JP2003273194A - 静電チャック - Google Patents
静電チャックInfo
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- JP2003273194A JP2003273194A JP2002076970A JP2002076970A JP2003273194A JP 2003273194 A JP2003273194 A JP 2003273194A JP 2002076970 A JP2002076970 A JP 2002076970A JP 2002076970 A JP2002076970 A JP 2002076970A JP 2003273194 A JP2003273194 A JP 2003273194A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】絶縁破壊が発生しにくい静電チャックを提供す
ること。 【解決手段】緻密質なガラス基板の表面に二極の櫛歯電
極を形成し、更に誘電体層で被覆する。好ましくは、誘
電体層はガラス基板が軟化しない低温で被覆固定する。
その手段としては、エアロゾルディポジション法、ＣＶ
Ｄ法、イオンプレーティング法が好適に利用できる。さ
らに好ましくはガラス基板を予め研削加工及び／又は研
磨加工して表面を平坦化してから上記誘電体層及び電極
を形成する。
ること。 【解決手段】緻密質なガラス基板の表面に二極の櫛歯電
極を形成し、更に誘電体層で被覆する。好ましくは、誘
電体層はガラス基板が軟化しない低温で被覆固定する。
その手段としては、エアロゾルディポジション法、ＣＶ
Ｄ法、イオンプレーティング法が好適に利用できる。さ
らに好ましくはガラス基板を予め研削加工及び／又は研
磨加工して表面を平坦化してから上記誘電体層及び電極
を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェハやガ
ラス板等の被吸着物を吸着搬送する静電チャックに関す
る。
ラス板等の被吸着物を吸着搬送する静電チャックに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】静電チャックは、半導体や液晶の製造工
程で、半導体ウエハや液晶用ガラス板を保持搬送する手
段として用いられており、半導体ウエハやガラス板と接
触して保持する誘電体層と、固定保持するための静電力
を発生させる電極からなる。
程で、半導体ウエハや液晶用ガラス板を保持搬送する手
段として用いられており、半導体ウエハやガラス板と接
触して保持する誘電体層と、固定保持するための静電力
を発生させる電極からなる。
【０００３】静電チャックの従来の製法としては例えば
特開昭６２−２６４６３８号公報にあるように、セラミ
ックスのグリーンシート上に電極となる導体層を形成
し、この上にセラミックスのグリーンシートを積層させ
て同時焼成し、表面から研削・研磨を行う手法が代表的
である。
特開昭６２−２６４６３８号公報にあるように、セラミ
ックスのグリーンシート上に電極となる導体層を形成
し、この上にセラミックスのグリーンシートを積層させ
て同時焼成し、表面から研削・研磨を行う手法が代表的
である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のグリーンシート
法で製作した基板および誘電体層は、多数のポアを含ん
でおり、櫛歯電極間に電圧を印加した場合、このポアが
櫛歯電極間での絶縁破壊の起点となりやすいため、静電
チャックの歩留まりや信頼性そのものに課題があった。
法で製作した基板および誘電体層は、多数のポアを含ん
でおり、櫛歯電極間に電圧を印加した場合、このポアが
櫛歯電極間での絶縁破壊の起点となりやすいため、静電
チャックの歩留まりや信頼性そのものに課題があった。
【０００５】本発明は、これらの問題点を鑑みてなされ
た静電チャックの提案であり、櫛歯電極間での絶縁破壊
が発生しにくく、結果として吸着力特性に優れた静電チ
ャックを提供することにある。
た静電チャックの提案であり、櫛歯電極間での絶縁破壊
が発生しにくく、結果として吸着力特性に優れた静電チ
ャックを提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明では上記課題を解
決するために、ガラス基板の表面に、二極の櫛歯電極を
形成し、更に誘電体層で被覆したことを特徴とする静電
チャックを提供する。そうすることにより、内部電極で
ある櫛歯電極間にポアがないため、絶縁破壊が発生しに
くく、静電チャックの信頼性向上が図れる。
決するために、ガラス基板の表面に、二極の櫛歯電極を
形成し、更に誘電体層で被覆したことを特徴とする静電
チャックを提供する。そうすることにより、内部電極で
ある櫛歯電極間にポアがないため、絶縁破壊が発生しに
くく、静電チャックの信頼性向上が図れる。
【０００７】本発明の静電チャックの好ましい態様にお
いては、前記ガラス基板の表面を、あらかじめ研削加工
及び／又は研磨加工により表面を平坦化する。これによ
り、その後形成する内部電極に反りが発生しないため、
誘電体層の厚みばらつきを極力無くし、かつ厚みそのも
のを極力薄くすることが可能となる。
いては、前記ガラス基板の表面を、あらかじめ研削加工
及び／又は研磨加工により表面を平坦化する。これによ
り、その後形成する内部電極に反りが発生しないため、
誘電体層の厚みばらつきを極力無くし、かつ厚みそのも
のを極力薄くすることが可能となる。
【０００８】本発明の静電チャックの好ましい態様にお
いては、前記櫛歯電極は、前記基板の表面に、金属膜を
製膜した後、エッチング加工により形成したことを特徴
とする静電チャックである。これにより、櫛歯電極のピ
ッチを従来のグリーンシート法と比較して一桁から二桁
ほど狭くすることが可能になり、より低い電圧でより高
い吸着力を発生することが可能となる。
いては、前記櫛歯電極は、前記基板の表面に、金属膜を
製膜した後、エッチング加工により形成したことを特徴
とする静電チャックである。これにより、櫛歯電極のピ
ッチを従来のグリーンシート法と比較して一桁から二桁
ほど狭くすることが可能になり、より低い電圧でより高
い吸着力を発生することが可能となる。
【０００９】本発明の静電チャックの好ましい態様にお
いては、前記誘電体層が、前記ガラス基板及び前記櫛歯
電極が軟化しない低温で被覆固定されるようにする。そ
うすることで、ガラス表面の有するポアがないという性
質を充分に利用できる。
いては、前記誘電体層が、前記ガラス基板及び前記櫛歯
電極が軟化しない低温で被覆固定されるようにする。そ
うすることで、ガラス表面の有するポアがないという性
質を充分に利用できる。
【００１０】本発明の静電チャックの好ましい態様にお
いては、前記誘電体層がエアロゾルデポジション法によ
って形成されることを特徴とする静電チャックである。
これにより、誘電体層の厚みを従来のグリーンシート法
と比較して一桁から二桁ほど薄くすることが可能にな
り、より低い電圧でより高い吸着力を発生することが可
能となる。誘電層の材質としては、酸化アルミニウム、
酸化珪素などが好適に用いられる。
いては、前記誘電体層がエアロゾルデポジション法によ
って形成されることを特徴とする静電チャックである。
これにより、誘電体層の厚みを従来のグリーンシート法
と比較して一桁から二桁ほど薄くすることが可能にな
り、より低い電圧でより高い吸着力を発生することが可
能となる。誘電層の材質としては、酸化アルミニウム、
酸化珪素などが好適に用いられる。
【００１１】エアロゾルデポジション法とは、脆性材料
などの微粒子を基板に高速で衝突させて構造物を形成さ
せる手法であり、搬送ガスを用いる方法としては、金属
や半金属、セラミックの微粒子を含むエアロゾルをノズ
ルより噴出させて高速で基板に吹き付け、微粒子を基材
上に堆積させる方法であるガスデポジション法が知られ
ており、この手法の派生として位置づけられる。従来の
ガスデポジション法が、微粒子の組成を持つ圧粉体など
の堆積層を形成させる構造物形成法であるのに対し、特
に構造物を基板上にダイレクトで形成する方法をエアロ
ゾルデポジション法と呼ぶ。
などの微粒子を基板に高速で衝突させて構造物を形成さ
せる手法であり、搬送ガスを用いる方法としては、金属
や半金属、セラミックの微粒子を含むエアロゾルをノズ
ルより噴出させて高速で基板に吹き付け、微粒子を基材
上に堆積させる方法であるガスデポジション法が知られ
ており、この手法の派生として位置づけられる。従来の
ガスデポジション法が、微粒子の組成を持つ圧粉体など
の堆積層を形成させる構造物形成法であるのに対し、特
に構造物を基板上にダイレクトで形成する方法をエアロ
ゾルデポジション法と呼ぶ。
【００１２】本件のエアロゾルデポジション法にあって
は、例えば酸化アルミニウム微粒子を櫛歯電極が配置さ
れた緻密質な基板に高速で衝突させてその表面に誘電体
層を形成させる。このとき加熱操作は必ずしも必要でな
く、緻密質でバルク並みの硬度を保有した酸化アルミニ
ウムの構造物として得られる。これは基板に衝突した酸
化アルミニウムの微粒子が破砕・変形して新生面を形成
し、この活性な新生面が基板や破砕して形成された微細
断片粒子などと再接合する過程を経て構造物として基板
上に形成されるものである。
は、例えば酸化アルミニウム微粒子を櫛歯電極が配置さ
れた緻密質な基板に高速で衝突させてその表面に誘電体
層を形成させる。このとき加熱操作は必ずしも必要でな
く、緻密質でバルク並みの硬度を保有した酸化アルミニ
ウムの構造物として得られる。これは基板に衝突した酸
化アルミニウムの微粒子が破砕・変形して新生面を形成
し、この活性な新生面が基板や破砕して形成された微細
断片粒子などと再接合する過程を経て構造物として基板
上に形成されるものである。
【００１３】図３には、エアロゾルデポジション法の製
膜装置の構成を示す。製膜装置は真空ポンプ２０１に接
続された真空チャンバー２０２内にプログラム操作が可
能なＸＹステージ２０３が設置され、そのＸＹステージ
に被製膜体２０４が設置される。被製膜体２０４の表面
に対向して、ノズルマスク２０５を有する製膜ノズル２
０６が配置され、これがエアロゾル搬送管２０７を介し
て、真空チャンバー２０２の外に配置され、酸化アルミ
ニウム微粒子を含むエアロゾルを発生させるエアロゾル
発生器２０８に接続される。エアロゾル発生器２０８は
ガス搬送管２０９を介して窒素ガスボンベ２１０と接続
している。
膜装置の構成を示す。製膜装置は真空ポンプ２０１に接
続された真空チャンバー２０２内にプログラム操作が可
能なＸＹステージ２０３が設置され、そのＸＹステージ
に被製膜体２０４が設置される。被製膜体２０４の表面
に対向して、ノズルマスク２０５を有する製膜ノズル２
０６が配置され、これがエアロゾル搬送管２０７を介し
て、真空チャンバー２０２の外に配置され、酸化アルミ
ニウム微粒子を含むエアロゾルを発生させるエアロゾル
発生器２０８に接続される。エアロゾル発生器２０８は
ガス搬送管２０９を介して窒素ガスボンベ２１０と接続
している。
【００１４】次に、上述の製膜装置による製造プロセス
を述べる。真空ポンプ２０１を稼動させて真空チャンバ
ー２０２内を数ｋＰａ程度に保った状態で、窒素ガスボ
ンベ２１０を開栓し、所定流量で窒素ガスをエアロゾル
発生器２０８内に送り込んで内圧数百ｋＰａ程度とす
る。エアロゾル発生器２０８により酸化アルミニウム粒
子を窒素ガスと混合させてエアロゾルを発生させ、これ
をエアロゾル搬送管２０７で加速させて、製膜ノズル２
０６の先端の開口より、被製膜体２０４の表面に向けて
噴射する。酸化アルミニウム粒子は被製膜体２０４の表
面に衝突し、微細断片粒子に破砕されるなどして後、瞬
時に再結合し、微細な結晶子の接合物として、この位置
に堆積し製膜される。これが単なる粉体の堆積物である
圧粉体ではないことは、この製膜体層の硬さがビッカー
ス硬さで８００以上、被製膜体２０４との間の密着力で
約７００ｋｇｆ／ｃｍ２の値が確認されていることより
明白である。
を述べる。真空ポンプ２０１を稼動させて真空チャンバ
ー２０２内を数ｋＰａ程度に保った状態で、窒素ガスボ
ンベ２１０を開栓し、所定流量で窒素ガスをエアロゾル
発生器２０８内に送り込んで内圧数百ｋＰａ程度とす
る。エアロゾル発生器２０８により酸化アルミニウム粒
子を窒素ガスと混合させてエアロゾルを発生させ、これ
をエアロゾル搬送管２０７で加速させて、製膜ノズル２
０６の先端の開口より、被製膜体２０４の表面に向けて
噴射する。酸化アルミニウム粒子は被製膜体２０４の表
面に衝突し、微細断片粒子に破砕されるなどして後、瞬
時に再結合し、微細な結晶子の接合物として、この位置
に堆積し製膜される。これが単なる粉体の堆積物である
圧粉体ではないことは、この製膜体層の硬さがビッカー
ス硬さで８００以上、被製膜体２０４との間の密着力で
約７００ｋｇｆ／ｃｍ２の値が確認されていることより
明白である。
【００１５】本発明の静電チャックの好ましい態様にお
いては、前記誘電体層がＣＶＤ法によって形成されるこ
とを特徴とする静電チャックである。これにより、誘電
体層の厚みを従来のグリーンシート法と比較して一桁か
ら二桁ほど薄くすることが可能になり、より低い電圧で
より高い吸着力を発生することが可能となる。誘電層の
材質としては、酸化アルミニウム、酸化珪素、ポリイミ
ドなどが好適に用いられる。
いては、前記誘電体層がＣＶＤ法によって形成されるこ
とを特徴とする静電チャックである。これにより、誘電
体層の厚みを従来のグリーンシート法と比較して一桁か
ら二桁ほど薄くすることが可能になり、より低い電圧で
より高い吸着力を発生することが可能となる。誘電層の
材質としては、酸化アルミニウム、酸化珪素、ポリイミ
ドなどが好適に用いられる。
【００１６】本発明の静電チャックの好ましい態様にお
いては、前記誘電体層がイオンプレーティング法によっ
て形成されることを特徴とする静電チャックである。こ
れにより、誘電体層の厚みを従来のグリーンシート法と
比較して一桁から二桁ほど薄くすることが可能になり、
より低い電圧でより高い吸着力を発生することが可能と
なる。誘電層の材質としては、酸化アルミニウム、酸化
珪素などが好適に用いられる。
いては、前記誘電体層がイオンプレーティング法によっ
て形成されることを特徴とする静電チャックである。こ
れにより、誘電体層の厚みを従来のグリーンシート法と
比較して一桁から二桁ほど薄くすることが可能になり、
より低い電圧でより高い吸着力を発生することが可能と
なる。誘電層の材質としては、酸化アルミニウム、酸化
珪素などが好適に用いられる。
【００１７】
【発明の実施の形態】図１に、本発明にかかる静電チャ
ックの実施例の平面図を、図２にＡ視断面図を示す。研
削・研磨加工により平坦化したガラス製の基材１０１の
表面に、Ｃｕを０．３μｍ程度全面に真空蒸着した後、
フォトエッチング加工により、線幅８０μｍ、ピッチ２
００μｍの櫛歯電極１０２をパターンニングする。更
に、エアロゾルデポジション法により、酸化アルミニウ
ムの誘電体層１０３を１０μｍ製膜する。その後、必要
に応じ、誘電体層１０３の表面を、研削・研磨加工によ
り、平坦化する。上記のようにして製作した静電チャッ
クに、電圧導入端子１０５を介して電源１０４と接続
し、電圧を印加することにより、誘電体層１０３上に設
置した被吸着物（図示しない）が吸着される。
ックの実施例の平面図を、図２にＡ視断面図を示す。研
削・研磨加工により平坦化したガラス製の基材１０１の
表面に、Ｃｕを０．３μｍ程度全面に真空蒸着した後、
フォトエッチング加工により、線幅８０μｍ、ピッチ２
００μｍの櫛歯電極１０２をパターンニングする。更
に、エアロゾルデポジション法により、酸化アルミニウ
ムの誘電体層１０３を１０μｍ製膜する。その後、必要
に応じ、誘電体層１０３の表面を、研削・研磨加工によ
り、平坦化する。上記のようにして製作した静電チャッ
クに、電圧導入端子１０５を介して電源１０４と接続
し、電圧を印加することにより、誘電体層１０３上に設
置した被吸着物（図示しない）が吸着される。
【００１８】図４に従来技術における静電チャックの平
面図を、図５にＢ視断面図を示す。図４に示すように、
従来のグリーンシート法では、電極ピッチを狭くするこ
とは困難であり、また図５に示すように、内部電極であ
る櫛歯電極１０２が反っているため、誘電体層１０３の
厚みを薄くすることも困難である。
面図を、図５にＢ視断面図を示す。図４に示すように、
従来のグリーンシート法では、電極ピッチを狭くするこ
とは困難であり、また図５に示すように、内部電極であ
る櫛歯電極１０２が反っているため、誘電体層１０３の
厚みを薄くすることも困難である。
【００１９】
【発明の効果】本発明によれば、絶縁破壊が発生しにく
い静電チャックを提供できる。
い静電チャックを提供できる。
【図１】 本発明にかかる静電チャックの実施例１の平
面図
面図
【図２】 本発明にかかる静電チャックの実施例１のＡ
視断面図
視断面図
【図３】 エアロゾルデポジション法の製膜装置の構成
図
図
【図４】 従来技術における静電チャックの平面図
【図５】 従来技術における静電チャックのＢ視断面図
１０１…基材、１０２…櫛歯電極、１０３…誘電体層、
１０４…電源、１０５…電圧導入端子、２０１…真空ポ
ンプ、２０２…真空チャンバー、２０３…ＸＹステー
ジ、２０４…被製膜体、２０５…ノズルマスク、２０６
…製膜ノズル、２０７…エアロゾル搬送管、２０８…エ
アロゾル発生器、２０９…ガス搬送管、２１０…窒素ガ
スボンベ。
１０４…電源、１０５…電圧導入端子、２０１…真空ポ
ンプ、２０２…真空チャンバー、２０３…ＸＹステー
ジ、２０４…被製膜体、２０５…ノズルマスク、２０６
…製膜ノズル、２０７…エアロゾル搬送管、２０８…エ
アロゾル発生器、２０９…ガス搬送管、２１０…窒素ガ
スボンベ。
フロントページの続き
(72)発明者 鳩野 広典
福岡県北九州市小倉北区中島２丁目１番１
号 東陶機器株式会社内
Ｆターム(参考） 5F031 CA02 FA01 FA07 GA09 GA33
HA18 PA11
Claims (7)
- 【請求項１】 ガラス基板の表面に、二極の櫛歯電極を
形成し、更に誘電体層で被覆したことを特徴とする静電
チャック。 - 【請求項２】 前記ガラス基板は、あらかじめ研削加工
及び／又は研磨加工により表面を平坦化したことを特徴
とする請求項１に記載の静電チャック。 - 【請求項３】 前記櫛歯電極は、前記基板の表面に金属
膜を製膜した後、エッチング加工により形成したことを
特徴とする請求項１又は２に記載の静電チャック。 - 【請求項４】 前記誘電体層が、前記ガラス基板及び前
記櫛歯電極が軟化しない低温で被覆固定されることを特
徴とする請求項１乃至３に記載の静電チャック。 - 【請求項５】 前記誘電体層がエアロゾルデポジション
法によって形成されることを特徴とする請求項１乃至４
に記載の静電チャック。 - 【請求項６】 前記誘電体層がＣＶＤ法によって形成さ
れることを特徴とする請求項１乃至４に記載の静電チャ
ック。 - 【請求項７】 前記誘電体層がイオンプレーティング法
によって形成されることを特徴とする請求項１乃至４に
記載の静電チャック。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002076970A JP2003273194A (ja) | 2002-03-19 | 2002-03-19 | 静電チャック |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002076970A JP2003273194A (ja) | 2002-03-19 | 2002-03-19 | 静電チャック |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003273194A true JP2003273194A (ja) | 2003-09-26 |
Family
ID=29205536
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002076970A Pending JP2003273194A (ja) | 2002-03-19 | 2002-03-19 | 静電チャック |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003273194A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005223185A (ja) * | 2004-02-06 | 2005-08-18 | Toto Ltd | 静電チャックとその製造方法 |
| JP2009105162A (ja) * | 2007-10-22 | 2009-05-14 | Toshiba Mach Co Ltd | 静電チャック装置および静電チャック装置の製造方法 |
| JP2018186217A (ja) * | 2017-04-27 | 2018-11-22 | 株式会社岡本工作機械製作所 | 静電吸着チャック及びその製造方法並びに半導体装置の製造方法 |
| KR20200000697A (ko) * | 2018-06-25 | 2020-01-03 | (주) 엔피홀딩스 | 정전척 제조 방법과, 전극 모듈과, 라미네이팅 장치의 정전척 및 라미네이팅 장치 |
-
2002
- 2002-03-19 JP JP2002076970A patent/JP2003273194A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005223185A (ja) * | 2004-02-06 | 2005-08-18 | Toto Ltd | 静電チャックとその製造方法 |
| JP2009105162A (ja) * | 2007-10-22 | 2009-05-14 | Toshiba Mach Co Ltd | 静電チャック装置および静電チャック装置の製造方法 |
| JP2018186217A (ja) * | 2017-04-27 | 2018-11-22 | 株式会社岡本工作機械製作所 | 静電吸着チャック及びその製造方法並びに半導体装置の製造方法 |
| KR20200000697A (ko) * | 2018-06-25 | 2020-01-03 | (주) 엔피홀딩스 | 정전척 제조 방법과, 전극 모듈과, 라미네이팅 장치의 정전척 및 라미네이팅 장치 |
| KR102224593B1 (ko) * | 2018-06-25 | 2021-03-09 | (주) 엔피홀딩스 | 정전척 제조 방법과, 전극 모듈과, 라미네이팅 장치의 정전척 및 라미네이팅 장치 |
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