JP2001509919A - 光送信モジュール - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 送信モジュールは、本発明によると、複数の半導体レーザ（２）を有する中空空間（１０）をハーメチックシールして封入するケーシング（１）と、ケーシング（１）内にハーメチックシールされて固定された複数の光結合導波路（３）とから構成されており、複数の光結合導波路のそれぞれが、それぞれ１つのレーザ（２）を、中空空間（１０）内で、ケーシング（１）の外部に導出された、それぞれ１つのファイバ（４）と相互に光結合する。

Description

【発明の詳細な説明】 光送信モジュール 本発明は、光送信モジュールであって、基板と、基板上に設けられた単数又は 複数の半導体レーザと、半導体レーザ毎に、それぞれ１つの、基板から導出され た光ファイバと、半導体レーザ毎に、それぞれ１つの、基板上に形成されたハー メチックシールされた、当該半導体レーザと光ファイバとの間の光結合部とから 構成された光送信モジュールに関する。 前述の形式の送信モジュールは、Ｍ．Ｙａｎｏ及びＫ．Ｖａｋａｏ：”Ｏｐｔ ｉｃａｌ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｄｅｖｉｃｅｓ ａｎｄ Ｍｏｄｕｌ ｓ ｆｏｒ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｐａｒａｌｌｅｌ Ｌｉｎｋ”，Ｆｕｊｉｔｓｕ ，Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈ．Ｊ．３０，２，１９５−２０２ページ、（１９９４年、１ ２月）から公知である。この公知のモジュールでは、各半導体レーザと、この半 導体レーザに光結合された光ファイバとの間のハーメチックシールされた光結合 は、ファイバが基板内に融着接続されて、この融着接続されたファイバの端面が 半導体レーザの光出口窓に直接対向するようにして行われている。 基板自体は、２つの基板部から構成されており、その内の一方の基板に、ファ イバが融着接合されており 、他方の基板上には、半導体レーザが取り付けられている。両基板半部は、各半 導体レーザの光出口窓に対向して、各ファイバの端面が配置されるように、相互 に結合されている。 Ｈａｎａｔａｎｉ他の”１０ Ｃｈａｎｎｅｌ Ｆｕｌｌｙ−Ｉｎｔｅｇｒａ ｔｅｄ Ｈｉｇｈ−Ｓｐｅｅｄ Ｏｐｔｉｃａｌ ｔｒａｎｓｍｉｔｔｅｒ Ｍ ｏｄｕｌ ｗｉｔｈ ａ Ｔｈｒｏｕｇｈ−ｐｕｔ Ｌａｒｇｅｒ Ｔｈａｎ ８ Ｇｂｉｔ／ｓ”，Ｐｒｏｃ．２１ｓｔ ＥＣＯＣ’９５，Ｐａｐｅｒ Ｔｈ Ｂ．１．４，８７５〜８７８ページから、光送信モジュールが明らかであり、こ の光送信モジュールでは、ケーシングの中空空間内に複数の半導体レーザが設け られており、その際、各半導体レーザは、ケーシング内に取り付けられたプレー ナマイクロレンズによって、ケーシングから導出された光ファイバと光結合され ている。ケーシング内には、中空空間とケーシングの外部環境との間の電気接続 の形成用の複数の接続線路も取り付けられている。 ケーシングは、第１のケーシング部と第２のケーシング部とから構成されてお り、第１のケーシング部は、中空空間を限定するブラインドホール状の切欠部を 有していて、電気接続線路に取り付けられており、この切欠部内に全ての半導体 レーザが設けられており、第２のケーシング部内には、プレーナマイクロレンズ が取り付けられており、このマイクロレンズにファイバが接続されている。 半導体レーザとファイバとの間の光結合の形成のために、第２のケーシング部 は、第１のケーシング部のブラインドホール状の切欠部の開口内に差し込まれて いる。 本発明の構成、つまり、基板はケーシングから構成されており、ケーシングは 、中空空間をハーメチックシールして封入しており、中空空間内には、単数又は 複数の半導体レーザが設けられており、半導体レーザと光ファイバとの間のハー メチックシールされた光結合部は、中空空間とケーシングの外部環境との間の光 結合を形成するためにケーシング内にハーメチックシールして取り付けられた光 結合導波路から構成されており、ケーシングにより、半導体レーザの光出口窓と 、光ファイバの端面とが相互に光結合されており、ケーシングは、中空空間とケ ーシングの外部環境との間の電気接続の形成のために、当該ケーシング内にハー メチックシールされて取り付けられた１つ又は複数の電気接続線路を有している ように構成された本発明は、容易に製造できるよう、ハーメチックシールされた 送信モジュールを提供することができるという利点を有している。 本発明のモジュールは、特に、製造上極めてインテンシブに金属化し、且つ、 ケーシング又はケーシング 部内にファイバを融着接続する必要はないという利点を有している。また、有利 には、ケーシング内に取り付けられたファイバを研磨したり、反射防止コーティ ングしたりする必要はない。融着個所に融着接続されたファイバの屈折の恐れが 最早ないのは有利である。 本発明のモジュールは、有利には、特に、パラレルオプチカルリンク用のハー メチックシールされた送信モジュールとして使用することができ、この送信モジ ュールは、近い将来、チャネル当たりほぼ１００ＭＢｉｔ／ｓ〜２．５ＧＢｉｔ ／ｓのデータ速度で、約１ｍ〜ほぼ１０ｋｍの伝送区間用のコスト上有利な高性 能伝送装置として有用となる。その種のリンクの応用可能性は、例えば、コンピ ュータ接続を介してＬＡＮバックボーン及び加入者接続端子領域への高性能テレ コム交換システム用のオプチカルバックプレーン乃至バックウォールケーブリン グである。 その種のリンクは、実質的に、送信モジュールから構成されており、この送信 モジュールは、通常、適切な電気入力側と光出力側を有するレーザラインと、伝 送媒体としてのファイババンドケーブル、並びに、光入力側及び電気出力側を有 する受信モジュールから構成されている。 その際、使用領域に応じて種々異なる技術乃至サブコンポーネントが使用され 、例えば、短波長レーザ、例えば、短い伝送区間用のＶＣＳＬ又はファブリーペ ローレーザ及び多モードファイバ、又は、比較的長い伝送区間で高い伝送速度用 のＤＦＢレーザ及び単一モードファイバが使用される。特に困難且つコスト上イ ンテンシブに、その際、ファイバは、送信モジュール内の半導体レーザに結合さ れる（特に、単一モードガラスファイバを使用する必要があり、信頼性の理由か ら、ハーメチックシールされた装置構成が要求されている場合）。 本発明のモジュールは、有利にも、この要求を充足する。 本発明のモジュールでは、半導体レーザを単一モードファイバに接続する際に 、調整許容偏差を一層良好にするために、従って、冒頭に記載した形式の公知モ ジュールの場合同様に、製造コストを一層良好にするために、簡単な突き合わせ 結合（Ｓｔｏｓｓｋｏｐｐｌｕｎｇ）が使用され、例えば、光学レンズによって 実施可能な、半導体レーザとファイバとの間のスポットサイズの整合（Ｆｌｅｃ ｋａｎｐａｓｓｕｎｇ）（例えば、１０ＧＢｉｔ／ｓの高データ速度で、典型的 には、少なくとも５０ｋｍの大きな伝送区間用のテレコムモジュールでは通常で ある）は、使用しないで済む。 スポットサイズの整合での典型的な−６〜−２ｄＢに対して低い、突き合わせ 結合で結合された、ほぼ−１０ｄＢの結合効率は、伝送区間が比較的短いのだか ら有利に受容することができ、しかも、このような比較的低い結合効率によって 、有利に、半導体レーザへの反則の反作用を比較的小さくすることができ、この ことは、数キロメータの伝送区間で６２２Ｍビット／ｓ以上ものデータ速度の場 合に重要である。と言うのは、ハイエンドテレコムモジュールとは異なって、光 アイソレータが使用されないからである。突き合わせ結合を使用することによっ て、レンズに関わる問題点、例えば、コスト高な製造及び調整の問題点は、生じ ない。 本発明のモジュールの極めて特別な利点は、本発明を用いない場合には特に実 施困難な、ハーメチックシールされたモジュールデザインを、比較的簡単に、製 造し易くてコスト上有利に提供することができる点にある。 本発明のモジュールは、冒頭に挙げた形式の突き合わせ結合での公知のモジュ ールとは、実質的に以下の点で異なる： −基板は、ケーシングから形成し、ケーシングは、中空空間をハーメチックシー ルして封入し、中空空間内に、単数又は複数の半導体レーザが設けられており、 −半導体レーザと、光ファイバとの間のハーメチックシールされた光結合は、フ ァイバ自体をケーシング内にハーメチックシールして固定する公知の装置構成の 場合のようにするのではなく、ケーシング内にハーメ チックシールして固定された別個の光結合導波路よって、中空空間とケーシング の外部環境とを光結合するようにし、 −ケーシングは、中空空間とケーシングの外部環境との間の電気接続を形成する ように、ケーシング内にハーメチックシールして取り付けられた１つ又は複数の 電気線路を行うように構成されている。 本発明の結合導波路によると、金属化、融着接続、端面研磨及び反射防止コー ティング時に、ファイバ端部の困難且つコスト高な処理を行わないで済み、並び に、融着接続個所によってファイバが破損する危険に曝されることがなくなる。 二番目に挙げた刊行物のモジュールの場合、半導体レーザは、ケーシングの中 空空間内に設けられており、この中空空間内には、電気接続導波路が中空空間と ケーシングの外部環境との接続のために取り付けられているが、ファイバは、本 発明の結合導波路及び簡単な突き合わせ結合によって結合されているのではなく 、プラナーマイクロレンズによって、半導体レーザと光結合されている。 本発明のモジュールの優位且つ有利な実施例は、請求の範囲２〜１７に記載さ れている。 以下、本発明について、図示の実施例を用いて詳細に説明する。その際： 図１は、本発明の送信モジュールの実施例の垂直長手 方向断面を示し、その際、ケーシングは、２つのケーシング部から構成されてお り、２つのケーシング部は、相互に別個の状態で図示されており、 図２は、切断線II−IIに沿った図１の実施例の第２のケーシング部の横方向断面 を示し、 図３は、同じ図表示での、図１の実施例の変形実施例を示し、 図４は、切断線III−IIIに沿った図３の変形実施例の第２のケーシング部の部分 横方向断面を示し、 図５は、図１〜４の実施例の場合とは異なったケーシング部を有する本発明の送 信モジュールの他の実施例の垂直長手方向断面を示し、 図６は、同じ表示での、図５の実施例の変形実施例を示す。 図は、略図であり、尺度通りではない。 本発明の送信モジュールの図示の実施例では、一般的に、ケーシングが１で示 されており、ケーシング１によってシールして封入されている中空空間が１０で 示されており、中空空間１０内に設けられている半導体レーザが２で示されてお り、ケーシング１内にハーメチックシールされて取り付けられた光結合導波路が ３で示されており、ケーシング１から導出された光ファイバが４で示されており 、ケーシング１内にハーメチックシールされて取り付けられた電気接続線路が５ で示されている。 ケーシング１内にハーメチックシールされて取り付けられた各結合導波路３は 、ケーシング１の中空空間１０と外部環境１００との間のハーメチックシールさ れた光結合を形成しており、光出口窓２１は、それぞれ１つの半導体レーザ２と 、それぞれ１つのファイバ４の１つの端面４１とを相互に光結合する。 各半導体レーザ２と、該半導体レーザに配属された結合導波路３との間の光結 合は、突き合わせ結合によって実施されており、即ち、この半導体レーザ２の光 出口窓２１には、この結合導波路３の端面３１が直接対向している。 同様に、各結合導波路３と、該結合導波路に配属された光ファイバ４との間の 光結合は、突き合わせ結合によって実施されており、即ち、このファイバ４の端 面４１には、この結合導波路３の端面３２が直接対向している。 本発明の送信モジュールの、この基本構造での本質的なことは、ケーシング１ 内にハーメチックシールされて取り付けられた結合導波路３が、ケーシング１の 固定構成部品であることであり、その結果、ファイバ４は、ケーシング内で融着 接続する必要がなく、ケーシング１の外部で接続しさえすればよい。半導体レー ザ２と結合導波路３は、ケーシング１内に保護されている。 ケーシング１の中空空間１０と外部環境１００を相 互に接続するハーメチックシールされた電気接続線路５は、中空空間１０内に半 導体レーザ２と、場合によっては、そのために必要であって、中空空間１０内に ある電気回路とも接続されており、ケーシング１の外部で電気端子及び／又はリ ード線と接続されている。 図１〜４に示されていて、第１の構成コンセプトに相応する本発明のモジュー ルの実施例では、ケーシング１は、第１のケーシング部１１と第２のケーシング 部１２とから構成されている。 第１のケーシング部１１は、中空空間１０を限定するブラインドホール状の切 欠部１０１を有しており、この切欠部内には、少なくとも全ての半導体レーザ２ が設けられており、このケーシング部１１内に、全ての電気接続線路５がハーメ チックシールされて取り付けられており、この電気接続線路は、中空空間１０と ケーシング１の外部環境１００とを相互に接続する。 第２のケーシング部１２内には、全ての結合導波路３がハーメチックシールし て取り付けられている。 第１及び第２のケーシング部１１及び１２は、ブライドホール状の切欠部１０ １が、ハーメチックシールして両ケーシング部１１及び１２間に挿入されている ように、ハーメチックシールして相互に接続することができ、その際、両ケーシ ング部１１及び１２は、ケーシングの中空空間１０を形成し、各半導体レーザ２ が、それぞれ１つの結合導波路３によって、それぞれ １つのファイバ４と光結合されている。 ケーシング部１１及び１２を相互にハーメチックシールして結合するために、 有利には、第１及び第２のケーシング部１１乃至１２が、以下のように構成され ている： 第１のケーシング部１１は、ほぼ平坦な表面領域１１０を有しており、この表面 領域は、ブラインドホール状切欠部１０１の開口部１０１₁を有している。 第２のケーシング部１２は、ほぼ平坦な表面領域１２０を有しており、この表 面領域には、全ての結合導波路３の端面３１が設けられており、実質的に、この 表面領域１２０と同様の同じ配向１２５を有している。 両ケーシング部１１及び１２の表面領域１１０及び１２０は、ハーメチックシ ールされたケーシング１の製造のために、相互に対向して配設され、且つ、相互 に調整され、その際、第２のケーシング部１２の表面領域１２０は、第１のケー シング部１１の表面領域１１０内のブラインドホール状の切欠部１０１の開口部 １０１₁を被覆しており、且つ、各結合導波路３の端面３１は、開口部１０１₁の 領域内にあり、且つ、各半導体レーザ２の光出口窓２１に、各結合導波路３が対 向されており、この状態では、両ケーシング部１１及び１２が、ハーメチックシ ールして相互に結合することができる。 第１のケーシング部１１は、優先的且つ有利な形式で、以下のように構成され ている。即ち、第１のケーシング部１１は、 −ほぼ平坦な第１の表面部１１１及び第１の表面部１１１に対して所定の角度の 、ほぼ平坦な第２の表面部１１０₁を有する第１のケーシング部１１₁、及び、 −ほぼ平坦な第１の表面部１１２、及び、この第１の表面部１１２に対して所定 角度の、ほぼ平坦な第２の表面部１１０₂を有する第２のケーシング１１₂から構 成されている。 第１のケーシング部１１₁の第１の表面部１１１上に、全ての半導体レーザ２ 及び全ての電気接続線路５が取り付けられている。第２のケーシング部１１₂は 、第１のケーシング部１１のブラインドホール状切欠部１０１を限定する切欠部 １０２を有しており、この切欠部１０２には、第２のケーシング部１１₂の第１ の表面部１１１も第２の表面部１１０₂も接している。 両ケーシング部１１₁及び１１₂は、相互に対向している第１の表面部１１１及 び１１２を、ハーメチックシールして相互に結合しており、その際、全ての電気 接続線路５は、ハーメチックシールして、第１の表面部１１１及び１１２間に封 入されており、第２の表面部１１０₁及び１１０₂は、ほぼ一直線状に配列されて いて、一緒に、第１のケーシング部１１の、ほぼ 平坦な表面領域１１０を形成しており、少なくとも全ての半導体レーザ２は、第 ２のケーシング部１１₂内に形成された切欠部１０２の領域内に設けられている 。 同様に、第２ケーシング部１２は、優先的且つ有利に、 −ほぼ平坦な第１の表面部１２₁及び第１の表面部１２１に対して所定角度の、 ほぼ平坦な第２の表面部１２０₁を有する第１のケーシング部１２１、及び、 −ほぼ平坦な第１の表面部１２２、及び、この第１の表面部１２２に対して所定 角度の、ほぼ平坦な第２の表面部１２０₂を有する第２のケーシング部１２₂とか ら構成されている。 第１のケーシング部１２₁の第１の表面部１２１上には、全ての結合導波路３ が取り付けられている。 この両ケーシング部１２₁及び１２₂は、相互に対向している第１の表面部１２ １及び１２２をハーメチックシールして相互に結合されており、その際、全ての 光結合導波路３は、ハーメチックシールされて、これら第１の表面部１２１，１ ２２間に封入されており、これら両ケーシング部１２₁及び１２₂の第２の表面領 域１１０₁及び１１０₂は、ほぼ一直線状に配列されていて、一緒に、第２のケー シング部１２の平坦な表面領域１２０を構成している。 第１のケーシング部１１１の第１の表面部１１１と 第２の表面部１１０₁との間の角度、及び、第１のケーシング部１１の第２のケ ーシング部分１１₂の第１の表面部１１２と第２の表面部１１０₂との間の角度は 、有利には、それぞれ９０°に選定されている。同様のことが、第１のケーシン グ部１２₁の第１の表面部分１２１と第２の表面部分１２０₁との間の角度、及び 、第２のケーシング部１２の第１のケーシング部分１２２と第２のケーシング部 分１２₂の第２の表面部分１２０₂との間の角度にも当てはまる。 両ケーシング部１１及び１２のケーシング部分１１₁，１１₂，１２₁及び１２₂ は、有利には、それぞれ、シリコン製であり、優位エッチング（Ｖｏｒｚｕｇｓ ｓａｅｔｚｅｎ）及びソーイング（Ｓａｅｇｅｎ）によって構造化することがで きる。第１のケーシング部１１のケーシング部分１１₁及び１１₂の場合、同様に 、他の材料、例えば、セラミックを使用することができる。セラミックは、多層 セラミックとして構成してもよく、この多層セラミックは、既に、ハーメチック シールされて封入された電気接続線路５を有しており、この電気接続線路は、少 なくとも、一般的には、レーザラインの形式で構成された半導体レーザ２の電気 端子と接続されている。 第１のケーシング部１１の第１のケーシング部１１₁は、半導体レーザ２の融 着接続用の金属化部乃至レーザラインの形式で所要のボンドパッド、及び、ハー メチックシールされた電気接続線路を含む電気リード線を有している。 半導体レーザ２は、有利には、第１のケーシング部１１₁の第１の表面部１１ １上に融着接続されており、その際、各半導体レーザ２の光出口窓２１は、僅か 数μｍ、典型的には、５μｍだけ、第１の表面部１１１に対して所定角度の、第 １のケーシング部分１１₁の第２の表面部１１０₁から離隔されており、それによ り、この半導体レーザ２を、このレーザ２に配属された、第２のケーシング部１ ２の結合導波路３との良好な突き合わせ結合が達成されるように構成されている 。 個別レーザ２の、電気リード線路への端子接続は、ジャンクションダウン組立 の場合には、フリップチップボンドによって行うことができる。 第１のケーシング部１１の第２のケーシング部分１１₂は、その第１のケーシ ング部１１₁用のカバーとして使用され、第１のケーシング部には、例えば，融 着接続によってハーメチックシールして結合されており、そのために適切な金属 化及び／又は融着接続層が、このケーシング部１１₁及び１１₂上に堆積されてい る。ケーシング部１１₁及び１１₂の組立の際、例えば、相応の適切な装置によっ て、それらの第２の表面部１１０₁及び１１０₂を相互に一列に配列して、そうす ることによって、その後、ケーシング部１１及 び１２のハーメチックシールされた結合が可能であるようにする必要がある。 第２のケーシング部１２の第１のケーシング部分１２₁は、例えば、ドーピン グガラス製の結合導波路３を有する。結合導波路３は、公知の析出方法及び平坦 化技術を用いて有利にシリコン製の基板上に集積して形成することができる。半 導体ライン内に設けられた半導体レーザ２に相応して、半導体ラインを導波路ラ インの形式で形成することができる。 それに対して択一選択的に、ガラスファイバ部材も結合導波路３として、第２ のケーシング部１２の第１のケーシング部１２₁内に形成されている、相応の溝 内に挿入することができる。その際、ガラスファイバ部材は、第２のケーシング 部１２の両ケーシング部分１２₁及び１２₂の接合の際、ハーメチックシールして 融着接続又はガラス一体成形する必要がある。 別の手段としては、イオン交換によってガラス内に集積された結合導波路３を 用いることができる。そのためには、当然、適切なガラス材料を、第２のケーシ ング部１２の第１のケーシング部分１２₁に使用する必要がある。 第２のケーシング部１２の第２のケーシング部分１２₂は、この部分１２の第 １のケーシング部分１２₁用のカバーとして使用され、この第１のケーシング部 分１２₁と、ハーメチックシールされて、例えば、融 着接続によって結合される。 少なくとも、結合導波路３の、半導体レーザ２側の端面の領域を有しているが 、結合導波路３の、光ファイバ４側の端面３２の領域も有することができる、両 ケーシング部１１及び１２の表面領域１１０及び１２０の、場合によっては行わ れる加工後、及び／又は、第２のケーシング部１２の反射防止コーティング後、 第１及び第２のケーシング部１１及び１２が、例えば、第１のケーシング部１１ に対する第２のケーシング部１２のアクティブな調整によって、相互に調整され 、両ケーシング部１１及び１２は、例えば、融着接続によって、ハーメチックシ ールして相互に結合され、その際、適切な金属化及び／又は融着接続層が、ケー シング部１１及び１２に設けられる。 第１のケーシング部１１の両ケーシング部分１１₁及び１１₂、乃至、第２のケ ーシング部１２の両ケーシング部分１２₁及び１２₂の接合を容易にするために、 例えば、シリコン製のケーシング部の場合には、優位エッチングされたピラミッ ド型の孔が、ケーシング部内にエッチングされ、それぞれ、両ケーシングの内の 一方のケーシング内に適合した球体が挿入されるか、又は、接着剤で接着され、 この球体は、接合すべき両ケーシング部を相互に非常に正確に調整することがで きる。 各光ファイバ４は、有利には、ケーシング１に保持 され、両ケーシング部１１及び１２から形成されたケーシング１の場合には、有 利な形式で、端面４１を有する端部である、このファイバ４が、第２のケーシン グ部１２内に構成されたファイバガイドチャネル４４内に設けられて固定されて おり、この端面４１が、結合導波路３の、このファイバ４に配属されたファイバ 側の端面３２に直接対向している。 両ケーシング部分１１₁及び１２₁から構成された第２のケーシング部１２の場 合、各ファイバガイドチャネル４４は、有利には、第２のケーシング部１２の両 ケーシング部分１２₁及び１２₂の内の少なくとも１つの、平坦な表面部１２１乃 至１２２内の、結合導波路３に接した部分面１２１₁乃至１２２₁内に構成されて いる。 図１及び２の実施例では、第２のケーシング部１２の両ケーシング部分１２₁ 及び１２₂の平坦な表面領域１２１及び１２２の、ファイバガイドチャネル４４ 内に相互に対向している各部分面１２１₁及び１２２₁が構成されるように、特別 に配向されている。 図２には、例えば、５つのファイバガイドチャネル４４（その各チャネルは、 ５つの光ファイバ４、有利には、ガラスファイバのうちの１つを有している）の 横断面が図示されている。チャネル４４は、相互に平行に延在している。チャネ ル４４の数は、ファイバ４の数と同様であり、半導体レーザ２は、５つに限定さ れるのではなく、もっと少なくしたり、任意にもっと多くしたりしてよい。各チ ャネル４４は、図２の実施例の場合、特別に、それぞれＶ字型の横断面を有する ２つの溝から構成されており、その内一方の溝は、一方の部分面１２１₁内に形 成されており、他方の溝は、他方の部分面１２２₁内に形成されており、これら の部分面は、この図２の図平面に対して垂直な長手方向に、即ち、相互に平行に 延在しており、これらの部分面は、その開いた長手側面が、相互に対向されてい る。 図３及び４に示された、第１の構成コンセプトの変形実施例の場合、第２のケ ーシング部１２の両ケーシング部分１２₁及び１２₂の内の惟１つだけの表面領域 の、ファイバガイドチャネル４４を有する部分面が、図示の実施例では、第２の ケーシング部１２の第１のケーシング部分１２₁の表面領域１２１の部分面１２ １₁が、他方のケーシング部分、このケーシング部１２の第２のケーシング部分 １２₂からフリーの状態である。 図４には、そのようなガイドチャネル４４の横断面図が示されている。このチ ャネル４４のそれぞれは、部分面１２１₁内に構成されたＶ字型横断面の溝から 形成されている。溝４４は、図４の図平面に対して垂直長手方向に、即ち、相互 に平行に延在している。 各溝４４内には、それぞれ１つのファイバ４の、端 面３２を有する端部が収容されて、例えば、接着剤を用いて固定されている。 特に、図３及び４の実施例の場合、溝形のファイバガイドチャネル４４内に設 けられたファイバ４は、例えば、ガラス製の小さな丸太状の別個の部分１５₁に よって被覆されており、この部分は、部分面１２１₁側の平坦な面１５０を有し ていて、この面１５０は、ファイバ４の周囲面に当接されている。この部分１５₁ を用いて、ファイバ４を、開いた溝形のファイバガイドチャネル４４内に押し 込めて接着剤によって固定することができる。 接着間隙を小さく保持するために、別個の部分１５１の平坦な面１５０は、図 ４に示されているように、段１５２によって側方に限定された部分１５₁内に構 成された切欠部１５１のボンド面であるようにするとよい。段１５２によって、 切欠部のボンド面１５０から下げられた、小さな丸太状部分１５₁の表面部１５ ３と、第１のケーシング部１２の表面領域１２１との間の接着間隙内の接着層は 、１５４で示されている。 それに対して択一選択的に、溝状のファイバガイドチャネル４４を、当該の部 分面１２１₁又は１２２₁内に深く構成することもでき、その際、ファイバ４は、 その周囲面が、この部分面１２１₁又は１２２₁から僅か数μｍだけ突出している ように構成されている。 この場合に、結合導波路３を、深い位置のファイバ４と一直線状に配列するこ とができるようにするために、結合導波路３を、部分面１２１₁又は１２２₁に対 して比較的深い位置の、第２のケーシング部１２の当該ケーシング部分１２₁又 は１２₂の面上に形成する必要がある。シリコン製のケーシング部１２₁又は１２₂ の場合、この深い位置の面は、例えば、深エッチングによって、結合導波路３ 用の導波路層を、この領域内に堆積する前に形成するとよい。 ファイバガイドチャネル４４を用いて、結合導波路３に結合されるファイバ４ を、この導波路３に関して正確に位置付けて、各ファイバ４の端面４１に、それ ぞれ１つの結合導波路３の１つの端面３２が正確に対向しているようにされてい る。同様のことが、結合導波路３が、例えば、ガラス部材の形式で配属されてい るガイドチャネルの場合も当てはまる。 ファイバガイドチャネル４４を形成する溝は、優位エッチングによって、及び ／又は”切断（Ｆｒｅｉｓｃｈｎｉｔｔｓ）”を用いて形成することができる。 図５及び６に図示されていて、第２の構成コンセプトに相応する、本発明のモ ジュールの実施例の場合、ケーシング１は、第１のケーシング部１３及び第２の ケーシング部１４から構成されている。 第１の構成コンセプトとは異なって、第１のケーシング部１３上に、少なくと も、全ての半導体レーザ２ 、結合導波路３及び電気接続線路５が取り付けられており、その際、各半導体レ ーザ２の光出口窓２１に、それぞれ１つの結合導波路３の端面３１が対向してお り、第２のケーシング部１４は、ケーシング１の中空空間１０を限定するブライ ンドホール状の切欠部１０４を有している。 第１及び第２のケーシング部１３及び１４は、相互に調整されてハーメチック シールして相互に結合されており、その際、少なくとも、全ての半導体レーザ２ は、ブラインドホール状の切欠部１０４の領域内に設けられており、この切欠部 １０４、結合導波路３及び電気接続線路５が、ハーメチックシールして両ケーシ ング部１３及び１４間に封入されており、その際、封入切欠部１０４は、ケーシ ング１の中空空間１０を形成する。 ケーシング部１３及び１４を相互にハーメチックシールして結合するために、 有利には、第１及び第２のケーシング部１３乃至１４は、以下のように形成され ている： 第１のケーシング部１３は、ほぼ平坦な表面１３０を有しており、この表面上 には、少なくとも、全ての半導体２、結合導波路３及び電気接続線路５が取り付 けられており、その際、各半導体レーザ２の光出口２１に、それぞれ１つの結合 導波路３の端面３１が対向されている。 第２のケーシング部１４は、ほぼ平坦な表面１４０を有しており、この表面１ ４０は、この第２のケーシング部１４内に構成されたブラインドホール状の切欠 部１０４の開口部１０４₁を有している。 第１及び第２のケーシング部１３及び１４は、相互に調整されてハーメチック シールされて相互に結合されており、その際、少なくとも、全ての半導体レーザ ２は、ブラインドホール状の切欠部１０４の領域内に設けられており、この切欠 部１０４、結合導波路３及び電気接続線路５は、ハーメチックシールされて両ケ ーシング部１３及び１４間に封入されさおり、その際、封入切欠部１０４は、ケ ーシング１の中空空間１０を形成する。 ケーシング部１３と１４を相互にハーメチックシールして結合するために、有 利には、第１及び第２のケーシング部１３乃至１４は、以下のように構成されて いる： 第１のケーシング部１３は、ほぼ平坦な表面領域１３０を有しており、この表 面領域上に、少なくとも、全ての半導体レーザ２，結合導波路３及び電気接続線 路５とを結合し、その際、各半導体レーザ２の光出口窓２１には、それぞれ１つ の結合導波路３が対向されているように構成されている。 第２のケーシング部１４は、ほぼ平坦な表面領域１４０を有しており、この表 面領域は、この第２のケー シング部１４内に構成されたブラインドホール状の切欠部１０４の開口部１０４₁ を有している。 両ケーシング部１３及び１４は、相互に調整されてハーメチックシールされて 相互に結合されており、その際、両表面領域１３０及び１４０は、相互に対向し 合っており、第２のケーシング部１４の表面領域１４０は、第２のケーシング部 １４の表面領域１３０内の開口部１０４₁を被覆し、全ての半導体レーザ２は、 この開口１０４₁の領域内に設けられており、ブラインドホール状の切欠部１０ ４は、ハーメチックシールして両ケーシング部１３及び１４の間に封入されてお り、ケーシング１の中空空間１０を形成しており、全ての結合導波路３及び電気 接続線路５は、ハーメチックシールされて、両ケーシング部１３及び１４の表面 領域１３０及び１４０間に封入されている。 第２の構成コンセプトの場合、半導体レーザ２と結合導波路３とを共に１つの ケーシング部１３上に設けて取り付けることができるようにするために、半導体 レーザ２をジャンクションダウンにより設けて、結合導波路３の光伝搬コアを、 相応の層構造によって、半導体レーザ２の光出口窓２１の高さに設定する必要が ある。 更に、半導体レーザ２の光出口窓２１側の、結合導波路３の端面３１が、でき る限り、例えば、シリコン製の第１のケーシング部１３の表面領域１３０に対し て垂直であるようにする必要がある。ガラス製の結合導波路３の場合、これは、 例えば、適切なドライエッチング方法を用いて端面３１をエッチングすることに よって達成することができる。唯一の調整ステップとして、半導体レーザ２を、 結合導波路３に関して配向する必要がある。半導体レーザ２を、レーザラインの 形式で幾つも設けるためには、このラインを全体として結合導波路３に関して調 整するとよく、この結合導波路は、全ての場合に、順次連続して延在する導波路 ３から構成された平坦なラインの形式で設けるとよい。ハーメチックなシールは 、両ケーシング部１３及び１４の融着接続によって達成することができる。 ファイバ４は、第２の構成コンセプトの場合でも、全ての結合導波路３に接し た、第１のケーシング部１３及び／又は第２のケーシング部１４の表面領域１３ ０乃至１４０の部分面１３０₁乃至１４０₁に形成されたファイバガイドチャネル ４内に設けられて、固定される。 ファイバ４の装置構成及び取り付けは、第１の構成コンセプトの図１及び２の 実施例の場合と同様に行うことができ、その際、ドーピングされた部分面１２１₁ は、ここでは、部分面１３０₁であり、ドーピングされた部分面１２２₁は、こ こでは、部分面１４０₁に相応しているが、それらは、個別の部品１５₁を用いた 第１の構成コンセプトの図３及び４の実施例の場 合と同様に行うこともでき、例えば、その結果、両ケーシング部の内の一方のケ ーシング部だけの、一方のファイバガイドチャネルを有する、表面領域の部分面 、及び、図６に図示されているように、ケーシング部１３だけの表面領域１３０ の部分面１３０₁は、他方のケーシング部１４からフリーであり、このファイバ ガイドチャネル４４内に設けられたファイバ４は、別個の部品１５₁によって被 覆されている。 その他の点では、ファイバガイドチャネル４４の場合に、その装置構成及び実 施例及びファイバ４の装置構成及び取り付けが当てはまり、図１〜４の実施例の 説明の中で、これに関して既に説明したことが、図５及び６の実施例の場合にも 同様に当てはまる。 第２の構成コンセプトは、有利には、特に組み立て易い。更に、有利には、第 １の構成コンセプトの場合と同様でなく、両ケーシング部１１及び１２を、３つ の自由度内でアクティブに調整する必要がある。第１の構成コンセプトの場合、 両ケーシング部１１及び１２は、相互に相対的に、２つのラテラル方向に、且つ 、相互に所定角度で調整される。第１の構成コンセプトに比して、第２の構成コ ンセプトは、ガラス層厚の度量保持及びガラス層用のエッチング技術に、比較的 高い条件が要求される。 以下、例として、第２の構成コンセプトの場合の技術的ステップについて説明 する。その際説明する、ガ ラス導波路の形式での結合導波路３の製造ステップは、第１の構成コンセプトの 場合にも同様に適している。 単一結晶（１００）−Ｓｉ−ウエーハの表面上に、先ず、結合導波路３が、ガ ラス導波路ラインの形式で堆積される（その際、大抵、高温ステップである）。 そのために、例えば、Ｈ．Ｗ．Ｓｃｈｎｅｉｄｅｒ，”Ｒｅａｌｉｚａｔｉｏｎ ｏｆ ＳｉＯ₂−Ｂ２Ｏ₃−ＴｉＯ₂ Ｗａｖｅｇｕｉｄｅｓ ａｎｄ ｒｅｆ ｌｅｋｔｏｒｓ ｏｎ Ｓｉ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ”，Ｍ．Ｍ．ｂｒｏｅｒ， Ｔｈ．Ｋｅｒｓｔｅｎ，Ｇ．Ｈ．Ｓｉｇｅｌ ａｎｄ Ｈ．Ｋａｗａｚｏｅ，Ｍ ａｔｅｒｉａｌｓ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｓｏｃｉｅｔｙ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ，Ｖｏｌ．２４４，３３７〜３４２ページに記載されて いるように、先ず、例えば、ＳｉＯ₂−Ｂ２Ｏ₃−ガラス製の、比較的高粘性の下 側のマントル層（Ｍａｎｔｅｌｓｃｈｉｃｈｔ）が、ウエーハの表面上に析出さ れる。その上に、光伝送の目的のために、隣接層に比較して高い屈折率の、例え ば、ＳｉＯ₂−Ｂ２Ｏ₃−ＧｅＯ₂−ＴｉＯ₂製のコアガラス層が続く。導波路構造 は、レジストマスク又は硬化マスク（例えば、ａ−Ｓｉ，Ｔｉ，又は、Ｃｒ）を 使用した適切なフォトリソグラフステップによって、及び、例えば、ＣＨＦ₃／ アルゴン雰囲気（上述の刊行物Ｓｃｈｎｅｉ ｄｅｒ参照）内でのＲＩＥエッチングによって限定することができる。コアガラ ス層上に続くマントルガラス層（例えば、同様に、ＳｉＯ₂−Ｂ２Ｏ₃−ＧｅＯ₂ −Ｐ２Ｏ₅−ガラス製）は、その光学的な機能の他に、それと同時に、平坦化の ために使用され、従って、事後に、第１のケーシング部１３を形成するウエーハ の表面を、カバーとして載置された第２のケーシング部１４に良好に形状結合す ることができる。所要の粘度低下は、ドービング材料Ｂ₂Ｏ₃又はＰ₂Ｏ₅の成分を 上昇させることによって達成される。化学的及び機械的表面及びコンタクト特性 の改善のために、ドーピング材料を減少させた、付加的に薄い被覆層を堆積する 必要がある。これは、ガラス製導波路の複数の製造方法のうちの単に１つの方法 を示す。 後続の第２の構造化ステップは、レーザ及びファイバ溝並びに結合導波路３の 端面３１，３２を限定するのに使用される。そのために、例えば、４０μｍ厚の ガラス層が、大きな面積で、ウエーハの表面に至る迄除去される。これは、コス ト上良好なウェットケミカルエッチングステップ、例えば、ＮＨ４Ｆ−ＨＦ−エ ッチング、又は、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）による結合導波路３の定義 ステップでのエッチングステップと同様に行うことができる。第１の場合には、 結合導波路３の端面３１，３２のプリバレーションが２つのソーイングステップ によって行われ、このソー イングステップは、結合導波路３の両側が限定されるが、レーザ組立溝の縁が開 いているように設定される。第２の場合には、ＲＩＥエッチングが、十分な光学 的な質の垂直で平坦な端面が形成されるように実行される。 第３の構造ステップでは、ファイバ４と場合によってはレーザ位置決め用の溝 乃至切欠部が形成される。そのために、ウエーハには、例えば、シリコンニトリ ド保護層が設けられ、この保護層は、相応の位置でのＳＦ６乾式エッチングステ ップによって開けられる。例えば、ＫＯＨでの異方性ウエットエッチングによっ て、ファイバガイドチャネル４４を定義する、ファイバ４用の溝が成型される。 シリコン製の第２のケーシング部１４の形式でのカバーの組立は、例えば、適 切な金属層の融着接続又はボンディングによって行うことができる。そのために 、ウエーハの相応のＳｉＯ₂−、又は、Ｓｉ表面、及び、Ｓｉカバーに、適切な 金属化層（例えば、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ，Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ／Ｓｎ、又は、Ｃｒ／ Ｐｔ／Ａｕ、Ｃｒ／Ｐｔ／Ａｕ−Ｓｎ等）が設けられ、続いて、融着接続又は押 圧下での温度処理によって結合される。 レーザダイオードの制御用の導波路の良好なＨＦ特性を達成するために、使用 されるシリコンは、高抵抗、例えば、２．５ｋΩｃｍにする必要があり、付加的 に、シリコン製のケーシング部１３及び１４に関する導波路の絶縁のために、誘 電体緩衝層は、例えば、１μｍのＳｉＯ２にする必要がある（例えば、Ａ．Ａｍ ｂｒｏｓｙ，Ｈ．Ｒｉｃｈｔｅｒ，Ｊ．Ｈｅｈｍａｎｎ及びＤ．Ｆｅｒｌｉｎｇ 、”Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｍｏｔｈｅｒｂｏａｒｄｓ ｆｏｒ Ｍｕｌｔｉｃｈａｎ ｎｅｌ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｍｏｄｕｌｅｓ”、Ｐｒｏｃ．ｏｆ ４５ｔｈ ＥＣ ＴＣ、Ｌａｓ Ｖｅｇａｓ，Ｍａｙ １９９５）。 殊に、既述の両構成コンセプトで実施する際の、本発明の送信モジュールの利 点は： −突き合わせ結合に基づく大きな調整許容偏差、 −低い結合効率（≦−８ｄＢ）に基づく結合導波路３の端面３１，３２の小さな 反作用（≦−３０ｄＢ）、 −この端面３１，３２（斜め研磨も可能）の加工、並びに、その反射防止コーテ ィング加工を簡単に行うことができること、 −レーザラインをジャンクションアップ又はジャンクションダウンにより組立て ることができること、 −プラナー技術乃至Ｓｉ優位エッチング技術の精度（ガラス導波路の形式での結 合導波路３、ガラスファイバ４又はプラグのセンタリング用の溝）、 −ファイバピグテール又はファイバプラグの実施が可能であること、 −レーザラインの種々異なるパターン尺度の整合、及 び、湾曲導波路によるファイバラインが可能であること、 −単一モード及び多モードファイバ４用の適性（何れにせよ、有利には、単一モ ード結合導波路４の中間接続下で）、即ち、結合効率≦−８ｄＢ、 −ケーシング部１１，１２及び１３，１４用にＳｉを排他的に使用した場合、適 合された熱膨張係数、及び、従って、高い熱安定性、 −極めて小型の構造形式、 −ケーシング部１１，１２及び１３，１４の製造時のフル−ウエーハ−乃至、バ ッチ−プラナー処理 である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １． 光送信モジュールであって、 −基板と、 −前記基板上に設けられた単数又は複数の半導体レーザ（２）と、 −前記半導体レーザ（２）毎に、それぞれ１つの、前記基板から導出された光 ファイバ（４）と、 −前記半導体レーザ（２）毎に、それぞれ１つの、前記基板上に形成されたハ ーメチックシールされた、当該半導体レーザ（２）と前記光ファイバ（４）との 間の光結合部と から構成された光送信モジュールにおいて、 −基板はケーシング（１）から構成されており、前記ケーシングは、中空空間 （１０）をハーメチックシールして封入しており、前記中空空間（１０）内には 、単数又は複数の半導体レーザ（２）が設けられており、 −前記半導体レーザ（２）と光ファイバ（４）との間のハーメチックシールさ れた光結合部は、前記中空空間（１０）と前記ケーシング（１）の外部環境（１ ００）との間の光結合を形成するために前記ケーシング（１）内にハーメチック シールして取り付けられた光結合導波路（３）から構成されており、前記ケーシ ングにより、前記半導体レーザ（２）の 光出口窓（２１）と、前記光ファイバ（４）の端面（４１）とが相互に光結合さ れており、 −前記ケーシング（１）は、前記中空空間（１０）と前記ケーシング（１）の 前記外部環境（１００）との間の電気接続の形成のために、当該ケーシング（１ ）内にハーメチックシールされて取り付けられた１つ又は複数の電気接続線路（ ５）を有していることを特徴とする光送信モジュール。 ２． 結合導波路（３）は、ガラス製である請求項１記載のモジュール。 ３． 結合導波路（３）は、集積導波路から構成されている請求項１又は２記載 のモジュール。 ４． 結合導波路（３）は、ガラス内にイオン交換によって形成された導波路か ら構成されている請求項２及び３記載のモジュール。 ５． 結合導波路（３）は、基板（１２₁；１３）の表面上にプレーナ技術で形 成された導波路から構成されている請求項３記載のモジュール。 ６． ファイバ（４）は、ケーシング（１）に保持されている請求項１〜５まで のいずれか１記載のモジュール。 ７． ケーシング（１）は、 −第１のケーシング部（１１）を有しており、該第１のケーシング部（１１） は、中空空間（１０）を限定するブラインドホール状の切欠部（１０１）を 有しており、該切欠部内に、全ての半導体レーザ（２）が設けられており、当該 半導体レーザには、全ての電気接続線路（５）がハーメチックシールされて取り 付けられており、 −第２のケーシング部（１２）を有しており、該第２のケーシング部（１２） 内には、全ての結合導波路（３）がハーメチックシールして取り付けられており 、 −前記第１及び第２のケーシング部（１１，１２）は、相互に調整されてハー メチックシールされて相互に結合されており、該結合の際、前記ブラインドホー ル状の切欠部（１０１）は、ハーメチックシールされて、前記第１及び第２の両 ケーシング部（１１，１２）間に封入されていて、前記ケーシング（１）の前記 中空空間（１０）を形成し、前記各半導体レーザ（２）は、それぞれ１つの前記 結合導波路（３）によってそれぞれ１つの前記ファイバ（４）と光結合されてい る 請求項１〜６までのいずれか１記載のモジュール。 ８． 請求項７記載のモジュールであって、 −第１のケーシング部（１１）は、ほぼ平坦な表面領域（１１０）を有してお り、該表面領域は、ブラインドホール状の切欠部（１０１）の開口部（１０１₁ ）を有しており、 −第２のケーシング部（１２）は、ほぼ平坦な表面 領域（１２０）を有しており、前記表面領域（１２０）には、全ての結合導波路 （３）の端面（３１）があって、前記表面領域（１２０）とほぼ同じ配向を有し ており、 −前記第１及び第２の両ケーシング部（１１，１２）の前記表面領域（１１０ ，１２０）は、相互に対向するように設けられていて、ハーメチックシールして 相互に結合されており、前記第２のケーシング部（１２）の表面領域（１２０） は、前記第１のケーシング部（１１）の前記表面領域（１１０）内のブラインド ホール状の切欠部（１０１）の開口部（１０１₁）を被覆し、それぞれの前記導 波路（３）の端面（３１）は、前記開口部（１０１₁）の領域内で、それぞれ１ つの半導体レーザ（２）の光出口窓（２１）に対向している請求項７記載のモジ ュール。 ９． 請求項７又は８記載のモジュールであって、 第１のケーシング部（１１）は、第１のケーシング部分（１１₁）と第２のケ ーシング部分（１１₂）とから構成されており、 −前記第１のケーシング部分（１１₁）は、ほぼ平坦な第１の表面部（１１１ ）及び該第１の表面部（１１１）に対して角度を成しているほぼ平坦な第２の表 面部（１１０₁）を有しており、 −前記第２のケーシング部分（１１₂）は、ほぼ平 坦な第１の表面部（１１２）と該第１の表面部（１１２）に対して角度を成して いるほぼ平坦な第２の表面部分（１１０₂）を有しており、その際、 −前記第１のケーシング部分（１１₁）の第１の表面部（１１１）上には、全 ての半導体レーザ（２）及び全ての電気接続線路（５）が取り付けられており、 −前記第２のケーシング部分（１１₂）は、前記第１のケーシング部（１１） の切欠部（１０１）を限定する切欠部（１０２）を有しており、該切欠部（１０ ２）には、前記第２のケーシング部分（１１₂）の前記第１の表面部（１１１） も前記第２の表面部分（１１０₂）も隣接しており、 −前記両ケーシング部分（１１₁，１１₂）は、相互に対向し合った前記第１の 表面部（１１１，１１２）とハーメチックシールして相互に結合されており、該 結合の際、前記全ての電気接続線路（５）は、ハーメチックシールして、前記第 １の表面部（１１１，１１２）間に封入されており、前記第２の表面部分（１１ ０₁，１１０₂）は、ほぼ一直線に並べられていて、一緒に、前記第１のケーシン グ部（１１）の平坦な表面領域（１１０）を形成し、前記全ての半導体レーザ（ ２）は、前記第２のケーシング部分（１１₂）内に構成された前記切欠部（１０ ２）の領域内に設けられている請求項７又は８記載 のモジュール。 10． 第２のケーシング部（１２）は、第１のケーシング部分（１２₁）と第２ のケーシング部分（１２₂）とから構成されており、 −前記第１のケーシング部分（１２₁）は、ほぼ平坦な第１の表面部（１２１ ）及び該第１の表面部（１２１）に対して角度を成しているほぼ平坦な第２の表 面部（１２０₁）を有しており、 −前記第２のケーシング部分（１２₂）は、ほぼ平坦な第１の表面部（１２２ ）と該第１の表面部（１２２）に対して角度を成しているほぼ平坦な第２の表面 部（１２０₂）を有しており、その際、 −前記第１のケーシング部分（１２₁）の第１の表面部（１２１）上には、全 ての結合導波路（３）が取り付けられており、 −前記両ケーシング部分（１２₁，１２₂）は、相互に対向し合った前記第１の 表面部（１２１，１２２）とハーメチックシールして相互に結合されており、該 結合の際、前記全ての光結合導波路（３）は、ハーメチックシールして、前記第 １の表面部（１２１，１２２）間に封入されており、前記両ケーシング部分（１ ２₁，１２₂）の前記第２の表面部（１１０₁，１１０₂）は、ほぼ一直線に並べら れていて、一緒に、前記第２のケーシング部（１２）のほぼ平坦な表面領域（１ ２０）を形成する請求項７ 〜９までのいずれか１記載のモジュール。 11． ファイバ（４）は、第２のケーシング部（１２）内に構成されたファイバ ガイドチャネル（４４）内に設けられていて、固定されている請求項６及び請求 項７〜１０までのいずれか１記載のモジュール。 12． ファイバガイドチャネル（４４）は、結合導波路（３）に隣接した、第２ のケーシング部（１２）の両ケーシング部分（１２₁，１２₂）のうちの少なくと も１つのケーシング部分（１２₁，１２₂）の表面部（１２１；１２２）の部分面 （１２１₁；１２２₁）内に構成されている請求項１０及び１１記載のモジュール 。 13． 第２のケーシング部（１２）の両ケーシング部分（１２₁，１２₂）のうち の一方のケーシング部分（１２₁）の、１つのファイバガイドチャネル（４４） を有する、表面領域（１２１）の部分面（１２１₁）は、当該ケーシング部（１ ２）の他方のケーシング部分（１２₂）から自由であり、前記ファイバガイドチ ャネル（４４）内に設けられたファイバ（４）は、個別の部分（１３₁）によっ て被覆されている請求項１２記載のモジュール。 14． ケーシング（１）は、 −第１のケーシング部（１３）を有しており、該第１のケーシング部（１３） には、全ての半導体レー ザ（２）、結合導波路（３）及び電気接続線路（５）が取り付けられており、該 取り付けの際、前記各半導体レーザ（２）の光出口窓（２１）には、前記各結合 導波路（３）毎に１つの端面（３１）が対向し合っているように取り付けられて おり、 −第２のケーシング部（１４）を有しており、該第２のケーシング部（１４） は、中空空間（１０）を限定するブラインドホール状の切欠部（１０４）を有し ており、 −前記第１及び第２のケーシング部（１３，１４）は、相互に調整されてハー メチックシールされて相互に結合されており、該結合の際、前記全ての半導体レ ーザ（２）は、前記ブラインドホール状の切欠部（１０４）の領域内に設けられ ており、前記切欠部（１０４）、前記結合導波路（３）及び前記電気接続線路（ ５）は、ハーメチックシールされて、前記第１及び第２の両ケーシング部（１３ ，１４）間に封入されており、その際、封入された前記切欠部（１０４）は、前 記ケーシング（１）の前記中空空間（１０）を形成する請求項１〜６までのいず れか１記載のモジュール。 15． 請求項１４記載のモジュールにおいて、 −第１のケーシング部（１３）は、ほぼ平坦な表面領域（１３０）を有してお り、該表面領域（１３０）には、全ての半導体レーザ（２）、結合導波路（ ３）及び電気接続線路（５）が取り付けられており、該取り付けの際、前記各半 導体レーザ（２）の光出口窓（２１）には、前記各結合導波路（３）毎に１つの 端面（３１）が対向し合っているように取り付けられており、 −第２のケーシング部（１４）は、ほぼ平坦な表面領域（１４０）を有してお り、該表面領域（１４０）は、当該第２のケーシング部（１４）内に構成された ブラインドホール状の切欠部（１０４）を有しており、 −前記第１及び第２のケーシング部（１３，１４）は、相互に調整されてハー メチックシールされて相互に結合されており、該結合の際、前記両表面領域（１ ３０，１４０）は、相互に対向し合っており、前記第２のケーシング部（１４） の前記表面領域（１４０）は、前記第２のケーシング部（１４）の前記表面領域 （１３０）内の開口部（１０４１）の領域内に設けられており、前記ブラインド ホール状の切欠部（１０４）は、ハーメチックシールされて、前記第１及び第２ の両ケーシング部（１３，１４）間に封入されていて、前記ケーシング（１）の 前記中空空間（１０）を形成し、前記全ての結合導波路（３）及び前記電気接続 線路（５）は、前記第１及び第２の両ケーシング部（１３，１４）の前記両表面 領域（１３０，１４０）間に封入されている請求 項１４記載のモジュール。 16． ファイバ（４）は、全ての結合導波路（３）に隣接した、第１のケーシン グ部（１３）及び／又は第２のケーシング部（１４）の表面領域（１３０，１４ ０）の部分領域（１３０１，１４０１）に構成されたファイバガイドチャネル（ ４４）内に設けられて、固定されている請求項６及び１４又は１５記載のモジュ ール。 17． 両ケーシング部（１３，１４）のうちの一方のケーシング部だけの、ファ イバガイドチャネル（４４）を有する表面領域（１３０；１４０）の部分面（１ ３０₁；１４０₁）は、他方のケーシング部（１４，１３）から自由であり、前記 ファイバガイドチャネル（４４）内に設けられたファイバ（４）は、個別の部分 （１３）によって被覆される請求項１６記載のモジュール。