JP2002022845A

JP2002022845A - 放射線検出器

Info

Publication number: JP2002022845A
Application number: JP2000201081A
Authority: JP
Inventors: Ikuo Jinno; 郁夫神野; Megumi Shinada; 恵品田
Original assignee: Shimadzu Corp
Current assignee: Shimadzu Corp
Priority date: 2000-07-03
Filing date: 2000-07-03
Publication date: 2002-01-23

Abstract

(57)【要約】【課題】エネルギー分解能が高く、有感面積の大きな放
射線検出器を提供する。【解決手段】この発明の放射線検出器は、相互に分離さ
れた４個の常伝導体３Ａ〜３Ｄが単体の超伝導体２を共
通して使うようにＮＩＳ接合を形成するとともに、電気
接続体５Ａ〜５Ｃを相互に熱的絶縁を維持した状態で電
気的に連結された構成をしている。つまり、４個の常伝
導体３Ａ〜３Ｄが１個の放射線吸収体として機能するの
で、有感面積は４倍となり、各常伝導体３Ａ〜３Ｄは熱
的にはそれぞれが独立した吸収体として機能する。その
結果、検出信号の強度は、４個の常伝導体３Ａ〜３Ｄの
いずれかに放射線が実際に入射した常伝導体単独の小さ
な面積に相当する検出信号レベルの高いものとなり、エ
ネルギー分解能が維持される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体の不純物
検査，微量元素分析，微小領域のＸ線分析，Ｘ線蛍光分
析，物理学実験などに用いられる超伝導体を利用した放
射線検出器に係り、特に有感面積の拡大を図るための技
術に関する。

【０００２】

【従来の技術】放射線検出器として超伝導体を利用した
放射線検出器がある。この放射線検出器は、図１０およ
び図１１に示すように、薄膜状の超伝導体（Ｓ）２１と
薄膜状の常伝導体（Ｎ）２２との間に薄膜状の絶縁体
（Ｉ）２０を間に挟んでＮＩＳ接合を形成している。こ
の常伝導体２２が検出対象の放射線を吸収する放射線吸
収体（以下、適宜「吸収体」と略記する）となってい
る。つまり、吸収体用の常伝導体２２で吸収された放射
線からエネルギーを貰って励起された電子がＮＩＳ接合
を越えてトンネル電流となって流れ出すことを利用して
放射線の検出を行う構成となっている。すなわち、ＮＩ
Ｓ型放射線検出器とも呼ばれ、放射線吸収体が常伝導体
であるので吸収体材料の選択幅が広く、特にＸ線を検出
するのに利用されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成を有する従来のＮＩＳ型放射線検出器は、有感
面積が小さく測定時間を短くすることが難しいという問
題がある。ＮＩＳ型放射線検出器の場合、放射線吸収体
の面積は小さいほど熱容量が小さくて放射線吸収による
昇温効果（電子の励起効果）が大きくなるので、吸収体
の面積が小さいほど、同一放射線に対する検出信号のレ
ベルが高くなる（エネルギー分解能が良くなる）。逆に
吸収体の面積が大きいほど、同一放射線に対する検出信
号のレベルが低くなる（エネルギー分解能が悪くなる）
という検出特性を持っている。

【０００４】一方、放射線吸収体の面積は放射線検出器
の有感面積でもあるので、吸収体の面積が大きいほど有
感面積も大きくなり、単位時間当たりの検出信号の量が
増加して短時間で測定を終了することができる。つまり
実用上は、有感面積が大きいほど好ましい。しかし、有
感面積を大きくして測定時間の短縮を図ろうとすると、
上記のように、エネルギー分解能が悪くなるといった問
題がある。つまり有感面積とエネルギー分解能は互いに
相反する関係にあるので、単純に有感面積を大きくして
測定時間を短くすることはできないのである。

【０００５】この発明は、上記事情に鑑みてされたもの
であって、エネルギー分解能を落とさずに有感面積を大
きくすることができる放射線検出器を提供することを主
たる目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、請求項１の発明に係る放射線検出器は、常伝導体
（Ｎ）と超伝導体（Ｓ）との間に絶縁体（Ｉ）を挟んで
形成されたＮＩＳ接合を備え、前記常伝導体が検出対象
の放射線を吸収する放射線吸収体となっている放射線検
出器において、前記常伝導体は、面方向に分離されて複
数個あり、前記超伝導体は、各常伝導体に共通に使われ
る単体であり、かつ、各常伝導体は、相互の熱的絶縁を
維持した状態で電気接続体によって電気的に連結されて
いる。

【０００７】また、請求項２に記載の発明は、請求項１
に記載の放射線検出器において、電気接続体は、超伝導
金属である。

【０００８】また、請求項３に記載の発明は、請求項１
に記載の放射線検出器において、電気接続体は、常伝導
金属である。

【０００９】〔作用〕次に、この発明に係る放射線検出
器における作用を説明する。請求項１の発明の放射線検
出器による放射線検出では、超伝導現象の起こる温度に
検出器が冷却される。そして、面方向に互いに分離され
るようにして設けられた複数個の常伝導体のいずれか１
個に検出対象の放射線が入射すれば、放射線の吸収に伴
い電子が励起されてトンネル電流が検出信号として流れ
出すことにより放射線検出が行われる。

【００１０】そして、この発明の放射線検出器の場合、
各常伝導体は、面方向に分離されるように設けられてい
るが、単体の超伝導体を共通して使うようにＮＩＳ接合
を形成するとともに、電気接続体により電気的にひとつ
に連結されていてる。そして、この放射線検出器で検出
された検出信号は、放射線がどの常伝導体に入射したか
に係わりなく出力されるので、複数個の常伝導体が全て
一つに纏まって実質的に１個の放射線吸収体として機能
する。その結果、有感面積は各常伝導体の面積を合計し
た広い面積のものとなる。

【００１１】さらに、各常伝導体は電気的にはひとつに
結ばれていても、常伝導体同士の間の熱的絶縁は維持さ
れた状態で連結されているので、各常伝導体は熱的には
それぞれが独立した放射線吸収体として機能している。
そして、検出信号のレベルは、単に全常伝導体の面積を
合計した広い面積に相応したものではなく、複数個の常
伝導体のうち放射線が実際に入射した常伝導体単独の小
さな面積に相応した高い検出信号レベルとなる。つま
り、高いエネルギー分解能が維持される。

【００１２】また、請求項２の発明の放射線検出器で
は、常伝導体同士を電気的に連結する電気接続体が超伝
導金属からなり、隣接する常伝導体同士の間に電子障壁
が形成されている。つまり、各常伝導体で生じた励起電
子が他の常伝導体へ移動することなく直ちに検出信号と
して出力される。したがって、検出信号の波形は立ち上
がりが急勾配なものとなるので、応答速度が上げられ
る。

【００１３】また、請求項３の発明の放射線検出器で
は、隣接する常伝導体同士を連結する電気接続体が常伝
導金属からなり、隣接する常伝導体同士の間に電子障壁
は形成されない。つまり、各常伝導体で生じた励起電子
は他の常伝導体の方へ移動を伴いながら検出信号として
出力される。したがって、検出信号の波形は放射線が入
射した常伝導体の位置を反映したものになるので、検出
信号の波形から放射線が入射した常伝導体、すなわち、
放射線の入射位置が特定される。

【００１４】

【発明の実施の形態】〈第１実施例〉この発明の一実施
例を図面を参照しながら説明する。図１は、この実施例
に係る放射線検出器の要部構成を示す平面図、図２は第
１実施例の放射線検出器の要部構成を示す断面図であっ
て、図２は図１におけるＡ−Ａ断面を示している。

【００１５】この実施例の放射線検出器では、図１に示
すように、薄膜状の絶縁体（Ｉ）１を間に挟んで薄膜状
の超伝導体（Ｓ）２および４個の薄膜状の常伝導体
（Ｎ）３Ａ〜３Ｄが設けられたＮＩＳ接合を形成してい
る。つまり、絶縁基板４の表面に超伝導体２、絶縁体
１、常伝導体３Ａ〜３Ｄという順序で積層形成されてい
る。超伝導体２および常伝導体３Ａには、出力端子２
ａ，３ａがそれぞれ設けられており、常伝導体３Ａ〜３
Ｄが、検出対象の放射線を吸収する放射線吸収体として
機能するよう構成されている。

【００１６】そして、この実施例の放射線検出器の場
合、４個の常伝導体３Ａ〜３Ｄは互いに面方向に分離さ
れているとともに、各常伝導体３Ａ〜３Ｄが単体の超伝
導体２を共通して使うようにＮＩＳ接合を形成してい
る。また、４個の常伝導体３Ａ〜３Ｄは常伝導体同士の
間の熱的絶縁を維持した状態で電気接続体５Ａ〜５Ｃに
より電気的にひとつに連結された構成となっていること
が、この実施例の特徴である。なお、常伝導体３Ａ〜３
Ｄは細い電気接続体５Ａ〜５Ｃで繋がっているので、相
互の電気的絶縁が損なわれずに維持されている。また、
第１実施例の検出器では、常伝導体３Ａと出力端子３ａ
の間も電気接続体５Ｄにより電気的に連結されており、
さらに各電気接続体５Ａ〜５Ｄは超伝導金属からなって
いる点も、この実施例の特徴である。なお、出力端子３
ａは、電気接続体５Ｄを出力端子として兼用することで
省略することもできる。

【００１７】第１実施例の放射線検出器の場合、絶縁体
１としては例えば厚み２０ｎｍの酸化アルミニウム（Ａ
ｌ₂Ｏ₃）膜が、超伝導体２としては例えば厚み２００
ｎｍのニオブ（Ｎｂ）膜やアルミニウム（Ａｌ）膜ある
いは錫（Ｓｎ）膜などが、各常伝導体３Ａ〜３Ｄとして
は例えば厚み１μｍの銀（Ａｇ）膜や金（Ａｕ）膜ある
いはビスマス（Ｂｉ）膜などが用いられる。さらに、絶
縁基板１には例えば窒化シリコン基板やアルミナ基板
（Ａｌ₂Ｏ₃基板）が用いられ、電気接続体５Ａ〜５Ｄ
には、例えば厚み２００ｎｍ前後のニオブ膜やアルミニ
ウム膜あるいは錫膜などが用いられる。

【００１８】また、各常伝導体３Ａ〜３Ｄの寸法は、縦
・横１００μｍ×１００μｍの寸法が例示され、この場
合、絶縁体１および超伝導体２の寸法は、縦・横２００
μｍ×２００μｍに満たない寸法が例示される。

【００１９】続いて、上述した第１実施例の放射線検出
器の製造例を図面を参照しながら説明する。図３〜図６
は、第１実施例の放射線検出器を製造する時のプロセス
を示す工程図である。超伝導体形成工程図３に示すように、絶縁基板４で
ある窒化シリコン基板の表面に超伝導体２となるニオブ
薄膜を設ける。すなわち、図３のように略杓の形状をし
た窓６ａを有するシャドーマスク６を介してスパッタリ
ング法により厚み２００ｎｍでニオブを成膜する。その
結果、パターン形状に対応したニオブ薄膜が窒化シリコ
ン基板の表面に形成される。

【００２０】絶縁体形成工程図４に示すように、超
伝導体２が形成された窒化シリコン基板の表面に絶縁体
１としての酸化アルミニウム薄膜を設ける。すなわち、
略正方形状の窓を有するシャドーマスク（図示省略）を
介してスパッタリング法により厚み２０ｎｍでアルミニ
ウムを成膜する。その後、さらに酸化処理することによ
り、絶縁体１の形に対応するパターン形状の酸化アルミ
ニウム薄膜を超伝導体２の上に積層形成する。

【００２１】常伝導体形成工程図５に示すように、
超伝導体２と絶縁体１が形成された窒化シリコン基板の
表面に４個の常伝導体３Ａ〜３Ｄとしての銀薄膜を設け
る。すなわち、常伝導体３Ａ〜３Ｄに対応する４つの略
正方形の配列（「田」の字状）の窓を有するシャドーマ
スク（図示省略）を介してスパッタリング法により厚み
１μｍの銀を成膜する。その結果、常伝導体３Ａ〜３Ｄ
の形に対応するパターン形状の銀薄膜を絶縁体１の上に
積層形成する。

【００２２】電気接続体形成工程図６に示すよう
に、超伝導体２、絶縁体１、常伝導体３Ａ〜３Ｄの順で
形成された窒化シリコン基板の表面に４個の電気接続体
５Ａ〜５Ｄとしてのニオブ薄膜を設ける。すなわち、電
気接続体５Ａ〜５Ｄの平面形状に相応した窓を有するシ
ャドーマスク（図示省略）を介してスパッタリング法に
より厚み２００ｎｍのニオブを成膜する。その結果、電
気接続体５Ａ〜５Ｄの形状に対応するパターン形状のニ
オブ薄膜を窒化シリコン基板の表面に形成する。

【００２３】上記の工程〜を通して行なうことによ
り、この実施例の放射線検出器を実現することができ
る。

【００２４】なお、上記の製造例ではシャドーマスクに
よる薄膜パターン作製技術が用いられたが、シャドーマ
スクを使う代わりに、いわゆるフォトリソグラフィ技術
による薄膜パターン作製技術を用いることもできる。例
えば、超伝導体用の薄膜と絶縁体用の薄膜および常伝導
体用の薄膜の３層を積層形成しておいてから、選択エッ
チング方式のフォトリソグラフィ技術による薄膜パター
ン作製技術で必要なパターン化を行うようにしてもよ
い。また、成膜技術についてもスパッタリング法に限ら
ず、真空蒸着法やＣＶＤ（化学気相蒸着）法などを始め
として、他の成膜技術を用いることができる。

【００２５】次に、この実施例の放射線検出器によるＸ
線検出動作を説明する。この実施例の放射線検出器でＸ
線を検出する場合、図７に示すように、超伝導体側の出
力端子２ａには電源Ｅが接続され、常伝導体側の出力端
子３ａには前置増幅器Ｐが接続されている。そして、放
射線検出器全体が真空雰囲気に置かれるとともに、真空
雰囲気に置かれた検出器は液体ヘリウムや液体窒素を用
いた冷却器Ｑにより超伝導現象を起こす温度、例えば４
Ｋ以下の極低温まで冷却される。なお、放射線検出器全
体を真空雰囲気に置くのは、検出器を外部から熱的に遮
断して冷却が効果的に行われるようにするためである。
この実施例の放射線検出器では、検出対象のＸ線が照射
されると、４個の常伝導体３Ａ〜３Ｄのいずれか１個に
検出対象のＸ線が入射すれば、Ｘ線の吸収に伴い電子が
励起されてトンネル電流が検出信号として流れ出して前
置増幅器Ｐにより増幅される。

【００２６】そして、この実施例の放射線検出器の場
合、各常伝導体３Ａ〜３Ｄは、面方向に分離されるよう
にして設けられているが、単体の超伝導体２を共通して
使うようにＮＩＳ接合を形成するとともに、電気接続体
５Ａ〜５Ｃにより電気的にひとつに連結されている。そ
のため、検出信号はＸ線がどの常伝導体に入射したかに
は係わりなく出力され、４個の常伝導体３Ａ〜３Ｄが纏
まって実質的に１個の放射線吸収体として機能する。す
なわち、有感面積は４個の常伝導体の面積を合計した広
い面積となっている。従来の検出器との比較で言えば、
各常伝導体３Ａ〜３Ｄのそれぞれ１個が、従来の検出器
の放射線吸収体に相当するので、有感面積は４倍に増加
する。有感面積が４倍になれば、測定時間を１／４に縮
められる。

【００２７】また、この実施例の放射線検出器では、各
常伝導体３Ａ〜３Ｄが電気的にはひとつに連結されてい
るが、常伝導体３Ａ〜３Ｄ同士は熱的に絶縁されてい
る。つまり、各常伝導体３Ａ〜３Ｄは熱的にはそれぞれ
が独立した放射線吸収体として機能している。その結
果、検出信号のレベルは、単に４個の常伝導体３Ａ〜３
Ｄの面積を合計した広い面積に相応した検出信号レベル
の低いものではなく、各常伝導体３Ａ〜３Ｄに放射線が
実際に入射した常伝導体単独の小さな面積に相応した検
出信号レベルの高いものとなる。すなわち、エネルギー
分解能は常伝導体単体と同じレベルに維持される。

【００２８】さらに、この実施例の放射線検出器では、
電気接続体５Ａ〜５Ｄが超伝導金属からなっており、隣
接する常伝導体３Ａ〜３Ｄ同士の間に電子障壁が形成さ
れている。そのため、各常伝導体３Ａ〜３Ｄで生じた励
起電子が他の常伝導体へ移動することなく直ちに検出信
号として出力される。したがって、検出信号の波形は立
ち上がりが急勾配なものとなるので、応答速度が速くな
る。

【００２９】〈第２実施例〉この実施例の放射線検出器
を説明する。電気接続体５Ａ〜５Ｄが常伝導金属である
例えば金（Ａｕ）からなっている他は、構成・効果およ
び製造に関して第１実施例の放射線検出器と同様である
ので、説明の重複を避けるために、共通点については説
明を省略し、相違点についてのみ説明する。

【００３０】この実施例の放射線検出器の場合、電気接
続体５Ａ〜５Ｄが常伝導金属であるので、隣接する常伝
導体３Ａ〜３Ｄ同士の間に電子障壁は形成されていな
い。つまり、各常伝導体３Ａ〜３Ｄで生じた励起電子は
他の常伝導体の方への移動を伴いながら検出信号として
流れ出す。そして、各常伝導体３Ａ〜３Ｄは常伝導体３
Ａを始めに３Ｂ、３Ｃ、３Ｄの順序に接続されているの
で、各常伝導体３Ａ〜３Ｄでは接続順序によって励起電
子の移動距離に違いが生じる。つまり、先の接続順序と
は逆の３Ｄ〜３Ａの順に励起電子が移動するので、各常
伝導体３Ａ〜３Ｄの移動距離の違いが、検出信号の波形
の差異となって現れる。すなわち、検出信号の波形は放
射線が入射した常伝導体の位置を反映したものになるの
で、検出信号の波形から放射線の入射した常伝導体の位
置を特定することが可能となる。

【００３１】さらに、各常伝導体３Ａ〜３Ｄの検出信号
の波形の違いを図８を参照して説明する。図８は、各常
伝導体３Ａ〜３Ｄの検出信号の波形を示すグラフであ
り、曲線Ｄａが常伝導体３Ａの検出信号の波形，曲線Ｄ
ｂが常伝導体３Ｂの検出信号の波形，曲線Ｄｃが常伝導
体３Ｃの検出信号の波形，曲線Ｄｄが常伝導体３Ｄの検
出信号をそれぞれ示している。図８からも明らかなよう
に、常伝導体３Ｄ側に連結されている常伝導体ほど高さ
（電位）が低くなり、波形が間延びしてゆく。このよう
な各常伝導体３Ａ〜３Ｄの検出信号の波形の差異に基づ
き、放射線の入射位置を特定するのである。なお、各検
出信号の波形の形状は異なるが、各波形の面積比は全て
等しい関係にある。つまり、このような常伝導体の連結
は、放射線検出器としての検出感度に影響をおよぼすも
のではない。

【００３２】この発明は、上記実施の形態に限られるこ
とはなく、下記のように変形実施することができる。（１）上記の第１，第２の各実施例では、４個の常伝導
体３Ａ〜３Ｄはいずれも略正方形で「田」の字に配置さ
れるとともに、絶縁体１および超伝導体２も略正方形で
ある構成である。しかし、常伝導体の数は４個に限られ
るものではない。また、常伝導体や絶縁体および超伝導
体の形も略正方形に限られるものではない。例えば、図
９に示すような放射線検出器が変形実施例として挙げら
れる。

【００３３】図９の放射線検出器の場合、互いに面方向
に分離されている８個の常伝導体９Ａ〜９Ｈはいずれも
略扇形であり、これらの常伝導体９Ａ〜９Ｈが円状に配
置されている。また、絶縁体７および超伝導体８も円形
となっている。そして、常伝導体９Ａ〜９Ｈは、超伝導
金属または常伝導金属からなる電気接続体１０Ａ〜１０
Ｇにより電気的にひとつに連結されているとともに、常
伝導体９Ａと出力端子１０ａの間も超伝導金属または常
伝導金属からなる電気接続体１０Ｈにより連結されてい
る。この放射線検出器により放射線を検出する場合、超
伝導体の側の出力端子８ａに電源を接続し、常伝導体の
側の出力端子９ａに前置増幅器を接続することになる。
上記以外の点については、構成・効果ともに上記実施例
と同様であるので、詳細な説明を省略する。

【００３４】（２）本発明の放射線検出器が検出対象と
する放射線はＸ線に限られず、Ｘ線以外の放射線検出に
用いることができることは言うまでもない。

【００３５】

【発明の効果】以上に述べたように、請求項１の発明に
係る放射線検出器によれば、互いに面方向に分離される
ように設けられた複数個の常伝導体は、単体の超伝導体
を共通して使うようにＮＩＳ接合を形成している。ま
た、各常伝導体が電気接続体により相互の熱的絶縁を維
持した状態で電気的にひとつに連結された構成をしてい
る。つまり、検出信号は放射線がどの常伝導体に入射し
たかには係わりなく出力され、複数個の常伝導体が纏ま
って実質的に１個の放射線吸収体として機能するので、
有感面積は全常伝導体の面積を合計した広い面積のもの
となる。さらに、各常伝導体の相互間の熱絶縁が維持さ
れた状態で熱的にはそれぞれが独立した放射線吸収体と
して機能するので、検出信号レベルは個々の常伝導体の
面積を合計した広い面積に相応した検出信号レベルの低
いものではなく、放射線が実際に入射した常伝導体単独
の小さな面積に相応した検出信号レベルの高いものとな
る。つまり、高いエネルギー分解能を維持することがで
きる。すなわち、請求項１の発明に係る放射線検出器に
よれば、エネルギー分解能が高く、かつ有感面積を大き
くして測定時間の短縮を図ることができる。

【００３６】また、請求項２の発明の放射線検出器によ
れば、隣接する常伝導体同士を電気的に連結する電気接
続体が超伝導金属であって、隣接する常伝導体同士の間
に電子障壁が形成される構成を備えている。つまり、各
常伝導体で生じた励起電子が他の常伝導体へ移動するこ
となく直ちに検出信号として出力されるので、検出信号
は立ち上がりが急勾配な波形となる。その結果、応答速
度を上げることができる。

【００３７】また、請求項３の発明の放射線検出器によ
れば、隣接する常伝導体同士を電気的に連結する電気接
続体が常伝導金属であって、隣接する常伝導体同士の間
に電子障壁が形成されない構成を備えている。つまり、
各常伝導体で生じた励起電子は他の常伝導体の方へ移動
を伴いながら検出信号として出力されるので、検出信号
は放射線が入射した常伝導体の位置を反映した波形とな
る。その結果、検出信号の波形から放射線が入射した常
伝導体の入射位置を特定することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１実施例の放射線検出器の要部構成を示す平
面図である。

【図２】第１実施例の放射線検出器の要部構成を示す断
面図である。

【図３】第１実施例の検出器の超伝導体形成工程を示す
工程図である。

【図４】第１実施例の検出器の絶縁体形成工程を示す工
程図である。

【図５】第１実施例の検出器の常伝導体形成工程を示す
工程図である。

【図６】第１実施例の検出器の電気接続体形成工程を示
す工程図である。

【図７】第１実施例の検出器によるＸ線検出状況を示す
模式図である。

【図８】第２実施例の検出器の検出信号の波形を示すグ
ラフである。

【図９】変形実施例の放射線検出器の要部構成を示す平
面図である。

【図１０】従来の放射線検出器の要部構成を示す平面図
である。

【図１１】従来の放射線検出器の要部構成を示す断面図
である。

【符号の説明】

１ …絶縁体２ …超伝導体３Ａ〜３Ｄ …常伝導体５Ａ〜５Ｃ …電気接続体７ …絶縁体８ …超伝導体９Ａ〜９Ｈ …常伝導体１０Ａ〜１０Ｇ …電気接続体

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 2G088 EE29 EE30 FF03 GG22 JJ01 JJ09 JJ31 JJ33 JJ37 LL15 4M113 AA03 AA04 AA18 AA25 AC24 AD36 AD62 AD63 BA04 BA11 BA15 CA07 CA13

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】常伝導体（Ｎ）と超伝導体（Ｓ）との間に
絶縁体（Ｉ）を挟んで形成されたＮＩＳ接合を備え、前
記常伝導体が検出対象の放射線を吸収する放射線吸収体
となっている放射線検出器において、前記常伝導体は、
面方向に分離されて複数個あり、前記超伝導体は、各常
伝導体に共通に使われる単体であり、かつ、各常伝導体
は、相互の熱的絶縁を維持した状態で電気接続体によっ
て電気的に連結されていることを特徴とする放射線検出
器。
【請求項２】請求項１に記載の放射線検出器において、
電気接続体は、超伝導金属である放射線検出器。
【請求項３】請求項１に記載の放射線検出器において、
電気接続体は、常伝導金属である放射線検出器。