JP2001523372A - 光メモリデバイス及びその製造法 - Google Patents

光メモリデバイス及びその製造法

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Abstract

(57)【要約】 光メモリデバイスは基板上に形成される少なくとも1つのデータ層を有する。記録媒体により覆われると基板の光学的性質と異なる所望の光学的性質を得ることができる複数の領域を含むパターンを基板の上面に形成する。基板のパターン付けされた表面に記録媒体をコーティングする。記録領域が所望の光学的性質を得た後に記録媒体をパターン付けされた表面から除去する。

Description

【発明の詳細な説明】 光メモリデバイス及びその製造法 発明の分野 本発明は、それからの情報が光学的手段により読み出されるコンパクトディス ク(CD)、テープ、カード、ワイア、円筒状ドラムなどの光メモリデバイスの 製造法に関する。 発明の背景 コンパクトディスクは既知の光メモリデバイスであり、特に音楽及びソフトウ ェア構成物(compositions)の検索のために再生及びコンピュータ ー装置と共に広く用いられている。そのようなデバイスは典型的に1つだけの情 報−保有層を含み、従って記録されるデータの限られた量に苦しめられる。 典型的に光学的性質が層の隣接領域の光学的性質と異なっている情報保有領域 を有する複数の離れた平行な層を含む3−次元光メモリデバイスが開発されてい る。そのようなデバイスの1つの例は米国特許第4,090,031号に開示さ れている。該デバイスは基板及び基板の1面上に設けられた複数のデータ層を含 んでいる。層のそれぞれはデータ点の線から形成されるデータトラックを含んで いる。データ点自身は2進化デジタル情報又は周波数もしくはパルス長変調アナ ログ情報から形成され、それは写真的に記録される。データ点は光反射性である 。再生のための1つのデータトラックの選択は、読み出し光ビームの焦点を1つ のデータ層から他のデータ層に変えることによるかあるいは異なる光学的性質を 有する材料のデータトラックを作り、読み出し光が異なる層の 場合に異なる波長のものであることにより成される。この目的のために種々の色 の色素又は種々のフォトルミネセント材料が用いられ、対応するカラーフィルタ ーが光検出器の前に選択的に置かれる。 デバイスは以下の方法で製造される。データ層は感光性反射性材料、例えば写 真フィルム又は印刷インキを含む他の適した記録材料から作られる。データ点は データ層の反射率と異なる反射率を有する光反射性金属材料から作られる。デー タ点はデータ点に対応する開口部を有するマスクを介する蒸着又はフォトレジス トマスクを介したエッチングにより加工される。 かくしてそのようなデバイスは、層から情報を検索する時に多数の過剰−反射 に苦しめられることは明らかである。事実、読み出しビームはすべての層を通過 し、この場合各層が反射性である。これは層の数が2層もしくは3層のみに制限 される結果を生ずる。さらにフォトマスクの使用に基づくそのような技術は高い 情報密度を与えず、従って有効でない。そのようなデバイスの製造法は非常に複 雑であり、時間がかかることがわかる。各層の製造に非常に高価な技術が必要で あり、それにより方法全体が非常に高価であることも理解される。これは該方法 を大量生産に不適切なものとしている。 発明の概略 本発明の主要な目的は光メモリデバイスの新規な製造法、特に光メモリデバイ スの大量生産に適した方法を提供することである。 本発明のさらなる目的は多層光メモリデバイスの製造を可能にする方法を提供 することである。 本発明のさらに別の目的は書込み可能な光メモリデバイスの製造に適 した方法を提供することである。 かくして本発明の1つの側面に従い、 (a)記録媒体により覆われると基板の光学的性質と異なる所望の光学的性質を 得ることができる複数の領域を有するパターンを基板の上面に形成し; (b)基板のパターン付けされた表面に記録媒体をコーティングし; (c)記録領域が所望の光学的性質を得た後にパターン付けされた表面から記録 媒体を除去する 段階を含む基板上に形成されたデータ層を有する光メモリデバイスの製造法を提 供する。 段階(a)において、パターンは基板の上面上の表面レリーフの形態にあるこ とができる。これは例えばスタンパー装置を用いて複数のくぼみを基板の上面に 形成することにより行うことができる。別の場合、基板自身がスタンパー基板の 形態にあることができ、その場合該方法は段階(c)に続いてスタンパー基板上 に光学フィルムを置き、スタンパー基板のくぼみに満たされる記録媒体をスタン パー基板の記録領域に対応する領域においてフィルムに粘着させる段階も含む。 くぼみのそれぞれは少なくとも部分的に記録媒体で満たされるのに十分な深さを 有する。 記録媒体をそこに接着するための吸着性を有する領域を基板の上面に形成する ことにより、パターンを形成することができる。これはそれぞれの領域において 基板を処理することによるかあるいは上に記録媒体を保持することができる吸着 性材料をそれぞれの領域にコーティングすることにより行うことができる。 基板は透明材料から作られる。記録媒体は蛍光性又は散乱性材料から 作られることができる。さらに記録媒体は、例えば蛍光材料によりコーティング された反射性材料から作られる多層記録媒体であることができる。 本発明の他の側面に従い、: (i)記録媒体により覆われると基板の光学的性質と異なる所望の光学的性質を 得ることができる複数の領域を含むパターンを基板のそれぞれの上面に形成し; (ii)基板のパターン付けされた表面に記録媒体をコーティングし; (iii)記録領域が所望の光学的性質を得た後にパターン付けされた表面から 記録媒体を除去し; (iv)データ層の間に連結部を与える 段階を含むそれぞれ基板上に形成される複数の離れたデータ層から作られる3− 次元光メモリデバイスの製造法を提供する。 本発明のさらに別の側面に従い、その上面が透明層の光学的性質と異なる光学 的性質を有する材料から作られる複数の離れた記録領域でパターン付けされてい る透明データ層を含む光メモリデバイスを提供する。 本発明のさらに別の側面に従い、複数の離れた透明層を含み、各層が透明層の 光学的性質と異なる光学的性質を有する材料から作られる複数の離れた記録領域 でパターン付けされているその上面を有する多層光メモリデバイスを提供する。 さらに特定的には、本発明は多層コンパクトディスクの製造に用いられ、従っ て本発明を下記にこの用途に関して記載する。 図面の簡単な記載 本発明を理解し、それを実際にどのように行い得るかを理解するため に、ここで添付の図面を参照していくつかの好ましい実施態様を例としてのみ記 載し、図面中、 図1a〜1iは本発明の1つの実施態様に従う多層光ディスクの製造法を示し ; 図2a〜2fは本発明の他の実施態様に従う方法を示し; 図3a〜3iは本発明のさらに別の実施態様に従う方法を示し; 図4a〜4dは本発明のさらに別の実施態様に従う方法を示す。 好ましい実施例の説明 図1a−1iを参照すると、本発明による1実施例の、光デイスクを製作する 方法の主な過程が図解されている。該方法はいわゆる”ホトポリマー硬化技術( photopolymer curing technique)”に基づいている。図1は、総体的に1と呼 称される、構造体を示すが、それは液体ホトポリマーで形成された基板層4でコ ートされた、例えば、ガラス、ポリエステル、ポリカーボネートの様な透明材料 で形成された支持基盤2を含んでいる。例えば、該層4はオランダ、フイリップ スコーテイングビーブイ(Ohillips Coating B.V.,Holland)から商業的に入手 可能なUVラッカー(UV lacquer)132200040039など、又はニッポ ンカヤク社(Nippon Kayaku Co.Ltd.)から商業的に入手可能なUV接着剤カヤ ラドデーブイデー−033(Kayarad DVD-003)などの様な材料で作られてもよ い。該基盤2の厚さは0.02−1.2mmの範囲内にあり、一方該基板層4は 実質的に薄く約5−30である。 図1bは総体的に8で示す複数の凸面体(convexities)又はいわゆる”スタ ンパバンプ(stamper bump)”の特定の配置で形成されたパターン化された外面 6aを有する耐久性のスタンパ6を図解している。該 凸面体8は典型的には0.3−0.5 50−200%の凸面長さである。該凸 面体の高さと長さは該デイスクに記憶されねばならないエンコードされた情報に 依り、可変である。該凸面体は該スタンパの表面6aの約10−30%、好まし くは20%を占めるのがよい。該スタンパ6は、下記で更に説明するように、u v照明がそれを通過出来るように透明材料で作られる。該スタンパ6は従来のマ スター化とレプリカ化工程の1つを使用するいわゆる”マスターデイスク”から 作られるのが典型的であり、該工程はレーザビーム記録、ホトレジスト現像、電 気メッキ、電気成形(electroforming)、エッチング、デイスクモールデイング 他の様な公知の技術を適用して、光デイスクメモリー産業で広く使用されている 。これらの技術は本質的に公知であり、従って特に説明の必要はない。該スタン パ6はマスタのガラス又は水晶デイスクを現像されたホトレジスト層でエッチン グすることにより製作される。 該スタンパ6は基板層4の上面4aに対しそれを加圧することにより該構造体 1に適用される。図1cに示す様に、これは該表面4a上にパターンを備える結 果となり、該パターンは該表面6aのそれと同様になる。更に特に、該表面4a は凸面体8と同様な、総体的に9で示される、対応する複数の凹部又は孔を有し て形成される。該ホトポリマー4を硬化させそして後者を該基板2にパターン化 された形で接着するために紫外線{ユーブイ(UV)}の光が該透明な基板2又 は透明なスタンパ6を通して放射される。 その後、図1dに示す様に、動作層10が該基板層4の該パターン化された面 4a上に堆積される。該層1は有機又は無機の染料、ホトクロミック材料、白色 ペイントの様な散乱材料、金属ペイントの様な反射材 料、他を含む、例えば、蛍光物質の様な液体材料11(記録媒体を構成する)で 作られる。該蛍光物質は溶剤モノマー又は種々のポリマー、エラストマー及び溶 剤の混合物内への蛍光物質の溶液である。動作層10用の材料11は該記憶装置 に耐久性を備えるために該基板層4への良好な接着特性を有するよう選ばれるこ とは注意すべきである。 該液体物質11は1部は該凹部9に貫入し、該凹部9内に領域11aを形成し 、そして、強い接着のために、1部は該表面4a上に留まり、該凹部9の間に配 置された領域11bを形成する。該領域11aの厚さDは実質的に凹部の深さに 等しく、一方該コーテイング手順を最適化するために、該領域11bの厚さdは 下記条件を充たすようにする。 d≪D この目的で、該動作材料11の堆積中は該構造体1は連続的に回転される。最初 は、該表面4a上での該動作材料11の均質な分布を実現するために該回転は比 較的に遅い。その後、一方で該動作材料11の過剰分を該領域11bから除去し 、他方該領域11a内のその均一な分布を得るために該回転はスピードアップさ れる。更に特に、該コーテイング手順は領域11b内の該層10の厚さdが該領 域11a内の該層10の厚さDの20%より薄くなるようにすべきである。 接着を改良するために、熱重合又はいわゆる”ベーキング技術(baking techn ique)”が使用されるが、そこでは”ベーキング時間(baking time)”は約1 0分以下である。代わって、酸化重合(oxidation polymerization)を適用する ことも出来る。 該領域11bから残りの動作物質11を除去するために、特に図示してないが 、例えば、エタノール、テトラフルオロプロパノールなどの様 な適当な溶剤により該基板層4は洗われそして乾燥される。この目的で、該層4 は適当な溶剤材料によるその同時のスピニングとスプレー作業とにより制御可能 でかつ高度に均一な溶解(dissolution)を受ける。該構造体1上に該溶剤を分 散させるために分散用ヘッド(dispersing head)(図示せず)が適当に使用さ れる。好ましくは、該溶剤は最初は該構造体の表面の中央範囲にそして、その後 、その周辺に適用されるのがよい。次いで該回転する構造体から溶解した蛍光物 質は除かれる。該領域11bからの該溶解蛍光物質の除去を改良するために、該 溶媒は適当な包含物を含んでいてもよい。加えて、該分散用ヘッドは該溶解蛍光 物質の除去を容易化するために柔らかいブラシを取り付けられていてもよい。該 包含物とブラシの両者は一方で該領域11bの下の基板層4に可能性のある破損 を防止するために充分柔らかくあるべきである、他方、該領域11aから蛍光物 質の除去を防止するために寸法が充分大きくあるべきである。 図1eに明らかに図解した様に、上記は該凹部9内の領域11a内の動作材料 11の特徴となり、該領域11aは該層4の実質的に透明な領域11bで囲まれ ている。 従って、総体的に12で呼称される、1層のコンパクトデイスクが提供される 。該領域11aは蛍光物質11で形成されるデータスポットを表し、それは該透 明領域11bと該基板層4で囲まれている。該蛍光物質は、その光学的特性はそ れにより該透明基板層のそれとは異なるが、反射、散乱なのど動作材料により置 き換えてもよいことを注意することは重要である。 多層構造体を製作するために、該1層構造体12は外面14aを有す る更なるホトポリマー層14でコートされる。透明スタンパ16がスタンパ6に 関して上記で説明した仕方で該面14aに適用されそして該透明スタンパ16を 通して該層14上にuv光が放射される。該層14内での該uv放射の吸収は該 領域11b内の蛍光物質11を該uv放射により漂白されることから防護する。 該スタンパ16の透明性はオプション的でありそして、代替えとして、該uv光 は該透明基盤2と硬化されたホトポリマー4を通して放射されてもよい。結果と して、該ホトポリマーの表面14aは複数の凹部18で形成される。 蛍光物質22て形成された動作層20はパターン化された面14a上に積層さ れ、該面は、それぞれ、凹部18の間と内部とに配置sれた領域22aと22b の特徴を有することになる。次いで高速スピニング、ベーキング、洗浄そして乾 燥工程が、総体的に24で呼称される、2層コンパクトデイスクを提供するため に繰り返される(図1i)。 上記説明の仕方で望まれる数の層が作られることは容易に理解される。層の数 は適当な読み取り装置を用いてしようされるために、典型的には約1−2mmで ある、光デイスク全体の許容厚さによってのみ限定される。この目的で、スタン パの対応するセットと共に1セットのマスターデイスクが予め作られ、多層デイ スク製作用の約5−50の異なるスタンパを含んでいる。 今度は図2a−2fに移って、多層光デイスクを作る方法の主な過程が図解さ れているが、該方法はいわゆる”インジェクションモールデイング技術”に基づ いている。総体的に100と呼称される、構造体は、例えば、種々のグレードの ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリエチレンなどの様なインジェクションさ れる樹脂で成形された基板層により コートされた透明で平坦な基盤102を含んでいる。この目的で、該樹脂層は該 平坦基盤102とスタンパ106との間に加圧されそして該層104の面106 aをパターン化するために従来の仕方でインジェクションモールドされる。後者 は複数の特に配置された凹部109を有して成形される。 その後、該基盤102は除去される。モールドされた面104aは液体蛍光物 質111でコートされるが該物質は1部は該凹部内に貫入して領域111aを形 成しそして1部は該面104上に留まり該凹部109間に領域111bを形成す る。該得られた構造体は該領域111bから過剰な該蛍光物質を除去するために スピニングされそして該領域111a内の蛍光物質111を固定するためにベー クされる。該層104は洗浄されそして該構造体全体がスピニングされるが、そ れは1層の記憶装置112の提供となり、該装置では該領域111bは該蛍光物 質111からクリーンであり、一方該接着工程のために、後者は該領域111a 内に留まっている。 複数の凹部119を有する層114の表面114aを形成するために、もう1 つのスタンパを使用して、不可逆樹脂の次ぎの層114が上記説明の仕方でイン ジェクションモールドされる。図2eと2fに示すように、分かり易い仕方で、 該凹部119内の領域120a内だけに配置さえっるように、該面104a上に 蛍光物質120が堆積される。上記説明のようにUV接着剤か又は米国、ヘンケ ル社(Henkel Corp.,U.S.A.)から商業的に入手可能な、熱可塑性エラストマー マクロメルトQ8740(Macromelt Q8740)などかにより2つの層112は一 緒に結合される。かくして、2層デイスク122が作られる。 今度は図3a−3Iを参照するが、それらは本発明のもう1つの例の多層光デ イスクを製作する方法の主な過程を図解している。ホトレジスト材料205で作 られた基板層204によりコートされたガラス又はセラミック基盤202で成形 された、構造体200が供給される。図3bに示す様に、該ホトレジスト層20 4はいわゆる”モダンホトリゾグラフイ(modern photolithography)”の、従 来の仕方でホトマスク206を通して適当に露光される。基盤202の面202 a上に特に配置されたホトレジスト材料の複数の領域209aで形成された望ま しいパターン208を提供することになりそれにより該領域209aの間に配置 された領域209bを形成する。該パターン化された構造体は次いで容器211 に含まれた蛍光性染料溶液210内に浸せきされる。該ホトレジストと蛍光の両 材料は該ホトレジスト材料がこの蛍光物質を吸収出来るように選ぶことが評価さ れる。 該蛍光染料210は1部は該領域209a内のホトレジスト材料205内に貫入し そして1部は該領域209b内に留まる(図3d)。この目的で、該基盤202 は該染料の貫入に耐える材料で形成されるかコートされるかすべきである。明ら かに、もしこの様な防護コーテイングが付けられる場合は、望む時に、該領域2 09bからのその容易な除去を可能にするよう選ばれる。 その後、特に図解されてないが、該蛍光物質210は上記説明の様な洗浄及び 清掃手順により該領域209bから除去される。図3eに示す様に、該結果とし ての構造体は、例えば同じホトレジスト混合体であるが感光性成分を有しない透 明材料213で作られた追加層212によりコートされる。もし該ホトレジスト 205がポリメチルメタアクリレー ト(Polymetilmetacrylat){ピーエムエムエイ(PMMA)}に基づく場合は、後 者は該追加層212用材料213として使用出来る。該層212のUV光での照 射及び/又はベーキングは望ましい硬化と防護を提供する。かくして、相対的に 214で呼称される、1層のデイスクが提供される。 図3gに示す様に、多層の構造体を提供するために、ホトレジスト材料217 で作られた次ぎの層216が該層212の上に堆積されそしてホトマスク218 を通して露光されるが、それは領域220aの間に領域220bを形成する層2 16の表面上に特に配置される該ホトレジスト材料の複数の領域220aで形成 された望ましいパターンを得るためである。更に進んだ、蛍光染料を該領域22 0aに挿入し、該染料を該領域220bから除去しそして該構造体を中間防護層 によりコーテイングする工程が2層の光デイスクを完成させることは評価される ところである。 本発明の方法のなおもう1つの例を図4a−4dを参照してここで説明する。 ポリカーボネート材料で形成された薄い基盤層302を含む、総体的に300で 呼称される、構造体はスタンパ304を適用して上記説明の仕方でインジェクシ ョンモールドされる。結果として、凹部306の特殊な配置が該基板層302の 外面上に得られる。 代の、比較的薄い、動作層308は、例えば、アルミニウム、クロミウムなど の反射性金属を該基板層302のパターン化された面上に堆積し、それにより凹 部306の内側に領域308aを該凹部306の間に領域308bを形成するこ とにより提供される。凹部間の該領域308b内の該層308の厚さは該凹部3 06の深さより実質的に短くすべき である。 例えば、有機のモノマー、ポリマー又は同様な誘電体材料の様な蛍光物質で作 られた第2の動作層310により該反射層308はコートされる。該層310の 厚さは該凹部306間の領域311b内の層308のおそれより厚くするべきで ある。この目的で、スピンコーテイング、デイープコーテイング(deep coating )、押し出し(extrusion)などの様な手順を行うことが出来る。加えて、該蛍 光物質311は該第1の動作層308の反射性金属のそれより実質的に少ないエ ッチングレート(etching rate)のものとすべきである。 該反射及び蛍光の両材料は、例えば、エッチング、ポリッシング、ケミカルポ リシング他の、適当な公知の技術により、該凹部306の間の領域から除去され る。総体的に312と呼称される、1層のデイスクが提供されるが、該デイスク は記録領域311aで形成されたその上面を有する透明基板層302から成り立 っている。前に説明した例に加えて、該記録領域311aは該蛍光物質311で コートされた反射材料308で形成されている。 該蛍光物質の下のこの様な反射材料の提供は、一方で、該材料311の蛍光を 増加させそして他方過剰な蛍光物質311をそこから除去する時該基板層302 用の望ましい防護を提供することは評価される。明らかに、特に図示してないが 、多層構造体は該装置312を上記説明の仕方で相互に接着剤で付けることで得 られてもよい。 読み出し光に対する該装置312の反射を除くか又は少なくとも実質的に減少 させることが望まれる。これは該金属層308をその対応する側から酸化させる ことにより達成されてもよい。この目的で、クロミウ ム酸化物は該双08の下面用材料として使用されるのが好ましい。 反射記録領域が反射基板領域により隔てられている光デイスクの製作用の従来 技術に比較して、本発明は光メモリー装置のデーター密度を著しく増加させる。 事実、従来の手法では、記録領域の高さはこれを読み出し光の波長とするとその 約( /4)とすべきである。反対に、本発明によると、透明な基板領域がそれ らを囲んでいる事実のために、該凹部の高さに限界はない。加えて、該記録領域 の長さが大きいと益々それに含まれる記録データが多くなることが理解される。 従来の手法では、記録領域の長さの増加がそれに含まれる記録データを増加する ための唯一の解決策である。しかしながら、この長さは常に限られている。反対 に、本発明では該記録領域内に含まれる記録データの増加は該凹部の高さを増加 することにより可能になる。これは可能な最小長さを有する凹部を作ること、そ して従って、各データ層内により多くの凹部を作ることを可能にする。 本発明がいわゆる”記録可能な光デイスク”を製作するために使用してもよい ことは特に注意されるべきである。この場合そして、例えば、図1a−1eを参 照すると、該パターンは該基板層4の上面4a内に供給された螺旋形の様な凹部 9の形になっている。該凹部9は上記説明の仕方で蛍光物質11で充たされる。 先にここで例示された本発明に種々の変型と変更が適用出来るがそれらは付属 する請求項の中でそしてそれにより規定された範囲を離れるものでないことは当 業者には容易に評価されるところである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 EP(AT,BE,CH,CY, DE,DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,I T,LU,MC,NL,PT,SE),OA(BF,BJ ,CF,CG,CI,CM,GA,GN,ML,MR, NE,SN,TD,TG),AP(GH,GM,KE,L S,MW,SD,SZ,UG,ZW),EA(AM,AZ ,BY,KG,KZ,MD,RU,TJ,TM),AL ,AM,AT,AU,AZ,BA,BB,BG,BR, BY,CA,CH,CN,CU,CZ,DE,DK,E E,ES,FI,GB,GE,GH,GM,GW,HU ,ID,IL,IS,JP,KE,KG,KP,KR, KZ,LC,LK,LR,LS,LT,LU,LV,M D,MG,MK,MN,MW,MX,NO,NZ,PL ,PT,RO,RU,SD,SE,SG,SI,SK, SL,TJ,TM,TR,TT,UA,UG,US,U Z,VN,YU,ZW 【要約の続き】

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.(a)記録媒体により覆われると基板の光学的性質と異なる所望の光学的性 質を得ることができる複数の領域を有するパターンを基板の上面に形成し; (b)基板のパターン付けされた表面に記録媒体をコーティングし; (c)記録領域が所望の光学的性質を得た後にパターン付けされた表面から記録 媒体を除去する 段階を含む基板上に形成されたデータ層を有する光メモリデバイスの製造法。 2.パターンが基板の上面上の表面レリーフの形態にある請求の範囲第1項に記 載の方法。 3.該表面レリーフが基板の上面の複数の離れたくぼみから形成される請求の範 囲第2項に記載の方法。 4.該くぼみをスタンパー装置を用いて作る請求の範囲第3項に記載の方法。 5.該くぼみのそれぞれが少なくとも部分的に記録媒体で満たされるのに十分な 深さを有する請求の範囲第3項に記載の方法。 6.基板がスタンパー基板の形態にある請求の範囲第3項に記載の方法。 7.(d)スタンパー基板上に光学フィルムを置き、スタンパー基板のくぼみに 満たされる記録媒体をスタンパー基板上の記録領域に対応する領域においてフィ ルムに粘着させる 段階も含む請求の範囲第6項に記載の方法。 8.パターンが記録媒体をそこに接着するための吸着性を有する複数の離れた領 域を含む請求の範囲第1項に記載の方法。 9.それぞれの領域において基板を処理することにより吸着領域を作る請求の範 囲第8項に記載の方法。 10.上に記録媒体を保持することができる吸着性材料を基板の上面のそれぞれ の領域にコーティングすることにより吸着領域を形成する請求の範囲第8項に記 載の方法。 11.基板を透明材料から作る請求の範囲第1項に記載の方法。 12.記録媒体を蛍光材料から作る請求の範囲第1項に記載の方法。 13.記録媒体を反射性材料から作る請求の範囲第11項に記載の方法。 14.記録媒体を散乱性材料から作る請求の範囲第11項に記載の方法。 15.記録媒体が蛍光材料によりコーティングされた反射性材料の形態にある請 求の範囲第11項に記載の方法。 16.(i)記録媒体により覆われると基板の光学的性質と異なる所望の光学的 性質を得ることができる複数の領域を含むパターンを基板のそれぞれの上面に形 成し; (ii)基板のパターン付けされた表面に記録媒体をコーティングし; (iii)記録領域が所望の光学的性質を得た後にパターン付けされた表面から 記録媒体を除去し; (iv)データ層の間に連結部を与える 段階を含むそれぞれ基板上に形成される複数の離れたデータ層から作られる3− 次元光メモリデバイスの製造法。 17.その上面が透明層の光学的性質と異なる光学的性質を有する材料から作ら れる複数の離れた記録領域でパターン付けされている透明データ層を含む光メモ リデバイス。 18.記録領域を蛍光材料から作る請求の範囲第17項に記載のデバイ ス。 19.記録領域を反射性材料から作る請求の範囲第17項に記載のデバイス。 20.記録領域を散乱性材料から作る請求の範囲第17項に記載のデバイス。 21.記録領域を蛍光材料によりコーティングされた反射性材料から作る請求の 範囲第17項に記載のデバイス。 22.複数の離れた透明層を含み、各層が透明層の光学的性質と異なる光学的性 質を有する材料から作られる複数の離れた記録領域でパターン付けされているそ の上面を有する多層光メモリデバイス。 23.記録領域を蛍光材料から作る請求の範囲第22項に記載のデバイス。 24.記録領域を反射性材料から作る請求の範囲第22項に記載のデバイス。 25.記録領域を散乱性材料から作る請求の範囲第22項に記載のデバイス。 26.記録領域を蛍光材料によりコーティングされた反射性材料から作る請求の 範囲第22項に記載のデバイス。
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