JP3875156B2 - Roll-off reducing agent - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ロールオフ低減剤及びそれを用いた研磨液組成物に関する。更には、該研磨液組成物を用いた基板の製造方法及び基板のロールオフを低減する方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
ハードディスクは、高容量化を推進する技術に対しての要望が高まっている。高容量化への有力な手段の一つとして、研磨工程で発生するロールオフ(被研磨基板の端面だれ)を小さくし、より外周部まで記録できることが望まれている。このようなロールオフを低減した基板を製造するため、研磨パッドを堅くする、研磨荷重を小さくするといった機械的条件が検討されている。しかしながら、このような機械的研磨条件は効果があるもののいまだ充分とは言えない。また、研磨工程に使用する研磨液組成物によってロールオフを低減する観点から、水酸基を持つ有機酸に代表される特定の有機酸の使用(特開2002−12857号公報)、アルミニウム塩のゾル化生成物の使用(特開2002−20732号公報)、ポリアルキレンオキサイド化合物の使用(特開2002−167575号公報)等が検討されているがロールオフを充分に低減しえるとは言い切れないのが現状である。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、研磨速度が充分に得られ、かつ、研磨で生じる基板のロールオフを低減し得るロールオフ低減剤、該ロールオフ低減剤を含有する研磨液組成物、該研磨液組成物を用いた基板の製造方法、前記ロールオフ低減剤又は前記研磨液組成物を用いたロールオフを低減する方法を提供することを目的とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】
即ち、本発明の要旨は、
〔1〕 ロールオフ低減剤、研磨材及び水を含有してなる研磨液組成物であって、
該ロールオフ低減剤が、下式で示される粘度低下量が0.01mPa・s以上の粘度低下作用を有するブレンステッド酸又はその塩からなり、
粘度低下量=基準研磨液組成物の粘度 − ロールオフ低減剤含有研磨液組成物の粘度
〔但し、基準研磨液組成物は研磨材(αタイプのコランダム結晶で構成されたAl純度98.0重量%以上の高純度アルミナ)20重量部、クエン酸1重量部及び水79重量部からなり、ロールオフ低減剤含有研磨液組成物は研磨材(αタイプのコランダム結晶で構成されたAl純度98.0重量%以上の高純度アルミナ)20重量部、クエン酸1重量部、水78.9重量部及びロールオフ低減剤0.1重量部からなり、粘度は剪断速度1500S−1、25℃における粘度を意味する。〕、かつ
式1〜式3:
【化3】
(式中、M 及びM は、それぞれ同種、異種を問わず、水素原子、金属原子、アンモニウム、又は有機アンモニウムを示す)
に示される官能基を1つ以上含有する化合物
又は式4:
【化4】
(式中、M 及びM は前記と同じ。M は、水素原子、金属原子、アンモニウム、又は有機アンモニウムを示す)
で示される化合物であり、
前記研磨材が、α−アルミナ粒子と中間アルミナ粒子を含む、研磨液組成物
〔2〕 更に、有機酸又はその塩を含有してなる前記〔1〕記載の研磨液組成物、
〔3〕 有機酸がクエン酸である前記〔2〕記載の研磨液組成物、
〔4〕記〔1〕〜〔3〕いずれか記載の研磨液組成物を用いて、被研磨基板を研磨する工程を有する基板の製造方法、並びに
〔5〕 前記〔1〕〜〔3〕いずれか記載の研磨液組成物を用いて研磨することにより基板のロールオフを低減する方法
に関する。
【0005】
【発明の実施の形態】
本発明のロールオフ低減剤は、前記のように、下式で示される粘度低下量が0.01mPa・s以上の粘度低下作用を有するブレンステッド酸又はその塩からなるロールオフ低減剤である。
粘度低下量=基準研磨液組成物の粘度 − ロールオフ低減剤含有研磨液組成物の粘度
〔但し、基準研磨液組成物は研磨材(αタイプのコランダム結晶で構成されたAl2O3純度98.0重量%以上の高純度アルミナ)20重量部、クエン酸1重量部及び水79重量部からなり、ロールオフ低減剤含有研磨液組成物は研磨材(αタイプのコランダム結晶で構成されたAl2O3純度98.0重量%以上の高純度アルミナ)20重量部、クエン酸1重量部、水78.9重量部及びロールオフ低減剤0.1重量部からなり、粘度は剪断速度1500S-1、25℃における粘度(以下、特定粘度ともいう)を意味する。〕
【0006】
本発明においては、かかるロールオフ低減剤を研磨液組成物に配合することにより、基板のロールオフを有意に低減することができ、外周部まで記録できる記憶容量が大きな基板を生産できるという顕著な効果が発現される。
【0007】
本発明のロールオフ低減剤において、ロールオフ低減剤含有研磨液組成物の、剪断速度1500S-1、25℃における粘度(特定粘度)の低下量としては、後述のように研磨液組成物のパッド−被研磨基板間への供給量と研磨クズの除去性を向上させ、十分なロールオフ低減作用を得る観点から、0.01mPa・s以上、好ましくは0.02mPa・s以上、より好ましくは0.03mPa・s以上、特に好ましくは0.1mPa・s以上であり、また、十分な研磨速度を得る観点から、好ましくは1mPa・s以下、より好ましくは0.9mPa・s以下である。ロールオフ低減作用と研磨速度の両面から考え合わせると、特定粘度の低下量は、0.02〜1mPa・sが好ましく、更に好ましくは0.03〜1mPa・s、特に好ましくは0.1〜0.9mPa・sである。
【0008】
本発明に用いられる基準研磨液組成物とは、研磨材(αタイプのコランダム結晶で構成されたAl2O3純度98.0重量%以上の高純度アルミナ)20重量部、クエン酸1重量部及び水79重量部から構成される研磨液組成物である。また、ロールオフ低減剤含有研磨液組成物とは、研磨材(αタイプのコランダム結晶で構成されたAl2O3純度98.0重量%以上の高純度アルミナ)20重量部、クエン酸1重量部、水78.9重量部及びロールオフ低減剤0.1重量部から構成される研磨液組成物である。そして、本発明における粘度低下量とは、前記基準研磨液組成物を比較対象とした、ロールオフ低減剤含有研磨液組成物の粘度の低下量をいい、この粘度低下量は、以下の式から算出することができる。
粘度低下量=基準研磨液組成物の粘度 − ロールオフ低減剤含有研磨液組成物の粘度
【0009】
前記粘度低下量を測定する際に研磨材として用いられるαタイプのコランダム結晶で構成されたAl2O3純度98.0重量%以上の高純度アルミナとしては、その他の成分としてSiO2 が1.2重量%以下、Fe2 3 が0.2重量%以下、Na2 Oが0.7重量%以下が好適であり、また、累積高さ50%点の粒子径が0.6μmのアルミナが好適であり、その具体例としては、フジミインコーポレーテッド社製の「WA#10000」(商品名)が挙げられる。
【0010】
前記粘度は、研磨液組成物の剪断速度1500S-1、25℃における粘度をいい、研磨液組成物の高いシェアー粘度を測定可能な機器で測定され、具体的には、後述の実施例に記載の条件にてReometric Scientific社製Ares-100FRT-BATH-STD(商品名)を用いて測定する値をいう。
【0011】
本発明のロールオフ低減剤は、前記のように、研磨液組成物の特定粘度の低下作用に加え、被研磨基板のロールオフ低減作用を有する。これら2つの作用機構の関係について、詳しくは明らかではないが、以下のことが考えられる。即ち、ロールオフ低減剤は、所謂レオロジーコントロール剤として、分散質の界面に作用し、分散質粒子同士の主に衝突の大きさや数を等をコントロールしたり、他の化合物が形成した構造を破壊したりすることで前記特定粘度が低減される。そして、このように研磨液組成物の特定粘度が低減されることで、研磨液組成物のパッド−被研磨基板間への供給性と研磨クズの排出性が向上し、このことにより被研磨物の内側(基板中心部)の研磨量が増大して、基板の内側と外側(端面部)の研磨速度の差が相対的に小さくなり、結果としてロールオフが低減すると推定される。
【0012】
本発明に使用されるロールオフ低減剤は、前記特定粘度を0.01mPa・s以上低減させるブレンステッド酸又はその塩である。ここで、ブレンステッド酸とは、水溶液にすることで水分子にH+ を与えオキソニウムイオンを生じる化合物をいう。また、その塩としては、特に限定はなく、例えば、金属又はアンモニウム又はアルキルアンモニウム、有機アミン等の有機アンモニウムとの塩が挙げられる。
【0013】
前記ロールオフ低減剤としては、例えば、分子内に式1〜式3:
【0014】
【化3】
【0015】
(式中、M1 及びM2 は、それぞれ同種、異種を問わず、水素原子、金属原子、アンモニウム、又は有機アンモニウムを示す)
に示される官能基を1つ以上含有する化合物もしくは式4:
【0016】
【化4】
【0017】
(式中、M1 及びM2 は前記と同じ、M3 は、水素原子、金属原子、アンモニウム、又は有機アンモニウムを示す)
で示される化合物が好ましい。
【0018】
特定粘度低下と取り扱いの面から、分子内に式1〜式3に示される官能基を含有するロールオフ低減剤の分子量としては、100 〜10000 が好ましく、より好ましくは100 〜5000であり、更に好ましくは150 〜2000である。
【0019】
ロールオフ低減剤1分子当たりの式1〜3に示される官能基数は、特定粘度低下と取り扱いの面から、1〜100 が好ましく、より好ましくは1〜50であり、特に好ましくは1 〜20である。
【0020】
式1〜式3で示される官能基を1つ以上有する化合物及び式4で示される化合物の中では、粘度低下量を考慮した場合、式1、2又は3で示される官能基を有する化合物が好ましく、特に好ましくは式2又は3で示される官能基を有する化合物である。
【0021】
中でも、工業的な入手性を考慮すると、式1で示される官能基を含有する化合物としては、式5:
【0022】
【化5】
【0023】
〔式中、R1 は炭素数1〜24の炭化水素基を示す。M1 及びM2 は前記と同じ。〕
で示される化合物がより好ましい。この場合、R1 中の1つ以上の水素原子は、水酸基、アミノ基、又は式1で示される官能基で置換されていてもよい。また、式2で示される官能基を含有する化合物としては、式6、7:
【0024】
【化6】
【0025】
〔式中、R2 は他に官能基を有してもよい炭素数1〜24の炭化水素基、R3 は炭素数2〜4のアルキレンオキサイド基又は
【0026】
【化7】
【0027】
、R4 は炭素数1〜24の炭化水素基又は水素原子を示す。nは1〜100の正の整数を示す。M1 、M2 及びM3 は前記と同じ。〕
で示される化合物が好ましい。式中、R2 、R4 の炭化水素基中の1つ以上の水素原子は水酸基、アミノ基等の官能基で置換されていてもよい。更に式3で示される官能基を含有する化合物としては式8:
【0028】
【化8】
【0029】
〔R5 、R6 は炭素数1〜24の炭化水素基を示す。M1 は前記と同じ。〕
で示される化合物が好ましい。式中、R5 、R6 の炭化水素基中の1つ以上の水素原子は水酸基、アミノ基等の官能基で置換されていてもよい。
【0030】
また、式中のM1 〜M3 が水素原子でない場合、金属の具体例としては、周期律表(長周期型)1A、1B、2A、2B、3A、3B、4A、6A、7A又は8族に属する金属が挙げられ、中でも、ロールオフ低減の観点から、1A、3A、3B、7A又は8族に属する金属が好ましく、1A、3A又は3B族に属する金属が更に好ましく、1A族に属するナトリウム、カリウムが最も好ましい。アルキルアンモニウムの具体例としては、テトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム等が挙げられる。有機アミン等の具体例としては、ジメチルアミン、トリメチルアミン、アルカノールアミン等が挙げられる。これらの中では、アンモニウム、ナトリウム及びカリウムが特に好ましい。
【0031】
上記式1〜3の官能基を含有する化合物及び式4で示される化合物の具体例としては、直鎖又は環状の無機リン酸類、有機ホスホン酸類又はその塩、リン酸モノエステル類、リン酸ジエステル類及びそれらの塩等が挙げられる。直鎖又は環状の無機リン酸類としては、リン酸、ポリリン酸、メタリン酸、ピロリン酸等が、有機ホスホン酸類としては、アミノトリ(メチレンホスホン酸)「ディクエスト2000(ソルシアジャパン製)」、1−ヒドロキシエチリデン−1、1−ジホスホン酸「ディクエスト2010(ソルシアジャパン製)」、トリカルボキシルブタンホスホン酸「ディクエスト7000(ソルシアジャパン製)」等が、リン酸モノエステル類としては、ラウリルリン酸モノエステル、ステアリルリン酸モノエステル塩、ポリオキシエチレンモノラウリルエーテルリン酸モノエステル、ポリオキシエチレンモノミリスチルエーテルリン酸モノエステル等が、リン酸ジエステル類としては、ジラウリルリン酸ジエステル、ビス(ポリオキシエチレンモノラウリルエーテル)等がそれぞれ挙げられる。これらのうち、工業的入手性、経済性及び取り扱いの面で、無機リン酸類が好ましく、特に好ましくは無機リン酸類を2つ以上縮合させた無機縮合型リン酸類である。
【0032】
本発明のロールオフ低減剤は、研磨材、水等を含有する研磨液組成物に配合して使用できる。このようにして得られる研磨液組成物を本明細書においては、特に「ロールオフ低減剤組成物」と呼ぶ。即ち、本発明のロールオフ低減剤組成物は少なくとも前記ロールオフ低減剤、研磨材及び水を含有するものである。
【0033】
ロールオフ低減剤組成物中における前記ロールオフ低減剤の含有量は、粘度低減(ロールオフ低減)の観点、研磨性能の観点から、研磨液組成物中0.001重量%以上が好ましく、また、経済的な観点、被研磨物の面質の観点から、5重量%以下が好ましい。より好ましくは0.005〜3重量%、さらに好ましくは0.01〜1.5重量%、もっとも好ましくは0.05〜1重量%である。なお、ロールオフ低減剤は、単独で又は2種以上を混合して用いることができる。
【0034】
本発明に用いられる研磨材は、研磨用に一般に使用されている研磨材を使用することができる。該研磨材の例としては、金属;金属又は半金属の炭化物、窒化物、酸化物、ホウ化物;ダイヤモンド等が挙げられる。金属又は半金属元素は、周期律表(長周期型)の2A、2B、3A、3B、4A、4B、5A、6A、7A又は8族由来のものである。研磨材の具体例として、α−アルミナ粒子、中間アルミナ粒子、アルミナゾル、炭化ケイ素粒子、ダイヤモンド粒子、酸化マグネシウム粒子、酸化亜鉛粒子、酸化セリウム粒子、酸化ジルコニウム粒子、コロイダルシリカ粒子、ヒュームドシリカ粒子等が挙げられ、これらを1種以上使用することは、研磨速度を向上させる観点から好ましい。また、研磨特性の必要性に応じてこれらの2種以上を混合して使用してもよい。研磨用途別ではNi-Pメッキされたアルミニウム合金基板の粗研磨はα−アルミナ粒子、中間アルミナ粒子、アルミナゾル等のアルミナ粒子が好ましく、更にはα−アルミナ粒子と中間アルミナ粒子(なかでもθ−アルミナ)との組み合わせが研磨速度向上、表面欠陥防止及び表面粗さ低減から特に好ましい。また、Ni-Pメッキされたアルミニウム合金基板の仕上げ研磨はコロイダルシリカ粒子、ヒュームドシリカ粒子等のシリカ粒子が好ましい。ガラス材質の研磨には酸化セリウム粒子、アルミナ粒子が好ましい。半導体ウェハや半導体素子等の研磨では酸化セリウム粒子、アルミナ粒子、シリカ粒子が好ましい。
【0035】
研磨材の一次粒子の平均粒径は、研磨速度を向上させる観点から、好ましくは0.01〜3μm、さらに好ましくは0.01〜0.8μm、特に好ましくは0.02〜0.5μmである。さらに、一次粒子が凝集して二次粒子を形成している場合は、同様に研磨速度を向上させる観点及び被研磨物の表面粗さを低減させる観点から、その二次粒子の平均粒径は、好ましくは0.02〜3μm、さらに好ましくは0.05〜1.5μm、特に好ましくは0.1〜1.2μmである。研磨材の一次粒子の平均粒径は、走査型電子顕微鏡で観察(好適には3000〜30000 倍)又は透過型電子顕微鏡で観察(好適には10000 〜300000倍)して画像解析を行い、粒径を測定することにより求めることができる。また、二次粒子の平均粒径はレーザー光回折法を用いて体積平均粒径として測定することができる。
【0036】
研磨材の比重は、分散性及び研磨装置への供給性や回収再利用性の観点から、その比重は2〜6であることが好ましく、2〜5であることがより好ましい。
研磨材の総含有量は、経済性及び表面粗さを小さくし、効率よく研磨することができるようにする観点から、ロールオフ低減剤組成物中において好ましくは1〜40重量%、より好ましくは2〜30重量%、さらに好ましくは3〜25重量%である。
【0037】
本発明のロールオフ低減剤組成物中の水は、媒体として使用されるものであり、その含有量は被研磨物を効率良く研磨する観点から、好ましくは55〜98.999重量%、より好ましくは60〜97.5重量%、さらに好ましくは70〜96.8重量%である。
【0038】
また、本発明のロールオフ低減剤組成物には、目的に応じて他の成分を配合することができる。他の化合物としては、好ましくは研磨速度向上剤としての有機酸又はその塩が挙げられる。
【0039】
有機酸又はその塩は研磨速度を向上するものであれば特に限定はないが、モノ又は多価カルボン酸、アミノカルボン酸、アミノ酸及びそれらの塩等が挙げられる。これらの化合物はその特性から化合物群(A)と化合物群(B)に大別される。
【0040】
化合物群(A)に属する化合物は、単独で研磨速度を向上することも可能であるが、顕著な特徴としては化合物群(B)に代表される他の研磨速度向上剤と組み合わせた場合ロールオフを低減する作用も有する化合物である。これらの化合物群(A)と本発明のロールオフ低減剤とを組み合わせることでロールオフをより一層小さくすることができる。化合物群(A)の化合物としてはOH基又はSH基を含有する炭素数2〜20のモノ又は多価カルボン酸、炭素数2〜3のジカルボン酸、炭素数1〜20のモノカルボン酸及びそれらの塩より選ばれる1種以上の化合物である。OH基又はSH基を含有するモノ又は多価カルボン酸の炭素数は水への溶解性の観点から2〜20であり、2〜10が好ましく、より好ましくは2〜8、さらに好ましくは2〜6である。例えば、ロールオフ低減の観点から、α―ヒドロキシカルボキシル化合物が好ましい。炭素数2〜3のジカルボン酸とは即ちシュウ酸とマロン酸を指す。前記モノカルボン酸の炭素数は、水への溶解性の観点から、1〜10が好ましく、より好ましくは1〜8、さらに好ましくは1〜5である。化合物群(A)のうち、研磨速度の面からは、α―ヒドロキシカルボン酸又はその塩が好ましい。
【0041】
OH基又はSH基を含有する炭素数2〜20のモノ又は多価カルボン酸、炭素数2〜3のジカルボン酸、炭素数1〜20のモノカルボン酸の具体例としては、特開2002−12857号公報2頁右欄44行〜3 頁左欄45行等に記載されているものが挙げられる。
【0042】
OH基又はSH基を有する炭素数2〜20のカルボン酸の具体例としては、グリコール酸、メルカプトコハク酸、チオグリコール酸、乳酸、β- ヒドロキシプロピオン酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、イソクエン酸、アロクエン酸、グルコン酸、グリオキシル酸、グリセリン酸、マンデル酸、トロパ酸、ベンジル酸、サリチル酸等が挙げられる。モノカルボン酸の具体例としては、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、イソ酪酸、吉草酸、イソ吉草酸、ヘキサン酸、ヘプタン酸、2-メチルヘキサン酸、オクタン酸、2-エチルヘキサン酸、ノナン酸、デカン酸、ラウリン酸等が挙げられる。これらの中で、酢酸、シュウ酸、マロン酸、グリコール酸、乳酸、リンゴ酸、酒石酸、グリオキシル酸、クエン酸及びグルコン酸が好ましく、さらに好ましくは、シュウ酸、マロン酸、グリコール酸、乳酸、リンゴ酸、酒石酸、グリオキシル酸、クエン酸及びグルコン酸であり、特に好ましくはリンゴ酸、酒石酸、クエン酸であり、最も好ましくはクエン酸である。
【0043】
これら化合物群(A)の塩としては、特に限定はなく、具体的には、金属、アンモニウム、アルキルアンモニウム、有機アミン等との塩が挙げられる。金属の具体例としては、周期律表(長周期型)1A、1B、2A、2B、3A、3B、4A、6A、7A又は8族に属する金属が挙げられる。これらの金属の中でも、目詰まり低減の観点から1A、3A、3B、7A又は8族に属する金属が好ましく、1A、3A又は3B族に属する金属が更に好ましく、1A族に属するナトリウム、カリウムが最も好ましい。
【0044】
アルキルアンモニウムの具体例としては、テトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム等が挙げられる。
【0045】
有機アミン等の具体例としては、ジメチルアミン、トリメチルアミン、アルカノールアミン等が挙げられる。
【0046】
これらの塩の中では、アンモニウム塩、ナトリウム塩及びカリウム塩が特に好ましい。
【0047】
化合物群(A)は単独で用いても良いし、2種以上を混合して用いても良い。
【0048】
本発明に用いる化合物群(B)は、特に研磨速度向上の作用に優れる化合物である。化合物群(B)としては炭素数4以上のOH基又はSH基を有しない多価カルボン酸、アミノカルボン酸、アミノ酸及びそれらの塩等が挙げられる。
研磨速度向上の観点からは、炭素数4以上のOH基又はSH基を有しない多価カルボン酸中でも炭素数4〜20が好ましく、さらに水溶性の観点を加味すると炭素数4〜10が好ましい。また、そのカルボン酸価数は2〜10、好ましくは2〜6、特に好ましくは2〜4である。また、同様の観点から、アミノカルボン酸としては、1分子中のアミノ基の数は1〜6が好ましく、更に1〜4が好ましい。そのカルボン酸基の数としては1〜12が好ましく、更には2〜8が好ましい。また、炭素数としては1〜30が好ましく、更には1〜20が好ましい。前記と同様の観点から、アミノ酸の炭素数としては2〜20が好ましく、更に2〜10が好ましい。
【0049】
化合物群(B)の具体例としては、特開2002−30276公報4頁左欄13行〜4頁30行等に記載されているものが挙げられる。
【0050】
具体的にはコハク酸、マレイン酸、フマル酸、グルタル酸、シトラコン酸、イタコン酸、トリカルバル酸、アジピン酸、プロパン−1,1,2,3−テトラカルボン酸、ブタン−1,2,3,4−テトラカルボン酸、ジグリコール酸、ニトロトリ酢酸、エチレンジアミンテトラ酢酸(EDTA)、ジエチレントリアミンペンタ酢酸(DTPA)、ヒドロオキシエチルエチレンジアミンテトラ酢酸(HEDTA)、トリエチレンテトラミンヘキサ酢酸(TTHA)、ジカルボキシメチルグルタミン酸(GLDA)、グリシン、アラニン等が挙げられる。
これらの中でもコハク酸、マレイン酸、フマル酸、グルタル酸、シトラコン酸、イタコン酸、トリカルバル酸、アジピン酸、ジグリコール酸、ニトロトリ酢酸、エチレンジアミンテトラ酢酸、ジエチレントリアミンペンタ酢酸が好ましく、さらにコハク酸、マレイン酸、フマル酸、シトラコン酸、イタコン酸、トリカルバル酸、ジグリコール酸、エチレンジアミンテトラ酢酸、ジエチレントリアミンペンタ酢酸がより好ましい。
【0051】
これら化合物群(B)の塩としては、前記化合物群(A)と同様のものが挙げられる。
【0052】
化合物群(B)は単独で用いても良いし、2種以上を混合して用いても良い。更には化合物群(A)と化合物群(B)を組み合わせることが研磨性能のバランスの上で特に好ましい。
【0053】
また、これらの有機酸又はその塩の総含有量は、機能を発現させる観点及び経済性の観点から、好ましくはロールオフ低減剤組成物中0.01〜10重量%、より好ましくは0.02〜7重量%、さらに好ましくは0.03〜5重量%である。
【0054】
また、前記有機酸又はその塩以外の他の成分としては、無機酸及びその塩、酸化剤、防錆剤、塩基性物質等が挙げられる。無機酸及びその塩、並びに酸化剤の具体例としては、特開昭62-25187号公報2 頁右上欄3 〜11行目、特開昭63-251163 号公報2頁左下欄7行〜14行、特開平1-205973号公報3 頁左上欄11行〜右上欄2 行、特開平3-115383号公報2 頁右下欄16行〜3 頁左上欄11行、特開平4-275387号公報2 頁右欄27行〜3 頁左欄12行等に記載されているものが挙げられる。無機酸及びその塩としては、具体的には硫酸、硫酸アンモニウム、硫酸カリウム、硫酸ニッケル、硫酸アルミニウム、亜硫酸アルミニウム、スルファミン酸アンモニウム等に代表される含硫黄無機酸及びその塩が挙げられる。これらの成分は単独で用いても良いし、2種以上を混合して用いても良い。また、その含有量は、それぞれの機能を発現させる観点及び経済性の観点から、好ましくはロールオフ低減剤組成物中0.05〜20重量%、より好ましくは0.05〜10重量%、さらに好ましくは0.05〜5重量%である。
【0055】
さらに他の成分として必要に応じて殺菌剤や抗菌剤等を配合することができる。これらの殺菌剤、抗菌剤の含有量は、機能を発現する観点、研磨性能への影響、経済面の観点からロールオフ低減剤組成物中0.0001〜0.1 重量%、より好ましくは0.001 〜0.05重量%更に好ましくは0.002 〜0.02重量%である。
【0056】
尚、前記ロールオフ低減剤組成物中の各成分の濃度は、研磨する際の好ましい濃度であるが、該組成物の製造時の濃度であって良い。通常、研磨液組成物は濃縮液として製造され、これを使用時に希釈して用いる場合が多い。
また、ロールオフ低減剤組成物は、目的の添加物を任意の方法で添加、混合して製造することができる。
【0057】
ロールオフ低減剤組成物のpHは、被研磨物の種類や要求品質等に応じて適宜決定することが好ましい。例えば、ロールオフ低減剤組成物のpHは、被研磨物の洗浄性及び加工機械の腐食防止性、作業者の安全性の観点から、2 〜12が好ましい。また被研磨物がNi-Pメッキされたアルミニウム合金基板等の金属を主対象とした精密部品用基板である場合、研磨速度の向上と表面品質の向上、パッド目詰まり防止の観点から、pHは2〜10が好ましく、2〜9がより好ましく、更に2〜7が好ましく、特に好ましくは2〜5である。さらに、半導体ウェハや半導体素子等の研磨、特にシリコン基板、ポリシリコン膜、SiO2 膜等の研磨に用いる場合は、研磨速度の向上と表面品質の向上の観点から、7〜12が好ましく、8〜11がより好ましく、9〜11が特に好ましい。該pHは、必要により、硝酸、硫酸等の無機酸、オキシカルボン酸、多価カルボン酸やアミノポリカルボン酸、アミノ酸等の有機酸、及びその金属塩やアンモニウム塩、アンモニア、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アミン等の塩基性物質を適宜、所望量で配合することで調整することができる。
【0058】
本発明の基板の製造方法は、前記ロールオフ低減剤組成物を用いて被研磨基板を研磨する工程を有している。
本発明の対象である被研磨基板に代表される被研磨物の材質は、例えば、シリコン、アルミニウム、ニッケル、タングステン、銅、タンタル、チタン等の金属又は半金属、及びこれらの金属を主成分とした合金、ガラス、ガラス状カーボン、アモルファスカーボン等のガラス状物質、アルミナ、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、窒化タンタル、窒化チタン等のセラミック材料、ポリイミド樹脂等の樹脂等が挙げられる。これらの中では、アルミニウム、ニッケル、タングステン、銅等の金属及びこれらの金属を主成分とする合金が被研磨物であるか、又はそれらの金属を含んだ半導体素子等の半導体基板が被研磨物であることが好ましい。特に、Ni-Pメッキされたアルミニウム合金からなる基板を研磨する際に本発明のロールオフ低減剤組成物を用いた場合、ロールオフを特に低減できるので好ましい。従って、本発明は、前記基板のロールオフの低減方法に関する。
【0059】
これらの被研磨物の形状には特に制限がなく、例えば、ディスク状、プレート状、スラブ状、プリズム状等の平面部を有する形状や、レンズ等の曲面部を有する形状が本発明のロールオフ低減剤組成物を用いた研磨の対象となる。その中でも、ディスク状の被研磨物の研磨に特に優れている。
【0060】
本発明のロールオフ低減剤組成物は、精密部品用基板の研磨に好適に用いられる。例えば、磁気ディスク、光ディスク、光磁気ディスク等の磁気記録媒体の基板、フォトマスク基板、液晶用ガラス、光学レンズ、光学ミラー、光学プリズム、半導体基板等の研磨に適している。半導体基板の研磨は、シリコンウェハ(ベアウェハ)のポリッシング工程、埋め込み素子分離膜の形成工程、層間絶縁膜の平坦化工程、埋め込み金属配線の形成工程、埋め込みキャパシタ形成工程等において行われる研磨がある。本発明のロールオフ低減組成物は、特に磁気ディスク基板の研磨に適している。
【0061】
また、本発明のロールオフ低減剤を用いる被研磨基板のロールオフ低減方法において、上記に挙げた被研磨基板を本発明のロールオフ低減剤を含有した研磨液又は本発明のロールオフ低減剤組成物そのものを研磨液として用いて研磨することにより、被研磨基板のロールオフを顕著に低減できる。例えば、不織布状の有機高分子系の研磨布等を貼り付けた研磨盤で基板を挟み込み、本発明のロールオフ低減剤を含有した研磨液又は本発明のロールオフ低減剤組成物を研磨面に供給し、圧力を加えながら研磨盤や基板を動かすことにより、ロールオフを低減した基板を製造することができる。
【0062】
本発明において被研磨基板に発生したロールオフは、例えば、触針式、光学式等の形状測定装置を用いて端面部分の形状を測定し、そのプロファイルより端面部分がディスク中央部に比較してどれくらい多く削れているかを数値化することにより評価することが可能である。
【0063】
数値化の方法は、図1に示すように、ディスク中心からある距離離れたA点とB点とC点といった測定曲線(被研磨基板の端面部分の形状を意味する)上の3点をとり、A点とC点を結んだ直線をベースラインとし、B点とベースラインとの距離(D)を言うものである。ロールオフが良いとはD値がより0に近い値であることを意味する。ロールオフ値はDを研磨前後のディスクの厚さの変化量の1/2で除した値を言う。
【0064】
本発明のロールオフ低減剤組成物は、ポリッシング工程において特に効果があるが、これ以外の研磨工程、例えば、ラッピング工程等にも同様に適用することができる。
【0065】
【実施例】
実施例1〜5及び比較例1、2
〔粘度測定〕
1.粘度測定用研磨液組成物配合方法
イオン交換水69重量部にクエン酸1重量部を溶解、攪拌した後に研磨材(フジミインコーポレーテッド製、商品名:WA#10000)20重量部を攪拌しながら添加し、30分攪拌し、研磨液組成物(a)90重量部を得た。
【0066】
基準研磨液組成物は、前記研磨液組成物(a)90重量部を充分攪拌しながら、イオン交換水10重量部を加え、30分攪拌したものとした。
【0067】
ロールオフ低減剤含有研磨液組成物は、前記研磨液組成物(a)90重量部を充分攪拌しながら、目的のロールオフ低減剤の1%水溶液を10重量部加え、30分攪拌したものとした。
【0068】
2.粘度測定法
前記基準研磨液組成物及びロールオフ低減剤含有研磨液組成物の粘度を以下の条件で測定した。
測定機器:Reometric Scientific社製、Ares-100FRT-BATH-STD(商品名)
測定治具:ARES-COU32T34A(商品名)
測定条件:テストタイプ Rete Sweep
温度 25℃
初期剪断速度 1S-1
最終剪断速度 1500S-1
point per Decade 5
Measurement Time 2
解析ソフト:Orthestrator Software ver.6.4.3 (商品名)
得られた結果を表1に示す。
【0069】
【表1】
【0070】
表1の結果より、実施例1〜5で使用したロールオフ低減剤は、いずれも研磨液組成物の粘度低減作用を有することがわかる。また、比較例1の化合物は研磨液組成物の粘度を低減しないことがわかる。また、比較例2の化合物は、粘度低下量が0.01mPa・s以上であるが、ブレンステッド酸又はその塩でないものであり、後述の表2の比較例5の結果からわかるように、本発明のロールオフ低減剤に比べて、ロールオフ低減効果が劣ることがわかる。
【0071】
実施例6〜15、比較例3〜9
〔研磨液組成物配合方法〕
研磨材20重量部(一次粒径の平均粒径0.23μm 、二次粒子の平均粒径0.65μm のα−アルミナ(純度約99.9%)16重量部、中間アルミナ(θアルミナ、平均粒径0.22μm 、純度約99.9%)4重量部)、他の添加物として表2〜5に記載の添加剤を所定量、イオン交換水(残部)とを混合・攪拌し、研磨液組成物100重量部を得た。
【0072】
得られた研磨液組成物をイオン交換水で3倍希釈(vol/vol )し、ランク・テーラーホブソン社製のタリーステップ(触針先端サイズ:25μm×25μm、ハイパスフィルター:80μm、測定長さ:0.64mm)によって測定した中心線平均粗さRaが0.2 μm、厚さ1.27mm、直径3.5 インチ(直径95.0mm)のNi-Pメッキされたアルミニウム合金からなる基板の表面を両面加工機により、以下の両面加工機の設定条件でポリッシングし、磁気記録媒体用基板として用いられるNi-Pメッキされたアルミニウム合金基板の研磨物を得た。
両面加工機の設定条件を下記に示す。
【0073】
<両面加工機の設定条件>
両面加工機:スピードファーム(株)製、9B型両面加工機
加工圧力:9.8kPa
研磨パッド:フジボウ(株)製、H9900(商品名)
定盤回転数:30rpm
研磨液組成物希釈品供給流量:125ml/min
研磨時間:3.5min
投入した基板の枚数:10枚
【0074】
〔研磨速度〕
研磨前後の各基板の重さを計り〔Sartorius 社製、BP-210S (商品名)〕を用いて測定し、各基板の重量変化を求め、10枚の平均値を減少量とし、それを研磨時間で割った値を重量減少速度とした。重量の減少速度を下記の式に導入し、研磨速度(μm/min )に変換した。
【0075】
【0076】
〔ロールオフ〕
Zygo社製、Maxim 3D5700(商品名)を用いて以下の条件で測定した。
レンズ:Fizeau ×1
解析ソフト:Zygo Metro Pro(商品名)
上記の装置を用いて、ディスク中心から41.5mmから47.0mmまでのディスク端部の形状を測定し、図1のように、A、B及びC点の位置をディスク中心からそれぞれ41.5mm、47mm及び43mmにとり、解析ソフトを用いて前記測定方法により、D(ベースラインとB点との位置の差)を求めた。この求められたDを研磨前後のディスク研磨量の1/2で除した値をロールオフ値とした。
【0077】
【表2】
【0078】
表2では比較例3の研磨速度及びロールオフ値をそれぞれ基準値1とした時の相対値を示す。表2の結果より、表1で特定粘度を下げたロールオフ低減剤を用いた実施例6〜10では比較例3と比較して研磨速度をほぼ維持したままロールオフを低減することがわかる。また、表1で粘度低下が見られなかった硝酸ナトリウムを用いた比較例4ではロールオフ値が低減しないことがわかる。ポリプロピレンオキサイドポリエチレンオキサイドブロックポリマーを使用した比較例5では、ロールオフの低減量が少ないことがわかる。
【0079】
【表3】
【0080】
表3では比較例6の研磨速度及びロールオフ値をそれぞれ基準値1とした時の相対値を示す。表3の結果より、表1で特定粘度を下げたロールオフ低減剤を用いた実施例11では比較例6と比較して研磨速度をほぼ維持したままロールオフを低減することがわかる。
【0081】
【表4】
【0082】
表4では比較例7の研磨速度及びロールオフ値をそれぞれ基準値1とした時の相対値を示す。表4の結果より、複数の助剤が存在しても本発明のロールオフ低減剤を使用することでロールオフの低減効果があることがわかる。
【0083】
【表5】
【0084】
表5では比較例9の研磨速度、ロールオフ値を基準値1とした時の相対値を示す。表5の結果より、複数の助剤が存在しても本発明のロールオフ低減剤を使用することでロールオフの低減効果があることがわかる。
【0085】
【発明の効果】
本発明のロールオフ低減剤又はロールオフ低減剤を含有するロールオフ低減剤組成物を精密部品用基板等の研磨に用いることにより、該基板のロールオフを著しく低減させる効果が奏される。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、測定曲線とロールオフとの関係を示す図である。
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a roll-off reducing agent and a polishing liquid composition using the same. Furthermore, it is related with the manufacturing method of a board | substrate using this polishing liquid composition, and the method of reducing the roll-off of a board | substrate.
[0002]
[Prior art]
Hard disks are increasingly demanded for technologies that promote higher capacity. As one of the effective means for increasing the capacity, it is desired that the roll-off (the edge of the substrate to be polished) generated in the polishing process can be reduced and the recording can be performed to the outer periphery. In order to manufacture such a substrate with reduced roll-off, mechanical conditions such as hardening the polishing pad and reducing the polishing load have been studied. However, although such mechanical polishing conditions are effective, they are still not sufficient. Further, from the viewpoint of reducing roll-off by the polishing composition used in the polishing process, the use of a specific organic acid typified by an organic acid having a hydroxyl group (Japanese Patent Laid-Open No. 2002-12857), solation of an aluminum salt The use of products (Japanese Patent Laid-Open No. 2002-20732), the use of polyalkylene oxide compounds (Japanese Patent Laid-Open No. 2002-167575) and the like have been studied, but it cannot be said that roll-off can be sufficiently reduced. Is the current situation.
[0003]
[Problems to be solved by the invention]
The present invention uses a roll-off reducing agent capable of sufficiently obtaining a polishing rate and reducing roll-off of a substrate caused by polishing, a polishing liquid composition containing the roll-off reducing agent, and the polishing liquid composition. Another object of the present invention is to provide a method for reducing roll-off using a substrate manufacturing method, the roll-off reducing agent or the polishing composition.
[0004]
[Means for Solving the Problems]
That is, the gist of the present invention is as follows.
[1]A polishing composition comprising a roll-off reducing agent, an abrasive and water,
The roll-off reducing agent isIt is composed of Bronsted acid or a salt thereof having a viscosity decreasing action of 0.01 mPa · s or more as shown in the following formula.The
Viscosity reduction amount = viscosity of reference polishing composition-viscosity of roll-off reducing agent-containing polishing composition
[However, the reference polishing liquid composition is an abrasive (Al composed of α-type corundum crystals.2O3The composition comprises 20 parts by weight of high-purity alumina having a purity of 98.0% by weight or more, 1 part by weight of citric acid and 79 parts by weight of water. The roll-off reducing agent-containing polishing composition is composed of an abrasive (α type corundum crystals). Al2O3High-purity alumina having a purity of 98.0% by weight or more) 20 parts by weight, 1 part by weight of citric acid, 78.9 parts by weight of water, and 0.1 part by weight of a roll-off reducing agent.-1, Meaning viscosity at 25 ° C. ],And
Formula 1 to Formula 3:
[Chemical Formula 3]
(Where M 1 And M 2 Represents hydrogen atom, metal atom, ammonium, or organic ammonium, regardless of whether they are the same or different)
A compound containing one or more functional groups shown in
Or Equation 4:
[Formula 4]
(Where M 1 And M 2 Is the same as above. M 3 Represents a hydrogen atom, a metal atom, ammonium, or organic ammonium)
A compound represented by
Polishing liquid composition in which the abrasive comprises α-alumina particles and intermediate alumina particles.,
[2]Furthermore, an organic acid or a salt thereof is contained.[1] descriptionThe laboratoryPolishing liquid composition,
[3]The organic acid is citric acidThe polishing composition according to [2] aboveobject,
[4]in front[1]~ [3] eitherDescribedPolishing liquid compositionUsing,Manufacturing a substrate having a step of polishing a substrate to be polishedMethod and
[5] saidAny one of [1] to [3]Method for reducing substrate roll-off by polishing using the described polishing liquid composition
About.
[0005]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
As described above, the roll-off reducing agent of the present invention is a roll-off reducing agent composed of Bronsted acid or a salt thereof having a viscosity decreasing action of 0.01 mPa · s or more represented by the following formula.
Viscosity reduction amount = viscosity of reference polishing composition-viscosity of roll-off reducing agent-containing polishing composition
[However, the reference polishing composition is composed of 20 parts by weight of abrasive (high purity alumina composed of α-type corundum crystals of Al2O3 purity of 98.0% by weight or more), 1 part by weight of citric acid and 79 parts by weight of water. The roll-off reducing agent-containing polishing composition is 20 parts by weight of abrasive (high purity alumina composed of α-type corundum crystals and having an Al 2 O 3 purity of 98.0% by weight or more), 1 part by weight of citric acid, and 78.9 water. Part and 0.1 part by weight of a roll-off reducing agent, viscosity is 1500 S shear rate.-1, Meaning a viscosity at 25 ° C. (hereinafter also referred to as a specific viscosity). ]
[0006]
In the present invention, by adding such a roll-off reducing agent to the polishing composition, the roll-off of the substrate can be significantly reduced, and a substrate having a large storage capacity that can be recorded up to the outer peripheral portion can be produced. The effect is expressed.
[0007]
In the roll-off reducing agent of the present invention, the shear rate 1500 S of the roll-off reducing agent-containing polishing composition-1As the amount of decrease in viscosity (specific viscosity) at 25 ° C., as will be described later, the supply amount of the polishing liquid composition between the pad and the substrate to be polished and the removal of polishing debris are improved, and a sufficient roll-off reducing action is achieved. From the viewpoint of obtaining the above, 0.01 mPa · s or more, preferably 0.02 mPa · s or more, more preferably 0.03 mPa · s or more, particularly preferably 0.1 mPa · s or more, and a sufficient polishing rate. From the viewpoint of obtaining, it is preferably 1 mPa · s or less, more preferably 0.9 mPa · s or less. Considering both the roll-off reducing effect and the polishing rate, the amount of decrease in the specific viscosity is preferably 0.02 to 1 mPa · s, more preferably 0.03 to 1 mPa · s, and particularly preferably 0.1 to 0. .9 mPa · s.
[0008]
The reference polishing liquid composition used in the present invention is 20 parts by weight of an abrasive (high purity alumina composed of α-type corundum crystals and having an Al 2 O 3 purity of 98.0% by weight or more), 1 part by weight of citric acid and water 79. It is a polishing composition composed of parts by weight. Further, the roll-off reducing agent-containing polishing composition is 20 parts by weight of abrasive (high purity alumina composed of α-type corundum crystals and having a purity of 98.0% by weight or more), 1 part by weight of citric acid, water This polishing composition is composed of 78.9 parts by weight and 0.1 part by weight of a roll-off reducing agent. And the amount of viscosity reduction in the present invention refers to the amount of decrease in the viscosity of the roll-off reducing agent-containing polishing liquid composition with the reference polishing composition as a comparison target. Can be calculated.
Viscosity reduction amount = viscosity of reference polishing composition-viscosity of roll-off reducing agent-containing polishing composition
[0009]
As high purity alumina composed of α-type corundum crystals used as an abrasive when measuring the amount of reduced viscosity, Al2O3 purity of 98.0% by weight or more, other components include SiO.21.2 wt% or less, Fe2OThreeIs 0.2 wt% or less, Na2O is preferably 0.7% by weight or less, and alumina having a cumulative height of 50% and a particle diameter of 0.6 μm is suitable. Specific examples thereof include “WA #” manufactured by Fujimi Incorporated. 10,000 "(trade name).
[0010]
The viscosity is a shear rate of 1500S of the polishing composition.-1The viscosity at 25 ° C. is measured with an instrument capable of measuring the high shear viscosity of the polishing composition, and specifically, Ares-100FRT-BATH- manufactured by Reometric Scientific under the conditions described in the examples below. A value measured using STD (trade name).
[0011]
As described above, the roll-off reducing agent of the present invention has an effect of reducing the roll-off of the substrate to be polished in addition to the effect of reducing the specific viscosity of the polishing composition. The relationship between these two mechanisms of action is not clear in detail, but the following can be considered. In other words, the roll-off reducing agent acts as a so-called rheology control agent on the interface of the dispersoid, controls mainly the size and number of collisions between the dispersoid particles, and destroys the structure formed by other compounds. The specific viscosity is reduced. In addition, the specific viscosity of the polishing composition is reduced in this way, so that the ability of supplying the polishing composition to the pad and the substrate to be polished and the discharge of polishing debris are improved. It is estimated that the polishing amount on the inner side (substrate center) of the substrate increases and the difference in polishing rate between the inner side and the outer side (end surface portion) of the substrate becomes relatively small, and as a result, the roll-off is reduced.
[0012]
The roll-off reducing agent used in the present invention is a Bronsted acid or salt thereof that reduces the specific viscosity by 0.01 mPa · s or more. Here, the Bronsted acid is an aqueous solution that converts water molecules to H.+Is a compound that gives an oxonium ion. Moreover, there is no limitation in particular as the salt, For example, the salt with organic ammonium, such as a metal or ammonium or alkylammonium, an organic amine, is mentioned.
[0013]
Examples of the roll-off reducing agent include Formula 1 to Formula 3:
[0014]
[Chemical Formula 3]
[0015]
(Where M1And M2Are hydrogen atom, metal atom, ammonium, or organic ammonium, regardless of whether they are the same or different)
Or a compound containing one or more functional groups represented by formula (4):
[0016]
[Formula 4]
[0017]
(Where M1And M2Is the same as above, MThreeRepresents a hydrogen atom, a metal atom, ammonium, or organic ammonium)
The compound shown by these is preferable.
[0018]
From the viewpoint of specific viscosity reduction and handling, the molecular weight of the roll-off reducing agent containing the functional group represented by Formula 1 to Formula 3 in the molecule is preferably 100 to 10,000, more preferably 100 to 5000, Preferably it is 150-2000.
[0019]
The number of functional groups represented by the formulas 1 to 3 per molecule of the roll-off reducing agent is preferably 1 to 100, more preferably 1 to 50, and particularly preferably 1 to 20 in terms of specific viscosity reduction and handling. is there.
[0020]
Among the compounds having one or more functional groups represented by Formula 1 to Formula 3 and the compounds represented by Formula 4, when the amount of viscosity reduction is taken into consideration, the compound having the functional group represented by Formula 1, 2, or 3 is A compound having a functional group represented by Formula 2 or 3 is particularly preferable.
[0021]
Among them, in consideration of industrial availability, the compound containing the functional group represented by Formula 1 is represented by Formula 5:
[0022]
[Chemical formula 5]
[0023]
[In the formula, R1Represents a hydrocarbon group having 1 to 24 carbon atoms. M1And M2Is the same as above. ]
The compound shown by is more preferable. In this case, R1One or more hydrogen atoms therein may be substituted with a hydroxyl group, an amino group, or a functional group represented by Formula 1. Moreover, as a compound containing the functional group shown by Formula 2, Formula 6, 7:
[0024]
[Chemical 6]
[0025]
[In the formula, R2Is a hydrocarbon group having 1 to 24 carbon atoms which may have another functional group, RThreeIs an alkylene oxide group having 2 to 4 carbon atoms or
[0026]
[Chemical 7]
[0027]
, RFourRepresents a hydrocarbon group having 1 to 24 carbon atoms or a hydrogen atom. n represents a positive integer of 1 to 100. M1, M2And MThreeIs the same as above. ]
The compound shown by these is preferable. Where R2, RFourOne or more hydrogen atoms in the hydrocarbon group may be substituted with a functional group such as a hydroxyl group or an amino group. Furthermore, as a compound containing the functional group represented by Formula 3, Formula 8:
[0028]
[Chemical 8]
[0029]
[RFive, R6Represents a hydrocarbon group having 1 to 24 carbon atoms. M1Is the same as above. ]
The compound shown by these is preferable. Where RFive, R6One or more hydrogen atoms in the hydrocarbon group may be substituted with a functional group such as a hydroxyl group or an amino group.
[0030]
M in the formula1~ MThreeWhen is not a hydrogen atom, specific examples of the metal include metals belonging to the periodic table (long-period type) 1A, 1B, 2A, 2B, 3A, 3B, 4A, 6A, 7A or Group 8, From the viewpoint of reducing roll-off, a metal belonging to Group 1A, 3A, 3B, 7A or 8 is preferred, a metal belonging to Group 1A, 3A or 3B is more preferred, and sodium and potassium belonging to Group 1A are most preferred. Specific examples of alkylammonium include tetramethylammonium, tetraethylammonium, tetrabutylammonium and the like. Specific examples of the organic amine include dimethylamine, trimethylamine, alkanolamine and the like. Of these, ammonium, sodium and potassium are particularly preferred.
[0031]
Specific examples of the compound containing the functional group of formulas 1 to 3 and the compound represented by formula 4 include linear or cyclic inorganic phosphoric acids, organic phosphonic acids or salts thereof, phosphoric acid monoesters, phosphoric acid diesters. And salts thereof. Examples of linear or cyclic inorganic phosphoric acids include phosphoric acid, polyphosphoric acid, metaphosphoric acid, and pyrophosphoric acid. Examples of organic phosphonic acids include aminotri (methylene phosphonic acid) “Diquest 2000 (manufactured by Solcia Japan)”, 1- Hydroxyethylidene-1, 1-diphosphonic acid “Diquest 2010 (manufactured by Solcia Japan)”, tricarboxylbutanephosphonic acid “Diquest 7000 (manufactured by Solcia Japan)” and the like are monoesters of lauryl phosphate. Esters, stearyl phosphate monoester salts, polyoxyethylene monolauryl ether phosphate monoesters, polyoxyethylene monomyristyl ether phosphate monoesters, etc., and phosphoric diesters include dilauryl phosphate diester, bis (polyoxyethylene monoester) Lauryl ether) There are exemplified, respectively. Among these, in terms of industrial availability, economy, and handling, inorganic phosphoric acids are preferable, and inorganic condensed phosphoric acids obtained by condensing two or more inorganic phosphoric acids are particularly preferable.
[0032]
The roll-off reducing agent of the present invention can be used by blending it with a polishing composition containing an abrasive, water and the like. The polishing liquid composition thus obtained is particularly referred to as “roll-off reducing agent composition” in the present specification. That is, the roll-off reducing agent composition of the present invention contains at least the roll-off reducing agent, an abrasive and water.
[0033]
The content of the roll-off reducing agent in the roll-off reducing agent composition is preferably 0.001% by weight or more in the polishing composition from the viewpoint of viscosity reduction (roll-off reduction) and polishing performance. From the economical viewpoint and the viewpoint of the surface quality of the object to be polished, it is preferably 5% by weight or less. More preferably, it is 0.005 to 3 weight%, More preferably, it is 0.01 to 1.5 weight%, Most preferably, it is 0.05 to 1 weight%. In addition, a roll-off reducing agent can be used individually or in mixture of 2 or more types.
[0034]
As the abrasive used in the present invention, an abrasive generally used for polishing can be used. Examples of the abrasive include metals; metal or metalloid carbides, nitrides, oxides, borides; diamond and the like. The metal or metalloid element is derived from Group 2A, 2B, 3A, 3B, 4A, 4B, 5A, 6A, 7A or Group 8 of the periodic table (long period type). Specific examples of abrasives include α-alumina particles, intermediate alumina particles, alumina sol, silicon carbide particles, diamond particles, magnesium oxide particles, zinc oxide particles, cerium oxide particles, zirconium oxide particles, colloidal silica particles, fumed silica particles, etc. The use of one or more of these is preferable from the viewpoint of improving the polishing rate. Moreover, you may mix and use these 2 or more types according to the necessity of grinding | polishing characteristic. PolishingMaterialFor the purpose of rough polishing of an aluminum alloy substrate plated with Ni-P, alumina particles such as α-alumina particles, intermediate alumina particles, and alumina sol are preferable, and α-alumina particles and intermediate alumina particles (especially θ-alumina). Is particularly preferable from the viewpoint of improving the polishing rate, preventing surface defects and reducing the surface roughness. In addition, the finish polishing of the Ni-P plated aluminum alloy substrate is preferably performed using silica particles such as colloidal silica particles and fumed silica particles. For polishing a glass material, cerium oxide particles and alumina particles are preferred. For polishing semiconductor wafers and semiconductor elements, cerium oxide particles, alumina particles, and silica particles are preferable.
[0035]
The average particle size of the primary particles of the abrasive is preferably 0.01 to 3 μm, more preferably 0.01 to 0.8 μm, and particularly preferably 0.02 to 0.5 μm from the viewpoint of improving the polishing rate. . Furthermore, when primary particles are aggregated to form secondary particles, the average particle size of the secondary particles is similarly from the viewpoint of improving the polishing rate and reducing the surface roughness of the object to be polished. The thickness is preferably 0.02 to 3 μm, more preferably 0.05 to 1.5 μm, and particularly preferably 0.1 to 1.2 μm. The average particle size of the primary particles of the abrasive is observed with a scanning electron microscope (preferably 3000 to 30000 times) or observed with a transmission electron microscope (preferably 10000 to 300000 times), and image analysis is performed. It can be determined by measuring the diameter. The average particle size of the secondary particles can be measured as a volume average particle size using a laser beam diffraction method.
[0036]
The specific gravity of the abrasive is preferably 2 to 6 and more preferably 2 to 5 from the viewpoints of dispersibility, supply to a polishing apparatus, and recovery and reusability.
The total content of the abrasive is preferably 1 to 40% by weight, more preferably in the roll-off reducing agent composition, from the viewpoint of reducing economy and surface roughness and enabling efficient polishing. It is 2 to 30% by weight, more preferably 3 to 25% by weight.
[0037]
Water in the roll-off reducing agent composition of the present invention is used as a medium, and the content thereof is preferably 55 to 98.999% by weight, more preferably from the viewpoint of efficiently polishing an object to be polished. Is 60 to 97.5% by weight, more preferably 70 to 96.8% by weight.
[0038]
Moreover, other components can be mix | blended with the roll-off reducing agent composition of this invention according to the objective. The other compound is preferably an organic acid or a salt thereof as a polishing rate improver.
[0039]
The organic acid or a salt thereof is not particularly limited as long as it improves the polishing rate, and examples thereof include mono- or polyvalent carboxylic acids, aminocarboxylic acids, amino acids, and salts thereof. These compounds are roughly classified into a compound group (A) and a compound group (B) based on their characteristics.
[0040]
The compounds belonging to the compound group (A) can improve the polishing rate independently, but as a remarkable feature, roll off when combined with other polishing rate improvers represented by the compound group (B). It is a compound which also has the effect | action which reduces this. By combining these compound groups (A) and the roll-off reducing agent of the present invention, the roll-off can be further reduced. The compounds of the compound group (A) include mono- or polyvalent carboxylic acids having 2 to 20 carbon atoms, dicarboxylic acids having 2 to 3 carbon atoms, monocarboxylic acids having 1 to 20 carbon atoms, and OH groups or SH groups. It is 1 or more types of compounds chosen from these salts. Carbon number of mono- or polyvalent carboxylic acid containing OH group or SH group is 2 to 20 from the viewpoint of solubility in water, preferably 2 to 10, more preferably 2 to 8, still more preferably 2 to 2. 6. For example, from the viewpoint of reducing roll-off, α-hydroxycarboxyl compounds are preferable. C2-C3 dicarboxylic acid means oxalic acid and malonic acid. The number of carbon atoms of the monocarboxylic acid is preferably 1 to 10, more preferably 1 to 8, still more preferably 1 to 5, from the viewpoint of solubility in water. Of the compound group (A), α-hydroxycarboxylic acid or a salt thereof is preferable from the viewpoint of polishing rate.
[0041]
Specific examples of mono- or polyvalent carboxylic acids having 2 to 20 carbon atoms, dicarboxylic acids having 2 to 3 carbon atoms, and monocarboxylic acids having 1 to 20 carbon atoms containing an OH group or an SH group include JP-A-2002-12857. No. 2 page, right column, line 44 to page 3, left column, line 45, and the like.
[0042]
Specific examples of the carboxylic acid having 2 to 20 carbon atoms having an OH group or an SH group include glycolic acid, mercaptosuccinic acid, thioglycolic acid, lactic acid, β-hydroxypropionic acid, malic acid, tartaric acid, citric acid, and isocitric acid. And allocic acid, gluconic acid, glyoxylic acid, glyceric acid, mandelic acid, tropic acid, benzylic acid, salicylic acid and the like. Specific examples of monocarboxylic acids include formic acid, acetic acid, propionic acid, butyric acid, isobutyric acid, valeric acid, isovaleric acid, hexanoic acid, heptanoic acid, 2-methylhexanoic acid, octanoic acid, 2-ethylhexanoic acid, nonane Acid, decanoic acid, lauric acid and the like can be mentioned. Among these, acetic acid, oxalic acid, malonic acid, glycolic acid, lactic acid, malic acid, tartaric acid, glyoxylic acid, citric acid and gluconic acid are preferable, and oxalic acid, malonic acid, glycolic acid, lactic acid, apple are more preferable. Acid, tartaric acid, glyoxylic acid, citric acid and gluconic acid, particularly preferred are malic acid, tartaric acid and citric acid, and most preferred is citric acid.
[0043]
There are no particular limitations on the salt of these compound groups (A), and specific examples include salts with metals, ammonium, alkylammonium, organic amines, and the like. Specific examples of the metal include metals belonging to the periodic table (long-period type) 1A, 1B, 2A, 2B, 3A, 3B, 4A, 6A, 7A, or Group 8. Among these metals, metals belonging to Group 1A, 3A, 3B, 7A or 8 are preferred from the viewpoint of reducing clogging, metals belonging to Group 1A, 3A or 3B are more preferred, and sodium and potassium belonging to Group 1A are the most. preferable.
[0044]
Specific examples of alkylammonium include tetramethylammonium, tetraethylammonium, tetrabutylammonium and the like.
[0045]
Specific examples of the organic amine include dimethylamine, trimethylamine, alkanolamine and the like.
[0046]
Among these salts, ammonium salt, sodium salt and potassium salt are particularly preferable.
[0047]
A compound group (A) may be used independently and may be used in mixture of 2 or more types.
[0048]
The compound group (B) used in the present invention is a compound that is particularly excellent in the action of improving the polishing rate. Examples of the compound group (B) include polyvalent carboxylic acids, aminocarboxylic acids, amino acids and salts thereof having no OH group or SH group having 4 or more carbon atoms.
From the viewpoint of improving the polishing rate, among polyvalent carboxylic acids having no OH group or SH group having 4 or more carbon atoms, 4 to 20 carbon atoms are preferable, and 4 to 10 carbon atoms are preferable from the viewpoint of water solubility. Moreover, the carboxylic acid valence is 2-10, Preferably it is 2-6, Most preferably, it is 2-4. From the same viewpoint, the aminocarboxylic acid preferably has 1 to 6 amino groups and more preferably 1 to 4 amino groups in one molecule. The number of carboxylic acid groups is preferably 1 to 12, and more preferably 2 to 8. Moreover, as carbon number, 1-30 are preferable, Furthermore, 1-20 are preferable. From the same viewpoint as described above, the number of carbon atoms of the amino acid is preferably 2 to 20, and more preferably 2 to 10.
[0049]
Specific examples of the compound group (B) include those described in JP-A No. 2002-30276, page 4, left column, line 13 to page 4, line 30.
[0050]
Specifically, succinic acid, maleic acid, fumaric acid, glutaric acid, citraconic acid, itaconic acid, tricarbaric acid, adipic acid, propane-1,1,2,3-tetracarboxylic acid, butane-1,2,3, 4-tetracarboxylic acid, diglycolic acid, nitrotriacetic acid, ethylenediaminetetraacetic acid (EDTA), diethylenetriaminepentaacetic acid (DTPA), hydroxyethylethylenediaminetetraacetic acid (HEDTA), triethylenetetraminehexaacetic acid (TTHA), dicarboxymethylglutamic acid (GLDA), glycine, alanine and the like.
Of these, succinic acid, maleic acid, fumaric acid, glutaric acid, citraconic acid, itaconic acid, tricarbaric acid, adipic acid, diglycolic acid, nitrotriacetic acid, ethylenediaminetetraacetic acid, and diethylenetriaminepentaacetic acid are preferred, and succinic acid and maleic acid are also preferred. Fumaric acid, citraconic acid, itaconic acid, tricarbaric acid, diglycolic acid, ethylenediaminetetraacetic acid, and diethylenetriaminepentaacetic acid are more preferable.
[0051]
Examples of the salt of the compound group (B) include the same compounds as the compound group (A).
[0052]
A compound group (B) may be used independently and may be used in mixture of 2 or more types. Furthermore, it is particularly preferable to combine the compound group (A) and the compound group (B) in terms of the balance of polishing performance.
[0053]
In addition, the total content of these organic acids or salts thereof is preferably 0.01 to 10% by weight, more preferably 0.02 in the roll-off reducing agent composition, from the viewpoint of developing the function and from the viewpoint of economy. -7% by weight, more preferably 0.03-5% by weight.
[0054]
Moreover, as other components other than the said organic acid or its salt, an inorganic acid and its salt, an oxidizing agent, a rust preventive agent, a basic substance, etc. are mentioned. Specific examples of inorganic acids and salts thereof and oxidizing agents are disclosed in JP-A-62-25187, page 2, upper right column, lines 3 to 11, and JP-A-63-251163, page 2, lower left column, lines 7 to 14. JP-A-1-205973, page 3, upper left column, line 11 to upper-right column, line 2, JP-A-3-115383, page 2, lower-right column, line 16 to page 3, upper-left column, line 11, JP-A-4-275387 Examples include those described in page right column, line 27 to page 3, left column, line 12 and the like. Specific examples of inorganic acids and salts thereof include sulfur-containing inorganic acids and salts thereof typified by sulfuric acid, ammonium sulfate, potassium sulfate, nickel sulfate, aluminum sulfate, aluminum sulfite, and ammonium sulfamate. These components may be used alone or in combination of two or more. Further, the content is preferably 0.05 to 20% by weight, more preferably 0.05 to 10% by weight, more preferably 0.05 to 10% by weight in the roll-off reducing agent composition, from the viewpoints of developing the respective functions and economical efficiency. Preferably it is 0.05-5 weight%.
[0055]
Furthermore, a disinfectant, an antibacterial agent, etc. can be mix | blended as another component as needed. The content of these bactericides and antibacterial agents is 0.0001 to 0.1% by weight, more preferably 0.001 to 0.05% by weight in the roll-off reducing agent composition from the viewpoints of developing functions, influence on polishing performance, and economic aspects. More preferably, it is 0.002 to 0.02% by weight.
[0056]
In addition, although the density | concentration of each component in the said roll-off reducing agent composition is a density | concentration preferable at the time of grinding | polishing, it may be the density | concentration at the time of manufacture of this composition. Usually, the polishing composition is produced as a concentrated solution, which is often used after being diluted.
In addition, the roll-off reducing agent composition can be produced by adding and mixing desired additives by any method.
[0057]
The pH of the roll-off reducing agent composition is preferably determined as appropriate according to the type of the object to be polished and the required quality. For example, the pH of the roll-off reducing agent composition is preferably 2 to 12 from the viewpoints of the washability of the object to be polished, the corrosion resistance of the processing machine, and the safety of the operator. In addition, when the object to be polished is a substrate for precision parts mainly made of metal such as an aluminum alloy substrate plated with Ni-P, the pH is increased from the viewpoint of improving the polishing rate, improving the surface quality, and preventing pad clogging. 2-10 are preferable, 2-9 are more preferable, 2-7 are more preferable, Most preferably, it is 2-5. Furthermore, polishing of semiconductor wafers and semiconductor elements, especially silicon substrates, polysilicon films, SiO2When used for polishing a film or the like, 7 to 12 is preferable, 8 to 11 is more preferable, and 9 to 11 is particularly preferable from the viewpoint of improving the polishing rate and improving the surface quality. If necessary, the pH may be adjusted with inorganic acids such as nitric acid and sulfuric acid, oxycarboxylic acids, polyvalent carboxylic acids, aminopolycarboxylic acids, organic acids such as amino acids, and metal salts and ammonium salts thereof, ammonia, sodium hydroxide, water It can adjust by mix | blending basic substances, such as a potassium oxide and an amine, with a desired quantity suitably.
[0058]
The manufacturing method of the board | substrate of this invention has the process of grind | polishing a to-be-polished board | substrate using the said roll-off reducing agent composition.
The material of the object to be polished typified by the substrate to be polished, which is the subject of the present invention, is, for example, a metal or semi-metal such as silicon, aluminum, nickel, tungsten, copper, tantalum, titanium, and these metals as a main component. And glassy materials such as glass, glassy carbon, and amorphous carbon, ceramic materials such as alumina, silicon dioxide, silicon nitride, tantalum nitride, and titanium nitride, resins such as polyimide resin, and the like. Among these, metals such as aluminum, nickel, tungsten and copper and alloys based on these metals are objects to be polished, or semiconductor substrates such as semiconductor elements containing these metals are objects to be polished. It is preferable that In particular, it is preferable to use the roll-off reducing agent composition of the present invention when polishing a substrate made of an aluminum alloy plated with Ni—P because roll-off can be particularly reduced. Accordingly, the present invention relates to a method for reducing the roll-off of the substrate.
[0059]
The shape of these objects to be polished is not particularly limited. For example, a shape having a flat portion such as a disk shape, a plate shape, a slab shape, or a prism shape, or a shape having a curved surface portion such as a lens can be used for the roll-off of the present invention. It becomes the object of polishing using the reducing agent composition. Among these, it is particularly excellent for polishing a disk-shaped workpiece.
[0060]
The roll-off reducing agent composition of the present invention is suitably used for polishing precision component substrates. For example, it is suitable for polishing a substrate of a magnetic recording medium such as a magnetic disk, an optical disk, and a magneto-optical disk, a photomask substrate, glass for liquid crystal, an optical lens, an optical mirror, an optical prism, and a semiconductor substrate. Polishing of a semiconductor substrate includes polishing performed in a silicon wafer (bare wafer) polishing process, a buried element isolation film forming process, an interlayer insulating film flattening process, a buried metal wiring forming process, a buried capacitor forming process, and the like. The roll-off reducing composition of the present invention is particularly suitable for polishing a magnetic disk substrate.
[0061]
Further, in the method for reducing the roll-off of the substrate to be polished using the roll-off reducing agent of the present invention, the above-mentioned substrate to be polished is a polishing liquid containing the roll-off reducing agent of the present invention or the roll-off reducing agent composition of the present invention. By polishing the product itself as a polishing liquid, roll-off of the substrate to be polished can be significantly reduced. For example, the substrate is sandwiched by a polishing disk with a non-woven organic polymer polishing cloth or the like attached thereto, and the polishing liquid containing the roll-off reducing agent of the present invention or the roll-off reducing agent composition of the present invention is applied to the polishing surface. A substrate with reduced roll-off can be manufactured by supplying and moving the polishing board and the substrate while applying pressure.
[0062]
In the present invention, the roll-off generated on the substrate to be polished is measured, for example, by measuring the shape of the end surface portion using a stylus type or optical shape measuring device, and the end surface portion is compared with the center of the disk from the profile. It is possible to evaluate by quantifying how much is cut.
[0063]
As shown in FIG. 1, the quantification method takes three points on a measurement curve (meaning the shape of the end surface portion of the substrate to be polished) such as points A, B, and C, which are separated from the center of the disk by a certain distance. , The straight line connecting points A and C is used as the base line, and the distance (D) between point B and the base line is said. Good roll-off means that the D value is closer to zero. The roll-off value is a value obtained by dividing D by 1/2 of the amount of change in disk thickness before and after polishing.
[0064]
The roll-off reducing agent composition of the present invention is particularly effective in the polishing process, but can be similarly applied to other polishing processes such as a lapping process.
[0065]
【Example】
Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 and 2
(Viscosity measurement)
1. Method of blending polishing liquid composition for viscosity measurement
Dissolve and stir 1 part by weight of citric acid in 69 parts by weight of ion-exchanged water, and then add 20 parts by weight of a polishing material (product name: WA # 10000, manufactured by Fujimi Incorporated) with stirring. 90 parts by weight of the composition (a) was obtained.
[0066]
The reference polishing liquid composition was prepared by adding 10 parts by weight of ion-exchanged water and stirring for 30 minutes while sufficiently stirring 90 parts by weight of the polishing liquid composition (a).
[0067]
The roll-off reducing agent-containing polishing liquid composition was prepared by adding 10 parts by weight of a 1% aqueous solution of the target roll-off reducing agent while sufficiently stirring 90 parts by weight of the polishing liquid composition (a) and stirring for 30 minutes. did.
[0068]
2. Viscosity measurement method
The viscosities of the reference polishing composition and the roll-off reducing agent-containing polishing composition were measured under the following conditions.
Measuring instrument: Reometric Scientific, Ares-100FRT-BATH-STD (trade name)
Measuring jig: ARES-COU32T34A (trade name)
Measurement conditions: Test type Rete Sweep
Temperature 25 ℃
Initial shear rate 1S-1
Final shear rate 1500S-1
point per Decade 5
Measurement Time 2
Analysis software: Orchestrator Software ver.6.4.3 (Product name)
The obtained results are shown in Table 1.
[0069]
[Table 1]
[0070]
From the results shown in Table 1, it can be seen that all of the roll-off reducing agents used in Examples 1 to 5 have an effect of reducing the viscosity of the polishing composition. Moreover, it turns out that the compound of the comparative example 1 does not reduce the viscosity of polishing liquid composition. Further, the compound of Comparative Example 2 has a viscosity reduction amount of 0.01 mPa · s or more, but is not Bronsted acid or a salt thereof. As can be seen from the results of Comparative Example 5 in Table 2 described later, It can be seen that the roll-off reducing effect is inferior to the roll-off reducing agent of the invention.
[0071]
Examples 6-15, Comparative Examples 3-9
[Polishing method for polishing composition]
Abrasive 20 parts by weight (average primary particle diameter 0.23 μm, secondary particle average 0.65 μm α-alumina (purity about 99.9%) 16 parts by weight, intermediate alumina (θ alumina, average particle diameter 0.22 μm) , Purity of about 99.9%) 4 parts by weight), and other additives as shown in Tables 2 to 5 are mixed and stirred with a predetermined amount of ion-exchanged water (remainder), and 100 parts by weight of the polishing composition is mixed. Obtained.
[0072]
The resulting polishing composition was diluted 3 times (vol / vol) with ion-exchanged water, and a tally step manufactured by Rank Taylor Hobson (stylus tip size: 25 μm × 25 μm, high-pass filter: 80 μm, measurement length: The surface of the substrate made of Ni-P plated aluminum alloy with a center line average roughness Ra of 0.2 μm, a thickness of 1.27 mm, and a diameter of 3.5 inches (diameter 95.0 mm) measured by Polishing was performed under the following setting conditions of the double-sided processing machine, and a polished article of an Ni-P plated aluminum alloy substrate used as a substrate for a magnetic recording medium was obtained.
The setting conditions of the double-sided machine are shown below.
[0073]
<Setting conditions of double-sided machine>
Double-sided machine: 9B type double-sided machine manufactured by Speed Farm Co., Ltd.
Processing pressure: 9.8kPa
Polishing pad: Fujibow Co., Ltd., H9900 (trade name)
Plate rotation speed: 30rpm
Polishing liquid composition dilution flow rate: 125ml / min
Polishing time: 3.5min
Number of substrates loaded: 10
[0074]
[Polishing speed]
Weigh each substrate before and after polishing and measure it using [BP-210S (trade name), manufactured by Sartorius Co., Ltd.] to determine the weight change of each substrate, and use the average value of 10 sheets as the amount of reduction, and polish it The value divided by time was defined as the weight reduction rate. The weight reduction rate was introduced into the following equation and converted to a polishing rate (μm / min).
[0075]
[0076]
[Roll off]
Measurement was performed under the following conditions using Maxim 3D5700 (trade name) manufactured by Zygo.
Lens: Fizeau × 1
Analysis software: Zygo Metro Pro (trade name)
Using the above device, measure the shape of the end of the disk from 41.5 mm to 47.0 mm from the center of the disk. As shown in FIG. 1, the positions of points A, B and C are 41.5 mm, 47 mm and For 43 mm, D (difference in position between the baseline and point B) was determined by the measurement method using analysis software. A value obtained by dividing the obtained D by 1/2 of the disk polishing amount before and after polishing was defined as a roll-off value.
[0077]
[Table 2]
[0078]
Table 2 shows relative values when the polishing rate and the roll-off value of Comparative Example 3 are set to the reference value 1, respectively. From the results of Table 2, it can be seen that in Examples 6 to 10 using the roll-off reducing agent having a specific viscosity lowered in Table 1, the roll-off is reduced while maintaining the polishing rate substantially as compared with Comparative Example 3. Moreover, it turns out that the roll-off value does not reduce in Comparative Example 4 using sodium nitrate in which no decrease in viscosity was observed in Table 1. It can be seen that in Comparative Example 5 using a polypropylene oxide polyethylene oxide block polymer, the amount of roll-off reduction is small.
[0079]
[Table 3]
[0080]
Table 3 shows relative values when the polishing rate and the roll-off value of Comparative Example 6 are each set to the reference value 1. From the results in Table 3, it can be seen that in Example 11 using the roll-off reducing agent having a specific viscosity lowered in Table 1, the roll-off is reduced while maintaining the polishing rate substantially as compared with Comparative Example 6.
[0081]
[Table 4]
[0082]
Table 4 shows relative values when the polishing rate and the roll-off value of Comparative Example 7 are each set to the reference value 1. From the results of Table 4, it can be seen that there is a roll-off reduction effect by using the roll-off reducing agent of the present invention even when a plurality of auxiliary agents are present.
[0083]
[Table 5]
[0084]
Table 5 shows relative values when the polishing rate and roll-off value of Comparative Example 9 are set to the reference value 1. From the results in Table 5, it can be seen that there is a roll-off reduction effect by using the roll-off reducing agent of the present invention even when a plurality of auxiliary agents are present.
[0085]
【The invention's effect】
By using the roll-off reducing agent or the roll-off reducing agent composition containing the roll-off reducing agent of the present invention for polishing a precision component substrate or the like, the effect of significantly reducing the roll-off of the substrate is exhibited.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram illustrating a relationship between a measurement curve and roll-off.

Claims (5)

ロールオフ低減剤、研磨材及び水を含有してなる研磨液組成物であって、該ロールオフ低減剤が、下式で示される粘度低下量が0.01mPa・s以上の粘度低下作用を有するブレンステッド酸又はその塩からなり、
粘度低下量=基準研磨液組成物の粘度 − ロールオフ低減剤含有研磨液組成物の粘度
〔但し、基準研磨液組成物は研磨材(αタイプのコランダム結晶で構成されたAl純度98.0重量%以上の高純度アルミナ)20重量部、クエン酸1重量部及び水79重量部からなり、ロールオフ低減剤含有研磨液組成物は研磨材(αタイプのコランダム結晶で構成されたAl純度98.0重量%以上の高純度アルミナ)20重量部、クエン酸1重量部、水78.9重量部及びロールオフ低減剤0.1重量部からなり、粘度は剪断速度1500S−1、25℃における粘度を意味する。〕、かつ
式1〜式3:
(式中、M 及びM は、それぞれ同種、異種を問わず、水素原子、金属原子、アンモニウム、又は有機アンモニウムを示す)
に示される官能基を1つ以上含有する化合物
又は式4:
(式中、M 及びM は前記と同じ。M は、水素原子、金属原子、アンモニウム、又は有機アンモニウムを示す)
で示される化合物であり、
前記研磨材が、α−アルミナ粒子と中間アルミナ粒子を含む、研磨液組成物。
A polishing liquid composition comprising a roll-off reducing agent, an abrasive and water, wherein the roll-off reducing agent has a viscosity reducing action with a viscosity reduction amount of 0.01 mPa · s or more represented by the following formula: Ri Do from Bronsted acid or a salt thereof,
Viscosity reduction amount = viscosity of reference polishing liquid composition−viscosity of polishing liquid composition containing roll-off reducing agent [However, the reference polishing liquid composition is an abrasive (Al 2 O 3 purity 98 composed of α-type corundum crystals) 0.0 wt% or more of high-purity alumina) 20 parts by weight, citric acid 1 part by weight and water 79 parts by weight, and the roll-off reducing agent-containing polishing composition is an abrasive (Al composed of α-type corundum crystals). 2 O 3 purity 98.0 wt% or more high-purity alumina) 20 parts by weight, citric acid 1 part by weight, water 78.9 parts by weight and roll-off reducing agent 0.1 part by weight, the viscosity is shear rate 1500 S − 1 means viscosity at 25 ° C. ], And
Formula 1 to Formula 3:
(In the formula, M 1 and M 2 are each the same kind or different kinds, each representing a hydrogen atom, a metal atom, ammonium, or organic ammonium)
A compound containing one or more functional groups shown in
Or Equation 4:
( Wherein , M 1 and M 2 are the same as described above. M 3 represents a hydrogen atom, a metal atom, ammonium, or organic ammonium)
A compound represented by
A polishing liquid composition, wherein the abrasive comprises α-alumina particles and intermediate alumina particles.
更に、有機酸又はその塩を含有してなる請求項記載の研磨液組成物。Further, the polishing liquid composition of claim 1, wherein comprising the organic acid or a salt thereof. 有機酸がクエン酸である請求項2記載の研磨液組成物。The polishing composition according to claim 2, wherein the organic acid is citric acid. 請求項1〜3いずれか記載の研磨液組成物を用いて、被研磨基板を研磨する工程を有する基板の製造方法。The manufacturing method of the board | substrate which has the process of grind | polishing a to-be-polished board | substrate using the polishing liquid composition in any one of Claims 1-3 . 請求項1〜3いずれか記載の研磨液組成物を用いて研磨することにより基板のロールオフを低減する方法。The method to reduce the roll-off of a board | substrate by grind | polishing using the polishing liquid composition in any one of Claims 1-3 .
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100880107B1 (en) * 2006-01-25 2009-01-21 주식회사 엘지화학 Cmp slurry and method for polishing semiconductor wafer using the same
JP5469809B2 (en) * 2007-12-26 2014-04-16 花王株式会社 Polishing liquid composition
US8247326B2 (en) * 2008-07-10 2012-08-21 Cabot Microelectronics Corporation Method of polishing nickel-phosphorous
US11680186B2 (en) * 2020-11-06 2023-06-20 Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. Polishing compositions and methods of using same

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3825827B2 (en) * 1996-01-30 2006-09-27 昭和電工株式会社 Polishing composition, magnetic disk substrate polishing method, and manufacturing method
SG68005A1 (en) * 1996-12-02 1999-10-19 Fujimi Inc Polishing composition
JP2000001666A (en) * 1998-06-16 2000-01-07 Okamoto Machine Tool Works Ltd Abrasive slurry
JP2000015560A (en) * 1998-06-30 2000-01-18 Okamoto Machine Tool Works Ltd Abrasive powder slurry and its manufacture
CN1125861C (en) * 1999-07-16 2003-10-29 长兴化学工业股份有限公司 Composition for chemical and mechanical grinding on semiconductor
JP4021133B2 (en) * 1999-07-22 2007-12-12 花王株式会社 Polishing liquid composition
CN1288927A (en) * 1999-09-21 2001-03-28 长兴化学工业股份有限公司 Composition ground in chemical machine
US6258140B1 (en) * 1999-09-27 2001-07-10 Fujimi America Inc. Polishing composition
JP4064587B2 (en) * 1999-11-05 2008-03-19 昭和電工株式会社 Polishing composition
JP3877924B2 (en) * 2000-01-24 2007-02-07 昭和電工株式会社 Magnetic disk substrate polishing composition
TW528645B (en) * 2000-04-17 2003-04-21 Showa Denko Kk Composition for polishing magnetic disk substrate
US6976905B1 (en) * 2000-06-16 2005-12-20 Cabot Microelectronics Corporation Method for polishing a memory or rigid disk with a phosphate ion-containing polishing system
JP2002050595A (en) * 2000-08-04 2002-02-15 Hitachi Ltd Polishing method, wiring forming method and method for manufacturing semiconductor device

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