JP2002016759A - リニアイメージセンサチップおよびリニアイメージセンサ - Google Patents

リニアイメージセンサチップおよびリニアイメージセンサ

Info

Publication number
JP2002016759A
JP2002016759A JP2000194500A JP2000194500A JP2002016759A JP 2002016759 A JP2002016759 A JP 2002016759A JP 2000194500 A JP2000194500 A JP 2000194500A JP 2000194500 A JP2000194500 A JP 2000194500A JP 2002016759 A JP2002016759 A JP 2002016759A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
image sensor
semiconductor substrate
linear image
photodiode
longitudinal direction
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2000194500A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4139051B2 (ja
Inventor
Takashi Murayama
任 村山
Tatsuya Hagiwara
達也 萩原
Tetsuo Yamada
哲生 山田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Holdings Corp
Fujifilm Microdevices Co Ltd
Original Assignee
Fujifilm Microdevices Co Ltd
Fuji Photo Film Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujifilm Microdevices Co Ltd, Fuji Photo Film Co Ltd filed Critical Fujifilm Microdevices Co Ltd
Priority to JP2000194500A priority Critical patent/JP4139051B2/ja
Priority to US09/892,506 priority patent/US7227575B2/en
Publication of JP2002016759A publication Critical patent/JP2002016759A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4139051B2 publication Critical patent/JP4139051B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/148—Charge coupled imagers
    • H01L27/14868—CCD or CID colour imagers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462—Coatings
    • H01L27/14623—Optical shielding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
    • H01L27/14654—Blooming suppression
    • H01L27/14656—Overflow drain structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0555—Shape
    • H01L2224/05552—Shape in top view
    • H01L2224/05554—Shape in top view being square
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01014—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01028—Nickel [Ni]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/049—Nitrides composed of metals from groups of the periodic table
    • H01L2924/0494—4th Group
    • H01L2924/04941—TiN
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12043—Photo diode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/1615—Shape
    • H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19041—Component type being a capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding

Landscapes

  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Optical Systems Of Projection Type Copiers (AREA)
  • Image Input (AREA)
  • Facsimile Heads (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 リニアイメージセンサを利用した画像読み取
り装置であって、高いダイナミックレンジを有する高級
タイプの画像読み取り装置においては、再生した画像な
いし映像に局所的にゴースト様のノイズが生じることが
ある。 【解決手段】 細長い形状を有する半導体基板に、撮像
部と、周辺回路部と、複数個のボンディングパッドと、
遮光層とを形成してリニアイメージセンサ半導体チップ
を得るにあたって、撮像部に形成されているフォトダイ
オード群よりも半導体基板の長手方向外側に、ボンディ
ングパッドの各々を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はリニアイメージセン
サチップおよびリニアイメージセンサに係り、特に、画
像読み取り用のリニアイメージセンサ半導体チップおよ
びリニアイメージセンサに関する。
【０００２】本明細書においては、画像読み取り用のリ
ニアイメージセンサ半導体チップを「リニアイメージセ
ンサ半導体チップ」と略記し、画像読み取り用のリニア
イメージセンサを「リニアイメージセンサ」と略記す
る。
【０００３】
【従来の技術】ファクシミリ、電子複写機、イメージス
キャナ、バーコードリーダー等の種々の機器において利
用されるリニアイメージセンサは、リニアイメージセン
サ半導体チップと、この半導体チップを収容したパッケ
ージとを含んで構成される。
【０００４】リニアイメージセンサを構成するリニアイ
メージセンサ半導体チップは、細長い半導体基板と、こ
の半導体基板上に形成された撮像部、周辺回路部および
複数個のボンディングパッドを有する。
【０００５】撮像部は、少なくとも１つのフォトダイオ
ード群と、各フォトダイオード群に近接して形成された
電荷転送路とを含む。多くのリニアイメージセンサ半導
体チップにおいては、フォトダイオード内の電荷を排出
するための横型オーバーフロードレインまたは縦型オー
バーフロードレインが形成される。横型オーバーフロー
ドレインは、撮像部内に形成される。
【０００６】撮像部に形成されるフォトダイオード群の
数は、リニアイメージセンサの用途や性能等に応じて異
なる。白黒撮像用のリニアイメージセンサに利用される
リニアイメージセンサ半導体チップでは、通常、１つ〜
２つのフォトダイオード群が形成され、カラー撮像用の
リニアイメージセンサに利用されるリニアイメージセン
サ半導体チップでは、例えば３つのフォトダイオード群
が形成される。
【０００７】個々のフォトダイオード群は、細長い半導
体基板の一表面側においてこの半導体基板の長手方向に
一列に形成された複数個のフォトダイオードによって構
成される。１つのフォトダイオード群を構成するフォト
ダイオードの数も、リニアイメージセンサの用途や性能
等に応じて異なる。
【０００８】例えば、イメージスキャナに利用されるリ
ニアイメージセンサ半導体チップでは、２５６個程度の
フォトダイオードしか有さないものもある。ファクシミ
リや電子複写機等に利用されるリニアイメージセンサ半
導体チップでは、１つのフォトダイオード群が２０００
個程度以上のフォトダイオード、多いものでは１０００
０個を超えるフォトダイオードによって構成される。
【０００９】電荷転送路は、例えばＣＣＤ（電荷結合素
子）によって構成される。ＣＣＤによって構成された電
荷転送路は、半導体基板に形成された電荷転送用チャネ
ルと、この電荷転送用チャネル上に電気的絶縁膜を介し
て形成された多数本の転送電極とを含む。
【００１０】フォトダイオードから電荷転送路への電荷
の移送を制御するために、１個のフォトダイオードに１
個ずつ、読出ゲートが配設される。読出ゲートは、例え
ば半導体基板に形成された読出ゲート用チャネルと、そ
の上に電気的絶縁膜を介して形成された読出ゲート電極
とを含んで構成される。読出ゲート電極は、電荷転送路
を構成する転送電極とは別個に形成してもよく、電荷転
送路を構成する転送電極の一部によって形成されてもよ
い。
【００１１】本明細書においては、ＣＣＤによって構成
された電荷転送路と、読出ゲートとを、「電荷転送路」
と総称するものとする。
【００１２】周辺回路部は、撮像部に形成されている電
荷転送路の出力端に電気的に接続されて形成された少な
くとも１つの出力アンプを含む。
【００１３】ボンディングパッドの数は、製品テストの
際にのみ使用されるものを除き、概ね１６〜４８個程度
である。
【００１４】ボンディングパッドの各々は、リニアイメ
ージセンサ半導体チップの中央部において半導体基板の
縁に沿って設けられることもあるし、長手方向の端部に
おいて半導体基板の縁に沿って設けられることもある。
【００１５】外部接続用のボンディングパッドの各々
は、露出した表面を有する。製品テストの際にのみ使用
されるボンディングパッドについては、その上に単色の
遮光層が設けられることがある。
【００１６】リニアイメージセンサ半導体チップを収容
するパッケージは、底部、側壁部および蓋部を有する。
底部および側壁部は遮光性材料によって形成される。蓋
部は、透光性材料によって形成された窓を有する。
【００１７】窓を有する蓋部は、例えば、ガラスリッド
と、このガラスリッドの縁部を覆う遮光用部材とによっ
て構成することができる。
【００１８】パッケージの側壁部には、内部空間から外
部に達する複数本のリード電極が形成される。
【００１９】リード電極の各々は、ボンディングワイヤ
によって、所定のボンディングパッドと電気的に接続さ
れている。
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】リニアイメージセンサ
を利用した普及タイプの画像読み取り装置におけるダイ
ナミックレンジは概ね４０〜５０ｄＢ程度である。一
方、リニアイメージセンサを用いた高級タイプの画像読
み取り装置、例えば印刷用原稿等を作成するために使用
される画像読み取り装置におけるダイナミックレンジ
は、概ね６０〜７０ｄＢ程度ないしはそれ以上である。
【００２１】このため、リニアイメージセンサを利用し
た高級タイプの画像読み取り装置では、リニアイメージ
センサを利用した普及タイプの画像読み取り装置におい
ては検知できない小さなノイズまでもが検知される。
【００２２】リニアイメージセンサで発生したノイズ
は、このリニアイメージセンサから出力された信号を処
理して映像信号を得る過程で、ある程度低減させること
ができる。それでもなお、従来の高級タイプの画像読み
取り装置においては、再生した画像ないし映像に局所的
にゴースト様のノイズが生じることがある。
【００２３】また、今日では、よりダイナミックレンジ
の高い画像読み取り装置が求められている。これに伴っ
て、リニアイメージセンサあるいはリニアイメージセン
サにおけるノイズの発生を更に抑制することが望まれて
いる。
【００２４】本発明の目的は、ノイズが生じにくいリニ
アイメージセンサに組み立てることが容易なリニアイメ
ージセンサ半導体チップを提供することである。
【００２５】本発明の他の目的は、ノイズが生じにくい
リニアイメージセンサを提供することである。
【００２６】
【課題を解決するための手段】本件発明者は、リニアイ
メージセンサを用いた画像読み取り装置のダイナミック
レンジを高めたときに局所的に発生するゴースト様のノ
イズの原因について鋭意探求した結果、次の結論に達し
た。
【００２７】すなわち、チップ中央部にボンディングパ
ッドが設けられた従来のリニアイメージセンサ半導体チ
ップにおいては勿論、長手方向のチップ端部にボンディ
ングパッドが設けられた従来のリニアイメージセンサ半
導体チップにおいても、露出した表面を有するボンディ
ングパッドがフォトダイオード群の側方に配置されてい
る。
【００２８】このため、従来のリニアイメージセンサに
おいては、パッケージの窓から入射した光の一部がボン
ディングパッドの表面で反射し、その一部が窓ないしは
蓋部の内面で反射して、フォトダイオードに入射する。
その結果として、ゴースト様のノイズが局所的に発生す
る。
【００２９】ここで、本明細書でいう「フォトダイオー
ド群の側方に配置されたボンディングパッド」とは、平
面視上、半導体基板の長手方向と交差する方向にフォト
ダイオード群と並存するボンディングパッドを意味す
る。
【００３０】パッケージの窓の面積を小さくすれば、上
記のノイズの発生を抑制することが可能であると考えら
れる。しかしながら、フォトダイオード群に入射する光
量も低減することから、リニアイメージセンサの感度が
低下する。
【００３１】本発明の一観点によれば、細長い形状を有
する半導体基板と、前記半導体基板に形成された撮像部
であって、前記半導体基板の長手方向に沿って該半導体
基板の一表面側に形成された複数個のフォトダイオード
を含む少なくとも１群のフォトダイオード群と、各フォ
トダイオード群に沿って形成された電荷転送路とを含む
撮像部と、前記撮像部よりも前記半導体基板の長手方向
外側に形成された周辺回路部と、前記半導体基板に配設
され、各々が露出した表面を有し、前記フォトダイオー
ド群よりも前記半導体基板の長手方向外側に形成された
複数個のボンディングパッドと、前記半導体基板の上方
に形成され、前記複数個のフォトダイオードそれぞれの
周辺を覆う遮光層とを有するリニアイメージセンサチッ
プが提供される。
【００３２】本発明の他の観点によれば、底部、側壁部
および蓋部を備え、前記底部および前記側壁部が遮光性
材料によって形成され、前記蓋部が透光性材料によって
形成された細長い窓を有するパッケージであって、前記
蓋部側から平面視したときに細長い形状を呈する内部空
間と、前記底部における長手方向の端部において前記内
部空間から外部に達する複数本のリード電極とを有する
パッケージと、前記パッケージの内部に固定されたリニ
アイメージセンサチップであって、細長い形状を有する
半導体基板と、前記半導体基板に形成された撮像部であ
って、前記半導体基板の長手方向に沿って該半導体基板
の一表面側に形成された複数個のフォトダイオードを含
む少なくとも１群のフォトダイオード群と、各フォトダ
イオード群に沿って形成された電荷転送路とを含む撮像
部と、前記撮像部よりも前記半導体基板の長手方向外側
に形成された周辺回路部と、前記半導体基板に配設さ
れ、各々が露出した表面を有し、前記フォトダイオード
群よりも前記半導体基板の長手方向外側に形成された複
数個のボンディングパッドと、前記半導体基板の上方に
形成され、前記複数個のフォトダイオードそれぞれの周
辺を覆う遮光層とを有するリニアイメージセンサチップ
と、前記複数本のリード電極の各々と前記複数個のボン
ディングパッドとを電気的に接続する複数本のボンディ
ングワイヤとを備えたリニアイメージセンサが提供され
る。
【００３３】露出した表面を有するボンディングパッド
を、フォトダイオード群よりも半導体基板の長手方向外
側に形成してリニアイメージセンサ半導体チップを得
る。これにより、リニアイメージセンサ半導体チップを
用いてリニアイメージセンサを組み立てたときに、ボン
ディングパッドの表面で反射した光がフォトダイオード
に入射することを抑制できる。リニアイメージセンサを
利用した画像読み取り装置のダイナミックレンジを高め
ても、感度の低下を招くことなくノイズの発生を抑制す
ることができる。
【００３４】ボンディングパッドの各々を上述のように
配設することに伴って、半導体基板の長さを長くする必
要が生じる場合がある。しかしながら、その場合でも周
辺回路部の全体形状を工夫することにより、従来より僅
かに長くするだけで、所望のリニアイメージセンサ半導
体チップを得ることができる。
【００３５】
【発明の実施の形態】図１は、実施例によるリニアイメ
ージセンサ半導体チップを模式的に示す平面図である。
【００３６】同図に示すように、このリニアイメージセ
ンサ半導体チップ１００は、半導体基板１と、撮像部１
０と、２つの周辺回路部３０ａ、３０ｂと、複数個のボ
ンディングパッド４０とを有する。さらに、図１におい
ては図示を省略した光遮蔽膜、遮光層および複数の色フ
ィルタアレイが、半導体基板１の上方に形成されてい
る。
【００３７】半導体基板１は、ｎ型半導体基板と、その
一表面に形成されたｐ型ウェルとを有する。この半導体
基板１は、平面視上、細長い形状を呈し、その延在方向
が長手方向Ｄ１である。
【００３８】撮像部１０は、平面視上、半導体基板１の
長手方向中央部に形成されている。この撮像部１０は、
図１においては図示を省略した計４つのフォトダイオー
ド群と、計４本の電荷転送路と、計４つの横型オーバー
フロードレインとを含む。電荷転送路の各々は、フォト
ダイオード群毎にこのフォトダイオード群に沿って形成
されている。横型オーバーフロードレインの各々も、同
様である。
【００３９】周辺回路部３０ａ、３０ｂの各々は、撮像
部１０よりも半導体基板１の長手方向外側に形成されて
いる。周辺回路部３０ａは後述する出力アンプを含み、
周辺回路部３０ｂは製品テスト用の種々の回路を含む。
【００４０】ボンディングパッド４０の各々は、図中、
周辺回路部３０ａ、３０ｂよりも更に半導体基板１の長
手方向外側に形成されている。これらのボンディングパ
ッド４０は、例えばアルミニウム、シリコンや銅を含有
するアルミニウム合金、銅を主体とする金属合金等によ
って形成され、露出した表面を有する。個々のボンディ
ングパッド４０の平面視上の大きさは、例えば５０μｍ
×５０μｍ〜１００μｍ×１００μｍ程度である。
【００４１】各ボンディングパッド４０は、アルミニウ
ム等によって形成された金属配線４５によって、所定の
部材と電気的に接続されている。
【００４２】図２は、撮像部１０に形成されている１つ
のフォトダイオード群１５と、このフォトダイオード群
１５に沿って形成された電荷転送路２０と、前記のフォ
トダイオード群１５に沿って形成された横型オーバーフ
ロードレイン２５とを概略的に示す。
【００４３】フォトダイオード群１５は、半導体基板１
の長手方向Ｄ１に沿ってこの半導体基板１の一表面側に
一列に形成された複数個のフォトダイオード１６、例え
ば２０００〜１００００個程度のフォトダイオード１６
によって構成されている。フォトダイオード１６間およ
び最外側の領域には、図示を省略したチャネルストップ
領域が形成されている。
【００４４】電荷転送路２０は、２相駆動型のＣＣＤに
よって構成されている。この電荷転送路２０は、半導体
基板１に形成された１本の電荷転送用チャネル２１と、
半導体基板１上に電気的絶縁膜を介して形成された多数
本の転送電極２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄと、フォ
トダイオード１６の各々に１個ずつ形成された読出ゲー
ト用チャネル２３と、各読出ゲート２３を平面視上覆う
読出ゲート電極２４とを含む。
【００４５】電荷転送用チャネル２１は、ｎ型不純物を
高濃度に含むｎ+ 型領域と、ｎ型不純物をｎ+ 型領域よ
りも、例えば１桁、低濃度に含むｎ型領域とを半導体基
板１の長手方向（図２中に矢印Ｄ１で示す。）に交互に
所定数形成することによって作製されている。
【００４６】転送電極２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄ
の各々は、長手方向Ｄ１に並存すると共に各々が電荷転
送用チャネル２１の一領域を平面視上覆っている。電荷
転送用チャネル２１におけるｎ型領域それぞれの上に、
電気的絶縁膜を介して、転送電極２２ａまたは２２ｃが
１本ずつ形成されている。電荷転送用チャネル２１にお
けるｎ+ 型領域それぞれの上に、電気的絶縁膜を介し
て、転送電極２２ｂまたは２２ｄが１本ずつ形成されて
いる。
【００４７】転送電極２２ａ、２２ｃは、例えば第１ポ
リシリコン層とその表面に形成された熱酸化膜とによっ
て形成され、転送電極２２ｂ、２２ｄは例えば第２ポリ
シリコン層とその表面に形成された熱酸化膜とによって
形成される。
【００４８】これらの転送電極２２ａ、２２ｂ、２２
ｃ、２２ｄは、いわゆる重ね合わせ転送電極構造をな
す。転送電極２２ｂ、２２ｄそれぞれの図２での右側縁
部が、その右側の転送電極２２ａまたは２２ｃの左側縁
部に重なる。転送電極２２ｂ、２２ｄそれぞれの図２で
の左側縁部が、その左側の転送電極２２ａまたは２２ｃ
の右側縁部に重なる。
【００４９】転送電極２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄ
の各々は、１個のフォトダイオード１６にそれぞれ１本
ずつ、図２での左から右にかけてこの順番で繰り返し形
成されている。
【００５０】各転送電極２２ａ、２２ｂは金属配線４５
ａに電気的に接続され、各転送電極２２ｃ、２２ｄは他
の金属配線４５ｂに電気的に接続されている。
【００５１】読出ゲート用チャネル２３の各々は、半導
体基板１におけるｐ型ウェルの一領域によって形成され
ている。個々の読出ゲート用チャネル２３は、対応する
フォトダイオード１６に隣接している。長手方向Ｄ１に
沿って相隣る読出ゲート用チャネル２３同士の間には、
図示を省略したチャネルストップ領域が形成されてい
る。
【００５２】読出ゲート電極２４は、電気的絶縁膜を介
して半導体基板１上に形成されて、長手方向Ｄ１に延在
する。読出ゲート電極２４のうちで、読出ゲート用チャ
ネル２３を平面視上覆う箇所の各々は、その下の読出ゲ
ート用チャネル２３と共に１つの読出ゲートを構成す
る。この読出ゲート電極２４は例えば第２ポリシリコン
層とその表面に形成された熱酸化膜とによって形成され
る。読出ゲート電極２４の一端には、金属配線４５ｃが
電気的に接続されている。
【００５３】横型オーバーフロードレイン２５は、半導
体基板１に形成されたドレイン領域２６と、半導体基板
１に形成された掃出用チャネル領域２７と、半導体基板
１上に電気的絶縁膜を介して形成された掃出ゲート電極
２８とを含む。
【００５４】ドレイン領域２６は、例えば半導体基板１
に形成されたｎ+ 型領域によって構成される。このドレ
イン領域２６は、フォトダイオード群１５から所定距離
離れて形成されて、長手方向Ｄ１に延在する。
【００５５】掃出用チャネル領域２７は、半導体基板１
におけるｐ型ウェルの一領域によって形成されている。
この掃出用チャネル用領域２７は、フォトダイオード群
１５とドレイン領域２６との平面視上の間においてこれ
らに隣接しつつ形成されて、長手方向Ｄ１に延在する。
【００５６】掃出ゲート電極２８は、ドレイン領域２６
におけるフォトダイオード群１５側の縁部、掃出用チャ
ネル領域２７およびフォトダイオード１６それぞれにお
けるドレイン領域２６側の縁部を平面視上覆いつつ、長
手方向Ｄ１に延在する。
【００５７】掃出ゲート電極２８のうちで、掃出用チャ
ネル領域２７を平面視上覆う箇所は、その下の掃出用チ
ャネル領域２７と共に掃出ゲートを構成する。この掃出
ゲート電極２８は、例えば第１または第２ポリシリコン
層とその表面に形成された熱酸化膜とによって形成され
る。掃出ゲート電極２８の一端には、金属配線４５ｄが
電気的に接続されている。
【００５８】なお、電荷転送路２０における図２での左
端には、出力アンプ３１が配設されている。この出力ア
ンプ３１は、周辺回路部３０ａ内に位置する。
【００５９】フォトダイオード１６に光が入射すると、
このフォトダイオード１６に電荷が蓄積される。転送電
極２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄおよび読出ゲート電
極２４にそれぞれ所定の電圧を印加すると、フォトダイ
オード１６に蓄積されていた電荷が読出ゲートを介して
電荷転送路２０に移送される。
【００６０】このとき、転送電極２２ａ、２２ｃの下に
位置する電荷転送用チャネル２１の一領域それぞれには
ポテンシャル・ウェルが形成され、転送電極２２ｂ、２
２ｃの下に位置する電荷転送用チャネル２１の一領域そ
れぞれにはポテンシャル・バリアが形成される。フォト
ダイオード１６に蓄積されていた電荷は、このフォトダ
イオード１６に対応する転送電極２２ｃの下に形成され
たポテンシャル・ウェルへ移送される。
【００６１】金属配線４５ａに駆動信号φＨ１を供給
し、金属配線４５ｂに駆動信号φＨ２を供給することに
より、電荷転送路２０内の電荷を出力アンプ３１へ向け
て転送することができる。駆動信号φＨ１と駆動信号φ
Ｈ２とは、互いに逆の位相を有する。
【００６２】出力アンプ３１は、例えば、電荷転送路２
０から送られてきた信号電荷をフローティング容量（図
示せず。）によって信号電圧に変換し、この信号電圧を
ソースホロワ回路（図示せず。）等を利用して増幅す
る。検出（変換）された後のフローティング容量の電荷
は、図示を省略したリセットトランジスタを介して電源
（図示せず。）に吸収される。
【００６３】フォトダイオード１６に蓄積されている電
荷を排出するときには、掃出ゲート電極２８に所定の電
圧が印加される。フォトダイオード１６に蓄積されてい
た電荷が、掃出ゲートを介してドレイン領域２６に排出
される。
【００６４】図３は、図１に示すＡ−Ａ線に沿った断面
を概略的に示す。同図に示した構成要素のうちで図１ま
たは図２において既に示した構成要素については、図１
または図２で用いた参照符号と同じ参照符号を付してそ
の説明を省略する。
【００６５】図３に示すように、半導体基板１は、ｎ型
半導体基板１ａと、このｎ型半導体基板１ａの一表面上
に形成されたｐ型ウェル１ｂとを有する。
【００６６】図１を用いた説明の中で述べたように、リ
ニアイメージセンサ半導体チップ１００は、計４つのフ
ォトダイオード群を有する。図３での左から数えて１番
目のフォトダイオード１６を含むフォトダイオード群、
２番目のフォトダイオード１６を含むフォトダイオード
群、および３番目のフォトダイオード１６を含むフォト
ダイオード群は、カラー撮像用のフォトダイオード群で
ある。右端のフォトダイオード１６を含むフォトダイオ
ード群は、白黒撮像用のフォトダイオード群である。
【００６７】個々のフォトダイオード１６は、ｐ型ウェ
ル１ｂの所定箇所に形成されたｎ型領域１６ａと、その
上に形成されたｐ+ 型領域とを含んで構成される埋込型
のフォトダイオードである。
【００６８】個々のｎ型領域１６ａの平面視上の大きさ
および形状を８μｍ×８〜１０μｍ程度のほぼ矩形と
し、１つのフォトダイオード群を１００００個程度のフ
ォトダイオード１６によって構成すれば、ダイナミック
レンジが８０ｄＢ程度の画像読み取り装置を実現するこ
とが可能なリニアイメージセンサ半導体チップを得るこ
とができる。このときの半導体基板１の平面視上の大き
さは、例えば１ｍｍ×１００ｍｍ程度である。
【００６９】半導体基板１の長手方向と平面視上交差す
る方向に沿って相隣るドレイン領域２６と電荷転送用チ
ャネル２１とは、チャネルストップ領域２９によって電
気的に分離されている。図３での最も左側の電荷転送用
チャネル２１の左側にも、この電荷転送用チャネル２１
に沿ってチャネルストップ領域２９が形成されている。
同様に、図３での最も右側のドレイン領域２６の右側に
も、このドレイン領域２６に沿ってチャネルストップ領
域２９が形成されている。
【００７０】電気的絶縁膜２が、半導体基板１の表面に
形成されている。この電気的絶縁膜２は、例えば、熱酸
化膜、化学的気相堆積法によって形成されたシリコン酸
化物膜、シリコン酸化物膜とその上に形成されたシリコ
ン窒化物膜、あるいは、シリコン酸化物膜とその上に形
成されたシリコン窒化物膜とその上に形成されたシリコ
ン酸化物膜等によって構成される。
【００７１】転送電極２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄ
の各々（ただし、図３においては転送電極２２ｃ、２２
ｄのみが示されている。）、各読出ゲート電極２４、各
掃出ゲート電極２８および各金属配線４５は、電気的絶
縁膜２上に配設されている。
【００７２】パッシベーション膜５０が、転送電極２２
ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄの各々、各読出ゲート電極
２４、各掃出ゲート電極２８、各金属配線４５、ならび
に、これらの電極および金属配線が形成されていない箇
所の電気的絶縁膜２の表面を覆っている。このパッシベ
ーション膜５０は、例えば、シリコン窒化物、シリコン
酸化物、ＰＳＧ（ホスホシリケートガラス）、ＢＰＳＧ
（ボロホスホシリケートガラス）、ポリイミド等によっ
て形成される。
【００７３】フォトダイオード１６それぞれの上方に開
口部５４ａを１つずつ有する光遮蔽膜５４が、パッシベ
ーション膜５０上に形成される。この光遮蔽膜５４は、
例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、タングステ
ン、タングステン合金およびチタン等の金属や、窒化チ
タン等によって形成される。
【００７４】平坦化膜５１が、光遮蔽膜５４上および光
遮蔽膜５４の開口部５４ａから露出しているパッシベー
ション膜５０上に形成される。この平坦化膜５１は、例
えばフォトレジストやポリイミド等の透明樹脂、ＰＳ
Ｇ、ＢＰＳＧ等によって形成される。
【００７５】各フォトダイオード群の上方には、それぞ
れ所定色の色フィルタによって構成される色フィルタア
レイが１つずつ形成されている。
【００７６】例えば、図３での左から数えて１番目のフ
ォトダイオード１６を含むフォトダイオード群の上方に
は赤色の色フィルタによって構成される色フィルタアレ
イ５２Ｒが形成され、図３での左から数えて２番目のフ
ォトダイオード１６を含むフォトダイオード群の上方に
は緑色の色フィルタによって構成される色フィルタアレ
イ５２Ｇが形成される。図３での左から数えて３番目の
フォトダイオード１６を含むフォトダイオード群の上方
には青色の色フィルタによって構成される色フィルタア
レイ５２Ｂ1 が形成され、図３での右端のフォトダイオ
ード１６を含むフォトダイオード群の上方には青色の色
フィルタによって構成される色フィルタアレイ５２Ｂ2
が形成される。
【００７７】色フィルタアレイ５２Ｂ2 に代えて、赤
色、緑色または他の有彩色もしくは黒以外の無彩色の色
フィルタによって構成される色フィルタアレイを設ける
こともできる。
【００７８】これらの色フィルタアレイ５２Ｒ、５２
Ｇ、５２Ｂ1 、５２Ｂ2 は、例えば、所望色の顔料もし
くは染料を含有させた樹脂（カラーレジン）の層を、フ
ォトリソグラフィ法等の方法によって平坦化膜５１上の
所定箇所に形成することによって作製することができ
る。色フィルタアレイ５２Ｂ1 と色フィルタアレイ５２
Ｂ 2 とは、同じ材料によって形成してもよいし、異なる
材料によって形成してもよい。
【００７９】ここで、本明細書でいう「色フィルタアレ
イ」は、１つのフォトダイオード群を構成する個々のフ
ォトダイオードの上方に１個ずつ形成された色フィルタ
によって構成される色フィルタアレイの他に、１つのフ
ォトダイオード群を構成する個々のフォトダイオードを
平面視上覆うようにして１本のストライプ状に形成され
た色フィルタをも含むものとする。図示の色フィルタア
レイ５２Ｒ、５２Ｇ、５２Ｂ1 、５２Ｂ2 は、いずれも
後者である。
【００８０】フォトダイオード１６それぞれの周辺は、
平面視上、遮光層５３によって覆われている。この遮光
層５３は、半導体基板１側への光の進入を抑制すること
ができればよく、半導体基板１側への光の進入を完全に
遮断するものでなくてもよい。したがって、遮光層５３
は、例えば赤、緑、青等の有彩色や無彩色等、所望色を
呈する着色層によって形成することができる。図３に示
した遮光層５３は、色フィルタアレイ５２Ｂ2 と同じ材
料によって、色フィルタアレイ５２Ｂ2 と一緒に形成さ
れている。
【００８１】なお、色フィルタアレイがストライプ状に
形成された１本の色フィルタによって構成されている場
合、この色フィルタアレイにおいて平面視上フォトダイ
オードの周辺に位置する箇所は、遮光層として機能す
る。
【００８２】半導体基板１の長手方向と平面視上交差す
る方向についての遮光層５３の外縁は、平面視上、撮像
部１０（図１参照）の外側にまで達する。半導体基板１
の長手方向についての遮光層５３の外縁は、平面視上、
周辺回路部３０ａ、３０ｂの外側にまで達する。
【００８３】図４は、図１に示すＢ−Ｂ線に沿った断面
を概略的に示す。ただし、この図においては、半導体基
板１内の構成の図示を省略している。同図に示した構成
要素のうちで図１または図３において既に示した構成要
素については、図１または図３で用いた参照符号と同じ
参照符号を付してその説明を省略する。
【００８４】図４に示すように、半導体基板１の表面に
形成された電気的絶縁膜２の上に、各ボンディングパッ
ド４０および各金属配線４５が配設されている。
【００８５】ボンディングパッド４０それぞれにおける
平面視上の中央部を除き、パッシベーション膜５０が各
ボンディングパッド４０、各金属配線４５、ならびに、
これらのボンディングパッド４０および金属配線４５が
形成されていない箇所の電気的絶縁膜２の表面を覆って
いる。
【００８６】図３に示した光遮蔽膜５４、平坦化膜５
１、色フィルタアレイ５２Ｒ、５２Ｇ、５２Ｂ1 、５２
Ｂ2 および遮光層５３は、いずれも形成されていない。
各ボンディングパッド４０は、その平面視上の中央部
に、露出した表面を有する。
【００８７】上述した構成を有するリニアイメージセン
サ半導体チップ１００では、ボンディングパッド４０の
各々がフォトダイオード群１５よりも半導体基板１の長
手方向外側に形成されている。このため、リニアイメー
ジセンサに組み立てたときに、ボンディングパッド４０
の表面で反射した光がフォトダイオード１６に入射する
ことを抑制できる。その結果として、リニアイメージセ
ンサ半導体チップ１００を利用した画像読み取り装置の
ダイナミックレンジを高めても、感度の低下を招くこと
なくノイズの発生を抑制することができる。
【００８８】次に、実施例によるリニアイメージセンサ
について、図面を用いて説明する。
【００８９】図５は、実施例によるリニアイメージセン
サの内部を模式的に示す平面図である。同図に示したリ
ニアイメージセンサ１５０は、上述した実施例によるリ
ニアイメージセンサ半導体チップ１００と、これを収容
したパッケージ１１０と、複数本のボンディングワイヤ
１２０とを備えている。
【００９０】図５に示した構成要素のうちで図１におい
て既に示した構成要素については、図１で用いた参照符
号と同じ参照符号を付してその説明を省略する。なお、
図５に示したリニアイメージセンサ半導体チップ１００
は、図３および図４に示したパッシベーション膜５０、
ならびに、図３に示した光遮蔽膜５４、平坦化膜５１、
色フィルタアレイ５２Ｒ、５２Ｇ、５２Ｂ1 、５２Ｂ2
および遮光層５３を省略して描かれている。
【００９１】パッケージ１１０は、セラミックス等の遮
光性材料によって形成された底部１１１および側壁部１
１２を備え、さらに、図示を省略した蓋部を備えてい
る。パッケージ１１０の内部空間は、蓋部側から平面視
したときに、細長い形状を呈する。
【００９２】４２合金等で形成された複数本のリード電
極１１５が、パッケージ１１０の底部１１１における長
手方向の端部において、このパッケージ１１０の内部空
間から外部に達している。
【００９３】これら複数本のリード電極１１５の各々
と、リニアイメージセンサ半導体チップ１００に配設さ
れている複数個のボンディングパッド４０の各々とは、
Ａｌ線等のボンディングワイヤ１２０によって電気的に
接続されている。ボンディングワイヤ１２０それぞれの
一端は、互いに異なるリード電極１１５に接続され、ボ
ンディングワイヤ１２０それぞれの他端は、互いに異な
るボンディングパッド４０に接続されている。ボンディ
ングワイヤ１２０とリード電極１１５またはボンディン
グパッド４０との接続は、例えば超音波ボンディングや
ボールボンディングによって行われる。１つのリード電
極を複数のボンディングパッドに接続してもよく、１つ
のボンディングパッドを複数のリード電極に接続しても
よい。
【００９４】リード電極１１５およびボンディングワイ
ヤ１２０のいずれも、平面視上、リニアイメージセンサ
半導体チップ１００における撮像部１０よりも半導体基
板１の長手方向外側に形成されている。
【００９５】したがって、ボンディングワイヤ１２０の
各々も、撮像部１０よりも半導体基板１の長手方向外側
に形成されている。
【００９６】図６は、図５に示したＣ−Ｃ線に沿った断
面を概略的に示す。図６においても、リニアイメージセ
ンサ半導体チップ１００は、パッシベーション膜、平坦
化膜、各色フィルタアレイおよび遮光層を省略して描か
れている。ただし、図６には、図５において図示を省略
した蓋部１１３が描かれている。
【００９７】この蓋部１１３は、透明のガラス板１１３
ａと、その内側の面に配設された遮光用部材１１３ｂと
を含む。
【００９８】遮光用部材１１３ｂは、例えば、リニアイ
メージセンサ半導体チップ１００における撮像部１０
（図５参照）の上方に開口１１４ｂを有する遮光板ある
いは遮光膜である。この遮光用部材１１３ｂは、例え
ば、表面に酸化アルミニウム被膜を形成したアルミニウ
ム板、黒く塗装された金属もしくはプラスチックの板等
によって形成される。
【００９９】撮像部１０は、平面視上、開口１１４ｂ内
に納まる。蓋部１１３を構成するガラス板１１３ａのう
ちで開口１１４ｂの上方に位置する領域が、パッケージ
１１０における窓１１４ａとして機能する。この窓１１
４ａの下面とリニアイメージセンサ半導体チップ１００
における半導体基板１の上面との距離は、概ね０．５〜
３．０ｍｍの範囲内である。
【０１００】蓋部１１３は、例えば接着剤１１６によっ
て側壁部１１２上に固着される。側壁部１１２と底部１
１１とは、所定箇所に所定個のリード電極１１５を挟持
した状態で、接着剤１１７によって互い固着される。
【０１０１】リニアイメージセンサ半導体チップ１００
についての説明の中で述べた理由と同じ理由から、リニ
アイメージセンサ１５０を利用した画像読み取り装置に
おいては、ダイナミックレンジを高めても感度の低下を
招くことなくノイズの発生を抑制することができる。
【０１０２】リニアイメージセンサ半導体チップ１００
における各ボンディングパッド４０の配設箇所、ひいて
は、リニアイメージセンサ１５０における各リード電極
１１５、および、各ボンディングワイヤ１２０の配設箇
所は、リニアイメージセンサ１５０を組み込もうとする
画像読み取り装置における光学系のＦ数に応じて変更す
ることができる。また、リニアイメージセンサ１５０に
おける窓１１４ａの下面とリニアイメージセンサ半導体
チップ１００における半導体基板１の上面との距離に応
じても変更することができる。
【０１０３】図７は、リニアイメージセンサ１５０を組
み込んだ画像読み取り装置における光学系の一例を模式
的に示す。
【０１０４】同図に示した光学系２００においては、光
源２０１および集光用の光学レンズ２０２を含んで構成
されるランプハウス２１０から出射した光Ｌが、被写体
２２０で反射し、光学レンズ２３０で集光された後にミ
ラー２４０で反射して、リニアイメージセンサ１５０に
入射する。
【０１０５】ミラー２４０で反射した光Ｌは、リニアイ
メージセンサ１５０における窓１１４ａおよびその周辺
に入射する。窓１１４ａの周辺に入射した光Ｌは、遮光
用部材１１３ｂによって反射ないしは吸収されるので、
リニアイメージセンサ１５０内には実質的に入射しな
い。窓１１４ａに入射した光Ｌは、窓１１４ａを透過し
てリニアイメージセンサ１５０内に入射する。この光Ｌ
は、リニアイメージセンサ半導体チップ１００を構成す
る各層を透過して、各フォトダイオードおよびその周辺
に達する。
【０１０６】図９（Ａ）に示すように、仮にボンディン
グパッド４０の露出した表面に光Ｌ１が入射し、この光
Ｌ１がここで反射した後に窓１１４ａの下面または上面
で再び反射してフォトダイオードに入射すると、１回の
画像読み取り操作時に、一部または全部のフォトダイオ
ードに入射経路が異なる複数の光Ｌ１、Ｌ２が入射する
ことになる。光学系２３０の本来の結像位置とは異なる
場所にも像が生じる。その結果として、リニアイメージ
センサ１５０からの出力に基づいて再生された画像ない
し映像にノイズが生じる。
【０１０７】図９（Ｂ）に示すように、仮にボンディン
グワイヤ１２０の表面に光Ｌ１が入射し、この光Ｌ１が
ここで反射した後に窓１１４ａの下面または上面で再び
反射してフォトダイオードに入射した場合についても同
様である。
【０１０８】いま、光学系２００における光学レンズ２
３０のＦ数が４であるとすると、リニアイメージセンサ
１５０への光Ｌの最大入射角度は７°程度となる。
【０１０９】１．５ｍｍの距離をおいて上下に互いに平
行に配置された２面間で入射角度７°の光が往復する
と、１往復当たり横方向に移動する距離は０．４ｍｍ程
度となる。
【０１１０】このことは、光学レンズ２３０のＦ数が４
で、窓１１４ａの下面とリニアイメージセンサ半導体チ
ップ１００における半導体基板の上面との距離が１．５
ｍｍである場合に、フォトダイオードの周囲０．４ｍｍ
程度以内で光の反射が起こるとノイズが発生する可能性
が高いことを意味する。
【０１１１】例えば、露出した表面を有するボンディン
グパッドをフォトダイオードの周囲０．４ｍｍ程度以内
に配設すると、このボンディングパッドで反射した光に
よってノイズが発生する可能性が高い。また、図６に示
したように、ボンディングワイヤ１２０の輪郭線は曲線
を描き、その頂部はボンディングパッド４０よりも高い
位置にある。このため、ボンディングワイヤで反射した
光によってノイズが発生する可能性は、ボンディングパ
ッドで反射した光によってノイズが発生する可能性より
高いと考えられる。
【０１１２】ボンディングパッド、ボンディングワイヤ
あるいはリード電極での反射によって生じた迷光の光量
がフォトダイオードに入射する光量（迷光を除く。）の
例えば０．０７２％程度であると、その影響は−６３ｄ
Ｂ程度となる。迷光の光量がフォトダイオードに入射す
る光量（迷光を除く。）の例えば０．１２％程度である
と、その影響は−５８．５ｄＢ程度となる。
【０１１３】したがって、リニアイメージセンサ半導体
チップ１００における各ボンディングパッド４０の配設
箇所、ならびに、リニアイメージセンサ１５０における
各リード電極１１５および各ボンディングワイヤ１２０
の配設箇所は、リニアイメージセンサ１５０を組み込も
うとする画像読み取り装置における光学系のＦ数に応じ
て変更することが好ましい。また、リニアイメージセン
サ１５０における窓１１４ａの下面とリニアイメージセ
ンサ半導体チップ１００における半導体基板１の上面と
の距離に応じても変更することが好ましい。
【０１１４】次に、実施例による他のリニアイメージセ
ンサ半導体チップについて、図８を用いて説明する。
【０１１５】図８は、本実施例によるリニアイメージセ
ンサ半導体チップ３００を模式的に示す平面図である。
同図に示した構成要素は全て図１において既に示してあ
るので、各構成要素には図１で用いた参照符号と同じ参
照符号を付してその説明を省略する。
【０１１６】図示したリニアイメージセンサ半導体チッ
プ３００は、一部のボンディングパッド４０が周辺回路
部３０ａ、３０ｂの側方に配設されている点で、図１に
示したリニアイメージセンサ半導体チップ１００と異な
る。他の構成は、図１に示したリニアイメージセンサ半
導体チップ１００と同様である。
【０１１７】このリニアイメージセンサ半導体チップ３
００においても、全てのボンディングパッド４０が、撮
像部１０中のフォトダイオード群（図示せず。）よりも
半導体基板１の長手方向外側に形成されている。
【０１１８】なお、図８では図示を省略しているが、リ
ニアイメージセンサ半導体チップ３００においても、遮
光層および色フィルタアレイが半導体基板１の上方に形
成されている。これらの遮光層および色フィルタアレイ
の配設仕様は、既に説明したリニアイメージセンサ半導
体チップ１００における遮光層および色フィルタアレイ
の配設仕様と同様である。
【０１１９】以上、実施例によるリニアイメージセンサ
半導体チップおよびリニアイメージセンサについて説明
したが、本発明はこれらの実施例に限定されるものでは
ない。
【０１２０】例えば、フォトダイオード等が形成される
半導体基板は、ｎ型半導体基板の一表面側にｐ型ウェル
を形成したものの他、ｎ型半導体基板の一表面上にｐ-
型半導体のエピタキシャル成長層を形成したもの等であ
ってもよい。さらには、電気絶縁性基板の表面に所望の
導電型の半導体層を形成し、この半導体層に所望の導電
型の不純物領域を形成するか、この半導体層上に所望の
導電型の半導体からなるエピタキシャル成長層を形成し
たもの等であってもよい。
【０１２１】なお、ｐ- 型半導体におけるｐ型不純物の
濃度は、ｐ型ウェルにおけるｐ型不純物の濃度よりも低
い。
【０１２２】本明細書においては、半導体以外の材料か
らなる基板の一面にフォトダイオード等を形成するため
の半導体層を設けたものも、「半導体基板」に含まれる
ものとする。
【０１２３】フォトダイオードは埋込型のフォトダイオ
ードであることが好ましいが、埋込型ではないフォトダ
イオードであってもよい。
【０１２４】撮像部に形成するフォトダイオード群の数
は、目的とするリニアイメージセンサ半導体チップの用
途等に応じて、１〜４程度の範囲内で適宜選択可能であ
る。同様に、１つのフォトダイオード群を構成するフォ
トダイオードの数も、概ね２０００〜２００００程度の
範囲内で適宜選択可能である。
【０１２５】電荷転送路は、一般に２相駆動型のＣＣＤ
によって構成されるが、３相駆動型のＣＣＤや４相駆動
型のＣＣＤによって構成することも可能である。
【０１２６】電荷転送路は、転送電極と読出ゲート電極
とを別部材によって形成したものであってもよいし、一
部の転送電極に読出ゲート電極を兼ねさせたものであっ
てもよい。
【０１２７】オーバーフロードレインは、省略すること
も可能であるが、設けた方が好ましい。オーバーフロー
ドレインは、横型オーバーフロードレインであってもよ
いし、縦型オーバーフロードレインであってもよい。
【０１２８】縦型オーバーフロードレインを設ける場合
には、例えば、ｎ型半導体基板とその一表面側に形成さ
れたｐ型ウェルもしくはｐ- 型半導体のエピタキシャル
成長層とを有する半導体基板を用いてリニアイメージセ
ンサ半導体チップを作成する。このリニアイメージセン
サ半導体チップにおけるｐ型ウェルもしくはｐ- 型半導
体のエピタキシャル成長層とその下のｎ型半導体基板と
に逆バイアスを印加できる構造を付加することにより、
縦型オーバーフロードレインを得ることができる。
【０１２９】例えば２つのフォトダイオード群を有する
白黒撮像用のリニアイメージセンサ半導体チップにおい
ては、これらの２つのフォトダイオード群にそれぞれ１
本ずつ電荷転送路を形成し、これらの電荷転送路によっ
て１個の出力アンプを共有させることも可能である。
【０１３０】周辺回路部には、電荷転送路に接続された
出力アンプや、製品テスト用の回路を含ませる他、必要
に応じて、製造プロセス確認用テスト回路、マスク合わ
せ用のアライメントマーク等を含ませることができる。
【０１３１】カラー撮像用のリニアイメージセンサ半導
体チップを得る場合には、原色系の色フィルタアレイを
用いることが好ましいが、補色系の色フィルタアレイを
用いることも可能である。
【０１３２】白黒撮像用のリニアイメージセンサ半導体
チップを得る場合には、単色の色フィルタアレイを設け
ることによって色収差を低減させることができる。ただ
し、色フィルタを設けることは必須ではない。
【０１３３】リニアイメージセンサにおけるパッケージ
は、その側壁部および底部を一体成形したものであって
もよい。また、パッケージは、ガラスや合成樹脂等によ
って形成することもできる。遮光用部材を用いて蓋部を
形成することは、必須の要件ではない。遮光用部材を用
いることなく蓋部を形成してもよい。
【０１３４】その他、種々の変更、改良、組み合わせ等
が可能であることは当業者に自明であろう。
【０１３５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ノイズが生じにくいリニアイメージセンサを提供するこ
とが可能になる。その結果として、ダイナミックレンジ
を高めてもノイズが発生しにくい画像読み取り装置を提
供することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例によるリニアイメージセンサ半導体チッ
プを模式的に示す平面図である。
【図２】図１に示したリニアイメージセンサ半導体チッ
プの撮像部に形成されている１つのフォトダイオード群
と、このフォトダイオード群に沿って形成された電荷転
送路と、前記のフォトダイオード群に沿って形成された
横型オーバーフロードレインとを概略的に示す平面図で
ある。
【図３】図１に示すＡ−Ａ線に沿った断面の概略図であ
る。
【図４】図１に示すＢ−Ｂ線に沿った断面の概略図であ
る。
【図５】実施例によるリニアイメージセンサの内部を模
式的に示す平面図である。
【図６】図５に示したＣ−Ｃ線に沿った断面の概略図で
ある。
【図７】リニアイメージセンサを組み込んだ機器におけ
る光学系の一例を示す模式図である。
【図８】他の実施例によるリニアイメージセンサ半導体
チップを模式的に示す平面図である。
【図９】図９（Ａ）は、リニアイメージセンサにおける
ボンディングパッド表面での反射光の影響を説明するた
めの断面図であり、図９（Ｂ）は、リニアイメージセン
サにおけるボンディングワイヤ表面での反射光の影響を
説明するための断面図である。
【符号の説明】
１…半導体基板、 １０…撮像部、 １５…フォトダイ
オード群、 １６…フォトダイオード、 ２０…電荷転
送、 ２１…電荷転送用チャネル、 ２２ａ、２２ｂ、
２２ｃ、２２ｄ…転送電極、 ２３…読出ゲート用チャ
ネル、 ２４…読出ゲート電極、 ２５…横型オーバー
フロードレイン、 ２６…ドレイン領域、 ２７…掃出
用チャネル領域、 ２８…掃出ゲート電極、 ３０ａ、
３０ｂ…周辺回路部、 ４０…ボンディングパッド、
４５、４５ａ、４５ｂ、４５ｃ、４５ｄ…金属配線、
５２Ｒ、５２Ｇ、５２Ｂ…色フィルタアレイ、 ５３…
遮光層、 ５４…光遮蔽膜、 １００、３００…リニア
イメージセンサ半導体チップ、 １１０…パッケージ、
１１１…底部、 １１２…側壁部、 １１３…蓋部、
１１３ａ…窓、 １１５…リード電極、 １２０…ボ
ンディングワイヤ、１５０…リニアイメージセンサ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 31/10 Ｈ０１Ｌ 31/10 Ａ (72)発明者 萩原 達也 宮城県黒川郡大和町松坂平１丁目６番地 富士フイルムマイクロデバイス株式会社内 (72)発明者 山田 哲生 宮城県黒川郡大和町松坂平１丁目６番地 富士フイルムマイクロデバイス株式会社内 Ｆターム(参考） 2H108 AA01 CA01 CB01 4M118 AA02 AA05 AB01 BA10 CA04 CA32 CB14 DA28 DB06 DD04 DD12 FA02 FA08 FA13 FA16 FA26 FA50 GB01 GC08 GC15 HA02 HA30 5B047 AA12 BB02 CB05 5C051 AA01 BA02 DB01 DB04 DB06 DB35 DC02 DC07 5F049 MA01 NA04 NA20 NB03 RA02 RA08 SZ10 TA06 UA01

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 細長い形状を有する半導体基板と、 前記半導体基板に形成された撮像部であって、前記半導
    体基板の長手方向に沿って該半導体基板の一表面側に形
    成された複数個のフォトダイオードを含む少なくとも１
    群のフォトダイオード群と、各フォトダイオード群に沿
    って形成された電荷転送路とを含む撮像部と、 前記撮像部よりも前記半導体基板の長手方向外側に形成
    された周辺回路部と、 前記半導体基板に配設され、各々が露出した表面を有
    し、前記フォトダイオード群よりも前記半導体基板の長
    手方向外側に形成された複数個のボンディングパッド
    と、 前記半導体基板の上方に形成され、前記複数個のフォト
    ダイオードそれぞれの周辺を覆う遮光層とを有するリニ
    アイメージセンサチップ。
  2. 【請求項２】 前記複数個のボンディングパッドの各々
    が、前記周辺回路部よりも前記半導体基板の長手方向外
    側に形成されている請求項１に記載のリニアイメージセ
    ンサチップ。
  3. 【請求項３】 前記遮光層が前記周辺回路部を平面視上
    覆う請求項１または請求項２に記載のリニアイメージセ
    ンサチップ。
  4. 【請求項４】 前記撮像部が、前記半導体基板の長手方
    向と交差する方向に並存する４つのフォトダイオード群
    と、これらのフォトダイオード群毎に該フォトダイオー
    ド群に沿って１本ずつ形成された計４本の電荷転送路と
    を含み、 前記周辺回路部が、前記４本の電荷転送路毎に該電荷転
    送路の出力端に電気的に接続されて１個ずつ形成された
    計４個の出力アンプを含み、 さらに、前記４つのフォトダイオード群のうちの３つの
    フォトダイオード群それぞれの上方に１つずつ形成され
    た計３つの色フィルタアレイであって、カラー撮像に必
    要な複数色の色フィルタによって構成された計３つの色
    フィルタアレイを有する請求項１〜請求項３のいずれか
    １項に記載のリニアイメージセンサチップ。
  5. 【請求項５】 さらに、前記４つのフォトダイオード群
    のうちの残り１つのフォトダイオード群の上方に形成さ
    れた色フィルタアレイであって、１色の色フィルタによ
    って構成された色フィルタアレイを有する請求項４に記
    載のリニアイメージセンサチップ。
  6. 【請求項６】 底部、側壁部および蓋部を備え、前記底
    部および前記側壁部が遮光性材料によって形成され、前
    記蓋部が透光性材料によって形成された細長い窓を有す
    るパッケージであって、前記蓋部側から平面視したとき
    に細長い形状を呈する内部空間と、前記底部における長
    手方向の端部において前記内部空間から外部に達する複
    数本のリード電極とを有するパッケージと、 前記パッケージの内部に固定されたリニアイメージセン
    サチップであって、細長い形状を有する半導体基板と、
    前記半導体基板に形成された撮像部であって、前記半導
    体基板の長手方向に沿って該半導体基板の一表面側に形
    成された複数個のフォトダイオードを含む少なくとも１
    群のフォトダイオード群と、各フォトダイオード群に沿
    って形成された電荷転送路とを含む撮像部と、前記撮像
    部よりも前記半導体基板の長手方向外側に形成された周
    辺回路部と、前記半導体基板に配設され、各々が露出し
    た表面を有し、前記フォトダイオード群よりも前記半導
    体基板の長手方向外側に形成された複数個のボンディン
    グパッドと、前記半導体基板の上方に形成され、前記複
    数個のフォトダイオードそれぞれの周辺を覆う遮光層と
    を有するリニアイメージセンサチップと、 前記複数本のリード電極の各々と前記複数個のボンディ
    ングパッドとを電気的に接続する複数本のボンディング
    ワイヤとを備えたリニアイメージセンサ。
  7. 【請求項７】 前記複数本のリード電極の各々が、前記
    撮像部よりも前記半導体基板の長手方向外側に形成され
    ている請求項６に記載のリニアイメージセンサ。
  8. 【請求項８】 前記複数本のリード電極の各々が、前記
    周辺回路部よりも前記半導体基板の長手方向外側に形成
    されている請求項６または請求項７に記載のリニアイメ
    ージセンサ。
JP2000194500A 2000-06-28 2000-06-28 リニアイメージセンサチップおよびリニアイメージセンサ Expired - Fee Related JP4139051B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000194500A JP4139051B2 (ja) 2000-06-28 2000-06-28 リニアイメージセンサチップおよびリニアイメージセンサ
US09/892,506 US7227575B2 (en) 2000-06-28 2001-06-28 Linear image sensor chip and linear image sensor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000194500A JP4139051B2 (ja) 2000-06-28 2000-06-28 リニアイメージセンサチップおよびリニアイメージセンサ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002016759A true JP2002016759A (ja) 2002-01-18
JP4139051B2 JP4139051B2 (ja) 2008-08-27

Family

ID=18693320

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000194500A Expired - Fee Related JP4139051B2 (ja) 2000-06-28 2000-06-28 リニアイメージセンサチップおよびリニアイメージセンサ

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7227575B2 (ja)
JP (1) JP4139051B2 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006324543A (ja) * 2005-05-20 2006-11-30 Nec Electronics Corp 固体撮像装置
JP2008205167A (ja) * 2007-02-20 2008-09-04 Toppan Printing Co Ltd リニアセンサー
JP2008252052A (ja) * 2007-03-05 2008-10-16 Shinko Electric Ind Co Ltd 照度検出部品及び照度検出装置
JP2018147936A (ja) * 2017-03-01 2018-09-20 キヤノン株式会社 光電変換装置、センサユニットおよび画像形成装置

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6016256A (en) * 1997-11-14 2000-01-18 The Panda Project Multi-chip module having interconnect dies
JP2003060948A (ja) * 2001-06-05 2003-02-28 Seiko Precision Inc 固体撮像装置
KR100881012B1 (ko) * 2007-05-23 2009-01-30 주식회사 동부하이텍 이미지센서 및 그 제조방법
US20120081591A1 (en) * 2010-09-30 2012-04-05 Nelson Edward T Linear image sensor with multiple outputs
US8610044B2 (en) 2010-12-17 2013-12-17 Truesence Imaging, Inc. Method for producing a linear image sensor having multiple outputs
JP5486541B2 (ja) * 2011-03-31 2014-05-07 浜松ホトニクス株式会社 フォトダイオードアレイモジュール及びその製造方法
EP2560208B1 (de) 2011-08-16 2018-02-21 Balluff GmbH Optoelektronischer Sensor
JP7171223B2 (ja) * 2018-04-27 2022-11-15 キヤノン株式会社 撮像ユニットおよびその製造方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0614750B2 (ja) * 1982-12-15 1994-02-23 池上通信機株式会社 カラ−原稿撮像装置
JPH0732208B2 (ja) * 1989-10-31 1995-04-10 三菱電機株式会社 半導体装置
JP2604905B2 (ja) * 1990-11-29 1997-04-30 宇宙開発事業団 固体撮像装置
JP2710174B2 (ja) * 1991-06-27 1998-02-10 日本電気株式会社 一次元イメージセンサ
US5648653A (en) * 1993-10-22 1997-07-15 Canon Kabushiki Kaisha Optical filter having alternately laminated thin layers provided on a light receiving surface of an image sensor
JP3406935B2 (ja) * 1994-01-31 2003-05-19 キヤノン株式会社 撮像装置
US6078685A (en) * 1994-08-22 2000-06-20 Canon Kabushiki Kaisha Image reading apparatus for reading a color image by irradiating light onto an object and photoelectrically converting light from the object
DE69514874T2 (de) * 1994-08-23 2000-07-20 Hewlett-Packard Co., Palo Alto Sensoranordnung für einen optischen Bildabtaster die Grauwert- und Farbsignale liefert
US6022792A (en) * 1996-03-13 2000-02-08 Seiko Instruments, Inc. Semiconductor dicing and assembling method
US6011294A (en) * 1996-04-08 2000-01-04 Eastman Kodak Company Low cost CCD packaging
US6037655A (en) * 1998-01-12 2000-03-14 Eastman Kodak Company Linear image sensor package assembly
US6472247B1 (en) * 2000-06-26 2002-10-29 Ricoh Company, Ltd. Solid-state imaging device and method of production of the same

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006324543A (ja) * 2005-05-20 2006-11-30 Nec Electronics Corp 固体撮像装置
JP2008205167A (ja) * 2007-02-20 2008-09-04 Toppan Printing Co Ltd リニアセンサー
JP2008252052A (ja) * 2007-03-05 2008-10-16 Shinko Electric Ind Co Ltd 照度検出部品及び照度検出装置
JP2018147936A (ja) * 2017-03-01 2018-09-20 キヤノン株式会社 光電変換装置、センサユニットおよび画像形成装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20020051068A1 (en) 2002-05-02
US7227575B2 (en) 2007-06-05
JP4139051B2 (ja) 2008-08-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10833114B2 (en) Image sensors
US11031424B2 (en) Image sensor with selective light-shielding for reference pixels
US7064405B2 (en) Solid state imaging device with inner lens and manufacture thereof
US4438455A (en) Solid-state color imager with three layer four story structure
US20220085220A1 (en) Image sensor and image-capturing device
US7742088B2 (en) Image sensor and digital camera
US20080258187A1 (en) Methods, systems and apparatuses for the design and use of imager sensors
US4514755A (en) Solid-state color imager with two layer three story structure
JP4139051B2 (ja) リニアイメージセンサチップおよびリニアイメージセンサ
US7518800B2 (en) Solid state imaging device
JP4503452B2 (ja) 固体撮像装置の製造方法
US4443813A (en) Solid-state color imager with two layer three story structure
JP4832034B2 (ja) Ｍｏｓイメージセンサ
JP2006324810A (ja) 光学モジュール
JP2005086082A (ja) 固体撮像装置
JP2005175893A (ja) ２板式カラー固体撮像装置及びデジタルカメラ
JP2002270811A (ja) 固体撮像素子と、その駆動方法と、その製造方法
CN114628421A (zh) 具有变化的网格宽度的图像传感器
JP2024016835A (ja) イメージセンサ
JP2000223689A (ja) 固体撮像装置
JPS58103166A (ja) ２層３階構造の固体カラ−撮像デバイス
JP2018061060A (ja) 固体撮像装置及び撮像システム
JP2001119009A (ja) 固体撮像装置
JPH09130684A (ja) 撮像装置及び固体撮像素子の実装方法
JPH0653476A (ja) 固体撮像装置

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20060621

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20061213

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20061221

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070216

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070521

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20080523

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080603

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080606

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110613

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110613

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120613

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120613

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130613

Year of fee payment: 5

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees