JP2002016269A - 薄膜太陽電池パネルの製造方法及び製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 分離溝を形成するとき、光電変換セルの透明
電極層と裏面電極層とが短絡せず、また、分離溝がより
少ない工程で形成される製造方法を提供する。 【解決手段】透明基板１１、透明電極層１２、半導体層
１３と裏面電極層１４を含む積層体を備え、積層体は分
離溝４によって光電変換セル領域２と外周端部３とに分
離されている薄膜太陽電池パネルの製造方法であり、レ
ーザビーム１５を透明基板側から入射するステップと、
レーザビームを第１（ｙ軸）方向に走査して透明電極
層、半導体層、裏面電極層を切断し、分離溝を形成する
ステップとを具備する。レーザビームには、透明電極層
と半導体層と裏面電極層とを透明基板から離脱させる第
１光強度を有する中心領域１５ａと、第１光強度よりも
小さく半導体層と裏面電極層とを透明電極層から離脱さ
せる第２光強度を有し中心領域を包囲する外部領域１５
ｂとが積極的に設けられている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、切断方法に関す
る。より詳細には、本発明は、薄膜薄膜太陽電池パネル
を構成する薄膜にレーザビームを照射し、その薄膜を切
断する方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】太陽光のエネルギを直接電気エネルギに
変換する光電変換装置である太陽電池の種類として、各
種のものが実用化されている。なかでも、非晶質シリコ
ン系の薄膜太陽電池は、製造のためのコストが小さく大
面積化が容易である。そのため、非晶質シリコン系の薄
膜太陽電池を使用した屋外用の大面積太陽電池の開発が
進められている。薄膜太陽電池パネルの製造において
は、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏ
ｓｉｔｉｏｎ）法及びスパッタリング法のような薄膜の
堆積工程と、レーザスクライブ法のようなパターンニン
グ工程とが、組み合わせて行われ、所望の構造が形成さ
れる。薄膜太陽電池パネルは、通常、１枚の透明絶縁基
板に複数の光電変換セルが電気的に直列接続された構造
を採用している。この光電変換セルは、薄膜太陽電池パ
ネルの面積を有効に用いるため、その透明絶縁基板のほ
とんどを占めている。薄膜太陽電池パネルには、更に、
光電変換セルを取り囲むように、外周端部が設けられて
いる。この外周端部は、薄膜太陽電池パネルを保持する
フレームと接触する部分である。この光電変換セルは、
外周端部から電気的に絶縁されている必要がある。外周
端部には、フレームと接触するために機械的な力が作用
される。その力により、薄膜が損傷して上下の電極膜が
電気的にショートして発電能力が大幅に低下する。光電
変換セルと外周端部とが電気的に絶縁されていれば、発
電能力の低下は起こらない。

【０００３】光電変換セルと外周端部との絶縁を確保す
るために、レーザビームを用いて薄膜太陽電池パネルを
構成する薄膜を切断するレーザビーム加工法が知られて
いる。このようなレーザビーム加工法を使用した薄膜太
陽電池パネルの製造方法が、公開特許公報（特開昭５９
−１９３０７６）に知られている。

【０００４】公知のその薄膜太陽電池パネルの製造方法
（以下、「第１の公知の薄膜太陽電池パネルの製造方
法」という。）では、図２１に示されているように、透
明基板５０１の上に順に形成された透明電極層５０２、
半導体層５０３、及び裏面電極層５０４に、透明基板５
０１側からレーザビーム５０５が入射される。これによ
り、透明電極層５０２、半導体層５０３、及び裏面電極
層５０４を貫通する分離溝５０６が形成され、光電変換
セル部５００と外周端部５１０との間の絶縁が確保され
る。

【０００５】光電変換セル部５００と外周端部５１０と
の間には、絶縁がとられていなければならない。従っ
て、光電変換セル部５００の透明電極層５０２ａと外周
端部５１０の透明電極層５０２ｂとの間、及び、光電変
換セル部５００の裏面電極層５０４ａと外周端部５１０
の裏面電極層５０４ｂとは絶縁されていなければならな
い。

【０００６】更に、光電変換セル部５００の透明電極層
５０２ａと裏面電極層５０４ａとは短絡してはならな
い。なぜなら、薄膜太陽電池の正極及び負極である透明
電極層５０２ａと裏面電極層５０４ａとが短絡している
と、薄膜太陽電池の機能が損なわれるからである。

【０００７】しかし、第１の公知の薄膜太陽電池パネル
の製造方法は、透明電極層５０２を構成する物質がレー
ザビームのエネルギにより蒸発して飛散する際に、分離
溝５０６の内壁５０６ａに付着し、透明電極層５０２ａ
と裏面電極層５０４ａの間を短絡するという問題があ
る。

【０００８】公開特許公報（特開平１１−１８６５７
３）には、かかる問題を解決する第２の公知の薄膜太陽
電池パネルの製造方法が開示されている。

【０００９】第２の公知の薄膜太陽電池パネルの製造方
法では、まず、図２２に示されているように、透明基板
５１１上に、透明電極層５１２が堆積される。透明電極
層５１２は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄ
ｅ）、ＳｎＯ_２、ＺｎＯ_２等の透明な導線性膜で形成さ
れている。

【００１０】続いて、図２３に示されているように、ガ
ラス基板５１１側から透明電極５１２にレーザ光５１３
が入射され、透明電極層５１２に透明電極層分離溝５１
４が形成される。

【００１１】続いて、図２４に示されているように、半
導体層５１５と裏面電極層５１６とが順次堆積される。
半導体層５１５と裏面電極層５１６とが順次形成された
後、公知のレーザパターニングが実施され、複数の光電
変換セルが薄膜太陽電池パネル全面に形成される。

【００１２】続いて、図２５に示されているように、レ
ーザ光５１７が入射されて半導体層５１５と裏面電極層
５１６とが切断され、分離溝５１８が形成される。分離
溝５１６により、外周端部と光電変換セルとが絶縁され
る。レーザ光５１７の光強度は、透明電極層５１２に損
傷を与えることのない程度に選ばれている。透明電極層
５１２を蒸発させるのに必要な単位面積あたりのレーザ
エネルギは、半導体層５１５のそれの１０倍程度であ
る。従って、レーザ光５１７が、半導体層５１５のみを
蒸発させるだけのエネルギを有するレーザ光であれば、
透明電極層５１２に損傷が与えられることはない。この
とき、裏面電極層５１６は、半導体層５１５が蒸発する
際に、その半導体層から生ずるガスのガス圧力で除去さ
れる。

【００１３】しかし、第２の公知の薄膜太陽電池パネル
の製造方法は、以下に述べられているような問題点があ
った。

【００１４】半導体層５１５と裏面電極層５１６を切断
する分離溝は、透明電極層５１２を切断する分離溝の上
に形成されなければならない。しかし、透明電極層５１
２を切断する分離溝の形成は、半導体層５１５及び裏面
電極層５１６の堆積の前であり、半導体層５１５と裏面
電極層５１６を切断する分離溝の形成は、半導体層５１
５及び裏面電極層５１６の堆積の後である。即ち、透明
電極層５１２を切断する分離溝の形成と、半導体層５１
５と裏面電極層５１６を切断する分離溝の形成とは、別
の工程である。従って、それらの分離溝の位置合わせを
する必要がある。通常、透明電極層５１２に形成される
分離溝の幅は、５０μｍ程度であり、半導体層５１５及
び裏面電極層５１６に形成される分離溝の幅は、１００
μｍ〜２００μｍである。従って、微細な位置合わせが
なされる必要がある。このような微細な位置合わせを行
える装置は高価である。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、薄膜
太陽電池パネルの外部端部と光電変換セルを分離する分
離溝を形成するとき、光電変換セルの透明電極層と裏面
電極層とが短絡しないような薄膜太陽電池パネルの製造
方法を提供することにある。

【００１６】本発明の他の課題は、薄膜太陽電池パネル
の外部端部と光電変換セルを分離する分離溝が、より少
ない工程で形成される薄膜太陽電池パネルの製造方法を
提供することにある。

【００１７】

【課題を解決するための手段】その課題を解決するため
の手段は、下記のように表現される。その表現中に現れ
る技術的事項には、括弧（）つきで、番号、記号等が添
記されている。その番号、記号等は、本発明の複数の実
施の形態のうちの、少なくとも１つの実施の形態を構成
する技術的事項、特に、その実施の形態に対応する図面
に表現されている技術的事項に付せられている参照番
号、参照記号等に一致している。このような参照番号、
参照記号は、請求項記載の技術的事項と実施の形態の技
術的事項との対応・橋渡しを明確にしている。このよう
な対応・橋渡しは、請求項記載の技術的事項が実施の形
態の技術的事項に限定されて解釈されることを意味しな
い。

【００１８】本発明による薄膜太陽電池パネルの製造方
法は、透明基板（１１）と、透明基板（１１）の上に形
成された透明電極層（１２）と、透明電極層（１２）の
上に形成された半導体層（１３）と、半導体層（１３）
の上に形成された裏面電極層（１４）とを含む積層体と
を備え、その積層体は分離溝（４）によって光電変換セ
ル領域（２）と外周端部（３）とに分離されている薄膜
太陽電池パネルの製造方法である。当該薄膜太陽電池パ
ネルの製造方法は、（ａ） レーザビーム（１５）を透
明基板（１１）側から薄膜太陽電池パネル（１）に入射
するステップと、（ｂ） レーザビーム（１５）を第１
方向（ｙ軸方向）に走査して透明電極層（１２）、半導
体層（１３）、及び前記裏面電極層（１４）を切断し、
分離溝（４）を形成するステップとを具備する。レーザ
ビーム（１５）には、透明電極層（１２）と半導体層
（１３）と前記裏面電極層（１４）とを透明基板（１
１）から離脱させる第１光強度（Ｉ_ＴＣＯ）を有する中
心領域（１５ａ）と、第１光強度（Ｉ_ＴＣＯ）よりも小
さく、半導体層（１３）と裏面電極層（１４）とを透明
電極層（１２）から離脱させる第２光強度（Ｉ_ＳＣ）を
有し、且つ、中心領域（１５ａ）を包囲する外部領域
（１５ｂ）とが積極的に設けられている。

【００１９】当該製造方法において、レーザビーム（１
５）の断面は、楕円であることが望ましい。このとき、
その楕円の長軸が延びる第２方向（ｘ軸方法）は、実質
的に、第１方向（ｙ軸方向）に垂直であることが望まし
い。

【００２０】当該製造方法において、その長軸のうち外
部領域（１５ｂ）にある部分の第１長さ（ｄ_１）は、そ
の楕円の短軸のうち外部領域（１５ｂ）にある部分の第
２長さ（ｄ_２）よりも大きいことが望ましい。

【００２１】当該製造方法において、第１長さ（ｄ_１）
は、透明電極層（１２）を構成する物質が、半導体層
（１３）に再付着しないように選ばれることが望まし
い。

【００２２】本発明による薄膜太陽電池パネルの製造方
法は、透明基板（１１）と、透明基板（１１）の上に形
成された透明電極層（１２）と、透明電極層（１２）の
上に形成された半導体層（１３）と、半導体層（１３）
の上に形成された裏面電極層（１４）とを含む積層体と
を備え、その積層体は分離溝（４）によって光電変換セ
ル領域（２）と外周端部（３）とに分離されている薄膜
太陽電池パネルの製造方法である。当該薄膜太陽電池パ
ネルの製造方法は、（ｃ） 透明電極層（１２）を透明
基板（１１）から離脱させず、且つ、半導体層（１３）
と裏面電極層（１４）とを透明電極層（１２）から離脱
させる第１光強度（Ｉ_ＴＣＯ）を有する第１レーザビー
ム（１８）を半導体層（１３）に入射するステップと、
（ｄ） 第１レーザビーム（１８）を第１方向（ｙ軸方
向）に走査して半導体層（１３）を切断するステップ
と、（ｅ） （ｄ）ステップの後、透明電極層（１２）
を透明基板（１１）から離脱させる第２光強度を有する
第２レーザビーム（１９）を、前記第１レーザビームが
通過した領域内を通過するように前記透明電極に入射す
るステップと、（ｆ） 前記第２レーザビームを前記第
１方向に走査して、透明電極層（１２）を切断するステ
ップとを具備する。ここで第１レーザビーム（１８）
は、第１径（ｒ_１）を有し、第２レーザビーム（１９）
は、第１径（ｒ_１）より小さい第２径（ｒ_２）を有す
る。

【００２３】当該製造方法において、第１レーザビーム
（１８）は、第１レーザビーム（１８）の中心が第１方
向（１８ｂ）に延びる第１走査線（１８ａ）上を通過す
るように走査され、且つ、第２レーザビーム（１９）
は、第２レーザビーム（１９）の中心が第１方向（１８
ｂ）に延びる第２走査線上（１９ａ）を通過するように
走査されることがある。このとき、第１走査線（１８
ａ）の第１位置と、第２走査線（１９ａ）の第２位置
と、第１径（ｒ_１）と、第２径（ｒ_１）とは、透明電極
層（１２）を構成する物質が、半導体層（１３）に再付
着しないように選ばれることが望ましい。

【００２４】また、当該製造方法において、第１レーザ
ビーム（１８）の波長は、第１レーザビーム（１８）が
前記透明電極によって実質的に吸収されないように選ば
れることが望ましい。

【００２５】本発明による薄膜太陽電池パネルの製造方
法は、透明基板（１１）と、透明基板（１１）の上に形
成された透明電極層（１２）と、透明電極層８１２）の
上に形成された半導体層（１３）と、半導体層（１３）
の上に形成された裏面電極層（１４）とを含む積層体と
を備え、その積層体は分離溝（４）によって光電変換セ
ル領域（２）と外周端部（３）とに分離されている薄膜
太陽電池パネルの製造方法である。当該薄膜太陽電池パ
ネルの製造方法は、（ｇ） 第１レーザビーム（２０、
７１）と第２レーザビーム（２１、７２）とを、透明基
板（１１）側から薄膜太陽電池パネル（１）に、入射す
るステップと、（ｈ） 第１レーザビーム（２０、７
１）と第２レーザビーム（２１、７２）とを、第１方向
（２２、７３）に走査して、透明電極層（１２）と半導
体層（１３）とを切断するステップとを具備する。ここ
で前記第１レーザビーム（２０、７１）と第２レーザビ
ーム（２１、７２）とは、少なくともその一部で重畳す
る。第１レーザビーム（２０、７１）は、透明電極層
（１２）を透明基板（１１）から離脱させず、且つ、半
導体層（１３）と裏面電極層（１４）とを透明電極層
（１２）から離脱させる第１光強度（Ｉ_ＴＣＯ）を有す
る。第２レーザビーム（２１、７２）は、透明電極層
（１２）を透明基板（１１）から離脱させる第２光強度
（Ｉ_ＳＥ）を有する。第１レーザビーム（２０、７１）
のうちの他の一部は、第２レーザビーム（２１、７２）
に隣接し、且つ、第２レーザビーム（２１、７２）に対
し第１方向（２２、７３）と垂直な第２方向に位置す
る。

【００２６】また、当該製造方法において、第１レーザ
ビーム（２０）は、第１方向に垂直な第２方向に第１径
（ｒ_３）を有し、第２レーザビーム（２１）は、第２方
向に第１径（ｒ_３）より短い第２径（ｂ_２）を有し、第
２レーザビーム（２１）の全体は、前記第１レーザビー
ム（２０）の中に含まれるように位置することがある。

【００２７】また、当該製造方法において、第２レーザ
ビーム（２１）は、断面が楕円であり、その楕円の長軸
が延びる第２方向は、実質的に、第１方向（２２）に一
致することが望ましい。

【００２８】また、当該製造方法において、第１レーザ
ビーム（２０、７１）の第１波長λ _１は、第１レーザビ
ーム（２０、７１）が透明電極（１２）によって実質的
に吸収されないように選ばれることが望ましい。

【００２９】また、当該製造方法において、（ｇ）ステ
ップは、第１波長λ_１のｎ倍（ｎは２以上の自然数）で
ある第２波長λ_２を有する第３レーザビーム（６３、１
１１）を生成するステップと、ｎ倍の高調波を発生する
高調波発生素子（５２、１０２）に、第３レーザビーム
（６３）を入射して、第１レーザビーム（２０）と第２
レーザビーム（２１）とを発生するステップとを含むこ
とが望ましい。

【００３０】

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しながら、
本発明による薄膜太陽電池パネルの製造方法を説明す
る。

【００３１】第１の実施の形態：図１は、第１の実施の
形態による薄膜太陽電池パネルの製造方法によって製造
される薄膜太陽電池パネル１の構造を示す。薄膜太陽電
池パネル１には、複数の光電変換セル２と、複数の光電
変換セル２を取り囲む周辺領域３とが設けられている。
複数の光電変換セル２と周辺領域３とは、周辺分離溝４
により分離されている。複数の光電変換セル２同士は、
セル分離溝５により分離されている。

【００３２】以下、第１の実施の形態の薄膜太陽電池パ
ネルの製造方法を説明する。

【００３３】まず、図２に示されているように、透明基
板１１上に、透明電極層１２、半導体層１３、及び裏面
電極膜１４が順次形成される。透明電極層１２、半導体
層１３、及び裏面電極膜１４の膜厚は、それぞれ、約
０．７（μｍ）、約０．３（μｍ）、約０．３（μｍ）
である。

【００３４】透明電極層１２、半導体層１３、及び裏面
電極膜１４が形成された後、通常の公知のレーザパター
ニングが実施されてセル分離溝５が形成され、複数の光
電変換セル２が薄膜太陽電池パネル１の全体に形成され
る。

【００３５】続いて、光電変換セル２と周辺領域３との
電気的絶縁のために、周辺分離溝４が形成される。図３
は、周辺分離溝４が形成される過程を示す断面図であ
り、図４は、周辺分離溝４が形成される過程を示す平面
図である。

【００３６】周辺分離溝４は、パルス発振により生成さ
れたレーザビーム１５を使用したレーザスクライブ法に
より形成される。レーザビーム１５は、図３に示されて
いるように、透明基板１１側から、薄膜太陽電池パネル
１に入射される。以下の説明では、レーザビーム１５が
入射される方向をｚ軸とする。更にレーザビーム１５
は、図４に示されているように、矢１６が示す方向に走
査される。周辺分離溝４の形成が、矢１６が示す方向に
進行する。以下の説明では、矢１６が示す方向、即ち、
周辺分離溝４の形成が進行していく方向にｙ軸をとる。
更に、透明基板１１の表面に平行であり、且つ、ｙ軸に
垂直な方向にｘ軸を取る。ｘ軸は、周辺分離溝４の形成
が進行していく方向に垂直である。

【００３７】図４に示されているように、レーザビーム
１５の断面は、楕円をなす。レーザビーム１５の断面が
なす楕円の長軸は、ｘ軸方向に延び、短軸は、ｙ軸方向
に延びる。ここで、レーザビーム１５の断面がなす楕円
の長軸の長さ２ａ_１（μｍ）、短軸の長さを２ｂ_１（μ
ｍ）とする。長軸の長さ２ａ_１は、概ね、２００（μ
ｍ）である。レーザビーム１５は、断面が円であるレー
ザビームを円筒レンズ（シリンドリカルレンズ）を通す
ことによって生成される。

【００３８】レーザビーム１５は、その中心Ｏの近傍に
ある中心領域１５ａと、中心領域１５ａを包囲する外部
領域１５ｂとからなる。中心領域１５ａ内におけるレー
ザビーム１５の光強度は、透明電極層１２が透明基板１
１から離脱する光強度Ｉ_{ＴＣ Ｏ}よりも大きい。

【００３９】一方、外部領域１５ｂ内におけるレーザビ
ーム１５の光強度は、透明電極層１２が透明基板１１か
ら離脱する光強度Ｉ_ＴＣＯよりも小さく、半導体層１３
が透明電極層１２から離脱する光強度Ｉ_ＳＣよりも大き
い。

【００４０】図５は、中心Ｏを通りｘ軸方向に沿ったレ
ーザビーム１５の光強度の分布を示す。ｘ軸方向に沿っ
たレーザビーム１５の光強度の分布は、概ねガウシアン
分布である。ここで、中心領域１５ａは、ｘ_２≦ｘ≦ｘ
_３に位置し、外部領域１５ｂは、ｘ_１≦ｘ≦ｘ_２及びｘ
_３≦ｘ≦ｘ_４に位置する。中心領域１５ａにおけるレー
ザビーム１５の光強度は、透明電極層１２が透明基板１
１から離脱する光強度Ｉ_ＴＣＯよりも大きい。一方、外
部領域１５ｂにおけるレーザビーム１５の光強度は、透
明電極層１２が透明基板１１から離脱する光強度Ｉ
_ＴＣＯよりも小さく、半導体層１３が透明電極層１２か
ら離脱する光強度Ｉ_ＳＣよりも大きい。

【００４１】かかる光強度を有する外部領域１５ｂは、
意図的に、又は、積極的に形成されている。レーザビー
ムの光強度は、一般にガウシアン分布に従って分布す
る。従って、透明電極層１２が透明基板１１から離脱す
る光強度Ｉ_ＴＣＯよりも大きい光強度を有するレーザビ
ームには、外部領域１５ｂに相当する光強度を有する領
域が必然的に伴う。

【００４２】しかし、本実施の形態のように、意図的
に、又は、積極的に、外部領域１５ｂが広く設けられる
ことは、短絡しにくい構造を有する周辺分離溝４が形成
される点で有用である。短絡しにくい構造を有する周辺
分離溝４が形成される過程は後述されるため、ここでは
詳細には説明しない。

【００４３】中心領域１５ａの断面の形状は、概ね、レ
ーザビーム１５の断面がなす楕円と中心Ｏを共有する楕
円である。中心領域１５ａの断面がなす楕円の長軸は、
ｘ軸方向に延び、短軸はｙ軸方向に延びる。ここで、中
心領域１５ａの断面がなす長軸の長さを２ａ_１’（μ
ｍ）、短軸の長さを２ｂ_１’（μｍ）とする。長軸の長
さ２ａ_１’は、概ね１００（μｍ）である。

【００４４】以上に説明された構造を有するレーザビー
ム１５が、薄膜太陽電池パネル１に入射され、走査され
て、周辺分離溝４が形成される。レーザビーム１５は、
公知技術と同様に、走査装置（図示されない）により走
査される。

【００４５】図３に示されているように、透明電極層１
２のうち中心領域１５ａにより照射された部分は、透明
基板１１から離脱する。透明電極層１２のうち中心領域
１５ａが照射された部分に、溝４ａが形成される。溝４
ａの幅ｗ_１は、中心領域１５ａの長軸の長さ２ａ_１’に
概ね等しく、約１００（μｍ）である。

【００４６】更に、半導体層１３のうちレーザビーム１
５の外部領域１５ｂにより照射された部分は、透明電極
層１１から離脱する。このとき、裏面電極膜１４のう
ち、レーザビーム１５の外部領域１５ｂにより照射され
る部分は、半導体層１３が離脱するときに生じる圧力に
よって半導体層１３と共に離脱する。この結果、半導体
層１３及び裏面電極膜１４のうち外部領域１５ｂによっ
て照射された部分に溝４ｂが形成される。溝４ｂの幅ｗ
_２は、レーザビーム１５の断面の長軸の長さ２ａ _１に等
しく、約２００（μｍ）である。

【００４７】透明電極層１２は、外部領域１５ｂにより
照射されても透明基板１１から離脱しない。従って、溝
４ａの内壁４ｃの位置と溝４ｂの内壁４ｄの位置がずれ
る。内壁４ｃと内壁４ｄの位置が積極的にずらされてい
ることにより、透明電極層１１を構成する物質が内壁４
ｄに再付着しにくくなる。

【００４８】内壁４ｃと内壁４ｄのずれ量Δｗは、概
ね、Δｗ＝ａ_１−ａ_１’である。即ち、ずれ量Δｗは、
概ね５０（μｍ）である。ここで前述されているよう
に、透明電極１１、半導体層１３及び裏面電極膜１４の
厚さは、それぞれ、約０．７（μｍ）、約０．３（μ
ｍ）及び、約０．３（μｍ）である。内壁４ｃと内壁４
ｄのずれ量Δｗは、透明電極１２、半導体層１３及び裏
面電極膜１４の膜厚に比べて極めて大きい。従って、透
明電極層１１を構成する物質が離脱して内壁４ｄに再付
着することが防止される。内壁４ｃと内壁４ｄとのずれ
量Δｗは、透明電極層１１を構成する物質が内壁４ｄに
再付着しない程度の大きさに選ばれる。

【００４９】内壁４ｃと内壁４ｄとのずれ量Δｗは、レ
ーザビーム１５の長軸の長さ２ａ_１と、中心領域１５ａ
の長軸の長さ２ａ_１’とにより調整できる。レーザビー
ム１５の長軸の長さ２ａ_１と、中心領域１５ａの長軸の
長さ２ａ_１’とは、内壁４ｃと内壁４ｄとのずれ量ｃが
透明電極層１１を構成する物質が内壁４ｄに再付着しな
い程度の大きさになるように調整される。レーザビーム
１５の長軸の長さ２ａ _１と、中心領域１５ａの長軸の長
さ２ａ_１’とは、レーザビーム１５を生成するのに使用
される円筒レンズ（シリンドリカルレンズ）の曲率によ
り調整される。

【００５０】以上のようにして形成された溝４ａと溝４
ｂとは、周辺分離溝４を構成する。

【００５１】その後、図６に示されているように、透明
基板１１、透明電極層１２、半導体層１３、及び裏面電
極膜１４の上にパッシベーション膜１７が被覆され、太
陽電池の製造工程が終了する。

【００５２】本実施の形態の太陽電池の製造方法は、透
明電極層１１を構成する物質が内壁４ｄに再付着しにく
い形状を有する周辺分離溝４を、より少ない工程で形成
できる。更に、本実施の形態の太陽電池の製造方法は、
溝４ａに半導体層１３が残さとして残ることがない。

【００５３】なお、本実施の形態において、レーザビー
ム１５の断面の形状は、楕円ではなく円であることが可
能である。即ち、ａ_１＝ｂ_１、且つ、ａ_１’＝ｂ_１’で
あることも可能である。この場合も、内壁４ｃと内壁４
ｄのずれ量Δｗが、透明電極層１１を構成する物質が内
壁４ｄに再付着しない程度の大きさになるように、ａ _１
及びａ_１’が定められる。

【００５４】しかし、レーザビーム１５の断面の形状
は、図４に示されているように、ｙ軸方向に短軸を有す
る楕円であることが望ましい。なぜなら、レーザビーム
１５の断面の形状が図７（ａ）に示されているように円
であると、図７（ｂ）に示されているように、裏面電極
膜１４にバリ１４ａが発生しやすいからである。裏面電
極膜１４にバリ１４ａが発生することは、パッシベーシ
ョン膜１７が形成されたときに、光電変換セル２と周辺
領域３との間、又は、光電変換セル２の透明電極層１２
と裏面電極層１４との間が短絡しやすくなる点で好まし
くない。

【００５５】レーザビーム１５の断面の形状が円である
と、裏面電極膜１４にバリ１４ａが発生しやすい理由を
以下に説明する。図７（ａ）に示されているように、レ
ーザビーム１５として、一のパルスが照射された場合、
その次のパルスは、中心領域１５ａの領域がわずかに重
なるように移動して照射される。前述されたように、裏
面電極膜１４は、半導体層１３が離脱するときに生じる
圧力によって、薄膜太陽電池パネル１から離脱するので
あるが、外部領域１５ｂの重なりが大きいと、半導体層
１３が離脱するときに生じる圧力は、既に形成された周
辺分離溝４から逃げてしまう。このため、次のパルスの
外部領域１５ｂの内部にある裏面電極膜１４は、薄膜太
陽電池パネル１から離脱しにくく、バリとして残りやす
い。

【００５６】このような問題は、レーザビーム１５の一
のパルスと、次のパルスとが照射される領域が重なる部
分を小さくすることにより回避される。従って、レーザ
ビーム１５ａと外部領域１５ｂの切断が進行される方向
の径の差ｄ_２は、小さいことが望ましい。楕円形状のビ
ームをレーザビーム１５として使用することにより、ｄ
_２は小さくすることができる。従って、レーザビーム１
５の断面の形状は、ｙ軸方向に短軸を有する楕円である
ことが望ましい。

【００５７】なお、第１の実施の形態において、周辺分
離溝４と同様の過程によって、複数の光電変換セル２同
士を分離するセル分離溝５が形成されることも可能であ
る。

【００５８】第２の実施の形態：第２の実施の形態の薄
膜太陽電池パネルの製造方法は、第１の実施の形態によ
る薄膜太陽電池パネルの製造方法と同一の構成を有する
薄膜太陽電池を製造する製造方法である。第２の実施の
形態の薄膜太陽電池パネルの製造方法は、周辺分離溝４
を形成する工程が第１の実施の形態と異なる。

【００５９】以下、第２の実施の形態の薄膜太陽電池パ
ネルの製造方法を説明する。

【００６０】まず、第１の実施の形態による薄膜太陽電
池パネルの製造方法と同様、図２に示されているよう
に、透明基板１１上に、透明電極層１２、半導体層１
３、及び裏面電極膜１４が順次形成される。透明電極層
１２、半導体層１３、及び裏面電極膜１４の膜厚は、そ
れぞれ、約０．７（μｍ）、約０．３（μｍ）、約０．
３（μｍ）である。

【００６１】透明電極層１２、半導体層１３、及び裏面
電極膜１４が形成された後、通常の公知のレーザパター
ニングが実施されてセル分離溝５が形成され、複数の光
電変換セル２が薄膜太陽電池パネル１の全体に形成され
る。

【００６２】続いて、周辺分離溝４がレーザスクライブ
法により形成される。

【００６３】まず、図８に示されているように、透明基
板１１側からレーザビーム１８が入射され、更に、走査
されて、溝４ｂが形成される。

【００６４】レーザビーム１８の光強度は、透明電極層
１２が透明基板１１から離脱する光強度Ｉ_ＴＣＯよりも
小さく、半導体層１３が透明電極層１２から離脱する光
強度Ｉ_ＳＣよりも大きい。レーザビーム１８の径ｒ
_１は、概ね２００ｎｍである。

【００６５】第１レーザビーム１８の波長は、第１レー
ザビーム１８が透明電極層１２によって実質的に吸収さ
れにくいように、４００ｎｍから６５０ｎｍの波長域か
ら選ばれることが望ましい。このように波長が選択され
ていることにより、半導体層１３のみが、より選択的に
薄膜太陽電池パネル１から離脱される。

【００６６】半導体層１３のうちレーザビーム１８によ
り照射された部分は、透明電極層１１から離脱する。こ
のとき、裏面電極膜１４のうち、レーザビーム１８によ
り照射された部分の直上にある部分も、半導体層１３と
共に離脱する。この結果、半導体層１３のうちレーザビ
ーム１８が照射された部分に、溝４ｂが形成される。溝
４ｂの幅ｗ_２は、概ね、レーザビーム１８の径ｒ_１と同
じ約２００（μｍ）である。

【００６７】続いて、図９に示されているように、透明
基板１１側からレーザビーム１９が入射される。

【００６８】レーザビーム１９の光強度は、透明電極層
１２が透明基板１１から離脱する光強度Ｉ_ＴＣＯよりも
大きい。レーザビーム１９の径ｒ_２は、概ね１００（μ
ｍ）である。

【００６９】レーザビーム１９は、図１０に示されてい
るように、溝４ｂの中心を通過するように走査される。
このとき、レーザビーム１８の中心が通過する第１走査
線１８ａと、レーザビーム１９の中心が通過する第２走
査線１９ａとは、実質的に一致する。

【００７０】レーザビーム１９が走査された結果、溝４
ａが形成される。以上のようにして形成された溝４ａと
溝４ｂとは、周辺分離溝４を構成する。

【００７１】溝４ａの内壁４ｃの位置と溝４ｂの内壁４
ｄの位置は、第１の実施の形態と同様に、透明電極層１
１を構成する物質が内壁４ｄに再付着しないように調整
される。内壁４ｃと、内壁４ｄとは、透明基板１１に垂
直である。内壁４ｃと内壁４ｄは、透明基板１１に平行
な方向にずれている。内壁４ｃと内壁４ｄのずれΔｗ
は、約５０μｍである。内壁４ｃと内壁４ｄのずれΔｗ
は、透明電極１２、半導体層１３及び裏面電極膜１４の
膜厚に比べて極めて大きい。従って、透明電極層１１を
構成する物質が離脱して内壁４ｄに再付着することが防
止される。このように、内壁４ｃと内壁４ｄとのずれ量
Δｗは、透明電極層１１を構成する物質が内壁４ｄに再
付着しない程度の大きさに選ばれることが望ましい。

【００７２】内壁４ｃと内壁４ｄとのずれ量Δｗは、レ
ーザビーム１８、１９のそれぞれの径ｒ_１、ｒ_２により
調整される。径ｒ_１、ｒ_２は、内壁４ｃと内壁４ｄとの
ずれ量ｃが透明電極層１１を構成する物質が内壁４ｄに
再付着しない程度の大きさになるように選ばれる。

【００７３】その後、第１の実施の形態と同様に、図６
に示されているように、透明基板１１、透明電極層１
２、半導体層１３、及び裏面電極膜１４がパッシベーシ
ョン膜１６が被覆され、太陽電池の製造工程が終了す
る。

【００７４】本実施の形態の太陽電池の製造方法は、透
明電極層１１を構成する物質が内壁４ｄに再付着しない
形状を有する周辺分離溝４を形成できる。更に、本実施
の形態の太陽電池の製造方法は、溝４ｂに裏面電極膜１
４のバリが残ることもない。

【００７５】なお、第２の実施の形態において、第１走
査線１８ａと第２走査線１９ａとは、ずれていることも
可能である。この場合には、第１走査線１８ａ及び第２
走査線１９ａの位置に応じて、レーザビーム１８の半径
ｒ_１と、レーザビーム１９の半径ｒ_２とは、透明電極層
１１を構成する物質が、半導体層１２に再付着しないよ
うに選ばれる。

【００７６】更に、第２の実施の形態において、周辺分
離溝４と同様の過程により、複数の光電変換セル２同士
を分離するセル分離溝５が形成されることも可能であ
る。

【００７７】第３の実施の形態：第３の実施の形態の薄
膜太陽電池パネルの製造方法は、第１の実施の形態によ
る薄膜太陽電池パネルの製造方法と、同一の構造を有す
る薄膜太陽電池を製造する製造方法である。しかし、第
３の実施の形態の薄膜太陽電池パネルの製造方法は、透
明電極層１２、半導体層１３、及び裏面電極膜１４を切
断するのに使用されるレーザビームの構成が、第１の実
施の形態と異なる。

【００７８】以下、第３の実施の形態の薄膜太陽電池パ
ネルの製造方法を説明する。

【００７９】まず、第１の実施の形態による薄膜太陽電
池パネルの製造方法と同様、図２に示されているよう
に、透明基板１１上に、透明電極層１２、半導体層１
３、及び裏面電極膜１４が順次形成される。透明電極層
１２、半導体層１３、及び裏面電極膜１４の膜厚は、そ
れぞれ、約０．７（μｍ）、約０．３（μｍ）、約０．
３（μｍ）である。

【００８０】続いて、周辺分離溝４が形成される。図１
０は、周辺分離溝４が形成される過程を示す断面図であ
り、図１１は、周辺分離溝４が形成される過程を示す平
面図である。

【００８１】周辺分離溝４は、重ね合わされたレーザビ
ーム２０、２１を使用したレーザスクライブ法により形
成される。レーザビーム２０、２１はそれぞれ、パルス
発振により発生されたレーザビームである。レーザビー
ム２０、２１は、図３に示されているように、透明基板
１１側から、薄膜太陽電池パネル１に同時に入射され
る。以下の説明では、レーザビーム２０、２１が入射さ
れる方向をｚ軸とする。

【００８２】レーザビーム２０、２１は、図１１に示さ
れているように、矢２２が示す方向に走査される。レー
ザビーム２０、２１は、公知技術と同様に、走査装置
（図示されない）により走査される。周辺分離溝４の形
成が、矢２２が示す方向に進行する。以下の説明では、
矢２２が示す方向、即ち、周辺分離溝４の形成が進行し
ていく方向にｙ軸をとる。更に、透明基板１１の表面に
平行であり、且つ、ｙ軸に垂直な方向にｘ軸を取る。

【００８３】レーザビーム２０の断面は、図１１に示さ
れているように、円をなす。レーザビーム２０の半径ｒ
は、概ね２００（μｍ）である。

【００８４】レーザビーム２０の光強度は、透明電極層
１２が透明基板１１から離脱する光強度Ｉ_ＴＣＯよりも
小さく、半導体層１３が透明電極層１２から離脱する光
強度Ｉ_ＳＣよりも大きい。

【００８５】レーザビーム２０の波長は、レーザビーム
２０が透明電極１２によって実質的に吸収されず、且
つ、半導体層１３による吸収が大きくなるように選ばれ
ている。より具体的には、レーザビーム２０の波長λ_１
は、４００〜６５０（ｎｍ）に設定されている。このよ
うに波長λ_１が選択されていることにより、半導体層１
３のみが、より選択的に薄膜太陽電池パネル１から離脱
される。

【００８６】レーザビーム２１の全体は、レーザビーム
２０の中に含まれるように位置する。レーザビーム２１
の断面は、図１２に示されているように、楕円をなして
いる。レーザビーム２１の断面がなす楕円の長軸２１ａ
が延びる方向は、周辺分離溝４の形成が進行していく方
向であるｙ軸方向に実質的に一致する。長軸２１ａが延
びる方向が、周辺分離溝４の形成が進行していく方向と
一致していることは、周辺分離溝４の形成の速度を速く
する点で有用である。また、レーザビーム２１の断面が
なす楕円の短軸２１ｂが延びる方向は、ｘ軸方向に概ね
一致する。短軸２１ｂの長さを２ｂ_２（μｍ）は、概ね
１００（μｍ）である。長軸２１ａの長さ２ａ_２（μ
ｍ）は、レーザビーム２０の直径２ｒ_３と実質的に同じ
である。

【００８７】レーザビーム２１の光強度は、透明電極層
１２が透明基板１１から離脱する光強度Ｉ_ＴＣＯよりも
大きい。

【００８８】レーザビーム２１の波長λ_２が、レーザビ
ーム２０の波長λ_１のｎ倍（ｎは２以上の整数）である
ことは、レーザビーム２０、２１を発生させるレーザ光
源を１つにすることができる点で好ましい。即ち、レー
ザビーム２１と同一の波長を有するレーザビームを発生
し、そのレーザービームを第ｎ次高調波を発生する高調
波発生素子に入射することにより、波長λ_１を有するレ
ーザビーム２０と、波長λ_２を有するレーザビーム２１
を一のレーザ光源で発生できる。なお、レーザビーム２
１の波長λ_２は他の波長であることも可能である。

【００８９】以上に説明された構造を有するレーザビー
ム２０、２１が、薄膜太陽電池パネル１に入射され、走
査されて、周辺分離溝４が形成される。

【００９０】図１１に示されているように、透明電極層
１２のうちレーザビーム２１により照射された部分は、
透明基板１１から離脱する。透明電極層１２のうちレー
ザビーム２１が照射された部分に、溝４ａが形成され
る。溝４ａの幅ｗ_１は、レーザビーム２１の短軸の長さ
２ｂ_２に概ね等しく、約１００（μｍ）である。

【００９１】更に、半導体層１３のうちレーザビーム２
０により照射された部分は、透明電極層１１から離脱す
る。このとき、裏面電極膜１４のうち、レーザビーム２
０により照射される部分は、半導体層１３が離脱すると
きに生じる圧力によって半導体層１３と共に離脱する。

【００９２】この結果、半導体層１３と裏面電極膜１４
のうちレーザビーム２０に照射された部分には、溝４ｂ
が形成される。溝４ｂの幅ｗ_２は、レーザビーム２０の
断面の半径ｒ_３に等しく、約２００（μｍ）である。

【００９３】透明電極層１２のうち、レーザビーム２０
にのみ照射され、レーザビーム２１に照射されていない
部分は、透明基板１１から離脱せず、透明基板１１に残
留する。この結果、溝４ａの内壁４ｃの位置と溝４ｂの
内壁４ｄの位置がずれることになる。

【００９４】溝４ａの内壁４ｃの位置と溝４ｂの内壁４
ｄの位置は、ｘ軸方向にΔｗだけずれている。内壁４ｃ
と内壁４ｄの位置は、積極的にずらされている。内壁４
ｃと内壁４ｄの位置が積極的にずらされていることによ
り、透明電極層１１を構成する物質が内壁４ｄに再付着
しにくくなる。

【００９５】内壁４ｃと内壁４ｄのずれ量Δｗは、概
ね、Δｗ＝ｒ_３−ｂ_２である。即ち、ずれ量Δｗは、概
ね５０（μｍ）である。ここで前述されているように、
透明電極１１、半導体層１３及び裏面電極膜１４の厚さ
は、それぞれ、約０．７（μｍ）、約０．３（μｍ）及
び、約０．３（μｍ）である。内壁４ｃと内壁４ｄのず
れ量Δｗは、透明電極１２、半導体層１３及び裏面電極
膜１４の膜厚に比べて極めて大きい。従って、透明電極
層１１を構成する物質が離脱して内壁４ｄに再付着する
ことが防止される。内壁４ｃと内壁４ｄとのずれ量Δｗ
は、透明電極層１１を構成する物質が内壁４ｄに再付着
しない程度の大きさに選ばれる。

【００９６】内壁４ｃと内壁４ｄとのずれ量Δｗは、レ
ーザビーム２０の半径ｒ_３と、レーザビーム２１の短軸
の長さ２ｂ_２とにより調整できる。レーザビーム２０の
半径ｒ_３と、レーザビーム２１の短軸の長さ２ｂ_２と
は、内壁４ｃと内壁４ｄとのずれ量ｃが透明電極層１１
を構成する物質が内壁４ｄに再付着しない程度の大きさ
になるように調整される。

【００９７】以上のようにして形成された溝４ａと溝４
ｂとは、周辺分離溝４を構成する。

【００９８】周辺分離溝４と同様の過程により、複数の
光電変換セル２同士を分離するセル分離溝５も形成され
る。その後、図６に示されているように、透明基板１
１、透明電極層１２、半導体層１３、及び裏面電極膜１
４がパッシベーション膜１６が被覆され、太陽電池の製
造工程が終了する。

【００９９】本実施の形態による太陽電池の製造方法に
おいて使用されるレーザビーム２０、２１は、図１３に
示されている光学系３０によって発生され、更に、重畳
される。図１３は、光学系３０をｘｚ平面からみた図で
ある。

【０１００】図１３に示されているように、光学系３０
は、ＹＡＧレーザ３１、凹レンズ３２、凸レンズ３３、
ミラー３４、ダイクロイックミラー３５、ＹＡＧレーザ
３６、凹レンズ３７、凸レンズ３８、シリンドリカル凸
レンズ３９、シリンドリカル凹レンズ４０からなる。

【０１０１】ＹＡＧレーザ３１は、波長λ_１（＝５３２
ｎｍ）のレーザビーム４１を発生し、凹レンズ３２に入
射する。レーザビーム４１の断面の形状は円をなしてい
る。

【０１０２】レーザビーム４１は、凹レンズ３２及び凸
レンズ３３によって径が拡大され、断面の形状が円であ
るレーザービーム２０が生成される。レーザビーム２０
は、ミラー３４により反射され、ダイクロイックミラー
３５に入射される。

【０１０３】一方、ＹＡＧレーザ３１は、波長λ_２（＝
１０６４ｎｍ）のレーザビーム４３を発生する。レーザ
ビーム４３の断面の形状は円をなしている。

【０１０４】レーザビーム４３は、凹レンズ３７及び凸
レンズ３８により、径が拡大され、レーザービーム４４
が生成される。レーザビーム４４は、シリンドリカル凸
レンズ３９に入射される。

【０１０５】レーザビーム４３は、シリンドリカル凸レ
ンズ３９及びシリンドリカル凹レンズ４０によってｘ軸
方向の径が短縮され、その断面の形状が楕円であるレー
ザビーム２１が生成される。レーザービーム２１の断面
をなす楕円の長軸は、ｙ軸方向になり、その短軸はｘ軸
方向になる。レーザビーム２１は、前述のダイクロイッ
クミラー３５に入射される。

【０１０６】ダイクロイックミラー３５は、波長が６０
０ｎｍ以下の光を反射し、波長が６００ｎｍより大きい
光を通過するミラーである。即ち、ダイクロイックミラ
ー３５は、レーザビーム２０を反射し、且つ、レーザビ
ーム２１を通過する。

【０１０７】レーザビーム２０が、レーザビーム２１が
進行する方向にダイクロイックミラー３５によって反射
され、レーザビーム２０とレーザビーム２１が重畳され
る。光学系３０は、以上の過程により、レーザビーム２
０、２１を発生し、更に、重畳する。

【０１０８】レーザビーム２０、２１は、図１４に示さ
れているように、一のレーザ光源のみしか含まれない光
学系５０により生成することも可能である。光学系５０
は、図１４に示されているように、ＹＡＧレーザ５１、
ＳＨＧ結晶５２、ダイクロイックミラー５３、凹レンズ
５４、凸レンズ５５、ミラー５６、ダイクロイックミラ
ー５７、ミラー５８、凹レンズ５９、凸レンズ６０、シ
リンドリカル凸レンズ６１、シリンドリカル凹レンズ６
２からなる。

【０１０９】ＹＡＧレーザ５１は、波長λ_２（＝１０６
４ｎｍ）を有するレーザビーム６３を発生し、ＳＨＧ結
晶５２に入射する。ＳＨＧ結晶５２は、入射されたレー
ザ光の２次高調波を発生する結晶である。但し、ＳＨＧ
結晶５２の２次高調波への変換効率は１００％ではな
い。ＳＨＧ結晶５２は、入射されたレーザ光と同一の波
長のレーザ光と、入射されたレーザ光の２倍の波長を有
するレーザ光の両者を出力する。

【０１１０】レーザビーム６３がＳＨＧ結晶５２に入射
され、波長λ_１（＝５３２ｎｍ）のレーザ光と、波長λ
_２（＝１０６４ｎｍ）のレーザ光の混合波であるレーザ
ビーム６４が発生される。レーザビーム６４は、ダイク
ロイックミラー５３に入射される。

【０１１１】ダイクロイックミラー５３は、波長が６０
０ｎｍ以下の光を通過し、波長が６００ｎｍより大きい
光を反射するミラーである。ダイクロイックミラー５３
は、レーザビーム６４のうち、波長λ_１を有する成分を
通過して、レーザビーム６５を発生する。更に、ダイク
ロイックミラー５３は、レーザビーム６４のうち、波長
λ_２を有する成分を反射して、レーザビーム６６を発生
する。

【０１１２】レーザビーム６５は、凹レンズ５４及び凸
レンズ５５によって径が拡大され、断面の形状が円であ
るレーザービーム２０が生成される。レーザビーム２０
は、ミラー５６により反射され、ダイクロイックミラー
５７に入射される。

【０１１３】一方、レーザビーム６６は、ミラー５８に
よって反射され、凹レンズ５９に入射される。レーザビ
ーム６６は、凹レンズ５９及び凸レンズ６０により、径
が拡大され、レーザービーム６７が生成される。レーザ
ビーム６７は、シリンドリカル凸レンズ６１に入射され
る。レーザビーム６７は、シリンドリカル凸レンズ６１
及びシリンドリカル凹レンズ６２によってｘ軸方向の径
が短縮され、その断面の形状が楕円であるレーザビーム
２１が生成される。レーザービーム２１の断面をなす楕
円の長軸は、ｙ軸方向になり、その短軸はｘ軸方向にな
る。レーザビーム２１は、前述のダイクロイックミラー
５７に入射される。

【０１１４】ダイクロイックミラー５７は、波長が６０
０ｎｍ以下の光を反射し、波長が６００ｎｍより大きい
光を通過するミラーである。即ち、ダイクロイックミラ
ー５７は、レーザビーム２０を反射し、且つ、レーザビ
ーム２１を通過する。

【０１１５】レーザビーム２０が、レーザビーム２１が
進行する方向にダイクロイックミラー５７によって反射
され、レーザビーム２０とレーザビーム２１が重畳され
る。光学系５０は、以上の過程により、レーザビーム２
０、２１を発生し、更に、重畳する。光学系５０は、単
一のレーザ光源しか使用せずに、レーザビーム２０、２
１を発生し、更に、重畳する。

【０１１６】本実施の形態の太陽電池の製造方法は、透
明電極層１１を構成する物質が内壁４ｄに再付着しにく
い形状を有する周辺分離溝４及びセル分離溝５を、より
少ない工程で形成できる。

【０１１７】更に、レーザビーム２０の波長は、レーザ
ビーム２０が透明電極１２によっては、実質的に吸収さ
れず、且つ、半導体層１３による吸収が大きくなるよう
に選ばれているため、半導体層１３のみが、より選択的
に半導体パネル１１から離脱される。従って、透明基板
１１のうち、薄膜太陽電池パネル１に残存する部分に対
して与えられるダメージが低減される。

【０１１８】第４の実施の形態：第４の実施の形態の薄
膜太陽電池パネルの製造方法は、第１の実施の形態によ
る薄膜太陽電池パネルの製造方法と、概ね同一の構造を
有する薄膜太陽電池を製造する製造方法である。しか
し、第４の実施の形態の薄膜太陽電池パネルの製造方法
は、周辺分離溝４の構造と、その形成方法とが第１の実
施の形態と異なる。

【０１１９】図１５は、第１の実施の形態による薄膜太
陽電池パネルの製造方法によって製造される薄膜太陽電
池パネル１’の構造を示す。薄膜太陽電池パネル１’に
は、複数の光電変換セル２’と、複数の光電変換セル
２’を取り囲む周辺領域３’とが設けられている。複数
の光電変換セル２’と周辺領域３’とは、周辺分離溝
４’により分離されている。前述されているように、周
辺分離溝４’の構造は、第１の実施の形態の薄膜太陽電
池パネル１’に含まれる周辺分離溝４’の構造と異な
る。複数の光電変換セル２’同士は、セル分離溝５’に
より分離されている。

【０１２０】以下、第４の実施の形態の薄膜太陽電池パ
ネルの製造方法を説明する。

【０１２１】まず、図１６に示されているように、透明
基板１１’上に、透明電極層１２’、半導体層１３’、
及び裏面電極膜１４’が順次形成される。透明電極層１
２’、半導体層１３’、及び裏面電極膜１４’の膜厚
は、それぞれ、約０．７（μｍ）、約０．３（μｍ）、
約０．３（μｍ）である。

【０１２２】続いて、周辺分離溝４’が形成される。図
１７は、周辺分離溝４’が形成される過程を示す断面図
であり、図１８は、周辺分離溝４’が形成される過程を
示す平面図である。

【０１２３】周辺分離溝４は、重ね合わされたレーザビ
ーム７１、７２を使用したレーザスクライブ法により形
成される。レーザビーム７１、７２はそれぞれ、パルス
発振により発生されたレーザビームである。レーザビー
ム７１、７２は、図１７に示されているように、透明基
板１１’側から、薄膜太陽電池パネル１’に同時に入射
される。以下の説明では、レーザビーム７１、７２が入
射される方向をｚ軸とする。

【０１２４】レーザビーム７１、７２は、図１８に示さ
れているように、矢７３が示す方向に走査される。レー
ザビーム７１、７２は、公知技術と同様に、走査装置
（図示されない）により走査される。周辺分離溝４’の
形成が、矢７３が示す方向に進行する。以下の説明で
は、矢７３が示す方向、即ち、周辺分離溝４’の形成が
進行していく方向にｙ軸をとる。更に、透明基板１１’
の表面に平行であり、且つ、ｙ軸に垂直な方向にｘ軸を
とる。

【０１２５】レーザビーム７１は、レーザビーム７２に
対して、ｘ軸方向にずれた位置に入射される。レーザビ
ーム７１は、光電変換セル２’側にあり、レーザビーム
７２は、周辺領域３’側にある。

【０１２６】レーザビーム７１の断面は、図１１に示さ
れているように、円をなす。以下、レーザビーム７１の
断面がなす円の中心を、中心Ｏ_１と記載する。レーザビ
ーム７１の半径ｒ_４は、概ね７５（μｍ）である。

【０１２７】レーザビーム７１の光強度は、透明電極層
１２が透明基板１１から離脱する光強度Ｉ_ＴＣＯよりも
小さく、半導体層１３が透明電極層１２から離脱する光
強度Ｉ_ＳＣよりも大きい。

【０１２８】レーザビーム７１の波長は、レーザビーム
７１が透明電極１２’によっては、実質的に吸収され
ず、且つ、半導体層１３’による吸収が大きくなるよう
に選ばれている。より具体的には、レーザビーム７１の
波長λ_１は、５３２（ｎｍ）に設定されている。このよ
うに波長λ_１が選択されていることにより、半導体層１
３’のみが、より選択的に薄膜太陽電池パネル１’から
離脱され、透明基板１１のうち、薄膜太陽電池パネル
１’に残存する部分に対して与えられるダメージが低減
される。

【０１２９】レーザビーム７２は、レーザビーム７１に
重畳されている。レーザビーム７２の断面は、図１８に
示されているように、円をなしている。以下、レーザビ
ーム７２の断面がなす円の中心を、中心Ｏ_２と記載す
る。レーザビーム７１は、レーザビーム７１の中心Ｏ_１
と、レーザビーム７２の中心Ｏ_２を結ぶ直線は、ｙ軸に
対して実質的に、垂直である。更に、レーザビーム７１
の中心Ｏ_１と、レーザビーム７２の中心Ｏ_２の距離Ｄ
は、概ね、５０（μｍ）である。レーザビーム７２の半
径ｒ_５は、レーザビーム７１の半径ｒ_４と概ね同じ７５
（μｍ）である。

【０１３０】レーザビーム７２の光強度は、透明電極層
１２’が透明基板１１’から離脱する光強度Ｉ_ＴＣＯよ
りも大きい。レーザビーム７２の波長λ_２は、レーザビ
ーム７１の波長λ_１の２倍であり、約１０６４ｎｍであ
る。

【０１３１】以上に説明された構造を有するレーザビー
ム７１、７２が、薄膜太陽電池パネル１’に入射され、
走査されて、周辺分離溝４’が形成される。

【０１３２】図１１に示されているように、透明電極層
１２’、半導体層１３’及び裏面電極膜１４’のうちレ
ーザビーム７２により照射された部分は、透明基板１
１’から離脱する。透明電極層１２’、半導体層１３’
及び裏面電極膜１４’のうちレーザビーム７２が照射さ
れた部分に、溝４ａ’が形成される。溝４ａ’の幅
ｗ_１’は、レーザビーム７２の直径２ｒ_５に概ね等し
く、約１５０（μｍ）である。

【０１３３】更に、半導体層１３’及び裏面電極膜１
４’のうちレーザビーム７１にのみ照射され、レーザビ
ーム７２に照射されていない部分は、透明電極層１１’
から離脱する。この結果、半導体層１３’ 及び裏面電
極膜１４’のうちレーザビーム７１にのみ照射された部
分に、溝４ｂ’が形成される。溝４ｂ’の幅ｗ_２’は、
（Ｄ＋ｒ_４）−ｒ_５と概ね等しく、ｗ_２’＝５０μｍで
ある。

【０１３４】透明電極層１２のうち、レーザビーム７１
にのみ照射され、レーザビーム７２に照射されていない
部分は、透明基板１１から離脱せず、透明基板１１に残
留する。この結果、溝４ａ’の内壁のうち光電変換セル
２側にある内壁４ｃ’と、溝４ｂ’の内壁のうち光電変
換セル２側にある内壁４ｄ’の位置がずれることにな
る。内壁４ｃ’と内壁４ｄ’の位置のずれ量Δｗ’は、
溝４ｂ’の幅ｗ_２’に等しい５０（μｍ）である。

【０１３５】ここで前述されているように、透明電極１
１、半導体層１３及び裏面電極膜１４の厚さは、それぞ
れ、約０．７（μｍ）、約０．３（μｍ）及び、約０．
３（μｍ）である。内壁４ｃ’と内壁４ｄ’のずれ量Δ
ｗは、透明電極１２、半導体層１３及び裏面電極膜１４
の膜厚に比べて極めて大きい。従って、透明電極層１１
を構成する物質が離脱して内壁４ｄ’に再付着すること
が防止される。このため、光電変換セル２を構成する透
明電極層１２’と裏面電極膜１４’とが短絡することが
防がれる。内壁４ｃ’と内壁４ｄ’とのずれ量Δｗ’
は、透明電極層１１を構成する物質が内壁４ｄ’に再付
着しない程度の大きさに選ばれる。

【０１３６】一方、溝４ａ’の内壁のうち、周辺領域３
側にある内壁４ｅ’は、実質的に平面をなす。従って、
透明電極層１１を構成する物質は、内壁４ｅ’に再付着
しやすい。しかし、周辺領域３は、光電変換に使用され
るのではないため、何ら問題を生じない。

【０１３７】内壁４ｃ’と内壁４ｄ’とのずれ量Δｗ
は、レーザビーム７１の半径ｒ_４と、レーザビーム７２
の半径ｒ_５、及びレーザビーム７１の中心Ｏ_１とレーザ
ビーム７２の中心Ｏ_２の距離Ｄとにより調整できる。内
壁４ｃ’と内壁４ｄ’とのずれ量Δｗ’が透明電極層１
１を構成する物質が内壁４ｄ’に再付着しない程度の大
きさになるように調整される。

【０１３８】周辺分離溝４’が形成された後、第３の実
施の形態の薄膜太陽電池を製造する方法と同様にして、
パッシベーション膜（図示されない）が形成され、太陽
電池の製造工程が終了する。

【０１３９】本実施の形態において使用されるレーザー
ビーム７１、７２は、図１９に示されている光学系８０
によって生成される。光学系８０は、図１９に示されて
いるように、ＹＡＧレーザ８１、凹レンズ８２、凸レン
ズ８３、ミラー８４、ダイクロミックミラー８５、ＹＡ
Ｇレーザ８６、凹レンズ８７、凸レンズ８８からなる。

【０１４０】ＹＡＧレーザ８１は、波長λ_１（＝５３２
ｎｍ）のレーザビーム８９を発生し、凹レンズ８２に入
射する。レーザビーム８９の断面の形状は円をなしてい
る。

【０１４１】レーザビーム８９は、凹レンズ８２及び凸
レンズ８３によって径が拡大され、断面の形状が円であ
るレーザービーム７１が生成される。レーザビーム７１
は、ミラー８４により反射され、ダイクロイックミラー
８５に入射される。

【０１４２】一方、ＹＡＧレーザ８１は、波長λ_２（＝
１０６４ｎｍ）のレーザビーム９０を発生する。レーザ
ビーム９０の断面の形状は円をなしている。

【０１４３】レーザビーム９０は、凹レンズ８７及び凸
レンズ８８により、径が拡大され、レーザービーム７２
が生成される。

【０１４４】ダイクロイックミラー８５は、波長が６０
０ｎｍ以下の光を反射し、波長が６００ｎｍより大きい
光を通過するミラーである。即ち、ダイクロイックミラ
ー３５は、レーザビーム７１を反射し、且つ、レーザビ
ーム７２を通過する。

【０１４５】レーザビーム７１が、レーザビーム７２が
進行する方向にダイクロイックミラー８５によって反射
され、レーザビーム７１とレーザビーム７２が重畳され
る。光学系８０は、以上の過程により、レーザビーム７
１、７２を発生し、更に、重畳する。

【０１４６】第４の実施の形態の薄膜太陽電池パネルの
製造方法で使用される光学系８０は、シリンドリカル凸
レンズ、シリンドリカル凹レンズを必要としない。薄膜
太陽電池パネルの製造方法で使用される光学系８０は、
第３の実施の形態の薄膜太陽電池パネルの製造方法で使
用される光学系３０に比べ、構造が簡単である。

【０１４７】なお、レーザビーム７１、７２は、図２０
に示されているように、一のレーザ光源のみしか含まれ
ない光学系１００により生成することも可能である。光
学系１００は、図２０に示されているように、ＹＡＧレ
ーザ１０１、ＳＨＧ結晶１０２、ダイクロイックミラー
１０３、凹レンズ１０４、凸レンズ１０５、ミラー１０
６、ダイクロイックミラー１０７、ミラー１０８、凹レ
ンズ１０９、凸レンズ１１０からなる。

【０１４８】ＹＡＧレーザ１０１は、波長λ_２（＝５０
６４ｎｍ）を有するレーザビーム１１１を発生し、ＳＨ
Ｇ結晶１０２に入射する。ＳＨＧ結晶１０２は、入射さ
れたレーザ光の２次高調波を発生する結晶である。但
し、２次高調波への変換効率は１００％ではなく、ＳＨ
Ｇ結晶１０２は、入射されたレーザ光と同一の波長のレ
ーザ光と、入射されたレーザ光の２倍の波長を有するレ
ーザ光の両者を出力する。

【０１４９】レーザビーム１１１がＳＨＧ結晶１０２に
入射され、波長λ_１（＝５３２ｎｍ）のレーザ光と、波
長λ_２（＝１０６４ｎｍ）のレーザ光の混合波であるレ
ーザビーム１１２が発生される。レーザビーム１１２
は、ダイクロイックミラー１０３に入射される。

【０１５０】ダイクロイックミラー１０３は、波長が６
００ｎｍ以下の光を通過し、波長が６００ｎｍより大き
い光を反射するミラーである。ダイクロイックミラー１
０３は、レーザビーム１１２のうち、波長λ_１を有する
成分を通過して、レーザビーム１１３を発生する。更
に、ダイクロイックミラー５３は、レーザビーム１１２
のうち、波長λ_２を有する成分を反射して、レーザビー
ム１１４を発生する。

【０１５１】レーザビーム１１３は、凹レンズ３２及び
凸レンズ３３によって径が拡大され、レーザービーム７
１が生成される。レーザビーム７１は、ミラー１０６に
より反射され、ダイクロイックミラー１０７に入射され
る。

【０１５２】一方、レーザビーム１１４は、ミラー１０
８によって反射され、凹レンズ１０９に入射される。レ
ーザビーム１１４は、凹レンズ１０９及び凸レンズ１１
０により、径が拡大され、レーザービーム７２が生成さ
れる。レーザビーム７２は、ダイクロイックミラー１０
７に入射される。

【０１５３】ダイクロイックミラー１０７は、波長が６
００ｎｍ以下の光を反射し、波長が６００ｎｍより大き
い光を通過するミラーである。即ち、ダイクロイックミ
ラー５７は、レーザビーム７１を反射し、且つ、レーザ
ビーム７２を通過する。

【０１５４】レーザビーム７１が、レーザビーム７２が
進行する方向にダイクロイックミラー１０７によって反
射され、レーザビーム７１とレーザビーム７２が重畳さ
れる。光学系１００は、以上の過程により、レーザビー
ム７１、７２を発生し、更に、重畳する。光学系１００
は、単一のレーザ光源しか使用せずに、レーザビーム７
１、７２を発生し、更に、重畳する。更に光学系１００
は、第３の実施の形態の薄膜太陽電池パネルの製造方法
で使用される光学系５０に比べ、構造が簡単である。

【０１５５】

【発明の効果】本発明により、薄膜太陽電池のパネル化
に必要な外周部の絶縁加工において、高い電気的絶縁抵
抗が得られる薄膜太陽電池パネルの製造方法が提供され
る。

【０１５６】また、本発明により、薄膜太陽電池のパネ
ル化に必要な絶縁加工において、より少ない工程で安価
な薄膜太陽電池パネルの製造方法が提供される。

【０１５７】

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、本発明による第１の実施の形態の薄膜
太陽電池パネルの製造方法により製造される薄膜太陽電
池の構成を示す。

【図２】図２は、本発明による第１の実施の形態の薄膜
太陽電池パネルの製造方法を説明するための図である。

【図３】図３は、本発明による第１の実施の形態の薄膜
太陽電池パネルの製造方法を説明するための断面図であ
る。

【図４】図４は、本発明による第１の実施の形態の薄膜
太陽電池パネルの製造方法を説明するための平面図であ
る。

【図５】図５は、レーザビーム１５の強度分布を示す。

【図６】図６は、本発明による第１の実施の形態の薄膜
太陽電池パネルの製造方法を説明するための断面図であ
る。

【図７】図７（ａ）は、本発明による第１の実施の形態
の薄膜太陽電池パネルの製造方法を説明するための平面
図であり、図７（ｂ）は、本発明による第１の実施の形
態の薄膜太陽電池パネルの製造方法を説明するための断
面図である。

【図８】図８は、本発明による第２の実施の形態の薄膜
太陽電池パネルの製造方法を説明するための断面図であ
る。

【図９】図９は、本発明による第２の実施の形態の薄膜
太陽電池パネルの製造方法を説明するための断面図であ
る。

【図１０】図１０は、本発明による第２の実施の形態の
薄膜太陽電池パネルの製造方法を説明するための平面図
である。

【図１１】図１１は、本発明による第３の実施の形態の
薄膜太陽電池パネルの製造方法を説明するための断面図
である。

【図１２】図１２は、本発明による第３の実施の形態の
薄膜太陽電池パネルの製造方法を説明するための平面図
である。

【図１３】図１３は、本発明による第３の実施の形態の
薄膜太陽電池パネルの製造方法で使用される光学系３０
の構成を示す。

【図１４】図１４は、本発明による第３の実施の形態の
薄膜太陽電池パネルの製造方法で使用される光学系５０
の構成を示す。

【図１５】図１５は、本発明による第４の実施の形態の
薄膜太陽電池パネルの製造方法により製造される薄膜太
陽電池の構成を示す。

【図１６】図１６は、本発明による第４の実施の形態の
薄膜太陽電池パネルの製造方法を説明するための断面図
である。

【図１７】図１７は、本発明による第４の実施の形態の
薄膜太陽電池パネルの製造方法を説明するための断面図
である。

【図１８】図１８は、本発明による第４の実施の形態の
薄膜太陽電池パネルの製造方法を説明するための平面図
である。

【図１９】図１９は、本発明による第４の実施の形態の
薄膜太陽電池パネルの製造方法で使用される光学系８０
の構成を示す。

【図２０】図２０は、本発明による第４の実施の形態の
薄膜太陽電池パネルの製造方法で使用される光学系１０
０の構成を示す。

【図２１】図２１は、従来の薄膜太陽電池パネルの製造
方法を示す断面図である。

【図２２】図２２は、従来の薄膜太陽電池パネルの製造
方法を示す断面図である。

【図２３】図２３は、従来の薄膜太陽電池パネルの製造
方法を示す断面図である。

【図２４】図２４は、従来の薄膜太陽電池パネルの製造
方法を示す断面図である。

【図２５】図２５は、従来の薄膜太陽電池パネルの製造
方法を示す断面図である。

【符号の説明】

１１、１１’：透明基板 １２、１２’：透明電極層 １３、１３’：半導体層 １４、１４’：金属電極膜 １５、１８、１９、２０、２１、７１、７２：レーザー
ビーム

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 竹内 良昭 長崎県長崎市深堀町五丁目717番１号 三 菱重工業株式会社長崎研究所内 (72)発明者 山内 康弘 長崎県長崎市飽の浦町１番１号 三菱重工 業株式会社長崎造船所内 Ｆターム(参考） 5F051 AA05 BA14 EA09 EA10 EA11 EA16

Claims (16)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 透明基板と、 前記透明基板の上に形成された透明電極層と、 前記透明電極層の上に形成された半導体層と、 前記半導体の上に形成された裏面電極層とを含む積層体
   とを備え、前記積層体は分離溝によって光電変換セル領
   域と外周端部とに分離されている薄膜太陽電池パネルの
   製造方法であって、（ａ） レーザビームを前記透明基
   板側から前記薄膜太陽電池パネルに入射するステップ
   と、（ｂ） 前記レーザビームを第１方向に走査して前
   記透明電極層、前記半導体層、及び前記裏面電極層を切
   断し、前記分離溝を形成するステップを具備し、 前記レーザビームには、 前記透明電極層と前記半導体層と前記裏面電極層とを前
   記透明基板から離脱させる第１光強度を有する中心領域
   と、 前記第１光強度よりも小さく、前記半導体層と前記裏面
   電極層とを前記透明電極層から離脱させる第２光強度を
   有し、且つ、前記中心領域を包囲する外部領域とが積極
   的に設けられた薄膜太陽電池パネルの製造方法。
2. 【請求項２】 請求項１の製造方法において、 前記レーザビームの断面は、楕円であり、 前記楕円の長軸が延びる第２方向は、実質的に、前記第
   １方向に垂直である薄膜態様電池パネルの製造方法。
3. 【請求項３】 請求項２の製造方法において、 前記長軸のうち前記外部領域にある部分の第１長さは、
   前記楕円の短軸のうち前記外部領域にある部分の第２長
   さよりも大きい薄膜太陽電池パネルの製造方法。
4. 【請求項４】 請求項３の製造方法において、 前記第１長さは、前記透明電極層を構成する物質が、前
   記半導体層に再付着しないように選ばれた薄膜太陽電池
   パネルの製造方法。
5. 【請求項５】 透明基板と、 前記透明基板の上に形成された透明電極層と、 前記透明電極層の上に形成された半導体層と、 前記半導体の上に形成された裏面電極層とを含む積層体
   とを備え、前記積層体は分離溝によって光電変換セル領
   域と外周端部とに分離されている薄膜太陽電池パネルの
   製造方法であって、（ｃ） 前記透明電極層を前記透明
   基板から離脱させず、且つ、前記半導体層と前記裏面電
   極層とを前記透明電極層から離脱させる第１光強度を有
   する第１レーザビームを前記半導体層に入射するステッ
   プと、ここで前記第１レーザビームは、第１径を有し、
   （ｄ） 前記第１レーザビームを第１方向に走査して前
   記半導体層と前記裏面を切断するステップと、（ｅ）
   前記（ｄ）ステップの後、前記透明電極層を前記透明基
   板から離脱させる第２光強度を有する第２レーザビーム
   を、前記第１レーザビームが通過した領域内を通過する
   ように前記透明電極に入射するステップと、ここで前記
   第２レーザビームは、前記第１径より小さい第２径を有
   し、（ｆ） 前記第２レーザビームを前記第１方向に走
   査して、前記透明電極層を切断するステップとを具備す
   る薄膜太陽電池パネルの製造方法。
6. 【請求項６】 請求項５の製造方法において、 前記第１レーザビームは、前記第１レーザビームの中心
   が前記第１方向に延びる第１走査線上を通過するように
   走査され、 前記第２レーザビームは、前記第２レーザビームの中心
   が前記第１方向に延びる第２走査線上を通過するように
   走査され、 前記第１走査線の位置と、前記第２走査線の位置と、前
   記第１径と、前記第２径とは、前記透明電極層を構成す
   る物質が、前記半導体層に再付着しないように選ばれた
   薄膜太陽電池パネルの製造方法。
7. 【請求項７】 請求項５の製造方法において、 前記第１レーザビームの波長は、前記第１レーザビーム
   が前記透明電極によって実質的に吸収されないように選
   ばれた薄膜太陽電池パネルの製造方法。
8. 【請求項８】 透明基板と、 前記透明基板の上に形成された透明電極層と、 前記透明電極層の上に形成された半導体層と、 前記半導体の上に形成された裏面電極層とを含む積層体
   とを備え、前記積層体は分離溝によって光電変換セル領
   域と外周端部とに分離されている薄膜太陽電池パネルの
   製造方法であって、（ｇ） 第１レーザビームと第２レ
   ーザビームとを、前記透明基板側から前記薄膜太陽電池
   パネルに入射するステップと、（ｈ） 前記第１レーザ
   ビームと前記第２レーザビームとを、第１方向に走査し
   て、前記透明電極層と前記半導体層とを切断し、前記分
   離溝を形成するステップとを具備し、 前記第１レーザビームは、前記透明電極層を前記透明基
   板から離脱させず、且つ、前記半導体層と前記裏面電極
   層とを前記透明電極層から離脱させる第１光強度を有
   し、 前記第２レーザビームは、前記透明電極層を前記透明基
   板から離脱させる第２光強度を有し、 ここで前記第１レーザビームと前記第２レーザビームと
   は、少なくともその一部で重畳し、 前記第１レーザビームのうちの他の一部は、前記第２レ
   ーザビームに隣接し、且つ、前記第２レーザビームに対
   して前記第１方向と垂直な第２方向に位置する薄膜太陽
   電池パネルの製造方法。
9. 【請求項９】 請求項８の製造方法において、 前記第１レーザビームは、前記第１方向に垂直な第２方
   向に第１径を有し、 前記第２レーザビームは、前記第２方向に前記第１径よ
   り短い第２径を有し、 前記第２レーザビームの全体は、前記第１レーザビーム
   の中に含まれるように位置する薄膜太陽電池パネルの製
   造方法。
10. 【請求項１０】 請求項９の製造方法において、 前記第２レーザビームは、断面が楕円であり、 前記楕円の長軸が延びる第２方向は、実質的に、前記第
    １方向に一致する薄膜太陽電池パネルの製造方法。
11. 【請求項１１】 請求項８において、前記第１レーザビ
    ームの第１波長λ_１は、前記第１レーザビームが前記透
    明電極によって実質的に吸収されないように選ばれた薄
    膜太陽電池パネルの製造方法。
12. 【請求項１２】 請求項８において、 前記第１レーザビームの第１波長λ_１は、４００（ｎ
    ｍ）以上６５０（ｎｍ）以下である薄膜態様電池パネル
    の製造方法。
13. 【請求項１３】 請求項１１又は請求項１２において、 前記（ｇ）ステップは、（ｉ） 前記第１波長λ_１のｎ
    倍（ｎは２以上の自然数）である第２波長λ_２を有する
    第３レーザビームを生成するステップと、（ｊ） 前記
    ｎ倍の高調波を発生する高調波発生素子に、前記第３レ
    ーザビームを入射して、前記第１レーザビームと前記第
    ２レーザビームとを発生するステップとを含む薄膜太陽
    電池パネルの製造方法。
14. 【請求項１４】 断面が楕円であるレーザビームを薄膜
    太陽電池パネルに入射するレーザビーム発生装置と、こ
    こで前記薄膜太陽電池パネルは、透明基板と、 前記透明基板の上に形成された透明電極層と、 前記透明電極層の上に形成された半導体層と、 前記半導体の上に形成された裏面電極層とを含み、且
    つ、前記レーザビームは、前記透明基板の側から前記太
    陽電池に入射され、 前記レーザビームを第１方向に走査して前記透明電極
    層、前記半導体層、及び前記裏面電極層を切断する走査
    手段とを具備する薄膜太陽電池パネル製造装置。
15. 【請求項１５】 第１レーザビームと第２レーザビーム
    とを、前記透明基板側から薄膜太陽電池パネルに入射す
    るレーザビーム生成装置と、ここで、前記薄膜膜太陽電
    池パネルは、 透明基板と、 前記透明基板の上に形成された透明電極層と、 前記透明電極層の上に形成された半導体層 前記透明電
    極層の上に形成された半導体層と、 前記半導体の上に形成された裏面電極層とを含み、 前記第１レーザビームと前記第２レーザビームとを、第
    １方向に走査する手段とを具備し、 前記第１レーザビームと前記第２レーザビームとは、少
    なくともその一部で重畳し、 前記第１レーザビームは、前記透明電極層を前記透明基
    板から離脱させず、且つ、前記半導体層と前記裏面電極
    層とを前記透明電極層から離脱させる第１光強度を有
    し、 前記第２レーザビームは、前記透明電極層を前記透明基
    板から離脱させる第２光強度を有し、 前記第１レーザビームのうちの他の一部は、前記第２レ
    ーザビームに隣接し且つ、前記第２レーザビームに対し
    て前記第１方向と垂直な第２方向に位置する薄膜太陽電
    池パネルの製造装置。
16. 【請求項１６】 請求項１５において、 前記第１レーザビームの波長は、前記第１レーザビーム
    が前記透明電極によって実質的に吸収されないように選
    ばれた薄膜太陽電池パネルの製造装置。