JP2004263074A - Polishing composition - Google Patents

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JP2004263074A
JP2004263074A JP2003054867A JP2003054867A JP2004263074A JP 2004263074 A JP2004263074 A JP 2004263074A JP 2003054867 A JP2003054867 A JP 2003054867A JP 2003054867 A JP2003054867 A JP 2003054867A JP 2004263074 A JP2004263074 A JP 2004263074A
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Tomohide Kamiya
Hisaki Owaki
Noritaka Yokomichi
寿樹 大脇
典孝 横道
知秀 神谷
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Fujimi Inc
株式会社フジミインコーポレーテッド
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a polishing composition that further increases the polishing speed, reduces the occurrence of defects on the polished surface of a material to be polished, reduces fine undulation on the surface of the material to be polished and makes it smooth. <P>SOLUTION: The polishing composition employs colloidal silica as the polishing material and includes methanesulfonic acid, hydrogen peroxide and water and is used for finish-polishing the surface of the substrate for a magnetic disc. Preferably the polishing composition contains a polishing accelerator such as citric acid, maleic acid and malic acid for increasing polishing speed and removing fine undulation on the surface of the substrate in a short time, and further contains phosphoric acid or its salt for reducing the occurrence of defects such as a scratch by forming a protective film on the surface of the substrate. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO&NCIPI

Description

【0001】 [0001]
【発明の属する技術分野】 BACKGROUND OF THE INVENTION
本発明は、例えばコンピュータの記憶装置として使用される磁気ディスク用の基板表面を研磨するために用いられる研磨用組成物に関するものである。 The present invention relates to for example a polishing composition used for polishing a substrate surface for a magnetic disk used as storage devices for computers. 更に詳しくは、研磨速度が速く、研磨後の基板表面を平滑にでき、表面欠陥の発生を低減することができる研磨用組成物に関するものである。 More particularly, fast polishing speed, the substrate surface after polishing can be smooth, it relates to a polishing composition capable of reducing the generation of surface defects.
【0002】 [0002]
【従来の技術】 BACKGROUND OF THE INVENTION
近年、コンピュータの記憶装置として用いられるハードディスクの高密度化等の要求に伴い、ハードディスク用基板の研磨工程における研磨速度の向上や基板表面の粗さの低減が求められている。 In recent years, with the demand for higher density, such as a hard disk used as storage devices for computers, the reduction of the roughness of the improvement and the substrate surface of the polishing rate in the polishing step of the substrate for a hard disk is required. そのような要求を満たすために、例えば研磨材としてアルミナ粒子を用い、アルキルスルホン酸と水とを含有する研磨用組成物が開示されている(例えば特許文献1参照。)。 To meet such a demand, for example, alumina particles used as an abrasive, a polishing composition containing an alkyl sulfonic acid and water has been disclosed (for example, see Patent Document 1.). この研磨用組成物によれば、基板表面の欠陥をなくし、研磨速度を向上させ、表面粗さを低減することができる。 According to this polishing composition, eliminate defects of the substrate surface to improve the polishing rate, it is possible to reduce the surface roughness.
【0003】 [0003]
一方、本願出願人もこの種の研磨用組成物として、研磨材が二酸化ケイ素であり、過酸化水素等の酸化剤、リンゴ酸、マレイン酸等の有機酸及び水を含む組成物を既に出願した(例えば特許文献2参照。)。 On the other hand, the present applicant also polishing composition of this type, the abrasive is silicon dioxide, an oxidizing agent such as hydrogen peroxide, malic acid, has already filed a composition comprising an organic acid and water, such as maleic acid (for example, see Patent Document 2.). この研磨用組成物によれば、研磨速度を大きくし、スクラッチ(一定の深さや長さを越える引っ掻き傷)の発生を低減でき、更に表面粗さを小さくすることができる。 According to this polishing composition, the polishing rate is increased, it is possible to reduce the generation of scratches (scratches exceeds a certain depth and length), it is possible to reduce the further surface roughness.
【0004】 [0004]
【特許文献1】 [Patent Document 1]
特開2000−109818号公報(第2頁及び第4頁) JP 2000-109818 JP (page 2 and page 4)
【特許文献2】 [Patent Document 2]
特開2002−294225号公報(第2頁及び第7頁) JP 2002-294225 JP (page 2 and page 7)
【0005】 [0005]
【発明が解決しようとする課題】 [Problems that the Invention is to Solve
ところが、前者の研磨用組成物は研磨材に研磨速度を向上させるためのアルキルスルホン酸が含まれているだけであることから、特に研磨材として酸化ケイ素を用いた場合、研磨速度の向上を十分に達成することができない。 However, since the polishing composition of the former it is only contain alkyl sulfonic acids for improving the polishing rate in the polishing material, especially when using a silicon oxide as an abrasive, to improve the polishing rate sufficient It can not be achieved. 更に、基板表面の粗さを低減することができても、基板表面の微小うねりを低減して平滑性を向上させることができないという問題があった。 Furthermore, even if it is possible to reduce the roughness of the substrate surface, there is a problem that it is impossible to improve the smoothness and reduce the waviness of the substrate surface.
【0006】 [0006]
後者の研磨用組成物は二酸化ケイ素を含む研磨材に研磨促進剤として酸化剤と有機酸が含まれているが、特に有機酸などの研磨促進剤の種類によって基板表面の微小うねりを低減することができず、研磨速度の更なる向上を図ることもできないという問題があった。 The latter polishing composition are included oxidizing agent and an organic acid as a polishing accelerator in the polishing material comprising silicon dioxide, but to reduce the waviness of the substrate surface, especially the type of polishing accelerator such as an organic acid can not, there is a problem that can further improve the polishing rate.
【0007】 [0007]
本発明は、上記のよな従来技術に存在する問題点に着目してなされたものである。 The present invention has been made in view of the problems existing in the above Yo prior art. その目的とするところは、研磨速度の向上を図ることができると共に、研磨後の被研磨物表面における欠陥の発生を低減することができ、かつ被研磨物表面の微小うねりを低減して平滑性を向上させることができる研磨用組成物を提供することにある。 It is an object, it is possible to improve the polishing rate, it is possible to reduce the occurrence of defects in the object to be polished surface after polishing, and smoothness to reduce the waviness of the object to be polished surface to improve is to provide a polishing composition capable.
【0008】 [0008]
【課題を解決するための手段】 In order to solve the problems]
上記の目的を達成するために、請求項1に記載の発明の研磨用組成物は、酸化ケイ素を研磨材とし、メタンスルホン酸、過酸化水素及び水を含有することを特徴とするものである。 To achieve the above object, the polishing composition of the first aspect of the present invention, a silicon oxide as a abrasive material, is characterized in that it contains methanesulfonic acid, hydrogen peroxide and water .
【0009】 [0009]
請求項2に記載の発明の研磨用組成物は、請求項1に記載の発明において、更に、クエン酸、マレイン酸、無水マレイン酸、リンゴ酸、グルコール酸、コハク酸、イタコン酸、マロン酸、イミノ二酢酸、グルコン酸、乳酸、マンデル酸、酒石酸、クロトン酸、ニコチン酸、酢酸、アジピン酸、グリシン、アラニン、ヒスチジン、蟻酸、シュウ酸及び硫酸からなる群より選ばれる少なくとも一種の研磨促進剤を含有するものである。 The polishing composition of the invention according to claim 2 is the invention according to claim 1, further citric acid, maleic acid, maleic anhydride, malic acid, glycolic acid, succinic acid, itaconic acid, malonic acid, iminodiacetic acid, gluconic acid, lactic acid, mandelic acid, tartaric acid, crotonic acid, nicotinic acid, acetic acid, adipic acid, glycine, alanine, histidine, formic acid, at least one polishing accelerator selected from the group consisting of oxalic acid and sulfuric acid it is those which contain.
【0010】 [0010]
請求項3に記載の発明の研磨用組成物は、請求項2に記載の発明において、更に、リン酸又はその塩を含有するものである。 The polishing composition of the invention according to claim 3 is the invention according to claim 2, in which further contains phosphoric acid or a salt thereof.
請求項4に記載の発明の研磨用組成物は、請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の発明において、磁気ディスク用基板の表面を仕上げ研磨するために用いられるものである。 The polishing composition of the invention according to claim 4 is the invention according to any one of claims 1 to 3, and is used for final polishing the surface of the magnetic disk substrate.
【0011】 [0011]
【発明の実施の形態】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
以下、本発明の研磨用組成物を具体化した実施形態について詳細に説明する。 It will now be described in detail embodying embodiments of the polishing composition of the present invention.
本実施形態の研磨用組成物は、酸化ケイ素を研磨材とし、メタンスルホン酸、過酸化水素及び水を含有するものである。 The polishing composition of this embodiment, a silicon oxide as a polishing material, methanesulfonic acid, those containing hydrogen peroxide and water. この研磨用組成物は磁気ディスクに使用されるアルミニウム基板等の被研磨物の表面を研磨するために用いられる。 The polishing composition is used for polishing the surface of the object to be polished of the aluminum substrate or the like used in a magnetic disk. 被研磨物としては、例えばブランク材であるアルミニウム合金にニッケル(Ni)−リン(P)の無電解メッキを施した磁気ディスク用の基板が使用される。 The object to be polished, for example, nickel aluminum alloy is a blank (Ni) - substrate for a magnetic disk which has been subjected to electroless plating of phosphorus (P) is used.
【0012】 [0012]
研磨材は、被研磨物の表面を機械的研磨作用により研磨するために含有される。 Abrasive material is included to polished by mechanical polishing action of the surface of the object to be polished. この研磨材は酸化ケイ素であるが、被研磨物表面の状態を良好に維持するために二酸化ケイ素(シリカ、SiO )が好ましい。 This abrasive material is silicon oxide, silicon dioxide (silica, SiO 2) in order to maintain good state of the polished surface is preferred. 酸化セリウムは研磨速度を向上させることが困難である。 Cerium oxide it is difficult to improve the polishing rate. 一方、ダイヤモンドや酸化アルミニウムは被研磨物の表面(被研磨面)にスクラッチやピット(へこみ)等の欠陥が発生するのを低減することができない。 On the other hand, diamond or aluminum oxide can not be reduced from defects such as scratches and pits in the surface of the object to be polished (surface to be polished) (indentation) is generated. これに対し、前記酸化ケイ素は研磨速度を向上させることができ、かつ被研磨物表面に欠陥を発生するのを低減することができるため、特に仕上げ用の研磨材として必須である。 In contrast, the silicon oxide can improve the polishing rate, and it is possible to reduce the occurrence of defects in the object to be polished surfaces, in particular essential as an abrasive for finishing.
【0013】 [0013]
二酸化ケイ素の具体例としてはコロイダルシリカ、フュームドシリカ等の製造方法や性状の異なる種々のものが挙げられ、これらは単独又は二種以上を組み合わせて含有される。 Colloidal silica Examples of silicon dioxide, those different in the various manufacturing methods and properties, such as fumed silica and the like, which are contained alone or in combination of two or more. これらの中でも、被研磨面にスクラッチ、ピット等の欠陥が発生するのを低減する効果が高いために、コロイダルシリカがより好ましい。 Among these, scratches on the polished surface, for defects such as pits is highly effective in reducing the occurrence, colloidal silica is more preferable. コロイダルシリカは、通常表面が帯電した無定形シリカ粒子が水中に分散してコロイド状をなしているものをいう。 Colloidal silica refers to those amorphous silica particles are normally charged surface is formed into a colloidal dispersed in water. コロイダルシリカは例えば、ケイ酸ナトリウム又はケイ酸カリウムをイオン交換した超微粒子コロイダルシリカを粒子成長させる方法、アルコキシシランを酸又はアルカリで加水分解する方法、有機ケイ素化合物を湿式にて加熱分解する方法等によって得られる。 Colloidal silica may, for example, a method of particle growth of the sodium silicate or potassium silicate ultrafine colloidal silica by ion-exchange, hydrolyzing an alkoxysilane with an acid or an alkali, an organic silicon compound METHOD heating decomposes by a wet etc. by obtained.
【0014】 [0014]
研磨材の粒子径は、研磨速度の向上、表面欠陥の低減及び微小うねりの低減に大きく影響する。 Particle size of the abrasive, the improvement of the polishing rate greatly affects the reduction and the reduction of micro-waviness of surface defects. そのような観点から、研磨材の粒子径は窒素吸着法(BET法)により測定された比表面積から求められる平均粒子径として0.005〜0.5μmが好ましく、0.01〜0.3μmがより好ましい。 From this viewpoint, 0.005 to 0.5 .mu.m are preferred particle size of the abrasive is the average particle diameter determined from the measured specific surface area by nitrogen adsorption method (BET method), is 0.01~0.3μm more preferable. この粒子径が0.005μmより小さい場合には、研磨速度が遅く、研磨抵抗が大き過ぎて研磨機の振動が発生しやすくなるため、より精密な研磨面を得ることが困難である。 If this particle size is 0.005μm smaller than a slow polishing speed, the vibration of the polishing resistance is too large grinding machine is likely to occur, it is difficult to obtain a more precise polishing surface. 一方、粒子径が0.5μmを越える場合には、研磨用組成物に沈殿が発生しやすくなり、研磨後の被研磨物の表面粗度が悪化しやすく、スクラッチも発生しやすくなるうえに、コストも上昇する。 On the other hand, if the particle diameter exceeds 0.5μm, the precipitation tends to occur in the polishing composition, the surface roughness of the polished after polishing is easily deteriorated, in terms of scratches tend to occur, cost is also increased.
【0015】 [0015]
研磨材の含有量は均一分散性と適度な粘度を保持し、十分な研磨速度を得るという観点から0.01〜40重量%が好ましく、0.1〜10重量%がより好ましい。 The content of the abrasive retains the uniform dispersibility and appropriate viscosity, preferably 0.01 to 40 wt% from the viewpoint of obtaining a sufficient polishing rate, and more preferably 0.1 to 10 wt%. この含有量が0.01重量%より低い場合には研磨速度が遅くなると共に、研磨抵抗が大きくなり過ぎて振動の発生により十分な研磨を行うことができなくなる。 With the content is the polishing rate becomes slow if it is lower than 0.01 wt%, it becomes impossible to perform sufficient polishing by the occurrence of vibration polishing resistance becomes too large. 一方、含有量が40重量%を越える場合には研磨用組成物に沈殿が発生しやすく、凝集しやすくなって組成の安定性が悪化するうえに、コストも上昇する。 On the other hand, precipitation is likely to occur in the polishing composition when the content exceeds 40 wt%, in terms of stability of the composition becomes easily aggregate is degraded and the cost increases.
【0016】 [0016]
続いて、メタンスルホン酸(CH SO H)は研磨促進剤として用い られ、化学的研磨作用(エッチング)に基づいて研磨速度を速くすると共に、 被研磨物表面の微小うねりを短時間で除去することができる。 Then, methanesulfonic acid (CH 3 SO 3 H) is used as a polishing accelerator, a chemical polishing action as well as increase the polishing rate on the basis of the (etching), it is removed in a short time microwaviness of workpiece surface can do. このメタンスル ホン酸はエタンスルホン酸、プロパンスルホン酸等やその他の酸に比べて微小 うねりを速やかに除去できると共に、研磨速度を向上させる効果に優れている 。 The Metansuru acid is ethanesulfonic acid, it is possible to quickly remove the waviness as compared with the sulfonic acid and other acids, are excellent in the effect of improving the polishing rate. ここで、微小うねりとは、基板表面に研磨時の研磨圧力等によって発生した ものであり、表面粗さ測定機を用いて一定の測定波長で測定された微小な凹凸 を高さ(Å)で表したものである。 Here, the micro-waviness are those generated by the polishing pressure, etc. during polishing of the substrate surface, minute irregularities which are measured at constant measurement wavelength using a surface roughness meter in height (Å) it is a representation.
【0017】 [0017]
メタンスルホン酸の濃度は0.01〜40重量%であることが好ましく、1〜20重量%であることがより好ましい。 Preferably the concentration of methanesulfonic acid is 0.01 to 40 wt%, and more preferably 1 to 20 wt%. この濃度が0.01未満の場合には十分な研磨促進作用が得られず、40重量%を越える場合には腐食性が強くなり過ぎて、研磨機等を侵食するおそれがあり、コストも上昇する。 No sufficient polishing accelerator effect obtained when this concentration is less than 0.01, when exceeding 40 wt% is too strong corrosive, there is a risk of erosion polishing machine or the like, cost increase to.
【0018】 [0018]
次いで、過酸化水素は酸化による化学的研磨作用及びメタンスルホン酸や後述するカルボン酸と相乗的な働きによる研磨材の研磨作用の促進を行なうものである。 Then, hydrogen peroxide and performs promote abrasive action of the abrasive by synergistic effect as chemical polishing action and methanesulfonic acid or later carboxylic acid by oxidation. 酸化剤としては一般に硝酸、過マンガン酸カリウム、過硫酸塩等も用いられるが、硝酸は酸化力が不十分であり、過マンガン酸カリウムは金属塩であるためスクラッチが発生しやすく、過硫酸塩も金属塩であることからスクラッチが発生しやすい。 Generally nitric acid as an oxidizing agent, potassium permanganate, but persulfates may also be used, nitric acid is insufficient oxidizing power, potassium permanganate scratch prone because a metal salt, persulfate scratch is easily generated from it is also a metal salt. これに対し、過酸化水素は十分な酸化力を有し、上記の作用を発揮できるほか、分解しても酸と水になるため環境にやさしく、比較的安価である。 In contrast, hydrogen peroxide has sufficient oxidizing power, in addition capable of exhibiting the effect of the environmentally friendly since the decomposed becomes acid and water, is relatively inexpensive. 従って、酸化剤としては過酸化水素であることが必要である。 Therefore, it is necessary that hydrogen peroxide as oxidizing agent. 過酸化水素の含有量は0.1〜3.0重量%であることが好ましく、0.5〜1.5重量%であることがより好ましい。 Preferably the content of hydrogen peroxide is 0.1 to 3.0 wt%, and more preferably 0.5 to 1.5 wt%. この含有量が0.1重量%未満の場合には十分な研磨速度が得られず、スクラッチが多発して表面欠陥となるおそれがある。 A sufficient polishing rate is not obtained when this content is less than 0.1 wt%, there is a risk that scratches become surface defects frequently. 一方、含有量が3.0重量%を越える場合にはコストが上昇する。 On the other hand, cost is increased if the content exceeds 3.0 wt%. 過酸化水素は通常30〜35重量%の水溶液として使用される。 Hydrogen peroxide is used as an aqueous solution of usually 30 to 35 wt%.
【0019】 [0019]
前記水は、各成分の分散媒又は溶媒として作用するために含有される。 The water is contained in order to act as a dispersion medium or a solvent of the components. 水は、他の成分の作用を阻害するのを防止するために不純物をできるだけ含有しないものが好ましい。 Water is preferably one that does not contain much as possible impurities in order to prevent the inhibiting effect of the other components. 具体的には、イオン交換樹脂にて不純物イオンをイオン交換して除去した後にフィルタを通して異物を除去した純水や超純水、蒸留水等が好ましい。 Specifically, pure water or ultrapure water to remove foreign matter through the filter impurity ions with an ion-exchange resin after removal by ion exchange, distilled water is preferable. 水の含有量は研磨用組成物が前記各成分が十分に分散又は溶解され、適度な粘度を有するように設定される。 The content of water each component polishing composition is sufficiently dispersed or dissolved, it is set to have an appropriate viscosity.
【0020】 [0020]
研磨用組成物には上記各成分以外に更に、クエン酸、マレイン酸、無水マレイン酸、リンゴ酸、グルコール酸、コハク酸、イタコン酸、マロン酸、イミノ二酢酸、グルコン酸、乳酸、マンデル酸、酒石酸、クロトン酸、ニコチン酸、酢酸、アジピン酸、グリシン、アラニン、ヒスチジン、蟻酸、シュウ酸及び硫酸からなる群より選ばれる少なくとも一種の研磨促進剤を含有することが好ましい。 The polishing composition further in addition to the above components, citric acid, maleic acid, maleic anhydride, malic acid, glycolic acid, succinic acid, itaconic acid, malonic acid, iminodiacetic acid, gluconic acid, lactic acid, mandelic acid, tartaric acid, crotonic acid, nicotinic acid, acetic acid, adipic acid, glycine, alanine, histidine, formic acid, may contain at least one polishing accelerator selected from the group consisting of oxalic acid and sulfuric preferred. この研磨促進剤は化学的研磨作用に基づき、研磨材の機械的研磨作用を促進し、研磨速度を向上させるものである。 The polishing accelerator is based on the chemical polishing action to promote mechanical polishing action of the abrasive, and improves the polishing rate.
【0021】 [0021]
一般に有機酸、無機酸又はそれらの塩は化学的研磨作用による研磨促進剤として利用されるが、それらのうち上記のものが特に好ましい。 Generally organic acid, inorganic acid or salt thereof is used as a polishing accelerator according to the chemical polishing action, among them those mentioned above is particularly preferred. また、上記の研磨促進剤のうち、クエン酸、マレイン酸、リンゴ酸、コハク酸及び酒石酸からなる群より選ばれる少なくとも一種が、より効果的な研磨促進作用を得ることができる点からさらに好ましい。 Further, among the above polishing accelerator, citric acid, maleic acid, malic acid, at least one selected from the group consisting of succinic acid and tartaric acid, more preferred in that it enables to obtain a more effective polishing promoting effect. これらの有機酸の中でクエン酸、マレイン酸及びコハク酸が、更に過酸化水素の分解を阻止し、研磨用組成物の安定性を向上させることができる点で特に好ましい。 Citric acid among these organic acids, maleic acid and succinic acid, further preventing the degradation of hydrogen peroxide, particularly preferred in that it is possible to improve the stability of the polishing composition. これらの研磨促進剤の含有量は0.01〜40重量%が好ましく、1〜20重量%がより好ましい。 The content of these polishing accelerator is preferably 0.01 to 40 wt%, 1-20 wt% are more preferred. この含有量が0.01重量%未満の場合には十分な研磨促進作用が得られず、40重量%を越える場合には研磨速度の向上が見られず、無駄になるうえに、その分コストが上昇する。 No sufficient polishing accelerator effect obtained when the content is less than 0.01 wt%, not observed improvement in polishing rate when exceeding 40 wt%, in terms of wasted correspondingly cost but to rise.
【0022】 [0022]
研磨用組成物には更にリン酸又はその塩を含有することが望ましい。 The polishing composition desirably contains a further phosphoric acid or a salt thereof. リン酸又はその塩は保護膜作用により被研磨物表面に保護膜を形成して被研磨物表面にスクラッチ等の欠陥が発生するのを低減するものである。 Phosphoric acid or a salt thereof is to reduce a defect such as a scratch on the protective film is formed on the object to be polished surface polishing target surface is generated by the protective film action. リン酸塩としては、リン酸一アンモニウム〔(NH )H PO 〕、リン酸二アンモニウム〔(NH HPO 〕、リン酸三アンモニウム〔(NH PO 〕、リン酸一ナトリウム(NaH PO )、リン酸二ナトリウム(Na HPO )、リン酸三ナトリウム(Na PO )、リン酸一カリウム(KH PO )、リン酸二カリウム(K HPO )、リン酸三カリウム(K PO )等が挙げられる。 The phosphate, monoammonium phosphate [(NH 4) H 2 PO 4], diammonium phosphate [(NH 4) 2 HPO 4], tricalcium phosphate ammonium [(NH 4) 3 PO 4], phosphorus monosodium (NaH 2 PO 4), disodium phosphate (Na 2 HPO 4), trisodium phosphate (Na 3 PO 4), monopotassium phosphate (KH 2 PO 4), dipotassium phosphate (K 2 HPO 4), tripotassium phosphate (K 3 PO 4), and the like.
【0023】 [0023]
リン酸又はその塩の含有量は0.01〜30重量%が好ましく、1〜10重量%がより好ましい。 The content of phosphoric acid or its salt is preferably 0.01 to 30 wt%, more preferably 1-10 wt%. この含有量が0.01重量%未満の場合にはスクラッチ等の被研磨物表面欠陥が発生しやすく、30重量%を越える場合にはコストが上昇する。 Workpiece surface defects such as scratches are likely to occur if this content is less than 0.01 wt%, the cost increases in the case of exceeding 30 wt%.
【0024】 [0024]
本実施形態の研磨用組成物には、研磨用組成物の安定化、被研磨物表面品質保持、研磨加工上に必要性等に応じ、上記の成分以外にその他の添加成分として、界面活性剤、腐食防止剤、増粘剤、キレート剤、消泡剤等を含有してもよい。 The polishing composition of this embodiment, the stabilization of the polishing composition, the polishing target surface quality maintained, depending on the need or the like on polishing, as other additive components in addition to the above components, a surfactant , corrosion inhibitor, thickener, chelating agent, may also contain an antifoaming agent. その他の添加成分の研磨用組成物中の含有量は、研磨用組成物の常法に従って決定される。 The content of the polishing composition of the other additive components is determined in accordance with a conventional method of polishing composition.
【0025】 [0025]
界面活性剤としては、研磨材の分散性を向上させるために、例えばポリカルボン酸系界面活性剤、ポリスルホン酸系界面活性剤等が挙げられ、また具体例としてポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸ナトリウム等が挙げられる。 As the surfactant, in order to improve the dispersibility of the abrasive, for example, the polycarboxylic acid-based surfactant, polysulfonic acid-based surfactant and the like, also polyoxyethylene alkyl ether sulfate, etc. Specific examples and the like. 腐食防止剤としては、ベンゾトリアゾール等が挙げられる。 The corrosion inhibitor, benzotriazole and the like. この場合、被研磨物表面を酸による腐食から保護することができる。 In this case, it can be protected from corrosion by acid workpiece surface.
【0026】 [0026]
本実施形態の研磨用組成物は、前記の各成分を翼式撹拌機、超音波分散装置等によって混合、分散或いは溶解することにより調製される。 The polishing composition of this embodiment, blade stirrer the components of the mixing by ultrasonic dispersion device, etc., is prepared by dispersing or dissolving. この場合、各成分の添加順序は特に制限されず、いずれの順序でもよく、同時でもよい。 In this case, the order of addition of the components is not specifically limited, it may be in either order, or simultaneously.
【0027】 [0027]
このとき、研磨用組成物のpHは酸化反応によって研磨速度を向上させるために、好ましくは7未満、より好ましくは1〜4である。 At this time, pH of the polishing composition in order to increase the polishing rate by the oxidation reaction, preferably less than 7, more preferably 1-4. pHが7以上の場合、十分な研磨速度が得られない。 If the pH is 7 or more, sufficient polishing rate is not obtained. 一方、pHが1未満の場合、研磨用組成物が強酸となり、研磨装置に腐食を起こすおそれがある等取扱いに注意が必要である。 On the other hand, if the pH is less than 1, the polishing composition becomes strong, it is necessary to pay attention to the equal handling there is a risk of corrosion to the polishing apparatus.
【0028】 [0028]
研磨を行なう場合に用いられる研磨機としては、片面研磨機又は両面研磨機のいずれであってもよい。 The polishing machine used in the case of performing polishing, may be any of single-side polishing machine or a double-side polishing machine. 研磨パッドは不織布タイプ、スウェードタイプ、植毛布タイプ、起毛タイプ等が用いられる。 The polishing pad nonwoven type, suede type, flocked type, nap type or the like is used. また、研磨は1段で行なってもよく、2段以上の複数回に分けて行なってもよい。 The polishing may be performed in one step may be performed in two stages or more of the plurality of times. 複数回に分けて行なう場合には、最後の仕上げ研磨において前記研磨用組成物を使用することが望ましい。 In the case of the a plurality of times, it is desirable to use the polishing composition at the end of the finish polishing. すなわち、基板表面の表面粗さ(Ra)が例えば30Å以下となるまで仕上げ研磨の前に研磨し、その後に前記研磨用組成物を用いて仕上げ研磨を行なうことが望ましい。 That is, the polishing prior to finish polishing until the surface roughness of the substrate (Ra) of the surface is, for example, 30Å or less, it is desirable to carry out the finish polishing with a subsequently the polishing composition.
【0029】 [0029]
さて、ニッケル−リンメッキを施したアルミニウム合金製の基板表面を仕上げ研磨する場合には、本実施形態の研磨用組成物の水性液(スラリー)を基板表面に供給しながら研磨パッドで基板表面を研磨する。 Now, nickel - in the case of polished aluminum alloy substrate surface which has been subjected to the phosphorus plating, polishing the substrate surface an aqueous solution of the polishing composition of this embodiment (slurry) with a polishing pad while supplying the substrate surface to. このとき、研磨用組成物中には研磨材としてコロイダルシリカが含まれていることから、その機械的研磨作用によって一定の研磨速度でアルミニウム合金の表面が仕上げ研磨される。 At this time, since it contains the colloidal silica as an abrasive in the polishing composition, the surface of the aluminum alloy is polished by the mechanical polishing action at a constant polishing rate.
【0030】 [0030]
更に、研磨用組成物中にはメタンスルホン酸及び過酸化水素が含まれていることから、化学的研磨作用(エッチング)を発揮することができると共に、コロイダルシリカの凝集を低減することができる。 Further, since the polishing composition contains methanesulfonic acid and hydrogen peroxide, it is possible to exert a chemical polishing action (etching), it is possible to reduce aggregation of the colloidal silica. 基板表面がエッチングされ、コロイダルシリカの凝集が低減された状態でコロイダルシリカによる研磨が行なわれるため、研磨速度を向上させることができると共に、被研磨物の表面の微小うねりを目標レベルに速く到達させることができる。 The substrate surface is etched, since the coagulation of colloidal silica polishing with colloidal silica is carried out in a state of being reduced, it is possible to improve the polishing rate, to reach quickly the micro-waviness of the surface of the object to be polished to a target level be able to. また、過酸化水素は被研磨物の表面を酸化させその表面硬度を低下させて、コロイダルシリカによる機械的研磨作用を促進させることができる。 Further, hydrogen peroxide can be to reduce surface hardness by oxidizing the surface of the workpiece, to promote mechanical polishing action of the colloidal silica.
【0031】 [0031]
加えて、研磨用組成物中にはクエン酸、マレイン酸、リンゴ酸等の研磨促進剤が含まれていることから、メタンスルホン酸及び過酸化水素と相俟って研磨速度が更に促進される。 In addition, citric acid in the polishing composition, maleic acid, since it contains the polishing accelerator such as malic acid, the polishing rate is further promoted I methanesulfonic acid and hydrogen peroxide coupled with . そのうえ、研磨用組成物中にはリン酸又はその塩が含まれているため、被研磨物表面に保護膜が形成され、被研磨物表面におけるスクラッチ、ピット等の表面欠陥の発生が低減される。 Moreover, since the polishing composition contains phosphoric acid or a salt thereof, a protective film to be polished surface is formed, scratching, the occurrence of surface defects of the pits or the like is reduced in the object to be polished surface . 研磨用組成物による研磨後には水洗等の工程を経て基板表面が洗浄され、乾燥されて磁気ディスク用の基板が製造される。 After polishing with the polishing composition is cleaned substrate surface through processes such as washing with water, and dried in a substrate for a magnetic disk is manufactured.
【0032】 [0032]
以上詳述した本実施形態によれば、次のような効果が発揮される。 According to the present embodiment described above, the following effects are exhibited.
・ 本実施形態の研磨用組成物には研磨材としての酸化ケイ素と共に、メタンスルホン酸及び過酸化水素が含まれている。 - the polishing composition of this embodiment with a silicon oxide as abrasive contains methanesulfonic acid and hydrogen peroxide. このため、酸化ケイ素の機械的研磨作用とメタンスルホン酸及び過酸化水素の化学的研磨作用によって研磨速度の向上を図ることができる。 Therefore, it is possible to improve the polishing rate by chemical polishing action of the mechanical polishing action and methanesulfonic acid and hydrogen peroxide silicon oxide. また、メタンスルホン酸及び過酸化水素による研磨材の凝集低減作用によって研磨後の基板表面の欠陥の発生を低減することができると共に、基板表面の微小うねりを低減して平滑性を向上させることができる。 Further, it is possible to reduce the occurrence of defects in the substrate surface after polishing by the aggregation reducing action of the abrasive by methanesulfonic acid and hydrogen peroxide, to improve the smoothness and reduce the waviness of the substrate surface it can.
【0033】 [0033]
・ また、クエン酸、マレイン酸、無水マレイン酸、リンゴ酸、グルコール酸、コハク酸、イタコン酸、マロン酸、イミノ二酢酸、グルコン酸、乳酸、マンデル酸、酒石酸、クロトン酸、ニコチン酸、酢酸、アジピン酸、グリシン、アラニン、ヒスチジン、蟻酸、シュウ酸及び硫酸からなる群より選ばれる少なくとも一種の研磨促進剤を含有することにより、化学的研磨作用を高めて研磨速度を向上させることができる。 It also citric acid, maleic acid, maleic anhydride, malic acid, glycolic acid, succinic acid, itaconic acid, malonic acid, iminodiacetic acid, gluconic acid, lactic acid, mandelic acid, tartaric acid, crotonic acid, nicotinic acid, acetic acid, adipic acid, glycine, alanine, histidine, formic acid, by containing at least one polishing accelerator selected from the group consisting of oxalic acid and sulfuric acid, it is possible to improve the polishing rate to increase the chemical polishing action.
【0034】 [0034]
・ 更に、リン酸又はその塩を含有することによって、被研磨物表面に保護膜を形成することができて、スクラッチ、ピット等の表面欠陥が発生するのを低減することができる。 · In addition, by containing a phosphoric acid or a salt thereof, to be able to form a protective film on the object to be polished surfaces can scratch the surface defects such as pits to reduce the occurrence.
【0035】 [0035]
・ 前記研磨用組成物を磁気ディスク用基板の表面を仕上げ研磨するために用いることにより、基板表面の欠陥の発生を低減することができ、かつ基板表面の微小うねりを低減して平滑にすることができる。 - the polishing composition by using for final polishing the surface of the magnetic disk substrate, it is possible to reduce the occurrence of defects in the substrate surface, and be made smooth by reducing the waviness of the substrate surface can. このため、磁気ヘッドの浮上高さを低くすることができると共に、情報欠落や情報の読み取り不良を防止することができる。 Therefore, it is possible to prevent it is possible to lower the flying height of the magnetic head, reads the information loss and information poor.
【0036】 [0036]
尚、前記実施形態を次のように変更して構成することも可能である。 It is also possible to configure to change the embodiments as follows.
・ 前記研磨用組成物に過酸化水素が含有されるときには、過酸化水素と他の成分とを別々に分けた状態で調製及び保管し、使用する直前に過酸化水素を他の成分に加えてもよい。 · Said when the hydrogen peroxide is contained in the polishing composition was prepared and kept in a state of separated hydrogen peroxide and other ingredients separately, by adding hydrogen peroxide just before use for other components it may be. このように構成した場合には、研磨用組成物を長期間保管するときに、過酸化水素が研磨用組成物中で分解することを低減することができる。 When configured in this manner, when storing the polishing composition a long period, it is possible to reduce the hydrogen peroxide is decomposed in the polishing composition. 具体的には、研磨材及びメタンスルホン酸、或いは研磨材、メタンスルホン酸及びリン酸又はその塩の混合物を高濃度の原液として調製、保存しておき、研磨直前にその原液を希釈する際に過酸化水素、過酸化水素及び研磨促進剤、或いはそれらの混合物を溶解させて所定の組成の研磨用組成物を得る方法がある。 Specifically, the abrasive and methanesulfonic acid, or abrasive, preparing a mixture of methanesulfonic acid and phosphoric acid or its salt as a highly concentrated stock solution, to keep the time of diluting the stock solution immediately before polishing hydrogen peroxide, hydrogen peroxide and a polishing accelerator, or by dissolving the mixture thereof is a method of obtaining a polishing composition having a predetermined composition. その他、過酸化水素、メタンスルホン酸、研磨促進剤及びリン酸又はその塩を所定の容量比にて混合された状態で貯蔵し、研磨直前にこの混合物及び研磨材を、必要に応じて水に分散・溶解させる方法が考えられる。 Other, hydrogen peroxide, methanesulfonic acid, a polishing accelerator, and phosphoric acid or its salt and stored in a state of being mixed in a predetermined volume ratio, the mixture and abrasive immediately before polishing, the water optionally the method for dispersing or dissolved can be considered. これらの方法を用いれば、比較的高濃度での研磨用組成物の保存が可能となる上に、研磨材の安定性が損なわれ易い環境下においても、長期保存が可能となる。 Using these methods, relatively on the storage of highly concentrated polishing composition in is possible, even in the stability impaired likely environment of the abrasive, it is possible long-term storage.
【0037】 [0037]
・ 被研磨物としては、磁気ディスク用の基板、半導体のウエハ等の半導体基板、光学レンズ等が挙げられる。 - The object to be polished, a substrate for a magnetic disk, a semiconductor substrate such as a semiconductor wafer, an optical lens, and the like. それらの材質としては、タングステン、銅、シリコン、ガラス、セラミック等が挙げられる。 As their materials, tungsten, copper, silicon, glass, ceramics and the like. 磁気ディスク用の基板としては、ニッケル−鉄(Ni−Fe)メッキを施したアルミニウム、ボロンカーバイド(BC)、カーボン(C)等を用いた基板が挙げられる。 As a substrate for a magnetic disk, a nickel - iron (Ni-Fe) aluminum plated, boron carbide (BC), include a substrate using a carbon (C) or the like.
【0038】 [0038]
・ 研磨用組成物は管理を容易にすると共に輸送コストを低減するために、濃縮された状態で保管し、使用時には所要量の水を混合して希釈するように構成することが望ましい。 The polishing composition in order to reduce the transportation cost with ease of administration, and stored in a concentrated, it is desirable that in use be configured to dilute by mixing the required amount of water. 但し、過剰の濃縮では、研磨材の分散安定性や他の成分の溶解バランスが崩れやすい。 However, the excess concentration, dissolution balance of dispersion stability and other components of the abrasive tends to collapse. このため、濃縮された研磨用組成物と水との体積比は、好ましくは濃縮された研磨用組成物:混合される水=1:1〜7である。 Therefore, the volume ratio of the concentrated polishing composition and water, preferably the polishing composition is enriched: Mixed the water = 1: 1 to 7. この比が1未満の場合濃縮の度合いが低く、7を越える場合濃縮の度合いが高くなって研磨用組成物が凝集しやすくなる。 This ratio is lower the degree of enrichment of less than 1, the polishing composition tends to agglomerate higher degree when concentrating exceeding 7.
【0039】 [0039]
【実施例】 【Example】
次に、実施例及び比較例を挙げて前記実施形態を更に具体的に説明する。 Next, the embodiment examples and comparative examples will be described more specifically. 尚、本発明はこれらの実施例の内容に限定されるものではない。 The present invention is not limited to the contents of these examples.
(実施例1〜15) (Examples 1 to 15)
研磨材としてコロイダルシリカ、メタンスルホン酸、過酸化水素、研磨促進剤、リン酸又はその塩及びイオン交換水を表1に示すような割合で混合して研磨用組成物を調製した。 Colloidal silica as an abrasive, methanesulfonic acid, hydrogen peroxide, polishing accelerator, a phosphoric acid or a salt thereof and deionized water to prepare a polishing composition were mixed in proportions shown in Table 1. 尚、過酸化水素としては31重量%濃度の水溶液を用いたが、表1では水溶液中の過酸化水素の重量%(wt%)を表す。 Although the hydrogen peroxide using an aqueous solution of 31 wt% concentration, expressed by weight percent of hydrogen peroxide in aqueous solution in Table 1 (wt%). また、イオン交換水は表1に示した成分以外の残りの重量である。 Further, ion-exchanged water is the remainder of the weight of ingredients other than shown in Table 1. 得られた研磨用組成物を用い、次のような条件にてニッケル−リン(Ni−P)メッキを施したアルミニウム基板の表面を研磨した。 Using the polishing composition obtained, nickel at the following conditions - polishing the phosphorus (Ni-P) surface of the aluminum substrate plated. このときの研磨速度、研磨後の基板表面のスクラッチ及び微小うねりを以下のような条件で測定した。 Polishing speed at this time, the scratches and waviness of the substrate surface after polishing was measured under the conditions as follows. その結果を表2に示す。 The results are shown in Table 2. 但し、評価基準の内容は表3に示したとおりである。 However, contents of the evaluation criteria are as shown in Table 3.
【0040】 [0040]
研磨材として平均粒子径が0.02μmのコロイダルシリカを使用した。 The average particle size as the abrasive was used colloidal silica 0.02 [mu] m. 但し、実施例9では平均粒子径が0.05μmのコロイダルシリカを使用し、実施例10では平均粒子径が0.08μmのコロイダルシリカを使用した。 However, the average particle diameter in Example 9, using 0.05μm colloidal silica, the average particle size in Example 10 was used colloidal silica 0.08 .mu.m.
【0041】 [0041]
アルキルスルホン酸は、表1においてMeがメタンスルホン酸、Etがエタンスルホン酸、Prがプロパンスルホン酸であることを表す。 Alkyl sulfonic acids, Me in Table 1 indicate that methanesulfonic acid, Et is ethanesulfonic acid, Pr is propane sulfonic acid.
研磨促進剤は、表1においてA1がクエン酸、A2がリンゴ酸、A3が酒石酸、A4がマレイン酸を示す。 Polishing accelerator shows A1 citric acid in Table 1, A2 is malic acid, A3 tartrate, A4 is a maleate. リン酸塩はB1がリン酸二アンモニウム、B2がリン酸三アンモニウム、B3がリン酸三ナトリウムを示す。 Phosphate B1 is diammonium phosphate, B2 phosphate tribasic ammonium, B3 indicates a trisodium phosphate.
【0042】 [0042]
研磨条件: Polishing conditions:
被研磨物 :Chapman MP2000PLUS〔チャップマン(Chapman)社(米国)製〕によって測定される表面粗さRaの値が10Å程度になるように予備研磨加工されたφ3.5インチ(約95mm)の無電解Ni−Pサブストレート研磨機 :両面研磨機(SFDL−9B;スピードファム株式会社製) Workpiece: Electroless of Chapman MP2000PLUS [Chapman (Chapman), Inc. (USA)] φ3.5 inches the value of the surface roughness Ra to be measured is preliminarily polished so that the order of 10Å by (approximately 95 mm) Ni-P substrate polishing machine: double-sided polishing machine (SFDL-9B; manufactured by speed Fam Co., Ltd.)
研磨荷重 :80g/cm Polishing load: 80g / cm 2
下定盤回転数 :40rpm、 研磨用組成物の供給量:100ml/min Lower plate rotation: 40 rpm, the supply amount of the polishing composition: 100 ml / min
研磨パッド :スウェードタイプ(N0058、カネボウ(株)製) Polishing pad: suede type (N0058, manufactured by Kanebo, Ltd.)
研磨時間 :4分研磨枚数 :10枚 (1キャリア2枚で5キャリア) Polishing time: 4 min Polishing number: 10 sheets (1 5 carrier by two carrier)
評価条件: Evaluation conditions:
研磨速度 :研磨による重量減(g)/〔基板面積(cm )×Ni−Pメッキの密度(g/cm )×研磨時間(min)〕×10000 Polishing rate: weight decrease by grinding (g) / [substrate area (cm 2) × Ni-P plating density (g / cm 3) × polishing time (min)] × 10000
スクラッチ :MicroMax VMX2100 10面(5枚×表裏)の平均値微小うねり(Wa):Chapman MP2000Plus(米国Chapman社製の非接触表面粗さ測定装置) 10面(5枚×表裏)の平均値 波長80〜400μm、対物10倍レンズ(実施例16及び17) Scratch: MicroMax VMX2100 average waviness of 10 surface (5 sheets × sides) (Wa): Chapman MP2000Plus (US Chapman Co. noncontact surface roughness measuring apparatus) 10 surface (5 sheets × sides) average wavelength 80 ~400Myuemu, objective 10x lens (examples 16 and 17)
研磨用組成物中にリン酸又はその塩を含まないこと以外は実施例1〜15と同様にして表1に示す研磨用組成物を調製した。 Except that it does not contain a phosphoric acid or a salt thereof in the polishing composition in the same manner as in Examples 1 to 15 were prepared polishing composition shown in Table 1. それらの研磨用組成物を用い、実施例1〜15と同様にして研磨を行い、研磨速度、研磨後の基板表面のスクラッチ及び微小うねりを測定した。 Using these polishing compositions, polishing is performed in the same manner as in Examples 1 to 15, polishing rate, scratches and waviness of the substrate surface after polishing was measured. その結果を表2に示した。 The results are shown in Table 2.
(実施例18及び19) (Examples 18 and 19)
研磨用組成物中に研磨促進剤を含まないこと以外は実施例1〜15と同様にして表1に示す研磨用組成物を調製した。 Except that it does not contain a polishing accelerator in the polishing composition in the same manner as in Examples 1 to 15 were prepared polishing composition shown in Table 1. それらの研磨用組成物を用い実施例1〜15と同様にして研磨を行い、研磨速度、研磨後の基板表面のスクラッチ及び微小うねりを測定した。 It was ground in the same manner as in Example 15 using these polishing compositions, polishing rate, scratches and waviness of the substrate surface after polishing was measured. その結果を表2に示した。 The results are shown in Table 2.
(実施例20) (Example 20)
研磨用組成物中にリン酸又はその塩と研磨促進剤の双方を含まないこと以外は実施例1〜15と同様にして表1に示す研磨用組成物を調製した。 Except that in the polishing composition does not contain both phosphoric acid or its salt with a polishing accelerator in the same manner as in Examples 1 to 15 were prepared polishing composition shown in Table 1. それらの研磨用組成物を用い実施例1〜15と同様にして研磨を行い、研磨速度、研磨後の基板表面のスクラッチ及び微小うねりを測定した。 It was ground in the same manner as in Example 15 using these polishing compositions, polishing rate, scratches and waviness of the substrate surface after polishing was measured. その結果を表2に示した。 The results are shown in Table 2.
(比較例1〜8) (Comparative Example 1-8)
比較例1〜3では研磨用組成物中にメタンスルホン酸が含まれておらず、比較例4及び5では過酸化水素が含まれていない。 Comparative Example does not contain methanesulfonic acid in 1-3 polishing composition in, does not contain hydrogen peroxide in Comparative Example 4 and 5. 比較例6及び7では、研磨用組成物中にそれぞれエタンスルホン酸、プロパンスルホン酸が含まれている。 In Comparative Examples 6 and 7, respectively ethanesulfonic acid in the polishing composition contains propane sulfonic acid. また、比較例8〜10では研磨材が平均粒子径が0.5μmのアルミナである。 The average particle diameter of the abrasive in Comparative Examples 8 to 10 is alumina of 0.5 [mu] m. その他は表1に示す組成である。 Others are compositions shown in Table 1. そして、それらの研磨用組成物を用い実施例1〜15と同様にして研磨を行い、研磨速度、研磨後の基板表面のスクラッチ及び微小うねりを測定した。 Then, a polishing in the same manner as in Example 15 using these polishing compositions, polishing rate, scratches and waviness of the substrate surface after polishing was measured. その結果を表2に示した。 The results are shown in Table 2.
【0043】 [0043]
【表1】 [Table 1]
【0044】 [0044]
【表2】 [Table 2]
【0045】 [0045]
【表3】 [Table 3]
表1に示したように、実施例1〜20においては、研磨速度、スクラッチ及び微小うねりのいずれについても良好であった。 As shown in Table 1, in Examples 1 to 20, the polishing rate was also good for any scratches and waviness. これに対して、比較例1〜3では研磨用組成物中にメタンスルホン酸が含まれていないことから研磨速度が低く、比較例2,3では微小うねりも悪化した。 In contrast, the polishing rate since it does not contain methanesulfonic acid in the composition for polishing in Comparative Example 1-3 was low, microwaviness in Comparative Examples 2 and 3 were also deteriorated. 比較例4、5においては過酸化水素が含まれていないことから研磨速度、スクラッチ及び微小うねりのいずれについても不良であった。 Polishing rate since it does not contain hydrogen peroxide in Comparative Examples 4 and 5, it was poor for any scratches and waviness. 比較例6、7においては、研磨用組成物にエタンスルホン酸、プロパンスルホン酸が含まれていることから、メタンスルホン酸を含むものに比べて、研磨速度が小さいため、微小うねりが悪化した。 In Comparative Examples 6 and 7, ethanesulfonic acid in the polishing composition, since it contains the acid, as compared with those containing methanesulfonic acid, since the polishing rate is small, microwaviness is deteriorated. 比較例6〜8においては研磨材がアルミナであることから研磨速度は高いものの、スクラッチ及び微小うねりが不良であった。 Although high polishing rate since the abrasive is alumina in Comparative Examples 6-8, scratches and micro-waviness was poor.
【0046】 [0046]
尚、前記実施形態から把握できる技術的思想について以下に記載する。 Incidentally, described below technical idea understood from the embodiment.
・ 前記研磨材はコロイダルシリカである請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の研磨用組成物。 · The abrasive polishing composition according to claim 1 which is colloidal silica in any one of claims 3. このように構成した場合、被研磨物の被研磨面にスクラッチ等の欠陥が発生することを効果的に低減することができる。 In such a configuration, it is possible to effectively reduce the defects such as scratches on the polished surface of the object to be polished is generated.
【0047】 [0047]
・ 前記研磨促進剤はクエン酸、マレイン酸、リンゴ酸、コハク酸及び酒石酸からなる群より選ばれる少なくとも一種である請求項2又は請求項3に記載の研磨用組成物。 - the polishing accelerator citric acid, maleic acid, malic acid, the polishing composition according to claim 2 or claim 3 is at least one selected from the group consisting of succinic acid and tartaric acid. この構成によれば、十分な研磨促進作用を発揮することができて、研磨速度を向上させることができる。 According to this configuration, it is possible to be able to exert sufficient polishing promoting effect, improve the polishing rate.
【0048】 [0048]
・ 表面粗さRaが30Å以下の磁気ディスク用基板の表面を請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の研磨用組成物により研磨することを特徴とする磁気ディスク用基板の製造方法。 · The production method of a magnetic disk substrate, wherein the surface roughness Ra is polished by the polishing composition according to the surface of the substrate for the following magnetic disk 30Å claims 1 to any one of claims 3 . この製造方法によれば、磁気ディスク用基板はその表面欠陥の発生が低減され、微小うねりも低減されて平滑になり、磁気ヘッドの浮上高さを低くすることができると共に、情報欠落や情報の読み取り不良を防止することができる。 According to this manufacturing method, a substrate for a magnetic disk is reduced occurrence of the surface defect, waviness becomes smooth is reduced, it is possible to lower the flying height of the magnetic head, information loss and information it is possible to prevent reading failure.
【0049】 [0049]
【発明の効果】 【Effect of the invention】
本発明は、以上のように構成されているため、次のような効果を奏する。 The present invention, because it is constituted as described above, the following effects can be obtained.
請求項1に記載の発明の研磨用組成物によれば、研磨速度の向上を図ることができると共に、研磨後の被研磨物表面における欠陥の発生を低減することができ、かつ被研磨物表面の微小うねりを低減して平滑性を向上させることができる。 According to the polishing composition of the invention according to claim 1, it is possible to improve the polishing rate, it is possible to reduce the occurrence of defects in the object to be polished surface after the polishing, and the polishing target surface thereby improving the smoothness and reduce the waviness.
【0050】 [0050]
請求項2に記載の発明の研磨用組成物によれば、請求項1に記載の発明の効果に加え、研磨速度を向上させることができる。 According to the polishing composition of the invention according to claim 2, in addition to the effect of the invention according to claim 1, it is possible to improve the polishing rate.
請求項3に記載の発明の研磨用組成物によれば、請求項1又は請求項2に記載の発明の効果に加え、被研磨物表面にスクラッチ等の欠陥が発生するのを効果的に低減することができる。 According to the polishing composition of the invention according to claim 3, effectively reduce the addition to the effect of the invention according to claim 1 or claim 2, defects such as scratches on the polished workpiece surface to generate can do.
【0051】 [0051]
請求項4に記載の発明の研磨用組成物によれば、請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の発明の効果に加え、磁気ディスク基板の性能を向上させることができる。 According to the polishing composition of the invention according to claim 4, in addition to the effect of the invention according to any one of claims 1 to 3, it is possible to improve the performance of the magnetic disk substrate.

Claims (4)

  1. 酸化ケイ素を研磨材とし、メタンスルホン酸、過酸化水素及び水を含有することを特徴とする研磨用組成物。 Silicon oxide and abrasive, methanesulfonic acid, the polishing composition characterized by containing the hydrogen peroxide and water.
  2. 更に、クエン酸、マレイン酸、無水マレイン酸、リンゴ酸、グルコール酸、コハク酸、イタコン酸、マロン酸、イミノ二酢酸、グルコン酸、乳酸、マンデル酸、酒石酸、クロトン酸、ニコチン酸、酢酸、アジピン酸、グリシン、アラニン、ヒスチジン、蟻酸、シュウ酸及び硫酸からなる群より選ばれる少なくとも一種の研磨促進剤を含有する請求項1に記載の研磨用組成物。 Furthermore, citric acid, maleic acid, maleic anhydride, malic acid, glycolic acid, succinic acid, itaconic acid, malonic acid, iminodiacetic acid, gluconic acid, lactic acid, mandelic acid, tartaric acid, crotonic acid, nicotinic acid, acetic acid, adipic acid, glycine, alanine, histidine, formic acid, the polishing composition of claim 1 containing at least one polishing accelerator selected from the group consisting of oxalic acid and sulfuric acid.
  3. 更に、リン酸又はその塩を含有する請求項1又は請求項2に記載の研磨用組成物。 Furthermore, phosphoric acid or polishing composition according to claim 1 or claim 2 a salt thereof.
  4. 磁気ディスク用基板の表面を仕上げ研磨するために用いられるものである請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の研磨用組成物。 The polishing composition according to any one of claims 1 to 3 and is used for final polishing of the surface of the magnetic disk substrate.
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