JP3389480B2 - Ld保護回路 - Google Patents

Ld保護回路

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JP3389480B2
JP3389480B2 JP28363397A JP28363397A JP3389480B2 JP 3389480 B2 JP3389480 B2 JP 3389480B2 JP 28363397 A JP28363397 A JP 28363397A JP 28363397 A JP28363397 A JP 28363397A JP 3389480 B2 JP3389480 B2 JP 3389480B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はLD電流が設定値に
なるように制御する自動電流制御回路(ACC回路)を
備えたLD駆動部におけるLD保護回路に係わり、特
に、低温起動時におけるLD(レーザダイオード)の過
剰発光を防止してLDを保護するLD保護回路に関す
る。
【0002】
【従来の技術】高速光伝送において、波長変動(チャー
ピング)による伝送特性劣化が無視できなくなってい
る。また、波長多重方式(Wavelength Division Multip
lexing方式)においては波長の安定性が非常に重要にな
ってくる。その為、LD駆動部をACC回路(Automati
c Current Control 回路)とATC回路(AutomaticTemp
erature Control 回路)を組み合わて構成し、LD(レ
ーザダイオード)の電流が一定電流値となるように、か
つ、LDチップ温度(LD温度)が一定温度となるよう
に制御する。
【0003】図15はデジタル光通信の光送信器の構成
図であり、1はLD駆動部であり、1aはLD(レーザ
ダイオード)、2はLD電流が設定電流値になるように
制御するACC回路、3はLD温度が設定値となるよう
に制御するATC回路である。また、4,5は光ファイ
バ、6はデータ信号DATAをクロックCLKで打ち抜
くD型フリップフロップ(D−FF)、7は光強度変調
器駆動回路(DRV)、8はデータの”1”,”0”に
より光強度を変調する光強度変調器(IM)である。
【0004】図16はACC回路2の例であり、1aは
レーザダイオード(LD)、R1〜R3は抵抗(抵抗値
はr1〜r3)、TR1はトランジスタ、IC1はオペ
レーションアンプで構成したコンパレータ(Op Am
p)である。LD 1aとトランジスタTR1と抵抗R
1は直列に接続され、LD 1aを流れる電流をidと
するid・r1がコンパレータIC1の反転端子に入力
されている。一方、コンパレータの正転端子には抵抗R
2,R3で分圧した基準電圧VREFが入力されている。
このACC回路は、抵抗R1の端子間電圧id・r1が
基準電圧VREFになるようにトランジスタTR1をオン
/オフ制御してLD電流idを設定電流値にする。すな
わち、抵抗R2,R3の分圧により得られる電圧VREF
がそのまま抵抗R1の両端にかかる電圧となりその電圧
を抵抗値r1で割った値がLD 1aに流れる電流id
となる。つまり抵抗R1の部分が定電流源となり、常に
その電流値(=VREF/r1)になるようにトランジス
タTR1のベースをコンパレータIC1でコントロール
することにより温度変化に対しても一定電流値を得る事
ができる。
【0005】図17はATC回路3の例であり、1aは
LDチップ、3aは電流の方向によりLDチップを加
熱、冷却するペルチェ素子、3bはLDチップの温度を
検出する負性抵抗特性を有するサーミスタ、3cはこれ
らLD、ペルチェ素子、サーミスタを収容するパッケー
ジである。3d,3eは抵抗、3f,3gはPNP,N
PNのトランジスタ、3hはコンパレータである。コン
パレータの正転端子にはサーミスタと抵抗で分圧した電
圧(LD温度に応じた電圧)Vtが入力し、反転端子に
は基準電圧Vrefが入力され、出力端子は各トランジス
タのベースに接続されている。PNPトランジスタ3f
のエミッタはV+に接続され、NPNトランジスタ3g
のエミッタはV−に接続され、各トランジスタのコレク
タはペルチェ素子3aに接続されている。
【0006】LDチップの温度が低いと、サーミスタ3
bの抵抗が増加して電圧Vtが減小し、Vt<Vref
となり、コンパレータ3hの出力が正になる。この結
果、トランジスタ3fがオフ、トランジスタ3gがオン
してペルチェ素子を発熱する方向に電流が流れてパッケ
ージ内を加熱し、LD温度が上昇する。LDチップの温
度が上昇すると、サーミスタの抵抗が減小して電圧Vt
が増加し、Vt>Vrefとなり、コンパレータ3gの
出力が負になる。この結果、トランジスタ3fがオン、
トランジスタ3gがオフしてペルチェ素子を冷却する方
向に電流が流れてLD温度を下降する。この結果、LD
温度は設定温度となるように制御される。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図1の光送
信器に低温で電源を投入してLD 1aを駆動すると、
LDが過剰発光し、LD自身が破損する恐れがある。こ
の過剰発光は以下の理由によるものである。LDは図1
8に示すような温度特性を有し、低温ほど一定のLD電
流を流すに必要なパワーPが大きくなる。また、ACC
制御によりLD電流が設定値になるACC安定時間と、
ATC制御によりLD温度が設定温度になる安定時間を
比べると、ACC安定時間よりATC安定時間の方が長
い。このため、低温で電源を投入してLDを駆動する
と、図19に示すようにATC制御の遅れによりにLD
チップが設定温度となる前に、すなわち低温時にACC
制御によりLD電流が設定値になり、これによりLDの
発光パワーが増大し、過剰発光し、LD自身がの特性劣
化、破損をきたす。つまりACC回路によりLD電流は
目標値に達しているがLD温度は目標値に達していない
為目標値を超えて発光することになる。
【0008】以上から、本発明の目的は、低温駆動時に
おけるLDの過剰発光を防止し、LDの破壊、特性劣化
が生じないようにすることである。本発明の目的は、L
Dの発光パワー(後方パワー)をモニターして低温駆動
時におけるLDの過剰発光を防止し、LDの破壊、特性
劣化が生じないようにすることである。本発明の目的
は、LDチップの温度をモニターして低温駆動時におけ
るLDの過剰発光を防止し、LDの破壊、特性劣化が生
じないようにすることである。本発明の目的は、電源投
入後の経過時間をモニターして低温駆動時におけるLD
の過剰発光を防止し、LDの破壊、LDの特性劣化が生
じないようにすることである。
【0009】
【課題を解決するための手段】
(a)本発明の第1の原理 図1は本発明の第1の原理説明図である。11はLD
(レーザダイオード)、12はLD電流が設定値になる
ように制御するACC回路、13はLD温度が一定にな
るように制御するATC回路、14は光ファイバ、15
はLDの発光パワーをモニターするパワーモニター回路
であり、LD後方のパワー(後方パワーBP)を発光パ
ワーとして検出するもの、16は発光パワーが設定パワ
ー以上になったとき、LD電流を制限するLD電流制限
回路、16aは基準電圧発生部であり、設定パワーに応
じた基準電圧Vrを出力するもの、16bは検出された
発光パワーに応じた電圧Vpと基準電圧Vrを比較する
コンパレータである。
【0010】低温駆動時に、ATC制御の遅れにより設
定温度となる前にACC制御によりLD電流が増大して
設定電流値近くなるとLDの発光パワーが増大する。発
光パワーが増大して設定パワー以上になると、LD電流
制限回路16はACC回路12をしてACC制御を停止
させてLD電流を制限し、これによりLDの過剰発光を
防止する。かかる状態においてATC制御により温度が
上昇してLDの発光パワーが設定パワー以下になれば、
LD電流制限回路16はACC回路のACC制御機能を
回復させてLD電流が設定電流値になるように制御す
る。以上のようにすれば、LDの発光パワー(後方パワ
ー)をモニターして低温駆動時におけるLDの過剰発光
を防止し、LDの破壊、特性劣化が生じないようにでき
る。
【0011】(b)本発明の第2の原理 図2は本発明の第2の原理説明図である。11はLD
(レーザダイオード)、12はLD電流が設定値になる
ように制御するACC回路、13はLD温度が一定にな
るように制御するATC回路、14は光ファイバ、16
はLD温度が設定温度以下のとき、LD電流を制限する
LD電流制限回路、21はLDチップの温度をモニター
する温度モニター回路である。LD電流制限回路16に
おいて、16aは基準電圧発生部であり、設定温度に応
じた基準電圧Vrを出力するもの、16bは検出温度に
応じた電圧VTと基準電圧Vrを比較するコンパレータ
である。低温時にLDを駆動するとはじめはLD温度が
設定温度以下になっている。このため、LD電流制限回
路16はACC回路12をしてACC制御を停止し、L
D電流を制限する。これによりLDの低温時における過
剰発光を防止することができる。かかる状態においてA
TC制御によりLD温度が上昇して設定温度以上になる
と、LDはLD電流が増加しても過剰発光しないから、
LD電流制限回路16はACC回路のACC制御機能を
回復し、LD電流が設定電流値となるようにする。以上
のようにすれば、LD温度をモニターして低温駆動時に
おけるLDの過剰発光を防止し、LDの破壊、特性劣化
が生じないようにできる。
【0012】(c)本発明の第3の原理 図3は本発明の第3の原理説明図である。11はLD
(レーザダイオード)、12はLD電流が設定値になる
ように制御するACC回路、13はLD温度が一定にな
るように制御するATC回路、14は光ファイバ、16
は電源投入後の経過時間が設定時間に達していない時、
ACC制御を停止してLD電流を制限し、電源投入後の
経過時間が設定時間に達した時、ACC制御を回復して
LD電流を設定値にするLD電流制限回路、31は電源
投入後の経過時間をモニターする経過時間モニター回路
であり、例えば、出力電圧VLが電源投入後の経過時間
に従って増大する遅延回路(積分回路)で構成されてい
る。LD電流制限回路16において、16aは基準電圧
発生部であり、設定時間に応じた基準電圧Vrを出力す
るもの、16bは経過時間に応じた電圧VLと基準電圧
Vrを比較するコンパレータである。LD電流制限回路
16は電源投入後の経過時間が設定時間になるまで、A
CC制御を停止してLD電流を制限し、これにより低温
時におけるLDの過剰発光を防止する。経過時間が設定
時間を越えれば、ATC制御により温度が上昇してお
り、LD電流を増加してもLDは過剰発光しないから、
LD電流制限回路16はACC回路12のACC制御機
能を回復させてLD電流を設定値に制御する。以上のよ
うにすれば、電源投入後の経過時間をモニターして低温
駆動時におけるLDの過剰発光を防止し、LDの破壊、
特性劣化が生じないようにできる。
【0013】
【発明の実施の形態】
(A)発光パワーを検出して過剰発光を防止する実施例 (a)第1実施例 図4は発光パワー(LDの後方パワー)を検出して過剰
発光を防止する第1実施例の構成図であり、図1の原理
説明図と同一部分には同一符号を付している。11はL
D(レーザダイオード)であり、ペルチェ素子17やL
Dチップの温度を検出するサーミスタ18、LDの後方
パワー(光強度)を検出するピンフォトダイオード19
と共にパッケージPKGに納められている。
【0014】12はLD電流が設定電流値になるように
制御するACC回路であり、図16に示すACC回路と
同一の構成を備えると共に、抵抗R1に適宜電流を流し
込む電流源(後述)16dが接続されている。後方パワ
ーが設定パワー以下の場合、電流源16dから電流の流
れ込みがないため、ACC回路12はLD電流idが設
定電流値となるようにACC制御を行う。しかし、後方
パワーが設定パワー以上の場合には、電流源16dより
電流が抵抗R1に流れ込む。このため、ACC回路12
はACC機能を停止し、流入した分、LD電流idを減
小し、LD電流値を制限する。13はLD温度が一定に
なるように制御するATC回路であり、図17に示すA
TC回路と同一の構成を備えている。15はピンフォト
ダイオード19を用いて後方パワーに応じた電圧信号
(後方パワーモニター信号BP)を出力するパワーモニ
ター回路、16は後方パワーが設定パワー以上になった
とき、LD電流を制限するLD電流制限回路である。
【0015】LD電流制限回路16において、16aは
基準電圧発生部で、抵抗R7,R8で分圧して基準電圧
Vrを出力するもの、16bはオペレーションアンプで
構成され、検出された発光パワーに応じた電圧Vpと基
準電圧Vrを比較するコンパレータ(Op Amp)、
16cはボルテージフォロワ回路、16dは電流源であ
り、後方パワーが設定パワーより大きいとき(Vp<V
r)の時にオンし、後方パワーが設定パワーより小さい
とき(Vp≧Vr)の時にオフするトランジスタTR2
と、コレクタとアース間に接続された抵抗R4を有し、
トランジスタTR2のエミッタはACC回路12の抵抗
R1に接続されている。基準電圧Vrの設定は、LDの
前方向パワーとLDの後方パワーBPが比例関係にある
事を利用し前方向パワーが通常の何倍かのときに相当す
る後方パワーモニター信号BPの電圧になるように設定
しておく。
【0016】以上の構成において、低温でLD駆動回路
の電源を投入した場合、LDの温度が安定するまでの
間、後方パワーモニター信号BPの電圧Vpが基準電圧
Vrより小さな電位になり(Vp<Vr)、コンパレー
タ16bの出力がトランジスタTR2をオンできる位ま
で下がる。この結果、ACC回路12の抵抗R1の両端
の電圧はトランジスタTR2の吐き出し電流により決定
され、LD電流idが低減する。すなわち、後方パワー
(発光パワー)が大きくなって、後方パワーモニター信
号BPの電圧値Vpが基準電圧Vrより小さな電位にな
ると(LD 11が過剰発光しようとすると)、トラン
ジスタTR2がオンし、Vp=VrとなるようにLD電
流idを制限し,過剰発光を防止する。
【0017】以上より、図5に示すように、LDの低温
駆動において、LD温度がATC制御で目標温度まで上
昇する前にACC制御でLD電流が大きくなり、これに
よりLD 11が過剰発光しようとすると(時刻t1)、
発光パワーが一定となるようにLD駆動回路が動作する
(APCモード: Automatic Power Control モード)。
その後、ATC制御によりLD11の温度が設定温度に
安定すると(時刻t2)、後方パワーモニター信号BP
の電圧Vpは基準電圧Vrより高電位となる為、コンパ
レータ16bの出力が上がり,電流源16dのトランジ
スタTR2がオフする。これによりACC回路12はA
CC機能を回復し、LD電流idを抵抗R2,R3の抵
抗比で設定した電流値となるように制御する(ACCモ
ード)。この回路構成は低温で電源を投入した場合LD
の過剰発光防止をするという動作をすると同時に、トラ
ンジスタTR2を常にONさせた状態で使うとAPC回
路としても使用できるメリットがある。
【0018】(b)第2実施例 図6は発光パワー(LDの後方パワー)を検出して過剰
発光を防止する第2実施例の構成図であり、図1の原理
説明図と同一部分には同一符号を付している。11はL
D(レーザダイオード)であり、ペルチェ素子17やL
Dチップの温度を検出するサーミスタ18、LDの後方
パワー(光強度)を検出するピンフォトダイオード19
と共にパッケージPKGに納められている。
【0019】12はLD電流が設定電流値になるように
制御するACC回路であり、図16に示すACC回路と
同一の構成を備えると共に、コンパレータIC1の正転
端子に基準電圧低減回路(後述)16eが接続されてい
る。後方パワーが設定パワー以下の場合、基準電圧低減
回路16eはコンパレータIC1の基準電圧VREFを低
減しない。このため、ACC回路12はLD電流idが
設定電流値(=VREF/r1)となるようにACC制御
を行う。しかし、後方パワーが設定パワー以上になる
と、基準電圧低減回路16eはコンパレータIC1の正
転端子に入力する基準電圧VREFを小さくする。ACC
回路12はLD電流idが流れた時の抵抗R1の端子間
電圧(=id・r1)が基準電圧VREFと等しくなるよ
うに制御するから、基準電圧が小さくなるとLD電流i
dは小さくなって制限される。13はLD温度が一定に
なるように制御するATC回路であり、図17に示すA
TC回路と同一の構成を備えている。15はピンフォト
ダイオード19を用いて後方パワーに応じた電圧信号
(後方パワーモニター信号)を出力するパワーモニター
回路、16は後方パワーが設定パワー以上になったと
き、LD電流を制限するLD電流制限回路である。
【0020】LD電流制限回路16において、16aは
基準電圧発生部で、抵抗R7,R8で分圧して基準電圧
Vrを出力するもの、16bはオペレーションアンプで
構成され、検出された発光パワーに応じた電圧Vpと基
準電圧Vrを比較するコンパレータ、16eはダイオー
ド構成の基準電圧低減回路であり、コンパレータ16b
の出力端子とACC回路12のコンパレータIC1の正
転入力端子間を図示の極性でダイオードDDを介して接
続している。後方パワーが設定パワーより大きいとき
(Vp<Vr)、ダイオードDDは順バイアスされる。
このため、ACC回路12のコンパレータIC1の基準
電圧VREFはコンパレータ16bの出力からダイオード
1個分上がった低い電位となり、LD電流idを制限す
る。一方、後方パワーが設定パワーより小さいとき(V
p≧Vr)、ダイオードDDは逆バイアスされる。この
ため、ACC回路12のコンパレータIC1の基準電圧
REFは抵抗R2,R3で分圧した大きな値となり、A
CC回路12はid・r1が該基準電圧VREFと等しく
なるように、すなわち、LD電流idがVREF/r1と
等しくなるように制御する。
【0021】基準電圧Vrの設定は、LDの前方向パワ
ーとLDの後方パワーBPが比例関係にある事を利用し
前方向パワーが通常の何倍かのときに相当する後方パワ
ーモニター信号BPの電圧に設定しておく。以上の構成
において、低温でLD駆動回路の電源を投入した場合、
LDの温度が安定するまでの間、後方パワーモニター信
号BPの電圧Vpが基準電圧Vrより小さな電位になり
(Vp<Vr)、コンパレータ16bの出力がダイオー
ドDDをオンできる位まで下がりLD電流idは、抵抗
分割比ではなくてコンパレータ16bの出力からダイオ
ード1個分上がった電位によって決定される。
【0022】すなわち、後方パワー(発光パワー)が大
きくなって後方パワーモニター信号BPの電圧値Vpが
基準電圧Vrより小さくなると(LD 11が過剰発光
しようとすると)、ダイオードDDがオンし(順バイア
ス)、LD電流idを制限する(APCモード)。その
後、ATC制御によりLDの温度が設定温度に安定する
と、後方パワーモニター信号BPの電圧Vpは基準電圧
Vrより高電位となる。このため、コンパレータ16b
の出力が上昇し、ダイオードDDがオフし(逆バイア
ス)、LD電流idは通常の抵抗R2,R3の抵抗比で
決定する電流値となる(ACCモード)。この第2実施
例の回路構成は低温で電源を投入した場合、LDの過剰
発光を防止するという動作をすると同時に、ダイオード
DDを常にONさせた状態で使うとAPC回路としても
使えるメリットがある。
【0023】(B)LD温度を検出して過剰発光を防止
する実施例 (a)第1実施例 図7はLDチップの温度を検出して過剰発光を防止する
第1実施例の構成図である。この第1実施例は図4の発
光パワーを検出して過剰発光を防止する実施例と類似の
構成を有し、同一部分には同一符号を付している。異な
る点は、(1) 図4のパワーモニタ回路15を削除した
点、(2) ATC回路13内に設けられ温度モニター回路
21から出力されるLD温度に応じた電圧を有する信号
(温度モニター信号TP)をLD電流制限回路16に入
力している点、(3) 基準電圧VrをATC制御の目標温
度より数 °C低い温度に相当する電圧に設定している
点である。
【0024】ATC回路13の温度モニター回路21で
LD 11のチップ温度をモニターし、該温度に応じた
温度モニター信号TPをボルテージフォロワ16cに入
力し、ボルテージフォロワ16cよりLD温度に応じた
電圧値VTをコンパレータ16bに入力する。コンパレ
ータ16bは抵抗R7,R8によって設定される基準電
圧VrとLD温度に応じた電圧VTを比較する。基準電
圧Vrは、ATC制御の目標温度から数 °Cより低い
温度において温度モニター回路21から出力される電圧
値に設定されている。したがって、低温でLD駆動部の
電源を投入した場合、LD 11の温度が安定するまで
の間(設定温度になるまでの間)、温度モニター回路21
から出力される電圧VTが基準電圧Vrより負の方向の
電位になる(VT<Vr)。VT<Vrの期間、コンパレ
ータ16bの出力は電流源16dのトランジスタTR2
をオンできるまで下がり、電流源16dはACC回路1
2の抵抗R1に電流を流し込む。このため、コンパレー
タIC1の反転入力が正転入力であるVREFより大きく
なりトランジスタTR1がオフしてLD電流idが零に
なる。以上より、LD 11が過剰発光する温度となっ
ている間はトランジスタTR2がオンしてLD電流id
を絞り、LD 11が過剰発光しないようにしてその破
損、特性劣化を防止する(ACC停止モード)。
【0025】しかる後、ATC制御によりLD 11の
温度が上昇して温度モニター回路21から出力される電
圧VTが基準電圧Vrより高電位になると、コンパレー
タ16bの出力が正になり、トランジスタTR2をオフ
する。この結果、以後、ACC回路12はACC制御機
能を回復し、LD電流idを抵抗R2,R3で設定した
基準電圧VREFに応じた電流値にする(ACCモー
ド)。
【0026】以上より、図8に示すように、LDの低温
駆動において、LD温度がATC制御の目標温度の数0
C以下の温度に上昇するまで、LD電流idは零にな
り、LDの発光パワー(光出力)も零になっている(A
CC停止モード)。すなわち、LDが過剰発光する温度
となっている間はLD電流idが零なって、LDの過剰
発光を防止する。しかる後、ATC制御でLD温度が上
昇してATC制御の目標温度の数0C以下の温度になる
と(時刻t1)、ACC回路はACC機能を回復し、L
D電流idを抵抗R2,R3の抵抗比で設定した電流値
となるように制御する(ACCモード)。このように、
温度が上昇してからACC制御するため、LDの過剰発
光は生じない。尚、以上では、ACC停止モードにおい
てLD電流idを零にしたが、零でなくてもよい。すな
わち、過剰発光しない程度のLD電流を流すようにして
もよい。以上より、低温で電源を投入した直後の最も過
剰発光しやすい領域でLDの電流を強制的にしぼりLD
の破損、LDの特性劣化を防ぐことができる。
【0027】(b)第2実施例 図9はLDチップの温度を検出して過剰発光を防止する
第2実施例の構成図である。この第2実施例は図6の発
光パワーを検出して過剰発光を防止する実施例と類似の
構成を有し、同一部分には同一符号を付している。異な
る点は、(1) 図6のパワーモニタ回路15を削除した
点、(2) ATC回路13内に設けられ温度モニター回路
21から出力されるLD温度に応じた電圧VTをLD電
流制限回路16(コンパレータ16cの正転端子)に入力
している点、(3) 基準電圧VrをATC制御の設定温度
より数 °C低い温度に相当する電圧に設定している点
である。
【0028】ATC回路13の温度モニター回路21で
LD 11のチップ温度をモニターし、該温度に応じた
電圧信号VTをコンパレータ16bに入力する。コンパ
レータ16bは抵抗R7,R8によって決定される基準
電圧VrとLD温度に応じた電圧VTを比較する。基準
電圧Vrは、ATC制御の目標温度から数°C以下の温
度において温度モニター回路21から出力される電圧値
に設定されている。したがって、低温でLD駆動部の電
源を投入した場合、LD 11の温度が安定するまでの
間(設定温度になるまでの間)、温度モニター回路21
から出力される電圧VTが基準電圧Vrより負の方向の
電位になる(VT<Vr)。VT<Vrの期間、コンパレ
ータ16bの出力がダイオードDDをオンできる位まで
下がりLD電流idは、抵抗分割比ではなくてコンパレ
ータ16bの出力からダイオード1個分上がった電位に
よって決定され、過剰発光しない程度の電流値に制限さ
れる。
【0029】以上より、LD 11が過剰発光する低い
温度となっている間はダイオードDDがオンしてLD電
流idを絞り、LD 11が過剰発光しないようにして
その破損、特性劣化を防止する(ACC停止モード)。
しかる後、ATC制御によりLD 11の温度が上昇し
て温度モニター回路21から出力される電圧VTが基準
電圧Vrより高電位になると、コンパレータ16bの出
力が正になり、ダイオードDDをオフする。この結果、
以後、ACC回路12はACC制御機能を回復し、LD
電流idを抵抗R2,R3で設定した基準電圧VREF
応じた電流値にする(ACCモード)。
【0030】(C)電源投入後の経過時間をモニターし
て過剰発光を防止する実施例 (a)第1実施例 図10は電源投入後の経過時間をモニターして過剰発光
を防止する第1実施例の構成図である。この第1実施例
は図4の発光パワーを検出して過剰発光を防止する実施
例と類似の構成を有し、同一部分には同一符号を付して
いる。異なる点は、(1) 図4におけるパワーモニタ回路
15、ボルテージフォロワ16cを削除した点、(2) 電
源投入後の経過時間をモニターする経過時間モニター回
路31を設け、該経過時間モニター回路から出力される
経過時間に応じた電圧VLをLD電流制限回路16(コン
パレータ16bの正転端子)に入力している点、(3) 電
源投入後のATC制御でLD温度が略一定温度になるま
での時間に相当する電圧を基準電圧Vrとして設定して
いる点である。
【0031】経過時間モニター回路31は、抵抗R10
とコンデンサC1の積分回路で構成され、電源電圧が入
力されている。低温時にLD駆動部の電源を投入する
と、投入時点からコンデンサ端子電圧(出力電圧VL
が時定数R10・C1で指数関数的に上昇する。コンパ
レータ16bは抵抗R7,R8によって決定される基準
電圧Vrと電源投入後の経過時間に応じた電圧VLを比
較する。基準電圧Vrは、電源投入後のATC制御でL
D温度が略一定温度になるまでの時間に相当する電圧で
ある。このため、LD 11の温度が安定するまでの
間、時間経過モニター回路31から出力される電圧VL
は基準電圧Vrより負の方向の電位になる(VL<V
r)。VL<Vrの期間、コンパレータ16bの出力は
電流源16dのトランジスタTR2をオンできるまで下
がり、電流源16dはACC回路12の抵抗R1に電流
を流し込む。このため、コンパレータIC1の反転入力
が正転入力であるVRE Fより大きくなりトランジスタT
R1がオフしてLD電流idが零になる。以上より、L
D温度が略一定温度になるまで、すなわち、LD 11
が過剰発光する可能性がある期間を経過すると、トラン
ジスタTR2がオンしてLD電流idを絞り、LD 1
1が過剰発光しないようにし、その破損、特性劣化を防
止する(ACC停止モード)。
【0032】しかる後、ATC制御によりLD 11の
温度が上昇して略一定温度になると、時間経過モニター
回路31から出力される電圧VLが基準電圧Vrより高
電位になる。VL>Vrになると、コンパレータ16b
の出力が正になり、トランジスタTR2をOFFする。
この結果、以後、ACC回路12はACC制御機能を回
復し、LD電流idを抵抗R2,R3で設定した基準電
圧VREFに応じた電流値にする(ACCモード)。
【0033】以上より、図11に示すように、LDの低
温駆動において、LD温度が安定するまでLD電流id
は零になり、LDの発光パワーも零になっている(AC
C停止モード)。すなわち、LDが過剰発光する可能性
のある低い温度となっている間はLD電流idが零なっ
て、LDの過剰発光を防止する。しかる後、ATC制御
でLD温度が安定すると(時刻t1)、ACC回路12
はACC機能を回復し、LD電流idを抵抗R2,R3
の抵抗比で設定した電流値となるように制御する(AC
Cモード)。このように、温度が上昇してからACC制
御するため、LDの過剰発光は生じない。尚、以上で
は、ACC停止モードにおいてLD電流idを零にした
が、零でなくてもよい。すなわち、過剰発光しない程度
のLD電流を流すようにしてもよい。以上により、AC
C回路12は電源投入後数秒間は動作しない。このた
め、低温起動時、まずATC回路13が動作して温度が
安定状態になる。そして、温度が安定状態になってから
ACC回路12が動作し始める。このためLDの過剰発
光を防止できる。
【0034】(b)第1実施例の変形例 図12は第1実施例の変形例であり、電源投入後の経過
時間モニター回路31をカウンタとDAコンバータで構
成した例である。図中31aは一定周波数で発振する発
振器、31bはカウンタ、31cはカウンタの計数値を
DA変換するDAコンバータである。カウンタ31bは
電源投入後、発振器31aが出力するパルスを計数し、
DAコンバータ31cはカウンタの計数値をDA変換
し、経過時間に比例して増大する電圧信号VLを出力す
る。
【0035】(c)第2実施例 図13は電源投入後の経過時間をモニターして過剰発光
を防止する第2実施例の構成図である。この第2実施例
は図6の発光パワーを検出して過剰発光を防止する実施
例と類似の構成を有し、同一部分には同一符号を付して
いる。異なる点は、(1) 図6のパワーモニタ回路15を
削除した点、(2) 電源投入後の経過時間をモニターする
経過時間モニター回路31を設け、該経過時間モニター
回路から出力される経過時間に応じた電圧VLをLD電
流制限回路16(コンパレータ16bの正転端子)に入力
している点、(3) 電源投入後のATC制御でLD温度が
略一定温度になる(安定する)までの時間に相当する電
圧を基準電圧Vrとして設定している点である。
【0036】経過時間モニター回路31は、抵抗R10
とコンデンサC1の積分回路で構成され、電源電圧が入
力されている。低温時にLD駆動部の電源を投入する
と、投入時点からコンデンサ端子電圧(出力電圧VL
が時定数R10・C1で指数関数的に上昇する。コンパ
レータ16bは抵抗R7,R8によって決定される基準
電圧Vrと電源投入後の経過時間に応じた電圧VLを比
較する。基準電圧Vrは、電源投入後のATC制御でL
D温度が略一定温度になるまでの時間に相当する電圧で
ある。このため、LD 11の温度が安定するまでの
間、時間経過モニター回路31から出力される電圧VL
が基準電圧Vrより負の方向の電位になる(VL<V
r)。VL<Vrの期間、コンパレータ16bの出力が
ダイオードDDをオンできる位まで下がりLD電流id
はコンパレータ16bの出力からダイオード1個分上が
った電位によって決定され、過剰発光しない程度の電流
値に制限される。以上より、LD 11が過剰発光する
可能性のある低い温度となっている間はダイオードDD
がオンしてLD電流idを絞り、LD 11が過剰発光
しないようにしてその破損、特性劣化を防止する(AC
C停止モード)。
【0037】しかる後、ATC制御によりLD 11の
温度が上昇して略一定温度になると、時間経過モニター
回路31から出力される電圧VLが基準電圧Vrより高
電位になる。VL>Vrになると、コンパレータ16b
の出力が正になり、ダイオードDDがオフする。この結
果、以後、ACC回路12はACC制御機能を回復し、
LD電流idを抵抗R2,R3で設定した基準電圧V
REFに応じた電流値にする(ACCモード)。以上によ
り、ACC回路12は電源投入後数秒間は動作しないた
め、低温起動時、まずATC回路13が動作して温度が
安定状態になる。そして、温度が安定状態になってから
ACC回路12が動作し始めるためLDの過剰発光を防
止できる。
【0038】(d)第2実施例の変形例 図14は第2実施例の変形例であり、電源投入後の経過
時間モニター回路31をカウンタとDAコンバータで構
成した例である。図中、31aは一定周波数で発振する
発振器、31bはカウンタ、31cはカウンタの計数値
をDA変換するDAコンバータである。カウンタ31b
は電源投入後、発振器31aが出力するパルスを計数
し、DAコンバータ31cはカウンタの計数値をDA変
換し、経過時間に比例して増大する電圧信号VLを出力
する。以上、本発明を実施例により説明したが、本発明
は請求の範囲に記載した本発明の主旨に従い種々の変形
が可能であり、本発明はこれらを排除するものではな
い。
【0039】
【発明の効果】以上本発明によれば、LDの発光パワー
(後方パワー)をモニターし、後方パワーが設定パワー
以上になったとき以後LD電流を制限し、しかる後、L
D温度が上昇して後方パワーが設定パワー以下になった
時、ACC制御によりLD電流が設定電流値になるよう
にしたから、LD温度が低い時にLD電流を制限でき、
これによりLDの過剰発光を防止でき、LDの破壊、特
性劣化が生じないようにできる。
【0040】本発明によれば、LDの温度をモニター
し、LD温度が設定温度より低いときLD電流を制限
し、LD温度が設定温度以上になった時、ACC制御に
よりLD電流が設定電流値になるようにしたから、低温
駆動時におけるLDの過剰発光を防止でき、LDの破
壊、特性劣化が生じないようにできる。
【0041】本発明によれば、電源投入後の経過時間を
モニターし、経過時間が設定時間を越えていないときL
D電流を零あるいは低電流値に制限し、経過時間が設定
時間を越えてからLD電流が設定電流値に等しくなるよ
うにACC制御したから、この設定時間を電源投入から
LD温度が略一定温度になるまでの時間(LD温度が安
定するまでの時間)とすることにより、LD温度の低い
時にLD電流を制限することができ、これによりLDの
過剰発光を防止でき、LDの破壊、特性劣化を生じない
ようにできる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の原理説明図である。
【図2】本発明の第2の原理説明図である。
【図3】本発明の第3の原理説明図である。
【図4】発光パワーを検出して過剰発光を防止する第1
実施例である。
【図5】第1実施例の低温起動時の動作説明図である。
【図6】発光パワーを検出して過剰発光を防止する第2
実施例である。
【図7】LD温度を検出して過剰発光を防止する第1実
施例である。
【図8】図7の第1実施例の低温起動時の動作説明図で
ある。
【図9】LD温度を検出して過剰発光を防止する第2実
施例である。
【図10】電源投入経過時間をモニターして過剰発光を
防止する第1実施例である。
【図11】電源投入経過時間モニター型の低温起動時の
動作説明図である。
【図12】第1実施例の変形例である。
【図13】電源投入経過時間をモニターして過剰発光を
防止する第2実施例である。
【図14】第2実施例の変形例である。
【図15】光送信器ブロック図である。
【図16】ACC回路例である。
【図17】ATC回路例である。
【図18】LDの温度特性説明図である。
【図19】低温起動時のLDの動作説明図である。
【符号の説明】
11・・LD(レーザダイオード) 12・・ACC回路 13・・ATC回路 14・・光ファイバ 15・・パワーモニター回路 16・・LD電流制限回路 16a・・基準電圧発生部 16b・・コンパレータ 21・・温度モニター回路 31・・経過時間モニター回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 美斉津 摂夫 神奈川県横浜市港北区新横浜2丁目3番 9号 富士通ディジタル・テクノロジ株 式会社内 (72)発明者 清永 哲也 神奈川県川崎市中原区上小田中4丁目1 番1号 富士通株式会社内 (56)参考文献 特開 昭64−76546(JP,A) 特開 昭57−133685(JP,A) 特開 昭55−1147(JP,A) 特開 平4−14884(JP,A) 特開 平10−178230(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01S 5/00 - 5/50

Claims (9)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 LD電流が設定値になるように制御する
    自動電流制御回路を備えたLD駆動部のLD保護回路に
    おいて、 LD(レーザダイオード)の発光パワーをモニターする
    パワーモニター回路、 該発光パワーが設定値以上になった時、自動電流制御を
    停止してLD電流を制限し、発光パワーが設定値以下に
    なった時、自動電流制御を回復してLD電流を設定電流
    値にするLD電流制限回路を備えたことを特徴とするL
    D保護回路。
  2. 【請求項2】 自動電流制御回路は、LDと半導体スイ
    ッチと抵抗よりなる直列回路と、抵抗の端子電圧が設定
    電圧になるように半導体スイッチを制御してLD電流を
    設定電流値にする制御回路を備え、 前記LD電流制限回路は、発光パワーと設定値を比較す
    る比較回路、発光パワーが設定値以上になった時、前記
    抵抗にLD電流以外の電流を流し込んでLD電流を設定
    電流値より小さくし、発光パワーが設定値以下になった
    時、該電流の流し込みを停止してLD電流を設定電流値
    にする制御回路を備えたことを特徴とする請求項1記載
    のLD保護回路。
  3. 【請求項3】 自動電流制御回路は、LDと半導体スイ
    ッチと抵抗よりなる直列回路と、抵抗の端子電圧が設定
    電圧になるように半導体スイッチを制御してLD電流を
    設定電流値にする制御回路を備え、 前記LD電流制限回路は、発光パワーと設定値を比較す
    る比較回路、発光パワーが設定値以上になった時、前記
    設定電圧値を小さくしてLD電流を設定電流値より小さ
    くし、発光パワーが設定値以下になった時、前記設定電
    圧値を正常値に戻してLD電流を設定電流値にする制御
    回路を備えたことを特徴とする請求項1記載のLD保護
    回路。
  4. 【請求項4】 LD電流が設定値になるように制御する
    自動電流制御回路を備えたLD駆動部のLD保護回路に
    おいて、 LD(レーザダイオード)の温度をモニターする温度モ
    ニター回路、 LDの温度が設定温度以下の時、自動電流制御を停止し
    てLD電流を制限し、LDの温度が設定温度以上の時、
    自動電流制御を回復してLD電流を設定電流値にするL
    D電流制限回路を備えたことを特徴とするLD保護回
    路。
  5. 【請求項5】 自動電流制御回路は、LDと半導体スイ
    ッチと抵抗よりなる直列回路と、抵抗の端子電圧が設定
    電圧になるように半導体スイッチを制御してLD電流を
    設定電流値にする制御回路を備え、 前記LD電流制限回路は、LD温度と設定値を比較する
    比較回路、LD温度が設定値以下の時、前記抵抗にLD
    電流以外の電流を流し込んでLD電流を設定電流値より
    小さく、あるいは零にし、LD温度が設定値以上になっ
    た時、該電流の流し込みを停止してLD電流を設定電流
    値にする制御回路を備えたことを特徴とする請求項4記
    載のLD保護回路。
  6. 【請求項6】 自動電流制御回路は、LDと半導体スイ
    ッチと抵抗よりなる直列回路と、抵抗の端子電圧が設定
    電圧になるように半導体スイッチを制御してLD電流を
    設定電流値にする制御回路を備え、 前記LD電流制限回路は、LD温度と設定値を比較する
    比較回路、LD温度が設定値以下の時、前記設定電圧値
    を小さくしてLD電流を設定電流値より小さく、あるい
    は零にし、LD温度が設定値以上になった時、前記設定
    電圧値を正常値に戻してLD電流を設定電流値にする制
    御回路を備えたことを特徴とする請求項4記載のLD保
    護回路。
  7. 【請求項7】 LD電流が設定値になるように制御する
    自動電流制御回路を備えたLD駆動部のLD保護回路に
    おいて、 電源投入後の経過時間をモニターする経過時間モニター
    回路、 電源投入後の経過時間が設定時間に達していない時、自
    動電流制御を停止してLD電流を制限し、電源投入後の
    経過時間が設定時間に達した時、自動電流制御を回復し
    てLD電流を設定電流値にするLD電流制限回路を備え
    たことを特徴とするLD保護回路。
  8. 【請求項8】 自動電流制御回路は、LDと半導体スイ
    ッチと抵抗よりなる直列回路と、抵抗の端子電圧が設定
    電圧になるように半導体スイッチを制御してLD電流を
    設定電流値にする制御回路を備え、 前記LD電流制限回路は、経過時間と設定時間を比較す
    る比較回路、経過時間が設定時間に達していない時、前
    記抵抗にLD電流以外の電流を流し込んでLD電流を設
    定電流値より小さく、あるいは零にし、経過時間が設定
    時間に達した時、該電流の流し込みを停止してLD電流
    を設定電流値にする制御回路を備えたことを特徴とする
    請求項7記載のLD保護回路。
  9. 【請求項9】 自動電流制御回路は、LDと半導体スイ
    ッチと抵抗よりなる直列回路と、抵抗の端子電圧が設定
    電圧になるように半導体スイッチを制御してLD電流を
    設定電流値にする制御回路を備え、 前記LD電流制限回路は、経過時間と設定時間を比較す
    る比較回路、経過時間が設定時間に達していない時、前
    記設定電圧値を小さくしてLD電流を設定電流値より小
    さく、あるいは零にし、経過時間が設定時間に達した
    時、前記設定電圧値を正常値に戻してLD電流を設定電
    流値にする制御回路を備えたことを特徴とする請求項8
    記載のLD保護回路。
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