JP2002016102A - 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 取り扱いが容易になる半導体装置及びその製
造方法、回路基板並びに電子機器を提供することにあ
る。 【解決手段】 半導体装置の製造方法は、テープ３０に
複数の半導体チップ１６を取り付ける（ａ）工程と、テ
ープ３０を切断する（ｂ）工程と、テープから切断され
てなる絶縁フィルム１２に複数の外部端子１４を設ける
（ｃ）工程と、を含み、（ａ）及び（ｂ）工程をリール
・トゥ・リール搬送の方式で行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置及びそ
の製造方法、回路基板並びに電子機器に関する。

【０００２】

【発明の背景】半導体装置の小型化を追求するとベアチ
ップ実装が理想的であるが、品質の保証及び取り扱いが
難しいため、パッケージ形態に加工することで対応して
きた。特に多端子化の要求に応じたパッケージ形態とし
て、近年、ＢＧＡ(Ball GridArray)型パッケージが開発
されてきた。ＢＧＡ型パッケージは、基板に外部端子で
あるバンプをエリアアレイ状に配置し、面実装できるよ
うにしたものである。

【０００３】ＢＧＡ型パッケージの一つとして、ＴＡＢ
（Tape Automated Bonding）技術が適用されて、フィル
ムキャリアテープがベースになるＴ−ＢＧＡ（Tape Bal
lGrid Array）型パッケージがある。これによれば、Ｔ
ＡＢ技術の特徴を活かして、半導体チップの実装を連続
的に行うことができる。

【０００４】ただし、フィルムキャリアテープは、剛性
がなく反りやすいことから、補強板（スティフナ）の貼
り付けが必要であった。スティフナを貼り付ける工程
は、フィルムキャリアテープに半導体チップを実装し
て、これを個片のフィルム実装体に打ち抜いてから行わ
れていた。詳しくは、フィルムキャリアテープを個片の
フィルム実装体に打ち抜いてからスティフナを貼り付け
ていた。

【０００５】この工程によれば、スティフナを貼り付け
た後に行われるバンプ形成等の工程では、バラバラにな
ったフィルム実装体を取り扱わなければならないので、
工程が煩雑になっていた。

【０００６】本発明は、この問題点を解決するものであ
り、その目的は、取り扱いが容易になる半導体装置及び
その製造方法、回路基板並びに電子機器を提供すること
にある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】（１）本発明に係る半導
体装置の製造方法は、テープに複数の半導体チップを取
り付ける（ａ）工程と、前記テープを切断する（ｂ）工
程と、前記（ｂ）工程で前記テープから切断されてなる
基板に複数の外部端子を設ける（ｃ）工程と、を含み、
前記（ａ）及び（ｂ）工程をリール・トゥ・リール搬送
の方式で行う。

【０００８】本発明によれば、半導体チップの取付工程
及びテープの切断工程が、リール・トゥ・リール搬送の
方式で連続的に行われる。したがって生産効率が向上
し、製造コストを削減することができる。ただし、リー
ル・トゥ・リール搬送の方式で外部端子を設けることは
難しいので、本発明では、テープを切断してから外部端
子を設ける。本発明によれば、汎用の装置を使用して外
部端子を設けることができる。また、外部端子を設ける
工程で不良が発生しても、リール・トゥ・リール搬送の
方式で行うよりも廃棄処分の量が少ない。

【０００９】（２）この半導体装置の製造方法におい
て、前記（ｂ）工程の前に、それぞれの半導体チップに
対応して前記テープに補強部材を貼り付ける工程をさら
に含んでもよい。

【００１０】ここでいう補強部材とは、テープの反りを
防止する（平坦性を確保する）機能を有するもの全てを
含み、例えばスティフナと呼ばれるものを用いることが
多い。

【００１１】これによれば、補強部材の貼付工程も、リ
ール・トゥ・リール搬送の方式で連続的に行われるの
で、生産効率が向上し、製造コストを削減することがで
きる。

【００１２】（３）この半導体装置の製造方法におい
て、前記（ｂ）工程で、１つの前記半導体チップを含む
領域ごとに前記テープを切断してもよい。

【００１３】これによれば、１つの半導体チップごとに
テープを個片化し、その後の工程を、１つの半導体チッ
プを有する個片ごとに行う。

【００１４】（４）この半導体装置の製造方法におい
て、前記（ｂ）工程で、２つ以上の前記半導体チップを
含む領域ごとに前記テープを切断してもよい。

【００１５】これによれば、テープを切断して得られた
基板には、複数（全部ではない）の半導体チップが取り
付けられているので、複数の半導体チップに対して、そ
の後の工程を行うことができる。

【００１６】（５）この半導体装置の製造方法におい
て、前記（ｃ）工程の後に、前記テープから切断されて
なる前記基板を、１つの前記半導体チップごとにさらに
切断してもよい。

【００１７】こうして、１つの半導体チップを有する半
導体装置を得ることができる。

【００１８】（６）この半導体装置の製造方法におい
て、前記テープには、複数のデバイスホールが形成さ
れ、かつ、それぞれの前記デバイスホールに突出するリ
ードが形成されてなり、前記（ａ）工程で、それぞれの
前記半導体チップを、それぞれの前記デバイスホール内
に配置し、前記半導体チップの電極と前記リードとを接
合してもよい。

【００１９】この方法では、ＴＡＢ（Tape Automated B
onding）技術を適用することができる。

【００２０】（７）この半導体装置の製造方法におい
て、前記（ａ）工程で、前記半導体チップを、前記テー
プに、フェースダウン構造をなすようにボンディングし
てもよい。

【００２１】（８）この半導体装置の製造方法におい
て、前記（ａ）工程で、異方性導電材料によって、前記
半導体チップの電極と前記テープに形成された配線とを
電気的に接続してもよい。

【００２２】（９）この半導体装置の製造方法におい
て、前記（ａ）工程で、前記半導体チップを、前記テー
プに、フェースアップ構造をなすようにボンディングし
てもよい。

【００２３】（１０）この半導体装置の製造方法におい
て、前記（ａ）工程で、ワイヤによって、前記半導体チ
ップの電極と前記テープに形成された配線とを電気的に
接続してもよい。

【００２４】（１１）この半導体装置の製造方法におい
て、各半導体素子に放熱部材を接着する工程をさらに含
んでもよい。

【００２５】放熱部材は、半導体素子の放熱を促進する
ものであり、半導体素子の発熱量に応じて接着される。

【００２６】（１２）この半導体装置の製造方法におい
て、前記放熱部材を接着する工程は、前記（ｂ）工程の
前に、リール・トゥ・リール搬送の方式で行ってもよ
い。

【００２７】これによれば、放熱部材を接着する工程
を、テープを切断する前に行うので、連続的で効率的な
作業が可能である。

【００２８】（１３）本発明に係る半導体装置は、上記
方法により製造されたものである。

【００２９】（１４）本発明に係る回路基板は、上記半
導体装置が実装されたものである。

【００３０】（１５）本発明に係る電子機器は、半導体
装置を有する。

【００３１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
面を参照して説明する。

【００３２】（第１の実施の形態）図１（Ａ）〜図６
は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造
工程を説明する図である。また、図６は、本実施の形態
における完成した半導体装置を示す図でもある。

【００３３】図６に示すように、半導体装置１０は、Ｂ
ＧＡ型パッケージを適用したものである。すなわち、同
図において、半導体装置１０は、基板の一例である絶縁
フィルム１２と、絶縁フィルム１２に形成された複数の
リード２０と、各リード２０に設けられた外部端子１４
と、半導体チップ１６と、を有し、複数の外部端子１４
によって面実装が可能になっている。

【００３４】絶縁フィルム１２は、テープの一例である
長尺のフィルムキャリアテープ３０（図１（Ｂ）参照）
をパンチングして得られるもので、製造方法にＴＡＢ工
程が適用されている。絶縁フィルム１２は、半導体チッ
プ１２よりも大きく形成されている。また、フィルムキ
ャリアテープ３０に形成されていたデバイスホール２４
が、絶縁フィルム１２にそのまま残っている。

【００３５】デバイスホール２４からは、リード２０の
端部２０ａが突出し、この端部２０ａに半導体チップ１
６の電極１８が接続される。すなわち、絶縁フィルム１
２におけるリード２０が形成される面とは反対側面であ
って、かつ、デバイスホール２４の内側に電極１８が位
置するように、半導体チップ１６を配置して、リード２
０の端部２０ａと電極１８とがボンディングされてい
る。

【００３６】リード２０は、半導体チップ１６の電極１
８とランド２１（図１（Ｂ）参照）とを接続するように
なっている。ランド２１には、外部端子１４が設けられ
ている。外部端子１４は、例えばハンダから形成されて
上部はボール状に形成されている（ハンダボール）。ま
た、ハンダ以外に例えば銅等が使用されてもよい。

【００３７】さらに、絶縁フィルム１２のリード２０を
有する面には、外部端子１４を避けてソルダレジスト２
２が塗布されている。ソルダレジスト２２は、特にリー
ド２０の表面を覆って保護するようになっている。

【００３８】外部端子１４とは反対側で絶縁フィルム１
２には、補強部材の一例として、プレート状のスティフ
ナ２８が設けられる。スティフナ２８は、銅やステンレ
ス鋼や銅系合金等で形成されて平面形状を維持できる強
度を有し、絶縁フィルム１２上に絶縁接着剤２９を介し
て貼り付けられる。なお、絶縁接着剤２９は、熱硬化性
又は熱可塑性のフィルムとして形成されている。また、
スティフナ２８は、半導体チップ１６を避けて、絶縁フ
ィルム１２の全体に貼り付けられる。こうすることで、
絶縁フィルム１２の歪み、うねりがなくなり、外部端子
１４の高さが一定になって平面安定性が向上し、回路基
板への実装歩留りが向上する。

【００３９】さらに、半導体チップ１６の実装面とは反
対側の面には、銀ペースト等の熱伝導接着剤２５を介し
て、放熱部材の一例となる放熱板２７が接着されてい
る。これによって、半導体チップ１６の放熱性を上げる
ことができる。熱伝導接着剤２５は、半導体チップ１６
の発熱量によっては通常の絶縁接着剤もしくは上述の絶
縁フィルムで代用してもよい。放熱板２７は、半導体チ
ップ１６よりも大きく形成されており、スティフナ２８
にも接着されるようになっている。なお、スティフナ２
８と放熱板２７との間にも、熱伝導接着剤２５が存在し
て両者が接着されている。

【００４０】半導体チップ１６と絶縁フィルム１２との
間は、封止材の一例としてエポキシ樹脂２６のポッティ
ングによって封止してもよい。エポキシ樹脂２６は、半
導体チップ１６の電極１８を有する面を覆うのみなら
ず、デバイスホール２４及び半導体チップ１６の外周に
も回り込む。

【００４１】本実施の形態に係る半導体装置は、上述し
たように構成されており、以下その製造方法について説
明する。

【００４２】まず、図１（Ａ）に示すように、テープの
一例であるフィルムキャリアテープ３０に複数の半導体
チップ１６を取り付ける。フィルムキャリアテープ３０
の拡大図を図１（Ｂ）に示す。なお、図１（Ｂ）は、図
１（Ａ）に示すフィルムキャリアテープ３０を上から見
た図である。

【００４３】フィルムキャリアテープ３０はポリイミド
樹脂等で形成されている。フィルムキャリアテープ３０
には、複数（図においては一つ）のデバイスホール２４
が形成されるとともに、各デバイスホール２４の外側に
複数のリード２０及び複数のランド２１が形成されてい
る。また、ランド２１を避けて、リード２０を有する面
にソルダレジスト２２（図６参照）が塗布されている。
なお、図において、一部のリード２０及びランド２１の
みを示し、その他を省略してある。

【００４４】ランド２１は、リード２０におけるデバイ
スホール２４から離れる方向に延びる部位を介して、メ
ッキリード３２に接続されている。メッキリード３２に
は、図に示されないものを含み全てのリード２０が接続
されている。そして、メッキリード３２を使用して、リ
ード２０及びランド２１には、全て電気メッキが施され
ている。あるいは、無電解メッキ法を用いることで、リ
ード２０及びランド２１にメッキを施しても良い。この
場合には、メッキリード３２は不要となる。

【００４５】このようなフィルムキャリアテープ３０
は、図１（Ａ）に示すように、リール３３に巻き取られ
てあり、端部が引き出されて他のリール３４にて巻き取
るようになっている（リール・トゥ・リール搬送）。そ
して、リール３３、３５の間で、ボンディング治具３１
によって、半導体チップ１６がフィルムキャリアテープ
３０にボンディングされる。このボンディングとして、
シングルポイントボンディング方式及びギャングボンデ
ィング方式のいずれを採用してもよい。後者によれば、
各半導体チップ１６について、全てのリード２０の端部
２０ａと電極１８とを一括でボンディングすることがで
きる。

【００４６】また、半導体チップ１６は、図６に示すよ
うに、絶縁フィルム１２におけるリード２０の形成面と
は反対側面から突出するように位置している。また、半
導体チップ１６は、デバイスホール２４内に配置され
る。

【００４７】こうして、フィルムキャリアテープ３０
に、複数の半導体チップ１６が連続的に実装されると、
複数の半導体チップ１６を巻き込んだ状態でフィルムキ
ャリアテープ３０がリール３４に巻き取られる。

【００４８】必要であれば、樹脂封止を行ってもよい。
例えば、図２（Ａ）に示すように、リール３４に巻き取
られたフィルムキャリアテープ３０を、別の製造装置に
セットする。そして、リール３４、３５の間にフィルム
キャリアテープ３０を掛け渡して、エポキシ樹脂２６を
ポッティングする。図２（Ｂ）は、エポキシ樹脂２６が
ポッティングされたフィルムキャリアテープ３０を示す
図であって、図２（Ａ）のフィルムキャリアテープ３０
を上から見た図である。

【００４９】図２（Ｂ）に示すように、エポキシ樹脂２
６は、フィルムキャリアテープ３０におけるリード２０
の形成面に、半導体チップ１６を覆うように設けられ
る。しかも、エポキシ樹脂２６は、図６に示すように、
半導体チップ１６の外周にも回り込み、フィルムキャリ
アテープ３０のデバイスホール２４と、半導体チップ１
６との隙間を埋める。

【００５０】次に、図３（Ａ）及び図３（Ｂ）に示すよ
うに、リール３５に巻き取られたフィルムキャリアテー
プ３０を、別の製造装置にセットする。そして、リール
３５、３６の間にフィルムキャリアテープ３０を掛け渡
して、補強部材の一例となるスティフナ２８を貼り付け
る。なお、図３（Ｂ）は、図３（Ａ）に示すフィルムキ
ャリアテープ３０を上から見た図である。

【００５１】詳しくは、フィルムキャリアテープ３０に
おける半導体チップ１６が突出する面に、スティフナ２
８を貼り付ける。この面は、図６に示すように、リード
２０及びランド２１を有する面とは反対側の面である。
スティフナ２８には、半導体チップ１６の外形よりも大
きいホール４２が形成されており、ホール４２内に半導
体チップ１６を配置させて、このスティフナ２８が貼り
付けられる。各半導体チップ１６に対応して、個片のス
ティフナ２８が貼り付けられる。

【００５２】フィルムキャリアテープ３０とスティフナ
２８との接着は、図６に示す絶縁接着剤２９によって行
われる。絶縁接着剤２９は、熱硬化性又は熱可塑性のフ
ィルムとして形成し、予めスティフナ２８に貼り付けて
おいてもよい。そうすれば、スティフナ２８を、フィル
ムキャリアテープ３０における半導体チップ１６が突出
する面に熱圧着することができる。

【００５３】次に、必要であれば放熱部材を取り付け
る。例えば、図４（Ａ）及び図４（Ｂ）に示すように、
リール３６に巻き取られたフィルムキャリアテープ３０
を、別の製造装置にセットする。そして、リール３６、
３７の間にフィルムキャリアテープ３０を掛け渡して、
各半導体チップ１６に対応して、放熱部材の一例とし
て、個片の放熱板２７を貼り付ける。詳しくは、図６に
示すように、半導体チップ１６における電極１８とは反
対側の面から、スティフナ２８に至るまで、放熱板２７
を接着する。この接着には、熱伝導接着剤２５が使用さ
れる。なお、熱伝導性接着剤２５は、ペースト状のもの
に限らずテープ状のものであってもよい。テープ状の熱
伝導性接着剤２５を使用する場合には、これを予め放熱
板２７に貼り付けておいてもよい。放熱板２７は、図６
に示すように、スティフナ２８と同じ大きさの外形とな
るように形成してもよく、スティフナ２８の外形とは異
なる形状にしてもよい。なお、放熱板２７は、半導体チ
ップ１６の発熱量に応じて必要である場合に貼り付けら
れるので、発熱量が少ないときには省略してもよい。あ
るいは、補強部材（スティフナ）と放熱板が一体となっ
た部材（補強作用を備えた放熱板又は放熱作用を備えた
補強板）を、半導体チップ１６及びフィルムキャリアテ
ープ３０に貼り付けてもよい。

【００５４】そして、必要であれば、放熱板２７に製品
名などをマーキングする。放熱板２７を省略するときに
は、スティフナ２８にマーキングする。

【００５５】そして、リール３８にてフィルムキャリア
テープ３０が巻き取られると、図５に示すように、これ
を更に別の製造装置にセットする。そして、リール３
７、３８の間にフィルムキャリアテープ３０を掛け渡し
て、個片の基板（絶縁フィルム１２）に打ち抜く。本実
施の形態では、１つの半導体チップ１６を含む領域ごと
に、フィルムキャリアテープ３０を切断する。

【００５６】以上の各工程は、リール・トゥ・リール搬
送の方式で行ってきたが、以降の工程は個片の基板に対
して行う。まず、外部端子１４を形成する。例えば、予
め形成されたハンダボールをランド２１に搭載し、リフ
ロー工程を経て外部端子１４を形成することができる。
また、外部端子１４を設けた後には、洗浄工程を設ける
ことが好ましい。そして、各絶縁フィルム１２につい
て、例えば実装状態の外観検査や電気的特性の検査など
の検査を行って完成品となる。

【００５７】本実施の形態によれば、半導体チップ１６
の取付工程、補強部材（例えばスティフナ２８）の貼付
工程及びテープ（例えばフィルムキャリアテープ３０）
の切断工程が、リール・トゥ・リール搬送の方式で連続
的に行われる。したがって生産効率が向上し、製造コス
トを削減することができる。ただし、リール・トゥ・リ
ール搬送の方式で外部端子１４を設けることは難しいの
で、本実施の形態では、テープ（例えばフィルムキャリ
アテープ３０）を切断してから外部端子１４を設ける。
本実施の形態によれば、汎用の装置を使用して外部端子
１４を設けることができる。また、外部端子１４を設け
る工程で不良が発生しても、リール・トゥ・リール搬送
の方式で行うよりも廃棄処分の量が少ない。

【００５８】（第２の実施の形態）図７（Ａ）及び図７
（Ｂ）は、本発明の第２の実施の形態を説明する図であ
る。本実施の形態では、図７（Ａ）に示すように、一群
（２つ以上）の半導体チップ１６を含む領域（図７
（Ａ）では複数のスティフナ２８及び複数の放熱板２７
を含む領域）ごとに、フィルムキャリアテープ３０を切
断する。なお、一群（複数）の半導体チップ１６は、テ
ープ（フィルムキャリアテープ３０）の長さ方向に一列
に搭載されていてもよいし、複数行複数列で搭載されて
いてもよい。

【００５９】そして、一群（複数）の半導体チップ１６
が搭載されており、かつ、フィルムキャリアテープ３０
から切断されてなる基板４２に外部端子を設ける。その
工程には、第１の実施の形態で説明した内容を適用する
ことができる。

【００６０】次に、図７（Ｂ）に示すように、基板４２
を、１つの半導体チップ１６ごとにさらに切断して、個
々の半導体装置を得ることができる。本実施の形態で
も、第１の実施の形態で説明した効果を達成することが
できる。

【００６１】（第３の実施の形態）図８は、本発明の第
３の実施の形態を説明する図である。本実施の形態で
は、半導体チップ１６を、フェースダウン構造をなすよ
うにテープ１３０にボンディングする。すなわち、テー
プ１３０に形成されたリード１２０に、電極１８が形成
された面を向けて、半導体チップ１６をテープ１３０に
搭載する。半導体チップ１６とテープ１３０とは、接着
剤１２６によって固定する。

【００６２】接着剤１２６は、液状又はゲル状の接着剤
であってもよいし、シート状の接着シートであってもよ
い。接着剤１２６は、エポキシ樹脂を主な材料とするも
のであってもよい。接着剤１２６は、絶縁性のものであ
ってもよい。

【００６３】接着剤１２６中には、被接続体同士の電気
的な接続性能を向上させるために、導電性物質を含んで
いてもよい。導電性物質は、例えば、ロウ材、ハンダ等
の粒子で構成され、それらが接着材料中に分散してい
る。こうすることで、被接続体同士の接合時に、その粒
子が接合のロウとして働き、接合性をさらに著しく向上
することができる。

【００６４】接着剤１２６は、導電粒子が分散された異
方性導電接着剤（ＡＣＡ）、例えば異方性導電膜（ＡＣ
Ｆ）や異方性導電ペースト（ＡＣＰ）であってもよい。
異方性導電接着剤は、バインダに導電粒子（フィラー）
が分散されたもので、分散剤が添加される場合もある。
異方性導電接着剤のバインダとして、熱硬化性の接着剤
が使用されることが多い。その場合には、リード１２０
と電極１８との間に、導電粒子が介在して両者間の電気
的な接続が図られる。

【００６５】接着剤１２６は、接着される領域にのみ設
ければ十分であるが、その領域からはみ出して設けても
よい。そうすれば、接着剤１２６で接合部の周囲を機械
的に保護することができる。また、半導体チップ１６を
接着するための接着剤１２６によって、スティフナ２８
をテープ１３０に接着してもよい。

【００６６】接着剤１２６として、絶縁性の接着剤を使
用し、その収縮力を利用して、リード１２０と電極１８
とを直接的に接合してもよい。この場合にも、電極１８
又はリード１２０の少なくともいずれか一方において導
電性突起（バンプ）が形成されていることが好ましい。

【００６７】リード１２０と電極１８との電気的な接続
には、Ａｕ−Ａｕ、Ａｕ−Ｓｎ、ハンダなどによる金属
接合を適用してもよい。金属接合は、リード１２０と電
極１８との接触した部分に形成される。例えば、リード
１２０及び電極１８の接触する部分に、熱のみ、超音波
振動のみ、あるいは超音波振動及び熱などを印加して両
者を接合する。接合されると、振動や熱によってリード
１２０及び電極１８を構成する材料が拡散して金属接合
が形成される。

【００６８】その場合には、電気的接続後に樹脂（アン
ダーフィル材と呼ばれる）を接着剤１２６の代わりに半
導体チップ１６とテープ１３０との間に充填してもよ
い。

【００６９】次に、テープ１３０に、補強部材の一例で
あるスティフナ２８を貼り付け、テープ１３０を切断す
る。以上の工程には、第１又は第２の実施の形態で説明
した内容を適用することができる。

【００７０】そして、図８に示すように、複数の外部端
子１４を形成する。例えば、テープ１３０から切断され
てなる基板１１２にスルーホール等を形成して、リード
１２０の形成面とは反対側の面に複数の外部端子１４を
設ける。その工程には、第１の実施の形態で説明した内
容を適用することができる。

【００７１】本実施の形態でも、第１の実施の形態で説
明した効果を達成することができる。

【００７２】（第４の実施の形態）図９は、本発明の第
４の実施の形態を説明する図である。本実施の形態で
は、半導体チップ１６を、フェースアップ構造をなすよ
うにテープ２３０にボンディングする。すなわち、テー
プ２３０に形成されたリード２２０に、電極１８が形成
された面とは反対側の面を向けて、半導体チップ１６を
テープ２３０に搭載する。半導体チップ１６とテープ２
３０とは、接着剤２２６によって固定する。半導体チッ
プ１６をテープ２３０に接着するための接着剤２２６に
よって、スティフナ２８をテープ２３０に接着してもよ
い。

【００７３】図９に示す例では、半導体チップ１６の電
極１８とリード２２０とを、ワイヤ２４０によって電気
的に接続する。少なくとも、ワイヤ２４０における電極
１８及びリード２２０との接続部を、封止材料（例えば
樹脂）によって封止することが好ましい。

【００７４】本実施の形態でも、第１の実施の形態で説
明した効果を達成することができる。

【００７５】（第５の実施の形態）図１０は、本発明の
第５の実施の形態を説明する図である。すなわち、第１
の実施の形態で説明した外部端子の形成方法の変形例を
示す図である。

【００７６】図１０（Ａ）に示すように、フィルムキャ
リアテープ３０におけるランド２１（図１（Ｂ）参照）
を有する面に、メタルマスク５０を配置し、メタルマス
ク５０の開口５０ａをランド２１上に位置させる。そし
て、メタルマスク５０上に、クリームハンダ５２をのせ
て、これをスキージ５４でメタルマスク５０の開口５０
ａに充填する。続いて、図１０（Ｂ）に示すように、各
開口５０ａに充填されたクリームハンダ５２にレーザ光
を照射して溶融させ、表面張力によりボール状にしてか
らこれを冷却する。こうして、図１０（Ｃ）に示すよう
に、全ての開口５０ａに充填されたクリームハンダ５２
をボール状にして、外部端子１４が形成される。

【００７７】本発明は、上記実施の形態に限定されず、
種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態で
は、テープを切断するまでの各工程ごとにフィルムキャ
リアテープ３０を巻き取っていたが、全ての又は複数の
工程を同時に連続して行っても良い。例えば、図３に示
す工程において、リール３５、３６間で、スティフナ２
８の貼り付け工程に連続して、図４に示す放熱板２７の
貼り付け工程を行っても良い。あるいは、スティフナ２
８及び放熱板２７を一体的にした形状の補強部材をフィ
ルムキャリアテープ３０に貼り付けても良い。

【００７８】また、図６に示すように、半導体チップ１
６が外部端子１４が設けられる面とは反対側に実装され
た裏ＴＡＢ型のみならず、外部端子１４が設けられる面
側に半導体チップ１６を実装した表ＴＡＢ型にも本発明
を適用することができる。また、上記絶縁フィルム１２
の代わりに、リード２０に突起が一体形成されたいわゆ
るＢ−ＴＡＢ型の絶縁フィルムを用いても良い。あるい
は、バンプ無しのフィルムキャリアテープを使用して、
シングルポイントボンディングを行っても良い。

【００７９】図１１には、本発明を適用した半導体装置
１１００を実装した回路基板１０００が示されている。
回路基板には例えばガラスエポキシ基板等の有機系基板
を用いることが一般的である。回路基板には例えば銅か
らなる配線パターンが所望の回路となるように形成され
ていて、それらの配線パターンと半導体装置のバンプと
を機械的に接続することでそれらの電気的導通を図る。

【００８０】そして、この回路基板１０００を備える電
子機器として、図１２には、ノート型パーソナルコンピ
ュータ１２００が示されており、図１３には携帯電話１
３００が示されている。

【００８１】なお、上記実施の形態の内容を応用して、
半導体装置と同様に多数の外部端子が設けられた面実装
用の電子部品（能動部品か受動部品かを問わない）を製
造することもできる。電子部品として、例えば、抵抗
器、コンデンサ、コイル、発振器、フィルタ、温度セン
サ、サーミスタ、バリスタ、ボリューム又はヒューズな
どがある。

【００８２】図７（Ａ）に示す例では、スティフナ２８
及び放熱板２７の少なくとも一方あるいは両者が一体化
した部材は個片である。これに対して、図１４（Ａ）に
示す例では、スティフナ１２８及び放熱板１２７の少な
くとも一方あるいは両者が一体化した部材は、複数の個
片が集まった形状である。各個片は各半導体チップ１６
に対応する。この場合、図１４（Ｂ）に示すように、基
板４２を切断する工程で、１つの半導体チップ１６ごと
にスティフナ１２８、放熱板１２７あるいは両者が一体
化した部材も個片に切断する。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１（Ａ）及び図１（Ｂ）は、本発明の第１の
実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図で
ある。

【図２】図２（Ａ）及び図２（Ｂ）は、本発明の第１の
実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図で
ある。

【図３】図３（Ａ）及び図３（Ｂ）は、本発明の第１の
実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図で
ある。

【図４】図４（Ａ）及び図４（Ｂ）は、本発明の第１の
実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図で
ある。

【図５】図５は、本発明の第１の実施の形態に係る半導
体装置の製造方法を説明する図である。

【図６】図６は、本発明の第１の実施の形態に係る半導
体装置の製造方法を説明する図である。

【図７】図７（Ａ）及び図７（Ｂ）は、本発明の第２の
実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図で
ある。

【図８】図８は、本発明の第３の実施の形態に係る半導
体装置の製造方法を説明する図である。

【図９】図９は、本発明の第４の実施の形態に係る半導
体装置の製造方法を説明する図である。

【図１０】図１０（Ａ）〜図１０（Ｃ）は、本発明の第
５の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する
図である。

【図１１】図１１は、本実施の形態に係る回路基板を示
す図である。

【図１２】図１２は、本発明に係る方法を適用して製造
された半導体装置を実装した回路基板を備える電子機器
を示す図である。

【図１３】図１３は、本発明に係る方法を適用して製造
された半導体装置を実装した回路基板を備える電子機器
を示す図である。

【図１４】図１４（Ａ）及び図１４（Ｂ）は、本発明の
第２の実施の形態の変形例を説明する図である。

【符号の説明】

１０ 半導体装置 １２ 絶縁フィルム（基板） １４ 外部端子 １６ 半導体チップ ２０ リード ２７ 放熱板（放熱部材） ２８ スティフナ（補強部材） ３０ フィルムキャリアテープ（テープ） ４２ 基板 １１２ 基板 １２０ リード １３０ テープ ２２０ リード ２３０ テープ ２４０ ワイヤ

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 テープに複数の半導体チップを取り付け
   る（ａ）工程と、 前記テープを切断する（ｂ）工程と、 前記（ｂ）工程で前記テープから切断されてなる基板に
   複数の外部端子を設ける（ｃ）工程と、 を含み、 前記（ａ）及び（ｂ）工程をリール・トゥ・リール搬送
   の方式で行う半導体装置の製造方法。
2. 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置の製造方法に
   おいて、 前記（ｂ）工程の前に、それぞれの半導体チップに対応
   して前記テープに補強部材を貼り付ける工程をさらに含
   む半導体装置の製造方法。
3. 【請求項３】 請求項１又は請求項２記載の半導体装置
   の製造方法において、 前記（ｂ）工程で、１つの前記半導体チップを含む領域
   ごとに前記テープを切断する半導体装置の製造方法。
4. 【請求項４】 請求項１又は請求項２記載の半導体装置
   の製造方法において、 前記（ｂ）工程で、２つ以上の前記半導体チップを含む
   領域ごとに前記テープを切断する半導体装置の製造方
   法。
5. 【請求項５】 請求項４記載の半導体装置の製造方法に
   おいて、 前記（ｃ）工程の後に、前記テープから切断されてなる
   前記基板を、１つの前記半導体チップごとにさらに切断
   する半導体装置の製造方法。
6. 【請求項６】 請求項１から請求項５のいずれかに記載
   の半導体装置の製造方法において、 前記テープには、複数のデバイスホールが形成され、か
   つ、それぞれの前記デバイスホールに突出するリードが
   形成されてなり、 前記（ａ）工程で、それぞれの前記半導体チップを、そ
   れぞれの前記デバイスホール内に配置し、前記半導体チ
   ップの電極と前記リードとを接合する半導体装置の製造
   方法。
7. 【請求項７】 請求項１から請求項５のいずれかに記載
   の半導体装置の製造方法において、 前記（ａ）工程で、前記半導体チップを、前記テープ
   に、フェースダウン構造をなすようにボンディングする
   半導体装置の製造方法。
8. 【請求項８】 請求項７記載の半導体装置の製造方法に
   おいて、 前記（ａ）工程で、異方性導電材料によって、前記半導
   体チップの電極と前記テープに形成された配線とを電気
   的に接続する半導体装置の製造方法。
9. 【請求項９】 請求項１から請求項５のいずれかに記載
   の半導体装置の製造方法において、 前記（ａ）工程で、前記半導体チップを、前記テープ
   に、フェースアップ構造をなすようにボンディングする
   半導体装置の製造方法。
10. 【請求項１０】 請求項９記載の半導体装置の製造方法
    において、 前記（ａ）工程で、ワイヤによって、前記半導体チップ
    の電極と前記テープに形成された配線とを電気的に接続
    する半導体装置の製造方法。
11. 【請求項１１】 請求項１から請求項１０のいずれかに
    記載の半導体装置の製造方法において、 各半導体素子に放熱部材を接着する工程をさらに含む半
    導体装置の製造方法。
12. 【請求項１２】 請求項１１記載の半導体装置の製造方
    法において、 前記放熱部材を接着する工程は、前記（ｂ）工程の前
    に、リール・トゥ・リール搬送の方式で行う半導体装置
    の製造方法。
13. 【請求項１３】 請求項１から請求項１２のいずれかに
    記載の方法により製造された半導体装置。
14. 【請求項１４】 請求項１３記載の半導体装置が実装さ
    れた回路基板。
15. 【請求項１５】 請求項１３記載の半導体装置を有する
    電子機器。