JP2002031508A - パターン測定装置及び測定方法 - Google Patents
パターン測定装置及び測定方法Info
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- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
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- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
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- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体を製造する際、ＬＳＩ回路などの微
細パターンのうち、自動寸法測定装置を用いて配線パタ
ーンに代表される広範囲におよぶ長く連続したパターン
の寸法を測定する際、測定者が指定する特定パターンの
寸法について個人差なく位置を決定し測定する。 【解決手段】 ＬＳＩ回路の中において存在する微細
パターンの寸法を測定する装置であって、被測定パター
ンについて自動アライメント・自動基準点合わせ機能
と、アライメントポイント・基準点から測定しようとす
る任意の指定位置までの座標・距離の測定を行う機能
と、指定された任意パターンの寸法の自動測長を行う機
能と、測定されたパターンの寸法の自動集計・統計処理
を行う機能とを有する。
細パターンのうち、自動寸法測定装置を用いて配線パタ
ーンに代表される広範囲におよぶ長く連続したパターン
の寸法を測定する際、測定者が指定する特定パターンの
寸法について個人差なく位置を決定し測定する。 【解決手段】 ＬＳＩ回路の中において存在する微細
パターンの寸法を測定する装置であって、被測定パター
ンについて自動アライメント・自動基準点合わせ機能
と、アライメントポイント・基準点から測定しようとす
る任意の指定位置までの座標・距離の測定を行う機能
と、指定された任意パターンの寸法の自動測長を行う機
能と、測定されたパターンの寸法の自動集計・統計処理
を行う機能とを有する。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、半導体を製造する
際、ＬＳＩ回路などウエハ上の微細パターンの寸法を自
動測定する装置及び方法に関するものである。さらに詳
しくは、測長ＳＥＭ（ＳＥＭは走査型電子顕微鏡）など
の自動寸法測定装置を用いて、ウエハ上の広範囲に渡る
パターンの寸法を自動測定する装置および方法に関する
ものである。
際、ＬＳＩ回路などウエハ上の微細パターンの寸法を自
動測定する装置及び方法に関するものである。さらに詳
しくは、測長ＳＥＭ（ＳＥＭは走査型電子顕微鏡）など
の自動寸法測定装置を用いて、ウエハ上の広範囲に渡る
パターンの寸法を自動測定する装置および方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】従来使用されている自動寸法測定装置に
は、例えば測長ＳＥＭがあるが、図４に示すＬＳＩ回路
における配線のような長いラインパターン１について、
広範囲におよぶパターン寸法を測定する際には、測定画
面上に出てきた目的のパターンの測定位置２を人間の手
によって指定することによってその都度測定していた。
は、例えば測長ＳＥＭがあるが、図４に示すＬＳＩ回路
における配線のような長いラインパターン１について、
広範囲におよぶパターン寸法を測定する際には、測定画
面上に出てきた目的のパターンの測定位置２を人間の手
によって指定することによってその都度測定していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】現在、半導体を製造す
る際、ＬＳＩ回路におけるパターンの微細化が加速する
に伴って、配線部分などのライン幅もさらに細くなる一
方である。そのためＬＳＩを製造する際、パターン形成
時にはレジスト形状のラフネス（凹凸）、下地段差の影
響など様々な弊害を受けてしまい寸法を制御することが
困難な状況になっている。従って配線のような広範囲に
わたる長いラインについて特定のパターン寸法を個人差
なく測定し、さらに得られたデータを統計的に処理する
ことによってプロセスの優位性、安定性すなわちパター
ン加工装置の精度を確認することが必要である。しかし
ながら上記に示した従来の方法では、人間による場所の
特定および寸法測定が行われるため測定自体に個人差が
生じてしまい正確なパターン評価を行うことが不可能で
ある。
る際、ＬＳＩ回路におけるパターンの微細化が加速する
に伴って、配線部分などのライン幅もさらに細くなる一
方である。そのためＬＳＩを製造する際、パターン形成
時にはレジスト形状のラフネス（凹凸）、下地段差の影
響など様々な弊害を受けてしまい寸法を制御することが
困難な状況になっている。従って配線のような広範囲に
わたる長いラインについて特定のパターン寸法を個人差
なく測定し、さらに得られたデータを統計的に処理する
ことによってプロセスの優位性、安定性すなわちパター
ン加工装置の精度を確認することが必要である。しかし
ながら上記に示した従来の方法では、人間による場所の
特定および寸法測定が行われるため測定自体に個人差が
生じてしまい正確なパターン評価を行うことが不可能で
ある。
【０００４】本発明は、以上のような課題を解決しよう
とするもので、広範囲に及ぶパターンのうち指定した正
確な測定位置におけるパターン寸法を自動的に測定する
ことができるようにするものである。
とするもので、広範囲に及ぶパターンのうち指定した正
確な測定位置におけるパターン寸法を自動的に測定する
ことができるようにするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載のパター
ン測定装置は、ウエハ上に形成される所定の基準パター
ンについて、２以上の基準点と任意のパターン側定位置
とを設定し座標位置を決定する手段と、ウエハ上に形成
された被測定パターンについて前記基準パターンに対応
する基準点を確定し、この基準点から被測定パターン上
のパターン測定位置を決定する手段と、前記パターン測
定位置においてパターン寸法を測定する手段とを含むも
のである。
ン測定装置は、ウエハ上に形成される所定の基準パター
ンについて、２以上の基準点と任意のパターン側定位置
とを設定し座標位置を決定する手段と、ウエハ上に形成
された被測定パターンについて前記基準パターンに対応
する基準点を確定し、この基準点から被測定パターン上
のパターン測定位置を決定する手段と、前記パターン測
定位置においてパターン寸法を測定する手段とを含むも
のである。
【０００６】請求項２に記載のパターン測定装置は、請
求項１に記載のウエハパターン測定装置において、パタ
ーン寸法の測長結果を自動で集計し測定位置毎のデータ
を統計処理する手段を含むものである。
求項１に記載のウエハパターン測定装置において、パタ
ーン寸法の測長結果を自動で集計し測定位置毎のデータ
を統計処理する手段を含むものである。
【０００７】請求項３に記載のパターン測定方法は、ウ
エハ上に形成される所定の基準パターンについて、２以
上の基準点と任意のパターン側定位置とを設定し座標位
置を決定するステップと、ウエハ上に形成された被測定
パターンについて前記基準パターンに対応する基準点を
確定し、この基準点から被測定パターン上のパターン測
定位置を決定するステップと、前記パターン測定位置に
おいてパターン寸法を測定するステップとを含むもので
ある。
エハ上に形成される所定の基準パターンについて、２以
上の基準点と任意のパターン側定位置とを設定し座標位
置を決定するステップと、ウエハ上に形成された被測定
パターンについて前記基準パターンに対応する基準点を
確定し、この基準点から被測定パターン上のパターン測
定位置を決定するステップと、前記パターン測定位置に
おいてパターン寸法を測定するステップとを含むもので
ある。
【０００８】請求項４に記載のパターン測定方法は、請
求項３に記載のウエハパターン測定方法において、パタ
ーン寸法の測長結果を自動で集計し測定位置毎のデータ
を統計処理するステップを含むものである。
求項３に記載のウエハパターン測定方法において、パタ
ーン寸法の測長結果を自動で集計し測定位置毎のデータ
を統計処理するステップを含むものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】この発明の自動寸法測定装置およ
び方法では、半導体を製造する際に必要となるＬＳＩ回
路としてウエハ上に形成されるパターンを任意の数だけ
画像登録しておき、これを基準パターンとする。半導体
の製造時にウエハ上に形成されたあるパターンの寸法を
測定しようとするとき、被測定パターンに対応する基準
パターンを取り出し、その画像を利用することにより、
被測定パターンに対する自動アライメントまたは自動基
準点合わせを行ない、被測定パターンのアライメント位
置または基準点から任意の座標位置に存在するパターン
を自動測長することができるようにしたものである。
び方法では、半導体を製造する際に必要となるＬＳＩ回
路としてウエハ上に形成されるパターンを任意の数だけ
画像登録しておき、これを基準パターンとする。半導体
の製造時にウエハ上に形成されたあるパターンの寸法を
測定しようとするとき、被測定パターンに対応する基準
パターンを取り出し、その画像を利用することにより、
被測定パターンに対する自動アライメントまたは自動基
準点合わせを行ない、被測定パターンのアライメント位
置または基準点から任意の座標位置に存在するパターン
を自動測長することができるようにしたものである。
【００１０】その手段としては、先ず基準パターンにつ
いて、測定したい座標位置の近傍にある任意の少なくと
も２ヵ所のポイントをアライメントポイント、あるいは
基準点として設定し、ここに正確に自動アライメントま
たは自動基準点合わせを行う。次に測定したい座標位置
がさきほど設定したアライメントポイント、あるいは基
準点からどのくらいの距離に位置するかを座標測定によ
り求める。次に、ウエハ上に形成された被測定パターン
について、基準パターンのアライメントポイントあるい
は基準点に対応するアライメントポイントあるいは基準
点を見つけ出す。そしてこの基準点から、基準パターン
での測定座標をもとに、測定したい座標位置を割り出
す。そうすれば長いパターンを測定する場合においても
全く同じ場所を指定し測定することができる。
いて、測定したい座標位置の近傍にある任意の少なくと
も２ヵ所のポイントをアライメントポイント、あるいは
基準点として設定し、ここに正確に自動アライメントま
たは自動基準点合わせを行う。次に測定したい座標位置
がさきほど設定したアライメントポイント、あるいは基
準点からどのくらいの距離に位置するかを座標測定によ
り求める。次に、ウエハ上に形成された被測定パターン
について、基準パターンのアライメントポイントあるい
は基準点に対応するアライメントポイントあるいは基準
点を見つけ出す。そしてこの基準点から、基準パターン
での測定座標をもとに、測定したい座標位置を割り出
す。そうすれば長いパターンを測定する場合においても
全く同じ場所を指定し測定することができる。
【００１１】以上の方法を異なるＬＳＩチップに対して
繰り返し行うことによってウエハ内の任意の数のパター
ンにおける下地段差の違いなどによる寸法の均一性、バ
ラツキなどの確認ができる。さらにこれらの寸法データ
を指定位置毎に自動集計・統計処理することによりプロ
セスの安定性を確認できる。
繰り返し行うことによってウエハ内の任意の数のパター
ンにおける下地段差の違いなどによる寸法の均一性、バ
ラツキなどの確認ができる。さらにこれらの寸法データ
を指定位置毎に自動集計・統計処理することによりプロ
セスの安定性を確認できる。
【００１２】次に、パターン寸法測定の手順を具体的に
説明する。図１は実際にパターン寸法を測定する場合の
工程フロー、図２は本発明による寸法測定方法を説明す
るためのパターン概略図、図３は自動寸法測定装置の構
成概略図である。図１の工程フローに示すステップ１
で、半導体製造で使用する任意のパターンに関して、自
動アラインメントパターンまたは基準パターンの登録を
する。ステップ２で、寸法を測定しようとする任意の指
定パターン（被測定パターン）の登録をする。ステップ
３で、選択された基準パターンについて、自動アライン
メントポイントあるいは基準点を設定し、この自動アラ
インメントポイント・基準点から寸法を測定しようとす
る任意の指定位置までの座標・距離の測定をする。
説明する。図１は実際にパターン寸法を測定する場合の
工程フロー、図２は本発明による寸法測定方法を説明す
るためのパターン概略図、図３は自動寸法測定装置の構
成概略図である。図１の工程フローに示すステップ１
で、半導体製造で使用する任意のパターンに関して、自
動アラインメントパターンまたは基準パターンの登録を
する。ステップ２で、寸法を測定しようとする任意の指
定パターン（被測定パターン）の登録をする。ステップ
３で、選択された基準パターンについて、自動アライン
メントポイントあるいは基準点を設定し、この自動アラ
インメントポイント・基準点から寸法を測定しようとす
る任意の指定位置までの座標・距離の測定をする。
【００１３】このステップについて具体的に説明する。
図２に示すように、広範囲に及ぶラインパターン３のう
ち、任意の指定された測定場所４を設定にするために画
面上に十字印のカーソル５を表示させてＳＥＭ等の画像
データを登録する。この場合、測定場所４においてライ
ンパターン３のライン線幅を測定することを目的とす
る。次にその近傍にある任意のポイント６Ａを設定する
ために画面上に十字印のカーソル７Ａを表示させてこれ
を第１のアラインメントポイント、あるいは第１の基準
点とする。同様に別の場所に任意のポイント６Ｂを設定
するために画面上に十字印のカーソル７Ｂを表示させて
これを第２のアラインメントポイント、あるいは第２の
基準点とする。このように基準点を複数設けることによ
って、実際に測定したいパターン４の座標が２つのアラ
インメント、あるいは基準点６Ａ，６Ｂの座標からステ
ージの移動量を基に決定される。すなわち、この基準点
６Ａ，６Ｂからラインパターン３の指定された測定場所
４までの距離をそれぞれの座標データより計算する。計
算された値を用いれば基準点６Ａ，６Ｂから測定したい
パターン３の測定場所４までの距離が固定される。この
ようにすれば、異なる測定者が測定しても基準点６Ａ，
６Ｂの位置を正確に設定することによって任意の測定し
たいパターン３の測定場所４が正確に固定される。これ
をレシピの中に位置情報として設定すれば個人差なく寸
法の測定を自動で行うことができる。
図２に示すように、広範囲に及ぶラインパターン３のう
ち、任意の指定された測定場所４を設定にするために画
面上に十字印のカーソル５を表示させてＳＥＭ等の画像
データを登録する。この場合、測定場所４においてライ
ンパターン３のライン線幅を測定することを目的とす
る。次にその近傍にある任意のポイント６Ａを設定する
ために画面上に十字印のカーソル７Ａを表示させてこれ
を第１のアラインメントポイント、あるいは第１の基準
点とする。同様に別の場所に任意のポイント６Ｂを設定
するために画面上に十字印のカーソル７Ｂを表示させて
これを第２のアラインメントポイント、あるいは第２の
基準点とする。このように基準点を複数設けることによ
って、実際に測定したいパターン４の座標が２つのアラ
インメント、あるいは基準点６Ａ，６Ｂの座標からステ
ージの移動量を基に決定される。すなわち、この基準点
６Ａ，６Ｂからラインパターン３の指定された測定場所
４までの距離をそれぞれの座標データより計算する。計
算された値を用いれば基準点６Ａ，６Ｂから測定したい
パターン３の測定場所４までの距離が固定される。この
ようにすれば、異なる測定者が測定しても基準点６Ａ，
６Ｂの位置を正確に設定することによって任意の測定し
たいパターン３の測定場所４が正確に固定される。これ
をレシピの中に位置情報として設定すれば個人差なく寸
法の測定を自動で行うことができる。
【００１４】次に、ステップ４で、ウエハに形成された
被測定パターンについて、第１の基準点における自動ア
ラインメント・自動基準点合わせをする。ステップ５
で、第２の基準点における自動アラインメント・自動基
準点合わせをする。ステップ６で、指定された測定場所
へ移動し、寸法の自動測定を行う。以上のステップ４〜
６は、基準パターンにおける基準点の設定と、指定され
た測定場所の決定および寸法測定と同様な方法により行
う。これにより、基準点６の位置を正確に設定し、異な
る測定者が測定しても被測定パターン３の測定場所４が
正確に固定され、その位置でのパターン寸法の自動測定
が可能になる。次に、ステップ７で、測定されたパター
ン寸法の自動集計・統計処理を行う。
被測定パターンについて、第１の基準点における自動ア
ラインメント・自動基準点合わせをする。ステップ５
で、第２の基準点における自動アラインメント・自動基
準点合わせをする。ステップ６で、指定された測定場所
へ移動し、寸法の自動測定を行う。以上のステップ４〜
６は、基準パターンにおける基準点の設定と、指定され
た測定場所の決定および寸法測定と同様な方法により行
う。これにより、基準点６の位置を正確に設定し、異な
る測定者が測定しても被測定パターン３の測定場所４が
正確に固定され、その位置でのパターン寸法の自動測定
が可能になる。次に、ステップ７で、測定されたパター
ン寸法の自動集計・統計処理を行う。
【００１５】図３はこの発明によるパターン寸法自動測
定を実施する自動寸法測定装置の概略構成を示す図であ
る。図３において、８は実際に寸法を測定しようとする
ウエハ、９はロードロックチャンバ、１０は真空チャン
バ、１１はＸＹステージ、１２は光学顕微鏡、１３は電
子顕微鏡、１４は画像処理をするＣＰＵまたはコンピュ
ータを示す。図３を参照してパターン寸法測定について
説明する。最初にウエハ８を、ロードロックチャンバ９
を通して真空チャンバ１０内のＸＹステージ１１上に吸
着させて固定する。
定を実施する自動寸法測定装置の概略構成を示す図であ
る。図３において、８は実際に寸法を測定しようとする
ウエハ、９はロードロックチャンバ、１０は真空チャン
バ、１１はＸＹステージ、１２は光学顕微鏡、１３は電
子顕微鏡、１４は画像処理をするＣＰＵまたはコンピュ
ータを示す。図３を参照してパターン寸法測定について
説明する。最初にウエハ８を、ロードロックチャンバ９
を通して真空チャンバ１０内のＸＹステージ１１上に吸
着させて固定する。
【００１６】次に、ウエハ８内のＬＳＩチップの被測定
パターンについて、第１の基準点における自動アライン
メント・自動基準点合わせを行う（ステップ４）。ま
た、第２の基準点における自動アラインメント・自動基
準点合わせを行う（ステップ５）。具体的には、ウエハ
８を光学顕微鏡１２を用いて低倍率でのラフアライメン
ト・基準点合わせを行ってアライメントポイント、ある
いは基準点６を同定してラフな位置決定をする。次に電
子顕微鏡１３を用いて高倍率でのファインアライメント
・基準点合わせを行ってアライメントポイント、あるい
は基準点６を再度同定し正確な位置決定をする。
パターンについて、第１の基準点における自動アライン
メント・自動基準点合わせを行う（ステップ４）。ま
た、第２の基準点における自動アラインメント・自動基
準点合わせを行う（ステップ５）。具体的には、ウエハ
８を光学顕微鏡１２を用いて低倍率でのラフアライメン
ト・基準点合わせを行ってアライメントポイント、ある
いは基準点６を同定してラフな位置決定をする。次に電
子顕微鏡１３を用いて高倍率でのファインアライメント
・基準点合わせを行ってアライメントポイント、あるい
は基準点６を再度同定し正確な位置決定をする。
【００１７】次に、先にレシピに設定したアライメント
ポイントあるいは基準点６と、測定したい任意の測定位
置４（指定位置）の位置情報を利用してパターンの自動
測定を行う（ステップ６）。この方法をウエハ内の異な
るＬＳＩチップについて、繰り返し実施することによっ
て、複数のＬＳＩチップの任意の数のパターンにおける
寸法の測定ができる。さらに得られたデータをＣＰＵ１
４により自動集計・統計処理することによって、測定し
たパターンのウエハ内の均一性、バラツキ（標準偏差
等）を自動的に求めることが可能となる（ステップ
７）。
ポイントあるいは基準点６と、測定したい任意の測定位
置４（指定位置）の位置情報を利用してパターンの自動
測定を行う（ステップ６）。この方法をウエハ内の異な
るＬＳＩチップについて、繰り返し実施することによっ
て、複数のＬＳＩチップの任意の数のパターンにおける
寸法の測定ができる。さらに得られたデータをＣＰＵ１
４により自動集計・統計処理することによって、測定し
たパターンのウエハ内の均一性、バラツキ（標準偏差
等）を自動的に求めることが可能となる（ステップ
７）。
【００１８】以上説明したように、この発明によれば、
ＬＳＩ回路の中において存在する微細パターンの寸法を
測定する装置であって、図１に示すような自動アライメ
ント・自動基準点合わせ機能と、アライメントポイント
・基準点から測定しようとする任意の指定位置までの座
標・距離の測定を行う機能と、指定された任意パターン
の寸法の自動測長を行う機能と、測定されたパターンの
寸法の自動集計・統計処理を行う機能とを有するパター
ン自動測定装置が得られる。
ＬＳＩ回路の中において存在する微細パターンの寸法を
測定する装置であって、図１に示すような自動アライメ
ント・自動基準点合わせ機能と、アライメントポイント
・基準点から測定しようとする任意の指定位置までの座
標・距離の測定を行う機能と、指定された任意パターン
の寸法の自動測長を行う機能と、測定されたパターンの
寸法の自動集計・統計処理を行う機能とを有するパター
ン自動測定装置が得られる。
【００１９】また、この発明の自動寸法測定装置および
方法では、半導体を製造する際に必要となるＬＳＩ回路
としてウエハ上に形成されたあるパターンの寸法を測定
する場合において、任意のパターンを任意の数だけ画像
登録し、登録されたパターンの画像を必要なだけ取り出
し、アラインメント時にそれらの画像を利用することに
よって、目的のパターンを見つけ出し、自動アライメン
トまたは自動基準点合わせを行うことが可能となるパタ
ーン認識機能をもつ。また、上記の方法によって得られ
たアライメント位置または基準点から任意の座標位置に
存在するパターンを自動測長することができる。さら
に、得られた測長結果を、自動で集計し測定位置毎のデ
ータなどを統計処理することができる。
方法では、半導体を製造する際に必要となるＬＳＩ回路
としてウエハ上に形成されたあるパターンの寸法を測定
する場合において、任意のパターンを任意の数だけ画像
登録し、登録されたパターンの画像を必要なだけ取り出
し、アラインメント時にそれらの画像を利用することに
よって、目的のパターンを見つけ出し、自動アライメン
トまたは自動基準点合わせを行うことが可能となるパタ
ーン認識機能をもつ。また、上記の方法によって得られ
たアライメント位置または基準点から任意の座標位置に
存在するパターンを自動測長することができる。さら
に、得られた測長結果を、自動で集計し測定位置毎のデ
ータなどを統計処理することができる。
【００２０】また、この発明によれば、半導体を製造す
る際、ＬＳＩ回路などの微細パターンのうち、自動寸法
測定装置を用いて配線パターンに代表される広範囲にお
よぶ長く連続したパターンの寸法を測定する際、測定者
が指定する特定パターンの寸法について個人差なく位置
を決定し測定することが可能になる。これによりパター
ン加工装置あるいはプロセスの優位性を調査するととも
に、その安定性を確認することができる。
る際、ＬＳＩ回路などの微細パターンのうち、自動寸法
測定装置を用いて配線パターンに代表される広範囲にお
よぶ長く連続したパターンの寸法を測定する際、測定者
が指定する特定パターンの寸法について個人差なく位置
を決定し測定することが可能になる。これによりパター
ン加工装置あるいはプロセスの優位性を調査するととも
に、その安定性を確認することができる。
【００２１】
【発明の効果】以上のように、本発明によるパターン自
動測定装置および方法によれば、ＬＳＩチップに形成さ
れた任意のパターンについて任意の指定位置のパターン
寸法を精度よく測定することが可能となる。また、得ら
れたデータを自動的に集計・統計処理を行うことによっ
て、作業効率をあげることができ、パターン加工装置あ
るいはプロセスの安定性を維持するため有力なツールと
なる。
動測定装置および方法によれば、ＬＳＩチップに形成さ
れた任意のパターンについて任意の指定位置のパターン
寸法を精度よく測定することが可能となる。また、得ら
れたデータを自動的に集計・統計処理を行うことによっ
て、作業効率をあげることができ、パターン加工装置あ
るいはプロセスの安定性を維持するため有力なツールと
なる。
【図１】 本発明におけるパターン寸法測定のフローを
示す概略図。
示す概略図。
【図２】 本発明による寸法測定方法を示す概略図。
【図３】 本発明による自動寸法測定装置の構成概略
図。
図。
【図４】 従来の寸法測定方法を示す概略図。
１ ラインパターン、 ２ 測定場所、 ３ ラインパターン、 ４ 測定場所、 ５ 測定場所の座標を設定するための十字印、 ６Ａ，６Ｂ 基準点、 ７Ａ，７Ｂ 基準点の座標を設定するための十字印、 ８ 実際に寸法を測定しようとするウエハ、 ９ ロードロックチャンバ、 １０ 真空チャンバ、 １１ ＸＹステージ、 １２ 光学顕微鏡、 １３ 電子顕微鏡。 １４ ＣＰＵ(コンピュータ)。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2F065 AA07 AA14 AA23 AA56 BB01 CC19 DD00 DD03 FF01 FF04 FF26 JJ03 JJ09 JJ26 MM03 PP02 PP12 PP24 QQ03 QQ25 QQ42 RR07 SS03 SS13 UU05 2F069 AA03 AA64 BB15 DD16 GG04 GG07 GG08 GG59 HH30 JJ14 KK10 MM24 NN25 2G051 AA51 AB20 CA11 DA07 EA14 EB01 EB02 EC02 FA10 4M106 AA01 CA39 CA50 DB05 DB21 DB30 DJ11 DJ20
Claims (4)
- 【請求項１】 ウエハ上に形成される所定の基準パター
ンについて、２以上の基準点と任意のパターン側定位置
とを設定し座標位置を決定する手段と、ウエハ上に形成
された被測定パターンについて前記基準パターンに対応
する基準点を確定し、この基準点から被測定パターン上
のパターン測定位置を決定する手段と、前記パターン測
定位置においてパターン寸法を測定する手段とを含むこ
とを特徴とするパターン測定装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載のウエハパターン測定装
置において、パターン寸法の測長結果を自動で集計し測
定位置毎のデータを統計処理する手段を含むことを特徴
とするパターン測定装置。 - 【請求項３】 ウエハ上に形成される所定の基準パター
ンについて、２以上の基準点と任意のパターン側定位置
とを設定し座標位置を決定するステップと、ウエハ上に
形成された被測定パターンについて前記基準パターンに
対応する基準点を確定し、この基準点から被測定パター
ン上のパターン測定位置を決定するステップと、前記パ
ターン測定位置においてパターン寸法を測定するステッ
プとを含むことを特徴とするパターン測定方法。 - 【請求項４】 請求項３に記載のウエハパターン測定方
法において、パターン寸法の測長結果を自動で集計し測
定位置毎のデータを統計処理するステップを含むことを
特徴とするパターン測定方法。
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|---|---|---|---|
| JP2000213565A JP3519348B2 (ja) | 2000-07-14 | 2000-07-14 | パターン測定装置及び測定方法 |
| KR1020000054768A KR100700467B1 (ko) | 2000-07-14 | 2000-09-19 | 패턴 측정 장치 및 측정 방법 |
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|---|---|---|---|
| JP2000213565A JP3519348B2 (ja) | 2000-07-14 | 2000-07-14 | パターン測定装置及び測定方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006251245A (ja) * | 2005-03-09 | 2006-09-21 | Nec Electronics Corp | 測長パターン、半導体装置および半導体装置の製造方法 |
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