JP2001323253A - Composition for polishing magnetic disk substrate - Google Patents

Composition for polishing magnetic disk substrate

Info

Publication number
JP2001323253A
JP2001323253A JP2000141021A JP2000141021A JP2001323253A JP 2001323253 A JP2001323253 A JP 2001323253A JP 2000141021 A JP2000141021 A JP 2000141021A JP 2000141021 A JP2000141021 A JP 2000141021A JP 2001323253 A JP2001323253 A JP 2001323253A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polishing
group
magnetic disk
composition
disk substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000141021A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yoshiaki Ooshima
良暁 大島
Shigeo Fujii
滋夫 藤井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kao Corp
Original Assignee
Kao Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kao Corp filed Critical Kao Corp
Priority to JP2000141021A priority Critical patent/JP2001323253A/en
Publication of JP2001323253A publication Critical patent/JP2001323253A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a polishing liquid composition capable of increasing the polishing speed of a magnetic disk substrate. SOLUTION: This composition for polishing the magnetic disk substrate is a polishing liquid comprising water, a polishing material and a polishing accelerator and the polishing accelerator is composed of at least one kind selected from the group consisting of a divalent or more polyvalent carboxylic acid having either one of alkene group (C=C), alkyne group (C≡C), ether group (C-O-C), thioether group (C-S-C), ketone group [(C=O)] or an aromatic ring as a functional group and a salt thereof.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク基板
研磨用組成物に関する。
[0001] The present invention relates to a composition for polishing a magnetic disk substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】ハードディスクは、年々小型化、高容量
化の一途をたどり、その高密度化が進み、最小記憶面積
が小さくなり、また、磁気ヘッドの浮上量もますます小
さくなってきていることから、ハードディスク基板の研
磨工程で、より表面性のよい、スクラッチ、ピット等の
表面欠陥の少ない基板が求められている。そのため、各
工程で使用される砥粒の平均粒径は年々小さくなってき
ており、それに伴い、必然的に研磨速度が低下して生産
性が落ちる問題は依然としてある。これまでに水、アル
ミナおよび有機酸とを用いた研磨液組成物や研磨方法が
検討されている(特開平2−84485号公報、特開平
7−216345号公報等)が、より優れた研磨速度を
有する研磨液組成物が求められているのが現状である。
2. Description of the Related Art Hard disks are becoming smaller and have higher capacities year by year, and their density is increasing, the minimum storage area is getting smaller, and the flying height of the magnetic head is getting smaller. Therefore, there is a demand for a substrate having more surface properties and less surface defects such as scratches and pits in a polishing step of a hard disk substrate. Therefore, the average grain size of the abrasive grains used in each process is decreasing year by year, and accordingly, there is still a problem that the polishing rate is inevitably reduced and the productivity is reduced. Polishing compositions and polishing methods using water, alumina and organic acids have been studied (JP-A-2-84485, JP-A-7-216345, etc.), but a more excellent polishing rate has been studied. At present, there is a demand for a polishing composition having the following.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、磁気
ディスク基板の研磨速度を向上させることができる研磨
液組成物を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a polishing composition capable of improving the polishing rate of a magnetic disk substrate.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】即ち、本発明の要旨は、
水、研磨材、研磨促進剤を含有する研磨液であって、研
磨促進剤がアルケン基(−C=C−)、アルキン基(−
C≡C−)、エーテル基(−C−O−C−)、チオエー
テル基(−C−S−C−)、ケトン基(−(C=O)
−)又は芳香環のいずれかを官能基として有する2価以
上のカルボン酸及びその塩からなる群から選ばれる少な
くとも一種類からなる磁気ディスク基板研磨用組成物
(以下、単に研磨用組成物ともいう)に関する。
That is, the gist of the present invention is as follows.
A polishing liquid containing water, an abrasive, and a polishing accelerator, wherein the polishing accelerator contains an alkene group (-C = C-) and an alkyne group (-
C≡C—), ether group (—C—O—C—), thioether group (—C—S—C—), ketone group (— (C = O))
-) Or at least one type of magnetic disk substrate polishing composition selected from the group consisting of divalent or higher carboxylic acids having at least one aromatic ring as a functional group and salts thereof (hereinafter, also referred to simply as polishing composition) ).

【0005】[0005]

【発明の実施の形態】本発明に用いられる研磨促進剤と
しては、アルケン基(−C=C−)、アルキン基(−C
≡C−)、エーテル基(−C−O−C−)、チオエーテ
ル基(−C−S−C−)、ケトン基(−(C=O)−)
又は芳香環のいずれかを官能基として有する2価以上の
カルボン酸及びこれらの塩が挙げられる。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION As the polishing accelerator used in the present invention, an alkene group (-C = C-) and an alkyne group (-C
{C-), an ether group (-COC-), a thioether group (-CSC-), a ketone group (-(C = O)-)
Or divalent or higher carboxylic acids having any of aromatic rings as a functional group and salts thereof.

【0006】研磨促進の観点から、前記カルボン酸の炭
素数は2〜12が好ましく、より好ましくは3〜8、さ
らに好ましくは4〜6である。入手性の観点から、カル
ボン酸の価数は、2価以上、好ましくは2〜3価、より
好ましくは2価である。また、官能基としては、アルケ
ン基、アルキン基、エーテル基、チオエーテル基、ケト
ン基及び芳香環があるが、入手性の観点から、好ましく
は、アルケン基、エーテル基及び芳香環である。前記カ
ルボン酸の具体例としては、マレイン酸、フマル酸、イ
タコン酸、シトラコン酸、ジグリコール酸、チオジグリ
コール酸、トリメリット酸、フタル酸、ピロメリット
酸、アセチレンジカルボン酸、オキサロ酢酸、2−ケト
グルタル酸、1,3−アセトンジカルボン酸等が挙げら
れる。これらの中で、マレイン酸、フマル酸、イタコン
酸、ジグリコール酸及びシトラコン酸が特に好ましい。
From the viewpoint of promoting polishing, the carboxylic acid preferably has 2 to 12 carbon atoms, more preferably 3 to 8 carbon atoms, and still more preferably 4 to 6 carbon atoms. From the viewpoint of availability, the valence of the carboxylic acid is divalent or more, preferably 2 to 3, and more preferably divalent. Examples of the functional group include an alkene group, an alkyne group, an ether group, a thioether group, a ketone group, and an aromatic ring. From the viewpoint of availability, an alkene group, an ether group, and an aromatic ring are preferred. Specific examples of the carboxylic acid include maleic acid, fumaric acid, itaconic acid, citraconic acid, diglycolic acid, thiodiglycolic acid, trimellitic acid, phthalic acid, pyromellitic acid, acetylenedicarboxylic acid, oxalacetic acid, Ketoglutaric acid, 1,3-acetone dicarboxylic acid and the like can be mentioned. Among these, maleic acid, fumaric acid, itaconic acid, diglycolic acid and citraconic acid are particularly preferred.

【0007】また、これらの酸の塩としては、特に限定
はなく、具体的には、金属、アンモニウム、アルキルア
ンモニウム、有機アミン等との塩が挙げられる。金属の
具体例としては、周期律表(長周期型)1A、1B、2
A、2B、3A、3B、4A、6A、7A又は8族に属
する金属が挙げられる。これらの金属の中でも、研磨速
度向上の観点から1A、3A、3B、7A又は8族に属
する金属が好ましく、1A、3A、3B又は8族に属す
る金属が更に好ましく、1A族に属するナトリウム、カ
リウム、3A族に属するセリウム、3B族に属するアル
ミニウム、8族に属する鉄が最も好ましい。
The salts of these acids are not particularly limited, and specific examples thereof include salts with metals, ammonium, alkylammonium, organic amines and the like. Specific examples of metals include the periodic table (long period type) 1A, 1B, 2
A, 2B, 3A, 3B, 4A, 6A, 7A or a metal belonging to Group 8 can be used. Among these metals, metals belonging to Groups 1A, 3A, 3B, 7A or 8 are preferable from the viewpoint of improving the polishing rate, and metals belonging to Groups 1A, 3A, 3B or 8 are more preferable, and sodium and potassium belonging to Group 1A. Most preferred are cerium belonging to Group 3A, aluminum belonging to Group 3B, and iron belonging to Group VIII.

【0008】アルキルアンモニウムの具体例としては、
テトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウ
ム、テトラブチルアンモニウム等が挙げられる。
Specific examples of the alkyl ammonium include
Examples include tetramethylammonium, tetraethylammonium, and tetrabutylammonium.

【0009】有機アミン等の具体例としては、ジメチル
アミン、トリメチルアミン、アルカノールアミン等が挙
げられる。
Specific examples of the organic amine and the like include dimethylamine, trimethylamine and alkanolamine.

【0010】これらの塩の中では、アンモニウム塩、ナ
トリウム塩、カリウム塩及びアルミニウム塩が特に好ま
しい。
Of these salts, ammonium salts, sodium salts, potassium salts and aluminum salts are particularly preferred.

【0011】これらの研磨促進剤は、単独で又は2種以
上を混合して用いることができる。
These polishing accelerators can be used alone or in combination of two or more.

【0012】研磨促進剤の研磨用組成物中における含有
量は、研磨速度を向上させる観点から、0.05重量%
以上が好ましく、また、経済的な観点から5重量%以下
が好ましい。前記含有量は、好ましくは0.05〜5重
量%、より好ましくは0.1〜3重量%、さらに好まし
くは0.2〜2重量%、もっとも好ましくは0.25〜
1重量%である。
The content of the polishing accelerator in the polishing composition is 0.05% by weight from the viewpoint of improving the polishing rate.
The above is preferable, and 5% by weight or less is preferable from an economic viewpoint. The content is preferably 0.05 to 5% by weight, more preferably 0.1 to 3% by weight, further preferably 0.2 to 2% by weight, most preferably 0.25 to 5% by weight.
1% by weight.

【0013】本発明で用いられる研磨材は、研磨用に一
般に使用されている研磨材を使用することができる。該
研磨材の例としては、金属;金属又は半金属の炭化物、
窒化物、酸化物、ホウ化物;ダイヤモンド等が挙げられ
る。金属又は半金属元素は、周期律表(長周期型)の2
A、2B、3A、3B、4A、4B、5A、6A、7A
又は8族由来のものである。研磨材の具体例として、α
−アルミナ粒子、炭化ケイ素粒子、ダイヤモンド粒子、
酸化マグネシウム粒子、酸化亜鉛粒子、酸化セリウム粒
子、酸化ジルコニウム粒子、コロイダルシリカ粒子、ヒ
ュームドシリカ粒子等が挙げられ、これらを1種以上使
用することは、研磨速度を向上させる観点から好まし
い。中でも、α−アルミナ粒子、酸化セリウム粒子、酸
化ジルコニウム粒子、コロイダルシリカ粒子、ヒューム
ドシリカ粒子等がさらに好ましく、α−アルミナ粒子が
特に好ましい。
As the abrasive used in the present invention, an abrasive generally used for polishing can be used. Examples of the abrasive include metal; metal or metalloid carbide,
Nitrides, oxides, borides; diamonds and the like. Metal or metalloid elements are listed in the Periodic Table (Long Period Type)
A, 2B, 3A, 3B, 4A, 4B, 5A, 6A, 7A
Or, it is derived from Group 8. As a specific example of the abrasive, α
-Alumina particles, silicon carbide particles, diamond particles,
Examples include magnesium oxide particles, zinc oxide particles, cerium oxide particles, zirconium oxide particles, colloidal silica particles, fumed silica particles, and the like. Use of one or more of these is preferred from the viewpoint of improving the polishing rate. Among them, α-alumina particles, cerium oxide particles, zirconium oxide particles, colloidal silica particles, fumed silica particles, and the like are more preferable, and α-alumina particles are particularly preferable.

【0014】研磨材の一次粒子の平均粒径は、研磨速度
を向上させる観点から、好ましくは0.01〜3μm 、さら
に好ましくは0.02〜0.8 μm 、特に好ましくは0.05〜0.
5 μm である。さらに、一次粒子が凝集して二次粒子を
形成している場合は、同様に研磨速度を向上させる観点
及び被研磨物の表面粗さを低減させる観点から、その二
次粒子の平均粒径は、好ましくは0.05〜3 μm 、さらに
好ましくは0.1 〜1.5μm 、特に好ましくは0.2 〜1.2
μm である。研磨材の一次粒子の平均粒径は、走査型電
子顕微鏡で観察(好適には3000〜30000 倍)して画像解
析を行い、粒径を測定することにより数平均粒径として
求めることができる。また、二次粒子の平均粒径はレー
ザー光回折法を用いて体積平均粒径として測定すること
ができる。
The average particle size of the primary particles of the abrasive is preferably from 0.01 to 3 μm, more preferably from 0.02 to 0.8 μm, particularly preferably from 0.05 to 0.
5 μm. Further, when the primary particles are aggregated to form secondary particles, the average particle size of the secondary particles is similarly increased from the viewpoint of improving the polishing rate and reducing the surface roughness of the object to be polished. , Preferably 0.05 to 3 μm, more preferably 0.1 to 1.5 μm, particularly preferably 0.2 to 1.2 μm.
μm. The average particle size of the primary particles of the abrasive can be obtained as a number average particle size by observing (preferably 3000 to 30,000 times) with a scanning electron microscope, analyzing the image, and measuring the particle size. The average particle size of the secondary particles can be measured as a volume average particle size by using a laser light diffraction method.

【0015】研磨材の比重は、分散性及び研磨装置への
供給性や回収再利用性の観点から、その比重は2〜6で
あることが好ましく、2〜5であることがより好まし
い。
The specific gravity of the abrasive is preferably from 2 to 6, more preferably from 2 to 5, from the viewpoints of dispersibility, supply to the polishing apparatus, and recovery and reuse.

【0016】研磨材の含有量は、経済性及び表面粗さを
小さくし、効率よく研磨することができるようにする観
点から、研磨用組成物中において好ましくは1〜40重
量%、より好ましくは2〜30重量%、さらに好ましく
は3〜15重量%である。
The content of the abrasive in the polishing composition is preferably 1 to 40% by weight, more preferably from the viewpoint of economical efficiency, reduction of surface roughness and efficient polishing. It is 2 to 30% by weight, more preferably 3 to 15% by weight.

【0017】本発明の研磨用組成物中の水は、媒体とし
て用いられるものであり、その含有量は、被研磨物を効
率よく研磨することができるようにする観点から、40
〜98.95重量%が好ましく、60〜98重量%が更
に好ましく、70〜95重量%が特に好ましい。
The water in the polishing composition of the present invention is used as a medium, and its content is preferably 40% from the viewpoint of enabling the object to be polished to be polished efficiently.
The content is preferably from 98 to 95% by weight, more preferably from 60 to 98% by weight, and particularly preferably from 70 to 95% by weight.

【0018】本発明の研磨用組成物には、必要に応じて
他の成分を配合することができる。他の成分としては、
前記カルボン酸以外の有機酸およびその塩、例えば、オ
キシカルボン酸、モノカルボン酸、官能基を含まない2
価以上のカルボン酸やポリアミノカルボン酸、アミノ酸
等の有機酸およびその塩や、無機酸およびその塩、酸化
剤、増粘剤、分散剤、防錆剤、塩基性物質、界面活性剤
等が挙げられる。有機酸及びその塩、無機酸及びその
塩、並びに酸化剤の具体例としては、特開昭62−25
187号公報2頁右上欄3〜11行目、特開平1−20
5973号公報3頁左上欄11行〜右上欄2行、特開平
3−115383号公報2頁右下欄16行〜3頁左上欄
11行、特開平4−108887号公報2頁左下欄1行
〜9行、特開平4−275387号公報2頁右欄27行
〜3頁左欄12行、特開平4−363385号公報2頁
右欄21行〜30行等に記載されているものが挙げられ
る。
The polishing composition of the present invention may contain other components as necessary. Other ingredients include
Organic acids other than the carboxylic acids and salts thereof, for example, oxycarboxylic acids, monocarboxylic acids,
Organic acids and salts thereof such as carboxylic acids and polyaminocarboxylic acids having a valence of more than one, amino acids and the like, inorganic acids and salts thereof, oxidizing agents, thickeners, dispersants, rust inhibitors, basic substances, surfactants, etc. Can be Specific examples of organic acids and salts thereof, inorganic acids and salts thereof, and oxidizing agents are described in JP-A-62-25.
No. 187, page 2, upper right column, lines 3-11, JP-A-1-20
No. 5973, page 3, upper left column, line 11 to upper right column, line 2; JP-A-3-115383, page 2, lower right column, line 16 to page 3, upper left column, line 11; To 9 lines, JP-A-4-275387, page 2, right column, line 27 to page 3, left column, 12 lines, and JP-A-4-363385, page 2, right column, lines 21 to 30. Can be

【0019】これらの成分は単独で用いても良いし、2
種以上を混合して用いても良い。また、その含有量は、
研磨速度を向上させる観点、それぞれの機能を発現させ
る観点、及び経済性の観点から、好ましくは研磨液組成
物中0.05〜20重量%、より好ましくは0.05〜
10重量%、さらに好ましくは0.05〜5重量%であ
る。
These components may be used alone, or 2
A mixture of more than one species may be used. Also, its content is
From the viewpoint of improving the polishing rate, expressing each function, and economy, preferably 0.05 to 20% by weight, more preferably 0.05 to 20% by weight in the polishing composition.
It is 10% by weight, more preferably 0.05 to 5% by weight.

【0020】尚、前記研磨用組成物中の各成分の濃度
は、研磨する際の好ましい濃度であるが、該組成物製造
時の濃度であってもよい。通常、濃縮液として組成物は
製造され、これを使用時に希釈して用いる場合が多い。
The concentration of each component in the polishing composition is a preferable concentration when polishing, but may be a concentration when the composition is manufactured. Usually, the composition is produced as a concentrated liquid, and this is often used after dilution.

【0021】研磨用組成物のpHは、被研磨物の種類や
要求品質等に応じて適宜決定することが好ましい。例え
ば、該pHは、基板の洗浄性及び加工機械の腐食防止
性、作業者の安全性の観点から、2 〜12が好ましい。
また、被研磨物がNi-Pメッキされたアルミニウム合金基
板等の金属を主対象とした磁気ディスク基板である場
合、研磨速度の向上と表面品質の向上の観点から、2〜
9がより好ましく、3〜8が特に好ましい。該pHは、
必要により、硝酸、硫酸等の無機酸、有機酸、アンモニ
ア、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の塩基性物質
を適宜、所望量で配合することで調整することができ
る。
It is preferable that the pH of the polishing composition is appropriately determined according to the kind of the object to be polished, required quality, and the like. For example, the pH is preferably from 2 to 12, from the viewpoints of substrate cleaning properties, processing machine corrosion prevention properties, and operator safety.
Further, when the object to be polished is a magnetic disk substrate mainly for a metal such as a Ni-P plated aluminum alloy substrate, from the viewpoint of improving the polishing rate and improving the surface quality, 2 to 2
9 is more preferable and 3 to 8 are particularly preferable. The pH is
If necessary, it can be adjusted by appropriately mixing inorganic acids such as nitric acid and sulfuric acid, organic acids, and basic substances such as ammonia, sodium hydroxide and potassium hydroxide in desired amounts.

【0022】本発明に用いられる磁気ディスク基板とし
ては、アルミニウム基板のほか、Ni−Pメッキされた
アルミニウム基板、Ni−Fe基板、ボロンカーバイド
基板、カーボン基板、強化ガラスや結晶化ガラス等のガ
ラス基板等が挙げられる。特にNi−Pメッキされたア
ルミニウム基板が好ましい。
As the magnetic disk substrate used in the present invention, an aluminum substrate, a Ni-P plated aluminum substrate, a Ni-Fe substrate, a boron carbide substrate, a carbon substrate, a glass substrate such as tempered glass or crystallized glass are used. And the like. Particularly, an aluminum substrate plated with Ni-P is preferable.

【0023】本発明の研磨用組成物は、磁気ディスク基
板の研磨に好適に用いられるが、他の精密部品用基板の
研磨にも用いることができる。精密部品用基板として
は、例えば、光ディスク、光磁気ディスク等の磁気記録
媒体の基板、フォトマスク基板、光学レンズ、光学ミラ
ー、光学プリズム、半導体基板等が挙げられる。なお、
半導体基板の研磨は、シリコンウェハ(ベアウェハ)の
ポリッシング工程、埋め込み素子分離膜の形成工程、層
間絶縁膜の平坦化工程、埋め込み金属配線の形成工程、
埋め込みキャパシタ形成工程等において行われる研磨が
ある。
Although the polishing composition of the present invention is suitably used for polishing a magnetic disk substrate, it can also be used for polishing other precision component substrates. Examples of the precision component substrate include a substrate of a magnetic recording medium such as an optical disk and a magneto-optical disk, a photomask substrate, an optical lens, an optical mirror, an optical prism, and a semiconductor substrate. In addition,
Polishing of a semiconductor substrate includes a polishing step of a silicon wafer (bare wafer), a step of forming an embedded element isolation film, a step of planarizing an interlayer insulating film, a step of forming an embedded metal wiring,
There is polishing performed in an embedded capacitor forming step or the like.

【0024】本発明の研磨用組成物は、ポリッシング工
程において特に効果があるが、これ以外の研磨工程、例
えば、ラッピング工程等にも同様に適用することができ
る。
The polishing composition of the present invention is particularly effective in the polishing step, but can be similarly applied to other polishing steps, for example, a lapping step.

【0025】[0025]

【実施例】実施例1〜11、比較例1〜6 研磨材(1次粒子の平均粒径0.23μm、2次粒子の
平均粒径が0.5μmのα―アルミナ(純度99.9
%))7重量部と実施例に用いた研磨促進剤および比較
例に用いた化合物を表1に示す所定量とイオン交換水残
部とを混合・撹拌し、実施例1〜7、9、11、比較例
2〜5はアンモニア水でpH4に、実施例8はアンモニ
ア水でpH5.5に、実施例10はアンモニア水でpH
6に、比較例1は硝酸でpH4に、比較例6はアンモニ
ア水でpH5になるように調整し、組成物100重量部
を得た。
Examples 1 to 11, Comparative Examples 1 to 6 Abrasives (α-alumina having an average primary particle size of 0.23 μm and secondary particles of 0.5 μm (purity 99.9)
%)) 7 parts by weight, a predetermined amount shown in Table 1 of the polishing accelerator used in the examples and the compound used in the comparative example, and the remainder of the ion-exchanged water were mixed and stirred. Comparative Examples 2 to 5 were adjusted to pH 4 with aqueous ammonia, Example 8 was adjusted to pH 5.5 with aqueous ammonia, and Example 10 was adjusted to pH 5.5 with aqueous ammonia.
Comparative Example 1 was adjusted to pH 4 with nitric acid, and Comparative Example 6 was adjusted to pH 5 with ammonia water to obtain 100 parts by weight of the composition.

【0026】得られた組成物を用い、下記の条件で研磨
を行った。 研磨条件 被加工物 3.5インチ無電解Ni-Pメッキアルミニウム
磁気ディスク基板 研磨機 9B両面研磨加工機(スピードファム(株)
製) 研磨パッド Politex DG−High(ロデー
ル・ニッタ(株)製) 加工圧力 9.8kPa 定盤回転数 50rpm 加工枚数 10枚 研磨液供給量 100ml/分 研磨時間 4分
The obtained composition was polished under the following conditions. Polishing condition Workpiece 3.5 inch electroless Ni-P plated aluminum magnetic disk substrate Polishing machine 9B double-side polishing machine (Speed Fam Co., Ltd.)
Polishing pad Politex DG-High (Rodel Nitta Co., Ltd.) Working pressure 9.8 kPa Surface plate rotation speed 50 rpm Number of processed 10 Polishing liquid supply 100 ml / min Polishing time 4 min

【0027】研磨後、アルミニウム磁気ディスク基板の
厚さを膜厚計(ミツトヨ(株)製、レーザー膜厚計 Mo
del LGH-110/LHC-11N)を用いて測定し、研磨前後のアル
ミニウム磁気ディスク基板の厚さの変化から厚さの減少
速度を求め、比較例1を基準として相対値(相対速度)
を求めた。その結果を表1に示す。
After polishing, the thickness of the aluminum magnetic disk substrate was measured with a film thickness meter (manufactured by Mitutoyo Corporation, laser film thickness meter Mo).
del LGH-110 / LHC-11N) to determine the rate of thickness reduction from the change in the thickness of the aluminum magnetic disk substrate before and after polishing, and a relative value (relative speed) based on Comparative Example 1.
I asked. Table 1 shows the results.

【0028】[0028]

【表1】 [Table 1]

【0029】表1の結果より、実施例1〜11で得られ
た磁気ディスク基板研磨用組成物はいずれも、比較例1
〜6で得られた組成物に比べ、研磨速度が向上したもの
であることがわかる。
From the results shown in Table 1, all of the compositions for polishing a magnetic disk substrate obtained in Examples 1 to 11 are shown in Comparative Example 1.
It can be seen that the polishing rate was improved as compared with the compositions obtained in Nos. 6 to 6.

【0030】[0030]

【発明の効果】本発明の磁気ディスク基板研磨用組成物
を用いて研磨を行うと、高い研磨速度が得られるため、
生産性を著しく向上することができるという観点で有用
である。
When polishing is performed using the magnetic disk substrate polishing composition of the present invention, a high polishing rate can be obtained.
This is useful from the viewpoint that productivity can be significantly improved.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 3C047 FF08 GG15 3C058 AA07 DA02 DA17 5D112 AA02 AA11 BA06 GA02 GA09 GA26  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 3C047 FF08 GG15 3C058 AA07 DA02 DA17 5D112 AA02 AA11 BA06 GA02 GA09 GA26

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 水、研磨材、研磨促進剤を含有する研磨
液であって、研磨促進剤がアルケン基(−C=C−)、
アルキン基(−C≡C−)、エーテル基(−C−O−C
−)、チオエーテル基(−C−S−C−)、ケトン基
(−(C=O)−)又は芳香環のいずれかを官能基とし
て有する2価以上のカルボン酸及びその塩からなる群か
ら選ばれる少なくとも一種類からなる磁気ディスク基板
研磨用組成物。
A polishing liquid containing water, an abrasive, and a polishing accelerator, wherein the polishing accelerator is an alkene group (-C = C-),
Alkyne group (—C≡C—), ether group (—C—O—C
-), A thioether group (-C-S-C-), a ketone group (-(C = O)-) or an aromatic ring as a functional group. A magnetic disk substrate polishing composition comprising at least one selected from the group consisting of:
【請求項2】 研磨促進剤の含有量が0.05〜5重量
%である請求項1記載の磁気ディスク基板研磨用組成
物。
2. The composition for polishing a magnetic disk substrate according to claim 1, wherein the content of the polishing accelerator is 0.05 to 5% by weight.
JP2000141021A 2000-05-12 2000-05-12 Composition for polishing magnetic disk substrate Pending JP2001323253A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000141021A JP2001323253A (en) 2000-05-12 2000-05-12 Composition for polishing magnetic disk substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000141021A JP2001323253A (en) 2000-05-12 2000-05-12 Composition for polishing magnetic disk substrate

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001323253A true JP2001323253A (en) 2001-11-22

Family

ID=18648200

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000141021A Pending JP2001323253A (en) 2000-05-12 2000-05-12 Composition for polishing magnetic disk substrate

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2001323253A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2502969A1 (en) 2011-03-22 2012-09-26 Basf Se A chemical mechanical polishing (cmp) composition comprising two types of corrosion inhibitors

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2502969A1 (en) 2011-03-22 2012-09-26 Basf Se A chemical mechanical polishing (cmp) composition comprising two types of corrosion inhibitors
US9263296B2 (en) 2011-03-22 2016-02-16 Basf Se Chemical mechanical polishing (CMP) composition comprising two types of corrosion inhibitors

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4273475B2 (en) Polishing composition
JP3856843B2 (en) Abrasive composition for magnetic recording medium substrate and method for producing magnetic recording medium substrate using the same
JPH11315273A (en) Polishing composition and edge polishing method using the same
JP4339034B2 (en) Polishing liquid composition
JP4836441B2 (en) Polishing liquid composition
JP2001288455A (en) Polishing liquid composition
TW200424275A (en) Polishing composition
JP3877924B2 (en) Magnetic disk substrate polishing composition
JP4462593B2 (en) Polishing liquid composition
JP2007301721A (en) Polishing liquid composition
JP4446371B2 (en) Polishing liquid composition
JP2001089746A (en) Polishing liquid composition
JP4092015B2 (en) Polishing liquid composition
JP3606806B2 (en) Polishing liquid composition
JP3997153B2 (en) Polishing liquid composition
JP5049249B2 (en) Polishing liquid composition
JP4092021B2 (en) Polishing liquid composition
JP2001323253A (en) Composition for polishing magnetic disk substrate
JP3982925B2 (en) Polishing liquid composition
JP3594184B2 (en) Polishing liquid composition
JP3875155B2 (en) Roll-off reducing agent
JP3875156B2 (en) Roll-off reducing agent
JP3575750B2 (en) Polishing liquid composition
JP3940111B2 (en) Polishing liquid composition
JP3857799B2 (en) Abrasive composition for glass polishing and polishing method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060803

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20070424

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070516

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070709

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20071212