JP2002008963A

JP2002008963A - 露光装置

Info

Publication number: JP2002008963A
Application number: JP2000184903A
Authority: JP
Inventors: Tsuneo Miyai; 恒夫宮井; Shinji Wakamoto; 信二若本
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 2000-06-20
Filing date: 2000-06-20
Publication date: 2002-01-11

Abstract

(57)【要約】【課題】基板の表面の異常状態の影響を回避して、パ
ターンの像がデフォーカス状態で転写されるのを抑制す
ることができる露光装置を提供する。【解決手段】予め受光器の受光センサにより、ウエハ
の表面の位置を検出し、その検出結果に基づいて追い込
み面ＡＰＦを求める。ウエハの表面をその追い込み面Ａ
ＰＦに合わせ込み、この状態で受光センサの一部によ
り、ウエハの表面の位置を再度検出する。その検出結果
における各検出点ＡＦijの位置について異常の有無を判
定し、異常値を示す異常検出点ＡＦij’が含まれる場合
には、その異常検出点ＡＦij’を特定する。そして、異
常検出点ＡＦij’とは異なる検出点ＡＦijにおける受光
センサの検出結果に基づいて新たな追い込み面を求め、
ウエハの表面をその新たな追い込み面に合わせ込む。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体素
子、液晶表示素子、撮像素子（ＣＣＤ等）、薄膜磁気ヘ
ッド等のマイクロデバイスを製造するためのリソグラフ
ィ工程で使用される露光装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】この種の露光装置では、照明光学系から
の照明によりマスク（レチクル、フォトマスク等）上の
回路パターンの像が、投影光学系を介して感光材料（フ
ォトレジスト等）の塗布された基板（ウエハ、ガラスプ
レート等）上に投影転写されるようになっている。前記
基板は、前記投影光学系の光軸に交差するように基板ス
テージ上に保持され、合焦機構によりその基板の露光面
が所定の追い込み面に合わせ込まれるようになってい
る。

【０００３】このような合焦機構としては、例えば次の
ような多点斜入射式焦点検出系が知られている。すなわ
ち、この従来構成においては、基板上のショット領域内
の複数（例えば５つ）の検出点のそれぞれに、投影光学
系を介することなく、例えばピンホール像を斜入射方式
で投射する。そのピンホールの各反射像を２次元位置セ
ンサ（ＣＣＤ等）で一括受光し、前記基板の露光面が全
体として予め仮想的に設定した基準面から投影光学系の
光軸方向にどのくらいずれているかを検出する。そし
て、その検出結果から、最小二乗近似等により前記複数
の検出点の平均面を求め、その平均面を投影光学系の像
面に合わせ込むようになっている。このような従来構成
は、一般に「斜入射方式の多点ＡＦ系」と呼ばれ、焦点
検出と傾斜検出とを高精度に実行できる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、基板は、一
般に、その露光面上に複数の回路パターンが重ね合わさ
れることが多い。このような場合、その基板は、感光材
料を塗布する塗布工程、回路パターンを投影転写する露
光工程、露光終了後の現像工程等が繰り返される。特
に、ウエハ上に形成される半導体素子では、近年の集積
度の向上要求の著しい高まりに対応するため、重ね合わ
される回路パターンの数が増加しており、前記各工程の
繰り返し回数が多くなってきている。

【０００５】この各工程の繰り返しの中で、例えば前記
塗布工程においては、過剰な感光材料が異物として基板
の露光面あるいはその露光面と反対側の裏面に付着した
りすることがある。また、現像中に基板から脱落した感
光材料の重合物が、異物として前記露光面または裏面に
付着したりすることがある。さらに、クリーンルーム内
にわずかに浮遊する微小な異物が、前記基板の露光面ま
たは裏面に付着したりすることもある。

【０００６】そして、このような異物が基板に付着した
場合には、基板の異物の付着した部分における投影光学
系の光軸方向への高さが突出することとなり、露光面の
平均面の演算時に誤差を生じることとなる。この誤差が
投影光学系の焦点深度を超えて大きくなると、目標追い
込み面への合わせ込みが行われているにも係わらず、そ
のショット領域がデフォーカス状態となって異常ショッ
トとなる。また、その異物の付着した部分が、現像後に
欠陥（いわゆる「抜け」）となったり、隣接する配線間
との短絡を引き起こすことがある。

【０００７】これに対して、前記従来構成では、露光面
の複数の検出点からの高さに関する情報は、単にその露
光面の平均面の演算に用いられているのみである。そし
て、その演算結果に基づいて、基板を保持する基板ステ
ージを、投影光学系の光軸と平行な方向に昇降させて、
基板の露光面の傾斜を調整しつつ、その露光面の平均面
と目標の追い込み面とを一致させているのみである。こ
のため、たとえ誤差を含んで算出された平均面であって
も、その平均面と追い込み面との一致が見られると、そ
のショット領域の露光動作が行われ、異常ショットが発
生するおそれがあるという問題点があった。また、この
ような異常ショットは、露光後の現像処理を経なければ
発見することができず、効率が悪いという問題があっ
た。

【０００８】特に、１つのショット領域を複数の露光領
域に区画して、各区画領域にパターンの像を投影転写す
るようにした露光装置では、例えば１つの区画領域に異
常がある場合でも、ショット領域全体が異常として判別
処理されて、製品の歩留まりが著しく低下するという問
題があった。

【０００９】本発明は、このような従来の技術に存在す
る問題点に着目してなされたものである。その目的とし
ては、基板の表面の異常状態に影響されることなく合わ
せ込み動作を行うことができて、パターンの像がデフォ
ーカス状態で転写されるおそれを抑制することができる
露光装置を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本願請求項１に記載の発明は、マスク上に形成され
た所定のパターンの像を基板上に投影転写する投影光学
系と、前記基板を前記投影光学系の光軸方向及びその直
交方向に移動可能に載置する基板ステージと、前記投影
光学系の投影視野内の所定位置に配置された複数の検出
点と、その検出点における前記基板の前記光軸方向の位
置を検出する位置検出機構と、その位置検出機構の検出
結果の少なくとも一部に基づいて追い込み面を求め、前
記基板の表面をその追い込み面に合わせ込む合焦機構と
を備えた露光装置において、前記合焦機構により前記基
板の表面を前記追い込み面に合わせ込んだ状態で、その
基板の表面の前記光軸方向の位置を前記位置検出機構に
より再度検出し、その検出結果における各検出点の位置
について異常の有無を判定し、異常値を示す異常検出点
が含まれる場合には、その異常検出点を特定する特定手
段を設けたことを特徴とするものである。

【００１１】この請求項１に記載の発明では、合焦機構
により基板の表面が追い込み面に合わせ込まれた状態
で、その基板の表面の光軸方向の位置が位置検出機構に
より再度検出される。そして、基板の表面に異物等があ
って、その検出結果に異常値を示す異常検出点が含まれ
ている場合には、その異常検出点が特定される。よっ
て、例えばこの異常検出点における検出結果を除いて新
たな追い込み面を求め、その新たな追い込み面に基板の
表面を合わせ込むことにより、基板の表面の異常状態に
影響されることなく合わせ込み動作を行うことができ
て、パターンの像がデフォーカス状態で転写されるおそ
れを抑制することができる。

【００１２】本願請求項２に記載の発明は、前記請求項
１に記載の発明において、前記特定手段が、前記投影視
野に区画された複数の領域のそれぞれについて前記異常
検出点の有無を判定することを特徴とするものである。

【００１３】この請求項２に記載の発明では、例えば１
つの区画領域に異物等の異常がある場合、その区画領域
の異常状態を判定して、他の区画領域を生かすことがで
き、製品の歩留まりを向上させることができる。

【００１４】本願請求項３に記載の発明は、前記請求項
２に記載の発明において、前記特定手段が、前記複数の
領域のすべてにおいて前記異常検出点が存在すると判定
した場合、その判定対象となった前記基板のショット領
域に対する後続の前記パターンの像の投影転写動作を中
止し、前記基板ステージを投影光学系の光軸にほぼ直交
する面内で駆動させ、直ちに次のショット領域を前記投
影光学系の投影視野に対応させることを特徴とするもの
である。

【００１５】この請求項３に記載の発明では、１ショッ
ト領域中のすべての区画領域に異物等の異常がある場
合、そのショット領域に対する後続のパターンの像の投
影転写動作を続行することなく、直ちに次のショット領
域に対するパターンの像の投影転写動作に移行すること
ができる。このため、露光装置のスループットを向上さ
せることができる。

【００１６】本願請求項４に記載の発明は、前記請求項
１〜請求項３のうちいずれか一項に記載の発明におい
て、前記合焦機構が、前記特定手段により特定された異
常検出点とは異なる検出点における前記位置検出機構の
検出結果に基づいて新たな追い込み面を求め、前記基板
の表面をその新たな追い込み面に合わせ込むことを特徴
とするものである。

【００１７】この請求項４に記載の発明では、基板の表
面位置の再検出により、異常値を示す異常検出点が特定
されたとき、その異常検出点とは異なる検出点における
検出結果に基づいて新たな追い込み面が求められ、その
新たな追い込み面に基板の表面が合わせ込まれる。よっ
て、基板の表面の異常状態に影響されることなく合わせ
込み動作を正確に行うことができる。

【００１８】本願請求項５に記載の発明は、前記請求項
１〜請求項４のうちいずれか一項に記載の発明におい
て、前記合焦機構が、予め取得されている前記基板の表
面状態に基づいて前記追い込み面を求めることを特徴と
するものである。

【００１９】この請求項５に記載の発明では、基板上に
複数のパターンが重ね合わされることによって基板の表
面に生じた段差の状態の影響を加味して目標となる追い
込み面を求めることができ、基板の表面を正確に合わせ
込むことができる。

【００２０】本願請求項６に記載の発明は、前記請求項
１〜請求項５のうちいずれか一項に記載の発明におい
て、前記特定手段が、前記各検出点の位置情報について
前記追い込み面上の各検出点に対応する点の位置情報と
の相関係数を求め、その相関係数が所定値を下回る検出
点を異常検出点と判定することを特徴とするものであ
る。

【００２１】この請求項６に記載の発明では、各検出点
の位置情報について、追い込み面上の各検出点に対応す
る点の位置情報との相関係数が、所定値を下回るか否か
を判定することによって、異常検出点を容易に特定する
ことができる。

【００２２】本願請求項７に記載の発明は、前記請求項
１〜請求項５のうちいずれか一項に記載の発明におい
て、前記特定手段が、前記各検出点の位置情報と前記追
い込み面上の各検出点に対応する点の位置情報との差分
を求め、その差分が所定値を超える検出点を異常検出点
と判定することを特徴とするものである。

【００２３】この請求項７に記載の発明では、各検出点
の位置情報と追い込み面上の各検出点に対応する点の位
置情報との差分が、所定値を超えるか否かを判定するこ
とによって、異常検出点を容易に特定することができ
る。

【００２４】

【発明の実施の形態】（第１実施形態）以下に、本発明
をステップ・アンド・リピート方式の一括露光型露光装
置に具体化した第１実施形態について、図１〜図６に基
づいて説明する。

【００２５】図１に示すように、露光装置２１は、照明
光学系２２、マスクとしてのレチクルＲを保持するレチ
クルステージ２３、投影光学系２４、基板としてのウエ
ハＷを保持する基板ステージとしてのウエハステージ２
５、位置検出機構を含む合焦機構２６、そして特定手段
を構成する主制御系２７とから構成されている。

【００２６】前記照明光学系２２には、高圧水銀灯、Ｋ
ｒＦエキシマレーザ光源、ＡｒＦエキシマレーザ光源、
Ｆ₂レーザ光源、金属蒸気レーザまたはＹＡＧレーザ等
のファイバレーザの高調波を発振する光源等のいずれか
からなる光源３１から、露光光ＥＬが入射する。照明光
学系２２は、図示しないリレーレンズ、フライアイレン
ズ（またはロット・インテグレータ）、コンデンサレン
ズ等の各種レンズ系や、開口絞り及び前記レチクルＲの
パターン面と共役な位置に配置されたブラインド等を含
んで構成されている。

【００２７】そして、前記露光光ＥＬは、この照明光学
系２２を通過することにより、前記レチクルＲのパター
ン面に形成された回路パターンを均一に照明するように
調整される。ここでは、レチクルＲとウエハＷとを静止
させた状態で、レチクルＲ上の回路パターンの像が、図
２に示すウエハＷの露光面Ｗｆ上の所定の露光領域とし
てのショット領域ＳＡijに一括露光で転写露光される。
このため、前記露光光ＥＬの照明領域が、前記ショット
領域ＳＡijに対応するように矩形状に整形される。

【００２８】前記レチクルステージ２３は、照明光学系
２２の下方において、そのレチクル載置面が前記投影光
学系２４の光軸方向と直交するように配置されている。
このレチクルステージ２３には、レチクル支持台３２上
においてレチクル微小駆動ステージ３３が載置されてい
る。このレチクル微小駆動ステージ３３上には、前記レ
チクル載置面をなすレチクルホルダ３４が載置されてい
る。そして、このレチクルホルダ３４には真空チャック
が配備され、その真空チャックによりレチクルＲが保持
されている。

【００２９】前記レチクル微小駆動ステージ３３は、前
記投影光学系２４の光軸に垂直な面内で、図１の紙面に
平行なＸ方向、図１の紙面に垂直なＹ方向、及び、前記
投影光学系２４の光軸と平行な軸線を中心とする回転方
向（θ方向）に対して、それぞれ微小量だけ移動になっ
ている。これにより、高精度にレチクルＲの位置制御が
行なわれるようになっている。

【００３０】前記投影光学系２４は図示しない複数のレ
ンズ等を含んで構成され、前記露光光ＥＬはこの投影光
学系２４を通過する際に、その断面形状が前記照明領域
の大きさから所定の縮小倍率１／ｎ（ｎは正の整数）に
縮小される。そして、前記レチクルＲ上の回路パターン
が、所定の縮小倍率で縮小された状態で、前記ウエハス
テージ２５上に投影光学系２４の光軸と交差するように
保持されたウエハＷの露光面Ｗｆに投影転写されるよう
になっている。

【００３１】前記ウエハステージ２５は、前記投影光学
系２４の下方において、そのウエハ載置面が投影光学系
２４の光軸方向と交差するように配置されている。この
ウエハステージ２５のウエハ支持台３９上には、Ｙ方向
に駆動自在なウエハＹ駆動ステージ４０が載置されてい
る。そのウエハＹ駆動ステージ４０上には、Ｘ方向に駆
動自在なウエハＸ駆動ステージ４１が載置されている。
また、ウエハＸ駆動ステージ４１上には、上面を前記投
影光学系２４の光軸と直交するＸＹ平面に対し微小に傾
斜させることができるとともにＺ方向に微小駆動自在な
Ｚレベリングステージ４２が設けられている。そして、
このＺレベリングステージ４２上に、ウエハＷが真空吸
着によって保持されるようになっている。

【００３２】前記Ｚレベリングステージ４２上には、Ｘ
方向及びＹ方向に沿って延びる平面Ｌ字状の移動鏡４３
が固定されている。一対の干渉計４４は、その移動鏡４
３の外側面と対向するように配置されている。そして、
これらの干渉計４４によって、常時Ｚレベリングステー
ジ４２のＸ方向、Ｙ方向及びθ方向の位置がモニターさ
れ、これらの干渉計４４により得られた位置情報Ｓ１は
前記主制御系２７に供給される。

【００３３】図１に示すように、前記合焦機構２６に
は、前記露光光ＥＬとは異なる波長を有しウエハＷ上の
フォトレジストを感光させない照明光が、図示しない照
明光源から光ファイバ束４７を介して導かれている。光
ファイバ束４７から射出された照明光は、集光レンズ４
８を経て、多数のスリット状開口４９−ij（ｉ＝１〜
７、ｊ＝１〜７、図４参照）を有するパターン形成板４
９を照明する。

【００３４】前記パターン形成板４９を透過した照明光
は、レンズ５０、ミラー５１及び照射対物レンズ５２を
経てウエハＷの露光面Ｗｆに投射される。これにより、
その露光面Ｗｆには、パターン形成板４９上のパターン
の像が前記投影光学系２４の光軸に対して斜めに投影結
像される。ウエハＷの露光面Ｗｆで反射された照明光
は、集光対物レンズ５３、回転方向振動板５４及び結像
レンズ５５を経て、位置検出機構を構成する受光器５６
の受光面に再投影される。これにより、受光器５６の受
光面には、パターン形成板４９上のパターンの像が再結
像される。

【００３５】前記回転方向振動板５４は、加振装置５７
に接続されており、前記主制御系２７の制御のもとで後
述するように振動される。前記受光器５６の受光面には
多数の受光センサ５６−ij（ｉ＝１〜７、ｊ＝１〜７、
図５参照）が配設されており、それらの受光センサ５６
−ijからの検出信号が信号処理装置５８に供給される。
その信号処理装置５８は、前記各受光センサ５６−ijか
らの検出信号を加振装置５７の駆動信号で同期検波し、
多数のフォーカス信号が得られるようになっている。そ
して、この信号処理装置５８は、多数のフォーカス信号
を前記主制御系２７に供給するようになっている。

【００３６】図１に示すように、前記Ｚレベリングステ
ージ４２上のウエハＷの近傍には、レチクルアライメン
ト用の基準マークを有する基準マーク板６１が固定され
ている。レチクルＲの上方には、基準マーク板６１上の
基準マークとレチクルＲ上の計測用マークとを同時に観
察するためのレチクルアライメント顕微鏡６２が装備さ
れている。そして、基準マークに対する計測用マークの
相対位置に基づいて、レチクル微小駆動ステージ３３上
のレチクルＲの位置が微調整される。これにより、レチ
クルＲ上のパターンが所定位置に配置されて、そのパタ
ーンのアライメントが正確に行われるようになってい
る。

【００３７】前記投影光学系２４の側面には、ウエハＷ
の各ショット領域ＳＡijの近傍に形成されたアライメン
トマークを検出するオフ・アクシス方式のウエハアライ
メント顕微鏡６３が装備されている。この場合、ウエハ
アライメント顕微鏡６３の検出中心とレチクルＲの投影
領域の中心との間隔、いわゆるベースライン量が予め求
められている。そして、このベースライン量とウエハア
ライメント顕微鏡６３で検出されたアライメントマーク
の位置情報とに基づいて、前記ウエハステージ２５上の
ウエハＷの位置が調整される。これにより、ウエハＷ上
の各ショット領域ＳＡijが所定位置に配置されて、それ
らのショット領域ＳＡijのアライメントが正確に行われ
るようになっている。

【００３８】このように、前記主制御系２７は、レチク
ルステージ２３のレチクル微小駆動ステージ３３及びウ
エハステージ２５の各ステージ４０〜４２の位置決め動
作、レチクルＲとウエハＷとの同期露光動作、及び合焦
機構２６の合焦動作等をはじめとして、露光装置２１全
体の動作を制御する。

【００３９】次に、前記合焦機構２６の合焦動作につい
て、さらに詳細に説明する。図４に示すように、前記パ
ターン形成板４９には、第１列目に７個のスリット状の
開口４９−11〜４９−17が形成され、第２列目〜第７列
目にもそれぞれ７個の開口４９−21〜４９−77が形成さ
れている。すなわち、パターン形成板４９には、合計で
４９個のスリット状の開口４９−ij（ｉ＝１〜７、ｊ＝
１〜７）が形成されている。

【００４０】そして、前記光ファイバ束４７から射出さ
れた照明光によって、これらの開口４９−ijによりなる
パターン像が、図３に示すように、ウエハＷの露光面Ｗ
ｆ上にＸ方向及びＹ方向に対して斜めに投影される。す
なわち、ウエハＷの露光面Ｗｆ上における１つの前記シ
ョット領域ＳＡij内で、図３におけるＹ方向において上
方から順に、第１列の７個の検出点ＡＦ１１〜ＡＦ１
７、第２列の７個の検出点ＡＦ２１〜ＡＦ２７、第３列
の検出点ＡＦ３１〜ＡＦ３７、第４列の検出点ＡＦ４１
〜ＡＦ４７、第５列の検出点ＡＦ５１〜ＡＦ５７、第６
列の検出点ＡＦ６１〜ＡＦ６７、及び第７列の検出点Ａ
Ｆ７１〜ＡＦ７７に、それぞれ前記各開口４９−ijと対
応する４９個のすべての像が投影されるようになってい
る。

【００４１】図５に示すように、前記受光器５６上に
は、その第１列目に７個の受光センサ５６−11〜５６−
17が配置され、第２列目〜第５列目にもそれぞれ７個の
受光センサ５６−21〜５６−77が配置されている。すな
わち、受光器５６には、合計で４９個の受光センサ５６
−ij（ｉ＝１〜７、ｊ＝１〜７）が配列されており、各
受光センサ５６−ij上には図示しないスリット状の絞り
が配置されている。そして、これらの各受光センサ５６
−ij上に、図３の各検出点ＡＦijに投影されたスリット
状の開口パターンの像がそれぞれ再結像される。

【００４２】ここで、図１の前記回転方向振動板５４
は、露光面Ｗｆからの反射光を受光器５６上に再結像さ
せる際に、各像の位置を絞りの開口幅の短手方向に振動
させるように回転振動されている。そして、各受光セン
サ５６−ijで検出された検出信号は、信号処理装置５８
に供給される。信号処理装置５８は、それぞれの検出信
号を回転振動周波数の信号で同期検波することにより、
ウエハＷ上の前記各検出点ＡＦijについて、投影光学系
２４の光軸方向の位置に対応する位置信号を生成して、
前記主制御系２７に供給する。

【００４３】ところで、主制御系２７は、ウエハＷの各
ショット領域ＳＡijへのレチクルＲ上の回路パターンの
投影転写に先だって、前記ウエハアライメント顕微鏡６
３により、ウエハＷ上の複数のショット領域ＳＡijの一
部を利用して投影光学系２４に対するウエハＷ全体の位
置を検出させる。そして、その検出結果に基づいて、ウ
エハステージ２５の各ステージ４０〜４２を駆動して、
ウエハＷ全体の位置を調整するウエハアライメントが行
われる。

【００４４】このウエハアライメントの際に、主制御系
２７は、その一部のショット領域ＳＡijを利用して、合
焦機構２６によりウエハＷの表面状態を検出させる。こ
の場合、図３に示すように、ショット領域ＳＡij内に位
置する４９個すべての検出点ＡＦijにおいて、ウエハＷ
の表面状態が各受光センサ５６−ijにより検出され、そ
れらの位置検出信号が信号処理装置５８から主制御系２
７に供給される。そして、主制御系２７は、各検出点Ａ
Ｆijの位置情報の最小二乗平均を求めて、図６に示すよ
うに、ウエハＷの露光面Ｗｆに近似する近似平面（目標
の追い込み面）ＡＰＦを算出する。

【００４５】一方、この実施形態では、図３に示すよう
に、ウエハＷ上に区画された各ショット領域ＳＡijにお
いて一括露光を行う場合、前記４９個の検出点ＡＦijの
うちの一部が、フォーカス位置を検出するための検出点
（以下、「サンプル検出点」という）として設定するよ
うになっている。これは、サンプル検出点を多く設定す
るほど、より正確なフォーカス位置の検出が可能になる
ものの、その検出動作の所要時間が長くなるとともに主
制御系２７の負担が増大するのを回避するためである。

【００４６】ここで、この実施形態では、図１のレチク
ルＲの回路パターンが、投影光学系２４の投影視野内で
矩形状のショット領域ＳＡij内に、４つの区画領域ＳＡ
ij−１〜ＳＡij−４に区画した状態でそれぞれ一括露光
されるようになっている。このため、例えば、第１列の
検出点の中の１番目と７番目の検出点ＡＦ１１，ＡＦ１
７、第２列の検出点の中の２番目と６番目の検出点ＡＦ
２２，ＡＦ２６、第４列の検出点の中の４番目の検出点
ＡＦ４４、第６列の検出点の中の２番目と６番目の検出
点ＡＦ６２，ＡＦ６６、及び第７列の検出点の中の１番
目と７番目の検出点ＡＦ７１，ＡＦ７７の９点がサンプ
ル点として設定されている。

【００４７】すなわち、ショット領域ＳＡijの第１区画
領域ＳＡij−１には検出点ＡＦ１１，ＡＦ２２が位置
し、第２区画領域ＳＡij−２には検出点ＡＦ１７，ＡＦ
２６が位置するように設定されている。また、第３区画
領域ＳＡij−３には検出点ＡＦ６２，ＡＦ７１が位置
し、第４区画領域ＳＡij−４には検出点ＡＦ６６，ＡＦ
７７が位置するように設定されている。さらに、各区画
領域ＳＡij−１〜ＳＡij−４の境界部には検出点ＡＦ４
４が位置するように設定されている。

【００４８】そして、図２に示すように、ウエハＷ上の
各ショット領域ＳＡijにおいて、先ずウエハＷの露光面
Ｗｆが前記目標の追い込み面ＡＰＦに合わせ込まれる。
この場合、前記の選択された９つのサンプル検出点ＡＦ
ijにおいて、対応する受光センサ５６−ijによりウエハ
Ｗの露光面Ｗｆの光軸方向位置が検出される。そして、
信号処理装置５８は、各受光センサ５６−ijからの検出
信号に基づいて、前記露光面Ｗｆの投影光学系２４の光
軸方向の位置（フォーカス位置）に対応するフォーカス
信号を生成して、前記主制御系２７に供給する。

【００４９】主制御系２７は、このフォーカス信号によ
り、ウエハＷの露光面Ｗｆの傾斜角（レベリング角）及
び平均的なフォーカス位置（合わせ込み面の位置）を算
出する。そして、このレベリング角及び合わせ込み面の
位置に基づいて、Ｚレベリングステージ４２を駆動し
て、ウエハＷの露光面Ｗｆの傾斜及び投影光学系２４の
光軸方向の高さを調整する。この調整により、目標の追
い込み面ＡＰＦに対するウエハＷの露光面Ｗｆの合わせ
込みが行われる。

【００５０】次に、前記Ｚレベリングステージ４２の制
御動作について説明する。図２に示すように、Ｚレベリ
ングステージ４２の上面部材は下面部材上に３個の支点
６６〜６８を介して支持されている。各支点６６〜６８
は、それぞれ独立してフォーカス方向（投影光学系２４
の光軸と平行な方向、つまりＺ方向）に伸縮できるよう
になっている。そして、主制御系２７の制御のもとに駆
動部６９〜７１を介して各支点６６〜６８の伸縮量を調
整することにより、Ｚレベリングステージ４２上のウエ
ハＷの露光面Ｗｆの合わせ込み位置、Ｘ方向及びＹ方向
の傾斜角が所望の値に設定される。各支点６６〜６８の
近傍には、それぞれ各支点６６〜６８のフォーカス方向
の変位量を例えば０．０１μｍ程度の分解能で検出でき
る高さセンサー７２〜７４が取り付けられている。な
お、フォーカス方向への位置決め機構としては、例えば
ストロークのより長い高精度な機構を別に設けてもよ
い。

【００５１】ところで、支点６６〜６８が配置されてい
る位置をそれぞれ駆動点ＴＬ１，ＴＬ２及びＴＬ３とし
た場合、２つの駆動点ＴＬ１、ＴＬ２はＹ軸に平行な一
直線上に配置されている。また、駆動点ＴＬ３は、前記
２つの駆動点ＴＬ１、ＴＬ２間を結ぶ線分に対する垂直
２等分線上に配置されている。

【００５２】そして、前述のように、Ｚレベリングステ
ージ４２のレベリング制御が完了した状態で、同ステー
ジ４２のフォーカス制御、つまり目標の追い込み面ＡＰ
Ｆに対するウエハＷの露光面Ｗｆの合わせ込み動作が行
われる。この場合、合わせ込み位置の設定は３個の支点
６６〜６８を同じ量だけ変位させることにより行われ
る。

【００５３】続いて、この合わせ込み状態で、前記９つ
のサンプル検出点ＡＦijにおいて、対応する受光センサ
５６−ijによりウエハＷの露光面Ｗｆの光軸方向位置が
再度検出され、それらの位置検出信号が信号処理装置５
８を介して主制御系２７に供給される。主制御系２７
は、図６に示すように、各サンプル検出点ＡＦijの位置
情報Ｉａについて、前記目標の追い込み面ＡＰＦ上の各
検出点ＡＦijに対応する点の位置情報Ｉｂとの相関係数
を求め、その相関係数が所定値を下回るか否かを判定す
る。そして、ウエハＷの露光面Ｗｆ上に異物等の異常が
あって、相関係数が所定値を下回る検出点が存在する場
合には、その検出点を異常検出点ＡＦij’と判定して、
その異常検出点ＡＦij’がショット領域ＳＡij中のいず
れの区画領域ＳＡij１〜ＳＡij−４にあるかを特定す
る。

【００５４】この場合、例えば図６に示す５つの検出点
ＡＦijを、ＡＦ１１，ＡＦ２２，ＡＦ４４，ＡＦ６６，
ＡＦ７７としたとき、各検出点ＡＦ１１〜ＡＦ７７にお
いて、検出位置情報Ｉａ１１〜Ｉａ７７と追い込み面Ａ
ＰＦ上の位置情報Ｉｂ１１〜Ｉｂ７７との差ΔＩ１１〜
ΔＩ７７が求められる。そして、第１区画領域ＳＡij−
１中における２つの検出点ＡＦ１１，ＡＦ２２での位置
情報の差ΔＩ１１，ΔＩ２２の二乗和をとり、これを検
出点の数で割るとともに平方根をとることによって、相
関係数の平均値が求められる。同様に、第４区画領域Ｓ
Ａij−４における２つの検出点ＡＦ６６，ＡＦ７７での
位置情報の差ΔＩ６６，ΔＩ７７の二乗和をとり、これ
を検出点の数で割るとともに平方根をとることによっ
て、相関係数の平均値が求められる。

【００５５】そして、各区画領域ＳＡij−１，ＳＡij−
４における相関係数の平均値が、予め設定された所定値
を下回るか否か判定される。図６に示す検出結果では、
第４区画領域ＳＡij−４中の検出点ＡＦ７７に異物等の
異常があるため、第４区画領域ＳＡij−４における相関
係数の平均値が所定値を下回ることになる。従って、そ
の第４区画領域ＳＡij−４に異常検出点ＡＦij’が存在
することが特定される。同様に、第２区画領域ＳＡij−
２及び第３区画領域ＳＡij−３についても、位置情報の
相関係数の平均値が求められ、その相関係数の平均値が
所定値を下回るか否か判定されて、異常検出点ＡＦij’
の特定が行われる。

【００５６】このように、任意の区画領域ＳＡij−１〜
ＳＡij−４に異常検出点ＡＦij’が存在すると特定され
た場合、主制御系２７は、異常検出点ＡＦij’を除く残
りの検出点ＡＦijの検出位置情報に基づいて、新たな追
い込み面を求める。そして、前記のように合焦機構２６
を作動制御して、ウエハＷの露光面Ｗｆをその新たな追
い込み面に合わせ込む。よって、任意の区画領域ＳＡij
−１〜ＳＡij−４に異物等の異常が存在する場合でも、
その異常状態に影響されることなく、残りの区画領域Ｓ
Ａij−１〜ＳＡij−４において合わせ込みが行われるこ
とになる。

【００５７】一方、４つの区画領域ＳＡij−１〜ＳＡij
−４のすべてにおいて異常検出点ＡＦij’が存在すると
判定された場合、主制御系２７は、その判定対象となっ
たウエハＷのショット領域ＳＡijに対する後続のパター
ンの像の投影転写動作を中止させる。そして、ウエハス
テージ２５を投影光学系２４の光軸にほぼ直交する面内
で駆動させて、直ちにウエハＷ上の次のショット領域Ｓ
Ａijを投影光学系２４の投影視野に対応させる。

【００５８】従って、本実施形態によれば、以下のよう
な効果を得ることができる。（イ）この実施形態の露光装置２１では、予め受光器
５６の受光センサ５６−ij（例えばすべてのセンサ５６
−11〜５６−77）により、ウエハＷの表面の位置が検出
され、その検出結果に基づいて追い込み面ＡＰＦが求め
られる。さらに、合焦機構２６によりウエハＷの表面が
その追い込み面ＡＰＦに合わせ込まれ、この状態で受光
センサ５６−ijの少なくとも一部（例えば５６−11，５
６−17，５６−22，５６−26，５６−44，５６−62，５
６−66，５６−71，５６−77）により、ウエハＷの表面
の位置が再度検出される。そして、その検出結果におけ
る各検出点ＡＦij（例えばＡＦ１１，ＡＦ１７，ＡＦ２
２，ＡＦ２６，ＡＦ４４，ＡＦ６２，ＡＦ６６，ＡＦ７
１，ＡＦ７７の９点）の位置について異常の有無が判定
され、異常値を示す異常検出点ＡＦij’が含まれる場合
には、その異常検出点ＡＦij’が特定されるようになっ
ている。

【００５９】このため、ウエハＷの表面に異物等があっ
て、その検出結果に異常値を示す異常検出点ＡＦij’が
含まれている場合には、その異常検出点ＡＦij’を容易
に特定することができる。よって、この異常検出点ＡＦ
ij’における検出結果を除いて新たな追い込み面を求
め、その新たな追い込み面にウエハＷの表面を合わせ込
むことにより、ウエハＷの表面の異常状態に影響される
ことなく合わせ込み動作を行うことができる。従って、
ウエハＷの表面の異常状態に起因して、パターンの像が
デフォーカス状態で転写されるおそれを抑制することが
できる。

【００６０】（ロ）この実施形態の露光装置２１で
は、１つのショット領域ＳＡijに４つの区画領域ＳＡij
−１〜ＳＡij−４が設けられ、それらの区画領域ＳＡij
−１〜ＳＡij−４のそれぞれについて異常検出点ＡＦi
j’の有無が判定されるようになっている。

【００６１】このため、例えば１つの区画領域ＳＡij−
１〜ＳＡij−４に異物等の異常がある場合、その区画領
域の異常状態を判定して、他の区画領域を生かすことが
でき、製品の歩留まりを向上させることができる。

【００６２】（ハ）この実施形態の露光装置２１で
は、４つの区画領域ＳＡij−１〜ＳＡij−４のすべてに
おいて異常検出点ＡＦij’が存在すると判定された場
合、その判定対象となったウエハＷのショット領域ＳＡ
ijに対する後続のパターンの像の投影転写動作が中止さ
れる。そして、ウエハステージ２５が投影光学系２４の
光軸にほぼ直交する面内で駆動されて、直ちに次のショ
ット領域ＳＡijが投影光学系２４の投影視野に対応配置
されるようになっている。

【００６３】このため、１ショット領域ＳＡij中のすべ
ての区画領域ＳＡij−１〜ＳＡij−４に異物等の異常が
ある場合、そのショット領域ＳＡijに対する後続のパタ
ーンの像の投影転写動作を続行することなく、直ちに次
のショット領域ＳＡijに対するパターンの像の投影転写
動作に移行することができる。従って、露光装置２１の
スループットを向上させることができる。

【００６４】（ニ）この実施形態の露光装置２１で
は、異常検出点ＡＦij’が特定されたとき、合焦機構２
６により異常検出点ＡＦij’とは異なる検出点ＡＦijに
おける受光センサ５６−ijの検出結果に基づいて新たな
追い込み面が求められる。そして、ウエハＷの表面が、
その新たな追い込み面に合わせ込まれるようになってい
る。このため、ウエハＷの表面の異常状態に影響される
ことなく、合わせ込み動作を正確に行うことができる。

【００６５】（ホ）この実施形態の露光装置２１で
は、予め受光器５６の受光センサ５６−ijを使用してウ
エハＷの表面状態が検出され、その検出結果に基づいて
目標の追い込み面ＡＰＦが求められる。そして、合焦機
構２６により、この目標の追い込み面ＡＰＦにウエハＷ
の表面が合わせ込まれるようになっている。

【００６６】このため、ウエハＷ上に複数のパターンが
重ね合わされることによって、ウエハＷの表面に段差が
生じている場合には、各受光センサ５６−ijの検出結果
におけるウエハＷの表面の段差状態による影響と異常状
態（異物、欠陥等）による影響とを区別することができ
る。従って、ウエハＷの表面を、目標の追い込み面ＡＰ
Ｆに正確に合わせ込むことができる。

【００６７】（へ）この実施形態の露光装置２１で
は、各検出点ＡＦijの位置情報について、追い込み面Ａ
ＰＦ上の各検出点ＡＦijに対応する点の位置情報との相
関係数が求められる。そして、その相関係数が所定値を
下回る検出点ＡＦijを、異常検出点ＡＦij’と判定する
ようになっている。このため、前記位置情報の相関係数
の大小を判定することによって、異常検出点ＡＦij’を
容易に特定することができる。

【００６８】（第２実施形態）次に、本発明の第２実施
形態について、前記第１実施形態と異なる部分を中心に
説明する。

【００６９】この第２実施形態においては、ウエハＷ上
の各ショット領域ＳＡijにおける合わせ込み動作時に、
ウエハＷの露光面Ｗｆ上の段差のない平坦な部分と対応
する複数の検出点ＡＦijが選択される。そして、それら
の検出点ＡＦijと対応する受光センサ５６−ijにより、
ウエハＷの露光面Ｗｆの光軸方向位置が検出されて、追
い込み面ＡＰＦ’が求められる。さらに、ウエハＷの露
光面Ｗｆがこの追い込み面ＡＰＦ’に合わせ込まれ、そ
の合わせ込み状態で、各検出点ＡＦijと対応する受光セ
ンサ５６−ijにより、ウエハＷの露光面Ｗｆの光軸方向
位置が再度検出される。そして、図７に示すように、各
検出点ＡＦijの検出位置情報と追い込み面ＡＰＦ’上の
各検出点ＡＦijに対応する点の位置情報との差分が求め
られ、その差分が所定値を超える検出点ＡＦijが異常検
出点ＡＦij’と判定されるようになっている。

【００７０】この場合、例えば図７に示す５つの検出点
ＡＦijを、ＡＦ１１，ＡＦ２２，ＡＦ４４，ＡＦ６６，
ＡＦ７７としたとき、各検出点ＡＦ１１〜ＡＦ７７にお
いて、検出位置情報Ｉａ１１〜Ｉａ７７が求められる。
そして、第１区画領域ＳＡij−１中における２つの検出
点ＡＦ１１，ＡＦ２２での位置情報Ｉａ１１，Ｉａ２２
の二乗和をとり、これを検出点の数で割るとともに平方
根をとることによって、位置情報の平均値が求められ
る。同様に、第４区画領域ＳＡij−４における２つの検
出点ＡＦ６６，ＡＦ７７での位置情報Ｉａ６６，Ｉａ７
７の二乗和をとり、これを検出点の数で割るとともに平
方根をとることによって、位置情報の平均値が求められ
る。

【００７１】そして、各区画領域ＳＡij−１，ＳＡij−
４における位置情報の平均値と追い込み面ＡＰＦ’上の
位置情報との差分が求められ、その位置情報の差分が予
め設定された所定値を越えるか否か判定される。図７に
示す検出結果では、第４区画領域ＳＡij−４中の検出点
ＡＦ７７に異物等の異常があるため、第４区画領域ＳＡ
ij−４における位置情報の差分が所定値を越えることに
なる。従って、その第４区画領域ＳＡij−４に異常検出
点ＡＦij’が存在することが特定される。同様に、第２
区画領域ＳＡij−２及び第３区画領域ＳＡij−３につい
ても、位置情報の差分が求められ、その位置情報の差分
が所定値を越えるか否か判定されて、異常検出点ＡＦi
j’の特定が行われる。

【００７２】従って、本実施形態によれば、前記第１実
施形態における（イ）〜（ホ）に記載の効果に加えて、
以下のような効果を得ることができる。（ト）この実施形態の露光装置２１では、各検出点Ａ
Ｆijの位置情報と追い込み面ＡＰＦ’上の各検出点ＡＦ
ijに対応する点の位置情報との差分が求められ、その差
分が所定値を超える検出点ＡＦijが異常検出点ＡＦij’
と判定されるようになっている。

【００７３】このため、前記位置情報の差分の大小を判
定することによって、異常検出点ＡＦij’を容易に特定
することができる。従って、この実施形態は、ウエハＷ
の表面状態が平坦になっている最初の露光時に採用する
と好適である。

【００７４】（第３実施形態）次に、本発明の第３実施
形態について、前記第１実施形態と異なる部分を中心に
説明する。

【００７５】この第３実施形態においては、ウエハＷ上
の各ショット領域ＳＡijにおける合わせ込み動作時に、
先ず複数のサンプル検出点ＡＦijのうちで、いずれか１
つの検出点ＡＦijを除外して、残りの検出点ＡＦijと対
応する受光センサ５６−ijを用いて、目標の追い込み面
ＡＰＦに対するウエハＷの露光面Ｗｆの合わせ込みが行
われる。そして、この合わせ込み位置が目標の追い込み
面ＡＰＦに一致したか否か判定される。

【００７６】引き続いて、除外する１つの検出点ＡＦij
を順に変更しながら、前記と同様の動作が繰り返し行わ
れる。また、除外する検出点ＡＦijの数が１つから２
つ、３つと順に増やしながら、種々の検出点ＡＦijの組
み合わせ状態で、前記と同様の動作が繰り返し行われ
る。そして、ウエハＷの露光面Ｗｆ上に異物や欠陥等の
異常状態が存在する場合には、それと対応する検出点Ａ
Ｆijを除外した合わせ込み時に、合わせ込み位置と目標
の追い込み面ＡＰＦとが一致するため、その検出点ＡＦ
ijが異常検出点ＡＦij’と判定される。

【００７７】例えば図８に示す５つの検出点ＡＦijを、
ＡＦ１１，ＡＦ２２，ＡＦ４４，ＡＦ６６，ＡＦ７７と
したとき、各検出点ＡＦ１１〜ＡＦ７７を順に除外し
て、種々の検出点ＡＦ１１〜ＡＦ７７の組み合わせ状態
で、目標の追い込み面ＡＰＦに対する合わせ込みが行わ
れる。この場合、検出点ＡＦ７７と対応する部分に異物
等の異常があるため、その検出点ＡＦ７７を除外した合
わせ込み動作時に、合わせ込み位置と目標の追い込み面
ＡＰＦとが一致する。このため、その検出点ＡＦ７７を
異常検出点ＡＦij’として容易に判定することができ
る。

【００７８】従って、本実施形態によれば、前記第１実
施形態における（イ）〜（ホ）に記載の効果と同様の効
果を得ることができる。（変形例）なお、本発明の実施形態は、以下のように変
形してもよい。

【００７９】・前記各実施形態において、ウエハＷの
表面状態の検出を、ウエハアライメントとは異なったタ
イミング、例えばウエハのロット処理の先頭等に行うよ
うにしてもよい。

【００８０】・前記各実施形態において、ウエハＷの
表面状態の検出を、４９個の検出点ＡＦijのうちの一部
を使用して行うようにしてもよい。・前記各実施形態において、ウエハＷのショット領域
ＳＡijにおける合わせ込みを、４９個の検出点ＡＦijの
すべてを使用し、または実施形態とは異なった個数の検
出点ＡＦijを使用して行うようにしてもよい。

【００８１】・前記各実施形態において、ウエハＷの
ショット領域ＳＡij内を４つの区画領域ＳＡij−１〜Ｓ
Ａij−４に区画したが、実施形態とは異なった複数の区
画領域ＳＡij−ｎに区画してもよい。

【００８２】これらのようにした場合でも、前記各実施
形態における効果とほぼ同様の効果が得られる。・本発明の露光装置は、半導体素子製造用の露光装置
に限定されるものではなく、また、縮小露光型、一括露
光型の露光装置に限定されるものでもない。すなわち、
この露光装置は、液晶表示素子、撮像素子、薄膜磁気ヘ
ッド等のマイクロデバイスを製造するための露光装置を
含むものである。また、等倍露光型、拡大露光型の露光
装置、ステップ・アンド・スキャン方式の走査露光型露
光装置をも含むものである。

【００８３】

【発明の効果】以上詳述したように、本願請求項１に記
載の発明によれば、基板の表面に異物等の異常状態があ
る場合でも、その異常状態に影響されることなく合わせ
込み動作を行うことができる。従って、パターンの像が
デフォーカス状態で転写されるおそれを抑制することが
できる。

【００８４】本願請求項２に記載の発明によれば、前記
請求項１に記載の発明の効果に加えて、例えば１つの区
画領域に異物等の異常がある場合、他の区画領域を生か
すことができ、製品の歩留まりを向上させることができ
る。

【００８５】本願請求項３に記載の発明によれば、前記
請求項２に記載の発明の効果に加えて、１ショット領域
中のすべての区画領域に異物等の異常がある場合、直ち
に次のショット領域に対するパターンの像の投影転写動
作に移行することができる。従って、露光装置のスルー
プットを向上させることができる。

【００８６】本願請求項４に記載の発明によれば、前記
請求項１〜請求項３のうちいずれか一項に記載の発明の
効果に加えて、基板の表面に異物等の異常状態がある場
合、その異常検出点を除いた他の検出点における検出結
果に基づいて新たな追い込み面を求めることができる。
そして、その新たな追い込み面に基板の表面を正確に合
わせ込むことができる。

【００８７】本願請求項５に記載の発明によれば、前記
請求項１〜請求項４のうちいずれか一項に記載の発明の
効果に加えて、基板上に複数のパターンが重ね合わされ
ることによって生じた段差の状態に影響を加味して目標
となる追い込み面を求めることができ、基板の表面を正
確に合わせ込むことができる。

【００８８】本願請求項６及び請求項７に記載の発明に
よれば、前記請求項１〜請求項５のうちいずれか一項に
記載の発明の効果に加えて、各検出点の位置情報につい
て、追い込み面上の各検出点に対応する点の位置情報と
の相関係数を求めることで、異常検出点を容易に特定す
ることができる。

【００８９】本願請求項７に記載の発明によれば、前記
請求項１〜請求項５のうちいずれか一項に記載の発明の
効果に加えて、各検出点の位置情報と追い込み面上の各
検出点に対応する点の位置情報との差分を求めること
で、異常検出点を容易に特定することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１実施形態の露光装置を、合焦機構を中心
に示す構成図。

【図２】Ｚレべリングステージとその制御構成を示す
構成図。

【図３】投影光学系による露光領域に投影された開口
パターンの像を示す平面図。

【図４】合焦機構のパターン形成板上の開口パターン
を示す説明図。

【図５】受光器の受光センサの配列を示す説明図。

【図６】合わせ込み動作時におけるウエハの表面の異
常検出点の判定動作を示す説明図。

【図７】第２実施形態の合わせ込み動作時における異
常検出点の判定動作を示す説明図。

【図８】第３実施形態の合わせ込み動作時における異
常検出点の判定動作を示す説明図。

【符号の説明】

２１…露光装置、２４…投影光学系、２５…基板ステー
ジとしてのウエハステージ、２６…合焦機構、２７…特
定手段を構成する主制御系、５６…位置検出機構を構成
する受光器、Ｒ…マスクとしてのレチクル、Ｗ…基板と
してのウエハ、Ｗｆ…基板の表面をなす露光面、ＳＡij
…露光領域としてのショット領域、ＳＡij−１〜ＳＡij
−４…区画領域、ＡＦij…検出点、ＡＦij’…異常検出
点、ＡＰＦ…目標の追い込み面。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 2F065 AA03 BB02 BB29 CC18 DD06 FF10 FF51 FF61 GG01 HH12 JJ05 JJ08 LL02 PP24 QQ18 5F046 BA03 CC03 CC05 DA14 DB05 DB10

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】マスク上に形成された所定のパターンの
像を基板上に投影転写する投影光学系と、前記基板を前
記投影光学系の光軸方向及びその直交方向に移動可能に
載置する基板ステージと、前記投影光学系の投影視野内
の所定位置に配置された複数の検出点と、その検出点に
おける前記基板の前記光軸方向の位置を検出する位置検
出機構と、その位置検出機構の検出結果の少なくとも一
部に基づいて追い込み面を求め、前記基板の表面をその
追い込み面に合わせ込む合焦機構とを備えた露光装置に
おいて、前記合焦機構により前記基板の表面を前記追い込み面に
合わせ込んだ状態で、その基板の表面の前記光軸方向の
位置を前記位置検出機構により再度検出し、その検出結
果における各検出点の位置について異常の有無を判定
し、異常値を示す異常検出点が含まれる場合には、その
異常検出点を特定する特定手段を設けたことを特徴とす
る露光装置。
【請求項２】前記特定手段は、前記投影視野に区画さ
れた複数の領域のそれぞれについて前記異常検出点の有
無を判定することを特徴とする請求項１に記載の露光装
置。
【請求項３】前記特定手段は、前記複数の領域のすべ
てにおいて前記異常検出点が存在すると判定した場合、
その判定対象となった前記基板のショット領域に対する
後続の前記パターンの像の投影転写動作を中止し、前記
基板ステージを投影光学系の光軸にほぼ直交する面内で
駆動させ、直ちに次のショット領域を前記投影光学系の
投影視野に対応させることを特徴とする請求項２に記載
の露光装置。
【請求項４】前記合焦機構は、前記特定手段により特
定された異常検出点とは異なる検出点における前記位置
検出機構の検出結果に基づいて新たな追い込み面を求
め、前記基板の表面をその新たな追い込み面に合わせ込
むことを特徴とする請求項１〜請求項３のうちいずれか
一項に記載の露光装置。
【請求項５】前記合焦機構は、予め取得されている前
記基板の表面状態に基づいて前記追い込み面を求めるこ
とを特徴とする請求項１〜請求項４のうちいずれか一項
に記載の露光装置。
【請求項６】前記特定手段は、前記各検出点の位置情
報について前記追い込み面上の各検出点に対応する点の
位置情報との相関係数を求め、その相関係数が所定値を
下回る検出点を異常検出点と判定することを特徴とする
請求項１〜請求項５のうちいずれか一項に記載の露光装
置。
【請求項７】前記特定手段は、前記各検出点の位置情
報と前記追い込み面上の各検出点に対応する点の位置情
報との差分を求め、その差分が所定値を超える検出点を
異常検出点と判定することを特徴とする請求項１〜請求
項５のうちいずれか一項に記載の露光装置。