JP2002016021A

JP2002016021A - 半導体チップの生産方法及び半導体チップ

Info

Publication number: JP2002016021A
Application number: JP2000194552A
Authority: JP
Inventors: Shinya Taku; 真也田久; Kazunao Arai; 一尚荒井
Original assignee: Toshiba Corp; Disco Abrasive Systems Ltd
Current assignee: Toshiba Corp; Disco Corp
Priority date: 2000-06-28
Filing date: 2000-06-28
Publication date: 2002-01-18

Abstract

(57)【要約】【課題】抗折強度が高く、かつ、薄型の半導体チップ
を生産する【解決手段】半導体ウェーハに形成されたストリート
を切削して表面にダイシング溝を形成する溝形成工程
と、ダイシング溝が形成された表面に保護部材を貼着す
る保護部材貼着工程と、少なくともダイシング溝に至る
まで半導体ウェーハの裏面を研削し、２００μｍ〜６０
μｍの厚さのチップを形成するチップ形成工程と、形成
されたチップの裏面を化学的エッチングにより１５μｍ
〜３０μｍエッチング除去するエッチング工程とから構
成される半導体チップの生産方法を提供する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェーハを
個々のチップに分割する方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体ウェーハを個々のチップに分割す
る場合、通常は、分割に先立ち半導体ウェーハの裏面を
研削して所望の厚さ（３００μｍ〜５００μｍ程度）に
形成し、その後ダイシング装置を用いてダイシングする
ことによって個々のチップに分割している。

【０００３】しかし、近年、携帯電話やノートブック型
パソコン等の電子機器の小型化、軽量化のニーズ、スマ
ートカード等の発達により、半導体チップの薄型化の要
求が高まり、その厚さも２００μｍ以下とすることが求
められている。

【０００４】ところが、半導体チップを薄く形成する
と、抗折強度が弱まるため、外的応力が加えられた場合
にはそれに耐えることができず、破損の頻度が高くなっ
て製品の寿命が著しく低下するという問題がある。

【０００５】そこで、半導体ウェーハを薄く形成しつつ
抗折強度を高めるために、半導体ウェーハの裏面を研削
した後、化学的エッチングによって研削面に生じた微細
なクラックを除去しながら薄く形成することが試みられ
ている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ようにして薄く形成した半導体ウェーハをダイシング装
置を用いてダイシングする前には、研削用の保護テープ
を表面から剥離し、裏面にダイシング用のテープを貼着
しなければならないため、その際に半導体ウェーハが破
損するおそれがある。

【０００７】また、研削面に生じたクラックが化学的エ
ッチングによって除去されていても、ダイシングによっ
て半導体ウェーハの裏面に細かな欠けが生じるため、そ
の欠けによって抗折強度が低下するという問題がある。

【０００８】このように、半導体チップの生産において
は、抗折強度が高く、かつ、薄い半導体チップを生産す
ることに課題を有している。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の具体的手段として本発明は、ストリートによって区画
されて複数のチップ領域が形成された半導体ウェーハを
個々のチップに分割する半導体ウェーハの分割方法であ
って、半導体ウェーハに形成されたストリートを切削し
て表面にダイシング溝を形成する溝形成工程と、ダイシ
ング溝が形成された表面に保護部材を貼着する保護部材
貼着工程と、少なくともダイシング溝に至るまで半導体
ウェーハの裏面を研削し、２００μｍ〜６０μｍの厚さ
のチップを形成するチップ形成工程と、形成されたチッ
プの裏面を化学的エッチングにより１５μｍ〜３０μｍ
エッチング除去するエッチング工程とから構成される半
導体チップの生産方法を提供する。

【００１０】このように構成される半導体チップの生産
方法によれば、半導体ウェーハの表面にダイシング溝を
形成し、そのダイシング溝に至るまで裏面を研削して個
々の半導体チップに分割し、更に個々の半導体チップの
裏面を化学的エッチングにより所定量除去することとし
たので、裏面の研削によって薄くなっても個々のチップ
の抗折強度は低下しないため、従来よりも薄く研削する
ことが可能となる。

【００１１】また本発明は、上記本発明に係る生産方法
によって生産された半導体チップに６００ＭＰａの抗折
応力を付与した場合に抗折応力に耐えることのできる確
率が７５％以上である半導体チップ、及び、上記本発明
に係る生産方法によって生産された半導体チップに５０
０ＭＰａの抗折応力を付与した場合に該抗折応力に耐え
ることのできる確率が８５％以上である半導体チップを
提供する。

【００１２】更にこの半導体チップは、チップの厚さを
ｈとし、チップの幅をｂとし、チップに荷重を加える際
の支点間の距離をａ、チップの支点に加える抗折荷重を
Ｗとし、抗折荷重を加えた際に該チップに生じる抗折応
力をσとした場合に、抗折応力σが、σ＝３ａＷ／ｂｈ
²の式によって求められることを付加的な要件とする。

【００１３】このように構成される半導体チップは、抗
折強度が高いと共に薄く形成されているため、各種電子
機器の小型化、薄型化、軽量化に資すると共に、後の工
程での破損等の危険性を低くすることができる。

【００１４】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態の一例につい
て図面を参照して説明する。まず最初に、図１に示す複
数のチップ領域ＣがストリートＳによって区画されて表
面に形成された半導体ウェーハＷの表面に、図２に示す
ダイシング装置１０を用いてダイシング溝を形成する。

【００１５】図２のダイシング装置１０においては、ダ
イシング溝を形成しようとする半導体ウェーハＷは、カ
セット１１に複数収容され、搬出入手段１２によって１
枚ずつ仮置き領域１３に取り出されてから第一の搬送手
段１４によってチャックテーブル１５に搬送され、吸引
保持される。

【００１６】次に、チャックテーブル１５が＋Ｘ方向に
移動することによって半導体ウェーハＷがアライメント
手段１６の直下に位置付けられ、ここでダイシング溝を
形成すべきストリートが検出され、そのストリート１６
と回転ブレード１７とのＹ軸方向の位置合わせが行われ
る。

【００１７】そして更に、半導体ウェーハＷを保持した
チャックテーブル１５が＋Ｘ方向に移動し、高速回転す
る回転ブレード１７を備えた切削手段１８が下降して半
導体ウェーハＷの表面のストリートに切り込む。このと
き、回転ブレード１７の先端部が裏面まで達しないよう
に切り込み深さを制御して切削することにより、表面に
ダイシング溝を形成する。

【００１８】また、切削手段１８をストリート間隔だけ
Ｙ軸方向に割り出し送りしながらチャックテーブル１５
をＸ軸方向に往復移動させることによって、同方向のす
べてのストリートにダイシング溝が形成される。

【００１９】更に、チャックテーブル１５を９０度回転
させてから上記と同様の切削を行うことにより、図３に
示すように、縦横に設けられたすべてのストリートにほ
ぼ一定の深さ（後述するチップ形成工程で形成されるチ
ップの厚さ以上の深さ）のダイシング溝１９が形成され
る（溝形成工程）。

【００２０】次に、溝形成工程によってダイシング溝が
形成された半導体ウェーハＷの表面には、図４に示すよ
うに、保護部材、例えば保護テープＴが貼着される（保
護部材貼着工程）。

【００２１】そして、表面に保護テープＴが貼着された
半導体ウェーハＷは、図５に示す研削装置２０に搬送さ
れる。この研削装置２０においては、保護テープＴが貼
着された半導体ウェーハＷは、保護テープＴを下にし
て、即ち、半導体ウェーハＷの裏面を上にしてカセット
２１ａに収容される。

【００２２】表面に保護テープＴが貼着されカセット２
１ａに収容された半導体ウェーハＷは、搬出入手段２２
によって１枚ずつ取り出され、第一の中心合わせテーブ
ル２３に載置されて一定の位置に位置合わせされる。

【００２３】ターンテーブル２５には、４つのチャック
テーブル２６ａ、２６ｂ、２６ｃ、２６ｄが配設されて
おり、第一の中心合わせテーブル２３において位置合わ
せされた半導体ウェーハＷは、第一の搬送手段２４によ
ってチャックテーブル２６ａに搬送される。

【００２４】そして、ターンテーブル２５が矢印の方向
に９０度回転することによって半導体ウェーハＷが第一
の研削手段２７ａの直下に位置付けられ、第一の研削手
段２７ａによって裏面が研削される。ここでは例えば粗
研削が行われる。

【００２５】更に、第一の研削手段２７ａによる研削の
終了後は、更にターンテーブル２５が９０度回転するこ
とによって半導体ウェーハＷが第二の研削手段２７ｂの
直下に位置付けられ、第二の研削手段２７ｂによって裏
面が研削される。ここでは例えば仕上げ研削が行われ
る。

【００２６】研削手段２７ａ、２７ｂは、起立した壁部
２８に対して上下動可能となっている。ここで、研削手
段２７ａと研削手段２７ｂとは砥石の種類以外について
は同様に構成されるため、同一の符号を付して説明する
と、起立した壁部２８には一対のレール２９が垂直方向
に併設され、パルスモータ３０に駆動されレール２９に
ガイドされてスライド部３１が上下動するのに伴い、ス
ライド部３１に固定された研削手段２７ａ、２７ｂが上
下動する構成となっている。

【００２７】研削手段２７ａ、２７ｂにおいては、回転
可能に支持されたスピンドル３２にマウンタ３３を介し
て研削ホイール３４が装着されており、研削ホイール３
４の下部には第一の研削砥石３５ａ、第二の研削砥石３
５ｂが固着されている。例えば、第一の研削砥石３５ａ
としては粗研削用の砥石、第二の研削砥石３５ｂとして
は仕上げ研削用の砥石が用いられる。

【００２８】なお、２段階の研削が必要とされない場合
は、第一の研削砥石３５ａと第二の研削砥石３５ｂとに
同一のものを用い、第一の研削手段２７ａと第二の研削
手段２７ｂとで同様の研削を並行して行うこともでき
る。

【００２９】半導体ウェーハＷの裏面を研削していく
と、やがて溝形成工程において形成したダイシング溝１
９が図６に示すように表出し、表出したダイシング溝１
９によって半導体ウェーハＷが個々のチップに分割され
る。研削の際は、研削手段２７ａ、２７ｂの垂直方向の
位置を高精度に制御することによって、各チップを所望
の厚さに形成することができ、ここでは例えば厚さが２
００μｍ〜６０μｍになるまで研削を行う（チップ形成
工程）。

【００３０】このようにしてチップ形成工程において形
成された個々のチップは、ターンテーブル２５が９０度
回転することによって洗浄領域３６の近傍に位置付けら
れ、保護テープＴに貼着されたままの状態で第二の搬送
手段３７によって洗浄領域３６に搬送され、ここで研削
屑が洗い流され、乾燥される。

【００３１】そして、第二の搬送手段３７によって第二
の中心合わせテーブル３８に搬送されてここで分割済み
の半導体ウェーハＷが一定の位置に位置合わせされてか
ら、裏面を上にした状態で搬出入手段２２によってカセ
ット２１ｂに収容される。

【００３２】なお、分割済みの半導体ウェーハＷは、保
護テープＴによって一体として保持されているものの、
分割前に比べると保持状態が不十分となっているため、
保護テープＴの下側を更にハードトレーで補強しておく
ことが好ましい。

【００３３】カセット２１ｂに収容された複数の分割済
みの半導体ウェーハは、カセット２１ｂごと図７に示す
ドライエッチング装置４０に搬送される。このドライエ
ッチング装置４０には、板状物の搬出入を行う搬出入チ
ャンバー４１と、ドライエッチングを行う処理チャンバ
ー４２と、エッチングガスを処理チャンバー４２に供給
するガス供給部４３とを備え、チップ形成工程で個々の
チップに分割された半導体ウェーハはカセット２１ｂに
収容されており、搬出入手段４４によって１枚ずつ取り
出され、第一のゲート４５が開くことによって搬出入チ
ャンバー４１に収容され、裏面を上にした状態で保持部
４６に保持される。

【００３４】分割済みの半導体ウェーハが搬出入チャン
バー４１に収容されると、ゲート４５を閉じ、搬出入チ
ャンバー４１の内部を真空にする。次に、処理チャンバ
ー４２に設けた第二のゲート４７を開き、図８に示すよ
うに、保持部４６が処理チャンバー４２の内部に移動す
ることにより、分割済みの半導体ウェーハＷが処理チャ
ンバー４２に収容される。こうして分割済みの半導体ウ
ェーハＷが処理チャンバー４２に収容されると、第二の
ゲート４７を閉じて処理チャンバー４２の内部を密閉す
る。

【００３５】図９を参照して説明すると、ガス供給部４
３には弗酸系のエッチングガスが蓄えられているタンク
４８ａを備え、ポンプ４８によってエッチングガスをホ
ース４９を通じて処理チャンバー４２に供給する構成と
なっており、処理チャンバー４２を密閉した状態でエッ
チングガスを供給しながら、処理チャンバー４２に設け
た高周波電源及び同調機５０から一対の高周波電極５１
ａ、５１ｂに高周波電圧を供給することにより、分割済
みの半導体ウェーハＷの裏面がドライエッチング（プラ
ズマエッチング）される。このとき、冷却部５２には冷
却水循環器５３から冷却水が供給される。

【００３６】このようにしてドライエッチングが行われ
ると、分割済みの半導体ウェーハＷ、即ち個々のチップ
が１５μｍ〜３０μｍエッチングされ、裏面に生じてい
た歪みが除去される。

【００３７】ガス供給部４３には、処理チャンバー４２
と連通する吸引ポンプ５４及びフィルター５５を備えて
おり、エッチングの終了後、エッチングガスは、吸飲ポ
ンプ５４で吸引され、更にフィルター５５において中和
されて排出部５６から外部に排出される。そして、処理
チャンバー４２内を真空にして第二のゲート４７を開
き、エッチングされた分割済みの半導体ウェーハＷを保
持した保持部４６が搬出入チャンバー４１に移動し、第
二のゲート４７を閉じる。

【００３８】こうして半導体ウェーハＷが搬出入チャン
バー４１に移動すると、第一のゲート４５を開き、搬出
入手段４４が半導体ウェーハＷを保持して搬出入チャン
バー４１から搬出し、カセット２１ｂに収容する。

【００３９】以上のようなドライエッチングを、カセッ
ト２１ａに収容されたすべての分割済みの半導体ウェー
ハについて行うことにより、すべてのチップの裏面がド
ライエッチングされてクラックや欠けが除去される（エ
ッチング工程）。なお、エッチング工程はウェットエッ
チングによって行ってもよい。ウェットエッチングによ
る場合は、図５の第二の中心合わせテーブル３８の近傍
に２点鎖線で示した洗浄領域３６にウェットエッチング
手段３９を配設すれば、洗浄とウェットエッチングとを
兼用することができ、簡単な装置構成においてエッチン
グ工程までの一連の工程を効率良く遂行することができ
る。

【００４０】このように、半導体ウェーハの分割後に個
々のチップの裏面を化学的エッチングによって所定量除
去するようにしたことにより、個々のチップにはダイシ
ングによって生じる欠けが全くないため、抗折強度が高
くなる。しかも、裏面の研削において半導体ウェーハの
厚さが薄くなっても、個々のチップに分割され研削負荷
が軽減されるため、より薄く研削することが可能とな
り、従来よりチップの薄型化を図ることができる。

【００４１】また、研削によって裏面に生じたクラック
が化学的エッチングによって除去される上にチップの角
が丸くなるため、この点においても抗折強度を高めるこ
とができる。

【００４２】このようにして形成された個々のチップに
ついて、図１０に示す方法によって抗折強度を測定し
た。図１０は、いわゆる４点曲げ試験の様子を示したも
ので、距離Ｌ２だけ離れた平行な２本の支持棒６０の上
に本発明の方法によって形成された厚さｈのチップＣを
載置し、上方から距離Ｌ１だけ離れた平行な２本の押し
棒６１を用いて加重Ｗを加える。

【００４３】このときチップＣの内部に生じる内部応力
σは、抗折強度と呼ばれ、 σ［ＭＰａ］＝３ａＷ／ｂｈ² ………（１）で表すことができる。ここで、図１１にも示すように、
ａはチップＣに荷重を加える際の支点間の距離を意味
し、ａ＝（Ｌ２−Ｌ１）／２で求められる。また、ｂは
チップ幅、ｈはチップの厚さ、Ｗは破断荷重であり、
ａ、ｂ、Ｌ１、Ｌ２の単位は［ｍｍ］、Ｗの単位は
［Ｎ］、σの単位は［ＭＰａ］である。

【００４４】本発明の方法によって生産されたチップに
ついて、従来の方法により生産されたチップとの対比に
おいて図１０及び図１１に示した４点曲げ試験を行った
ところ、図１２に示す結果を得た。本試験の対象とした
チップは、縦１０ｍｍ、横２５ｍｍ、厚さ２００ｍｍの
シリコンチップであり、以下に示す方法Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ
によって生産した。

【００４５】（方法Ａ）厚さ４００μｍの半導体ウェ
ーハを裏面研削により厚さを２００μｍとした後にダイ
シングして縦１０ｍｍ、横２５ｍｍ、厚さ２００μｍの
直方体のチップを形成する方法（通常方式）。（方法Ｂ）厚さ４００μｍの半導体ウェーハを裏面研
削により厚さを２２０μｍとした後、裏面を化学的エッ
チングにより２０μｍ除去して厚さを２００μｍとし、
その半導体ウェーハをダイシングして縦１０ｍｍ、横２
５ｍｍ、厚さ２００μｍの直方体のチップを形成する方
法（化学的エッチング方式）。（方法Ｃ）裏面の研削前に、厚さ４００μｍの半導体
ウェーハの表面に縦１０ｍｍ、横２５ｍｍの長方形が複
数形成されるように２５０μｍの深さのダイシング溝を
形成し、厚さが２００μｍになるまで裏面を研削し、ダ
イシング溝を表出させることによって縦１０ｍｍ、横２
５ｍｍ、厚さ２００μｍの直方体のチップを形成する方
法（先ダイシング方式）。（方法Ｄ）裏面の研削前に、厚さ４００μｍの半導体
ウェーハの表面に縦１０ｍｍ、横２５ｍｍの長方形が複
数形成されるように２５０μｍの深さのダイシング溝を
形成し、厚さが２２０μｍになるまで裏面を研削してダ
イシング溝を表出させることによって縦１０ｍｍ、横２
５ｍｍ、厚さ２２０μｍの直方体のチップに分割し、分
割された半導体ウェーハの裏面を化学的エッチングによ
り２０μｍ除去し、縦１０ｍｍ、横２５ｍｍ、厚さ２０
０μｍの直方体のチップを形成する方法（本発明に係る
方法）。

【００４６】上記方法Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄにより生産された
チップをそれぞれ２５００枚ずつ準備し、図１０及び図
１１に示した方法で、各チップに５０ＭＰａから５０Ｍ
Ｐａずつ順次加算して１２５０［ＭＰａ］までの抗折応
力を加え、それぞれの方法によって生産されたチップに
ついて、チップ１００枚当たりの破損数を集計した結
果、以下の表１に示す結果を得た。

【００４７】

【表１】

【００４８】表１からわかるように、いかなる抗折応力
の値においても、方法Ａ、Ｂ、Ｃによって生産されたチ
ップの破損数と比較して、本発明に係る方法である方法
Ｄによって生産されたチップの破損数は、はるかに少な
いことが証明された。

【００４９】表１において、本発明に係る方法である方
法Ｄによる結果に着目すると、例えば６００ＭＰａの抗
折応力を付与した場合の破断発生確率は２０％であり、
換言すると、６００ＭＰａの抗折応力に耐えることので
きる確率は７５％以上であるといえる。また、５００Ｍ
Ｐａの抗折応力を付与した場合の破断発生確率は１０％
であるため、５００ＭＰａの抗折応力に耐えることので
きる確率は８５％以上であるといえる。

【００５０】この集計結果をグラフ化したのが図１２で
ある。図１２のグラフにおける横軸は抗折応力σ［ＭＰ
ａ］、縦軸は破断の発生確率［％］であり、本発明に係
る方法Ｄによって生産されたチップは、他のどの方法に
より生産されたチップよりも大きな荷重に耐えることが
でき、抗折強度が高いことがわかる。

【００５１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るチッ
プの生産方法によれば、半導体ウェーハの表面にダイシ
ング溝を形成し、そのダイシング溝に至るまで裏面を研
削して個々の半導体チップに分割し、更に個々の半導体
チップの裏面を化学的エッチングにより所定量除去する
こととしたので、裏面の研削によって薄くなっても個々
のチップの抗折強度は低下しないため、従来よりも薄く
研削することが可能となる。即ち、抗折強度が高く、か
つ、薄い半導体チップを形成することができる。

【００５２】また、化学的エッチングによって、チップ
の裏面に生じている微細なクラックが除去されると共
に、半導体チップの角が丸みを帯びるため、この点でも
抗折強度が高まる。

【００５３】更に、上記本発明に係る生産方法により生
産された半導体チップは抗折強度が高いと共に薄く形成
されているため、各種電子機器の小型化、薄型化、軽量
化に資すると共に、後の工程での破損等の危険性が低く
なり、製品の寿命を長くすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る半導体チップの生産方法が適用さ
れる半導体ウェーハの一例を示す平面図である。

【図２】同半導体チップの生産方法を構成する溝形成工
程に用いるダイシング装置の一例を示す斜視図である。

【図３】同半導体チップの生産方法を構成する溝形成工
程によってダイシング溝が形成された半導体ウェーハを
示す正面図である。

【図４】同半導体チップの生産方法を構成する保護部材
貼着工程によって保護部材が貼着された半導体ウェーハ
を示す正面図である。

【図５】同半導体チップの生産方法を構成するチップ形
成工程に用いる研削装置の一例を示す斜視図である。

【図６】同半導体チップの生産方法を構成するチップ形
成工程によって形成されたチップを示す正面図である。

【図７】同半導体チップの生産方法を構成するエッチン
グ工程に用いるドライエッチング装置の一例を示す斜視
図である。

【図８】同ドライエッチング装置の搬出入チャンバー及
び処理チャンバーを示す説明図である。

【図９】同ドライエッチング装置の処理チャンバー及び
ガス供給部の構成を示す説明図である。

【図１０】本発明に係る半導体チップの４点曲げ試験を
行う様子を示す斜視図である。

【図１１】同４点曲げ試験を行う様子を示す正面図であ
る。

【図１２】同４点曲げ試験の結果を示すグラフである。

【符号の説明】

１０…ダイシング装置１１…カセット１２…搬出入手段１３…仮置き領域１４…第一の搬送手段１５…チャックテーブル１６…アライメント手段１７…回転ブレード１８…切削手段１９…ダイシング溝２０…研削装置２１ａ、２１ｂ…カセット２２…搬出入手段２３…第一の中心合わせテーブル２４…第一の搬送手段２５…ターンテーブル２６ａ、２６ｂ、２６ｃ、２６ｄ…チャックテーブル２７ａ…第一の研削手段２７ｂ…第二の研削手段２８…壁部２９…レール３０…パルスモータ３１…スライド部３２…スピンドル３３…マウンタ３４…研削ホイール３５ａ…第一の研削砥石３５ｂ…第二の研削砥石３６…洗浄領域３７…第二の搬送手段３８…第二の中心合わせテーブル３９…ウェットエッチング手段４０…ドライエッチング装置４１…搬出入チャンバー４２…処理チャンバー４３…ガス供給部４４…搬出入手段４５…第一のゲート４６…保持部４７…第二のゲート４８…ポンプ４８ａ…タンク４９…ホース５０…高周波電極電源及び同調機５１ａ、５１ｂ…高周波電極５２…冷却部５３…冷却水循環器５４…吸引ポンプ５５…フィルター５６…排出部６０…支持棒６１…押し棒

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ストリートによって区画されて複数のチ
ップ領域が形成された半導体ウェーハを個々のチップに
分割する半導体ウェーハの分割方法であって、半導体ウェーハに形成されたストリートを切削して表面
にダイシング溝を形成する溝形成工程と、該ダイシング溝が形成された該表面に保護部材を貼着す
る保護部材貼着工程と、少なくとも該ダイシング溝に至るまで該半導体ウェーハ
の裏面を研削し、２００μｍ〜６０μｍの厚さのチップ
を形成するチップ形成工程と、形成されたチップの裏面を化学的エッチングにより１５
μｍ〜３０μｍエッチング除去するエッチング工程とか
ら構成される半導体チップの生産方法。
【請求項２】請求項１に記載の生産方法によって生産
された半導体チップに６００ＭＰａの抗折応力を付与し
た場合に該抗折応力に耐えることのできる確率が７５％
以上である半導体チップ。
【請求項３】請求項１に記載の生産方法によって生産
された半導体チップに５００ＭＰａの抗折応力を付与し
た場合に該抗折応力に耐えることのできる確率が８５％
以上である半導体チップ。
【請求項４】チップの厚さをｈとし、該チップの幅を
ｂとし、該チップに荷重を加える際の支点間の距離をａ
とし、該チップの支点に加える抗折荷重をＷとし、該抗
折荷重を加えた際に該チップに生じる抗折応力をσとし
た場合に、該抗折応力σは、 σ＝３ａＷ／ｂｈ² の式によって求められる請求項２または３に記載の半導
体チップ。