JP2001332604A - 搬送位置ずれ検出機構 - Google Patents

搬送位置ずれ検出機構

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JP2001332604A
JP2001332604A JP2000154938A JP2000154938A JP2001332604A JP 2001332604 A JP2001332604 A JP 2001332604A JP 2000154938 A JP2000154938 A JP 2000154938A JP 2000154938 A JP2000154938 A JP 2000154938A JP 2001332604 A JP2001332604 A JP 2001332604A
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displacement sensor
transport
semiconductor manufacturing
position deviation
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JP2000154938A
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Kazuya Kumabe
和哉 隈部
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NEC Kyushu Ltd
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NEC Kyushu Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】半導体製造装置の真空チャンバに現在設けられ
ている限られた外部窓を使用して、真空チャンバ内の搬
送機構の3軸方向の搬送位置ずれの検出を行う機構を提
供する。 【解決手段】半導体製造装置の真空チャンバの外部窓の
外側に設けられ、レーザー光12を照射しその反射によ
り反射物との距離を測定する変位センサ11と、半導体
製造装置の搬送機構である搬送ロボットの搬送物である
ウエハ21を載置する搬送テーブル1に設けられ、変位
センサ11から照射されたレーザー光12を反射する突
起2とを有する。搬送テーブル1に設けられた突起2
は、X軸、Y軸及びZ軸の3軸方向のテーパ面2aを主
面に形成させた形状である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、搬送位置ずれ検出
機構に関し、特に半導体製造装置の搬送機構に於ける搬
送位置ずれ検出機構に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の、半導体ウエハ(以下ウエハとい
う)を処理する半導体製造装置において、処理するウエ
ハを搬送する搬送機構として、一般に搬送ロボットが用
いられている。搬送ロボットは、図5の模式図に示すよ
うに、搬送テーブル1上に搬送物であるウエハ21を載
置し、所定位置へのウエハ21の搬送動作を行う。
【0003】また、真空中でウエハの処理を行なう半導
体製造装置では、真空チャンバにより真空を保持してい
る。そして、半導体製造装置の搬送機構である搬送ロボ
ットは、ウエハ21の処理を行う真空チャンバ(図示せ
ず)内へのウエハ21の搬送動作を行う。
【0004】そして、ウエハを処理する半導体製造装置
において、処理するウエハを搬送する搬送機構の搬送位
置ずれは、ウエハの割れやスクラッチ(傷)を招き、品
質上および生産上大変問題となる。このため、搬送機構
の搬送位置ずれを早期に検出し、搬送位置ずれがある場
合は搬送機構の搬送動作を停止する必要がある。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半導体
製造装置は、搬送機構の搬送位置ずれを検出する機構を
有していず、そのため上述したウエハの割れやスクラッ
チ(傷)を招き、品質上および生産上問題が生じてい
る。
【0006】そこで、真空中でウエハ(21)の処理を
行なう半導体製造装置において、真空チャンバの外側か
ら変位センサを用いて、真空チャンバ内の搬送機構(搬
送ロボットの搬送テーブル1)の3軸(X・Y・Z軸)
方向の搬送位置ずれの検出を行おうとすると、真空チャ
ンバに搬送位置ずれ検出用の外部窓を追加する必要があ
る。これには、真空チャンバの大掛かりな改造が必要と
なり、コスト面にて問題がある。
【0007】従って、本発明の目的は、半導体製造装置
の真空チャンバに現在設けられている限られた外部窓を
使用して、真空チャンバ内の搬送機構の3軸方向の搬送
位置ずれの検出を行う機構を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明の搬送位置ずれ検
出機構は、測定光を照射しその反射により反射物との距
離を測定する変位センサと、搬送機構に設けられ前記変
位センサから照射された前記測定光を反射する突起とを
有することを特徴とする。
【0009】また、前記突起は、前記搬送機構のX軸、
Y軸及びZ軸の3軸方向のテーパ面を主面に形成させた
形状である。
【0010】また、前記突起は、平面を主面に形成させ
た形状である。また、前記突起の前記平面までの高さ
は、前記変位センサによる距離測定方向の前記搬送機構
の搬送位置ずれ量の許容値より大きい高さである。ま
た、前記測定光のスポットの大きさをD、前記搬送機構
の前記搬送位置ずれ量の許容値をAとすると、前記突起
の前記平面の大きさは、(D+2*A)である。
【0011】また、前記変位センサは半導体製造装置の
真空チャンバの外部窓の外側に設けられ、前記突起は前
記半導体製造装置の搬送機構である搬送ロボットの搬送
テーブルに設けられている。
【0012】本発明の搬送位置ずれ検出機構は、測定光
を照射しその反射により反射物との距離を測定する変位
センサと、搬送機構に設けられ前記変位センサから照射
された前記測定光を反射する有底の孔とを有することを
特徴とする。
【0013】また、前記有底の孔は、平面の底面を形成
させた形状である。また、前記孔の前記底面までの深さ
は、前記変位センサによる距離測定方向の前記搬送機構
の搬送位置ずれ量の許容値より大きい深さである。ま
た、前記測定光のスポットの大きさをD、前記測定光の
前記孔の開口部に於ける照射時と反射時の光路ずれ量を
B、前記搬送機構の前記搬送位置ずれ量の許容値をAと
すると、前記孔の大きさは、(D+B+2*A)であ
る。
【0014】また、前記変位センサは半導体製造装置の
真空チャンバの外部窓の外側に設けられ、前記有底の孔
は前記半導体製造装置の搬送機構である搬送ロボットの
搬送テーブルに設けられている。
【0015】この様な本発明によれば、半導体製造装置
の真空チャンバの外部窓の外側に設けられた変位センサ
にて、半導体製造装置の搬送機構である搬送ロボットの
搬送テーブルに設けられた突起または孔までの距離を測
定している。
【0016】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。図1は本発明の第1
の実施形態を示す模式図、図4は図1の第1の実施形態
(または図2の第2の実施形態または図3の第3の実施
形態)の搬送位置ずれ検出機構を用い、半導体製造装置
の搬送機構の搬送位置ずれを検出する手順を示すフロー
チャートである。
【0017】図1に示すように、本実施形態の搬送位置
ずれ検出機構は、半導体製造装置の真空チャンバの外部
窓(図示せず)の外側に設けられ、測定光であるレーザ
ー光12を照射しその反射により反射物との距離を測定
する変位センサ11、半導体製造装置の搬送機構である
搬送ロボットの搬送物であるウエハ21を載置する搬送
テーブル1に設けられ、変位センサ11から照射された
レーザー光12を反射する突起2から構成されている。
【0018】そして、搬送テーブル1に設けられた突起
2は、3軸(X・Y・Z軸)方向のテーパ面2aを主面
に形成させた形状である。そして、突起2の材質は金属
例えばステンレスであり、そのテーパ面2aは鏡面であ
る。
【0019】ここで、この搬送位置ずれ検出機構は、次
のように動作する。搬送テーブル1に設けられた突起2
に形成させた3軸(X・Y・Z軸)方向のテーパ面2a
に、変位センサ11からレーザー光12を照射し、3軸
方向のテーパ面2aで反射させ、戻ってきたレーザー光
12により、変位センサ11と搬送テーブル1に設けら
れた突起2に形成させた3軸(X・Y・Z軸)方向のテ
ーパ面2aとの距離を変位センサ11にて測定する。
【0020】そして、この搬送位置ずれ検出機構を用
い、図4に示すように、半導体製造装置の搬送機構の搬
送位置ずれを検出する。まず、搬送ロボットが搬送物で
あるウエハ21を搬送テーブル1に載置し、搬送元から
搬送(移動)を開始する(図4のステップ401)。
【0021】そして、真空チャンバ内の所定の搬送位置
に搬送する。そして、真空チャンバ内の所定の搬送位置
にて搬送動作を一旦停止する(ステップ402)。
【0022】そして、変位センサ11にて搬送テーブル
1に設けられた突起2までの距離を測定する(ステップ
403)。
【0023】そして、この距離の測定値を判定処理部例
えばパソコン(図示せず)に取り込み、搬送テーブル1
(に設けられた突起2)が正常な位置に停止した時の変
位センサ11と搬送テーブル1との距離の所定値と、取
り込んだ距離の測定値との差を演算し、搬送テーブル1
の搬送位置ずれ量を検出する。そして、検出した搬送テ
ーブル1の搬送位置ずれ量が、所定の許容値内であるか
判定を行う。(ステップ404)。
【0024】そして、検出した搬送テーブル1の搬送位
置ずれ量が許容値内(小さい)の場合は、搬送ロボット
の搬送動作を終了する(ステップ405)。
【0025】また、検出した搬送テーブル1の搬送位置
ずれ量が許容値外(大きい)の場合は、搬送位置ずれと
してアラームを発生させ(ステップ406)、搬送ロボ
ットの搬送動作を停止させる(ステップ407)。
【0026】図2は本発明の第2の実施形態を示す模式
図であり、図2(a)は側面図、図2(b)は上面図で
ある。図2に示すように、本実施形態の搬送位置ずれ検
出機構は、図1に示す第1の実施形態と同様に、半導体
製造装置の真空チャンバの外部窓(図示せず)の外側に
設けられた変位センサ(図示せず、11)、半導体製造
装置の搬送機構である搬送ロボットの搬送テーブル1に
設けられた突起3で構成されているものである。
【0027】しかし、搬送テーブル1に設けられた突起
3は、図1に示す第1の実施形態とは異なり、平面(平
面部3a)を主面に形成させた形状である。そして、突
起3の材質は金属例えばステンレスであり、その平面部
3aは鏡面である。
【0028】そして、突起3の平面部3aまでの高さH
は、変位センサ11による距離測定方向の搬送テーブル
1の搬送位置ずれ量の許容値より大きい高さである。
【0029】そしてこの時、変位センサ11による距離
測定方向をZ方向とし、変位センサ11から照射される
レーザー光12のレーザースポット12aの直径をφ
D、搬送テーブル1のX及びY方向の搬送位置ずれ量の
許容値を夫々X1及びY1とすると、突起3の平面部3
aのX及びY方向の大きさは、夫々(D+2*X1)及
び(D+2*Y1)である。
【0030】ここで、この搬送位置ずれ検出機構は、次
のように動作する。まず、搬送テーブル1(に設けられ
た突起3)が正常な位置に停止した時、変位センサ11
から照射されたレーザー光12のレーザースポット12
aは、突起3の平面部3aの中心に位置する。
【0031】そして、搬送テーブル1に設けられた突起
3に形成させた平面部3aに、変位センサ11からレー
ザー光12を照射し、平面部3aで反射させ、戻ってき
たレーザー光12により、変位センサ11と搬送テーブ
ル1に設けられた突起3に形成させた平面部3aとの距
離(Z方向の距離)を変位センサ11にて測定する。
【0032】これにより、搬送テーブル1のZ方向の搬
送位置ずれの検出は、(図1に示す第1の実施形態と同
様に)、距離の測定値により搬送位置ずれ量を検出し、
所定の許容値内であるか判定して行う。
【0033】また、搬送テーブル1のX及びY方向の搬
送位置ずれの検出は、(図1に示す第1の実施形態とは
異なり)、次のように行う。搬送テーブル1のX及び又
はY方向の搬送位置ずれ量が許容値より大きい(許容値
外)場合、変位センサ11から照射されたレーザー光1
2(のレーザースポット12a)は、突起3(の平面部
3a)から外れ、更に進み、搬送テーブル1の上面1a
で反射して、変位センサ11へ戻っていく。
【0034】この時、突起3の高さHは、搬送テーブル
1のZ方向の搬送位置ずれ量の許容値より大きい高さで
あるため、搬送テーブル1のZ方向の距離の測定値によ
り検出した搬送位置ずれ量が許容値より大きくなり、許
容値外と判定する。
【0035】この様に、搬送テーブル1のX及びY方向
の搬送位置ずれの検出は、搬送テーブル1のZ方向の距
離を測定することによって行える。
【0036】そして、この搬送位置ずれ検出機構を用
い、半導体製造装置の搬送機構の搬送位置ずれを検出す
る手順は、図4に示すように、図1に示す第1の実施形
態と同様である。
【0037】図3は本発明の第3の実施形態を示す模式
図であり、図3(a)は側面図、図3(b)は上面図で
ある。図3に示すように、本実施形態の搬送位置ずれ検
出機構は、図2に示す第2の実施形態が半導体製造装置
の搬送機構である搬送ロボットの搬送テーブル1に設け
られた突起3で構成されているのに対し、搬送ロボット
の搬送テーブル1に設けられた有底の孔4で構成してい
るものである。
【0038】そして、搬送テーブル1に設けられた有底
の孔4は、平面の底面4aを形成させた形状であり、そ
の底面4aは鏡面である。
【0039】そして、孔4の底面4aまでの深さLは、
変位センサ11による距離測定方向の搬送テーブル1の
搬送位置ずれ量の許容値より大きい深さである。
【0040】そしてこの時、変位センサ11による距離
測定方向をZ方向とし、変位センサ11から照射される
レーザー光12のレーザースポット12aの直径をφ
D、レーザー光12の孔4の開口部に於けるX及びY方
向の照射時と反射時の光路ずれ量を夫々X2及びY2、
搬送テーブル1のX及びY方向の搬送位置ずれ量の許容
値を夫々X1及びY1とすると、孔4のX及びY方向の
大きさは、夫々(D+X2+2*X1)及び(D+Y2
+2*Y1)である。(なお図3(b)において、レー
ザー光12のX及びY方向の照射時と反射時の光路ずれ
量X2及びY2は、示めされていない)。
【0041】ここで、この搬送位置ずれ検出機構は、次
のように動作する。まず、搬送テーブル1(に設けられ
た孔4)が正常な位置に停止した時、変位センサ11か
ら照射されたレーザー光12のレーザースポット12a
は、孔4の底面4aの中心に位置する。
【0042】そして、搬送テーブル1に設けられた孔4
に形成させた底面4aに、変位センサ11からレーザー
光12を照射し、底面4aで反射させ、戻ってきたレー
ザー光12により、変位センサ11と搬送テーブル1に
設けられた孔4に形成させた底面4aとの距離(Z方向
の距離)を変位センサ11にて測定する。
【0043】これにより、搬送テーブル1のZ方向の搬
送位置ずれの検出は、(図2に示す第2の実施形態と同
様に)、距離の測定値により搬送位置ずれ量を検出し、
所定の許容値内であるか判定して行う。
【0044】また、搬送テーブル1のX及びY方向の搬
送位置ずれの検出は、(図2に示す第2の実施形態とは
異なり)、次のように行う。搬送テーブル1のX及び又
はY方向の搬送位置ずれ量が許容値より大きい(許容値
外)場合、変位センサ11から照射されたレーザー光1
2(のレーザースポット12a)は、孔4(の底面4
a)から外れ、手前の、搬送テーブル1の上面1aで反
射して、変位センサ11へ戻っていく。
【0045】この時、孔4の深さLは、搬送テーブル1
のZ方向の搬送位置ずれ量の許容値より大きい深さであ
るため、搬送テーブル1のZ方向の距離の測定値により
検出した搬送位置ずれ量が許容値より大きくなり、許容
値外と判定する。
【0046】この様に、搬送テーブル1のX及びY方向
の搬送位置ずれの検出は、搬送テーブル1のZ方向の距
離を測定することによって行える。
【0047】そして、この搬送位置ずれ検出機構を用
い、半導体製造装置の搬送機構の搬送位置ずれを検出す
る手順は、図4に示すように、図1に示す第1の実施形
態及び図2に示す第2の実施形態と同様である。
【0048】但し、ステップ403では、変位センサ1
1にて搬送テーブル1に設けられた孔4までの距離を測
定する。
【0049】そして、ステップ404では、この距離の
測定値を判定処理部例えばパソコン(図示せず)に取り
込み、搬送テーブル1(に設けられた孔4)が正常な位
置に停止した時の変位センサ11と搬送テーブル1との
距離の所定値と、取り込んだ距離の測定値との差を演算
し、搬送テーブル1の搬送位置ずれ量を検出する。そし
て、検出した搬送テーブル1の搬送位置ずれ量が、所定
の許容値内であるか判定を行う。
【0050】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、半
導体製造装置の真空チャンバの外部窓の外側に設けられ
た変位センサにて、半導体製造装置の搬送機構である搬
送ロボットの搬送テーブルに設けられた突起または孔ま
での距離を測定し、真空チャンバ内の搬送機構(搬送ロ
ボットの搬送テーブル)の3軸(X・Y・Z軸)方向の
搬送位置ずれの検出を行うので、半導体製造装置の真空
チャンバに現在設けられている限られた外部窓を使用し
て、真空チャンバ内の搬送機構の3軸方向の搬送位置ず
れの検出を行うことができるという効果が得られる。
【0051】このため、コスト面にて優れ、また、現在
使用している半導体製造装置の搬送機構に容易に適用す
ることが出来るという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の搬送位置ずれ検出機構の第1の実施形
態を示す模式図である。
【図2】本発明の第2の実施形態を示す模式図であり、
図2(a)は側面図、図2(b)は上面図である。
【図3】本発明の第3の実施形態を示す模式図であり、
図3(a)は側面図、図3(b)は上面図である。
【図4】図1の第1の実施形態、図2の第2の実施形態
または図3の第3の実施形態の搬送位置ずれ検出機構を
用い、半導体製造装置の搬送機構の搬送位置ずれを検出
する手順を示すフローチャートである。
【図5】従来技術を示す模式図であり、図5(a)は側
面図、図5(b)は斜視図である。
【符号の説明】
1 搬送テーブル 1a 上面 2,3 突起 2a テーパ面 3a 平面部 4 孔 4a 底面 11 変位センサ 12 レーザー光 12a レーザースポット 21 ウエハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 3C029 AA40 3F059 AA01 AA14 BA02 BA08 BC07 DA02 DA05 DA08 DB08 DC08 DD01 DD11 DE03 FA03 FB16 FB26 FC02 FC13 FC14 5F031 CA02 FA01 GA36 JA06 JA27 JA32 JA45 JA51 PA02 5F089 BA02 BB02 BC30

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 測定光を照射しその反射により反射物と
    の距離を測定する変位センサと、搬送機構に設けられ前
    記変位センサから照射された前記測定光を反射する突起
    とを有することを特徴とする搬送位置ずれ検出機構。
  2. 【請求項2】 前記突起は、前記搬送機構のX軸、Y軸
    及びZ軸の3軸方向のテーパ面を主面に形成させた形状
    である請求項1記載の搬送位置ずれ検出機構。
  3. 【請求項3】 前記突起は、平面を主面に形成させた形
    状である請求項1記載の搬送位置ずれ検出機構。
  4. 【請求項4】 前記突起の前記平面までの高さは、前記
    変位センサによる距離測定方向の前記搬送機構の搬送位
    置ずれ量の許容値より大きい高さである請求項3記載の
    搬送位置ずれ検出機構。
  5. 【請求項5】 前記測定光のスポットの大きさをD、前
    記搬送機構の前記搬送位置ずれ量の許容値をAとする
    と、前記突起の前記平面の大きさは、(D+2*A)で
    ある請求項3記載の搬送位置ずれ検出機構。
  6. 【請求項6】 前記変位センサは半導体製造装置の真空
    チャンバの外部窓の外側に設けられ、前記突起は前記半
    導体製造装置の搬送機構である搬送ロボットの搬送テー
    ブルに設けられている請求項1記載の搬送位置ずれ検出
    機構。
  7. 【請求項7】 測定光を照射しその反射により反射物と
    の距離を測定する変位センサと、搬送機構に設けられ前
    記変位センサから照射された前記測定光を反射する有底
    の孔とを有することを特徴とする搬送位置ずれ検出機
    構。
  8. 【請求項8】 前記有底の孔は、平面の底面を形成させ
    た形状である請求項7記載の搬送位置ずれ検出機構。
  9. 【請求項9】 前記孔の前記底面までの深さは、前記変
    位センサによる距離測定方向の前記搬送機構の搬送位置
    ずれ量の許容値より大きい深さである請求項8記載の搬
    送位置ずれ検出機構。
  10. 【請求項10】 前記測定光のスポットの大きさをD、
    前記測定光の前記孔の開口部に於ける照射時と反射時の
    光路ずれ量をB、前記搬送機構の前記搬送位置ずれ量の
    許容値をAとすると、前記孔の大きさは、(D+B+2
    *A)である請求項7または8記載の搬送位置ずれ検出
    機構。
  11. 【請求項11】 前記変位センサは半導体製造装置の真
    空チャンバの外部窓の外側に設けられ、前記有底の孔は
    前記半導体製造装置の搬送機構である搬送ロボットの搬
    送テーブルに設けられている請求項7記載の搬送位置ず
    れ検出機構。
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