JP2001507498A - 集積フォトカソード - Google Patents
集積フォトカソードInfo
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- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
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- H01J1/34—Photo-emissive cathodes
Landscapes
- Common Detailed Techniques For Electron Tubes Or Discharge Tubes (AREA)
Abstract
Description
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1.転送電子カソードの構造で基板に形成した複数の半導体層を含むフォトカソ ードであって、 前記基板が、その第一の主要側で光を受け、その第二の主要側で電子を放出し 、 前記構造を含む当該フォトカソードの複数の実質的に長方形状のものが、前記 基板飢えに横方向に画成され、その後、分割される、ところのフォトカソード。 2.請求の範囲第1項に記載のフォトカソードであって、 前記電子の放出を制御する、前記第二の主要側に形成した電極構造をさらに含 む、フォトカソード。 3.請求の範囲第1項に記載のフォトカソードであって、 前記電極構造と前記半導体層との間に挿入した絶縁層をさらに含む、ところの フォトカソード。 4.半導体フォトカソードであって、 その光受信面で光を受けることのでき、且つその電子放出面からの電子の放出 に応答する、半導体ヘテロ構造、及び 前記電子放出面に形成され、それを通じて前記半導体ヘテロ構造に伸長する複 数の開口部を含む伝導グリッドであって、前記グリッ ドが、前記ヘテロ構造に隣接した絶縁層、及び前記絶縁層飢えに形成した金属層 、を含む、ところの伝導グリッド、 を含む半導体フォトカソード。 5.請求の範囲第4項に記載のフォトカソードであって、 前記光受信面及び前記電子放出面が、半導体チップの二つの主要面を含み、 さらに、 前記光受信面を含む前記半導体チップの側に形成した伝導電極、及び 前記伝導グリッドの前記開口部に隣接した前記伝導電極の開口部、 をさらに含むフォトカソード。 6.請求の範囲第14項に記載のフォトカソードであって、 前記絶縁層が、30nm以下の厚さを有する、 ところのフォトカソード。 7.請求の範囲第14項に記載のフォトカソードであって、 前記絶縁層が、シリカからなる、ところのフォトカソード。 8.強化フォトセルであって、 その側に窓を含む真空外囲器、 前記真空外囲器の内部に面する前記窓の側に形成され、前記真空 外囲器の外部に電気的に接続される伝導トレース、 前記伝導トレースに鑞接された実質的に長方形状を有し、前記窓に面するその 第一の側から光を受け、それに向き合った第二の側から電子を放出する転送電子 カソードセル、及び 前記真空外囲器の前記内部に面する受信側を有し、前記放出した電子を受ける ように配置される電子検出器、 を含む強化フォトセル。 9.請求の範囲第8項に記載の強化フォトセルであって、 前記電子検出器が、フォトダイオードからなる、ところの強化フォトセル。 10.請求の範囲第8項に記載の強化フォトセルであって、 前記真空外囲器の外側に電気的に接続され、前記カソードセルの前記第二の側 に形成され、そこを通じて前記電子検出器に向かって前記電子を放出させるため の開口部を含む伝導グリッド、 をさらに含む強化フォトセル。 11. 請求の範囲第8項に記載の強化フォトセルであって、 長方形状のリセスが前記窓に形成され、前記カソードセルを受け且つ整列させ る、 ところの強化フォトセル。 12.複数のフォトカソードを形成する方法であって、 その第一の主要側で光を受け、その結果、その第二の主要側で電子を放出する ことのできる垂直なフォトカソード構造を有する半導体基板を与える工程、 前記基板に複数の横向きのフォトカソード構造を併せて画成する工程、及び 前記基板を複数のフォトカソードセルに分割する工程、 を含む方法。 13.請求の範囲第12項に記載の方法であって、 画成する前記工程が、 前記垂直のフォトカソード構造に垂直方向に隣接して前記第二の主要側の絶縁 層を形成する工程、 前記絶縁層上に金属層を付着させる工程、及び 前記垂直のカソード構造を露出するために前記金属層及び前記絶縁層を通じて 複数の開口部をエッチングする工程であって、これにより、前記金属層が、前記 開口部を通じて電子の放出を制御するための複数の電極構造を形成する、ところ の工程、 を含む、 ところの方法。 14.請求の範囲第12項に記載の方法であって、 画成する前記工程が、 前記第二の主要側に金属層をコーティングする第一の工程、 前記第一の主要側を処理する工程、及び 前記第二の主要側の前記金属層を電極パターンにエッチングする工程、 を含む、 ところの方法。 15.請求の範囲第14項に記載の方法であって、 前記のコーティングする第一の工程の前に、誘電体層を前記第二の主要側にコ ーティングする第二の工程、 をさらに含み、 前記のエッチングする工程が、前記金属層及び前記誘電体層を通じてエッチン グする、 ところの方法。 16.請求の範囲第15項に記載の方法であって、 エッチングする前記工程が、電子放出領域付近にグリッドパターンを形成する 、ところの方法。 17.請求の範囲第14項に記載の方法であって、 前記の処理する工程が、 電気的接触を前記第一の側に形成する工程、及び 非反射コーティングを前記第一の側に形成する工程、 を含む、 ところの方法。 18.請求の範囲第14項に記載の方法であって、 前記電気的接触が、前記非反射コーティングと異なる領域を占有する、ところ の方法。 19.フォト強化セルを製造する方法であって、 転送電子フォトカソードを作り出す垂直構造を含む複数の実質的に長方形状の フォトカソードセルを基板に同時に形成する工程であって、前記フォトカソード セルの各々が、その後部側に形成した光通過開口部、後部電極、及びその前部側 に形成した伝導グリッド、を含む、ところの工程、 その後、前記複数のフォトカソードセルを相互に分割する工程、 光を通過する窓の一方の側に伝導トレースを形成する工程であって、前記フォ トカソードセルが前記光を感知する、ところの工程、 前記フォトカソードセルの一つの外側の前記窓の周縁部分を真空外囲器に結合 させる工程、及び 前記フォトカソードセルの前記前部側から放出された電子を検出するために位 置した電子検出器を前記真空外囲器の内部に含める工程、 を含む方法。 20.請求の範囲第19項に記載の方法であって、 前記フォトカソードセルの一つをやや受けるために、長方形状のリセスを前記 窓に刻印する工程、をさらに含む方法。 21.請求の範囲第19項に記載の方法であって、 前記の同時に形成する工程が、 金属層を前記前部側に形成する工程、 その後、前記後部電極及び前記光通過開口部を前記後部側に形成する工程、及 び その後、前記グリッドを前記前部側の前記金属層に画成する工程、 を含む、 ところの方法。 22.光電子デバイスであって、 光を感知する部分を含む第一の主要側、及びその上に形成した電子構造を有す る第二の主要側を有する実質的に長方形状の光電子チップ、及び その面に形成した第一のリセスを有するガラス窓部材、 を含み、 前記第一の主要側が前記ガラス窓部材に面して前記光電子チップが前記第一の リセスに適合され、前記チップの前記の光を感知する 部分が、前記ガラス窓を通して送られた光で動作する、 ところの光電子デバイス。 23.請求の範囲第22項に記載の光電子デバイスであって、 前記光電子チップが、フォトカソードを含み、 前記フォトカソードの光を感知する部分が、前記の光を感知する部分に含まれ 、 前記フォトカソードの電子を放出する部分が、前記電子構造に含まれる、 ところの光電子デバイス。 24.請求の範囲第23項に記載の光電子デバイスであって、 前記フォトカソードが、転送電子フォトカソードである、ところの光電子デバ イス。 25.請求の範囲第22項に記載の光電子デバイスであって、 前記第一のリセスが、前記光電子チップの四辺を係合するための四つの辺を有 する、 ところの光電子デバイス。 26.請求の範囲第25項に記載の光電子デバイスであって、 前記ガラス窓部材に形成され、前記第一のリセスに連結した第二のリセス、及 び 前記第1及び第二のリセスの底部に形成され、前記光電子チップ の前記第一の主要側に接続した伝導層、 をさらに含む光電子デバイス。 27.電子チップを取り付ける方法であって、 ガラス基板をその溶融温度以下の軟化温度に加熱する工程、 前記基板にパターンを圧印する工程であって、前記パターンが、前記電子チッ プを整列できる寸法を有する第一の長方形状の凹みを少なくとも有する、ところ の工程、 機械的結合剤を前記第一の長方形状の凹みに付着させる工程、及び 前記機械的結合剤と接触させるために、前記電子チップを前記第一の長方形状 形状の凹みに配置する工程、 を含む方法。 28.請求の範囲第27項に記載の方法であって、 前記電子チップが、所定の波長バンド内の光を感知する第一の主要側を有し、 前記ガラス基板が、前記所定の波長バンド内で実質的に透過性であり、 前記電子チップの前記第一の主要側が、前記ガラス基板に隣接して配置される 、 ところの方法。 29.請求の範囲第28項に記載の方法であって、 前記電子チップが、転送電子デバイスからなる、ところの方法。 30.チタンからなる第一の部分、及びクロムからなる第二の部分を含む物体を選 択的にエッチングするための方法であって、 水酸化アンモニウムとパーオキシドとを含むエッチング溶液に前記物体を露出 させる工程、 を含む方法。 31.請求の範囲第30項に記載の方法であって、 前記第二の部分が、基板に付着した膜であり、 前記第一の部分が、前記第二の部分に付着した膜である、 ところの方法。 32.請求の範囲第30項に記載の方法であって、 前記の水酸化アンモニウムとパーオキシドとが、約l:2の体積比で混合される 、ところの方法。 33.請求の範囲第22項に記載の光電子デバイスであって、 前記ガラス窓部材が、真空外囲器の封入外部壁の端部を含み、 前記管が、そのアノードの出力スクリーンを含み、電子を集束して、前記出力 スクリーンに前記チップからの電子を集束させる、 ところの光電子デバイス。
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