JP2002012855A - Abrasive liquid composition - Google Patents

Abrasive liquid composition

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JP2002012855A
JP2002012855A JP2000384456A JP2000384456A JP2002012855A JP 2002012855 A JP2002012855 A JP 2002012855A JP 2000384456 A JP2000384456 A JP 2000384456A JP 2000384456 A JP2000384456 A JP 2000384456A JP 2002012855 A JP2002012855 A JP 2002012855A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain an abrasive liquid composition capable of improving a polishing rate, decreasing surface roughness and reducing roll-off without causing a surface defect on the surface of a substrate to be polished, to provide a method for polishing the substrate to be polished using the abrasive liquid composition and a method for producing the substrate using the abrasive liquid composition. SOLUTION: This abrasive liquid composition comprises one or more kinds selected from a compound group (A) [an OH group or SH group-containing 2-20C carboxylic acid, a 2-3C dicarboxylic acid, a 1-20C monocarboxylic acid and their salts], one or more kinds selected from a compound group (B) [a>=4C polyfunctional carboxylic acid containing neither an OH nor an SH group, an aminopolycarboxylic acid, an amino acid and their salts] and one ore more kinds selected from a compound group (C) [intermediate alumina and alumina sol], an abrasive and water. This method for polishing a substrate to be polished comprises polishing the substrate to be polished by using the abrasive liquid composition. This method for producing the substrate comprises having a process for polishing the substrate to be polished by using the abrasive liquid composition.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、研磨液組成物、該
研磨液組成物を用いた被研磨基板の研磨方法、前記研磨
液組成物を用いた基板の製造方法に関する。
The present invention relates to a polishing composition, a method for polishing a substrate to be polished using the polishing composition, and a method for producing a substrate using the polishing composition.

【0002】[0002]

【従来の技術】ハードディスクは、年々小型化、高容量
化の一途をたどり、その高密度化が進み、最小記録面積
が小さくなり、また磁気ヘッドの浮上量もますます小さ
くなってきていることから、ハードディスク基板の研磨
工程で、研磨速度の向上及び表面粗さの低減及びスクラ
ッチ、ピット等の表面欠陥の低減が求められ、水、アル
ミナ及びベーマイトとキレート性化合物とを用いた研磨
液組成物(特開平11-92749号公報等)や水、α−アルミ
ナ、及び酢酸で安定化したアルミナゾルを含有した研磨
液組成物(特開2000-63805号公報) や研磨方法が検討さ
れている。
2. Description of the Related Art Hard disks are becoming smaller and have higher capacities year by year, and their density is increasing, the minimum recording area is getting smaller, and the flying height of the magnetic head is getting smaller. In a polishing process of a hard disk substrate, it is required to improve a polishing rate, reduce surface roughness, and reduce surface defects such as scratches and pits. A polishing liquid composition using water, alumina, boehmite and a chelating compound ( Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 11-92749), a polishing composition containing water, α-alumina, and an alumina sol stabilized with acetic acid (Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-63805), and a polishing method are being studied.

【0003】一方、高容量化においては、研磨工程で発
生するロールオフ(基板の端面だれ)を小さくし、より
外周部まで記録できる基板を開発するため、研磨パッド
を堅くする、研磨加重を小さくすると言った機械的研磨
条件が検討されている。
On the other hand, in order to increase the capacity, in order to reduce the roll-off (slipping of the end face of the substrate) generated in the polishing process and develop a substrate capable of recording to the outer peripheral portion, the polishing pad is hardened and the polishing load is reduced. Such mechanical polishing conditions are being studied.

【0004】しかしながら、このロールオフを小さくす
るためのそれら機械的研磨条件はある程度は効果がある
ものの今だ充分とは言えず、またロールオフを低減し得
る研磨液の組成の検討もなされていないのが現状であ
る。
However, although the mechanical polishing conditions for reducing the roll-off are effective to some extent, they are still insufficient, and no study has been made on the composition of a polishing liquid capable of reducing the roll-off. is the current situation.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、被研
磨基板の表面に表面欠陥を生じさせること無く、研磨速
度が向上し、表面粗さを低減し、且つロールオフを低減
し得る研磨液組成物、該研磨液組成物を用いた被研磨基
板の研磨方法、並びに前記研磨液組成物を用いた基板の
製造方法を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a polishing method capable of improving the polishing rate, reducing the surface roughness and reducing the roll-off without causing surface defects on the surface of the substrate to be polished. It is an object of the present invention to provide a liquid composition, a method for polishing a substrate to be polished using the polishing liquid composition, and a method for manufacturing a substrate using the polishing liquid composition.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】即ち、本発明の要旨は、 〔1〕下記の化合物群(A)、化合物群(B)及び化合
物群(C)からそれぞれ選ばれる1種以上と、研磨材
と、水とを含有してなる研磨液組成物: 化合物群(A):OH基又はSH基を有する炭素数2〜
20のカルボン酸、炭素数2〜3のジカルボン酸、炭素
数1〜20のモノカルボン酸及びそれらの塩、 化合物群(B):炭素数4以上のOH基又はSH基を有
しない多価カルボン酸、アミノポリカルボン酸、アミノ
酸及びそれらの塩、 化合物群(C):中間アルミナ及びアルミナゾル、 〔2〕前記〔1〕記載の研磨液組成物を用いて被研磨基
板を研磨する被研磨基板の研磨方法、並びに 〔3〕前記〔1〕記載の研磨液組成物を用いて被研磨基
板を研磨する工程を有する基板の製造方法に関する。
That is, the gist of the present invention is as follows: [1] At least one compound selected from the following compound group (A), compound group (B) and compound group (C): And a water-containing polishing composition: Compound group (A): having 2 to 2 carbon atoms having an OH group or an SH group.
20 carboxylic acids, 2 to 3 carbon atoms of dicarboxylic acid, 1 to 20 carbon atoms of monocarboxylic acid and salts thereof, Compound group (B): a polyvalent carboxylic acid having no OH group or SH group having 4 or more carbon atoms Acids, aminopolycarboxylic acids, amino acids and salts thereof, compound group (C): intermediate alumina and alumina sol, [2] polishing of a substrate to be polished using the polishing composition according to [1]. The present invention relates to a polishing method, and [3] a method for producing a substrate having a step of polishing a substrate to be polished using the polishing composition according to [1].

【0007】[0007]

【発明の実施の形態】本発明の研磨液組成物は、前記の
ように、化合物群(A)、化合物群(B)及び化合物群
(C)からそれぞれ選ばれる1種以上と、研磨材と、水
とを含有してなるものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION As described above, the polishing composition of the present invention comprises at least one compound selected from the group consisting of the compound group (A), the compound group (B) and the compound group (C), , Water.

【0008】本発明に用いられる化合物群(A)は、被
研磨基板に生じるロールオフを改善する作用を有する化
合物(以下、ロールオフ低減剤ともいう)である。ロー
ルオフとは、一般に研磨時に端面部分が中央部分に比べ
て多く削れ、丸みを帯びることをいい、端面だれとも呼
ばれる。ロールオフは、例えば、触針式又は光学式形状
測定装置を用いて端面部分の形状を測定し、そのプロフ
ァイルより端面部分がディスク中央部にくらべてどれく
らい多く削れているかを数値化することにより評価する
ことができる。
The compound group (A) used in the present invention is a compound having a function of improving roll-off occurring on a substrate to be polished (hereinafter also referred to as a roll-off reducing agent). Roll-off generally means that the end face portion is more sharply cut and rounded than the center portion during polishing, and is also referred to as an end face droop. Roll-off is evaluated, for example, by measuring the shape of the end face part using a stylus or optical shape measuring device and quantifying how much the end face part is shaved compared to the center of the disc from its profile can do.

【0009】数値化の方法は、図1に示すように、ディ
スク中心からある距離離れたA点とB点とC点といった
測定曲線(被研磨基板の端面部分の形状を意味する)上
の3点をとり、A点とC点を結んだ直線をベースライン
とし、B点とベースラインとの距離(D)をいうもので
ある。ロールオフが良いとは、Dの値がより0に近いこ
とを言う。ロールオフ値は、Dを研磨前後のディスクの
厚さの変化量の1/2で除した値を言う。ロールオフ値
は好ましくは0.2μm/μm以下、より好ましくは
0.15μm/μm、さらに好ましくは0.10μm/
μmである。
As shown in FIG. 1, the method of digitization is to use three points on a measurement curve (meaning the shape of the end face portion of the substrate to be polished) such as points A, B and C at a certain distance from the center of the disk. A point is taken, a straight line connecting point A and point C is taken as a baseline, and the distance (D) between point B and the baseline is referred to. Good roll-off means that the value of D is closer to zero. The roll-off value is a value obtained by dividing D by の of the change in the thickness of the disk before and after polishing. The roll-off value is preferably 0.2 μm / μm or less, more preferably 0.15 μm / μm, and still more preferably 0.10 μm / μm.
μm.

【0010】なお、A点、B点及びC点の位置は、被測
定物の大きさにより様々であるが、一般にB点は、ディ
スクの端部と中心を結ぶ線上をディスク端部から0.5
mmの位置、C点は2.5mmの位置、A点は4.5m
mの位置であることが好ましい。例えば、3.5インチ
ディスクの場合は、A点、B点及びC点をそれぞれディ
スク中心から43mm、47mm及び45mmの距離にとるこ
とが好ましい。
The positions of point A, point B and point C vary depending on the size of the object to be measured. In general, point B is located on a line connecting the end of the disk and the center from the end of the disk at 0. 5
mm position, C point is 2.5 mm position, A point is 4.5 m
Preferably, the position is m. For example, in the case of a 3.5-inch disk, it is preferable that points A, B, and C are respectively 43 mm, 47 mm, and 45 mm from the center of the disk.

【0011】本発明に用いられるロールオフ低減剤は、
OH基又はSH基を有する炭素数2〜20のカルボン
酸、炭素数1〜20のモノカルボン酸、炭素数2〜3の
ジカルボン酸及びこれらの塩からなる群より選ばれる1
種以上の化合物である。
The roll-off reducing agent used in the present invention comprises:
1 selected from the group consisting of a carboxylic acid having 2 to 20 carbon atoms having an OH group or an SH group, a monocarboxylic acid having 1 to 20 carbon atoms, a dicarboxylic acid having 2 to 3 carbon atoms and salts thereof.
More than one compound.

【0012】OH基又はSH基を有する炭素数2〜20
のカルボン酸としては、オキシカルボン酸、及び該酸の
OH基の酸素原子が硫黄原子に置換した化合物が挙げら
れる。これらのカルボン酸の炭素数は、水への溶解性の
観点から、2〜20であり、2〜12が好ましく、より
好ましくは2〜8、さらに好ましくは2〜6であること
が望ましい。また、ロールオフ低減の観点から、オキシ
カルボン酸としては、カルボキシル基のα位に水酸基を
持つものが好ましい。
2 to 20 carbon atoms having an OH or SH group
Examples of the carboxylic acid include oxycarboxylic acid and compounds in which the oxygen atom of the OH group of the acid is replaced with a sulfur atom. From the viewpoint of solubility in water, the number of carbon atoms of these carboxylic acids is 2 to 20, preferably 2 to 12, more preferably 2 to 8, and further preferably 2 to 6. From the viewpoint of reducing roll-off, the oxycarboxylic acid preferably has a hydroxyl group at the α-position of the carboxyl group.

【0013】モノカルボン酸の炭素数は、水への溶解性
の観点から、1〜20であり、1〜12が好ましく、よ
り好ましくは1〜8、さらに好ましくは1〜6であるこ
とが望ましい。
The number of carbon atoms of the monocarboxylic acid is 1 to 20, preferably 1 to 12, more preferably 1 to 8, and further preferably 1 to 6, from the viewpoint of solubility in water. .

【0014】ジカルボン酸は、ロールオフ低減の観点か
ら、炭素数2〜3のもの、即ちシュウ酸とマロン酸であ
る。これらのロールオフ低減剤の中では、研磨速度向上
の観点から、オキシカルボン酸が好ましい。また、ロー
ルオフ低減の観点からはジカルボン酸が好ましい。
The dicarboxylic acids are those having 2 to 3 carbon atoms, that is, oxalic acid and malonic acid, from the viewpoint of reducing roll-off. Among these roll-off reducing agents, oxycarboxylic acids are preferred from the viewpoint of improving the polishing rate. Further, from the viewpoint of reducing roll-off, dicarboxylic acids are preferred.

【0015】OH基又はSH基を有する炭素数2〜20
のカルボン酸の具体例としては、グリコール酸、メルカ
プトコハク酸、チオグリコール酸、乳酸、β- ヒドロキ
シプロピオン酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、イソク
エン酸、アロクエン酸、グルコン酸、グリオキシル酸、
グリセリン酸、マンデル酸、トロパ酸、ベンジル酸、サ
リチル酸等が挙げられる。モノカルボン酸の具体例とし
ては、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、イソ酪酸、吉
草酸、イソ吉草酸、ヘキサン酸、ヘプタン酸、2-メチル
ヘキサン酸、オクタン酸、2-エチルヘキサン酸、ノナン
酸、デカン酸、ラウリン酸等が挙げられる。これらの中
で、酢酸、シュウ酸、マロン酸、グリコール酸、乳酸、
リンゴ酸、酒石酸、グリオキシル酸、クエン酸及びグル
コン酸が好ましく、さらに好ましくは、シュウ酸、マロ
ン酸、グリコール酸、乳酸、リンゴ酸、酒石酸、グリオ
キシル酸、クエン酸及びグルコン酸である。
An OH or SH group having 2 to 20 carbon atoms
Specific examples of the carboxylic acid include glycolic acid, mercaptosuccinic acid, thioglycolic acid, lactic acid, β-hydroxypropionic acid, malic acid, tartaric acid, citric acid, isocitric acid, allocitric acid, gluconic acid, glyoxylic acid,
Glyceric acid, mandelic acid, tropic acid, benzylic acid, salicylic acid and the like can be mentioned. Specific examples of monocarboxylic acids include formic acid, acetic acid, propionic acid, butyric acid, isobutyric acid, valeric acid, isovaleric acid, hexanoic acid, heptanoic acid, 2-methylhexanoic acid, octanoic acid, 2-ethylhexanoic acid, and nonane Acids, decanoic acid, lauric acid and the like. Among these, acetic acid, oxalic acid, malonic acid, glycolic acid, lactic acid,
Malic acid, tartaric acid, glyoxylic acid, citric acid and gluconic acid are preferred, and oxalic acid, malonic acid, glycolic acid, lactic acid, malic acid, tartaric acid, glyoxylic acid, citric acid and gluconic acid are more preferred.

【0016】また、シュウ酸、リンゴ酸、酒石酸、クエ
ン酸及びグルコン酸は、単独で又は他のロールオフ低減
剤と併用することによって、更に研磨パッドへの砥粒や
研磨カスの目詰まりを低減させ、研磨パッドを長期間使
用することによる、研磨速度や面質等の研磨特性の劣化
を防止できるので好ましい。また、頻繁なパッド洗浄が
不要となる、すなわちパッドドレッシングの間隔を大幅
に延ばすことができ、生産性があがるので経済的観点か
らも優れ好ましい。その中でも、シュウ酸、酒石酸及び
クエン酸が好ましく、特にクエン酸が好ましい。なお、
本発明に用いられるモノカルボン酸及びジカルボン酸
は、OH基又はSH基を有しないカルボン酸から選ばれ
る。
Further, oxalic acid, malic acid, tartaric acid, citric acid and gluconic acid can be used alone or in combination with another roll-off reducing agent to further reduce clogging of abrasive grains and polishing residues on the polishing pad. This is preferable because it is possible to prevent polishing characteristics such as polishing rate and surface quality from deteriorating due to long-term use of the polishing pad. Further, frequent pad cleaning is not required, that is, the interval between pad dressings can be greatly extended, and productivity is improved, which is excellent in terms of economy, and is therefore preferable. Among them, oxalic acid, tartaric acid and citric acid are preferable, and citric acid is particularly preferable. In addition,
The monocarboxylic acid and dicarboxylic acid used in the present invention are selected from carboxylic acids having no OH group or SH group.

【0017】また、これらの酸の塩(即ち、OH基又は
SH基を有する炭素数2〜20のカルボン酸の塩、炭素
数2〜3のジカルボン酸の塩、炭素数1〜20のモノカ
ルボン酸の塩)としては、特に限定はなく、具体的に
は、金属、アンモニウム、アルキルアンモニウム、有機
アミン等との塩が挙げられる。金属の具体例としては、
周期律表(長周期型)1A、1B、2A、2B、3A、
3B、4A、6A、7A又は8族に属する金属が挙げら
れる。これらの金属の中でも、ロールオフ低減の観点か
ら1A、3A、3B、7A又は8族に属する金属が好ま
しく、1A、3A又は3B族に属する金属が更に好まし
く、1A族に属するナトリウム、カリウムが最も好まし
い。
Further, salts of these acids (ie, salts of carboxylic acids having 2 to 20 carbon atoms having an OH group or SH group, salts of dicarboxylic acids having 2 to 3 carbon atoms, monocarboxylic acids having 1 to 20 carbon atoms) The acid salt is not particularly limited, and specific examples thereof include salts with metals, ammonium, alkylammonium, organic amines, and the like. Specific examples of metals include
Periodic table (long period type) 1A, 1B, 2A, 2B, 3A,
Metals belonging to groups 3B, 4A, 6A, 7A or 8 are mentioned. Among these metals, metals belonging to groups 1A, 3A, 3B, 7A or 8 are preferable from the viewpoint of roll-off reduction, metals belonging to groups 1A, 3A or 3B are more preferable, and sodium and potassium belonging to group 1A are most preferable. preferable.

【0018】アルキルアンモニウムの具体例としては、
テトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウ
ム、テトラブチルアンモニウム等が挙げられる。
Specific examples of the alkyl ammonium include:
Examples include tetramethylammonium, tetraethylammonium, and tetrabutylammonium.

【0019】有機アミン等の具体例としては、ジメチル
アミン、トリメチルアミン、アルカノールアミン等が挙
げられる。
Specific examples of the organic amine and the like include dimethylamine, trimethylamine and alkanolamine.

【0020】これらの塩の中では、アンモニウム塩、ナ
トリウム塩及びカリウム塩が特に好ましい。
Among these salts, ammonium salts, sodium salts and potassium salts are particularly preferred.

【0021】これらの化合物群(A)の化合物は、単独
で又は2種以上を混合して用いることができる。
These compounds of the compound group (A) can be used alone or in combination of two or more.

【0022】化合物群(A)の総含有量は、ロールオフ
を改善する効果の観点から、また経済的観点から、研磨
液組成物中において好ましくは0.01〜5 重量%、より好
ましくは0.015 〜3 重量%、さらに好ましくは0.03〜2
重量%である。
The total content of the compound group (A) is preferably 0.01 to 5% by weight, more preferably 0.015 to 3% by weight in the polishing composition from the viewpoint of the effect of improving roll-off and from the economical viewpoint. Wt%, more preferably 0.03 to 2
% By weight.

【0023】本発明に用いられる化合物群(B)は、研
磨速度の向上作用を有する。化合物群(B)としては、
炭素数4以上のOH基又はSH基を有しない多価カルボ
ン酸、アミノポリカルボン酸、アミノ酸及びそれらの塩
が挙げられる。速度向上の観点より、炭素数4以上のO
H基又はSH基を有しない多価カルボン酸の中でも、炭
素数4〜20が好ましく、さらに炭素数4〜10が好ま
しい。また、同様の観点から、アミノポリカルボン酸と
しては、1分子中のアミノ基の数は、1〜6が好まし
く、さらに1〜4が好ましい。またカルボン酸の数とし
ては、1〜12が好ましく、さらに2〜8が好ましい。
また、炭素数としては1〜30が好ましく、さらに1〜
20が好ましい。同様の観点から、アミノ酸の炭素数と
しては2〜20が好ましく、さらに2〜10が好まし
い。
The compound group (B) used in the present invention has an effect of improving the polishing rate. As the compound group (B),
Examples include polyvalent carboxylic acids having no OH group or SH group having 4 or more carbon atoms, aminopolycarboxylic acids, amino acids, and salts thereof. From the viewpoint of speed improvement, O having 4 or more carbon atoms
Among polyvalent carboxylic acids having no H group or SH group, those having 4 to 20 carbon atoms are preferable, and those having 4 to 10 carbon atoms are more preferable. In addition, from the same viewpoint, as the aminopolycarboxylic acid, the number of amino groups in one molecule is preferably from 1 to 6, and more preferably from 1 to 4. Further, the number of carboxylic acids is preferably from 1 to 12, more preferably from 2 to 8.
Further, the number of carbon atoms is preferably 1 to 30, more preferably 1 to 30.
20 is preferred. From the same viewpoint, the carbon number of the amino acid is preferably from 2 to 20, and more preferably from 2 to 10.

【0024】具体的にはコハク酸、マレイン酸、フマル
酸、グルタル酸、シトラコン酸、イタコン酸、トリカル
バル酸、アジピン酸、プロパン−1,1,2,3−テト
ラカルボン酸、ブタン−1,2,3,4−テトラカルボ
ン酸、ジグリコール酸、ニトロトリ酢酸、エチレンジア
ミンテトラ酢酸(EDTA)、ジエチレントリアミンペ
ンタ酢酸(DTPA)、ヒドロオキシエチルエチレンジ
アミンテトラ酢酸(HEDTA)、トリエチレンテトラ
ミンヘキサ酢酸(TTHA)、ジカルボキシメチルグル
タミン酸(GLDA)、グリシン、アラニン等が挙げら
れる。これらの中でもコハク酸、マレイン酸、フマル
酸、グルタル酸、シトラコン酸、イタコン酸、トリカル
バル酸、アジピン酸、ジグリコール酸、ニトロトリ酢
酸、エチレンジアミンテトラ酢酸、ジエチレントリアミ
ンペンタ酢酸が好ましく、さらにコハク酸、マレイン
酸、フマル酸、シトラコン酸、イタコン酸、トリカルバ
ル酸、ジグリコール酸、エチレンジアミンテトラ酢酸、
ジエチレントリアミンペンタ酢酸がより好ましい。
Specifically, succinic acid, maleic acid, fumaric acid, glutaric acid, citraconic acid, itaconic acid, tricarbalic acid, adipic acid, propane-1,1,2,3-tetracarboxylic acid, butane-1,2 , 3,4-tetracarboxylic acid, diglycolic acid, nitrotriacetic acid, ethylenediaminetetraacetic acid (EDTA), diethylenetriaminepentaacetic acid (DTPA), hydroxyethylethylenediaminetetraacetic acid (HEDTA), triethylenetetraminehexaacetic acid (TTHA), Carboxymethylglutamic acid (GLDA), glycine, alanine and the like. Among these, succinic acid, maleic acid, fumaric acid, glutaric acid, citraconic acid, itaconic acid, tricarbalic acid, adipic acid, diglycolic acid, nitrotriacetic acid, ethylenediaminetetraacetic acid, diethylenetriaminepentaacetic acid are preferred, and further succinic acid, maleic acid , Fumaric acid, citraconic acid, itaconic acid, tricarbalic acid, diglycolic acid, ethylenediaminetetraacetic acid,
Diethylenetriaminepentaacetic acid is more preferred.

【0025】また、これらの酸の塩(炭素数4以上のO
H基又はSH基を有しない多価カルボン酸の塩、アミノ
ポリカルボン酸の塩、アミノ酸の塩)としては、特に限
定はなく、具体的には、金属、アンモニウム、アルキル
アンモニウム、有機アミン等との塩が挙げられる。金属
の具体例としては、周期律表(長周期型)1A、1B、
2A、2B、3A、3B、4A、6A、7A又は8族に
属する金属が挙げられる。これらの金属の中でも研磨速
度向上の観点から1A、3A、3B、7A又は8族に属
する金属が好ましく、1A、3A、3B又は8族に属す
る金属が更に好ましく、1A族に属するナトリウム、カ
リウム、3A族に属するセリウム、3B族に属するアル
ミニウム、8族に属する鉄が最も好ましい。
Also, salts of these acids (O 4 or more carbon atoms)
The salt of a polyvalent carboxylic acid having no H group or SH group, the salt of an aminopolycarboxylic acid, and the salt of an amino acid are not particularly limited, and specific examples thereof include metals, ammonium, alkylammonium, and organic amines. Salts. Specific examples of the metal include periodic table (long period type) 1A, 1B,
Examples include metals belonging to Group 2A, 2B, 3A, 3B, 4A, 6A, 7A or Group 8. Among these metals, metals belonging to Group 1A, 3A, 3B, 7A or 8 are preferable from the viewpoint of improving the polishing rate, and metals belonging to Group 1A, 3A, 3B or 8 are more preferable, and sodium and potassium belonging to Group 1A. Cerium belonging to Group 3A, aluminum belonging to Group 3B, and iron belonging to Group 8 are most preferred.

【0026】アルキルアンモニウムの具体例としては、
テトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウ
ム、テトラブチルアンモニウム等が挙げられる。
Specific examples of the alkyl ammonium include:
Examples include tetramethylammonium, tetraethylammonium, and tetrabutylammonium.

【0027】有機アミン等の具体例としては、ジメチル
アミン、トリメチルアミン、アルカノールアミン等が挙
げられる。これらの中でも塩としては、アンモニウム
塩、ナトリウム塩、カリウム塩及びアルミニウム塩が特
に好ましい。
Specific examples of the organic amine include dimethylamine, trimethylamine, and alkanolamine. Among these, ammonium salts, sodium salts, potassium salts and aluminum salts are particularly preferred as the salts.

【0028】これらの化合物群(B)の化合物は、単独
で又は2種以上を混合して用いることができる。
These compounds of the compound group (B) can be used alone or in combination of two or more.

【0029】化合物群(B)の総含有量は、研磨促進効
果の観点、経済的観点及び表面品質向上の観点から、研
磨液組成物中において好ましくは0.01〜10重量%、より
好ましくは0.02〜7 重量%、さらに好ましくは0.03〜5
重量%である。
The total content of the compound group (B) is preferably from 0.01 to 10% by weight, more preferably from 0.02 to 10% by weight in the polishing composition from the viewpoint of the polishing accelerating effect, the economical viewpoint and the surface quality improvement. 7% by weight, more preferably 0.03-5
% By weight.

【0030】また、前記化合物群(A)と化合物群
(B)との組み合わせとしては、速度向上とロールオフ
低減の観点から、酢酸、シュウ酸、マロン酸、グリコー
ル酸、乳酸、リンゴ酸、グリオキシル酸、酒石酸、クエ
ン酸、グルコン酸及びこれらの塩の1種以上〔化合物群
(A)〕とコハク酸、マレイン酸、フマル酸、グルタル
酸、シトラコン酸、イタコン酸、アジピン酸、トリカル
バル酸、ジグリコール酸、ニトリロトリ酢酸、エチレン
ジアミンテトラ酢酸、ジエチレントリアミンペンタ酢酸
及びこれらの塩の1種以上〔化合物群(B)〕の組み合
わせがより好ましく、シュウ酸、マロン酸、グリコール
酸、乳酸、リンゴ酸、グリオキシル酸、酒石酸、クエン
酸、グルコン酸及びこれらの塩の1種以上〔化合物群
(A)〕とコハク酸、マレイン酸、フマル酸、シトラコ
ン酸、イタコン酸、トリカルバル酸、ジグリコール酸、
エチレンジアミンテトラ酢酸、ジエチレントリアミンペ
ンタ酢酸及びこれらの塩の1種以上〔化合物群(B)〕
の組み合わせがさらに好ましい。さらに、グリコール
酸、シュウ酸、酒石酸、クエン酸、マロン酸及びこれら
の塩の1種以上〔化合物群(A)〕とコハク酸、マレイ
ン酸、イタコン酸、フマル酸、エチレンジアミンテトラ
酢酸、ジエチレントリアミンペンタ酢酸及びこれらの塩
の1種上〔化合物群(B)〕の組み合わせが特に好まし
い。また、化合物群(A)としてシュウ酸、リンゴ酸、
酒石酸、クエン酸、グルコン酸及びこれらの塩の1種以
上を用いた場合、更に研磨パッドへの砥粒や研磨カスの
目詰まりを低減させ、研磨パッドを長期間使用すること
による研磨速度や面質等の研磨特性の劣化を防止できる
ので好ましい。
The combination of the compound group (A) and the compound group (B) may be selected from the group consisting of acetic acid, oxalic acid, malonic acid, glycolic acid, lactic acid, malic acid and glyoxyl from the viewpoints of improving speed and reducing roll-off. One or more of acid, tartaric acid, citric acid, gluconic acid and salts thereof (compound group (A)) and succinic acid, maleic acid, fumaric acid, glutaric acid, citraconic acid, itaconic acid, adipic acid, tricarbalic acid, dicarboxylic acid More preferred is a combination of glycolic acid, nitrilotriacetic acid, ethylenediaminetetraacetic acid, diethylenetriaminepentaacetic acid and one or more of these salts (compound group (B)), and oxalic acid, malonic acid, glycolic acid, lactic acid, malic acid, glyoxylic acid , Tartaric acid, citric acid, gluconic acid and one or more of these salts [compound group (A)] with succinic acid, Ynoic acid, fumaric acid, citraconic acid, itaconic acid, Torikarubaru acid, diglycolic acid,
At least one of ethylenediaminetetraacetic acid, diethylenetriaminepentaacetic acid and salts thereof [compound group (B)]
Is more preferable. Further, at least one of glycolic acid, oxalic acid, tartaric acid, citric acid, malonic acid and salts thereof (compound group (A)) and succinic acid, maleic acid, itaconic acid, fumaric acid, ethylenediaminetetraacetic acid, diethylenetriaminepentaacetic acid And combinations of one or more of these salts [compound group (B)]. Also, as compound group (A), oxalic acid, malic acid,
When one or more of tartaric acid, citric acid, gluconic acid and salts thereof are used, the clogging of abrasive grains and polishing debris on the polishing pad is further reduced, and the polishing speed and surface area due to long-term use of the polishing pad are reduced. This is preferable because deterioration of polishing characteristics such as quality can be prevented.

【0031】この場合上記化合物群(A)の中でもシュ
ウ酸、酒石酸、クエン酸又はそれらの塩が好ましく、特
にクエン酸又はその塩が好ましい。また、化合物群
(A)を2種以上併用する場合、特に好ましい組み合わ
せとしては、シュウ酸、酒石酸、クエン酸及びそれらの
塩から選ばれる2種以上の組み合わせ、または、シュウ
酸、酒石酸、クエン酸及びそれらの塩から選ばれる1種
以上とマロン酸、グリコール酸、乳酸、リンゴ酸、グル
コン酸及びそれらの塩から選ばれる1種以上との組み合
わせが好ましく、更に、クエン酸又はその塩とシュウ
酸、グリコール酸、乳酸、リンゴ酸、酒石酸及びそれら
の塩から選ばれる1種以上との組み合わせがより好まし
い。特に好ましい組み合わせはクエン酸又はその塩とグ
リコール酸又はその塩である。
In this case, among the above compound group (A), oxalic acid, tartaric acid, citric acid or a salt thereof is preferable, and citric acid or a salt thereof is particularly preferable. When two or more compound groups (A) are used in combination, a particularly preferable combination is a combination of two or more selected from oxalic acid, tartaric acid, citric acid and salts thereof, or oxalic acid, tartaric acid, citric acid And a combination of at least one selected from malonic acid, glycolic acid, lactic acid, malic acid, gluconic acid and salts thereof, and further preferably citric acid or a salt thereof with oxalic acid , Glycolic acid, lactic acid, malic acid, tartaric acid and a combination thereof with one or more thereof are more preferable. A particularly preferred combination is citric acid or a salt thereof and glycolic acid or a salt thereof.

【0032】本発明に用いられる化合物群(C)におい
て、中間アルミナとは、α―アルミナ粒子以外のアルミ
ナ粒子の総称であり、具体的には、γ―アルミナ粒子、
δ―アルミナ粒子、θ―アルミナ粒子、η―アルミナ粒
子、κ−アルミナ粒子、これらの混合物等が挙げられ
る。その中でも、研磨速度向上及び表面粗さ低減効果の
観点から、以下の中間アルミナが好ましい。その結晶型
は、好ましくはγ―アルミナ、δ―アルミナ、θ―アル
ミナ及びその混合物、さらに好ましくは、γ―アルミ
ナ、δ―アルミナ、及びその混合物、特に好ましくは、
γ―アルミナである。また、その比表面積(BET法)
は、好ましくは30〜300m2 /g、より好ましくは
50〜200m2 /gである。その平均粒径は、好まし
くは0.01〜5μm 、より好ましくは0.05〜5μm 、さら
に好ましくは0.1〜3μm 、特に好ましくは0.1〜1.5
μm である。この平均粒径は、レーザー光回折法(例え
ば、堀場製LA−920)を用いて体積平均粒径として
測定することができる。また、中間アルミナ粒子におけ
るアルカリ金属及びアルカリ土類金属の含有量は、それ
ぞれ0.1重量%以下が好ましく、0.05重量%以下
がより好ましく、0.01重量%以下が特に好ましい。
In the compound group (C) used in the present invention, the term “intermediate alumina” is a general term for alumina particles other than α-alumina particles.
δ-alumina particles, θ-alumina particles, η-alumina particles, κ-alumina particles, and mixtures thereof. Among them, the following intermediate aluminas are preferred from the viewpoint of improving the polishing rate and reducing the surface roughness. The crystal form is preferably γ-alumina, δ-alumina, θ-alumina and a mixture thereof, more preferably, γ-alumina, δ-alumina, and a mixture thereof, particularly preferably,
γ-alumina. The specific surface area (BET method)
Is preferably from 30 to 300 m 2 / g, more preferably from 50 to 200 m 2 / g. The average particle size is preferably 0.01 to 5 μm, more preferably 0.05 to 5 μm, still more preferably 0.1 to 3 μm, particularly preferably 0.1 to 1.5.
μm. This average particle diameter can be measured as a volume average particle diameter using a laser light diffraction method (for example, LA-920 manufactured by Horiba). The content of the alkali metal and alkaline earth metal in the intermediate alumina particles is preferably 0.1% by weight or less, more preferably 0.05% by weight or less, and particularly preferably 0.01% by weight or less.

【0033】例えば、比表面積が比較的大きく、アルカ
リ金属及びアルカリ土類金属含有量の少ない水酸化アル
ミニウム、アルミナゾル等を原料とした場合、製造され
た中間アルミナの融着が少なく粒子強度も小さいため、
被研磨基板の表面欠陥が無く、表面粗さ低減に特に有効
である。
For example, when aluminum hydroxide, alumina sol, or the like having a relatively large specific surface area and a low alkali metal and alkaline earth metal content is used as a raw material, the produced intermediate alumina has low fusion and low particle strength. ,
There is no surface defect on the substrate to be polished, which is particularly effective for reducing the surface roughness.

【0034】そのための原料としては、化学式Al(O
H)3 、Al2 3 ・3H2 O、AlOOH、Al2
3 ・H2 O、Al2 3 ・nH2 O〔nは1〜3を示
す〕で表わされる、例えば、水酸化アルミニウム、アル
ミナゾル等が使用できるが、その原料の比表面積が好ま
しくは10m2 /g以上、より好ましくは30m2 /g
以上、特に好ましくは50m2 /g以上のものである。
また、アルカリ金属及びアルカリ土類金属の含有量が好
ましくは0.1重量%以下、より好ましくは0.05重
量%以下、特に好ましくは0.03重量%以下のもので
ある。さらにまた、水酸化アルミニウムを加熱脱水して
中間アルミナを製造する場合に、焼成時に強制的に乾燥
空気あるいは窒素ガスを導入させることは、さらに被研
磨基板の表面欠陥、表面粗さの低減に有効である。尚、
前記加熱脱水処理は、常法により行うことができる。
The raw material for this is the chemical formula Al (O
H) 3 , Al 2 O 3 .3H 2 O, AlOOH, Al 2 O
3 · H 2 O, Al 2 O 3 · nH 2 O [n denotes 1-3] represented by, for example, aluminum hydroxide, alumina sol and the like can be used, is preferably a specific surface area of the material 10 m 2 / G or more, more preferably 30 m 2 / g
Above, particularly preferably 50 m 2 / g or more.
Further, the content of the alkali metal and the alkaline earth metal is preferably 0.1% by weight or less, more preferably 0.05% by weight or less, and particularly preferably 0.03% by weight or less. Furthermore, when heating and dehydrating aluminum hydroxide to produce an intermediate alumina, forcibly introducing dry air or nitrogen gas during firing is more effective in reducing surface defects and surface roughness of the substrate to be polished. It is. still,
The heat dehydration treatment can be performed by a conventional method.

【0035】これらの中間アルミナは、必要に応じて、
ボールミル、ビーズミル、高圧ホモジナイザー、ジェッ
トミル等の粉砕機により、湿式あるいは乾式粉砕し、所
定の粒径に調整する。
These intermediate aluminas may be used, if necessary,
Wet or dry pulverization is performed by a pulverizer such as a ball mill, a bead mill, a high-pressure homogenizer, and a jet mill to adjust the particle size to a predetermined value.

【0036】また、アルミナゾルとは、化学式ではAl
OOH、AlOOH・nH2 O〔nは1〜3を示す〕、
Al2 3 ・H2 O等で表わされ、結晶構造としてはベ
ーマイト、擬ベーマイト及びアモルファスが挙げられ
る。水酸化アルミニウム、例えばジブサイトを、250
℃程度で水熱処理するとか、アルミニウムアルコラート
を加水分解することによって製造することができる。そ
の平均粒径は、好ましくは0.01〜5 μm 、より好ましく
は0.05〜5μm 、さらに好ましくは0.1〜3μm、特に
好ましくは0.1〜1.5 μm である。この平均粒径は、レ
ーザー光回折法を用いて体積平均粒径として測定するこ
とができる。その比表面積(BET法)は、好ましくは
30〜300m2 /g、より好ましくは50〜200m
2 /gである。
Alumina sol is a chemical formula of Al
OOH, AlOOH · nH 2 O (n represents 1-3),
It is represented by Al 2 O 3 .H 2 O or the like, and its crystal structure includes boehmite, pseudo-boehmite and amorphous. Aluminum hydroxide, such as gibbsite, is
It can be produced by hydrothermal treatment at about ° C or hydrolysis of aluminum alcoholate. The average particle size is preferably 0.01 to 5 μm, more preferably 0.05 to 5 μm, still more preferably 0.1 to 3 μm, and particularly preferably 0.1 to 1.5 μm. This average particle diameter can be measured as a volume average particle diameter using a laser light diffraction method. Its specific surface area (BET method) is preferably 30 to 300 m 2 / g, more preferably 50 to 200 m 2 / g.
2 / g.

【0037】この化合物群(C)の中間アルミナ及びア
ルミナゾルは、化合物群(A)と化合物群(B)の化合
物と併用することによって研磨速度の向上やピット等の
表面欠陥の防止を更に促進することができる。この場
合、化合物群(C)の中間アルミナとアルミナゾルはそ
れぞれ単独でも、又は混合物として用いてもよい。特
に、中間アルミナは、研磨速度の向上、表面欠陥の防止
等の効果の大きさ、さらに表面粗さ低減効果の観点か
ら、より好ましい。
The intermediate alumina and the alumina sol of the compound group (C) are used in combination with the compounds of the compound group (A) and the compound group (B) to further enhance the polishing rate and prevent surface defects such as pits. be able to. In this case, the intermediate alumina and the alumina sol of the compound group (C) may be used alone or as a mixture. In particular, the intermediate alumina is more preferable from the viewpoints of the effects of improving the polishing rate, preventing surface defects, and the like, and further reducing the surface roughness.

【0038】研磨液組成物中における化合物群(C)の
総含有量は、経済性及び研磨促進効果、表面粗さを低減
する効果、また、ピット等の表面欠陥を防止能力を得る
観点から、研磨材100重量部に対して1〜100重量
部であり、好ましくは2〜70重量部、更に好ましくは
4〜40重量部である。
The total content of the compound group (C) in the polishing composition is determined from the viewpoints of economy, polishing promotion effect, surface roughness reducing effect, and ability to prevent surface defects such as pits. The amount is 1 to 100 parts by weight, preferably 2 to 70 parts by weight, more preferably 4 to 40 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the abrasive.

【0039】本発明で用いられる研磨材は、研磨用に一
般に使用されている研磨材を使用することができる。該
研磨材の例としては、金属;金属又は半金属の炭化物、
窒化物、酸化物、ホウ化物;ダイヤモンド等が挙げられ
る。金属又は半金属元素は、周期律表(長周期型)の2
A、2B、3A、3B、4A、4B、5A、6A、7A
又は8族由来のものである。研磨材の具体例として、α
−アルミナ粒子、炭化ケイ素粒子、ダイヤモンド粒子、
酸化マグネシウム粒子、酸化亜鉛粒子、酸化セリウム粒
子、酸化ジルコニウム粒子、コロイダルシリカ粒子、ヒ
ュームドシリカ粒子等が挙げられ、これらを1種以上使
用することは、研磨速度を向上させる観点から好まし
い。中でも、α−アルミナ粒子、酸化セリウム粒子、酸
化ジルコニウム粒子、コロイダルシリカ粒子、ヒューム
ドシリカ粒子等がさらに好ましく、α−アルミナ粒子が
特に好ましい。
As the abrasive used in the present invention, an abrasive generally used for polishing can be used. Examples of the abrasive include metal; metal or metalloid carbide,
Nitrides, oxides, borides; diamonds and the like. Metal or metalloid elements are listed in the Periodic Table (Long Period Type)
A, 2B, 3A, 3B, 4A, 4B, 5A, 6A, 7A
Or, it is derived from Group 8. As a specific example of the abrasive, α
-Alumina particles, silicon carbide particles, diamond particles,
Examples include magnesium oxide particles, zinc oxide particles, cerium oxide particles, zirconium oxide particles, colloidal silica particles, fumed silica particles, and the like. Use of one or more of these is preferred from the viewpoint of improving the polishing rate. Among them, α-alumina particles, cerium oxide particles, zirconium oxide particles, colloidal silica particles, fumed silica particles, and the like are more preferable, and α-alumina particles are particularly preferable.

【0040】研磨材の一次粒子の平均粒径は、研磨速度
を向上させる観点から、好ましくは0.01〜3μm 、さら
に好ましくは0.02〜0.8 μm 、特に好ましくは0.05〜0.
5 μm である。さらに、一次粒子が凝集して二次粒子を
形成している場合は、同様に研磨速度を向上させる観点
及び被研磨物の表面粗さを低減させる観点から、その二
次粒子の平均粒径は、好ましくは0.05〜3 μm 、さらに
好ましくは0.1 〜1.5μm 、特に好ましくは0.2 〜1.2
μm である。研磨材の一次粒子の平均粒径は、走査型電
子顕微鏡で観察(好適には3000〜30000 倍)して画像解
析を行い、平均粒径を測定することにより求めることが
できる。また、二次粒子の平均粒径はレーザー光回折法
を用いて体積平均粒径として測定することができる。
The average particle size of the primary particles of the abrasive is preferably from 0.01 to 3 μm, more preferably from 0.02 to 0.8 μm, and particularly preferably from 0.05 to 0.
5 μm. Further, when the primary particles are aggregated to form secondary particles, the average particle size of the secondary particles is similarly increased from the viewpoint of improving the polishing rate and reducing the surface roughness of the object to be polished. , Preferably 0.05 to 3 μm, more preferably 0.1 to 1.5 μm, particularly preferably 0.2 to 1.2 μm.
μm. The average particle size of the primary particles of the abrasive can be determined by observing with a scanning electron microscope (preferably 3000 to 30,000 times), analyzing the image, and measuring the average particle size. The average particle size of the secondary particles can be measured as a volume average particle size by using a laser light diffraction method.

【0041】研磨材の比重は、分散性及び研磨装置への
供給性や回収再利用性の観点から、その比重は2〜6で
あることが好ましく、2〜5であることがより好まし
い。
The specific gravity of the abrasive is preferably from 2 to 6, more preferably from 2 to 5, from the viewpoints of dispersibility, supply to the polishing apparatus, and recovery and reuse.

【0042】研磨材の含有量は、経済性及び表面粗さを
小さくし、効率よく研磨することができるようにする観
点から、研磨液組成物中において好ましくは1〜40重
量%、より好ましくは2〜30重量%、さらに好ましく
は3〜15重量%である。
The content of the abrasive is preferably from 1 to 40% by weight, more preferably from 40% by weight, in the polishing composition, from the viewpoints of economy, reduction of surface roughness, and efficient polishing. It is 2 to 30% by weight, more preferably 3 to 15% by weight.

【0043】本発明の研磨液組成物中の水は、媒体とし
て用いられるものであり、その含有量は、被研磨物を効
率よく研磨することができるようにする観点から、40
〜98重量%が好ましく、50〜97重量%が更に好ま
しく、60〜95重量%が特に好ましい。
The water in the polishing composition of the present invention is used as a medium, and its content is preferably 40% from the viewpoint of enabling the object to be polished to be polished efficiently.
It is preferably from 98 to 98% by weight, more preferably from 50 to 97% by weight, particularly preferably from 60 to 95% by weight.

【0044】また、本発明の研磨液組成物には、必要に
応じて他の成分を配合することができる。
The polishing composition of the present invention may contain other components, if necessary.

【0045】他の成分としては、無機酸及びその塩、酸
化剤、増粘剤、分散剤、防錆剤、塩基性物質、界面活性
剤等が挙げられる。
Other components include inorganic acids and salts thereof, oxidizing agents, thickeners, dispersants, rust inhibitors, basic substances, surfactants and the like.

【0046】これらの成分は単独で用いても良いし、2
種以上を混合して用いても良い。また、その含有量は、
研磨速度を向上させる観点、それぞれの機能を発現させ
る観点、及び経済性の観点から、好ましくは研磨液組成
物中0.05〜20重量%、より好ましくは0.05〜
10重量%、さらに好ましくは0.05〜5重量%であ
る。
These components may be used alone, or 2
A mixture of more than one species may be used. Also, its content is
From the viewpoint of improving the polishing rate, expressing each function, and economy, preferably 0.05 to 20% by weight, more preferably 0.05 to 20% by weight in the polishing composition.
It is 10% by weight, more preferably 0.05 to 5% by weight.

【0047】尚、前記研磨液組成物中の各成分の濃度
は、研磨する際の好ましい濃度であるが、該組成物製造
時の濃度であってもよい。通常、濃縮液として組成物は
製造され、これを使用時に希釈して用いる場合が多い。
The concentration of each component in the polishing composition is a preferable concentration when polishing, but may be a concentration when the composition is manufactured. Usually, the composition is produced as a concentrated liquid, and this is often used after dilution.

【0048】本発明の研磨液組成物は、前記化合物群
(A)、化合物群(B)、化合物群(C)、研磨剤、
水、さらに必要であれば各種添加剤を公知の方法で適宜
添加、混合することにより製造することができる。
The polishing composition of the present invention comprises the compound group (A), the compound group (B), the compound group (C), an abrasive,
It can be produced by appropriately adding and mixing water and, if necessary, various additives by a known method.

【0049】研磨液組成物のpHは、被研磨物の種類や
要求品質等に応じて適宜決定することが好ましい。例え
ば、研磨液組成物のpHは、基板の洗浄性及び加工機械
の腐食防止性、作業者の安全性の観点から、2 〜12が
好ましい。また、被研磨物がNi-Pメッキされたアルミニ
ウム合金基板等の金属を主対象とした精密部品用基板で
ある場合、研磨速度の向上と表面品質の向上の観点か
ら、2〜9がより好ましく、3〜8が特に好ましい。さ
らに、半導体ウェハや半導体素子等の研磨、特にシリコ
ン基板、ポリシリコン膜、SiO2 膜等の研磨に用いる
場合は、研磨速度の向上と表面品質の向上の観点から、
7〜12が好ましく、8〜12がより好ましく、9〜1
1が特に好ましい。該pHは、必要により、硝酸、硫酸
等の無機酸、有機酸、アンモニア、水酸化ナトリウム、
水酸化カリウム等の塩基性物質を適宜、所望量で配合す
ることで調整することができる。
It is preferable that the pH of the polishing composition is appropriately determined according to the type of the object to be polished, required quality, and the like. For example, the pH of the polishing composition is preferably from 2 to 12, from the viewpoints of the cleaning property of the substrate, the corrosion prevention property of the processing machine, and the safety of the operator. Further, when the object to be polished is a substrate for precision parts mainly targeting a metal such as a Ni-P plated aluminum alloy substrate, from the viewpoint of improving the polishing rate and the surface quality, 2 to 9 is more preferable. And 3 to 8 are particularly preferred. Further, when used for polishing semiconductor wafers and semiconductor elements, particularly for polishing silicon substrates, polysilicon films, SiO 2 films, etc., from the viewpoint of improving the polishing rate and improving the surface quality,
7-12 are preferable, 8-12 are more preferable, and 9-1
1 is particularly preferred. The pH is, if necessary, an inorganic acid such as nitric acid or sulfuric acid, an organic acid, ammonia, sodium hydroxide,
It can be adjusted by appropriately mixing a basic substance such as potassium hydroxide in a desired amount.

【0050】本発明の被研磨基板の研磨方法は、本発明
の研磨液組成物を用いて、あるいは本発明の研磨液組成
物の組成となるように各成分を混合して研磨液を調製し
て被研磨基板を研磨する工程を有しており、特に精密部
品用基板を好適に製造することができる。
In the method of polishing a substrate to be polished according to the present invention, a polishing liquid is prepared by using the polishing liquid composition of the present invention or by mixing respective components so as to obtain the composition of the polishing liquid composition of the present invention. And a step of polishing the substrate to be polished, and particularly a substrate for precision parts can be suitably manufactured.

【0051】本発明の対象である被研磨基板に代表され
る被研磨物の材質は、例えば、シリコン、アルミニウ
ム、ニッケル、タングステン、銅、タンタル、チタン等
の金属又は半金属、及びこれらの金属を主成分とした合
金、ガラス、ガラス状カーボン、アモルファスカーボン
等のガラス状物質、アルミナ、二酸化ケイ素、窒化ケイ
素、窒化タンタル、窒化チタン等のセラミック材料、ポ
リイミド樹脂等の樹脂等が挙げられる。これらの中で
は、アルミニウム、ニッケル、タングステン、銅等の金
属及びこれらの金属を主成分とする合金が被研磨物であ
るか、又はそれらの金属を含んだ半導体素子等の半導体
基板が被研磨物であることが好ましい。特にNi-Pメッキ
されたアルミニウム合金からなる基板を研磨する際に、
本発明の研磨液組成物を用いた場合、ロールオフが小さ
く、研磨速度を向上させ、表面欠陥を生じさせることな
く、表面粗さを低減させることができるので好ましい。
The material to be polished represented by the substrate to be polished, which is the object of the present invention, is, for example, a metal or semi-metal such as silicon, aluminum, nickel, tungsten, copper, tantalum or titanium, and a metal such as these. Examples include alloys, glass-like substances such as glass, glassy carbon and amorphous carbon, ceramic materials such as alumina, silicon dioxide, silicon nitride, tantalum nitride, and titanium nitride, and resins such as polyimide resins. Of these, metals such as aluminum, nickel, tungsten, and copper and alloys containing these metals as main components are the objects to be polished, or semiconductor substrates such as semiconductor elements containing such metals are objects to be polished. It is preferred that Especially when polishing a substrate made of Ni-P plated aluminum alloy,
The use of the polishing composition of the present invention is preferable because the roll-off is small, the polishing rate is improved, and the surface roughness can be reduced without causing surface defects.

【0052】これらの被研磨物の形状には、特に制限は
無く、例えばディスク状、プレート状、スラブ状、プリ
ズム状等の平面部を有する形状や、レンズ等の曲面部を
有する形状が本発明の研磨液組成物を用いた研磨の対象
となる。その中でも、ディスク状の被研磨物の研磨に特
に優れている。
The shape of the object to be polished is not particularly limited, and examples thereof include a shape having a flat surface such as a disk, a plate, a slab, and a prism, and a shape having a curved surface such as a lens. Of the polishing composition using the polishing composition. Among them, it is particularly excellent in polishing a disk-shaped object to be polished.

【0053】本発明の研磨液組成物は、精密部品用基板
の研磨に好適に用いられる。例えば、磁気ディスク、光
ディスク、光磁気ディスク等の磁気記録媒体の基板、フ
ォトマスク基板、光学レンズ、光学ミラー、光学プリズ
ム、半導体基板等の研磨に適している。半導体基板の研
磨は、シリコンウェハ(ベアウェハ)のポリッシング工
程、埋め込み素子分離膜の形成工程、層間絶縁膜の平坦
化工程、埋め込み金属配線の形成工程、埋め込みキャパ
シタ形成工程等において行われる研磨がある。本発明の
研磨液組成物は、特に磁気ディスク基板の研磨に適して
いる。
The polishing composition of the present invention is suitably used for polishing precision component substrates. For example, it is suitable for polishing a substrate of a magnetic recording medium such as a magnetic disk, an optical disk, and a magneto-optical disk, a photomask substrate, an optical lens, an optical mirror, an optical prism, and a semiconductor substrate. Polishing of a semiconductor substrate includes polishing performed in a polishing step of a silicon wafer (bare wafer), a step of forming a buried element isolation film, a step of flattening an interlayer insulating film, a step of forming a buried metal wiring, a step of forming a buried capacitor, and the like. The polishing composition of the present invention is particularly suitable for polishing a magnetic disk substrate.

【0054】また、本発明の研磨液組成物を用いる被研
磨基板の製造方法としては、例えば、不織布状の有機高
分子系の研磨布等を貼り付けた研磨盤で上記被研磨基板
を挟み込み、本発明の研磨液組成物を研磨面に供給し、
一定の圧力を加えながら研磨盤や基板を動かすことによ
り被研磨基板を製造する方法が挙げられる。
As a method for producing a substrate to be polished using the polishing composition of the present invention, for example, the substrate to be polished is sandwiched by a polishing plate to which a nonwoven fabric-like organic polymer polishing cloth or the like is attached. Supplying the polishing composition of the present invention to a polishing surface,
There is a method of manufacturing a substrate to be polished by moving a polishing board or a substrate while applying a constant pressure.

【0055】以上のように、本発明の研磨液組成物を用
いることで、表面に表面欠陥を生じさせること無く、研
磨速度を向上させると共に、表面粗さを低減し、且つロ
ールオフを低減した高品質の基板を生産効率良く製造す
ることができる。
As described above, by using the polishing composition of the present invention, the polishing rate was improved, the surface roughness was reduced, and the roll-off was reduced, without causing surface defects on the surface. High quality substrates can be manufactured with high production efficiency.

【0056】本発明の研磨液組成物は、ポリッシング工
程において特に効果があるが、これ以外の研磨工程、例
えば、ラッピング工程等にも同様に適用することができ
る。
Although the polishing composition of the present invention is particularly effective in the polishing step, it can be similarly applied to other polishing steps such as a lapping step.

【0057】[0057]

【実施例】<中間アルミナ製造例1>平均粒径15μ
m、比表面積240m2 /g、アルカリ金属含量0.0
02重量%、アルカリ土類金属含量0.01重量%の擬
ベーマイト粒子100gをアルミナ容器(縦200×横
100×高さ100mm)に入れ、マッフル炉で昇温速
度50℃/min、焼成温度900℃、4時間、窒素流
量5L/minにて焼成して、中間アルミナを得た。こ
れを2Lアルミナ製ボールミルに移し、イオン交換水を
加え30%スラリーとした後、3mmφのアルミナボー
ルを入れ、解砕して、中間アルミナ粒子を調製した。調
製した中間アルミナ粒子は、X線回折ピークの解析によ
りγ−アルミナであり、その平均粒径は0.3μm、比
表面積は120m2 /g、アルカリ金属含量は0.00
3重量%、アルカリ土類金属含量は0.01重量%であ
った。
[Example] <Example 1 of production of intermediate alumina> Average particle size 15μ
m, specific surface area 240 m 2 / g, alkali metal content 0.0
100 g of pseudo-boehmite particles having a content of 02% by weight and an alkaline earth metal content of 0.01% by weight are placed in an alumina container (200 × 100 × 100 mm) and heated in a muffle furnace at a heating rate of 50 ° C./min and a baking temperature of 900. At 4 ° C. for 4 hours at a nitrogen flow rate of 5 L / min, an intermediate alumina was obtained. This was transferred to a 2L alumina ball mill, ion-exchanged water was added to make a 30% slurry, and alumina balls having a diameter of 3 mm were put therein and pulverized to prepare intermediate alumina particles. The prepared intermediate alumina particles were γ-alumina by X-ray diffraction peak analysis, the average particle size was 0.3 μm, the specific surface area was 120 m 2 / g, and the alkali metal content was 0.00.
3% by weight, the alkaline earth metal content was 0.01% by weight.

【0058】実施例1〜8及び比較例1〜5 研磨材(一次粒子の平均粒径0.25μm 、二次粒子の平均
粒径0.65μm のα−アルミナ(純度約99.9%))、化合
物群(A)、化合物群(B)、化合物群(C)〔前記製
造例1で得られた中間アルミナ(γ−アルミナ)又はア
ルミナゾル(ベーマイト)〕及び残部イオン交換水とを
表1に示す組成となるようにし、pHを硝酸あるいはア
ンモニア水で4.0又は7.0に調整し、混合・攪拌し
て研磨液組成物100重量部を調製した。
Examples 1 to 8 and Comparative Examples 1 to 5 Abrasives (α-alumina having an average primary particle size of 0.25 μm and an average secondary particle size of 0.65 μm (purity: about 99.9%)), a compound group ( A), the compound group (B), the compound group (C) [intermediate alumina (γ-alumina) or alumina sol (boehmite) obtained in the above Production Example 1) and the balance with ion-exchanged water are as shown in Table 1. As described above, the pH was adjusted to 4.0 or 7.0 with nitric acid or aqueous ammonia, and mixed and stirred to prepare 100 parts by weight of the polishing composition.

【0059】[0059]

【表1】 [Table 1]

【0060】得られた研磨液組成物を用い、下記の方法
によって測定した中心線平均粗さRaが0.2μm 、厚さ0.
8 mm、直径3.5 インチのNi-Pメッキされたアルミニウム
合金基板の表面を両面加工機により、以下の両面加工機
の設定条件でポリッシングし、磁気記録媒体用基板とし
て用いられるNi-Pメッキされたアルミニウム合金基板の
研磨物を得た。
Using the obtained polishing composition, the center line average roughness Ra measured by the following method was 0.2 μm and the thickness was 0.2 μm.
The surface of a 8 mm, 3.5 inch diameter Ni-P plated aluminum alloy substrate was polished by a double-sided processing machine under the following double-sided processing machine setting conditions, and the Ni-P plated used as a substrate for magnetic recording media A polished aluminum alloy substrate was obtained.

【0061】両面加工機の設定条件を下記に示す。 使用両面加工機:スピードファム社製 9B型両面加工
機 加工圧力:9.8 kPa 研磨パッド:ポリテックスDG−H(ロデールニッタ社
製) 定盤回転数:55r/min 研磨液組成物供給流量:100mL/min 研磨時間:4min 投入枚数:10枚
The setting conditions of the double-side processing machine are shown below. Double-side processing machine used: 9B type double-side processing machine manufactured by Speed Fam Co., Ltd. Processing pressure: 9.8 kPa Polishing pad: Polytex DG-H (manufactured by Rodel Nitta) Plate rotation speed: 55 r / min Polishing composition supply flow rate: 100 mL / min Polishing time: 4min Input number: 10

【0062】研磨後、アルミニウム合金基板の厚さを膜
厚計(ミツトヨ(株)製、レーザー膜厚計 Model LGH-
110/LHC-11N)を用いて測定し、研磨前後のアルミニウム
合金基板の厚さの変化から厚さの減少速度を求め、比較
例1を基準として相対値(相対研磨速度)を求めた。
After polishing, the thickness of the aluminum alloy substrate was measured using a film thickness meter (manufactured by Mitutoyo Corporation, laser film thickness meter Model LGH-
110 / LHC-11N), the rate of decrease in thickness was determined from the change in thickness of the aluminum alloy substrate before and after polishing, and a relative value (relative polishing rate) was determined based on Comparative Example 1.

【0063】また、研磨後の各基板の表面の表面粗さ
(中心線平均粗さRa)、ピット及びロールオフを以下の
方法に従って測定した。なお、中心線粗さRaは比較例1
を基準として相対値(相対粗さ)を求めた。また、ロー
ルオフは、比較例2を基準として相対値(相対ロールオ
フ)を求めた。その結果を表2に示す。
The surface roughness (center line average roughness Ra), pits and roll-off of the polished surface of each substrate were measured according to the following methods. Note that the center line roughness Ra was determined in Comparative Example 1.
, And a relative value (relative roughness) was determined. For the roll-off, a relative value (relative roll-off) was determined based on Comparative Example 2. Table 2 shows the results.

【0064】[表面粗さ(中心線平均粗さRa)]ランク
・テーラーホブソン社製のタリーステップを用いて以下
の条件で測定した。 触針先端サイズ :25μm ×25μm ハイパスフィルター:80μm 測定長さ :0.64mm
[Surface roughness (center line average roughness Ra)] Measured under the following conditions using a tally step manufactured by Rank Taylor Hobson. Stylus tip size: 25 μm × 25 μm High pass filter: 80 μm Measurement length: 0.64 mm

【0065】[表面欠陥(ピット) ]光学顕微鏡観察
(微分干渉顕微鏡)を用いて倍率×200 倍で各基板の表
面を30度おきに12ヵ所観察し、12視野あたりのピ
ットの数を数えた。その結果を表1に示す。なお、表中
の評価基準を以下に示す。 S :0個 A :1〜3個 B :4〜10個 C :10個以上
[Surface Defects (Pits)] Using optical microscope observation (differential interference microscope), the surface of each substrate was observed at 12 places at 30 ° intervals at a magnification of × 200, and the number of pits per 12 visual fields was counted. . Table 1 shows the results. The evaluation criteria in the table are shown below. S: 0 pieces A: 1 to 3 pieces B: 4 to 10 pieces C: 10 pieces or more

【0066】[ロールオフ] 測定装置:ミツトヨ フォームトレーサーSV−C62
4 触針先端半径:2μm(コードNo.178−381) 触針圧:0.7mN以下 速度:0.2mm/s 解析ソフト:SV-600微細輪郭解析システム version1.0
1 フィルター:LPF (Gaussian)0.800mm
[Roll-off] Measuring device: Mitutoyo Form Tracer SV-C62
4 Contact tip radius: 2 μm (code No. 178-381) Contact pressure: 0.7 mN or less Speed: 0.2 mm / s Analysis software: SV-600 fine contour analysis system version1.0
1 Filter: LPF (Gaussian) 0.800mm

【0067】上記の装置を用いて、ディスク中心からの
距離が42.5mmから47.5mmまでのディスク端部の形状を測
定し、A、B及びC点の位置をディスク中心からそれぞ
れ43mm、47mm及び45mmにとり、解析ソフトを用いて前記
測定方法により、Dを求めた。この求められたDを研磨
前後のディスクの厚さの変化量の1/2で除した値をロ
ールオフ値とした。
Using the above apparatus, the shape of the edge of the disk at a distance of 42.5 mm to 47.5 mm from the center of the disk was measured, and the positions of points A, B and C were respectively 43 mm, 47 mm and 45 mm from the center of the disk. Then, D was obtained by the above-described measurement method using analysis software. The value obtained by dividing the obtained D by 1/2 of the amount of change in the thickness of the disk before and after polishing was defined as a roll-off value.

【0068】[0068]

【表2】 [Table 2]

【0069】表2の結果より、実施例1〜8で得られた
研磨液組成物は、いずれも比較例1〜5で得られた研磨
液組成物に比べ、研磨速度向上効果、ピット等の表面欠
陥の低減効果、表面粗さの低減効果及びロールオフの低
減効果の全てを同時に満たす優れたものであることがわ
かる。
From the results in Table 2, it can be seen that the polishing compositions obtained in Examples 1 to 8 are all superior to the polishing compositions obtained in Comparative Examples 1 to 5 in terms of the polishing rate improving effect, pits and the like. It can be seen that this is an excellent material that simultaneously satisfies all of the effect of reducing surface defects, the effect of reducing surface roughness, and the effect of reducing roll-off.

【0070】また、実施例5、実施例8および比較例2
で調製した研磨液組成物を使用し、先に記載の研磨評価
を20回繰り返し、1回目の相対研磨速度に対する20
回目の相対研磨速度の比を目詰まり防止性能として測定
したところ、実施例5の研磨液組成物では、0.91で
あり、実施例8では0.90、比較例2では0.48で
あった。実施例5、8で得られた研磨液組成物は、比較
例2のものに比べ、優れた研磨パッドの目詰まり防止特
性をもつことがわかる。
Further, Examples 5, 8 and Comparative Example 2
Using the polishing composition prepared in the above, the polishing evaluation described above was repeated 20 times, and 20 times the first relative polishing rate.
When the ratio of the relative polishing rate at the time of the polishing was measured as the clogging prevention performance, it was 0.91 for the polishing composition of Example 5, 0.90 for Example 8, and 0.48 for Comparative Example 2. Was. It can be seen that the polishing composition obtained in Examples 5 and 8 has better polishing pad clogging prevention properties than those of Comparative Example 2.

【0071】[0071]

【発明の効果】本発明の研磨液組成物を用いることで、
被研磨基板の表面に表面欠陥を生じさせることなく、研
磨速度が向上し、表面粗さを低減し、且つロールオフも
低減するという効果が奏される。
By using the polishing composition of the present invention,
The polishing rate is improved, the surface roughness is reduced, and the roll-off is reduced without causing surface defects on the surface of the substrate to be polished.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】図1は、測定曲線とロールオフとの関係を示す
図である。
FIG. 1 is a diagram showing a relationship between a measurement curve and roll-off.

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 下記の化合物群(A)、化合物群(B)
及び化合物群(C)からそれぞれ選ばれる1種以上と、
研磨材と、水とを含有してなる研磨液組成物: 化合物群(A):OH基又はSH基を有する炭素数2〜
20のカルボン酸、炭素数2〜3のジカルボン酸、炭素
数1〜20のモノカルボン酸及びそれらの塩、 化合物群(B):炭素数4以上のOH基又はSH基を有
しない多価カルボン酸、アミノポリカルボン酸、アミノ
酸及びそれらの塩、 化合物群(C):中間アルミナ及びアルミナゾル。
1. The following compound group (A) and compound group (B)
And one or more selected from the compound group (C),
Polishing liquid composition containing abrasive and water: Compound group (A): having 2 to 2 carbon atoms having OH group or SH group
20 carboxylic acids, 2 to 3 carbon atoms of dicarboxylic acid, 1 to 20 carbon atoms of monocarboxylic acid and salts thereof, Compound group (B): a polyvalent carboxylic acid having no OH group or SH group having 4 or more carbon atoms Acids, aminopolycarboxylic acids, amino acids and their salts, Compound group (C): intermediate alumina and alumina sol.
【請求項2】 化合物群(C)の中間アルミナ及びアル
ミナゾルが比表面積30〜300m2 /g、平均粒径
0.01〜5μmである請求項1記載の研磨液組成物。
2. The polishing composition according to claim 1, wherein the intermediate alumina and the alumina sol of the compound group (C) have a specific surface area of 30 to 300 m 2 / g and an average particle size of 0.01 to 5 μm.
【請求項3】 中間アルミナが、比表面積10m2 /g
以上かつアルカリ金属及びアルカリ土類金属の含有量が
0.1重量%以下の水酸化アルミニウム及び/又はアル
ミナゾルより製造されたものである請求項1又は2記載
の研磨液組成物。
3. The intermediate alumina has a specific surface area of 10 m 2 / g.
3. The polishing composition according to claim 1, wherein the polishing composition is produced from aluminum hydroxide and / or alumina sol having a content of alkali metal and alkaline earth metal of 0.1% by weight or less.
【請求項4】 請求項1〜3いずれか記載の研磨液組成
物を用いて被研磨基板を研磨する被研磨基板の研磨方
法。
4. A method for polishing a substrate to be polished, comprising polishing the substrate to be polished using the polishing composition according to claim 1.
【請求項5】 請求項1〜3いずれか記載の研磨液組成
物を用いて被研磨基板を研磨する工程を有する基板の製
造方法。
5. A method for producing a substrate, comprising a step of polishing a substrate to be polished using the polishing composition according to claim 1.
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