するエッチング工程と、 前記レジスト膜を除去し、前記バルクシリコン層上に熱
酸化によってシリコン酸化膜を形成する酸化工程と、 前記シリコン酸化膜の表面を平坦化する平坦化工程と、 平坦化された前記シリコン酸化膜上に活性シリコン層を
貼り合わせる貼着工程と、を備えることを特徴とする半
導体基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000215490A JP2002033250A (ja) | 2000-07-17 | 2000-07-17 | 半導体基板、半導体基板の識別方法および半導体基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000215490A JP2002033250A (ja) | 2000-07-17 | 2000-07-17 | 半導体基板、半導体基板の識別方法および半導体基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002033250A true JP2002033250A (ja) | 2002-01-31 |
Family
ID=18710903
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000215490A Pending JP2002033250A (ja) | 2000-07-17 | 2000-07-17 | 半導体基板、半導体基板の識別方法および半導体基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002033250A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20090233413A1 (en) * | 2008-03-11 | 2009-09-17 | Oki Semiconductor Co., Ltd. | Method for fabricating semiconductor device |
| JP2011151232A (ja) * | 2010-01-22 | 2011-08-04 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置、半導体パッケージ、半導体装置の製造方法、及び半導体装置の情報読み取り方法 |
-
2000
- 2000-07-17 JP JP2000215490A patent/JP2002033250A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20090233413A1 (en) * | 2008-03-11 | 2009-09-17 | Oki Semiconductor Co., Ltd. | Method for fabricating semiconductor device |
| JP2011151232A (ja) * | 2010-01-22 | 2011-08-04 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置、半導体パッケージ、半導体装置の製造方法、及び半導体装置の情報読み取り方法 |
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