JPH0653476A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPH0653476A JPH0653476A JP4203305A JP20330592A JPH0653476A JP H0653476 A JPH0653476 A JP H0653476A JP 4203305 A JP4203305 A JP 4203305A JP 20330592 A JP20330592 A JP 20330592A JP H0653476 A JPH0653476 A JP H0653476A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】チップサイズを大きくすることなく感光部の開
口率を増加させ、感度特性と垂直転送効率の優れた固体
撮像装置を提供する。 【構成】半導体基板表面に対し深さ方向に埋め込まれた
垂直転送電極２０５を凸形面と凹形面で組み合わせてｎ
列目（ｎ＝自然数）とし、ｎ列目の垂直転送電極２０５
のフォトダイオード２０４側の垂直面に（２ｎ−１）列
目の垂直電荷転送部２０８を配設し、フォトダイオード
２０９側の垂直面に２ｎ列目の垂直電荷転送部２１１を
配設する。このとき、垂直転送電極２０５は二次元上に
配列された（２ｎ−１）列目と２ｎ列目のフォトダイオ
ード２０４，２０９間にのみ配設するため、感光部の開
口率の増加が得られ、全ての垂直電荷転送部２０８，２
１１は垂直転送電極２０５に面しているため、効率のよ
い垂直転送が得られる。
口率を増加させ、感度特性と垂直転送効率の優れた固体
撮像装置を提供する。 【構成】半導体基板表面に対し深さ方向に埋め込まれた
垂直転送電極２０５を凸形面と凹形面で組み合わせてｎ
列目（ｎ＝自然数）とし、ｎ列目の垂直転送電極２０５
のフォトダイオード２０４側の垂直面に（２ｎ−１）列
目の垂直電荷転送部２０８を配設し、フォトダイオード
２０９側の垂直面に２ｎ列目の垂直電荷転送部２１１を
配設する。このとき、垂直転送電極２０５は二次元上に
配列された（２ｎ−１）列目と２ｎ列目のフォトダイオ
ード２０４，２０９間にのみ配設するため、感光部の開
口率の増加が得られ、全ての垂直電荷転送部２０８，２
１１は垂直転送電極２０５に面しているため、効率のよ
い垂直転送が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、感光部に蓄積された信
号電荷を複数列の垂直電荷転送部により転送する固体撮
像装置に関するものである。
号電荷を複数列の垂直電荷転送部により転送する固体撮
像装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、感光部の開口率を大きくする高感
度化の動きと、固体撮像装置の小型化の動きがある。従
来の固体撮像装置の模式図を図４に示す。４１は入射し
た光を光強度に比例した数の信号電荷に変換する感光
部、４２は垂直方向へ一列に並んだ感光部４１において
蓄積された信号電荷を垂直方向に転送する垂直電荷転送
部、４３は垂直電荷転送部４２から転送された信号電荷
を水平方向に転送する水平電荷転送部、４４は水平電荷
転送部４３から転送された信号電荷を固体撮像装置の外
部に出力する出力部である。
度化の動きと、固体撮像装置の小型化の動きがある。従
来の固体撮像装置の模式図を図４に示す。４１は入射し
た光を光強度に比例した数の信号電荷に変換する感光
部、４２は垂直方向へ一列に並んだ感光部４１において
蓄積された信号電荷を垂直方向に転送する垂直電荷転送
部、４３は垂直電荷転送部４２から転送された信号電荷
を水平方向に転送する水平電荷転送部、４４は水平電荷
転送部４３から転送された信号電荷を固体撮像装置の外
部に出力する出力部である。
【０００３】このように構成された固体撮像装置につい
て、以下その動作を説明する。まず、図４において、外
部より受けた光は各感光部４１に入射し、各感光部単位
で光強度に応じた量の信号電荷に光電変換される。信号
電荷は所定時間蓄積された後、垂直電荷転送部４２に転
送され、垂直電荷転送部４２，水平電荷転送部４３を経
て出力部４４に転送される。
て、以下その動作を説明する。まず、図４において、外
部より受けた光は各感光部４１に入射し、各感光部単位
で光強度に応じた量の信号電荷に光電変換される。信号
電荷は所定時間蓄積された後、垂直電荷転送部４２に転
送され、垂直電荷転送部４２，水平電荷転送部４３を経
て出力部４４に転送される。
【０００４】図５は、図４において感光部４１と垂直電
荷転送部４２を通る要部断面で、ｍ行，ｎ列目の感光部
（ｍ，ｎ＝自然数）とｎ列目の垂直電荷転送部（ｎ＝自
然数）の拡大図を示す。５０１，５０２は外部光を感光
部４１以外に入射させないように配した遮光膜、５０
３，５１０は入射光を光電変換し信号電荷として蓄積を
行う感光部としてのフォトダイオード、５０４，５１１
は前記感光部４１から前記垂直電荷転送部４２へ信号電
荷の転送を行うための読み出し電極を兼用した垂直転送
電極、５０５は垂直転送電極５０４，５１１と半導体基
板とを遮るための酸化シリコンなどの絶縁膜、５０６は
図４に示した感光部４１と垂直電荷転送部４２を遮るた
めの読み出しチャネル、５０７，５１２は垂直方向に信
号電荷を転送するための垂直電荷転送部、５０８，５０
９は水平方向での信号電荷の混合を遮るための素子分離
層である。
荷転送部４２を通る要部断面で、ｍ行，ｎ列目の感光部
（ｍ，ｎ＝自然数）とｎ列目の垂直電荷転送部（ｎ＝自
然数）の拡大図を示す。５０１，５０２は外部光を感光
部４１以外に入射させないように配した遮光膜、５０
３，５１０は入射光を光電変換し信号電荷として蓄積を
行う感光部としてのフォトダイオード、５０４，５１１
は前記感光部４１から前記垂直電荷転送部４２へ信号電
荷の転送を行うための読み出し電極を兼用した垂直転送
電極、５０５は垂直転送電極５０４，５１１と半導体基
板とを遮るための酸化シリコンなどの絶縁膜、５０６は
図４に示した感光部４１と垂直電荷転送部４２を遮るた
めの読み出しチャネル、５０７，５１２は垂直方向に信
号電荷を転送するための垂直電荷転送部、５０８，５０
９は水平方向での信号電荷の混合を遮るための素子分離
層である。
【０００５】まず、外部光は遮光膜５０１，５０２で遮
られ、遮光膜５０１，５０２で覆われていないフォトダ
イオード５０３とフォトダイオード５１０にのみ入射す
る。フォトダイオード５０３とフォトダイオード５１０
では入射光の強度に応じた光電変換が各フォトダイオー
ドで独立に行われ、信号電荷として蓄積される。垂直転
送電極５０４と絶縁膜５０５と読み出しチャネル５０６
は部分５１３にてＭＯＳ構造を形成し、この部分５１３
で読み出し電極を構成するので、垂直転送電極５０４に
読み出し電圧が印加されると、フォトダイオード５０３
に蓄積された信号電荷は垂直電荷転送部５０７に転送さ
れる。垂直電荷転送部５０７は図４に示した垂直電荷転
送部４２のｎ列目（ｎ＝自然数）の一部であり、垂直電
荷転送部４２に転送された信号電荷は水平電荷転送部４
３を経て出力部４４より外部へ出力される。
られ、遮光膜５０１，５０２で覆われていないフォトダ
イオード５０３とフォトダイオード５１０にのみ入射す
る。フォトダイオード５０３とフォトダイオード５１０
では入射光の強度に応じた光電変換が各フォトダイオー
ドで独立に行われ、信号電荷として蓄積される。垂直転
送電極５０４と絶縁膜５０５と読み出しチャネル５０６
は部分５１３にてＭＯＳ構造を形成し、この部分５１３
で読み出し電極を構成するので、垂直転送電極５０４に
読み出し電圧が印加されると、フォトダイオード５０３
に蓄積された信号電荷は垂直電荷転送部５０７に転送さ
れる。垂直電荷転送部５０７は図４に示した垂直電荷転
送部４２のｎ列目（ｎ＝自然数）の一部であり、垂直電
荷転送部４２に転送された信号電荷は水平電荷転送部４
３を経て出力部４４より外部へ出力される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら前記のよ
うな従来の構成では、垂直転送電極のチャネルをチップ
表面に対し水平な面で感光部の両側に構成しているた
め、感光部の開口率が大きくとれないという問題があっ
た。
うな従来の構成では、垂直転送電極のチャネルをチップ
表面に対し水平な面で感光部の両側に構成しているた
め、感光部の開口率が大きくとれないという問題があっ
た。
【０００７】本発明は前記従来の問題点を解決するもの
で、垂直転送電極をチップ表面に対し垂直な面に埋め込
み、チャネルをチップ表面に対し垂直な面で構成して感
光部の開口率を大きくし、さらに垂直転送電極のチャネ
ルの転送効率を向上することにより、高感度が得られる
固体撮像装置を提供することを目的とする。
で、垂直転送電極をチップ表面に対し垂直な面に埋め込
み、チャネルをチップ表面に対し垂直な面で構成して感
光部の開口率を大きくし、さらに垂直転送電極のチャネ
ルの転送効率を向上することにより、高感度が得られる
固体撮像装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の固体撮像装置は、二次元上に配列された２Ｎ
列（Ｎ＝自然数）の感光部の、（２ｎ−１）列目（ｎ＝
自然数）の感光部と２ｎ列目（ｎ＝自然数）の感光部の
間に、半導体基板表面に対し深さ方向に埋め込んだ、ｎ
列目（ｎ＝自然数）の転送電極板を有し、前記ｎ列目の
転送電極板の前記（２ｎ−１）列目の感光部側の垂直面
に（２ｎ−１）列目の電荷転送部（ｎ＝自然数）を配置
し、前記ｎ列目の転送電極板の前記２ｎ列目の感光部側
の垂直面に２ｎ列目の電荷転送部（ｎ＝自然数）を配置
し、前記転送電極板の一方が撮像素子上面よりみて凸形
で、他方が凹形であり、隣合う転送電極板の凸部と凹部
が絶縁体を挟み組み合わされたものである。
に本発明の固体撮像装置は、二次元上に配列された２Ｎ
列（Ｎ＝自然数）の感光部の、（２ｎ−１）列目（ｎ＝
自然数）の感光部と２ｎ列目（ｎ＝自然数）の感光部の
間に、半導体基板表面に対し深さ方向に埋め込んだ、ｎ
列目（ｎ＝自然数）の転送電極板を有し、前記ｎ列目の
転送電極板の前記（２ｎ−１）列目の感光部側の垂直面
に（２ｎ−１）列目の電荷転送部（ｎ＝自然数）を配置
し、前記ｎ列目の転送電極板の前記２ｎ列目の感光部側
の垂直面に２ｎ列目の電荷転送部（ｎ＝自然数）を配置
し、前記転送電極板の一方が撮像素子上面よりみて凸形
で、他方が凹形であり、隣合う転送電極板の凸部と凹部
が絶縁体を挟み組み合わされたものである。
【０００９】
【作用】上記構成のように、転送電極板を埋め込むこと
により、電荷転送部のチップ表面を占める割合が減少
し、感光部のチップ表面を占める割合を大きくすること
ができる。また、転送電極板を凸形面と凹形面で組み合
わせることにより、隣合う転送電極板は隙間なく並ぶ配
置となり、転送電極板に同一電圧が印加されたときのチ
ャネルのポテンシャル分布が一様となり、垂直転送効率
が劣化することなく、感度特性の優れた固体撮像装置を
実現できる。
により、電荷転送部のチップ表面を占める割合が減少
し、感光部のチップ表面を占める割合を大きくすること
ができる。また、転送電極板を凸形面と凹形面で組み合
わせることにより、隣合う転送電極板は隙間なく並ぶ配
置となり、転送電極板に同一電圧が印加されたときのチ
ャネルのポテンシャル分布が一様となり、垂直転送効率
が劣化することなく、感度特性の優れた固体撮像装置を
実現できる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の一実施例について、図面を参
照しながら説明する。図１は本発明の一実施例における
固体撮像装置の模式図を示す。図１において、１１は入
射した光を光強度に応じた量の信号電荷に変換する感光
部、１２は両側二列の感光部１１において蓄積された信
号電荷を各列混合することなく垂直方向に転送する垂直
電荷転送部、１３は垂直電荷転送部１２から転送された
信号電荷を水平方向に転送する水平電荷転送部、１４は
水平電荷転送部１３から転送された信号電荷を固体撮像
装置の外部に出力する出力部である。
照しながら説明する。図１は本発明の一実施例における
固体撮像装置の模式図を示す。図１において、１１は入
射した光を光強度に応じた量の信号電荷に変換する感光
部、１２は両側二列の感光部１１において蓄積された信
号電荷を各列混合することなく垂直方向に転送する垂直
電荷転送部、１３は垂直電荷転送部１２から転送された
信号電荷を水平方向に転送する水平電荷転送部、１４は
水平電荷転送部１３から転送された信号電荷を固体撮像
装置の外部に出力する出力部である。
【００１１】このように構成された固体撮像装置につい
て、以下その動作を説明する。まず、図１において、外
部より受けた光は各感光部１１に入射し、前記各感光部
単位で光強度に応じた量の信号電荷に光電変換される。
この信号電荷は所定時間蓄積された後、垂直電荷転送部
１２に転送され、垂直電荷転送部１２，水平電荷転送部
１３を経て出力部１４に転送される。
て、以下その動作を説明する。まず、図１において、外
部より受けた光は各感光部１１に入射し、前記各感光部
単位で光強度に応じた量の信号電荷に光電変換される。
この信号電荷は所定時間蓄積された後、垂直電荷転送部
１２に転送され、垂直電荷転送部１２，水平電荷転送部
１３を経て出力部１４に転送される。
【００１２】図２は、図１において感光部１１と垂直電
荷転送部１２を通る要部断面で、ｍ行，（２ｎ−１）列
目の感光部（ｍ，ｎ＝自然数）と（２ｎー１）列目の垂
直電荷転送部（ｎ＝自然数）と２ｎ列目の垂直電荷転送
部（ｎ＝自然数）とｍ行，２ｎ列目の感光部（ｍ，ｎ＝
自然数）の拡大図を示す。２０１，２０２，２０３は外
部光を前記感光部１１以外に入射させないように配した
遮光膜、２０４と２０９は入射光を光電変換し信号電荷
として蓄積を行う（２ｎ−１）列目と２ｎ列目の感光部
としてのフォトダイオード、２０５は感光部１１から垂
直電荷転送部１２へ信号電荷の転送を行うための読み出
し電極を兼用した垂直転送電極、２０６は垂直転送電極
２０５と半導体基板とを遮るための絶縁膜、２０７と２
１０は図１に示した感光部１１と垂直電荷転送部１２を
遮るための読み出しチャネル、２０８と２１１はダイオ
ード２０４とダイオード２０９の間で半導体基板表面に
対して深さ方向に埋め込んだ垂直転送電極２０５部分の
両側垂直面に配置された垂直方向に信号電荷を転送する
ための垂直電荷転送部、２１２は前記垂直電荷転送部２
０８と前記垂直電荷転送部２１１に転送された電荷の混
合を遮るための電荷分離層、２１３と２１４は水平方向
での信号電荷の混合を遮るための素子分離層である。
荷転送部１２を通る要部断面で、ｍ行，（２ｎ−１）列
目の感光部（ｍ，ｎ＝自然数）と（２ｎー１）列目の垂
直電荷転送部（ｎ＝自然数）と２ｎ列目の垂直電荷転送
部（ｎ＝自然数）とｍ行，２ｎ列目の感光部（ｍ，ｎ＝
自然数）の拡大図を示す。２０１，２０２，２０３は外
部光を前記感光部１１以外に入射させないように配した
遮光膜、２０４と２０９は入射光を光電変換し信号電荷
として蓄積を行う（２ｎ−１）列目と２ｎ列目の感光部
としてのフォトダイオード、２０５は感光部１１から垂
直電荷転送部１２へ信号電荷の転送を行うための読み出
し電極を兼用した垂直転送電極、２０６は垂直転送電極
２０５と半導体基板とを遮るための絶縁膜、２０７と２
１０は図１に示した感光部１１と垂直電荷転送部１２を
遮るための読み出しチャネル、２０８と２１１はダイオ
ード２０４とダイオード２０９の間で半導体基板表面に
対して深さ方向に埋め込んだ垂直転送電極２０５部分の
両側垂直面に配置された垂直方向に信号電荷を転送する
ための垂直電荷転送部、２１２は前記垂直電荷転送部２
０８と前記垂直電荷転送部２１１に転送された電荷の混
合を遮るための電荷分離層、２１３と２１４は水平方向
での信号電荷の混合を遮るための素子分離層である。
【００１３】図３は、図１に示す垂直電荷転送部１２の
（２ｎ−１）列目（ｎ＝自然数）の拡大図で、図２のＸ
−Ｙを通るチップ表面に対し水平な面で切断した断面図
を示す。３０１〜３０３は垂直転送電極、３０４〜３０
６は垂直電荷転送部、３０９は垂直転送電極３０１，３
０２，３０３と垂直電荷転送部３０４〜３０６を分離す
る絶縁膜で、図２に示す絶縁膜２０６の一部である。こ
こで、垂直転送電極３０１〜３０３は撮像素子上面より
みて一方が凸形で、他方が凹形であり、隣合う垂直転送
電極の凸部と凹部が絶縁膜３０９を挟み組み合わされ構
造に構成されている。
（２ｎ−１）列目（ｎ＝自然数）の拡大図で、図２のＸ
−Ｙを通るチップ表面に対し水平な面で切断した断面図
を示す。３０１〜３０３は垂直転送電極、３０４〜３０
６は垂直電荷転送部、３０９は垂直転送電極３０１，３
０２，３０３と垂直電荷転送部３０４〜３０６を分離す
る絶縁膜で、図２に示す絶縁膜２０６の一部である。こ
こで、垂直転送電極３０１〜３０３は撮像素子上面より
みて一方が凸形で、他方が凹形であり、隣合う垂直転送
電極の凸部と凹部が絶縁膜３０９を挟み組み合わされ構
造に構成されている。
【００１４】まず、図２において、外部光は遮光膜２０
１〜２０３で遮られ、遮光膜２０１〜２０３で覆われて
いないフォトダイオード２０４とフォトダイオード２０
９にのみ入射する。フォトダイオード２０４とフォトダ
イオード２０９では入射光の強度に応じた光電変換が各
フォトダイオードで独立に行われ、信号電荷として蓄積
される。垂直転送電極２０５と絶縁膜２０６と読み出し
チャネル２０７は部分２１５にてＭＯＳ構造を形成し、
この部分２１５で読み出し電極を構成し、さらに、垂直
転送電極２０５と絶縁膜２０６と読み出しチャネル２１
０は部分２１６にてＭＯＳ構造を形成し、この部分２１
６で読み出し電極を構成するため、垂直転送電極２０５
に読み出し電圧が印加されることによりフォトダイオー
ド２０４に蓄積された信号電荷は垂直電荷転送部２０８
に転送され、フォトダイオード２０９に蓄積された信号
電荷は垂直電荷転送部２１１に転送される。垂直電荷転
送部２０８，２１１に転送されたそれぞれの電荷は、電
荷分離層２１２に十分な障壁を持つため、それぞれ独立
としている。垂直電荷転送部２０８，２１１はそれぞれ
図１に示した垂直電荷転送部１２の（２ｎ−１）列目，
２ｎ列目（ｎ＝自然数）の一部であり、垂直電荷転送部
２０８，２１１に転送された信号電荷は垂直転送電極２
０５により水平電荷転送部１３へ転送される。水平電荷
転送部１３へ転送された信号電荷は出力部１４より外部
へ出力される。
１〜２０３で遮られ、遮光膜２０１〜２０３で覆われて
いないフォトダイオード２０４とフォトダイオード２０
９にのみ入射する。フォトダイオード２０４とフォトダ
イオード２０９では入射光の強度に応じた光電変換が各
フォトダイオードで独立に行われ、信号電荷として蓄積
される。垂直転送電極２０５と絶縁膜２０６と読み出し
チャネル２０７は部分２１５にてＭＯＳ構造を形成し、
この部分２１５で読み出し電極を構成し、さらに、垂直
転送電極２０５と絶縁膜２０６と読み出しチャネル２１
０は部分２１６にてＭＯＳ構造を形成し、この部分２１
６で読み出し電極を構成するため、垂直転送電極２０５
に読み出し電圧が印加されることによりフォトダイオー
ド２０４に蓄積された信号電荷は垂直電荷転送部２０８
に転送され、フォトダイオード２０９に蓄積された信号
電荷は垂直電荷転送部２１１に転送される。垂直電荷転
送部２０８，２１１に転送されたそれぞれの電荷は、電
荷分離層２１２に十分な障壁を持つため、それぞれ独立
としている。垂直電荷転送部２０８，２１１はそれぞれ
図１に示した垂直電荷転送部１２の（２ｎ−１）列目，
２ｎ列目（ｎ＝自然数）の一部であり、垂直電荷転送部
２０８，２１１に転送された信号電荷は垂直転送電極２
０５により水平電荷転送部１３へ転送される。水平電荷
転送部１３へ転送された信号電荷は出力部１４より外部
へ出力される。
【００１５】次に、図３において、垂直転送電極３０
１，３０２に”Ｈ”電圧を印加し、垂直転送電極３０３
に”Ｌ”電圧を印可したとき、垂直電荷転送部３０４，
３０５は深いチャネルを形成し、垂直電荷転送部３０６
はチャネルを閉鎖する。また、垂直転送電極３０１〜３
０３は凸形面と凹形面で組み合わせているため、矢印
（イ）に示すように発生する電界により垂直電荷転送部
３０７のチャネルは浅くなることなく、垂直電荷転送部
３０４，３０５と一様に深く形成される。これにより、
チャネルのポテンシャル分布が一様となり、垂直転送効
率が劣化することはない。また、垂直電荷転送部３０８
のチャネルは垂直電荷転送部３０５のチャネルと垂直電
荷転送部３０６のチャネルを結び、垂直電荷転送部の電
位の変化がなだらかに形成される。このため信号電荷
は、垂直電荷転送部１２で減衰することなく水平電荷転
送部１３に転送される。
１，３０２に”Ｈ”電圧を印加し、垂直転送電極３０３
に”Ｌ”電圧を印可したとき、垂直電荷転送部３０４，
３０５は深いチャネルを形成し、垂直電荷転送部３０６
はチャネルを閉鎖する。また、垂直転送電極３０１〜３
０３は凸形面と凹形面で組み合わせているため、矢印
（イ）に示すように発生する電界により垂直電荷転送部
３０７のチャネルは浅くなることなく、垂直電荷転送部
３０４，３０５と一様に深く形成される。これにより、
チャネルのポテンシャル分布が一様となり、垂直転送効
率が劣化することはない。また、垂直電荷転送部３０８
のチャネルは垂直電荷転送部３０５のチャネルと垂直電
荷転送部３０６のチャネルを結び、垂直電荷転送部の電
位の変化がなだらかに形成される。このため信号電荷
は、垂直電荷転送部１２で減衰することなく水平電荷転
送部１３に転送される。
【００１６】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、チップ表
面に対し垂直に埋め込まれた垂直転送電極板を凸形面と
凹形面で組み合わせて一列とし、この一列の転送電極板
の両垂直面に二列の垂直電荷転送部を独立に構成するこ
とにより、垂直電荷転送部のチップ表面を占有する面積
を減らすことができて、感光部の開口率を増加でき、さ
らに優れた垂直転送効率と感度特性を得ることができる
固体撮像装置を実現できるものであり、その実用効果は
絶大である。
面に対し垂直に埋め込まれた垂直転送電極板を凸形面と
凹形面で組み合わせて一列とし、この一列の転送電極板
の両垂直面に二列の垂直電荷転送部を独立に構成するこ
とにより、垂直電荷転送部のチップ表面を占有する面積
を減らすことができて、感光部の開口率を増加でき、さ
らに優れた垂直転送効率と感度特性を得ることができる
固体撮像装置を実現できるものであり、その実用効果は
絶大である。
【図１】本発明の一実施例の固体撮像装置の模式図
【図２】本発明の一実施例の固体撮像装置における感光
部と垂直電荷転送部を通る要部断面図
部と垂直電荷転送部を通る要部断面図
【図３】図２のＸ−Ｙを通るチップ表面に対し水平な面
で切断した断面図
で切断した断面図
【図４】従来の固体撮像装置の模式図
【図５】従来の固体撮像装置における感光部と垂直電荷
転送部を通る要部断面図
転送部を通る要部断面図
【符号の説明】 １１ 入射光を光強度に応じた量の信号電荷
に変換する感光部 １２ 信号電荷を垂直方向に転送する垂直電
荷転送部 １３ 信号電荷を水平方向に転送する水平電
荷転送部 １４ 信号電荷を固体撮像装置の外部へ出力
する出力部 ２０１〜２０３ 遮光膜 ２０４，２０９ フォトダイオード（感光部） ２０５ 垂直転送電極 ２０６ 絶縁膜 ２０８，２１１ 垂直電荷転送部 ２１２ 電荷分離層
に変換する感光部 １２ 信号電荷を垂直方向に転送する垂直電
荷転送部 １３ 信号電荷を水平方向に転送する水平電
荷転送部 １４ 信号電荷を固体撮像装置の外部へ出力
する出力部 ２０１〜２０３ 遮光膜 ２０４，２０９ フォトダイオード（感光部） ２０５ 垂直転送電極 ２０６ 絶縁膜 ２０８，２１１ 垂直電荷転送部 ２１２ 電荷分離層
Claims (1)
- 【請求項１】 二次元上に配列された２Ｎ列（Ｎ＝自然
数）の感光部の、（２ｎ−１）列目（ｎ＝自然数）の感
光部と２ｎ列目（ｎ＝自然数）の感光部の間に、半導体
基板表面に対し深さ方向に埋め込んだ、ｎ列目（ｎ＝自
然数）の転送電極板を有し、前記ｎ列目の転送電極板の
前記（２ｎ−１）列目の感光部側の垂直面に（２ｎ−
１）列目の電荷転送部（ｎ＝自然数）を配置し、前記ｎ
列目の転送電極板の前記２ｎ列目の感光部側の垂直面に
２ｎ列目の電荷転送部（ｎ＝自然数）を配置し、前記転
送電極板の一方が撮像素子上面よりみて凸形で、他方が
凹形であり、隣合う転送電極板の凸部と凹部が絶縁体を
挟み組み合わされた固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4203305A JPH0653476A (ja) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4203305A JPH0653476A (ja) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0653476A true JPH0653476A (ja) | 1994-02-25 |
Family
ID=16471838
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4203305A Pending JPH0653476A (ja) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0653476A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5981988A (en) * | 1996-04-26 | 1999-11-09 | The Regents Of The University Of California | Three-dimensional charge coupled device |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58212176A (ja) * | 1982-06-02 | 1983-12-09 | Nec Corp | 電荷転送装置 |
| JPH02164072A (ja) * | 1988-12-19 | 1990-06-25 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像装置および該装置に用いられる電荷転送装置ならびにその製造方法 |
-
1992
- 1992-07-30 JP JP4203305A patent/JPH0653476A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58212176A (ja) * | 1982-06-02 | 1983-12-09 | Nec Corp | 電荷転送装置 |
| JPH02164072A (ja) * | 1988-12-19 | 1990-06-25 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像装置および該装置に用いられる電荷転送装置ならびにその製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5981988A (en) * | 1996-04-26 | 1999-11-09 | The Regents Of The University Of California | Three-dimensional charge coupled device |
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