JP2001338796A - Ｘ線発生装置及び発生方法 - Google Patents
Ｘ線発生装置及び発生方法Info
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- JP2001338796A JP2001338796A JP2000158017A JP2000158017A JP2001338796A JP 2001338796 A JP2001338796 A JP 2001338796A JP 2000158017 A JP2000158017 A JP 2000158017A JP 2000158017 A JP2000158017 A JP 2000158017A JP 2001338796 A JP2001338796 A JP 2001338796A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高いＳ／Ｎ比でＸ線の特性をモニタすること
ができるＸ線発生装置を提供する。 【解決手段】 電子ビーム発生手段が電子ビームを出射
する。真空容器が、電子ビーム発生手段から出射された
電子ビームの飛翔経路を画定する。真空容器内を飛翔す
る電子ビームに衝突するように、レーザ光学系がレーザ
ビームを出射し伝搬させる。散乱光検出手段が、電子ビ
ームの飛翔経路及びその延長線から逸れた位置に配置さ
れ、電子ビームとレーザビームとの衝突により発生する
散乱光の一部を検出する。
ができるＸ線発生装置を提供する。 【解決手段】 電子ビーム発生手段が電子ビームを出射
する。真空容器が、電子ビーム発生手段から出射された
電子ビームの飛翔経路を画定する。真空容器内を飛翔す
る電子ビームに衝突するように、レーザ光学系がレーザ
ビームを出射し伝搬させる。散乱光検出手段が、電子ビ
ームの飛翔経路及びその延長線から逸れた位置に配置さ
れ、電子ビームとレーザビームとの衝突により発生する
散乱光の一部を検出する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｘ線発生装置及び
発生方法に関し、特に電子ビームとレーザビームとを衝
突させてＸ線を発生させるＸ線発生装置及び発生方法に
関する。
発生方法に関し、特に電子ビームとレーザビームとを衝
突させてＸ線を発生させるＸ線発生装置及び発生方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】電子ビームにレーザビームを衝突させる
と、電子ビームの飛翔方向にＸ線が放射される。このＸ
線は、例えば材料加工や試料の内部観察等に利用され
る。発生したＸ線の光軸上に配置された被照射物に電子
ビームが入射しないようにするために、電子ビームとレ
ーザビームとが衝突した後に電子ビームが偏向電磁石で
曲げられる。通常、発生したＸ線の光軸上、すなわち電
子ビームの飛翔方向の延長線上にＸ線モニタが配置され
る。
と、電子ビームの飛翔方向にＸ線が放射される。このＸ
線は、例えば材料加工や試料の内部観察等に利用され
る。発生したＸ線の光軸上に配置された被照射物に電子
ビームが入射しないようにするために、電子ビームとレ
ーザビームとが衝突した後に電子ビームが偏向電磁石で
曲げられる。通常、発生したＸ線の光軸上、すなわち電
子ビームの飛翔方向の延長線上にＸ線モニタが配置され
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】電子ビームとレーザビ
ームとの衝突によって発生したＸ線以外に、電子ビーム
の上流側で発生した電磁波もＸ線モニタに入射する。こ
の電磁波により、Ｘ線モニタで検出される信号のＳ／Ｎ
比が低下してしまう。また、Ｘ線が被照射物に照射され
ている期間は、Ｘ線をモニタすることができない。
ームとの衝突によって発生したＸ線以外に、電子ビーム
の上流側で発生した電磁波もＸ線モニタに入射する。こ
の電磁波により、Ｘ線モニタで検出される信号のＳ／Ｎ
比が低下してしまう。また、Ｘ線が被照射物に照射され
ている期間は、Ｘ線をモニタすることができない。
【０００４】本発明の目的は、高いＳ／Ｎ比でＸ線の特
性をモニタすることができるＸ線発生装置及び発生方法
を提供することである。
性をモニタすることができるＸ線発生装置及び発生方法
を提供することである。
【０００５】本発明の他の目的は、Ｘ線を被照射物に照
射している期間中でも、照射されているＸ線の特性をモ
ニタすることが可能なＸ線発生装置及び発生方法を提供
することである。
射している期間中でも、照射されているＸ線の特性をモ
ニタすることが可能なＸ線発生装置及び発生方法を提供
することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の一観点による
と、電子ビームを出射する電子ビーム発生手段と、前記
電子ビーム発生手段から出射された電子ビームの飛翔経
路を画定する真空容器と、前記真空容器内を飛翔する電
子ビームに衝突するように、レーザビームを出射し伝搬
させるレーザ光学系と、前記電子ビームの飛翔経路及び
その延長線から逸れた位置に配置され、前記電子ビーム
とレーザビームとの衝突により発生する散乱光の一部を
検出する散乱光検出手段とを有するＸ線発生装置が提供
される。
と、電子ビームを出射する電子ビーム発生手段と、前記
電子ビーム発生手段から出射された電子ビームの飛翔経
路を画定する真空容器と、前記真空容器内を飛翔する電
子ビームに衝突するように、レーザビームを出射し伝搬
させるレーザ光学系と、前記電子ビームの飛翔経路及び
その延長線から逸れた位置に配置され、前記電子ビーム
とレーザビームとの衝突により発生する散乱光の一部を
検出する散乱光検出手段とを有するＸ線発生装置が提供
される。
【０００７】本発明の他の観点によると、電子ビームを
出射する工程と、前記電子ビームに、レーザビームを衝
突させる工程と、前記電子ビームとレーザビームとの衝
突によって放射される散乱光の一部を、前記電子ビーム
の飛翔経路から逸れた位置で検出する工程とを有するＸ
線発生方法が提供される。
出射する工程と、前記電子ビームに、レーザビームを衝
突させる工程と、前記電子ビームとレーザビームとの衝
突によって放射される散乱光の一部を、前記電子ビーム
の飛翔経路から逸れた位置で検出する工程とを有するＸ
線発生方法が提供される。
【０００８】衝突により発生する散乱光の一部を検出す
ることにより、Ｘ線の特性を知ることができる。散乱光
検出手段が、電子ビームの飛翔経路及びその延長線から
逸れた位置に配置されているため、Ｘ線を遮ることな
く、散乱光を検出することができる。
ることにより、Ｘ線の特性を知ることができる。散乱光
検出手段が、電子ビームの飛翔経路及びその延長線から
逸れた位置に配置されているため、Ｘ線を遮ることな
く、散乱光を検出することができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１に、本発明の実施例によるＸ
線発生装置の概略平面図を示す。メインチャンバ１に、
電子ビーム入射口２、レーザビーム入射口５、及び観察
窓３が取り付けられている。真空ダクト２１が、電子ビ
ーム出射装置２０と電子ビーム入射口２とを接続する。
電子ビーム出射装置２０は、真空ダクト２１及び電子ビ
ーム入射口２を通ってメインチャンバ１内に電子ビーム
３０を入射する。電子ビーム出射装置２０は、例えば電
子銃と電子ビーム加速器等により構成される。
線発生装置の概略平面図を示す。メインチャンバ１に、
電子ビーム入射口２、レーザビーム入射口５、及び観察
窓３が取り付けられている。真空ダクト２１が、電子ビ
ーム出射装置２０と電子ビーム入射口２とを接続する。
電子ビーム出射装置２０は、真空ダクト２１及び電子ビ
ーム入射口２を通ってメインチャンバ１内に電子ビーム
３０を入射する。電子ビーム出射装置２０は、例えば電
子銃と電子ビーム加速器等により構成される。
【００１０】レーザビーム入射口５に、真空ダクト６の
一端が接続され、真空ダクト６の他端に分岐ダクト７の
一つの開口端が接続されている。真空ダクト６が接続さ
れた開口端とは反対側の開口端に、処理チャンバ１０が
接続されている。分岐ダクト７は、レーザビーム入射窓
８を有する。レーザビーム入射口５、真空ダクト６、分
岐ダクト７、及び処理チャンバ１０は、メインチャンバ
１内に入射した電子ビーム３０の飛翔経路及びその延長
線に沿って配置され、それらの内部は真空排気されてい
る。
一端が接続され、真空ダクト６の他端に分岐ダクト７の
一つの開口端が接続されている。真空ダクト６が接続さ
れた開口端とは反対側の開口端に、処理チャンバ１０が
接続されている。分岐ダクト７は、レーザビーム入射窓
８を有する。レーザビーム入射口５、真空ダクト６、分
岐ダクト７、及び処理チャンバ１０は、メインチャンバ
１内に入射した電子ビーム３０の飛翔経路及びその延長
線に沿って配置され、それらの内部は真空排気されてい
る。
【００１１】レーザ光源１１が、レーザビーム入射窓８
を通して分岐チャンバ７内にレーザビームを入射する。
レーザ光源１１として、例えばＴｉサファイアレーザ発
振器が用いられる。Ｔｉサファイアレーザ発振器から出
射されるレーザビームのフォトンエネルギは、約１．３
ｅＶである。
を通して分岐チャンバ７内にレーザビームを入射する。
レーザ光源１１として、例えばＴｉサファイアレーザ発
振器が用いられる。Ｔｉサファイアレーザ発振器から出
射されるレーザビームのフォトンエネルギは、約１．３
ｅＶである。
【００１２】分岐ダクト７内に入射したレーザビーム３
１は、分岐ダクト７内に配置された反射鏡１５で反射す
る。反射したレーザビーム３２は、真空ダクト６及びレ
ーザビーム入射口５を通ってメインチャンバ１内に入射
する。レーザビーム３２の光軸は、電子ビーム３０の飛
翔経路とほぼ一致し、レーザビーム３２の伝搬方向は、
電子ビーム３０の飛翔方向と逆向きである。
１は、分岐ダクト７内に配置された反射鏡１５で反射す
る。反射したレーザビーム３２は、真空ダクト６及びレ
ーザビーム入射口５を通ってメインチャンバ１内に入射
する。レーザビーム３２の光軸は、電子ビーム３０の飛
翔経路とほぼ一致し、レーザビーム３２の伝搬方向は、
電子ビーム３０の飛翔方向と逆向きである。
【００１３】メインチャンバ１内で、電子ビーム３０と
レーザビーム３２とが衝突する。この衝突により、電子
ビーム３０の飛翔方向にＸ線３３が放射される。Ｘ線３
３は、レーザビーム入射口５、真空ダクト６、分岐ダク
ト７、及びＸ線出射口９を通って、処理チャンバ１０内
まで到達する。反射鏡１５は、このＸ線を遮蔽しないよ
うに、Ｘ線の光軸からわずかにずれた位置に配置されて
いる。
レーザビーム３２とが衝突する。この衝突により、電子
ビーム３０の飛翔方向にＸ線３３が放射される。Ｘ線３
３は、レーザビーム入射口５、真空ダクト６、分岐ダク
ト７、及びＸ線出射口９を通って、処理チャンバ１０内
まで到達する。反射鏡１５は、このＸ線を遮蔽しないよ
うに、Ｘ線の光軸からわずかにずれた位置に配置されて
いる。
【００１４】処理チャンバ１０内に試料ホルダ１６が配
置されている。試料ホルダ１６は、被照射物１７を、Ｘ
線３３の光軸と交わるように保持する。Ｘ線３３が、被
照射物１７に入射する。
置されている。試料ホルダ１６は、被照射物１７を、Ｘ
線３３の光軸と交わるように保持する。Ｘ線３３が、被
照射物１７に入射する。
【００１５】メインチャンバ１の観察窓３は、電子ビー
ム３０の飛翔経路から逸れた位置に取り付けられてい
る。本願発明者の行った計算によると、電子ビーム３０
とレーザビーム３２との衝突により、Ｘ線３３以外に、
散乱光が全方位に放射されることがわかった。放射され
た散乱光のうち一部は、観察窓３を通ってメインチャン
バ１の外部に放射される。検出器４が、メインチャンバ
１の外部に放射された散乱光を検出する。検出器４は、
例えばフォトダイオードで構成される。
ム３０の飛翔経路から逸れた位置に取り付けられてい
る。本願発明者の行った計算によると、電子ビーム３０
とレーザビーム３２との衝突により、Ｘ線３３以外に、
散乱光が全方位に放射されることがわかった。放射され
た散乱光のうち一部は、観察窓３を通ってメインチャン
バ１の外部に放射される。検出器４が、メインチャンバ
１の外部に放射された散乱光を検出する。検出器４は、
例えばフォトダイオードで構成される。
【００１６】真空ダクト６の中間部に偏向電磁石１２が
取り付けられている。偏向電磁石１２は、レーザビーム
３２と衝突した後、真空ダクト６内に入射した電子ビー
ムの飛翔方向を変える。飛翔方向を変えられた電子ビー
ムは、ファラデーカップ１３に入射する。偏向電磁石１
２を配置することにより、電子ビームが処理チャンバ１
０まで到達することを防止できる。
取り付けられている。偏向電磁石１２は、レーザビーム
３２と衝突した後、真空ダクト６内に入射した電子ビー
ムの飛翔方向を変える。飛翔方向を変えられた電子ビー
ムは、ファラデーカップ１３に入射する。偏向電磁石１
２を配置することにより、電子ビームが処理チャンバ１
０まで到達することを防止できる。
【００１７】次に、図２を参照して、放射されたＸ線の
特性を観測する方法について説明する。
特性を観測する方法について説明する。
【００１８】図２に示すＸＹＺ直交座標系を考える。電
子ビーム３０がＺ軸の正の方向に飛翔し、レーザビーム
３２が原点Ｏにおいて電子ビーム３０に衝突する。この
衝突により、散乱光３３が放射される。レーザビーム３
２の光軸とＺ軸の正の向きとの成す角度（衝突角度）を
αとし、散乱光３３の放射される方向とＺ軸の正の向き
とのなす角度（散乱角度）をθとする。散乱光３５のフ
ォトンエネルギをＥX、レーザビーム３２のフォトンエ
ネルギをＥL、電子ビーム３０の飛翔速度の光速に対す
る割合をβとすると、
子ビーム３０がＺ軸の正の方向に飛翔し、レーザビーム
３２が原点Ｏにおいて電子ビーム３０に衝突する。この
衝突により、散乱光３３が放射される。レーザビーム３
２の光軸とＺ軸の正の向きとの成す角度（衝突角度）を
αとし、散乱光３３の放射される方向とＺ軸の正の向き
とのなす角度（散乱角度）をθとする。散乱光３５のフ
ォトンエネルギをＥX、レーザビーム３２のフォトンエ
ネルギをＥL、電子ビーム３０の飛翔速度の光速に対す
る割合をβとすると、
【００１９】
【数１】 ＥX＝｛（１＋βｃｏｓα）／（１−βｃｏｓθ）｝ＥL ・・・（１） が成立する。電子ビームのエネルギが１０ＭｅＶ、レー
ザビームのフォトンエネルギＥLが１．３ｅＶ、衝突角
度αが０度の場合、散乱角度θが０度の方向に放射され
る散乱光のフォトンエネルギが２．１ｋｅＶになり、散
乱角度θが９０度の方向に放射される散乱光のフォトン
エネルギが２．６ｅＶになる。すなわち、Ｚ軸の正の方
向にＸ線が放射され、ＸＹ面に平行な方向に緑色の可視
光が放射される。この緑色の可視光が、図１に示した検
出器４で検出される。
ザビームのフォトンエネルギＥLが１．３ｅＶ、衝突角
度αが０度の場合、散乱角度θが０度の方向に放射され
る散乱光のフォトンエネルギが２．１ｋｅＶになり、散
乱角度θが９０度の方向に放射される散乱光のフォトン
エネルギが２．６ｅＶになる。すなわち、Ｚ軸の正の方
向にＸ線が放射され、ＸＹ面に平行な方向に緑色の可視
光が放射される。この緑色の可視光が、図１に示した検
出器４で検出される。
【００２０】Ｚ軸の正の向きに放射されたＸ線のフォト
ン数と、ＸＹ面に平行な方向に放射された可視光のフォ
トン数との間には、一定の関係がある。従って、検出器
４で検出されたフォトン数から、Ｚ軸の正の向きに放射
されたＸ線のフォトン数を求めることができる。
ン数と、ＸＹ面に平行な方向に放射された可視光のフォ
トン数との間には、一定の関係がある。従って、検出器
４で検出されたフォトン数から、Ｚ軸の正の向きに放射
されたＸ線のフォトン数を求めることができる。
【００２１】上述の例では、衝突角度αを０度とした場
合、すなわち電子ビーム３０とレーザビーム３２とが正
面衝突する場合を取り上げたが、必ずしも衝突角度αを
０度にする必要はない。例えば、衝突角度αが９０度の
場合、散乱角度θが０度及び９０度の方向に放射される
散乱光のフォトンエネルギが、それぞれ１．０４ｋｅＶ
及び１．３ｅＶになる。
合、すなわち電子ビーム３０とレーザビーム３２とが正
面衝突する場合を取り上げたが、必ずしも衝突角度αを
０度にする必要はない。例えば、衝突角度αが９０度の
場合、散乱角度θが０度及び９０度の方向に放射される
散乱光のフォトンエネルギが、それぞれ１．０４ｋｅＶ
及び１．３ｅＶになる。
【００２２】図１に示した検出器４は、Ｚ軸とほぼ直交
する方向に放射された可視光を検出するが、電子ビーム
とレーザビームとの衝突によって、散乱光が全方位に放
射される。このため、Ｚ軸と直交する方向に放射される
散乱光の代わりに、他の方向に放射される散乱光を検出
してもよい。ただし、Ｚ軸の正の方向に放射されるＸ線
を遮ることなく散乱光を検出するために、検出器をＺ軸
から逸れた位置に配置することが好ましい。
する方向に放射された可視光を検出するが、電子ビーム
とレーザビームとの衝突によって、散乱光が全方位に放
射される。このため、Ｚ軸と直交する方向に放射される
散乱光の代わりに、他の方向に放射される散乱光を検出
してもよい。ただし、Ｚ軸の正の方向に放射されるＸ線
を遮ることなく散乱光を検出するために、検出器をＺ軸
から逸れた位置に配置することが好ましい。
【００２３】図３（Ａ）及び図３（Ｂ）に、それぞれ散
乱光のフォトンエネルギ及びフォトン数の分布の計算結
果を示す。図３（Ａ）の半径方向がフォトンエネルギを
単位「ｅＶ」で表す。図３（Ｂ）の半径方向がフォトン
数を単位「個」で表す。なお、電子ビームのエネルギを
１０ＭｅＶ、電荷量を１ｎＣ、パルス幅を１０ｐｓ、ビ
ームウエストサイズを５０μｍとし、レーザビームのフ
ォトンエネルギを１．３ｅＶ、エネルギを１０ｍＪ、パ
ルス幅を１０ｐｓ、ビームウエストサイズを５０μｍと
し、衝突角度αを０度とした。
乱光のフォトンエネルギ及びフォトン数の分布の計算結
果を示す。図３（Ａ）の半径方向がフォトンエネルギを
単位「ｅＶ」で表す。図３（Ｂ）の半径方向がフォトン
数を単位「個」で表す。なお、電子ビームのエネルギを
１０ＭｅＶ、電荷量を１ｎＣ、パルス幅を１０ｐｓ、ビ
ームウエストサイズを５０μｍとし、レーザビームのフ
ォトンエネルギを１．３ｅＶ、エネルギを１０ｍＪ、パ
ルス幅を１０ｐｓ、ビームウエストサイズを５０μｍと
し、衝突角度αを０度とした。
【００２４】図３（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、全方
位に散乱光が放射されていることがわかる。また、散乱
角度θが大きくなるに従ってフォトンエネルギは低下
し、フォトン数が減少していることがわかる。すなわ
ち、散乱角度θが大きくなるに従って散乱光の波長が長
くなり、かつ強度が低下する。
位に散乱光が放射されていることがわかる。また、散乱
角度θが大きくなるに従ってフォトンエネルギは低下
し、フォトン数が減少していることがわかる。すなわ
ち、散乱角度θが大きくなるに従って散乱光の波長が長
くなり、かつ強度が低下する。
【００２５】図１に示したメインチャンバ１の外部で散
乱光を効率的に検出するために、散乱光が、ガラス窓を
容易に透過する波長領域内の波長となる散乱角度の位置
に検出器４を配置することが好ましい。すなわち、紫外
線領域よりも可視光領域の波長となる散乱角度の位置に
検出器４を配置することが好ましい。
乱光を効率的に検出するために、散乱光が、ガラス窓を
容易に透過する波長領域内の波長となる散乱角度の位置
に検出器４を配置することが好ましい。すなわち、紫外
線領域よりも可視光領域の波長となる散乱角度の位置に
検出器４を配置することが好ましい。
【００２６】また、散乱角度θが大きくなりすぎると、
フォトン数が少なくなるため、散乱光の検出が困難にな
る。これらを考慮すると、散乱角度θが６０度〜９０度
の位置に検出器４を配置することが好ましい。散乱角度
θが６０度のとき、数式（１）によれば、入射レーザ光
の４倍波に相当する波長の散乱光が観測される。また、
散乱角度θが９０度のとき、入射レーザ光の２倍波に相
当する波長の散乱光が観測される。これらの波長は、電
子ビームが飛翔する真空ダクト２１やメインチャンバ１
内で発生するノイズ電磁波の波長から遠く離れている。
このため、散乱光検出のＳ／Ｎ比を高めることができ
る。
フォトン数が少なくなるため、散乱光の検出が困難にな
る。これらを考慮すると、散乱角度θが６０度〜９０度
の位置に検出器４を配置することが好ましい。散乱角度
θが６０度のとき、数式（１）によれば、入射レーザ光
の４倍波に相当する波長の散乱光が観測される。また、
散乱角度θが９０度のとき、入射レーザ光の２倍波に相
当する波長の散乱光が観測される。これらの波長は、電
子ビームが飛翔する真空ダクト２１やメインチャンバ１
内で発生するノイズ電磁波の波長から遠く離れている。
このため、散乱光検出のＳ／Ｎ比を高めることができ
る。
【００２７】以上実施例に沿って本発明を説明したが、
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
電子ビームとレーザビームとの衝突により放射された散
乱光を、電子ビームの飛翔経路から逸れた位置で検出す
る。このため、電子ビームの飛翔方向に放射されるＸ線
の伝搬を妨げることなく、散乱光の一部を検出すること
ができる。散乱光の一部を検出することにより、電子ビ
ームの飛翔方向に放射されたＸ線の特性を知ることがで
きる。
電子ビームとレーザビームとの衝突により放射された散
乱光を、電子ビームの飛翔経路から逸れた位置で検出す
る。このため、電子ビームの飛翔方向に放射されるＸ線
の伝搬を妨げることなく、散乱光の一部を検出すること
ができる。散乱光の一部を検出することにより、電子ビ
ームの飛翔方向に放射されたＸ線の特性を知ることがで
きる。
【図１】本発明の実施例によるＸ線発生装置の概略平面
図である。
図である。
【図２】電子ビーム、レーザビーム、及び散乱光の相対
位置関係を説明するためのＸＹＺ直交座標系を示す斜視
図である。
位置関係を説明するためのＸＹＺ直交座標系を示す斜視
図である。
【図３】散乱光のフォトンエネルギ及びフォトン数の分
布を示すグラフである。
布を示すグラフである。
１ メインチャンバ ２ 電子ビーム入射口 ３ 観察窓 ４ 検出器 ５ レーザビーム入射口 ６ 真空ダクト ７ 分岐ダクト ８ レーザビーム入射口 ９ Ｘ線出射口 １０ 処理チャンバ １１ レーザ光源 １２ 偏向電磁石 １３ ファラデーカップ １５ 反射鏡 １６ 試料ホルダ １７ 被照射物 ２０ 電子ビーム出射装置 ２１ 真空ダクト ３０ 電子ビーム ３１、３２ レーザビーム ３３ Ｘ線
Claims (5)
- 【請求項１】 電子ビームを出射する電子ビーム発生手
段と、 前記電子ビーム発生手段から出射された電子ビームの飛
翔経路を画定する真空容器と、 前記真空容器内を飛翔する電子ビームに衝突するよう
に、レーザビームを出射し伝搬させるレーザ光学系と、 前記電子ビームの飛翔経路及びその延長線から逸れた位
置に配置され、前記電子ビームとレーザビームとの衝突
により発生する散乱光の一部を検出する散乱光検出手段
とを有するＸ線発生装置。 - 【請求項２】 前記レーザ光学系が、前記電子ビームの
飛翔経路にほぼ一致し、かつ該電子ビームの飛翔方向と
反対向きに前記レーザビームを伝搬させる請求項１に記
載のＸ線発生装置。 - 【請求項３】 さらに、前記電子ビームとレーザビーム
との衝突位置よりも、前記電子ビームの下流側において
前記電子ビームの飛翔方向を変化させる偏向手段と、 前記衝突位置における前記電子ビームの飛翔経路を、そ
の飛翔方向に延長した仮想直線と交差するように処理対
象物を保持する保持手段とを有する請求項２に記載のＸ
線発生装置。 - 【請求項４】 電子ビームを出射する工程と、 前記電子ビームに、レーザビームを衝突させる工程と、 前記電子ビームとレーザビームとの衝突によって放射さ
れる散乱光の一部を、前記電子ビームの飛翔経路から逸
れた位置で検出する工程とを有するＸ線発生方法。 - 【請求項５】 前記散乱光の一部を検出する工程におい
て、前記電子ビームの飛翔方向に対して６０度〜９０度
の方向に放射された散乱光の一部を検出する請求項４に
記載のＸ線発生方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000158017A JP3497447B2 (ja) | 2000-05-29 | 2000-05-29 | Ｘ線発生装置及び発生方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000158017A JP3497447B2 (ja) | 2000-05-29 | 2000-05-29 | Ｘ線発生装置及び発生方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001338796A true JP2001338796A (ja) | 2001-12-07 |
| JP3497447B2 JP3497447B2 (ja) | 2004-02-16 |
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