JP2002029780A - 透明絶縁性被膜成形用低融点ガラス - Google Patents
透明絶縁性被膜成形用低融点ガラスInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 幅広い温度範囲での焼成が可能であり、脱泡
性も良好で透明性、透視性に優れ、透明電極線、バス電
極線の侵食も抑制できる透明絶縁性被膜成形用低融点ガ
ラス。 【解決手段】 表示パネル用基板に配した透明電極線お
よびバス電極線のパターン上に透明な絶縁性被膜を形成
するための低融点ガラスであって、低融点ガラスが軟化
点440〜490℃の低融点ガラス粉(Ａ) と、軟化点510〜58
0℃の低融点ガラス粉(Ｂ) との混合物からなり、ガラス
粉(Ａ）：ガラス粉(Ｂ）の混合重量％が、40：60〜70：
30であり、両ガラス粉(Ａ)、(Ｂ）計100重量％中に合わ
せて１〜４重量％の透明電極成分酸化物、および０〜0.
7重量％のバス電極成分酸化物を含有する透明絶縁性被
膜成形用低融点ガラス。
性も良好で透明性、透視性に優れ、透明電極線、バス電
極線の侵食も抑制できる透明絶縁性被膜成形用低融点ガ
ラス。 【解決手段】 表示パネル用基板に配した透明電極線お
よびバス電極線のパターン上に透明な絶縁性被膜を形成
するための低融点ガラスであって、低融点ガラスが軟化
点440〜490℃の低融点ガラス粉(Ａ) と、軟化点510〜58
0℃の低融点ガラス粉(Ｂ) との混合物からなり、ガラス
粉(Ａ）：ガラス粉(Ｂ）の混合重量％が、40：60〜70：
30であり、両ガラス粉(Ａ)、(Ｂ）計100重量％中に合わ
せて１〜４重量％の透明電極成分酸化物、および０〜0.
7重量％のバス電極成分酸化物を含有する透明絶縁性被
膜成形用低融点ガラス。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はプラズマディスプレ
イパネル（ＰＤＰ）や蛍光表示体（ＶＦＤ）等の表示パ
ネルのガラス基板上に配した電極線パターンを透明・透
視性かつ絶縁性に富むガラスで被覆するうえで好適な低
融点ガラスに関する。
イパネル（ＰＤＰ）や蛍光表示体（ＶＦＤ）等の表示パ
ネルのガラス基板上に配した電極線パターンを透明・透
視性かつ絶縁性に富むガラスで被覆するうえで好適な低
融点ガラスに関する。
【０００２】
【従来の技術】特開平10−326563号公報には、プラズマ
ディスプレイパネルにおける誘電体層（絶縁被覆層）
を、軟化点の異なる少なくとも２種のガラス粉末を含む
混合体より形成することが開示されている。
ディスプレイパネルにおける誘電体層（絶縁被覆層）
を、軟化点の異なる少なくとも２種のガラス粉末を含む
混合体より形成することが開示されている。
【０００３】特開2000−86285号公報には、特にプラズ
マディスプレイパネルにおける誘電体層を、軟化点およ
び熱膨張係数を特定した低融点ガラスと、それとは軟化
点および熱膨張係数の異なる中融点ガラスとを特定割合
で混合して形成することが開示されている。
マディスプレイパネルにおける誘電体層を、軟化点およ
び熱膨張係数を特定した低融点ガラスと、それとは軟化
点および熱膨張係数の異なる中融点ガラスとを特定割合
で混合して形成することが開示されている。
【０００４】これら公知例は、透明電極線およびバス電
極線パターンの侵食に着目しておらず、これを可及的に
抑制することについては開示、示唆していない。
極線パターンの侵食に着目しておらず、これを可及的に
抑制することについては開示、示唆していない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、低融点ガラ
スの焼成、ガラス基板への膜形成は、ガラス基板が熱変
形し難い温度、すなわち600℃以下で行なわれる。低融
点ガラスは前記温度以下で融化、流動化し、介在泡の抜
け（脱泡）を容易とするためには、なるべく低軟化点の
ガラスであることが好ましいが、他方ガラスの流動性が
増大すると予め基板上に配した透明電極線、バス電極線
の配線パターンを侵食し、その導電性能を損なうという
不具合がある。これに対し、予め低融点ガラス中に透明
電極成分酸化物およびバス電極成分酸化物を含有させて
おけば可及的に前記電極線への侵食を抑制することがで
きる。
スの焼成、ガラス基板への膜形成は、ガラス基板が熱変
形し難い温度、すなわち600℃以下で行なわれる。低融
点ガラスは前記温度以下で融化、流動化し、介在泡の抜
け（脱泡）を容易とするためには、なるべく低軟化点の
ガラスであることが好ましいが、他方ガラスの流動性が
増大すると予め基板上に配した透明電極線、バス電極線
の配線パターンを侵食し、その導電性能を損なうという
不具合がある。これに対し、予め低融点ガラス中に透明
電極成分酸化物およびバス電極成分酸化物を含有させて
おけば可及的に前記電極線への侵食を抑制することがで
きる。
【０００６】しかしながら、前記脱泡を容易とし電極線
への侵食を抑制する好適焼成温度はきわめて狭い温度領
域に限られる。実際の焼成温度領域は基板が大面積化
し、基板自体の面内温度差が生じ易く、また焼成炉の簡
素化、焼成コストの低減が叫ばれる近年においては、20
℃（±10℃）程度の温度幅が必要であるが、前記好適焼
成温度の温度幅は高々10℃（±５℃）以下であり、これ
を外れると細泡の残留があり、それにより透視性を損な
い、可視光透過率を低下させる。あるいは電極線の侵食
が著しくなり、導電性能を劣化させるという不具合があ
る。
への侵食を抑制する好適焼成温度はきわめて狭い温度領
域に限られる。実際の焼成温度領域は基板が大面積化
し、基板自体の面内温度差が生じ易く、また焼成炉の簡
素化、焼成コストの低減が叫ばれる近年においては、20
℃（±10℃）程度の温度幅が必要であるが、前記好適焼
成温度の温度幅は高々10℃（±５℃）以下であり、これ
を外れると細泡の残留があり、それにより透視性を損な
い、可視光透過率を低下させる。あるいは電極線の侵食
が著しくなり、導電性能を劣化させるという不具合があ
る。
【０００７】本発明は、上記不具合に鑑み、焼成温度域
を拡大し、大面積のパネル基板の焼成に好適で、簡素か
つ温度分布の生じ易い焼成炉においても好適に焼成でき
る透明絶縁性被膜成形用低融点ガラスを提供することを
目的とする。
を拡大し、大面積のパネル基板の焼成に好適で、簡素か
つ温度分布の生じ易い焼成炉においても好適に焼成でき
る透明絶縁性被膜成形用低融点ガラスを提供することを
目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、表示パネル用
基板に配した透明電極線およびバス電極線のパターン上
に透明な絶縁性被膜を形成するための低融点ガラスであ
って、低融点ガラスが軟化点440〜490℃の低融点ガラス
粉(Ａ) と、軟化点510〜580℃の低融点ガラス粉(Ｂ) と
の混合物からなり、ガラス粉(Ａ）：ガラス粉(Ｂ）の混
合重量％が、40：60〜70：30であり、両ガラス粉(Ａ)、
(Ｂ）計100重量％中に合わせて１〜４重量％の透明電極
成分酸化物、および０〜0.7重量％のバス電極成分酸化
物を含有する透明絶縁性被膜成形用低融点ガラスであ
る。
基板に配した透明電極線およびバス電極線のパターン上
に透明な絶縁性被膜を形成するための低融点ガラスであ
って、低融点ガラスが軟化点440〜490℃の低融点ガラス
粉(Ａ) と、軟化点510〜580℃の低融点ガラス粉(Ｂ) と
の混合物からなり、ガラス粉(Ａ）：ガラス粉(Ｂ）の混
合重量％が、40：60〜70：30であり、両ガラス粉(Ａ)、
(Ｂ）計100重量％中に合わせて１〜４重量％の透明電極
成分酸化物、および０〜0.7重量％のバス電極成分酸化
物を含有する透明絶縁性被膜成形用低融点ガラスであ
る。
【０００９】前記において透明電極成分酸化物がIn2O3
および／またはSnO2であることが好ましい。
および／またはSnO2であることが好ましい。
【００１０】さらにバス電極成分酸化物がCuOであるこ
とが好ましい。
とが好ましい。
【００１１】更に低融点ガラス粉(Ａ）の透明電極成分
酸化物含有量が２〜６重量％であることが好ましい。
酸化物含有量が２〜６重量％であることが好ましい。
【００１２】加えて両ガラス粉(Ａ)、(Ｂ）計100重量％
中に合わせて0.1重量％以上のバス電極成分酸化物を有
することが好ましい。
中に合わせて0.1重量％以上のバス電極成分酸化物を有
することが好ましい。
【００１３】更に加えて、低融点ガラス粉(Ａ）のバス
電極成分酸化物含有量が0.1〜0.5重量％であることが好
ましい。
電極成分酸化物含有量が0.1〜0.5重量％であることが好
ましい。
【００１４】なお、いずれのガラス粉(Ａ)、(Ｂ）とも70
〜85×10-7／℃の熱膨張係数を有することが好ましい。
〜85×10-7／℃の熱膨張係数を有することが好ましい。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下ＰＤＰの例を挙げて説明す
る。ＰＤＰの前面基板の上側、すなわちパネル内面側に
は、SnO2、ＩＴＯなどによる透明電極線のパターンが施
され、更に前記透明電極線に沿って、Cu、Agなどの金属
による細いバス電極線が施される。バス電極線はきわめ
て導電性に富み、前記透明電極線への通電を幇助するも
ので、前記導電性に富む金属、例えばCuに、Cr／Cu／Cr
のように耐食、耐熱性金属との積層構造を採るケースも
ある。なお、それら電極線の形成は、ＣＶＤ法、ＰＶＤ
法、各種印刷法等の適宜手段が採用される。
る。ＰＤＰの前面基板の上側、すなわちパネル内面側に
は、SnO2、ＩＴＯなどによる透明電極線のパターンが施
され、更に前記透明電極線に沿って、Cu、Agなどの金属
による細いバス電極線が施される。バス電極線はきわめ
て導電性に富み、前記透明電極線への通電を幇助するも
ので、前記導電性に富む金属、例えばCuに、Cr／Cu／Cr
のように耐食、耐熱性金属との積層構造を採るケースも
ある。なお、それら電極線の形成は、ＣＶＤ法、ＰＶＤ
法、各種印刷法等の適宜手段が採用される。
【００１６】前記電極線を含む前面基板上面全面には、
低融点ガラスよりなる透明な絶縁被覆層を施すもので、
当該分野では誘電体層とも称する。本発明は前記誘電体
層に係るものである。
低融点ガラスよりなる透明な絶縁被覆層を施すもので、
当該分野では誘電体層とも称する。本発明は前記誘電体
層に係るものである。
【００１７】本発明は、軟化点の異なる２種のガラスフ
リットから成り、その混合により600℃以下において30
℃以上の広い焼成温度範囲で良好な焼付け性、脱泡性を
有する。また、透明電極成分酸化物、バス電極成分酸化
物を含有させたことにより、それら電極線の侵食、導電
性能の低下を最小限に抑えることができる。
リットから成り、その混合により600℃以下において30
℃以上の広い焼成温度範囲で良好な焼付け性、脱泡性を
有する。また、透明電極成分酸化物、バス電極成分酸化
物を含有させたことにより、それら電極線の侵食、導電
性能の低下を最小限に抑えることができる。
【００１８】図１は本発明のガラス（Ａ)、（Ｂ）を低融
点ガラス粉として用い、横軸にそれら温度（焼成温
度）、縦軸に焼成度合いを示した概略模式図である。焼
成度合いとは、各ガラス粉の温度が高くなるに従いガラ
ス粉の融化・流動化が進んで脱泡が良好となり、他方ガ
ラス粉の流動化が過多となると、予め基板に配した透明
電極線、バス電極線の侵食傾向が増大し、いわゆる過剰
焼成となるが、脱泡性が良好でかつ上記電極線の侵食を
抑制できる状態が焼成度合いが高いと評価できるもので
あり、本発明においては、一方または双方のガラス粉中
に前記電極成分酸化物を含ませることにより電極線の侵
食を可及的に抑制できるものではあるが、勿論その含有
量にも限度がある。
点ガラス粉として用い、横軸にそれら温度（焼成温
度）、縦軸に焼成度合いを示した概略模式図である。焼
成度合いとは、各ガラス粉の温度が高くなるに従いガラ
ス粉の融化・流動化が進んで脱泡が良好となり、他方ガ
ラス粉の流動化が過多となると、予め基板に配した透明
電極線、バス電極線の侵食傾向が増大し、いわゆる過剰
焼成となるが、脱泡性が良好でかつ上記電極線の侵食を
抑制できる状態が焼成度合いが高いと評価できるもので
あり、本発明においては、一方または双方のガラス粉中
に前記電極成分酸化物を含ませることにより電極線の侵
食を可及的に抑制できるものではあるが、勿論その含有
量にも限度がある。
【００１９】図示のとおり、各ガラス粉（Ａ)、（Ｂ）は
好適焼成温度領域をピークとする山形を示すが、両ガラ
ス粉（Ａ)、（Ｂ）を混合した混合ガラス粉は好適焼成温
度領域を拡大することができる。なお、焼成時間は0.5
〜１時間であり、時間経過とともに両ガラス粉（Ａ)、
（Ｂ）は融和し、混合ガラス粉の好適焼成温度領域は漸
次変化してゆくが、焼成前段階においてはほぼ図示の状
態となる。
好適焼成温度領域をピークとする山形を示すが、両ガラ
ス粉（Ａ)、（Ｂ）を混合した混合ガラス粉は好適焼成温
度領域を拡大することができる。なお、焼成時間は0.5
〜１時間であり、時間経過とともに両ガラス粉（Ａ)、
（Ｂ）は融和し、混合ガラス粉の好適焼成温度領域は漸
次変化してゆくが、焼成前段階においてはほぼ図示の状
態となる。
【００２０】本発明において、低融点ガラス粉(Ａ)の軟
化点は440〜490℃の範囲とするものであり、低融点ガラ
ス粉（Ｂ）との関係もあるが、440℃未満では上記焼成
温度範囲においてガラスの流動性が増大し、いかに透明
電極成分酸化物、バス電極成分酸化物を含有させたとは
いえそれら電極の侵食が顕著となる。490℃を越えると
低融点ガラス粉（Ｂ）のそれと近接し過ぎて好適焼成温
度領域の充分な拡大は見込めない。なお、低融点ガラス
粉（Ａ）の熱膨張係数は基板ガラスのそれに近似させ、
70〜85×10-7／℃とするのが好ましい。低融点ガラス粉
（Ａ）の基本成分組成は限定するものではなく、PbO−Z
nO系、P2O5−B2O3系、B2O3−ZnO系、P2O 5−ZnO系、それ
らに適宜アルカリ金属酸化物を含むものなど、各種のも
のが適用できる。
化点は440〜490℃の範囲とするものであり、低融点ガラ
ス粉（Ｂ）との関係もあるが、440℃未満では上記焼成
温度範囲においてガラスの流動性が増大し、いかに透明
電極成分酸化物、バス電極成分酸化物を含有させたとは
いえそれら電極の侵食が顕著となる。490℃を越えると
低融点ガラス粉（Ｂ）のそれと近接し過ぎて好適焼成温
度領域の充分な拡大は見込めない。なお、低融点ガラス
粉（Ａ）の熱膨張係数は基板ガラスのそれに近似させ、
70〜85×10-7／℃とするのが好ましい。低融点ガラス粉
（Ａ）の基本成分組成は限定するものではなく、PbO−Z
nO系、P2O5−B2O3系、B2O3−ZnO系、P2O 5−ZnO系、それ
らに適宜アルカリ金属酸化物を含むものなど、各種のも
のが適用できる。
【００２１】低融点ガラス粉（Ａ）および低融点ガラス
粉（Ｂ）にはその合計量100重量％中１〜４重量％の透
明電極成分酸化物、例えば透明電極がSnO2系（この系の
多くはSnO2−Ｆである）の場合はSnO2を、ＩＴＯ（In2O
3−SnO2系）の場合はIn2O3またはSnO2を、より好ましく
はIn2O3およびSnO2双方をガラス中に含有させる。透明
電極成分酸化物は低融点ガラス合計量中１重量％未満で
あると、透明電極の侵食を効果的に抑制し難く、４重量
％を超えると可視光透過率が減じられまたガラスコスト
を上昇する。
粉（Ｂ）にはその合計量100重量％中１〜４重量％の透
明電極成分酸化物、例えば透明電極がSnO2系（この系の
多くはSnO2−Ｆである）の場合はSnO2を、ＩＴＯ（In2O
3−SnO2系）の場合はIn2O3またはSnO2を、より好ましく
はIn2O3およびSnO2双方をガラス中に含有させる。透明
電極成分酸化物は低融点ガラス合計量中１重量％未満で
あると、透明電極の侵食を効果的に抑制し難く、４重量
％を超えると可視光透過率が減じられまたガラスコスト
を上昇する。
【００２２】特に軟化点が低く流動性に富む低融点ガラ
ス粉（Ａ）は、低融点ガラス粉（Ｂ）に比べ透明電極を
侵食し易いので透明電極成分酸化物をより多く含むのが
好ましく、低融点ガラス粉 (Ａ）と低融点ガラス粉
(Ｂ）との混合割合にもよるが、低融点ガラス粉 (Ａ）
の透明電極成分酸化物含有量を２〜６重量％とするのが
よい。低融点ガラス粉 (Ｂ)の透明電極成分酸化物含有
量は、前記低融点ガラス粉（Ａ)、(Ｂ）合計量中の規制
範囲、および低融点ガラス粉（Ａ）中の好適範囲から勘
案して設計するものであるが、より好ましくは０〜２重
量％の範囲とするのがよい。
ス粉（Ａ）は、低融点ガラス粉（Ｂ）に比べ透明電極を
侵食し易いので透明電極成分酸化物をより多く含むのが
好ましく、低融点ガラス粉 (Ａ）と低融点ガラス粉
(Ｂ）との混合割合にもよるが、低融点ガラス粉 (Ａ）
の透明電極成分酸化物含有量を２〜６重量％とするのが
よい。低融点ガラス粉 (Ｂ)の透明電極成分酸化物含有
量は、前記低融点ガラス粉（Ａ)、(Ｂ）合計量中の規制
範囲、および低融点ガラス粉（Ａ）中の好適範囲から勘
案して設計するものであるが、より好ましくは０〜２重
量％の範囲とするのがよい。
【００２３】なお、焼成の前期においては、低融点ガラ
ス（Ａ）の流動化が進行し、透明電極線に密着するが、
透明電極線と低融点ガラス（Ａ）を含む層の間に高濃度
の透明電極成分酸化物とガラス成分とを含む結晶が析
出、介在することが確認されており、この結晶は透明電
極線の侵食から保護する作用を有するものであるが、焼
成の後期においては低融点ガラス粉（Ａ)、(Ｂ）の融和
とともにガラス中に拡散、消失し、ガラス（被膜）の透
明性に悪影響を及ぼすものではない。
ス（Ａ）の流動化が進行し、透明電極線に密着するが、
透明電極線と低融点ガラス（Ａ）を含む層の間に高濃度
の透明電極成分酸化物とガラス成分とを含む結晶が析
出、介在することが確認されており、この結晶は透明電
極線の侵食から保護する作用を有するものであるが、焼
成の後期においては低融点ガラス粉（Ａ)、(Ｂ）の融和
とともにガラス中に拡散、消失し、ガラス（被膜）の透
明性に悪影響を及ぼすものではない。
【００２４】更に、低融点ガラス粉（Ａ）および低融点
ガラス粉（Ｂ）にはその合計量100重量％中０〜0.7重量
％、より好ましくは0.1〜0.7重量％のバス電極成分酸化
物（バス電極は殆どCuであり、その場合のバス電極成分
酸化物はCuOである）をガラス中に含有させる。バス電
極成分酸化物は低融点ガラス合計量中0.1重量％以上と
することによりバス電極線の侵食を効果的に抑制でき
る。但し0.7重量％を越えるとバス電極形成金属イオン
（Cuイオン）による着色が顕著となり、可視光透過率を
低下させる。
ガラス粉（Ｂ）にはその合計量100重量％中０〜0.7重量
％、より好ましくは0.1〜0.7重量％のバス電極成分酸化
物（バス電極は殆どCuであり、その場合のバス電極成分
酸化物はCuOである）をガラス中に含有させる。バス電
極成分酸化物は低融点ガラス合計量中0.1重量％以上と
することによりバス電極線の侵食を効果的に抑制でき
る。但し0.7重量％を越えるとバス電極形成金属イオン
（Cuイオン）による着色が顕著となり、可視光透過率を
低下させる。
【００２５】軟化点が低く流動性に富む低融点ガラス粉
（Ａ）は、低融点ガラス粉（Ｂ）に比べバス電極を侵食
し易いのでバス電極成分酸化物（CuO）の混入が望まし
いが、他方低融点ガラス粉（Ａ）に混入したバス電極成
分酸化物（CuO）が過量に存在すると、それが透明電極
線に作用、反応して透明電極線を侵食するので0.5重量
％以下に留めるべきであり、すなわち低融点ガラス粉
(Ａ）のバス電極成分酸化物含有量は0.1〜0.5重量％と
するのがよい。低融点ガラス粉 (Ｂ)のバス電極成分酸
化物含有量は、前記低融点ガラス粉（Ａ)、(Ｂ）合計量
中の規制範囲、および低融点ガラス粉（Ａ）中の好適範
囲から勘案して設計するものであるが、より好ましくは
0.1〜1.0重量％の範囲とするのがよい。
（Ａ）は、低融点ガラス粉（Ｂ）に比べバス電極を侵食
し易いのでバス電極成分酸化物（CuO）の混入が望まし
いが、他方低融点ガラス粉（Ａ）に混入したバス電極成
分酸化物（CuO）が過量に存在すると、それが透明電極
線に作用、反応して透明電極線を侵食するので0.5重量
％以下に留めるべきであり、すなわち低融点ガラス粉
(Ａ）のバス電極成分酸化物含有量は0.1〜0.5重量％と
するのがよい。低融点ガラス粉 (Ｂ)のバス電極成分酸
化物含有量は、前記低融点ガラス粉（Ａ)、(Ｂ）合計量
中の規制範囲、および低融点ガラス粉（Ａ）中の好適範
囲から勘案して設計するものであるが、より好ましくは
0.1〜1.0重量％の範囲とするのがよい。
【００２６】なお、特に低融点ガラス中の好適範囲内で
のCuOの存在は、そのCuイオンによりＰＤＰにおける青
色発光を顕示するフィルター作用があり、青色発光がや
や劣るＰＤＰにおいては格好の光選択透過材料でもあ
る。
のCuOの存在は、そのCuイオンによりＰＤＰにおける青
色発光を顕示するフィルター作用があり、青色発光がや
や劣るＰＤＰにおいては格好の光選択透過材料でもあ
る。
【００２７】低融点ガラス粉(Ｂ)の軟化点は510〜580℃
の範囲とするものであり、低融点ガラス粉（Ａ）との関
係によるが、510℃未満では低融点ガラス粉（Ａ）の軟
化点と接近するため焼成温度領域の拡大が不充分であ
り、580℃を越えると基板の焼成可能上限温度、すなわ
ち基板が熱変形し難い上限温度である600℃に近接する
ためするため充分なる焼成が見込めない。
の範囲とするものであり、低融点ガラス粉（Ａ）との関
係によるが、510℃未満では低融点ガラス粉（Ａ）の軟
化点と接近するため焼成温度領域の拡大が不充分であ
り、580℃を越えると基板の焼成可能上限温度、すなわ
ち基板が熱変形し難い上限温度である600℃に近接する
ためするため充分なる焼成が見込めない。
【００２８】低融点ガラス粉(Ｂ)からなるガラスの熱膨
張係数は低融点ガラス粉（Ａ）の場合と同様、基板ガラ
スのそれに近似させ、70〜85×10-7／℃とするのが好ま
しい。
張係数は低融点ガラス粉（Ａ）の場合と同様、基板ガラ
スのそれに近似させ、70〜85×10-7／℃とするのが好ま
しい。
【００２９】低融点ガラス粉(Ｂ)の基本成分組成は限定
するものではなく、低融点ガラス粉(Ａ) と同様、PbO−
ZnO系、P2O5−B2O3系、B2O3−ZnO系、P2O5−ZnO系、そ
れらに適宜アルカリ金属酸化物を含むものなど、各種の
ものが適用できるが、低融点ガラス粉(Ａ) との不混
和、乳濁を生じさせないためには同一成分系であるのが
好ましい。
するものではなく、低融点ガラス粉(Ａ) と同様、PbO−
ZnO系、P2O5−B2O3系、B2O3−ZnO系、P2O5−ZnO系、そ
れらに適宜アルカリ金属酸化物を含むものなど、各種の
ものが適用できるが、低融点ガラス粉(Ａ) との不混
和、乳濁を生じさせないためには同一成分系であるのが
好ましい。
【００３０】低融点ガラス粉(Ａ) ：低融点ガラス粉
(Ｂ)の混合重量比率(％）は、40：60〜70：30とするも
のであり、低融点ガラス粉(Ａ）がその範囲より過小で
あると、全体の焼成温度を高くする必要が生じ、焼成時
の脱泡を困難とする恐れがあり、低融点ガラス粉(Ａ）
がその範囲より過大であると、焼成温度領域の好ましい
拡大が望めない。
(Ｂ)の混合重量比率(％）は、40：60〜70：30とするも
のであり、低融点ガラス粉(Ａ）がその範囲より過小で
あると、全体の焼成温度を高くする必要が生じ、焼成時
の脱泡を困難とする恐れがあり、低融点ガラス粉(Ａ）
がその範囲より過大であると、焼成温度領域の好ましい
拡大が望めない。
【００３１】それら低融点ガラス粉(Ａ)、(Ｂ）は、公知
の熱可塑性樹脂、溶剤、可塑剤などとともに混合してペ
ースト状となし、基板に配した透明電極線パターン、バ
ス電極線パターンを含む基板片面全面に、フローコート
法、スピンコート法、ロールコート法、刷毛塗り法、各
種印刷法などの適宜手段により塗布される。更に乾燥後
所望温度で焼成するもので、焼成後の好適膜厚は30μm
前後とされている。なお、別の手段として、前記ペース
トに換えて濃密なシート状に成形することもでき、該シ
ートを基板に密着させたうえで焼成に付す方法も採用で
きる。
の熱可塑性樹脂、溶剤、可塑剤などとともに混合してペ
ースト状となし、基板に配した透明電極線パターン、バ
ス電極線パターンを含む基板片面全面に、フローコート
法、スピンコート法、ロールコート法、刷毛塗り法、各
種印刷法などの適宜手段により塗布される。更に乾燥後
所望温度で焼成するもので、焼成後の好適膜厚は30μm
前後とされている。なお、別の手段として、前記ペース
トに換えて濃密なシート状に成形することもでき、該シ
ートを基板に密着させたうえで焼成に付す方法も採用で
きる。
【００３２】
【実施例および比較例】（実施例）セントラル硝子(株)
で製作した軟化点440〜490℃の低融点ガラス粉（Ａ）
と、軟化点510〜580℃の低融点ガラス粉（Ｂ）を準備し
た。ガラス組成、軟化点、熱膨張係数α(×10-7／℃）
は表１，表２に示す。それらのガラスは最大粒径10μm
φ以下、平均粒径２〜３μmφとし、熱可塑性樹脂、溶
剤、可塑剤などとともに表３に示す割合で混合してペー
スト状と為し、フローコート法により、予め透明電極線
パターン、バス電極線パターンを施したソーダ石灰系ガ
ラス基板上に塗布した。なお、焼成後の膜厚は30μmと
なるべく、塗布量を調整した。次いで乾燥後、焼成炉内
で表３に示す焼成温度−時間（時間は全ての試料におい
て45分と同一とした）で焼成した。
で製作した軟化点440〜490℃の低融点ガラス粉（Ａ）
と、軟化点510〜580℃の低融点ガラス粉（Ｂ）を準備し
た。ガラス組成、軟化点、熱膨張係数α(×10-7／℃）
は表１，表２に示す。それらのガラスは最大粒径10μm
φ以下、平均粒径２〜３μmφとし、熱可塑性樹脂、溶
剤、可塑剤などとともに表３に示す割合で混合してペー
スト状と為し、フローコート法により、予め透明電極線
パターン、バス電極線パターンを施したソーダ石灰系ガ
ラス基板上に塗布した。なお、焼成後の膜厚は30μmと
なるべく、塗布量を調整した。次いで乾燥後、焼成炉内
で表３に示す焼成温度−時間（時間は全ての試料におい
て45分と同一とした）で焼成した。
【００３３】焼成後試料を取り出し、以下の試験に供し
た。可視光透過率の測定 ：微細泡の残留は可視光透過率に著
しく影響する。従って可視光透過率を測定し、可視光透
過率が高いものは残留泡がなく、良好であると評価でき
る。分光光度計による測定で可視光透過率が85％以上、
目視で泡が認められないものを良（○）、可視光透過率
が80％以上85％未満で、目視では泡が若干認められるも
のを不充分（△）、可視光透過率が80％未満で、明らか
に泡が認められるものを不良（×）で評価した。透明電極の浸食の有無の観察 ：試料の透明電極線部分を
拡大鏡下で観察し、外観上変化無い場合を良（○）、膜
面に微小な穴が発生している場合を不充分（△）、穴が
拡大し穴相互が接続している場合を不良（×）で評価し
た。バス電極の侵食の有無の観察 ：試料のバス電極部分を拡
大鏡下で観察し、外観上変化無い場合を良（○）、膜面
に微小な泡が発生する等反応が認められるものを不充分
（△）、泡の発生が多く、反応が明確なものを不良
（×）で評価した。結果を表３に示す。
た。可視光透過率の測定 ：微細泡の残留は可視光透過率に著
しく影響する。従って可視光透過率を測定し、可視光透
過率が高いものは残留泡がなく、良好であると評価でき
る。分光光度計による測定で可視光透過率が85％以上、
目視で泡が認められないものを良（○）、可視光透過率
が80％以上85％未満で、目視では泡が若干認められるも
のを不充分（△）、可視光透過率が80％未満で、明らか
に泡が認められるものを不良（×）で評価した。透明電極の浸食の有無の観察 ：試料の透明電極線部分を
拡大鏡下で観察し、外観上変化無い場合を良（○）、膜
面に微小な穴が発生している場合を不充分（△）、穴が
拡大し穴相互が接続している場合を不良（×）で評価し
た。バス電極の侵食の有無の観察 ：試料のバス電極部分を拡
大鏡下で観察し、外観上変化無い場合を良（○）、膜面
に微小な泡が発生する等反応が認められるものを不充分
（△）、泡の発生が多く、反応が明確なものを不良
（×）で評価した。結果を表３に示す。
【００３４】（比較例）セントラル硝子(株)で製作した
軟化点の低い低融点ガラス粉（Ａ'）と、軟化点の高い
低融点ガラス粉（Ｂ'）を準備した。ガラス組成、軟化
点、熱膨張係数α(×10-7／℃）は表４に示す。それら
のガラスは実施例同様にガラス粒径を整え、熱可塑性樹
脂、溶剤、可塑剤などとともに表５に示す割合で混合し
てペースト状と為し、実施例同様にソーダ石灰系ガラス
基板上に塗布した。なお、焼成後の膜厚は30μmとなる
べく、塗布量を調整した。次いで乾燥後、焼成炉内で表
５に示す焼成温度−時間（実施例と同様、全ての試料に
おいて45分焼成）で焼成した。
軟化点の低い低融点ガラス粉（Ａ'）と、軟化点の高い
低融点ガラス粉（Ｂ'）を準備した。ガラス組成、軟化
点、熱膨張係数α(×10-7／℃）は表４に示す。それら
のガラスは実施例同様にガラス粒径を整え、熱可塑性樹
脂、溶剤、可塑剤などとともに表５に示す割合で混合し
てペースト状と為し、実施例同様にソーダ石灰系ガラス
基板上に塗布した。なお、焼成後の膜厚は30μmとなる
べく、塗布量を調整した。次いで乾燥後、焼成炉内で表
５に示す焼成温度−時間（実施例と同様、全ての試料に
おいて45分焼成）で焼成した。
【００３５】焼成後試料を取り出し、実施例と全く同様
に、可視光透過率の測定、透明電極の侵食の有無の観
察、バス電極の侵食の有無の観察測定を行い評価した。
結果を表５に示す。
に、可視光透過率の測定、透明電極の侵食の有無の観
察、バス電極の侵食の有無の観察測定を行い評価した。
結果を表５に示す。
【００３６】表３（実施例）、表５（比較例）から明ら
かなように、本実施例範囲のものは幅広い温度範囲での
焼成が可能であり、脱泡性も良好で透明性、透視性に優
れ、透明電極線、バス電極線の侵食も抑制できるという
効果を奏する。
かなように、本実施例範囲のものは幅広い温度範囲での
焼成が可能であり、脱泡性も良好で透明性、透視性に優
れ、透明電極線、バス電極線の侵食も抑制できるという
効果を奏する。
【００３７】
【表１】
【００３８】
【表２】
【００３９】
【表３】
【００４０】
【表４】
【００４１】
【表５】
【００４２】
【発明の効果】本発明によれば、幅広い温度範囲での焼
成が可能であり、脱泡性も良好で透明性、透視性に優
れ、透明電極線、バス電極線の侵食も抑制できるという
効果を奏する。
成が可能であり、脱泡性も良好で透明性、透視性に優
れ、透明電極線、バス電極線の侵食も抑制できるという
効果を奏する。
【図１】横軸に低融点ガラス粉の温度、縦軸に焼成度合
いを示したガラス粉の焼成温度と焼成度合いに係る概略
模式図である。
いを示したガラス粉の焼成温度と焼成度合いに係る概略
模式図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G062 AA08 AA09 BB04 DA03 DB03 DC04 DC05 DD01 DE03 DE04 DF04 DF05 DF06 DF07 EA01 EB01 EC01 ED01 EE01 EF01 EG03 EG04 FA01 FB01 FC01 FD01 FE02 FF01 FG01 FH01 FJ01 FK01 FL01 GA01 GA10 GB01 GC01 GD01 GE01 HH01 HH03 HH04 HH05 HH06 HH07 HH09 HH11 HH13 HH15 HH17 HH20 JJ01 JJ03 JJ05 JJ07 JJ10 KK01 KK03 KK05 KK07 KK10 MM07 MM25 NN29 NN32 5C040 GD07 KA09 KB01 KB11 MA25
Claims (7)
- 【請求項１】表示パネル用基板に配した透明電極線およ
びバス電極線のパターン上に透明な絶縁性被膜を形成す
るための低融点ガラスであって、低融点ガラスが軟化点
440〜490℃の低融点ガラス粉(Ａ) と、軟化点510〜580
℃の低融点ガラス粉(Ｂ) との混合物からなり、ガラス
粉(Ａ）：ガラス粉(Ｂ）の混合重量％が、40：60〜70：
30であり、両ガラス粉(Ａ)、(Ｂ）計100重量％中に合わ
せて１〜４重量％の透明電極成分酸化物、および０〜0.
7重量％のバス電極成分酸化物を含有することを特徴と
する透明絶縁性被膜成形用低融点ガラス。 - 【請求項２】透明電極成分酸化物がIn2O3および／また
はSnO2であることを特徴とする請求項１記載の透明絶縁
性被膜成形用低融点ガラス。 - 【請求項３】バス電極成分酸化物がCuOであることを特
徴とする請求項１記載の透明絶縁性被膜成形用低融点ガ
ラス。 - 【請求項４】低融点ガラス粉(Ａ）の透明電極成分酸化
物含有量が２〜６重量％であることを特徴とする請求項
１または２記載の透明絶縁性被膜成形用低融点ガラス。 - 【請求項５】両ガラス粉(Ａ)、(Ｂ）計100重量％中に合
わせて0.1重量％以上のバス電極成分酸化物を有するこ
とを特徴とする請求項１または３記載の透明絶縁性被膜
成形用低融点ガラス。 - 【請求項６】低融点ガラス粉(Ａ）のバス電極成分酸化
物含有量が0.1〜0.5重量％であることを特徴とする請求
項１または２記載の透明絶縁性被膜成形用低融点ガラ
ス。 - 【請求項７】いずれのガラス粉(Ａ)、(Ｂ）とも70〜85×
10-7／℃の熱膨張係数を有することを特徴とする請求項
１ないし５いずれか１項記載の透明絶縁性被膜成形用低
融点ガラス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000216461A JP2002029780A (ja) | 2000-07-17 | 2000-07-17 | 透明絶縁性被膜成形用低融点ガラス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000216461A JP2002029780A (ja) | 2000-07-17 | 2000-07-17 | 透明絶縁性被膜成形用低融点ガラス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002029780A true JP2002029780A (ja) | 2002-01-29 |
Family
ID=18711726
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000216461A Pending JP2002029780A (ja) | 2000-07-17 | 2000-07-17 | 透明絶縁性被膜成形用低融点ガラス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002029780A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008162848A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Central Glass Co Ltd | プラズマディスプレイ用ガラスセラミックス材料 |
| JP2014028740A (ja) * | 2012-04-17 | 2014-02-13 | Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc | 太陽電池接点用導電性厚膜ペーストのためのテルル無機反応系 |
-
2000
- 2000-07-17 JP JP2000216461A patent/JP2002029780A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008162848A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Central Glass Co Ltd | プラズマディスプレイ用ガラスセラミックス材料 |
| JP2014028740A (ja) * | 2012-04-17 | 2014-02-13 | Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc | 太陽電池接点用導電性厚膜ペーストのためのテルル無機反応系 |
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Effective date: 20070123 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
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| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070605 |