JP4213858B2

JP4213858B2 - Polishing liquid composition

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Publication number: JP4213858B2
Application number: JP2000345113A
Authority: JP
Inventors: 宏一内藤; 敏也萩原; 滋夫藤井
Original assignee: Kao Corp
Current assignee: Kao Corp
Priority date: 2000-02-03
Filing date: 2000-11-13
Publication date: 2009-01-21
Anticipated expiration: 2020-11-13
Also published as: JP2001288455A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は研磨液組成物に関する。さらに詳しくは、研磨速度を向上させ、表面粗さ(Ra)、うねり(Wa)を低減して高品質の研磨面が得られる研磨液組成物、該研磨液組成物を用いた研磨方法、表面平滑性の向上した磁気ディスク基板、及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ハードディスクの記録密度を向上させる要求はますます厳しくなっており、そのため磁気ヘッドの浮上量を小さくできるよう、ディスク基板の平坦度（表面平滑性）を向上させることが求められている。具体的にはディスク基板の表面粗さ(Ra)及びうねり(Wa)がそれぞれ３Å以下という表面平滑性が求められ、特に磁気ディスク装置の故障の原因となったり、情報の読み書きの際のエラーの原因となるうねりを低減することが大きな課題である。従来では、所望の表面平滑性を得るためアルミナ等を砥粒とする研磨液を用いた研磨工程後、より微小なシリカ粒子を砥粒とした研磨液でさらに研磨する工程を行っている。しかし、シリカ粒子を用いた研磨液は研磨速度が遅いという欠点があり、さらなる研磨速度の向上が求められている。例えば、特開平11-167711 号公報にはシリカ粒子を砥粒に用いた研磨液にクエン酸Fe塩、シュウ酸Fe塩、塩化Fe塩等の化合物を配合する方法、特開平10-204416 号公報にはコロイダルシリカとクエン酸Fe塩、クエン酸アンモニウムFe塩、シュウ酸アンモニウムFe塩等の化合物を配合する方法等が提案されているが、いずれの場合も研磨速度の向上は不十分である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、研磨速度を向上させると共に、スクラッチ、ピット等の表面欠陥が少なく、表面粗さ(Ra)、及びうねり(Wa)等の表面平滑性を向上させることが可能な研磨液組成物、該研磨液組成物を用いる研磨方法、表面粗さ(Ra)、及びうねり(Wa)等の表面平滑性が向上した磁気ディスク基板、並びにその製造方法を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
即ち、本発明の要旨は、
〔１〕シリカ粒子と水とポリアミノカルボン酸のＦｅ塩及び／又はＡｌ塩を含有する研磨液組成物、
〔２〕さらに無機酸及び／又は有機酸を含有する前記〔１〕記載の研磨液組成物、
〔３〕前記〔１〕又は〔２〕記載の研磨液組成物を用いる研磨方法、
〔４〕前記〔１〕又は〔２〕記載の研磨液組成物を用いた研磨工程を有する磁気ディスク基板の製造方法、並びに
〔５〕前記〔１〕又は〔２〕記載の研磨液組成物を用いて製造した磁気ディスク基板
に関する。
【０００５】
【発明の実施の形態】
本発明には、表面粗さ(Ra)、及びうねり(Wa)等の表面平滑性の向上、研磨速度の向上等の観点から、ポリアミノカルボン酸金属塩（Ｆｅ塩及び／又はＡｌ塩）が用いられる。ポリアミノカルボン酸金属塩のポリアミノカルボン酸部分は、金属イオンと結合してキレート化合物を形成する多座配位子をもち、２以上のカルボキシル基をもつものである。ポリアミノカルボン酸の分子量は、研磨速度を向上させる観点、金属イオンの析出を抑制する観点及び溶解性向上の観点から、80〜1000が好ましく、さらに好ましくは140 〜600 である。また、ポリアミノカルボン酸のカルボキシル基の数は、研磨速度を向上させる観点から、３以上が好ましく、また溶解性向上の観点から１０以下が好ましく、より好ましくは８以下、さらに好ましくは６以下である。ポリアミノカルボン酸の具体例としては、エチレンジアミン四酢酸、ヒドロキシエチレンジアミン三酢酸、ニトリロ三酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸、トリエチレンテトラミン六酢酸、ジカルボキシメチルグルタミン酸、ヒドロキシエチルイミノ二酢酸、ジヒドロキシエチルグリシン、1,3-プロパンジアミン四酢酸、1,3-ジアミノ-2- ヒドロキシプロパン四酢酸等が挙げられる。これらの中でも、エチレンジアミン四酢酸、ニトリロ三酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸、ジカルボキシメチルグルタミン酸及び1,3-プロパンジアミン四酢酸が好ましく、エチレンジアミン四酢酸が特に好ましい。
【０００６】
また、ポリアミノカルボン酸金属塩に用いられる金属イオンとしては、研磨液組成物の研磨速度を向上させる観点、及びシリカ砥粒の分散性の低減を防ぐ観点から、Ｆｅイオン及びＡｌイオンが好ましく、より好ましくはＦｅイオン、特に三価のＦｅイオンが好ましい。また、溶解性向上の観点から、さらにアンモニウムイオン、Ｎａイオンを含む塩でもよい。
【０００７】
ポリアミノカルボン酸金属塩の好ましい例としては、エチレンジアミン四酢酸Ｆｅ塩、エチレンジアミン四酢酸Ａｌ塩、エチレンジアミン四酢酸Ａｌアンモニウム塩、ジエチレントリアミン五酢酸Ｆｅ塩、１，３−プロパンジアミン四酢酸Ｆｅ塩、ジエチレントリアミン五酢酸Ａｌ塩、１，３−プロパンジアミン四酢酸Ａｌ塩、エチレンジアミン四酢酸Ｆｅアンモニウム塩、エチレンジアミン四酢酸ＦｅＮａ塩、１，３−プロパンジアミン四酢酸Ｆｅアンモニウム塩、ジエチレントリアミン五酢酸Ｆｅアンモニウム塩、ジエチレントリアミン五酢酸ＦｅＮａ塩等が挙げられる。また、これらのポリアルミノカルボン酸塩について、あらかじめ必要とされる金属の塩を形成させても良いし、これらの金属を含む硝酸塩、硫酸塩、燐酸塩等の無機酸塩、酢酸塩等の有機酸塩と、ポリアミノカルボン酸及び／又はＦｅ塩、Ａｌ塩以外のポリアミノカルボン酸塩を混合して、研磨液組成物中でキレート変換を行ない、目的とする塩を得ても構わない。
【０００８】
研磨液組成物中におけるポリアミノカルボン酸金属塩の含有量は、研磨速度を向上させる観点から、好ましくは0.02重量％以上、より好ましくは0.05重量％以上、さらに好ましくは0.1 重量％以上、特に好ましくは0.5 重量％以上であり、表面粗さ、うねりを低減し、ピット、スクラッチ等の表面欠陥を減少させて表面品質を向上させる観点及び経済性の観点から、好ましくは20重量％以下、より好ましくは15重量％以下、さらに好ましくは10重量％以下、特に好ましくは５重量％以下である。該含有量は、好ましくは0.02〜20重量％、より好ましくは0.05〜15重量％、さらに好ましくは0.1 〜10重量％、特に好ましくは0.5 〜５重量％である。
【０００９】
本発明には、表面粗さ(Ra)、うねり(Wa)を低減し、スクラッチ等の表面欠陥を減少させて、表面品質を向上させる観点から、研磨材としてシリカ粒子が用いられる。シリカ粒子としては、コロイダルシリカ粒子、ヒュームドシリカ粒子、表面修飾したシリカ粒子等が挙げられる。好ましくは、コロイダルシリカ粒子である。なお、コロイダルシリカ粒子は、例えば、ケイ酸水溶液から生成させる製法により得ることができる。
【００１０】
シリカ粒子の平均一次粒径は、研磨速度を向上させる観点から、好ましくは0.001 μm 以上、より好ましくは0.01μm 以上、さらに好ましくは0.02μm 以上であり、表面粗さ(Wa)、うねり(Ra)を低減する観点から好ましくは0.6 μm 以下、より好ましくは0.5 μm 以下、より好ましくは0.3 μm 以下、さらに好ましくは0.2 μm 以下である。該平均一次粒径は、好ましくは0.001 〜0.6 μm 、より好ましくは0.001 〜0.5 μm 、さらに好ましくは0.01〜0.3 μm 、特に好ましくは0.02〜0.2 μm である。なお、該粒径は走査型電子顕微鏡で観察して（好適には3000倍〜100000倍）画像解析を行い、２軸平均径を測定することにより求めることができる。
【００１１】
さらにシリカ粒子の粒径分布としては、以下に示すものが好ましい。
（１）小粒径側からの積算粒径分布（個数基準）が５０％となる粒径（Ｄ５０）に対する小粒径側からの積算粒径分布（個数基準）が９０％となる粒径（Ｄ９０）の比（Ｄ９０／Ｄ５０）が１．３〜３．０で、且つＤ５０が１０〜６００ｎｍ。
【００１２】
本発明において、前記（１）で示される粒径分布を有するシリカ粒子を含有した研磨液組成物を使用することで、研磨後の被研磨基板の表面粗さが小さく、且つ突起や研磨傷等の表面欠陥を発生することなく、経済的な速度で被研磨基板の研磨をすることができるという効果が発現される。
【００１３】
前記（１）で示される粒径分布において、スクラッチ発生の防止、表面粗さ（Ｒａ）の低減など、より平滑で良好な面質を達成する観点及び高い研磨速度を達成する観点から、Ｄ９０／Ｄ５０は好ましくは１．３〜３．０、より好ましくは１．３〜２．０である。また、Ｄ９０／Ｄ５０は、高い研磨速度を達成する観点から、１．３以上が好ましく、高い研磨速度を維持し、且つ良好な表面平滑性を得る観点から、３．０以下が好ましい。
【００１４】
前記（１）で示される粒径分布において、Ｄ５０は、１０〜６００ｎｍであり、好ましくは３０〜２００ｎｍ、特に好ましくは４０〜１００ｎｍである。該Ｄ５０は、高い研磨速度を得る観点から、１０ｎｍ以上が好ましく、また、スクラッチ等の表面欠陥の発生を防ぎ、良好な表面平滑性を得る観点から、６００ｎｍ以下が好ましい。
【００１５】
また、前記（１）で示される粒径分布を有するシリカ粒子において、高い研磨速度、及び表面平滑性に優れた被研磨基板を得るためには、小粒径側の分布の指標となる小粒径側からの積算粒径分布が１０％となる粒径（Ｄ１０）が、５〜１００ｎｍであることが好ましく、より好ましくは１５〜８５ｎｍであり、さらに好ましくは３５〜７０ｎｍ、特に好ましくは４０〜６０ｎｍである。Ｄ１０は、高い研磨速度を得る観点から、５ｎｍ以上であることが好ましく、また、良好な表面平滑性を維持する観点から、１００ｎｍ以下であることが好ましい。
【００１６】
なお、前記（１）で示される粒径分布は、全体的なシリカ粒子の粒径分布を示すものである。例えば、前記（１）で示される粒径分布を有するシリカ粒子として、２種以上のシリカ粒子を併用してもよい。この場合、前記の粒径分布（Ｄ１０、Ｄ５０、Ｄ９０）は、いずれも混合したシリカ粒子について測定したものである。
【００１７】
中でも、Ｄ５０が異なる２種類以上のシリカ粒子からなる場合、以下の粒径分布を有するものが好ましい。
（２）Ｄ５０の最も小さなシリカ粒子（Ａ）のＤ５０（Ｄ５０Ｓ）に対するＤ５０の最も大きなシリカ粒子（Ｂ）のＤ５０（Ｄ５０Ｌ）の比（Ｄ５０Ｌ／Ｄ５０Ｓ）が１．１〜４．０であってＡとＢとの配合比率（Ａ／Ｂ（重量比））が９０／１０〜１０／９０。
【００１８】
本発明において、異なるＤ５０を有する２種類以上のシリカ粒子からなり、前記（２）で示される粒径分布を有する点に一つの大きな特徴があり、かかるシリカ粒子を含有した研磨液組成物を使用することで、研磨後の被研磨基板の表面粗さが小さく、且つ突起や研磨傷等の表面欠陥を発生することなく、被研磨基板の研磨をすることができ、特に優れた研磨速度が得られるという利点がある。ここで、Ｄ５０がそれぞれ異なる３種以上のシリカ粒子を用いる場合、Ｄ５０の最も小さなシリカ粒子のＤ５０を「Ｄ５０Ｓ」とし、Ｄ５０の最も大きなシリカ粒子のＤ５０を「Ｄ５０Ｌ」とする。
【００１９】
前記（２）で示される粒径分布において、Ｄ５０Ｌ／Ｄ５０Ｓは、好ましくは１．１〜４．０、より好ましくは１．１〜３．０、さらに好ましくは１．５〜３．０である。Ｄ５０Ｌ／Ｄ５０Ｓは、研磨速度を向上する観点から、１．１以上が好ましく、また、高い研磨速度を維持し、スクラッチ等の表面欠陥を発生することなく、良好な表面平滑性を維持する観点から、４．０以下が好ましい。前記（２）で示される粒径分布において、２種類以上のシリカ粒子の混合比は、配合した後の粒径分布におけるＤ９０とＤ５０の比は、１．３〜３．０を満足することが好ましく、またＤ５０が１０〜６００ｎｍであることが好ましい。さらにＤ１０が５〜１００ｎｍであることが好ましい。尚、Ｄ５０の最も小さなシリカ粒子（Ａ）とＤ５０の最も大きなシリカ粒子（Ｂ）との配合比率（Ａ／Ｂ：重量比）は、好ましくは９０／１０〜１０／９０、より好ましくは９０／１０〜２０／８０、さらに好ましくは８５／１５〜３５／６５である。
【００２０】
なお、前記（２）で示される粒径分布を有するシリカ粒子において、使用するシリカ粒子のＤ５０が２種以上あれば、各々のシリカ粒子の種類は同一でも、異なっていてもよい。なお、前記のＤ５０Ｌ、Ｄ５０Ｓは、いずれも混合前のものである。
【００２１】
さらに、シリカ粒子は、以下に示す粒径分布を有するものが好ましい。
【００２２】
（３）粒径４０ｎｍにおける小粒径側からの積算粒径分布（個数基準）が２５％以下で、且つＤ５０が５０〜６００ｎｍ。
【００２３】
本発明において、前記（３）で示される粒径分布を有する点に一つの大きな特徴があり、かかる粒径分布を有するシリカ粒子を含有した研磨液組成物を用いることで、通常の洗浄によりシリカ粒子が被研磨物表面から容易に洗浄され得るという効果が発現される。
【００２４】
前記（３）で示される粒径分布において、被研磨基板上へのシリカ粒子の残留量を低減する観点から粒径４０ｎｍにおける小粒径側よりの積算粒径分布は２５％以下、好ましくは１５％以下、より好ましくは１０％以下、さらに好ましくは５％以下、特に好ましくは３％以下であることが望ましい。小粒径側よりの積算粒径分布を２５％以下にするには、例えば、粒径が４０ｎｍ以下のシリカ粒子の含有量を低くすればよい。粒径が４０ｎｍ以下のシリカ粒子の含有率を低くする方法としては、シリカゾルを核として成長させるコロイダルシリカの合成において、活性ゾルの添加速度をコントロールすることにより小粒径品の含有の少ないコロイダルシリカを調製することができる。また、小粒径品を含有するコロイダルシリカを例えば、遠心分離機などにより分級して用いることも何ら問題はない。
【００２５】
一方、経済的な研磨速度を達成する観点及び表面平滑性に優れ、表面欠陥のない良好な面質を達成する観点から、Ｄ５０は、５０〜６００ｎｍが好ましく、より好ましくは５０〜２００ｎｍ、更に好ましくは５０〜１５０ｎｍである。
【００２６】
また、研磨速度が高く、且つ表面平滑性に優れ、表面欠陥のない良好な面質を達成する観点から、Ｄ９０とＤ５０の比（Ｄ９０／Ｄ５０）の値は１．３〜３．０であることが好ましく、より好ましくは１．３〜２．０である。
【００２７】
なお、前記（３）で示される粒径分布を有するシリカ粒子として、２種以上のシリカ粒子を併用してもよい。この場合、前記の粒径分布は、いずれも混合したシリカ粒子について測定したものである。
【００２８】
また、本発明に使用されるシリカ粒子は、前記（１）〜（３）からなる群より選ばれる２種以上の条件を満たすものが好ましく、特に全ての条件を満たすものがより好ましい。
【００２９】
前記（１）〜（３）におけるシリカ粒子の粒径は、走査型電子顕微鏡（以下ＳＥＭという）を用いて以下の方法により求めることができる。即ち、シリカ粒子を含有する研磨液組成物をシリカ粒子濃度が０．５重量％になるようにエタノールで希釈する。この希釈した溶液を約５０℃に加温したＳＥＭ用の試料台に均一に塗布する。その後、過剰の溶液を濾紙で吸い取り溶液が凝集しないように均一に自然乾燥させる。
【００３０】
自然乾燥させたシリカ粒子にＰｔ−Ｐｄを蒸着させて、日立製作所（株）製電界効果走査型電子顕微鏡（ＦＥ−ＳＥＭ：Ｓ−４０００型）を用いて、視野中に５００個程度のシリカ粒子が観察されるように倍率を３０００倍〜１０万倍に調節し、１つの試料台について２点観察し写真を撮影する。撮影された写真（４インチ×５インチ）をコピー機等によりＡ４サイズに拡大して、撮影されたすべてのシリカ粒子の粒径をノギス等により計測し集計する。この操作を数回繰り返して、計測するシリカ粒子の数が２０００個以上になるようにする。ＳＥＭによる測定点数を増やすことは、正確な粒径分布を求める観点からより好ましい。測定した粒径を集計し、小さい粒径から順にその頻度（％）を加算してその値が１０％となる粒径をＤ１０、同じく５０％となる粒径をＤ５０、９０％となる粒径をＤ９０として本発明における個数基準の粒径分布を求めることができる。尚、ここでいう粒径分布は一次粒子の粒径分布として求められる。但し、酸化アルミニウム、酸化セリウム、ヒュームドシリカ等の一次粒子が融着した二次粒子が存在している場合においては、その二次粒子の粒径に基づいて、粒径分布を求めることができる。
【００３１】
また、シリカ粒子の粒径分布を調整する方法としては、特に限定されないが、例えば、シリカ粒子がコロイダルシリカの場合、その製造段階における粒子の成長過程で新たな核となる粒子を加えることにより最終製品に粒径分布を持たせる方法、異なる粒径分布を有する２つ以上のシリカ粒子を混合する方法等で達成することも可能である。
【００３２】
研磨液組成物中におけるシリカ粒子の含有量は、研磨速度を向上させる観点から、好ましくは0.5 重量％以上、より好ましくは１重量％以上、さらに好ましくは３重量％以上、特に好ましくは５重量％以上であり、表面品質を向上させる観点、及び経済性の観点から好ましくは50重量％以下、より好ましくは40重量％以下、さらに好ましくは30重量％以下、特に好ましくは25重量％以下である。該含有量は、好ましくは0.5 〜50重量％、より好ましくは１〜40重量％、さらに好ましくは３〜30重量％、特に好ましくは５〜25重量％である。
【００３３】
さらに本発明の研磨液組成物は、速度向上の観点から、無機酸及び／又は有機酸を含有することが好ましい。
【００３４】
無機酸としては、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸等が挙げられる。
【００３５】
有機酸の分子量は水への溶解性の観点から４０〜１００００が好ましく、より好ましくは４０〜５０００、さらに好ましくは４０〜１０００、特に好ましくは４０〜５００である。有機酸としては、カルボン酸系、フェノール系、スルフォン酸系、リン酸系等が挙げられる。カルボン酸としては、ギ酸、酢酸等のモノカルボン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、ジグリコール酸等のジカルボン酸、グリコール酸、リンゴ酸、クエン酸、酒石酸、グルコン酸等のオキシカルボン酸が挙げられる。フェノール系としては、フェノール等が挙げられ、スルフォン酸系としては、メタンスルフォン酸、スルフォサリチル酸、タイロン等が挙げられ、リン酸系としては、アデノシンリン酸、グアノシントリリン酸、シチジンリン酸等が挙げられる。速度向上の観点から有機酸がより好ましく、カルボン酸がさらに好ましく、オキシカルボン酸が特に好ましく、グリコール酸が最も好ましい。
【００３６】
研磨液組成物中における無機酸及び／又は有機酸の含有量は、研磨速度を向上させる観点から、好ましくは０．０２重量％以上、より好ましくは０．０５重量％以上、さらに好ましくは０．１重量％以上、特に好ましくは０．５重量％以上であり、表面粗さうねりを低減し、ピット、スクラッチ等の表面欠陥を減少させて表面品質を向上させる観点及び経済性の観点から、好ましくは２０重量％以下、より好ましくは１５重量％以下、さらに好ましくは１０重量％以下、特に好ましくは５重量％以下である。該含有量は、好ましくは０．０２〜２０重量％、より好ましくは０．０５〜１５重量％、さらに好ましくは０．１〜１０重量％、特に好ましくは０．５〜５重量％である。
【００３７】
本発明の研磨液組成物中の水は、媒体として使用されるものであり、その含有量は、被研磨物を効率良く研磨する観点から、好ましくは50重量％以上、より好ましくは60重量％以上、特に好ましくは70重量％以上、さらに好ましくは80重量％以上であり、また、好ましくは99.46 重量％以下、より好ましくは99重量％以下、特に好ましくは98.5重量％以下、さらに好ましくは98重量％以下である。該含有量は、好ましくは50〜99.48 重量％、より好ましくは60〜99重量％、さらに好ましくは70〜98.5重量％、特に好ましくは80〜98重量％である。
【００３８】
尚、前記研磨液組成物中の各成分の濃度は、該組成物製造時の濃度及び使用時の濃度のいずれであってもよい。通常、濃縮液として組成物は製造され、これを使用時に希釈して用いる場合が多い。
【００３９】
また、本発明の研磨液組成物には、必要に応じて他の成分を配合することができる。該他の成分としては、単量体型の酸化合物の金属塩、アンモニウム塩や過酸化物、増粘剤、分散剤、防錆剤、塩基性物質、界面活性剤等が挙げられる。単量体型の酸化合物の金属塩、アンモニウム塩や過酸化物の具体例としては、特開昭62-25187号公報2 頁右上欄3 行〜11行、特開昭63-251163 号公報3 頁左上欄4 行〜8 行、特開平1-205973号公報3 頁左上欄4 行〜右上欄2 行、特開平3-115383号公報2 頁右下欄16行〜3 頁左上欄11行、特開平4-275387号公報2 頁右欄27行〜3 頁左欄12行及び17行〜23行等に記載されているものが挙げられる。
【００４０】
本発明の研磨液組成物は、前記シリカ粒子、ポリアミノカルボン酸のＦｅ塩及び／又はＡｌ塩、水、さらに必要であれば無機酸及び／又は有機酸を公知の方法で混合することにより調製することができる。
【００４１】
本発明の研磨液組成物のｐＨは、加工機械の腐食性の観点、作業者の安全性の観点から、２〜12が好ましく、さらに好ましくは３〜10である。また、被研磨物の材質により一概に限定できないが、研磨速度を向上させる観点からｐＨは6.5 以下、好ましくは6.0 未満、より好ましくは5.9 以下、より好ましくは5.5 以下、より好ましくは５以下、より好ましくは４以下であり、あるいは研磨速度向上の観点から7.5 以上、好ましくは８以上、より好ましくは９以上であることが望ましい。特にNi-Pメッキされたアルミニウム合金基板等の金属を主対象とした精密部品基板においては、研磨速度向上の観点から、ｐＨは酸性にすることが好ましく、6.5 以下、好ましくは6.0 未満、より好ましくは5.9 以下、より好ましくは5.5 以下、より好ましくは５以下、より好ましくは４以下である。また、シリカ粒子の分散性を向上させ表面品質を向上させる観点からは、ｐＨはアルカリ性にすることが好ましく、7.5 以上、好ましくは８以上、より好ましくは９以上である。また、研磨後の洗浄において砥粒残渣を低減する観点から、ｐＨは中性にすることが好ましい。従って、重視する目的に合わせてｐＨを設定すれば良いが、特にNi-Pメッキされたアルミニウム合金基板等の金属を主対象とした精密部品基板においては、前記観点を総合して、好ましくは２〜７であり、より好ましくは2.5 〜6.5 であり、さらに好ましくは2.5 〜5.9 、さらに好ましくは2.5 〜5.5 、さらに好ましくは３〜5.5 である。ｐＨは硝酸、硫酸等の無機酸、前記の単量体型の酸化合物の金属塩、アンモニウム塩、過酸化物、アンモニア水、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、アミン等の塩基性物質を適宜、所望量で配合することにより調整することができる。
【００４２】
本発明の研磨液組成物が対象とする被研磨物の材質は、例えば、シリコン、アルミニウム、タングステン、銅、タンタル、チタン等の金属又は半金属、ガラス、ガラス状カーボン、アモルファスカーボン等のガラス状物質、アルミナ、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、窒化タンタル、窒化チタン、炭化チタン等のセラミック材料、ポリイミド樹脂等の樹脂等が挙げられる。これらの中では、アルミニウム、タングステン、銅等の金属及びこれらの金属を主成分とする合金が被研磨物であるか、又は半導体素子等の半導体基板のような、それらが金属を含んだ被研磨物であるのが好ましく、例えば、Ni-Pメッキされたアルミニウム合金基板や結晶化ガラス、強化ガラス等のガラス基板がより好ましく、Ni-Pメッキされたアルミニウム合金基板が特に好ましい。
【００４３】
被研磨物の形状には特に制限がなく、例えば、ディスク状、プレート状、スラブ状、プリズム状等の平面部を有する形状や、レンズ等の曲面部を有する形状が本発明の研磨液組成物を用いた研磨の対象となる。その中でも、ディスク状の被研磨物の研磨に特に優れている。
【００４４】
本発明の研磨液組成物は、精密部品基板の研磨に好適に用いられる。例えば、磁気ディスク、光ディスク、光磁気ディスク等の磁気記録媒体の基板、フォトマスク基板、光学レンズ、光学ミラー、光学プリズム、半導体基板等の精密部品基板の研磨に適している。半導体基板の研磨は、シリコンウェハ（ベアウェハ）のポリッシング工程、埋め込み素子分離膜の形成工程、層間絶縁膜の平坦化工程、埋め込み金属配線の形成工程、埋め込みキャパシタ形成工程等において行われる研磨がある。本発明の研磨液組成物は、特に、磁気ディスク基板の研磨に適している。さらに、表面粗さ（Ra）3 Å以下でうねり（Wa）3 Å以下の磁気ディスク基板を得るのに適している。本明細書では、表面粗さ（Ra）とうねり（Wa）は、一般に言われる中心線平均粗さとして求められ、８０μｍ以下の波長成分を持つ粗さ曲線から得られる中心線平均粗さをRaと言い、また、0.4 〜５ｍｍの波長成分を持つ粗さ曲線の中心線平均粗さを中心線平均微少うねりとしてWaとして表す。これらは、以下のように測定することができる。
【００４５】
［中心線平均粗さ（Ra）］
ランク・テーラーホブソン社製のタリーステップを用いて以下の条件で測定する。
触針先端サイズ：2.5 μm ×2.5 μm
ハイパスフィルター：80μm
測定長さ：0.64mm
【００４６】
［中心線平均微少うねり（Wa）］
Zygo社製 New View 200CHR を用いて以下の条件で測定する。
対物レンズ：2.5 倍
Image Zoom ：0.5 倍
Filter ：Band Pass
Filter Type ：FFT Fixed
Filter High Wavelength：0.4 ｍｍ
Filter low Wavelength ：5.0 ｍｍ
Remove: Cylinder
【００４７】
本発明の研磨液組成物を用いる研磨方法としては、例えば、不織布状の有機高分子系の研磨布等を貼り付けた研磨盤で基板を挟み込み、研磨液組成物を研磨面に供給し、一定の圧力を加えながら研磨盤や基板を動かすことにより研磨する方法等が挙げられる。本発明の研磨方法において、本発明の研磨液組成物を用いることにより、研磨速度を向上させ、スクラッチやピット等の表面欠陥の発生が抑制され、表面粗さ(Ra)やうねり(Wa)等の表面平滑性を向上させることができる。
【００４８】
本発明の磁気ディスク基板の製造方法は、前記研磨液組成物を用いた研磨工程を有し、該研磨工程は、複数の研磨工程の中でも２工程目以降に行なわれるのが好ましく、最終研磨工程に行なわれるのが特に好ましい。例えば、１工程又は２工程の研磨工程によって表面粗さ(Ra)５Å〜15Å、うねり(Wa)５〜10ÅにしたNi-Pメッキされたアルミニウム合金基板を、本発明の研磨液組成物を用いた研磨工程によって研磨して、表面粗さ(Ra)３Å以下、うねり(Wa)３Å以下の磁気ディスク基板を、好ましくは表面粗さ(Ra)2.5 Å以下、うねり(Wa)2.5 Å以下の磁気ディスク基板を製造することができる。特に本発明の研磨液組成物は２工程の研磨で、表面粗さ(Ra)3 Å以下、うねり(Wa)3 Å以下の磁気ディスク基板を、好ましくは表面粗さ(Ra)2.5 Å以下、うねり(Wa)2.5 Å以下の磁気ディスク基板を製造する際に２工程目に用いられるのに適している。
【００４９】
製造された磁気ディスク基板は、表面平滑性に優れたものである。その表面平滑性として、表面粗さ(Ra)は３Å以下、好ましくは2.5 Å以下が望ましい。また、うねり(Wa)は３Å以下、好ましくは2.5 Å以下が望ましい。
【００５０】
以上のように本発明の研磨液組成物を用いることで研磨速度を向上させると共に、スクラッチ、ピット等の表面欠陥が少なく、表面粗さ(Ra)及びうねり(Wa)等の表面平滑性が向上した、特に研磨速度を向上させると共に、うねり(Wa)の表面平滑性が向上した、表面性状に優れた高品質の磁気ディスク基板を生産効率良く製造することができる。
【００５１】
【実施例】
実施例１〜６、比較例１〜１２（実施例１〜６は参考例である）
シリカ粒子として日産化学（株）製のスノーテックスZL（平均粒径0.08〜0.1μｍ、シリカ濃度40重量％）62.5重量部、表１に示す化合物を表１に示す重量部、イオン交換水を残部として、混合・撹拌し、ｐＨを硝酸あるいはアンモニア水で調整し、実施例１〜５、比較例１〜12の研磨液組成物100 重量部を得た。また、実施例６の研磨液組成物は、前記シリカ粒子62.5重量部、エチレンジアミン四酢酸Ｆｅ塩3.0 重量部、グリコール酸2.0 重量部、イオン交換水を残部として混合・攪拌した以外は実施例１と同様にして調製した。得られた研磨液組成物を用い、表面粗さ15Å、うねり８Å、厚さ0.8mm 、直径3.5 インチのNi-Pメッキされたアルミニウム合金基板の表面を、両面加工機により、下記の両面加工機の設定条件１で研磨して、磁気ディスク基板として用いられるNi-Pメッキされたアルミニウム合金基板の研磨物を得た。
【００５２】
＜両面加工機の設定条件１＞
両面加工機：スピードファーム（株）製、9B型両面加工機
加工圧力：7.8kPa
研磨パッド：ポリテックスDG（ロデールニッタ社製）
定盤回転数：50r/min
研磨液組成物供給流量：20ml/min
研磨時間：5min
投入した基板の枚数：10枚
【００５３】
研磨後のアルミニウム合金基板の重量を測定し、研磨前後のアルミニウム合金基板の重量の変化から、重量の減少速度を求め、比較例１を基準として相対研磨速度（相対値）を求めた。また、得られたアルミニウム合金基板の表面粗さとうねりを前記の方法に基づいて測定し、評価した。これらの結果を表１に示す。
【００５４】
【表１】

【００５５】
表１に示された結果から、ポリアミノカルボン酸Ｆｅ塩やＡｌ塩を用いた実施例１〜６の研磨液組成物は、他の酸のＦｅ塩やＡｌ塩（比較例２〜６）やポリアミノカルボン酸のＦｅやＡｌ以外の塩を用いたもの（比較例７〜１２）に比べ、研磨速度が速く、かつ表面粗さとうねりを低減させることができることがわかる。
【００５６】
実施例７（実施例７は参考例である）
表面粗さ180 Å、うねり22Å、厚さ0.8mm 、直径3.5 インチのNi-Pメッキされたアルミニウム合金基板を、下記に示すアルミナ系の研磨液組成物を用いて両面加工機により、下記の両面加工機の設定条件２で研磨して、表面粗さ13Å、うねり６Åのアルミニウム合金基板を得た。
【００５７】
次に、得られた基板を実施例１の研磨液組成物を用いて、両面加工機により、前記両面加工機の設定条件１で研磨して、磁気ディスク基板として用いられるNi-Pメッキされたアルミニウム合金基板の研磨物を得た。
【００５８】
研磨後の基板の表面粗さ、うねり、スクラッチを測定した結果、表面粗さ2.5 Å以下、うねり2.5 Å以下であり、深さ50nmを越えるスクラッチは観測されず、ピットも観測されなかった。なお、スクラッチ、ピットは下記に示す方法で測定した。
【００５９】
上記のように、本発明の研磨液組成物を用いることにより、スクラッチ、ピット等の表面欠陥がなく、表面粗さ(Ra)3 Å以下、うねり(Wa)3 Å以下の優れた表面平滑性を持つ磁気ディスク基板を製造することができた。
【００６０】
＜アルミナ系研磨液組成物＞
一次粒径の平均粒径0.25μm 、二次粒子の平均粒径0.7 μm のα- アルミナ（純度約99.9％、比重4.0 ）8 重量部、平均粒径0.7 μm 、比表面積130m²/g 、アルカリ金属の含有量0.0055重量％、アルカリ土類金属の含有量0.0013重量％のγ- アルミナ2 重量部、エチレンジアミン四酢酸Alアンモニウム塩0.8 重量部、イオン交換水89.2重量部からなる研磨液組成物。
【００６１】
＜両面加工機の設定条件２＞
両面加工機：スピードファーム（株）製、9B型両面加工機
加工圧力：9.8kPa
研磨パッド：ポリテックスDG（ロデールニッタ社製）
定盤回転数：50r/min
研磨液組成物供給流量：100ml/min
研磨時間：5min
投入した基板の枚数：10枚
【００６２】
＜スクラッチの測定＞
光学顕微鏡観察（微分干渉顕微鏡）を用いて倍率50倍で各基板の表面を60度おきに6 カ所測定した。スクラッチの深さは原子間力顕微鏡（AFM ：デジタルインスツルメント社製 Nanoscope III ）により測定した。
【００６３】
＜ピットの測定＞
光学顕微鏡観察（微分干渉顕微鏡）を用いて倍率200 倍で各基板の表面を30度おきに12カ所観察し、12視野あたりのピット数を数えた。
【００６４】
実施例８〜１０および比較例１３
シリカ粒子として、走査型電子顕微鏡（日立製作所（株）製Ｓ−４０００型）を用い、発明の詳細な説明の項に記載した方法（粒径はノギスで測定）により算出された積算粒径（Ｄ１０、Ｄ５０及びＤ９０）が表２に示す特性を有するコロイダルシリカ（表２〜３中、研磨材Ａ〜Ｄで示す）を用いた。シリカ粒子２５重量部、表４に示す化合物を表４に示す重量部、イオン交換水を残部として、混合攪拌し、ｐＨを硝酸あるいはアンモニア水で調整し、実施例８〜１０、および比較例１３の研磨液組成物１００重量部を得た。得られた研磨液組成物を用い実施例１と同様に研磨して磁気ディスク基板として用いられるNi-Pメッキされたアルミニウム合金基板の研磨物を得た。実施例１と同様に、相対研磨速度、得られたアルミニウム合金基板の表面粗さとうねりを測定し評価した。また、前記基板上に残留したシリカ粒子について以下の方法に基づいて測定し評価した。これらの結果を表４に示す。
【００６５】
＜被研磨基板上に残留したシリカ粒子の測定＞
被研磨基板上に残留したシリカ粒子は、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ：デジタルインスツルメント社製ＮａｎｏｓｃｏｐｅIII ）によって、Ｓｃａｎｒａｔｅ＝１Ｈｚで被研磨基板の裏表各３カ所で１０μｍ×１０μｍの範囲を測定し残留したシリカ粒子（残留砥粒）の有無を確認した。
【００６６】
評価基準
「○」：５個以下／１０μｍ×１０μｍ
「×」：５個を越える／１０μｍ×１０μｍ
【００６７】
【表２】

【００６８】
【表３】

【００６９】
【表４】

【００７０】
表４に示された結果から、ポリアミノカルボン酸Ｆｅ塩やＡｌ塩を用いた実施例８〜１０の研磨液組成物は、表面粗さとうねりを低減させ、残留砥粒が極めて少なく、特にポリアミノカルボン酸のＮａ塩を用い、粒度４０ｎｍにおける小粒径側からの積算粒径分布が２５％を超える研磨材を含有したもの（比較例１３）に比べ、研磨速度が顕著に高いことがわかる。
【００７１】
【発明の効果】
本発明により、スクラッチ、ピット等の表面欠陥が少なく、表面粗さ(Ra)、及びうねり(Wa)等の表面平滑性が向上した磁気ディスク基板を生産効率よく製造することができるという効果が奏される。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a polishing liquid composition. More specifically, a polishing liquid composition capable of improving the polishing rate and reducing the surface roughness (Ra) and waviness (Wa) to obtain a high-quality polished surface, a polishing method using the polishing liquid composition, a surface The present invention relates to a magnetic disk substrate with improved smoothness and a method for manufacturing the same.
[0002]
[Prior art]
The demand for improving the recording density of the hard disk is becoming stricter. Therefore, it is required to improve the flatness (surface smoothness) of the disk substrate so that the flying height of the magnetic head can be reduced. Specifically, the surface smoothness of the disk substrate surface roughness (Ra) and undulation (Wa) is required to be 3 mm or less, respectively, which may cause a failure of the magnetic disk device or an error in reading / writing information. Reducing the undulations that cause it is a major issue. Conventionally, in order to obtain desired surface smoothness, a polishing process using a polishing liquid containing alumina or the like as abrasive grains is followed by a process of further polishing with a polishing liquid using finer silica particles as abrasive grains. However, the polishing liquid using silica particles has a drawback that the polishing rate is slow, and further improvement of the polishing rate is required. For example, Japanese Patent Laid-Open No. 11-167711 discloses a method of blending a compound such as Fe citrate, oxalic acid Fe, or chloride chloride with a polishing liquid using silica particles as abrasive grains, Japanese Patent Laid-Open No. 10-204416. For example, a method of blending colloidal silica with a compound such as Fe citrate, ammonium Fe citrate, or ammonium oxalate is proposed, but in any case, the polishing rate is not sufficiently improved.
[0003]
[Problems to be solved by the invention]
The present invention improves the polishing rate, has few surface defects such as scratches and pits, and can improve the surface smoothness such as surface roughness (Ra) and waviness (Wa), A polishing method using the polishing composition, a magnetic disk substrate having improved surface smoothness such as surface roughness (Ra) and waviness (Wa), and a method for producing the same.
[0004]
[Means for Solving the Problems]
That is, the gist of the present invention is as follows.
[1] A polishing composition comprising silica particles, water, and an Fe salt and / or Al salt of polyaminocarboxylic acid,
[2] The polishing composition according to [1], further containing an inorganic acid and / or an organic acid,
[3] A polishing method using the polishing composition according to [1] or [2],
[4] A method for producing a magnetic disk substrate having a polishing step using the polishing composition according to [1] or [2], and
[5] Magnetic disk substrate manufactured using the polishing composition according to [1] or [2]
About.
[0005]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
In the present invention, a polyaminocarboxylic acid metal salt (Fe salt and / or Al salt) is used from the viewpoint of improving the surface smoothness such as surface roughness (Ra) and waviness (Wa), and improving the polishing rate. It is done. The polyaminocarboxylic acid moiety of the polyaminocarboxylic acid metal salt has a multidentate ligand that forms a chelate compound by binding to a metal ion, and has two or more carboxyl groups. The molecular weight of the polyaminocarboxylic acid is preferably from 80 to 1000, more preferably from 140 to 600, from the viewpoints of improving the polishing rate, suppressing the precipitation of metal ions, and improving the solubility. Further, the number of carboxyl groups of the polyaminocarboxylic acid is preferably 3 or more from the viewpoint of improving the polishing rate, and is preferably 10 or less, more preferably 8 or less, further preferably 6 or less from the viewpoint of improving solubility. . Specific examples of polyaminocarboxylic acid include ethylenediaminetetraacetic acid, hydroxyethylenediaminetriacetic acid, nitrilotriacetic acid, diethylenetriaminepentaacetic acid, triethylenetetraminehexaacetic acid, dicarboxymethylglutamic acid, hydroxyethyliminodiacetic acid, dihydroxyethylglycine, 1,3 -Propanediaminetetraacetic acid, 1,3-diamino-2-hydroxypropanetetraacetic acid and the like. Among these, ethylenediaminetetraacetic acid, nitrilotriacetic acid, diethylenetriaminepentaacetic acid, dicarboxymethylglutamic acid and 1,3-propanediaminetetraacetic acid are preferable, and ethylenediaminetetraacetic acid is particularly preferable.
[0006]
Further, as the metal ions used in the polyaminocarboxylic acid metal salt, Fe ions and Al ions are preferable from the viewpoint of improving the polishing rate of the polishing composition and preventing the reduction of the dispersibility of the silica abrasive grains. Fe ions, particularly trivalent Fe ions are preferred. Further, from the viewpoint of improving solubility, a salt containing ammonium ion or Na ion may be used.
[0007]
Preferable examples of polyaminocarboxylic acid metal salts include ethylenediaminetetraacetic acid Fe salt, ethylenediaminetetraacetic acid Al salt, ethylenediaminetetraacetic acid Al ammonium salt, diethylenetriaminepentaacetic acid Fe salt, 1,3-propanediaminetetraacetic acid Fe salt, diethylenetriaminepentaacetic acid Al salt, 1,3-propanediamine tetraacetic acid Al salt, ethylenediaminetetraacetic acid Fe ammonium salt, ethylenediaminetetraacetic acid FeNa salt, 1,3-propanediamine tetraacetic acid Fe ammonium salt, diethylenetriaminepentaacetic acid Fe ammonium salt, diethylenetriaminepentaacetic acid FeNa Examples include salts. In addition, these polyaluminocarboxylates may be formed with a metal salt required in advance, or an inorganic acid salt containing these metals, such as nitrates, sulfates, phosphates, or organic acids such as acetates. The target salt may be obtained by mixing an acid salt with polyaminocarboxylic acid and / or a polyaminocarboxylic acid salt other than Fe salt and Al salt and performing chelate conversion in the polishing composition.
[0008]
The content of the polyaminocarboxylic acid metal salt in the polishing liquid composition is preferably 0.02% by weight or more, more preferably 0.05% by weight or more, still more preferably 0.1% by weight or more, and particularly preferably from the viewpoint of improving the polishing rate. From the viewpoint of reducing surface roughness, waviness, reducing surface defects such as pits and scratches, and improving surface quality, and preferably from 20% by weight or less, more preferably 0.5% by weight or more. It is 15% by weight or less, more preferably 10% by weight or less, and particularly preferably 5% by weight or less. The content is preferably 0.02 to 20% by weight, more preferably 0.05 to 15% by weight, still more preferably 0.1 to 10% by weight, and particularly preferably 0.5 to 5% by weight.
[0009]
In the present invention, silica particles are used as an abrasive from the viewpoint of reducing surface roughness (Ra) and waviness (Wa), reducing surface defects such as scratches, and improving surface quality. Examples of the silica particles include colloidal silica particles, fumed silica particles, and surface-modified silica particles. Colloidal silica particles are preferable. The colloidal silica particles can be obtained, for example, by a production method in which the colloidal silica particles are generated from a silicic acid aqueous solution.
[0010]
From the viewpoint of improving the polishing rate, the average primary particle size of the silica particles is preferably 0.001 μm or more, more preferably 0.01 μm or more, and further preferably 0.02 μm or more, and the surface roughness (Wa) and waviness (Ra) From the viewpoint of reducing the thickness, it is preferably 0.6 μm or less, more preferably 0.5 μm or less, more preferably 0.3 μm or less, and still more preferably 0.2 μm or less. The average primary particle size is preferably 0.001 to 0.6 μm, more preferably 0.001 to 0.5 μm, still more preferably 0.01 to 0.3 μm, and particularly preferably 0.02 to 0.2 μm. The particle size can be determined by observing with a scanning electron microscope (preferably 3000 to 100000 times) and performing image analysis to measure the biaxial average diameter.
[0011]
Further, as the particle size distribution of the silica particles, those shown below are preferable.
(1) The particle size (90%) of the integrated particle size distribution (number basis) from the small particle size side with respect to the particle size (D50) where the integrated particle size distribution (number basis) from the small particle size side becomes 50% (D90) ratio (D90 / D50) is 1.3 to 3.0, and D50 is 10 to 600 nm.
[0012]
In the present invention, by using a polishing composition containing silica particles having the particle size distribution shown in (1) above, the surface roughness of the substrate to be polished after polishing is small, and protrusions, polishing scratches, etc. The effect that the substrate to be polished can be polished at an economical speed without generating surface defects is exhibited.
[0013]
In the particle size distribution shown in (1) above, from the viewpoint of achieving a smoother and better surface quality, such as prevention of generation of scratches and reduction of surface roughness (Ra), and a viewpoint of achieving a high polishing rate, D90 / D50 is preferably 1.3 to 3.0, more preferably 1.3 to 2.0. Further, D90 / D50 is preferably 1.3 or more from the viewpoint of achieving a high polishing rate, and is preferably 3.0 or less from the viewpoint of maintaining a high polishing rate and obtaining good surface smoothness.
[0014]
In the particle size distribution represented by (1) above, D50 is 10 to 600 nm, preferably 30 to 200 nm, and particularly preferably 40 to 100 nm. The D50 is preferably 10 nm or more from the viewpoint of obtaining a high polishing rate, and is preferably 600 nm or less from the viewpoint of preventing occurrence of surface defects such as scratches and obtaining good surface smoothness.
[0015]
Further, in the silica particles having the particle size distribution shown in the above (1), in order to obtain a substrate to be polished having a high polishing rate and excellent surface smoothness, small particles serving as an index of distribution on the small particle size side The particle size (D10) at which the cumulative particle size distribution from the diameter side becomes 10% is preferably 5 to 100 nm, more preferably 15 to 85 nm, still more preferably 35 to 70 nm, and particularly preferably 40 to 40 nm. 60 nm. D10 is preferably 5 nm or more from the viewpoint of obtaining a high polishing rate, and is preferably 100 nm or less from the viewpoint of maintaining good surface smoothness.
[0016]
In addition, the particle size distribution shown by said (1) shows the particle size distribution of the whole silica particle. For example, two or more types of silica particles may be used in combination as the silica particles having the particle size distribution represented by (1). In this case, the particle size distributions (D10, D50, D90) are all measured for the mixed silica particles.
[0017]
Especially, when it consists of 2 or more types of silica particles from which D50 differs, what has the following particle size distribution is preferable.
(2) The ratio (D50L / D50S) of D50 (D50L) of silica particles (B) having the largest D50 to D50 (D50S) of silica particles (A) having the smallest D50 is 1.1 to 4.0, The blending ratio of A and B (A / B (weight ratio)) is 90/10 to 10/90.
[0018]
In the present invention, it is composed of two or more types of silica particles having different D50, and has one major feature in that it has the particle size distribution shown in the above (2), and a polishing liquid composition containing such silica particles is used. Thus, the surface roughness of the substrate to be polished after polishing is small, and the substrate to be polished can be polished without generating surface defects such as protrusions and polishing scratches, and a particularly excellent polishing rate is obtained. There is an advantage that Here, when three or more types of silica particles having different D50s are used, D50 of the silica particles having the smallest D50 is defined as “D50S”, and D50 of the silica particles having the largest D50 is defined as “D50L”.
[0019]
In the particle size distribution represented by (2) above, D50L / D50S is preferably 1.1 to 4.0, more preferably 1.1 to 3.0, and even more preferably 1.5 to 3.0. . D50L / D50S is preferably 1.1 or more from the viewpoint of improving the polishing rate, and from the viewpoint of maintaining a high polishing rate and maintaining good surface smoothness without generating surface defects such as scratches. 4.0 or less is preferable. In the particle size distribution represented by (2) above, the mixing ratio of two or more types of silica particles is such that the ratio of D90 and D50 in the particle size distribution after blending satisfies 1.3 to 3.0. D50 is preferably 10 to 600 nm. Furthermore, it is preferable that D10 is 5 to 100 nm. The blending ratio (A / B: weight ratio) of the silica particles (A) having the smallest D50 and the silica particles (B) having the largest D50 is preferably 90/10 to 10/90, more preferably 90 / It is 10-20 / 80, More preferably, it is 85 / 15-35 / 65.
[0020]
In addition, in the silica particle which has a particle size distribution shown by said (2), if D50 of the silica particle to be used is 2 or more types, the kind of each silica particle may be the same or different. The above D50L and D50S are both before mixing.
[0021]
Further, the silica particles preferably have a particle size distribution shown below.
[0022]
(3) The cumulative particle size distribution (number basis) from the small particle size side at a particle size of 40 nm is 25% or less, and D50 is 50 to 600 nm.
[0023]
In the present invention, there is one major feature in having the particle size distribution shown in the above (3), and by using a polishing composition containing silica particles having such a particle size distribution, The effect that the particles can be easily cleaned from the surface of the object to be polished is exhibited.
[0024]
In the particle size distribution represented by (3) above, from the viewpoint of reducing the residual amount of silica particles on the substrate to be polished, the cumulative particle size distribution from the small particle size side at a particle size of 40 nm is 25% or less, preferably 15 % Or less, more preferably 10% or less, further preferably 5% or less, particularly preferably 3% or less. In order to reduce the cumulative particle size distribution from the small particle size side to 25% or less, for example, the content of silica particles having a particle size of 40 nm or less may be lowered. As a method for lowering the content of silica particles having a particle size of 40 nm or less, colloidal silica containing a small amount of particles by controlling the addition rate of active sol in the synthesis of colloidal silica grown using silica sol as a nucleus. Can be prepared. Further, there is no problem in using colloidal silica containing a small particle size product by classification using, for example, a centrifuge.
[0025]
On the other hand, D50 is preferably 50 to 600 nm, more preferably 50 to 200 nm, and still more preferably, from the viewpoint of achieving an economical polishing rate and excellent surface smoothness and achieving good surface quality without surface defects. Is 50-150 nm.
[0026]
Further, from the viewpoint of achieving a high polishing rate, excellent surface smoothness, and good surface quality without surface defects, the value of the ratio of D90 to D50 (D90 / D50) is 1.3 to 3.0. Is more preferable, and 1.3 to 2.0 is more preferable.
[0027]
In addition, you may use together 2 or more types of silica particles as a silica particle which has a particle size distribution shown by said (3). In this case, the above particle size distributions are measured for mixed silica particles.
[0028]
Further, the silica particles used in the present invention preferably satisfy two or more kinds selected from the group consisting of (1) to (3), and more preferably satisfy all conditions.
[0029]
The particle size of the silica particles in the above (1) to (3) can be determined by the following method using a scanning electron microscope (hereinafter referred to as SEM). That is, the polishing composition containing silica particles is diluted with ethanol so that the silica particle concentration is 0.5% by weight. This diluted solution is uniformly applied to a sample stage for SEM heated to about 50 ° C. Thereafter, the excess solution is blotted with a filter paper and uniformly dried naturally so that the solution does not aggregate.
[0030]
Pt-Pd is vapor-deposited on naturally dried silica particles, and about 500 silica particles in the field of view using a field effect scanning electron microscope (FE-SEM: S-4000 type) manufactured by Hitachi, Ltd. The magnification is adjusted to 3000 times to 100,000 times so that 2 is observed, and two points are observed on one sample table, and a photograph is taken. The photographed photograph (4 inches × 5 inches) is enlarged to A4 size with a copy machine or the like, and the particle diameters of all photographed silica particles are measured with calipers or the like and totalized. This operation is repeated several times so that the number of silica particles to be measured is 2000 or more. Increasing the number of measurement points by SEM is more preferable from the viewpoint of obtaining an accurate particle size distribution. The measured particle diameters are aggregated, and the frequency (%) is added in order from the smallest particle diameter, the particle diameter at which the value is 10% is D10, the particle diameter at 50% is D50, the particle diameter at 90% D90 can be used to determine the number-based particle size distribution in the present invention. In addition, the particle size distribution here is calculated | required as a particle size distribution of a primary particle. However, when there are secondary particles in which primary particles such as aluminum oxide, cerium oxide, and fumed silica are fused, the particle size distribution can be obtained based on the particle size of the secondary particles. .
[0031]
In addition, the method for adjusting the particle size distribution of the silica particles is not particularly limited. For example, when the silica particles are colloidal silica, the final particles are added by adding new core particles in the particle growth process in the production stage. It can also be achieved by a method of giving the product a particle size distribution, a method of mixing two or more silica particles having different particle size distributions, and the like.
[0032]
The content of silica particles in the polishing composition is preferably 0.5% by weight or more, more preferably 1% by weight or more, further preferably 3% by weight or more, and particularly preferably 5% by weight from the viewpoint of improving the polishing rate. From the viewpoint of improving the surface quality and the economical aspect, it is preferably 50% by weight or less, more preferably 40% by weight or less, still more preferably 30% by weight or less, and particularly preferably 25% by weight or less. The content is preferably 0.5 to 50% by weight, more preferably 1 to 40% by weight, still more preferably 3 to 30% by weight, and particularly preferably 5 to 25% by weight.
[0033]
Furthermore, it is preferable that the polishing composition of the present invention contains an inorganic acid and / or an organic acid from the viewpoint of improving the speed.
[0034]
Examples of inorganic acids include hydrochloric acid, sulfuric acid, nitric acid, phosphoric acid and the like.
[0035]
The molecular weight of the organic acid is preferably 40 to 10,000 from the viewpoint of solubility in water, more preferably 40 to 5000, still more preferably 40 to 1000, and particularly preferably 40 to 500. Examples of the organic acid include carboxylic acid type, phenol type, sulfonic acid type, and phosphoric acid type. Examples of carboxylic acids include monocarboxylic acids such as formic acid and acetic acid, oxalic acid, malonic acid, succinic acid, glutaric acid, adipic acid, maleic acid, fumaric acid, itaconic acid, diglycolic acid and other dicarboxylic acids, glycolic acid, apple Examples thereof include oxycarboxylic acids such as acid, citric acid, tartaric acid, and gluconic acid. Examples of the phenol type include phenol and the like, examples of the sulfonic acid type include methane sulfonic acid, sulfosalicylic acid, and tyrone. Examples of the phosphoric acid type include adenosine phosphate, guanosine triphosphate, cytidine phosphate, and the like. It is done. From the viewpoint of improving speed, an organic acid is more preferable, a carboxylic acid is more preferable, an oxycarboxylic acid is particularly preferable, and glycolic acid is most preferable.
[0036]
From the viewpoint of improving the polishing rate, the content of the inorganic acid and / or organic acid in the polishing composition is preferably 0.02% by weight or more, more preferably 0.05% by weight or more, and still more preferably 0.8. 1% by weight or more, particularly preferably 0.5% by weight or more, from the viewpoint of reducing surface roughness waviness, reducing surface defects such as pits and scratches and improving surface quality, and economically preferable. Is 20% by weight or less, more preferably 15% by weight or less, still more preferably 10% by weight or less, and particularly preferably 5% by weight or less. The content is preferably 0.02 to 20% by weight, more preferably 0.05 to 15% by weight, still more preferably 0.1 to 10% by weight, and particularly preferably 0.5 to 5% by weight.
[0037]
Water in the polishing liquid composition of the present invention is used as a medium, and the content thereof is preferably 50% by weight or more, more preferably 60% by weight, from the viewpoint of efficiently polishing an object to be polished. More preferably, it is 70% by weight or more, more preferably 80% by weight or more, preferably 99.46% by weight or less, more preferably 99% by weight or less, particularly preferably 98.5% by weight or less, more preferably 98% by weight. % Or less. The content is preferably 50 to 99.48% by weight, more preferably 60 to 99% by weight, still more preferably 70 to 98.5% by weight, and particularly preferably 80 to 98% by weight.
[0038]
The concentration of each component in the polishing liquid composition may be any of the concentration during production of the composition and the concentration during use. Usually, the composition is produced as a concentrated liquid, and it is often used after being diluted at the time of use.
[0039]
Moreover, other components can be mix | blended with the polishing liquid composition of this invention as needed. Examples of the other components include monomeric acid compound metal salts, ammonium salts and peroxides, thickeners, dispersants, rust inhibitors, basic substances, surfactants, and the like. Specific examples of metal salts, ammonium salts and peroxides of monomeric acid compounds are disclosed in JP-A 62-25187, page 2, upper right column, lines 3 to 11, JP-A 63-251163, page 3. Upper left column, lines 4 to 8, JP-A-1-205973, page 3, upper left column, line 4 to upper right column, line 2, JP-A-3-115383, page 2, lower right column, lines 16 to page 3, upper left column, line 11 No. 2-275387, page 2, right column, line 27 to page 3, page left column, line 12 and lines 17 to 23, and the like.
[0040]
The polishing composition of the present invention is prepared by mixing the silica particles, polyaminocarboxylic acid Fe salt and / or Al salt, water, and if necessary, an inorganic acid and / or an organic acid by a known method. be able to.
[0041]
The pH of the polishing composition of the present invention is preferably 2 to 12, more preferably 3 to 10, from the viewpoint of the corrosiveness of the processing machine and the safety of the operator. Further, although it cannot be generally limited depending on the material of the object to be polished, from the viewpoint of improving the polishing rate, the pH is 6.5 or less, preferably less than 6.0, more preferably 5.9 or less, more preferably 5.5 or less, more preferably 5 or less, more It is preferably 4 or less, or 7.5 or more, preferably 8 or more, more preferably 9 or more from the viewpoint of improving the polishing rate. Particularly for precision component substrates mainly made of metal such as Ni-P plated aluminum alloy substrate, the pH is preferably acidified from the viewpoint of improving the polishing rate, preferably 6.5 or less, preferably less than 6.0, more preferably Is 5.9 or less, more preferably 5.5 or less, more preferably 5 or less, more preferably 4 or less. Further, from the viewpoint of improving the dispersibility of the silica particles and improving the surface quality, the pH is preferably made alkaline, 7.5 or more, preferably 8 or more, more preferably 9 or more. Moreover, it is preferable to make pH neutral from a viewpoint of reducing an abrasive grain residue in washing | cleaning after grinding | polishing. Therefore, the pH may be set in accordance with the purpose to be emphasized. However, particularly in the case of precision component substrates mainly made of metal such as Ni-P plated aluminum alloy substrate, the above viewpoint is preferably combined. It is -7, More preferably, it is 2.5-6.5, More preferably, it is 2.5-5.9, More preferably, it is 2.5-5.5, More preferably, it is 3-5.5. The pH is suitably selected from inorganic substances such as nitric acid and sulfuric acid, and basic substances such as metal salts, ammonium salts, peroxides, aqueous ammonia, potassium hydroxide, sodium hydroxide, amines, etc. It can adjust by mix | blending in quantity.
[0042]
The material of the object to be polished by the polishing composition of the present invention is, for example, a metal or semimetal such as silicon, aluminum, tungsten, copper, tantalum, or titanium, glass, glassy carbon, or amorphous glass. Examples thereof include materials, ceramic materials such as alumina, silicon dioxide, silicon nitride, tantalum nitride, titanium nitride, and titanium carbide, and resins such as polyimide resin. Among these, metals such as aluminum, tungsten, and copper and alloys based on these metals are objects to be polished, or semiconductor objects such as semiconductor substrates such as semiconductor elements are to be polished. For example, a Ni-P plated aluminum alloy substrate or a glass substrate such as crystallized glass or tempered glass is more preferable, and a Ni-P plated aluminum alloy substrate is particularly preferable.
[0043]
The shape of the object to be polished is not particularly limited. For example, the shape having a flat portion such as a disk shape, a plate shape, a slab shape, or a prism shape, or the shape having a curved surface portion such as a lens can be used. It becomes the object of polishing using. Among these, it is particularly excellent for polishing a disk-shaped workpiece.
[0044]
The polishing composition of the present invention is suitably used for polishing precision component substrates. For example, it is suitable for polishing a precision component substrate such as a magnetic recording medium substrate such as a magnetic disk, an optical disk, and a magneto-optical disk, a photomask substrate, an optical lens, an optical mirror, an optical prism, and a semiconductor substrate. Polishing of a semiconductor substrate includes polishing performed in a silicon wafer (bare wafer) polishing process, a buried element isolation film forming process, an interlayer insulating film flattening process, a buried metal wiring forming process, a buried capacitor forming process, and the like. The polishing composition of the present invention is particularly suitable for polishing a magnetic disk substrate. Furthermore, it is suitable for obtaining a magnetic disk substrate having a surface roughness (Ra) of 3 mm or less and a waviness (Wa) of 3 mm or less. In the present specification, the surface roughness (Ra) and the waviness (Wa) are obtained as the centerline average roughness generally referred to, and the centerline average roughness obtained from a roughness curve having a wavelength component of 80 μm or less is expressed as Ra. In addition, the center line average roughness of the roughness curve having a wavelength component of 0.4 to 5 mm is expressed as Wa as the center line average minute waviness. These can be measured as follows.
[0045]
[Center line average roughness (Ra)]
Measurement is performed under the following conditions using a tally step manufactured by Rank Taylor Hobson.
Stylus tip size: 2.5 μm × 2.5 μm
High pass filter: 80μm
Measurement length: 0.64mm
[0046]
[Center line average slight swell (Wa)]
Measurement is performed under the following conditions using a New View 200CHR manufactured by Zygo.
Objective lens: 2.5x
Image Zoom: 0.5 times
Filter: Band Pass
Filter Type: FFT Fixed
Filter High Wavelength: 0.4 mm
Filter low Wavelength: 5.0 mm
Remove: Cylinder
[0047]
As a polishing method using the polishing liquid composition of the present invention, for example, a substrate is sandwiched with a polishing board to which a non-woven organic polymer polishing cloth or the like is attached, and the polishing liquid composition is supplied to the polishing surface, and fixed. The method of grind | polishing by moving a grinding | polishing board or a board | substrate, applying the pressure of this is mentioned. In the polishing method of the present invention, by using the polishing liquid composition of the present invention, the polishing rate is improved, the occurrence of surface defects such as scratches and pits is suppressed, surface roughness (Ra), waviness (Wa), etc. The surface smoothness can be improved.
[0048]
The method for producing a magnetic disk substrate of the present invention includes a polishing step using the polishing composition, and the polishing step is preferably performed after the second step among the plurality of polishing steps, and the final polishing step. It is particularly preferable that this is performed. For example, the polishing composition of the present invention is used for a Ni-P plated aluminum alloy substrate having a surface roughness (Ra) of 5 to 15 mm and a waviness (Wa) of 5 to 10 mm by one or two polishing processes. A magnetic disk substrate having a surface roughness (Ra) of 3 mm or less and a waviness (Wa) of 3 mm or less, preferably a magnetic surface roughness (Ra) of 2.5 mm or less and a waviness (Wa) of 2.5 mm or less. A disk substrate can be manufactured. In particular, the polishing composition of the present invention is a two-step polishing, and a magnetic disk substrate having a surface roughness (Ra) of 3 mm or less and a waviness (Wa) of 3 mm or less, preferably a surface roughness (Ra) of 2.5 mm or less, It is suitable for use in the second step when manufacturing a magnetic disk substrate with a waviness (Wa) of 2.5 mm or less.
[0049]
The manufactured magnetic disk substrate is excellent in surface smoothness. As the surface smoothness, the surface roughness (Ra) is 3 mm or less, preferably 2.5 mm or less. Further, the waviness (Wa) is 3 mm or less, preferably 2.5 mm or less.
[0050]
As described above, by using the polishing composition of the present invention, the polishing rate is improved, and there are few surface defects such as scratches and pits, and surface smoothness such as surface roughness (Ra) and waviness (Wa) is improved. In particular, it is possible to produce a high-quality magnetic disk substrate excellent in surface properties with improved polishing speed and improved surface smoothness of undulation (Wa) with high production efficiency.
[0051]
【Example】
Examples 1-6, Comparative Examples 1-12(Examples 1-6 are reference examples)
62.5 parts by weight of Snow Chemicals ZL (average particle size 0.08 to 0.1 μm, silica concentration 40% by weight) manufactured by Nissan Chemical Co., Ltd. As a result, the pH was adjusted with nitric acid or aqueous ammonia to obtain 100 parts by weight of the polishing liquid compositions of Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 12. The polishing composition of Example 6 was the same as Example 1 except that 62.5 parts by weight of the silica particles, 3.0 parts by weight of ethylenediaminetetraacetic acid Fe salt, 2.0 parts by weight of glycolic acid, and the remaining ion-exchanged water were mixed and stirred. Prepared in the same manner. Using the resulting polishing composition, the surface of a 15 mm surface roughness, 8 mm waviness, 0.8 mm thickness and 3.5 inch diameter Ni-P plated aluminum alloy substrate was subjected to the following double side processing machine using a double side processing machine. A polished product of a Ni-P plated aluminum alloy substrate used as a magnetic disk substrate was obtained.
[0052]
<Setting condition 1 for double-sided machine>
Double-sided machine: 9B type double-sided machine manufactured by Speed Farm Co., Ltd.
Processing pressure: 7.8kPa
Polishing pad: Polytex DG (Rodel Nitta)
Surface plate rotation speed: 50r / min
Polishing liquid composition supply flow rate: 20ml / min
Polishing time: 5min
Number of substrates loaded: 10
[0053]
The weight of the aluminum alloy substrate after polishing was measured, the weight reduction rate was determined from the change in the weight of the aluminum alloy substrate before and after polishing, and the relative polishing rate (relative value) was determined based on Comparative Example 1. Further, the surface roughness and waviness of the obtained aluminum alloy substrate were measured and evaluated based on the above methods. These results are shown in Table 1.
[0054]
[Table 1]

[0055]
From the results shown in Table 1, the polishing liquid compositions of Examples 1 to 6 using polyaminocarboxylic acid Fe salt or Al salt are Fe salt or Al salt of other acids (Comparative Examples 2 to 6) or polyamino. It can be seen that the polishing rate is high and the surface roughness and waviness can be reduced compared to those using salts other than Fe or Al of carboxylic acid (Comparative Examples 7 to 12).
[0056]
Example 7(Example 7 is a reference example)
An aluminum alloy substrate plated with Ni-P with a surface roughness of 180 mm, waviness of 22 mm, thickness of 0.8 mm, and a diameter of 3.5 inches was subjected to the following double-side processing using a double-sided processing machine using the alumina-based polishing composition shown below. Polishing was performed under the setting condition 2 of the processing machine to obtain an aluminum alloy substrate having a surface roughness of 13 mm and a waviness of 6 mm.
[0057]
Next, the obtained substrate was polished by the double-sided processing machine using the polishing composition of Example 1 under the setting condition 1 of the double-sided processing machine, and was subjected to Ni-P plating used as a magnetic disk substrate. A polished product of an aluminum alloy substrate was obtained.
[0058]
As a result of measuring the surface roughness, waviness, and scratches of the substrate after polishing, the surface roughness was 2.5 mm or less and the waviness was 2.5 mm or less. No scratch exceeding 50 nm in depth was observed, and no pits were observed. The scratches and pits were measured by the following method.
[0059]
As described above, by using the polishing composition of the present invention, there are no surface defects such as scratches and pits, and excellent surface smoothness with a surface roughness (Ra) of 3 mm or less and a waviness (Wa) of 3 mm or less. The magnetic disk substrate having the above could be manufactured.
[0060]
<Alumina-based polishing composition>
8 parts by weight of α-alumina (purity approx. 99.9%, specific gravity 4.0) with an average primary particle size of 0.25 μm and an average secondary particle size of 0.7 μm, an average particle size of 0.7 μm and a specific surface area of 130 m²/ g, polishing solution comprising 2 parts by weight of γ-alumina with an alkali metal content of 0.0055% by weight, an alkaline earth metal content of 0.0013% by weight, 0.8 parts by weight of ethylenediaminetetraacetic acid Al ammonium salt, and 89.2 parts by weight of ion-exchanged water Composition.
[0061]
<Setting condition 2 for double-sided machine>
Double-sided machine: 9B type double-sided machine manufactured by Speed Farm Co., Ltd.
Processing pressure: 9.8kPa
Polishing pad: Polytex DG (Rodel Nitta)
Surface plate rotation speed: 50r / min
Polishing liquid composition supply flow rate: 100ml / min
Polishing time: 5min
Number of substrates loaded: 10
[0062]
<Measurement of scratch>
Using an optical microscope observation (differential interference microscope), the surface of each substrate was measured at 60 points every 60 degrees at a magnification of 50 times. The depth of the scratch was measured with an atomic force microscope (AFM: Nanoscope III manufactured by Digital Instruments).
[0063]
<Measurement of pits>
Using the optical microscope observation (differential interference microscope), the surface of each substrate was observed at 12 positions every 30 degrees at a magnification of 200 times, and the number of pits per 12 fields of view was counted.
[0064]
Examples 8 to 10 and Comparative Example 13
As a silica particle, a scanning electron microscope (S-4000 type, manufactured by Hitachi, Ltd.) was used, and the integrated particle diameter (calculated by a caliper) described in the section of the detailed explanation of the invention (particle diameter was measured with calipers) Colloidal silica (shown as abrasives A to D in Tables 2 to 3) having the characteristics shown in Table 2 by D10, D50, and D90) was used. Examples 8 to 10 and Comparative Example 13 were prepared by mixing and stirring 25 parts by weight of silica particles, parts by weight of the compounds shown in Table 4 and parts by weight of ion-exchanged water, and adjusting the pH with nitric acid or ammonia water. 100 parts by weight of the polishing composition was obtained. The obtained polishing composition was polished in the same manner as in Example 1 to obtain a polished product of a Ni—P plated aluminum alloy substrate used as a magnetic disk substrate. In the same manner as in Example 1, the relative polishing rate and the surface roughness and waviness of the obtained aluminum alloy substrate were measured and evaluated. The silica particles remaining on the substrate were measured and evaluated based on the following method. These results are shown in Table 4.
[0065]
<Measurement of silica particles remaining on the substrate to be polished>
The silica particles remaining on the substrate to be polished were measured in an area of 10 μm × 10 μm at each of the three sides of the substrate to be polished with Scan rate = 1 Hz using an atomic force microscope (AFM: Nanoscope III manufactured by Digital Instruments). The presence or absence of residual silica particles (residual abrasive grains) was confirmed.
[0066]
Evaluation criteria
“◯”: 5 or less / 10 μm × 10 μm
“×”: more than 5/10 μm × 10 μm
[0067]
[Table 2]

[0068]
[Table 3]

[0069]
[Table 4]

[0070]
From the results shown in Table 4, the polishing liquid compositions of Examples 8 to 10 using polyaminocarboxylic acid Fe salt or Al salt reduce the surface roughness and waviness and have very few residual abrasive grains, especially polyaminocarboxylic acid. It can be seen that the polishing rate is remarkably higher than that using an acid Na salt and containing an abrasive whose cumulative particle size distribution from the small particle size side at a particle size of 40 nm exceeds 25% (Comparative Example 13).
[0071]
【The invention's effect】
According to the present invention, a magnetic disk substrate having few surface defects such as scratches and pits and improved surface smoothness such as surface roughness (Ra) and waviness (Wa) can be produced with high production efficiency. Is done.

Claims

A polishing composition comprising silica particles, water, and an Fe salt and / or Al salt of polyaminocarboxylic acid, wherein (1) the silica particles have an integrated particle size distribution (number basis) from the small particle size side of 50 % Of D50 (D50L) of silica particles (B) having the largest D50 with respect to D50 (D50S) of silica particles (A) having the smallest D50. the ratio a (D50L / D50S) is from 1.5 to 3.0, the mixing ratio between a and B (a / B (weight ratio)) is Ri 90 / 10-10 / 90 der entirety (2) In the typical particle size distribution of silica particles, the integrated particle size distribution (number basis) from the small particle size side with respect to the particle size (D50) where the integrated particle size distribution (number basis) from the small particle size side becomes 50% is Ratio of particle size (D90) to become 90% (D90 / D50) In 1.3 to 3.0, and D50 is 10 to 600 nm, the polishing composition of the aluminum alloy substrate is Ni-P plating.

The polishing composition according to claim 1, further comprising an inorganic acid and / or an organic acid.

3. The polishing liquid according to claim 1, wherein in the overall particle size distribution of the silica particles, the particle size (D10) at which the integrated particle size distribution (number basis) from the small particle size side becomes 10% is 5 to 100 nm. Composition.

In the overall particle size distribution of silica particles, the integrated particle size distribution from the small particle size side (number basis) at a particle size of 40 nm is 25% or less, and the integrated particle size distribution from the small particle size side (number basis). The polishing liquid composition according to any one of claims 1 to 3 , wherein the particle size (D50) at which 50% becomes 50% is 50 to 600 nm.

A method for polishing a Ni-P plated aluminum alloy substrate using the polishing composition according to any one of claims 1 to 4 .

A method for producing a Ni-P plated aluminum alloy substrate, comprising a polishing step using the polishing composition according to any one of claims 1 to 4 .