JP2002016095A

JP2002016095A - 樹脂封止型半導体素子用金型

Info

Publication number: JP2002016095A
Application number: JP2000195968A
Authority: JP
Inventors: Shinichi Miyata; 伸一宮田
Original assignee: Shibaura Mechatronics Corp
Current assignee: Shibaura Mechatronics Corp
Priority date: 2000-06-29
Filing date: 2000-06-29
Publication date: 2002-01-18

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明は、マウントベッド部に薄バリが発生す
ることを回避することを課題とする。【解決手段】第１のリード部及び該第１のリード部と比
べ幅寸法が大きい第２のリード部をもつ樹脂封止型半導
体素子の成形に使用される半導体素子用金型において、
前記第１のリード部に対応する金型の溝１３部分の幅寸
法と前記第２のリード部に対応する金型の溝１４部分の
幅寸法を、同一断面形状にしたことを特徴とする樹脂封
止型半導体素子用金型。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂封止型半導体
素子用金型の改良に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、樹脂封止型半導体素子としては、
例えば図８（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）に示す構成のものが
知られている。ここで、図８（Ａ）は同半導体素子の平
面図、図８（Ｂ）は図８（Ａ）の側面図、図８（Ｃ）は
図８（Ａ）の裏面図を示す。前記半導体素子１は、複数
のリード部２と、このリード部２の一部が幅広のマウン
トベッド部３と、このマウントベッド部３上に搭載され
た半導体チップ（図示せず）と、この半導体チップを樹
脂封止する外囲器４とから構成されている。ここで、前
記マウントベッド部３はリード部２と比べて幅広であ
り、外囲器４から外に露出して半導体チップで生ずる熱
を放散する働きをしている。

【０００３】図４（Ａ），（Ｂ），（Ｃ），（Ｄ）は、
従来の金型の構造を示す。ここで、図４（Ａ）は金型の
うちの上型の平面図、図４（Ｂ）は図４（Ａ）のＸ−Ｘ
線に沿う断面図、図４（Ｃ）は成形後の金型の側面図、
図４（Ｄ）は図４（Ｃ）のＹ矢視図を示す。

【０００４】図４において、付番５は、上型６に形成さ
れた前記リード部２に対応する溝を示す。また、付番７
は上型６に形成された前記マウントベッド部３に対応す
る溝を示し、該溝７は前記溝５と比べて幅が広い。な
お、付番８は下型を示す。

【０００５】従来、上記構成の上型６への溝加工は、図
５（Ａ），（Ｂ）のように行なっている。即ち、リード
部２に相当する部分を図５（Ａ）に示すように砥石９に
より研磨加工を施して溝５を形成した後、マウントベッ
ド部３に対応する部分を図５（Ｂ）に示すように電極１
０を用いて放電加工を施して溝７を形成することにより
行なう。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、マウントベ
ッド部３に対応する溝７の断面形状と、リード部２に対
応する溝５の断面形状は異なるため、同時研磨加工では
製作できず、図５（Ｂ）に示すような放電加工が必要と
なる。

【０００７】しかし、上記のように２ステップでの加工
方法では、研磨加工面Ａと放電加工面Ｂがリードフレー
ムの各素子ごとに面一にするのは、非常に難しく、数μ
ｍ程度の中でばらつき段差が発生することがあった。

【０００８】しかして、図６に示すように、研磨加工面
Ａよりも放電加工面Ｂの方が数μｍ追い込まれて加工さ
れていると、図７に示すようにリードフレーム３１を挟
み込んでも、マウントベッド部３に対する金型の押えが
少なく、マウントベッド部３に薄バリ（樹脂バリ）３２
を発生させることがあった。

【０００９】本発明はこうした事情を考慮してなされた
もので、第１のリード部に対応する金型の溝部分の幅寸
法と前記第１のリード部より幅寸法が大きい前記第２の
リード部に対応する金型の溝部分の幅寸法を、同一断面
形状にしたことにより、マウントベッド部上に樹脂バリ
が発生するのを回避しえる樹脂封止型半導体素子用金型
を提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は、第１のリード
部及び該第１のリード部と比べ幅寸法が大きい第２のリ
ード部をもつ樹脂封止型半導体素子の成形に使用される
半導体素子用金型において、前記第１のリード部に対応
する金型の溝部分の幅寸法と前記第２のリード部に対応
する金型の溝部分の幅寸法を、同一断面形状にしたこと
を特徴とする樹脂封止型半導体素子用金型である。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。本発明において、前記第２のリード部としては、
例えばマウントベッド部が挙げられる。従って、この場
合、前記第１のリード部，マウントベッド部に対応する
金型の溝部分の幅寸法を、同一断面形状にすることが必
要である。また、第２のリード部としては、単に第１の
リード部よりも幅寸法が大きいリードの場合があり、こ
の際は、第１のリード部，第２のリード部に対応する金
型の溝部分の幅寸法を同一断面形状にすることが必要で
ある。

【００１２】本発明において、第１のリード部、第１の
リード部より幅寸法が大きい第２のリード部をもつ半導
体素子の成形に使用される半導体素子用金型において
は、前記第１，第２のリード部に対応する金型の溝部分
の幅を、第１，第２のリード部の夫々の実幅寸法に対し
て大きくすることが好ましい。こうした上記の場合、成
形により第１，第２のリード部となるリードフレームに
夫々余分な樹脂バリを積極的に生じさせた後、リードフ
レームの抜きだれに生じた樹脂バリを機械的にたたき落
とし、さらにリードフレームを所定の位置でカット、折
り曲げ等の加工をすることにより製品を得る。従って、
成形後、リードフレームの抜きだれに生じた樹脂バリを
機械的にたたき落としやすいとともに、抜きだれ上のバ
リも取り除くことができる。

【００１３】本発明において、前記第２のリード部の両
サイドに第１のリード部が形成されているタイプの樹脂
封止型半導体素子を成形する半導体素子用金型の場合
は、第２のリード部に対応する金型の溝と第１のリード
部に対応する金型の溝を互いに連通させて共通化させる
ことが好ましい。これにより、溝加工の際、従来のよう
に放電加工が必要でなくなるので、薄バリ取り加工のし
にくい樹脂バリの発生を防ぐことができるというメリッ
トを有する。

【００１４】

【実施例】以下、本発明の各実施例に係る樹脂封止型半
導体素子用金型について図面を参照して説明する。

【００１５】（実施例１）図１（Ａ），（Ｂ）を参照す
る。ここで、図１（Ａ）は金型の一構成部材である上型
の平面図、図１（Ｂ）は図１（Ａ）の側面図を示す。

【００１６】図中の付番１１は上型を示し、中央部に半
導体素子の外囲器に対応する開口部１２が形成されてい
る。また、この開口部１２の上方向側の上型１１面に
は、半導体素子のリード部に対応する第１の溝１３が形
成されている。一方、前記開口部１２の下方向側の上型
１１面には、半導体素子のリード部に対応する第１の溝
１３が形成されているとともに、マウントベッド部に対
応する第２の溝１４が形成されている。ここで、前記第
２の溝１４は、リード部に対応する前記第１の溝も兼ね
ている。つまり、第２の溝１４では、第１の溝の幅を第
２の溝１４の幅と同じ断面形状にしている。

【００１７】このように、実施例１では、マウントベッ
ド部に対応する上型１１の第２の溝１４の幅寸法を、マ
ウントベッド部と一体のリード部に対応する第１の溝１
３と同一断面形状にした構成であるため、上型１１の溝
加工を総て研磨加工で行うことができる。従って、従来
のように放電加工が必要でなくなるので、薄バリ取り加
工のしにくい樹脂バリの発生を防ぐことができる。

【００１８】（実施例２）図２（Ａ），（Ｂ）を参照す
る。ここで、図２（Ａ）は金型の一構成部材である上型
の平面図、図２（Ｂ）は図２（Ａ）の側面図を示す。但
し、図１と同部材は同付番を付して説明を省略する。

【００１９】本実施例２は、図１において、開口部１２
の下方側に位置する上型１１の第２の溝及び該溝を挟み
込む第１の溝を連通させて、共通の溝１５としたことを
特徴とする。

【００２０】上記実施例２によれば、実施例１と同様、
研磨加工で同時に溝加工を行なうことが出来るので、樹
脂バリの発生を防止できる。

【００２１】（実施例３）図３（Ａ），（Ｂ）を参照す
る。ここで、図３（Ａ）は金型で成形した後のリードフ
レームの平面図、図３（Ｂ）は図（３）のＸ−Ｘ線に沿
う断面図を示す。但し、図１と同部材は同付番を付して
説明を省略する。

【００２２】本実施例３は、リード部，マウンドベッド
部に対応する上型１１の溝部分の幅を、リード部，マウ
ントベッド部の実幅寸法に対して夫々大きくしたことを
特徴とする。

【００２３】図３において、付番２１はリード部（第１
のリード部）、付番２２は第２のリード部としてのマウ
ントベッド部、付番２３は外囲器を夫々示す。成形後の
前記リード部２１には、樹脂バリ２４が発生している。

【００２４】ところで、上型１１の溝部分には放電加工
による段差がなくなっため、マウントベッド部及びリー
ド部表面上には薄バリが発生していない。そして、プレ
スで製作したリードフレーム２５には、抜きだれ（プレ
スだれ）２６が必ず発生し、その上に樹脂バリ２４がの
ってしまう。しかるに、上記実施例３では、上型１１の
溝部分の寸法を上述したようにマウントベッド部やリー
ド部の実幅寸法より大きくしているため、この残った樹
脂バリ２４を機械的にたたき落とすことがやりやすいと
ともに、この時、同時に抜きだれ上の樹脂バリ２４もと
れやすくなる。従って、この後のバリ除去処理を簡便化
することができる。

【００２５】

【発明の効果】以上詳述した如く本発明によれば、リー
ド部又はマウントベッド部に対応する金型の溝部分の幅
寸法を、同一断面形状にすることにより、マウントベッ
ド部上に薄バリが発生するのを回避しえる樹脂封止型半
導体素子用金型を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１に係る樹脂封止型半導体素子
用金型の説明図。

【図２】本発明の実施例２に係る樹脂封止型半導体素子
用金型の説明図。

【図３】本発明の実施例２に係る樹脂封止型半導体素子
用金型によるリードフレームの説明図。

【図４】従来の樹脂封止型半導体素子用金型の説明図。

【図５】図４の金型の製作方法の説明図。

【図６】従来の金型の製作方法によって得られる研磨加
工面及び放電加工面の説明図。

【図７】従来の金型の製作方法による薄バリの発生の説
明図。

【図８】樹脂封止型半導体素子の説明図。

【符号の説明】

１１…上型、１２…開口部、１３…第１の溝、１４…第２の溝、１５…共通の溝、２１…リード部（第１のリード部）、２２…マウントベッド部（第２のリード部）、２３…外囲器、２４…樹脂バリ、２５…リードフレーム、２６…プレスだれ。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】第１のリード部及び該第１のリード部と
比べ幅寸法が大きい第２のリード部をもつ樹脂封止型半
導体素子の成形に使用される半導体素子用金型におい
て、前記第１のリード部に対応する金型の溝部分の幅寸法と
前記第２のリード部に対応する金型の溝部分の幅寸法
を、同一断面形状にしたことを特徴とする樹脂封止型半
導体素子用金型。
【請求項２】前記第１のリード部，第２のリード部に
夫々対応する金型の溝部分の幅を、第１のリード部，第
２のリード部の実幅寸法に対して夫々大きくしたことを
特徴とする請求項１記載の樹脂封止型半導体素子用金
型。
【請求項３】前記第２のリード部の両サイドに第１の
リード部が形成されているタイプの樹脂封止型半導体素
子を成形する半導体素子用金型であり、第２のリード部
に対応する金型の溝と第１のリード部に対応する金型の
溝を互いに連通させて共通化させたことを特徴とする請
求項１記載の樹脂封止型半導体素子用金型。
【請求項４】前記第２のリード部はマウントベッド部
であることを特徴とする請求項１〜３いずれか記載の樹
脂封止型半導体素子用金型。