JP2001505364A - 平滑イネーブルapc回路を備えたレーザダイオード - Google Patents

平滑イネーブルapc回路を備えたレーザダイオード

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JP2001505364A JP51937098A JP51937098A JP2001505364A JP 2001505364 A JP2001505364 A JP 2001505364A JP 51937098 A JP51937098 A JP 51937098A JP 51937098 A JP51937098 A JP 51937098A JP 2001505364 A JP2001505364 A JP 2001505364A
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Abstract

(57)【要約】 自動出力制御機能を備えたレーザダイオードドライバ(300)であって、駆動されたレーザ(302)での危険なパワーレベルを回避するように立上り特性が制御されたレーザダイオードドライバを開示する。本発明によるレーザダイオードドライバ(300)はバイアス制御信号(312)を生成する。バイアス制御信号は、レーザ(302)に供給されるバイアス電流が、立上り期間中に所定のレベル以下に維持されるようにバイアス電流源(304)を制御する。また、ダイオードレーザドライバにバイアスをかける方法も開示する。

Description

【発明の詳細な説明】 平滑イネーブルAPC回路を備えたレーザダイオード 発明の背景 1. 発明の分野 本発明はレーザダイオードドライバに係る。より具体的には、自動出力制御機 能を備えたレーザダイオードドライバに関する。 2. 先行技術の説明 図1は、従来のレーザダイオードドライバ100の概略図である。レーザダイオ ードドライバ100は、自動出力制御を行って、温度変化やエージングによるレー ザ特性の変化にかかわらず一定の光学出力を提供する。自動出力制御は、フィー ドバックループによって実現される。フィードバックループは、レーザからの平 均光パワーを検知してレーザバイアス電流を調節して一定の光パワーを維持しよ うとするものである。図1の従来のレーザダイオードドライバ100は、カリフォ ルニア州サニーベイルのマキシム・インテグレイティッド・プロダクツ社製のレ ーザダイオードドライバMAX3261を示したものである。 レーザダイオードドライバ100は、バイアス電流源(IBIAS)104からのバイア ス電流を使用してレーザ102を駆動する。レーザダイオードドライバ100は、レー ザ102にバイアスをかけるばかりでなく、レーザ102を制御してデータ通信の用途 に合わせた信号(デジタルデータなど)を送信する。このため、レーザダイオー ドドライバ100は、変調電流源(IMOD)110と共に差動トランジスタ対106と108を 備えており、レーザ102による送信用のデジタルデータを変調する。バイアス電 流源(IBIAS)104は、バイアス制御信号112によって制御される。バイアス制御 信号112は、レーザ102用のバイアス電流を変化させる。こうして自動出力制御機 能が提供される。 光ダイオード114は、レーザ102に光学的に接続されて、レーザ102の光パワー を指示するものを受信する。このように検出された光パワーに応じて、光ダイオ ード114は電流を生成する。光ダイオード114は、電源電位(VCC)と検 出電流源(IDET)116との間に接続されている。光ダイオード114の一方の端子と 検出電流源(IDET)116の一方の端子とは、ノード120で増幅器118の反転入力端 子に接続されている。よって、検出電流源(IDET)116は、ノード120と接地電位 (GND)との間に接続されている。加えて、コンデンサ122が、電源電位(VCC) とノード120との間に接続されている。増幅器118への非反転入力端子は、基準電 圧(REF)を受取る。レーザダイオードドライバ100は、更に、バイアス電流源( IBIAS)104と変調電流源(IMOD)110とを使用可能にするためのイネーブル信号 (ENABLE)を受信する。 光パワーが安全レベルを上回らないように、レーザダイオードドライバ100で レーザ102を平滑にオン状態にさせることが望ましい。レーザ102は、電源が投入 されるかイネーブル信号がアサートされるとオンになる。電源が投入されると、 即ち、電源のスイッチが入れられると、コンデンサ122が増幅器118の出力をロー レベルに初期化するので、図1に示すレーザダイオードドライバ100は、有効に 作用する。よって、バイアス電流源(IBIAS)104は、電源の投入中の当初オフ状 態を維持する。電源の投入後、増幅器118の反転入力が、次第に上昇して、自動 出力制御ループが閉回路になる基準電圧(REF)に到達するまで、検出電流(IDE T)116はコンデンサ122に流入する。従って、レーザ102は、電源の投入後の(コ ンデンサ122によって制御された)一定の遅延の終了までオンにならない。 しかし、レーザダイオードドライバ100は、イネーブル信号(ENABLE)がアサ ートされると安全なパワーレベルのものを出力しなくなるという問題がある。使 用禁止状態では、増幅器118の反転入力端子に現れる電圧は、検出電流源(IDET )116と増幅器118の入力バイアス電流とによってローレベルに引下げられる。こ の場合、レーザ102はオフであり光ダイオード114を通る電流は微々たるものであ る。使用禁止状態では、電流源(IBIAS)104と(IMOD)110とは両方ともオフで ある。イネーブル信号(ENABLE)がハイレベルになりレーザダイオードドライバ 100の使用が可能になると、反転入力が基準電圧(REF)よりも低いので、増幅器 118から出力されるバイアス制御出力信号112はハイレベルになる。増幅器118か ら出力されたバイアス制御出力信号112 がハイレベルのとき、バイアス電流源(IBIAS)104は外部抵抗器によって決定さ れる最大値を採る。このバイアス電流源(IBIAS)104によって発生させられた最 大バイアス電流は、外部抵抗器の構成によって異なるが、所望の動作電流より数 倍も大きくなり得る。これによって、レーザ102の光パワーは増加し潜在的に危 険な大きな値を採る。この大きな光パワーは、駆動されているレーザを損傷させ るばかりでなく人間の視力を損失させる。光パワーの増加によって大きな電流が 光ダイオード114に流入する。これによって、コンデンサ122の電圧が、ノード12 0で基準電圧(REF)に近づく。ノード122及び増幅器118の反転入力端子が基準電 圧(REF)に達すると、フィードバックループが閉じてレーザ102の光パワーが所 望のレベルにまで低下する。所望レベルは、検出電流源(IDET)116によって設 定された増幅器118の反転入力端子の安定電圧レベルに従ってバイアス制御信号1 12によって設定される。 このように、イネーブル信号のアサート後のレーザダイオードドライバの立上 りを平滑なものにすることが必要である。 発明の概要 概して、本発明は、自動出力制御機能を備えたレーザダイオードドライバであ って、駆動されたレーザからの光パワーレベルが危険なレベルにならないように 立上り特性が制御されたレーザダイオードドライバに係る。本発明によるレーザ ダイオードドライバは、レーザに供給されるバイアス電流が立上り期間中所定レ ベル以下に維持されるようにバイアス電流源を制御するための駆動制御信号を生 成する。 本発明は、装置として又は方法としてというように様々な形態で実現される。 本発明の実施形態をいくつか以下に述べる。 レーザを駆動するためのレーザダイオードドライバとして、本発明の一つの実 施形態は、電圧電源とノードとの間に接続された光検知素子であって、レーザの 光パワーを検知するための光検知素子と、ノードで受光素子に接続された電流源 と、電圧電源とノードとの間に接続されたコンデンサと、立上り期間中バイアス 制御信号を所定のレベル以下に維持するための維持手段とを含む。増幅器の反転 入力端子はノードに接続され、非反転入力端子は基準電圧を受取るように接続さ れている。また、バイアス制御信号は、レーザの駆動を制御するために用いられ る。好適には、バイアス制御信号は、レーザの平均光パワーを制御するために用 いられる。 レーザを駆動するためのレーザダイオードドライバであって、イネーブル信号 を受信し電圧電源に接続されるレーザダイオードドライバとして、本発明の別の 実施形態は、電圧電源とノードとの間に接続された光検知素子であって、レーザ の光パワーを検知する光検知素子と、ノードで受光素子に接続された電流源と、 反転入力端子と非反転入力端子とを備えバイアス制御信号を生成する増幅器と、 電圧電源とノードとの間に接続されたコンデンサと、電圧電源とノードとの間に 接続されたスイッチ素子とを含む。増幅器の反転入力端子はノードに接続され、 非反転入力端子は基準電圧を受取るように接続される。また、バイアス制御信号 はレーザの駆動を制御するために使用される。スイッチ素子は、レーザダイオー ドドライバ用の反転イネーブル信号によって作動される。 レーザを駆動するためのレーザダイオードドライバとして、本発明の更に別の 実施形態は、電圧電源とノードとの間に接続された光検知素子であって、レーザ の光パワーを検知する光検知素子と、ノードで受光素子に接続された電流源と、 反転入力端子と非反転入力端子とを備えバイアス制御信号を生成する増幅器と、 電圧電源とノードとの間に接続されたコンデンサと、レーザダイオードドライバ が使用可能になるときにレーザダイオードドライバを平滑に使用可能にするため の手段とを含む。増幅器の反転入力端子はノードに接続され、非反転入力端子は 基準電圧を受取るように接続されている。また、バイアス制御信号はレーザの駆 動を制御するために使用される。 レーザにバイアスをかける方法として、本発明の実施形態は、レーザの光パワ ーを検知するために光検知素子を光学的にレーザに接続し、光検知素子を使用し てレーザの光パワーを表す測定値電圧を生成する処理と、バイアス制御信号を生 成するために測定値電圧と基準電圧とを比較する処理と、バイアス制御信号に従 ってレーザへのバイアス駆動電流を変化させる処理と、立上り期間中第一の所定 のレベル以下にバイアス駆動電流を維持する処理とを含む。 本発明の利点は数知れない。その中の一つは、イネーブル信号の起動後にレー ザを安全に駆動させられる点である。その結果、レーザの光パワーは、レーザの 安全規則(例えば、家庭や仕事場で使われるレーザの安全規則)に準じてイネーブ ル信号に従って安全に制御される。本発明の別の利点は、従来の望ましくない高 レベルの光パワーが本発明によって防止されるので、レーザへの負荷が低減され る点である。更に別の利点は、集積回路としての製造に最適な点である。 本発明の別の側面と利点とは、本発明の原理に基づく添付の図面に関連付けて なされる次の詳細な説明から明らかになるであろう。 図面の簡単な説明 本発明は、添付の図面に関連した次の詳細な説明によって容易に理解されるで あろう。ここで、同様の参照番号は同様の構成要素を示す。 図1は、従来のレーザダイオードドライバの概略図である。 図2は、従来の代表的なレーザダイオードドライバと本発明による代表的なレ ーザダイオードドライバの両方に用いられるイネーブル信号によって生じる時間 の関数としてのレーザバイアス電流を表すグラフの具体例である。 図3は、本発明の第一の実施形態に係るレーザダイオードドライバの概略図で ある。 図4は、本発明の第一の実施形態に係るレーザダイオードドライバの具体例を 示す。 図5は、本発明の第二の実施形態に係るレーザダイオードドライバの概略図で ある。 図6は、本発明の第三の実施形態に係るレーザダイオードドライバの概略図で ある。 図7は、本発明の第四の実施形態に係るレーザダイオードドライバの概略図で ある。 図8は、本発明の第五の実施形態に係るレーザダイオードドライバの概略図で ある。発明の詳細な説明 本発明は、自動出力制御機能を備えたレーザダイオードドライバであって、駆 動されたレーザからの危険なパワーレベルを回避するために立上り特性が制御さ れたレーザダイオードドライバに関する。概して、レーザダイオードドライバは 、レーザに供給されるバイアス電流が立上り期間中に所定のレベル以下に維持さ れるようにバイアス電流源を制御するためのバイアス制御信号を生成する。 本発明の実施形態について図2〜図8を参照して考察する。但し、当業者には 容易に認識されるであろうが、これらの図面に関連して詳細に述べる内容は説明 のためのものであり、本発明はこれら限定的な実施形態の範囲を超えて適用され るものである。 図2は、従来のレーザダイオードドライバ100と本発明に従った代表的なレー ザダイオードドライバの両方に用いられるオン動作で生じる時間の関数としての レーザバイアス電流を示すグラフの具体例200である。レーザダイオードドライ バのオン動作は、アサートされたイネーブル信号(ENABLE)によって引起こされ る。グラフ200には、従来のレーザダイオードドライバ100で用いられるレーザバ イアス電流を表す第一電流曲線202と本発明によるレーザダイオードドライバで 用いられるレーザバイアス電流を表す第二曲線204とが描出されている。第一電 流曲線202は、イネーブル信号のアサート後、約300ナノ秒(ns)で安定するまで 75ミリアンペア(mA)のレベルにまで急激に上昇しているのが分かる。第一電流 曲線202は、この例では、100ns点から300ns点と大きく危険な電流へと増加して いるので満足のいくものではない。この具体例の場合、約40mA以上の電流は危険 である。上記のように、危険な電流は、レーザを破壊し人間の視力を喪失させて 盲目にさせる。逆に、第二電流曲線204は、危険な値を採ることなく平滑に上昇 してイネーブル信号がアサートされた後約200nsで安定した電流値になる。 図3は、本発明の第一の実施形態に係るレーザダイオードドライバ300の概略 図である。レーザダイオードドライバ300は、レーザ302を駆動して通信媒体を介 してのデータ送信を可能にする。例えば、レーザ302によって生成される光は、 ファイバオプティックスケーブルを介して受信装置(図示せず)へと送 信される。レーザ302は、バイアス電流源(IBIAS)304によってバイアスがかけ られる。データ信号は、更に、変調電流源(IMOD)310から供給される追加電流 を選択的にレーザ302に切換えることによって、レーザ302から出力される光に変 調される。切換え処理は、トランジスタ306と308の差動対によって制御される。 切換え処理は非通信用途では必要ではない場合もあるので留意する。 バイアス電流源(IBIAS)304は、バイアス制御信号312に基づく自動出力制御 機能を備えている。自動出力制御機能は、フィードバックループによって実現さ れる。フィードバックループは、レーザからの平均光パワーを検知しレーザバイ アス電流を調節して一定の光パワーを維持する。バイアス制御信号312は、光ダ イオード314と検出電流源(IDET)316と増幅器318とノード320とコンデンサ322 とスイッチ324とを用いて生成される。光ダイオード314は、レーザ302に光学的 に接続されて、レーザ302の出力パワーに応じた電流を生成する。光ダイオード3 14及びコンデンサ322は、第一電源電圧(VCC)とノード320との間に接続されて いる。ノード320は、増幅器318の反転入力端子に接続されている。増幅器318の 非反転入力端子は、参照電圧(REF)を受取る。検出電流源(IDET)316は、ノー ド320と第二電源電圧(GND)との間に接続されている。一つの実施形態において は、第一電圧電源(VCC)は5ボルトで第二電源電圧(GND)は0ボルトであ る。また、基準電圧(REF)は約3ボルトである。更に、スイッチ324は、レーザ ダイオードドライバ300が使用禁止状態の時にノード320を第一電源電圧(VCC) に接続される。レーザダイオードドライバ300は、外部から供給されるイネーブ ル信号(ENABLE)がローレベル(即ち、アサートされない)の時に、使用禁止に される。外部から供給されるイネーブル信号(ENABLE)は、レーザダイオードド ライバ300によって受信されてバイアス電流源(IBIAS)304と変調電流源(IMOD )310とに供給される。インバータ326は、イネーブル信号(ENABLE)を反転させ て反転イネーブル信号をスイッチ324に供給する。ここで、イネーブル信号(ENA BLE)がローレベルのとき、スイッチ324に供給される反転イネーブル信号はハイ レベルである。 スイッチ324は、起動されると、反転イネーブル信号がハイレベルならば増 幅器318(ノード320)の反転入力端子を第一電源電圧(VCC)に接続する。増幅 器118の反転入力端子を第一電源電圧(VCC)に切換えることによって、コンデン サ122は放電される。イネーブル信号が次にハイレベルになると、コンデンサ122 は滑らかに充電される。逆に、レーザダイオードドライバ300が使用可能にされ た後、バイアス制御信号312はローレベルにされる。従って、レーザ302にバイア スがかけられて、レーザダイオードドライバ300が使用可能になった直後の期間 危険なパワーレベルのパワーが生成されるということはない(図2の曲線204を参 照)。 本発明の第一実施形態によれば、スイッチ素子を設けて、レーザダイオードド ライバ300が使用禁止にされた場合に、増幅器318の反転入力端子をハイレベルに 引上げてコンデンサ122を放電させるようにする。その後、イネーブル信号(ENA BLE)がハイレベルになると、増幅器318の出力はローレベルになる。また、レー ザバイアス電流源(IBIAS)304は、増幅器318の反転入力が基準電圧(REF)にな るまで、オフのままである。バイアス電流源(IBIAS)304から供給されたレーザ バイアス電流は、このように、コンデンサ322によって設定された速度で平滑に 増加する。レーザ302の光パワーは、やはり、検出電流源(IDET)によって設定 された所望の値にまで平滑に上昇する。 図4は、本発明の第一の実施形態に係るレーザダイオードドライバ400の具体 例を示す。レーザダイオードドライバ400は、レーザダイオードドライバ300と同 様に構成される。但し、スイッチ素子324は、バイポーラトランジスタ402で構成 される。バイポーラトランジスタ402は、ベースがインバータ326の出力端子に接 続され、コレクタが第一電源電圧(VCC)に接続され、エミッタがノード320及び 増幅器318の反転入力端子に接続されている。この場合、ノード320は、使用禁止 状態での第一の電源電圧(VCC)以下で基準電圧(REF)以上の接続低下状態に維 持される。レーザダイオードドライバ400が使用可能状態のときの動作は、上述 のレーザダイオードドライバ300と同じである。 本発明の第一実施形態は、増幅器318の反転入力を第一電源電圧に切換えるが 、本発明は、レーザダイオードドライバが使用禁止状態のときに増幅器318 の非反転入力を第二電源電圧(GND)に切換えることによっても実現される。こ の場合、レーザダイオードドライバは、使用可能にされると平滑に安全に動作す る。本発明の第二実施形態と第四実施形態と第五実施形態とは、増幅器318の非 反転入力の切換えを利用している。 図5は、本発明の第二の実施形態に係るレーザダイオードドライバ500の概略 図である。レーザダイオードドライバ500は、レーザダイオードドライバ300と同 様の構成を有する。但し、スイッチ素子324及びインバータ326は提供されていな い。その代わりに、本実施形態では、増幅器318の非反転入力は、レーザダイオ ードドライバ500が使用禁止状態のときに、第二電源電圧(GND)に(即ち、ロー レベルに)引下げられる。この動作は、増幅器318の非反転入力端子と第二電源 電圧(GND)との間に接続されたスイッチ素子502によって行われる。スイッチ素 子502は、反転イネーブル信号によって制御される。インバータ504は、イネーブ ル信号を受信し反転出力信号をスイッチ素子502に出力する。レーザダイオード ドライバ500が使用禁止状態のとき、スイッチ素子502は、起動されて増幅器318 の非反転入力端子を第二電源電圧(GND)に接続する。レーザダイオードドライ バ500は、更に、抵抗器506とコンデンサ508とを備え、抵抗コンデンサ(RC)時 定数を設定する。レーザダイオードドライバ500が使用可能状態になると、スイ ッチ502は非活動化する(即ち、もはや、増幅器318の非反転入力端子を第二電源 電圧(GND)に接続しない)。その後、増幅器318の非反転入力端子の電圧は、ゆ っくり上昇して基準電圧(REF)に達する。従って、イネーブル信号(ENABLE) がハイレベルになると、増幅器318の出力はローレベルになる。また、レーザバ イアス電流源(IBIAS)304は、増幅器318の非反転入力が基準電圧(REF)に達す るまでオフのままである。基準電圧点で、自動出力制御ループは閉回路になる。 図6は、本発明の第三の実施形態に係るレーザダイオードドライバ600の概略 図である。レーザダイオードドライバ600は、第一実施形態のレーザダイオード ドライバ300と同様に構成されている。但し、スイッチ素子324とインバータ326 とは使用されない。また、バイアス電流源(IBIAS)304のイネーブル端子の接続 は異なる。レーザダイオードドライバ600は、抵抗器602とコンデ ンサ604とを含む。抵抗器602は、イネーブル信号(ENABLE)とバイアス電流源( IBIAS)304のイネーブル端子との間に接続されている。コンデンサ604は、バイ アス電流源(IBIAS)304のイネーブル端子と第二電源電圧(GND)との間に接続 されている。抵抗器602とコンデンサ604との効果は、イネーブル信号(ENABLE) をアサートしてレーザダイオードドライバ600を使用可能にした後にバイアス電 流源(IBIAS)304を使用可能にするための遅延時間を提供することである。この 結果、レーザ302は、イネーブル信号(ENABLE)のアサート後の遅延時間が経過 するまで起動されない。この遅延によって、バイアス制御出力信号312は、バイ アス電流源(IBIAS)304を使用可能にする前に安定値に落ち着く。従って、レー ザダイオードドライバ600は、イネーブル信号のアサート後に発生する大きく危 険なレーザバイアス電流からレーザ302を防御する。 図7は、本発明の第四の実施形態に係るレーザダイオードドライバ700の概略 図である。レーザダイオードドライバ700は、第二実施形態に係るレーザダイオ ードドライバ500と同様に構成されている。主要な相違点は、更なる増幅器702と 抵抗器704とがトランスインピーダンス増幅器として設けられ、コンデンサ322が 使用されない点である。また、基準電圧(REF)は増幅器318の反転入力端子に供 給される。増幅器318の非反転入力端子は、抵抗器506を介してトランスインピー ダンス増幅器702と704の出力端子に接続されている。トランスインピーダンス増 幅器702と704の出力端子706からは高速電圧信号が生成される。高速電圧信号は 、別の関連回路のためにレーザダイオードドライバ700内の他のところで使用さ れる。 図8は、本発明の第五の実施形態によるレーザダイオードドライバ800の概略 図である。レーザダイオードドライバ800は、図7に示すレーザダイオードドラ イバ700に類似している。主要な相違点は、別の電子素子を追加して変調電流源 (IMOD)310に対してフィードバック制御を施す点である。この種のフィードバ ックは、温度変化や素子特性変化に左右されることなく、「0」のデータ送信と 「1」のデータ送信との間の差が均一に保たれることを確保するために有効であ る。追加回路は、「1」のデータ送信に対応する電圧レベルを識別するピーク 検出器802と、ピーク電圧と変調基準電圧(MODREF)(例えば、3ボルト)とを比 較して変調制御信号806を生成するための増幅器804とを含む。変調制御信号806 は変調電流源(IMOD)310に供給される。これによって、データ送信に用いられ るデジタルデータを変調するために使われる変調電流が調節される。増幅器804 の非反転入力段階には、変調電流源(IMOD)310を平滑に使用可能状態にするた めの平滑イネーブル回路が設けられる。平滑イネーブル回路は、スイッチ素子80 8とコンデンサ810と抵抗器812とを含む。スイッチ素子808は、増幅器804の非反 転入力端子と第二電源電圧(GND)との間に接続される。スイッチ素子808は、ス イッチ素子502と同様にインバータ504の出力によって制御される。コンデンサ81 0は、増幅器804の非反転入力端子と第二電源電圧(GND)との間に接続される。 また、抵抗器812は、増幅器804の非反転入力端子とピーク検出器802の出力端子 との間に直列に接続される。コンデンサ810と抵抗器812とは、遅延時間(RC時定 数)を設定する。これによって、イネーブル信号(ENABLE)がアサートされてレ ーザダイオードドライバ800が使用可能にされると、非反転入力端子は、ローレ ベルの電位値から変調基準電圧値(MODREF)へとゆっくり上昇する。相互に影響 し合うフィードバックループによる安定化問題を回避するために、抵抗器812と コンデンサ810とを選んで抵抗器505とコンデンサ508とによって設定されるRC時 定数とは異なるRC時定数を選択することが好ましい。 本発明で用いられるスイッチ素子は、MOSFETやリレーやダイオードスイッチや アナログスイッチなど様々な形態を採ることができる。要するに、本発明によれ ば、(自動出力制御回路の)制御フィードバックループは、電源が付勢されると き、或いは、イネーブル信号がアサートされるときに、余分な検出電流が存在す るとみなす。これは、自動出力制御回路の増幅器の反転入力端子を電源電圧(VC C)に切換えることによって、或いは、増幅器の非反転入力端子を接地電圧(GND )に切換えることによって達成される。増幅器の反転入力を電源電圧(VCC)に 切換えることによって、レーザダイオードドライバが使用可能状態ではないとき には、自動出力制御回路のコンデンサが放電されるからである。レーザダイオー ドドライバが使用可能状態になると、増幅器の反転入力端子に現出 する電圧は、制御速度でゆっくりと変化する。別の場合には、増幅器の非反転入 力を接地電圧(GND)に切換えることによって、レーザダイオードドライバが使 用可能状態でなければ、非反転入力端子に現出する電圧はローレベルに維持され る。レーザダイオードドライバが使用可能状態になると、増幅器の非反転入力端 子に現出する電圧は、制御速度で接地電圧から基準電圧(REF)へとゆっくり変 化する。 光ダイオード314は、好適には、PIN(p型真性n型)監視光ダイオードである 。代わりに、光ダイオード314は、電子なだれ光ダイオードか光トランジスタな ど別の光検知素子でもよい。 本発明によるレーザダイオードドライバは、特に、集積回路設計に最適である 。本発明によるレーザダイオードドライバは、また、通信媒体を介しての高速デ ータ送信にも最適である。通信媒体は、直接リンクでもネットワーク化リンクで もよい。好適には、通信媒体は、ファイバオプティックスケーブルなどの光リン クを備えている。 本発明の多数の特徴と利点とについては記載の説明から明らかである。添付の 請求の範囲で、本発明のそのような特徴と利点の全てを網羅するものである。更 に、修正や変更は様々な形態で当業者によって容易になされるものであり、本発 明は、図示され記載された構成及び動作に限定されるものではない。故に、全て の修正及び均等物は、本発明の範囲に入るものとされる。
【手続補正書】特許法第184条の8第1項 【提出日】平成10年8月10日(1998.8.10) 【補正内容】 請求の範囲 1. 電圧電源とノードとの間に接続された光検知素子であって、レーザの光 パワーを検知する光検知素子と、 前記ノードで前記光検知素子に接続された電流源と、 反転入力端子と非反転入力端子とを備えたバイアス制御信号を生成する増幅器 であって、前記反転入力端子は前記ノードに接続され、前記非反転入力端子は基 準電圧を受取るように接続され、前記バイアス制御信号は前記レーザの駆動を制 御するために使用される増幅器と、 前記電圧電源と前記ノードとの間に接続されたコンデンサと、 立上り期間中に前記バイアス制御信号を所定のレベル以下に維持する維持手段 と、 を含むレーザを駆動するためのレーザダイオードドライバ。 2. 前記増幅器が、前記反転入力端子と前記非反転入力端子とで受信される 信号間の差に基づいて前記バイアス制御信号を生成する請求項1に記載のレーザ ダイオードドライバ。 3. 前記維持手段が、前記立上り期間中に前記バイアス制御信号をロー状態 に維持する請求項1に記載のレーザダイオードドライバ。 4. 前記レーザダイオードドライバが集積回路として製造される請求項1に 記載のレーザダイオードドライバ。 5. 前記光検知素子が光学的に前記レーザに接続された光ダイオードであり 、前記バイアス制御信号は前記レーザの平均光パワーを制御するために使用され る請求項1に記載のレーザダイオードドライバ。 6. 電圧電源とノードとの間に接続された光検知素子であって、レーザの光 パワーを検知する光検知素子と、 前記ノードで前記光検知素子に接続された電流源と、 反転入力端子と非反転入力端子とを備えてバイアス制御信号を生成する増幅器 であって、前記反転入力端子は前記ノードに接続され、前記非反転入力端子は基 準電圧を受取るように接続され、前記バイアス制御信号は前記レーザの駆動を制 御するために使用される増幅器と、 前記電圧電源と前記ノードとの間に接続されたコンデンサと、 前記電圧電源と前記ノードとの間に接続されたスイッチ素子であって、前記レ ーザダイオードドライバへの反転イネーブル信号によって作動されるスイッチ素 子と、 を含むレーザを駆動するためのレーザダイオードドライバであって、イネーブ ル信号を受信し電圧電源に接続されたレーザダイオードドライバ。 7. 前記スイッチ素子が前記電圧電源と前記ノードとの間に接続されたバイ ポーラトランジスタであり、前記バイポーラトランジスタは前記反転イネーブル 信号によって起動される請求項6に記載のレーザダイオードドライバ。 8. 更に、前記バイアス制御信号に従って前記レーザにバイアスをかけるた めのレーザバイアス電流源と、 変調電流を供給するための信号変調電流源と、 前記レーザを介して光学的に送信されるデジタル信号に従って前記変調電流を 前記レーザに供給するための変調スイッチと を含む請求項6に記載のレーザダイオードドライバ。 9. 前記レーザダイオードドライバが集積回路である請求項6に記載のレー ザダイオードドライバ。 10. 前記光検知素子が光学的に前記レーザに接続された光ダイオードであり 、前記バイアス制御信号が前記レーザの平均光パワーを制御するために使用され る請求項6に記載のレーザダイオードドライバ。 11. 前記スイッチ素子が前記電圧電源と前記ノードとの間に接続されたバイ ポーラトランジスタであり、前記バイポーラトランジスタは前記反転イネーブ ル信号によって起動され、前記ダイオードドライバは集積回路として製造される 請項10に記載のレーザダイオードドライバ。 12. 電圧電源とノードとの間に接続された光検知素子であって、レーザの光 パワーを検知する光検知素子と、 前記ノードで前記光検知素子に接続された電流源と、 反転入力端子と非反転入力端子とを備えバイアス制御信号を生成する増幅器で あって、前記反転入力端子は前記ノードに接続され前記非反転入力端子は基準電 圧を受取るように接続され、前記バイアス制御信号は前記レーザの駆動を制御す るために使用される増幅器と、 前記電圧電源と前記ノードとの間に接続されたコンデンサと、 前記レーザダイオードドライバが使用可能にされるときに前記レーザダイオー ドドライバを滑らかに使用可能にするための手段と、 を含むレーザを駆動するためのレーザダイオードドライバ。 13. 前記レーザダイオードドライバが集積回路として製造される請求項12 に記載のレーザダイオードドライバ。 14. 前記光検知素子が光学的に前記レーザに接続された光ダイオードであり 、前記バイアス制御信号が前記レーザの平均光パワーを制御するために使用され る請求項12に記載のレーザダイオードドライバ。 15. レーザの光パワーを検知するために該レーザに光学的に接続された光検 知素子を提供する段階と、 前記光検知素子を用いて前記レーザの前記光パワーを示す測定値電圧を生成す る段階と、 バイアス制御信号を生成するために前記測定値電圧と基準電圧とを比較する段 階と、 前記バイアス制御信号に従って前記レーザへのバイアス駆動電流を変化させる 段階と、 立上り期間中に前記バイアス駆動電流を第一の所定レベル以下に維持する段階 と、 前記測定値電圧から測定値変調量を決定する段階と、 変調制御信号を生成するために前記測定変調量と変調基準電圧とを比較する段 階と、 前記変調制御信号に従って前記レーザへの変調駆動電流を変化させる段階と、 前記立上り期間中に前記変調駆動電流を第二の所定レベル以下に維持する段階 と、を含むレーザにバイアスをかけるための方法。 16. 立上り期間がイネーブル立上りシーケンスに対応する請求項15に記載 の方法。 17. 第一の所定レベルが実質的にオフである請求項15に記載の方法。 19. 前記第二の所定レベルが実質的にオフである請求項15に記載の方法。 20. 立上り期間がイネーブル立上りシーケンスに対応する請求項21に記載 の方法。 21. レーザの光パワーを検知するために該レーザに光学的に接続された光検 知素子を提供する段階と、 前記光検知素子を用いて前記レーザの前記光パワーを示す測定値電圧を生成す る段階と、 バイアス制御信号を生成するために前記測定値電圧と基準電圧とを比較する段 階と、 前記バイアス制御信号に従って前記レーザへのバイアス駆動電流を変化させる 段階と、 前記測定値電圧から測定値変調量を決定する段階と、 変調制御信号を生成するために前記測定変調量と変調基準電圧とを比較する段 階と、 前記変調制御信号に従って前記レーザへの変調駆動電流を変化させる段階と、 を含むレーザにバイアスをかけるための方法。 22. 前記立上り期間中に前記変調駆動電流を所定レベル以下に維持する段階 と、を含む請求項21に記載の方法。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1. 電圧電源とノードとの間に接続された光検知素子であって、レーザの光 パワーを検知する光検知素子と、 前記ノードで前記受光素子に接続された電流源と、 反転入力端子と非反転入力端子とを備えたバイアス制御信号を生成する増幅器 であって、前記反転入力端子は前記ノードに接続され前記非反転入力端子は基準 電圧を受取るように接続され、前記バイアス制御信号はレーザの駆動を制御する ために使用される増幅器と、 電圧電源とノードとの間に接続されたコンデンサと、 立上り期間中に前記バイアス制御信号を所定のレベル以下に維持する維持手段 と、 を含むレーザを駆動するためのレーザダイオードドライバ。 2. 前記増幅器が、前記反転入力端子と前記非反転入力端子とで受信される 信号間の差に基づいて前記バイアス制御信号を生成する請求項1に記載のレーザ ダイオードドライバ。 3. 前記維持手段が、前記立上り期間中に前記バイアス制御信号をロー状態 に維持する請求項1に記載のレーザダイオードドライバ。 4. 前記レーザダイオードドライバが集積回路として製造される請求項1に 記載のレーザダイオードドライバ。 5. 前記光検知素子が光学的に前記レーザに接続された光ダイオードであり 、前記バイアス制御信号は前記レーザの平均光パワーを制御するために使用され る請求項1に記載のレーザダイオードドライバ。 6. 電圧電源とノードとの間に接続された光検知素子であって、レーザの光 パワーを検知する光検知素子と、 前記ノードで前記受光素子に接続された電流源と、 反転入力端子と非反転入力端子とを備えてバイアス制御信号を生成する増幅器 であって、前記反転入力端子は前記ノードに接続され、前記非反転入力端子は基 準電圧を受取るように接続され、前記バイアス制御信号は前記レーザの駆動を制 御するために使用される増幅器と、 前記電圧電源と前記ノードとの間に接続されたコンデンサと、 前記電圧電源と前記ノードとの間に接続されたスイッチ素子であって、前記レ ーザダイオードドライバへの反転イネーブル信号によって作動されるスイッチ素 子と、 を含むレーザを駆動するためのレーザダイオードドライバであって、イネーブ ル信号を受信し電圧電源に接続されたレーザダイオードドライバ。 7. 前記スイッチ素子が前記電圧電源と前記ノードとの間に接続されたバイ ポーラトランジスタであり、前記バイポーラトランジスタは前記反転イネーブル 信号によって起動される請求項6に記載のレーザダイオードドライバ。 8. 更に、前記バイアス制御信号に従って前記レーザにバイアスをかけるた めのレーザバイアス電流源と、 変調電流を供給するための信号変調電流源と、 前記レーザを介して光学的に送信されるデジタル信号に従って前記変調電流を 前記レーザに供給するための変調スイッチと を含む請求項6に記載のレーザダイオードドライバ。 9. 前記レーザダイオードドライバが集積回路である請求項6に記載のレー ザダイオードドライバ。 10. 前記光検知素子が光学的に前記レーザに接続された光ダイオードであり 、前記バイアス制御信号が前記レーザの平均光パワーを制御するために使用され る請求項6に記載のレーザダイオードドライバ。 11. 前記スイッチ素子が前記電圧電源と前記ノードとの間に接続されたバイ ポーラトランジスタであり、前記バイポーラトランジスタは前記反転イネーブル 信号によって起動され、前記ダイオードドライバは集積回路として製造される請 項10に記載のレーザダイオードドライバ。 12. 電圧電源とノードとの間に接続された光検知素子であって、レーザの光 パワーを検知する光検知素子と、 前記ノードで前記受光素子に接続された電流源と、 反転入力端子と非反転入力端子とを備えバイアス制御信号を生成する増幅器で あって、前記反転入力端子は前記ノードに接続され前記非反転入力端子は基準電 圧を受取るように接続され、前記バイアス制御信号は前記レーザの駆動を制御す るために使用される増幅器と、 前記電圧電源と前記ノードとの間に接続されたコンデンサと、 前記レーザダイオードドライバが使用可能にされるときに前記レーザダイオー ドドライバを滑らかに使用可能にするための手段と、 を含むレーザを駆動するためのレーザダイオードドライバ。 13. 前記レーザダイオードドライバが集積回路として製造される請求項12 に記載のレーザダイオードドライバ。 14. 前記光検知素子が光学的に前記レーザに接続された光ダイオードであり 、前記バイアス制御信号が前記レーザの平均光パワーを制御するために使用され る請求項12に記載のレーザダイオードドライバ。 15. レーザの光パワーを検知するために該レーザに光学的に接続された光検 知素子を提供する段階と、 該光検知素子を用いて前記レーザの前記光パワーを示す測定値電圧を生成する 段階と、 バイアス制御信号を生成するために前記測定値電圧と基準電圧とを比較する段 階と、 バイアス制御信号に従って前記レーザへのバイアス駆動電流を変化させる段階 と、 立上り期間中に前記バイアス駆動電流を第一の所定レベル以下に維持する段階 と、 を含むレーザにバイアスをかけるための方法。 16. 立上り期間がイネーブル立上りシーケンスに対応する請求項15に記載 の方法。 17. 第一の所定レベルが実質的にオフである請求項15に記載の方法。 18. 更に、測定値電圧から測定変調量を決定する段階と、 変調制御信号を生成するために前記測定変調量と変調基準電圧とを比較する段 階と、 前記変調制御信号に従って前記レーザへの変調駆動電流を変化させる段階と、 前記立上り期間中に前記変調駆動電流を第二の所定レベル以下に維持する段階 と、 を含む請求項15に記載の方法。 19. 前記第二の所定レベルが実質的にオフである請求項18に記載の方法。 20. 立上り期間がイネーブル立上りシーケンスに対応する請求項18に記載 の方法。
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