JP2001345262A - 露光装置、ガス置換方法、半導体デバイス製造方法、半導体製造工場および露光装置の保守方法 - Google Patents
露光装置、ガス置換方法、半導体デバイス製造方法、半導体製造工場および露光装置の保守方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体露光装置の露光光の光路周辺を密閉す
るような容器内の大気を速やかに低下させる。 【解決手段】 露光装置は、光学素子を内部に有し、所
定の領域を囲むチャンバーと、そのチャンバーを囲む密
閉容器と、そのチャンバー内を減圧するポンプとを有
し、そのチャンバー内を減圧するときに、該密閉容器も
減圧する構成とした。
るような容器内の大気を速やかに低下させる。 【解決手段】 露光装置は、光学素子を内部に有し、所
定の領域を囲むチャンバーと、そのチャンバーを囲む密
閉容器と、そのチャンバー内を減圧するポンプとを有
し、そのチャンバー内を減圧するときに、該密閉容器も
減圧する構成とした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、気体の置換方法に
関し、特に光源として真空紫外光を用いる半導体露光装
置において、真空紫外光の光路の雰囲気ガスを大気から
不活性ガスに置換する方法に関する。また、このような
ガス置換を行う露光装置に関する。
関し、特に光源として真空紫外光を用いる半導体露光装
置において、真空紫外光の光路の雰囲気ガスを大気から
不活性ガスに置換する方法に関する。また、このような
ガス置換を行う露光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子の高集積化、微細化の傾向に
伴い、ステッパー等の露光装置においては、高い解像力
が要求されている。解像力は露光光の波長に比例するた
め、露光波長は次第に短波長化され、可視域のｇ線（波
長４３６ｎｍ）から紫外域のｉ線（波長３６５ｎｍ）へ
と代わり、最近ではＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４
８ｎｍ）が使用され、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１
９３ｎｍ）、Ｆ２レーザ光（波長１５７ｎｍ）、更には
Ａｒ２レーザ光（波長１２６ｎｍ）の使用が検討されて
いる。
伴い、ステッパー等の露光装置においては、高い解像力
が要求されている。解像力は露光光の波長に比例するた
め、露光波長は次第に短波長化され、可視域のｇ線（波
長４３６ｎｍ）から紫外域のｉ線（波長３６５ｎｍ）へ
と代わり、最近ではＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４
８ｎｍ）が使用され、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１
９３ｎｍ）、Ｆ２レーザ光（波長１５７ｎｍ）、更には
Ａｒ２レーザ光（波長１２６ｎｍ）の使用が検討されて
いる。
【０００３】しかし、ＡｒＦエキシマレーザ光程度以下
の波長域では、空気中の酸素による吸収が起き、透過率
が低下してしまう。そこで、ＡｒＦエキシマレーザ光を
使用する露光装置では、露光光の光路の大部分の気体を
窒素で置換している。更に、１９０ｎｍ以下の波長域
（真空紫外）では窒素でも若干の吸収があるため、その
光を透過する別の気体（窒素以外の不活性ガス）で置き
換える必要がある。そのような気体の中で、安全性、熱
伝導率の良さ、温度による屈折率変化の少なさなどを考
慮すると、露光光の光路周辺や光学素子周辺の雰囲気を
ヘリウムに置換することが最も望ましいと考えられてい
る。
の波長域では、空気中の酸素による吸収が起き、透過率
が低下してしまう。そこで、ＡｒＦエキシマレーザ光を
使用する露光装置では、露光光の光路の大部分の気体を
窒素で置換している。更に、１９０ｎｍ以下の波長域
（真空紫外）では窒素でも若干の吸収があるため、その
光を透過する別の気体（窒素以外の不活性ガス）で置き
換える必要がある。そのような気体の中で、安全性、熱
伝導率の良さ、温度による屈折率変化の少なさなどを考
慮すると、露光光の光路周辺や光学素子周辺の雰囲気を
ヘリウムに置換することが最も望ましいと考えられてい
る。
【０００４】一般に、露光光の光路の大気を他の気体に
置換するときは、光路を密閉容器中に内蔵し、その密閉
容器の一端を気体の供給口、他端を排出口とし、供給口
から置換するガスを供給し、光路全体に置換ガスが充満
するように、密閉容器中のガス流路を形成する。そし
て、対流と分子拡散の作用により密閉容器内の気体を置
換する。
置換するときは、光路を密閉容器中に内蔵し、その密閉
容器の一端を気体の供給口、他端を排出口とし、供給口
から置換するガスを供給し、光路全体に置換ガスが充満
するように、密閉容器中のガス流路を形成する。そし
て、対流と分子拡散の作用により密閉容器内の気体を置
換する。
【０００５】密閉容器中にガスを供給すると、容器内に
最初から存在していた大気が押し出される。この段階で
の排出口付近の濃度変化は少ない。次に、対流により希
釈された大気が排出される。この段階では、もとの大気
の濃度は指数関数的に急速に減少する。その後、濃度の
減少速度は次第に鈍くなる。これは、気体が流れにくい
淀みでのガス置換が、主に分子拡散によって進められて
いるためであると考えられる。
最初から存在していた大気が押し出される。この段階で
の排出口付近の濃度変化は少ない。次に、対流により希
釈された大気が排出される。この段階では、もとの大気
の濃度は指数関数的に急速に減少する。その後、濃度の
減少速度は次第に鈍くなる。これは、気体が流れにくい
淀みでのガス置換が、主に分子拡散によって進められて
いるためであると考えられる。
【０００６】気体が流れにくい淀みでのガス置換を分子
拡散によって進めるのみでは、容器内に最初に存在して
いた気体の濃度を下げるのに非常に時間がかかってしま
う。
拡散によって進めるのみでは、容器内に最初に存在して
いた気体の濃度を下げるのに非常に時間がかかってしま
う。
【０００７】一方、真空紫外光の波長域では、酸素に対
する連続した吸収帯が存在するため、光路の酸素濃度が
高いと光の吸収が極めて大きくなり、露光装置として使
用するには酸素濃度を１ｐｐｍ程度以下にする必要があ
る。しかし、従来のような方法で空気をヘリウムに置換
しようとすると、淀みでのガス置換が主に分子拡散によ
って行われるのみで、所望の酸素濃度にガスを置換する
まで時間がかかる。
する連続した吸収帯が存在するため、光路の酸素濃度が
高いと光の吸収が極めて大きくなり、露光装置として使
用するには酸素濃度を１ｐｐｍ程度以下にする必要があ
る。しかし、従来のような方法で空気をヘリウムに置換
しようとすると、淀みでのガス置換が主に分子拡散によ
って行われるのみで、所望の酸素濃度にガスを置換する
まで時間がかかる。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記従来例の
問題点に鑑み、半導体露光装置の露光光の光路周辺を密
閉するような容器内の大気を速やかに低下させることを
目的とする。
問題点に鑑み、半導体露光装置の露光光の光路周辺を密
閉するような容器内の大気を速やかに低下させることを
目的とする。
【０００９】上記の目的を達成するための本発明の露光
装置は、光学素子を内部に有し、所定の領域を囲むチャ
ンバーと、該チャンバーを囲む密閉容器と、該チャンバ
ー内を減圧するポンプとを有し、該チャンバー内を減圧
するときに、該密閉容器も減圧する。
装置は、光学素子を内部に有し、所定の領域を囲むチャ
ンバーと、該チャンバーを囲む密閉容器と、該チャンバ
ー内を減圧するポンプとを有し、該チャンバー内を減圧
するときに、該密閉容器も減圧する。
【００１０】また、前記チャンバーは、前記密閉容器に
支持されていることが望ましい。
支持されていることが望ましい。
【００１１】また、前記チャンバーと前記密閉容器との
間で変位を発生させる変位機構を有することが望まし
い。
間で変位を発生させる変位機構を有することが望まし
い。
【００１２】また、基準部材と前記チャンバーとの間の
位置関係を計測する計測器を有することが望ましく、基
準部材と前記チャンバーとの間の位置関係を計測し、該
計測結果に基づいて前記変位機構を制御することが好ま
しい。
位置関係を計測する計測器を有することが望ましく、基
準部材と前記チャンバーとの間の位置関係を計測し、該
計測結果に基づいて前記変位機構を制御することが好ま
しい。
【００１３】また、前記密閉容器は、光を透過させる透
過窓を有することが望ましく、前記透過窓は、フッ素化
合物ガラスからなることが好ましい。また、前記密閉容
器は、開閉扉を有することが望ましい。
過窓を有することが望ましく、前記透過窓は、フッ素化
合物ガラスからなることが好ましい。また、前記密閉容
器は、開閉扉を有することが望ましい。
【００１４】また、前記チャンバーと前記密閉容器との
間を連通させる通気孔を有することが望ましく、前記通
気孔は、開閉自在であることが好ましい。
間を連通させる通気孔を有することが望ましく、前記通
気孔は、開閉自在であることが好ましい。
【００１５】また、前記ポンプは、前記密閉容器内の気
体を排出することが望ましい。また、前記ポンプは、前
記密閉容器内の気体を排出することで、前記チャンバー
に設けられた通気孔を介して該チャンバー内の気体を排
出することが望ましい。
体を排出することが望ましい。また、前記ポンプは、前
記密閉容器内の気体を排出することで、前記チャンバー
に設けられた通気孔を介して該チャンバー内の気体を排
出することが望ましい。
【００１６】また、前記ポンプは、前記チャンバー内の
気体を排出することが望ましい。
気体を排出することが望ましい。
【００１７】また、前記チャンバーは、照明光学ユニッ
トの少なくとも一部の光学素子を内部に有することが望
ましい。
トの少なくとも一部の光学素子を内部に有することが望
ましい。
【００１８】また、前記チャンバーは、投影光学ユニッ
トの少なくとも一部の光学素子を内部に有することが望
ましい。
トの少なくとも一部の光学素子を内部に有することが望
ましい。
【００１９】また、前記チャンバー内を減圧した後に、
不活性ガスを供給することが望ましく、前記不活性ガス
は、ヘリウムと窒素のうちの少なくとも一方であること
が好ましい。
不活性ガスを供給することが望ましく、前記不活性ガス
は、ヘリウムと窒素のうちの少なくとも一方であること
が好ましい。
【００２０】また、前記チャンバー内の減圧は、複数回
行われることが望ましい。
行われることが望ましい。
【００２１】また、前記チャンバーは、ガス供給口とガ
ス排出口とを有することが望ましい。
ス排出口とを有することが望ましい。
【００２２】また、前記チャンバーは、真空紫外域の光
の光路の少なくとも一部を囲むことが望ましい。
の光路の少なくとも一部を囲むことが望ましい。
【００２３】さらに、本発明の別の露光装置は、光学素
子を内部に有し、所定の領域を囲むチャンバーと、該チ
ャンバー内を不活性ガス雰囲気にする機構と、該チャン
バーを囲む密閉容器とを有し、該チャンバー内の不活性
ガスの純度は、該密閉容器内の不活性ガスの純度よりも
高い。
子を内部に有し、所定の領域を囲むチャンバーと、該チ
ャンバー内を不活性ガス雰囲気にする機構と、該チャン
バーを囲む密閉容器とを有し、該チャンバー内の不活性
ガスの純度は、該密閉容器内の不活性ガスの純度よりも
高い。
【００２４】また、前記密閉容器内の不活性ガスの純度
は、該密閉容器外の不活性ガスの純度よりも高いことが
望ましい。
は、該密閉容器外の不活性ガスの純度よりも高いことが
望ましい。
【００２５】また、前記機構は、チャンバー内を不活性
ガス雰囲気にする前に、前記チャンバー内にある気体を
真空排気することが望ましい。
ガス雰囲気にする前に、前記チャンバー内にある気体を
真空排気することが望ましい。
【００２６】また、前記密閉容器は、光を透過させる透
過窓を有することが望ましく、前記透過窓は、フッ素化
合物ガラスからなることが好ましい。また、前記密閉容
器は、開閉扉を有することが望ましい。また、前記チャ
ンバーと前記密閉容器との間を連通させる通気孔を有す
ることが望ましく、前記通気孔は、開閉自在であること
が好ましい。
過窓を有することが望ましく、前記透過窓は、フッ素化
合物ガラスからなることが好ましい。また、前記密閉容
器は、開閉扉を有することが望ましい。また、前記チャ
ンバーと前記密閉容器との間を連通させる通気孔を有す
ることが望ましく、前記通気孔は、開閉自在であること
が好ましい。
【００２７】また、前記チャンバーは、照明光学ユニッ
トの少なくとも一部の光学素子を内部に有することが望
ましい。
トの少なくとも一部の光学素子を内部に有することが望
ましい。
【００２８】また、前記チャンバーは、投影光学ユニッ
トの少なくとも一部の光学素子を内部に有することが望
ましい。また、前記不活性ガスは、ヘリウムと窒素のう
ちの少なくとも一方であることが望ましい。また、前記
チャンバーは、真空紫外域の光の光路の少なくとも一部
を囲むことが望ましい。
トの少なくとも一部の光学素子を内部に有することが望
ましい。また、前記不活性ガスは、ヘリウムと窒素のう
ちの少なくとも一方であることが望ましい。また、前記
チャンバーは、真空紫外域の光の光路の少なくとも一部
を囲むことが望ましい。
【００２９】さらに、本発明の別の露光装置は、光学素
子を内部に有し、所定の領域を囲むチャンバーと、該チ
ャンバー内を不活性ガス雰囲気にする機構と、該チャン
バーを囲む密閉容器とを有し、該チャンバー内の圧力
は、該密閉容器内の圧力よりも高い。
子を内部に有し、所定の領域を囲むチャンバーと、該チ
ャンバー内を不活性ガス雰囲気にする機構と、該チャン
バーを囲む密閉容器とを有し、該チャンバー内の圧力
は、該密閉容器内の圧力よりも高い。
【００３０】また、前記密閉容器内の不活性ガスの圧力
は、該密閉容器外の不活性ガスの圧力よりも高いことが
望ましい。
は、該密閉容器外の不活性ガスの圧力よりも高いことが
望ましい。
【００３１】また、前記機構は、チャンバー内を不活性
ガス雰囲気にする前に、前記チャンバー内にある気体を
真空排気することが望ましい。
ガス雰囲気にする前に、前記チャンバー内にある気体を
真空排気することが望ましい。
【００３２】また、前記密閉容器は、光を透過させる透
過窓を有することが望ましく、前記透過窓は、フッ素化
合物ガラスからなることが好ましい。
過窓を有することが望ましく、前記透過窓は、フッ素化
合物ガラスからなることが好ましい。
【００３３】また、前記密閉容器は、開閉扉を有するこ
とが望ましい。
とが望ましい。
【００３４】また、前記チャンバーと前記密閉容器との
間を連通させる通気孔を有することが望ましく、前記通
気孔は、開閉自在であることが望ましい。
間を連通させる通気孔を有することが望ましく、前記通
気孔は、開閉自在であることが望ましい。
【００３５】また、前記チャンバーは、照明光学ユニッ
トの少なくとも一部の光学素子を内部に有することが望
ましい。
トの少なくとも一部の光学素子を内部に有することが望
ましい。
【００３６】また、前記チャンバーは、投影光学ユニッ
トの少なくとも一部の光学素子を内部に有することが望
ましい。
トの少なくとも一部の光学素子を内部に有することが望
ましい。
【００３７】また、前記不活性ガスは、ヘリウムと窒素
のうちの少なくとも一方であることが望ましい。
のうちの少なくとも一方であることが望ましい。
【００３８】また、前記チャンバーは、真空紫外域の光
の光路の少なくとも一部を囲むことが望ましい。
の光路の少なくとも一部を囲むことが望ましい。
【００３９】さらに、上記の目的を達成するための本発
明のガス置換方法は、光学素子を内部に有するチャンバ
ーの内部を減圧する工程と、該チャンバーを囲む密閉容
器を減圧する工程と、該チャンバーの内部に不活性ガス
を供給する工程とを有する。
明のガス置換方法は、光学素子を内部に有するチャンバ
ーの内部を減圧する工程と、該チャンバーを囲む密閉容
器を減圧する工程と、該チャンバーの内部に不活性ガス
を供給する工程とを有する。
【００４０】また、本発明の別のガス置換方法は、光学
素子を内部に有するチャンバーの内部に不活性ガスを供
給する工程と、該チャンバーを囲む密閉容器に不活性ガ
スを供給する工程と、該チャンバー内の不活性ガスの純
度を、該密閉容器内の不活性ガスの純度よりも高い状態
に制御する工程とを有する。
素子を内部に有するチャンバーの内部に不活性ガスを供
給する工程と、該チャンバーを囲む密閉容器に不活性ガ
スを供給する工程と、該チャンバー内の不活性ガスの純
度を、該密閉容器内の不活性ガスの純度よりも高い状態
に制御する工程とを有する。
【００４１】また、本発明の別のガス置換方法は、光学
素子を内部に有するチャンバーの内部に不活性ガスを供
給する工程と、該チャンバーを囲む密閉容器に不活性ガ
スを供給する工程と、該チャンバー内の不活性ガスの圧
力を、該密閉容器内の不活性ガスの圧力よりも高い状態
に制御する工程とを有する。
素子を内部に有するチャンバーの内部に不活性ガスを供
給する工程と、該チャンバーを囲む密閉容器に不活性ガ
スを供給する工程と、該チャンバー内の不活性ガスの圧
力を、該密閉容器内の不活性ガスの圧力よりも高い状態
に制御する工程とを有する。
【００４２】なお、上記の露光装置を用いた半導体デバ
イス製造法も本発明の範疇である。
イス製造法も本発明の範疇である。
【００４３】また、上記の露光装置を含む半導体製造工
場も本発明の範疇である。また、上記の露光装置の保守
方法も本発明の範疇である。
場も本発明の範疇である。また、上記の露光装置の保守
方法も本発明の範疇である。
【００４４】
【発明の実施の形態】＜露光装置の実施例＞図１は、本
発明の露光装置の実施形態を示す全体構成図である。
発明の露光装置の実施形態を示す全体構成図である。
【００４５】図中、露光装置の光源であるレーザー装置
１は、露光装置とは別に床または階下に設置されてい
る。レーザー装置１は、波長１６０ｎｍ以下の波長域の
真空紫外光を生成するエキシマレーザー装置である。本
実施例では、１５７ｎｍ付近の発振波長を有するＦ２エ
キシマレーザーを用いるが、他に１２６ｎｍ付近の発振
波長を有するAr２レーザー等の紫外線領域の波長を発す
る光源を用いても良い。
１は、露光装置とは別に床または階下に設置されてい
る。レーザー装置１は、波長１６０ｎｍ以下の波長域の
真空紫外光を生成するエキシマレーザー装置である。本
実施例では、１５７ｎｍ付近の発振波長を有するＦ２エ
キシマレーザーを用いるが、他に１２６ｎｍ付近の発振
波長を有するAr２レーザー等の紫外線領域の波長を発す
る光源を用いても良い。
【００４６】レーザー装置１から射出したレーザービー
ムは、ミラー２、３を介して装置本体に導入される。チ
ャンバー４は、ミラー２、３を含む光路周辺を外気との
通気から遮断するため、密閉構造となっている。チャン
バー４からの光射出部には、ガラス５が配置されてい
る。このガラス５は、チャンバー４の内側から照射され
るレーザー装置１からのレーザービームを透過させ、レ
ーザービームを後述する筐体６に導入する。また、ガラ
ス５は、チャンバー４を、密閉状態を確保して保持され
ている。
ムは、ミラー２、３を介して装置本体に導入される。チ
ャンバー４は、ミラー２、３を含む光路周辺を外気との
通気から遮断するため、密閉構造となっている。チャン
バー４からの光射出部には、ガラス５が配置されてい
る。このガラス５は、チャンバー４の内側から照射され
るレーザー装置１からのレーザービームを透過させ、レ
ーザービームを後述する筐体６に導入する。また、ガラ
ス５は、チャンバー４を、密閉状態を確保して保持され
ている。
【００４７】ガラス５は、フッ素化合物からなるガラス
材で、具体的には螢石（CaF２）、フッ化マグネシウム
（MgF２）、フッ化バリウム（BaF２）、ＳｒＦ２、フッ
素ドープ石英のいずれを使用してもよい。これらのガラ
ス材は、１５７nm以下の波長の光に対して高い透過率を
示すものである。なお、チャンバー４内の詳細について
は後述する。
材で、具体的には螢石（CaF２）、フッ化マグネシウム
（MgF２）、フッ化バリウム（BaF２）、ＳｒＦ２、フッ
素ドープ石英のいずれを使用してもよい。これらのガラ
ス材は、１５７nm以下の波長の光に対して高い透過率を
示すものである。なお、チャンバー４内の詳細について
は後述する。
【００４８】ガラス５を透過した光は、筐体６に入射
し、筐体６内のミラー７を介してレチクル８を照明す
る。
し、筐体６内のミラー７を介してレチクル８を照明す
る。
【００４９】この筐体６内の詳細についても後述する。
【００５０】レチクル８は、レチクルステージ９に載置
したレチクル保持器１０に載置される。レチクルステー
ジ９は、不図示のレチクルステージ駆動ユニットによ
り、光軸と直交面内方向であって走査方向であるY方向
に駆動される。バーミラー１１は、レチクルステージ９
に固定され、干渉計１２によりバーミラー位置を計測
し、レチクルステージの位置を計測する。本図において
は、干渉計１２が、１つのみ記載され、走査方向である
図中座標Y方向に駆動される状態を示しているが、図中
座標X方向にも干渉計とバーミラーを配置し、レチクル
ステージのXY二軸の位置の計測を行っても良い。
したレチクル保持器１０に載置される。レチクルステー
ジ９は、不図示のレチクルステージ駆動ユニットによ
り、光軸と直交面内方向であって走査方向であるY方向
に駆動される。バーミラー１１は、レチクルステージ９
に固定され、干渉計１２によりバーミラー位置を計測
し、レチクルステージの位置を計測する。本図において
は、干渉計１２が、１つのみ記載され、走査方向である
図中座標Y方向に駆動される状態を示しているが、図中
座標X方向にも干渉計とバーミラーを配置し、レチクル
ステージのXY二軸の位置の計測を行っても良い。
【００５１】レチクル８に描かれたパターン（不図示）
は、投影光学ユニット１３により所定の倍率で縮小され
て、感光材を塗布したウエハ１４に露光転写される。こ
の投影光学ユニット１３内の詳細についても後述する。
は、投影光学ユニット１３により所定の倍率で縮小され
て、感光材を塗布したウエハ１４に露光転写される。こ
の投影光学ユニット１３内の詳細についても後述する。
【００５２】ウエハ１４は、ウエハステージ１５に載置
したウエハーチャック１６に載置されている。ウエハス
テージ１５は、不図示のウエハステージ駆動ユニットに
より、光軸と直交面内方向であるＸＹ方向に駆動され
る。バーミラー１７は、ウエハステージに固定され、干
渉計１８によりバーミラー位置を計測し、ウエハステー
ジの位置を計測する。本図においては、干渉計１８が、
１つのみ記載され、走査方向である図中座標Y方向に駆
動される状態を示している。しかし、ウエハステージ
は、走査露光後、ウエハをＸ方向にステップ移動させる
必要があるので、図中座標X方向にも干渉計とバーミラ
ーを配置し、ウエハステージのXY二軸の位置の計測を行
う。
したウエハーチャック１６に載置されている。ウエハス
テージ１５は、不図示のウエハステージ駆動ユニットに
より、光軸と直交面内方向であるＸＹ方向に駆動され
る。バーミラー１７は、ウエハステージに固定され、干
渉計１８によりバーミラー位置を計測し、ウエハステー
ジの位置を計測する。本図においては、干渉計１８が、
１つのみ記載され、走査方向である図中座標Y方向に駆
動される状態を示している。しかし、ウエハステージ
は、走査露光後、ウエハをＸ方向にステップ移動させる
必要があるので、図中座標X方向にも干渉計とバーミラ
ーを配置し、ウエハステージのXY二軸の位置の計測を行
う。
【００５３】次に、装置構造体について述べる。
【００５４】主定盤２０は、複数配置された脚１９に載
置される。主定盤２０上には、ステージ定盤２１及び鏡
筒定盤２２が載置される。
置される。主定盤２０上には、ステージ定盤２１及び鏡
筒定盤２２が載置される。
【００５５】ステージ定盤２１には、ＸＹ平面に平行な
基準面が設けられている。前述のウエハステージ１５
は、この基準面沿ってＸＹ方向に移動する。本実施例で
は、ウエハステージ１５は、ステージ定盤２１に対し
て、気体軸受を用いたガイドによって非接触に支持され
ている。なお、ウエハステージを支持するガイドは、気
体軸受に限られず、ボールやローラを用いた転動型ガイ
ド、あるいは摺動型ガイドを用いてもよい。
基準面が設けられている。前述のウエハステージ１５
は、この基準面沿ってＸＹ方向に移動する。本実施例で
は、ウエハステージ１５は、ステージ定盤２１に対し
て、気体軸受を用いたガイドによって非接触に支持され
ている。なお、ウエハステージを支持するガイドは、気
体軸受に限られず、ボールやローラを用いた転動型ガイ
ド、あるいは摺動型ガイドを用いてもよい。
【００５６】鏡筒定盤２２は、前述の投影光学ユニット
１３、干渉計１８のほかに、空調ダクト２３および外筒
２４を載置している。干渉計１８は、投影光学ユニット
１３を支持する鏡筒定盤２２に支持されるため、投影光
学ユニット１３を基準としてウエハステージ１５の位置
を計測することができる。空調ダクト２３は、後述の循
環ユニットからの気体を内部のULPAフィルター２３'（U
itra Low PenetrationAir-filter）を介して、投影光学
ユニット１３の光軸と直交方向に吹きつけるものであ
る。空調ダクト２３は、干渉計１８の干渉計光路１８'
およびウエハ１４、さらに鏡筒定盤２２に略囲われた空
間を所定温度で安定させる。これにより、干渉計光路１
８'のゆらぎの低減と空間内の温度変化による物体変形
の低減を達成する。また、空調ダクト２３は、投影光学
ユニット１３の終端からウエハ１４までの露光光路にお
ける光吸収物質（例えば酸素）の濃度の低減をはかって
いる。
１３、干渉計１８のほかに、空調ダクト２３および外筒
２４を載置している。干渉計１８は、投影光学ユニット
１３を支持する鏡筒定盤２２に支持されるため、投影光
学ユニット１３を基準としてウエハステージ１５の位置
を計測することができる。空調ダクト２３は、後述の循
環ユニットからの気体を内部のULPAフィルター２３'（U
itra Low PenetrationAir-filter）を介して、投影光学
ユニット１３の光軸と直交方向に吹きつけるものであ
る。空調ダクト２３は、干渉計１８の干渉計光路１８'
およびウエハ１４、さらに鏡筒定盤２２に略囲われた空
間を所定温度で安定させる。これにより、干渉計光路１
８'のゆらぎの低減と空間内の温度変化による物体変形
の低減を達成する。また、空調ダクト２３は、投影光学
ユニット１３の終端からウエハ１４までの露光光路にお
ける光吸収物質（例えば酸素）の濃度の低減をはかって
いる。
【００５７】また、前述のレチクルステージ９は、外筒
２４に設けられた基準面に沿って走査方向であるＹ方向
（および場合によってはＸ方向にも）移動する。本実施
例では、レチクルステージ１５は、外筒２４に対して、
気体軸受を用いたガイドによって非接触に支持されてい
る。なお、レチクルステージを支持するガイドは、気体
軸受に限られず、ボールやローラを用いた転動型ガイ
ド、あるいは摺動型ガイドを用いてもよい。
２４に設けられた基準面に沿って走査方向であるＹ方向
（および場合によってはＸ方向にも）移動する。本実施
例では、レチクルステージ１５は、外筒２４に対して、
気体軸受を用いたガイドによって非接触に支持されてい
る。なお、レチクルステージを支持するガイドは、気体
軸受に限られず、ボールやローラを用いた転動型ガイ
ド、あるいは摺動型ガイドを用いてもよい。
【００５８】外筒２４は、投影光学ユニット１３の鏡筒
定盤２２上面より上部を囲い、露光光束が通過するよう
上部に開口部２４'を備えている。さらに、外筒２４
は、前述のレチクルステージ９のほか、干渉計１２およ
び空調ダクト２５および筐体６（図中筐体６と外筒接合
部は破断線にて省略）を載置している。干渉計１２は、
投影光学ユニット１３と一体的に設けられた外筒２４に
支持されるため、投影光学ユニット１３を基準としてレ
チクルステージ９の位置を計測することができる。空調
ダクト２５は、後述の循環ユニットからの気体を内部の
ULPAフィルター２５'を介して投影光学ユニット１３の
光軸と直交方向に吹きつけるものである。空調ダクト２
５は、干渉計１２の干渉計光路１２'およびレチクル
８、さらにレチクル周辺空間を所定温度で安定させる。
これにより、干渉計光路１２'のゆらぎの低減とレチク
ル周辺空間内の温度変化による物体変形の低減を達成す
る。また、空調ダクト２５は、レチクル８前後の光路に
おける光吸収物質（例えば酸素）の濃度の低減をはかっ
ている。
定盤２２上面より上部を囲い、露光光束が通過するよう
上部に開口部２４'を備えている。さらに、外筒２４
は、前述のレチクルステージ９のほか、干渉計１２およ
び空調ダクト２５および筐体６（図中筐体６と外筒接合
部は破断線にて省略）を載置している。干渉計１２は、
投影光学ユニット１３と一体的に設けられた外筒２４に
支持されるため、投影光学ユニット１３を基準としてレ
チクルステージ９の位置を計測することができる。空調
ダクト２５は、後述の循環ユニットからの気体を内部の
ULPAフィルター２５'を介して投影光学ユニット１３の
光軸と直交方向に吹きつけるものである。空調ダクト２
５は、干渉計１２の干渉計光路１２'およびレチクル
８、さらにレチクル周辺空間を所定温度で安定させる。
これにより、干渉計光路１２'のゆらぎの低減とレチク
ル周辺空間内の温度変化による物体変形の低減を達成す
る。また、空調ダクト２５は、レチクル８前後の光路に
おける光吸収物質（例えば酸素）の濃度の低減をはかっ
ている。
【００５９】チャンバー２６は、本実施例においては、
装置本体を内部に収納し、外気との通気を遮断する密閉
構造となっている。可動部材２７は、ステンレス製ベロ
ーズなどからなり、脚１９付近とチャンバー２６を連結
し、チャンバー２６の密閉性を確保し、脚１９や主定盤
２０との相対変位を吸収できる構造となっている。
装置本体を内部に収納し、外気との通気を遮断する密閉
構造となっている。可動部材２７は、ステンレス製ベロ
ーズなどからなり、脚１９付近とチャンバー２６を連結
し、チャンバー２６の密閉性を確保し、脚１９や主定盤
２０との相対変位を吸収できる構造となっている。
【００６０】また、可動部材２８は、ステンレス製ベロ
ーズなどからなり、チャンバー４とチャンバー２６を連
結し、チャンバー４とチャンバー２６の密閉性を確保
し、支持台３０に載置したチャンバー４とチャンバー２
６の相対変位を吸収できる構造となっている。
ーズなどからなり、チャンバー４とチャンバー２６を連
結し、チャンバー４とチャンバー２６の密閉性を確保
し、支持台３０に載置したチャンバー４とチャンバー２
６の相対変位を吸収できる構造となっている。
【００６１】さらに、可動部材２９は、ステンレス製ベ
ローズなどからなり、チャンバー４と筐体６を連結し、
チャンバー４と筐体６の密閉性を確保し、チャンバー４
と筐体６の相対変位を吸収できる構造となっている。
ローズなどからなり、チャンバー４と筐体６を連結し、
チャンバー４と筐体６の密閉性を確保し、チャンバー４
と筐体６の相対変位を吸収できる構造となっている。
【００６２】なお、可動部材２７、２８、２９は、本実
施例においてはステンレス製ベローズを用いるが、密閉
性を確保し、相対変位を吸収できる構造であればこれに
限るものではなく、ニッケル合金やチタン製の金属ベロ
ーズでもよいし、樹脂製ベローズであってもよい。さら
にはベローズ以外に、磁性流体シールを用いてもよい。
施例においてはステンレス製ベローズを用いるが、密閉
性を確保し、相対変位を吸収できる構造であればこれに
限るものではなく、ニッケル合金やチタン製の金属ベロ
ーズでもよいし、樹脂製ベローズであってもよい。さら
にはベローズ以外に、磁性流体シールを用いてもよい。
【００６３】ロードロック室３１は、レチクル８を搬入
または搬出する際に用いるロードロック室であって、不
図示の駆動ユニットによる開閉自在のゲートバルブ３
２、３３を備えている。支持台３４は、レチクル８の支
持台である。レチクル搬送ロボット３５は、レチクル保
持器１０へのレチクルの供給および回収を行う。
または搬出する際に用いるロードロック室であって、不
図示の駆動ユニットによる開閉自在のゲートバルブ３
２、３３を備えている。支持台３４は、レチクル８の支
持台である。レチクル搬送ロボット３５は、レチクル保
持器１０へのレチクルの供給および回収を行う。
【００６４】ロードロック室３６は、ウエハ１４を搬入
または搬出する際に用いるロードロック室であり、不図
示の駆動ユニットによる開閉自在のゲートバルブ３７、
３８を備えている。支持台３９は、ウエハ１４の支持台
である。ウエハ搬送ロボット４０は、ウエハチャック１
６へのウエハの供給および回収を行う。
または搬出する際に用いるロードロック室であり、不図
示の駆動ユニットによる開閉自在のゲートバルブ３７、
３８を備えている。支持台３９は、ウエハ１４の支持台
である。ウエハ搬送ロボット４０は、ウエハチャック１
６へのウエハの供給および回収を行う。
【００６５】次に、チャンバー４、２６及びロードロッ
ク室３１、３６内の環境制御、温度制御方法について説
明する。
ク室３１、３６内の環境制御、温度制御方法について説
明する。
【００６６】ガス供給源５１は、不活性ガスとしての窒
素ガスまたはヘリウムガスのいずれかを供給する。この
２種類のガスについては、F2レーザーの光に対して良好
な透過率を示すものである。ガス供給源５１は、実質的
に酸素を含まないガスを供給する。なお、ここで、「実
質的に酸素を含まない」とは、装置の性能に大きく影響
を与える程度の酸素を含まないという意味であり、少な
くともチャンバー４等に求められる酸素濃度より低い酸
素濃度を意味する。
素ガスまたはヘリウムガスのいずれかを供給する。この
２種類のガスについては、F2レーザーの光に対して良好
な透過率を示すものである。ガス供給源５１は、実質的
に酸素を含まないガスを供給する。なお、ここで、「実
質的に酸素を含まない」とは、装置の性能に大きく影響
を与える程度の酸素を含まないという意味であり、少な
くともチャンバー４等に求められる酸素濃度より低い酸
素濃度を意味する。
【００６７】ガス供給源５１からのガスは、配管５２を
介して、チャンバー４の光源側の一端に設けられたガス
供給口５３に導かれ、チャンバー４内を経由した後、チ
ャンバー４の露光装置側の他端に設けられたガス排出口
５４から排出され、配管５５を介して、排気機構５６に
排気される。
介して、チャンバー４の光源側の一端に設けられたガス
供給口５３に導かれ、チャンバー４内を経由した後、チ
ャンバー４の露光装置側の他端に設けられたガス排出口
５４から排出され、配管５５を介して、排気機構５６に
排気される。
【００６８】次に、チャンバー４内のガス流路を図２を
用いて説明する。図１と同じ要素については同じ番号を
付け、説明は省略する。
用いて説明する。図１と同じ要素については同じ番号を
付け、説明は省略する。
【００６９】レーザー装置１から射出されたレーザービ
ームは、ミラー２によって反射され、ビーム成形光学ユ
ニット２０１により所定のビーム形状に整形たれる。そ
の後、レーザービームは、集光レンズ２０４及び２０７
によって、所定の倍率でオプティカルインテグレータ２
１０を照射する。オプティカルインテグレータ２１０
は、微小レンズを二次元的に配列したものであって、集
光レンズ２１３を介して、レチクル８（図１）との共役
面２１９を重畳照明する。
ームは、ミラー２によって反射され、ビーム成形光学ユ
ニット２０１により所定のビーム形状に整形たれる。そ
の後、レーザービームは、集光レンズ２０４及び２０７
によって、所定の倍率でオプティカルインテグレータ２
１０を照射する。オプティカルインテグレータ２１０
は、微小レンズを二次元的に配列したものであって、集
光レンズ２１３を介して、レチクル８（図１）との共役
面２１９を重畳照明する。
【００７０】なお、ビーム整形光学ユニット２０１は、
通気孔２０３を備えた支持台２０２に支持されている。
集光レンズ２０４は、通気孔２０６を備えた支持台２０
５に支持されている。集光レンズ２０７は、通気孔２０
８を備えた支持台２０９に支持されている。オプティカ
ルインテグレータ２１０は、通気孔２１２を備えた支持
台２１１に支持されている。集光レンズ２１３は、通気
孔２１５を備えた支持台２１４に支持されている。
通気孔２０３を備えた支持台２０２に支持されている。
集光レンズ２０４は、通気孔２０６を備えた支持台２０
５に支持されている。集光レンズ２０７は、通気孔２０
８を備えた支持台２０９に支持されている。オプティカ
ルインテグレータ２１０は、通気孔２１２を備えた支持
台２１１に支持されている。集光レンズ２１３は、通気
孔２１５を備えた支持台２１４に支持されている。
【００７１】ガス供給口５３からの気体は、チャンバー
４内を光路に沿って流れ、通気孔２０３、２０６、２０
８、２１２、２１５、２１８を順次経由してガス排出口
５４から排出される。
４内を光路に沿って流れ、通気孔２０３、２０６、２０
８、２１２、２１５、２１８を順次経由してガス排出口
５４から排出される。
【００７２】チャンバー４内のガス流路の概念を図２中
に矢印で示す。
に矢印で示す。
【００７３】チャンバー４内の光学素子間の空間を順次
経由する流路を備えることで、各光学素子間の空間の雰
囲気を効率よくガス置換することができる。
経由する流路を備えることで、各光学素子間の空間の雰
囲気を効率よくガス置換することができる。
【００７４】なお、本実施例においては、ガラス５は、
平行平面板を用いているが、これに限られるものではな
く、レンズやプリズムなど他の透過素子であってもよ
い。さらに本実施例においては、オプティカルインテグ
レータとしてハエノ目を用いた場合について説明してい
るが、他にロッドインテグレータを用いたり、ハエノ目
を直列に複数個使用したり、あるいはハエノ目とロッド
インテグレータを組合わせて使用した光学ユニットであ
ってもよい。
平行平面板を用いているが、これに限られるものではな
く、レンズやプリズムなど他の透過素子であってもよ
い。さらに本実施例においては、オプティカルインテグ
レータとしてハエノ目を用いた場合について説明してい
るが、他にロッドインテグレータを用いたり、ハエノ目
を直列に複数個使用したり、あるいはハエノ目とロッド
インテグレータを組合わせて使用した光学ユニットであ
ってもよい。
【００７５】なお、チャンバー４内の光学ユニットは、
後述の筐体６内の光学ユニットと合わせて、レチクルを
照明する照明光学ユニットを形成している。
後述の筐体６内の光学ユニットと合わせて、レチクルを
照明する照明光学ユニットを形成している。
【００７６】さらに図１に戻り、本実施形態の露光装置
の説明を続ける。
の説明を続ける。
【００７７】図１において、ガス供給源５７は、窒素ガ
スまたはヘリウムガスのいずれかのガスを供給する。
スまたはヘリウムガスのいずれかのガスを供給する。
【００７８】ガス供給源５７からのガスは、配管５８を
介して、筐体６またはベローズ２９に設けられたガス供
給口５９に導かれ、筐体６内を経由した後、筐体６の一
端に設けられたガス排出口６０からチャンバー６内に排
出される。
介して、筐体６またはベローズ２９に設けられたガス供
給口５９に導かれ、筐体６内を経由した後、筐体６の一
端に設けられたガス排出口６０からチャンバー６内に排
出される。
【００７９】筐体６内のガス流路を図２を用いて説明す
る。図１と同じ要素については同じ番号を付け、説明は
省略する。
る。図１と同じ要素については同じ番号を付け、説明は
省略する。
【００８０】マスキングブレード３０１は、レチクル８
の照明範囲を規定する矩形状の開口を有する。また、矩
形状の開口寸法は、レチクルパターン及びレチクル８の
位置に応じて不図示の駆動手段により駆動されること
で、変更可能である。マスキングブレード３０１の上記
矩形開口を形成する遮光板３０１'は、前述のレチクル
８との共役面２１９近傍に配置されている。集光レンズ
３０２、３０５は、マスキンブブレード３０１で形成さ
れる矩形開口部の像を所定の倍率でレチクル８に投影す
る。
の照明範囲を規定する矩形状の開口を有する。また、矩
形状の開口寸法は、レチクルパターン及びレチクル８の
位置に応じて不図示の駆動手段により駆動されること
で、変更可能である。マスキングブレード３０１の上記
矩形開口を形成する遮光板３０１'は、前述のレチクル
８との共役面２１９近傍に配置されている。集光レンズ
３０２、３０５は、マスキンブブレード３０１で形成さ
れる矩形開口部の像を所定の倍率でレチクル８に投影す
る。
【００８１】従って、上述のごとく、筐体６内の光学ユ
ニットは、チャンバー４内の光学ユニットと共に、レチ
クル８を照明する照明光学ユニットの一部を形成してい
る。
ニットは、チャンバー４内の光学ユニットと共に、レチ
クル８を照明する照明光学ユニットの一部を形成してい
る。
【００８２】なお、遮光板３０１'は、不図示のガイド
に沿って移動する構造であり、本実施例では非接触軸受
である気体軸受を用いた場合について述べるが、これに
限られるものではなく、ボールやローラを用いた転動型
ガイド、あるいは摺動型ガイドを用いてもよい。
に沿って移動する構造であり、本実施例では非接触軸受
である気体軸受を用いた場合について述べるが、これに
限られるものではなく、ボールやローラを用いた転動型
ガイド、あるいは摺動型ガイドを用いてもよい。
【００８３】集光レンズ３０２は、通気孔３０３を備え
た支持台３０４に支持され、集光レンズ３０５は支持台
３０６に支持されている。
た支持台３０４に支持され、集光レンズ３０５は支持台
３０６に支持されている。
【００８４】なお、ガス供給口５９からの気体は、筐体
６内を光路に沿って流れ、支持台４に設けられた通気孔
３０３を経由して集光レンズ３０２と３０５の間の光路
を経由後、ガス排出口６０から排出される。筐体６内の
ガス流路の概念を図２中に矢印で示す。筐体６内の光学
素子間を順次経由する流路を備えることで、光学素子間
の雰囲気を効率よくガス置換することができる。
６内を光路に沿って流れ、支持台４に設けられた通気孔
３０３を経由して集光レンズ３０２と３０５の間の光路
を経由後、ガス排出口６０から排出される。筐体６内の
ガス流路の概念を図２中に矢印で示す。筐体６内の光学
素子間を順次経由する流路を備えることで、光学素子間
の雰囲気を効率よくガス置換することができる。
【００８５】また、本実施例においては、ガス排出口６
０から排出されるガスをチャンバー２６内に直接流して
いるが、これに限られるものではない。筐体６からウエ
ハ１４までの光路に配置される光学ユニット、例えば投
影光学ユニット１３などにガス排出口６０からのガスを
導き、投影光学ユニット内を経由後、チャンバー２６内
に排出してもよい。または、ガス排出口６０から排出さ
れるガスを直接回収しても良い。
０から排出されるガスをチャンバー２６内に直接流して
いるが、これに限られるものではない。筐体６からウエ
ハ１４までの光路に配置される光学ユニット、例えば投
影光学ユニット１３などにガス排出口６０からのガスを
導き、投影光学ユニット内を経由後、チャンバー２６内
に排出してもよい。または、ガス排出口６０から排出さ
れるガスを直接回収しても良い。
【００８６】なお、図２に示した筐体６内の光学ユニッ
トは集光レンズユニットを用いた結像光学ユニットであ
るが、他に反射屈折型光学ユニットあるいは反射型光学
ユニットを用いてもよい。
トは集光レンズユニットを用いた結像光学ユニットであ
るが、他に反射屈折型光学ユニットあるいは反射型光学
ユニットを用いてもよい。
【００８７】さらに、マスキングブレード３０１の開口
形状は、本実施例においては矩形を使用した場合につい
て説明したが、他に所定の曲率を持った円弧状の開口で
あってもよい。
形状は、本実施例においては矩形を使用した場合につい
て説明したが、他に所定の曲率を持った円弧状の開口で
あってもよい。
【００８８】また、本実施例においては、ガス供給口５
９は、筐体６の光源側の一端に設けられており、ガス排
出口６０は、筐体６のレチクル側の一端に設けられてい
るが、これに限られるものではない。例えば、ガス供給
口を筐体６のレチクル側の一端に設け、ガス排出口を筐
体６の光源側の一端に設けても良い。特に、可動体であ
るマスキングブレードのある方を下流側としたほうが、
筐体６内の雰囲気のガス純度等を考慮すると、望ましい
場合がある。
９は、筐体６の光源側の一端に設けられており、ガス排
出口６０は、筐体６のレチクル側の一端に設けられてい
るが、これに限られるものではない。例えば、ガス供給
口を筐体６のレチクル側の一端に設け、ガス排出口を筐
体６の光源側の一端に設けても良い。特に、可動体であ
るマスキングブレードのある方を下流側としたほうが、
筐体６内の雰囲気のガス純度等を考慮すると、望ましい
場合がある。
【００８９】上述のガスの循環方法は、露光中における
チャンバー４内および筐体６内の気体の置換方法であ
る。しかし、露光前は、チャンバー４内および筐体６内
の雰囲気は大気であるので、単に不活性ガスを流すだけ
では、光路中の酸素濃度が低下するまでに時間がかか
る。
チャンバー４内および筐体６内の気体の置換方法であ
る。しかし、露光前は、チャンバー４内および筐体６内
の雰囲気は大気であるので、単に不活性ガスを流すだけ
では、光路中の酸素濃度が低下するまでに時間がかか
る。
【００９０】そこで、本発明では、チャンバー４内およ
び筐体６内に不活性ガスを供給する前に、一度または複
数回に分けてチャンバー４内および筐体６内の真空引き
を行い、内部に最初に存在していた大気を排出する。
び筐体６内に不活性ガスを供給する前に、一度または複
数回に分けてチャンバー４内および筐体６内の真空引き
を行い、内部に最初に存在していた大気を排出する。
【００９１】ここで、例えばチャンバー４が真空引きさ
れたときに、チャンバー４の内外の圧力差によってチャ
ンバー４が変形すると、チャンバー４が保持している光
学素子の位置がずれてしまい、望ましくない。
れたときに、チャンバー４の内外の圧力差によってチャ
ンバー４が変形すると、チャンバー４が保持している光
学素子の位置がずれてしまい、望ましくない。
【００９２】そこで、本発明では、チャンバー４および
筐体６の内外の圧力差を減少させるため、チャンバー４
および筐体６をさらに密閉容器で囲んでいる。そして、
チャンバー４内および筐体６内の真空引きを行うとき
に、密閉容器の内部もチャンバー４内および筐体６内の
圧力と同じ程度の圧力になるように制御する。これによ
って、チャンバー４や筐体６の内外の圧力差を減少さ
せ、チャンバー４や筐体６の真空引きの際の変形を抑え
ることができる。
筐体６の内外の圧力差を減少させるため、チャンバー４
および筐体６をさらに密閉容器で囲んでいる。そして、
チャンバー４内および筐体６内の真空引きを行うとき
に、密閉容器の内部もチャンバー４内および筐体６内の
圧力と同じ程度の圧力になるように制御する。これによ
って、チャンバー４や筐体６の内外の圧力差を減少さ
せ、チャンバー４や筐体６の真空引きの際の変形を抑え
ることができる。
【００９３】図３を用いて、上記の密閉容器の説明を行
う。
う。
【００９４】同図において、密閉容器１０１は、照明光
学ユニットを有するチャンバー４と筐体６とを囲んでい
る。真空ポンプ１０３は、密閉容器１０１内の気体を強
制排気し、密閉容器１０１の真空引きを行う。
学ユニットを有するチャンバー４と筐体６とを囲んでい
る。真空ポンプ１０３は、密閉容器１０１内の気体を強
制排気し、密閉容器１０１の真空引きを行う。
【００９５】通気孔１０５Ａは、チャンバー４内部の雰
囲気と密閉容器内の雰囲気とを連通している。真空ポン
プ１０３が密閉容器１０１の気体を強制排気すると、密
閉容器１０１内部が減圧雰囲気となり、チャンバー４内
の気体が通気孔１０５Ａを通じて密閉容器１０１中に排
出される。これにより、チャンバー４内を真空引きする
と共に、チャンバー４内部の圧力と密閉容器内の圧力を
ほぼ同程度のものとすることができる。
囲気と密閉容器内の雰囲気とを連通している。真空ポン
プ１０３が密閉容器１０１の気体を強制排気すると、密
閉容器１０１内部が減圧雰囲気となり、チャンバー４内
の気体が通気孔１０５Ａを通じて密閉容器１０１中に排
出される。これにより、チャンバー４内を真空引きする
と共に、チャンバー４内部の圧力と密閉容器内の圧力を
ほぼ同程度のものとすることができる。
【００９６】通気孔１０５Ｂは、筐体６内部の雰囲気と
密閉容器内の雰囲気とを連通している。真空ポンプ１０
３が密閉容器１０１の気体を強制排気すると、密閉容器
１０１内部が減圧雰囲気となり、筐体６内の気体が通気
孔１０５Ｂを通じて密閉容器１０１中に排出される。こ
れにより、筐体６内を真空引きすると共に、筐体６内部
の圧力と密閉容器内の圧力をほぼ同程度のものとするこ
とができる。
密閉容器内の雰囲気とを連通している。真空ポンプ１０
３が密閉容器１０１の気体を強制排気すると、密閉容器
１０１内部が減圧雰囲気となり、筐体６内の気体が通気
孔１０５Ｂを通じて密閉容器１０１中に排出される。こ
れにより、筐体６内を真空引きすると共に、筐体６内部
の圧力と密閉容器内の圧力をほぼ同程度のものとするこ
とができる。
【００９７】上記の構成により、チャンバー４内と筐体
６内の真空引きを行うと共に、チャンバー４と筐体６内
外の圧力差を減少させることができる。これにより、真
空引きした際のチャンバー４と筐体６の変形を軽減する
ことができる。
６内の真空引きを行うと共に、チャンバー４と筐体６内
外の圧力差を減少させることができる。これにより、真
空引きした際のチャンバー４と筐体６の変形を軽減する
ことができる。
【００９８】なお、図３では、チャンバー４と筐体６と
を同一の密閉容器で囲んでいるが、これに限るものでは
なく、それぞれ別の密閉容器に囲んでも良い。また、密
閉容器１０１を前述のチャンバー２６と兼用するように
しても良い。
を同一の密閉容器で囲んでいるが、これに限るものでは
なく、それぞれ別の密閉容器に囲んでも良い。また、密
閉容器１０１を前述のチャンバー２６と兼用するように
しても良い。
【００９９】ここで、密閉容器１０１を真空引きする
と、密閉容器１０１の内外で圧力差が生じ、変形するお
それがある。密閉容器１０１が、例えばチャンバー４を
支持しているとすると、この密閉容器１０１の変形がチ
ャンバー４に伝達されることは望ましくない。そこで、
本発明では、密閉容器１０１とチャンバー４との間に変
位を発生する変位機構を設けている。
と、密閉容器１０１の内外で圧力差が生じ、変形するお
それがある。密閉容器１０１が、例えばチャンバー４を
支持しているとすると、この密閉容器１０１の変形がチ
ャンバー４に伝達されることは望ましくない。そこで、
本発明では、密閉容器１０１とチャンバー４との間に変
位を発生する変位機構を設けている。
【０１００】変位機構１０７Ａ、１０７Ｂは、密閉容器
１０１が、変形したときに、その変形がチャンバー４に
伝達されないように、密閉容器の変形に応じて密閉容器
１０１とチャンバー４との間で変位を発生させる。外部
に設けられた基準部材１１１を照明光学ユニットの位置
決めの基準とし、チャンバー４と基準部材１１１との距
離を干渉計１１３によって検出する。干渉計１１３によ
り検出された位置情報の基づいて、変位機構１０７Ａ、
１０７Ｂを制御する。
１０１が、変形したときに、その変形がチャンバー４に
伝達されないように、密閉容器の変形に応じて密閉容器
１０１とチャンバー４との間で変位を発生させる。外部
に設けられた基準部材１１１を照明光学ユニットの位置
決めの基準とし、チャンバー４と基準部材１１１との距
離を干渉計１１３によって検出する。干渉計１１３によ
り検出された位置情報の基づいて、変位機構１０７Ａ、
１０７Ｂを制御する。
【０１０１】なお、変位機構１０７Ａ、１０７Ｂは、チ
ャンバー４を６軸方向に制御できることが望ましい。ま
た、変位機構１０７Ａ、１０７Ｂは、密閉容器に対する
チャンバー４の支持も行ってよい。また、変位機構１０
７Ａ、１０７Ｂは、非接触で変位を与えられるものが望
ましい。
ャンバー４を６軸方向に制御できることが望ましい。ま
た、変位機構１０７Ａ、１０７Ｂは、密閉容器に対する
チャンバー４の支持も行ってよい。また、変位機構１０
７Ａ、１０７Ｂは、非接触で変位を与えられるものが望
ましい。
【０１０２】なお、図３では、変位機構はチャンバー４
にしか描かれていないが、筐体６にも同様に設けられ
る。
にしか描かれていないが、筐体６にも同様に設けられ
る。
【０１０３】また、密閉容器１０１は、露光の際に露光
光を通す必要がある。そこで、本発明では、密閉容器１
０１に透過窓１１５を設けている。透過窓１１５は、密
閉容器１０１内の密閉性を確保するように保持されると
ともに、密閉容器の内外に圧力差があっても耐えられる
構造となっている。なお、透過窓１１５は、フッ素化合
物からなるガラス材で、具体的には蛍石（CaF2）、フッ
化マグネシウム（MgF２）、フッ化バリウム（BaF２）、
SrF２、フッ素ドープ石英のいずれを使用しても良い。
これらのガラス材は、１５７ｎｍ以下の波長の光に対し
て高い透過率を示すものである。また、本実施例におい
ては、透過窓１１５は、平行平面板を用いているが、こ
れに限られるものではなく、レンズ、プリズム、膜など
他の透過素子であっても良い。
光を通す必要がある。そこで、本発明では、密閉容器１
０１に透過窓１１５を設けている。透過窓１１５は、密
閉容器１０１内の密閉性を確保するように保持されると
ともに、密閉容器の内外に圧力差があっても耐えられる
構造となっている。なお、透過窓１１５は、フッ素化合
物からなるガラス材で、具体的には蛍石（CaF2）、フッ
化マグネシウム（MgF２）、フッ化バリウム（BaF２）、
SrF２、フッ素ドープ石英のいずれを使用しても良い。
これらのガラス材は、１５７ｎｍ以下の波長の光に対し
て高い透過率を示すものである。また、本実施例におい
ては、透過窓１１５は、平行平面板を用いているが、こ
れに限られるものではなく、レンズ、プリズム、膜など
他の透過素子であっても良い。
【０１０４】上記のようにチャンバー４内と筐体６内の
真空引きを行い、チャンバー４内と筐体６内に最初に存
在していた大気を排出した後は、前述した通り、ガス供
給口５３やガス供給口５９に不活性ガスを供給し、チャ
ンバー４内と筐体６内の雰囲気を循環させる。このとき
は、通気孔１０５Ａ、１０５Ｂは閉じられ、図２で述べ
たガスの経路が確保されるようにする。
真空引きを行い、チャンバー４内と筐体６内に最初に存
在していた大気を排出した後は、前述した通り、ガス供
給口５３やガス供給口５９に不活性ガスを供給し、チャ
ンバー４内と筐体６内の雰囲気を循環させる。このとき
は、通気孔１０５Ａ、１０５Ｂは閉じられ、図２で述べ
たガスの経路が確保されるようにする。
【０１０５】なお、密閉容器内を真空引きすると、透過
窓１１５が歪んだり、位置ずれを起こしたりするおそれ
がある。そこで、透過窓１１５はベローズ（可動体）で
密閉容器に対して保持され、不図示のアクチュエータで
密閉容器に対して移動可能であってもよい。ここで、透
過窓のベローズは、後述する投影光学ユニットについて
の透過窓１６５のべローズとほぼ同様である。
窓１１５が歪んだり、位置ずれを起こしたりするおそれ
がある。そこで、透過窓１１５はベローズ（可動体）で
密閉容器に対して保持され、不図示のアクチュエータで
密閉容器に対して移動可能であってもよい。ここで、透
過窓のベローズは、後述する投影光学ユニットについて
の透過窓１６５のべローズとほぼ同様である。
【０１０６】なお、図３では、通気孔１０５Ａ、１０５
Ｂにより、密閉容器１０１内とチャンバー４、筐体６内
との圧力差を軽減していた。しかし、圧力差を軽減する
ための手段はこれに限られるものではない。例えば、図
４に示されるように、密閉容器１０１、チャンバー４お
よび筐体６にそれぞれ真空ポンプ１０３Ａ、１０３Ｂ、
１０３Ｃを設け、それぞれの内部圧力を計測して計測結
果に基づいて、それぞれの真空ポンプを制御しても良
い。また、後述の図６のように、チャンバー４や筺体６
に真空ポンプを設け、チャンバー４と密閉容器１０１の
間や筐体６と密閉容器１０１の間に通気孔を設けるよう
にしても良い。
Ｂにより、密閉容器１０１内とチャンバー４、筐体６内
との圧力差を軽減していた。しかし、圧力差を軽減する
ための手段はこれに限られるものではない。例えば、図
４に示されるように、密閉容器１０１、チャンバー４お
よび筐体６にそれぞれ真空ポンプ１０３Ａ、１０３Ｂ、
１０３Ｃを設け、それぞれの内部圧力を計測して計測結
果に基づいて、それぞれの真空ポンプを制御しても良
い。また、後述の図６のように、チャンバー４や筺体６
に真空ポンプを設け、チャンバー４と密閉容器１０１の
間や筐体６と密閉容器１０１の間に通気孔を設けるよう
にしても良い。
【０１０７】また、図３において、露光時のチャンバー
４内や筐体６内の圧力が、外部の圧力とほぼ同じ場合、
密閉容器１０１の密閉性を保つ必要はなくなる。このよ
うな場合は、密閉容器１０１に設けられる透過窓１１５
は特に必要はなく、例えば真空引き時に閉じられる開閉
扉であっても良い。
４内や筐体６内の圧力が、外部の圧力とほぼ同じ場合、
密閉容器１０１の密閉性を保つ必要はなくなる。このよ
うな場合は、密閉容器１０１に設けられる透過窓１１５
は特に必要はなく、例えば真空引き時に閉じられる開閉
扉であっても良い。
【０１０８】また、図３において、露光時はチャンバー
４内と筐体６内の不活性ガスの純度は特に高める必要が
ある。そのため、露光時のチャンバー４内と筐体６内の
圧力を陽圧としても良い。これにより、チャンバー４や
筐体６の外部から流入するガスを防ぎ、チャンバー４と
筐体６の内部の不活性ガスの純度を維持することができ
る。この際、密閉容器１０１内部の雰囲気も不活性ガス
の雰囲気とすれば、密閉容器１０１からチャンバー４や
筐体６内にガスが流入しても、チャンバー４や筐体６の
ガスの純度の低下を軽減することができる。そのため、
密閉容器１０１に不活性ガスの供給口や排出口を設ける
ことが望ましい。
４内と筐体６内の不活性ガスの純度は特に高める必要が
ある。そのため、露光時のチャンバー４内と筐体６内の
圧力を陽圧としても良い。これにより、チャンバー４や
筐体６の外部から流入するガスを防ぎ、チャンバー４と
筐体６の内部の不活性ガスの純度を維持することができ
る。この際、密閉容器１０１内部の雰囲気も不活性ガス
の雰囲気とすれば、密閉容器１０１からチャンバー４や
筐体６内にガスが流入しても、チャンバー４や筐体６の
ガスの純度の低下を軽減することができる。そのため、
密閉容器１０１に不活性ガスの供給口や排出口を設ける
ことが望ましい。
【０１０９】なお、上記のように、密閉容器１０１内を
不活性ガスで満たすとしても、チャンバー４や筐体６の
内部ほどの純度が望まれるわけではない。例えば、チャ
ンバー４（若しくは筐体６）内、密閉容器１０１内、密
閉容器外部、の順に純度を高くしても良い。
不活性ガスで満たすとしても、チャンバー４や筐体６の
内部ほどの純度が望まれるわけではない。例えば、チャ
ンバー４（若しくは筐体６）内、密閉容器１０１内、密
閉容器外部、の順に純度を高くしても良い。
【０１１０】また、上記のように、チャンバー４内や筐
体６内の圧力を陽圧とする場合、例えば、チャンバー４
（若しくは筐体６）内、密閉容器１０１内、密閉容器外
部、の順に圧力を高くするように制御しても良い。
体６内の圧力を陽圧とする場合、例えば、チャンバー４
（若しくは筐体６）内、密閉容器１０１内、密閉容器外
部、の順に圧力を高くするように制御しても良い。
【０１１１】なお、チャンバー４内や筐体６内を複数回
に分けて真空引きする場合、真空引き工程の間に、チャ
ンバー４内や筐体６内を不活性ガスで満たす工程がある
ことが望ましい。複数回に分けて真空引きすることによ
り、各真空引き工程時の内外圧力差を軽減させ、変形を
軽減することができる。また、短時間で酸素濃度を十分
に下げることができる。
に分けて真空引きする場合、真空引き工程の間に、チャ
ンバー４内や筐体６内を不活性ガスで満たす工程がある
ことが望ましい。複数回に分けて真空引きすることによ
り、各真空引き工程時の内外圧力差を軽減させ、変形を
軽減することができる。また、短時間で酸素濃度を十分
に下げることができる。
【０１１２】図１に戻り、説明を続ける。図１におい
て、ガス供給源５７からのガスは、配管６１を介して、
投影光学ユニット１３のウエハ側の一端に設けられたガ
ス供給口６２に導かれ、投影光学ユニット１３内を経由
した後、投影光学ユニット１３のレチクル側の他端に設
けられたガス排出口６３からチャンバー２６内に排出さ
れる。
て、ガス供給源５７からのガスは、配管６１を介して、
投影光学ユニット１３のウエハ側の一端に設けられたガ
ス供給口６２に導かれ、投影光学ユニット１３内を経由
した後、投影光学ユニット１３のレチクル側の他端に設
けられたガス排出口６３からチャンバー２６内に排出さ
れる。
【０１１３】投影光学ユニット１３内のガス流路を図５
を用いて説明する。図１と同じ要素については同じ番号
を付け、説明は省略する。
を用いて説明する。図１と同じ要素については同じ番号
を付け、説明は省略する。
【０１１４】レチクル８に描かれたパターンは、レンズ
４０２、４０５、４０８、４１１、４１４、４１７、４
２０により、ウエハ１４に縮小投影される。４０１は、
上記レンズ群の鏡筒である。
４０２、４０５、４０８、４１１、４１４、４１７、４
２０により、ウエハ１４に縮小投影される。４０１は、
上記レンズ群の鏡筒である。
【０１１５】レンズ４０２は、ガス排出口６３を備えた
支持台４０４に支持されている。レンズ４０５は、通気
孔４０６を備えた支持台４０７に支持されている。レン
ズ４０８は、通気孔４０９を備えた支持台４１０に支持
されている。レンズ４１１は、通気孔４１２を備えた支
持台４１３に支持されている。レンズ４１４は、通気孔
４１５を備えた支持台４１６に支持されている。レンズ
４１７は、通気孔４１８を備えた支持台４１９に支持さ
れている。レンズ４２０及び上記支持台４０７、４０
７、４１０、４１３、４１６、４１９は、鏡筒４０１に
支持されている。
支持台４０４に支持されている。レンズ４０５は、通気
孔４０６を備えた支持台４０７に支持されている。レン
ズ４０８は、通気孔４０９を備えた支持台４１０に支持
されている。レンズ４１１は、通気孔４１２を備えた支
持台４１３に支持されている。レンズ４１４は、通気孔
４１５を備えた支持台４１６に支持されている。レンズ
４１７は、通気孔４１８を備えた支持台４１９に支持さ
れている。レンズ４２０及び上記支持台４０７、４０
７、４１０、４１３、４１６、４１９は、鏡筒４０１に
支持されている。
【０１１６】ガス供給口６２からの気体は、各支持台に
設けられた通気口４１８、４１５、４１２、４０９、４
０６を順次経由して、ガス排出口６３から排出される。
投影光学ユニット１３内のガス流路の概念を図４中に矢
印で示す。投影光学ユニット１３内の光学素子間を順次
経由する流路を備えることで、投影光学ユニット１３内
の光学素子間の雰囲気を効率よくガス置換することがで
きる。
設けられた通気口４１８、４１５、４１２、４０９、４
０６を順次経由して、ガス排出口６３から排出される。
投影光学ユニット１３内のガス流路の概念を図４中に矢
印で示す。投影光学ユニット１３内の光学素子間を順次
経由する流路を備えることで、投影光学ユニット１３内
の光学素子間の雰囲気を効率よくガス置換することがで
きる。
【０１１７】なお、本実施例においては、ガス排出口６
３から排出されるガスをチャンバー２６内に直接流して
いるが、これに限られるものではない。ガラス５（図１
〜４）からウエハ１４までの光路に配置される光学ユニ
ット、例えば筐体６（図１、図４）などにガス排出口６
３からのガスを導き、筐体６内を経由後、チャンバー２
６内に排出してもよい。または、ガス排出口６３から排
出されるガスを直接回収しても良い。
３から排出されるガスをチャンバー２６内に直接流して
いるが、これに限られるものではない。ガラス５（図１
〜４）からウエハ１４までの光路に配置される光学ユニ
ット、例えば筐体６（図１、図４）などにガス排出口６
３からのガスを導き、筐体６内を経由後、チャンバー２
６内に排出してもよい。または、ガス排出口６３から排
出されるガスを直接回収しても良い。
【０１１８】また、本実施例においては、投影光学ユニ
ット１３は、屈折型光学ユニットを用いているが、他に
反射屈折型光学ユニットあるいは反射型光学ユニットを
用いてもよい。
ット１３は、屈折型光学ユニットを用いているが、他に
反射屈折型光学ユニットあるいは反射型光学ユニットを
用いてもよい。
【０１１９】上述のガスの循環方法は、露光中における
投影光学ユニット１３内の気体の置換方法である。しか
し、露光前は、投影光学ユニット１３内の雰囲気は大気
であるので、単に気体を流すだけでは、光路中の酸素濃
度が低下するまでに時間がかかる。
投影光学ユニット１３内の気体の置換方法である。しか
し、露光前は、投影光学ユニット１３内の雰囲気は大気
であるので、単に気体を流すだけでは、光路中の酸素濃
度が低下するまでに時間がかかる。
【０１２０】そこで、本発明では、投影光学ユニット１
３内に不活性ガスを供給する前に、一度または複数回に
分けて投影光学ユニット１３内の真空引きを行い、内部
に最初に存在していた大気を排出する。
３内に不活性ガスを供給する前に、一度または複数回に
分けて投影光学ユニット１３内の真空引きを行い、内部
に最初に存在していた大気を排出する。
【０１２１】ここで、投影光学ユニット１３が真空引き
されたときに、投影光学ユニット１３の内外の圧力差に
よって投影光学ユニット１３が変形すると、投影光学ユ
ニットのレンズの位置がずれてしまい、望ましくない。
されたときに、投影光学ユニット１３の内外の圧力差に
よって投影光学ユニット１３が変形すると、投影光学ユ
ニットのレンズの位置がずれてしまい、望ましくない。
【０１２２】そこで、本発明では、投影光学ユニット１
３の内外の圧力差を減少させるため、投影光学ユニット
１３をさらに密閉容器で囲んでいる。そして、投影光学
ユニット１３内の真空引きを行うときに、密閉容器の内
部も投影光学ユニット１３内の圧力と同じ程度の圧力に
なるように制御する。これによって、投影光学ユニット
１３の内外の圧力差を減少させ、投影光学ユニット１３
の真空引きの際の変形を抑えることができる。
３の内外の圧力差を減少させるため、投影光学ユニット
１３をさらに密閉容器で囲んでいる。そして、投影光学
ユニット１３内の真空引きを行うときに、密閉容器の内
部も投影光学ユニット１３内の圧力と同じ程度の圧力に
なるように制御する。これによって、投影光学ユニット
１３の内外の圧力差を減少させ、投影光学ユニット１３
の真空引きの際の変形を抑えることができる。
【０１２３】図６を用いて、上記の密閉容器の説明を行
う。同図において、密閉容器１５１は、投影光学ユニッ
ト１３を囲んでいる。真空ポンプ１５３は、密閉容器１
５１内の気体を強制排気し、密閉容器１０１の真空引き
を行う。
う。同図において、密閉容器１５１は、投影光学ユニッ
ト１３を囲んでいる。真空ポンプ１５３は、密閉容器１
５１内の気体を強制排気し、密閉容器１０１の真空引き
を行う。
【０１２４】通気孔１５５は、投影光学ユニット１３の
内部の雰囲気と密閉容器１５１内の雰囲気とを連通して
いる。真空ポンプ１５３が投影光学ユニット１３の気体
を強制排気すると、投影光学ユニット１３内部が減圧雰
囲気となり、密閉容器１５１内の気体が通気孔１５５を
通じて投影光学ユニット１３を介して排出される。これ
により、投影光学ユニット１３内および密閉容器１５１
内を真空引きすると共に、投影光学ユニット１３内部の
圧力と密閉容器１５１内の圧力をほぼ同程度のものとす
ることができる。
内部の雰囲気と密閉容器１５１内の雰囲気とを連通して
いる。真空ポンプ１５３が投影光学ユニット１３の気体
を強制排気すると、投影光学ユニット１３内部が減圧雰
囲気となり、密閉容器１５１内の気体が通気孔１５５を
通じて投影光学ユニット１３を介して排出される。これ
により、投影光学ユニット１３内および密閉容器１５１
内を真空引きすると共に、投影光学ユニット１３内部の
圧力と密閉容器１５１内の圧力をほぼ同程度のものとす
ることができる。
【０１２５】上記の構成により、投影光学ユニット１３
内の真空引きを行うと共に、投影光学ユニット１３の内
外の圧力差を減少させることができる。これにより、真
空引きした際の投影光学ユニット１３の変形を軽減する
ことができる。
内の真空引きを行うと共に、投影光学ユニット１３の内
外の圧力差を減少させることができる。これにより、真
空引きした際の投影光学ユニット１３の変形を軽減する
ことができる。
【０１２６】なお、密閉容器１５１は、前述のチャンバ
ー２６または外筒２４等と兼用するようにしても良い。
ー２６または外筒２４等と兼用するようにしても良い。
【０１２７】ここで、密閉容器１５１を真空引きする
と、密閉容器１５１の内外で圧力差が生じ、変形するお
それがある。密閉容器１５１が、投影光学ユニット１３
を支持しているとすると、この密閉容器１５１の変形が
投影光学ユニット１３に伝達されることは望ましくな
い。そこで、本発明では、密閉容器１５１と投影光学ユ
ニットとの間に変位を発生する変位機構を設けている。
と、密閉容器１５１の内外で圧力差が生じ、変形するお
それがある。密閉容器１５１が、投影光学ユニット１３
を支持しているとすると、この密閉容器１５１の変形が
投影光学ユニット１３に伝達されることは望ましくな
い。そこで、本発明では、密閉容器１５１と投影光学ユ
ニットとの間に変位を発生する変位機構を設けている。
【０１２８】変位機構１５７Ａ、１５７Ｂは、密閉容器
１５１が、変形したときに、その変形が投影光学ユニッ
ト１３に伝達されないように、密閉容器１５１の変形に
応じて密閉容器１５１と投影光学ユニット１３との間で
変位を発生させる。外部に設けられた基準部材１１１を
投影光学ユニット１３の位置決めの基準とし、投影光学
ユニット１３と基準部材１１１との距離を干渉計１６３
によって検出する。干渉計１６３により検出された位置
情報の基づいて、変位機構１５７Ａ、１５７Ｂを制御す
る。
１５１が、変形したときに、その変形が投影光学ユニッ
ト１３に伝達されないように、密閉容器１５１の変形に
応じて密閉容器１５１と投影光学ユニット１３との間で
変位を発生させる。外部に設けられた基準部材１１１を
投影光学ユニット１３の位置決めの基準とし、投影光学
ユニット１３と基準部材１１１との距離を干渉計１６３
によって検出する。干渉計１６３により検出された位置
情報の基づいて、変位機構１５７Ａ、１５７Ｂを制御す
る。
【０１２９】なお、変位機構１５７Ａ、１５７Ｂは、投
影光学ユニット１３を６軸方向に制御できることが望ま
しい。また、変位機構１５７Ａ、１５７Ｂは、密閉容器
１５１に対する投影光学ユニット１３の支持も行ってよ
い。また、変位機構１５７Ａ、１５７Ｂは、非接触で変
位を与えられるものが望ましい。
影光学ユニット１３を６軸方向に制御できることが望ま
しい。また、変位機構１５７Ａ、１５７Ｂは、密閉容器
１５１に対する投影光学ユニット１３の支持も行ってよ
い。また、変位機構１５７Ａ、１５７Ｂは、非接触で変
位を与えられるものが望ましい。
【０１３０】また、密閉容器１５１は、露光の際に露光
光を通す必要がある。そこで、本発明では、密閉容器１
５１に透過窓１６５Ａ、１６５Ｂを設けている。透過窓
１６５Ａ、１６５Ｂは、密閉容器１５１内の密閉性を確
保するように保持されるとともに、密閉容器１５１の内
外に圧力差があっても耐えられる構造となっている。ま
た、密閉容器１５１の変形を考慮して、後述の図７のよ
うに、透過窓をベローズで保持して、アクチュエータで
移動可能としてもよい。なお、透過窓１６５Ａ、１６５
Ｂは、フッ素化合物からなるガラス材で、具体的には蛍
石（CaF２）、フッ化マグネシウム（MgF２）、フッ化バ
リウム（BaF２）、SrF２、フッ素ドープ石英のいずれを
使用しても良い。これらのガラス材は、１５７ｎｍ以下
の波長の光に対して高い透過率を示すものである。ま
た、本実施例においては、透過窓１６５Ａ、１６５Ｂ
は、平行平面板を用いているが、これに限られるもので
はなく、レンズ、プリズム、膜など他の透過素子であっ
ても良い。
光を通す必要がある。そこで、本発明では、密閉容器１
５１に透過窓１６５Ａ、１６５Ｂを設けている。透過窓
１６５Ａ、１６５Ｂは、密閉容器１５１内の密閉性を確
保するように保持されるとともに、密閉容器１５１の内
外に圧力差があっても耐えられる構造となっている。ま
た、密閉容器１５１の変形を考慮して、後述の図７のよ
うに、透過窓をベローズで保持して、アクチュエータで
移動可能としてもよい。なお、透過窓１６５Ａ、１６５
Ｂは、フッ素化合物からなるガラス材で、具体的には蛍
石（CaF２）、フッ化マグネシウム（MgF２）、フッ化バ
リウム（BaF２）、SrF２、フッ素ドープ石英のいずれを
使用しても良い。これらのガラス材は、１５７ｎｍ以下
の波長の光に対して高い透過率を示すものである。ま
た、本実施例においては、透過窓１６５Ａ、１６５Ｂ
は、平行平面板を用いているが、これに限られるもので
はなく、レンズ、プリズム、膜など他の透過素子であっ
ても良い。
【０１３１】上記のように投影光学ユニット１３内の真
空引きを行い、投影光学ユニット１３内に最初に存在し
ていた大気を排出した後は、前述した通り、ガス供給口
６２に不活性ガスを供給し、投影光学ユニット１３内の
雰囲気を循環させる。このときは、通気孔１５５は閉じ
られ、図５で述べたガスの経路が確保されるようにす
る。
空引きを行い、投影光学ユニット１３内に最初に存在し
ていた大気を排出した後は、前述した通り、ガス供給口
６２に不活性ガスを供給し、投影光学ユニット１３内の
雰囲気を循環させる。このときは、通気孔１５５は閉じ
られ、図５で述べたガスの経路が確保されるようにす
る。
【０１３２】なお、図６では、通気孔１５５により、密
閉容器１５１内と投影光学ユニット１３内との圧力差を
軽減していた。しかし、圧力差を軽減するための手段は
これに限られるものではない。例えば、図４の場合と同
様に、密閉容器１５１と投影光学ユニット１３のそれぞ
れに真空ポンプ１５３Ａ、１５３Ｂを設け、それぞれの
内部圧力を計測して計測結果に基づいて、それぞれの真
空ポンプを制御しても良い。または、前述の図３の場合
と同様に、密閉容器に真空ポンプを設け、投影光学ユニ
ットと密閉容器の間に通気孔を設けるようにしても良
い。
閉容器１５１内と投影光学ユニット１３内との圧力差を
軽減していた。しかし、圧力差を軽減するための手段は
これに限られるものではない。例えば、図４の場合と同
様に、密閉容器１５１と投影光学ユニット１３のそれぞ
れに真空ポンプ１５３Ａ、１５３Ｂを設け、それぞれの
内部圧力を計測して計測結果に基づいて、それぞれの真
空ポンプを制御しても良い。または、前述の図３の場合
と同様に、密閉容器に真空ポンプを設け、投影光学ユニ
ットと密閉容器の間に通気孔を設けるようにしても良
い。
【０１３３】また、図６において、露光時の投影光学ユ
ニット１３の圧力が、外部の圧力とほぼ同じ場合、密閉
容器１５１の密閉性を保つ必要はなくなる。このような
場合は、密閉容器１５１に設けられる透過窓１６５Ａ、
１６５Ｂは特に必要はなく、例えば真空引き時に閉じら
れる開閉扉であっても良い。
ニット１３の圧力が、外部の圧力とほぼ同じ場合、密閉
容器１５１の密閉性を保つ必要はなくなる。このような
場合は、密閉容器１５１に設けられる透過窓１６５Ａ、
１６５Ｂは特に必要はなく、例えば真空引き時に閉じら
れる開閉扉であっても良い。
【０１３４】また、図６において、露光時は投影光学ユ
ニット１３内の不活性ガスの純度は特に高める必要があ
る。そのため、露光時の投影光学ユニット１３内の圧力
を陽圧としても良い。これにより、投影光学ユニット１
３の外部から流入するガスを防ぎ、投影光学ユニット３
の内部の不活性ガスの純度を維持することができる。こ
の際、密閉容器１５１内部の雰囲気も不活性ガスの雰囲
気とすれば、密閉容器１５１から投影光学ユニット１３
内にガスが流入しても、投影光学ユニット１３内のガス
の純度の低下を軽減することができる。そのため、密閉
容器１５１に不活性ガスの供給口や排出口を設けること
が望ましい。
ニット１３内の不活性ガスの純度は特に高める必要があ
る。そのため、露光時の投影光学ユニット１３内の圧力
を陽圧としても良い。これにより、投影光学ユニット１
３の外部から流入するガスを防ぎ、投影光学ユニット３
の内部の不活性ガスの純度を維持することができる。こ
の際、密閉容器１５１内部の雰囲気も不活性ガスの雰囲
気とすれば、密閉容器１５１から投影光学ユニット１３
内にガスが流入しても、投影光学ユニット１３内のガス
の純度の低下を軽減することができる。そのため、密閉
容器１５１に不活性ガスの供給口や排出口を設けること
が望ましい。
【０１３５】なお、上記のように、密閉容器１５１内を
不活性ガスで満たすとしても、投影光学ユニット１３の
内部ほどの純度が望まれるわけではない。例えば、投影
光学ユニット１３内、密閉容器１５１内、密閉容器外
部、の順に純度を高くするようにしても良い。
不活性ガスで満たすとしても、投影光学ユニット１３の
内部ほどの純度が望まれるわけではない。例えば、投影
光学ユニット１３内、密閉容器１５１内、密閉容器外
部、の順に純度を高くするようにしても良い。
【０１３６】また、上記のように、投影光学ユニット１
３内の圧力を陽圧とする場合、例えば、投影光学ユニッ
ト１３内、密閉容器１０１内、密閉容器外部、の順に圧
力を高くするように制御しても良い。
３内の圧力を陽圧とする場合、例えば、投影光学ユニッ
ト１３内、密閉容器１０１内、密閉容器外部、の順に圧
力を高くするように制御しても良い。
【０１３７】なお、投影光学ユニット１３内を複数回に
分けて真空引きする場合、真空引き工程の間に、投影光
学ユニット１３内を不活性ガスで満たす工程があること
が望ましい。複数回に分けて真空引きすることにより、
各真空引き工程時の内外圧力差を軽減させ、変形を軽減
することができる。また、短時間で酸素濃度を十分に下
げることができる。
分けて真空引きする場合、真空引き工程の間に、投影光
学ユニット１３内を不活性ガスで満たす工程があること
が望ましい。複数回に分けて真空引きすることにより、
各真空引き工程時の内外圧力差を軽減させ、変形を軽減
することができる。また、短時間で酸素濃度を十分に下
げることができる。
【０１３８】次に、図７を用いて、投影光学ユニットを
覆う密閉容器の変形例の説明を行なう。同図において、
図６と同じ要素については同じ番号を付け、説明を省略
する。
覆う密閉容器の変形例の説明を行なう。同図において、
図６と同じ要素については同じ番号を付け、説明を省略
する。
【０１３９】同図において、投影光学ユニット１３は、
鏡筒定盤２２に支持されている。また、密閉容器１５１
Ａは、投影光学ユニット１３の鏡筒定盤２２より上側を
覆っている。また、密閉容器１５１Ｂは、投影光学ユニ
ット１３の鏡筒定盤２２より下側を覆っている。図には
示されていないが、密閉容器１５１Ａ内部の空間と密閉
容器１５１Ｂ内部の空間は、連通している。
鏡筒定盤２２に支持されている。また、密閉容器１５１
Ａは、投影光学ユニット１３の鏡筒定盤２２より上側を
覆っている。また、密閉容器１５１Ｂは、投影光学ユニ
ット１３の鏡筒定盤２２より下側を覆っている。図には
示されていないが、密閉容器１５１Ａ内部の空間と密閉
容器１５１Ｂ内部の空間は、連通している。
【０１４０】真空ポンプ１５３Ａは、密閉容器１５１
Ａ、１５１Ｂと投影光学ユニット１３との間の空間を真
空引きする。また、真空ポンプ１５３Ｂは、投影光学ユ
ニット１３内の気体を真空引きする。これにより、投影
光学ユニット１３の内部の圧力と密閉容器１５１内の圧
力をほぼ同程度のものとすることは、前述の場合と同様
である。なお、通気孔を設け、いずれかに真空ポンプを
設けても良いのも、前述の場合と同様である。
Ａ、１５１Ｂと投影光学ユニット１３との間の空間を真
空引きする。また、真空ポンプ１５３Ｂは、投影光学ユ
ニット１３内の気体を真空引きする。これにより、投影
光学ユニット１３の内部の圧力と密閉容器１５１内の圧
力をほぼ同程度のものとすることは、前述の場合と同様
である。なお、通気孔を設け、いずれかに真空ポンプを
設けても良いのも、前述の場合と同様である。
【０１４１】ここで、密閉容器１５１Ａ、１５１Ｂを真
空引きすると、密閉容器１５１Ａ、１５１Ｂの内外で圧
力差が生じ、変形するおそれがある。この密閉容器１５
１Ａ、１５１Ｂの変形の影響が投影光学ユニット１３に
伝達されることは望ましくない。
空引きすると、密閉容器１５１Ａ、１５１Ｂの内外で圧
力差が生じ、変形するおそれがある。この密閉容器１５
１Ａ、１５１Ｂの変形の影響が投影光学ユニット１３に
伝達されることは望ましくない。
【０１４２】そこで、図７の例では、密閉容器１５１Ａ
と鏡筒定盤２２は、可動体であるステンレス製ベローズ
１６７Ａを介して密閉性を保って連結されている。同様
に、密閉容器１５１Ｂは、可動体であるステンレス製ベ
ローズ１６７Ｂを介して密閉性を保って連結されてい
る。これにより、密閉容器１５１Ａ、１５１Ｂの内外の
圧力差により、密閉容器１５１Ａ、１５１Ｂが変形して
も、変形の影響が鏡筒定盤に伝わらないようになってい
る。従って、密閉容器１５１Ａ、１５１Ｂの変形の影響
が投影光学ユニット１３に伝わることはない。なお、鏡
筒定盤２２は、密閉容器１５１Ａ、１５１Ｂの内部を減
圧にしても、変形は起きにくい。よって、密閉容器１５
１Ａ、１５１Ｂ内部を真空引きしたとしても、投影光学
ユニット１３が受ける変形の影響は軽減される。
と鏡筒定盤２２は、可動体であるステンレス製ベローズ
１６７Ａを介して密閉性を保って連結されている。同様
に、密閉容器１５１Ｂは、可動体であるステンレス製ベ
ローズ１６７Ｂを介して密閉性を保って連結されてい
る。これにより、密閉容器１５１Ａ、１５１Ｂの内外の
圧力差により、密閉容器１５１Ａ、１５１Ｂが変形して
も、変形の影響が鏡筒定盤に伝わらないようになってい
る。従って、密閉容器１５１Ａ、１５１Ｂの変形の影響
が投影光学ユニット１３に伝わることはない。なお、鏡
筒定盤２２は、密閉容器１５１Ａ、１５１Ｂの内部を減
圧にしても、変形は起きにくい。よって、密閉容器１５
１Ａ、１５１Ｂ内部を真空引きしたとしても、投影光学
ユニット１３が受ける変形の影響は軽減される。
【０１４３】なお、密閉容器１５１Ａ、１５１Ｂの変形
により、密閉容器に設けられた透過窓１６５Ａ、１６５
Ｂが歪んだり、位置ずれを起こしたりするおそれがあ
る。そこで、透過窓１６５Ａ、１６５Ｂは、ベローズ
（可動体）１６９Ａ、１６９Ｂでそれぞれ密閉容器１５
１Ａ、１５１Ｂに対して移動可能に保持され、アクチュ
エータ（不図示）により密閉容器に対して移動可能とな
っている。密閉容器１５１Ａ、１５１Ｂが変形を起こし
たときは、アクチュエータによって透過窓１６５Ａ、１
６５Ｂを投影光学ユニット１３に対して所定の位置関係
になるように位置決めする。なお、透過窓１６５Ａ、１
６５Ｂの保持は、ベローズに限るものではなく、透過窓
１６５Ａ、１６５Ｂを密閉容器１５１Ａ、１５１Ｂに対
して移動可能に保持し、密閉容器内の気密性を保てるも
のであればなんでも良い。
により、密閉容器に設けられた透過窓１６５Ａ、１６５
Ｂが歪んだり、位置ずれを起こしたりするおそれがあ
る。そこで、透過窓１６５Ａ、１６５Ｂは、ベローズ
（可動体）１６９Ａ、１６９Ｂでそれぞれ密閉容器１５
１Ａ、１５１Ｂに対して移動可能に保持され、アクチュ
エータ（不図示）により密閉容器に対して移動可能とな
っている。密閉容器１５１Ａ、１５１Ｂが変形を起こし
たときは、アクチュエータによって透過窓１６５Ａ、１
６５Ｂを投影光学ユニット１３に対して所定の位置関係
になるように位置決めする。なお、透過窓１６５Ａ、１
６５Ｂの保持は、ベローズに限るものではなく、透過窓
１６５Ａ、１６５Ｂを密閉容器１５１Ａ、１５１Ｂに対
して移動可能に保持し、密閉容器内の気密性を保てるも
のであればなんでも良い。
【０１４４】なお、透過窓１６５Ａ、１６５Ｂの代わり
に、前述の開閉扉を設ける場合は、上記のベローズ１６
９Ａ、１６９Ｂが必要でないことは言うまでもない。
に、前述の開閉扉を設ける場合は、上記のベローズ１６
９Ａ、１６９Ｂが必要でないことは言うまでもない。
【０１４５】再び、図１に戻り、説明を続ける。
【０１４６】ガス排出口６０、６３からチャンバー２６
内に排出されたガスは、チャンバー２６の循環出口７０
から排出され、配管７１を介して、気体循環ユニット７
２の導入口７３に導かれる。気体循環ユニット７２内で
所定の流量に配分されたガスは、気体循環ユニット７２
の分配口７４a、７４b、７４c、７４dからそれぞれ排出
される。
内に排出されたガスは、チャンバー２６の循環出口７０
から排出され、配管７１を介して、気体循環ユニット７
２の導入口７３に導かれる。気体循環ユニット７２内で
所定の流量に配分されたガスは、気体循環ユニット７２
の分配口７４a、７４b、７４c、７４dからそれぞれ排出
される。
【０１４７】分配口７４aから排出されたガスは、配管
７５aを介して、チャンバー２６内のほぼ全体のガスを
ダウンフローにさせるダウンフローダクト７６に導か
れ、ダウンフローダクト７６内のULPAフィルター７６'
を介してチャンバー２６内に吹き出される。
７５aを介して、チャンバー２６内のほぼ全体のガスを
ダウンフローにさせるダウンフローダクト７６に導か
れ、ダウンフローダクト７６内のULPAフィルター７６'
を介してチャンバー２６内に吹き出される。
【０１４８】分配口７４ｂから排出されたガスは、配管
７５ｂを介して、部分ダクト２５に導かれ、前述のごと
くレチクル８及び干渉計光路１２'近傍の空間に吹きつ
けられる。
７５ｂを介して、部分ダクト２５に導かれ、前述のごと
くレチクル８及び干渉計光路１２'近傍の空間に吹きつ
けられる。
【０１４９】分配口７４cから排出されたガスは、配管
７５cを介して、外筒２４の気体導入口４１に導かれ、
投影光学ユニット１３と外筒２４との間の空間を経由し
た後、外筒２４の開口部２４'からチャンバー２６内に
排出される。
７５cを介して、外筒２４の気体導入口４１に導かれ、
投影光学ユニット１３と外筒２４との間の空間を経由し
た後、外筒２４の開口部２４'からチャンバー２６内に
排出される。
【０１５０】分配口７４dから排出されたガスは、配管
７５dを介して、部分ダクト２３に導かれ、前述のごと
くウエハ１４及び干渉計光路１８'近傍の空間に吹きつ
けられる。
７５dを介して、部分ダクト２３に導かれ、前述のごと
くウエハ１４及び干渉計光路１８'近傍の空間に吹きつ
けられる。
【０１５１】なお、不図示であるが、気体循環ユニット
７２内部では、導入口からのガス中の不純物を取り除く
ためのケミカルフィルタが備えられている。
７２内部では、導入口からのガス中の不純物を取り除く
ためのケミカルフィルタが備えられている。
【０１５２】また、気体循環ユニット７２内部には、不
図示の温調装置が設けられている。温調装置は、露光装
置内部に設けられた温度計７７ａ〜７７ｄの検出結果に
基づき、制御装置７８の指令により所定温度に制御す
る。
図示の温調装置が設けられている。温調装置は、露光装
置内部に設けられた温度計７７ａ〜７７ｄの検出結果に
基づき、制御装置７８の指令により所定温度に制御す
る。
【０１５３】なお、前述のガス供給源５７からのガス
は、予めガス供給源５７内で所定温度に制御されてもよ
いし、配管５８、６１が上述のごとく温度制御された空
間を経由してガス供給口５９、６２に到達する間に所定
温度になるよう配管経路を決定してもよい。
は、予めガス供給源５７内で所定温度に制御されてもよ
いし、配管５８、６１が上述のごとく温度制御された空
間を経由してガス供給口５９、６２に到達する間に所定
温度になるよう配管経路を決定してもよい。
【０１５４】図１において、高圧ガス供給装置７９は、
チャンバー２６内のガスの一部を配管８０にて回収し、
所定のガス圧力に上昇させた後、配管８１aを介してウ
エハーステージ１５の気体軸受（不図示）へ、配管８１
bを介してレチクルステージ９の気体軸受（不図示）
へ、そして配管８１cを介してマスキングブレード３０
１（図４）の気体軸受（不図示）へそれぞれ供給する。
チャンバー２６内のパージガスである不活性ガスを気体
軸受の作動流体として用いることで、チャンバー２６内
の環境は、所定の状態に維持することができる。
チャンバー２６内のガスの一部を配管８０にて回収し、
所定のガス圧力に上昇させた後、配管８１aを介してウ
エハーステージ１５の気体軸受（不図示）へ、配管８１
bを介してレチクルステージ９の気体軸受（不図示）
へ、そして配管８１cを介してマスキングブレード３０
１（図４）の気体軸受（不図示）へそれぞれ供給する。
チャンバー２６内のパージガスである不活性ガスを気体
軸受の作動流体として用いることで、チャンバー２６内
の環境は、所定の状態に維持することができる。
【０１５５】次に、図８を用いて高圧ガス供給装置７９
の内部概略構成を以下に述べる。
の内部概略構成を以下に述べる。
【０１５６】配管８０からのガスの圧力を圧力ゲージ７
０１で検出し、制御装置７８（図１）でコントロールバ
ルブ７０２を制御することで、所定流量に制御する。コ
ントロールバルブで所定の流量に制御されたガスは、回
収ポンプ７０３を通って、バッファータンク７０４によ
りガスが貯められ、そして圧縮機７０５にて所定圧力に
加圧され、配管８１a〜８１cに流される。また、圧力ゲ
ージ７０１とコントロールバルブ７０２の間でガス流路
は分岐され、排気ポンプ７０６にて排気される。この排
気量は、バッファータンク７０４に設けた圧力ゲージ７
０７の検出結果に応じて、排気の必要が生じた時に、マ
スフローコントローラ７０８によって制御される。な
お、マスフローコントローラ７０８は、圧力ゲージ７０
７の検出結果により、制御装置７８（図１）によって、
制御される。
０１で検出し、制御装置７８（図１）でコントロールバ
ルブ７０２を制御することで、所定流量に制御する。コ
ントロールバルブで所定の流量に制御されたガスは、回
収ポンプ７０３を通って、バッファータンク７０４によ
りガスが貯められ、そして圧縮機７０５にて所定圧力に
加圧され、配管８１a〜８１cに流される。また、圧力ゲ
ージ７０１とコントロールバルブ７０２の間でガス流路
は分岐され、排気ポンプ７０６にて排気される。この排
気量は、バッファータンク７０４に設けた圧力ゲージ７
０７の検出結果に応じて、排気の必要が生じた時に、マ
スフローコントローラ７０８によって制御される。な
お、マスフローコントローラ７０８は、圧力ゲージ７０
７の検出結果により、制御装置７８（図１）によって、
制御される。
【０１５７】上記構成によれば、チャンバー２６内の気
圧は、常に一定の圧力に制御することが可能である。こ
れにより、気圧変動の影響を受けやすい光学特性、例え
ば投影光学ユニット１３（図１）の性能の維持を可能に
する。
圧は、常に一定の圧力に制御することが可能である。こ
れにより、気圧変動の影響を受けやすい光学特性、例え
ば投影光学ユニット１３（図１）の性能の維持を可能に
する。
【０１５８】また、チャンバー２６内の気圧と外気圧と
の相対圧力差を所定の値に維持することも可能である。
この場合は、圧力ゲージ７０１を差圧計にして、配管８
０内（つまりチャンバー２６内）の圧力と外気との圧力
差を検出することで達成できる。
の相対圧力差を所定の値に維持することも可能である。
この場合は、圧力ゲージ７０１を差圧計にして、配管８
０内（つまりチャンバー２６内）の圧力と外気との圧力
差を検出することで達成できる。
【０１５９】さらに、チャンバー２６内とチャンバー４
内の相対気圧差を所定の値に維持することも可能であ
る。この場合は、上述の差圧計で配管８０内（つまりチ
ャンバー２６内）とチャンバー４内の相対気圧差を検出
することで達成できる。
内の相対気圧差を所定の値に維持することも可能であ
る。この場合は、上述の差圧計で配管８０内（つまりチ
ャンバー２６内）とチャンバー４内の相対気圧差を検出
することで達成できる。
【０１６０】また、チャンバー２６に前述の密閉容器１
０１や密閉容器１５１の機能を持たせても良い。
０１や密閉容器１５１の機能を持たせても良い。
【０１６１】図１において、ガス供給源５７からのガス
は、配管８２を介して、ウエハ用のロードロック室３６
に供給され、内部を置換しながら配管８３を介して排気
機構８６に排気される。同様に、ガス供給源５７のガス
は配管８４を介してレチクル用のロードロック室３１に
供給され、内部を置換しながら配管８５を介して排気機
構８６に排気される。
は、配管８２を介して、ウエハ用のロードロック室３６
に供給され、内部を置換しながら配管８３を介して排気
機構８６に排気される。同様に、ガス供給源５７のガス
は配管８４を介してレチクル用のロードロック室３１に
供給され、内部を置換しながら配管８５を介して排気機
構８６に排気される。
【０１６２】なお、ガス供給のタイミングについては、
ゲートバルブ３２もしくは３７が開けられ、レチクルや
ウエハが支持台３４、３９に載置された後、ゲートバル
ブ３２，３７が閉じられ、その後、ガス供給源に備えら
れたバルブ（不図示）と排気機構８６内に備えられたバ
ルブ（不図示）とを制御装置７８の指令によって開放し
ておこなわれる。
ゲートバルブ３２もしくは３７が開けられ、レチクルや
ウエハが支持台３４、３９に載置された後、ゲートバル
ブ３２，３７が閉じられ、その後、ガス供給源に備えら
れたバルブ（不図示）と排気機構８６内に備えられたバ
ルブ（不図示）とを制御装置７８の指令によって開放し
ておこなわれる。
【０１６３】ロードロック室３１、３６内が所定の状態
になったら制御装置７８の指令によりバルブを閉じてガ
ス供給を停止する。更に、ゲートバルブ３３及び３８を
開け、搬送手段３５及び４０によりレチクル８及びウエ
ハ１４が装置内に搬入される。
になったら制御装置７８の指令によりバルブを閉じてガ
ス供給を停止する。更に、ゲートバルブ３３及び３８を
開け、搬送手段３５及び４０によりレチクル８及びウエ
ハ１４が装置内に搬入される。
【０１６４】レチクル８もしくはウエハ１４を装置外に
搬出する場合は、ゲートバルブ３２，３３，３７，３８
が閉じられた状態でガス供給が開始され、各々のロード
ロック室内が所定の状態に達した所でガス供給を停止す
る。次にゲートバルブ３３、３８を開け、搬送手段３
５、４０にてレチクル８及びウエハ１４を装置から搬出
し、ロードロック室３１、３９内の支持台３４、３９に
載置する。載置後、ゲートバルブ３３，３８は閉じら
れ、今度はゲートバルブ３２、３７を開けてレチクル
８、ウエハ１４を不図示の手段で取出す。
搬出する場合は、ゲートバルブ３２，３３，３７，３８
が閉じられた状態でガス供給が開始され、各々のロード
ロック室内が所定の状態に達した所でガス供給を停止す
る。次にゲートバルブ３３、３８を開け、搬送手段３
５、４０にてレチクル８及びウエハ１４を装置から搬出
し、ロードロック室３１、３９内の支持台３４、３９に
載置する。載置後、ゲートバルブ３３，３８は閉じら
れ、今度はゲートバルブ３２、３７を開けてレチクル
８、ウエハ１４を不図示の手段で取出す。
【０１６５】上記説明においては、レチクル８とウエハ
１４の装置への搬入及び搬出を同時に述べたが、レチク
ル８とウエハ１４の搬入、搬出を個別に行ってもよいの
は言うまでもない。
１４の装置への搬入及び搬出を同時に述べたが、レチク
ル８とウエハ１４の搬入、搬出を個別に行ってもよいの
は言うまでもない。
【０１６６】またロードロック室３１、３６をガス置換
するのは、ゲートバルブ３３，３８を開けた時に、チャ
ンバー２６内の環境に影響を与えないようにするための
ものであって、これは周知の通りである。
するのは、ゲートバルブ３３，３８を開けた時に、チャ
ンバー２６内の環境に影響を与えないようにするための
ものであって、これは周知の通りである。
【０１６７】さらに、レチクル８のパターン面へのゴミ
の付着防止の目的でペリクル（不図示）を使用する場
合、レチクル８とペリクルとペリクルを支持するための
ペリクルフレーム（不図示）とで囲まれた空間もパージ
ガス置換するのが望ましく、均圧孔付ペリクルフレーム
（ペリクルフレーム内外を連通させる通気孔付）を使用
するのが望ましい。
の付着防止の目的でペリクル（不図示）を使用する場
合、レチクル８とペリクルとペリクルを支持するための
ペリクルフレーム（不図示）とで囲まれた空間もパージ
ガス置換するのが望ましく、均圧孔付ペリクルフレーム
（ペリクルフレーム内外を連通させる通気孔付）を使用
するのが望ましい。
【０１６８】排気口８７は、チャンバー２６内のガスを
排気するための排気口である。
排気するための排気口である。
【０１６９】装置の運転を開始する際、チャンバー２６
内部及び気体循環ユニット７２内は大気状態である。
内部及び気体循環ユニット７２内は大気状態である。
【０１７０】従って、装置立上げ時は、ガス供給源５７
から投影光学ユニット１３及び筐体６へのガス供給を開
始するとともに、排気口８７から配管８８を介して、排
気機構８６への排気も行う。この排気動作のＯＮ／ＯＦ
Ｆは、排気手段８６内に備えたバルブ（不図示）を、制
御装置７８で制御することで行う。
から投影光学ユニット１３及び筐体６へのガス供給を開
始するとともに、排気口８７から配管８８を介して、排
気機構８６への排気も行う。この排気動作のＯＮ／ＯＦ
Ｆは、排気手段８６内に備えたバルブ（不図示）を、制
御装置７８で制御することで行う。
【０１７１】チャンバー２６内及びこの循環ユニットが
所定の置換状態に達したら、排気口８７からの排気を停
止し、露光動作可能状態になる。
所定の置換状態に達したら、排気口８７からの排気を停
止し、露光動作可能状態になる。
【０１７２】排気口８７からの排気を停止するタイミン
グの判断は、排気開始から所定時間に達したかどうかで
制御装置７８が自動で判断して排気停止指令を送っても
よいし、チャンバー２６内もしくはその循環ユニット内
の所定箇所にガス検出計（不図示）を配置し、その検出
結果に基づき制御装置７８が自動で判断して排気停止指
令を送ってもよい。
グの判断は、排気開始から所定時間に達したかどうかで
制御装置７８が自動で判断して排気停止指令を送っても
よいし、チャンバー２６内もしくはその循環ユニット内
の所定箇所にガス検出計（不図示）を配置し、その検出
結果に基づき制御装置７８が自動で判断して排気停止指
令を送ってもよい。
【０１７３】また、装置の運転を開始する際に、チャン
バー４及び２６の置換状態をより短時間で所定状態にし
たい場合、あるいはロードロック室３１及び３６内はレ
チクルやウエハ交換毎に大気開放と置換状態を繰り返す
ものであるため、より短時間で置換を終了しスループッ
トを向上させる場合は、真空ポンプを用いて排気手段５
６、８６から大気を強制排気して、チャンバー４，２６
内およびロードロック室３１，３６内を真空にした後に
上述した方法でガスパージを行っても良い。この場合
は、チャンバー４，２６およびロードロック室３１，３
６は、真空状態時における変形が装置性能に影響しない
よう十分な剛性が必要となる。
バー４及び２６の置換状態をより短時間で所定状態にし
たい場合、あるいはロードロック室３１及び３６内はレ
チクルやウエハ交換毎に大気開放と置換状態を繰り返す
ものであるため、より短時間で置換を終了しスループッ
トを向上させる場合は、真空ポンプを用いて排気手段５
６、８６から大気を強制排気して、チャンバー４，２６
内およびロードロック室３１，３６内を真空にした後に
上述した方法でガスパージを行っても良い。この場合
は、チャンバー４，２６およびロードロック室３１，３
６は、真空状態時における変形が装置性能に影響しない
よう十分な剛性が必要となる。
【０１７４】図１の実施例においては、可動部材２７、
２８、２９を用いているため、真空時にチャンバー４、
２６の変形が生じたとしても、隣接する構成要素の変形
が直接伝わるのを防止している。
２８、２９を用いているため、真空時にチャンバー４、
２６の変形が生じたとしても、隣接する構成要素の変形
が直接伝わるのを防止している。
【０１７５】なお、チャンバー内およびロードロック室
内を真空状態にした後にガス供給するこの一連の動作
は、必要であれば複数回繰り返してもよい。真空引きを
１回のみ行ってパージする場合に比べて複数回繰り返せ
ば、チャンバー内およびロードロック室内の到達真空度
が相対的に低真空（絶対圧が高い）で済み、真空ポンプ
や真空対応部品のコストが大幅に軽減できる。本発明の
置換方法では、最後の真空引きが終わってからヘリウム
を導入することとし、その前のパージには窒素を用いる
ことが望ましい。
内を真空状態にした後にガス供給するこの一連の動作
は、必要であれば複数回繰り返してもよい。真空引きを
１回のみ行ってパージする場合に比べて複数回繰り返せ
ば、チャンバー内およびロードロック室内の到達真空度
が相対的に低真空（絶対圧が高い）で済み、真空ポンプ
や真空対応部品のコストが大幅に軽減できる。本発明の
置換方法では、最後の真空引きが終わってからヘリウム
を導入することとし、その前のパージには窒素を用いる
ことが望ましい。
【０１７６】さらに、図１の実施形態によれば、チャン
バー４内部をメンテナンス等で大気に開放する場合で
も、チャンバー２６側は、パージ状態を維持することが
可能で、その反対にチャンバー２６内部を大気開放する
場合でもチャンバー４側は、パージ状態を維持すること
が可能である。
バー４内部をメンテナンス等で大気に開放する場合で
も、チャンバー２６側は、パージ状態を維持することが
可能で、その反対にチャンバー２６内部を大気開放する
場合でもチャンバー４側は、パージ状態を維持すること
が可能である。
【０１７７】＜実施形態２＞図１４は、本発明にかかる
実施形態２を説明する図である。図１４を用いて、照明
光学ユニットを覆う密閉容器の変形例の説明を行なう。
実施形態２を説明する図である。図１４を用いて、照明
光学ユニットを覆う密閉容器の変形例の説明を行なう。
【０１７８】同図において、図３と同じ構成要素につい
ては同じ参照番号を付け、その説明は省略するものとす
る。
ては同じ参照番号を付け、その説明は省略するものとす
る。
【０１７９】同図において、照明光学ユニットを構成す
るチャンバー４及び筐体６は、照明ユニット定盤１０２
２に支持されている。また、密閉容器１０１はチャンバ
ー４及び筐体６を覆っている。
るチャンバー４及び筐体６は、照明ユニット定盤１０２
２に支持されている。また、密閉容器１０１はチャンバ
ー４及び筐体６を覆っている。
【０１８０】真空ポンプ１０３Ａは密閉容器１０１とチ
ャンバー４及び筐体６との間の内部空間の気圧を真空に
する。また、同様に真空ポンプ１０３Ｂはチャンバー４
内部の気圧を真空にし、真空ポンプ１０３Ｃは筐体６内
部の気圧を真空にする。これにより、チャンバー４及び
筐体６の内部の圧力と密閉容器１０１内部の圧力をほぼ
同程度のものとすることができる。
ャンバー４及び筐体６との間の内部空間の気圧を真空に
する。また、同様に真空ポンプ１０３Ｂはチャンバー４
内部の気圧を真空にし、真空ポンプ１０３Ｃは筐体６内
部の気圧を真空にする。これにより、チャンバー４及び
筐体６の内部の圧力と密閉容器１０１内部の圧力をほぼ
同程度のものとすることができる。
【０１８１】なお、実施形態１で説明したように、チャ
ンバー４と密閉容器１０１の間や、筐体６と密閉容器１
０１との間に通気孔を設け、いずれかに真空ポンプを設
けてるようにしてもよい。
ンバー４と密閉容器１０１の間や、筐体６と密閉容器１
０１との間に通気孔を設け、いずれかに真空ポンプを設
けてるようにしてもよい。
【０１８２】ここで、密閉容器１０１を真空引きする
と、密閉容器１０１の内側と外側で圧力差が生じ、変形
するおそれがある。この密閉容器１０１の変形の影響が
チャンバー４または筐体６に伝達されることは望ましく
ない。そこで、図１４の構成では、密閉容器１０１と照
明ユニット定盤１０２２は、可動体であるステンレス製
ベローズ１１６７を介して、圧力差により生じた変形を
吸収することにより密閉性を保って連結されている。こ
れにより、密閉容器１０１の内外の圧力差により、密閉
容器１０１が変形しても、変形の影響が定盤に伝わらな
いようになっている。従って、密閉容器１０１の変形の
影響がチャンバー４及び筐体６に伝わることはない。
と、密閉容器１０１の内側と外側で圧力差が生じ、変形
するおそれがある。この密閉容器１０１の変形の影響が
チャンバー４または筐体６に伝達されることは望ましく
ない。そこで、図１４の構成では、密閉容器１０１と照
明ユニット定盤１０２２は、可動体であるステンレス製
ベローズ１１６７を介して、圧力差により生じた変形を
吸収することにより密閉性を保って連結されている。こ
れにより、密閉容器１０１の内外の圧力差により、密閉
容器１０１が変形しても、変形の影響が定盤に伝わらな
いようになっている。従って、密閉容器１０１の変形の
影響がチャンバー４及び筐体６に伝わることはない。
【０１８３】なお、照明ユニット定盤１０２２は、密閉
容器１０１の内部を減圧にしても変形は起きにくいもの
であるので、密閉容器１０１内部を真空引きしたとして
も、照明ユニット定盤１０２２がチャンバー４、筐体６
に与える変形の影響は小さい。
容器１０１の内部を減圧にしても変形は起きにくいもの
であるので、密閉容器１０１内部を真空引きしたとして
も、照明ユニット定盤１０２２がチャンバー４、筐体６
に与える変形の影響は小さい。
【０１８４】一方、密閉容器１０１の変形により、密閉
容器に設けられた透過窓１１５が歪んだり、位置ずれを
起こしたりするおそれがある。そこで、透過窓１１５
は、可動体であるベローズ１１６９によりそれぞれ密閉
容器１０１に対して移動可能に保持され、不図示のアク
チュエータにより密閉容器に対して移動可能となってい
る。密閉容器１０１が、内外の圧力差により変形を起こ
したときは、アクチュエータによって透過窓１１５を筐
体６に対して所定の位置関係になるように位置決めする
ことが可能である。
容器に設けられた透過窓１１５が歪んだり、位置ずれを
起こしたりするおそれがある。そこで、透過窓１１５
は、可動体であるベローズ１１６９によりそれぞれ密閉
容器１０１に対して移動可能に保持され、不図示のアク
チュエータにより密閉容器に対して移動可能となってい
る。密閉容器１０１が、内外の圧力差により変形を起こ
したときは、アクチュエータによって透過窓１１５を筐
体６に対して所定の位置関係になるように位置決めする
ことが可能である。
【０１８５】なお、透過窓１１５の保持は、ベローズに
限るものではなく、透過窓１１５を密閉容器１０１に対
して移動可能に保持し、密閉容器内の気密性を保つこと
が可能な部材であればよい。
限るものではなく、透過窓１１５を密閉容器１０１に対
して移動可能に保持し、密閉容器内の気密性を保つこと
が可能な部材であればよい。
【０１８６】また、透過窓１１５の代わりに、実施形態
１で説明したように真空引き時に負圧によって閉じるよ
うな開閉扉を設ける場合は、上記のベローズ１１６９は
必要でないことは言うまでもない。
１で説明したように真空引き時に負圧によって閉じるよ
うな開閉扉を設ける場合は、上記のベローズ１１６９は
必要でないことは言うまでもない。
【０１８７】また、図３に示すような基準部材１１１と
定盤１０２２が剛に接続されている場合、図３におけ
る、変位機構１０７Ａ、１０７Ｂによる位置決めは不要
となる。
定盤１０２２が剛に接続されている場合、図３におけ
る、変位機構１０７Ａ、１０７Ｂによる位置決めは不要
となる。
【０１８８】本実施形態において、チャンバー４及び筐
体６を保持する照明ユニット定盤１０２２は、前述の実
施形態の投影光学ユニット１３を保持する鏡筒定盤２２
（図７参照）と一体的に設けても良い。また、本実施形
態の密閉容器１０１は、前述の実施形態の密閉容器１５
１（図７参照）と同一の構成部材であっても良い。
体６を保持する照明ユニット定盤１０２２は、前述の実
施形態の投影光学ユニット１３を保持する鏡筒定盤２２
（図７参照）と一体的に設けても良い。また、本実施形
態の密閉容器１０１は、前述の実施形態の密閉容器１５
１（図７参照）と同一の構成部材であっても良い。
【０１８９】さらに、このようにチャンバーを密閉容器
で囲む構成は、投影光学ユニットや照明ユニットに限ら
れるものではない。例えば、ウエハステージ空間やレチ
クルステージ空間をチャンバーで囲み、このチャンバー
を密閉容器で囲む構成であっても良い。そして、その密
閉容器は、同一の構成部材であって良い。
で囲む構成は、投影光学ユニットや照明ユニットに限ら
れるものではない。例えば、ウエハステージ空間やレチ
クルステージ空間をチャンバーで囲み、このチャンバー
を密閉容器で囲む構成であっても良い。そして、その密
閉容器は、同一の構成部材であって良い。
【０１９０】＜半導体生産システムの実施例＞次に、半
導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パ
ネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の
生産システムの例を説明する。これは半導体製造工場に
設置された製造装置のトラブル対応や定期メンテナン
ス、あるいはソフトウェア提供などの保守サービスを、
製造工場外のコンピュータネットワークを利用して行う
ものである。
導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パ
ネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の
生産システムの例を説明する。これは半導体製造工場に
設置された製造装置のトラブル対応や定期メンテナン
ス、あるいはソフトウェア提供などの保守サービスを、
製造工場外のコンピュータネットワークを利用して行う
ものである。
【０１９１】図９は全体システムをある角度から切り出
して表現したものである。図中、１１０１は半導体デバ
イスの製造装置を提供するベンダー（装置供給メーカ
ー）の事業所である。製造装置の実例として、半導体製
造工場で使用する各種プロセス用の半導体製造装置、例
えば、前工程用機器（露光装置、レジスト処理装置、エ
ッチング装置等のリソグラフィ装置、熱処理装置、成膜
装置、平坦化装置等）や後工程用機器（組立て装置、検
査装置等）を想定している。事業所１１０１内には、製
造装置の保守データベースを提供するホスト管理システ
ム１１０８、複数の操作端末コンピュータ１１１０、こ
れらを結んでイントラネットを構築するローカルエリア
ネットワーク（ＬＡＮ）１１０９を備える。ホスト管理
システム１１０８は、ＬＡＮ１１０９を事業所の外部ネ
ットワークであるインターネット１１０５に接続するた
めのゲートウェイと、外部からのアクセスを制限するセ
キュリティ機能を備える。
して表現したものである。図中、１１０１は半導体デバ
イスの製造装置を提供するベンダー（装置供給メーカ
ー）の事業所である。製造装置の実例として、半導体製
造工場で使用する各種プロセス用の半導体製造装置、例
えば、前工程用機器（露光装置、レジスト処理装置、エ
ッチング装置等のリソグラフィ装置、熱処理装置、成膜
装置、平坦化装置等）や後工程用機器（組立て装置、検
査装置等）を想定している。事業所１１０１内には、製
造装置の保守データベースを提供するホスト管理システ
ム１１０８、複数の操作端末コンピュータ１１１０、こ
れらを結んでイントラネットを構築するローカルエリア
ネットワーク（ＬＡＮ）１１０９を備える。ホスト管理
システム１１０８は、ＬＡＮ１１０９を事業所の外部ネ
ットワークであるインターネット１１０５に接続するた
めのゲートウェイと、外部からのアクセスを制限するセ
キュリティ機能を備える。
【０１９２】一方、１１０２〜１１０４は、製造装置の
ユーザーとしての半導体製造メーカーの製造工場であ
る。製造工場１１０２〜１１０４は、互いに異なるメー
カーに属する工場であっても良いし、同一のメーカーに
属する工場（例えば、前工程用の工場、後工程用の工場
等）であっても良い。各工場１１０２〜１１０４内に
は、夫々、複数の製造装置１１０６と、それらを結んで
イントラネットを構築するローカルエリアネットワーク
（ＬＡＮ）１１１１と、各製造装置１１０６の稼動状況
を監視する監視装置としてホスト管理システム１１０７
とが設けられている。各工場１１０２〜１１０４に設け
られたホスト管理システム１１０７は、各工場内のＬＡ
Ｎ１１１１を工場の外部ネットワークであるインターネ
ット１１０５に接続するためのゲートウェイを備える。
ユーザーとしての半導体製造メーカーの製造工場であ
る。製造工場１１０２〜１１０４は、互いに異なるメー
カーに属する工場であっても良いし、同一のメーカーに
属する工場（例えば、前工程用の工場、後工程用の工場
等）であっても良い。各工場１１０２〜１１０４内に
は、夫々、複数の製造装置１１０６と、それらを結んで
イントラネットを構築するローカルエリアネットワーク
（ＬＡＮ）１１１１と、各製造装置１１０６の稼動状況
を監視する監視装置としてホスト管理システム１１０７
とが設けられている。各工場１１０２〜１１０４に設け
られたホスト管理システム１１０７は、各工場内のＬＡ
Ｎ１１１１を工場の外部ネットワークであるインターネ
ット１１０５に接続するためのゲートウェイを備える。
【０１９３】これにより各工場のＬＡＮ１１１１からイ
ンターネット１１０５を介してベンダー１１０１側のホ
スト管理システム１１０８にアクセスが可能となり、ホ
スト管理システム１１０８のセキュリティ機能によって
限られたユーザーだけがアクセスが許可となっている。
具体的には、インターネット１１０５を介して、各製造
装置１１０６の稼動状況を示すステータス情報（例え
ば、トラブルが発生した製造装置の症状）を工場側から
ベンダー側に通知する他、その通知に対応する応答情報
（例えば、トラブルに対する対処方法を指示する情報、
対処用のソフトウェアやデータ）や、最新のソフトウェ
ア、ヘルプ情報などの保守情報をベンダー側から受け取
ることができる。
ンターネット１１０５を介してベンダー１１０１側のホ
スト管理システム１１０８にアクセスが可能となり、ホ
スト管理システム１１０８のセキュリティ機能によって
限られたユーザーだけがアクセスが許可となっている。
具体的には、インターネット１１０５を介して、各製造
装置１１０６の稼動状況を示すステータス情報（例え
ば、トラブルが発生した製造装置の症状）を工場側から
ベンダー側に通知する他、その通知に対応する応答情報
（例えば、トラブルに対する対処方法を指示する情報、
対処用のソフトウェアやデータ）や、最新のソフトウェ
ア、ヘルプ情報などの保守情報をベンダー側から受け取
ることができる。
【０１９４】各工場１１０２〜１１０４とベンダー１１
０１との間のデータ通信および各工場内のＬＡＮ１１１
１でのデータ通信には、インターネットで一般的に使用
されている通信プロトコル（ＴＣＰ／ＩＰ）が使用され
る。なお、工場外の外部ネットワークとしてインターネ
ットを利用する変わりに、第三者からのアクセスができ
ずにセキュリティの高い専用線ネットワーク（ＩＳＤＮ
など）を利用することもできる。
０１との間のデータ通信および各工場内のＬＡＮ１１１
１でのデータ通信には、インターネットで一般的に使用
されている通信プロトコル（ＴＣＰ／ＩＰ）が使用され
る。なお、工場外の外部ネットワークとしてインターネ
ットを利用する変わりに、第三者からのアクセスができ
ずにセキュリティの高い専用線ネットワーク（ＩＳＤＮ
など）を利用することもできる。
【０１９５】また、ホスト管理システムはベンダーが提
供するものに限らずユーザーがデータベースを構築して
外部ネットワーク上に置き、ユーザーの複数の工場から
該データベースへのアクセスを許可するようにしてもよ
い。
供するものに限らずユーザーがデータベースを構築して
外部ネットワーク上に置き、ユーザーの複数の工場から
該データベースへのアクセスを許可するようにしてもよ
い。
【０１９６】さて、図１０は本実施形態の全体システム
を図９とは別の角度から切り出して表現した概念図であ
る。先の例ではそれぞれが製造装置を備えた複数のユー
ザー工場と、該製造装置のベンダーの管理システムとを
外部ネットワークで接続して、該外部ネットワークを介
して各工場の生産管理や少なくとも１台の製造装置の情
報をデータ通信するものであった。これに対し本例は、
複数のベンダーの製造装置を備えた工場と、該複数の製
造装置のそれぞれのベンダーの管理システムとを工場外
の外部ネットワークで接続して、各製造装置の保守情報
をデータ通信するものである。
を図９とは別の角度から切り出して表現した概念図であ
る。先の例ではそれぞれが製造装置を備えた複数のユー
ザー工場と、該製造装置のベンダーの管理システムとを
外部ネットワークで接続して、該外部ネットワークを介
して各工場の生産管理や少なくとも１台の製造装置の情
報をデータ通信するものであった。これに対し本例は、
複数のベンダーの製造装置を備えた工場と、該複数の製
造装置のそれぞれのベンダーの管理システムとを工場外
の外部ネットワークで接続して、各製造装置の保守情報
をデータ通信するものである。
【０１９７】図中、１２０１は製造装置ユーザー（半導
体デバイス製造メーカー）の製造工場であり、工場の製
造ラインには各種プロセスを行う製造装置、ここでは例
として露光装置１２０２、レジスト処理装置１２０３、
成膜処理装置１２０４が導入されている。なお図１０で
は製造工場２０１は１つだけ描いているが、実際は複数
の工場が同様にネットワーク化されている。
体デバイス製造メーカー）の製造工場であり、工場の製
造ラインには各種プロセスを行う製造装置、ここでは例
として露光装置１２０２、レジスト処理装置１２０３、
成膜処理装置１２０４が導入されている。なお図１０で
は製造工場２０１は１つだけ描いているが、実際は複数
の工場が同様にネットワーク化されている。
【０１９８】工場内の各装置はＬＡＮ１２０６で接続さ
れてイントラネットを構成し、ホスト管理システム１２
０５で製造ラインの稼動管理がされている。一方、露光
装置メーカー１２１０、レジスト処理装置メーカー１２
２０、成膜装置メーカー１２３０などベンダー（装置供
給メーカー）の各事業所には、それぞれ供給した機器の
遠隔保守を行なうためのホスト管理システム１２１１,
１２２１,１２３１を備え、これらは上述したように保
守データベースと外部ネットワークのゲートウェイを備
える。
れてイントラネットを構成し、ホスト管理システム１２
０５で製造ラインの稼動管理がされている。一方、露光
装置メーカー１２１０、レジスト処理装置メーカー１２
２０、成膜装置メーカー１２３０などベンダー（装置供
給メーカー）の各事業所には、それぞれ供給した機器の
遠隔保守を行なうためのホスト管理システム１２１１,
１２２１,１２３１を備え、これらは上述したように保
守データベースと外部ネットワークのゲートウェイを備
える。
【０１９９】ユーザーの製造工場内の各装置を管理する
ホスト管理システム１２０５と、各装置のベンダーの管
理システム１２１１,１２２１,１２３１とは、外部ネッ
トワーク１２００であるインターネットもしくは専用線
ネットワークによって接続されている。このシステムに
おいて、製造ラインの一連の製造機器の中のどれかにト
ラブルが起きると、製造ラインの稼動が休止してしまう
が、トラブルが起きた機器のベンダーからインターネッ
ト１２００を介した遠隔保守を受けることで迅速な対応
が可能で、製造ラインの休止を最小限に抑えることがで
きる。
ホスト管理システム１２０５と、各装置のベンダーの管
理システム１２１１,１２２１,１２３１とは、外部ネッ
トワーク１２００であるインターネットもしくは専用線
ネットワークによって接続されている。このシステムに
おいて、製造ラインの一連の製造機器の中のどれかにト
ラブルが起きると、製造ラインの稼動が休止してしまう
が、トラブルが起きた機器のベンダーからインターネッ
ト１２００を介した遠隔保守を受けることで迅速な対応
が可能で、製造ラインの休止を最小限に抑えることがで
きる。
【０２００】半導体製造工場に設置された各製造装置は
それぞれ、ディスプレイと、ネットワークインターフェ
ースと、記憶装置にストアされたネットワークアクセス
用ソフトウェアならびに装置動作用のソフトウェアを実
行するコンピュータを備える。記憶装置としては内蔵メ
モリやハードディスク、あるいはネットワークファイル
サーバーなどである。上記ネットワークアクセス用ソフ
トウェアは、専用又は汎用のウェブブラウザを含み、例
えば図１１に一例を示す様な画面のユーザーインターフ
ェースをディスプレイ上に提供する。
それぞれ、ディスプレイと、ネットワークインターフェ
ースと、記憶装置にストアされたネットワークアクセス
用ソフトウェアならびに装置動作用のソフトウェアを実
行するコンピュータを備える。記憶装置としては内蔵メ
モリやハードディスク、あるいはネットワークファイル
サーバーなどである。上記ネットワークアクセス用ソフ
トウェアは、専用又は汎用のウェブブラウザを含み、例
えば図１１に一例を示す様な画面のユーザーインターフ
ェースをディスプレイ上に提供する。
【０２０１】各工場で製造装置を管理するオペレータ
は、画面を参照しながら、製造装置の機種（１４０
１）、シリアルナンバー（１４０２）、トラブルの件名
（１４０３）、発生日（１４０４）、緊急度（１４０
５）、症状（４０６）、対処法（４０７）、経過（４０
８）等の情報を画面上の入力項目に入力する。入力され
た情報はインターネットを介して保守データベースに送
信され、その結果の適切な保守情報が保守データベース
から返信されディスプレイ上に提示される。またウェブ
ブラウザが提供するユーザーインターフェースはさらに
図示のごとくハイパーリンク機能（１４１０〜１４１
２）を実現し、オペレータは各項目の更に詳細な情報に
アクセスしたり、ベンダーが提供するソフトウェアライ
ブラリから製造装置に使用する最新バージョンのソフト
ウェアを引出したり、工場のオペレータの参考に供する
操作ガイド（ヘルプ情報）を引出したりすることができ
る。
は、画面を参照しながら、製造装置の機種（１４０
１）、シリアルナンバー（１４０２）、トラブルの件名
（１４０３）、発生日（１４０４）、緊急度（１４０
５）、症状（４０６）、対処法（４０７）、経過（４０
８）等の情報を画面上の入力項目に入力する。入力され
た情報はインターネットを介して保守データベースに送
信され、その結果の適切な保守情報が保守データベース
から返信されディスプレイ上に提示される。またウェブ
ブラウザが提供するユーザーインターフェースはさらに
図示のごとくハイパーリンク機能（１４１０〜１４１
２）を実現し、オペレータは各項目の更に詳細な情報に
アクセスしたり、ベンダーが提供するソフトウェアライ
ブラリから製造装置に使用する最新バージョンのソフト
ウェアを引出したり、工場のオペレータの参考に供する
操作ガイド（ヘルプ情報）を引出したりすることができ
る。
【０２０２】ここで、保守管理システムが提供する保守
情報には、上記説明したチャンバー内の酸素濃度に関す
る情報も含まれ、また前記ソフトウェアライブラリはガ
ス供給装置の切り替えやチャンバー内の酸素濃度の制御
等を実現するための最新のソフトウェアも提供する。
情報には、上記説明したチャンバー内の酸素濃度に関す
る情報も含まれ、また前記ソフトウェアライブラリはガ
ス供給装置の切り替えやチャンバー内の酸素濃度の制御
等を実現するための最新のソフトウェアも提供する。
【０２０３】次に上記説明した生産システムを利用した
半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図１２は半
導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す。
ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計
を行なう。ステップ２（マスク製作）では設計した回路
パターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ
３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハ
を製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と
呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグ
ラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。
次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステッ
プ４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化
する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボン
ディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組
立て工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で
作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テ
スト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバ
イスが完成し、これを出荷（ステップ７）する。
半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図１２は半
導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す。
ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計
を行なう。ステップ２（マスク製作）では設計した回路
パターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ
３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハ
を製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と
呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグ
ラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。
次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステッ
プ４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化
する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボン
ディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組
立て工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で
作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テ
スト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバ
イスが完成し、これを出荷（ステップ７）する。
【０２０４】前工程と後工程はそれぞれ専用の別の工場
で行い、これらの工場毎に上記説明した遠隔保守システ
ムによって保守がなされる。また前工程工場と後工程工
場との間でも、インターネットまたは専用線ネットワー
クを介して生産管理や装置保守のための情報がデータ通
信される。
で行い、これらの工場毎に上記説明した遠隔保守システ
ムによって保守がなされる。また前工程工場と後工程工
場との間でも、インターネットまたは専用線ネットワー
クを介して生産管理や装置保守のための情報がデータ通
信される。
【０２０５】図１３は上記ウエハプロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶
縁膜を成膜する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオ
ン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１
５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ス
テップ１６（露光）では上記説明した露光装置によって
マスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステッ
プ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステッ
プ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部
分を削り取る。
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶
縁膜を成膜する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオ
ン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１
５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ス
テップ１６（露光）では上記説明した露光装置によって
マスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステッ
プ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステッ
プ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部
分を削り取る。
【０２０６】ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチ
ングが済んで不要となったレジストを取り除く。これら
のステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に
多重に回路パターンを形成する。各工程で使用する製造
機器は上記説明した遠隔保守システムによって保守がな
されているので、トラブルを未然に防ぐと共に、もしト
ラブルが発生しても迅速な復旧が可能で、従来に比べて
半導体デバイスの生産性を向上させることができる。
ングが済んで不要となったレジストを取り除く。これら
のステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に
多重に回路パターンを形成する。各工程で使用する製造
機器は上記説明した遠隔保守システムによって保守がな
されているので、トラブルを未然に防ぐと共に、もしト
ラブルが発生しても迅速な復旧が可能で、従来に比べて
半導体デバイスの生産性を向上させることができる。
【０２０７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明にかかる露
光装置によれば、光学素子を有するチャンバー内を減圧
したときのチャンバーの変形を抑えることができる。
光装置によれば、光学素子を有するチャンバー内を減圧
したときのチャンバーの変形を抑えることができる。
【０２０８】また、本発明にかかる露光装置によれば、
チャンバー内の不活性ガスの純度を高く維持することが
できる。
チャンバー内の不活性ガスの純度を高く維持することが
できる。
【０２０９】更に、本発明にかかる露光装置によれば、
チャンバー内の不活性ガスの純度を高く維持することが
できる。
チャンバー内の不活性ガスの純度を高く維持することが
できる。
【図１】露光装置の全体構成図である。
【図２】本発明にかかる露光装置の照明光学ユニットの
構成図である。
構成図である。
【図３】本発明にかかる露光装置の照明光学ユニットの
構成図である。
構成図である。
【図４】本発明にかかる露光装置の本発明の照明光学ユ
ニットにおける別の構成図である。
ニットにおける別の構成図である。
【図５】本発明にかかる露光装置の投影光学ユニットの
構成図である。
構成図である。
【図６】本発明にかかる露光装置の投影光学ユニットの
構成図である。
構成図である。
【図７】本発明にかかる露光装置の投影光学ユニットに
おける別の構成図である。
おける別の構成図である。
【図８】図１の照明光学ユニットの部分的な構成を説明
する図である。
する図である。
【図９】コンピュータネットワークの全体システムの概
略図である。
略図である。
【図１０】コンピュータネットワークの全体システムの
概略図である。
概略図である。
【図１１】表示装置の表示画面を示す図である。
【図１２】半導体デバイス製造プロセスのフローを示す
図である。
図である。
【図１３】ウエハプロセスのフローを示す図である。
【図１４】本発明にかかる第2の実施形態として、照明
光学ユニットを覆う密閉容器の変形例を説明する図であ
る。
光学ユニットを覆う密閉容器の変形例を説明する図であ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 春見 和之 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 平林 融 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 Ｆターム(参考） 5F046 AA22 AA28 BA04 BA05 CA08 CB19 CB20 CB23 CB24 DA04 DA27 DB03 DB04 DD06
Claims (75)
- 【請求項１】 露光装置であって、 光学素子を内部に有し、所定の領域を囲むチャンバー
と、 該チャンバーを囲む密閉容器と、 該チャンバー内を減圧するポンプとを有し、 該チャンバー内を減圧するときに、該密閉容器も減圧す
ることを特徴とする露光装置。 - 【請求項２】 前記チャンバーは、前記密閉容器に支持
されていることを特徴とする請求項１に記載の露光装
置。 - 【請求項３】 前記チャンバーと前記密閉容器との間で
変位を発生させる変位機構を有することを特徴とする請
求項１または２に記載の露光装置。 - 【請求項４】 基準部材と前記チャンバーとの間の位置
関係を計測する計測器を有することを特徴とする請求項
１乃至３いずれかに記載の露光装置。 - 【請求項５】 基準部材と前記チャンバーとの間の位置
関係を計測し、該計測結果に基づいて前記変位機構を制
御することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記
載の露光装置。 - 【請求項６】 前記チャンバーは、前記光学素子を保持
する鏡筒を支持する定盤に支持されていることを特徴と
する請求項１に記載の露光装置。 - 【請求項７】 前記密閉容器は、可動体を介して前記定
盤と連結することを特徴とする請求項６に記載の露光装
置。 - 【請求項８】 前記可動体は、ベローズであることを特
徴とする請求項７に記載の露光装置。 - 【請求項９】 前記密閉容器は、光を透過させる透過窓
を有することを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに
記載の露光装置。 - 【請求項１０】 前記透過窓は、フッ素化合物ガラスか
らなることを特徴とする請求項９に記載の露光装置。 - 【請求項１１】 前記透過窓は、前記密閉容器に対して
移動可能に支持されることを特徴とする請求項９または
１０に記載の露光装置。 - 【請求項１２】 前記密閉容器は、開閉扉を有すること
を特徴とする請求項１乃至１１のいずれかに記載の露光
装置。 - 【請求項１３】 前記チャンバーと前記密閉容器との間
を連通させる通気孔を有することを特徴とする請求項１
乃至８のいずれかに記載の露光装置。 - 【請求項１４】 前記通気孔は、開閉自在であることを
特徴とする請求項１３に記載の露光装置。 - 【請求項１５】 前記ポンプは、前記密閉容器内の気体
を排出することを特徴とする請求項１乃至１４のいずれ
かに記載の露光装置。 - 【請求項１６】 前記ポンプは、前記密閉容器内の気体
を排出することで、前記チャンバーに設けられた通気孔
を介して該チャンバー内の気体を排出することを特徴と
する請求項１５に記載の露光装置。 - 【請求項１７】 前記ポンプは、前記チャンバー内の気
体を排出することを特徴とする請求項１乃至１６のいず
れかに記載の露光装置。 - 【請求項１８】 前記チャンバーは、照明光学ユニット
の少なくとも一部の光学素子を内部に有することを特徴
とする請求項１乃至１７のいずれかに記載の露光装置。 - 【請求項１９】 前記チャンバーは、投影光学ユニット
の少なくとも一部の光学素子を内部に有することを特徴
とする請求項１乃至１８のいずれかに記載の露光装置。 - 【請求項２０】 前記チャンバー内を減圧した後に、不
活性ガスを供給することを特徴とする請求項１乃至１９
いずれかに記載の露光装置。 - 【請求項２１】 前記不活性ガスは、ヘリウムと窒素の
うちの少なくとも一方であることを特徴とする請求項２
０に記載の露光装置。 - 【請求項２２】 前記チャンバー内の減圧は、複数回行
われることを特徴とする請求項１乃至２１のいずれかに
記載の露光装置。 - 【請求項２３】 前記チャンバーは、ガス供給口とガス
排出口とを有することを特徴とする請求項１乃至２２の
いずれかに記載の露光装置。 - 【請求項２４】 前記チャンバーは、真空紫外域の光の
光路の少なくとも一部を囲むことを特徴とする請求項１
乃至２３のいずれかに記載の露光装置。 - 【請求項２５】 露光装置であって、 光学素子を内部に有し、所定の領域を囲むチャンバー
と、 該チャンバー内を不活性ガス雰囲気にする機構と、 該チャンバーを囲む密閉容器とを有し、 該チャンバー内の不活性ガスの純度は、該密閉容器内の
不活性ガスの純度よりも高いことを特徴とする露光装
置。 - 【請求項２６】 前記密閉容器内の不活性ガスの純度
は、該密閉容器外の不活性ガスの純度よりも高いもので
あることを特徴とする請求項２５に記載の露光装置。 - 【請求項２７】 前記機構は、チャンバー内を不活性ガ
ス雰囲気にする前に、前記チャンバー内にある気体を真
空排気することを特徴とする請求項２５または２６に記
載の露光装置。 - 【請求項２８】 前記密閉容器は、光を透過させる透過
窓を有することを特徴とする請求項２５乃至２７のいず
れかに記載の露光装置。 - 【請求項２９】 前記透過窓は、フッ素化合物ガラスか
らなる請求項２８に記載の露光装置。 - 【請求項３０】 前記密閉容器は、開閉扉を有する請求
項２５乃至２９のいずれかに記載の露光装置。 - 【請求項３１】 前記チャンバーと前記密閉容器との間
を連通させる通気孔を有することを特徴とする請求項１
乃至３０のいずれかに記載の露光装置。 - 【請求項３２】 前記通気孔は、開閉自在であることを
特徴とする請求項２８に記載の露光装置。 - 【請求項３３】 前記チャンバーは、照明光学ユニット
の少なくとも一部の光学素子を内部に有することを特徴
とする請求項１乃至３２のいずれかに記載の露光装置。 - 【請求項３４】 前記チャンバーは、投影光学ユニット
の少なくとも一部の光学素子を内部に有することを特徴
とする請求項１乃至３３のいずれかに記載の露光装置。 - 【請求項３５】 前記不活性ガスは、ヘリウムと窒素の
うちの少なくとも一方であることを特徴とする請求項１
乃至３４のいずれかに記載の露光装置。 - 【請求項３６】 前記チャンバーは、真空紫外域の光の
光路の少なくとも一部を囲むことを特徴とする請求項２
５乃至３５のいずれかに記載の露光装置。 - 【請求項３７】 露光装置であって、 光学素子を内部に有し、所定の領域を囲むチャンバー
と、 該チャンバー内を不活性ガス雰囲気にする機構と、 該チャンバーを囲む密閉容器とを有し、 該チャンバー内の圧力は、該密閉容器内の圧力よりも高
いことを特徴とする露光装置。 - 【請求項３８】 前記密閉容器内の不活性ガスの圧力
は、該密閉容器外の不活性ガスの圧力よりも高いもので
あることを特徴とする請求項３７に記載の露光装置。 - 【請求項３９】 前記機構は、チャンバー内を不活性ガ
ス雰囲気にする前に、前記チャンバー内にある気体を真
空排気することを特徴とする請求項３７または３８のい
ずれかに記載の露光装置。 - 【請求項４０】 前記密閉容器は、光を透過させる透過
窓を有することを特徴とする請求項３７乃至３９のいず
れかに記載の露光装置。 - 【請求項４１】 前記透過窓は、フッ素化合物ガラスか
らなることを特徴とする請求項４０に記載の露光装置。 - 【請求項４２】 前記密閉容器は、開閉扉を有すること
を特徴とする請求項３７乃至４１のいずれかに記載の露
光装置。 - 【請求項４３】 前記チャンバーと前記密閉容器との間
を連通させる通気孔を有することを特徴とする請求項３
７乃至４２いずれかに記載の露光装置。 - 【請求項４４】 前記通気孔は、開閉自在であることを
特徴とする請求項４３に記載の露光装置。 - 【請求項４５】 前記チャンバーは、照明光学ユニット
の少なくとも一部の光学素子を内部に有することを特徴
とする請求項３７乃至４４のいずれかに記載の露光装
置。 - 【請求項４６】 前記チャンバーは、投影光学ユニット
の少なくとも一部の光学素子を内部に有することを特徴
とする請求項３７乃至４５のいずれかに記載の露光装
置。 - 【請求項４７】 前記不活性ガスは、ヘリウムと窒素の
うちの少なくとも一方であることを特徴とする請求項３
７乃至４６のいずれかに記載の露光装置。 - 【請求項４８】 前記チャンバーは、真空紫外域の光の
光路の少なくとも一部を囲むことを特徴とする請求項３
７乃至４７のいずれかに記載の露光装置。 - 【請求項４９】 ガス置換方法であって、 光学素子を内部に有するチャンバーの内部を減圧する工
程と、 該チャンバーを囲む密閉容器を減圧する工程と、 該チャンバーの内部に不活性ガスを供給する工程と、 を有することを特徴とするガス置換方法。 - 【請求項５０】 前記チャンバーと前記密閉容器との間
で変位を発生させることを特徴とする請求項４９に記載
のガス置換方法。 - 【請求項５１】 基準部材と前記チャンバーとの間の位
置関係を計測し、該計測結果に基づいて前記変位機構を
制御することを特徴とする請求項５０に記載のガス置換
方法。 - 【請求項５２】 前記密閉容器に設けられた扉を開閉す
ることを特徴とする請求項４９乃至５１のいずれかに記
載のガス置換方法。 - 【請求項５３】 前記チャンバーに設けられた通気孔を
開閉することを特徴とする請求項４９乃至５２のいずれ
かに記載のガス置換方法。 - 【請求項５４】 前記ポンプは、前記密閉容器内の気体
を排出することを特徴とする請求項４９乃至５３のいず
れかに記載のガス置換方法。 - 【請求項５５】 前記ポンプは、前記密閉容器内の気体
を排出することで、前記チャンバーに設けられた通気孔
を介して該チャンバー内の気体を排出することを特徴と
する請求項５４に記載のガス置換方法。 - 【請求項５６】 前記ポンプは、前記チャンバー内の気
体を排出することを特徴とする請求項４９乃至５５のい
ずれかに記載のガス置換方法。 - 【請求項５７】 前記チャンバー内を減圧した後に、不
活性ガスを供給することを特徴とする請求項４９乃至５
６のいずれかに記載のガス置換方法。 - 【請求項５８】 前記不活性ガスは、ヘリウムと窒素の
うちの少なくとも一方であることを特徴とする請求項５
７に記載のガス置換方法。 - 【請求項５９】 前記チャンバー内の減圧は、複数回行
われることを特徴とする請求項４９乃至５８のいずれか
に記載のガス置換方法。 - 【請求項６０】 ガス置換方法であって、光学素子を内
部に有するチャンバーの内部に不活性ガスを供給する工
程と、該チャンバーを囲む密閉容器に不活性ガスを供給
する工程と、 該チャンバー内の不活性ガスの純度を、該密閉容器内の
不活性ガスの純度よりも高い状態に制御する工程と、 を有することを特徴とするガス置換方法。 - 【請求項６１】 前記密閉容器内の不活性ガスの純度
を、該密閉容器外の不活性ガスの純度よりも高い状態に
制御する工程とをさらに有することを特徴とする請求項
６０に記載のガス置換方法。 - 【請求項６２】 ガス置換方法であって、 光学素子を内部に有するチャンバーの内部に不活性ガス
を供給する工程と、 該チャンバーを囲む密閉容器に不活性ガスを供給する工
程と、 該チャンバー内の不活性ガスの圧力を、該密閉容器内の
不活性ガスの圧力よりも高い状態に制御する工程と、 を有することを特徴とするガス置換方法。 - 【請求項６３】 前記密閉容器内の不活性ガスの圧力
を、該密閉容器外の不活性ガスの圧力よりも高い状態に
制御する工程とをさらに有することを特徴とする請求項
６２に記載のガス置換方法。 - 【請求項６４】 半導体デバイス製造方法であって、 請求項１乃至４８のいずれかに記載の露光装置を含む各
種プロセス用の製造装置群を半導体製造工場に設置する
工程と、 該製造装置群を用いて複数のプロセスによって半導体デ
バイスを製造する工程と,を有することを特徴とする半
導体デバイス製造方法。 - 【請求項６５】 前記製造装置群をローカルエリアネッ
トワークで接続する工程と、 前記ローカルエリアネットワークと前記半導体製造工場
外の外部ネットワークとの間で、前記製造装置群の少な
くとも１台に関する情報をデータ通信する工程と,をさ
らに有することを特徴とする請求項６４に記載の半導体
デバイス製造方法。 - 【請求項６６】 前記データ通信によって、前記露光装
置のベンダーもしくはユーザーが提供するデータベース
に前記外部ネットワークを介してアクセスして前記製造
装置の保守情報を得る、もしくは前記半導体製造工場と
は別の半導体製造工場との間で前記外部ネットワークを
介してデータ通信して生産管理を行うことを特徴とする
請求項６５に記載の半導体デバイス製造方法。 - 【請求項６７】 半導体製造工場であって、 請求項１乃至４８のいずれかに記載の露光装置を含む各
種プロセス用の製造装置群と、 該製造装置群を接続するローカルエリアネットワーク
と、 該ローカルエリアネットワークから工場外の外部ネット
ワークにアクセス可能にするゲートウェイを有し、 前記製造装置群の少なくとも１台に関する情報を、前記
外部ネットワークとの接続により、データ通信すること
を可能にすることを特徴とする半導体製造工場。 - 【請求項６８】 半導体製造工場に設置された請求項１
乃至４８のいずれかに記載の露光装置の保守方法であっ
て、 前記露光装置のベンダーもしくはユーザーが、半導体製
造工場の外部ネットワークに接続された保守データベー
スを提供する工程と、 前記半導体製造工場内から前記外部ネットワークを介し
て前記保守データベースへのアクセスを許可する工程
と、 前記保守データベースに蓄積される保守情報を前記外部
ネットワークを介して半導体製造工場側に送信する工程
と、 を有することを特徴とする露光装置の保守方法。 - 【請求項６９】 請求項１乃至４８のいずれかに記載の
露光装置において、 保守情報を表示するためのディスプレイと、 前記保守情報を管理するデータベースと接続するための
ネットワークインターフェースと、 前記ネットワークインタフェースを介し、ネットワーク
上の前記データベースにアクセスし、該露光装置の保守
情報を授受する通信用ソフトウェアを実行するコンピュ
ータとをさらに有し、露光装置の保守情報をコンピュー
タネットワークを介してデータ通信することを可能にし
たことを特徴とする記憶媒体。 - 【請求項７０】 前記通信用ソフトウェアは、前記露光
装置が設置された工場の外部ネットワークに接続され、
前記露光装置のベンダーもしくはユーザーが提供する保
守データベースにアクセスするためのユーザーインター
フェースを前記ディスプレイ上に提供し、前記外部ネッ
トワークを介して該データベースから情報を得ることを
可能にすることを特徴とする請求項６９に記載の露光装
置。 - 【請求項７１】 露光装置であって、 光学素子を内部に有し、所定の領域を囲むチャンバー
と、 前記チャンバーを囲む密閉容器と、 前記密閉容器内を減圧するポンプと、 を有し、 前記チャンバーは定盤に支持され、前記密閉容器は変形
を吸収するための可動体を介して前記定盤と連結するこ
とを特徴とする露光装置。 - 【請求項７２】 前記可動体は、ベローズであることを
特徴とする請求項７１に記載の露光装置。 - 【請求項７３】 前記密閉容器の変形を吸収するための
第２の可動体を更に備え、 該第２の可動体は透過窓を保持し、該透過窓は前記内部
の光学素子に対して所定の位置関係に保持されることを
特徴とする請求項７１に記載の露光装置。 - 【請求項７４】 前記可動体は、ベローズであることを
特徴とする請求項７１に記載の露光装置。 - 【請求項７５】 前記第２の可動体は、ベローズである
ことを特徴とする請求項７３に記載の露光装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001085531A JP4689064B2 (ja) | 2000-03-30 | 2001-03-23 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000-93686 | 2000-03-30 | ||
| JP2000093686 | 2000-03-30 | ||
| JP2000093686 | 2000-03-30 | ||
| JP2001085531A JP4689064B2 (ja) | 2000-03-30 | 2001-03-23 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
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|---|---|
| JP2001345262A true JP2001345262A (ja) | 2001-12-14 |
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|---|---|
| US (1) | US6714277B2 (ja) |
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Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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