JP2002001247A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板に形成された素子を破壊することなく、
処理液中にキャビテーションや気泡またはラジカルを多
量に発生させることができて、基板の処理効率を向上さ
せることができる基板処理装置を提供する。 【解決手段】そこで本発明では、処理槽１の上方から処
理槽１内を見た平面視で第１開口１２ｂが第２緩衝部材
１３の本体に遮られるとともに、第２開口１３ｂが第１
緩衝部材１２の本体に遮られるように配置された第１緩
衝部材１２および第２緩衝部材１３によって、超音波振
動発生器７から伝播水９および底壁１１を介して純水８
に付与され基板Ｗに作用する超音波振動の衝撃力を低減
させる。また、高さ位置Ｂ付近で発生した多量のキャビ
テーションや気泡およびラジカルを含む純水８の上昇流
を第２開口１３ｂおよび第１開口１２ｂを介して基板Ｗ
に到達させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板、液晶
表示器用基板等のＦＰＤ（Ｆｌａｔ ＰａｎｅｌＤｉｓ
ｐｌａｙ）用基板またはフォトマスク用基板などの各種
の基板を、超音波振動が付与された処理液中に浸漬させ
て、洗浄処理などの処理を行う基板処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】複数の基板を超音波振動が付与された処
理液によって洗浄処理する基板処理装置として次のよう
な装置が知られている。この基板処理装置は、複数の基
板が浸漬される処理液として純水を貯留する処理槽を備
え、この処理槽の周囲に伝播水を貯留する外槽が設けら
れている。上記処理槽はその底壁が外槽に貯留された伝
播水に浸るように配置されている。外槽には伝播水に超
音波振動を付与する超音波振動発生器が取り付けられて
いる。

【０００３】上述の基板処理装置は、超音波振動発生器
を駆動することによって伝播水および処理槽の底壁を介
して処理槽に貯留された純水に超音波振動を付与する。
この超音波振動によって基板に付着したパーティクルを
振動させて基板表面から脱落させたり、超音波振動によ
って純水中に発生したキャビテーションや気泡を基板に
作用させて、基板を物理的に洗浄する。また、純水に付
与された超音波振動によって、純水中に溶存する窒素や
酸素などの溶存ガスが介在するラジカルを純水中に発生
させて、このラジカルによって基板を化学的に洗浄す
る。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上述の超音波振動発生
器の出力は、発生させる超音波振動によって基板に形成
された素子（デバイス）が破壊されないように、発生さ
せる超音波振動の音圧に基づいて設定される。

【０００５】しかしながら、上述のように基板に形成さ
れた素子を破壊しないように超音波振動発生器の出力を
設定すると、処理槽内に貯留された純水中に、基板を効
率よく処理するのに十分な量のキャビテーションや気泡
またはラジカルを発生させることができないという問題
が発生する。

【０００６】本発明の目的は、上述のような点に鑑み、
基板に形成された素子を破壊することなく、処理液中に
キャビテーションや気泡またはラジカルを十分に発生さ
せることができて、基板の処理効率を向上させることが
できる基板処理装置を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
めに請求項１に係る発明は、基板が浸漬された処理液に
超音波振動を付与しつつ基板を処理する基板処理装置に
おいて、処理液を貯留する処理槽と、処理槽に貯留され
た処理液中で基板を支持する支持手段と、超音波振動を
前記処理槽の底壁に照射して、前記底壁を介して処理液
に超音波振動を付与する超音波振動発生手段と、処理槽
内に貯留された処理液中に底壁付近から処理槽上部に向
かう上昇流を形成する上昇流形成手段と、前記支持手段
によって支持された基板と前記底壁との間の処理液中に
配置され、基板に作用する超音波振動の衝撃力を低減さ
せるとともに、上昇流形成手段によって形成された上昇
流を通過させる開口を有する緩衝手段と、を備えたこと
を特徴とする。

【０００８】請求項２に係る発明は、請求項１に記載の
基板処理装置において、前記緩衝手段は、第１開口を有
する第１緩衝部材と、第１緩衝部材の下方に所定間隔を
隔てて配置され、第２開口を有する第２緩衝部材とを備
え、前記処理槽の上方から処理槽内を見た平面視で第１
開口が第２緩衝部材の本体に遮られるとともに、第２開
口が第１緩衝部材の本体に遮られるように、第１緩衝部
材および第２緩衝部材が配置されていることを特徴とす
る。

【０００９】請求項３に係る発明は、請求項２に記載の
基板処理装置において、第１緩衝部材の厚さ寸法および
第２緩衝部材の板さ寸法は、第１緩衝部材内または第２
緩衝部材内を進行する超音波振動の半波長以外の値、ま
たは、前記半波長に２以上の整数を乗じた値以外の値で
あることを特徴とする。

【００１０】請求項４に係る発明は、請求項１に記載の
基板処理装置において、前記緩衝手段は、多数の微小孔
を有する緩衝板であることを特徴とする基板処理装置。

【００１１】請求項５に係る発明は、請求項４に記載の
基板処理装置において、前記緩衝板の厚さ寸法は、緩衝
板内を進行する超音波振動の半波長以外の値、または、
前記半波長に２以上の整数を乗じた値以外の値であるこ
とを特徴とする。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、この発明の好適な実施形態
の一例について図面を参照しながら説明する。

【００１３】＜第１実施形態＞図１はこの発明の第１実
施形態を示す模式図である。図１において基板洗浄装置
（基板処理装置）は、処理液である純水８を貯留する石
英製の処理槽１と、処理槽１上部の周囲に固定され処理
槽１からオーバーフローした純水８を一旦受け止める受
槽２とを備えている。処理槽１の下部外壁である底壁１
１は、処理槽１の中央に向かうにつれて下方に傾斜した
逆屋根型形状であり、その傾斜角度は水平面に対して下
方に例えば２度から１０度の範囲内で、例えば５度であ
る。

【００１４】処理槽１の底部付近には略円形の半導体ウ
エハである複数の基板Ｗを支持する３本の支持部材４が
配置されている。支持部材４は角棒状であり、図１にお
いて紙面に直交する方向に沿って延設されるとともに、
この延設方向に沿って複数の溝が形成されている。そし
て、複数の基板Ｗの下部端縁が支持部材４に形成された
複数の溝にそれぞれ挿入されて、複数の基板Ｗが上記延
設方向に沿って互いに平行に処理槽１内で配列される。
３つの支持部材は点線で示す昇降自在のリフター５に固
定されており、複数の基板Ｗを処理槽１内に搬出入する
ときに、上記リフター５を昇降させて、支持部材に支持
された複数の基板Ｗを処理槽１内と処理槽１上方との間
で昇降させる。

【００１５】また、処理槽１の下方の隅部には一対の供
給管３が設けられている。この供給管３は、図示しない
純水の供給源に流路接続され、複数の基板Ｗの配列方向
に沿って設けられた図示しない複数の供給口から処理槽
１内に純水８を供給する。供給管３から供給された純水
８は処理槽１に貯留されて、やがて処理槽１の上部から
受槽２に向けてオーバーフローする。受槽２に一旦貯留
された純水は図示しない排液口から受槽２外に排液され
る。上述のように純水８で満たされた処理槽１内に、一
対の供給管３から底壁１１の内面に沿って処理槽１の中
央に向けてそれぞれ供給された純水８は、矢印で示すよ
うに底壁１１の中央で互いにぶつかり合った後、底壁１
１付近から処理槽１上部に向けて上昇して純水８中に上
昇流を形成した後、オーバーフローする。そして、支持
部材４に支持された複数の基板Ｗは純水８の上昇流によ
って洗浄処理される。なお、供給管３などがこの発明の
上昇流形成手段に相当する。

【００１６】外槽６は処理槽１を囲うように配置され、
処理槽１の少なくとも底壁１１が伝播水９に浸るように
伝播水９を貯留している。外槽６の底壁の中央には、そ
の振動面７ａが伝播水９内に配置されるとともに処理槽
１の底壁１１に対向するように略箱型の超音波振動発生
器７が設けられている。超音波振動発生器７の振動面７
ａには、図示しない複数の円形の振動子が配列されてい
る。これらの複数の振動子が上下に振動することによっ
て、それぞれの振動子から例えば９５０ｋHzまたは７５
０ｋHzの超音波振動が伝播水９に付与される。

【００１７】伝播水９に付与された超音波振動は処理槽
１の外壁である底壁１１に外側から照射され、この底壁
１１を介して処理槽１内の純水８に伝播される。このよ
うに純水８に付与された超音波振動によって、複数の基
板Ｗの表面に付着したパーティクルを振動させて表面か
ら脱落させたり、付与された超音波振動によって純水８
中に発生したキャビテーションや気泡が基板Ｗに作用し
て基板Ｗが物理的に洗浄される。また、純水８に付与さ
れた超音波振動によって純水８中に溶存された窒素や酸
素などの溶存ガスが介在したラジカルが発生し、このラ
ジカルによって基板Ｗが化学的に洗浄される。

【００１８】処理槽１の底壁１１と支持部材４に支持さ
れた複数の基板Ｗとの間の純水８中には、板状の第１緩
衝部材１２が水平姿勢で配置され、第１緩衝部材１２の
下方に所定間隔を隔てて第２緩衝部材１３が水平姿勢で
配置されている。第１緩衝部材１２および第２緩衝部材
１３の材質は例えば石英またはセラミックスなどであ
る。

【００１９】図２の（ａ）は第１緩衝部材１２を示す平
面図であり、図２の（ｂ）は第２緩衝部材１３を示す平
面図である。図２の（ａ）に示すように第１緩衝部材１
２は平面視で長方形である。また、第１緩衝部材１２
は、その長手方向（図２の上下方向）が図１の紙面に直
交する方向（基板Ｗの配列方向）に沿うようにが配置さ
れている。第１緩衝部材１２の本体１２ａには、長方形
の第１開口１２ｂが複数（例えば４個）形成されてい
る。

【００２０】図２の（ｂ）に示すように第２緩衝部材１
３は長方形であり、その長手方向の寸法は第１緩衝部材
１２の長手方向の寸法と同じであり、その幅寸法は第１
緩衝部材１２の幅寸法よりも若干小さい。また、第２緩
衝部材１３はその長手方向（図２の上下方向）が図１の
紙面に直交する方向（基板Ｗの配列方向）に沿うように
配置されている。第１緩衝部材１３の本体１３ａには、
長方形の第２開口１３ｂが複数（例えば３個）形成され
ている。なお、上述の第１緩衝部材１２および第２緩衝
部材１３がこの発明の緩衝手段に相当する。

【００２１】図２の点線で示すように第１緩衝部材１２
の４個の第１開口１２ｂの位置に、第２緩衝部材１３の
本体１３ａが一致し、第２緩衝部材１３の３個の第２開
口１３ｂの位置を、第１緩衝部材１２の本体１２ａが一
致するように、第１緩衝部材１２および第２緩衝部材１
３が図１に示すように上下に所定間隔を隔てて配置され
る。換言すれば、図１において処理槽１の上方から処理
槽１内を見た平面視で、第１緩衝部材１２の４個の第１
開口１２ｂが第２緩衝部材１３の本体１３ａによって遮
られ、第２緩衝部材１３の３個の第２開口１３ｂが第１
緩衝部材１２の本体１２ａによって遮られるように、第
１緩衝部材１２および第２緩衝部材１３が上下に所定間
隔を隔てて配置される。

【００２２】上述のように、第１緩衝部材１２および第
２緩衝部材１３が配置されているので、超音波振動発生
器７から伝播水９および底壁１１を介して処理槽１内の
高さ位置Ｂ（図１に一点鎖線で示す）付近の純水に付与
されて、高さ位置Ｂ付近からほぼ鉛直上向きに進行する
超音波振動の一部は、第２緩衝部材１３の本体１３ａを
透過するとともに、他の一部は第２緩衝部材１３の第２
開口１３ｂを通過する。第２緩衝部材１３の本体１３ａ
を透過した超音波振動は、その衝撃力が低減される。

【００２３】第２緩衝部材１３の本体１３ａを透過した
超音波振動は、ほぼ鉛直上向きに進行し、第１緩衝部材
１２の開口１２ｂを通過する。また、第２緩衝部材１２
の第２開口１３ｂを通過した超音波振動は、ほぼ鉛直上
向きに進行し、第１緩衝部材１２の本体１２ａを透過す
る。第１緩衝部材１２の本体１２ａを透過した超音波振
動は、その衝撃力が低減される。

【００２４】上述のように処理槽１内の高さ位置Ｂから
ほぼ鉛直上向きに進行する超音波振動のほとんどは第１
緩衝部材１２の本体１２ａまたは第２緩衝部材１３の本
体１３ａを透過することによってその衝撃力が低減され
る。この結果、第１緩衝部材１２の上方の高さ位置Ａ
（図１に２点鎖線で示す）における超音波振動の衝撃力
は、第２緩衝部材１３の下方の高さ位置Ｂにおける超音
波振動の衝撃力よりも小さいなる。したがって、高さ位
置Ａの上方で支持部材４によって支持された基板Ｗに作
用する超音波振動の衝撃力を高さ位置Ｂでの衝撃力と比
較して低減させることができる。

【００２５】図３は、この実施形態の構成および比較例
における超音波振動の音圧分布を示す説明図である。音
圧分布ＨＢはこの実施形態による音圧分布で、超音波振
動発生器７の振動面７ａに沿ったＸ方向における処理槽
１内の高さ位置Ｂでの超音波振動の音圧分布である。音
圧分布ＨＡはこの実施形態による音圧分布で高さ位置Ａ
での音圧分布である。比較例の構成は第１緩衝部材１２
および第２緩衝部材１３を備えない以外は上述の実施形
態と同じ構成である。音圧分布ＰＢは比較例による音圧
分布で、上述と同様に処理槽１内の高さ位置Ｂでの超音
波振動の音圧分布である。同様に音圧分布ＰＡは比較例
による高さ位置Ａでの音圧分布である。なお、各音圧分
布ＨＡ，ＨＢ，ＰＡ，ＰＢが振幅を有し波打っているの
は、超音波振動発生器７に配列された複数の振動子によ
って超音波振動を発生させていることに起因している。

【００２６】図３に示すように実施形態による高さ位置
Ａでの音圧分布ＨＡおよび比較例による高さ位置Ａでの
音圧分布ＰＡは、高さ位置Ａの上方で支持部材４によっ
て支持された基板Ｗに形成された素子を破壊しないため
に、それぞれの音圧値が上限値ＳＰ以下となるように超
音波振動発生器７の出力が設定されている。このように
超音波振動発生器７の出力が設定されているので、比較
例による高さ位置Ｂでの音圧分布ＰＢは、高さ位置Ｂか
ら高さ位置Ａに超音波振動がほぼ鉛直上向きに純水８中
を進行するときに、純水８によって音圧値（衝撃力）が
若干減衰するのみであるので、この減衰分を加えた音圧
分布となる。これに対し、上述の実施形態による高さ位
置Ｂでの音圧分布は、高さ位置Ｂから高さ位置Ａに超音
波振動がほぼ鉛直上向きに純水８中を進行し、第１緩衝
部材１２または第２緩衝部材を透過するときに、第１緩
衝部材１２または第２緩衝部材によって音圧値（衝撃
力）が大きく減衰させられるので、この減衰分を加えた
音圧分布となる。この結果、高さ位置Ｂでの音圧分布は
実施形態による音圧分布ＨＢの方が、比較例による音圧
分布ＰＢよりも音圧値が高い位置にある。

【００２７】一般に純水８などの処理液に付与される超
音波振動の音圧値が大きいほど、キャビテーションや気
泡の発生量が多くなり、また処理液中に溶存する溶存ガ
スが介在したラジカルの発生量が多くなる。図４は超音
波振動の音圧値に対するラジカル発生量を示すグラフで
ある。図４に示す音圧値ＨＢは上述の実施形態における
高さ位置Ｂでの音圧値を示し、音圧値ＰＢは上述の比較
例における高さ位置Ｂでの音圧値を示している。上述の
ように実施形態においては第１緩衝部材１２および第２
緩衝部材１３によって高さ位置Ａでの超音波振動の音圧
値（衝撃力）を低減させることができるので、高さ位置
Ｂでの実施形態における音圧値ＨＢは比較例における音
圧値ＰＢよりも高く設定できる。この結果、実施形態の
構成による方が、比較例による構成よりも図４に示すよ
うに高さ位置Ｂ付近にある純水８中に多量のラジカルを
発生させることができる。キャビテーションや気泡の発
生量も図４と同様の特性を示し、実施形態の構成による
方が、比較例による構成よりも高さ位置Ｂ付近にある純
水８中に多量のキャビテーションや気泡を発生させるこ
とができる。

【００２８】また、第１緩衝部材１２には４個の開口１
２ｂが形成され、第２緩衝部材１３には３個の開口１３
ｂが形成されているので、高さ位置Ｂ付近（底壁１１付
近）で多量に発生したキャビテーションや気泡およびラ
ジカルを含み、処理槽１上部に向かう純水８の上昇流
が、図１の矢印で示すように第２開口１３ｂおよび第１
開口１２ｂを通過して、支持部材４に支持された基板Ｗ
に到達する。この結果、基板Ｗは多量のキャビテーショ
ンや気泡およびラジカルを含む純水８によって効率よく
洗浄処理される。

【００２９】＜第２実施形態＞次にこの発明の他の実施
形態である第２実施形態を図５を用いて説明する。図５
は第２実施形態を示す模式図である。この第２実施形態
では、この発明の緩衝手段に相当する構成として、第１
実施形態での第１緩衝部材１２および第２緩衝部材１３
に代えて、緩衝板１４を備える。第２実施形態において
第１実施形態で用いた符号と同じ符号が示すものは、第
１実施形態と同じ機能を有するものであるので、その説
明を省略する。

【００３０】図５に示すように緩衝板１４は処理槽１の
底壁１１と支持部材４に支持された複数の基板Ｗとの間
の純水８中に配置されている。緩衝板１４には図６の拡
大断面図に示すように多数の微小孔ｈが形成されてい
る。この微小孔の径は、微小孔ｈを通過する超音波振動
の衝撃力（音圧）を低減させる値に設定されている。例
えば微小孔ｈの直径を超音波振動の半波長（λ／２）以
下とすることが好ましい。また、より好ましくは、微小
孔ｈの直径を超音波振動の４分の１波長（λ／４）以下
とする。

【００３１】この第２実施形態において、超音波振動の
音圧（衝撃力）は、第１実施形態と同様で、図３および
図４に示すように、高さ位置Ｂにおいては多量のラジカ
ルを発生させるのに十分であり、高さ位置Ａにおいては
緩衝板１４によって低減されて上限値ＳＰ以下となる。
また、純水８の上昇流が多数の微小孔ｈを通過するの
で、高さ位置Ｂ付近（底壁１１付近）で多量に発生した
キャビテーションや気泡およびラジカルを含み、処理槽
１上部に向かう純水８の上昇流が基板Ｗに到達して、基
板Ｗが効率よく洗浄処理される。

【００３２】＜各実施形態の変形例＞第１実施形態の第
１緩衝部材１２および第２緩衝部材１３、第２実施形態
の緩衝板１４（以下、これらを第１緩衝部材１２等と総
称する）の厚さ寸法は、第１緩衝部材１２等を透過する
超音波振動の衝撃力を低減するために、超音波振動の透
過率を小さくするように設定することが好ましい。具体
的は、第１緩衝部材１２等内を進行する超音波振動の半
波長（λ／２）以外の値、または、この半波長に２以上
の整数を乗じた値以外の値に設定することが好ましい。

【００３３】第１緩衝部材１２等に入射した超音波振動
の透過率Ｔは以下の数１に示す式によって近似すること
ができる。但し、この式においてｔは第１緩衝部材１２
等の厚さ寸法を、λは第１緩衝部材１２等内を進行する
超音波振動の波長を、ｃ_１は緩衝部材１２等内を進行す
る超音波振動の速度を、ρ_１は緩衝部材１２等（石英）
の密度を、ｃ_２は純水８中を進行する超音波振動の速度
を、ρ_２は純水の密度をそれぞれ示している。

【００３４】

【数１】

【００３５】上記数１の式より透過率Ｔが最大となるの
は、緩衝部材１２等の厚さ寸法ｔが超音波振動の半波長
（λ／２）、または、半波長に２以上の整数を乗じた値
であるときである。超音波振動の波長λは、以下の数２
に示す式によって算出することができる。但し、ｆ_１は
超音波振動の周波数である。

【００３６】

【数２】λ＝ｃ_１／ｆ_１

【００３７】緩衝部材１２等（石英）内を進行する超音
波振動の速度ｃ_１は約６０００ｍ／ｓｅｃであるので、
超音波振動の周波数ｆ_１が９５０ｋHzであれば、超音波
振動の波長λは上記数２の式により約６ｍｍとなり、半
波長（λ／２）は約３ｍｍとなる。したがって、超音波
振動の周波数ｆ_１が９５０ｋHzであるときの緩衝部材１
２等の厚さ寸法ｔは、超音波振動の透過率Ｔを小さくす
るために３ｍｍ以外の値、例えば３ｍｍに０．０５ｍｍ
を加えた値（３．０５ｍｍ）以上の値または３ｍｍから
０．０５ｍｍを減じた値（２．９５ｍｍ）以下の値とす
ることが好ましい。また、緩衝部材１２等の厚さ寸法ｔ
は、３ｍｍに２以上の整数を乗じた値以外の値、例えば
３ｍｍに２以上の整数を乗じた値に０．０５ｍｍを加え
た値以上の値、または、３ｍｍに２以上の整数を乗じた
値から０．０５ｍｍを減じた値以下の値とすることが好
ましい。

【００３８】上述と同様に、超音波振動の周波数ｆ_１が
７５０ｋHzであるときの緩衝部材１２等の厚さ寸法ｔ
は、超音波振動の透過率Ｔを小さくするために数２の式
から算出した４ｍｍ以外の値、例えば４ｍｍに０．０５
ｍｍを加えた値（４．０５ｍｍ）以上の値、または、４
ｍｍから０．０５ｍｍを減じた値（３．９５ｍｍ）以下
の値とするか、若しくは４ｍｍに２以上の整数を乗じた
値に０．０５ｍｍを加えた値以上の値または４ｍｍに２
以上の整数を乗じた値から０．０５ｍｍを減じた値以下
とすることが好ましい。

【００３９】さらに、超音波振動の透過率が所定値（例
えば５０％）以下となるように厚さ寸法ｔを設定しても
良い。このときの厚さ寸法ｔは、超音波振動の半波長以
外の値、または、半波長に２以上の整数を乗じた値以外
の値となる。

【００４０】＜他の変形例＞ （１）上述の第１実施形態および第２実施形態において
は、一対の供給管３は処理槽１の下方隅部に設けられた
が、これに代えて、処理槽１の底壁１１付近の中央に１
本の供給管を配置する構成としてもよい。

【００４１】（２）上述の各実施形態や変形例におい
て、処理槽１内に供給され貯留される処理液は純水８に
限定されず、例えば純水にアンモニア水および過酸化水
素水が混合された混合液、カソード水、水素ガスを溶解
した純水である水素水、オゾン水など、超音波振動を付
与することによってパーティクル除去や汚染除去が可能
な処理液であればよい。

【００４２】

【発明の効果】以上詳細に説明した如く、請求項１から
請求項５のいずれかに係る発明によれば、緩衝手段によ
って基板に作用する超音波振動の衝撃力が低減させるこ
とができるとともに、処理液の上昇流を開口を介して通
過させることができる。この結果、多量のキャビテーシ
ョンや気泡またはラジカルを処理液中に発生させるため
に、緩衝手段の下方にある処理液に高い音圧値（衝撃
力）の超音波振動を付与することがきるとともに、緩衝
手段によって基板に作用する超音波振動の衝撃力を基板
に形成された素子を破壊しない値まで低減させることが
できる。また、緩衝手段に設けられた開口を介して多量
のキャビテーションや気泡またはラジカルを含む処理液
の上昇流を基板に到達させることができて、基板の洗浄
処理などの処理効率が向上する。

【００４３】請求項２または請求項４に係る発明によれ
ば、第１緩衝部材および第２緩衝部材、または、緩衝板
によって上記効果を確実に得ることができる。

【００４４】請求項３または請求項５に係る発明によれ
ば、第１緩衝部材および第２緩衝部材の厚さ寸法、また
は、緩衝板の厚さ寸法が、超音波振動の透過率を小さく
するように設定されているので、上記効果を確実に得る
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の第１実施形態を示す模式図である。

【図２】第１緩衝部材１２および第２緩衝部材１３を示
す平面図である。

【図３】第１実施形態および比較例における高さ位置
Ａ、Ｂでの音圧分布をそれぞれ示す説明図である。

【図４】音圧に対するラジカル発生量を示す説明図であ
る。

【図５】この発明の第２実施形態を示す模式図である。

【図６】第２実施形態の緩衝板１４の拡大断面図であ
る。

【符号の説明】

１ 処理槽 ２ 受槽 ３ 供給管 ４ 支持部材 ５ リフター ６ 外槽 ７ 超音波振動発生器 ７ａ 振動面 ８ 純水 ９ 伝播水 １１ 底壁 １２ 第１緩衝部材 １２ｂ 開口 １３ 第２緩衝部材 １３ｂ 開口 １４ 緩衝板 ｈ 微小孔 Ｗ 基板

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板が浸漬された処理液に超音波振動を
   付与しつつ基板を処理する基板処理装置において、 処理液を貯留する処理槽と、 処理槽に貯留された処理液中で基板を支持する支持手段
   と、 超音波振動を前記処理槽の底壁に照射して、前記底壁を
   介して処理液に超音波振動を付与する超音波振動発生手
   段と、 処理槽内に貯留された処理液中に底壁付近から処理槽上
   部に向かう上昇流を形成する上昇流形成手段と、 前記支持手段によって支持された基板と前記底壁との間
   の処理液中に配置され、基板に作用する超音波振動の衝
   撃力を低減させるとともに、上昇流形成手段によって形
   成された上昇流を通過させる開口を有する緩衝手段と、
   を備えたことを特徴とする基板処理装置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の基板処理装置におい
   て、 前記緩衝手段は、第１開口を有する第１緩衝部材と、第
   １緩衝部材の下方に所定間隔を隔てて配置され、第２開
   口を有する第２緩衝部材とを備え、 前記処理槽の上方から処理槽内を見た平面視で第１開口
   が第２緩衝部材の本体に遮られるとともに、第２開口が
   第１緩衝部材の本体に遮られるように、第１緩衝部材お
   よび第２緩衝部材が配置されていることを特徴とする基
   板処理装置。
3. 【請求項３】 請求項２に記載の基板処理装置におい
   て、第１緩衝部材の厚さ寸法および第２緩衝部材の厚さ
   寸法は、第１緩衝部材内または第２緩衝部材内を進行す
   る超音波振動の半波長以外の値、または、前記半波長に
   ２以上の整数を乗じた値以外の値であることを特徴とす
   る基板処理装置。
4. 【請求項４】 請求項１に記載の基板処理装置におい
   て、 前記緩衝手段は、多数の微小孔を有する緩衝板であるこ
   とを特徴とする基板処理装置。
5. 【請求項５】 請求項４に記載の基板処理装置におい
   て、前記緩衝板の厚さ寸法は、緩衝板内を進行する超音
   波振動の半波長以外の値、または、前記半波長に２以上
   の整数を乗じた値以外の値であることを特徴とする基板
   処理装置。