JP2002020138A - 誘電体層形成用低融点ガラスペーストおよび低融点ガラス - Google Patents
誘電体層形成用低融点ガラスペーストおよび低融点ガラスInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】透明電極の導電性が、それを被覆する誘電体層
形成時の高温プロセスにより低下することを防止する。 【解決手段】プラズマディスプレイ用基板に配した透明
電極パターン上に誘電体層を形成するための低融点ガラ
スペーストであって、ＰｂＯ−ＳｉＯ2−Ｂ２Ｏ ３−Ｚ
ｎＯ系またはＰｂＯ−ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−ＺｎＯ−Ｂ
ａＯ系のガラスに、前記透明電極の主成分をなす酸化物
を０．１〜１０ｗｔ％の範囲で含ませてペースト化して
なることを特徴とする。具体的には、透明電極が酸化イ
ンジウムを主成分とするＩＴＯの場合、低融点ガラスペ
ーストに酸化インジウムが含まれる。ペースト内に透明
電極の主成分が含まれることにより、その後の高温プロ
セスによっても透明電極の導電性は失われない。
形成時の高温プロセスにより低下することを防止する。 【解決手段】プラズマディスプレイ用基板に配した透明
電極パターン上に誘電体層を形成するための低融点ガラ
スペーストであって、ＰｂＯ−ＳｉＯ2−Ｂ２Ｏ ３−Ｚ
ｎＯ系またはＰｂＯ−ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−ＺｎＯ−Ｂ
ａＯ系のガラスに、前記透明電極の主成分をなす酸化物
を０．１〜１０ｗｔ％の範囲で含ませてペースト化して
なることを特徴とする。具体的には、透明電極が酸化イ
ンジウムを主成分とするＩＴＯの場合、低融点ガラスペ
ーストに酸化インジウムが含まれる。ペースト内に透明
電極の主成分が含まれることにより、その後の高温プロ
セスによっても透明電極の導電性は失われない。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマディスプ
レイパネルにおいて、透明電極を被覆するための誘電体
層形成用低融点ガラスペーストおよび低融点ガラスに関
する。
レイパネルにおいて、透明電極を被覆するための誘電体
層形成用低融点ガラスペーストおよび低融点ガラスに関
する。
【０００２】
【従来の技術】プラズマディスプレイパネル（以下単に
ＰＤＰと称する。）は、大画面のフルカラー表示装置と
して注目されている。特に、３電極面放電型のＡＣ型Ｐ
ＤＰは、表示側の基板上に面放電を発生する複数の表示
電極対を形成し、背面側の基板上にその表示電極対と直
交するアドレス電極とそれを被覆する蛍光体層を形成す
る。そして、ＰＤＰの駆動は、表示電極対に大電圧を印
加してリセットし、表示電極対の一方の電極とアドレス
電極との間で放電し、その放電で発生した壁電荷を利用
して表示電極対の間に維持電圧を印加し維持放電を発生
させることを基本とする。
ＰＤＰと称する。）は、大画面のフルカラー表示装置と
して注目されている。特に、３電極面放電型のＡＣ型Ｐ
ＤＰは、表示側の基板上に面放電を発生する複数の表示
電極対を形成し、背面側の基板上にその表示電極対と直
交するアドレス電極とそれを被覆する蛍光体層を形成す
る。そして、ＰＤＰの駆動は、表示電極対に大電圧を印
加してリセットし、表示電極対の一方の電極とアドレス
電極との間で放電し、その放電で発生した壁電荷を利用
して表示電極対の間に維持電圧を印加し維持放電を発生
させることを基本とする。
【０００３】そして、その維持放電で発生したプラズマ
により蛍光体層が、例えばＲＧＢ（赤、緑、青）の蛍光
色を発することで、フルカラー表示が行われる。したが
って、表示側の基板上に形成される表示電極対は透明電
極材料が利用される。
により蛍光体層が、例えばＲＧＢ（赤、緑、青）の蛍光
色を発することで、フルカラー表示が行われる。したが
って、表示側の基板上に形成される表示電極対は透明電
極材料が利用される。
【０００４】この透明電極材料は、例えば典型的にはＩ
ＴＯ（酸化インジウムＩｎ２Ｏ３と酸化スズＳｎＯ２の
混合物）で構成される半導体であり、その導電率は金属
などに比較すると低い。その為、その導電性を高める為
に透明電極の上に細い金属導電層が付加される。
ＴＯ（酸化インジウムＩｎ２Ｏ３と酸化スズＳｎＯ２の
混合物）で構成される半導体であり、その導電率は金属
などに比較すると低い。その為、その導電性を高める為
に透明電極の上に細い金属導電層が付加される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、透明電
極を被覆する誘電体層は、通常、基板上に誘電体ペース
ト層を形成して高温で焼成することで形成される。この
高温焼成工程であるいはその後の動作時の高温により、
透明電極の抵抗が上昇する問題がある。透明電極の抵抗
の上昇は、特に透明電極対間での維持放電電圧を上昇さ
せ、ＰＤＰの駆動が困難になる場合がある。
極を被覆する誘電体層は、通常、基板上に誘電体ペース
ト層を形成して高温で焼成することで形成される。この
高温焼成工程であるいはその後の動作時の高温により、
透明電極の抵抗が上昇する問題がある。透明電極の抵抗
の上昇は、特に透明電極対間での維持放電電圧を上昇さ
せ、ＰＤＰの駆動が困難になる場合がある。
【０００６】かかる透明電極対の抵抗値の上昇の理由
は、必ずしも確かではないが、透明電極とそれと接して
被覆する誘電体層とが高温状態で互いに反応して、透明
電極の導電性に寄与している主成分が、誘電体層内に含
まれてしまうことが原因と推察される。
は、必ずしも確かではないが、透明電極とそれと接して
被覆する誘電体層とが高温状態で互いに反応して、透明
電極の導電性に寄与している主成分が、誘電体層内に含
まれてしまうことが原因と推察される。
【０００７】そこで、本発明の目的は、上記問題点に鑑
み、プラズマディスプレイパネルの透明電極の抵抗が上
昇するのを防止することができる誘電体層形成用低融点
ガラスペーストおよび低融点ガラスを提供することにあ
る。
み、プラズマディスプレイパネルの透明電極の抵抗が上
昇するのを防止することができる誘電体層形成用低融点
ガラスペーストおよび低融点ガラスを提供することにあ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成する為
に、本発明は、プラズマディスプレイパネル用基板に配
した透明電極パターンを覆う誘電体層形成用ガラスペー
ストとして、ＰｂＯ−ＳｉＯ2−Ｂ２Ｏ３−ＺｎＯ系ま
たはＰｂＯ−ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−ＺｎＯ−ＢａＯ系の
ガラスに透明電極の主成分をなす酸化物を、０．１〜１
０ｗｔ％の範囲で含ませてペースト化したものを特徴と
する。前記透明電極がＩＴＯである場合、前記主成分が
酸化インジウムとして含まれる。
に、本発明は、プラズマディスプレイパネル用基板に配
した透明電極パターンを覆う誘電体層形成用ガラスペー
ストとして、ＰｂＯ−ＳｉＯ2−Ｂ２Ｏ３−ＺｎＯ系ま
たはＰｂＯ−ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−ＺｎＯ−ＢａＯ系の
ガラスに透明電極の主成分をなす酸化物を、０．１〜１
０ｗｔ％の範囲で含ませてペースト化したものを特徴と
する。前記透明電極がＩＴＯである場合、前記主成分が
酸化インジウムとして含まれる。
【０００９】更に、本発明では、ＰｂＯ−ＳｉＯ２−Ｂ
２Ｏ３−ＺｎＯ−ＢａＯ系のガラス組成に０．５〜２ｗ
ｔ％の範囲で透明電極の主成分をなす酸化物、殊に酸化
インジウムを含ませてなる誘電体層形成用低融点ガラス
を特徴とする。誘電体層形成用低融点ガラスまたはペー
スト内に透明電極の主成分を酸化物の形で含ませること
により、高温プロセスを経ても透明電極内に誘電体物質
が拡散して導電率を低下させることが防止されるものと
思われる。
２Ｏ３−ＺｎＯ−ＢａＯ系のガラス組成に０．５〜２ｗ
ｔ％の範囲で透明電極の主成分をなす酸化物、殊に酸化
インジウムを含ませてなる誘電体層形成用低融点ガラス
を特徴とする。誘電体層形成用低融点ガラスまたはペー
スト内に透明電極の主成分を酸化物の形で含ませること
により、高温プロセスを経ても透明電極内に誘電体物質
が拡散して導電率を低下させることが防止されるものと
思われる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態の例に
ついて図面に従って説明する。しかしながら、かかる実
施の形態例が本発明の技術的範囲を限定するものではな
い。
ついて図面に従って説明する。しかしながら、かかる実
施の形態例が本発明の技術的範囲を限定するものではな
い。
【００１１】図１は、本発明の誘電体層形成用低融点ガ
ラスペーストを適用する３電極面放電型のＡＣ型ＰＤＰ
の分解斜視図である。また、図２は、そのＰＤＰの断面
図である。まず、両方の図を参照してその構造について
説明する。この例では、表示側のガラス基板１０の方向
（図２に示した方向）に表示光が出ていく。２０は、背
面側のガラス基板である。表示側のガラス基板１０上に
は、透明電極１１とその上（図面中は下）に形成された
導電性の高いバス電極１２からなるＸ電極１３ＸとＹ電
極１３Ｙが形成され、それらの電極対は、誘電体層１４
とＭｇＯからなる保護層１５で覆われている。バス電極
１２は、透明電極１１の導電性を補うために、Ｘ電極と
Ｙ電極の反対側端部に沿って設けられる。
ラスペーストを適用する３電極面放電型のＡＣ型ＰＤＰ
の分解斜視図である。また、図２は、そのＰＤＰの断面
図である。まず、両方の図を参照してその構造について
説明する。この例では、表示側のガラス基板１０の方向
（図２に示した方向）に表示光が出ていく。２０は、背
面側のガラス基板である。表示側のガラス基板１０上に
は、透明電極１１とその上（図面中は下）に形成された
導電性の高いバス電極１２からなるＸ電極１３ＸとＹ電
極１３Ｙが形成され、それらの電極対は、誘電体層１４
とＭｇＯからなる保護層１５で覆われている。バス電極
１２は、透明電極１１の導電性を補うために、Ｘ電極と
Ｙ電極の反対側端部に沿って設けられる。
【００１２】このバス電極１２は、例えばクロム・銅・
クロムの三層構造のメタル電極である。また、透明電極
１１は、通常は、ＩＴＯ（Indium tin oxide,酸化イン
ジウムＩｎ２Ｏ３と酸化スズＳｎＯ２の混合物）で構成
され、十分な導電性を確保する為に、上記バス電極１２
が付加される。また、誘電体層１４は、通常、酸化鉛を
主成分とする低融点ガラス材料で形成され、より具体的
には、ＰｂＯ−ＳｉＯ ２−Ｂ２Ｏ３−ＺｎＯ系あるいは
ＰｂＯ−ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−ＺｎＯ−ＢａＯ系のガラ
スである。
クロムの三層構造のメタル電極である。また、透明電極
１１は、通常は、ＩＴＯ（Indium tin oxide,酸化イン
ジウムＩｎ２Ｏ３と酸化スズＳｎＯ２の混合物）で構成
され、十分な導電性を確保する為に、上記バス電極１２
が付加される。また、誘電体層１４は、通常、酸化鉛を
主成分とする低融点ガラス材料で形成され、より具体的
には、ＰｂＯ−ＳｉＯ ２−Ｂ２Ｏ３−ＺｎＯ系あるいは
ＰｂＯ−ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−ＺｎＯ−ＢａＯ系のガラ
スである。
【００１３】背面ガラス基板２０上には、例えばシリコ
ン酸化膜からなる下地のパッシベーション膜２１上に、
ストライプ状のアドレス電極Ａ１，Ａ２，Ａ３が設けら
れ、誘電体層２２で覆われている。また、アドレス電極
Ａが、それに隣接するように形成されたストライプ状の
隔壁（リブ）２３の間に形成される。この隔壁２３は、
アドレス放電時の隣接セルへの影響を断つ機能と光のク
ロストークを防ぐ機能の二つの機能を有する。隣接する
リブ２３毎に赤、青、緑の蛍光体２４Ｒ，２４Ｇ，２４
Ｂがアドレス電極上及びリブ壁面を被覆するように塗り
分けられている。
ン酸化膜からなる下地のパッシベーション膜２１上に、
ストライプ状のアドレス電極Ａ１，Ａ２，Ａ３が設けら
れ、誘電体層２２で覆われている。また、アドレス電極
Ａが、それに隣接するように形成されたストライプ状の
隔壁（リブ）２３の間に形成される。この隔壁２３は、
アドレス放電時の隣接セルへの影響を断つ機能と光のク
ロストークを防ぐ機能の二つの機能を有する。隣接する
リブ２３毎に赤、青、緑の蛍光体２４Ｒ，２４Ｇ，２４
Ｂがアドレス電極上及びリブ壁面を被覆するように塗り
分けられている。
【００１４】また、図２に示される通り、表示側基板１
０と背面側基板２０とは約１００μｍ程度のギャップを
保って組み合わされ、その間の空間２５にはＮｅ＋Ｘｅ
の放電用の混合ガスが封入される。
０と背面側基板２０とは約１００μｍ程度のギャップを
保って組み合わされ、その間の空間２５にはＮｅ＋Ｘｅ
の放電用の混合ガスが封入される。
【００１５】図３は、上記の３電極面放電型のＰＤＰの
Ｘ，Ｙ電極とアドレス電極との関係を示すパネルの平面
図である。Ｘ電極Ｘ１〜Ｘ１０は横方向に並行して配列
されかつ基板端部において共通接続され、Ｙ電極Ｙ１〜
Ｙ１０はＸ電極の間にそれぞれ設けられかつ個別に基板
端部に導出されている。これらのＸ，Ｙ電極はそれぞれ
対になって表示ラインを形成し、表示のための維持放電
電圧が交互に印加される。尚、ＸＤ１，ＸＤ２及びＹＤ
１，ＹＤ２はそれぞれ有効表示領域の外側に設けられる
ダミー電極であり、パネルの周辺部分の非線形性の特性
を緩和する為に設けられている。背面側基板２０上に設
けられるアドレス電極Ａ１〜Ａ１４は、Ｘ，Ｙ電極と直
交して設けられる。
Ｘ，Ｙ電極とアドレス電極との関係を示すパネルの平面
図である。Ｘ電極Ｘ１〜Ｘ１０は横方向に並行して配列
されかつ基板端部において共通接続され、Ｙ電極Ｙ１〜
Ｙ１０はＸ電極の間にそれぞれ設けられかつ個別に基板
端部に導出されている。これらのＸ，Ｙ電極はそれぞれ
対になって表示ラインを形成し、表示のための維持放電
電圧が交互に印加される。尚、ＸＤ１，ＸＤ２及びＹＤ
１，ＹＤ２はそれぞれ有効表示領域の外側に設けられる
ダミー電極であり、パネルの周辺部分の非線形性の特性
を緩和する為に設けられている。背面側基板２０上に設
けられるアドレス電極Ａ１〜Ａ１４は、Ｘ，Ｙ電極と直
交して設けられる。
【００１６】Ｘ，Ｙ電極はペアになって維持放電電圧が
交互に印加されるが、Ｙ電極は情報を書き込む時のスキ
ャン電極としても利用される。アドレス電極は、情報を
書き込む時に利用され、情報に従ってアドレス電極とス
キャン対象のＹ電極との間でアドレスのためのプラズマ
放電が発生される。
交互に印加されるが、Ｙ電極は情報を書き込む時のスキ
ャン電極としても利用される。アドレス電極は、情報を
書き込む時に利用され、情報に従ってアドレス電極とス
キャン対象のＹ電極との間でアドレスのためのプラズマ
放電が発生される。
【００１７】図４は、具体的なＰＤＰの駆動方法を説明
する為の電極印加電圧波形図である。それぞれの電極に
印加される電圧は、例えば、Ｖｗ＝１３０Ｖ，Ｖｓ＝１
８０Ｖ，Ｖａ＝５０Ｖ，−Ｖｓｃ＝−５０Ｖ，−Ｖｙ＝
−１５０Ｖであり、Ｖａｗ，Ｖａｘはそれぞれの他の電
極に印加される電圧の中間電位に設定される。
する為の電極印加電圧波形図である。それぞれの電極に
印加される電圧は、例えば、Ｖｗ＝１３０Ｖ，Ｖｓ＝１
８０Ｖ，Ｖａ＝５０Ｖ，−Ｖｓｃ＝−５０Ｖ，−Ｖｙ＝
−１５０Ｖであり、Ｖａｗ，Ｖａｘはそれぞれの他の電
極に印加される電圧の中間電位に設定される。
【００１８】３電極面放電型のＰＤＰの駆動では、１つ
のサブフィールドがリセット期間、アドレス期間、及び
維持放電期間（表示期間）から構成される。
のサブフィールドがリセット期間、アドレス期間、及び
維持放電期間（表示期間）から構成される。
【００１９】リセット期間では、時刻ａ−ｂにて共通接
続されたＸ電極に全面書き込みパルスが印加され、パネ
ル全面でＸＹ電極間で放電が発生する（図中Ｗ）。この
放電で空間２５に発生した電荷のうち、正電荷が電圧の
低いＹ電極側に引き寄せられ、負電荷が電圧の高いＸ電
極側に引き寄せられる。その結果、書き込みパルスがな
くなる時刻ｂにて、今度は上記の引き寄せられて誘電体
層１４上に蓄積された電荷による高電界により、Ｘ電極
とＹ電極間に再度放電が発生する（図中Ｃ）。その結
果、全てのＸ，Ｙ電極上の電荷が中和されてしまい、パ
ネル全体のリセットが終了する。期間ｂ−ｃはその電荷
の中和に要する時間である。
続されたＸ電極に全面書き込みパルスが印加され、パネ
ル全面でＸＹ電極間で放電が発生する（図中Ｗ）。この
放電で空間２５に発生した電荷のうち、正電荷が電圧の
低いＹ電極側に引き寄せられ、負電荷が電圧の高いＸ電
極側に引き寄せられる。その結果、書き込みパルスがな
くなる時刻ｂにて、今度は上記の引き寄せられて誘電体
層１４上に蓄積された電荷による高電界により、Ｘ電極
とＹ電極間に再度放電が発生する（図中Ｃ）。その結
果、全てのＸ，Ｙ電極上の電荷が中和されてしまい、パ
ネル全体のリセットが終了する。期間ｂ−ｃはその電荷
の中和に要する時間である。
【００２０】次に、アドレス期間では、Ｙ電極にー５０
Ｖ（−Ｖｓｃ）、Ｘ電極に５０Ｖ（Ｖａ）を印加し、Ｙ
電極に対して更にスキャンパルスー１５０Ｖ（−Ｖｙ）
を順に印加しながら、アドレス電極に表示情報に従った
アドレスパルス５０Ｖ（Ｖａ）を印加する。この結果、
アドレス電極とスキャン電極との間に２００Ｖの大電圧
が印加され、プラズマ放電が発生する。しかし、リセッ
ト時の全面書き込みパルス程は大きな電圧及びパルス幅
ではないので、パルスの印加が終了しても蓄積電荷によ
る反対の放電は生じない。そして、放電によって発生し
た空間電荷は、５０Ｖ印加のＸ電極側及びアドレス電荷
側に負電荷が、ー５０Ｖ印加のＹ電極側に正電荷がそれ
ぞれの誘電体層１４，２２上に蓄積される。
Ｖ（−Ｖｓｃ）、Ｘ電極に５０Ｖ（Ｖａ）を印加し、Ｙ
電極に対して更にスキャンパルスー１５０Ｖ（−Ｖｙ）
を順に印加しながら、アドレス電極に表示情報に従った
アドレスパルス５０Ｖ（Ｖａ）を印加する。この結果、
アドレス電極とスキャン電極との間に２００Ｖの大電圧
が印加され、プラズマ放電が発生する。しかし、リセッ
ト時の全面書き込みパルス程は大きな電圧及びパルス幅
ではないので、パルスの印加が終了しても蓄積電荷によ
る反対の放電は生じない。そして、放電によって発生し
た空間電荷は、５０Ｖ印加のＸ電極側及びアドレス電荷
側に負電荷が、ー５０Ｖ印加のＹ電極側に正電荷がそれ
ぞれの誘電体層１４，２２上に蓄積される。
【００２１】最後に、維持放電期間では、アドレス期間
で記憶された壁電荷を利用して、表示の輝度に応じた表
示の放電が行われる。即ち、壁電荷があるセルでは放電
するが壁電荷のないセルでは放電しない程度の維持パル
スＶｓが、Ｘ，Ｙ電極間に印加される。その結果、アド
レス期間において壁電荷が蓄積されたセルでは、Ｘ，Ｙ
電極間で交互に放電が繰り返される。この放電パルスの
数に応じて、表示の輝度が表現される。従って、このサ
ブフィールドを複数回にわたり重み付けした維持放電期
間で繰り返すことで多階調表示を可能にする。そして、
ＲＧＢのセルで組み合わせることでフルカラー表示を実
現できる。
で記憶された壁電荷を利用して、表示の輝度に応じた表
示の放電が行われる。即ち、壁電荷があるセルでは放電
するが壁電荷のないセルでは放電しない程度の維持パル
スＶｓが、Ｘ，Ｙ電極間に印加される。その結果、アド
レス期間において壁電荷が蓄積されたセルでは、Ｘ，Ｙ
電極間で交互に放電が繰り返される。この放電パルスの
数に応じて、表示の輝度が表現される。従って、このサ
ブフィールドを複数回にわたり重み付けした維持放電期
間で繰り返すことで多階調表示を可能にする。そして、
ＲＧＢのセルで組み合わせることでフルカラー表示を実
現できる。
【００２２】この維持放電期間では、図２に矢印で示さ
れた通り、１対の透明電極１１間に印加された維持電圧
Ｖｓと、誘電体層１４の表面（実際には保護層１５の表
面）上に蓄積された電荷による電圧とにより、維持放電
のためのプラズマ放電が発生する。そして、その発生し
たプラズマから発生する紫外線が蛍光層２２に照射され
てそれぞれの色の光を発生し、その光が図２に矢印で示
された通り表示側の基板１０上に出ていく。
れた通り、１対の透明電極１１間に印加された維持電圧
Ｖｓと、誘電体層１４の表面（実際には保護層１５の表
面）上に蓄積された電荷による電圧とにより、維持放電
のためのプラズマ放電が発生する。そして、その発生し
たプラズマから発生する紫外線が蛍光層２２に照射され
てそれぞれの色の光を発生し、その光が図２に矢印で示
された通り表示側の基板１０上に出ていく。
【００２３】上記した通り、透明電極１１は、それ自体
導電性が余り高くない半導体層であるので、その両端側
に金属のバス電極１２が設けられる。したがって、透明
電極１１と誘電体層１４との間の何らかの反応により、
透明電極１１の導電性が多少下がってもＸ電極１３Ｘと
Ｙ電極１３Ｙの長手方向の抵抗は低く抑えられる。
導電性が余り高くない半導体層であるので、その両端側
に金属のバス電極１２が設けられる。したがって、透明
電極１１と誘電体層１４との間の何らかの反応により、
透明電極１１の導電性が多少下がってもＸ電極１３Ｘと
Ｙ電極１３Ｙの長手方向の抵抗は低く抑えられる。
【００２４】しかしながら、透明電極１１の導電性が下
がると、その幅方向の抵抗も上がり、維持放電の為に必
要な維持放電電圧Ｖｓを高くすることが必要になる。即
ち、透明電極１１の抵抗が上がり、実質的な維持放電が
バス電極１２間で発生するからである。バス電極１２間
の距離は、透明電極１１間の距離よりも長くなり、その
間での放電にはより高い放電電圧が必要とされる。
がると、その幅方向の抵抗も上がり、維持放電の為に必
要な維持放電電圧Ｖｓを高くすることが必要になる。即
ち、透明電極１１の抵抗が上がり、実質的な維持放電が
バス電極１２間で発生するからである。バス電極１２間
の距離は、透明電極１１間の距離よりも長くなり、その
間での放電にはより高い放電電圧が必要とされる。
【００２５】そこで、本発明の実施の形態例では、透明
電極１１の導電性が下がらないようにするために、その
透明電極１１に接して被覆する誘電体層１４を形成する
ための低融点ガラスまたはそのペーストに透明電極の主
成分の酸化物を含ませる。例えば、透明電極１１がＩＴ
Ｏ（酸化インジウム９５ｗｔ％、酸化すず５ｗｔ％）の
場合は、誘電体層１４を形成する低融点ガラスペースト
に酸化インジウムＩｎ ２Ｏ３の粒子を混入する。或い
は、誘電体層１４を形成する低融点ガラスのガラスの組
成内に、酸化インジウムをドープさせる。このような低
融点ガラスペースト或いは低融点ガラスを用いることに
より、高温の焼成工程を経ても、誘電体層１４と透明電
極１１との間の化学反応あるいは物質の相互拡散は防止
される。
電極１１の導電性が下がらないようにするために、その
透明電極１１に接して被覆する誘電体層１４を形成する
ための低融点ガラスまたはそのペーストに透明電極の主
成分の酸化物を含ませる。例えば、透明電極１１がＩＴ
Ｏ（酸化インジウム９５ｗｔ％、酸化すず５ｗｔ％）の
場合は、誘電体層１４を形成する低融点ガラスペースト
に酸化インジウムＩｎ ２Ｏ３の粒子を混入する。或い
は、誘電体層１４を形成する低融点ガラスのガラスの組
成内に、酸化インジウムをドープさせる。このような低
融点ガラスペースト或いは低融点ガラスを用いることに
より、高温の焼成工程を経ても、誘電体層１４と透明電
極１１との間の化学反応あるいは物質の相互拡散は防止
される。
【００２６】具体的にいうと本発明によれば、導電性の
酸化インジウム（Ｎ型の半導体）が、誘電体層１４とな
る低融点のガラス材料内に含まれているので、透明電極
の主成分の酸化インジウムが誘電体層１４側に、そして
誘電体層１４内の酸化鉛が透明電極１１内にそれぞれ入
り込む化学的反応が抑制されるものと思われる。即ち、
化学平衡状態により相互の拡散が抑制されるものと考え
られる。
酸化インジウム（Ｎ型の半導体）が、誘電体層１４とな
る低融点のガラス材料内に含まれているので、透明電極
の主成分の酸化インジウムが誘電体層１４側に、そして
誘電体層１４内の酸化鉛が透明電極１１内にそれぞれ入
り込む化学的反応が抑制されるものと思われる。即ち、
化学平衡状態により相互の拡散が抑制されるものと考え
られる。
【００２７】図５は、酸化インジウムを誘電体層１４に
含有させた時の、ＩＴＯからなる透明電極１１の抵抗値
の上昇率と焼成温度との関係を示すグラフ図である。こ
のグラフは、図２に示した様に、ＩＴＯからなる透明電
極１１が形成された基板上に、透明電極１１を被覆する
様に誘電体層１４を形成する低融点ガラスペーストを印
刷して、焼成温度を変化させて、焼成後の透明電極１１
の抵抗値の変化率を測定した結果である。サンプルとし
て、透明電極に、酸化インジウムＩｎ２Ｏ３を９５ｗｔ
％と酸化スズＳｎＯ２を５ｗｔ％を含むＩＴＯを、誘電
体層形成用低融点ガラスとして、ＰｂＯ−ＳｉＯ２−Ｂ
２Ｏ３−ＺｎＯ−ＢａＯ系のガラス組成を使用した。そ
して、そのガラス材料に３．０ｗｔ％の酸化インジウム
粒子あるいは粉末を混合させた例（図中ａ）、ガラス組
成内に、２．０ｗｔ％の酸化インジウムを含ませた例
（図中ｂ）、同１．０ｗｔ％の酸化インジウムを含ませ
た例（図中ｃ）、同０．５ｗｔ％の酸化インジウムを含
ませた例（図中ｄ）、及び酸化インジウムを含有しない
例（図中ｅ）の４つのサンプルについて測定した。
含有させた時の、ＩＴＯからなる透明電極１１の抵抗値
の上昇率と焼成温度との関係を示すグラフ図である。こ
のグラフは、図２に示した様に、ＩＴＯからなる透明電
極１１が形成された基板上に、透明電極１１を被覆する
様に誘電体層１４を形成する低融点ガラスペーストを印
刷して、焼成温度を変化させて、焼成後の透明電極１１
の抵抗値の変化率を測定した結果である。サンプルとし
て、透明電極に、酸化インジウムＩｎ２Ｏ３を９５ｗｔ
％と酸化スズＳｎＯ２を５ｗｔ％を含むＩＴＯを、誘電
体層形成用低融点ガラスとして、ＰｂＯ−ＳｉＯ２−Ｂ
２Ｏ３−ＺｎＯ−ＢａＯ系のガラス組成を使用した。そ
して、そのガラス材料に３．０ｗｔ％の酸化インジウム
粒子あるいは粉末を混合させた例（図中ａ）、ガラス組
成内に、２．０ｗｔ％の酸化インジウムを含ませた例
（図中ｂ）、同１．０ｗｔ％の酸化インジウムを含ませ
た例（図中ｃ）、同０．５ｗｔ％の酸化インジウムを含
ませた例（図中ｄ）、及び酸化インジウムを含有しない
例（図中ｅ）の４つのサンプルについて測定した。
【００２８】尚、ガラス材料に酸化インジウムの粒子を
混合するためには、例えば、ガラス粉末に適切な溶剤と
バインダーと共に、例えば１００オングストローム程度
の酸化インジウムの粒子を混入させてペースト化し、基
板上にスクリーン印刷して焼成する。酸化インジウムの
粒子をできるだけ小さくして表示光を遮蔽することがな
い様にする必要がある。
混合するためには、例えば、ガラス粉末に適切な溶剤と
バインダーと共に、例えば１００オングストローム程度
の酸化インジウムの粒子を混入させてペースト化し、基
板上にスクリーン印刷して焼成する。酸化インジウムの
粒子をできるだけ小さくして表示光を遮蔽することがな
い様にする必要がある。
【００２９】また、ガラス組成内に酸化インジウムを含
ませる為には、例えば、酸化鉛を主成分とするガラス粉
末に酸化インジウムの粉末を混合し、１３００℃程度の
高温下で溶融する。これにより、酸化インジウムはガラ
ス組成に組み込まれる。その後、溶融した状態から冷却
し、粉末化し、溶剤とバインダによりペースト化してか
ら、印刷、焼成を行う。焼成温度は、通常５８０℃乃至
６００℃程度であり、この工程では溶融はしない。
ませる為には、例えば、酸化鉛を主成分とするガラス粉
末に酸化インジウムの粉末を混合し、１３００℃程度の
高温下で溶融する。これにより、酸化インジウムはガラ
ス組成に組み込まれる。その後、溶融した状態から冷却
し、粉末化し、溶剤とバインダによりペースト化してか
ら、印刷、焼成を行う。焼成温度は、通常５８０℃乃至
６００℃程度であり、この工程では溶融はしない。
【００３０】この測定結果から明らかな通り、誘電体層
に酸化インジウムを含ませないサンプルｅでは、焼成温
度が５８０℃以上になると急激に透明電極の抵抗が上昇
する。そして、６００℃を超えると、その抵抗の上昇は
無限大に近くなり、ほぼ導電性は失われる。従って、酸
化インジウムを含有させない場合は、焼成温度をその分
低くする必要があり、十分な焼成をすることができない
か、あるいは長時間の焼成工程を要する。
に酸化インジウムを含ませないサンプルｅでは、焼成温
度が５８０℃以上になると急激に透明電極の抵抗が上昇
する。そして、６００℃を超えると、その抵抗の上昇は
無限大に近くなり、ほぼ導電性は失われる。従って、酸
化インジウムを含有させない場合は、焼成温度をその分
低くする必要があり、十分な焼成をすることができない
か、あるいは長時間の焼成工程を要する。
【００３１】それに対して、誘電体層形成用の低融点ガ
ラスペーストに酸化インジウムを混入させたサンプルａ
および低融点ガラス組成内に酸化インジウムを含ませた
サンプルｂ，ｃ，ｄでは、焼成温度が５９０℃を越えて
も透明電極の抵抗の上昇は抑えられる。特に、２ｗｔ％
の酸化インジウムを低融点ガラス組成に含ませたサンプ
ルｂの場合は、焼成温度が５９０℃を越えても透明電極
の抵抗の上昇はほとんどない。３ｗｔ％の酸化インジウ
ムの粒子（粉末）を混合したサンプルａと１ｗｔ％の酸
化インジウムを組成に含ませたサンプルｃの場合は、ほ
とんど同一特性を示し６００℃を越えても透明電極の抵
抗の上昇はほとんどない。なお、サンプルａに比べてサ
ンプルｂの方が良い結果を示すのは、酸化インジウムが
ほぼ均一にガラス内に分散されているためである。
ラスペーストに酸化インジウムを混入させたサンプルａ
および低融点ガラス組成内に酸化インジウムを含ませた
サンプルｂ，ｃ，ｄでは、焼成温度が５９０℃を越えて
も透明電極の抵抗の上昇は抑えられる。特に、２ｗｔ％
の酸化インジウムを低融点ガラス組成に含ませたサンプ
ルｂの場合は、焼成温度が５９０℃を越えても透明電極
の抵抗の上昇はほとんどない。３ｗｔ％の酸化インジウ
ムの粒子（粉末）を混合したサンプルａと１ｗｔ％の酸
化インジウムを組成に含ませたサンプルｃの場合は、ほ
とんど同一特性を示し６００℃を越えても透明電極の抵
抗の上昇はほとんどない。なお、サンプルａに比べてサ
ンプルｂの方が良い結果を示すのは、酸化インジウムが
ほぼ均一にガラス内に分散されているためである。
【００３２】図６は、上記のようにして誘電体層に酸化
インジウムの粒子を混入した時の誘電体層の表面抵抗率
の変化を示すグラフ図である。この例では、上記した酸
化鉛を主成分とする低融点ガラスのペーストに酸化イン
ジウムの粒子を混入した例である。酸化インジウムはＮ
型の半導体物質であり、酸化導電材料である。従って、
その混入の量を増加することにより、誘電体層の表面抵
抗は低下する。このグラフから明らかな通り、酸化イン
ジウムの含有量を１０ｗｔ％程度まで増やすと、その表
面抵抗値は含有しない場合よりも２桁以上抵抗値が低下
し、３ｗｔ％含有する場合よりも約１桁程度抵抗値が低
下する。
インジウムの粒子を混入した時の誘電体層の表面抵抗率
の変化を示すグラフ図である。この例では、上記した酸
化鉛を主成分とする低融点ガラスのペーストに酸化イン
ジウムの粒子を混入した例である。酸化インジウムはＮ
型の半導体物質であり、酸化導電材料である。従って、
その混入の量を増加することにより、誘電体層の表面抵
抗は低下する。このグラフから明らかな通り、酸化イン
ジウムの含有量を１０ｗｔ％程度まで増やすと、その表
面抵抗値は含有しない場合よりも２桁以上抵抗値が低下
し、３ｗｔ％含有する場合よりも約１桁程度抵抗値が低
下する。
【００３３】誘電体層１４は、透明電極間を絶縁すると
共に、アドレス放電時に発生した電荷を蓄積する必要が
あるので、抵抗値が過度に低下することは避けなければ
ならない。そこで、酸化インジウムの粒子の混入量とし
ては、上限は１０ｗｔ％程度である。また、下限は、あ
る程度の透明電極の抵抗値の上昇が抑えられる０．１ｗ
ｔ％程度である。
共に、アドレス放電時に発生した電荷を蓄積する必要が
あるので、抵抗値が過度に低下することは避けなければ
ならない。そこで、酸化インジウムの粒子の混入量とし
ては、上限は１０ｗｔ％程度である。また、下限は、あ
る程度の透明電極の抵抗値の上昇が抑えられる０．１ｗ
ｔ％程度である。
【００３４】上記の検討結果から、透明電極１１に接し
て被覆する誘電体層１４を形成するための低融点ガラス
ペーストとしてＰｂＯ−ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−ＺｎＯ系
またはＰｂＯ−ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−ＺｎＯ−ＢａＯ系
のガラスに透明電極の主成分をなす酸化物、殊に酸化イ
ンジウムを０．１〜１０ｗｔ％の範囲で含ませてペース
ト化したもの、或いはＰｂＯ−ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ｚ
ｎＯ−ＢａＯ系のガラス組成に透明電極の主成分をなす
酸化物、殊に酸化インジウムを０．５〜２．０ｗｔ％の
範囲で含ませた低融点ガラスのペーストを用いることに
より、焼成などの高温プロセスに対して透明電極１１の
導電性を低下させない為に有効であることが理解され
る。
て被覆する誘電体層１４を形成するための低融点ガラス
ペーストとしてＰｂＯ−ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−ＺｎＯ系
またはＰｂＯ−ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−ＺｎＯ−ＢａＯ系
のガラスに透明電極の主成分をなす酸化物、殊に酸化イ
ンジウムを０．１〜１０ｗｔ％の範囲で含ませてペース
ト化したもの、或いはＰｂＯ−ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ｚ
ｎＯ−ＢａＯ系のガラス組成に透明電極の主成分をなす
酸化物、殊に酸化インジウムを０．５〜２．０ｗｔ％の
範囲で含ませた低融点ガラスのペーストを用いることに
より、焼成などの高温プロセスに対して透明電極１１の
導電性を低下させない為に有効であることが理解され
る。
【００３５】つまり、本発明によれば、プラズマディス
プレイパネルの透明電極が形成された基板上に、透明電
極を被覆するガラスペーストを印刷する際に、ガラスペ
ースト内に透明電極の主成分を含ませることが有効であ
る。誘電体物質となるガラスペースト内に透明電極の主
成分を含ませる方法としては、上記した粒子を混入する
方法と、主成分を溶融させてガラス組成に組み込む方法
とが考えられる。かかるガラスペーストを用いればその
焼成のための高温プロセスや、その後の２枚のガラス基
板の封止工程における高温プロセスを経ても、透明電極
の導電性は低下しない。
プレイパネルの透明電極が形成された基板上に、透明電
極を被覆するガラスペーストを印刷する際に、ガラスペ
ースト内に透明電極の主成分を含ませることが有効であ
る。誘電体物質となるガラスペースト内に透明電極の主
成分を含ませる方法としては、上記した粒子を混入する
方法と、主成分を溶融させてガラス組成に組み込む方法
とが考えられる。かかるガラスペーストを用いればその
焼成のための高温プロセスや、その後の２枚のガラス基
板の封止工程における高温プロセスを経ても、透明電極
の導電性は低下しない。
【００３６】上記の実施の形態例では、誘電体層形成用
低融点ガラスとして、酸化鉛を主成分とする低融点ガラ
スを例に説明した。それ以外の物質としては、酸化ビス
マスを主成分とする低融点ガラス（ＺｎＯ−Ｂｉ
２Ｏ３）、リン酸系の低融点ガラス（ＰＯ４）などの場
合も、透明電極の主成分を含ませることで同様の効果が
期待できる。
低融点ガラスとして、酸化鉛を主成分とする低融点ガラ
スを例に説明した。それ以外の物質としては、酸化ビス
マスを主成分とする低融点ガラス（ＺｎＯ−Ｂｉ
２Ｏ３）、リン酸系の低融点ガラス（ＰＯ４）などの場
合も、透明電極の主成分を含ませることで同様の効果が
期待できる。
【００３７】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明によれば、プ
ラズマディスプレイパネルの透明電極を被覆する誘電体
層形成用低融点ガラスに当該透明電極の主成分を所定量
含ませることにより、透明電極の導電性が低下すること
を防止することができる。
ラズマディスプレイパネルの透明電極を被覆する誘電体
層形成用低融点ガラスに当該透明電極の主成分を所定量
含ませることにより、透明電極の導電性が低下すること
を防止することができる。
【図１】本発明を適用するＰＤＰの分解斜視図である。
【図２】ＰＤＰの断面図である。
【図３】３電極面放電型のＰＤＰのＸ，Ｙ電極とアドレ
ス電極との関係を示すパネルの平面図である。
ス電極との関係を示すパネルの平面図である。
【図４】具体的なＰＤＰの駆動方法を説明する為の電極
印加電圧波形図である。
印加電圧波形図である。
【図５】酸化インジウムを誘電体層に含有させた時の、
ＩＴＯからなる透明電極の抵抗値の上昇率と温度との関
係を示すグラフ図である。
ＩＴＯからなる透明電極の抵抗値の上昇率と温度との関
係を示すグラフ図である。
【図６】誘電体層に酸化インジウムの粒子を混入した時
の誘電体層の表面抵抗率の変化を示すグラフ図である。
の誘電体層の表面抵抗率の変化を示すグラフ図である。
１０ 第一の基板 １１ 透明電極 １４ 誘電体層 ２０ 第二の基板 Ａ アドレス電極 ２５ 放電空間
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 淡路 則之 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 別井 圭一 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 只木 進二 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 Ｆターム(参考） 4G062 AA09 BB04 DA02 DB01 DC02 DD01 DE02 DF02 EA01 EB01 EC01 ED01 EE01 EF01 EG02 FA01 FB01 FC01 FD01 FE02 FF01 FG01 FH01 FJ01 FK01 FL01 GA01 GA10 GB01 GC01 GD01 GE01 HH01 HH03 HH06 HH07 HH09 HH11 HH13 HH15 HH17 JJ01 JJ03 JJ05 JJ07 JJ10 KK01 KK03 KK05 KK07 KK10 MM23 NN40 PP01 PP09 5C040 GC06 GC18 GD07 KA04 KA08 KA10 KB19 KB28 MA10 5C094 AA21 BA31 CA19 DA14 DA15 EA04 EA07 EB02 FB12 FB15 FB16
Claims (4)
- 【請求項１】プラズマディスプレイパネル用基板に配し
た透明電極パターン上に、誘電体層を形成するための低
融点ガラスペーストであって、 ＰｂＯ−ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−ＺｎＯ系またはＰｂＯ−
ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−ＺｎＯ−ＢａＯ系のガラスに、前
記透明電極の主成分をなす酸化物を、０．１〜１０ｗｔ
％の範囲で含ませてペースト化してなることを特徴とす
る誘電体層形成用低融点ガラスペースト。 - 【請求項２】プラズマディスプレイパネル用基板に配し
た透明電極パターン上に、誘電体層を形成するための低
融点ガラスであって、 前記透明電極の主成分をなす酸化物を、ＰｂＯ−ＳｉＯ
２−Ｂ２Ｏ３−ＺｎＯ−ＢａＯ系のガラス組成に０．５
〜２．０ｗｔ％の範囲で含ませることを特徴とする誘電
体層形成用低融点ガラス。 - 【請求項３】請求項１において、 透明電極の主成分が酸化インジウムであることを特徴と
する誘電体層形成用低融点ガラスペースト。 - 【請求項４】請求項２において、 透明電極の主成分が酸化インジウムであることを特徴と
する誘電体層形成用低融点ガラス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001134960A JP3710396B2 (ja) | 2001-05-02 | 2001-05-02 | 誘電体層形成用低融点ガラスペーストおよび低融点ガラス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001134960A JP3710396B2 (ja) | 2001-05-02 | 2001-05-02 | 誘電体層形成用低融点ガラスペーストおよび低融点ガラス |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03893297A Division JP3313298B2 (ja) | 1997-02-24 | 1997-02-24 | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002020138A true JP2002020138A (ja) | 2002-01-23 |
| JP3710396B2 JP3710396B2 (ja) | 2005-10-26 |
Family
ID=18982524
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001134960A Expired - Fee Related JP3710396B2 (ja) | 2001-05-02 | 2001-05-02 | 誘電体層形成用低融点ガラスペーストおよび低融点ガラス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3710396B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008020541A (ja) * | 2006-07-11 | 2008-01-31 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| JP2008103217A (ja) * | 2006-10-19 | 2008-05-01 | Advanced Pdp Development Corp | プラズマディスプレイパネル |
| WO2008099613A1 (ja) * | 2007-02-16 | 2008-08-21 | Panasonic Corporation | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法、およびその表示電極用ペースト |
| US8390775B2 (en) | 2005-06-30 | 2013-03-05 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device with protection film at connection of TCP and therminal and fabrication method thereof |
| CN114685102A (zh) * | 2020-12-30 | 2022-07-01 | 辽宁省轻工科学研究院有限公司 | 一种低温玻璃浆料及其制备方法 |
-
2001
- 2001-05-02 JP JP2001134960A patent/JP3710396B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US8390775B2 (en) | 2005-06-30 | 2013-03-05 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device with protection film at connection of TCP and therminal and fabrication method thereof |
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| JP4564472B2 (ja) * | 2006-07-11 | 2010-10-20 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| JP2008103217A (ja) * | 2006-10-19 | 2008-05-01 | Advanced Pdp Development Corp | プラズマディスプレイパネル |
| WO2008099613A1 (ja) * | 2007-02-16 | 2008-08-21 | Panasonic Corporation | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法、およびその表示電極用ペースト |
| JP2008226832A (ja) * | 2007-02-16 | 2008-09-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法、およびその表示電極用ペースト |
| US8125149B2 (en) | 2007-02-16 | 2012-02-28 | Panasonic Corporation | Plasma display panel, method of manufacturing the same, and paste for display electrodes of plasma display panel |
| CN114685102A (zh) * | 2020-12-30 | 2022-07-01 | 辽宁省轻工科学研究院有限公司 | 一种低温玻璃浆料及其制备方法 |
| CN114685102B (zh) * | 2020-12-30 | 2023-02-03 | 辽宁省轻工科学研究院有限公司 | 一种低温玻璃浆料及其制备方法 |
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| JP3710396B2 (ja) | 2005-10-26 |
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