JP2001521065A5 - - Google Patents
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Description
【請求項1】 正イオンを非グラファイトのターゲットから生成する陰極アーク源であって、(a)前記ターゲットを受け止める陰極ステーションと、(b)第1の方向を有する第1の磁界を発生する手段と、(c)前記第1の方向とは反対の方向を有する第2の磁界を発生する手段とを有し、前記ターゲットの上方で前記ターゲットに対して垂直な合成磁界が、磁界の強さがゼロの点を有し、かつ前記ターゲットの表面に強い横方向磁界が存在する陰極アーク源。
【請求項3】 (1)前記ターゲットの前面の所で、磁界の横方向の強さが相対的に強く、かつ前記前面に対して垂直な磁界の方向が前記前面に向かっており、
(2)前記前面に対して垂直な磁界の強さが、前記ターゲットからの距離が前記前面に垂直な磁界の強さがゼロである点に向かって増大するにつれて減少し、
(3)前記垂直な磁界の強さがゼロである点から、前記ターゲットからの距離が増大するにつれて、磁界方向が前記ターゲットの前面から離れる方向になる、請求項1または2に記載の陰極アーク源。
(2)前記前面に対して垂直な磁界の強さが、前記ターゲットからの距離が前記前面に垂直な磁界の強さがゼロである点に向かって増大するにつれて減少し、
(3)前記垂直な磁界の強さがゼロである点から、前記ターゲットからの距離が増大するにつれて、磁界方向が前記ターゲットの前面から離れる方向になる、請求項1または2に記載の陰極アーク源。
【請求項5】 (a)前記ターゲットの下方に第1の磁界を発生する、永久磁石のような第1の磁石または第1の電磁石と、
(b)前記ターゲットと遠方の基板との間に第2の磁界を発生する、永久磁石のような第2の磁石または第2の電磁石とを含み、
前記第2の磁界が、プラズマを前記基板に向かって案内するものであり、前記第1の磁界と前記第2の磁界との組み合わせが、前記ターゲットと前記基板との間のゼロ点と、前記ターゲットの表面とその直ぐ上方の強い横方向磁界とを有する合成磁界を生成する、請求項4に記載の陰極アーク源。
(b)前記ターゲットと遠方の基板との間に第2の磁界を発生する、永久磁石のような第2の磁石または第2の電磁石とを含み、
前記第2の磁界が、プラズマを前記基板に向かって案内するものであり、前記第1の磁界と前記第2の磁界との組み合わせが、前記ターゲットと前記基板との間のゼロ点と、前記ターゲットの表面とその直ぐ上方の強い横方向磁界とを有する合成磁界を生成する、請求項4に記載の陰極アーク源。
【請求項7】 前記垂直な磁界の強さがゼロである点に、12Gから35Gの強さを有する横方向の磁界が存在する、請求項1から6のいずれかに記載の陰極アーク源。
【請求項9】 前記陰極アーク源の内側に、かつ前記陽極の外面に接してぴったり嵌るライナを形成するように互いに組合い、かつ前記陰極アーク源から取り外すために分離可能な2つまたは3つ以上の部品から構成されているライナを有する、請求項1から8のいずれかに記載の陰極アーク源。
【請求項12】 前記ライナがグラファイトから作られている、またはグラファイトを含んでいる、請求項9から11のいずれかに記載の陰極アーク源。
【請求項13】 前記ライナがステンレス鋼、モリブデン、またはニッケルから作られている、または含んでいる、請求項9から11のいずれかに記載の陰極アーク源。
【請求項17】 陰極アーク源と、前記陰極アーク源によって生成されたプラズマを基板上へ案内する、第1の方向の磁界をターゲットと前記基板との間に発生する第1の磁界発生手段と、反対方向の磁界を前記ターゲットに、またはその周りに発生する第2の磁界発生手段とを有し、それによって前記第1の磁界の強さを変えることが可能であり、または前記第2の磁界の強さまたは位置を変えることが可能である、請求項14から16のいずれかに記載の方法を実施する装置。
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US20020069824A1 (en) * | 2000-12-08 | 2002-06-13 | Dangelo Nelson A. | Ion implantation system having increased implanter source life |
CN100355933C (zh) * | 2001-03-27 | 2007-12-19 | 特克尼克基业 | 具有用于较大表面积的靶的强力磁引导装置的电弧蒸发器 |
US20040134770A1 (en) * | 2002-11-15 | 2004-07-15 | Petersen John H | Ionic plasma deposition apparatus |
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AU2003299685A1 (en) * | 2002-12-18 | 2004-07-22 | Ionic Fusion Corporation | Ionic plasma deposition of anti-microbial surfaces and the anti-microbial surfaces resulting therefrom |
CH696828A5 (de) * | 2003-11-18 | 2007-12-14 | Oerlikon Trading Ag | Zündvorrichtung. |
US7504008B2 (en) * | 2004-03-12 | 2009-03-17 | Applied Materials, Inc. | Refurbishment of sputtering targets |
US7041984B2 (en) * | 2004-05-20 | 2006-05-09 | Inficon, Inc. | Replaceable anode liner for ion source |
US20060177610A1 (en) * | 2005-02-09 | 2006-08-10 | Arrow International Limited | Sealing of Plastic Containers |
US9127362B2 (en) | 2005-10-31 | 2015-09-08 | Applied Materials, Inc. | Process kit and target for substrate processing chamber |
US8647484B2 (en) * | 2005-11-25 | 2014-02-11 | Applied Materials, Inc. | Target for sputtering chamber |
JP5025991B2 (ja) * | 2006-05-22 | 2012-09-12 | 株式会社アルバック | アーク蒸着源、成膜装置 |
US8968536B2 (en) | 2007-06-18 | 2015-03-03 | Applied Materials, Inc. | Sputtering target having increased life and sputtering uniformity |
US7901552B2 (en) | 2007-10-05 | 2011-03-08 | Applied Materials, Inc. | Sputtering target with grooves and intersecting channels |
DE102008057020A1 (de) * | 2008-11-12 | 2010-05-20 | Oerlikon Trading Ag, Trübbach | Zündvorrichtung für Arc Quellen |
DE102009008161A1 (de) | 2009-02-09 | 2010-08-12 | Oerlikon Trading Ag, Trübbach | Modifizierbare Magnetkonfiguration für Arc-Verdampfungsquellen |
WO2013099059A1 (ja) * | 2011-12-28 | 2013-07-04 | キヤノンアネルバ株式会社 | 成膜装置 |
KR20150133179A (ko) * | 2013-01-22 | 2015-11-27 | 니씬 일렉트릭 코.,엘티디. | 플라즈마 장치, 그를 이용한 탄소 박막의 제조 방법 및 코팅 방법 |
JP7082789B2 (ja) * | 2017-12-26 | 2022-06-09 | 株式会社オンワード技研 | 真空アークプラズマ蒸着装置の先端防汚型着火装置 |
CN108286038B (zh) * | 2018-01-23 | 2019-09-10 | 温州职业技术学院 | 冷阴极电弧等离子源及非接触引弧方法 |
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BR112021012176A2 (pt) * | 2018-12-20 | 2021-08-31 | Oerlikon Surface Solutions Ag, Pfäffikon | Dispositivo de ignição de arco para deposição de arco catódico de material alvo sobre um substrato, conjuntos de deposição de arco catódico de um material sobre um substrato, método de ignição de arco para deposição de arco catódico de materiais, uso de dispositivo de ignição de arco e uso de conjunto |
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Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3023672C2 (de) * | 1980-06-25 | 1982-09-02 | Deutsche Forschungs- und Versuchsanstalt für Luft- und Raumfahrt e.V., 5300 Bonn | Vorrichtung und Verfahren zur Verdampfung eines Kathodenmaterials mittels eines Lichtbogens |
DE3789307T2 (de) | 1986-04-04 | 1994-06-09 | Univ Minnesota | Bogenbeschichtung von feuerfesten metallverbindungen. |
JPH04236770A (ja) | 1991-01-17 | 1992-08-25 | Kobe Steel Ltd | 真空アーク蒸着のアークスポットの制御方法及び蒸発源 |
ATE168819T1 (de) * | 1991-03-25 | 1998-08-15 | Commw Scient Ind Res Org | Makroteilchenfilter in lichtbogenquelle |
CA2065581C (en) * | 1991-04-22 | 2002-03-12 | Andal Corp. | Plasma enhancement apparatus and method for physical vapor deposition |
US5282944A (en) * | 1992-07-30 | 1994-02-01 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Ion source based on the cathodic arc |
JP2877027B2 (ja) * | 1995-04-07 | 1999-03-31 | 日新電機株式会社 | アーク式蒸発源 |
DE69732055T2 (de) * | 1996-02-09 | 2005-06-02 | ULVAC, Inc., Chigasaki | Vorrichtung zur Erzeugung eines Plasmas mit Entladung entlang einer magnetisch neutralen Linie |
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