JP2001332453A - 固体電解コンデンサ - Google Patents
固体電解コンデンサInfo
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- JP2001332453A JP2001332453A JP2000154114A JP2000154114A JP2001332453A JP 2001332453 A JP2001332453 A JP 2001332453A JP 2000154114 A JP2000154114 A JP 2000154114A JP 2000154114 A JP2000154114 A JP 2000154114A JP 2001332453 A JP2001332453 A JP 2001332453A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 高周波領域でも優れた特性を示す固体電解コ
ンデンサを提供する。 【解決手段】 アルキル基及びアルコキシ基の炭素数
が、それぞれ１〜６である３−アルキル−４−アルコキ
シチオフェンの重合体を固体電解質とする固体電解コン
デンサであって、該重合体はドーパントを含有している
ことを特徴とする。前記重合体はコンデンサの電極とし
て作用する弁金属上に形成されている誘電体層上で重合
されることにより形成される。また、前記重合体は３−
メチル−４−メトキシオフェンであることを特徴とす
る。
ンデンサを提供する。 【解決手段】 アルキル基及びアルコキシ基の炭素数
が、それぞれ１〜６である３−アルキル−４−アルコキ
シチオフェンの重合体を固体電解質とする固体電解コン
デンサであって、該重合体はドーパントを含有している
ことを特徴とする。前記重合体はコンデンサの電極とし
て作用する弁金属上に形成されている誘電体層上で重合
されることにより形成される。また、前記重合体は３−
メチル−４−メトキシオフェンであることを特徴とす
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、アルキル基及びア
ルコキシ基を置換基として有する、ジ置換チオフェンの
重合体を固体電解質とする固体電解コンデンサに関する
ものである。本発明に係る固体電解コンデンサは、他の
チオフェン重合体を固体電解質とするものと同じく高温
時の劣化が少ないことに加えて、高周波領域でも優れた
特性を示すという特徴を有している。
ルコキシ基を置換基として有する、ジ置換チオフェンの
重合体を固体電解質とする固体電解コンデンサに関する
ものである。本発明に係る固体電解コンデンサは、他の
チオフェン重合体を固体電解質とするものと同じく高温
時の劣化が少ないことに加えて、高周波領域でも優れた
特性を示すという特徴を有している。
【０００２】
【従来の技術】固体電解コンデンサとしては、表面に酸
化物から成る誘電体層を有する弁金属、例えばアルミニ
ウム、タンタル、ニオブ等を陽極とし、二酸化マンガン
やテトラシアノキノジメタン錯塩を固体電解質とするも
のが開発されている。しかしながら二酸化マンガンは導
電率が小さいので、二酸化マンガンを固体電解質とする
固体電解コンデンサは、高周波領域でのインピーダンス
が大きいという問題がある。またテトラシアノキノジメ
タン錯塩を固体電解質とする固体電解コンデンサは、こ
の錯塩が熱分解し易いため、耐熱性が劣るという問題が
ある。
化物から成る誘電体層を有する弁金属、例えばアルミニ
ウム、タンタル、ニオブ等を陽極とし、二酸化マンガン
やテトラシアノキノジメタン錯塩を固体電解質とするも
のが開発されている。しかしながら二酸化マンガンは導
電率が小さいので、二酸化マンガンを固体電解質とする
固体電解コンデンサは、高周波領域でのインピーダンス
が大きいという問題がある。またテトラシアノキノジメ
タン錯塩を固体電解質とする固体電解コンデンサは、こ
の錯塩が熱分解し易いため、耐熱性が劣るという問題が
ある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】固体電解質として二酸
化マンガンやテトラシアノキノジメタン錯塩を用いた固
体電解コンデンサの問題点を解決するものとして、高導
電性の有機重合体を固体電解質として用いることが提案
されている。例えば特開平２−１５６１１号公報や特開
２０００−１２３９４号公報には、３，４−アルキレン
ジオキシチオフェンの重合体を固体電解質とする固体電
解コンデンサが開示されている。
化マンガンやテトラシアノキノジメタン錯塩を用いた固
体電解コンデンサの問題点を解決するものとして、高導
電性の有機重合体を固体電解質として用いることが提案
されている。例えば特開平２−１５６１１号公報や特開
２０００−１２３９４号公報には、３，４−アルキレン
ジオキシチオフェンの重合体を固体電解質とする固体電
解コンデンサが開示されている。
【０００４】本発明は３，４−アルキレンジオキシチオ
フェンとは異なるチオフェン誘導体の重合体を固体電解
質としていて、高周波領域で良好な特性を示す固体電解
コンデンサを提供しようとするものである。
フェンとは異なるチオフェン誘導体の重合体を固体電解
質としていて、高周波領域で良好な特性を示す固体電解
コンデンサを提供しようとするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明に係る固体電解コ
ンデンサは、固体電解質として、アルキル基及びアルコ
キシ基の炭素数が、それぞれ独立して、いずれも１〜６
である３−アルキル−４−アルコキシチオフェンの重合
体を用いることを特徴とするものである。
ンデンサは、固体電解質として、アルキル基及びアルコ
キシ基の炭素数が、それぞれ独立して、いずれも１〜６
である３−アルキル−４−アルコキシチオフェンの重合
体を用いることを特徴とするものである。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明で用いる固体電解質は、３
−アルキル−４−アルコキシチオフェンの重合体であ
る。チオフェンに結合しているアルキル基としては、メ
チル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、
ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペン
チル基、ｎ−ヘキシル基など、炭素数１〜６のアルキル
基が挙げられる。またアルコキシ基としては、メトキシ
基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ
基、ｎ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ
基、ｎ−ペントキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基など、炭
素数１〜６のアルコキシ基が挙げられる。
−アルキル−４−アルコキシチオフェンの重合体であ
る。チオフェンに結合しているアルキル基としては、メ
チル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、
ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペン
チル基、ｎ−ヘキシル基など、炭素数１〜６のアルキル
基が挙げられる。またアルコキシ基としては、メトキシ
基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ
基、ｎ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ
基、ｎ−ペントキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基など、炭
素数１〜６のアルコキシ基が挙げられる。
【０００７】３−アルキル−４−アルコキシチオフェン
の重合は、公知のチオフェン類の重合方法に準じて、液
相重合法又は電解重合法により行うことができる。液相
重合法では、不活性溶媒中に３−アルキル−４−アルコ
キシチオフェン及びこれを酸化し得る酸化剤の双方を溶
解して重合させる。溶媒としては、メタノール、エタノ
ール、ｉ−プロパノールなどの脂肪族アルコール；アセ
トン、メチルエチルケトンなどの脂肪族ケトン；酢酸エ
チル、酢酸ブチルなどの脂肪族カルボン酸エステル；ト
ルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素；ヘキサン、ヘ
プタン、シクロヘキサンなどの脂肪族炭化水素；ジクロ
ロメタン、トリクロロメタンなどの塩素化炭化水素；ア
セトニトリルなどの脂肪族ニトリル；ジメチルスルホキ
シドやスルホランなどの脂肪族スルホキシドやスルホ
ン；メチルアセトアミドやジメチルホルムアミドなどの
脂肪族カルボン酸アミド；ジエチルエーテルやテトラヒ
ドロフランなどの鎖状又は環状エーテルなどを、単独で
又は混合して用いればよい。また水や水と上記の有機溶
媒との混合物を用いることもできる。
の重合は、公知のチオフェン類の重合方法に準じて、液
相重合法又は電解重合法により行うことができる。液相
重合法では、不活性溶媒中に３−アルキル−４−アルコ
キシチオフェン及びこれを酸化し得る酸化剤の双方を溶
解して重合させる。溶媒としては、メタノール、エタノ
ール、ｉ−プロパノールなどの脂肪族アルコール；アセ
トン、メチルエチルケトンなどの脂肪族ケトン；酢酸エ
チル、酢酸ブチルなどの脂肪族カルボン酸エステル；ト
ルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素；ヘキサン、ヘ
プタン、シクロヘキサンなどの脂肪族炭化水素；ジクロ
ロメタン、トリクロロメタンなどの塩素化炭化水素；ア
セトニトリルなどの脂肪族ニトリル；ジメチルスルホキ
シドやスルホランなどの脂肪族スルホキシドやスルホ
ン；メチルアセトアミドやジメチルホルムアミドなどの
脂肪族カルボン酸アミド；ジエチルエーテルやテトラヒ
ドロフランなどの鎖状又は環状エーテルなどを、単独で
又は混合して用いればよい。また水や水と上記の有機溶
媒との混合物を用いることもできる。
【０００８】酸化剤としては、塩化第２鉄、過塩素酸第
２鉄、硫酸第２鉄、その他の第２鉄塩を用いるのが好ま
しいが、他にも過酸化水素、重クロム酸カリ、アルカリ
金属過硫酸塩、過硫酸アンモニウム、アルカリ金属過ホ
ウ酸塩、過マンガン酸カリウム、テトラフルオロホウ酸
銅（II）などを用いることもできる。重合は、上記した
不活性溶媒中に、原料の３−アルキル−４−アルコキシ
チオフェンが０．０１〜１．０モル／ｌ、好ましくは
０．０５〜０．５モル／ｌとなるように溶解し、更にチ
オフェンに対して２〜６モル倍、好ましくは２〜４モル
倍の酸化剤を加えて、０〜２００℃、好ましくは０〜１
５０℃で、１〜４８時間、好ましくは３〜２４時間行え
ばよい。重合は不活性ガス雰囲気、特にアルゴンガス雰
囲気で行うのが好ましい。得られた重合体は、溶液とし
てコンデンサの電極の誘電体層上に塗布・乾燥すること
により、電極上に固体電解質層を形成することができ
る。固体電解質層の厚さは通常０．０１〜１００μｍ程
度である。なお、重合体はそのままでも固体電解質とし
て用いることができるが、ドーパントを含有させて用い
ることもできる。ドーパントとしてはＩ2、Ｂｒ2、ＰＦ
5、ＡｓＦ5、ＳｂＦ5、ＡｇＣｌＯ4、ＡｇＢＦ4、Ｂ
Ｆ3、ＢＢｒ3、Ｈ2ＳＯ4、ＨＣｌＯ4、ＳＯ3、ＨＮ
Ｏ3、ＣＦ3ＳＯ3Ｈなどの電子受容体、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ
などの電子供与体など、ドーパントとして公知のものを
用いればよい。また、後記する電解重合法での支持電解
質もドーパントとして用いることができる。重合体にド
ーパントを含有させるには、ドーパントのガス又は溶液
を重合体と接触させればよい。
２鉄、硫酸第２鉄、その他の第２鉄塩を用いるのが好ま
しいが、他にも過酸化水素、重クロム酸カリ、アルカリ
金属過硫酸塩、過硫酸アンモニウム、アルカリ金属過ホ
ウ酸塩、過マンガン酸カリウム、テトラフルオロホウ酸
銅（II）などを用いることもできる。重合は、上記した
不活性溶媒中に、原料の３−アルキル−４−アルコキシ
チオフェンが０．０１〜１．０モル／ｌ、好ましくは
０．０５〜０．５モル／ｌとなるように溶解し、更にチ
オフェンに対して２〜６モル倍、好ましくは２〜４モル
倍の酸化剤を加えて、０〜２００℃、好ましくは０〜１
５０℃で、１〜４８時間、好ましくは３〜２４時間行え
ばよい。重合は不活性ガス雰囲気、特にアルゴンガス雰
囲気で行うのが好ましい。得られた重合体は、溶液とし
てコンデンサの電極の誘電体層上に塗布・乾燥すること
により、電極上に固体電解質層を形成することができ
る。固体電解質層の厚さは通常０．０１〜１００μｍ程
度である。なお、重合体はそのままでも固体電解質とし
て用いることができるが、ドーパントを含有させて用い
ることもできる。ドーパントとしてはＩ2、Ｂｒ2、ＰＦ
5、ＡｓＦ5、ＳｂＦ5、ＡｇＣｌＯ4、ＡｇＢＦ4、Ｂ
Ｆ3、ＢＢｒ3、Ｈ2ＳＯ4、ＨＣｌＯ4、ＳＯ3、ＨＮ
Ｏ3、ＣＦ3ＳＯ3Ｈなどの電子受容体、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ
などの電子供与体など、ドーパントとして公知のものを
用いればよい。また、後記する電解重合法での支持電解
質もドーパントとして用いることができる。重合体にド
ーパントを含有させるには、ドーパントのガス又は溶液
を重合体と接触させればよい。
【０００９】電解重合法では、極性溶媒中に３−アルキ
ル−４−アルコキシチオフェン及び支持電解質を溶解
し、この溶液中に設置した電極間に電圧を印加して重合
させる。極性溶媒としては、水、アセトニトリル、ニト
ロベンゼン、トリクロロメタン、テトラヒドロフランな
どを用いればよい。また支持電解質としては、テトラフ
ルオロホウ酸テトラメチルアンモニウム、テトラフルオ
ロホウ酸テトラエチルアンモニウム、テトラフルオロホ
ウ酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム、テトラフルオロ
ホウ酸トリエチルメチルアンモニウム、テトラフルオロ
ホウ酸リチウム、過塩素酸テトラメチルアンモニウム、
過塩素酸テトラエチルアンモニウム、過塩素酸テトラ−
ｎ−ブチルアンモニウム、過塩素酸トリエチルメチルア
ンモニウム、過塩素酸リチウム、ヘキサフルオロリン酸
テトラメチルアンモニウム、ヘキサフルオロリン酸テト
ラエチルアンモニウム、ヘキサフルオロリン酸テトラ−
ｎ−ブチルアンモニウム、ヘキサフルオロリン酸トリエ
チルメチルアンモニウム、ヘキサフルオロリン酸リチウ
ム、硫酸、硫酸水素テトラメチルアンモニウム、硫酸水
素テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム、トリフルオロ酢酸
ナトリウム、ｐ−トルエンスルホン酸テトラメチルアン
モニウム、ｐ−トルエンスルホン酸テトラ−ｎ−ブチル
アンモニウムなどが挙げられる。
ル−４−アルコキシチオフェン及び支持電解質を溶解
し、この溶液中に設置した電極間に電圧を印加して重合
させる。極性溶媒としては、水、アセトニトリル、ニト
ロベンゼン、トリクロロメタン、テトラヒドロフランな
どを用いればよい。また支持電解質としては、テトラフ
ルオロホウ酸テトラメチルアンモニウム、テトラフルオ
ロホウ酸テトラエチルアンモニウム、テトラフルオロホ
ウ酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム、テトラフルオロ
ホウ酸トリエチルメチルアンモニウム、テトラフルオロ
ホウ酸リチウム、過塩素酸テトラメチルアンモニウム、
過塩素酸テトラエチルアンモニウム、過塩素酸テトラ−
ｎ−ブチルアンモニウム、過塩素酸トリエチルメチルア
ンモニウム、過塩素酸リチウム、ヘキサフルオロリン酸
テトラメチルアンモニウム、ヘキサフルオロリン酸テト
ラエチルアンモニウム、ヘキサフルオロリン酸テトラ−
ｎ−ブチルアンモニウム、ヘキサフルオロリン酸トリエ
チルメチルアンモニウム、ヘキサフルオロリン酸リチウ
ム、硫酸、硫酸水素テトラメチルアンモニウム、硫酸水
素テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム、トリフルオロ酢酸
ナトリウム、ｐ−トルエンスルホン酸テトラメチルアン
モニウム、ｐ−トルエンスルホン酸テトラ−ｎ−ブチル
アンモニウムなどが挙げられる。
【００１０】電解重合に際しての極性溶媒中の原料チオ
フェンの濃度は０．０１〜１．０モル／ｌ、特に０．０
５〜０．５モル／ｌであるのが好ましく、また支持電解
質の濃度は０．０１〜２モル／ｌ、特には０．０５〜
１．０モル／ｌであるのが好ましい。電解重合は−１０
０℃〜１５０℃の範囲で行うことが可能であり、定電流
電解又は定電位電解のいずれの方法で行うこともでき
る。電解重合も窒素やアルゴンなどの不活性ガス雰囲気
で行うのが好ましい。電解重合法によれば支持電解質が
ドープされた重合体を得ることができる。支持電解質を
含まない重合体を所望の場合には、電解重合と逆電圧を
印加すると、重合体からドープされた支持電解質を分離
することができる。
フェンの濃度は０．０１〜１．０モル／ｌ、特に０．０
５〜０．５モル／ｌであるのが好ましく、また支持電解
質の濃度は０．０１〜２モル／ｌ、特には０．０５〜
１．０モル／ｌであるのが好ましい。電解重合は−１０
０℃〜１５０℃の範囲で行うことが可能であり、定電流
電解又は定電位電解のいずれの方法で行うこともでき
る。電解重合も窒素やアルゴンなどの不活性ガス雰囲気
で行うのが好ましい。電解重合法によれば支持電解質が
ドープされた重合体を得ることができる。支持電解質を
含まない重合体を所望の場合には、電解重合と逆電圧を
印加すると、重合体からドープされた支持電解質を分離
することができる。
【００１１】本発明の好ましい態様では、コンデンサの
電極として作用する弁金属上に形成されている誘電体層
上で、３−アルキル−４−アルコキシチオフェンの重合
を行い、電極上に固体電解質のチオフェン重合体層を直
接形成させる。そのためには、溶液重合法の場合には、
電極の弁金属上に形成されている誘電体層上に、原料の
チオフェンと酸化剤を含む溶液を塗布して重合させれば
よい。また電解重合法の場合には表面に誘電体層が形成
されている弁金属を陽極として用いればよい。
電極として作用する弁金属上に形成されている誘電体層
上で、３−アルキル−４−アルコキシチオフェンの重合
を行い、電極上に固体電解質のチオフェン重合体層を直
接形成させる。そのためには、溶液重合法の場合には、
電極の弁金属上に形成されている誘電体層上に、原料の
チオフェンと酸化剤を含む溶液を塗布して重合させれば
よい。また電解重合法の場合には表面に誘電体層が形成
されている弁金属を陽極として用いればよい。
【００１２】本発明に係る固体電解コンデンサは、上記
により得られる３−アルキル−４−アルコキシチオフェ
ンの重合体を固体電解質として用いる以外は、常法に従
って構成することができる。その典型的な構成は図１に
示す通りであり、陽極金属１と固体電解質層３とが誘電
体層２を介して接合している。かつ固体電解質層３の背
面には陰極金属４が取付けられていて、陽極金属１及び
陰極金属４にそれぞれ導線５、６が取付けられている。
陽極金属としてはタンタル、アルミニウム、ニオブ等の
弁金属が用いられる。誘電体層は通常は弁金属の酸化物
層であり、弁金属を陽極化成法など公知の方法で酸化し
て形成される。
により得られる３−アルキル−４−アルコキシチオフェ
ンの重合体を固体電解質として用いる以外は、常法に従
って構成することができる。その典型的な構成は図１に
示す通りであり、陽極金属１と固体電解質層３とが誘電
体層２を介して接合している。かつ固体電解質層３の背
面には陰極金属４が取付けられていて、陽極金属１及び
陰極金属４にそれぞれ導線５、６が取付けられている。
陽極金属としてはタンタル、アルミニウム、ニオブ等の
弁金属が用いられる。誘電体層は通常は弁金属の酸化物
層であり、弁金属を陽極化成法など公知の方法で酸化し
て形成される。
【００１３】
【実施例】以下に実施例により本発明を更に具体的に説
明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものでは
ない。 実施例１ アルミニウム箔（３ｍｍ×１０ｍｍ）をエッチングした
のち陽極酸化して、表面に酸化物から成る誘電体層を形
成した化成箔に、ｐ−トルエンスルホン酸鉄（III)３．
３ｇと３−メチル−４−メトキシチオフェン１．３ｇを
エタノール２５ｍｌに溶解した溶液を、塗布しては５０
℃で乾燥することを６回反復して、化成箔上に３−メチ
ル−４−メチキシチオフェンの重合体層を形成した。こ
の表面に重合体層が形成された化成箔を、銀ペースト浴
に浸漬してアルミニウム面及び重合体面にそれぞれ導電
体層を形成し、これを用いて固体電解コンデンサを作成
した。
明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものでは
ない。 実施例１ アルミニウム箔（３ｍｍ×１０ｍｍ）をエッチングした
のち陽極酸化して、表面に酸化物から成る誘電体層を形
成した化成箔に、ｐ−トルエンスルホン酸鉄（III)３．
３ｇと３−メチル−４−メトキシチオフェン１．３ｇを
エタノール２５ｍｌに溶解した溶液を、塗布しては５０
℃で乾燥することを６回反復して、化成箔上に３−メチ
ル−４−メチキシチオフェンの重合体層を形成した。こ
の表面に重合体層が形成された化成箔を、銀ペースト浴
に浸漬してアルミニウム面及び重合体面にそれぞれ導電
体層を形成し、これを用いて固体電解コンデンサを作成
した。
【００１４】比較例１ 実施例１において、３−メチル−４−メトキシチオフェ
ンの代りに３−メチルチオフェンを用いた以外は、実施
例１と全く同様にして固体電解コンデンサを作成した。
ンの代りに３−メチルチオフェンを用いた以外は、実施
例１と全く同様にして固体電解コンデンサを作成した。
【００１５】実施例２ タンタル焼結体（２２ｍｍ×３２ｍｍ×２０ｍｍ）をリ
ン酸水溶液中で陽極酸化して、表面に酸化物から成る誘
電体層を形成した。塩化鉄(III)２．７ｇと３−メチル
−４−メトキシチオフェン０．８６ｇをアセトニトリル
４０ｍｌに溶解した溶液に、上記の表面に誘電体層を形
成したタンタル焼結体を浸漬したのち引上げて５０℃で
乾燥することを６回反復して誘電体層上に３−メチル−
４−メトキシチオフェンの重合体層を形成した。以後は
実施例１と全く同様にして固体電解コンデンサを作成し
た。
ン酸水溶液中で陽極酸化して、表面に酸化物から成る誘
電体層を形成した。塩化鉄(III)２．７ｇと３−メチル
−４−メトキシチオフェン０．８６ｇをアセトニトリル
４０ｍｌに溶解した溶液に、上記の表面に誘電体層を形
成したタンタル焼結体を浸漬したのち引上げて５０℃で
乾燥することを６回反復して誘電体層上に３−メチル−
４−メトキシチオフェンの重合体層を形成した。以後は
実施例１と全く同様にして固体電解コンデンサを作成し
た。
【００１６】比較例２ 実施例２において、３−メチル−４−メトキシチオフェ
ンの代りに３−メチルチオフェンを用いた以外は、実施
例１と全く同様にして固体電解コンデンサを作成した。
ンの代りに３−メチルチオフェンを用いた以外は、実施
例１と全く同様にして固体電解コンデンサを作成した。
【００１７】実施例３ 実施例１で用いたと同じ化成箔の表面に、熱分解法によ
り極めて薄い二酸化マンガン層を形成した。アセトニト
リルにテトラフルオロホウ酸テトラ−ｎ−ブチルアンモ
ニウムを０．１モル／ｌ、３−メチル−４−メトキシチ
オフェンを０．１モル／ｌとなるように溶解させた溶液
中で、上記の化成箔を陽極、ステンレスチール板を陰極
として、０．５ｍＡ／ｃｍ2の電流密度で２時間電解重
合を行い、化成箔の二酸化マンガン層上にテトラフルオ
ロホウ酸イオンがドープした３−メチル−４−メトキシ
チオフェンの重合体層を形成した。以後は実施例１と全
く同様にして固体電解コンデンサを作成した。
り極めて薄い二酸化マンガン層を形成した。アセトニト
リルにテトラフルオロホウ酸テトラ−ｎ−ブチルアンモ
ニウムを０．１モル／ｌ、３−メチル−４−メトキシチ
オフェンを０．１モル／ｌとなるように溶解させた溶液
中で、上記の化成箔を陽極、ステンレスチール板を陰極
として、０．５ｍＡ／ｃｍ2の電流密度で２時間電解重
合を行い、化成箔の二酸化マンガン層上にテトラフルオ
ロホウ酸イオンがドープした３−メチル−４−メトキシ
チオフェンの重合体層を形成した。以後は実施例１と全
く同様にして固体電解コンデンサを作成した。
【００１８】比較例３ 実施例３において、３−メチル−４−メトキシチオフェ
ンの代りに３−メチルチオフェンを用いた以外は、実施
例３と全く同様にして固体電解コンデンサを作成した。
固体電解コンデンサの特性の評価；上記で作成した固体
電解コンデンサについて、１２０Ｈｚにおける静電容
量、１００ｋＨｚにおけるインピーダンス及び漏れ電流
を測定した。なお漏れ電流は定格電圧を印加して２分後
に測定した。結果を表１に示す。
ンの代りに３−メチルチオフェンを用いた以外は、実施
例３と全く同様にして固体電解コンデンサを作成した。
固体電解コンデンサの特性の評価；上記で作成した固体
電解コンデンサについて、１２０Ｈｚにおける静電容
量、１００ｋＨｚにおけるインピーダンス及び漏れ電流
を測定した。なお漏れ電流は定格電圧を印加して２分後
に測定した。結果を表１に示す。
【００１９】
【表１】
【図１】固体電解コンデンサの１例の模式図である。
１ 陽極金属 ２ 誘電体層 ３ 固体電解質 ４ 陰極金属 ５ 陽極導体 ６ 陰極導体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宇恵 誠 茨城県稲敷郡阿見町中央八丁目３番１号 三菱化学株式会社筑波研究所内 Ｆターム(参考） 4J032 BA04 BB01 BC03 BC12 BC13 BC24 BC32 BC34 BD02
Claims (4)
- 【請求項１】 アルキル基及びアルコキシ基の炭素数
が、それぞれ独立して、いずれも１〜６である３−アル
キル−４−アルコキシチオフェンの重合体を固体電解質
とする固体電解コンデンサ。 - 【請求項２】 ３−アルキル−４−アルコキシチオフェ
ンの重合体がドーパントを含有していることを特徴とす
る、請求項１記載の固体電解コンデンサ。 - 【請求項３】 ３−アルキル−４−アルコキシチオフェ
ンの重合体が、コンデンサの電極として作用する弁金属
上に形成されている誘電体層上で、３−アルキル−４−
アルコキシチオフェンを重合することにより形成された
ものであることを特徴とする、請求項１又は２記載の固
体電解コンデンサ。 - 【請求項４】 ３−アルキル−４−アルコキシチオフェ
ンが３−メチル−４−メトキシチオフェンであることを
特徴とする、請求項１ないし３のいずれかに記載の固体
電解コンデンサ。
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|---|---|---|---|
| JP2000154114A JP2001332453A (ja) | 2000-05-25 | 2000-05-25 | 固体電解コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2000154114A JP2001332453A (ja) | 2000-05-25 | 2000-05-25 | 固体電解コンデンサ |
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|---|---|
| JP2001332453A true JP2001332453A (ja) | 2001-11-30 |
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ID=18659259
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000154114A Pending JP2001332453A (ja) | 2000-05-25 | 2000-05-25 | 固体電解コンデンサ |
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|---|---|
| JP (1) | JP2001332453A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005120363A (ja) * | 2003-09-25 | 2005-05-12 | Showa Denko Kk | π共役系共重合体、その製造方法及びその共重合体を用いたコンデンサ |
| WO2007004556A1 (ja) * | 2005-06-30 | 2007-01-11 | Showa Denko K. K. | 固体電解コンデンサ素子の製造方法 |
-
2000
- 2000-05-25 JP JP2000154114A patent/JP2001332453A/ja active Pending
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