JP2001512159A - インダンビスフェノールをベースとするコポリカーボネート - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 本発明は、式（Ｉ）及び（ＩＩＩ）の構造単位の全モル数を基準として５〜９５％の量の、式（ＩＩＩ）、式中、Ｍは１〜８個のＣ原子を有する二価の炭化水素基、Ｏ、ＣＯ、Ｓ、ＳＯ又はＳＯ₂を表しそしてＲ₂〜Ｒ₅は、同一であるか又は相異なり、そして各々水素又は１〜５個のＣ原子を有する炭化水素基を表す、の二官能性カーボネート構造単位の少なくとも１種を除いて、下記の繰り返し二官能性カーボネート構造単位：Ａ）式（Ｉ） 【化１】 式中、基Ｒ₁は、互いに独立に、各々Ｃ₁−Ｃ₁₂−アルキル基、好ましくはＣ₁−Ｃ₃−アルキル基、特に好ましくはメチル基又はハロゲン、好ましくは塩素又は臭素を表し、そしてｎは０〜３、好ましくは０の整数を表す、のカーボネート構造単位の少なくとも１種と、Ｂ）式（ＩＩ）式中、基−Ｏ−Ｒ−Ｏ−はジフェノレート基を表し、ここで−Ｒ−は６〜４０個のＣ原子を有する芳香族基であり、該芳香族基は１個以上の芳香族核又は縮合芳香族核を含有することができ（ここで該核はヘテロ原子を含有していてもよい）そしてＣ₁−Ｃ₁₂−アルキル基又はハロゲンで置換されていてもよくそして連結結合として脂肪族基、環状脂肪族基、芳香族核又はヘテロ原子を含有することができる、のＡとは異なる他の二官能性カーボネート構造単位の少なくとも１種を含有するコポリカーボネートに関する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【技術分野】

この発明は、式（Ｉ）及び（ＩＩＩ）に相当する構造単位の全モル数を基準と
して５〜９５％の量の、式（ＩＩＩ）

【０００２】

【化４】

【０００３】 式中、 Ｍは１〜８個のＣ原子を有する二価の炭化水素基、Ｏ、ＣＯ、Ｓ、ＳＯ又はＳ
Ｏ₂を表しそして Ｒ₂〜Ｒ₅は、同一であるか又は相異なり、そして各々水素又は１〜５個のＣ原
子を有する炭化水素基を表す、 に相当する繰り返し二官能性カーボネート構造単位の少なくとも１種を除いて、
繰り返し二官能性カーボネート構造単位として、 Ａ）式（Ｉ）

【０００４】

【化５】

【０００５】 式中、 基Ｒ₁は、互いに独立に、各々Ｃ₁−Ｃ₁₂−アルキル基、好ましくはＣ₁ーＣ₃−
アルキル基、特に好ましくはメチル基、ハロゲン、好ましくは塩素又は臭素を表
し、そして ｎは０〜３、好ましくは０の整数を表す、 に相当するカーボネート構造単位の少なくとも１種と、 Ｂ）式（ＩＩ）

【０００６】

【化６】

【０００７】 式中、 基−Ｏ−Ｒ−Ｏ−はジフェノレート基を表し、ここで−Ｒ−は６〜４０個のＣ原
子を有する芳香族基であり、該芳香族基は１個以上の芳香族核又は縮合（ｃｏｎ
ｄｅｎｓｅｄ）芳香族核を含有することができ（ここで該核はヘテロ原子を含有
していてもよい）そしてＣ₁−Ｃ₁₂−アルキル基又はハロゲンで置換されていて もよくそして橋かけ結合（ｂｒｉｄｇｉｎｇ ｌｉｎｋｓ）として脂肪族基、環
状脂肪族基、芳香族核又はヘテロ原子を含有することができる、 に相当するＡとは異なる他の二官能性カーボネート構造単位の少なくとも１種を
含有するコポリカーボネートに関する。

【０００８】 本発明はいかなるタイプの成形品、主として光学的物品の製造のための新規な
コポリカーボネートの使用にも関する。

【０００９】 光学的な、随時反復して読み出し及び書き込み可能なデータ記憶媒体又はコン
パクトディスクに光学的情報を記憶するために、これらの大容量記憶装置は適当
な波範囲の光を十分に透過させそして優れた光学的均一性、即ち、できる限り低
い複屈折を持たなければならないのみならず機械的荷重に耐える能力も持たなけ
ればならない。

【００１０】 特開昭６１−１４８４０１は、式（ＩＩＩ）に相当する他の芳香族二官能性カ
ーボネート構造単位を９５モル％まで含有していてもよい、インダンビスフェノ
ールをベースとするポリカーボネートを開示する。対応する非常に特定的に構成
されたコポリカーボネートから製造された光学的物品は、例えばアクリル樹脂か
ら製造された光学的物品よりも、より低い複屈折、より低い水分吸収率及びより
良好な耐熱性を有する。

【００１１】 本発明の目的は、中でも現代の光学的データ記憶媒体、特に光学的大容量記憶
装置のための高い要求を満足する、インダンビスフェノールをベースとする新規
なコポリカーボネートを提供することであった。

【００１２】 これらの新規なコポリカーボネートは、繰り返し二官能性カーボネート構造単
位として、 Ａ）式（Ｉ）

【００１３】

【化７】

【００１４】 式中、 基Ｒ₁及びｎは前記した意味を有する、 に相当するカーボネート構造単位の少なくとも１種と、 Ｂ）式（ＩＩ）

【００１５】

【化８】

【００１６】 式中、 基−Ｏ−Ｒ−Ｏ−及び基Ｒは前記した意味を有する、 に相当するＡとは異なる他の二官能性カーボネート構造単位の少なくとも１種を
含有し、そして Ｃ）基Ｒ₁が互いに独立に各々１〜５個のＣ原子を有する炭化水素基を表しそ してｎが０〜２の整数を表す式（Ｉ）に相当する繰り返し二官能性カーボネート
構造単位と、上記式（ＩＩＩ）に相当する繰り返し二官能性カーボネート構造単
位の少なくとも１種から構成され、式（ＩＩＩ）に相当するこれらのカーボネー
ト構造単位の量が式（Ｉ）及び（ＩＩＩ）に相当するこれらの構造単位の全モル
数を基準として５〜９５％であるコポリカーボネートは除かれる。

【００１７】 除かれたコポリカーボネートは、特定された量において、特に、式（ＩＩＩ）
において、 Ｍはメチル基、プロピル基又はシクロヘキシル基、Ｏ、Ｓ、ＳＯ、ＳＯ₂又は ＣＯを表し、そして Ｒ₂〜Ｒ₅は各々メチル基を表すか、又は、 Ｍはプロピル基を表し、 Ｒ₂及びＲ₃は各々メチル基を表し、 Ｒ₄及びＲ₅は各々水素を表す、 Ｃ）の下に与えられた式（ＩＩＩ）及び式（Ｉ）に相当する繰り返し二官能性カ
ーボネート構造単位から構成されるコポリカーボネートである。 本発明に従う
好ましいコポリカーボネートは、二官能性カーボネート構造単位Ａ及びＢ１００
モル％を基準として１〜９９モル％、好ましくは１０〜９０モル％、特に好まし
くは３０〜７０モル％の二官能性カーボネート構造単位Ａを含有するコポリカー
ボネートである。

【００１８】 式（Ｉ）に相当する二官能性カーボネート構造単位はインダンビスフェノール
類由来のものであり、その製造は文献から知られる。かくしてインダンビスフェ
ノールはこれまで、三フッ化ホウ素、塩化鉄（ＩＩＩ）、酸化アルミニウム、三
塩化アルミニウム、ハロゲン化カルボン酸又はカルボン酸のようなフリーデルク
ラフト触媒の存在下に有機溶媒中でイソプロペニルフェノール又はその二量体か
ら製造されてきた（米国特許第３２８８８６４号、特開昭６０−３５１５０、米
国特許第４３３４１０６号）。本発明に従うコポリカーボネートの製造には高度
に精製されたインダンビスフェノール類が特に適当である。

【００１９】 二官能性カーボネート構造単位Ｂは、好ましくは、式（ＩＩＩａ）

【００２０】

【化９】

【００２１】 式中、 基Ｒ₆は互いに独立に、各々Ｃ₁−Ｃ₁₂−アルキル基、好ましくはＣ₁−Ｃ₃−ア
ルキル基、特に好ましくはメチル、Ｃ₆−Ｃ₁₉−アリール基、好ましくはフェニ ル基、Ｃ₇−Ｃ₁₂−アラルキル基、好ましくはフェニルＣ₁−Ｃ₄−アルキル、特 に好ましくはベンジル基、ハロゲン、好ましくは塩素又は臭素を表し、 Ｘは０〜３、好ましくは０の整数を表し、そして Ｙは、単結合、Ｃ₁−Ｃ₆−アルキレン基、Ｃ₂−Ｃ₅−アルキリデン基、Ｃ₅− Ｃ₆−シクロアルキリデン基、（これらはＣ₁−Ｃ₆−アルキル、好ましくはメチ ル又はエチル基により置換されていてもよい）、Ｃ₆−Ｃ₁₂−アリーレン基、該 アリーレン基はヘテロ原子を含有する更なる芳香族環と縮合されていて（ｃｏｎ
ｄｅｎｓｅｄ）もよい、を表す、 に相当するジフェノール化合物由来のものである。

【００２２】 下記のものは式（ＩＩＩａ）に相当するこれらのジフェノール類の例として挙
げられる：４，４′−ジヒドロキシジフェニル、２，２−ビス（４−ヒドロキシ
シフェニル）プロパン、２，４−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−２−メチル
ブタン、２，２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，
２−ビス（３−クロロ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、ビス（３，３−ジ
メチル−４−ヒドロキシフェニル）メタン、２，２−ビス（３，５−ジメチル−
４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，４−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒ
ドロキシフェニル−２−メチルブタン、２，２−ビス（３，５−ジクロロ−４−
ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロ
キシフェニル）プロパン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，
５−トリメチルシクロヘキサン及び１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シ
クロヘキサン、６，６′−ジヒドロキシ−３，３，３′，３′−テトラメチル−
１，１′−スピロ（ビス）インダン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
フルオレン。

【００２３】 式（ＩＩＩａ）に相当する好ましいジフェノール類は、２，２−ビス（４−ヒ
ドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキ
シフェニル）プロパン、２，２−ビス（３，５−ジクロロ−４−ヒドロキシフェ
ニル）プロパン、２，２−ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）
プロパン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−
ビス（４−ヒドロキシフェニレン）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、
６，６′−ジヒドロキシ−３，３，３′，３′−テトラメチル−１，１′−スピ
ロ（ビス）インダン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン、４
，４′−（ｍ−フェニレンジイソプロピリデン）ジフェノールである。

【００２４】 本発明に従うコポリカーボネートの製造のために、ジフェノール類は個々に又
はいくつかのジフェノールの混合物として使用することができる。

【００２５】 式（ＩＩ）に相当するカーボネート構造単位は、４，４′−（ｍ−フェニレン
ジイソプロピリデン）ジフェノール由来のものが特に好ましい。 本発明に従う
コポリカーボネートは、３つの既知の方法により製造することができる（Ｈ．Ｓ
ｃｈｎｅｌｌ，“Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ａｎｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ ｏｆ Ｐｏｌ
ｙｃａｒｂｏｎａｔｅｓ”，Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｒｅｖｉｅｗ，Ｖｏｌｕｍｅ Ｉ
Ｘ，ｐａｇｅｓ ２７ｆｆ，Ｉｎｔｅｒｓｃｉｅｎｃｅ Ｐｕｂｌｉｓｈｅｒｓ
，Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ １９６４，及びドイツ公告公報（ＤＥ−ＡＳ）第１４９５
６２６号、ドイツ公開公報（ＤＥ−ＯＳ）第２２３２８７７号、ドイツ公開公報
第２７０３３７６号、ドイツ公開公報第２７１４５４４号、ドイツ公開公報第３
０００６１０号、ドイツ公開公報第３８３２３９６号参照）。

【００２６】 １．分散相における溶液法、いわゆる“二相界面法”による この場合使用されるべきジフェノールを水性アルカリ相に溶解する。このため
に、本発明に従うコポリカーボネートの製造に必要な連鎖停止剤を、随時、ジフ
ェノールのモルを基準として１．０〜２０モル％の量で、水性アルカリ相、好ま
しくは水酸化ナトリウム溶液中に溶解し、又は固体形態で水性アルカリ相及び不
活性有機相に加える。次いでホスゲンとの反応を不活性有機相、好ましくはポリ
カーボネートを溶解する不活性有機相の存在下に行う。反応温度は０℃〜５０℃
である。必要な連鎖停止剤及び分岐剤はホスゲン化中に加えることもでき又は、
クロロカーボネートエステルが合成混合物中に存在するかぎり、それらは固体と
して、溶融物として、アルカリ中の溶液として又は不活性有機溶媒中の溶液とし
て加えることができる。

【００２７】 反応は第三級アミン又はオニウム塩のような触媒により促進させることもでき
る。トリブチルアミン、トリエチルアミン及びＮ−エチルピペリジンが好ましい
。

【００２８】 ジフェノールに加えて又はジフェノールの代わりに、それらのクロロカーボネ
ートエステル及び／又はジクロロカーボネートエステルを使用するか又は合成中
に加えることができる。

【００２９】 適当な溶媒の例は塩化メチレン、クロロベンゼン、トルエン及びそれらの混合
物である。

【００３０】 ２．“ピリジン法”とも呼ばれる均一相における溶液法による この場合は、ジフェノールを、随時更なる有機溶媒を添加して、 ピリジンのような有機塩基に溶解し、次いで本発明に従うコポリカーボネートの
製造に必要な連鎖停止剤及び分岐剤を上記１に記載の如くして随時加える。次い
でホスゲンとの反応を行う。反応温度は１０℃〜５０℃である。ピリジンとは別
の適当な有機塩基は、例えばトリエチルアミン、トリブチルアミン、Ｎ−エチル
ピペリジン、及びＮ，Ｎ−ジアルキル置換されたアニリン、例えばＮ，Ｎ−ジメ
チルアニリンである。適当な溶媒の例は、塩化メチレン、クロロベンゼン、トル
エン、テトラヒドロフラン、１，３−ジオキソラン及びそれらの混合物である。

【００３１】 ジフェノールに加えて、使用したフェノールを基準として、５０モル％までの
それらのジクロロカーボネートエステルを使用することもできる。

【００３２】 方法１及び２では、本発明に従うポリカーボネートは既知の方法で単離される
。適当な処理方法は特に沈殿、噴霧乾燥及び真空中での溶媒の蒸発である。

【００３３】 ３．溶融エステル交換法による 溶融エステル交換法では、分子量は、フェノール及び随時過剰のジフェニルカ
ーボネートの蒸留による連続的除去を伴って、化学量論的量又は４０％までの過
剰量のジフェニルカーボネートの添加により凝縮される（ｃｏｎｄｅｎｓｅｄ）
。この方法は、アルカリ金属イオン、例えばＬｉ、Ｎａ、Ｋ、遷移金属化合物、
例えば、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｔｉをベースとする遷移金属化合物又は窒素塩基又はリン
塩基、好ましくは一般式（ＩＩＩ）又は（ＩＶ）に相当するアンモニウム塩及び
ホスホニウム塩、好ましくはホスホニウムハライド又はホスホニウムフェノレー
トのような慣用の触媒を使用して、一段階法又は二段階法として、即ちオリゴマ
ー及びポリマーの場合により別々の縮合（ｓｅｐａｒａｔｅ ｃｏｎｄｅｎｓａ
ｔｉｏｎ）をともなって、行われる。

【００３４】 この場合、連鎖停止剤及び分岐剤は、本発明に従うコポリカーボネートの製造
のための既知の方法で付随的に使用することができる。適当な連鎖停止剤及び／
又は分岐剤は、ヨーロッパ特許公開公報（ＥＰ−Ａ）第３３５２１４号及びドイ
ツ公開公報（ＤＥ−Ａ）第３００７９３４号又はヨーロッパ特許公開公報第４１
１４３３号及びドイツ公開公報第４３３５４４０号を包含する刊行物から知られ
ている。

【００３５】 本発明に従う熱可塑性コポリカーボネートは、少なくとも９０００、好ましく
は９０００〜３０，０００、特に好ましくは１０，０００〜２０，０００の平均

【００３６】

【外２】

【００３７】 平均）を有する。

【００３８】 熱可塑性ポリカーボネートのための通常の添加剤を通常の量で、本発明に従う
コポリカーボネート及び対応する成形組成物に、それらの加工の前、加工中又は
加工の後に加えることができる。これらの添加剤は安定剤、従って例えば熱安定
剤、例えば随時モノマーエポキシド又はオリゴマーエポキシドと組み合わせた有
機ホスファイト、；紫外線安定剤、特にトリアゾール類のような窒素含有複素環
式化合物をベースとする紫外線安定剤；光学的増白剤（ｏｐｔｉｃａｌ ｂｒｉ
ｇｈｔｎｅｒｓ）；防炎剤（ｆｌａｍｅｐｒｏｏｆｉｎｇ ａｇｅｎｔｓ）、特
にフッ素含有防炎剤、例えば有機酸のパーフッ素化塩、ポリパーフルオロエチレ
ン、有機スルホン酸の塩及びその組み合わせ；離型剤；流れ制御剤；防火剤（ｆ
ｅｒｅ−ｐｒｏｔｅｃｉｎｇ ａｇｅｎｔｓ）；染料；顔料；静電防止剤；充填
剤及び強化剤、微粉砕鉱物、繊維材料、例えば、アルキルホスファイト及びアリ
ールホスファイト、アルキルホスフェート及びアリールホスフェート、アルキル
ホスファン（ａｌｋｙｌｐｏｓｐｈａｎｅｓ）及びアリールホスファン（ａｒｙ
ｌ ｐｈｏｓｐｈａｎｅｓ）低分子量カルボン酸エステル、ハロゲン化合物、塩
、チョーク、石英粉末、ガラス及び炭素繊維である。

【００３９】 本発明に従うコポリカーボネートは既知の機械で射出成形又は押出により既知
の方法で種々の成形品に加工することができる。

【００４０】 式（Ｉ）に相当するカーボネート構造単位及びビスフェノールＭ由来のカーボ
ネート構造単位及び二官能性カーボネート構造単位Ａ及びＢ１００モル％を基準
として１〜９９モル％、好ましくは１０〜９０モル％、特に好ましくは３０〜７
０モル％の二官能性カーボネート構造単位Ａから成る本発明に従うコポリカーボ
ネートは、それらの低いレオオプティカル定数（ｒｈｅｏｏｐｔｉｃａｌ ｃｏ
ｎｓｔａｎｔ）Ｃ_R及び更にそれらの低い黄色度インデックスＹ₁＜２（これは高
いレベルの透過率を与える）及びそれらの非常に良好な加工性のため、レンズ、
プリズム、光学的データ記憶媒体、コンパクトディスクのような光学的物品の製
造に特に適当であるが、光学的情報の記憶のための反復して読みだし可能な及び
書き込み可能な光学的データ記憶媒体（大容量記憶装置と）の製造に特に適当で
ある。

【００４１】 黄色度インデックスは、標準ＡＳＴＭ Ｅ ３１３／９６に従う厚さが４ｍｍ
の射出成形板を使用して測定する。

【００４２】 このために特に、本発明に従うコポリカーボネートは高い標準の純度を有する
ことが必要である。これは、残留モノマー、溶媒、外来粒子（無機又は有機性、
特に塩及びダスト）及び塩素の含有率を、例えば、ヨーロッパ特許公開公報（Ｅ
Ｐ−Ａ）第３８０００２号の指示に従ってできるだけ低い値に減少させることに
より、既知の方法でそれらの処理及び単離期間中に達成される。

【００４３】 従って本発明は、成形品、特に光学的物品の製造のための本発明に従うコポリ
カーボネートの使用及び対応する成形組成物の使用並びに本発明に従う熱可塑性
コポリカーボネートから製造された好ましくは光学的物品の対応する成形品も提
供する。

【００４４】

【実施例】

レオオプティカル定数Ｃ_Rの決定 最も重要な光学的性質の１つである射出成形品の複屈折は、レオオプティカル
定数を介して材料の性質として表すことができる。レオオプティカル定数は正か
又は負であることができる。絶対値が大きければ大きい程、射出成形品の複屈折
は大きい。レオオプティカル定数を測定する方法は知られている（ヨーロッパ特
許公開公報（ＥＰ−Ａ）第０６２１２９７号、４頁、３６〜４５行）。このため
に必要な厚さが１５０〜１０００マイクロメートルの面平行試験片（ｐｌａｎｅ
−ｐａｒａｌｌｅｌ ｔｅｓｔ ｐｉｅｃｅｓ）は溶融プレス加工又はフイルム
キャスティングにより製造することができる。

【００４５】 分子量の決定は、塩化メチレン中２５℃で且つ塩化メチレン１００ｍｌ当たり
０．５ｇの濃度で相対粘度年度の測定により行われる。

【００４６】 Ｔ_Gの決定は標準ＣＥＩ／ＩＥＣ１０７４に従って行った。

【００４７】 実施例１ 下記のポリカーボネートを製造した。

【００４８】

【表１】

【００４９】 表１に与えられた量において、インダンビスフェノール及びビスフェノールＭ
を不活性ガス下に水８００ｇ中のＮａＯＨ２２．０ｇと一緒に撹拌しながら溶解
させた。次いで塩化メチレン６００ｍｌをそれに加えた。ホスゲン４９．５ｇを
２０℃〜２５℃のよく撹拌された溶液に約２ｇ／分の速度で導入し、その過程に
おいて、４５％水性水酸化ナトリウム溶液の続いての計量供給によりｐＨ値を１
１〜１４に維持した。次いで、ｐ−ｔｅｒｔ．ブチルフェノールを、最終生成物
において約１．２の溶液粘度に達するような量で（約２ｇ）加えた。更に、Ｎ−
エチルピペリジン０．３５ｍｌも導入しそして撹拌を４５分間続けた。ビスフェ
ノレートを含まない溶液を分離しそして有機相を酸性化の後、中性となり且つ溶
媒がなくなるまで水で洗浄した。

【００５０】 得られたポリカーボネートは下表２に示された性質を有する。

【００５１】

【表２】

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＺ，ＵＧ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ) ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ， ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，Ｄ Ｋ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ， ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，Ｌ Ｖ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ， ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，Ｕ Ｓ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＷ (72)発明者 シユテバニ，ユルゲン ドイツ連邦共和国デー−47800クレーフエ ルト・デルパーホフシユトラーセ39 (72)発明者 ブルダー，フリードリヒ−カール ドイツ連邦共和国デー−47800クレーフエ ルト・ボーデルシユビングシユトラーセ20 (72)発明者 ハエゼ，ビルフリート ドイツ連邦共和国デー−51519オーデンタ ール・オゼナウアーシユトラーセ32 Ｆターム(参考） 4J002 CG011 CG021 EL026 EU166 EW066 FD016 FD056 FD066 FD136 FD206 GP00 GP01 GS00 4J029 AA09 AC02 AD01 BB09A BB10B BB12A BB12B BB13A BB13B BD09A BD09B BD10 HC01 5D029 KA07 KC07 KC13

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 繰り返し二官能性カーボネート構造単位として、 Ａ）式（Ｉ） 【化１】 式中、 基Ｒ₁は、互いに独立に、各々Ｃ₁−Ｃ₁₂−アルキル基、ハロゲンを表し、そし
   て ｎは０〜３の整数を表す、 に相当するカーボネート構造単位の少なくとも１種と、 Ｂ）式（ＩＩ） 【化２】 式中、 基−Ｏ−Ｒ−Ｏ−はジフェノレート基を表し、ここで−Ｒ−は６〜４０個のＣ原
   子を有する芳香族基であり、該芳香族基は１個以上の芳香族核又は縮合芳香族核
   を含有することができ（ここで該核はヘテロ原子を含有していてもよい）そして
   Ｃ₁−Ｃ₁₂−アルキル基又はハロゲンで置換されていてもよく、そして橋かけ結 合として脂肪族基、環状脂肪族基、芳香族核又はヘテロ原子を含有することがで
   きる、 に相当するＡとは異なる他の二官能性カーボネート構造単位の少なくとも１種を
   含有するコポリカーボネートであって、 Ｃ）基Ｒ₁が互いに独立に各々１〜５個のＣ原子を有する炭化水素基を表しそ してｎが０〜２の整数を表す式（Ｉ）に相当する二官能性繰り返しカーボネート
   構造単位と、式（ＩＩＩ） 【化３】 式中、 Ｍは１〜８個のＣ原子を有する二価の炭化水素基、Ｏ、ＣＯ、Ｓ、ＳＯ又はＳ
   Ｏ₂を表しそして Ｒ₂〜Ｒ₅は、同一であるか又は相異なり、そして各々水素又は１〜５個のＣ原
   子を有する炭化水素基を表す、 に相当する繰り返し二官能性カーボネート構造単位の少なくとも１種から構成さ
   れ、式（ＩＩ）に相当するこれらのカーボネート構造単位の量が式（Ｉ）及び（
   ＩＩＩ）に相当する構造単位の全モル数を基準として５〜９５％であるコポリカ
   ーボネートは除いた、コポリカーボネート。
2. 【請求項２】 式（ＩＩ）に相当する二官能性カーボネート構造単位は４，
   ４′−（ｍ−フェニレンジイソプロピリデン）ジフェノール（ビスフェノールＭ
   ）由来のものであることを特徴とする請求項１のコポリカーボネート。
3. 【請求項３】 二官能性カーボネート構造単位Ａ及びＢ１００モル％を基準
   として二官能性カーボネート構造単位Ａ１〜９９モル％を含有することを特徴と
   する請求項１又は２のコポリカーボネート。
4. 【請求項４】 【外１】
5. 【請求項５】 補助物質及び添加剤を含有していてもよい請求項１〜４の１
   つのコポリカーボネートから製造された成形組成物。
6. 【請求項６】 黄色度インデックスＹ₁＜２を有する請求項５の成形組成物 。
7. 【請求項７】 請求項６の成形組成物から製造された成形品。
8. 【請求項８】 請求項１のコポリカーボネートを含有する光学的物品。
9. 【請求項９】 請求項１のコポリカーボネートを含有する光学的大容量記憶
   装置。
10. 【請求項１０】 請求項１のコポリカーボネートを含有するレンズ。