KR101617402B1 - 이중 연마 웨이퍼 가공방법 및 웨이퍼 가공 시스템 - Google Patents

Abstract

본 발명의 웨이퍼 가공 방법은 웨이퍼를 연마하여 칩 단위로 절단하는 반도체 웨이퍼 가공법에 있어서, 상기 웨이퍼 전면에 구성된 회로를 보호하기 위한 필름을 접착하는 라미네이팅 단계; 상기 웨이퍼의 후면을 소정의 두께만큼 연마하는 제1 박막화 단계; 상기 제1 박막화된 웨이퍼의 후면을 소정의 두께만큼 다시 식각하는 제2 박막화 단계; 상기 연마된 웨이퍼를 부착하여 고정시키기 위한 웨이퍼 링 작업 단계; 및 상기 웨이퍼 링에 연마된 상기 웨이퍼를 장착하여 칩 단위로 절단하는 소잉 단계를 포함한다. 본 발명의 이중 연마 웨이퍼 가공방법 및 웨이퍼 가공 시스템에 의하면, 웨이퍼 배면을 기계적으로 식각한 후 플라즈마를 이용하여 화학적으로 웨이퍼의 배면을 미세하게 식각할 수 있기 때문에 웨이퍼를 보다 얇게 박형화할 수 있다. 또한 후면 연마 공정에서 발생되는 셀 손상, 웨이퍼 휨 등을 방지할 수 있어 불량률을 감소시킬 수 있다. 또한 박형화한 웨이퍼를 이용하여 보다 소형의 칩을 구현할 수 있다. 또한 박형화한 웨이퍼를 이용하여 다층으로 웨이퍼를 적층하여 칩을 구현하는데 효과적이다.

웨이퍼, 플라즈마, 웨이퍼 연마, 박막화

Description

이중 연마 웨이퍼 가공방법 및 웨이퍼 가공 시스템{Double polishing wafer processing method and wafer processing system}

본 발명은 이중 연마 웨이퍼 가공방법 및 웨이퍼 가공 시스템에 관한 것으로, 구체적으로는 플라즈마를 이용한 웨이퍼의 식각을 통해 웨이퍼를 안정적으로 보다 얇게 구현할 수 있는 이중 연마 웨이퍼 가공방법 및 웨이퍼 가공 시스템에 관한 것이다.

반도체의 생산 공정은 웨이퍼 제조 공정인 전공정과 어셈블리(assembly) 공정인 후공정으로 구분된다.

이중에서 후공정은 라미네이팅 접착 공정, 후면 연마 공정(back-grinding), 라미네이팅 제거 공정, 소잉 공정(sawing) 및 패키지 공정으로 구분된다. 이하에서는 후공정의 각 공정에 대하여 간단하게 설명한다.

라미네이팅 접착 공정은 전공정을 통해 웨이퍼의 전면에 다수의 집적 회로 소자가 종횡으로 배열된 웨이퍼의 전면을 보호하기 위한 필름을 접착하는 공정이다. 이는 후면 연마 공정시 웨이퍼의 후면을 연마할 때 발생되는 웨이퍼 가루 등으 로부터 웨이퍼의 손상을 방지하고 전면의 회로를 보호하기 위한 것이다. 이때 사용되는 필름은 유브이(UV)테이프로 특정한 조도와 광량의 조건이 적합할 경우에는 테이프의 접착성분 중 감광성분이 경화하여 접착력을 소실하게 되는 특성을 갖는다.

후면 연마 공정은 웨이퍼에서 집적회로가 형성된 활성면의 반대쪽 면인 웨이퍼의 사용하지 않는 후면을 집적회로에 영향을 주지 않을 정도의 두께만큼 연마하여 웨이퍼의 두께를 줄이는 공정이다. 이와 같은 공정은 통상 백그라인딩(Back-Grinding)공정이라고 한다. 웨이퍼는 일반적으로 8인지의 경우 730 ~ 750 ㎛, 12인치의 경우 790 ~ 800 ㎛의 두께를 가진다. 웨이퍼 후면 연마 공정은 이러한 웨이퍼 두께를 50 ~ 450 ㎛로 얇게 가공한다. 이때 목표로 하는 웨이퍼의 최종 두께는 반도체 제품의 종류에 따라 또는 고객의 요구에 따라 달라질 수 있다.

라미네이팅 제거 공정은 웨이퍼의 전면을 접착, 보호하고 있던 필름에 자외선을 조사하여 접착력을 소실시킴으로써 후속공정을 위한 필름을 제거하는 공정이다.

소잉 공정은 링 형태의 프레임에 상기의 공정을 통한 웨이퍼를 설치하여 웨이퍼 전면에 배열된 각각의 소자를 분리하는 공정이다. 이 공정에서 기계적 방법인 고속으로 회전하는 블레이드(blade)를 이용하여 웨이퍼 상에 배열된 소자를 분리한다.

패키지 공정은 분리된 소자에 전기적인 연결을 해주고 외부의 충격을 견딜 수 있도록 밀봉 포장해주어 물리적인 기능과 형상을 갖게 해주는 공정이다. 즉, 칩을 최정 제품화하는 공정이다.

최근 웨이퍼의 수율 증가를 통한 생산성 향상 및 제조 원가 절감, 패키지 경량화 및 소형화 추세가 가속되어 가고 있다. 이를 만족시키기 위하여 웨이퍼의 박형화의 구현이 필수적이다. 웨이퍼의 박형화를 위한 공정으로는 후면 연마 공정이 있다.

그러나 종래의 후면 연마 공정은 사포와 같은 연마 장치를 이용하여 웨이퍼를 기계적으로 연마하는 것으로 셀 손상(cell damage), 웨이퍼의 휨으로 인한 불량이 초래될 수 있다. 이러한 불량은 반도체 제품이 점점 박형화되면서 웨이퍼의 두께가 갈수록 얇아짐에 따라 더욱 심각한 문제를 초래할 수 있다.

본 발명의 목적은 이중 연마 웨이퍼 가공방법 및 웨이퍼 가공 시스템을 이용하여 플라즈마를 이용한 웨이퍼의 식각을 통해 웨이퍼를 안정적으로 보다 얇게 구현할 수 있는 이중 연마 웨이퍼 가공방법 및 웨이퍼 가공 시스템을 제공하는데 있다.

상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일면은 웨이퍼 가공 방법 및 시스템에 관한 것이다. 본 발명의 웨이퍼 가공 방법은 웨이퍼를 연마하여 칩 단위 로 절단하는 반도체 웨이퍼 가공법에 있어서, 상기 웨이퍼 전면에 구성된 회로를 보호하기 위한 필름을 접착하는 라미네이팅 단계; 상기 웨이퍼의 후면을 소정의 두께만큼 연마하는 제1 박막화 단계; 상기 제1 박막화된 웨이퍼의 후면을 소정의 두께만큼 다시 식각하는 제2 박막화 단계; 상기 연마된 웨이퍼를 부착하여 고정시키기 위한 웨이퍼 링 작업 단계; 및 상기 웨이퍼 링에 연마된 상기 웨이퍼를 장착하여 칩 단위로 절단하는 소잉 단계를 포함한다.

일 실시예에 있어서, 상기 웨이퍼의 전면에 부착된 상기 필름을 제거하기 위한 라미네이팅 제거 단계를 더 포함한다.

일 실시예에 있어서, 상기 제1 박막화 단계에서는 웨이퍼 후면 연마 장치를 이용하여 기계적으로 상기 웨이퍼의 후면을 연마한다.

일 실시예에 있어서, 상기 제2 박막화 단계에서는 플라즈마 소스를 통해 상기 웨이퍼의 후면을 식각하는 플라즈마 식각 장치를 이용한다.

일 실시예에 있어서, 상기 플라즈마 소스는 원격 플라즈마 발생기(RPG), 용량 결합 플라즈마(CCP) 또는 유도 결합 플라즈마(ICP) 중 어느 하나이다.

일 실시예에 있어서, 상기 소잉 단계에서 상기 웨이퍼는 플라즈마 식각 장치로 절단한다.

일 실시예에 있어서, 상기 소잉 단계에서 상기 플라즈마 식각 장치로 상기 웨이퍼를 절단하기 위해 상기 웨이퍼에 마스크 처리를 하는 단계; 및 상기 마스크 처리된 상기 웨이퍼에서 마스크를 제거하는 단계를 더 포함한다.

일 실시예에 있어서, 상기 소잉 단계에서는 상기 제2 박막화 단계에서 사용 된 상기 플라즈마 식각 장치와 동일한 식각 장치를 사용한다.

본 발명의 웨이퍼 가공 시스템은 웨이퍼를 연마하여 칩 단위로 절단하는 반도체 웨이퍼 가공 시스템에 있어서, 상기 웨이퍼 전면에 구성된 회로를 보호하기 위해 상기 웨이퍼의 전면에 필름을 접착하는 라미네이팅 장치; 상기 웨이퍼의 후면을 소정의 두께만큼 연마하기 위한 제1 후면 연마 장치; 1차 연마된 상기 웨이퍼의 후면을 소정의 두께만큼 다시 식각하기 위한 제2후면 연마 장치; 상기 연마된 웨이퍼를 부착하여 고정시키기 위한 웨이퍼 링을 준비하는 웨이퍼 링 장치; 및 상기 웨이퍼 링에 연마된 상기 웨이퍼를 장착하여 칩 단위로 절단하기 위한 소잉 장치를 포함한다.

일 실시예에 있어서, 상기 웨이퍼 가공 시스템은 상기 웨이퍼 전면에 접착된 필름을 제거하기 위한 라미네이팅 제거 장치를 더 포함한다.

일 실시예에 있어서, 상기 웨이퍼 가공 시스템은 상기 웨이퍼의 일면을 탈부착하여 이송시키기 위한 이송 수단을 더 포함한다.

일 실시예에 있어서, 상기 이송 수단은 상기 웨이퍼의 부착되지 않은 면이 상부에 위치할 수 있도록 회전 가능하다.

일 실시예에 있어서, 상기 제2 후면 연마 장치는 일측에 상기 웨이퍼의 입출이 가능하도록 입출구가 형성된 반응 챔버; 상기 반응 챔버의 내부에 위치되어 상기 반응 챔버의 내부로 들어온 상기 웨이퍼를 고정하기 위한 척; 및 상기 척의 상부에 위치되어 상기 척에 고정된 상기 웨이퍼에 플라즈마 소스를 제공하기 위한 플라즈마 공급부를 포함한다.

일 실시예에 있어서, 상기 반응 챔버는 하부 챔버; 및 상기 하부 챔버의 상부에 위치되어 상하 이동되면서 개폐되는 상부 챔버를 포함한다.

일 실시예에 있어서, 상기 상부 챔버는 상기 하부 챔버와 일단이 힌지로 연결된다.

일 실시예에 있어서, 상기 플라즈마 소스는 원격 플라즈마 발생기(RPG). 용량 결합 플라즈마(CCP) 또는 유도 결합 플라즈마(ICP) 중 어느 하나이다.

일 실시예에 있어서, 상기 웨이퍼 가공 시스템은 상기 웨이퍼를 칩 단위로 상기 플라즈마를 이용하여 절단하기 위해 상기 웨이퍼에 마스크 처리를 하고, 상기 웨이퍼가 절단된 후 마스크를 제거하기 위한 마스크 장치를 더 포함한다.

일 실시예에 있어서, 상기 제2 후면 연마 장치는 상기 반응 챔버 내부에 삽입되는 상기 웨이퍼를 상기 척에 고정시키기 위한 웨이퍼 고정수단을 더 포함한다.

일 실시예에 있어서, 상기 웨이퍼 고정수단은 칩이 형성되지 않은 상기 웨이퍼의 테두리 부분을 고정시킬 수 있는 링 형태 또는 적어도 두 개의 누름고리 형태로 상기 척에 구비된다.

일 실시예에 있어서, 상기 소잉 장치는 상기 플라즈마 소스를 이용하여 웨이퍼를 칩 단위로 절단할 때 상기 플라즈마 소스가 상기 칩과 칩 사이의 경계부를 식각할 수 있도록 형성된 에칭부재를 더 포함한다.

일 실시예에 있어서, 상기 에칭부재는 상기 칩의 일측 폭과 동일한 간격으로 배치되어 상기 칩과 칩 사이의 경계부를 절단할 수 있는 다수의 슬릿이 형성된다.

일 실시예에 있어서, 상기 에칭부재는 상기 칩과 동일한 크기로 형성되고, 상기 칩과 동일한 위치에 위치되도록 상기 에칭부재의 하부에 구비되는 다수의 에칭블럭을 포함한다.

본 발명의 이중 연마 웨이퍼 가공방법 및 웨이퍼 가공 시스템에 의하면, 웨이퍼 배면을 기계적으로 식각한 후 플라즈마를 이용하여 화학적으로 웨이퍼의 배면을 미세하게 식각할 수 있기 때문에 웨이퍼를 보다 얇게 박형화할 수 있다. 또한 후면 연마 공정에서 발생되는 셀 손상, 웨이퍼 휨 등을 방지할 수 있어 불량률을 감소시킬 수 있다. 또한 박형화한 웨이퍼를 이용하여 보다 소형의 칩을 구현할 수 있다. 또한 박형화한 웨이퍼를 이용하여 다층으로 웨이퍼를 적층하여 칩을 구현하는데 효과적이다.

본 발명을 충분히 이해하기 위해서 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참조하여 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상세히 설명하는 실시예로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공 되어지는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어 표현될 수 있다. 각 도면에서 동일한 부재는 동일한 참조부호로 도시한 경우가 있음을 유의하여야 한다. 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 공지 기능 및 구성에 대한 상세 한 기술은 생략된다.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 이중 연마 웨이퍼 가공 방법을 도시한 흐름도이이고, 도 2는 웨이퍼 박막화 공정의 각 단계에 따라 형성된 웨이퍼를 도시한 단면도이고, 도 3은 웨이퍼 절단 공정의 각 단계에 따라 형성된 웨이퍼를 도시한 단면이다.

도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 웨이퍼 가공 방법의 전반적인 공정 단계는 크게 웨이퍼 박막화 공정(S100)과 웨이퍼 절단 공정(S200)으로 구분된다. 웨이퍼 박막화 공정(S100)은 라미네이팅 단계(S110), 제1 박막화 단계(S120) 및 제2 박막화 단계(S130)를 포함한다. 웨이퍼 절단 공정(S200)은 웨이퍼 링 작업 단계(S210) 및 소잉 단계(S220)를 포함한다.

이하에서는 웨이퍼 가공 공정(S100)과 웨이퍼 절단 공정(S200)에 대해 차례대로 상세하게 서술한다.

먼저 웨이퍼 가공 공정(S100)에 대해 서술한다.

라미네이팅 단계는 전공정으로부터 회로가 형성된 웨이퍼(200)(도2(a))의 전면에 라미네이팅 장치(310, 도4 및 도5에 도시)를 이용하여 라미네이팅 필름(210)을 접착하는 단계이다. 이는 웨이퍼(200)를 연마할 때 발생되는 오염물질로부터 회로를 보호하기 위한 것이다. 라미네이팅 처리된 웨이퍼(200)는 도2(b)와 같이 도시된다(S110).

제1 박막화 단계는 라미네이팅 처리된 웨이퍼(200)의 후면을 소정의 두께만큼 연마하는 단계이다. 이때에는 통상적으로 사용되는 후면 연마 장치(320, 도4 및 도5에 도시)를 이용하여 웨이퍼의 후면을 연마한다. 이러한 후면 연마 장치(320)를 이용하여 웨이퍼(200)를 원하는 두께보다 조금 두껍게 남도록 연마한다. 1차 박막화된 웨이퍼(200)는 도2(c)와 같이 도시된다(S120).

제2 박막화 단계는 제1 박막화 단계에서 연마된 웨이퍼(200)의 후면을 소정의 두께만큼 다시 식각하는 단계이다. 이 단계에서는 웨이퍼(200)를 식각하기 위한 수단으로 플라즈마 식각 장치(330, 도4 및 도5에 도시)가 사용된다. 플라즈마 식각 장치(330)를 이용하여 웨이퍼(200)를 미세하게 식각함으로써 웨이퍼(200)의 박막화가 가능해진다. 2차 박막화된 웨이퍼(200)는 도2(d), (e)와 같이 도시된다. 즉, 본 발명에 따른 웨이퍼 가공 방법은 웨이퍼(200)를 기계적으로 1차 연마하고 플라즈마로 2차 식각하는 이중 연마를 통해 이루어진다. 제2 박막화 단계에서 사용되는 플라즈마 식각 장치(330)는 하기에서 상세하게 설명한다(S130).

다음으로 웨이퍼 절단 공정(S200)에 대해 서술한다.

연마된 웨이퍼(200)는 칩 단위로 절단하는 단계를 거치게 되는데, 먼저 연마된 웨이퍼(200)를 고정하기 위하여 절단할 수 있도록 하는 웨이퍼 링(250)을 웨이퍼 링 장치(350, 도4 및 도5에 도시)에서 형성한다. 웨이퍼 링(250)은 링 형태로 형성되고 링 내부의 일면에 접착부(252)를 구비하여 접착부(252)에 웨이퍼(200)가 접착될 수 있다(S210).

웨이퍼 링(250)에 고정된 웨이퍼(200)는 웨이퍼 절단 장치(380, 도6에 도시)를 통해 칩 단위로 절단한다(S220).

웨이퍼 박막화 공정(S100)이 완료되면 라미네이팅 단계(S110)에서 웨이퍼(200) 전면에 부착된 필름을 라미네이팅 제거 장치(340, 도4 및 도5에 도시)에서 제거하는 단계를 거친다(S140). 이후 웨이퍼 절단 공정을 진행한다(S200). 필름이 제거된 상태의 웨이퍼(200)는 도2(f)와 같이 도시된다.

웨이퍼(200)를 절단하는 소잉 단계에서는 웨이퍼 절단 장치(380) 또는 플라즈마 식각 장치(330)를 통해 웨이퍼(200)를 칩 단위로 절단할 수 있다. 이때 플라즈마 식각 장치(330)를 이용하는 경우에는 웨이퍼(200)에 칩 단위에 대응되는 마스크(270)를 처리하여 웨이퍼(200)를 식각한다. 즉, 플라즈마에 의해 식각되지 않는 물질로 마스크(270)처리하여 플라즈마에 의해 웨이퍼만 플라즈마 에칭되도록 함으로써 웨이퍼(200)를 칩 단위로 식각할 수 있다. 이어서 식각된 웨이퍼(200)에서 마스크(270)를 제거함으로써 절단된 웨이퍼(200)가 완성된다. 도 3(a)부터 도3(c)는 각 단계에 따른 웨이퍼(200)를 도시한다.

도 4는 제2 박막화 공정과 웨이퍼 절단 공정에서 서로 다른 플라즈마 식각장치를 사용하는 경우를 도시한 블록도이고, 도 5는 제2 박막화 공정과 웨이퍼 절단 공정에서 동일한 플라즈마 식각장치를 사용하는 경우를 도시한 블록도이다.

웨이퍼(200)를 칩 단위로 절단하는 소잉 단계(S220)에서도 제2 박막화 단계(S130)에서와 같이 플라즈마 식각 장치(370)를 이용하여 웨이퍼(200)를 절단할 수 있다. 이때 상기에 설명된 마스크 처리 및 제거 단계는 마스크 처리 장치(360)를 통해 소잉 단계(S220)에서 진행되어야 한다. 도 4에 도시된 바와 같이, 소잉 단계(S220)에서 사용되는 플라즈마 식각 장치(370)와 제2 박막화 단계(S130)에서 사용된 플라즈마 식각 장치(330)를 각각 구분되어 설치함으로써 웨이퍼(200)의 식각과 절단 공정을 서로 다른 플라즈마 식각 장치(330, 370)에서 수행할 수 있다. 또한 도 5에 도시된 바와 같이, 제2 박막화 단계(S130)에서 사용된 플라즈마 식각 장치(330)는 소잉 단계에서 웨이퍼(200)를 절단하는 용도로 사용할 수도 있다. 즉, 하나의 플라즈마 식각 장치(330)를 이용하여 웨이퍼의 제2 박막화 및 절단을 수행한다.

도 6은 웨이퍼 절단 공정에서 웨이퍼 절단 장치를 사용하는 경우를 도시한 블록도이다.

도 6에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 절단 단계(S220)에서 웨이퍼 절단 장치(380)를 이용하여 웨이퍼(200)를 기계적으로 절단할 수 있다. 이러한 웨이퍼 절단 장치(380)를 이용한 웨이퍼 절단 방법은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자들에게 공지된 기술로써 자세한 설명은 생략한다.

도 7은 본 발명의 바람직한 제1 실시예에 따른 플라즈마 식각장치를 도시한 단면도이고, 도 8은 본 발명의 바람직한 제2 실시예에 따른 플라즈마 식각장치를 도시한 단면도이다. 도 7의 플라즈마 식각장치(330)는 원격 플라즈마 발생기(RPG)와 유도 결합 플라즈마 방식(ICP)이 함께 구성된 것을 도시한 것이고, 도8은 용량 결합 플라즈마(CCP) 방식을 도시한 것이다.

도 7에 도시된 바와 같이, 플라즈마 식각 장치는(330) 반응 챔버(333), 척(336) 및 플라즈마 공급부(338)를 포함한다. 반응 챔버(333)는 웨이퍼(200)가 입출 가능하도록 일측에 입출구(331)가 구비되고, 상단에는 반응 챔버(333) 외부에서 가스와 플라즈마 소스가 공급될 수 있도록 플라즈마 공급홀(332)이 구비된다. 플라즈마 소스는 플라즈마 공급부(338)에서 제공된다. 반응 챔버(333) 내의 상부에는 플라즈마 소스를 고루 분배하기 위한 배플(335)이 구비되고, 하부에는 웨이퍼(200)를 고정시키기 위한 척(336)이 구비된다. 척(336)에는 전원 공급원(410), 임피던스 정합기(420) 및 DC전원(430)이 연결된다. 플라즈마 공급부(338)에서 공급된 플라즈마 소스는 웨이퍼(200)의 후면이 상부에 위치되도록 척(336)에 설치된 웨이퍼(200)의 후면을 식각하게 된다. 즉, 반응 챔버(333) 내부로 유입된 플라즈마 이온이 웨이퍼(200)와 충돌함으로써 웨이퍼(200)가 식각된다. 플라즈마를 이용한 웨이퍼 후면 식각은 미세하게 웨이퍼(200)의 후면을 식각할 수 있어 웨이퍼의 박막화 구현이 가능하게 된다. 또한 공급되는 플라즈마 소스의 양을 조절하여 웨이퍼(200)의 식각 정도를 조절할 수 있게 된다. 본 발명에서는 반응 챔버(333)의 외부에 안테나(334)를 구비하여 유도 결합 플라즈마 방식(ICP)으로도 플라즈마를 제공할 수 있도록 하였다.

도 8에 도시된 바와 같이, 플라즈마 식각 장치(330)는 용량 결합 플라즈마(CCP) 방식으로 반응 챔버(333)의 상단에 가스 공급홀(339)이 구비되고, 반응 챔버(333) 내부에 플라즈마 공급부(338)에 해당되는 다수의 전극(337)이 구비된다. 다수의 전극(337) 사이에서는 입력되는 전압에 의해 방전되고, 가스 공급홀(339)에서 공급된 가스와 반응하여 반응 챔버(333) 내부에 플라즈마를 공급한다. 플라즈마를 이용하여 웨이퍼(200)를 식각하는 방법은 제 1실시예의 플라즈마 식각 장치(330)를 이용한 식각 방법과 동일하다.

플라즈마 식각 장치(330)는 플라즈마 소스를 이용하여 웨이퍼(200)를 식각할 수 있는 형태로 구성되면 무방하다.

도 9는 플라즈마 식각장치의 제1 실시예에 따른 챔버 구조를 도시한 단면도이고, 도 10은 플라즈마 식각장치의 제2 실시예에 따른 챔버 구조를 도시한 단면도이고, 도 11은 플라즈마 식각장치의 제3 실시예에 따른 챔버 구조를 도시한 단면도이다.

도 9에 도시된 바와 같이, 반응 챔버(333)는 일측에 입출구(331)가 구비되어 웨이퍼(200)의 출입이 가능하다.

또한 도 10에 도시된 바와 같이, 반응 챔버(333)는 상부 챔버(333-1)와 하부 챔버(333-2)로 분리될 수도 있다. 상부 챔버(333-1)는 하부 챔버(333-2)의 상부에 위치되고, 일측이 승강부재(440)에 의해 하부 챔버(333-2)와 연결된다. 상부 챔 버(333-1)는 승강부재(440)가 상승하면서 하부 챔버(333-2)와 연결이 해제되어 반응 챔버(333) 내부가 개방되고, 승강부재(440)가 하강하면서 다시 반응 챔버(333)가 밀폐된다.

또한 도 11에 도시된 바와 같이, 반응 챔버(333)는 도 10에 도시된 반응 챔버(333)와 동일하게 상부 챔버(333-1)와 하부 챔버(333-2)로 분리되어 있으나, 각 챔버의 일측이 힌지 구조(450)로 연결되어 힌지 구조(450)에 의해 반응 챔버(333)가 개폐된다.

도 12는 웨이퍼 가공 시스템의 라인 상에 플라즈마 식각장치가 위치된 경우를 도시한 도면이고, 도 13은 웨이퍼 가공 시스템의 라인 일측에 플라즈마 식각장치가 위치된 경우를 도시한 도면이고, 도 14는 웨이퍼 가공 시스템의 라인 양측에 플라즈마 식각장치가 위치된 경우를 도시한 도면이다.

도 12와 도 13 및 도 14에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 가공 시스템(500)에 웨이퍼(200) 식각을 위한 플라즈마 식각 장치(330)를 설치할 수 있다.

예를 들어, 도 12와 같이, 하나의 작업 라인(502) 상에 다수의 플라즈마 식각 장치(330)를 설치하여 웨이퍼의 제2 박막화 단계를 수행한다. 보다 상세하게는 전공정으로부터 제공받은 웨이퍼(200)는 다수의 카셋(504)에 적재되고, 제1 트랜스퍼 모듈(522)과 처리모듈(524) 및 제2 트랜스퍼 모듈(526)을 이동하면서 가공되어 다시 카셋(504)에서 조립공정으로 제공된다.

카셋(504)에서 제공된 웨이퍼(200)는 제1 트랜스퍼 모듈(522)의 라미네이팅 장치(310)에서 라미네이팅 되고, 다시 후면 연마 장치(320)에서 기계적으로 제1 박막화된다. 이때 웨이퍼 가공 시스템에는 웨이퍼(200)가 각 장치 사이에서 출입 가능하도록 하는 이송수단(510)이 구비된다. 1차적으로 박막화된 웨이퍼(200)는 제1 트랜스퍼 모듈(522)에서 이송수단(510)을 통해 처리모듈(524)로 이동된다. 처리모듈(524)에는 하나의 작업 라인(502)이 인라인 형태로 구비되고, 작업 라인(502) 상에 다수의 플라즈마 식각장치(330)가 구비되어 작업 라인(203)을 따라 이동되는 웨이퍼(200)가 플라즈마 식각장치(330)에서 제2 박막화가 수행된다. 처리모듈(524)에서 박막화가 수행된 웨이퍼(200)는 다시 이송 수단(510)을 통해 제2 트랜스퍼 모듈(526)로 이동되어 웨이퍼 링 장치(350)와 라미네이팅 제거 장치(340)에서 각각 웨이퍼 링 작업과 라미네이팅 제거 공정이 수행된다. 웨이퍼 링 작업이 수행된 웨이퍼(200)는 다시 작업라인(502)을 따라 이동되어 플라즈마 식각장치(330)를 통해 소잉 단계를 수행한다.

또한 도 13과 같이, 제2 박막화 단계와 소잉 단계에서 사용되는 플라즈마 식각 장치(330)를 각각 작업 라인(502)의 일측에 소정 거리 이격되도록 설치할 수 있다. 작업 라인(502)을 따라 이동되는 웨이퍼(200)를 이송 수단(510)을 이용하여 플라즈마 식각 장치(330)로 넣어 플라즈마 식각한 후 제2 박막화 단계를 수행한다. 플라즈마 식각된 웨이퍼(200)는 다시 이송 수단(510)을 이용하여 작업 라인(502)에 놓여져 이동된다. 라미네이팅 제거 장치(340)과 웨이퍼 링 장치(350)를 거친 웨이퍼(200)는 제2 박막화 단계에서 사용된 플라즈마 식각 장치(330)를 통해 소잉 단계가 수행된다.

또한 도 14과 같이, 제2 박막화 단계와 소잉 단계에서 사용되는 플라즈마 식각 장치(330)를 각각 작업 라인(502)의 양측에 소정 거리 이격되도록 설치할 수 있다. 이때 일측으로는 제2 박막화 단계를 위한 플라즈마 식각 장치(330)를 설치하고, 타측으로는 소잉 단계를 위한 별도의 플라즈마 식각 장치(370)를 설치한다. 작업 라인(502)을 따라 이동되는 웨이퍼(200)는 작업 라인(502)의 양측에 설치된 이송 수단(510)에 의해 플라즈마 식각 장치(330, 370)로 입출이 가능하다.

작업 라인(502)은 컨베이어 벨트 등과 같이 웨이퍼(200)를 이동시킬 수 있는 형태로 형성한다. 이송 수단(510)의 구성 및 동작에 관한 설명은 하기에서 상세하게 설명한다.

본 발명의 일 실시예에서는 플라즈마 식각 장치(330)를 이용하여 웨이퍼를 절단하는 경우를 설명한 것으로 웨이퍼를 절단하기 위한 웨이퍼 절단 장치(380)를 구비할 수도 있다. 또한 제2 박막화 단계와 소잉 단계에 사용되는 각 장치별로 작업 라인을 설치할 수도 있다.

도 15는 본 발명에 따른 웨이퍼 가공 시스템에서 사용되는 이송 수단을 도시한 도면이고, 도 16은 웨이퍼의 후면이 상부에 위치되는 구조를 갖는 이송 수단을 도시한 도면이고, 도 17은 다수의 웨이퍼를 한 번에 이송할 수 있는 이송 수단을 도시한 측면도이다.

도 15에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 가공 시스템(500)은 각 장치들 사이에서 웨이퍼(200)를 이송시키기 위한 이송 수단(510)이 필요하다.

이송 수단(510)은 암(512)과 흡착부(514)로 구성된다. 암(512)은 수직 이동이 가능하고 각 장치 사이에서 웨이퍼(200)를 넣고 뺄 수 있도록 회전이 가능하다. 흡착부(514)는 암(512)의 단부에 구비되어 웨이퍼(200)의 일면, 바람직하게는 웨이퍼(200) 전면을 흡착을 통해 각 장치에 공급한다. 각 장치에서 공정이 끝난 웨이퍼(200)는 다시 이송 수단(510)에 의해 부착되어 각 장치에서 출력된다.

이때 웨이퍼(200)가 플라즈마 식각 장치(330)에 제공될 때는 웨이퍼(200) 후면이 상부에 위치되어야하기 때문에 이송 수단(510)은 도 16에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(200) 후면이 상부에 위치될 수 있도록 회전 가능한 구조로 형성하는 것이 바람직하다. 이때 암(512)은 수직 이동이 가능한 구조로 형성된다. 흡착부(514)에 흡착된 웨이퍼(200)를 회전시킬 수 있을 정도의 소정의 높이로 암(512)을 수직 상승시킨 후 웨이퍼(200)의 후면이 상부에 위치되도록 회전하여 플라즈마 식각 장치(330)에 웨이퍼(200)를 제공한다.

또한 도 17에 도시된 바와 같이, 다수의 웨이퍼(200)를 한 번에 이송시킬 수 있도록 다수의 이송 수단(510)의 암(512) 상부를 수평바(520)로 연결하여 일체형 이송 수단(550)을 구성할 수도 있다. 본 발명의 일 실시예에서는 3개의 이송 수단(510)을 수평바(520)로 연결하여 일체형 이송 수단(550)을 형성하였으나, 일체형 이송 수단(550)은 이송시키고자하는 웨이퍼(200)의 개수에 따라 이송 수단(510)의 개수를 조절할 수 있다.

도 18 및 도 19는 본 발명의 바람직한 제1 실시예에 따른 웨이퍼 고정수단을 이용하여 웨이퍼의 고정 상태를 도시한 도면이다.

도 18 및 도 19에 도시된 바와 같이, 제2 후면 연마 장치인 플라즈마 식각 장치(330)에는 웨이퍼(200)를 척(336)에 고정시키기 위한 웨이퍼 고정 수단이 더 구비된다. 웨이퍼 고정 수단은 플라즈마 식각 장치(330) 내부로 삽입된 웨이퍼(200)를 척(336)에 고정시키는 기능을 한다. 이때 웨이퍼 고정 수단은 링 형태의 링형 고정부재(600)로 형성된다.

이러한 웨이퍼 고정 수단(600)은 척(336)에 웨이퍼(200)를 놓은 후 칩이 구성되지 않은 웨이퍼(200)의 테두리 부분을 링형 고정부재(600)로 척(336)에 고정함으로써 플라즈마 소스에 의해 웨이퍼(200)가 식각될 때 열에 의한 웨이퍼(200)의 변형을 미연에 방지할 수 있다. 이때 링형 고정부재(600)는 수직 이동부재(660)와 구동수단(미도시)에 연결되어 상하로 이동하면서 웨이퍼(200)를 척(336)에 고정할 수 있다. 또한 링형 고정부재(600)는 힌지 구조로 척(336)의 일측에 구비될 수 있다.

도 20 및 도 21은 본 발명의 바람직한 제2 실시예에 따른 웨이퍼 고정수단을 이용하여 웨이퍼의 고정 상태를 도시한 도면이다.

도 20 및 도 21에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 고정 수단(600)은 적어도 두 개의 누름고리(620)를 포함하여 형성될 수 있다. 누름고리(620)는 일측이 힌지구조(670)로 척(336)에 설치되고 척(336)에 웨이퍼(200)를 올려놓은 상태에서 누름고리(620)의 타측이 웨이퍼(200)의 테두리 부분에 접하게 되면서 웨이퍼(200)가 척(336)에 고정된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 도면에서는 4개의 누름 고리(620)가 구비된 경우를 도시하였으나, 그 개수는 한정된 것이 아니다.

도 22 및 도 23은 본 발명의 바람직한 제1 실시예에 따른 에칭부재를 이용하여 웨이퍼를 플라즈마 에칭하는 상태를 도시한 도면이다.

도 22 및 도 23에 도시된 바와 같이, 소잉 단계에서 사용되는 플라즈마 식각 장치(330)는 플라즈마 소스가 웨이퍼(200)의 칩과 칩 사이를 절단하도록하는 에칭부재(700)를 더 구비한다.

에칭부재(700)에는 다수의 슬릿(710)이 웨이퍼(200)에 구비된 칩의 일측 폭과 동일한 간격으로 평행하게 배치되어 플라즈마 소스가 슬릿(710)을 통과하여 웨이퍼(200)를 절단한다. 즉, 에칭부재(700)는 플라즈마 식각에서 플라즈마 소스와 반응하지 않는 물질로 제조되어 슬릿(710)을 통과한 웨이퍼(200) 부분만 플라즈마 소스에 반응하여 제거된다. 이때 에칭부재(700)는 슬릿(710)이 웨이퍼(200) 상에서 절단하고자 하는 부분과 일치하도록 웨이퍼(200) 상부에 위치한다.

도 22와 같이 웨이퍼(200)의 칩 사이를 일렬로 절단하고, 도 23과 같이 칩 단위로 웨이퍼(200)를 절단하기 위해 다시 절단된 선과 슬릿(710)이 수직이 되도록 에칭부재(700)를 설치한 후 웨이퍼(200)를 절단한다.

이때 하나의 에칭부재(700)를 두 번 이용하여 웨이퍼(200)를 칩 단위로 절단할 수 있으나, 두 개의 에칭부재(700)를 수직이 되도록 웨이퍼(200) 상부에 설치하여 한 번에 플라즈마 에칭할 수도 있다.

도 24 및 도 25는 본 발명의 바람직한 제2 실시예에 따른 에칭부재를 이용하여 웨이퍼를 플라즈마 에칭하는 상태를 도시한 도면이다.

도 24 및 도 25에 도시된 바와 같이, 에칭부재(700)는 다수의 에칭블럭(740)을 포함하여 형성될 수 있다.

에칭부재(700)는 링 형태로 형성되고 링 내부에 평행하게 다수의 와이어부(732)가 형성되어 있다. 에칭블럭(740)은 웨이퍼(200)의 칩과 동일한 크기로 형성되어 칩과 서로 대응되는 곳에 위치할 수 있도록 에칭부재(700)의 하부에 구비된다. 이때 에칭블럭(470)은 에칭부재(700)의 와이어부(732)에 연결된다. 즉, 웨이퍼(200)의 칩에 대응되는 위치에 에칭블럭(740)이 위치하도록 에칭부재(700)를 웨이퍼(200) 상부에 설치하면 에칭블럭(740)에 의해 가려진 칩 부분을 제외한 나머지 부분인 웨이퍼(200)가 플라즈마 에칭되어 칩 단위로 절단이 가능하다. 이때 에칭블럭(470) 또한 플라즈마 식각에서 플라즈마 소스와 반응하지 않는 물질로 제조되어야 바람직하다. 에칭부재(700)는 와이어부(732)가 수직으로 구비되어 메쉬형태로 형성될 수도 있다.

이상에서 설명된 본 발명의 이중 연마 웨이퍼 가공방법 및 웨이퍼 가공 시스템은 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 속한 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 잘 알 수 있을 것이다. 그럼으로 본 발명은 상기의 상세한 설명에서 언급되는 형태로만 한정되는 것은 아님을 잘 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다. 또한, 본 발명은 첨부된 청구범위에 의해 정의되는 본 발명의 정신과 그 범위 내에 있는 모든 변형물과 균등물 및 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 이중 연마 웨이퍼 가공 방법을 도시한 흐름도이다.

도 2는 웨이퍼 박막화 공정의 각 단계에 따라 형성된 웨이퍼를 도시한 단면도이다.

도 3은 웨이퍼 절단 공정의 각 단계에 따라 형성된 웨이퍼를 도시한 단면이다.

도 4는 제2 박막화 공정과 웨이퍼 절단 공정에서 서로 다른 플라즈마 식각장치를 사용하는 경우를 도시한 블록도이다.

도 5는 제2 박막화 공정과 웨이퍼 절단 공정에서 동일한 플라즈마 식각장치를 사용하는 경우를 도시한 블록도이다.

도 6은 웨이퍼 절단 공정에서 웨이퍼 절단 장치를 사용하는 경우를 도시한 블록도이다.

도 7은 본 발명의 바람직한 제1 실시예에 따른 플라즈마 식각장치를 도시한 단면도이다.

도 8은 본 발명의 바람직한 제2 실시예에 따른 플라즈마 식각장치를 도시한 단면도이다.

도 9는 플라즈마 식각장치의 제1 실시예에 따른 챔버 구조를 도시한 단면도이다.

도 10은 플라즈마 식각장치의 제2 실시예에 따른 챔버 구조를 도시한 단면도 이다.

도 11은 플라즈마 식각장치의 제3 실시예에 따른 챔버 구조를 도시한 단면도이다.

도 12는 웨이퍼 가공 시스템의 라인 상에 플라즈마 식각장치가 위치된 경우를 도시한 도면이다.

도 13은 웨이퍼 가공 시스템의 라인 일측에 플라즈마 식각장치가 위치된 경우를 도시한 도면이다.

도 14는 웨이퍼 가공 시스템의 라인 양측에 플라즈마 식각장치가 위치된 경우를 도시한 도면이다.

도 15는 본 발명에 따른 웨이퍼 가공 시스템에서 사용되는 이송 수단을 도시한 도면이다.

도 16은 웨이퍼의 후면이 상부에 위치되는 구조를 갖는 이송 수단을 도시한 도면이다.

도 17은 다수의 웨이퍼를 한번에 이송할 수 있는 이송 수단을 도시한 측면도이다.

도 18 및 도 19는 본 발명의 바람직한 제1 실시예에 따른 웨이퍼 고정수단을 이용하여 웨이퍼의 고정 상태를 도시한 도면이다.

도 20 및 도 21은 본 발명의 바람직한 제2 실시예에 따른 웨이퍼 고정수단을 이용하여 웨이퍼의 고정 상태를 도시한 도면이다.

도 22 및 도 23은 본 발명의 바람직한 제1 실시예에 따른 에칭부재를 이용하 여 웨이퍼를 플라즈마 에칭하는 상태를 도시한 도면이다.

도 24 및 도 25는 본 발명의 바람직한 제2 실시예에 따른 에칭부재를 이용하여 웨이퍼를 플라즈마 에칭하는 상태를 도시한 도면이다.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*

200: 웨이퍼 210: 라미네이트 필름

250: 웨이퍼 링 252: 접착부

270: 마스크 310: 라미네이팅 장치

320: 후면 연마 장치 330, 370: 플라즈마 식각 장치

340: 라미네이팅 제거 장치 350: 웨이퍼링 장치

360: 마스크 처리 장치 380: 웨이퍼 절단 장치

331: 입출구 332: 플라즈마 공급홀

333: 반응 챔버 333-1: 상부 챔버

333-2: 하부 챔버 334: 안테나

335: 배플 336: 척

337: 전극 338: 플라즈마 공급부

339: 가스 공급홀 410: 전류 공급원

420: 매칭 네트워크 430: DC전원

440: 승강부재 450, 670: 힌지 구조

500: 웨이퍼 가공 시스템 502: 작업 라인

504: 카셋 510: 이송 수단

512: 암 514: 흡착부

520: 수평바 522, 526: 제1, 2 트랜스퍼 모듈

524: 처리모듈 550: 일체형 이송 수단

600: 링형 고정부재 620: 누름고리

660: 수직 이동부재 700: 에칭부재

710: 슬릿 732: 와이어부

740: 에칭블럭

Claims (25)

1. 삭제
2. 삭제
3. 삭제
4. 삭제
5. 삭제
6. 삭제
7. 삭제
8. 삭제
9. 웨이퍼를 적재하는 하나 이상의 카셋;

   상기 웨이퍼 전면에 구성된 회로를 보호하기 위해 상기 웨이퍼의 전면에 필름을 접착하는 라미네이팅 장치;

   상기 웨이퍼의 후면을 소정의 두께만큼 연마하기 위한 제1 후면 연마 장치;

   1차 연마된 상기 웨이퍼의 후면을 소정의 두께만큼 다시 식각하기 위한 제2후면 연마 장치;

   상기 연마된 웨이퍼를 부착하여 고정시키기 위한 웨이퍼 링을 준비하는 웨이퍼 링 장치;

   고정된 상기 웨이퍼의 전면에 부착된 필름을 제거하는 라미네이팅 제거 장치;

   상기 웨이퍼 링에 연마된 상기 웨이퍼를 장착하여 칩 단위로 절단하기 위한 소잉 장치;

   하나 이상의 상기 제2 후면 연마장치 및 상기 소잉 장치를 포함하는 처리모듈;

   상기 웨이퍼를 상기 카셋으로부터 제공받아 상기 라미네이팅 장치로 로딩하고, 상기 라미네이팅 장치에서 전면에 필름이 접착된 웨이퍼를 언로딩하여 상기 제1 후면 연마 장치로 로딩하여, 상기 제1 후면 연마장치에서 후면이 소정의 두께만큼 연마된 웨이퍼를 언로딩하여 상기 처리모듈로 이송하는 제1 트랜스퍼 모듈; 및

   상기 처리모듈로부터 상기 제2 후면 연마 장치에 의해 처리된 웨이퍼를 이송받아 상기 웨이퍼 링 장치로 로딩하고, 상기 웨이퍼 링 장치에서 고정된 웨이퍼를 언로딩하여 상기 라미네이팅 제거 장치로 이송하는 제2 트랜스퍼 모듈을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공 시스템.
10. 삭제
11. 제9항에 있어서,

    상기 웨이퍼 가공 시스템은 상기 웨이퍼의 일면을 흡착하여 이송시키기 위한 이송 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공 시스템.
12. 제11항에 있어서,

    상기 이송 수단은 상기 웨이퍼의 부착되지 않은 면이 상부에 위치할 수 있도록 회전 가능한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공 시스템.
13. 제9항에 있어서,

    상기 제2 후면 연마 장치는

    일측에 상기 웨이퍼의 입출이 가능하도록 입출구가 형성된 반응 챔버;

    상기 반응 챔버의 내부에 위치되어 상기 반응 챔버의 내부로 들어온 상기 웨이퍼를 고정시키기 위한 척; 및

    상기 척의 상부에 위치되어 상기 척에 고정된 상기 웨이퍼에 플라즈마 소스를 제공하기 위한 플라즈마 공급부를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공 시스템.
14. 제13항에 있어서,

    상기 반응 챔버는

    하부 챔버; 및

    상기 하부 챔버의 상부에 위치되어 상하 이동되면서 개폐되는 상부 챔버를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공 시스템.
15. 제14항에 있어서,

    상기 상부 챔버는 상기 하부 챔버와 일단이 힌지로 연결된 것을 특징으로 하 는 웨이퍼 가공 시스템.
16. 제13항에 있어서,

    상기 플라즈마 소스는 원격 플라즈마 발생기(RPG). 용량 결합 플라즈마(CCP) 또는 유도 결합 플라즈마(ICP) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공 시스템.
17. 제13항에 있어서,

    상기 웨이퍼 가공 시스템은 상기 웨이퍼를 칩 단위로 상기 플라즈마 소스를 이용하여 절단하기 위해 상기 웨이퍼에 마스크 처리를 하고, 상기 웨이퍼가 절단된 후 마스크를 제거하기 위한 마스크 장치를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공 시스템.
18. 제13항에 있어서,

    상기 제2 후면 연마 장치는 상기 반응 챔버 내부에 삽입되는 상기 웨이퍼를 상기 척에 고정시키기 위한 웨이퍼 고정수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공 시스템.
19. 제18항에 있어서,

    상기 웨이퍼 고정수단은 칩이 형성되지 않은 상기 웨이퍼의 테두리 부분을 고정시킬 수 있는 링 형태 또는 적어도 두 개의 누름고리 형태로 상기 척에 구비된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공 시스템.
20. 제13항에 있어서,

    상기 소잉 장치는 상기 플라즈마 소스를 이용하여 웨이퍼를 칩 단위로 절단할 때 상기 플라즈마 소스가 상기 칩과 칩 사이의 경계부를 식각할 수 있도록 형성된 에칭부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공 시스템.
21. 제20항에 있어서,

    상기 에칭부재는 상기 칩의 일측 폭과 동일한 간격으로 배치되어 상기 칩과 칩 사이의 경계부를 절단할 수 있는 다수의 슬릿이 형성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공 시스템.
22. 제20항에 있어서,

    상기 에칭부재는 상기 칩과 동일한 크기로 형성되고, 상기 칩과 동일한 위치에 위치되도록 상기 에칭부재의 하부에 구비되는 다수의 에칭블럭을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공 시스템.
23. 제9항에 있어서,

    상기 제2 후면 연마 장치는

    상기 웨이퍼가 상기 제1 트랜스퍼 모듈과 상기 제2 트랜스퍼 모듈 사이에서 이송되는 경로 상에 위치하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공 시스템.
24. 제9항에 있어서,

    상기 제2 후면 연마 장치는

    상기 웨이퍼가 상기 제1 트랜스퍼 모듈과 상기 제2 트랜스퍼 모듈 사이에서 이송되는 경로의 일측에 위치하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공 시스템.
25. 제9항에 있어서,

    상기 제2 후면 연마 장치는

    상기 웨이퍼가 상기 제1 트랜스퍼 모듈과 상기 제2 트랜스퍼 모듈 사이에서 이송되는 경로의 양측에 위치하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공 시스템.

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