JP2002025095A - 光ピックアップ装置 - Google Patents
光ピックアップ装置Info
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- JP2002025095A JP2002025095A JP2000207720A JP2000207720A JP2002025095A JP 2002025095 A JP2002025095 A JP 2002025095A JP 2000207720 A JP2000207720 A JP 2000207720A JP 2000207720 A JP2000207720 A JP 2000207720A JP 2002025095 A JP2002025095 A JP 2002025095A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光ピックアップ装置の回路基板の放熱性を向
上させる。 【解決する手段】 本体部１から突出して回路基板５が
取り付けられており、該回路基板５は、レーザ発光部２
から発光するレーザパワーが略一定となるように機能
し、該回路基板５が、回路基板５で発生する不要輻射を
低減するシールドケース６で包囲され、該シールドケー
ス６は導電状態に本体部に固定され、回路基板５を挟む
シールドケース６の２つの壁面と回路基板５との間には
絶縁性熱伝達シート７、７が挟圧状態に介装されてい
る。
上させる。 【解決する手段】 本体部１から突出して回路基板５が
取り付けられており、該回路基板５は、レーザ発光部２
から発光するレーザパワーが略一定となるように機能
し、該回路基板５が、回路基板５で発生する不要輻射を
低減するシールドケース６で包囲され、該シールドケー
ス６は導電状態に本体部に固定され、回路基板５を挟む
シールドケース６の２つの壁面と回路基板５との間には
絶縁性熱伝達シート７、７が挟圧状態に介装されてい
る。
Description
【０００１】本発明は、光ディスクにレーザを照射して
情報の記録及び／又は再生を行うための光ピックアップ
装置に関するものである。
情報の記録及び／又は再生を行うための光ピックアップ
装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】図１、
図５に示す如く、光ピックアップ装置は、本体部(１)上
に、レーザ発光部(２)、該レーザ発光部(２)からの光を
集光させる対物レンズ(３)、その集光した光束がディス
ク(８)で反射することにより変調された光を検出し電気
信号に変換し出力するセンサー(４)を具え、レーザの周
波数やパワーが略一定となるようコントロールする回路
基板(５)を本体部(１)の側面から突出して設けている。
光ピックアップ装置は、ガイド軸(10)(10)上をディスク
(８)と平行な面内でディスクの半径方向に移動して、情
報の記録又は再生を行う。
図５に示す如く、光ピックアップ装置は、本体部(１)上
に、レーザ発光部(２)、該レーザ発光部(２)からの光を
集光させる対物レンズ(３)、その集光した光束がディス
ク(８)で反射することにより変調された光を検出し電気
信号に変換し出力するセンサー(４)を具え、レーザの周
波数やパワーが略一定となるようコントロールする回路
基板(５)を本体部(１)の側面から突出して設けている。
光ピックアップ装置は、ガイド軸(10)(10)上をディスク
(８)と平行な面内でディスクの半径方向に移動して、情
報の記録又は再生を行う。
【０００３】ディスク(８)に記録された信号を再生する
際、ディスク(８)で反射したレーザの戻り光によるノイ
ズを低減するためにレーザの発光を回路基板(５)によっ
て約３００ＭＨｚの周波数に高周波変調している。この
高周波レベルによって発生する不要輻射が外部に伝播す
ることを防止するため回路基板(５)はシールドケース
(６)によってシールドされている。
際、ディスク(８)で反射したレーザの戻り光によるノイ
ズを低減するためにレーザの発光を回路基板(５)によっ
て約３００ＭＨｚの周波数に高周波変調している。この
高周波レベルによって発生する不要輻射が外部に伝播す
ることを防止するため回路基板(５)はシールドケース
(６)によってシールドされている。
【０００４】又、前記の如く光ピックアップ装置は、レ
ーザのパワーが略一定となるよう回路基板(５)で制御さ
れる。しかし、該回路基板(５)は、周囲の温度が変化す
ることでレーザパワーに変化(パワードリフト)が生じ、
その結果、レーザパワーが設定されていた最適値からず
れて再生信号の劣化を招来する。
ーザのパワーが略一定となるよう回路基板(５)で制御さ
れる。しかし、該回路基板(５)は、周囲の温度が変化す
ることでレーザパワーに変化(パワードリフト)が生じ、
その結果、レーザパワーが設定されていた最適値からず
れて再生信号の劣化を招来する。
【０００５】熱の発生源として回路基板(５)自身を挙げ
ることができる。回路基板(５)のオートパワーコントロ
ール集積回路(ＡＰＣ ＩＣ)(51)が駆動時に発熱するた
めである。パワードリフトを低減させるには回路基板
(５)の発熱を効率よく放熱させなければならない。
ることができる。回路基板(５)のオートパワーコントロ
ール集積回路(ＡＰＣ ＩＣ)(51)が駆動時に発熱するた
めである。パワードリフトを低減させるには回路基板
(５)の発熱を効率よく放熱させなければならない。
【０００６】ところが、ＡＰＣ ＩＣ(51)を含む回路基
板(５)は前記の如く、シールドケース(６)に包囲されて
放熱が難しい。しかも、回路基板(５)上の電子素子とケ
ースの壁面は短絡を防止するために最小でも０.５mm程
度離れて配置されているため、回路基板(５)の発熱はシ
ールドケース(６)に伝わり難く、シールドケース(６)へ
の熱伝達による放熱も十分ではない。
板(５)は前記の如く、シールドケース(６)に包囲されて
放熱が難しい。しかも、回路基板(５)上の電子素子とケ
ースの壁面は短絡を防止するために最小でも０.５mm程
度離れて配置されているため、回路基板(５)の発熱はシ
ールドケース(６)に伝わり難く、シールドケース(６)へ
の熱伝達による放熱も十分ではない。
【０００７】本発明は、回路基板(５)の発熱をシールド
ケース(６)に伝わり易い構造とすることにより、シール
ドケース(６)を放熱体とし機能させてレーザのパワード
リフトを抑えることができる光ピックアップ装置を提供
するものである。
ケース(６)に伝わり易い構造とすることにより、シール
ドケース(６)を放熱体とし機能させてレーザのパワード
リフトを抑えることができる光ピックアップ装置を提供
するものである。
【０００８】
【課題を解決する手段】本発明の光ピックアップ装置
は、レーザ発光部(２)から発光するレーザパワーが略一
定となるように機能する回路基板(５)が、光ピックアッ
プ装置の本体部(１)から突出して取り付けられ、該回路
基板(５)は、該基板から発生する不要輻射を低減するシ
ールドケース(６)で包囲され、該シールドケース(６)は
導電状態に本体部に固定され、回路基板(５)を挟むシー
ルドケース(６)の２つの壁面と回路基板(５)との間には
絶縁性熱伝達シート(７)(７)が挟圧状態に介装されてい
る。
は、レーザ発光部(２)から発光するレーザパワーが略一
定となるように機能する回路基板(５)が、光ピックアッ
プ装置の本体部(１)から突出して取り付けられ、該回路
基板(５)は、該基板から発生する不要輻射を低減するシ
ールドケース(６)で包囲され、該シールドケース(６)は
導電状態に本体部に固定され、回路基板(５)を挟むシー
ルドケース(６)の２つの壁面と回路基板(５)との間には
絶縁性熱伝達シート(７)(７)が挟圧状態に介装されてい
る。
【０００９】具体的には、シールドケース(６)は、回路
基板(５)の一方の面に被さるケース半体(61)と他方の面
に被さるケース半体(62)から成り、夫々のケース半体(6
1)(62)は、半田付け(60)によって回路基板(５)に固定さ
れ、一方のケース半体(61)が本体部(１)にビス止め固定
されている。
基板(５)の一方の面に被さるケース半体(61)と他方の面
に被さるケース半体(62)から成り、夫々のケース半体(6
1)(62)は、半田付け(60)によって回路基板(５)に固定さ
れ、一方のケース半体(61)が本体部(１)にビス止め固定
されている。
【００１０】
【作用及び効果】回路基板(５)を挟むシールドケース
(６)の２つの壁面と回路基板(５)との間には絶縁性熱伝
達シート(７)(７)が挟圧状態に介装されているから、回
路基板(５)からの発熱は、絶縁性熱伝達シート(７)(７)
を介してシールドケース(６)に伝達し放熱される。放熱
効果が向上することによって、レーザのパワードリフト
が低減し再生信号品質の劣化を防止できる。
(６)の２つの壁面と回路基板(５)との間には絶縁性熱伝
達シート(７)(７)が挟圧状態に介装されているから、回
路基板(５)からの発熱は、絶縁性熱伝達シート(７)(７)
を介してシールドケース(６)に伝達し放熱される。放熱
効果が向上することによって、レーザのパワードリフト
が低減し再生信号品質の劣化を防止できる。
【００１１】シールドケース(６)を２つのケース半体(6
1)(62)にて構成し、回路基板(５)の両面にケース半体(6
1)(62)を被せて回路基板(５)に半田付け(60)することに
より、各ケース半体(61)(62)と回路基板(５)との間に介
在する絶縁性熱伝達シート(７)(７)が、ケース半体と回
路基板(５)の両者に接触した状態に保持され、放熱効果
は低下しない。
1)(62)にて構成し、回路基板(５)の両面にケース半体(6
1)(62)を被せて回路基板(５)に半田付け(60)することに
より、各ケース半体(61)(62)と回路基板(５)との間に介
在する絶縁性熱伝達シート(７)(７)が、ケース半体と回
路基板(５)の両者に接触した状態に保持され、放熱効果
は低下しない。
【００１２】ケース半体(61)をビス(65)にて本体部(１)
に固定することにより、ケース半体(61)(62)と本体部
(１)の接触部及びビス(65)を介して本体部(１)にも熱が
伝達し、本体部(１)からも放熱がなされるため、一層放
熱効果を高めることができる。
に固定することにより、ケース半体(61)(62)と本体部
(１)の接触部及びビス(65)を介して本体部(１)にも熱が
伝達し、本体部(１)からも放熱がなされるため、一層放
熱効果を高めることができる。
【００１３】
【実施の形態】図１(本発明と従来例を兼用している)乃
至図３において、従来例で説明した構成部品については
同一の符号を付して、説明を省略する。アルミニューム
ダイキャスト製本体部(１)は、長手方向に沿う一方の側
面に、該側面及び上面の２面が開口する切欠(11)を開設
し、該切欠(11)から回路基板(５)を側方へ突出してい
る。回路基板(５)は、切欠(11)の外側にて矩形状に拡大
している。回路基板(５)の拡大部(50)にシールドケース
(６)が被さっている。
至図３において、従来例で説明した構成部品については
同一の符号を付して、説明を省略する。アルミニューム
ダイキャスト製本体部(１)は、長手方向に沿う一方の側
面に、該側面及び上面の２面が開口する切欠(11)を開設
し、該切欠(11)から回路基板(５)を側方へ突出してい
る。回路基板(５)は、切欠(11)の外側にて矩形状に拡大
している。回路基板(５)の拡大部(50)にシールドケース
(６)が被さっている。
【００１４】シールドケース(６)は、下面開口のケース
半体(61)と上面開口のケース半体(62)の２つのケース半
体(61)(62)にて構成される。両ケース半体(61)(62)は互
いに開口側輪郭が、回路基板(５)の矩形拡大部(50)より
も少し小さい矩形である直方体に形成されている。ケー
ス半体(61)(62)の深さは、回路基板(５)の板面から上下
に突出した電子素子の最大突出高さよりも僅か大きく、
実施例では０.５mm大きい。
半体(61)と上面開口のケース半体(62)の２つのケース半
体(61)(62)にて構成される。両ケース半体(61)(62)は互
いに開口側輪郭が、回路基板(５)の矩形拡大部(50)より
も少し小さい矩形である直方体に形成されている。ケー
ス半体(61)(62)の深さは、回路基板(５)の板面から上下
に突出した電子素子の最大突出高さよりも僅か大きく、
実施例では０.５mm大きい。
【００１５】上方のケース半体(61)の開口縁に前記本体
部(１)の切欠に嵌まる固定片(63)が開口面の延長上に突
設されている。該固定片(63)にはビス挿通孔(64)が開設
されている。両ケース半体(61)(62)の内底面に夫々絶縁
性熱伝達シート(７)が貼着される。
部(１)の切欠に嵌まる固定片(63)が開口面の延長上に突
設されている。該固定片(63)にはビス挿通孔(64)が開設
されている。両ケース半体(61)(62)の内底面に夫々絶縁
性熱伝達シート(７)が貼着される。
【００１６】実施例の絶縁性熱伝達シート(７)は、表面
に保護フィルム(図示せず)が被さったゲル状の市販のシ
リコーンシートをケース半体(61)(62)の底壁(66)より僅
か小さくカットしたものであり、シート厚みは回路基板
(５)にケース半体(61)(62)を被せた状態での回路基板
(５)とケース半体(61)(62)の底壁との間の最小隙間より
も少し大きい。絶縁性熱伝達シート(７)は、予め保護フ
ィルムを剥がして自身の粘着性によりケース半体(61)(6
2)の内底面に貼着されている。
に保護フィルム(図示せず)が被さったゲル状の市販のシ
リコーンシートをケース半体(61)(62)の底壁(66)より僅
か小さくカットしたものであり、シート厚みは回路基板
(５)にケース半体(61)(62)を被せた状態での回路基板
(５)とケース半体(61)(62)の底壁との間の最小隙間より
も少し大きい。絶縁性熱伝達シート(７)は、予め保護フ
ィルムを剥がして自身の粘着性によりケース半体(61)(6
2)の内底面に貼着されている。
【００１７】然して、本体部(１)から臨出した回路基板
(５)の矩形の拡大部(50)に対して、上下方向からケース
半体(61)(62)を被せ、上方のケース半体(61)の固定片(6
3)を本体部(１)の切欠(11)に嵌め、ビス挿通孔(64)に挿
通したビス挿通孔(64)を回路基板(５)の孔(52)を貫通し
て本体部(１)に締め付ける。
(５)の矩形の拡大部(50)に対して、上下方向からケース
半体(61)(62)を被せ、上方のケース半体(61)の固定片(6
3)を本体部(１)の切欠(11)に嵌め、ビス挿通孔(64)に挿
通したビス挿通孔(64)を回路基板(５)の孔(52)を貫通し
て本体部(１)に締め付ける。
【００１８】ケース半体(61)(62)の開口縁を回路基板
(５)の板面に密着させた状態で、即ち、回路基板(５)と
ケース半体(61)(62)とによって絶縁性熱伝達シート(７)
(７)を挟圧した状態で、ケース半体(61)(62)の開口縁と
回路基板(５)を夫々複数箇所で半田付け(60)する。
(５)の板面に密着させた状態で、即ち、回路基板(５)と
ケース半体(61)(62)とによって絶縁性熱伝達シート(７)
(７)を挟圧した状態で、ケース半体(61)(62)の開口縁と
回路基板(５)を夫々複数箇所で半田付け(60)する。
【００１９】下方のケース半体(62)は、回路基板(５)の
スルーホール(図示せず)や、ケース半体(61)(62)を固定
する回路基板(５)の両面の半田付け(60)(60)を回路基板
(５)の側縁を迂回して繋ぐとによって、上方のケース半
体(61)に電気的に接続される。
スルーホール(図示せず)や、ケース半体(61)(62)を固定
する回路基板(５)の両面の半田付け(60)(60)を回路基板
(５)の側縁を迂回して繋ぐとによって、上方のケース半
体(61)に電気的に接続される。
【００２０】回路基板(５)を挟むシールドケース(６)の
２つの壁面と回路基板(５)との間には絶縁性熱伝達シー
ト(７)(７)が挟圧状態に介装されて、回路基板(５)とケ
ース半体(61)(62)の０.５mmの隙間は絶縁性熱伝達シー
ト(７)(７)で埋められているから、回路基板(５)からの
発熱は、絶縁性熱伝達シート(７)(７)を介してシールド
ケース(６)に熱伝達し放熱される。従来の様に、シール
ドケース(６)の２つの壁面と回路基板(５)との間に隙間
が存在して、空気層を介して回路基板(５)の発熱がシー
ルドケース(６)に伝達される場合に較べて、本発明では
放熱効果が著しく向上するため、レーザのパワードリフ
トが低減し再生信号品質の劣化を防止できる。
２つの壁面と回路基板(５)との間には絶縁性熱伝達シー
ト(７)(７)が挟圧状態に介装されて、回路基板(５)とケ
ース半体(61)(62)の０.５mmの隙間は絶縁性熱伝達シー
ト(７)(７)で埋められているから、回路基板(５)からの
発熱は、絶縁性熱伝達シート(７)(７)を介してシールド
ケース(６)に熱伝達し放熱される。従来の様に、シール
ドケース(６)の２つの壁面と回路基板(５)との間に隙間
が存在して、空気層を介して回路基板(５)の発熱がシー
ルドケース(６)に伝達される場合に較べて、本発明では
放熱効果が著しく向上するため、レーザのパワードリフ
トが低減し再生信号品質の劣化を防止できる。
【００２１】シールドケース(６)を２つのケース半体(6
1)(62)にて構成し、回路基板(５)の両面にケース半体(6
1)(62)を被せて回路基板(５)に半田付け(60)することに
より、各ケース半体(61)(62)と回路基板(５)との間に介
在する絶縁性熱伝達シート(７)(７)が、ケース半体と回
路基板(５)の両者に接触した状態に保たれ、放熱効果が
低下することはない。
1)(62)にて構成し、回路基板(５)の両面にケース半体(6
1)(62)を被せて回路基板(５)に半田付け(60)することに
より、各ケース半体(61)(62)と回路基板(５)との間に介
在する絶縁性熱伝達シート(７)(７)が、ケース半体と回
路基板(５)の両者に接触した状態に保たれ、放熱効果が
低下することはない。
【００２２】ゲル状シリコーンシートは、滑りが悪いた
め、回路基板(５)に対してその板面に沿う様に被せるこ
とは極めて作業性が悪いが、本発明ではケース半体(61)
(62)を回路基板(５)の真上から被せて、絶縁性熱伝達シ
ート(７)を回路基板(５)に当てるため、シリコーンシー
トの滑りの悪さは組立作業性に何ら影響しない。
め、回路基板(５)に対してその板面に沿う様に被せるこ
とは極めて作業性が悪いが、本発明ではケース半体(61)
(62)を回路基板(５)の真上から被せて、絶縁性熱伝達シ
ート(７)を回路基板(５)に当てるため、シリコーンシー
トの滑りの悪さは組立作業性に何ら影響しない。
【００２３】ケース半体(61)をビス(65)にて本体部(１)
に固定することにより、ケース半体(61)(62)と本体部
(１)の接触部及びビス(65)を介して本体部(１)にも熱が
伝導し、本体部(１)からも放熱がなされるため、一層放
熱効果を高めることができる。
に固定することにより、ケース半体(61)(62)と本体部
(１)の接触部及びビス(65)を介して本体部(１)にも熱が
伝導し、本体部(１)からも放熱がなされるため、一層放
熱効果を高めることができる。
【００２４】本発明は上記実施例の構成に限定されるこ
とはなく、特許請求の範囲に記載の範囲で種々の変形が
可能である。
とはなく、特許請求の範囲に記載の範囲で種々の変形が
可能である。
【図１】光ピックアップ装置の正面図である。
【図２】本発明の図１Ａ−Ａ線断面図である。
【図３】シールドケースを外した状態の光ピックアップ
の斜面図である。
の斜面図である。
【図４】図３Ｂ−Ｂ線に沿う断面図である。
【図５】従来例の図１Ａ−Ａ線断面図である。
(１) 本体部 (11) 切欠 (５) 回路基板 (60) 半田付け (６) シールドケース (61) ケース半体 (62) ケース半体 (63) 固定片 (７) 絶縁性熱伝達シート
Claims (2)
- 【請求項１】 レーザ発光部(２)から発光するレーザパ
ワーが略一定となるように機能する回路基板(５)が、光
ピックアップ装置の本体部(１)から突出して取り付けら
れ、該回路基板(５)は、該基板から発生する不要輻射を
低減するシールドケース(６)で包囲され、該シールドケ
ース(６)は導電状態に本体部(１)に固定され、回路基板
(５)を挟むシールドケース(６)の２つの壁面と回路基板
(５)との間には絶縁性熱伝達シート(７)(７)が挟圧状態
に介装されている光ピックアップ装置。 - 【請求項２】 シールドケース(６)は、回路基板(５)の
一方の面に被さるケース半体(61)と他方の面に被さるケ
ース半体(62)とから成り、夫々のケース半体(61)(62)
は、半田付け(60)によって回路基板(５)に固定され、一
方のケース半体(61)が本体部(１)にビス止め固定されて
いる請求項１に記載の光ピックアップ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000207720A JP2002025095A (ja) | 2000-07-10 | 2000-07-10 | 光ピックアップ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000207720A JP2002025095A (ja) | 2000-07-10 | 2000-07-10 | 光ピックアップ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002025095A true JP2002025095A (ja) | 2002-01-25 |
Family
ID=18704435
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000207720A Pending JP2002025095A (ja) | 2000-07-10 | 2000-07-10 | 光ピックアップ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002025095A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004103729A (ja) * | 2002-09-06 | 2004-04-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光モジュール |
-
2000
- 2000-07-10 JP JP2000207720A patent/JP2002025095A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004103729A (ja) * | 2002-09-06 | 2004-04-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光モジュール |
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