JP2001354727A - スチレン系共重合体及びその製造法 - Google Patents
スチレン系共重合体及びその製造法Info
- Publication number
- JP2001354727A JP2001354727A JP2000179351A JP2000179351A JP2001354727A JP 2001354727 A JP2001354727 A JP 2001354727A JP 2000179351 A JP2000179351 A JP 2000179351A JP 2000179351 A JP2000179351 A JP 2000179351A JP 2001354727 A JP2001354727 A JP 2001354727A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- styrene
- compound
- titanium
- general formula
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Transition And Organic Metals Composition Catalysts For Addition Polymerization (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 シンジオタクチックポリスチレンの耐熱性，
耐薬品性を維持しつつ、ガラス転移温度と融点のバラン
スが良く、熱処理後にもゲル等の発生がなく、低温射出
成形を可能にし、不飽和結合を全く含まないか、あるい
は少ししか含まず、化学的に安定しているスチレン系共
重合体及びその効率の良い製造方法を提供すること。 【解決手段】 スチレン系モノマーとジエン系化合物
を、水素添加しながら共重合させることにより、ジエン
系繰り返し単位を０．１〜７５モル％含有するととも
に、スチレン系繰り返し単位連鎖の立体規則性が主とし
てシンジオタクチック構造であることを特徴とするスチ
レン系共重合体を製造する。
耐薬品性を維持しつつ、ガラス転移温度と融点のバラン
スが良く、熱処理後にもゲル等の発生がなく、低温射出
成形を可能にし、不飽和結合を全く含まないか、あるい
は少ししか含まず、化学的に安定しているスチレン系共
重合体及びその効率の良い製造方法を提供すること。 【解決手段】 スチレン系モノマーとジエン系化合物
を、水素添加しながら共重合させることにより、ジエン
系繰り返し単位を０．１〜７５モル％含有するととも
に、スチレン系繰り返し単位連鎖の立体規則性が主とし
てシンジオタクチック構造であることを特徴とするスチ
レン系共重合体を製造する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、スチレン系共重合
体及びその製造法に関し、詳しくは特定の立体構造を有
するスチレン系共重合体及びその効率の良い製造法に関
する。
体及びその製造法に関し、詳しくは特定の立体構造を有
するスチレン系共重合体及びその効率の良い製造法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】シンジオタクティシティーの高いスチレ
ン系重合体（以下、ＳＰＳと略記することがある。）、
さらにこのスチレンモノマーと他の成分を共重合したス
チレン系共重合体は、既に知られている（特開昭６２−
１０４８１８号公報，同６３−２４１００９号公報）。
これらのシンジオタクチック構造の重合体あるいは共重
合体は、耐熱性，耐薬品性及び電気的特性に優れ、多方
面にわたる応用が期待されている。しかしながら、上記
重合体、特にシンジオタクチックポリスチレンは、ガラ
ス転移温度９０〜１００℃，融点２５０〜２７５℃の重
合体であり、射出成形温度を高く設定しないとその特性
を充分に引き出すことができないという問題があった。
つまり、ガラス転移温度が高いことで金型温度（結晶化
温度）が高温になり、融点が高いことで成形温度（溶融
温度）が高温になり、いずれにしても射出等での成形性
に問題があった。また高温金型で成形した成形品には、
柔軟性に改善の余地が残されている。
ン系重合体（以下、ＳＰＳと略記することがある。）、
さらにこのスチレンモノマーと他の成分を共重合したス
チレン系共重合体は、既に知られている（特開昭６２−
１０４８１８号公報，同６３−２４１００９号公報）。
これらのシンジオタクチック構造の重合体あるいは共重
合体は、耐熱性，耐薬品性及び電気的特性に優れ、多方
面にわたる応用が期待されている。しかしながら、上記
重合体、特にシンジオタクチックポリスチレンは、ガラ
ス転移温度９０〜１００℃，融点２５０〜２７５℃の重
合体であり、射出成形温度を高く設定しないとその特性
を充分に引き出すことができないという問題があった。
つまり、ガラス転移温度が高いことで金型温度（結晶化
温度）が高温になり、融点が高いことで成形温度（溶融
温度）が高温になり、いずれにしても射出等での成形性
に問題があった。また高温金型で成形した成形品には、
柔軟性に改善の余地が残されている。
【０００３】これらの問題点を改良したものとして、ス
チレン系モノマーとジエン系モノマーを共重合させたス
チレン系共重合体（特開平２−２５８８１１号公報）も
あるが、乾燥処理，造粒，成形等の高温処理時に、ポリ
マー鎖に残った不飽和結合が架橋反応を引き起し、物性
の低下を招くことがあった。さらに、本発明者らは、ス
チレン系モノマーに対して、ジエン系化合物の一方の末
端が置換された特定のジエン系モノマーを共重合させた
スチレン系共重合体（特願平２０００−０１６７１４号
明細書）を、物性の安定したスチレン系共重合体として
提案した。しかしながら、この共重合体にも不飽和結合
が残留するので、化学的安定性になお改善の余地が残さ
れていた。
チレン系モノマーとジエン系モノマーを共重合させたス
チレン系共重合体（特開平２−２５８８１１号公報）も
あるが、乾燥処理，造粒，成形等の高温処理時に、ポリ
マー鎖に残った不飽和結合が架橋反応を引き起し、物性
の低下を招くことがあった。さらに、本発明者らは、ス
チレン系モノマーに対して、ジエン系化合物の一方の末
端が置換された特定のジエン系モノマーを共重合させた
スチレン系共重合体（特願平２０００−０１６７１４号
明細書）を、物性の安定したスチレン系共重合体として
提案した。しかしながら、この共重合体にも不飽和結合
が残留するので、化学的安定性になお改善の余地が残さ
れていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明者ら
は、シンジオタクチックポリスチレンの耐熱性及び耐薬
品性を維持しつつ、ガラス転移温度を改善し、ガラス転
移温度と融点のバランスが良く、熱処理後にもゲル等の
発生がなく、低温射出成形を可能にし、不飽和結合を全
く含まないか、又は少ししか含まず、化学的に安定して
いるスチレン系共重合体及びその効率の良い製造方法を
開発すべく、鋭意研究を重ねた。
は、シンジオタクチックポリスチレンの耐熱性及び耐薬
品性を維持しつつ、ガラス転移温度を改善し、ガラス転
移温度と融点のバランスが良く、熱処理後にもゲル等の
発生がなく、低温射出成形を可能にし、不飽和結合を全
く含まないか、又は少ししか含まず、化学的に安定して
いるスチレン系共重合体及びその効率の良い製造方法を
開発すべく、鋭意研究を重ねた。
【０００５】
【課題を解決するための手段】その結果、不飽和結合が
少ない程、化学安定性は向上するが、製造された共重合
体中に残留した不飽和結合を水素化するのは、ＳＰＳを
溶解させるのが難しいため、反応効率が悪いが、スチレ
ン系モノマーに対し、特定のジエン系モノマーを水素添
加しながら共重合させたものが上記の課題を達成しうる
ものであるとの知見を得、本発明を完成した。すなわ
ち、本発明は、一般式（Ｉ）
少ない程、化学安定性は向上するが、製造された共重合
体中に残留した不飽和結合を水素化するのは、ＳＰＳを
溶解させるのが難しいため、反応効率が悪いが、スチレ
ン系モノマーに対し、特定のジエン系モノマーを水素添
加しながら共重合させたものが上記の課題を達成しうる
ものであるとの知見を得、本発明を完成した。すなわ
ち、本発明は、一般式（Ｉ）
【０００６】
【化５】
【０００７】〔式中、Ｒ1 は水素原子，ハロゲン原子あ
るいは炭素数２０個以下の炭化水素基を示し、ｍは１〜
３の整数を示す。なお、ｍが複数のときは、各Ｒ1 は同
じでも異なってもよい。〕で表されるスチレン系繰り返
し単位（Ｉ）及び一般式（II）又は（IIａ）
るいは炭素数２０個以下の炭化水素基を示し、ｍは１〜
３の整数を示す。なお、ｍが複数のときは、各Ｒ1 は同
じでも異なってもよい。〕で表されるスチレン系繰り返
し単位（Ｉ）及び一般式（II）又は（IIａ）
【０００８】
【化６】
【０００９】〔式中、Ｒ2 〜Ｒ7 はそれぞれ独立に水素
原子又は炭化水素基を示し、Ｒ5 とＲ 6 ，Ｒ5 とＲ7 ，
Ｒ6 とＲ7 は結合して環を形成してもよい。〕で表され
るジエン系繰り返し単位（II）及び／又は（IIａ）から
なり、該ジエン系繰り返し単位（II）及び（IIａ）を
０．１〜７５モル％含有するとともに、スチレン系繰り
返し単位（Ｉ）連鎖の立体規則性が主としてシンジオタ
クチック構造であることを特徴とするスチレン系共重合
体を提供するとともに、一般式（Ｉ’）
原子又は炭化水素基を示し、Ｒ5 とＲ 6 ，Ｒ5 とＲ7 ，
Ｒ6 とＲ7 は結合して環を形成してもよい。〕で表され
るジエン系繰り返し単位（II）及び／又は（IIａ）から
なり、該ジエン系繰り返し単位（II）及び（IIａ）を
０．１〜７５モル％含有するとともに、スチレン系繰り
返し単位（Ｉ）連鎖の立体規則性が主としてシンジオタ
クチック構造であることを特徴とするスチレン系共重合
体を提供するとともに、一般式（Ｉ’）
【００１０】
【化７】
【００１１】〔式中、Ｒ1 及びｍは前記と同じであ
る。〕で表されるスチレン系モノマーと一般式（II’）
る。〕で表されるスチレン系モノマーと一般式（II’）
【００１２】
【化８】
【００１３】〔式中、Ｒ2 〜Ｒ7 は前記と同じであ
る。〕で表されるジエン系化合物を、（Ａ）遷移金属錯
体、（Ｂ）酸素含有化合物及び／又は遷移金属化合物と
反応してイオン性の錯体を形成しうる化合物、並びに
（Ｃ）必要に応じて用いられる有機金属化合物からなる
触媒の存在下に、水素添加しながら共重合させることを
特徴とするスチレン系共重合体の製造法を提供するもの
である。
る。〕で表されるジエン系化合物を、（Ａ）遷移金属錯
体、（Ｂ）酸素含有化合物及び／又は遷移金属化合物と
反応してイオン性の錯体を形成しうる化合物、並びに
（Ｃ）必要に応じて用いられる有機金属化合物からなる
触媒の存在下に、水素添加しながら共重合させることを
特徴とするスチレン系共重合体の製造法を提供するもの
である。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下に、本発明を詳細に説明す
る。本発明のスチレン系共重合体は、前記一般式（Ｉ）
で表されるスチレン系繰り返し単位（Ｉ）及び前記一般
式（II）又は（IIａ）で表されるジエン系繰り返し単位
（II）又は（IIａ）からなるものである。一般式（Ｉ）
で表されるスチレン系繰り返し単位（Ｉ）の具体例をあ
げれば、スチレン単位；ｐ−メチルスチレン単位；ｍ−
メチルスチレン単位；ｏ−メチルスチレン単位；２，４
−ジメチルスチレン単位；２，５−ジメチルスチレン単
位；３，４−ジメチルスチレン単位；３，５−ジメチル
スチレン単位；ｐ−エチルスチレン単位；ｍ−エチルス
チレン単位；ｐ−ターシャリーブチルスチレン単位など
のアルキルスチレン単位、ｐ−ジビニルベンゼン単位；
ｍ−ジビニルベンゼン単位；トリビニルベンゼン単位；
ｐ−クロロスチレン単位；ｍ−クロロスチレン単位；ｏ
−クロロスチレン単位；ｐ−ブロモスチレン単位；ｍ−
ブロモスチレン単位；ｏ−ブロモスチレン単位；ｐ−フ
ルオロスチレン単位；ｍ−フルオロスチレン単位；ｏ−
フルオロスチレン単位；ｏ−メチル−ｐ−フルオロスチ
レン単位などのハロゲン化スチレン単位、ｍ−フェルニ
ルスチレン単位；ｐ−フェニルスチレン単位；メトキシ
スチレン単位；エトキシスチレン単位；ｔ−ブトキシス
チレン単位；アミノスチレン単位；ｐ−ビニルフェノー
ル単位等、あるいはこれら二種以上を混合したものがあ
げられる。一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位（Ｉ）
は、上記の一般式（Ｉ')で表されるスチレン系モノマー
から誘導される。式中、Ｒ1 は水素原子，ハロゲン原子
（例えば塩素，臭素、フッ素，沃素）あるいは炭素数２
０個以下、好ましくは炭素数１０〜１個の炭化水素基
（例えばメチル基，エチル基，プロピル基，ブチル基，
ペンチル基，ヘキシル基などの飽和炭化水素基（特にア
ルキル基）、アルコキシ基，アミノ基，水酸基等のヘテ
ロ原子を含有する基、フェニル基，置換フェニル基ある
いはビニル基などの不飽和炭化水素基）である。
る。本発明のスチレン系共重合体は、前記一般式（Ｉ）
で表されるスチレン系繰り返し単位（Ｉ）及び前記一般
式（II）又は（IIａ）で表されるジエン系繰り返し単位
（II）又は（IIａ）からなるものである。一般式（Ｉ）
で表されるスチレン系繰り返し単位（Ｉ）の具体例をあ
げれば、スチレン単位；ｐ−メチルスチレン単位；ｍ−
メチルスチレン単位；ｏ−メチルスチレン単位；２，４
−ジメチルスチレン単位；２，５−ジメチルスチレン単
位；３，４−ジメチルスチレン単位；３，５−ジメチル
スチレン単位；ｐ−エチルスチレン単位；ｍ−エチルス
チレン単位；ｐ−ターシャリーブチルスチレン単位など
のアルキルスチレン単位、ｐ−ジビニルベンゼン単位；
ｍ−ジビニルベンゼン単位；トリビニルベンゼン単位；
ｐ−クロロスチレン単位；ｍ−クロロスチレン単位；ｏ
−クロロスチレン単位；ｐ−ブロモスチレン単位；ｍ−
ブロモスチレン単位；ｏ−ブロモスチレン単位；ｐ−フ
ルオロスチレン単位；ｍ−フルオロスチレン単位；ｏ−
フルオロスチレン単位；ｏ−メチル−ｐ−フルオロスチ
レン単位などのハロゲン化スチレン単位、ｍ−フェルニ
ルスチレン単位；ｐ−フェニルスチレン単位；メトキシ
スチレン単位；エトキシスチレン単位；ｔ−ブトキシス
チレン単位；アミノスチレン単位；ｐ−ビニルフェノー
ル単位等、あるいはこれら二種以上を混合したものがあ
げられる。一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位（Ｉ）
は、上記の一般式（Ｉ')で表されるスチレン系モノマー
から誘導される。式中、Ｒ1 は水素原子，ハロゲン原子
（例えば塩素，臭素、フッ素，沃素）あるいは炭素数２
０個以下、好ましくは炭素数１０〜１個の炭化水素基
（例えばメチル基，エチル基，プロピル基，ブチル基，
ペンチル基，ヘキシル基などの飽和炭化水素基（特にア
ルキル基）、アルコキシ基，アミノ基，水酸基等のヘテ
ロ原子を含有する基、フェニル基，置換フェニル基ある
いはビニル基などの不飽和炭化水素基）である。
【００１５】上記のように、本発明のスチレン系共重合
体は、スチレン系繰り返し単位（Ｉ）の連鎖が主として
シンジオタクチック構造を有するものである。ここで、
スチレン系重合体における主としてシンジオタクチック
構造とは、立体化学構造が主としてシンジオタクチック
構造、即ち炭素−炭素結合から形成される主鎖に対して
側鎖であるフェニル基や置換フェニル基が交互に反対方
向に位置する立体構造を有するものであり、そのタクテ
ィシティーは同位体炭素による核磁気共鳴法（ 13Ｃ−Ｎ
ＭＲ法）により定量される。13Ｃ−ＮＭＲ法により測定
されるタクティシティーは、連続する複数個の構成単位
の存在割合、例えば２個の場合はダイアッド，３個の場
合はトリアッド，５個の場合はペンタッドによって示す
ことができるが、本発明に言う主としてシンジオタクチ
ック構造を有するスチレン系共重合体とは、スチレン系
繰返し単位の連鎖において、通常はダイアッドで７５％
以上、好ましくは８５％以上、若しくはペンタッド（ラ
セミペンタッド）で３０％以上、好ましくは５０％以上
のシンジオタクティシティーを有するものを示す。しか
しながら、置換基の種類やコモノマーの繰り返し単位の
含有割合によってシンジオタクティシティーの度合いは
若干変動する。
体は、スチレン系繰り返し単位（Ｉ）の連鎖が主として
シンジオタクチック構造を有するものである。ここで、
スチレン系重合体における主としてシンジオタクチック
構造とは、立体化学構造が主としてシンジオタクチック
構造、即ち炭素−炭素結合から形成される主鎖に対して
側鎖であるフェニル基や置換フェニル基が交互に反対方
向に位置する立体構造を有するものであり、そのタクテ
ィシティーは同位体炭素による核磁気共鳴法（ 13Ｃ−Ｎ
ＭＲ法）により定量される。13Ｃ−ＮＭＲ法により測定
されるタクティシティーは、連続する複数個の構成単位
の存在割合、例えば２個の場合はダイアッド，３個の場
合はトリアッド，５個の場合はペンタッドによって示す
ことができるが、本発明に言う主としてシンジオタクチ
ック構造を有するスチレン系共重合体とは、スチレン系
繰返し単位の連鎖において、通常はダイアッドで７５％
以上、好ましくは８５％以上、若しくはペンタッド（ラ
セミペンタッド）で３０％以上、好ましくは５０％以上
のシンジオタクティシティーを有するものを示す。しか
しながら、置換基の種類やコモノマーの繰り返し単位の
含有割合によってシンジオタクティシティーの度合いは
若干変動する。
【００１６】本発明のスチレン系共重合体において、コ
モノマーとしては、前記一般式（II')で表されるジエン
系化合物を用いる。これらのジエン系化合物のうち、一
般式（II’）において、Ｒ2 ，Ｒ3 及びＲ4 が水素原子
であり、Ｒ5 ，Ｒ6 及びＲ7が炭化水素基を示し、Ｒ5
とＲ6 ，Ｒ5 とＲ7 ，Ｒ6 とＲ7 とが結合して環を形成
してもよいジエン系化合物、すなわち、一般式（II" ）
モノマーとしては、前記一般式（II')で表されるジエン
系化合物を用いる。これらのジエン系化合物のうち、一
般式（II’）において、Ｒ2 ，Ｒ3 及びＲ4 が水素原子
であり、Ｒ5 ，Ｒ6 及びＲ7が炭化水素基を示し、Ｒ5
とＲ6 ，Ｒ5 とＲ7 ，Ｒ6 とＲ7 とが結合して環を形成
してもよいジエン系化合物、すなわち、一般式（II" ）
【００１７】
【化９】
【００１８】〔式中、Ｒ5 は水素原子又は炭化水素基
（好ましくは炭素数１〜２０のアルキル基あるいは炭素
数６〜２０のアリール基、さらに好ましくはメチル基あ
るいはフェニル基）を示し、Ｒ6 及びＲ7 はそれぞれ独
立に炭化水素基（好ましくは炭素数１〜１０のアルキル
基あるいは炭素数６〜１０のアリール基、さらに好まし
くはメチル基あるいはフェニル基）を示し、Ｒ5 と
Ｒ6 ，Ｒ5 とＲ7 ，Ｒ6 とＲ8は結合して環を形成して
もよい。〕で表される化合物を用いるのが好ましい。一
般式（II')で表されるコモノマーの具体例としては、
４，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン；４−メチル
−１，３−ペンタジエン；４−フェニル−１，３−ペン
タジエン；３，４−ジメチル−１，３−ペンタジエン；
３−メチル−４−フェニル−１，３−ペンタジエン；３
−メチル−４，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン；
３，４，４−トリフェニル−１，３−ブタジエン；１−
ビニル−２−メチル−シクロヘキセン；１−ビニル−２
−フェニル−シクロヘキセン；３−シクロヘキシリデン
−１−プロペン；３−シクロヘキシリデン−１−ブテ
ン；３−シクロヘキシリデン−３−フェニル−１−プロ
ペンなどが挙げられる。
（好ましくは炭素数１〜２０のアルキル基あるいは炭素
数６〜２０のアリール基、さらに好ましくはメチル基あ
るいはフェニル基）を示し、Ｒ6 及びＲ7 はそれぞれ独
立に炭化水素基（好ましくは炭素数１〜１０のアルキル
基あるいは炭素数６〜１０のアリール基、さらに好まし
くはメチル基あるいはフェニル基）を示し、Ｒ5 と
Ｒ6 ，Ｒ5 とＲ7 ，Ｒ6 とＲ8は結合して環を形成して
もよい。〕で表される化合物を用いるのが好ましい。一
般式（II')で表されるコモノマーの具体例としては、
４，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン；４−メチル
−１，３−ペンタジエン；４−フェニル−１，３−ペン
タジエン；３，４−ジメチル−１，３−ペンタジエン；
３−メチル−４−フェニル−１，３−ペンタジエン；３
−メチル−４，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン；
３，４，４−トリフェニル−１，３−ブタジエン；１−
ビニル−２−メチル−シクロヘキセン；１−ビニル−２
−フェニル−シクロヘキセン；３−シクロヘキシリデン
−１−プロペン；３−シクロヘキシリデン−１−ブテ
ン；３−シクロヘキシリデン−３−フェニル−１−プロ
ペンなどが挙げられる。
【００１９】本発明のスチレン系共重合体においては、
上記の一般式（II')で表されるジエン系モノマーが用い
られ、ジエン系モノマーが重合してジエン繰り返し単位
が構成されるが、このジエン繰り返し単位は、前記一般
式（II）で表される１，２−重合タイプ及び前記一般式
（IIａ）で表される１，４−重合タイプがある。重合に
際しては１，２重合タイプからは、このジエン系繰返し
単位がシンジオタクチック構造，アイソタクチック構
造，アタクチック構造のいずれか、あるいはこれらの混
在したものとなり、また１，４重合タイプからは、シス
型，トランス型のものが得られ、さらに非共役環状ジエ
ン系モノマーの重合では、トランスアニュラー型の立体
構造がある。しかし、本発明ではスチレン鎖のシンジオ
タクティシティーに影響を与えなければ、ジエン系繰り
返し単位は、いかなる立体構造であっても差支えない。
上記の一般式（II')で表されるジエン系モノマーが用い
られ、ジエン系モノマーが重合してジエン繰り返し単位
が構成されるが、このジエン繰り返し単位は、前記一般
式（II）で表される１，２−重合タイプ及び前記一般式
（IIａ）で表される１，４−重合タイプがある。重合に
際しては１，２重合タイプからは、このジエン系繰返し
単位がシンジオタクチック構造，アイソタクチック構
造，アタクチック構造のいずれか、あるいはこれらの混
在したものとなり、また１，４重合タイプからは、シス
型，トランス型のものが得られ、さらに非共役環状ジエ
ン系モノマーの重合では、トランスアニュラー型の立体
構造がある。しかし、本発明ではスチレン鎖のシンジオ
タクティシティーに影響を与えなければ、ジエン系繰り
返し単位は、いかなる立体構造であっても差支えない。
【００２０】本発明の共重合体においては、繰り返し単
位（Ｉ）は二種類以上の成分から構成されていてもよ
く、この点においては繰り返し単位（II）についても同
様である。したがって、二元，三元あるいは四元共重合
体の合成が可能となる。また、上記の一般式（II')で表
されるコモノマーから誘導される繰り返し単位（II）及
び（IIａ）の含有割合は、通常、共重合体全体の０．１
〜７５モル％の範囲である。この繰り返し単位（II）及
び（IIａ）が０．１モル％未満であると、ガラス転移温
度と融点のバランスや熱安定性の改良等の本発明の目的
とする改善効果が充分に達成されない。また７５モル％
を超えると、結晶化が阻害され、シンジオタクチック構
造のスチレン系重合体の特徴である耐薬品性が損なわれ
るとともに、通常のジエン系重合体と同様の物性上の欠
点が発現する。なお、本発明の共重合体は、そのガラス
転移温度（Ｔｇ）（℃）が、 式 Ｔｇ≦−０．０８１３×共重合量（モル％）＋１０
１ 好ましくは 式 Ｔｇ≦−０．２１７×共重合量（モル
％）＋１０１ 特に好ましくは 式 Ｔｇ≦−０．６５０×共重合量
（モル％）＋１０１ を満たすものであることが望ましい。つまり、本発明の
スチレン系共重合体は、コモノマーがランダムに共重合
しているものである。また、この共重合体の分子量は、
ゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定した重量
平均分子量が１万〜５００万、好ましくは１０万〜１０
０万の範囲にあり、一般に１，２，４−トリクロロベン
ゼン溶液（温度１３５℃）で測定した極限粘度が０．０
７〜２０ｄｌ／ｇのものであり、好ましくは０．３〜１
０ｄｌ／ｇのものである。極限粘度が０．０７ｄｌ／ｇ
未満では、力学的物性が低く、実用に供しえない。ま
た、極限粘度が２０ｄｌ／ｇを超えると、通常の溶融成
形が困難となる。本発明においては、得られる共重合体
の性質あるいは繰り返し単位（Ｉ）の連鎖におけるシン
ジオタクチック構造を著しく損なわない範囲で第三成分
を添加することもできる。このような化合物としては、
例えばビニルシロキサン類，α−オレフィン類，不飽和
カルボン酸エステル類，アクリロニトリル類，Ｎ−置換
マレイミド類等があげられる。
位（Ｉ）は二種類以上の成分から構成されていてもよ
く、この点においては繰り返し単位（II）についても同
様である。したがって、二元，三元あるいは四元共重合
体の合成が可能となる。また、上記の一般式（II')で表
されるコモノマーから誘導される繰り返し単位（II）及
び（IIａ）の含有割合は、通常、共重合体全体の０．１
〜７５モル％の範囲である。この繰り返し単位（II）及
び（IIａ）が０．１モル％未満であると、ガラス転移温
度と融点のバランスや熱安定性の改良等の本発明の目的
とする改善効果が充分に達成されない。また７５モル％
を超えると、結晶化が阻害され、シンジオタクチック構
造のスチレン系重合体の特徴である耐薬品性が損なわれ
るとともに、通常のジエン系重合体と同様の物性上の欠
点が発現する。なお、本発明の共重合体は、そのガラス
転移温度（Ｔｇ）（℃）が、 式 Ｔｇ≦−０．０８１３×共重合量（モル％）＋１０
１ 好ましくは 式 Ｔｇ≦−０．２１７×共重合量（モル
％）＋１０１ 特に好ましくは 式 Ｔｇ≦−０．６５０×共重合量
（モル％）＋１０１ を満たすものであることが望ましい。つまり、本発明の
スチレン系共重合体は、コモノマーがランダムに共重合
しているものである。また、この共重合体の分子量は、
ゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定した重量
平均分子量が１万〜５００万、好ましくは１０万〜１０
０万の範囲にあり、一般に１，２，４−トリクロロベン
ゼン溶液（温度１３５℃）で測定した極限粘度が０．０
７〜２０ｄｌ／ｇのものであり、好ましくは０．３〜１
０ｄｌ／ｇのものである。極限粘度が０．０７ｄｌ／ｇ
未満では、力学的物性が低く、実用に供しえない。ま
た、極限粘度が２０ｄｌ／ｇを超えると、通常の溶融成
形が困難となる。本発明においては、得られる共重合体
の性質あるいは繰り返し単位（Ｉ）の連鎖におけるシン
ジオタクチック構造を著しく損なわない範囲で第三成分
を添加することもできる。このような化合物としては、
例えばビニルシロキサン類，α−オレフィン類，不飽和
カルボン酸エステル類，アクリロニトリル類，Ｎ−置換
マレイミド類等があげられる。
【００２１】以上の如き本発明の共重合体は、上記の一
般式（Ｉ')で表されるスチレン系モノマーと上記の一般
式（II')のジエン系コモノマーの共重合を水素添加しな
がら行うことにより、また得られた共重合体を原料とし
て、分別，ブレンド若しくは有機合成的手法を適用する
ことにより、所望の立体規則性及び反応性置換基を有す
る態様のものを製造することができる。本発明のスチレ
ン系共重合体は、上記の一般式（Ｉ')のスチレン系モノ
マーと上記の一般式（II')のコモノマーを、以下に詳述
する（Ａ）遷移金属錯体、（Ｂ）酸素含有化合物及び／
又は遷移金属化合物と反応してイオン性の錯体を形成し
うる化合物、並びに（Ｃ）必要に応じて用いられる有機
金属化合物からなる触媒の存在下に共重合させることに
より効率よく製造することができる。本発明のスチレン
系共重合体の製造に用いる重合触媒の各成分について以
下に説明する。
般式（Ｉ')で表されるスチレン系モノマーと上記の一般
式（II')のジエン系コモノマーの共重合を水素添加しな
がら行うことにより、また得られた共重合体を原料とし
て、分別，ブレンド若しくは有機合成的手法を適用する
ことにより、所望の立体規則性及び反応性置換基を有す
る態様のものを製造することができる。本発明のスチレ
ン系共重合体は、上記の一般式（Ｉ')のスチレン系モノ
マーと上記の一般式（II')のコモノマーを、以下に詳述
する（Ａ）遷移金属錯体、（Ｂ）酸素含有化合物及び／
又は遷移金属化合物と反応してイオン性の錯体を形成し
うる化合物、並びに（Ｃ）必要に応じて用いられる有機
金属化合物からなる触媒の存在下に共重合させることに
より効率よく製造することができる。本発明のスチレン
系共重合体の製造に用いる重合触媒の各成分について以
下に説明する。
【００２２】（Ａ）遷移金属錯体 本発明において用いられる（Ａ）遷移金属錯体として
は、各種のものが使用可能であるが、周期律表４〜６族
遷金属化合物または８〜１０族遷移金属化合物が好まし
く用いられる。周期律表４〜６族遷金属化合物として
は、下記の一般式（１) 〜（４) で表されるものを好ま
しいものとして挙げることができ、周期律表８〜１０族
の遷移金属化合物としては、下記の一般式（５) で表さ
れるものを好ましいものとして挙げることができる。 Ｑ1 a （Ｃ5 Ｈ5-a-b Ｒ8 b )(Ｃ5 Ｈ5-a-c Ｒ9 c ）Ｍ1 Ｘ1 Ｙ1 ・・（１) Ｑ2 a （Ｃ5 Ｈ5-a-d Ｒ10 d ）Ｚ1 Ｍ1 Ｘ1 Ｙ1 ・・（２) （Ｃ5 Ｈ5-e Ｒ11 e ）Ｍ1 Ｘ1 Ｙ1 Ｗ1 ・・（３） Ｍ1 Ｘ1 Ｙ1 Ｗ1 Ｕ1 ・・（４） Ｌ1 Ｌ2 Ｍ2 Ｘ1 Ｙ1 ・・（５） 〔式中、Ｑ1 は二つの共役五員環配位子（Ｃ5 Ｈ5-a-b
Ｒ8 b ）及び（Ｃ5 Ｈ5- a-c Ｒ9 c ）を架橋する結合性
基を示し、Ｑ2 は共役五員環配位子（Ｃ5 Ｈ5-a- d Ｒ10
d ）とＺ1 基を架橋する結合性基を示す。Ｒ8 ，Ｒ9 ，
Ｒ10及びＲ11は、それぞれ炭化水素基，ハロゲン原子，
アルコキシ基，珪素含有炭化水素基，リン含有炭化水素
基，窒素含有炭化水素基又は硼素含有炭化水素基を示
し、複数あるときは、互いに同一でも異なってもよく、
互いに結合して環構造を形成してもよい。ａは０，１又
は２である。ｂ，ｃ及びｄは、ａ＝０のときはそれぞれ
０〜５の整数、ａ＝１のときはそれぞれ０〜４の整数、
ａ＝２のときはそれぞれ０〜３の整数を示す。ｅは０〜
５の整数を示す。Ｍ1 は周期律表４〜６族の遷移金属を
示し、Ｍ2 は周期律表８〜１０族の遷移金属を示す。ま
た、Ｌ1 ，Ｌ2 はそれぞれ配位結合性の配位子を表わ
し、Ｘ1 ，Ｙ1 ，Ｚ1 ，Ｗ1 ，Ｕ1 はそれぞれ共有結合
性又はイオン結合性の配位子を表している。なお、
Ｌ1 ，Ｌ2 ，Ｘ1 ，Ｙ1，Ｗ1 およびＵ1 は、それぞれ
互いに結合して環構造を形成してもよい。〕上記一般式
（１），（２）におけるＱ1 及びＱ2 の具体例として
は、（１）メチレン基，エチレン基，イソプロピレン
基，メチルフェニルメチレン基，ジフェニルメチレン
基，シクロヘキシレン基などの炭素数１〜４のアルキレ
ン基，シクロアルキレン基又はその側鎖低級アルキル若
しくはフェニル置換体、（２）シリレン基，ジメチルシ
リレン基，メチルフェニルシリレン基，ジフェニルシリ
レン基，ジシリレン基，テトラメチルジシリレン基など
のシリレン基，オリゴシリレン基又はその側鎖低級アル
キル若しくはフェニル置換体、（３）ゲルマニウム，リ
ン，窒素，硼素又はアルミニウムを含む炭化水素基〔低
級アルキル基，フェニル基，ヒドロカルビルオキシ基
（好ましくは低級アルコキシ基）など〕、具体的には
（ＣＨ3 ）2 Ｇｅ基，（Ｃ6 Ｈ5 ）2 Ｇｅ基，（Ｃ
Ｈ3 ）Ｐ基，（Ｃ6 Ｈ5）Ｐ基，（Ｃ4 Ｈ9 ）Ｎ基，
（Ｃ6 Ｈ5 ）Ｎ基，（ＣＨ3 ）Ｂ基，（Ｃ4 Ｈ9 ）Ｂ
基，（Ｃ6 Ｈ5 ）Ｂ基，（Ｃ6 Ｈ5 ）Ａｌ基，（ＣＨ3
Ｏ）Ａｌ基などが挙げられる。これらの中で、アルキレ
ン基及びシリレン基が好ましい。また、（Ｃ5 Ｈ5-a-b
Ｒ8 b ) ， (Ｃ5 Ｈ5-a-c Ｒ9 c ）及び（Ｃ5 Ｈ5-a-d
Ｒ10 d ）は共役五員環配位子であり、Ｒ8 ，Ｒ9 及びＲ
10は、それぞれ炭化水素基，ハロゲン原子，アルコキシ
基，珪素含有炭化水素基，リン含有炭化水素基，窒素含
有炭化水素基又は硼素含有炭化水素基を示し、ａは０，
１又は２である。ｂ，ｃ及びｄは、ａ＝０のときはそれ
ぞれ０〜５の整数、ａ＝１のときはそれぞれ０〜４の整
数、ａ＝２のときはそれぞれ０〜３の整数を示す。ここ
で、炭化水素基としては、炭素数１〜２０のものが好ま
しく、特に炭素数１〜１２のものが好ましい。この炭化
水素基は一価の基として、共役五員環基であるシクロペ
ンタジエニル基と結合していてもよく、またこれが複数
個存在する場合には、その２個が互いに結合してシクロ
ペンタジエニル基の一部と共に環構造を形成していても
よい。すなわち、該共役五員環配位子の代表例は、置換
又は非置換のシクロペンタジエニル基，インデニル基及
びフルオレニル基である。ハロゲン原子としては、塩
素，臭素，ヨウ素及びフッ素原子が挙げられ、アルコキ
シ基としては、炭素数１〜１２のものが好ましく挙げら
れる。珪素含有炭化水素基としては、例えば−Ｓｉ（Ｒ
12）（Ｒ13）（Ｒ14）（Ｒ12，Ｒ13及びＲ14は炭素数１
〜２４の炭化水素基）などが挙げられ、リン含有炭化水
素基，窒素含有炭化水素基及び硼素含有炭化水素基とし
ては、それぞれＰ−（Ｒ15）（Ｒ16），−Ｎ（Ｒ15）
（Ｒ16）及び−Ｂ（Ｒ15）（Ｒ16）（Ｒ15及びＲ16は炭
素数１〜１８の炭化水素基）などが挙げられる。Ｒ8 ，
Ｒ9 及びＲ10がそれぞれ複数ある場合には、複数の
Ｒ8，複数のＲ9 及び複数のＲ10は、それぞれにおいて
同一であっても異なっていてもよい。また、一般式
（２）において、共役五員環配位子（Ｃ5 Ｈ5-a-b Ｒ8
b）及び（Ｃ5 Ｈ5-a-c Ｒ9 c ) は同一であっても異な
っていてもよい。
は、各種のものが使用可能であるが、周期律表４〜６族
遷金属化合物または８〜１０族遷移金属化合物が好まし
く用いられる。周期律表４〜６族遷金属化合物として
は、下記の一般式（１) 〜（４) で表されるものを好ま
しいものとして挙げることができ、周期律表８〜１０族
の遷移金属化合物としては、下記の一般式（５) で表さ
れるものを好ましいものとして挙げることができる。 Ｑ1 a （Ｃ5 Ｈ5-a-b Ｒ8 b )(Ｃ5 Ｈ5-a-c Ｒ9 c ）Ｍ1 Ｘ1 Ｙ1 ・・（１) Ｑ2 a （Ｃ5 Ｈ5-a-d Ｒ10 d ）Ｚ1 Ｍ1 Ｘ1 Ｙ1 ・・（２) （Ｃ5 Ｈ5-e Ｒ11 e ）Ｍ1 Ｘ1 Ｙ1 Ｗ1 ・・（３） Ｍ1 Ｘ1 Ｙ1 Ｗ1 Ｕ1 ・・（４） Ｌ1 Ｌ2 Ｍ2 Ｘ1 Ｙ1 ・・（５） 〔式中、Ｑ1 は二つの共役五員環配位子（Ｃ5 Ｈ5-a-b
Ｒ8 b ）及び（Ｃ5 Ｈ5- a-c Ｒ9 c ）を架橋する結合性
基を示し、Ｑ2 は共役五員環配位子（Ｃ5 Ｈ5-a- d Ｒ10
d ）とＺ1 基を架橋する結合性基を示す。Ｒ8 ，Ｒ9 ，
Ｒ10及びＲ11は、それぞれ炭化水素基，ハロゲン原子，
アルコキシ基，珪素含有炭化水素基，リン含有炭化水素
基，窒素含有炭化水素基又は硼素含有炭化水素基を示
し、複数あるときは、互いに同一でも異なってもよく、
互いに結合して環構造を形成してもよい。ａは０，１又
は２である。ｂ，ｃ及びｄは、ａ＝０のときはそれぞれ
０〜５の整数、ａ＝１のときはそれぞれ０〜４の整数、
ａ＝２のときはそれぞれ０〜３の整数を示す。ｅは０〜
５の整数を示す。Ｍ1 は周期律表４〜６族の遷移金属を
示し、Ｍ2 は周期律表８〜１０族の遷移金属を示す。ま
た、Ｌ1 ，Ｌ2 はそれぞれ配位結合性の配位子を表わ
し、Ｘ1 ，Ｙ1 ，Ｚ1 ，Ｗ1 ，Ｕ1 はそれぞれ共有結合
性又はイオン結合性の配位子を表している。なお、
Ｌ1 ，Ｌ2 ，Ｘ1 ，Ｙ1，Ｗ1 およびＵ1 は、それぞれ
互いに結合して環構造を形成してもよい。〕上記一般式
（１），（２）におけるＱ1 及びＱ2 の具体例として
は、（１）メチレン基，エチレン基，イソプロピレン
基，メチルフェニルメチレン基，ジフェニルメチレン
基，シクロヘキシレン基などの炭素数１〜４のアルキレ
ン基，シクロアルキレン基又はその側鎖低級アルキル若
しくはフェニル置換体、（２）シリレン基，ジメチルシ
リレン基，メチルフェニルシリレン基，ジフェニルシリ
レン基，ジシリレン基，テトラメチルジシリレン基など
のシリレン基，オリゴシリレン基又はその側鎖低級アル
キル若しくはフェニル置換体、（３）ゲルマニウム，リ
ン，窒素，硼素又はアルミニウムを含む炭化水素基〔低
級アルキル基，フェニル基，ヒドロカルビルオキシ基
（好ましくは低級アルコキシ基）など〕、具体的には
（ＣＨ3 ）2 Ｇｅ基，（Ｃ6 Ｈ5 ）2 Ｇｅ基，（Ｃ
Ｈ3 ）Ｐ基，（Ｃ6 Ｈ5）Ｐ基，（Ｃ4 Ｈ9 ）Ｎ基，
（Ｃ6 Ｈ5 ）Ｎ基，（ＣＨ3 ）Ｂ基，（Ｃ4 Ｈ9 ）Ｂ
基，（Ｃ6 Ｈ5 ）Ｂ基，（Ｃ6 Ｈ5 ）Ａｌ基，（ＣＨ3
Ｏ）Ａｌ基などが挙げられる。これらの中で、アルキレ
ン基及びシリレン基が好ましい。また、（Ｃ5 Ｈ5-a-b
Ｒ8 b ) ， (Ｃ5 Ｈ5-a-c Ｒ9 c ）及び（Ｃ5 Ｈ5-a-d
Ｒ10 d ）は共役五員環配位子であり、Ｒ8 ，Ｒ9 及びＲ
10は、それぞれ炭化水素基，ハロゲン原子，アルコキシ
基，珪素含有炭化水素基，リン含有炭化水素基，窒素含
有炭化水素基又は硼素含有炭化水素基を示し、ａは０，
１又は２である。ｂ，ｃ及びｄは、ａ＝０のときはそれ
ぞれ０〜５の整数、ａ＝１のときはそれぞれ０〜４の整
数、ａ＝２のときはそれぞれ０〜３の整数を示す。ここ
で、炭化水素基としては、炭素数１〜２０のものが好ま
しく、特に炭素数１〜１２のものが好ましい。この炭化
水素基は一価の基として、共役五員環基であるシクロペ
ンタジエニル基と結合していてもよく、またこれが複数
個存在する場合には、その２個が互いに結合してシクロ
ペンタジエニル基の一部と共に環構造を形成していても
よい。すなわち、該共役五員環配位子の代表例は、置換
又は非置換のシクロペンタジエニル基，インデニル基及
びフルオレニル基である。ハロゲン原子としては、塩
素，臭素，ヨウ素及びフッ素原子が挙げられ、アルコキ
シ基としては、炭素数１〜１２のものが好ましく挙げら
れる。珪素含有炭化水素基としては、例えば−Ｓｉ（Ｒ
12）（Ｒ13）（Ｒ14）（Ｒ12，Ｒ13及びＲ14は炭素数１
〜２４の炭化水素基）などが挙げられ、リン含有炭化水
素基，窒素含有炭化水素基及び硼素含有炭化水素基とし
ては、それぞれＰ−（Ｒ15）（Ｒ16），−Ｎ（Ｒ15）
（Ｒ16）及び−Ｂ（Ｒ15）（Ｒ16）（Ｒ15及びＲ16は炭
素数１〜１８の炭化水素基）などが挙げられる。Ｒ8 ，
Ｒ9 及びＲ10がそれぞれ複数ある場合には、複数の
Ｒ8，複数のＲ9 及び複数のＲ10は、それぞれにおいて
同一であっても異なっていてもよい。また、一般式
（２）において、共役五員環配位子（Ｃ5 Ｈ5-a-b Ｒ8
b）及び（Ｃ5 Ｈ5-a-c Ｒ9 c ) は同一であっても異な
っていてもよい。
【００２３】一方、Ｍ1 は周期律表４〜６族の遷移金属
元素を示し、具体例としてはチタニウム，ジルコニウ
ム，ハフニウム，ニオブ，モリブテン，タングステンな
どを挙げることができるが、これらの中でチタニウム，
ジルコニウム及びハフニウムが好ましく、特にチタニウ
ムが好適である。Ｚ1 は共有結合性の配位子であり、具
体的には酸素（−Ｏ−），硫黄（−Ｓ−），炭素数１〜
２０、好ましくは１〜１０のアルコキシ基，炭素数１〜
２０、好ましくは１〜１２のチオアルコキシ基，炭素数
１〜４０、好ましくは１〜１８の窒素含有炭化水素基，
炭素数１〜４０、好ましくは１〜１８のリン含有炭化水
素基を示す。Ｘ1 及びＹ1 は、それぞれ共有結合性の配
位子であり、具体的には水素原子，ハロゲン原子，炭素
数１〜２０、好ましくは１〜１０の炭化水素基，炭素数
１〜２０、好ましくは１〜１０のアルコキシ基，アミノ
基，炭素数１〜２０、好ましくは１〜１２のリン含有炭
化水素基（例えば、ジフェニルホスフィン基など）又は
炭素数１〜２０、好ましくは１〜１２の珪素含有炭化水
素基（例えば、トリメチルシリル基など），炭素数１〜
２０、好ましくは１〜１２の炭化水素基あるいはハロゲ
ン含有硼素化合物（例えばＢ（Ｃ6 Ｈ5)4 ，ＢＦ4 ）を
示す。これらの中でハロゲン原子及び炭化基が好まし
い。このＸ1 及びＹ1 はたがいに同一であっても異なっ
ていてもよい。なお、Ｘ1 及びＹ1 は、それぞれ互いに
結合して環構造を形成してもよい。また、上記一般式
（３）において、Ｍ1 は上記と同様に周期律表４〜６族
の遷移金属であり、また、Ｘ1 及びＹ1 は上記と同じで
ある。また、Ｗ1 はＸ1 及びＹ1 と同じである。すなわ
ち、Ｗ1 はそれぞれ共有結合性の配位子であり、具体的
には水素原子，ハロゲン原子，炭素数１〜２０、好まし
くは１〜１０の炭化水素基，炭素数１〜２０、好ましく
は１〜１０のアルコキシ基，アミノ基，炭素数１〜２
０、好ましくは１〜１２のリン含有炭化水素基（例え
ば、ジフェニルホスフィン基など）又は炭素数１〜２
０、好ましくは１〜１２の珪素含有炭化水素基（例え
ば、トリメチルシリル基など），炭素数１〜２０、好ま
しくは１〜１２の炭化水素基あるいはハロゲン含有硼素
化合物（例えばＢ（Ｃ6 Ｈ5)4 ，ＢＦ4 ）を示す。これ
らの中でハロゲン原子及び炭化基が好ましい。Ｘ1 、Ｙ
1 及びＷ1はたがいに同一であっても異なっていてもよ
い。なお、Ｘ1 、Ｙ1 及びＷ1 は、それぞれ互いに結合
して環構造を形成してもよい。また、上記一般式（４）
において、Ｍ1 は上記と同様に周期律表４〜６族の遷移
金属であり、また、Ｘ1 、Ｙ1 及びＷ1 は上記と同じで
ある。また、Ｕ1 はＸ 1 、Ｙ1 及びＷ1 と同じである。
すなわち、Ｕ1 はそれぞれ共有結合性の配位子であり、
具体的には水素原子，ハロゲン原子，炭素数１〜２０、
好ましくは１〜１０の炭化水素基，炭素数１〜２０、好
ましくは１〜１０のアルコキシ基，アミノ基，炭素数１
〜２０、好ましくは１〜１２のリン含有炭化水素基（例
えば、ジフェニルホスフィン基など）又は炭素数１〜２
０、好ましくは１〜１２の珪素含有炭化水素基（例え
ば、トリメチルシリル基など），炭素数１〜２０、好ま
しくは１〜１２の炭化水素基あるいはハロゲン含有硼素
化合物（例えばＢ（Ｃ6 Ｈ5) 4 ，ＢＦ4)を示す。これら
の中でハロゲン原子及び炭化基が好ましい。Ｘ1 、
Ｙ 1 ，Ｗ1 及びＵ1 はたがいに同一であっても異なって
いてもよい。なお、Ｘ1 、Ｙ1 、Ｗ1 及びＵ1 は、それ
ぞれ互いに結合して環構造を形成してもよい。
元素を示し、具体例としてはチタニウム，ジルコニウ
ム，ハフニウム，ニオブ，モリブテン，タングステンな
どを挙げることができるが、これらの中でチタニウム，
ジルコニウム及びハフニウムが好ましく、特にチタニウ
ムが好適である。Ｚ1 は共有結合性の配位子であり、具
体的には酸素（−Ｏ−），硫黄（−Ｓ−），炭素数１〜
２０、好ましくは１〜１０のアルコキシ基，炭素数１〜
２０、好ましくは１〜１２のチオアルコキシ基，炭素数
１〜４０、好ましくは１〜１８の窒素含有炭化水素基，
炭素数１〜４０、好ましくは１〜１８のリン含有炭化水
素基を示す。Ｘ1 及びＹ1 は、それぞれ共有結合性の配
位子であり、具体的には水素原子，ハロゲン原子，炭素
数１〜２０、好ましくは１〜１０の炭化水素基，炭素数
１〜２０、好ましくは１〜１０のアルコキシ基，アミノ
基，炭素数１〜２０、好ましくは１〜１２のリン含有炭
化水素基（例えば、ジフェニルホスフィン基など）又は
炭素数１〜２０、好ましくは１〜１２の珪素含有炭化水
素基（例えば、トリメチルシリル基など），炭素数１〜
２０、好ましくは１〜１２の炭化水素基あるいはハロゲ
ン含有硼素化合物（例えばＢ（Ｃ6 Ｈ5)4 ，ＢＦ4 ）を
示す。これらの中でハロゲン原子及び炭化基が好まし
い。このＸ1 及びＹ1 はたがいに同一であっても異なっ
ていてもよい。なお、Ｘ1 及びＹ1 は、それぞれ互いに
結合して環構造を形成してもよい。また、上記一般式
（３）において、Ｍ1 は上記と同様に周期律表４〜６族
の遷移金属であり、また、Ｘ1 及びＹ1 は上記と同じで
ある。また、Ｗ1 はＸ1 及びＹ1 と同じである。すなわ
ち、Ｗ1 はそれぞれ共有結合性の配位子であり、具体的
には水素原子，ハロゲン原子，炭素数１〜２０、好まし
くは１〜１０の炭化水素基，炭素数１〜２０、好ましく
は１〜１０のアルコキシ基，アミノ基，炭素数１〜２
０、好ましくは１〜１２のリン含有炭化水素基（例え
ば、ジフェニルホスフィン基など）又は炭素数１〜２
０、好ましくは１〜１２の珪素含有炭化水素基（例え
ば、トリメチルシリル基など），炭素数１〜２０、好ま
しくは１〜１２の炭化水素基あるいはハロゲン含有硼素
化合物（例えばＢ（Ｃ6 Ｈ5)4 ，ＢＦ4 ）を示す。これ
らの中でハロゲン原子及び炭化基が好ましい。Ｘ1 、Ｙ
1 及びＷ1はたがいに同一であっても異なっていてもよ
い。なお、Ｘ1 、Ｙ1 及びＷ1 は、それぞれ互いに結合
して環構造を形成してもよい。また、上記一般式（４）
において、Ｍ1 は上記と同様に周期律表４〜６族の遷移
金属であり、また、Ｘ1 、Ｙ1 及びＷ1 は上記と同じで
ある。また、Ｕ1 はＸ 1 、Ｙ1 及びＷ1 と同じである。
すなわち、Ｕ1 はそれぞれ共有結合性の配位子であり、
具体的には水素原子，ハロゲン原子，炭素数１〜２０、
好ましくは１〜１０の炭化水素基，炭素数１〜２０、好
ましくは１〜１０のアルコキシ基，アミノ基，炭素数１
〜２０、好ましくは１〜１２のリン含有炭化水素基（例
えば、ジフェニルホスフィン基など）又は炭素数１〜２
０、好ましくは１〜１２の珪素含有炭化水素基（例え
ば、トリメチルシリル基など），炭素数１〜２０、好ま
しくは１〜１２の炭化水素基あるいはハロゲン含有硼素
化合物（例えばＢ（Ｃ6 Ｈ5) 4 ，ＢＦ4)を示す。これら
の中でハロゲン原子及び炭化基が好ましい。Ｘ1 、
Ｙ 1 ，Ｗ1 及びＵ1 はたがいに同一であっても異なって
いてもよい。なお、Ｘ1 、Ｙ1 、Ｗ1 及びＵ1 は、それ
ぞれ互いに結合して環構造を形成してもよい。
【００２４】（Ｉ）前記一般式（１）及び（２）で表さ
れる遷移金属化合物の具体例として、以下の化合物を挙
げることができる。 ビス（シクロペンタジエニル）チタニウムジクロリ
ド，ビス（メチルシクロペンタジエニル）チタニウムジ
クロリド，ビス（ジメチルシクロペンタジエニル）チタ
ニウムジクロリド，ビス（トリメチルシクロペンタジエ
ニル）チタニウムジクロリド，ビス（テトラメチルシク
ロペンタジエニル）チタニウムジクロリド，ビス（ペン
タメチルシクロペンタジエニル）チタニウムジクロリ
ド，ビス（ｎ−ブチルシクロペンタジエニルチタニウム
ジクロリド，ビス（インデニル）チタニウムジクロリ
ド，ビス（フルオレニル）チタニウムジクロリド，ビス
（シクロペンタジエニル）チタニウムクロロヒドリド，
ビス（シクロペンタジエニル）メチルチタニウムクロリ
ド，ビス（シクロペンタジエニル）エチルチタニウムク
ロリド，ビス（シクロペンタジエニル）フェニルチタニ
ウムクロリド，ビス（シクロペンタジエニル）ジメチル
チタニウム，ビス（シクロペンタジエニル）ジフェニル
チタニウム，ビス（シクロペンタジエニル）ジネオペン
チルチタニウム，ビス（シクロペンタジエニル）ジヒド
ロチタニウム，（シクロペンタジエニル）（インデニ
ル）チタニウムジクロリド，（シクロペンタジエニル）
（フルオレニル）チタニウムジクロリドなどの架橋する
結合基を有さず共役五員環配位子を２個有する遷移金属
化合物、 メチレンビス（インデニル）チタニウムジクロリド，
エチレンビス（インデニル）チタニウムジクロリド，メ
チレンビス（インデニル）チタニウムクロロヒドリド，
エチレンビス（インデニル）メチルチタニウムクロリ
ド，エチレンビス（インデニル）メトキシクロロチタニ
ウム，エチレンビス（インデニル）チタニウムジエトキ
シド，エチレンビス（インデニル）ジメチルチタニウ
ム，エチレンビス（４，５，６，７−テトラヒドロイン
デニル）チタニウムジクロリド，エチレンビス（２−メ
チルインデニル）チタニウムジクロリド，エチレンビス
（２，４−ジメチルインデニル）チタニウムジクロリ
ド，エチレンビス（２−メチル−４−トリメチルシリル
インデニル）チタニウムジクロリド，エチレンビス
（２，４−ジメチル−５，６，７−トリヒドロインデニ
ル）チタニウムジクロリド，エチレン（２，４−ジメチ
ルシクロペンタジエニル）（３’，５’−ジメチルシク
ロペンタジエニル）チタニウムジクロリド，エチレン
（２−メチル−４−ｔ−ブチルシクロペンタジエニル）
（３’−ｔ−ブチル−５’−メチルシクロペンタジエニ
ル）チタニウムジクロリド，エチレン（２，３，５−ト
リメチルシクペンタジエニル）（２’，４’，５’−ト
リメチルシクロペンタジエニル）チタニウムジクロリ
ド，イソプロピリデンビス（２−メチルインデニル）チ
タニウムジクロリド，イソプロピリデンビス（インデニ
ル）チタニウムジクロリド，イソプロピリデンビス
（２，４−ジメチルインデニル）チタニウムジクロリ
ド，イソプロピリデン（２，４−ジメチルシクロペンタ
ジエニル）（３’５’−ジメチルシクロペンタジエニ
ル）チタニウムジクロリド，イソプロピリデン（２−メ
チル−４−ｔ−ブチルシクロペンタジエニル）（３’−
ｔ−ブチル−５’−メチルシクロペンタジエニル）チタ
ニウムジクロリド，メチレン（シクロペンタジエニル）
（３，４−ジメチルシクロペンタジエニル）チタニウム
ジクロリド，メチレン（シクロペンタジエニル）（３，
４−ジメチルシクロペンタジエニル）チタニウムクロロ
ヒドリド，メチレン（シクロペンタジエニル）（３，４
−ジメチルシクロペンタジエニル）ジメチルチタニウ
ム，メチレン（シクロペンタジエニル）（３，４−ジメ
チルシクロペンタジエニル）ジフェニルチタニウム，メ
チレン（シクロペンタジエニル）（トリメチルシクロペ
ンタジエニル）チタニウムジクロリド，メチレン（シク
ロペンタジエニル）（テトラメチルシクロペンタジエニ
ル）チタニウムジクロリド，イソプロピリデン（シクロ
ペンタジエニル）（３，４−ジメチルシクロペンタジエ
ニル）チタニウムジクロリド，イソプロピリデン（シク
ロペンタジエニル）（２，３，４，５−テトラメチルシ
クロペンタジエニル）チタニウムジクロリド，イソプロ
ピリデン（シクロペンタジエニル）（３−メチルインデ
ニル）チタニウムジクロリド，イソプロピリデン（シク
ロペンタジエニル）（フルオレニル）チタニウムジクロ
リド，イソプロピリデン（２−メチルシクロペンタジエ
ニル）（フルオレニル）チタニウムジクロリド，イソプ
ロピリデン（２，５−ジメチルシクロペンタジエニル）
（３，４−ジメチルシクロペンタジエニル）チタニウム
ジクロリド，イソプロピリデン（２，５−ジメチルシク
ロペンタジエニル）（フルオレニル）チタニウムジクロ
リド，エチレン（シクロペンタジエニル）（３，５−ジ
メチルシクロペンタジエニル）チタニウムジクロリド，
エチレン（シクロペンタジエニル）（フルオレニル）チ
タニウムジクロリド，エチレン（２，５−ジメチルシク
ロペンタジエニル）（フルオレニル）チタニウムジクロ
リド，エチレン（２，５−ジエチルシクロペンタジエニ
ル）（フルオレニル）チタニウムジクロリド，ジフェニ
ルメチレン（シクロペンタジエニル）（３，４−ジエチ
ルシクロペンタジエニル）チタニウムジクロリド，ジフ
ェニルメチレン（シクロペンタジエニル）（３，４−ジ
エチルシクロペンタジエニル）チタニウムジクロリド，
シクロヘキシリデン（シクロペンタジエニル）（フルオ
レニル）チタニウムジクロリド，シクロヘキシリデン
（２，５−ジメチルシクロペンタジエニル）（３’，
４’−ジメチルシクロペンタジエニル）チタニウムジク
ロリドなどのアルキレン基で架橋した共役五員環配位子
を２個有する遷移金属化合物、 ジメチルシリレンビス（インデニル）チタニウムジク
ロリド，ジメチルシリレンビス（４，５，６，７−テト
ラヒドロインデニル）チタニウムジクロリド，ジメチル
シリレンビス（２−メチルインデニル）チタニウムジク
ロリド，ジメチルシリレンビス（２，４−ジメチルイン
デニル）チタニウムジクロリド，ジメチルシリレンビス
（２，４−ジメチルシクロペンタジエニル）（３’，
５’−ジメチルシクロペンタジエニル）チタニウムジク
ロリド，フェニルメチルシリレンビス（インデニル）チ
タニウムジクロリド，フェニルメチルシリレンビス
（４，５，６，７−テトラヒドロインデニル）チタニウ
ムジクロリド，フェニルメチルシリレンビス（２，４−
ジメチルインデニル）チタニウムジクロリド，フェニル
メチルシリレン（２，４−ジメチルシクロペンタジエニ
ル）（３’，５’−ジメチルシクロペンタジエニル）チ
タニウムジクロリド，フェニルメチルシリレン（２，
３，５−トリメチルシクロペンタジエニル）（２’，
４’，５’−トリメチルシクロペンタジエニル）チタニ
ウムジクロリド，フェニルメチルシリレンビス（テトラ
メチルシクロペンタジエニル）チタニウムジクロリド，
ジフェニルシリレンビス（２，４−ジメチルインデニ
ル）チタニウムジクロリド，ジフェニルシリレンビス
（インデニル）チタニウムジクロリド，ジフェニルシリ
レンビス（２−メチルインデニル）チタニウムジクロリ
ド，テトラメチルジシリレンビス（インデニル）チタニ
ウムジクロリド，テトラメチルジシリレンビス（シクロ
ペンタジエニル）チタニウムジクロリド，テトラメチル
ジシリレン（３−メチルシクロペンタジエニル）（イン
デニル）チタニウムジクロリド，ジメチルシリレン（シ
クロペンタジエニル）（３，４−ジメチルシクロペンタ
ジエニル）チタニウムジクロリド，ジメチルシリレン
（シクロペンタジエニル）（トリメチルシクロペンタジ
エニル）チタニウムジクロリド，ジメチルシリレン（シ
クロペンタジエニル）（テトラメチルシクロペンタジエ
ニル）チタニウムジクロリド，ジメチルシリレン（シク
ロペンタジエニル）（３，４−ジエチルシクロペンタジ
エニル）チタニウムジクロリド，ジメチルシリレン（シ
クロペンタジエニル）（トリエチルシクロペンタジエニ
ル）チタニウムジクロリド，ジメチルシリレン（シクロ
ペンタジエニル）（テトラエチルシクロペンタジエニ
ル）チタニウムジクロリド，ジメチルシリレン（シクロ
ペンタジエニル）（フルオレニル）チタニウムジクロリ
ド，ジメチルシリレン（シクロペンタジエニル）（２，
７−ジ−ｔ−ブチルフルオレニル）チタニウムジクロリ
ド，ジメチルシリレン（シクロペンタジエニル）（オク
タヒドロフルオレニル）チタニウムジクロリド，ジメチ
ルシリレン（２−メチルシクロペンタジエニル）（フル
オレニル）チタニウムジクロリド，ジメチルシリレン
（２，５−ジメチルシクロペンタジエニル）（フルオレ
ニル）チタニウムジクロリド，ジメチルシリレン（２−
エチルシクロペンタジエニル）（フルオレニル）チタニ
ウムジクロリド，ジメチルシリレン（２，５−ジエチル
シクロペンタジエニル）（フルオレニル）チタニウムジ
クロリド，ジエチルシリレン（２−メチルシクロペンタ
ジエニル）（２’，７’−ジ−ｔ−ブチルフルオレニ
ル）チタニウムジクロリド，ジメチルシリレン（２，５
−ジメチルシクロペンタジエニル）（２’，７’−ジ−
ｔ−ブチルフルオレニル）チタニウムジクロリド，ジメ
チルシリレン（２−エチルシクロペンタジエニル）
（２’，７’−ジ−ｔ−ブチルフルオレニル）チタニウ
ムジクロリド，ジメチルシリレン（ジエチルシクロペン
タジエニル）（２，７−ジ−ｔ−ブチルフルオレニル）
チタニウムジクロリド，ジメチルシリレン（メチルシク
ロペンタジエニル）（オクタヒドフルオレニル）チタニ
ウムジクロリド，ジメチルシリレン（ジメチルシクロペ
ンタジエニル）（オクタヒドロフルオレニル）チタニウ
ムジクロリド，ジメチルシリレン（エチルシクロペンタ
ジエニル）（オクタヒドロフルオレニル）チタニウムジ
クロリド，ジメチルシリレン（ジエチルシクロペンタジ
エニル）（オクタヒドロフルオレニル）チタニウムジク
ロリドなどのシリレン基架橋共役五員環配位子を２個有
する遷移金属化合物、 ジメチルゲルミレンビス（インデニル）チタニウムジ
クロリド，ジメチルゲルミレン（シクロペンタジエニ
ル）（フルオレニル）チタニウムジクロリド，メチルア
ルミレンビス（インデニル）チタニウムジクロリド，フ
ェニルアミレンビス（インデニル）チタニウムジクロリ
ド，フェニルホスフィレンビス（インデニル）チタニウ
ムジクロリド，エチルボレンビス（インデニル）チタニ
ウムジクロリド，フェニルアミレンビス（インデニル）
チタニウムジクロリド，フェニルアミレン（シクロペン
タジエニル）（フルオレニル）チタニウムジクロリドな
どのゲルマニウム，アルミニウム，硼素，リン又は窒素
を含む炭化水素基で架橋された共役五員環配位子を２個
有する遷移金属化合物、 ペンタメチルシクロペンタジエニル−ビス（フェニ
ル）アミノチタニウムジクロリド，インデニル−ビス
（フェニル）アミノチタニウムジクロリド，ペンタメチ
ルシクロペンタジエニル−ビス（トリメチルシリル）ア
ミノチタニウムジクロリド，ペンタメチルシクロペンタ
ジエニルフェノキシチタニウムジクロリド，ジメチルシ
リレン（テトラメチルシクロペンタジエニル）フェニル
アミノチタニウムジクロリド，ジメチルシリレン（テト
ラメチルシクロペンタジエニル）−ｔ−ブチルアミノチ
タニウムジクロリド，ジメチルシリレン（テトラヒドロ
インデニル）デシルアミノチタニウムジクロリド，ジメ
チルシリレン（テトラヒドロインデニル）〔ビス（トリ
メチルシリル）アミノ〕チタニウムジクロリド，ジメチ
ルゲルミレン（テトラメチルシクロペンタジエニル）フ
ェニルアミノチタニウムジクロリド，ペンタメチルシク
ロペンタジエニルチタニウムトリメトキシド，ペンタメ
チルシクロペンタジエニルチタニウムトリクロリド，
（第３級ブチルアミド）（テトラメチル−η５−シクロ
ペンタジエニル）−１，２−エタンジイルチタンジクロ
リド，（メチルアミド）（テトラメチル−η５−シクロ
ペンタジエニル）−１，２−エタンジイルチタンジクロ
リド，（エチルアミド）（テトラメチル−η５−シクロ
ペンタジエニル）−メチレンチタンジクロリド，（第３
級ブチルアミド）ジメチル−（テトラメチル−η５−シ
クロペンタジエニル）シランチタンジクロリド，（ベン
ジルアミド）ジメチル−（テトラメチル−η５−シクロ
ペンタジエニル）シランチタンジクロリド，（フェニル
ホスフィド）ジメチル−（テトラメチル−η５−シクロ
ペンタジエニル）シランチタンジベンジルなどの共役五
員環配位子を１個有する遷移金属化合物、 （１，１’−ジメチルシリレン）（２，２’−イソプ
ロピリデン）−ビス（シクロペンタジエニル）チタニウ
ムジクロリド，（１，１’−ジメチルシリレン）（２，
２’−ジメチルシリレン）−ビス（シクロペンタジエニ
ル）チタニウムジクロリド，（１，１’−ジメチルシリ
レン）（２，２’−イソプロピリデン）−ビス（シクロ
ペンタジエニル）ジメチルチタニウム，（１，１’−ジ
メチルシリレン）（２，２’−イソプロピリデン）−ビ
ス（シクロペンタジエニル）ジベンジルチタニウム，
（１，１’−ジメチルシリレン）（２，２’−イソプロ
ピリデン）−ビス（シクロペンタジエニル）ビス（トリ
メチルシリル）チタニウム，（１，１’−ジメチルシリ
レン）（２，２’−イソプロピリデン）−ビス（シクロ
ペンタジエニル）ビス（トリメチルシリルメチル）チタ
ニウム，（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−
エチレン）−ビス（インデニル）チタニウムジクロリ
ド，（１，１’−ジメチルシリレン）（２，２’−エチ
レン）−ビス（インデニル）チタニウムジクロリド，
（１，１’−エチレン）（２，２’−ジメチルシリレ
ン）−ビス（インデニル）チタニウムジクロリド，
（１，１’−ジメチルシリレン）（２，２’−シクロヘ
キシリデン）−ビス（インデニル）チタニウムジクロリ
ドなどの配位子同士が二重架橋された共役五員環配位子
を２個有する遷移金属化合物、 さらには、上記〜に記載の化合物において、これ
らの化合物の塩素原子を臭素原子，ヨウ素原子，水素原
子，メチル基，フェニル基などに置き換えたもの、ま
た、上記遷移金属化合物の中心金属のチタニウムをジル
コニウム，ハフニウム，ニオブ，モリブテン又はタング
ステンなどに置き換えたものを挙げることができる。 上記〜に記載の化合物のうち、の共役五員環配
位子を１個有する遷移金属化合物が、シンジオタクチッ
ク構造を有するスチレン系重合体の製造において、特に
好ましく用いられる。 （II）前記一般式（３）で表される遷移金属化合物の具
体例として、以下の化合物を挙げることができる。 中でも、上記一般式（３）中の（Ｃ5 Ｈ5-e Ｒ11 e ）基
が、下記一般式（III)〜（IX）で表される遷移金属化合
物が好ましい。
れる遷移金属化合物の具体例として、以下の化合物を挙
げることができる。 ビス（シクロペンタジエニル）チタニウムジクロリ
ド，ビス（メチルシクロペンタジエニル）チタニウムジ
クロリド，ビス（ジメチルシクロペンタジエニル）チタ
ニウムジクロリド，ビス（トリメチルシクロペンタジエ
ニル）チタニウムジクロリド，ビス（テトラメチルシク
ロペンタジエニル）チタニウムジクロリド，ビス（ペン
タメチルシクロペンタジエニル）チタニウムジクロリ
ド，ビス（ｎ−ブチルシクロペンタジエニルチタニウム
ジクロリド，ビス（インデニル）チタニウムジクロリ
ド，ビス（フルオレニル）チタニウムジクロリド，ビス
（シクロペンタジエニル）チタニウムクロロヒドリド，
ビス（シクロペンタジエニル）メチルチタニウムクロリ
ド，ビス（シクロペンタジエニル）エチルチタニウムク
ロリド，ビス（シクロペンタジエニル）フェニルチタニ
ウムクロリド，ビス（シクロペンタジエニル）ジメチル
チタニウム，ビス（シクロペンタジエニル）ジフェニル
チタニウム，ビス（シクロペンタジエニル）ジネオペン
チルチタニウム，ビス（シクロペンタジエニル）ジヒド
ロチタニウム，（シクロペンタジエニル）（インデニ
ル）チタニウムジクロリド，（シクロペンタジエニル）
（フルオレニル）チタニウムジクロリドなどの架橋する
結合基を有さず共役五員環配位子を２個有する遷移金属
化合物、 メチレンビス（インデニル）チタニウムジクロリド，
エチレンビス（インデニル）チタニウムジクロリド，メ
チレンビス（インデニル）チタニウムクロロヒドリド，
エチレンビス（インデニル）メチルチタニウムクロリ
ド，エチレンビス（インデニル）メトキシクロロチタニ
ウム，エチレンビス（インデニル）チタニウムジエトキ
シド，エチレンビス（インデニル）ジメチルチタニウ
ム，エチレンビス（４，５，６，７−テトラヒドロイン
デニル）チタニウムジクロリド，エチレンビス（２−メ
チルインデニル）チタニウムジクロリド，エチレンビス
（２，４−ジメチルインデニル）チタニウムジクロリ
ド，エチレンビス（２−メチル−４−トリメチルシリル
インデニル）チタニウムジクロリド，エチレンビス
（２，４−ジメチル−５，６，７−トリヒドロインデニ
ル）チタニウムジクロリド，エチレン（２，４−ジメチ
ルシクロペンタジエニル）（３’，５’−ジメチルシク
ロペンタジエニル）チタニウムジクロリド，エチレン
（２−メチル−４−ｔ−ブチルシクロペンタジエニル）
（３’−ｔ−ブチル−５’−メチルシクロペンタジエニ
ル）チタニウムジクロリド，エチレン（２，３，５−ト
リメチルシクペンタジエニル）（２’，４’，５’−ト
リメチルシクロペンタジエニル）チタニウムジクロリ
ド，イソプロピリデンビス（２−メチルインデニル）チ
タニウムジクロリド，イソプロピリデンビス（インデニ
ル）チタニウムジクロリド，イソプロピリデンビス
（２，４−ジメチルインデニル）チタニウムジクロリ
ド，イソプロピリデン（２，４−ジメチルシクロペンタ
ジエニル）（３’５’−ジメチルシクロペンタジエニ
ル）チタニウムジクロリド，イソプロピリデン（２−メ
チル−４−ｔ−ブチルシクロペンタジエニル）（３’−
ｔ−ブチル−５’−メチルシクロペンタジエニル）チタ
ニウムジクロリド，メチレン（シクロペンタジエニル）
（３，４−ジメチルシクロペンタジエニル）チタニウム
ジクロリド，メチレン（シクロペンタジエニル）（３，
４−ジメチルシクロペンタジエニル）チタニウムクロロ
ヒドリド，メチレン（シクロペンタジエニル）（３，４
−ジメチルシクロペンタジエニル）ジメチルチタニウ
ム，メチレン（シクロペンタジエニル）（３，４−ジメ
チルシクロペンタジエニル）ジフェニルチタニウム，メ
チレン（シクロペンタジエニル）（トリメチルシクロペ
ンタジエニル）チタニウムジクロリド，メチレン（シク
ロペンタジエニル）（テトラメチルシクロペンタジエニ
ル）チタニウムジクロリド，イソプロピリデン（シクロ
ペンタジエニル）（３，４−ジメチルシクロペンタジエ
ニル）チタニウムジクロリド，イソプロピリデン（シク
ロペンタジエニル）（２，３，４，５−テトラメチルシ
クロペンタジエニル）チタニウムジクロリド，イソプロ
ピリデン（シクロペンタジエニル）（３−メチルインデ
ニル）チタニウムジクロリド，イソプロピリデン（シク
ロペンタジエニル）（フルオレニル）チタニウムジクロ
リド，イソプロピリデン（２−メチルシクロペンタジエ
ニル）（フルオレニル）チタニウムジクロリド，イソプ
ロピリデン（２，５−ジメチルシクロペンタジエニル）
（３，４−ジメチルシクロペンタジエニル）チタニウム
ジクロリド，イソプロピリデン（２，５−ジメチルシク
ロペンタジエニル）（フルオレニル）チタニウムジクロ
リド，エチレン（シクロペンタジエニル）（３，５−ジ
メチルシクロペンタジエニル）チタニウムジクロリド，
エチレン（シクロペンタジエニル）（フルオレニル）チ
タニウムジクロリド，エチレン（２，５−ジメチルシク
ロペンタジエニル）（フルオレニル）チタニウムジクロ
リド，エチレン（２，５−ジエチルシクロペンタジエニ
ル）（フルオレニル）チタニウムジクロリド，ジフェニ
ルメチレン（シクロペンタジエニル）（３，４−ジエチ
ルシクロペンタジエニル）チタニウムジクロリド，ジフ
ェニルメチレン（シクロペンタジエニル）（３，４−ジ
エチルシクロペンタジエニル）チタニウムジクロリド，
シクロヘキシリデン（シクロペンタジエニル）（フルオ
レニル）チタニウムジクロリド，シクロヘキシリデン
（２，５−ジメチルシクロペンタジエニル）（３’，
４’−ジメチルシクロペンタジエニル）チタニウムジク
ロリドなどのアルキレン基で架橋した共役五員環配位子
を２個有する遷移金属化合物、 ジメチルシリレンビス（インデニル）チタニウムジク
ロリド，ジメチルシリレンビス（４，５，６，７−テト
ラヒドロインデニル）チタニウムジクロリド，ジメチル
シリレンビス（２−メチルインデニル）チタニウムジク
ロリド，ジメチルシリレンビス（２，４−ジメチルイン
デニル）チタニウムジクロリド，ジメチルシリレンビス
（２，４−ジメチルシクロペンタジエニル）（３’，
５’−ジメチルシクロペンタジエニル）チタニウムジク
ロリド，フェニルメチルシリレンビス（インデニル）チ
タニウムジクロリド，フェニルメチルシリレンビス
（４，５，６，７−テトラヒドロインデニル）チタニウ
ムジクロリド，フェニルメチルシリレンビス（２，４−
ジメチルインデニル）チタニウムジクロリド，フェニル
メチルシリレン（２，４−ジメチルシクロペンタジエニ
ル）（３’，５’−ジメチルシクロペンタジエニル）チ
タニウムジクロリド，フェニルメチルシリレン（２，
３，５−トリメチルシクロペンタジエニル）（２’，
４’，５’−トリメチルシクロペンタジエニル）チタニ
ウムジクロリド，フェニルメチルシリレンビス（テトラ
メチルシクロペンタジエニル）チタニウムジクロリド，
ジフェニルシリレンビス（２，４−ジメチルインデニ
ル）チタニウムジクロリド，ジフェニルシリレンビス
（インデニル）チタニウムジクロリド，ジフェニルシリ
レンビス（２−メチルインデニル）チタニウムジクロリ
ド，テトラメチルジシリレンビス（インデニル）チタニ
ウムジクロリド，テトラメチルジシリレンビス（シクロ
ペンタジエニル）チタニウムジクロリド，テトラメチル
ジシリレン（３−メチルシクロペンタジエニル）（イン
デニル）チタニウムジクロリド，ジメチルシリレン（シ
クロペンタジエニル）（３，４−ジメチルシクロペンタ
ジエニル）チタニウムジクロリド，ジメチルシリレン
（シクロペンタジエニル）（トリメチルシクロペンタジ
エニル）チタニウムジクロリド，ジメチルシリレン（シ
クロペンタジエニル）（テトラメチルシクロペンタジエ
ニル）チタニウムジクロリド，ジメチルシリレン（シク
ロペンタジエニル）（３，４−ジエチルシクロペンタジ
エニル）チタニウムジクロリド，ジメチルシリレン（シ
クロペンタジエニル）（トリエチルシクロペンタジエニ
ル）チタニウムジクロリド，ジメチルシリレン（シクロ
ペンタジエニル）（テトラエチルシクロペンタジエニ
ル）チタニウムジクロリド，ジメチルシリレン（シクロ
ペンタジエニル）（フルオレニル）チタニウムジクロリ
ド，ジメチルシリレン（シクロペンタジエニル）（２，
７−ジ−ｔ−ブチルフルオレニル）チタニウムジクロリ
ド，ジメチルシリレン（シクロペンタジエニル）（オク
タヒドロフルオレニル）チタニウムジクロリド，ジメチ
ルシリレン（２−メチルシクロペンタジエニル）（フル
オレニル）チタニウムジクロリド，ジメチルシリレン
（２，５−ジメチルシクロペンタジエニル）（フルオレ
ニル）チタニウムジクロリド，ジメチルシリレン（２−
エチルシクロペンタジエニル）（フルオレニル）チタニ
ウムジクロリド，ジメチルシリレン（２，５−ジエチル
シクロペンタジエニル）（フルオレニル）チタニウムジ
クロリド，ジエチルシリレン（２−メチルシクロペンタ
ジエニル）（２’，７’−ジ−ｔ−ブチルフルオレニ
ル）チタニウムジクロリド，ジメチルシリレン（２，５
−ジメチルシクロペンタジエニル）（２’，７’−ジ−
ｔ−ブチルフルオレニル）チタニウムジクロリド，ジメ
チルシリレン（２−エチルシクロペンタジエニル）
（２’，７’−ジ−ｔ−ブチルフルオレニル）チタニウ
ムジクロリド，ジメチルシリレン（ジエチルシクロペン
タジエニル）（２，７−ジ−ｔ−ブチルフルオレニル）
チタニウムジクロリド，ジメチルシリレン（メチルシク
ロペンタジエニル）（オクタヒドフルオレニル）チタニ
ウムジクロリド，ジメチルシリレン（ジメチルシクロペ
ンタジエニル）（オクタヒドロフルオレニル）チタニウ
ムジクロリド，ジメチルシリレン（エチルシクロペンタ
ジエニル）（オクタヒドロフルオレニル）チタニウムジ
クロリド，ジメチルシリレン（ジエチルシクロペンタジ
エニル）（オクタヒドロフルオレニル）チタニウムジク
ロリドなどのシリレン基架橋共役五員環配位子を２個有
する遷移金属化合物、 ジメチルゲルミレンビス（インデニル）チタニウムジ
クロリド，ジメチルゲルミレン（シクロペンタジエニ
ル）（フルオレニル）チタニウムジクロリド，メチルア
ルミレンビス（インデニル）チタニウムジクロリド，フ
ェニルアミレンビス（インデニル）チタニウムジクロリ
ド，フェニルホスフィレンビス（インデニル）チタニウ
ムジクロリド，エチルボレンビス（インデニル）チタニ
ウムジクロリド，フェニルアミレンビス（インデニル）
チタニウムジクロリド，フェニルアミレン（シクロペン
タジエニル）（フルオレニル）チタニウムジクロリドな
どのゲルマニウム，アルミニウム，硼素，リン又は窒素
を含む炭化水素基で架橋された共役五員環配位子を２個
有する遷移金属化合物、 ペンタメチルシクロペンタジエニル−ビス（フェニ
ル）アミノチタニウムジクロリド，インデニル−ビス
（フェニル）アミノチタニウムジクロリド，ペンタメチ
ルシクロペンタジエニル−ビス（トリメチルシリル）ア
ミノチタニウムジクロリド，ペンタメチルシクロペンタ
ジエニルフェノキシチタニウムジクロリド，ジメチルシ
リレン（テトラメチルシクロペンタジエニル）フェニル
アミノチタニウムジクロリド，ジメチルシリレン（テト
ラメチルシクロペンタジエニル）−ｔ−ブチルアミノチ
タニウムジクロリド，ジメチルシリレン（テトラヒドロ
インデニル）デシルアミノチタニウムジクロリド，ジメ
チルシリレン（テトラヒドロインデニル）〔ビス（トリ
メチルシリル）アミノ〕チタニウムジクロリド，ジメチ
ルゲルミレン（テトラメチルシクロペンタジエニル）フ
ェニルアミノチタニウムジクロリド，ペンタメチルシク
ロペンタジエニルチタニウムトリメトキシド，ペンタメ
チルシクロペンタジエニルチタニウムトリクロリド，
（第３級ブチルアミド）（テトラメチル−η５−シクロ
ペンタジエニル）−１，２−エタンジイルチタンジクロ
リド，（メチルアミド）（テトラメチル−η５−シクロ
ペンタジエニル）−１，２−エタンジイルチタンジクロ
リド，（エチルアミド）（テトラメチル−η５−シクロ
ペンタジエニル）−メチレンチタンジクロリド，（第３
級ブチルアミド）ジメチル−（テトラメチル−η５−シ
クロペンタジエニル）シランチタンジクロリド，（ベン
ジルアミド）ジメチル−（テトラメチル−η５−シクロ
ペンタジエニル）シランチタンジクロリド，（フェニル
ホスフィド）ジメチル−（テトラメチル−η５−シクロ
ペンタジエニル）シランチタンジベンジルなどの共役五
員環配位子を１個有する遷移金属化合物、 （１，１’−ジメチルシリレン）（２，２’−イソプ
ロピリデン）−ビス（シクロペンタジエニル）チタニウ
ムジクロリド，（１，１’−ジメチルシリレン）（２，
２’−ジメチルシリレン）−ビス（シクロペンタジエニ
ル）チタニウムジクロリド，（１，１’−ジメチルシリ
レン）（２，２’−イソプロピリデン）−ビス（シクロ
ペンタジエニル）ジメチルチタニウム，（１，１’−ジ
メチルシリレン）（２，２’−イソプロピリデン）−ビ
ス（シクロペンタジエニル）ジベンジルチタニウム，
（１，１’−ジメチルシリレン）（２，２’−イソプロ
ピリデン）−ビス（シクロペンタジエニル）ビス（トリ
メチルシリル）チタニウム，（１，１’−ジメチルシリ
レン）（２，２’−イソプロピリデン）−ビス（シクロ
ペンタジエニル）ビス（トリメチルシリルメチル）チタ
ニウム，（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−
エチレン）−ビス（インデニル）チタニウムジクロリ
ド，（１，１’−ジメチルシリレン）（２，２’−エチ
レン）−ビス（インデニル）チタニウムジクロリド，
（１，１’−エチレン）（２，２’−ジメチルシリレ
ン）−ビス（インデニル）チタニウムジクロリド，
（１，１’−ジメチルシリレン）（２，２’−シクロヘ
キシリデン）−ビス（インデニル）チタニウムジクロリ
ドなどの配位子同士が二重架橋された共役五員環配位子
を２個有する遷移金属化合物、 さらには、上記〜に記載の化合物において、これ
らの化合物の塩素原子を臭素原子，ヨウ素原子，水素原
子，メチル基，フェニル基などに置き換えたもの、ま
た、上記遷移金属化合物の中心金属のチタニウムをジル
コニウム，ハフニウム，ニオブ，モリブテン又はタング
ステンなどに置き換えたものを挙げることができる。 上記〜に記載の化合物のうち、の共役五員環配
位子を１個有する遷移金属化合物が、シンジオタクチッ
ク構造を有するスチレン系重合体の製造において、特に
好ましく用いられる。 （II）前記一般式（３）で表される遷移金属化合物の具
体例として、以下の化合物を挙げることができる。 中でも、上記一般式（３）中の（Ｃ5 Ｈ5-e Ｒ11 e ）基
が、下記一般式（III)〜（IX）で表される遷移金属化合
物が好ましい。
【００２５】
【化１０】
【００２６】[式中，Ａは１３、１４、１５又は１６族
の元素を示し、Ａは、それぞれ相互に同一であっても異
なっていてもよい。Ｒは、水素原子、ハロゲン原子、炭
素数１〜３０の脂肪族炭化水素基、炭素数６〜３０の芳
香族炭化水素基、炭素数１〜３０のアルコキシ基、炭素
数６〜３０のアリーロキシ基、炭素数１〜３０のチオア
ルコキシ基，炭素数６〜３０のチオアリーロキシ基，ア
ミノ基、アミド基、カルボキシル基、炭素数３〜３０の
アルキルシリル基、アルキルシリルアルキル基を示し、
Ｒは、それぞれ相互に同一であっても異なっていてもよ
く、また、必要に応じて結合し、環構造を形成してもよ
い。ａは０、１又は２を示し、ｎ及びｍは、1 以上の整
数を示す。] この（Ｃ5 Ｈ5-e Ｒ11 e ）基の具体例としては，例え
ば、以下のものが挙げられる。なお、インデニル誘導体
及びフルオレニル誘導体について、以下に示す置換基の
位置番号を用いている。
の元素を示し、Ａは、それぞれ相互に同一であっても異
なっていてもよい。Ｒは、水素原子、ハロゲン原子、炭
素数１〜３０の脂肪族炭化水素基、炭素数６〜３０の芳
香族炭化水素基、炭素数１〜３０のアルコキシ基、炭素
数６〜３０のアリーロキシ基、炭素数１〜３０のチオア
ルコキシ基，炭素数６〜３０のチオアリーロキシ基，ア
ミノ基、アミド基、カルボキシル基、炭素数３〜３０の
アルキルシリル基、アルキルシリルアルキル基を示し、
Ｒは、それぞれ相互に同一であっても異なっていてもよ
く、また、必要に応じて結合し、環構造を形成してもよ
い。ａは０、１又は２を示し、ｎ及びｍは、1 以上の整
数を示す。] この（Ｃ5 Ｈ5-e Ｒ11 e ）基の具体例としては，例え
ば、以下のものが挙げられる。なお、インデニル誘導体
及びフルオレニル誘導体について、以下に示す置換基の
位置番号を用いている。
【００２７】
【化１１】
【００２８】シクロペンタジエニル基、メチルシクロペ
ンタジエニル基、１，２−ジメチルシクロペンタジエニ
ル基、１，３−ジメチルシクロペンタジエニル基、１，
２，３−トリメチルシクロペンタジエニル基、１，３，
４−トリメチルシクロペンタジエニル基、テトラメチル
シクロペンタジエニル基、ペンタメチルシクロペンタジ
エニル基、エチルシクロペンタジエニル基、１，２−ジ
エチルシクロペンタジエニル基、１，３−ジエチルシク
ロペンタジエニル基、１，２，３−トリエチルシクロペ
ンタジエニル基、１，３，４−トリエチルシクロペンタ
ジエニル基、テトラエチルシクロペンタジエニル基、ペ
ンタエチルシクロペンタジエニル基、インデニル基、１
−メチルインデニル基、１，２―ジメチルインデニル
基、１，３―ジメチルインデニル基、１，２，３―トリ
メチルインデニル基、２−メチルインデニル基、１−エ
チルインデニル基、１−エチル−２―メチルインデニル
基、１−エチル−３―メチルインデニル基、１−エチル
−２，３―ジメチルインデニル基、１，２−ジエチルイ
ンデニル基、１，３−ジエチルインデニル基、１，２，
３−トリエチルインデニル基、２−エチルインデニル
基、１―メチル−２−エチルインデニル基、１，３−ジ
メチル−２―エチルインデニル基、４，５，６，７―テ
トラヒドロインデニル基、１−メチル−４，５，６，７
―テトラヒドロインデニル基、１，２−ジメチル−４，
５，６，７―テトラヒドロインデニル基、１，３−ジメ
チル−４，５，６，７―テトラヒドロインデニル基、
１，２，３−トリメチル−４，５，６，７―テトラヒド
ロインデニル基、２―メチル−４，５，６，７―テトラ
ヒドロインデニル基、１−エチル−４，５，６，７―テ
トラヒドロインデニル基、１−エチル−２−メチル−
４，５，６，７―テトラヒドロインデニル基、１−エチ
ル−３−メチル−４，５，６，７―テトラヒドロインデ
ニル基、１−エチル−２，３−ジメチル−４，５，６，
７―テトラヒドロインデニル基、１，２−ジエチル−
４，５，６，７―テトラヒドロインデニル基、１，２−
ジエチル−３−メチル−４，５，６，７―テトラヒドロ
インデニル基、１，３−ジエチル、４、５、６、７―テ
トラヒドロインデニル基、１，３−ジエチル、２−メチ
ル−４，５，６，７―テトラヒドロインデニル基、１，
２，３−トリエチル−４，５，６，７―テトラヒドロイ
ンデニル基、２―エチル−４，５，６，７―テトラヒド
ロインデニル基、１−メチル−２―エチル−４，５，
６，７―テトラヒドロインデニル基、１，３−ジメチル
−２―エチル−４，５，６，７―テトラヒドロインデニ
ル基、フルオレニル基、９−メチルフルオレニル基、９
−エチルフルオレニル基、１，２，３，４―テトラヒド
ロフルオレニル基、９−メチル−１，２，３，４―テト
ラヒドロフルオレニル基、９−エチル−１，２，３，４
―テトラヒドロフルオレニル基、１，２，３，４，５，
６，７，８−オクタヒドロフルオレニル基、９−メチ
ル、１，２，３，４，５，６，７，８−オクタヒドロフ
ルオレニル基、９−エチル、１，２，３，４，５，６，
７，８−オクタヒドロフルオレニル基等が挙げられる。
ンタジエニル基、１，２−ジメチルシクロペンタジエニ
ル基、１，３−ジメチルシクロペンタジエニル基、１，
２，３−トリメチルシクロペンタジエニル基、１，３，
４−トリメチルシクロペンタジエニル基、テトラメチル
シクロペンタジエニル基、ペンタメチルシクロペンタジ
エニル基、エチルシクロペンタジエニル基、１，２−ジ
エチルシクロペンタジエニル基、１，３−ジエチルシク
ロペンタジエニル基、１，２，３−トリエチルシクロペ
ンタジエニル基、１，３，４−トリエチルシクロペンタ
ジエニル基、テトラエチルシクロペンタジエニル基、ペ
ンタエチルシクロペンタジエニル基、インデニル基、１
−メチルインデニル基、１，２―ジメチルインデニル
基、１，３―ジメチルインデニル基、１，２，３―トリ
メチルインデニル基、２−メチルインデニル基、１−エ
チルインデニル基、１−エチル−２―メチルインデニル
基、１−エチル−３―メチルインデニル基、１−エチル
−２，３―ジメチルインデニル基、１，２−ジエチルイ
ンデニル基、１，３−ジエチルインデニル基、１，２，
３−トリエチルインデニル基、２−エチルインデニル
基、１―メチル−２−エチルインデニル基、１，３−ジ
メチル−２―エチルインデニル基、４，５，６，７―テ
トラヒドロインデニル基、１−メチル−４，５，６，７
―テトラヒドロインデニル基、１，２−ジメチル−４，
５，６，７―テトラヒドロインデニル基、１，３−ジメ
チル−４，５，６，７―テトラヒドロインデニル基、
１，２，３−トリメチル−４，５，６，７―テトラヒド
ロインデニル基、２―メチル−４，５，６，７―テトラ
ヒドロインデニル基、１−エチル−４，５，６，７―テ
トラヒドロインデニル基、１−エチル−２−メチル−
４，５，６，７―テトラヒドロインデニル基、１−エチ
ル−３−メチル−４，５，６，７―テトラヒドロインデ
ニル基、１−エチル−２，３−ジメチル−４，５，６，
７―テトラヒドロインデニル基、１，２−ジエチル−
４，５，６，７―テトラヒドロインデニル基、１，２−
ジエチル−３−メチル−４，５，６，７―テトラヒドロ
インデニル基、１，３−ジエチル、４、５、６、７―テ
トラヒドロインデニル基、１，３−ジエチル、２−メチ
ル−４，５，６，７―テトラヒドロインデニル基、１，
２，３−トリエチル−４，５，６，７―テトラヒドロイ
ンデニル基、２―エチル−４，５，６，７―テトラヒド
ロインデニル基、１−メチル−２―エチル−４，５，
６，７―テトラヒドロインデニル基、１，３−ジメチル
−２―エチル−４，５，６，７―テトラヒドロインデニ
ル基、フルオレニル基、９−メチルフルオレニル基、９
−エチルフルオレニル基、１，２，３，４―テトラヒド
ロフルオレニル基、９−メチル−１，２，３，４―テト
ラヒドロフルオレニル基、９−エチル−１，２，３，４
―テトラヒドロフルオレニル基、１，２，３，４，５，
６，７，８−オクタヒドロフルオレニル基、９−メチ
ル、１，２，３，４，５，６，７，８−オクタヒドロフ
ルオレニル基、９−エチル、１，２，３，４，５，６，
７，８−オクタヒドロフルオレニル基等が挙げられる。
【００２９】前記一般式（３）で表される遷移金属化合
物の具体例を以下に示す。シクロペンタジエニルチタニ
ウムトリクロライド、シクロペンタジエニルチタニウム
トリメチル、シクロペンタジエニルチタニウムトリメト
キシド、シクロペンタジエニルチタニウムトリベンジ
ル、メチルシクロペンタジエニルチタニウムトリクロラ
イド、メチルシクロペンタジエニルチタニウムトリメチ
ル、メチルシクロペンタジエニルチタニウムトリメトキ
シド、メチルシクロペンタジエニルチタニウムトリベン
ジル、ジメチルシクロペンタジエニルチタニウムトリク
ロライド、ジメチルシクロペンタジエニルチタニウムト
リメチル、ジメチルシクロペンタジエニルチタニウムト
リメトキシド、ジメチルシクロペンタジエニルチタニウ
ムトリベンジル、トリメチルシクロペンタジエニルチタ
ニウムトリクロライド、トリメチルシクロペンタジエニ
ルチタニウムトリメチル、トリメチルシクロペンタジエ
ニルチタニウムトリメトキシド、トリメチルシクロペン
タジエニルチタニウムトリベンジル、テトラメチルシク
ロペンタジエニルチタニウムトリクロライド、テトラメ
チルシクロペンタジエニルチタニウムトリメチル、テト
ラメチルシクロペンタジエニルチタニウムトリメトキシ
ド、テトラメチルシクロペンタジエニルチタニウムトリ
ベンジル、ペンタメチルシクロペンタジエニルチタニウ
ムトリクロライド、ペンタメチルシクロペンタジエニル
チタニウムトリメチル、ペンタメチルシクロペンタジエ
ニルチタニウムトリメトキシド、ペンタメチルシクロペ
ンタジエニルチタニウムトリベンジル、インデニルチタ
ニウムトリクロリド、インデニルチタニウムトリメチ
ル、インデニルチタニウムトリメトキシド、インデニル
チタニウムトリベンジル、１−メチルインデニルチタニ
ウムトリクロリド、１−メチルインデニルチタニウムト
リメチル、１−メチルインデニルチタニウムトリメトキ
シド、１−メチルインデニルチタニウムトリベンジル、
２−メチルインデニルチタニウムトリクロリド、２−メ
チルインデニルチタニウムトリメチル、２−メチルイン
デニルチタニウムトリメトキシド、１−メチルインデニ
ルチタニウムトリベンジル、１，２−ジメチルインデニ
ルチタニウムトリクロリド、１，２−ジメチルインデニ
ルチタニウムトリメチル、１，２−ジメチルインデニル
チタニウムトリメトキシド、１，２−ジメチルインデニ
ルチタニウムトリベンジル、１，３−ジメチルインデニ
ルチタニウムトリクロリド、１，３−ジメチルインデニ
ルチタニウムトリメチル、１，３−ジメチルインデニル
チタニウムトリメトキシド、１，３−ジメチルインデニ
ルチタニウムトリベンジル、１，２，３−トリメチルイ
ンデニルチタニウムトリクロリド、１，２，３−トリメ
チルインデニルチタニウムトリメチル、１，２，３−ト
リメチルインデニルチタニウムトリメトキシド、１，
２，３−トリメチルインデニルチタニウムトリベンジ
ル、１，２，３，４，５，６，７−ヘプタメチルインデ
ニルチタニウムトリクロリド、１，２，３，４，５，
６，７−ヘプタメチルインデニルチタニウムトリメチ
ル、１，２，３，４，５，６，７−ヘプタメチルインデ
ニルチタニウムトリメトキシド、１，２，３，４，５，
６，７−ヘプタメチルインデニルチタニウムトリベンジ
ル ４，５，６，７−テトラヒドロインデニルチタニウ
ムトリクロリド、４，５，６，７―テトラヒドロインデ
ニルチタニウムトリメチル、４，５，６，７―テトラヒ
ドロインデニルチタニウムトリメトキシド、４，５，
６，７―テトラヒドロインデニルチタニウムトリベンジ
ル、１−メチル−４，５，６，７―テトラヒドロインデ
ニルチタニウムトリクロリド、１−メチル−４，５，
６，７―テトラヒドロインデニルチタニウムトリメチ
ル、１−メチル−４，５，６，７―テトラヒドロインデ
ニルチタニウムトリメトキシド、１−メチル−４，５，
６，７―テトラヒドロインデニルチタニウムトリベンジ
ル、２−メチル−４，５，６，７―テトラヒドロインデ
ニルチタニウムトリクロリド、２−メチル−４，５，
６，７―テトラヒドロインデニルチタニウムトリメトキ
シド、２−メチル−４，５，６，７―テトラヒドロイン
デニルチタニウムトリベンジル、１、２−ジメチル、
４，５，６，７―テトラヒドロインデニルチタニウムト
リクロリド、１，２−ジメチル−４，５，６，７―テト
ラヒドロインデニルチタニウムトリメチル、１，２−ジ
メチル−４，５，６，７―テトラヒドロインデニルチタ
ニウムトリメトキシド、１，２−ジメチル−４，５，
６，７―テトラヒドロインデニルチタニウムトリベンジ
ル、１，３−ジメチル−４，５，６，７―テトラヒドロ
インデニルチタニウムトリクロリド、１，３−ジメチル
−４，５，６，７―テトラヒドロインデニルチタニウム
トリメチル、１，３−ジメチル−４，５，６，７―テト
ラヒドロインデニルチタニウムトリメトキシド、１，３
−ジメチル−４，５，６，７―テトラヒドロインデニル
チタニウムトリベンジル、１，２，３−トリメチル−
４，５，６，７―テトラヒドロインデニルチタニウムト
リクロリド、１，２，３−トリメチル−４，５，６，７
―テトラヒドロインデニルチタニウムトリメチル、１，
２，３−トリメチル−４，５，６，７―テトラヒドロイ
ンデニルチタニウムトリメトキシド、１，２，３−トリ
メチル−４，５，６，７―テトラヒドロインデニルチタ
ニウムトリベンジル、１−エチル−４，５，６，７―テ
トラヒドロインデニルチタニウムトリクロリド、１−エ
チル−４，５，６，７―テトラヒドロインデニルチタニ
ウムトリメチル、１−エチル−４，５，６，７―テトラ
ヒドロインデニルチタニウムトリメトキシド、１−エチ
ル−４，５，６、７―テトラヒドロインデニルチタニウ
ムトリベンジル、１−エチル−２−メチル−４，５，
６，７―テトラヒドロインデニルチタニウムトリクロリ
ド、１−エチル−２−メチル−４，５，６，７―テトラ
ヒドロインデニルチタニウムトリメチル、１−エチル−
２−メチル−４，５，６，７―テトラヒドロインデニル
チタニウムトリメトキシド、１−エチル−２−メチル−
４，５，６，７―テトラヒドロインデニルチタニウムト
リベンジル、１−エチル−３−メチル−４，５，６，７
―テトラヒドロインデニルチタニウムトリクロリド、１
−エチル−３−メチル−４，５，６，７―テトラヒドロ
インデニルチタニウムトリクロリド、１−エチル−３−
メチル−４，５，６，７―テトラヒドロインデニルチタ
ニウムトリメチル、１−エチル−３−メチル−４，５，
６，７―テトラヒドロインデニルチタニウムトリメトキ
シド、１−エチル−３−メチル−４，５，６，７―テト
ラヒドロインデニルチタニウムトリベンジル、１−エチ
ル−２，３−ジメチル−４、５、６、７―テトラヒドロ
インデニルチタニウムトリクロリド、１−エチル−２，
３−ジメチル−４，５，６，７―テトラヒドロインデニ
ルチタニウムトリメチル、１−エチル−２，３−ジメチ
ル−４，５，６，７―テトラヒドロインデニルチタニウ
ムトリメトキシド、１−エチル−２，３−ジメチル−
４，５，６，７―テトラヒドロインデニルチタニウムト
リベンジル、１，２−ジエチル−４，５，６，７―テト
ラヒドロインデニルチタニウムトリクロリド、１，２−
ジエチル−４，５，６，７―テトラヒドロインデニルチ
タニウムトリメチル、１，２−ジエチル−４，５，６，
７―テトラヒドロインデニルチタニウムトリメトキシ
ド、１，２−ジエチル−４，５，６，７―テトラヒドロ
インデニルチタニウムトリベンジル、１，２−ジエチル
−３−メチル−４，５，６，７―テトラヒドロインデニ
ルチタニウムトリクロリド、１，２−ジエチル、３−メ
チル−４，５，６，７―テトラヒドロインデニルチタニ
ウムトリメチル、１，２−ジエチル−３−メチル−４，
５，６，７―テトラヒドロインデニルチタニウムトリメ
トキシド、１，２−ジエチル−３−メチル−４，５，
６，７―テトラヒドロインデニルチタニウムトリベンジ
ル、１，３−ジエチル−４，５，６，７―テトラヒドロ
インデニルチタニウムトリクロリド、１，３−ジエチル
−４，５，６，７―テトラヒドロインデニルチタニウム
トリメチル、１，３−ジエチル−４，５，６，７―テト
ラヒドロインデニルチタニウムトリメトキシド、１，３
−ジエチル−４，５，６，７―テトラヒドロインデニル
チタニウムトリベンジル、１，３−ジエチル−２−メチ
ル−４，５，６，７―テトラヒドロインデニルチタニウ
ムトリクロリド、１，３−ジエチル−２−メチル−４，
５，６，７―テトラヒドロインデニルチタニウムトリメ
チル、１，３−ジエチル−２−メチル−４，５，６，７
―テトラヒドロインデニルチタニウムトリメトキシド、
１，３−ジエチル−２−メチル−４，５，６，７―テト
ラヒドロインデニルチタニウムトリベンジル、１，２，
３−トリエチル−４，５，６，７―テトラヒドロインデ
ニルチタニウムトリクロリド、１，２，３−トリエチル
−４，５，６，７―テトラヒドロインデニルチタニウム
トリメチル、１，２，３−トリエチル−４，５，６，７
―テトラヒドロインデニルチタニウムトリメトキシド、
１，２，３−トリエチル−４，５，６，７―テトラヒド
ロインデニルチタニウムトリベンジル、２―エチル−
４，５，６，７―テトラヒドロインデニルチタニウムト
リクロリド、２―エチル−４，５，６，７―テトラヒド
ロインデニルチタニウムトリメチル、２―エチル−４，
５，６，７―テトラヒドロインデニルチタニウムトリメ
トキシド、２―エチル−４，５，６，７―テトラヒドロ
インデニルチタニウムトリベンジル、１−メチル−２―
エチル−４，５，６，７―テトラヒドロインデニルチタ
ニウムトリクロリド、１−メチル−２―エチル−４，
５，６，７―テトラヒドロインデニルチタニウムトリメ
チル、１−メチル−２―エチル−４，５，６，７―テト
ラヒドロインデニルチタニウムトリメトキシド、１−メ
チル−２―エチル−４，５，６，７―テトラヒドロイン
デニルチタニウムトリベンジル、１、３−ジメチル−２
―エチル−４，５，６，７―テトラヒドロインデニルチ
タニウムトリクロリド、１，３−ジメチル−２―エチル
−４，５，６，７―テトラヒドロインデニルチタニウム
トリメチル、１，３−ジメチル−２―エチル−４，５，
６，７―テトラヒドロインデニルチタニウムトリメトキ
シド、１，３−ジメチル−２―エチル−４，５，６，７
―テトラヒドロインデニルチタニウムトリベンジル−
１，２，３，４―テトラヒドロフルオレニルチタニウム
トリクロリド、１，２，３，４―テトラヒドロフルオレ
ニルチタニウムトリメチル、１，２，３，４―テトラヒ
ドロフルオレニルチタニウムトリメトキシド、１，２，
３，４―テトラヒドロフルオレニルチタニウムトリベン
ジル、９−メチル−１，２，３，４―テトラヒドロフル
オレニルチタニウムトリクロリド、９−メチル−１，
２，３，４―テトラヒドロフルオレニルチタニウムトリ
メチル、９−メチル−１，２，３，４―テトラヒドロフ
ルオレニルチタニウムトリメトキシド、９−メチル−
１，２，３，４―テトラヒドロフルオレニルチタニウム
トリベンジル、９−エチル−１，２，３，４―テトラヒ
ドロフルオレニルチタニウムトリクロリド、９−エチル
−１，２，３，４―テトラヒドロフルオレニルチタニウ
ムトリメチル、９−エチル−１，２，３，４―テトラヒ
ドロフルオレニルチタニウムトリメトキシド、９−エチ
ル−１，２，３，４―テトラヒドロフルオレニルチタニ
ウムトリベンジル、１，２，３，４，５，６，７，８−
オクタヒドロフルオレニルチタニウムトリクロリド、
１，２，３，４，５，６，７，８−オクタヒドロフルオ
レニルチタニウムトリメチル、１，２，３，４，５，
６，７，８−オクタヒドロフルオレニルチタニウムトリ
メトキシド、１，２，３，４，５，６，７，８−オクタ
ヒドロフルオレニルチタニウムトリベンジル、９−メチ
ル−１，２，３，４，５，６，７，８−オクタヒドロフ
ルオレニルチタニウムトリクロリド、９−メチル−１，
２，３，４，５，６，７，８−オクタヒドロフルオレニ
ルチタニウムトリメチル、９−メチル−１，２，３，
４，５，６，７，８−オクタヒドロフルオレニルチタニ
ウムトリメトキシド、９−メチル−１，２，３，４，
５，６，７，８−オクタヒドロフルオレニルチタニウム
トリクロリド、９−エチル−１，２，３，４，５，６，
７，８−オクタヒドロフルオレニルチタニウムトリメチ
ル、９−エチル−１，２，３，４，５，６，７，８−オ
クタヒドロフルオレニルチタニウムトリメトキシド、９
−エチル−１，２，３，４，５，６，７，８−オクタヒ
ドロフルオレニルチタニウムトリベンジル等、およびこ
れらの化合物におけるチタンをジルコニウムやハフニウ
ムに置換したもの、あるいは他の族、またはランタノイ
ド系列の遷移金属元素の類似化合物を挙げることができ
るが、これらに限定されるものではない。これらの中
で，チタン化合物が好適である。
物の具体例を以下に示す。シクロペンタジエニルチタニ
ウムトリクロライド、シクロペンタジエニルチタニウム
トリメチル、シクロペンタジエニルチタニウムトリメト
キシド、シクロペンタジエニルチタニウムトリベンジ
ル、メチルシクロペンタジエニルチタニウムトリクロラ
イド、メチルシクロペンタジエニルチタニウムトリメチ
ル、メチルシクロペンタジエニルチタニウムトリメトキ
シド、メチルシクロペンタジエニルチタニウムトリベン
ジル、ジメチルシクロペンタジエニルチタニウムトリク
ロライド、ジメチルシクロペンタジエニルチタニウムト
リメチル、ジメチルシクロペンタジエニルチタニウムト
リメトキシド、ジメチルシクロペンタジエニルチタニウ
ムトリベンジル、トリメチルシクロペンタジエニルチタ
ニウムトリクロライド、トリメチルシクロペンタジエニ
ルチタニウムトリメチル、トリメチルシクロペンタジエ
ニルチタニウムトリメトキシド、トリメチルシクロペン
タジエニルチタニウムトリベンジル、テトラメチルシク
ロペンタジエニルチタニウムトリクロライド、テトラメ
チルシクロペンタジエニルチタニウムトリメチル、テト
ラメチルシクロペンタジエニルチタニウムトリメトキシ
ド、テトラメチルシクロペンタジエニルチタニウムトリ
ベンジル、ペンタメチルシクロペンタジエニルチタニウ
ムトリクロライド、ペンタメチルシクロペンタジエニル
チタニウムトリメチル、ペンタメチルシクロペンタジエ
ニルチタニウムトリメトキシド、ペンタメチルシクロペ
ンタジエニルチタニウムトリベンジル、インデニルチタ
ニウムトリクロリド、インデニルチタニウムトリメチ
ル、インデニルチタニウムトリメトキシド、インデニル
チタニウムトリベンジル、１−メチルインデニルチタニ
ウムトリクロリド、１−メチルインデニルチタニウムト
リメチル、１−メチルインデニルチタニウムトリメトキ
シド、１−メチルインデニルチタニウムトリベンジル、
２−メチルインデニルチタニウムトリクロリド、２−メ
チルインデニルチタニウムトリメチル、２−メチルイン
デニルチタニウムトリメトキシド、１−メチルインデニ
ルチタニウムトリベンジル、１，２−ジメチルインデニ
ルチタニウムトリクロリド、１，２−ジメチルインデニ
ルチタニウムトリメチル、１，２−ジメチルインデニル
チタニウムトリメトキシド、１，２−ジメチルインデニ
ルチタニウムトリベンジル、１，３−ジメチルインデニ
ルチタニウムトリクロリド、１，３−ジメチルインデニ
ルチタニウムトリメチル、１，３−ジメチルインデニル
チタニウムトリメトキシド、１，３−ジメチルインデニ
ルチタニウムトリベンジル、１，２，３−トリメチルイ
ンデニルチタニウムトリクロリド、１，２，３−トリメ
チルインデニルチタニウムトリメチル、１，２，３−ト
リメチルインデニルチタニウムトリメトキシド、１，
２，３−トリメチルインデニルチタニウムトリベンジ
ル、１，２，３，４，５，６，７−ヘプタメチルインデ
ニルチタニウムトリクロリド、１，２，３，４，５，
６，７−ヘプタメチルインデニルチタニウムトリメチ
ル、１，２，３，４，５，６，７−ヘプタメチルインデ
ニルチタニウムトリメトキシド、１，２，３，４，５，
６，７−ヘプタメチルインデニルチタニウムトリベンジ
ル ４，５，６，７−テトラヒドロインデニルチタニウ
ムトリクロリド、４，５，６，７―テトラヒドロインデ
ニルチタニウムトリメチル、４，５，６，７―テトラヒ
ドロインデニルチタニウムトリメトキシド、４，５，
６，７―テトラヒドロインデニルチタニウムトリベンジ
ル、１−メチル−４，５，６，７―テトラヒドロインデ
ニルチタニウムトリクロリド、１−メチル−４，５，
６，７―テトラヒドロインデニルチタニウムトリメチ
ル、１−メチル−４，５，６，７―テトラヒドロインデ
ニルチタニウムトリメトキシド、１−メチル−４，５，
６，７―テトラヒドロインデニルチタニウムトリベンジ
ル、２−メチル−４，５，６，７―テトラヒドロインデ
ニルチタニウムトリクロリド、２−メチル−４，５，
６，７―テトラヒドロインデニルチタニウムトリメトキ
シド、２−メチル−４，５，６，７―テトラヒドロイン
デニルチタニウムトリベンジル、１、２−ジメチル、
４，５，６，７―テトラヒドロインデニルチタニウムト
リクロリド、１，２−ジメチル−４，５，６，７―テト
ラヒドロインデニルチタニウムトリメチル、１，２−ジ
メチル−４，５，６，７―テトラヒドロインデニルチタ
ニウムトリメトキシド、１，２−ジメチル−４，５，
６，７―テトラヒドロインデニルチタニウムトリベンジ
ル、１，３−ジメチル−４，５，６，７―テトラヒドロ
インデニルチタニウムトリクロリド、１，３−ジメチル
−４，５，６，７―テトラヒドロインデニルチタニウム
トリメチル、１，３−ジメチル−４，５，６，７―テト
ラヒドロインデニルチタニウムトリメトキシド、１，３
−ジメチル−４，５，６，７―テトラヒドロインデニル
チタニウムトリベンジル、１，２，３−トリメチル−
４，５，６，７―テトラヒドロインデニルチタニウムト
リクロリド、１，２，３−トリメチル−４，５，６，７
―テトラヒドロインデニルチタニウムトリメチル、１，
２，３−トリメチル−４，５，６，７―テトラヒドロイ
ンデニルチタニウムトリメトキシド、１，２，３−トリ
メチル−４，５，６，７―テトラヒドロインデニルチタ
ニウムトリベンジル、１−エチル−４，５，６，７―テ
トラヒドロインデニルチタニウムトリクロリド、１−エ
チル−４，５，６，７―テトラヒドロインデニルチタニ
ウムトリメチル、１−エチル−４，５，６，７―テトラ
ヒドロインデニルチタニウムトリメトキシド、１−エチ
ル−４，５，６、７―テトラヒドロインデニルチタニウ
ムトリベンジル、１−エチル−２−メチル−４，５，
６，７―テトラヒドロインデニルチタニウムトリクロリ
ド、１−エチル−２−メチル−４，５，６，７―テトラ
ヒドロインデニルチタニウムトリメチル、１−エチル−
２−メチル−４，５，６，７―テトラヒドロインデニル
チタニウムトリメトキシド、１−エチル−２−メチル−
４，５，６，７―テトラヒドロインデニルチタニウムト
リベンジル、１−エチル−３−メチル−４，５，６，７
―テトラヒドロインデニルチタニウムトリクロリド、１
−エチル−３−メチル−４，５，６，７―テトラヒドロ
インデニルチタニウムトリクロリド、１−エチル−３−
メチル−４，５，６，７―テトラヒドロインデニルチタ
ニウムトリメチル、１−エチル−３−メチル−４，５，
６，７―テトラヒドロインデニルチタニウムトリメトキ
シド、１−エチル−３−メチル−４，５，６，７―テト
ラヒドロインデニルチタニウムトリベンジル、１−エチ
ル−２，３−ジメチル−４、５、６、７―テトラヒドロ
インデニルチタニウムトリクロリド、１−エチル−２，
３−ジメチル−４，５，６，７―テトラヒドロインデニ
ルチタニウムトリメチル、１−エチル−２，３−ジメチ
ル−４，５，６，７―テトラヒドロインデニルチタニウ
ムトリメトキシド、１−エチル−２，３−ジメチル−
４，５，６，７―テトラヒドロインデニルチタニウムト
リベンジル、１，２−ジエチル−４，５，６，７―テト
ラヒドロインデニルチタニウムトリクロリド、１，２−
ジエチル−４，５，６，７―テトラヒドロインデニルチ
タニウムトリメチル、１，２−ジエチル−４，５，６，
７―テトラヒドロインデニルチタニウムトリメトキシ
ド、１，２−ジエチル−４，５，６，７―テトラヒドロ
インデニルチタニウムトリベンジル、１，２−ジエチル
−３−メチル−４，５，６，７―テトラヒドロインデニ
ルチタニウムトリクロリド、１，２−ジエチル、３−メ
チル−４，５，６，７―テトラヒドロインデニルチタニ
ウムトリメチル、１，２−ジエチル−３−メチル−４，
５，６，７―テトラヒドロインデニルチタニウムトリメ
トキシド、１，２−ジエチル−３−メチル−４，５，
６，７―テトラヒドロインデニルチタニウムトリベンジ
ル、１，３−ジエチル−４，５，６，７―テトラヒドロ
インデニルチタニウムトリクロリド、１，３−ジエチル
−４，５，６，７―テトラヒドロインデニルチタニウム
トリメチル、１，３−ジエチル−４，５，６，７―テト
ラヒドロインデニルチタニウムトリメトキシド、１，３
−ジエチル−４，５，６，７―テトラヒドロインデニル
チタニウムトリベンジル、１，３−ジエチル−２−メチ
ル−４，５，６，７―テトラヒドロインデニルチタニウ
ムトリクロリド、１，３−ジエチル−２−メチル−４，
５，６，７―テトラヒドロインデニルチタニウムトリメ
チル、１，３−ジエチル−２−メチル−４，５，６，７
―テトラヒドロインデニルチタニウムトリメトキシド、
１，３−ジエチル−２−メチル−４，５，６，７―テト
ラヒドロインデニルチタニウムトリベンジル、１，２，
３−トリエチル−４，５，６，７―テトラヒドロインデ
ニルチタニウムトリクロリド、１，２，３−トリエチル
−４，５，６，７―テトラヒドロインデニルチタニウム
トリメチル、１，２，３−トリエチル−４，５，６，７
―テトラヒドロインデニルチタニウムトリメトキシド、
１，２，３−トリエチル−４，５，６，７―テトラヒド
ロインデニルチタニウムトリベンジル、２―エチル−
４，５，６，７―テトラヒドロインデニルチタニウムト
リクロリド、２―エチル−４，５，６，７―テトラヒド
ロインデニルチタニウムトリメチル、２―エチル−４，
５，６，７―テトラヒドロインデニルチタニウムトリメ
トキシド、２―エチル−４，５，６，７―テトラヒドロ
インデニルチタニウムトリベンジル、１−メチル−２―
エチル−４，５，６，７―テトラヒドロインデニルチタ
ニウムトリクロリド、１−メチル−２―エチル−４，
５，６，７―テトラヒドロインデニルチタニウムトリメ
チル、１−メチル−２―エチル−４，５，６，７―テト
ラヒドロインデニルチタニウムトリメトキシド、１−メ
チル−２―エチル−４，５，６，７―テトラヒドロイン
デニルチタニウムトリベンジル、１、３−ジメチル−２
―エチル−４，５，６，７―テトラヒドロインデニルチ
タニウムトリクロリド、１，３−ジメチル−２―エチル
−４，５，６，７―テトラヒドロインデニルチタニウム
トリメチル、１，３−ジメチル−２―エチル−４，５，
６，７―テトラヒドロインデニルチタニウムトリメトキ
シド、１，３−ジメチル−２―エチル−４，５，６，７
―テトラヒドロインデニルチタニウムトリベンジル−
１，２，３，４―テトラヒドロフルオレニルチタニウム
トリクロリド、１，２，３，４―テトラヒドロフルオレ
ニルチタニウムトリメチル、１，２，３，４―テトラヒ
ドロフルオレニルチタニウムトリメトキシド、１，２，
３，４―テトラヒドロフルオレニルチタニウムトリベン
ジル、９−メチル−１，２，３，４―テトラヒドロフル
オレニルチタニウムトリクロリド、９−メチル−１，
２，３，４―テトラヒドロフルオレニルチタニウムトリ
メチル、９−メチル−１，２，３，４―テトラヒドロフ
ルオレニルチタニウムトリメトキシド、９−メチル−
１，２，３，４―テトラヒドロフルオレニルチタニウム
トリベンジル、９−エチル−１，２，３，４―テトラヒ
ドロフルオレニルチタニウムトリクロリド、９−エチル
−１，２，３，４―テトラヒドロフルオレニルチタニウ
ムトリメチル、９−エチル−１，２，３，４―テトラヒ
ドロフルオレニルチタニウムトリメトキシド、９−エチ
ル−１，２，３，４―テトラヒドロフルオレニルチタニ
ウムトリベンジル、１，２，３，４，５，６，７，８−
オクタヒドロフルオレニルチタニウムトリクロリド、
１，２，３，４，５，６，７，８−オクタヒドロフルオ
レニルチタニウムトリメチル、１，２，３，４，５，
６，７，８−オクタヒドロフルオレニルチタニウムトリ
メトキシド、１，２，３，４，５，６，７，８−オクタ
ヒドロフルオレニルチタニウムトリベンジル、９−メチ
ル−１，２，３，４，５，６，７，８−オクタヒドロフ
ルオレニルチタニウムトリクロリド、９−メチル−１，
２，３，４，５，６，７，８−オクタヒドロフルオレニ
ルチタニウムトリメチル、９−メチル−１，２，３，
４，５，６，７，８−オクタヒドロフルオレニルチタニ
ウムトリメトキシド、９−メチル−１，２，３，４，
５，６，７，８−オクタヒドロフルオレニルチタニウム
トリクロリド、９−エチル−１，２，３，４，５，６，
７，８−オクタヒドロフルオレニルチタニウムトリメチ
ル、９−エチル−１，２，３，４，５，６，７，８−オ
クタヒドロフルオレニルチタニウムトリメトキシド、９
−エチル−１，２，３，４，５，６，７，８−オクタヒ
ドロフルオレニルチタニウムトリベンジル等、およびこ
れらの化合物におけるチタンをジルコニウムやハフニウ
ムに置換したもの、あるいは他の族、またはランタノイ
ド系列の遷移金属元素の類似化合物を挙げることができ
るが、これらに限定されるものではない。これらの中
で，チタン化合物が好適である。
【００３０】（III)一般式（４）に関する具体例を以下
に示す。テトラメチルチタニウム、テトラベンジルチタ
ニウム、テトラエチルチタニウム、テトラフェニルチタ
ニウム、テトラメトキシチタニウム、テトラエトキシチ
タニウム、テトラフェノキシチタニウム、テトラ（ジメ
チルアミノ）チタニウム、テトラ（ジエチルアミノ）チ
タニウム、テトラ（ジフェニルアミノ）チタニウム、Ma
cromolecules 1997,30,1562-1569やJournal of Organom
etallic Chemistry 514 (1996) 213-217等に記載されて
いるBis-(phenoxo)titanium 化合物やMacromolecules 1
996,29,5241-5243やOrganometallics 1997，16, 1491-1
496 等に記載されているDiamide titanium化合物等、お
よびこれらの化合物におけるチタンをジルコニウムやハ
フニウムに置換したもの、あるいは他の族、またはラン
タノイド系列の遷移金属元素の類似化合物を挙げること
ができる。
に示す。テトラメチルチタニウム、テトラベンジルチタ
ニウム、テトラエチルチタニウム、テトラフェニルチタ
ニウム、テトラメトキシチタニウム、テトラエトキシチ
タニウム、テトラフェノキシチタニウム、テトラ（ジメ
チルアミノ）チタニウム、テトラ（ジエチルアミノ）チ
タニウム、テトラ（ジフェニルアミノ）チタニウム、Ma
cromolecules 1997,30,1562-1569やJournal of Organom
etallic Chemistry 514 (1996) 213-217等に記載されて
いるBis-(phenoxo)titanium 化合物やMacromolecules 1
996,29,5241-5243やOrganometallics 1997，16, 1491-1
496 等に記載されているDiamide titanium化合物等、お
よびこれらの化合物におけるチタンをジルコニウムやハ
フニウムに置換したもの、あるいは他の族、またはラン
タノイド系列の遷移金属元素の類似化合物を挙げること
ができる。
【００３１】（IV）前記一般式（５）で表される遷移金
属化合物において、Ｍ2 は周期律表８〜１０族の遷移金
属を示すが、具体的には鉄，コバルト，ニッケル，パラ
ジウム，白金などが挙げられるが、そのうちニッケル，
パラジウムが好ましい。また、Ｌ1 ，Ｌ2 はそれぞれ配
位結合性の配位子を表わし、Ｘ1 ，Ｙ1 はそれぞれ共有
結合性、又はイオン結合性の配位子を表している。ここ
でＸ1 ，Ｙ1 については、前述したように、具体的には
水素原子，ハロゲン原子，炭素数１〜２０、好ましくは
１〜１０の炭化水素基，炭素数１〜２０、好ましくは１
〜１０のアルコキシ基，アミノ基，炭素数１〜２０、好
ましくは１〜１２のリン含有炭化水素基（例えば、ジフ
ェニルホスフィン基など）又は炭素数１〜２０、好まし
くは１〜１２の珪素含有炭化水素基（例えば、トリメチ
ルシリル基など），炭素数１〜２０、好ましくは１〜１
２の炭化水素基あるいはハロゲン含有硼素化合物（例え
ばＢ（Ｃ6 Ｈ5 ）4 ，ＢＦ4 ）を示す。これらの中でハ
ロゲン原子及び炭化水素基が好ましい。このＸ1 及びＹ
1 はたがいに同一であっても異なっていてもよい。さら
に、Ｌ1 ，Ｌ2 の具体例としては、トリフェニルホスフ
ィン；アセトニトリル；ベンゾニトリル；１，２−ビス
ジフェニルホスフィノエタン；１，３−ビスジフェニル
ホスフィノプロパン；１，１’−ビスジフェニルホスフ
ィノフェロセン；シクロオクタジエン；ピリジン；ビス
トリメチルシリルアミノビストリメチルシリルイミノホ
スホランなどを挙げることができる。なお、上記Ｌ1 ，
Ｌ2 ，Ｘ1 およびＹ1 は、それぞれ互いに結合して環構
造を形成してもよい。
属化合物において、Ｍ2 は周期律表８〜１０族の遷移金
属を示すが、具体的には鉄，コバルト，ニッケル，パラ
ジウム，白金などが挙げられるが、そのうちニッケル，
パラジウムが好ましい。また、Ｌ1 ，Ｌ2 はそれぞれ配
位結合性の配位子を表わし、Ｘ1 ，Ｙ1 はそれぞれ共有
結合性、又はイオン結合性の配位子を表している。ここ
でＸ1 ，Ｙ1 については、前述したように、具体的には
水素原子，ハロゲン原子，炭素数１〜２０、好ましくは
１〜１０の炭化水素基，炭素数１〜２０、好ましくは１
〜１０のアルコキシ基，アミノ基，炭素数１〜２０、好
ましくは１〜１２のリン含有炭化水素基（例えば、ジフ
ェニルホスフィン基など）又は炭素数１〜２０、好まし
くは１〜１２の珪素含有炭化水素基（例えば、トリメチ
ルシリル基など），炭素数１〜２０、好ましくは１〜１
２の炭化水素基あるいはハロゲン含有硼素化合物（例え
ばＢ（Ｃ6 Ｈ5 ）4 ，ＢＦ4 ）を示す。これらの中でハ
ロゲン原子及び炭化水素基が好ましい。このＸ1 及びＹ
1 はたがいに同一であっても異なっていてもよい。さら
に、Ｌ1 ，Ｌ2 の具体例としては、トリフェニルホスフ
ィン；アセトニトリル；ベンゾニトリル；１，２−ビス
ジフェニルホスフィノエタン；１，３−ビスジフェニル
ホスフィノプロパン；１，１’−ビスジフェニルホスフ
ィノフェロセン；シクロオクタジエン；ピリジン；ビス
トリメチルシリルアミノビストリメチルシリルイミノホ
スホランなどを挙げることができる。なお、上記Ｌ1 ，
Ｌ2 ，Ｘ1 およびＹ1 は、それぞれ互いに結合して環構
造を形成してもよい。
【００３２】一般式（５）で表される周期律表第８〜１
０族の遷移金属化合物としては、ジイミン化合物を配位
子とするものが好ましく、このようなものとしては、例
えば一般式（６）
０族の遷移金属化合物としては、ジイミン化合物を配位
子とするものが好ましく、このようなものとしては、例
えば一般式（６）
【化１２】
【００３３】（式中、Ｒ17およびＲ20はそれぞれ独立に
炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基または全炭素数７〜
２０の環上に炭化水素基を有する芳香族基、Ｒ18および
Ｒ19はそれぞれ独立に水素原子または炭素数１〜２０の
炭化水素基を示し、Ｒ18とＲ19はたがいに結合して環を
形成していてもよく、ＸおよびＹはそれぞれ独立に水素
原子または炭素数１〜２０の炭化水素基、Ｍ2 は周期律
表第８ないし１０族の遷移金属を示す。）で表される錯
体化合物を挙げることができる。上記一般式（６）にお
いて、Ｒ17およびＲ20のうちの炭素数１〜２０の脂肪族
炭化水素基としては、炭素数１〜２０の直鎖状若しくは
分岐状のアルキル基または炭素数３〜２０のシクロアル
キル基など、具体的にはメチル基，エチル基，ｎ−プロ
ピル基，イソプロピル基，ｎ−ブチル基，イソブチル
基，ｓｅｃ−ブチル基，ｔｅｒｔ−ブチル基，ペンチル
基，ヘキシル基，オクチル基，デシル基，テトラデシル
基，ヘキサデシル基，オクタデシル基，シクロペンチル
基，シクロヘキシル基，シクロオクチル基などが挙げら
れる。なお、シクロアルキル基の環上には低級アルキル
基などの適当な置換差が導入されていてもよい。また、
全炭素数７〜２０の環上に炭化水素基を有する芳香族基
としては、例えばフェニル基やナフチル基などの芳香族
環上に、炭素数１〜１０の直鎖状，分岐状または環状の
アルキル基が１個以上導入された基などが挙げられる。
このＲ17およびＲ20としては、環上に炭化水素基を有す
る芳香族基が好ましく、特に２，６−ジイソプロピルフ
ェニル基が好適である。Ｒ17およびＲ20は、たがいに同
一であってもよく、異なっていてもよい。また、Ｒ18お
よびＲ19のうちの炭素数１〜２０の炭化水素基として
は、例えば炭素数１〜２０の直鎖状若しくは分岐状アル
キル基，炭素数３〜２０のシクロアルキル基，炭素数６
〜２０のアリール基，炭素数７〜２０のアラルキル基な
どが挙げられる。ここで、炭素数１〜２０の直鎖状若し
くは分岐状アルキル基、炭素数３〜２０のシクロアルキ
ル基としては、前記Ｒ17およびＲ20のうちの炭素数１〜
２０の脂肪族炭化水素基の説明において例示したものと
同じものを挙げることができる。また炭素数６〜２０の
アリール基としては、例えばフェニル基，トリル基，キ
シリル基，ナフチル基，メチルナフチル基などが挙げら
れ、炭素数７〜２０のアラルキル基としては、例えばベ
ンジル基やフェネチル基などが挙げられる。このＲ17及
びＲ18は、たがいに同一であってもよく、異なっていて
もよい。また、たがいに結合して環を形成していてもよ
い。一方、Ｘ及びＹのうちの炭素数１〜２０の炭化水素
基としては、上記Ｒ18及びＲ19における炭素数１〜２０
の炭化水素基について、説明したとおりである。このＸ
及びＹとしては、特にメチル基が好ましい。また、Ｘと
Ｙは、たがいに同一であってもよく異なっていてもよ
い。Ｍ2 の周期律表第８ないし１０族の遷移金属として
は、例えば、ニッケル，パラジウム，白金，鉄，コバル
ト，ロジウム，ルテニウムなどが挙げられ、ニッケル、
パラジウムが好ましい。前記一般式（６）で表される錯
体化合物の例としては、下記の式で表される化合物など
を挙げることができる。
炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基または全炭素数７〜
２０の環上に炭化水素基を有する芳香族基、Ｒ18および
Ｒ19はそれぞれ独立に水素原子または炭素数１〜２０の
炭化水素基を示し、Ｒ18とＲ19はたがいに結合して環を
形成していてもよく、ＸおよびＹはそれぞれ独立に水素
原子または炭素数１〜２０の炭化水素基、Ｍ2 は周期律
表第８ないし１０族の遷移金属を示す。）で表される錯
体化合物を挙げることができる。上記一般式（６）にお
いて、Ｒ17およびＲ20のうちの炭素数１〜２０の脂肪族
炭化水素基としては、炭素数１〜２０の直鎖状若しくは
分岐状のアルキル基または炭素数３〜２０のシクロアル
キル基など、具体的にはメチル基，エチル基，ｎ−プロ
ピル基，イソプロピル基，ｎ−ブチル基，イソブチル
基，ｓｅｃ−ブチル基，ｔｅｒｔ−ブチル基，ペンチル
基，ヘキシル基，オクチル基，デシル基，テトラデシル
基，ヘキサデシル基，オクタデシル基，シクロペンチル
基，シクロヘキシル基，シクロオクチル基などが挙げら
れる。なお、シクロアルキル基の環上には低級アルキル
基などの適当な置換差が導入されていてもよい。また、
全炭素数７〜２０の環上に炭化水素基を有する芳香族基
としては、例えばフェニル基やナフチル基などの芳香族
環上に、炭素数１〜１０の直鎖状，分岐状または環状の
アルキル基が１個以上導入された基などが挙げられる。
このＲ17およびＲ20としては、環上に炭化水素基を有す
る芳香族基が好ましく、特に２，６−ジイソプロピルフ
ェニル基が好適である。Ｒ17およびＲ20は、たがいに同
一であってもよく、異なっていてもよい。また、Ｒ18お
よびＲ19のうちの炭素数１〜２０の炭化水素基として
は、例えば炭素数１〜２０の直鎖状若しくは分岐状アル
キル基，炭素数３〜２０のシクロアルキル基，炭素数６
〜２０のアリール基，炭素数７〜２０のアラルキル基な
どが挙げられる。ここで、炭素数１〜２０の直鎖状若し
くは分岐状アルキル基、炭素数３〜２０のシクロアルキ
ル基としては、前記Ｒ17およびＲ20のうちの炭素数１〜
２０の脂肪族炭化水素基の説明において例示したものと
同じものを挙げることができる。また炭素数６〜２０の
アリール基としては、例えばフェニル基，トリル基，キ
シリル基，ナフチル基，メチルナフチル基などが挙げら
れ、炭素数７〜２０のアラルキル基としては、例えばベ
ンジル基やフェネチル基などが挙げられる。このＲ17及
びＲ18は、たがいに同一であってもよく、異なっていて
もよい。また、たがいに結合して環を形成していてもよ
い。一方、Ｘ及びＹのうちの炭素数１〜２０の炭化水素
基としては、上記Ｒ18及びＲ19における炭素数１〜２０
の炭化水素基について、説明したとおりである。このＸ
及びＹとしては、特にメチル基が好ましい。また、Ｘと
Ｙは、たがいに同一であってもよく異なっていてもよ
い。Ｍ2 の周期律表第８ないし１０族の遷移金属として
は、例えば、ニッケル，パラジウム，白金，鉄，コバル
ト，ロジウム，ルテニウムなどが挙げられ、ニッケル、
パラジウムが好ましい。前記一般式（６）で表される錯
体化合物の例としては、下記の式で表される化合物など
を挙げることができる。
【００３４】
【化１３】
【００３５】
【化１４】
【００３６】この一般式（６）で表される遷移金属化合
物の具体例としては、ジブロモビストリフェニルホスフ
ィンニッケル，ジクロロビストリフェニルホスフィンニ
ッケル，ジブロモジアセトニトリルニッケル，ジブロモ
ジベンゾニトリルニッケル，ジブロモ（１，２−ビスジ
フェニルホスフィノエタン）ニッケル，ジブロモ（１，
３−ビスジフェニルホスフィノプロパン）ニッケル，ジ
ブロモ（１，１’−ジフェニルビスホスフィノフェロセ
ン）ニッケル，ジメチルビスジフェニルホスフィンニッ
ケル，ジメチル（１，２−ビスジフェニルホスフィノエ
タン）ニッケル，メチル（１，２−ビスジフェニルホス
フィノエタン）ニッケルテトラフルオロボレート，（２
−ジフェニルホスフィノ−１−フェニルエチレンオキ
シ）フェニルピリジンニッケル，ジクロロビストリフェ
ニルホスフィンパラジウム，ジクロロジベンゾニトリル
パラジウム，ジクロロジアセトニトリルパラジウム，ジ
クロロ（１，２−ビスジフェニルホスフィノエタン）パ
ラジウム，ビストリフェニルホスフィンパラジウムビス
テトラフルオロボレート，ビス（２，２’−ビピリジ
ン）メチル鉄テトラフルオロボレートエーテラートなど
を挙げることができる。なかでも、メチル（１，２−ビ
スジフェニルホスフィノエタン）ニッケルテトラフルオ
ロボレートやビストリフェニルホスフィンパラジウムビ
ステトラフルオロボレート，ビス（２，２’−ビピリジ
ン）メチル鉄テトラフルオロボレートエーテラートのよ
うなカチオン型錯体が好ましく用いられる。本発明にお
いては、前記錯体化合物を一種用いてもよく、二種以上
を組み合わせて用いてもよい。
物の具体例としては、ジブロモビストリフェニルホスフ
ィンニッケル，ジクロロビストリフェニルホスフィンニ
ッケル，ジブロモジアセトニトリルニッケル，ジブロモ
ジベンゾニトリルニッケル，ジブロモ（１，２−ビスジ
フェニルホスフィノエタン）ニッケル，ジブロモ（１，
３−ビスジフェニルホスフィノプロパン）ニッケル，ジ
ブロモ（１，１’−ジフェニルビスホスフィノフェロセ
ン）ニッケル，ジメチルビスジフェニルホスフィンニッ
ケル，ジメチル（１，２−ビスジフェニルホスフィノエ
タン）ニッケル，メチル（１，２−ビスジフェニルホス
フィノエタン）ニッケルテトラフルオロボレート，（２
−ジフェニルホスフィノ−１−フェニルエチレンオキ
シ）フェニルピリジンニッケル，ジクロロビストリフェ
ニルホスフィンパラジウム，ジクロロジベンゾニトリル
パラジウム，ジクロロジアセトニトリルパラジウム，ジ
クロロ（１，２−ビスジフェニルホスフィノエタン）パ
ラジウム，ビストリフェニルホスフィンパラジウムビス
テトラフルオロボレート，ビス（２，２’−ビピリジ
ン）メチル鉄テトラフルオロボレートエーテラートなど
を挙げることができる。なかでも、メチル（１，２−ビ
スジフェニルホスフィノエタン）ニッケルテトラフルオ
ロボレートやビストリフェニルホスフィンパラジウムビ
ステトラフルオロボレート，ビス（２，２’−ビピリジ
ン）メチル鉄テトラフルオロボレートエーテラートのよ
うなカチオン型錯体が好ましく用いられる。本発明にお
いては、前記錯体化合物を一種用いてもよく、二種以上
を組み合わせて用いてもよい。
【００３７】（Ｂ）成分 （イ）酸素含有化合物及び／又は（ロ）遷移金属化合物
と反応してイオン性の錯体を形成しうる化合物である。
これらのうち、好ましくは（イ）酸素含有化合物であ
る。 （イ）成分の酸素含有化合物 下記一般式（７）で表される化合物
と反応してイオン性の錯体を形成しうる化合物である。
これらのうち、好ましくは（イ）酸素含有化合物であ
る。 （イ）成分の酸素含有化合物 下記一般式（７）で表される化合物
【００３８】
【化１５】
【００３９】及び／又は一般式（８）
【００４０】
【化１６】
【００４１】で表される酸素含有化合物である。上記一
般式（７) 及び（８）において、Ｒ21〜Ｒ27はそれぞれ
炭素数１〜８のアルキル基を示し、具体的にはメチル
基，エチル基，ｎ−プロピル基，イソプロピル基，各種
ブチル基，各種ペンチル基，各種ヘキシル基，各種ヘプ
チル基，各種オクチル基が挙げられる。Ｒ21〜Ｒ27はた
がいに同一でも異なっていてもよく、Ｒ26及びＲ27はた
がいに同一でも異なっていてもよい。Ｙ2 〜Ｙ6 はそれ
ぞれ周期律表１３族元素を示し、具体的にはＢ，Ａｌ，
Ｇａ，Ｉｎ及びＴｌが挙げられるが、これらの中でＢ及
びＡｌが好適である。Ｙ2 〜Ｙ4 はたがいに同一でも異
なっていてもよく、Ｙ5 及びＹ6 はたがいに同一でも異
なっていてもよい。また、ａ〜ｄはそれぞれ０〜５０の
数であるが、（ａ＋ｂ）及び（ｃ＋ｄ）はそれぞれ１以
上である。ａ〜ｄとしては、それぞれ１〜２０の範囲が
好ましく、特に１〜５の範囲が好ましい。このような触
媒成分として用いる酸素含有化合物としては、アルキル
アルミノキサンが好ましい。具体的な好適例としては、
メチルアルミノキサンやイソブチルアルミノキサンが挙
げられる。 （ロ）遷移金属化合物と反応してイオン性の錯体を形成
しうる化合物 遷移金属化合物と反応してイオン性の錯体を形成しうる
化合物としては、複数の基が金属に結合したアニオンと
カチオンとからなる配位錯化合物又はルイス酸を挙げる
ことができる。複数の基が金属に結合したアニオンとカ
チオンとからなる配位錯化合物としては様々なものがあ
るが、例えば下記一般式（９）又は（10）で表される化
合物を好適に使用することができる。
般式（７) 及び（８）において、Ｒ21〜Ｒ27はそれぞれ
炭素数１〜８のアルキル基を示し、具体的にはメチル
基，エチル基，ｎ−プロピル基，イソプロピル基，各種
ブチル基，各種ペンチル基，各種ヘキシル基，各種ヘプ
チル基，各種オクチル基が挙げられる。Ｒ21〜Ｒ27はた
がいに同一でも異なっていてもよく、Ｒ26及びＲ27はた
がいに同一でも異なっていてもよい。Ｙ2 〜Ｙ6 はそれ
ぞれ周期律表１３族元素を示し、具体的にはＢ，Ａｌ，
Ｇａ，Ｉｎ及びＴｌが挙げられるが、これらの中でＢ及
びＡｌが好適である。Ｙ2 〜Ｙ4 はたがいに同一でも異
なっていてもよく、Ｙ5 及びＹ6 はたがいに同一でも異
なっていてもよい。また、ａ〜ｄはそれぞれ０〜５０の
数であるが、（ａ＋ｂ）及び（ｃ＋ｄ）はそれぞれ１以
上である。ａ〜ｄとしては、それぞれ１〜２０の範囲が
好ましく、特に１〜５の範囲が好ましい。このような触
媒成分として用いる酸素含有化合物としては、アルキル
アルミノキサンが好ましい。具体的な好適例としては、
メチルアルミノキサンやイソブチルアルミノキサンが挙
げられる。 （ロ）遷移金属化合物と反応してイオン性の錯体を形成
しうる化合物 遷移金属化合物と反応してイオン性の錯体を形成しうる
化合物としては、複数の基が金属に結合したアニオンと
カチオンとからなる配位錯化合物又はルイス酸を挙げる
ことができる。複数の基が金属に結合したアニオンとカ
チオンとからなる配位錯化合物としては様々なものがあ
るが、例えば下記一般式（９）又は（10）で表される化
合物を好適に使用することができる。
【００４２】 （〔Ｌ3 −Ｈ〕g+）h （〔Ｍ3 Ｘ2 Ｘ3 ・・・Ｘn 〕(n-m)-）i ・・・（９） （〔Ｌ4 〕g+）h （〔Ｍ4 Ｘ2 Ｘ3 ・・・Ｘn 〕(n-m)-）i ・・・（10） 〔式（９）又は（10）中、Ｌ4 は後述のＭ5 ，Ｒ28Ｒ29
Ｍ6 又はＲ30 3 Ｃであり、Ｌ3 はルイス塩基、Ｍ3 及び
Ｍ4 はそれぞれ周期律表の５族〜１５族から選ばれる金
属、Ｍ5 は周期律表の１族及び８族〜１２族から選ばれ
る金属、Ｍ6 は周期律表の８族〜１０族から選ばれる金
属、Ｘ2 〜Ｘn はそれぞれ水素原子，ジアルキルアミノ
基，アルコキシ基，アリールオキシ基，炭素数１〜２０
のアルキル基，炭素数６〜２０のアリール基，アルキル
アリール基，アリールアルキル基，置換アルキル基，有
機メタロイド基又はハロゲン原子を示す。Ｒ28及びＲ29
はそれぞれシクロペンタジエニル基，置換シクロペンタ
ジエニル基，インデニル基又はフルオレニル基、Ｒ30は
アルキル基を示す。ｍはＭ3 ，Ｍ4 の原子価で１〜７の
整数、ｎは２〜８の整数、ｇはＬ3 −Ｈ，Ｌ4 のイオン
価数で１〜７の整数、ｈは１以上の整数，ｉ＝ｈ×ｇ／
（ｎ−ｍ）である。〕 Ｍ3 及びＭ4 の具体例としては、Ｂ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｐ，
Ａｓ，Ｓｂなどの各原子、Ｍ4 の具体例としてはＡｇ，
Ｃｕ，Ｎａ，Ｌｉなどの各原子、Ｍ5 の具体例としては
Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉなどの各原子が挙げられる。Ｘ2 〜Ｘ
n の具体例としては、例えば、ジアルキルアミノ基とし
てジメチルアミノ基，ジエチルアミノ基など、アルコキ
シ基としてメトキシ基，エトキシ基，ｎ−ブトキシ基な
ど、アリールオキシ基としてフェノキシ基，２，６−ジ
メチルフェノキシ基，ナフチルオキシ基など、炭素数１
〜２０のアルキル基としてメチル基，エチル基，ｎ−プ
ロピル基，イソプロピル基，ｎ−ブチル基，ｎ−オクチ
ル基，２−エチルヘキシル基など、炭素数６〜２０のア
リール基，アルキルアリール基若しくはアリールアルキ
ル基としてフェニル基，ｐ−トリル基，ベンジル基，ペ
ンタフルオロフェニル基，３，５−ジ（トリフルオロメ
チル）フェニル基，４−ターシャリ−ブチルフェニル
基，２，６−ジメチルフェニル基，３，５−ジメチルフ
ェニル基，２，４−ジメチルフェニル基，１，２−ジメ
チルフェニル基など、ハロゲンとしてＦ，Ｃｌ，Ｂｒ，
Ｉ、有機メタロイド基として五メチルアンチモン基，ト
リメチルシリル基，トリメチルゲルミル基，ジフェニル
アルシン基，ジシクロヘキシルアンチモン基，ジフェニ
ル硼素基などが挙げられる。Ｒ28及びＲ29のそれぞれで
表される置換シクロペンタジエニル基の具体例として
は、メチルシクロペンタジエニル基，ブチルシクロペン
タジエニル基，ペンタメチルシクロペンタジエニル基な
どが挙げられる。
Ｍ6 又はＲ30 3 Ｃであり、Ｌ3 はルイス塩基、Ｍ3 及び
Ｍ4 はそれぞれ周期律表の５族〜１５族から選ばれる金
属、Ｍ5 は周期律表の１族及び８族〜１２族から選ばれ
る金属、Ｍ6 は周期律表の８族〜１０族から選ばれる金
属、Ｘ2 〜Ｘn はそれぞれ水素原子，ジアルキルアミノ
基，アルコキシ基，アリールオキシ基，炭素数１〜２０
のアルキル基，炭素数６〜２０のアリール基，アルキル
アリール基，アリールアルキル基，置換アルキル基，有
機メタロイド基又はハロゲン原子を示す。Ｒ28及びＲ29
はそれぞれシクロペンタジエニル基，置換シクロペンタ
ジエニル基，インデニル基又はフルオレニル基、Ｒ30は
アルキル基を示す。ｍはＭ3 ，Ｍ4 の原子価で１〜７の
整数、ｎは２〜８の整数、ｇはＬ3 −Ｈ，Ｌ4 のイオン
価数で１〜７の整数、ｈは１以上の整数，ｉ＝ｈ×ｇ／
（ｎ−ｍ）である。〕 Ｍ3 及びＭ4 の具体例としては、Ｂ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｐ，
Ａｓ，Ｓｂなどの各原子、Ｍ4 の具体例としてはＡｇ，
Ｃｕ，Ｎａ，Ｌｉなどの各原子、Ｍ5 の具体例としては
Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉなどの各原子が挙げられる。Ｘ2 〜Ｘ
n の具体例としては、例えば、ジアルキルアミノ基とし
てジメチルアミノ基，ジエチルアミノ基など、アルコキ
シ基としてメトキシ基，エトキシ基，ｎ−ブトキシ基な
ど、アリールオキシ基としてフェノキシ基，２，６−ジ
メチルフェノキシ基，ナフチルオキシ基など、炭素数１
〜２０のアルキル基としてメチル基，エチル基，ｎ−プ
ロピル基，イソプロピル基，ｎ−ブチル基，ｎ−オクチ
ル基，２−エチルヘキシル基など、炭素数６〜２０のア
リール基，アルキルアリール基若しくはアリールアルキ
ル基としてフェニル基，ｐ−トリル基，ベンジル基，ペ
ンタフルオロフェニル基，３，５−ジ（トリフルオロメ
チル）フェニル基，４−ターシャリ−ブチルフェニル
基，２，６−ジメチルフェニル基，３，５−ジメチルフ
ェニル基，２，４−ジメチルフェニル基，１，２−ジメ
チルフェニル基など、ハロゲンとしてＦ，Ｃｌ，Ｂｒ，
Ｉ、有機メタロイド基として五メチルアンチモン基，ト
リメチルシリル基，トリメチルゲルミル基，ジフェニル
アルシン基，ジシクロヘキシルアンチモン基，ジフェニ
ル硼素基などが挙げられる。Ｒ28及びＲ29のそれぞれで
表される置換シクロペンタジエニル基の具体例として
は、メチルシクロペンタジエニル基，ブチルシクロペン
タジエニル基，ペンタメチルシクロペンタジエニル基な
どが挙げられる。
【００４３】本発明において、複数の基が金属に結合し
たアニオンとしては、具体的にはＢ( Ｃ6 Ｆ5)4 - ，Ｂ
( Ｃ6 ＨＦ4)4 - ，Ｂ( Ｃ6 Ｈ2 Ｆ3)4 - ，Ｂ( Ｃ6 Ｈ
3 Ｆ 2)4 - ，Ｂ( Ｃ6 Ｈ4 Ｆ)4 -，Ｂ( Ｃ6 ＣＦ3 Ｆ4)
4 - ，Ｂ( Ｃ6 Ｈ5 ）4 - ，ＰＦ6 - ，Ｐ( Ｃ6 Ｆ5)6
- ，Ａｌ（Ｃ6 ＨＦ4)4 - などが挙げられる。また金属
カチオンとしては、Ｃｐ2 Ｆｅ+ ，（ＭｅＣｐ）2 Ｆｅ
+ ，（ｔＢｕＣｐ）2Ｆｅ+ ，（Ｍｅ2 Ｃｐ）2 Ｆ
ｅ+ ，（Ｍｅ3 Ｃｐ）2 Ｆｅ+ ，（Ｍｅ4 Ｃｐ）2Ｆｅ
+ ，（Ｍｅ5 Ｃｐ）2 Ｆｅ+ ，Ａｇ+ , Ｎａ+ ，Ｌｉ+
などが挙げられ、またその他カチオンとしては、ピリジ
ニウム，２，４−ジニトロ−Ｎ，Ｎ−ジエチルアニリニ
ウム，ジフェニルアンモニウム，ｐ−ニトロアニリニウ
ム，２，５−ジクロロアニリニウム，ｐ−ニトロ−Ｎ，
Ｎ−ジメチルアニリニウム，キノリニウム，Ｎ，Ｎ−ジ
メチルアニリニウム，Ｎ，Ｎ−ジエチルアニリニウムな
どの窒素含有化合物、トリフェニルカルベニウム，トリ
（４−メチルフェニル）カルベニウム，トリ（４−メト
キシフェニル）カルベニウムなどのカルベニウム化合
物、ＣＨ3 ＰＨ3 + ，Ｃ2 Ｈ5 ＰＨ3 + ，Ｃ3 Ｈ7 ＰＨ
3 + ，（ＣＨ3 ）2 ＰＨ2 + ，（Ｃ2 Ｈ5 ）2 Ｐ
Ｈ2 + ，（Ｃ3 Ｈ7 ）2 ＰＨ2 + ，（ＣＨ3 ）3 Ｐ
Ｈ +，（Ｃ2 Ｈ5 ）3 ＰＨ +，（Ｃ3 Ｈ7 ）3 ＰＨ +，
（ＣＦ3 ）3 ＰＨ +，（ＣＨ3）4 Ｐ+ ，（Ｃ2 Ｈ5 ）
4 Ｐ+ ，（Ｃ3 Ｈ7 ）4 Ｐ+ 等のアルキルフォスフォニ
ウムイオン，及びＣ6 Ｈ5 ＰＨ3 + ，（Ｃ6 Ｈ5 ）2 Ｐ
Ｈ2 + ，（Ｃ6 Ｈ5 ）3ＰＨ+ ，（Ｃ6 Ｈ5 ）4 Ｐ+ ，
（Ｃ2 Ｈ5 ）2 （Ｃ6 Ｈ5 ）ＰＨ+ ，（ＣＨ3 ）（Ｃ6
Ｈ5 ）ＰＨ2 + ，（ＣＨ3 ）2 （Ｃ6 Ｈ5 ）ＰＨ+ ，
（Ｃ2 Ｈ5 ）2 （Ｃ 6 Ｈ5 ）2 Ｐ+ などのアリールフォ
スフォニウムイオンなどが挙げられる。
たアニオンとしては、具体的にはＢ( Ｃ6 Ｆ5)4 - ，Ｂ
( Ｃ6 ＨＦ4)4 - ，Ｂ( Ｃ6 Ｈ2 Ｆ3)4 - ，Ｂ( Ｃ6 Ｈ
3 Ｆ 2)4 - ，Ｂ( Ｃ6 Ｈ4 Ｆ)4 -，Ｂ( Ｃ6 ＣＦ3 Ｆ4)
4 - ，Ｂ( Ｃ6 Ｈ5 ）4 - ，ＰＦ6 - ，Ｐ( Ｃ6 Ｆ5)6
- ，Ａｌ（Ｃ6 ＨＦ4)4 - などが挙げられる。また金属
カチオンとしては、Ｃｐ2 Ｆｅ+ ，（ＭｅＣｐ）2 Ｆｅ
+ ，（ｔＢｕＣｐ）2Ｆｅ+ ，（Ｍｅ2 Ｃｐ）2 Ｆ
ｅ+ ，（Ｍｅ3 Ｃｐ）2 Ｆｅ+ ，（Ｍｅ4 Ｃｐ）2Ｆｅ
+ ，（Ｍｅ5 Ｃｐ）2 Ｆｅ+ ，Ａｇ+ , Ｎａ+ ，Ｌｉ+
などが挙げられ、またその他カチオンとしては、ピリジ
ニウム，２，４−ジニトロ−Ｎ，Ｎ−ジエチルアニリニ
ウム，ジフェニルアンモニウム，ｐ−ニトロアニリニウ
ム，２，５−ジクロロアニリニウム，ｐ−ニトロ−Ｎ，
Ｎ−ジメチルアニリニウム，キノリニウム，Ｎ，Ｎ−ジ
メチルアニリニウム，Ｎ，Ｎ−ジエチルアニリニウムな
どの窒素含有化合物、トリフェニルカルベニウム，トリ
（４−メチルフェニル）カルベニウム，トリ（４−メト
キシフェニル）カルベニウムなどのカルベニウム化合
物、ＣＨ3 ＰＨ3 + ，Ｃ2 Ｈ5 ＰＨ3 + ，Ｃ3 Ｈ7 ＰＨ
3 + ，（ＣＨ3 ）2 ＰＨ2 + ，（Ｃ2 Ｈ5 ）2 Ｐ
Ｈ2 + ，（Ｃ3 Ｈ7 ）2 ＰＨ2 + ，（ＣＨ3 ）3 Ｐ
Ｈ +，（Ｃ2 Ｈ5 ）3 ＰＨ +，（Ｃ3 Ｈ7 ）3 ＰＨ +，
（ＣＦ3 ）3 ＰＨ +，（ＣＨ3）4 Ｐ+ ，（Ｃ2 Ｈ5 ）
4 Ｐ+ ，（Ｃ3 Ｈ7 ）4 Ｐ+ 等のアルキルフォスフォニ
ウムイオン，及びＣ6 Ｈ5 ＰＨ3 + ，（Ｃ6 Ｈ5 ）2 Ｐ
Ｈ2 + ，（Ｃ6 Ｈ5 ）3ＰＨ+ ，（Ｃ6 Ｈ5 ）4 Ｐ+ ，
（Ｃ2 Ｈ5 ）2 （Ｃ6 Ｈ5 ）ＰＨ+ ，（ＣＨ3 ）（Ｃ6
Ｈ5 ）ＰＨ2 + ，（ＣＨ3 ）2 （Ｃ6 Ｈ5 ）ＰＨ+ ，
（Ｃ2 Ｈ5 ）2 （Ｃ 6 Ｈ5 ）2 Ｐ+ などのアリールフォ
スフォニウムイオンなどが挙げられる。
【００４４】一般式（９）及び（10）の化合物の中で、
具体的には、下記のものを特に好適に使用できる。一般
式（９）の化合物としては、例えばテトラフェニル硼酸
トリエチルアンモニウム，テトラフェニル硼酸トリ（ｎ
−ブチル）アンモニウム，テトラフェニル硼酸トリメチ
ルアンモニウム，テトラキス（ペンタフルオロフェニ
ル）硼酸トリエチルアンモニウム，テトラキス（ペンタ
フルオロフェニル）硼酸トリ（ｎ−ブチル）アンモニウ
ム，ヘキサフルオロ砒素酸トリエチルアンモニウム，テ
トラキス（ペンタフルオロフェニル）硼酸ピリジニウ
ム，テトラ（ペンタフルオロフェニル）硼酸ピロリニウ
ム，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）硼酸Ｎ，Ｎ
−ジメチルアニリニウム，テトラキス（ペンタフルオロ
フェニル）硼酸メチルジフェニルアンモニウムなどが挙
げられる。一方、一般式（10）の化合物としては、例え
ばテトラフェニル硼酸フェロセニウム，テトラキス（ペ
ンタフルオロフェニル）硼酸ジメチルフェロセニウム，
テトラキス（ペンタフルオロフェニル）硼酸フェロセニ
ウム，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）硼酸デカ
メチルフェロセニウム，テトラキス（ペンタフルオロフ
ェニル）硼酸アセチルフェロセニウム，テトラキス（ペ
ンタフルオロフェニル）硼酸ホルミルフェロセニウム，
テトラキス（ペンタフルオロフェニル）硼酸シアノフェ
ロセニウム，テトラフェニル硼酸銀，テトラキス（ペン
タフルオロフェニル）硼酸銀，テトラフェニル硼酸トリ
チル，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）硼酸トリ
チル，ヘキサフルオロ砒素酸銀，ヘキサフルオロアンチ
モン酸銀，テトラフルオロ硼酸銀などが挙げられる。ま
た、ルイス酸として、例えばＢ（Ｃ6 Ｆ5)3 ，Ｂ（Ｃ6
ＨＦ4)3 ，Ｂ（Ｃ6Ｈ2 Ｆ3)3 , Ｂ（Ｃ6 Ｈ3 Ｆ2)3 ,
Ｂ（Ｃ6 Ｈ4 Ｆ)3 ,Ｂ（Ｃ6 Ｈ5)3 ，ＢＦ3，Ｂ（Ｃ6
ＣＦ3 Ｆ4)3 ，ＰＦ5 , Ｐ（Ｃ6 Ｆ5)5 , Ａｌ（Ｃ6 Ｈ
Ｆ4)3 なども用いることができる。
具体的には、下記のものを特に好適に使用できる。一般
式（９）の化合物としては、例えばテトラフェニル硼酸
トリエチルアンモニウム，テトラフェニル硼酸トリ（ｎ
−ブチル）アンモニウム，テトラフェニル硼酸トリメチ
ルアンモニウム，テトラキス（ペンタフルオロフェニ
ル）硼酸トリエチルアンモニウム，テトラキス（ペンタ
フルオロフェニル）硼酸トリ（ｎ−ブチル）アンモニウ
ム，ヘキサフルオロ砒素酸トリエチルアンモニウム，テ
トラキス（ペンタフルオロフェニル）硼酸ピリジニウ
ム，テトラ（ペンタフルオロフェニル）硼酸ピロリニウ
ム，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）硼酸Ｎ，Ｎ
−ジメチルアニリニウム，テトラキス（ペンタフルオロ
フェニル）硼酸メチルジフェニルアンモニウムなどが挙
げられる。一方、一般式（10）の化合物としては、例え
ばテトラフェニル硼酸フェロセニウム，テトラキス（ペ
ンタフルオロフェニル）硼酸ジメチルフェロセニウム，
テトラキス（ペンタフルオロフェニル）硼酸フェロセニ
ウム，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）硼酸デカ
メチルフェロセニウム，テトラキス（ペンタフルオロフ
ェニル）硼酸アセチルフェロセニウム，テトラキス（ペ
ンタフルオロフェニル）硼酸ホルミルフェロセニウム，
テトラキス（ペンタフルオロフェニル）硼酸シアノフェ
ロセニウム，テトラフェニル硼酸銀，テトラキス（ペン
タフルオロフェニル）硼酸銀，テトラフェニル硼酸トリ
チル，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）硼酸トリ
チル，ヘキサフルオロ砒素酸銀，ヘキサフルオロアンチ
モン酸銀，テトラフルオロ硼酸銀などが挙げられる。ま
た、ルイス酸として、例えばＢ（Ｃ6 Ｆ5)3 ，Ｂ（Ｃ6
ＨＦ4)3 ，Ｂ（Ｃ6Ｈ2 Ｆ3)3 , Ｂ（Ｃ6 Ｈ3 Ｆ2)3 ,
Ｂ（Ｃ6 Ｈ4 Ｆ)3 ,Ｂ（Ｃ6 Ｈ5)3 ，ＢＦ3，Ｂ（Ｃ6
ＣＦ3 Ｆ4)3 ，ＰＦ5 , Ｐ（Ｃ6 Ｆ5)5 , Ａｌ（Ｃ6 Ｈ
Ｆ4)3 なども用いることができる。
【００４５】（Ｃ）成分 本発明の方法に用いる触媒においては、上記の（Ａ）成
分及び（Ｂ）成分とともに、必要に応じて（Ｃ）有機金
属化合物を用いることができる。（Ｃ）成分である有機
金属化合物は、下記一般式（１１）で表される化合物 （( Ｒ31)3−Ｘ−Ｙ）n −Ｚ−（Ｒ32) m-n ・・・（１１） （式中、Ｒ31は、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜
３０の脂肪族炭化水素基、炭素数６〜３０の芳香族炭化
水素基、炭素数１〜３０のアルコキシ基、炭素数６〜３
０のアリーロキシ基、炭素数１〜３０のチオアルコキシ
基，炭素数６〜３０のチオアリーロキシ基，アミノ基、
アミド基、又はカルボキシル基を示し、それぞれのＲ31
は、それぞれ相互に同一であっても異なっていてもよ
い。またそれぞれのＲ31は、必要に応じて結合し、環構
造を形成してもよい。Ｘは、１４族の元素を示し、Ｙ
は、１６族の元素を示し、Ｚは、２族〜１３族の金属元
素を示す。Ｒ32は、炭化水素基を示す。ｍは、金属元素
Ｚの価数の整数を示し、ｎは、１〜（ｍ−１）の整数を
示す。）及びアルキル化剤である。上記の一般式（１
１）で表される化合物のうち、次のものが好ましく用い
られる。即ち、（１）Ｘが炭素であり、Ｙが酸素であ
り、Ｚがアルミニウムであるもの，（２）３個のＲ31の
うち、少なくとも１つが炭素数６〜３０の芳香族炭化水
素基であるもの，（３）３個のＲ31のすべてが炭素数１
以上の炭化水素基であるもの、（４）３個のＲ31のすべ
てが炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、好ましくはフ
ェニル基であるもの，（５）Ｒ32が炭素数２以上のアル
キル基であるものである。具体的には、Ｒ31がすべてフ
ェニル基であり、Ｘが炭素，Ｙが酸素，Ｚがアルミニウ
ムであり、ｎ＝１であり、Ｒ32がイソブチル基であるも
のが好ましく挙げられる。（Ｃ）成分としては、上記一
般式で表される構造を持つものであれば、その製造方法
は特に問わないが、一般式 (Ｒ31)3−Ｃ−ＯＲ31，Ｒ
31−ＣＯ−Ｒ31又はＲ31−ＣＯ−ＯＲ31で表される化合
物から選ばれた少なくとも１種と、一般式 Ｚ
（Ｒ32) m で表される化合物とを反応させることにより
得られたものが好に用いられる。（式中、Ｒ31，Ｚ及び
Ｒ32は、前記と同様である。） 具体的には、アルコール類，エーテル類，アルデヒド
類，ケトン類，カルボン酸類，カルボン酸エステル類か
ら選ばれた少なくとも１種とアルミニウム化合物との反
応生成物である。好ましくはアルコール類とアルミニウ
ム化合物との反応生成物である。この場合においても、
（１） (Ｒ31)3における３個のＲ31のうち、少なくとも
１つが炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基であるもの，
（２） (Ｒ 31)3における３個のＲ31のすべてが炭素数１
以上の炭化水素基であるもの、（３） (Ｒ31)3における
３個のＲ31のすべてが炭素数６〜３０の芳香族炭化水素
基、好ましくはフェニル基であるもの，（４）Ｒ32が炭
素数２以上のアルキル基であるものが好ましく用いら
れ、具体的には、Ｒ31がすべてフェニル基であり、Ｒ32
がイソブチル基であるものが好ましく挙げられる。即
ち、トリフェニルメチルアルコールとトリイソブチルア
ルミニウムとの反応生成物を最も好ましくあげることが
できる。の化合物との化合物の反応条件としては特
に制限はないが、次のような条件が好ましく選ばれる。
即ち、配合比については、モル比で、の化合物：の
化合物＝１：０.1〜１０，好ましくは１：０.5〜２，さ
らに好ましくは１：０.8〜１.2である。反応温度は−８
０℃〜３００℃、好ましくは−１０℃〜５０℃であり、
反応時間は０.1分〜５０時間、好ましくは０.1分〜３時
間である。また反応時に使用する溶媒も制限はないが、
重合時に使用される溶媒が好ましく用いられる。さらに
は、（Ｃ）成分として、上記一般式で示される化合物で
はなく、次に示す（Ｃ１）の化合物と（Ｃ２）の化合物
を直接触媒合成の場、又は重合の場に投入してもよい。
即ち、この場合は、触媒成分としては、前記（Ａ）遷移
金属化合物、（Ｂ）酸素含有化合物及び／又は遷移金属
化合物と反応してイオン性の錯体を形成しうる化合物、
（Ｃ１）、（Ｃ２）、及び必要に応じて用いられるアル
キル化剤ということになる。
分及び（Ｂ）成分とともに、必要に応じて（Ｃ）有機金
属化合物を用いることができる。（Ｃ）成分である有機
金属化合物は、下記一般式（１１）で表される化合物 （( Ｒ31)3−Ｘ−Ｙ）n −Ｚ−（Ｒ32) m-n ・・・（１１） （式中、Ｒ31は、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜
３０の脂肪族炭化水素基、炭素数６〜３０の芳香族炭化
水素基、炭素数１〜３０のアルコキシ基、炭素数６〜３
０のアリーロキシ基、炭素数１〜３０のチオアルコキシ
基，炭素数６〜３０のチオアリーロキシ基，アミノ基、
アミド基、又はカルボキシル基を示し、それぞれのＲ31
は、それぞれ相互に同一であっても異なっていてもよ
い。またそれぞれのＲ31は、必要に応じて結合し、環構
造を形成してもよい。Ｘは、１４族の元素を示し、Ｙ
は、１６族の元素を示し、Ｚは、２族〜１３族の金属元
素を示す。Ｒ32は、炭化水素基を示す。ｍは、金属元素
Ｚの価数の整数を示し、ｎは、１〜（ｍ−１）の整数を
示す。）及びアルキル化剤である。上記の一般式（１
１）で表される化合物のうち、次のものが好ましく用い
られる。即ち、（１）Ｘが炭素であり、Ｙが酸素であ
り、Ｚがアルミニウムであるもの，（２）３個のＲ31の
うち、少なくとも１つが炭素数６〜３０の芳香族炭化水
素基であるもの，（３）３個のＲ31のすべてが炭素数１
以上の炭化水素基であるもの、（４）３個のＲ31のすべ
てが炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、好ましくはフ
ェニル基であるもの，（５）Ｒ32が炭素数２以上のアル
キル基であるものである。具体的には、Ｒ31がすべてフ
ェニル基であり、Ｘが炭素，Ｙが酸素，Ｚがアルミニウ
ムであり、ｎ＝１であり、Ｒ32がイソブチル基であるも
のが好ましく挙げられる。（Ｃ）成分としては、上記一
般式で表される構造を持つものであれば、その製造方法
は特に問わないが、一般式 (Ｒ31)3−Ｃ−ＯＲ31，Ｒ
31−ＣＯ−Ｒ31又はＲ31−ＣＯ−ＯＲ31で表される化合
物から選ばれた少なくとも１種と、一般式 Ｚ
（Ｒ32) m で表される化合物とを反応させることにより
得られたものが好に用いられる。（式中、Ｒ31，Ｚ及び
Ｒ32は、前記と同様である。） 具体的には、アルコール類，エーテル類，アルデヒド
類，ケトン類，カルボン酸類，カルボン酸エステル類か
ら選ばれた少なくとも１種とアルミニウム化合物との反
応生成物である。好ましくはアルコール類とアルミニウ
ム化合物との反応生成物である。この場合においても、
（１） (Ｒ31)3における３個のＲ31のうち、少なくとも
１つが炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基であるもの，
（２） (Ｒ 31)3における３個のＲ31のすべてが炭素数１
以上の炭化水素基であるもの、（３） (Ｒ31)3における
３個のＲ31のすべてが炭素数６〜３０の芳香族炭化水素
基、好ましくはフェニル基であるもの，（４）Ｒ32が炭
素数２以上のアルキル基であるものが好ましく用いら
れ、具体的には、Ｒ31がすべてフェニル基であり、Ｒ32
がイソブチル基であるものが好ましく挙げられる。即
ち、トリフェニルメチルアルコールとトリイソブチルア
ルミニウムとの反応生成物を最も好ましくあげることが
できる。の化合物との化合物の反応条件としては特
に制限はないが、次のような条件が好ましく選ばれる。
即ち、配合比については、モル比で、の化合物：の
化合物＝１：０.1〜１０，好ましくは１：０.5〜２，さ
らに好ましくは１：０.8〜１.2である。反応温度は−８
０℃〜３００℃、好ましくは−１０℃〜５０℃であり、
反応時間は０.1分〜５０時間、好ましくは０.1分〜３時
間である。また反応時に使用する溶媒も制限はないが、
重合時に使用される溶媒が好ましく用いられる。さらに
は、（Ｃ）成分として、上記一般式で示される化合物で
はなく、次に示す（Ｃ１）の化合物と（Ｃ２）の化合物
を直接触媒合成の場、又は重合の場に投入してもよい。
即ち、この場合は、触媒成分としては、前記（Ａ）遷移
金属化合物、（Ｂ）酸素含有化合物及び／又は遷移金属
化合物と反応してイオン性の錯体を形成しうる化合物、
（Ｃ１）、（Ｃ２）、及び必要に応じて用いられるアル
キル化剤ということになる。
【００４６】（Ｃ１）とは、一般式 (Ｒ31)3−Ｃ−Ｏ
Ｒ31，Ｒ31−ＣＯ−Ｒ31又はＲ31−ＣＯ−ＯＲ31で表さ
れる化合物から選ばれた少なくとも１種であり、（Ｃ
２）とは、一般式 Ｚ（Ｒ32) m で表される化合物であ
る。 （式中、Ｒ31は、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜
３０の脂肪族炭化水素基、炭素数６〜３０の芳香族炭化
水素基、炭素数１〜３０のアルコキシ基、炭素数６〜３
０のアリーロキシ基、炭素数１〜３０のチオアルコキシ
基，炭素数６〜３０のチオアリーロキシ基，アミノ基、
アミド基、又はカルボキシル基を示し、それぞれのＲ31
は、それぞれ相互に同一であっても異なっていてもよ
い。またそれぞれのＲ31は、必要に応じて結合し、環構
造を形成してもよい。Ｚは、２族〜１３族の金属元素
を、ｍは、金属元素Ｚの価数の整数を示し、Ｒ32は、炭
化水素基を示す。） 具体的には、（Ｃ１）としては、アルコール類，エーテ
ル類，アルデヒド類，ケトン類，カルボン酸類，カルボ
ン酸エステル類から選ばれた少なくとも１種、好ましく
はアルコール類が挙げられ、（Ｃ２）としては、アルミ
ニウム化合物が挙げられる。この場合においても、
（１） (Ｒ31)3における３個のＲ31のうち、少なくとも
１つが炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基であるもの，
（２） (Ｒ31)3における３個のＲ31のすべてが炭素数１
以上の炭化水素基であるもの、（３）(Ｒ31)3における
３個のＲ31のすべてが炭素数６〜３０の芳香族炭化水素
基、好ましくはフェニル基であるもの，（４）Ｒ32が炭
素数２以上のアルキル基であるものが好ましく用いら
れ、より具体的には、（Ｃ１）としては、トリフェニル
メチルアルコールが挙げられ、（Ｃ２）としては、トリ
イソブチルアルミニウムとを最も好ましく挙げることが
できる。
Ｒ31，Ｒ31−ＣＯ−Ｒ31又はＲ31−ＣＯ−ＯＲ31で表さ
れる化合物から選ばれた少なくとも１種であり、（Ｃ
２）とは、一般式 Ｚ（Ｒ32) m で表される化合物であ
る。 （式中、Ｒ31は、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜
３０の脂肪族炭化水素基、炭素数６〜３０の芳香族炭化
水素基、炭素数１〜３０のアルコキシ基、炭素数６〜３
０のアリーロキシ基、炭素数１〜３０のチオアルコキシ
基，炭素数６〜３０のチオアリーロキシ基，アミノ基、
アミド基、又はカルボキシル基を示し、それぞれのＲ31
は、それぞれ相互に同一であっても異なっていてもよ
い。またそれぞれのＲ31は、必要に応じて結合し、環構
造を形成してもよい。Ｚは、２族〜１３族の金属元素
を、ｍは、金属元素Ｚの価数の整数を示し、Ｒ32は、炭
化水素基を示す。） 具体的には、（Ｃ１）としては、アルコール類，エーテ
ル類，アルデヒド類，ケトン類，カルボン酸類，カルボ
ン酸エステル類から選ばれた少なくとも１種、好ましく
はアルコール類が挙げられ、（Ｃ２）としては、アルミ
ニウム化合物が挙げられる。この場合においても、
（１） (Ｒ31)3における３個のＲ31のうち、少なくとも
１つが炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基であるもの，
（２） (Ｒ31)3における３個のＲ31のすべてが炭素数１
以上の炭化水素基であるもの、（３）(Ｒ31)3における
３個のＲ31のすべてが炭素数６〜３０の芳香族炭化水素
基、好ましくはフェニル基であるもの，（４）Ｒ32が炭
素数２以上のアルキル基であるものが好ましく用いら
れ、より具体的には、（Ｃ１）としては、トリフェニル
メチルアルコールが挙げられ、（Ｃ２）としては、トリ
イソブチルアルミニウムとを最も好ましく挙げることが
できる。
【００４７】本発明に用いる触媒の（Ｃ）成分として、
必要に応じてアルキル化剤を用いることができる。アル
キル化剤としては様々なものがあるが、例えば、一般式
（１２） Ｒ34 m Ａl(ＯＲ35) n Ｘ3-m-n ・・・（１２） 〔式中、Ｒ34及びＲ35は、それぞれ炭素数１〜８、好ま
しくは１〜４のアルキル基を示し、Ｘは水素原子あるい
はハロゲン原子を示す。また、ｍは０＜ｍ≦３、好まし
くは２あるいは３、最も好ましくは３であり、ｎは０≦
ｎ＜３、好ましくは０あるいは１である。〕で表わされ
るアルキル基含有アルミニウム化合物や一般式（１３） Ｒ34 2 Ｍｇ ・・・（１３） 〔式中、Ｒ34は前記と同じである。〕で表わされるアル
キル基含有マグネシウム化合物、さらには一般式（１
４） Ｒ34 2 Ｚｎ ・・・（１４） 式中、Ｒ34は前記と同じである。〕で表わされるアルキ
ル基含有亜鉛化合物等が挙げられる。これらのアルキル
基含有化合物のうち、アルキル基含有アルミニウム化合
物、とりわけトリアルキルアルミニウムやジアルキルア
ルミニウム化合物が好ましい。具体的にはトリメチルア
ルミニウム，トリエチルアルミニウム，トリｎ−プロピ
ルアルミニウム，トリイソプロピルアルミニウム，トリ
ｎ−ブチルアルミニウム，トリイソブチルアルミニウ
ム，トリｔ−ブチルアルミニウム等のトリアルキルアル
ミニウム、ジメチルアルミニウムクロリド，ジエチルア
ルミニウムクロリド，ジｎ−プロピルアルミニウムクロ
リド，ジイソプロピルアルミニウムクロリド，ジｎ−ブ
チルアルミニウムクロリド，ジイソブチルアルミニウム
クロリド，ジｔ−ブチルアルミニウムクロリド等のジア
ルキルアルミニウムハライド、ジメチルアルミニウムメ
トキサイド，ジメチルアルミニウムエトキサイド等のジ
アルキルアルミニウムアルコキサイド、ジメチルアルミ
ニウムハイドライド，ジエチルアルミニウムハイドライ
ド，ジイソブチルアルミニウムハイドライド等のジアル
キルアルミニウムハイドライド等があげられる。さらに
は、ジメチルマグネシウム，ジエチルマグネシウム，ジ
ｎ−プロピルマグネシウム，ジイソプロピルマグネシウ
ム等のジアルキルマグネシウムやジメチル亜鉛，ジエチ
ル亜鉛，ジｎ−プロピルエチル亜鉛，ジイソプロピル亜
鉛等のジアルキル亜鉛をあげることができる。
必要に応じてアルキル化剤を用いることができる。アル
キル化剤としては様々なものがあるが、例えば、一般式
（１２） Ｒ34 m Ａl(ＯＲ35) n Ｘ3-m-n ・・・（１２） 〔式中、Ｒ34及びＲ35は、それぞれ炭素数１〜８、好ま
しくは１〜４のアルキル基を示し、Ｘは水素原子あるい
はハロゲン原子を示す。また、ｍは０＜ｍ≦３、好まし
くは２あるいは３、最も好ましくは３であり、ｎは０≦
ｎ＜３、好ましくは０あるいは１である。〕で表わされ
るアルキル基含有アルミニウム化合物や一般式（１３） Ｒ34 2 Ｍｇ ・・・（１３） 〔式中、Ｒ34は前記と同じである。〕で表わされるアル
キル基含有マグネシウム化合物、さらには一般式（１
４） Ｒ34 2 Ｚｎ ・・・（１４） 式中、Ｒ34は前記と同じである。〕で表わされるアルキ
ル基含有亜鉛化合物等が挙げられる。これらのアルキル
基含有化合物のうち、アルキル基含有アルミニウム化合
物、とりわけトリアルキルアルミニウムやジアルキルア
ルミニウム化合物が好ましい。具体的にはトリメチルア
ルミニウム，トリエチルアルミニウム，トリｎ−プロピ
ルアルミニウム，トリイソプロピルアルミニウム，トリ
ｎ−ブチルアルミニウム，トリイソブチルアルミニウ
ム，トリｔ−ブチルアルミニウム等のトリアルキルアル
ミニウム、ジメチルアルミニウムクロリド，ジエチルア
ルミニウムクロリド，ジｎ−プロピルアルミニウムクロ
リド，ジイソプロピルアルミニウムクロリド，ジｎ−ブ
チルアルミニウムクロリド，ジイソブチルアルミニウム
クロリド，ジｔ−ブチルアルミニウムクロリド等のジア
ルキルアルミニウムハライド、ジメチルアルミニウムメ
トキサイド，ジメチルアルミニウムエトキサイド等のジ
アルキルアルミニウムアルコキサイド、ジメチルアルミ
ニウムハイドライド，ジエチルアルミニウムハイドライ
ド，ジイソブチルアルミニウムハイドライド等のジアル
キルアルミニウムハイドライド等があげられる。さらに
は、ジメチルマグネシウム，ジエチルマグネシウム，ジ
ｎ−プロピルマグネシウム，ジイソプロピルマグネシウ
ム等のジアルキルマグネシウムやジメチル亜鉛，ジエチ
ル亜鉛，ジｎ−プロピルエチル亜鉛，ジイソプロピル亜
鉛等のジアルキル亜鉛をあげることができる。
【００４８】触媒は下記の方法で調製することができ
る。 （１）各成分の接触順序 本発明においては、各成分の接触順序に特に制限はな
く、以下のような順序で接触させることができる。
（Ａ）成分、（Ｂ）成分及び（Ｃ）成分を用いる場合
は、例えば、（Ａ）成分と（Ｂ）成分を接触させ、そ
れに（Ｃ）成分を接触させる方法や、（Ａ）成分と
（Ｃ）成分を接触させ、それに（Ｂ）成分を接触させる
方法や、（Ｂ）成分と（Ｃ）成分を接触させ、それに
（Ａ）成分を接触させる方法、さらには、３成分を同
時に接触させる方法が挙げられる。さらに、所望により
（Ｃ）成分としてアルキル化剤を用いる場合において
も、その接触順序は問わない。すなわち、（Ａ）成分に
アルキル化剤を接触させてから用いてもよく、（Ｂ）成
分にアルキル化剤を接触させてから用いてもよく、また
（Ｃ）成分の一般式（１１）で表される有機金属化合物
とアルキル化剤を接触させてから用いてもよい。さらに
は、（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）成分のうちアルキル化剤を
予め接触させておき、その後、（Ｃ）成分の一般式（１
２）で表される有機金属化合物を接触させる方法でもよ
い。（ii）（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ１）成分、及
び（Ｃ２）成分を用いる場合も、上記（ｉ）の場合と同
様に各成分を接触させる順序は問わないが、（Ｃ１）成
分と（Ｃ２）成分については、他の成分を接触させる前
に予め接触させておくのが好適である。さらに、所望に
よりアルキル化剤を用いる場合においても、上記（ｉ）
の場合と同様と同様である。 （２）各成分の割合 （Ａ）成分と（Ｂ）成分のモル比は、（Ｂ）成分とし
て、酸素含有化合物を用いる場合、通常（Ａ）成分１モ
ルに対し、（Ｂ）成分が、有機アルミニウム化合物の場
合は、アルミニウム原子のモル比で１〜１０,0００、好
ましくは、１０〜１,0００の範囲で選ばれる。また
（Ｂ）成分として、遷移金属化合物と反応してイオン性
の錯体を形成しうる化合物を用いる場合、通常（Ａ）成
分１モルに対し、（Ｂ）成分がホウ素化合物の場合は、
ホウ素原子のモル比で０.5〜１０、好ましくは、０.8〜
５の範囲で選ばれる。（Ｃ）成分を用いる場合、（Ｃ）
成分の一般式（１１）で表される有機金属化合物は、
（Ａ）成分１モルに対し、（Ｃ）成分がアルミニウム化
合物の場合は、アルミニウム原子のモル比で０.5〜１,0
００、好ましくは、１〜１００の範囲で選ばれる。アル
キル化剤の配合量については、（Ａ）成分１モルに対
し、アルキル化剤がアルミニウム化合物の場合は、アル
ミニウム原子のモル比で０〜１０００（０を含まず）、
好ましくは１〜５００、特に１０〜３００の範囲で選ば
れる。（Ｃ）成分を用いず、（Ｃ１）成分及び（Ｃ２）
成分を用いる場合、モル比で、（Ｃ１）成分：（Ｃ２）
成分＝１：０.1〜１０，好ましくは１：０.5〜２，さら
に好ましくは１：０.8〜１.2である。（Ｃ２）成分は、
（Ａ）成分１モルに対し、（Ｃ２）成分が、アルミニウ
ム化合物の場合は、アルミニウム原子のモル比で０.5〜
１,0００、好ましくは、１〜１００の範囲で選ばれる。
アルキル化剤の配合量については、上記と同様である。 （３）各成分の接触条件 触媒成分の接触については、窒素等の不活性気体中、重
合温度以下で行なうことができるが、−３０〜２００℃
の範囲で行なってもよい。
る。 （１）各成分の接触順序 本発明においては、各成分の接触順序に特に制限はな
く、以下のような順序で接触させることができる。
（Ａ）成分、（Ｂ）成分及び（Ｃ）成分を用いる場合
は、例えば、（Ａ）成分と（Ｂ）成分を接触させ、そ
れに（Ｃ）成分を接触させる方法や、（Ａ）成分と
（Ｃ）成分を接触させ、それに（Ｂ）成分を接触させる
方法や、（Ｂ）成分と（Ｃ）成分を接触させ、それに
（Ａ）成分を接触させる方法、さらには、３成分を同
時に接触させる方法が挙げられる。さらに、所望により
（Ｃ）成分としてアルキル化剤を用いる場合において
も、その接触順序は問わない。すなわち、（Ａ）成分に
アルキル化剤を接触させてから用いてもよく、（Ｂ）成
分にアルキル化剤を接触させてから用いてもよく、また
（Ｃ）成分の一般式（１１）で表される有機金属化合物
とアルキル化剤を接触させてから用いてもよい。さらに
は、（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）成分のうちアルキル化剤を
予め接触させておき、その後、（Ｃ）成分の一般式（１
２）で表される有機金属化合物を接触させる方法でもよ
い。（ii）（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ１）成分、及
び（Ｃ２）成分を用いる場合も、上記（ｉ）の場合と同
様に各成分を接触させる順序は問わないが、（Ｃ１）成
分と（Ｃ２）成分については、他の成分を接触させる前
に予め接触させておくのが好適である。さらに、所望に
よりアルキル化剤を用いる場合においても、上記（ｉ）
の場合と同様と同様である。 （２）各成分の割合 （Ａ）成分と（Ｂ）成分のモル比は、（Ｂ）成分とし
て、酸素含有化合物を用いる場合、通常（Ａ）成分１モ
ルに対し、（Ｂ）成分が、有機アルミニウム化合物の場
合は、アルミニウム原子のモル比で１〜１０,0００、好
ましくは、１０〜１,0００の範囲で選ばれる。また
（Ｂ）成分として、遷移金属化合物と反応してイオン性
の錯体を形成しうる化合物を用いる場合、通常（Ａ）成
分１モルに対し、（Ｂ）成分がホウ素化合物の場合は、
ホウ素原子のモル比で０.5〜１０、好ましくは、０.8〜
５の範囲で選ばれる。（Ｃ）成分を用いる場合、（Ｃ）
成分の一般式（１１）で表される有機金属化合物は、
（Ａ）成分１モルに対し、（Ｃ）成分がアルミニウム化
合物の場合は、アルミニウム原子のモル比で０.5〜１,0
００、好ましくは、１〜１００の範囲で選ばれる。アル
キル化剤の配合量については、（Ａ）成分１モルに対
し、アルキル化剤がアルミニウム化合物の場合は、アル
ミニウム原子のモル比で０〜１０００（０を含まず）、
好ましくは１〜５００、特に１０〜３００の範囲で選ば
れる。（Ｃ）成分を用いず、（Ｃ１）成分及び（Ｃ２）
成分を用いる場合、モル比で、（Ｃ１）成分：（Ｃ２）
成分＝１：０.1〜１０，好ましくは１：０.5〜２，さら
に好ましくは１：０.8〜１.2である。（Ｃ２）成分は、
（Ａ）成分１モルに対し、（Ｃ２）成分が、アルミニウ
ム化合物の場合は、アルミニウム原子のモル比で０.5〜
１,0００、好ましくは、１〜１００の範囲で選ばれる。
アルキル化剤の配合量については、上記と同様である。 （３）各成分の接触条件 触媒成分の接触については、窒素等の不活性気体中、重
合温度以下で行なうことができるが、−３０〜２００℃
の範囲で行なってもよい。
【００４９】本発明のスチレン系共重合体は、上記のよ
うに、一般式（Ｉ’）で表されるスチレン系モノマーと
一般式（II’）で表されるジエン系化合物とを、上記の
ような重合用触媒の存在下に、水素添加しながら共重合
させることによって製造される。水素添加には、水素ガ
ス又はその反応の場で水素を発生しうる任意の化合物を
用いることができる。水素を発生しうる化合物として
は、特に制限はないが、一般式Ｒn ＭＨm （式中、Ｍは
Ｓｉ又はＧｅを示し、ｍは１〜４の整数、ｎは０〜３の
整数であり、ｍ＋ｎ＝４を満たす。Ｒは炭素数１〜１０
の直鎖又は分岐の炭化水素基、好ましくは炭素数６〜１
０の芳香族炭化水素基を示す。）で表される化合物、例
えば、ＰｈＳｉＨ3 ，Ｐｈ2 ＳｉＨ2 ，Ｐｈ3 ＳｉＨ
（Ｐｈ：フェニル基），Ｃ8 Ｈ17ＳｉＨ3 ，（Ｃ
8 Ｈ17）2 ＳｉＨ2 ，t-Ｃ4 Ｈ9 ＧｅＨ3 ，ＧｅＨ4 ，
（ＣＨ3 ）3 ＧｅＨ，（Ｐｈ）2 ＧｅＨ2 ，ＨＳi Ｐｈ
3 ，Ｒ’ＧｅＨ3 （Ｒ’はアルキル基）などが挙げられ
る。また、水素添加は、水素分圧を０．０１ＭＰａ〜
０．２ＭＰａとして行うのが好ましい。水素分圧が０．
０１ＭＰａ未満であると、水添効率が低く効果が十分で
ない。０．２ＭＰａを超えると、Ｈ2 の連鎖移動効果の
為、ＳＰＳの分子量が低すぎて機械的強度を維持できな
い。共重合体中にジエン系モノマーに由来する不飽和結
合が少なければ少ない程、化学安定性は向上するが、水
添率は必ずしも１００％である必要はない。共重合を行
う際には、予備重合を行うことができる。予備重合は、
前記触媒に、例えば、少量のスチレン類を接触させるこ
とにより行うことができるが、その方法には特に制限は
なく、公知の方法で行うことができる。予備重合に用い
るスチレン類については特に制限はなく、前記したもの
を用いることができる。予備重合温度は、通常−２０〜
２００℃、好ましくは−１℃〜１３０℃である。予備重
合において、溶媒としては、不活性炭化水素、脂肪族炭
化水素、芳香族炭化水素、モノマーなどを用いることが
できる。また、スチレン系モノマーとコモノマーを共重
合させる方法については特に制限はなく、スラリー重合
法，溶液重合法，気相重合法，塊状重合法，懸濁重合法
など、任意の重合法を採用することができる。この場
合、触媒の各成分と各モノマーとの接触順序についても
制限はない。即ち、前記のように触媒の各成分を予め混
合して触媒を調製したのち、そこへモノマーを投入する
方法でもよい。或いは、触媒の各成分を予め混合して触
媒を調製しておくのではなく、触媒の各成分と各モノマ
ーを全く任意の順序で重合の場に投入する方法でもよ
い。好ましい形態としては、前記（Ｃ）成分のうち一般
式（１２）で表される化合物、又は（Ｃ１）成分並びに
（Ｃ２）成分以外の成分、即ち、（Ａ）成分，（Ｂ）成
分，（Ｃ）成分のうちアルキル化剤を予め混合してお
き、一方、モノマーと前記（Ｃ）成分のうち一般式（１
２）で表される化合物、又はモノマーと（Ｃ１）成分並
びに（Ｃ２）成分とを別に混合しておき、しかる後に、
これら両者を重合直前に混合することにより、重合を行
なわせる方法が挙げられる。
うに、一般式（Ｉ’）で表されるスチレン系モノマーと
一般式（II’）で表されるジエン系化合物とを、上記の
ような重合用触媒の存在下に、水素添加しながら共重合
させることによって製造される。水素添加には、水素ガ
ス又はその反応の場で水素を発生しうる任意の化合物を
用いることができる。水素を発生しうる化合物として
は、特に制限はないが、一般式Ｒn ＭＨm （式中、Ｍは
Ｓｉ又はＧｅを示し、ｍは１〜４の整数、ｎは０〜３の
整数であり、ｍ＋ｎ＝４を満たす。Ｒは炭素数１〜１０
の直鎖又は分岐の炭化水素基、好ましくは炭素数６〜１
０の芳香族炭化水素基を示す。）で表される化合物、例
えば、ＰｈＳｉＨ3 ，Ｐｈ2 ＳｉＨ2 ，Ｐｈ3 ＳｉＨ
（Ｐｈ：フェニル基），Ｃ8 Ｈ17ＳｉＨ3 ，（Ｃ
8 Ｈ17）2 ＳｉＨ2 ，t-Ｃ4 Ｈ9 ＧｅＨ3 ，ＧｅＨ4 ，
（ＣＨ3 ）3 ＧｅＨ，（Ｐｈ）2 ＧｅＨ2 ，ＨＳi Ｐｈ
3 ，Ｒ’ＧｅＨ3 （Ｒ’はアルキル基）などが挙げられ
る。また、水素添加は、水素分圧を０．０１ＭＰａ〜
０．２ＭＰａとして行うのが好ましい。水素分圧が０．
０１ＭＰａ未満であると、水添効率が低く効果が十分で
ない。０．２ＭＰａを超えると、Ｈ2 の連鎖移動効果の
為、ＳＰＳの分子量が低すぎて機械的強度を維持できな
い。共重合体中にジエン系モノマーに由来する不飽和結
合が少なければ少ない程、化学安定性は向上するが、水
添率は必ずしも１００％である必要はない。共重合を行
う際には、予備重合を行うことができる。予備重合は、
前記触媒に、例えば、少量のスチレン類を接触させるこ
とにより行うことができるが、その方法には特に制限は
なく、公知の方法で行うことができる。予備重合に用い
るスチレン類については特に制限はなく、前記したもの
を用いることができる。予備重合温度は、通常−２０〜
２００℃、好ましくは−１℃〜１３０℃である。予備重
合において、溶媒としては、不活性炭化水素、脂肪族炭
化水素、芳香族炭化水素、モノマーなどを用いることが
できる。また、スチレン系モノマーとコモノマーを共重
合させる方法については特に制限はなく、スラリー重合
法，溶液重合法，気相重合法，塊状重合法，懸濁重合法
など、任意の重合法を採用することができる。この場
合、触媒の各成分と各モノマーとの接触順序についても
制限はない。即ち、前記のように触媒の各成分を予め混
合して触媒を調製したのち、そこへモノマーを投入する
方法でもよい。或いは、触媒の各成分を予め混合して触
媒を調製しておくのではなく、触媒の各成分と各モノマ
ーを全く任意の順序で重合の場に投入する方法でもよ
い。好ましい形態としては、前記（Ｃ）成分のうち一般
式（１２）で表される化合物、又は（Ｃ１）成分並びに
（Ｃ２）成分以外の成分、即ち、（Ａ）成分，（Ｂ）成
分，（Ｃ）成分のうちアルキル化剤を予め混合してお
き、一方、モノマーと前記（Ｃ）成分のうち一般式（１
２）で表される化合物、又はモノマーと（Ｃ１）成分並
びに（Ｃ２）成分とを別に混合しておき、しかる後に、
これら両者を重合直前に混合することにより、重合を行
なわせる方法が挙げられる。
【００５０】重合溶媒を用いる場合には、その溶媒とし
ては、ベンゼン、トルエン、キシレン、ｎ−ヘキサン、
ｎ−ヘプタン、シクロヘキサン、塩化メチレン、クロロ
ホルム、１，２−ジクロロエタン、クロロベンゼン等の
炭化水素類やハロゲン化炭化水素類などが挙げられる。
これらは一種用いてもよく、二種以上を組み合わせて用
いてもよい。また、重合に用いるモノマーもその種類に
よっては使用することができる。また、重合反応におけ
る触媒の使用量は、溶媒１リットル当たり、（Ａ）成分
が、通常０．１〜１００マイクロモル、好ましくは０．
５〜２５マイクロモルの範囲になるように選ぶのが重合
活性および反応器効率の面から有利である。重合条件に
ついては、圧力は、通常、常圧〜２０００ｋｇ／ｃｍ2
Ｇの範囲が選択される。また、反応温度は、通常、−５
０〜２５０℃の範囲である。重合体の分子量の調節方法
としては、各触媒成分の種類、使用量、重合温度の選択
および水素の導入などが挙げられる。
ては、ベンゼン、トルエン、キシレン、ｎ−ヘキサン、
ｎ−ヘプタン、シクロヘキサン、塩化メチレン、クロロ
ホルム、１，２−ジクロロエタン、クロロベンゼン等の
炭化水素類やハロゲン化炭化水素類などが挙げられる。
これらは一種用いてもよく、二種以上を組み合わせて用
いてもよい。また、重合に用いるモノマーもその種類に
よっては使用することができる。また、重合反応におけ
る触媒の使用量は、溶媒１リットル当たり、（Ａ）成分
が、通常０．１〜１００マイクロモル、好ましくは０．
５〜２５マイクロモルの範囲になるように選ぶのが重合
活性および反応器効率の面から有利である。重合条件に
ついては、圧力は、通常、常圧〜２０００ｋｇ／ｃｍ2
Ｇの範囲が選択される。また、反応温度は、通常、−５
０〜２５０℃の範囲である。重合体の分子量の調節方法
としては、各触媒成分の種類、使用量、重合温度の選択
および水素の導入などが挙げられる。
【００５１】本発明の上記スチレン系共重合体を成形し
て様々な成形体を得ることができるが、このスチレン系
系重合体には、本発明の目的を阻害しない範囲で一般に
使用されている熱可塑性樹脂，ゴム状弾性体，酸化防止
剤，無機充填剤，架橋剤，架橋助剤，核剤，可塑剤，相
溶化剤，着色剤，帯電防止剤などを添加して、組成物と
して用いることができる。上記熱可塑性樹脂としては、
例えばアタクチック構造のポリスチレン，アイソタクチ
ック構造のポリスチレン，ＡＳ樹脂，ＡＢＳ樹脂などの
スチレン系重合体をはじめ、ポリエチレンテレフタレー
トなどのポリエステル，ポリカーボネート，ポリフェニ
レンオキサイド，ポリスルホン，ポリエーテルスルホン
などのポリエーテル，ポリアミド，ポリフェニレンスル
フィド（ＰＰＳ），ポリオキシメチレンなどの縮合系重
合体、ポリアクリル酸，ポリアクリル酸エステル，ポリ
メチルメタクリレートなどのアクリル系重合体、ポリエ
チレン，ポリプロピレン，ポリブテン，ポリ４−メチル
ペンテン−１，エチレン−プロピレン共重合体などのポ
リオレフィン、あるいはポリ塩化ビニル，ポリ塩化ビニ
リデン，ポリ弗化ビニリデンなどの含ハロゲンビニル化
合物重合体など、あるいはこれらの混合物が挙げられ
る。
て様々な成形体を得ることができるが、このスチレン系
系重合体には、本発明の目的を阻害しない範囲で一般に
使用されている熱可塑性樹脂，ゴム状弾性体，酸化防止
剤，無機充填剤，架橋剤，架橋助剤，核剤，可塑剤，相
溶化剤，着色剤，帯電防止剤などを添加して、組成物と
して用いることができる。上記熱可塑性樹脂としては、
例えばアタクチック構造のポリスチレン，アイソタクチ
ック構造のポリスチレン，ＡＳ樹脂，ＡＢＳ樹脂などの
スチレン系重合体をはじめ、ポリエチレンテレフタレー
トなどのポリエステル，ポリカーボネート，ポリフェニ
レンオキサイド，ポリスルホン，ポリエーテルスルホン
などのポリエーテル，ポリアミド，ポリフェニレンスル
フィド（ＰＰＳ），ポリオキシメチレンなどの縮合系重
合体、ポリアクリル酸，ポリアクリル酸エステル，ポリ
メチルメタクリレートなどのアクリル系重合体、ポリエ
チレン，ポリプロピレン，ポリブテン，ポリ４−メチル
ペンテン−１，エチレン−プロピレン共重合体などのポ
リオレフィン、あるいはポリ塩化ビニル，ポリ塩化ビニ
リデン，ポリ弗化ビニリデンなどの含ハロゲンビニル化
合物重合体など、あるいはこれらの混合物が挙げられ
る。
【００５２】またゴム状弾性体としては、様々なものが
使用可能であるが、例えば天然ゴム，ポリブタジエン，
ポリイソプレン，ポリイソブチレン、ネオプレン（登録
商標）、ポリスルフィドゴム、チオコールゴム、アクリ
ルゴム、ウレタンゴム、シリコーンゴム、エビクロロヒ
ドリンゴム、スチレン−ブタジエンブロック共重合体
（ＳＢＲ），水素添加スチレン−ブタジエンブロック共
重合体（ＳＥＢ），スチレン−ブタジエン−スチレンブ
ロック共重合体（ＳＢＳ），水素添加スチレン−ブタジ
エン−スチレンブロック共重合体（ＳＥＢＳ），スチレ
ン−イソプレンブロック共重合体（ＳＩＲ），水素添加
スチレン−イソプレンブロック共重合体（ＳＥＰ），ス
チレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体（ＳＩ
Ｓ），水素添加スチレン−イソプレン−スチレンブロッ
ク共重合体（ＳＥＰＳ），スチレン−ブタジエンランダ
ム共重合体，水素添加スチレン−ブタジエンランダム共
重合体，スチレン−エチレン−プロピレンランダム共重
合体，スチレン−エチレン−ブチレンランダム共重合
体、エチレンプロピレンゴム（ＥＰＲ），エチレンプロ
ピレンジエンゴム（ＥＰＤＭ）、あるいはブタジエン−
アクリロニトリル−スチレン−コアシェルゴム（ＡＢ
Ｓ），メチルメタクリレート−ブタジエン−スチレン−
コアシェルゴム（ＭＢＳ），メチルメタクリレート−ブ
チルアクリレート−スチレン−コアシェルゴム（ＭＡ
Ｓ），オクチルアクリレート−ブタジエン−スチレン−
コアシェルゴム（ＭＡＢＳ），アルキルアクリレート−
ブタジエン−アクリロニトリル−スチレンコアシェルゴ
ム（ＡＡＢＳ），ブタジエン−スチレン−コアシェルゴ
ム（ＳＢＲ）、メチルメタクリレート−ブチルアクリレ
ートシロキサンをはじめとするシロキサン含有コアシェ
ルゴム等のコアシェルタイプの粒子状弾性体、またはこ
れらを変性したゴムなどが挙げられる。これらの中で、
特に、ＳＢＲ、ＳＢＳ、ＳＥＢ、ＳＥＢＳ、ＳＥＲ、Ｓ
ＥＰ、ＳＩＳ、ＳＥＰＳ、コアシェルゴムまたはこれら
を変成したゴム等が好ましく用いられる。また、変性さ
れたゴム状弾性体としては、例えばスチレン−ブチルア
クリレート共重合体ゴム、スチレン−ブタジエンブロッ
ク共重合体（ＳＢＲ）、水素添加スチレン−ブタジエン
ブロック共重合体（ＳＥＢ）、スチレン−ブタジエン−
スチレンブロック共重合体（ＳＢＳ）、水素添加スチレ
ン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体（ＳＥＢ
Ｓ）、スチレン−イソプレンブロック共重合体（ＳＩ
Ｒ）、水素添加スチレン−イソプレンブロック共重合体
（ＳＥＰ）、スチレン−イソプレン−スチレンブロック
共重合体（ＳＩＳ）、水素添加スチレン−イソプレン−
スチレンブロック共重合体（ＳＥＰＳ）、スチレン−ブ
タジエンランダム共重合体、水素添加スチレン−ブタジ
エンランダム共重合体、スチレン−エチレン−プロピレ
ンランダム共重合体、スチレン−エチレン−ブチレンラ
ンダム共重合体、エチレンプロピレンゴム（ＥＰＲ），
エチレンプロピレンジエンゴム（ＥＰＤＭ）などを、極
性基を有する変性剤によって変性を行ったゴム等が挙げ
られる。これらの中で、特にＳＥＢ，ＳＥＢＳ，ＳＥ
Ｐ，ＳＥＰＳ，ＥＰＲ，ＥＰＤＭを変性したゴムが好ま
しく用いられる。具体的には、無水マレイン酸変性ＳＥ
ＢＳ，無水マレイン酸変性ＳＥＰＳ，無水マレイン酸変
性ＥＰＲ，無水マレイン酸変性ＥＰＤＭ，エポキシ変性
ＳＥＢＳ，エポキシ変性ＳＥＰＳなどが挙げられる。こ
れらのゴム状弾性体は、１種又は２種用いてもよい。酸
化防止剤としては様々なものがあるが、特にトリス
（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ホスファイト，ト
リス（モノおよびジ−ノニルフェニル）ホスファイト等
のモノホスファイトやジホスファイト等のリン系酸化防
止剤およびフェノール系酸化防止剤が好ましい。ジホス
ファイトとしては、一般式
使用可能であるが、例えば天然ゴム，ポリブタジエン，
ポリイソプレン，ポリイソブチレン、ネオプレン（登録
商標）、ポリスルフィドゴム、チオコールゴム、アクリ
ルゴム、ウレタンゴム、シリコーンゴム、エビクロロヒ
ドリンゴム、スチレン−ブタジエンブロック共重合体
（ＳＢＲ），水素添加スチレン−ブタジエンブロック共
重合体（ＳＥＢ），スチレン−ブタジエン−スチレンブ
ロック共重合体（ＳＢＳ），水素添加スチレン−ブタジ
エン−スチレンブロック共重合体（ＳＥＢＳ），スチレ
ン−イソプレンブロック共重合体（ＳＩＲ），水素添加
スチレン−イソプレンブロック共重合体（ＳＥＰ），ス
チレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体（ＳＩ
Ｓ），水素添加スチレン−イソプレン−スチレンブロッ
ク共重合体（ＳＥＰＳ），スチレン−ブタジエンランダ
ム共重合体，水素添加スチレン−ブタジエンランダム共
重合体，スチレン−エチレン−プロピレンランダム共重
合体，スチレン−エチレン−ブチレンランダム共重合
体、エチレンプロピレンゴム（ＥＰＲ），エチレンプロ
ピレンジエンゴム（ＥＰＤＭ）、あるいはブタジエン−
アクリロニトリル−スチレン−コアシェルゴム（ＡＢ
Ｓ），メチルメタクリレート−ブタジエン−スチレン−
コアシェルゴム（ＭＢＳ），メチルメタクリレート−ブ
チルアクリレート−スチレン−コアシェルゴム（ＭＡ
Ｓ），オクチルアクリレート−ブタジエン−スチレン−
コアシェルゴム（ＭＡＢＳ），アルキルアクリレート−
ブタジエン−アクリロニトリル−スチレンコアシェルゴ
ム（ＡＡＢＳ），ブタジエン−スチレン−コアシェルゴ
ム（ＳＢＲ）、メチルメタクリレート−ブチルアクリレ
ートシロキサンをはじめとするシロキサン含有コアシェ
ルゴム等のコアシェルタイプの粒子状弾性体、またはこ
れらを変性したゴムなどが挙げられる。これらの中で、
特に、ＳＢＲ、ＳＢＳ、ＳＥＢ、ＳＥＢＳ、ＳＥＲ、Ｓ
ＥＰ、ＳＩＳ、ＳＥＰＳ、コアシェルゴムまたはこれら
を変成したゴム等が好ましく用いられる。また、変性さ
れたゴム状弾性体としては、例えばスチレン−ブチルア
クリレート共重合体ゴム、スチレン−ブタジエンブロッ
ク共重合体（ＳＢＲ）、水素添加スチレン−ブタジエン
ブロック共重合体（ＳＥＢ）、スチレン−ブタジエン−
スチレンブロック共重合体（ＳＢＳ）、水素添加スチレ
ン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体（ＳＥＢ
Ｓ）、スチレン−イソプレンブロック共重合体（ＳＩ
Ｒ）、水素添加スチレン−イソプレンブロック共重合体
（ＳＥＰ）、スチレン−イソプレン−スチレンブロック
共重合体（ＳＩＳ）、水素添加スチレン−イソプレン−
スチレンブロック共重合体（ＳＥＰＳ）、スチレン−ブ
タジエンランダム共重合体、水素添加スチレン−ブタジ
エンランダム共重合体、スチレン−エチレン−プロピレ
ンランダム共重合体、スチレン−エチレン−ブチレンラ
ンダム共重合体、エチレンプロピレンゴム（ＥＰＲ），
エチレンプロピレンジエンゴム（ＥＰＤＭ）などを、極
性基を有する変性剤によって変性を行ったゴム等が挙げ
られる。これらの中で、特にＳＥＢ，ＳＥＢＳ，ＳＥ
Ｐ，ＳＥＰＳ，ＥＰＲ，ＥＰＤＭを変性したゴムが好ま
しく用いられる。具体的には、無水マレイン酸変性ＳＥ
ＢＳ，無水マレイン酸変性ＳＥＰＳ，無水マレイン酸変
性ＥＰＲ，無水マレイン酸変性ＥＰＤＭ，エポキシ変性
ＳＥＢＳ，エポキシ変性ＳＥＰＳなどが挙げられる。こ
れらのゴム状弾性体は、１種又は２種用いてもよい。酸
化防止剤としては様々なものがあるが、特にトリス
（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ホスファイト，ト
リス（モノおよびジ−ノニルフェニル）ホスファイト等
のモノホスファイトやジホスファイト等のリン系酸化防
止剤およびフェノール系酸化防止剤が好ましい。ジホス
ファイトとしては、一般式
【００５３】
【化１７】
【００５４】（式中、Ｒ36及びＲ37はそれぞれ独立に炭
素数１〜２０のアルキル基，炭素数３〜２０のシクロア
ルキル基あるいは炭素数６〜２０のアリール基を示
す。）で表されるリン系化合物を用いることが好まし
い。上記一般式で表されるリン系化合物の具体例として
は、ジステアリルペンタエリスリトールジホスファイ
ト；ジオクチルペンタエリスリトールジホスファイト；
ジフェニルペンタエリスリトールジホスファイト；ビス
（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ペンタエリスリト
ールジホスファイト；ビス（２，６−ジ−ｔ−ブチル−
４−メチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファ
イト；ジシクロヘキシルペンタエリスリトールジホスフ
ァイトなどが挙げられる。また、フェノール系酸化防止
剤としては既知のものを使用することができ、その具体
例としては、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェ
ノール；２，６−ジフェニル−４−メトキシフェノー
ル；２，２’−メチレンビス（６−ｔ−ブチル−４−メ
チルフェノール）；２，２’−メチレンビス−（６−ｔ
−ブチル−４−メチルフェノール）；２，２’−メチレ
ンビス〔４−メチル−６−（α−メチルシクロヘキシ
ル）フェノール〕；１，１−ビス（５−ｔ−ブチル−４
−ヒドロキシ−２−メチルフェニル）ブタン；２，２’
−メチレンビス（４−メチル−６−シクロヘキシルフェ
ノール）；２，２’−メチレンビス−（４−メチル−６
−ノニルフェノール）；１，１，３−トリス−（５−ｔ
−ブチル−４−ヒドロキシ−２−メチルフェニル）ブタ
ン；２，２−ビス−（５−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ
−２−メチルフェニル）−４−ｎ−ドデシルメルカプト
ブタン；エチレングリコール−ビス〔３，３−ビス（３
−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）ブチレー
ト〕；１−１−ビス（３，５−ジメチル−２−ヒドロキ
シフェニル）−３−（ｎ−ドデシルチオ）−ブタン；
４，４’−チオビス（６−ｔ−ブチル−３−メチルフェ
ノール）；１，３，５−トリス（３，５−ジ−ｔ−ブチ
ル−４−ヒドロキシベンジル）−２，４，６−トリメチ
ルベンゼン；２，２−ビス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−
４−ヒドロキシベンジル）マロン酸ジオクタデシルエス
テル；ｎ−オクタデシル−３−（４−ヒドロキシ−３，
５−ジ−ｔ−ブチルフェニル）プロピオネート；テトラ
キス〔メチレン（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロ
キシハイドロシンナメート）〕メタンなどが挙げられ
る。
素数１〜２０のアルキル基，炭素数３〜２０のシクロア
ルキル基あるいは炭素数６〜２０のアリール基を示
す。）で表されるリン系化合物を用いることが好まし
い。上記一般式で表されるリン系化合物の具体例として
は、ジステアリルペンタエリスリトールジホスファイ
ト；ジオクチルペンタエリスリトールジホスファイト；
ジフェニルペンタエリスリトールジホスファイト；ビス
（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ペンタエリスリト
ールジホスファイト；ビス（２，６−ジ−ｔ−ブチル−
４−メチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファ
イト；ジシクロヘキシルペンタエリスリトールジホスフ
ァイトなどが挙げられる。また、フェノール系酸化防止
剤としては既知のものを使用することができ、その具体
例としては、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェ
ノール；２，６−ジフェニル−４−メトキシフェノー
ル；２，２’−メチレンビス（６−ｔ−ブチル−４−メ
チルフェノール）；２，２’−メチレンビス−（６−ｔ
−ブチル−４−メチルフェノール）；２，２’−メチレ
ンビス〔４−メチル−６−（α−メチルシクロヘキシ
ル）フェノール〕；１，１−ビス（５−ｔ−ブチル−４
−ヒドロキシ−２−メチルフェニル）ブタン；２，２’
−メチレンビス（４−メチル−６−シクロヘキシルフェ
ノール）；２，２’−メチレンビス−（４−メチル−６
−ノニルフェノール）；１，１，３−トリス−（５−ｔ
−ブチル−４−ヒドロキシ−２−メチルフェニル）ブタ
ン；２，２−ビス−（５−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ
−２−メチルフェニル）−４−ｎ−ドデシルメルカプト
ブタン；エチレングリコール−ビス〔３，３−ビス（３
−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）ブチレー
ト〕；１−１−ビス（３，５−ジメチル−２−ヒドロキ
シフェニル）−３−（ｎ−ドデシルチオ）−ブタン；
４，４’−チオビス（６−ｔ−ブチル−３−メチルフェ
ノール）；１，３，５−トリス（３，５−ジ−ｔ−ブチ
ル−４−ヒドロキシベンジル）−２，４，６−トリメチ
ルベンゼン；２，２−ビス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−
４−ヒドロキシベンジル）マロン酸ジオクタデシルエス
テル；ｎ−オクタデシル−３−（４−ヒドロキシ−３，
５−ジ−ｔ−ブチルフェニル）プロピオネート；テトラ
キス〔メチレン（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロ
キシハイドロシンナメート）〕メタンなどが挙げられ
る。
【００５５】さらに、上記リン系酸化防止剤，フェノー
ル系酸化防止剤の他に、アミン系酸化防止剤，硫黄系酸
化防止剤などを単独で、あるいは混合して用いることが
できる。上記の酸化防止剤は、前記のＳＰＳ１００重量
部に対し、通常、0.０００１〜１重量部である。ここで
酸化防止剤の配合割合が0.０００１重量部未満であると
分子量低下が著しく、一方、１重量部を超えると機械的
強度に影響があるため、いずれも好ましくない。さらに
無機充填剤としては、繊維状のものであると、粒状，粉
状のものであるとを問わない。繊維状無機充填材として
はガラス繊維，炭素繊維，アルミナ繊維等が挙げられ
る。一方、粒状，粉状無機充填材としてはタルク，カー
ボンブラック，グラファイト，二酸化チタン，シリカ，
マイカ，炭酸カルシウム，硫酸カルシウム，炭酸バリウ
ム，炭酸マグネシウム，硫酸マグネシウム，硫酸バリウ
ム，オキシサルフェート，酸化スズ，アルミナ，カオリ
ン，炭化ケイ素，金属粉末等が挙げられる。
ル系酸化防止剤の他に、アミン系酸化防止剤，硫黄系酸
化防止剤などを単独で、あるいは混合して用いることが
できる。上記の酸化防止剤は、前記のＳＰＳ１００重量
部に対し、通常、0.０００１〜１重量部である。ここで
酸化防止剤の配合割合が0.０００１重量部未満であると
分子量低下が著しく、一方、１重量部を超えると機械的
強度に影響があるため、いずれも好ましくない。さらに
無機充填剤としては、繊維状のものであると、粒状，粉
状のものであるとを問わない。繊維状無機充填材として
はガラス繊維，炭素繊維，アルミナ繊維等が挙げられ
る。一方、粒状，粉状無機充填材としてはタルク，カー
ボンブラック，グラファイト，二酸化チタン，シリカ，
マイカ，炭酸カルシウム，硫酸カルシウム，炭酸バリウ
ム，炭酸マグネシウム，硫酸マグネシウム，硫酸バリウ
ム，オキシサルフェート，酸化スズ，アルミナ，カオリ
ン，炭化ケイ素，金属粉末等が挙げられる。
【００５６】本発明のスチレン系共重合体からなる成形
体は、その形状は特に限定されるものではなく、例え
ば、シート，フィルム，繊維，不織布，容器，射出成形
品，ブロー成形体などであってもよい。本発明のスチレ
ン系共重合体から成形体を製造する方法としては、様々
なものが挙げられが、例えば、下記の方法を好適なもの
として挙げることができる。すなわち、まず、上記スチ
レン系共重合体あるいはこれに必要に応じて上記の各種
成分を添加した組成物を予備成形し、熱処理用予備成形
体（フィルム，シート又は容器）とする。この成形にあ
っては、上記成形素材の加熱溶融したものを押出して所
定形状にすればよく、フィルム，シートの場合はＴ−ダ
イ成形、容器など他の構造体は射出成形などにより成形
することができる。ここで用いる押出成形機は、一軸押
出成形機，二軸押出成形機のいずれでもよく、また、ベ
ント付き，ベント無しのいずれでもよい。押出条件は、
特に制限は無く、様々な状況に応じて適宜選定すればよ
いが、好ましくは溶融時の温度を成形素材の融点〜分解
温度より５０℃高い温度の範囲で選定し、剪断応力を５
×１０6 ｄｙｎｅ／ｃｍ2 以下とすると、表面の荒れの
少ない熱処理用予備成形体を得ることができる。
体は、その形状は特に限定されるものではなく、例え
ば、シート，フィルム，繊維，不織布，容器，射出成形
品，ブロー成形体などであってもよい。本発明のスチレ
ン系共重合体から成形体を製造する方法としては、様々
なものが挙げられが、例えば、下記の方法を好適なもの
として挙げることができる。すなわち、まず、上記スチ
レン系共重合体あるいはこれに必要に応じて上記の各種
成分を添加した組成物を予備成形し、熱処理用予備成形
体（フィルム，シート又は容器）とする。この成形にあ
っては、上記成形素材の加熱溶融したものを押出して所
定形状にすればよく、フィルム，シートの場合はＴ−ダ
イ成形、容器など他の構造体は射出成形などにより成形
することができる。ここで用いる押出成形機は、一軸押
出成形機，二軸押出成形機のいずれでもよく、また、ベ
ント付き，ベント無しのいずれでもよい。押出条件は、
特に制限は無く、様々な状況に応じて適宜選定すればよ
いが、好ましくは溶融時の温度を成形素材の融点〜分解
温度より５０℃高い温度の範囲で選定し、剪断応力を５
×１０6 ｄｙｎｅ／ｃｍ2 以下とすると、表面の荒れの
少ない熱処理用予備成形体を得ることができる。
【００５７】上記押出成形後、得られた熱処理用予備成
形体を、冷却固化することが好ましい。この際の冷媒
は、気体，液体，金属など各種のものを使用することが
できる。なお、シート成形により熱処理用予備成形体を
成形する際に、金属ロールなどを用いる場合は、エアナ
イフ，エアチャンバー，タッチロール，静電印加などの
方法によると、厚みムラや波うち防止に効果的である。
冷却固化の温度は、通常は０℃〜熱処理用予備成形体の
ガラス転移温度より３０℃高い温度の範囲、好ましく
は、ガラス転移温度より７０℃低い温度以上ガラス転移
以下の温度範囲である。また、冷却速度は特に制限はな
いが、２００〜３℃／秒、好ましくは、２００〜１０℃
／秒の範囲で適宜選定する。この熱処理用予備成形体
は、各種の形状のものであるが、通常は厚さ５ｍｍ以
下、好ましくは３ｍｍ以下のシート，フィルム，容器
（チューブ，トレイなど）などの成形体である。熱処理
前の熱処理用予備成形体において、厚さが５ｍｍを超え
るものでは、熱処理用予備成形体の成形時に内部の結晶
化が進み白濁する場合がある。また、熱処理用予備成形
体の結晶化度は２０％以下、好ましくは１５％以下であ
る。ここで、熱処理用予備成形体の結晶化度が２０％を
超えると、熱処理後のスチレン系共重合体成形体の透明
性が充分でない。成形体は、例えば、本発明のスチレン
系共重合体から成る上記熱処理用予備成形体を１４０〜
１８０℃、好ましくは１５０〜１７０℃の温度範囲で熱
処理をすることによって得ることができる。ここで、熱
処理温度が１４０℃未満では、耐熱性が充分でなく白濁
化する場合があり、１８０℃を超える場合は透明性が不
充分となる。この熱処理の時間は、通常１秒〜３０分、
好ましくは１秒〜１０分である。また、このときの昇温
速度は、熱処理用予備成形体を急昇温して所定の熱処理
温度にすることが望ましく、その観点から３０℃／分以
上、好ましくは５０℃／分以上である。昇温速度が３０
℃／分より遅いと所定の熱処理温度未満で熱処理を受け
ることになり、スチレン系共重合体成形体の透明性が損
なわれることがある。また、熱処理の加熱方法は、特に
限定されないが、例えば１２０〜２００℃の気体，液
体，金属などの熱媒体に接触させればよい。さらに、上
記条件で熱処理したスチレン系共重合体成形体を、必要
に応じて再度熱処理してもよい。このときの熱処理条件
としては、ガラス転移温度以上，融点以下，熱処理時間
１秒以上が適当である。再度熱処理したスチレン系共重
合体成形体は、結晶化度の向上は望めないが、透明性を
損なわずに熱変形温度を向上させることができる。
形体を、冷却固化することが好ましい。この際の冷媒
は、気体，液体，金属など各種のものを使用することが
できる。なお、シート成形により熱処理用予備成形体を
成形する際に、金属ロールなどを用いる場合は、エアナ
イフ，エアチャンバー，タッチロール，静電印加などの
方法によると、厚みムラや波うち防止に効果的である。
冷却固化の温度は、通常は０℃〜熱処理用予備成形体の
ガラス転移温度より３０℃高い温度の範囲、好ましく
は、ガラス転移温度より７０℃低い温度以上ガラス転移
以下の温度範囲である。また、冷却速度は特に制限はな
いが、２００〜３℃／秒、好ましくは、２００〜１０℃
／秒の範囲で適宜選定する。この熱処理用予備成形体
は、各種の形状のものであるが、通常は厚さ５ｍｍ以
下、好ましくは３ｍｍ以下のシート，フィルム，容器
（チューブ，トレイなど）などの成形体である。熱処理
前の熱処理用予備成形体において、厚さが５ｍｍを超え
るものでは、熱処理用予備成形体の成形時に内部の結晶
化が進み白濁する場合がある。また、熱処理用予備成形
体の結晶化度は２０％以下、好ましくは１５％以下であ
る。ここで、熱処理用予備成形体の結晶化度が２０％を
超えると、熱処理後のスチレン系共重合体成形体の透明
性が充分でない。成形体は、例えば、本発明のスチレン
系共重合体から成る上記熱処理用予備成形体を１４０〜
１８０℃、好ましくは１５０〜１７０℃の温度範囲で熱
処理をすることによって得ることができる。ここで、熱
処理温度が１４０℃未満では、耐熱性が充分でなく白濁
化する場合があり、１８０℃を超える場合は透明性が不
充分となる。この熱処理の時間は、通常１秒〜３０分、
好ましくは１秒〜１０分である。また、このときの昇温
速度は、熱処理用予備成形体を急昇温して所定の熱処理
温度にすることが望ましく、その観点から３０℃／分以
上、好ましくは５０℃／分以上である。昇温速度が３０
℃／分より遅いと所定の熱処理温度未満で熱処理を受け
ることになり、スチレン系共重合体成形体の透明性が損
なわれることがある。また、熱処理の加熱方法は、特に
限定されないが、例えば１２０〜２００℃の気体，液
体，金属などの熱媒体に接触させればよい。さらに、上
記条件で熱処理したスチレン系共重合体成形体を、必要
に応じて再度熱処理してもよい。このときの熱処理条件
としては、ガラス転移温度以上，融点以下，熱処理時間
１秒以上が適当である。再度熱処理したスチレン系共重
合体成形体は、結晶化度の向上は望めないが、透明性を
損なわずに熱変形温度を向上させることができる。
【００５８】
【実施例】次に、本発明を実施例によりさらに具体的に
説明するが、本発明はこれらの例によって何ら制限され
るものではない。
説明するが、本発明はこれらの例によって何ら制限され
るものではない。
【００５９】実施例１及び２ （１）混合触媒の調製方法 充分に乾燥し、窒素置換された容器中にトルエン、
（Ｃ）成分の有機金属化合物としてトリイソブチルアル
ミニウム３．８ｍｍｏｌ、（Ｂ）成分の酸素含有化合物
としてメチルアルミノキサン１５０ｍｍｏｌ、さらに第
１表に示す（Ａ）成分である遷移金属錯体０．１５ｍｍ
ｏｌを入れ、触媒濃度で３ｍｍｏｌ／ｌになるように調
製した。各成分を混合後１時間攪拌し、混合触媒として
用いた。 （２）重合方法 内容積３０ミリリットルのガラス製オートクレーブに、
スチレン２ミリリットル、４−メチル−１，３−ペタジ
エン１７５マイクロリットル、水素０．１ＭＰａを仕込
み、前記（１）で調製した触媒調製溶液をＴｉあたり
０．２４マイクロモル投入した。重合温度６０℃で重合
を行った後、内容物を取り出し、１００℃、減圧下で６
時間乾燥することにより、スチレン系共重合体を得た。
（Ｃ）成分の有機金属化合物としてトリイソブチルアル
ミニウム３．８ｍｍｏｌ、（Ｂ）成分の酸素含有化合物
としてメチルアルミノキサン１５０ｍｍｏｌ、さらに第
１表に示す（Ａ）成分である遷移金属錯体０．１５ｍｍ
ｏｌを入れ、触媒濃度で３ｍｍｏｌ／ｌになるように調
製した。各成分を混合後１時間攪拌し、混合触媒として
用いた。 （２）重合方法 内容積３０ミリリットルのガラス製オートクレーブに、
スチレン２ミリリットル、４−メチル−１，３−ペタジ
エン１７５マイクロリットル、水素０．１ＭＰａを仕込
み、前記（１）で調製した触媒調製溶液をＴｉあたり
０．２４マイクロモル投入した。重合温度６０℃で重合
を行った後、内容物を取り出し、１００℃、減圧下で６
時間乾燥することにより、スチレン系共重合体を得た。
【００６０】（３）物性の測定 得られた共重合体の分子量，オルトジクロロベンゼン
（以下に、ＯＤＣＢと略記することがある。）溶解性，
共重合量割合を測定し、結果を第１表に示す。 ＯＤＣＢ溶解性 共重合体0.０４ｇをＯＤＣＢ0.４ミリリットルに加え、
１４０℃で５分攪拌した後、共重合体の溶解状態を肉眼
で観察する。 共重合割合 外径５ｍｍのＮＭＲ用サンプル管にスチレン系共重合体
０．０４ｇ、重合禁止剤としてｔ−ブチルカテコール１
００ｐｐｍを添加したトリクロロベンゼン／ｄ−ベンゼ
ン＝９／１溶媒を０．４ミリリットル加え、スチレン系
共重合体を１４０℃で５分間加熱溶解した。溶解した試
料を４００ＭＨｚでＮＭＲ装置を用いて下記の測定条件
で 1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを測定した。 測定条件 ＮＭＲ装置 ： 日本電子製 ＥＸ４００ パルス幅 ： ７．２μ秒（４５°） パルス繰り返し時間 ： ９秒 積算回数 ： ６４回 測定温度 ： １３０℃ （ａ）共重合量１ ポリマー中の４−メチル−１，３−ペンタジエン含量
（共重合量１）は１．９〜２．１ｐｐｍのＳＰＳメチン
プロトン由来のピークと、２．２〜２．６ｐｐｍの４−
メチル−１，３ペタジエンメチンプロトン由来のピーク
の強度比からもとめた。 （ｂ）共重合量２ ポリマー中の４−メチル−１，３−ペンタジエン含量
（共重合量２）は、１．９〜２．１ｐｐｍのＳＰＳメチ
ンプロトン由来のピークと、０．９〜１．２ｐｐｍの４
−メチル−１，３ペタジエン中メチルプロトン由来のピ
ークの強度比から求めた。 （ｃ）不飽和結合量 ポリマー中の不飽和結合（ジエン繰り返し単位）量は、
１．９〜２．１ｐｐｍのＳＰＳメチンプロトン由来のピ
ークと、４．０〜５．５ｐｐｍの４−メチル−１，３−
ペンタジエン中不飽和結合由来のピークの強度比から求
めた。
（以下に、ＯＤＣＢと略記することがある。）溶解性，
共重合量割合を測定し、結果を第１表に示す。 ＯＤＣＢ溶解性 共重合体0.０４ｇをＯＤＣＢ0.４ミリリットルに加え、
１４０℃で５分攪拌した後、共重合体の溶解状態を肉眼
で観察する。 共重合割合 外径５ｍｍのＮＭＲ用サンプル管にスチレン系共重合体
０．０４ｇ、重合禁止剤としてｔ−ブチルカテコール１
００ｐｐｍを添加したトリクロロベンゼン／ｄ−ベンゼ
ン＝９／１溶媒を０．４ミリリットル加え、スチレン系
共重合体を１４０℃で５分間加熱溶解した。溶解した試
料を４００ＭＨｚでＮＭＲ装置を用いて下記の測定条件
で 1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを測定した。 測定条件 ＮＭＲ装置 ： 日本電子製 ＥＸ４００ パルス幅 ： ７．２μ秒（４５°） パルス繰り返し時間 ： ９秒 積算回数 ： ６４回 測定温度 ： １３０℃ （ａ）共重合量１ ポリマー中の４−メチル−１，３−ペンタジエン含量
（共重合量１）は１．９〜２．１ｐｐｍのＳＰＳメチン
プロトン由来のピークと、２．２〜２．６ｐｐｍの４−
メチル−１，３ペタジエンメチンプロトン由来のピーク
の強度比からもとめた。 （ｂ）共重合量２ ポリマー中の４−メチル−１，３−ペンタジエン含量
（共重合量２）は、１．９〜２．１ｐｐｍのＳＰＳメチ
ンプロトン由来のピークと、０．９〜１．２ｐｐｍの４
−メチル−１，３ペタジエン中メチルプロトン由来のピ
ークの強度比から求めた。 （ｃ）不飽和結合量 ポリマー中の不飽和結合（ジエン繰り返し単位）量は、
１．９〜２．１ｐｐｍのＳＰＳメチンプロトン由来のピ
ークと、４．０〜５．５ｐｐｍの４−メチル−１，３−
ペンタジエン中不飽和結合由来のピークの強度比から求
めた。
【００６１】実施例３ （１）混合触媒の調製方法 充分に乾燥し、窒素置換された容器中にトルエン、
（Ｃ）成分の有機金属化合物としてトリイソブチルアル
ミニウム３．８ｍｍｏｌ、（Ｂ）成分の酸素含有化合物
としてメチルアルミノキサン１５０ｍｍｏｌ、さらに第
１表に示す（Ａ）成分である遷移金属錯体０．１５ｍｍ
ｏｌを入れ、触媒濃度で３ｍｍｏｌ／ｌになるように調
製した。各成分を混合後１時間攪拌し、混合触媒として
用いた。 （２）重合方法 内容積１リットルのステンレス製オートクレーブに、ト
ルエン２００ミリリットル、スチレン２００ミリリット
ル、イソプレン２ミリリットル、水素０．１ＭＰａを仕
込み、上記（１）で調製した触媒調製溶液をＴｉあたり
１２マイクロモル投入した。重合温度５０℃で重合を行
った後、内容物を取り出し、１００℃、減圧下で６時間
乾燥することにより、スチレン系重合体を得た。
（Ｃ）成分の有機金属化合物としてトリイソブチルアル
ミニウム３．８ｍｍｏｌ、（Ｂ）成分の酸素含有化合物
としてメチルアルミノキサン１５０ｍｍｏｌ、さらに第
１表に示す（Ａ）成分である遷移金属錯体０．１５ｍｍ
ｏｌを入れ、触媒濃度で３ｍｍｏｌ／ｌになるように調
製した。各成分を混合後１時間攪拌し、混合触媒として
用いた。 （２）重合方法 内容積１リットルのステンレス製オートクレーブに、ト
ルエン２００ミリリットル、スチレン２００ミリリット
ル、イソプレン２ミリリットル、水素０．１ＭＰａを仕
込み、上記（１）で調製した触媒調製溶液をＴｉあたり
１２マイクロモル投入した。重合温度５０℃で重合を行
った後、内容物を取り出し、１００℃、減圧下で６時間
乾燥することにより、スチレン系重合体を得た。
【００６２】なお、下記の第１表及び第２表中の記号
は、下記の物質を意味する。 ＭＡＯ ： メチルアルミノキサン ＴＩＢＡ： トリイソブチルアルミニウム ４ＭｅＰＤ：４−メチル−１，３−ペンタジエン [656]Ti(OMe)3 ：１，２，３，４，５，６，７，８−オ
クタヒドロフルオレニルチタニウムトリメトキシド ＩＰ：イソプレン Cp* Ti(OMe)3 ： ペンタメチルシクロペンタジエニル
チタニウムトリメトキシド
は、下記の物質を意味する。 ＭＡＯ ： メチルアルミノキサン ＴＩＢＡ： トリイソブチルアルミニウム ４ＭｅＰＤ：４−メチル−１，３−ペンタジエン [656]Ti(OMe)3 ：１，２，３，４，５，６，７，８−オ
クタヒドロフルオレニルチタニウムトリメトキシド ＩＰ：イソプレン Cp* Ti(OMe)3 ： ペンタメチルシクロペンタジエニル
チタニウムトリメトキシド
【００６３】
【表１】
【００６４】比較例１ （１）混合触媒の調製方法 充分に乾燥し、窒素置換された容器中にトルエン、
（Ｃ）成分の有機金属化合物としてトリイソブチルアル
ミニウム３．８ｍｍｏｌ、（Ｂ）成分の酸素含有化合物
としてメチルアルミノキサン１５０ｍｍｏｌ、さらに第
２表に示す（Ａ）成分である遷移金属錯体０．１５ｍｍ
ｏｌを入れ、触媒濃度で３ｍｍｏｌ／ｌになるように調
製した。各成分を混合後１時間攪拌し、混合触媒として
用いた。 （２）重合方法 内容積３０ミリリットルのガラス製オートクレーブに、
スチレン２ミリリットル，４−メチル−１，３ペタジエ
ン１７５マイクロリットルを仕込み、上記（１）で調製
した混合触媒溶液をＴｉあたり０．２４マイクロモル投
入した。重合温度６０℃で重合を行った後、内容物を取
り出し、２００℃，減圧下で２時間乾燥することによ
り、スチレン系共重合体を得た。 （３）物性の測定 得られた共重合体の分子量，ＯＤＣＢ溶解性，共重合量
割合及び不飽和結合量を実施例１（３）に記載したのと
同様の方法で測定し、結果を第２表に示す。
（Ｃ）成分の有機金属化合物としてトリイソブチルアル
ミニウム３．８ｍｍｏｌ、（Ｂ）成分の酸素含有化合物
としてメチルアルミノキサン１５０ｍｍｏｌ、さらに第
２表に示す（Ａ）成分である遷移金属錯体０．１５ｍｍ
ｏｌを入れ、触媒濃度で３ｍｍｏｌ／ｌになるように調
製した。各成分を混合後１時間攪拌し、混合触媒として
用いた。 （２）重合方法 内容積３０ミリリットルのガラス製オートクレーブに、
スチレン２ミリリットル，４−メチル−１，３ペタジエ
ン１７５マイクロリットルを仕込み、上記（１）で調製
した混合触媒溶液をＴｉあたり０．２４マイクロモル投
入した。重合温度６０℃で重合を行った後、内容物を取
り出し、２００℃，減圧下で２時間乾燥することによ
り、スチレン系共重合体を得た。 （３）物性の測定 得られた共重合体の分子量，ＯＤＣＢ溶解性，共重合量
割合及び不飽和結合量を実施例１（３）に記載したのと
同様の方法で測定し、結果を第２表に示す。
【００６５】比較例２及び３ （１）混合触媒の調製方法 充分に乾燥し、窒素置換された容器中にトルエン、
（Ｃ）成分の有機金属化合物としてトリイソブチルアル
ミニウム３．８ｍｍｏｌ、（Ｂ）成分の酸素含有化合物
としてメチルアルミノキサン１５０ｍｍｏｌ、さらに第
２表に示す（Ａ）成分である遷移金属錯体０．１５ｍｍ
ｏｌを入れ、触媒濃度で３ｍｍｏｌ／ｌになるように調
製した。各成分を混合後１時間攪拌し、混合触媒として
用いた。 （２）重合方法 内容積１リットルのステンレス製オートクレーブに、ト
ルエン２００ミリリットル，スチレン２００ミリリット
ル，イソプレン２ミリリットルを仕込み、上記（１）で
調製した触媒調製溶液をＴｉ当たり１２マイクロモル投
入した。重合温度５０℃で、６０分間重合を行った後、
内容物を取り出し、２００℃、減圧下で２時間乾燥する
ことにより、スチレン系共重合体を得た。得られたスチ
レン系共重合体の各種物性を実施例１（３）に記載した
方法で測定し、結果を第２表に示す。
（Ｃ）成分の有機金属化合物としてトリイソブチルアル
ミニウム３．８ｍｍｏｌ、（Ｂ）成分の酸素含有化合物
としてメチルアルミノキサン１５０ｍｍｏｌ、さらに第
２表に示す（Ａ）成分である遷移金属錯体０．１５ｍｍ
ｏｌを入れ、触媒濃度で３ｍｍｏｌ／ｌになるように調
製した。各成分を混合後１時間攪拌し、混合触媒として
用いた。 （２）重合方法 内容積１リットルのステンレス製オートクレーブに、ト
ルエン２００ミリリットル，スチレン２００ミリリット
ル，イソプレン２ミリリットルを仕込み、上記（１）で
調製した触媒調製溶液をＴｉ当たり１２マイクロモル投
入した。重合温度５０℃で、６０分間重合を行った後、
内容物を取り出し、２００℃、減圧下で２時間乾燥する
ことにより、スチレン系共重合体を得た。得られたスチ
レン系共重合体の各種物性を実施例１（３）に記載した
方法で測定し、結果を第２表に示す。
【００６６】
【表２】
【００６７】
【発明の効果】本発明のスチレン系共重合体は、そのポ
リマー鎖中に不飽和結合を全く含まないか又は少ししか
含まないため、化学的安定性に優れており、シンジオタ
クチックポリスチレンの優れた耐熱性，耐薬品性等の特
性を維持するとともに、ガラス転移温度と融点のバラン
スが良く、しかも乾燥処理，造粒，成形等の高温処理時
にポリマー鎖に残った不飽和結合が架橋反応を引き起こ
すことがなく、物性の低下を招くことがなく、ゲル等の
発生もなく、成形性，熱安定性に優れている。このよう
なスチレン系共重合体は、本発明の方法によれば、ジエ
ン系モノマーに由来する不飽和結合を水素添加しながら
共重合を行うことができるため、一段で不飽和結合を全
く含まないか又は少ししか含まない共重合体を効率よく
製造することができる。
リマー鎖中に不飽和結合を全く含まないか又は少ししか
含まないため、化学的安定性に優れており、シンジオタ
クチックポリスチレンの優れた耐熱性，耐薬品性等の特
性を維持するとともに、ガラス転移温度と融点のバラン
スが良く、しかも乾燥処理，造粒，成形等の高温処理時
にポリマー鎖に残った不飽和結合が架橋反応を引き起こ
すことがなく、物性の低下を招くことがなく、ゲル等の
発生もなく、成形性，熱安定性に優れている。このよう
なスチレン系共重合体は、本発明の方法によれば、ジエ
ン系モノマーに由来する不飽和結合を水素添加しながら
共重合を行うことができるため、一段で不飽和結合を全
く含まないか又は少ししか含まない共重合体を効率よく
製造することができる。
フロントページの続き Ｆターム(参考） 4J028 AA01A AB00A AB01A AC01A AC02A AC10A AC20A AC22A AC28A AC32A AC41A AC44A AC45A AC46A AC47A AC48A BA00A BA00B BA01B BA02B BB00A BB00B BB01B BB02B BC11B BC12B BC25B BC26B BC40B CB65C CB74C CB87C CB94C EB12 EB13 EB14 EB21 EC02 FA01 FA08 GA12 4J100 AB02P AB03P AB04P AB07P AB08P AB09P AB10P AB16P AS01Q AS06Q AS15Q AU21Q BA03P BA04P BA05P BA06P BC43P BC43Q CA04 CA12 FA02 FA09 FA10 HA04 HB02
Claims (6)
- 【請求項１】 一般式（Ｉ） 【化１】 〔式中、Ｒ1 は水素原子，ハロゲン原子あるいは炭素数
２０個以下の炭化水素基を示し、ｍは１〜３の整数を示
す。なお、ｍが複数のときは、各Ｒ1 は同じでも異なっ
てもよい。〕で表されるスチレン系繰り返し単位（Ｉ）
及び一般式（II）又は（IIａ） 【化２】 〔式中、Ｒ2 〜Ｒ7 は、それぞれ独立に水素原子又は炭
化水素基を示し、Ｒ5 とＲ6 ，Ｒ5 とＲ7 ，Ｒ6 とＲ7
は結合して環を形成してもよい。〕で表されるジエン系
繰り返し単位（II）又は（IIａ）からなり、該ジエン系
繰り返し単位（II）又は（IIａ）を０．１〜７５モル％
含有するとともに、スチレン系繰り返し単位（Ｉ）連鎖
の立体規則性が主としてシンジオタクチック構造である
ことを特徴とするスチレン系共重合体。 - 【請求項２】 一般式（II）又は（IIａ）で表されるジ
エン系繰り返し単位（II）又は（IIａ）が、Ｒ2 ，Ｒ3
及びＲ4 が水素原子であり、Ｒ5 ，Ｒ6 及びＲ7 が炭化
水素基を示し、Ｒ5 とＲ6 ，Ｒ5 とＲ7 ，Ｒ6 とＲ7 と
が結合して環を形成してもよいジエン系繰り返し単位で
ある請求項１記載のスチレン系共重合体。 - 【請求項３】 一般式（Ｉ’） 【化３】 〔式中、Ｒ1 及びｍは前記と同じである。〕で表される
スチレン系モノマーと一般式（II’） 【化４】 〔式中、Ｒ2 〜Ｒ7 は前記と同じである。〕で表される
ジエン系化合物を、（Ａ）遷移金属錯体、（Ｂ）酸素含
有化合物及び／又は遷移金属化合物と反応してイオン性
の錯体を形成しうる化合物、並びに（Ｃ）必要に応じて
用いられる有機金属化合物からなる触媒の存在下に、水
素添加しながら共重合させることを特徴とするスチレン
系共重合体の製造法。 - 【請求項４】 一般式（II’）で表されるジエン系化合
物が、Ｒ2 ，Ｒ3 及びＲ4 が水素原子であり、Ｒ5 ，Ｒ
6 及びＲ7 が炭化水素基を示し、Ｒ5 とＲ6，Ｒ5 とＲ
7 ，Ｒ6 とＲ7 とが結合して環を形成してもよいジエン
系化合物である請求項３記載のスチレン系共重合体の製
造法。 - 【請求項５】 前記（Ａ）遷移金属化合物が、下記の一
般式（１）〜（５） Ｑ1 a （Ｃ5 Ｈ5-a-b Ｒ8 b )(Ｃ5 Ｈ5-a-c Ｒ9 c ）Ｍ1 Ｘ1 Ｙ1 ・・（１) Ｑ2 a （Ｃ5 Ｈ5-a-d Ｒ10 d ）Ｚ1 Ｍ1 Ｘ1 Ｙ1 ・・（２) （Ｃ5 Ｈ5-e Ｒ11 e ）Ｍ1 Ｘ1 Ｙ1 Ｗ1 ・・（３） Ｍ1 Ｘ1 Ｙ1 Ｗ1 Ｕ1 ・・（４） Ｌ1 Ｌ2 Ｍ2 Ｘ1 Ｙ1 ・・（５） 〔式中、Ｑ1 は二つの共役五員環配位子（Ｃ5 Ｈ5-a-b
Ｒ8 b ）及び（Ｃ5 Ｈ5- a-c Ｒ9 c ）を架橋する結合性
基を示し、Ｑ2 は共役五員環配位子（Ｃ5 Ｈ5-a- d Ｒ10
d ）とＺ1 基を架橋する結合性基を示す。Ｒ8 ，Ｒ9 ，
Ｒ10及びＲ11は、それぞれ炭化水素基，ハロゲン原子，
アルコキシ基，珪素含有炭化水素基，リン含有炭化水素
基，窒素含有炭化水素基又は硼素含有炭化水素基を示
し、複数あるときは、互いに同一でも異なってもよく、
互いに結合して環構造を形成してもよい。ａは０，１又
は２である。ｂ，ｃ及びｄは、ａ＝０のときはそれぞれ
０〜５の整数、ａ＝１のときはそれぞれ０〜４の整数、
ａ＝２のときはそれぞれ０〜３の整数を示す。ｅは０〜
５の整数を示す。Ｍ1 は周期律表４〜６族の遷移金属を
示し、Ｍ2 は周期律表８〜１０族の遷移金属を示す。ま
た、Ｌ1 ，Ｌ2 はそれぞれ配位結合性の配位子を表わ
し、Ｘ1 ，Ｙ1 ，Ｚ1 ，Ｗ1 ，Ｕ1 はそれぞれ共有結合
性又はイオン結合性の配位子を表している。なお、
Ｌ1 ，Ｌ2 ，Ｘ1 ，Ｙ1，Ｗ1 およびＵ1 は、それぞれ
互いに結合して環構造を形成してもよい。〕のいずれか
で表されるものである請求項３記載のスチレン系共重合
体の製造法。 - 【請求項６】 水素分圧を０．０１ＭＰａ〜０．２ＭＰ
ａとして共重合を行う請求項３記載のスチレン系共重合
体の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000179351A JP2001354727A (ja) | 2000-06-15 | 2000-06-15 | スチレン系共重合体及びその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000179351A JP2001354727A (ja) | 2000-06-15 | 2000-06-15 | スチレン系共重合体及びその製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001354727A true JP2001354727A (ja) | 2001-12-25 |
Family
ID=18680639
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000179351A Pending JP2001354727A (ja) | 2000-06-15 | 2000-06-15 | スチレン系共重合体及びその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001354727A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019107526A1 (ja) | 2017-12-01 | 2019-06-06 | 出光興産株式会社 | スチレン系樹脂、スチレン系樹脂組成物及びその成形品、並びにスチレン系樹脂の製造方法 |
| CN112279964A (zh) * | 2020-10-29 | 2021-01-29 | 遂川海州树脂有限公司 | 一种利用复合催化剂制备改性间戊二烯石油树脂的方法 |
-
2000
- 2000-06-15 JP JP2000179351A patent/JP2001354727A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019107526A1 (ja) | 2017-12-01 | 2019-06-06 | 出光興産株式会社 | スチレン系樹脂、スチレン系樹脂組成物及びその成形品、並びにスチレン系樹脂の製造方法 |
| KR20200085786A (ko) | 2017-12-01 | 2020-07-15 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 스타이렌계 수지, 스타이렌계 수지 조성물 및 그의 성형품, 및 스타이렌계 수지의 제조 방법 |
| JPWO2019107526A1 (ja) * | 2017-12-01 | 2020-11-26 | 出光興産株式会社 | スチレン系樹脂、スチレン系樹脂組成物及びその成形品、並びにスチレン系樹脂の製造方法 |
| CN112279964A (zh) * | 2020-10-29 | 2021-01-29 | 遂川海州树脂有限公司 | 一种利用复合催化剂制备改性间戊二烯石油树脂的方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5362814A (en) | Graft copolymer, process for production thereof and resin composition containing same | |
| WO1995003339A1 (fr) | Catalyseur utilise pour produire une composition polymere a base d'un compose vinylique aromatique, et procede permettant de produire un polymere a base d'un compose vinylique aromatique au moyen dudit catalyseur | |
| JP2927566B2 (ja) | スチレン系共重合体の製造方法 | |
| JP3301455B2 (ja) | 芳香族ビニル化合物重合体の製造触媒及びそれを用いた芳香族ビニル化合物重合体の製造方法 | |
| JP3369294B2 (ja) | 遷移金属化合物、それを用いた重合用触媒及び該重合用触媒を用いたスチレン系重合体の製造方法 | |
| EP0505997B1 (en) | Process for producing styrenic polymer and copolymer | |
| JPH08134122A (ja) | 重合用触媒及びそれを用いたスチレン系重合体の製造方法 | |
| US6486272B1 (en) | Process for producing functional styrene copolymer | |
| JPH1180183A (ja) | 重合用金属化合物及びそれを用いた芳香族ビニル化合物−オレフィン共重合体の製造方法 | |
| JP2001354727A (ja) | スチレン系共重合体及びその製造法 | |
| JP3511321B2 (ja) | スチレン系重合体の分子量制御方法 | |
| JP2001206916A (ja) | スチレン系共重合体及びその製造法 | |
| JPH11124420A (ja) | 芳香族ビニルグラフト共重合体及びその製造方法 | |
| JP2001206915A (ja) | スチレン系共重合体及びその製造法 | |
| JP3487448B2 (ja) | スチレン系重合体の製造方法 | |
| JP3121113B2 (ja) | スチレン系樹脂組成物の製造方法 | |
| JP2977930B2 (ja) | スチレン系共重合体の製造方法 | |
| US6825294B1 (en) | Catalysts for polymerizing styrene and other monomer and process for producing styrene polymer | |
| JP3135083B2 (ja) | スチレン系重合体及び共重合体の製造方法 | |
| JP3237193B2 (ja) | スチレン系ブロック共重合体及びその製造方法 | |
| JP2001172315A (ja) | スチレン系モノマー重合用多重金属メタロセン触媒およびその合成方法ならびにこれを用いたスチレン系重合体の合成方法 | |
| JP2977932B2 (ja) | スチレン系共重合体の製造方法 | |
| JPH05247147A (ja) | グラフト共重合体及びその製造方法 | |
| EP0810238B1 (en) | A process for producing polymer | |
| JPH04300906A (ja) | スチレン系共重合体の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20041203 |