JP2002020881A - 薄膜成長方法及び装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板との間に十分な密着力を持った薄膜を、
成膜速度を上げて、より迅速に作製できるようにした薄
膜成長方法及び装置を提供する。 【解決手段】 処理室内に搬入した基板を加熱しつつ、
放電により帯電させた薄膜原料粒子を基板表面に付着さ
せる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜成長方法及び
装置に関し、特に、半導体基板上に形成された高度集積
回路における微細な配線等を形成するのに使用される薄
膜成長方法及び装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体基板上に配線回路を形成するため
の材料としては、アルミニウム又はアルミニウム合金が
一般に用いられており、これをスパッタリング、ＣＶＤ
等の方法で成膜した後、エッチング等によりパターン形
成していた。近年の集積度の向上に伴い、より伝導率の
高い銀や銅又はその合金を配線材料に採用することが要
求されており、これはエッチングが難しいので、予め形
成された配線パターン溝を有する基板をめっき液中に浸
漬させて電解又は無電解めっきを行い、溝に銀や銅又は
その合金を充填する方法が提案されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、めっき
法は、安価でかつ技術的に完成度が高い技術であるが、
電解めっきでは導電性材料上にしか成膜ができず、ま
た、無電解めっきでは、めっき液中に含まれる物質が、
環境や作業労働環境へ与える影響が問題となっている。
このため、例えば、配線パターン溝にめっき法に替わる
方法で銅等の金属を埋込むことができるようにした薄膜
成長技術の開発が強く望まれていた。

【０００４】一方、基板を枚葉式で処理する際には、処
理室内での基板一枚当たりの処理時間をより短くして、
時間当たりの基板処理枚数をできるだけ多くすることが
求められているが、従来の一般的なＣＶＤでは、成膜速
度が遅く、処理時間が比較的長いのが現状であった。ま
た、下地との十分な密着力を得ることが困難であるとい
った問題もあった。

【０００５】本発明は上記に鑑みて為されたもので、下
地との間に十分な密着力を持った薄膜を、成膜速度を上
げて、より迅速に作製できるようにした薄膜成長方法及
び装置を提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、処理室内に搬入した基板を加熱しつつ、放電により
帯電させた薄膜原料粒子を基板表面に付着させることを
特徴とする薄膜成長方法である。これにより、放電によ
り帯電させた薄膜原料ガスやミスト等の薄膜原料粒子
を、例えばクーロン力により基板表面に吸引し付着さ
せ、静電気による吸引力を利用して薄膜原料粒子の基板
表面への付着を促進させて、成膜速度を上げることがで
きる。なお、基板の全面に薄膜を成長させる際には、基
板表面に薄膜原料粒子と反対の電荷をかけるか、又は基
板をアースしておく。また、薄膜原料粒子と別途供給さ
れる成膜支援ガス、キャリアガス或いは不溶性ガス等の
ガスも薄膜原料粒子と同時に帯電させても良い。

【０００７】請求項２に記載の発明は、処理室内に搬入
した基板を加熱しつつ、放電により帯電させたガスと衝
突させて帯電させた薄膜原料粒子を基板表面に付着させ
ることを特徴とする薄膜成長方法である。この薄膜原料
粒子、例えばミスト状の薄膜原料粒子は、例えば液体原
料の非常に微細な液滴や、少なくとも一部に金属を含む
超微粒子、或いはこれを所定の溶媒に分散させた液体原
料（超微粒子分散液）等を霧化することによって生成さ
れる。成膜原料ガスやこのように霧化したミスト状の薄
膜原料粒子は、成膜支援ガス、キャリアガス或いは不溶
性ガス等の帯電ガスと衝突することで帯電する。このよ
うに、薄膜原料粒子を帯電させることで、静電気による
吸引力を利用して薄膜原料粒子の基板表面への付着を促
進させて、成膜速度を上げることができる。

【０００８】請求項３に記載の発明は、処理室内に搬入
した基板を加熱しつつ、静電霧化により帯電させた薄膜
原料粒子を基板表面に付着させることを特徴とする薄膜
成長方法である。この静電霧化により帯電させた薄膜原
料粒子は、例えば、ノズル先端から滴下する通常の液体
原料や、少なくとも一部に金属を含む超微粒子、或いは
これを所定の溶媒に分散させた液体原料（超微粒子分散
液）等を、この液体原料の表面張力による凝集力よりも
電気的な力による分裂力の方が大きくなるように、適当
な条件で帯電させて霧状に微粒化することによって生成
される。

【０００９】請求項４に記載の発明は、基板の表面に形
成した凹凸パターンの凸部上面に前記薄膜原料粒子と同
極或いは異極の電荷を帯電させ、しかる後、基板を保持
した基板保持部に前記パターンの凸部上面に帯電した電
荷と反対の電荷をかけるか、又は該基板保持部をアース
した状態で成膜を行うことを特徴とする請求項１乃至３
のいずれかに記載の薄膜成長方法である。これにより、
基板の表面に形成した凹凸パターンの凸部上面に薄膜原
料粒子と同極の電荷を帯電させた場合には、凹凸パター
ンの凹部内に、反対の電極を帯電させた場合には、凹凸
パターンの凸部上面に選択的に薄膜を成長させることが
できる。

【００１０】請求項５に記載の発明は、処理室内に搬入
した基板の表面に薄膜を成長させる薄膜成長装置におい
て、基板を加熱しつつ保持する基板保持部と、前記処理
室の内部又は該処理室の内部へ薄膜原料を導入する薄膜
原料搬送路内に配置されて薄膜原料粒子を帯電させる帯
電手段とを有することを特徴とする薄膜成長装置であ
る。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、図１乃至図１０を参照し
て、本発明の実施の形態を説明する。図１は、例えば、
還元ガス雰囲気で、銅配線用の銅シード層を基板Ｗの表
面に成長させる本発明の第１の実施の形態の薄膜成長装
置の全体構成を示すもので、これは、例えば、１価の銅
原料であるＣｕ（hfac（ヘキサフルオルアセチルアセト
ン））tmvs（トリメチルビニシラン），tmvs（５％）及
びＨ(hfac)を混合した液体原料１０を貯蔵する容器１２
と、液体原料１０を、例えば５０〜７０℃に加熱し気化
させて薄膜原料ガスを生成する気化器１４と、成膜室
（処理室）１６の内部に搬入して基板保持部１８上に載
置保持した基板Ｗの表面に銅を成膜する成膜装置２０と
を備えている。

【００１２】これにより、例えばＨｅ等で液面を加圧し
て液用流量調整器２２から気化器１４に液体原料１０
を、同時にＨｅ，Ｈ_２又はＡｒ等のキャリアガスをガス
用流量調整器２４から気化器１４に送る。そして、この
気化器１４で気化した薄膜原料ガスを原料ガス搬送路２
６から成膜室１６の内部に、Ｈ（hfac），Ｈ_２，Ａｒ，
Ｎ_２，Ｈｅ等の添加ガスをガス導入路２８から成膜室１
６の内部にそれぞれ送って、基板保持部１８で保持し該
基板保持部１８の内部に内蔵したヒータ等の加熱部３０
で加熱した基板Ｗの表面に下記の反応式（１）及び
（２）により銅を成膜するようになっている。 Ｃｕ(hfac) tmvs →Ｃｕ(hfac）＋tmvs （１） ２Ｃｕ(hfac) →Ｃｕ(hfac)_２＋Ｃｕ↓ （２）

【００１３】なお、成膜後のＣｕ(hfac)_２ や tmvs を
含む排ガス及び原料ガス等は、トラップ３２ａ，３２ｂ
によりトラップされ、真空ポンプ３４を経て除害装置３
６から外部に排気される。

【００１４】図２は、図１に示す薄膜成長装置に使用さ
れている成膜装置２０の拡大図で、この成膜装置２０に
は、成膜室１６の上部に配置された先端の尖った放電電
極４０を有し、この放電電極４０と基板Ｗとの間に電源
４２から放電電極４０側をマイナスとした高電圧をかけ
ることでコロナ放電を起こさせる放電装置４４が備えら
れている。これによって、成膜室１６内に薄膜原料ガス
とＡｒ等の添加ガスを導入しつつ、放電装置４４で放電
電極４０と基板Ｗとの間にコロナ放電を起こさせること
で、この薄膜原料ガスと添加ガスをマイナスに帯電させ
るようになっている。

【００１５】一方、基板保持部１８には、基板保持部１
８に薄膜原料ガスと添加ガスに帯電させた電極と反対の
極性、例えばプラス極の電圧をかける電源４６が選択的
に接続され、電源４６を接続することで、基板保持部１
８上に載置保持した基板Ｗをプラスに帯電させるように
なっている。なお、この実施の形態にあっては、基板Ｗ
をプラスに帯電させるようにした例を示しているが、基
板Ｗの裏面側をアースするようにして良い。

【００１６】次に、この実施の形態における銅の成膜動
作について説明する。先ず、成膜室１６内に搬入した基
板Ｗを基板保持部１８に載置保持し、加熱部３０への電
力を調整して基板Ｗを一定の温度に加熱する。この状態
で、気化器１４で気化した薄膜原料ガスと添加ガスを成
膜室１６内に導入し、同時に放電装置４４で放電電極４
０と基板Ｗとの間にコロナ放電を起こさせるとともに、
基板保持部１８及び基板Ｗを電源４６を介してプラスに
帯電させる。

【００１７】すると、成膜室１６内に導入された薄膜原
料ガスと添加ガスは、コロナ放電によってマイナスに帯
電されて、プラスに帯電された基板Ｗに吸引され、薄膜
原料ガスは基板Ｗ上で熱分解して薄膜原料粒子としての
銅が基板Ｗの表面に析出する。このように、静電気によ
る吸引力を利用して薄膜原料ガスの薄膜原料粒子の基板
表面への付着を促進させることで、成膜速度を上げ、し
かも薄膜原料ガスの有効利用率を向上させることができ
る。

【００１８】なお、基板Ｗの裏面側をアースした場合
は、図３（ａ）に示すように、マイナスの電荷を帯びた
粒子が基板Ｗの周辺に近づくと、これに従い、図３
（ｂ）に示すように、基板Ｗの表面にプラスの電荷が加
速度的に誘引されてマイナス電荷を帯びた粒子の吸引力
を増す。この時、基板Ｗの裏面側をアースしているの
で、基板Ｗの裏面側のマイナス電気はアースに流れてゆ
く。そして、図３（ｃ）に示すように、マイナスの電荷
を帯びた粒子が基板Ｗに付着すると、その瞬間に電荷は
相殺されるが、まだ基板Ｗに付着していないマイナスの
電荷を帯びた粒子により基板Ｗの表面はプラスに維持さ
れ続け、これによって、静電気による吸引力を利用して
薄膜原料ガスの薄膜原料粒子の基板表面への付着を促進
させ続けることができる。なお、このことは、以下の各
実施の形態においても同様である。

【００１９】図４は、本発明の第２の実施の形態の薄膜
成長装置の要部を示すもので、この薄膜成長装置には、
例えば液体原料の非常に微細な液滴や、少なくとも一部
が金属からなる超微粒子を所定の溶媒に分散させた超微
粒子分散液（液体原料）５０等を貯蔵する容器５２と、
この容器５２と成膜室１６とを繋ぐ、内部にポンプ５４
を介装した薄膜原料搬送路５６と、成膜室１６の上端に
位置して薄膜原料搬送路５６の先端に固着した霧化器５
８が備えられ、これによって、ポンプ５４の駆動に伴っ
て容器５２から順次送られている液体原料５０は、霧化
器５８で霧化されて成膜室１６の内部に導入されるよう
になっている。また、成膜室１６の内周面は、電源６０
によってマイナスに帯電するようになっている。その他
の構成は、第１の実施の形態とほぼ同様である。

【００２０】ここで、超微粒子は、例えばコア金属（金
属超微粒子）の周囲を有機物で被覆した複合金属超微粒
子であり、これは、例えば金属塩と脂肪酸とを反応させ
ることによって作製した脂肪酸塩（金属有機化合物）を
この分解開始温度以上で完全分解温度未満の温度で熱処
理し、精製することによって製造される。例えば、金属
塩として硝酸塩（金属：Ｍ）を使用した時の反応は以下
のようになる。 Ｃ_ｎＨ_{（２ｎ＋１）}ＣＯＯＨ＋ＭＮＯ_３ → Ｃ_ｎＨ
_{（２ｎ＋１）}ＣＯＯＭ＋ＨＮＯ_３ ここで、この金属Ｍとしては、Ｓｉ,Ｔａ,Ｃａ,Ｓｒ,Ｂ
ａ,Ｔｉ,Ｂｉ,Ｐｂ,Ｎｂ,Ｙ,Ｍｎ,Ａｌ,Ｈｆ,Ｚｒ,Ｃ
ｅ,Ｉｒ,Ｒｕ,Ｚｎ,Ｍｇ,Ｌａ,Ｇａ,Ｔｍ,Ｃｕ,Ｔｂ,Ｅ
ｕ,Ｓｍ 又はＷ等が挙げられ、使用状況に応じて選定さ
れる。

【００２１】このようにして製造した複合金属超微粒子
は、例えば中心に５ｎｍ程度の粒子径のコア金属を有
し、その周囲を有機物で被覆したものであると考えら
れ、このため、例えばシクロヘキサン等の有機溶媒に溶
解させると、互いに凝集することなく、安定した状態で
溶媒中に均一に混ざり合い、透明な状態、即ち可溶化状
態となる。

【００２２】なお、非水系溶媒中でかつイオン性有機物
の存在下で、金属塩を該金属塩の分解還元温度以上でか
つ前記イオン性有機物の分解温度以下で加熱すること
で、超微粒子を製造することもできる。またその他の方
法で作られる超微粒子を用いることもできる。

【００２３】前記有機溶媒としては、例えば、シクロヘ
キサン、ｎ−ヘキサン、トルエン、ケロシン等が挙げら
れる。この有機溶媒中に超微粒子を溶解・分散させた超
微粒子分散液は、分散粒子である超微粒子が非常に細か
いのでほぼ透明であるが、溶媒の種類、超微粒子の濃
度、温度等を適宜選択することにより、粘度、揮発性、
表面張力（基板との濡れ性）等の性質を自由に調整する
ことができる。また、下記の溶媒の除去を考えると、一
般的に溶媒は、溶媒自体が比較的容易に揮発するもので
あることが好ましく、例えばアルコールを使用すれば常
温でも直ちに揮発させることができる。しかし、プロセ
スにあった溶媒を適当に選ぶことにより、揮発温度、揮
発時間を自由に設定することができる。

【００２４】この実施の形態にあっては、成膜室１６内
に搬入した基板Ｗを基板保持部１８に載置保持し、加熱
部３０への電力を調整して基板Ｗを一定の温度に加熱し
た状態で、霧化器５８で霧化した霧状の薄膜原料粒子と
Ａｒ等の添加ガスを成膜室１６内に導入し、同時に放電
装置４４で放電電極４０と基板Ｗとの間にコロナ放電を
起こさせるとともに、基板保持部１８及び基板Ｗを電源
４６を介してプラスに、成膜室１６の内周面を電源６０
を介してマイナスにそれぞれ帯電させる。

【００２５】すると、成膜室１６内に導入された添加ガ
スは、コロナ放電によってマイナスに帯電され、霧化し
た薄膜原料粒子は、このマイナスに帯電した添加ガスに
衝突することでマイナスに帯電され、プラスに帯電され
た基板Ｗに吸引されて、基板Ｗの表面に付着する。この
時、質量の小さな霧状の薄膜原料粒子は、加熱された基
板Ｗに到達時に直ちに加熱されて溶媒と有機物が除去さ
れ、これによって、金属ないし金属化合物同士が結合し
て、基板Ｗの表面に、基板Ｗとの間に十分な密着力を有
する金属薄膜ないし金属化合物薄膜が作製される。しか
も、霧状の薄膜原料粒子を帯電させて、静電気による吸
引力を利用して霧状の薄膜原料粒子の基板表面への付着
を促進させることで、成膜速度を上げ、薄膜原料粒子の
有効利用率を向上させるとともに、基板への付着力及び
加熱効率を向上させることができる。また、成膜室１６
の内周面を霧化した薄膜原料粒子と同極のマイナスに帯
電させることで、ここに薄膜原料粒子が付着することが
防止される。

【００２６】ここで、成膜室１６内に導入する添加ガス
として、Ｎ_２，或いはＡｒ等の不活性ガスやＨ_２等の還
元ガスを選択することで、純粋な金属を成膜することが
でき、Ｏ_２，Ｏ_３，Ｎ_２Ｏ，ＮＯ_２，Ｈ_２Ｏ等の酸化ガ
スを選択することで金属酸化膜を、Ｎ_２或いはＮＨ_３等
の窒素ガスを選択することで金属窒化物を、硫化水素を
選択することで金属硫化物を成膜することができる。こ
のことは、前記第１の実施の形態にあっても同様であ
る。

【００２７】金属粒子の融点は、粒径が小さくなると低
下することが知られているが、その効果が現れはじめる
粒径は２０ｎｍ以下であり、１０ｎｍ以下になるとその
効果が顕著となる。従って、金属超微粒子の平均粒径
は、１〜２０ｎｍであるのが好ましく、１〜１０ｎｍで
あるのが特に好ましい。例えば、平均粒径が５ｎｍ程度
のクラスターレベルの極小の超微粒子を使用し、適当な
脂肪酸を選ぶことにより、２００℃程度で金属ないし金
属化合物同士の結合が可能となる。

【００２８】次に、結合後の金属をアニールして結晶化
させる。つまり、前記処理のままでは、アモルファスの
状態の場合があるので、その場合に、例えば金属酸化物
の場合は酸化ガス雰囲気で、金属硫化物の場合は硫化水
素雰囲気で、金属窒化物の場合は窒化ガス雰囲気でアニ
ールして、金属を結晶化させる。

【００２９】これにより、基板の表面に、均一な膜厚
で、十分な密着接着力を有する金属薄膜を作製するので
あり、これによって、基板との間に十分な密着力を持っ
た金属薄膜ないし金属化合物薄膜を、高価な大規模真空
装置を用いることなく、安価かつ迅速に作製することが
できる。

【００３０】図５は、本発明の第３の実施の形態の薄膜
成長装置の要部を示すもので、この薄膜成長装置は、薄
膜原料搬送路５６の先端に、第２の実施の形態における
霧化器５８の代わりに、静電霧化ノズル６２と該静電霧
化ノズル６２の先端に高電圧を印加する電源６４とを有
する静電霧化器６６を取付け、この静電霧化器６６で帯
電させた霧状の薄膜原料粒子を生成することで、放電装
置４４を省略したものである。その他の構成は第２の実
施の形態とほぼ同様である。

【００３１】この実施の形態によれば、静電霧化ノズル
６２の先端から滴下する液体原料１０を、この滴下する
液体原料１０の表面張力による凝集力Ａよりも帯電した
液体原料１０に作用する電気的な力による分裂力Ｂの方
が大きくなるように、適当な条件で帯電させることで、
帯電させた霧状の薄膜原料粒子が生成される。

【００３２】次に、例えば表面に絶縁膜を有する基板Ｗ
の該表面に選択的に薄膜を成長させる場合について説明
する。図６（ａ）に示すように、例えば、表面にホール
やトレンチ等の凹凸パターンを有する基板Ｗの該凹部Ｈ
内に選択的に薄膜を成長させる時には、基板Ｗ上の凹凸
パターンの凸部Ｐの先端を予めマイナスにチャージアッ
プさせておき、しかる後、前記各実施の形態と同様に、
基板保持部１８にプラスの電圧をかけて基板保持部１８
をプラスに帯電させるか、又はアースした状態で薄膜を
成長させる。これにより、マイナスに帯電した薄膜原料
粒子を凹部Ｈの内部に引き込んで、この凹部Ｈの底から
薄膜を成長させることができる。

【００３３】一方、図６（ｂ）に示すように、表面にホ
ールやトレンチ等の凹凸パターンを有する基板Ｗの該凸
部Ｐの先端に選択的に薄膜を成長させる時には、基板Ｗ
上の凹凸パターンの凸部Ｐの先端を予めプラスにチャー
ジアップさせておき、しかる後、基板保持部１８にマイ
ナスの電圧をかけて基板保持部１８をマイナスに帯電さ
せるか、又はアースした状態で薄膜を成長させる。これ
により、マイナスに帯電した薄膜原料粒子の凸部Ｐの先
端以外への付着を防止して、凸部Ｐの先端のみに薄膜を
成長させることができる。

【００３４】ここで、基板Ｗ上の凹凸パターンの表面の
凸部Ｐの先端のみを負に帯電させるには、図７に示すよ
うに、基板保持部１８上に載置保持した基板Ｗをアース
した状態で、成膜室１６の内部にＡｒ等の添加ガスのみ
を流し、同時に放電装置４４で放電電極４０と基板Ｗと
の間にコロナ放電を起こさせる。すると、添加ガスはマ
イナスに帯電し、このマイナス電子がアースした基板Ｗ
上に付着する。この時、マイナス電子は凹部Ｈ内に殆ど
入らず、これによって、例えば、図８に示すように、シ
リコン基板７０の周囲を囲繞する自然酸化膜７２上に堆
積したＴＥＯＳ膜７４の凹部Ｈを除く凸部Ｐの先端のみ
にマイナスの電荷を帯電させることができる。

【００３５】これは、凹部Ｈ内に電界が生じ難く、電気
力線が入り難いばかりでなく（ファラデーケージ効
果）、凹部Ｈ内では、対面が互いに反発し合うので、電
子がチャージアップされ難いためであると考えられる。

【００３６】また、図９に示すように、マイナスの電源
８０を接続した電極８２を有するプラズマ発生装置８４
で該電極８２とアースした基板保持部８６に載置保持し
た基板Ｗとの間にプラズマを発生させた状態で、ここに
Ａｒガス等の添加ガスをパージすることで、図１０に示
すように、ＳｉＯ_２等の酸化膜８８のホールやトレンチ
等の凹部Ｈ作成用のマスク９０の表面のみにマイナス電
子をチャージアップすることができる。これは、例えば
ＲＩＥのエッチングプロセスでＳｉＯ_２膜等の酸化膜８
８をエッチングした後、このマスク９０にマイナス電子
をチャージアップするようにしても良い。

【００３７】

【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、静電気による吸引力を利用して薄膜原料粒子の基板
表面への付着を促進させて、成膜速度を上げ、これによ
って、成膜時間をより短縮するとともに、原料のより有
効利用を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態の薄膜成長装置の全
体構成を示す図である。

【図２】図１に示す薄膜成長装置に使用される成膜装置
の拡大図である。

【図３】基板をアースした状態における成膜過程の説明
に付する図である。

【図４】本発明の第２の実施の形態の薄膜成長装置の要
部を示す図である。

【図５】本発明の第３の実施の形態の薄膜成長装置の要
部を示す図である。

【図６】基板の表面に選択的に薄膜を成長させる際の説
明に付する図である。

【図７】基板の表面の凸部先端のみを負に帯電させる一
例を示す図である。

【図８】図７に示す方法で基板の表面の凸部先端のみを
負に帯電させた状態の一部拡大図である。

【図９】基板の表面の凸部先端のみを負に帯電させる他
の例を示す図である。

【図１０】図９に示す方法で基板の表面の凸部先端のみ
を負に帯電させた状態の一部拡大図である。

【符号の説明】

１０ 液体原料 １４ 気化器 １６ 成膜室（処理室） １８ 基板保持部 ２０ 成膜装置 ２６ 原料ガス搬送路 ３０ 加熱部 ４０ 放電電極 ４４ 放電装置 ５０ 液体原料（超微粒子分散液） ５６ 薄膜原料搬送路 ５８ 霧化器 ６２ 静電霧化ノズル ６６ 静電霧化器 ８４ プラズマ発生装置 ９０ マスク Ｗ 基板

フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K030 AA11 CA04 CA12 FA10 KA30 4K044 AA11 AB05 BA06 BB01 BB10 BC14 CA34 CA36 4M104 BB01 BB02 BB04 BB14 BB17 BB18 BB36 CC01 DD36 5F103 AA02 BB06 BB09 BB12 BB23 BB27 BB42 BB46 BB52 DD27 DD28 DD30 GG03 HH03 NN05 NN06 PP03 PP20 RR10

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 処理室内に搬入した基板を加熱しつつ、
   放電により帯電させた薄膜原料粒子を基板表面に付着さ
   せることを特徴とする薄膜成長方法。
2. 【請求項２】 処理室内に搬入した基板を加熱しつつ、
   放電により帯電させたガスと衝突させて帯電させた薄膜
   原料粒子を基板表面に付着させることを特徴とする薄膜
   成長方法。
3. 【請求項３】 処理室内に搬入した基板を加熱しつつ、
   静電霧化により帯電させた薄膜原料粒子を基板表面に付
   着させることを特徴とする薄膜成長方法。
4. 【請求項４】 基板の表面に形成した凹凸パターンの凸
   部上面に前記薄膜原料粒子と同極或いは異極の電荷を帯
   電させ、しかる後、基板を保持した基板保持部に前記パ
   ターンの凸部上面に帯電した電荷と反対の電荷をかける
   か、又は該基板保持部をアースした状態で成膜を行うこ
   とを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の薄膜
   成長方法。
5. 【請求項５】 処理室内に搬入した基板の表面に薄膜を
   成長させる薄膜成長装置において、 基板を加熱しつつ保持する基板保持部と、 前記処理室の内部又は該処理室の内部へ薄膜原料を導入
   する薄膜原料搬送路内に配置されて薄膜原料粒子を帯電
   させる帯電手段とを有することを特徴とする薄膜成長装
   置。