JPH04342942A - 測長電子顕微鏡におけるパターンの断面形状表示方法 - Google Patents
測長電子顕微鏡におけるパターンの断面形状表示方法Info
- Publication number
- JPH04342942A JPH04342942A JP3116343A JP11634391A JPH04342942A JP H04342942 A JPH04342942 A JP H04342942A JP 3116343 A JP3116343 A JP 3116343A JP 11634391 A JP11634391 A JP 11634391A JP H04342942 A JPH04342942 A JP H04342942A
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- JP
- Japan
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- pattern
- photoresist
- resist
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- Pending
Links
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- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 33
- 101100042258 Neurospora crassa (strain ATCC 24698 / 74-OR23-1A / CBS 708.71 / DSM 1257 / FGSC 987) sem-1 gene Proteins 0.000 abstract description 11
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体製造装置にお
ける断面形状表示方法に関し、例えばフォトレジストな
どのような厚みのある材料のパターン形状を表示するよ
うな３次元画像の表示に適した方法である。
ける断面形状表示方法に関し、例えばフォトレジストな
どのような厚みのある材料のパターン形状を表示するよ
うな３次元画像の表示に適した方法である。
【０００２】
【従来の技術】従来より使用されている測長用の電子顕
微鏡（以降、ＳＥＭと略称する。）を使用して、例えば
ウエハに形成されたフォトレジストのパターンを測長し
、その結果を画像表示装置（ディスプレイ）に表示した
画像は、図５に示すように平面（２次元）の画像で、ウ
エハに形成されたフォトレジスト５のパターンの状態を
表示した場合、図５に示されているウエハに密着した部
分のフォトレジスト５、すなわちフォトレジスト５の底
面の幅Ａ、およびフォトレジスト５の上部の幅Ｂのみし
か表示できず、ウエハに形成されたフォトレジスト５の
厚みがどの程度で、どのような形状（３次元的に）をな
しているかを表示することは不可能であった。
微鏡（以降、ＳＥＭと略称する。）を使用して、例えば
ウエハに形成されたフォトレジストのパターンを測長し
、その結果を画像表示装置（ディスプレイ）に表示した
画像は、図５に示すように平面（２次元）の画像で、ウ
エハに形成されたフォトレジスト５のパターンの状態を
表示した場合、図５に示されているウエハに密着した部
分のフォトレジスト５、すなわちフォトレジスト５の底
面の幅Ａ、およびフォトレジスト５の上部の幅Ｂのみし
か表示できず、ウエハに形成されたフォトレジスト５の
厚みがどの程度で、どのような形状（３次元的に）をな
しているかを表示することは不可能であった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ウエハに形成されたフ
ォトレジストのパターンの厚さの確認が不可能な状況で
は、形成されたフォトレジストのパターンの厚さに薄い
部分があることを確認せずにエッチングを行うようなこ
とがおこり得る。フォトレジストは、例えばＳｉＯ２
などのエッチング時には表面の一部が侵されるので、フ
ォトレジストの厚さを確認しないでエッチングを行うと
、エッチング後のパターンが部分的に切断されたり、非
常に細くなったりして不良品のウエハが発生するおそれ
がある。
ォトレジストのパターンの厚さの確認が不可能な状況で
は、形成されたフォトレジストのパターンの厚さに薄い
部分があることを確認せずにエッチングを行うようなこ
とがおこり得る。フォトレジストは、例えばＳｉＯ２
などのエッチング時には表面の一部が侵されるので、フ
ォトレジストの厚さを確認しないでエッチングを行うと
、エッチング後のパターンが部分的に切断されたり、非
常に細くなったりして不良品のウエハが発生するおそれ
がある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】先に述べたような課題を
解決するために、この発明は、測長ＳＥＭに膜厚測定機
能を付加し、この測長ＳＥＭにより測定したフォトレジ
ストのパターンの線幅と、膜厚測定機能により測定した
膜厚の情報を演算処理してフォトレジストのパターンの
断面形状を近似的に求め、フォトレジストのパターンを
ディスプレイ上に２次元あるいは３次元画像として表示
する測長ＳＥＭにおけるパターンの断面形状表示方法を
採用する。
解決するために、この発明は、測長ＳＥＭに膜厚測定機
能を付加し、この測長ＳＥＭにより測定したフォトレジ
ストのパターンの線幅と、膜厚測定機能により測定した
膜厚の情報を演算処理してフォトレジストのパターンの
断面形状を近似的に求め、フォトレジストのパターンを
ディスプレイ上に２次元あるいは３次元画像として表示
する測長ＳＥＭにおけるパターンの断面形状表示方法を
採用する。
【０００５】
【作用】この発明では、測長ＳＥＭに膜厚測定機能を付
加し、この測長ＳＥＭにより測定したパターンの線幅と
、膜厚測定機能により測定した膜厚の情報を演算処理し
てフォトレジストのパターンの断面形状を近似的に求め
、フォトレジストのパターンをディスプレイ上に２次元
あるいは３次元画像として表示する測長ＳＥＭにおける
パターンの断面形状表示方法を採用することことにより
、形成されたフォトレジストのパターンの幅および厚み
を同時に表示することが可能となる。また、形成された
フォトレジストのパターンの断面形状も表示することが
可能となる。
加し、この測長ＳＥＭにより測定したパターンの線幅と
、膜厚測定機能により測定した膜厚の情報を演算処理し
てフォトレジストのパターンの断面形状を近似的に求め
、フォトレジストのパターンをディスプレイ上に２次元
あるいは３次元画像として表示する測長ＳＥＭにおける
パターンの断面形状表示方法を採用することことにより
、形成されたフォトレジストのパターンの幅および厚み
を同時に表示することが可能となる。また、形成された
フォトレジストのパターンの断面形状も表示することが
可能となる。
【０００６】
【実施例】以下、この発明の実施例を図面を参照して説
明する。
明する。
【０００７】図１はこの発明の一実施例の測長ＳＥＭに
おけるパターンの断面形状表示方法の概念を説明するた
めのブロック図、図２は測長するフォトレジストの一部
を拡大して表示した平面図、図３は２次元で表示したフ
ォトレジストの断面図、図４は３次元で表示したフォト
レジストの斜視図である。
おけるパターンの断面形状表示方法の概念を説明するた
めのブロック図、図２は測長するフォトレジストの一部
を拡大して表示した平面図、図３は２次元で表示したフ
ォトレジストの断面図、図４は３次元で表示したフォト
レジストの斜視図である。
【０００８】図１において、１は測長ＳＥＭ、２は膜厚
測定装置で測長ＳＥＭ１内に組み込んでも測長ＳＥＭ１
外に別に設けてもよい。膜厚測定装置２としては接触式
の表面粗さ計あるいは非接触で光学的に厚さを測定する
光学測定器などがある。３は演算処理装置、４はディス
プレイ、５は被測定物で、この発明の説明ではフォトレ
ジストで行うが、必ずしもフォトレジストに限定される
ものではなく、メタルパターンなどにも適用可能である
。
測定装置で測長ＳＥＭ１内に組み込んでも測長ＳＥＭ１
外に別に設けてもよい。膜厚測定装置２としては接触式
の表面粗さ計あるいは非接触で光学的に厚さを測定する
光学測定器などがある。３は演算処理装置、４はディス
プレイ、５は被測定物で、この発明の説明ではフォトレ
ジストで行うが、必ずしもフォトレジストに限定される
ものではなく、メタルパターンなどにも適用可能である
。
【０００９】図１に示すように測長ＳＥＭ１は図２に示
したフォトレジスト５の幅の測定を行う。膜厚測定装置
２に測長ＳＥＭ１内組み込み型を使用した場合は、測長
ＳＥＭ１でフォトレジスト５の幅の測定を行うと同時に
、測長ＳＥＭ１によるフォトレジスト５の幅の測定点６
のフォトレジスト５の厚さの測定を行うことが可能とな
る。測長ＳＥＭ１および膜厚測定装置２により測定され
たフォトレジスト５の幅および厚さのデータは演算処理
装置３に入力され演算処理が行われる。演算処理装置３
で演算処理が行われたデータはディスプレイ４に入力さ
れ表示される。
したフォトレジスト５の幅の測定を行う。膜厚測定装置
２に測長ＳＥＭ１内組み込み型を使用した場合は、測長
ＳＥＭ１でフォトレジスト５の幅の測定を行うと同時に
、測長ＳＥＭ１によるフォトレジスト５の幅の測定点６
のフォトレジスト５の厚さの測定を行うことが可能とな
る。測長ＳＥＭ１および膜厚測定装置２により測定され
たフォトレジスト５の幅および厚さのデータは演算処理
装置３に入力され演算処理が行われる。演算処理装置３
で演算処理が行われたデータはディスプレイ４に入力さ
れ表示される。
【００１０】ディスプレイ４に表示されるデータは、演
算処理装置３で２次元の演算処理が行われた場合、図３
の断面図に示すようにフォトレジスト５の底面の幅Ａ、
上部の幅Ｂおよび厚さＨが表示される。また、演算処理
装置３で３次元の演算処理が行われた場合、図４の斜視
図に示すようにフォトレジスト５の底面の幅Ａ、上部の
幅Ｂ、厚さＨおよびフォトレジスト５の形状が表示され
る。
算処理装置３で２次元の演算処理が行われた場合、図３
の断面図に示すようにフォトレジスト５の底面の幅Ａ、
上部の幅Ｂおよび厚さＨが表示される。また、演算処理
装置３で３次元の演算処理が行われた場合、図４の斜視
図に示すようにフォトレジスト５の底面の幅Ａ、上部の
幅Ｂ、厚さＨおよびフォトレジスト５の形状が表示され
る。
【００１１】膜厚測定装置２を測長ＳＥＭ１外に別に設
けたものを使用する場合は、測長ＳＥＭ１でフォトレジ
スト５の幅を測定したのち、測長ＳＥＭ１によるフォト
レジスト５の幅の測定点６のフォトレジスト５の厚さを
測定する。そして、測長ＳＥＭ１および膜厚測定装置２
により測定されたフォトレジスト５の幅および厚さのデ
ータは演算処理装置３に入力され演算処理が行われる。 演算処理装置３で演算処理が行われたデータは、ディス
プレイ４に入力され表示される。
けたものを使用する場合は、測長ＳＥＭ１でフォトレジ
スト５の幅を測定したのち、測長ＳＥＭ１によるフォト
レジスト５の幅の測定点６のフォトレジスト５の厚さを
測定する。そして、測長ＳＥＭ１および膜厚測定装置２
により測定されたフォトレジスト５の幅および厚さのデ
ータは演算処理装置３に入力され演算処理が行われる。 演算処理装置３で演算処理が行われたデータは、ディス
プレイ４に入力され表示される。
【００１２】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、測長
ＳＥＭに膜厚測定機能を付加し、この測長ＳＥＭにより
測定したパターンの線幅と、膜厚測定機能により測定し
た膜厚の情報を演算処理してフォトレジストのパターン
の断面形状を近似的に求め、フォトレジストのパターン
をディスプレイ上に２次元あるいは３次元画像として表
示する測長ＳＥＭにおけるパターンの断面形状表示方法
を採用することことにより、形成されたフォトレジスト
のパターンの幅および厚みを同時に表示することが可能
となるだけでなく、形成されたフォトレジストのパター
ンの断面形状も表示することが可能となり、エッチング
によるフォトレジストのパターンの変化による不良品の
発生を防止できる。また、３次元的なレジストプロファ
イルを表示させることにより、レジスト、露光装置、プ
ロセスの評価用ツールとして、より重要なものとなる。
ＳＥＭに膜厚測定機能を付加し、この測長ＳＥＭにより
測定したパターンの線幅と、膜厚測定機能により測定し
た膜厚の情報を演算処理してフォトレジストのパターン
の断面形状を近似的に求め、フォトレジストのパターン
をディスプレイ上に２次元あるいは３次元画像として表
示する測長ＳＥＭにおけるパターンの断面形状表示方法
を採用することことにより、形成されたフォトレジスト
のパターンの幅および厚みを同時に表示することが可能
となるだけでなく、形成されたフォトレジストのパター
ンの断面形状も表示することが可能となり、エッチング
によるフォトレジストのパターンの変化による不良品の
発生を防止できる。また、３次元的なレジストプロファ
イルを表示させることにより、レジスト、露光装置、プ
ロセスの評価用ツールとして、より重要なものとなる。
【図１】この発明の一実施例の測長ＳＥＭにおけるパタ
ーンの断面形状表示方法の概念を説明するためのブロッ
ク図。
ーンの断面形状表示方法の概念を説明するためのブロッ
ク図。
【図２】測長するフォトレジストの一部を拡大して表示
した平面図。
した平面図。
【図３】２次元で表示したフォトレジストの断面図。
【図４】３次元で表示したフォトレジストの斜視図。
【図５】従来技術で測定したフォトレジストの平面図で
ある。
ある。
１ 測長ＳＥＭ
２ 膜厚測定装置
３ 演算処理装置
４ ディスプレイ
５ 被測定物（フォトレジスト）６ 測定
点
点
Claims (1)
- 【請求項１】測長電子顕微鏡に膜厚測定機能を付加し、
前記測長電子顕微鏡により測定したパターンの線幅と、
前記膜厚測定機能により測定した膜厚の情報を演算処理
して前記パターンの断面形状を近似的に求め、画像表示
装置上に前記パターンの断面形状を２次元あるいは３次
元画像として表示することを特徴とする測長電子顕微鏡
におけるパターンの断面形状表示方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3116343A JPH04342942A (ja) | 1991-05-21 | 1991-05-21 | 測長電子顕微鏡におけるパターンの断面形状表示方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3116343A JPH04342942A (ja) | 1991-05-21 | 1991-05-21 | 測長電子顕微鏡におけるパターンの断面形状表示方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04342942A true JPH04342942A (ja) | 1992-11-30 |
Family
ID=14684601
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3116343A Pending JPH04342942A (ja) | 1991-05-21 | 1991-05-21 | 測長電子顕微鏡におけるパターンの断面形状表示方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04342942A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6894790B2 (en) | 2001-11-13 | 2005-05-17 | Hitachi High-Technologies Corporation | Micropattern shape measuring system and method |
| US7038767B2 (en) | 2001-11-13 | 2006-05-02 | Hitachi High-Technologies Corporation | Three-dimensional micropattern profile measuring system and method |
| US7483560B2 (en) | 2003-01-17 | 2009-01-27 | Hitachi High-Technologies Corporation | Method for measuring three dimensional shape of a fine pattern |
| CN108548507A (zh) * | 2018-04-16 | 2018-09-18 | 郑州翱翔医药科技股份有限公司 | 一种药用覆膜胶塞膜厚度的检测方法 |
-
1991
- 1991-05-21 JP JP3116343A patent/JPH04342942A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6894790B2 (en) | 2001-11-13 | 2005-05-17 | Hitachi High-Technologies Corporation | Micropattern shape measuring system and method |
| US7038767B2 (en) | 2001-11-13 | 2006-05-02 | Hitachi High-Technologies Corporation | Three-dimensional micropattern profile measuring system and method |
| US7130063B2 (en) | 2001-11-13 | 2006-10-31 | Hitachi High-Technologies Corporation | Micropattern shape measuring system and method |
| US7483560B2 (en) | 2003-01-17 | 2009-01-27 | Hitachi High-Technologies Corporation | Method for measuring three dimensional shape of a fine pattern |
| CN108548507A (zh) * | 2018-04-16 | 2018-09-18 | 郑州翱翔医药科技股份有限公司 | 一种药用覆膜胶塞膜厚度的检测方法 |
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