JP2001329068A - 液体金属架橋粒子クラスターによる熱伝導性化合物の製造方法 - Google Patents

液体金属架橋粒子クラスターによる熱伝導性化合物の製造方法

Info

Publication number
JP2001329068A
JP2001329068A JP2001107064A JP2001107064A JP2001329068A JP 2001329068 A JP2001329068 A JP 2001329068A JP 2001107064 A JP2001107064 A JP 2001107064A JP 2001107064 A JP2001107064 A JP 2001107064A JP 2001329068 A JP2001329068 A JP 2001329068A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid
particles
alloy
liquid metal
thermally conductive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001107064A
Other languages
English (en)
Inventor
Sanjay Misra
ミスラ サンジェイ
Richard M Olson
エム、オルソン リチャード
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Bergquist Co Inc
Original Assignee
Bergquist Co Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Bergquist Co Inc filed Critical Bergquist Co Inc
Publication of JP2001329068A publication Critical patent/JP2001329068A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3737Organic materials with or without a thermoconductive filler
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3736Metallic materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F28HEAT EXCHANGE IN GENERAL
    • F28FDETAILS OF HEAT-EXCHANGE AND HEAT-TRANSFER APPARATUS, OF GENERAL APPLICATION
    • F28F13/00Arrangements for modifying heat-transfer, e.g. increasing, decreasing
    • F28F2013/005Thermal joints
    • F28F2013/006Heat conductive materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29199Material of the matrix
    • H01L2224/2929Material of the matrix with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298Fillers
    • H01L2224/29299Base material
    • H01L2224/29386Base material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298Fillers
    • H01L2224/29399Coating material
    • H01L2224/294Coating material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013Alloys
    • H01L2924/0132Binary Alloys
    • H01L2924/01322Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/156Material
    • H01L2924/157Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2924/15738Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950 C and less than 1550 C
    • H01L2924/15747Copper [Cu] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/3011Impedance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
  • Polyesters Or Polycarbonates (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Processes Of Treating Macromolecular Substances (AREA)
  • Ceramic Products (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 熱を発生する半導体デバイスと熱を消失させ
る表面との相対する表面の間に熱伝導性ブリッジを形成
する改良された方法を与える。 【解決手段】 熱伝導性機械的順応性パッドの製造方法
において、(a)(1)120℃より低い液体状態温度に
ある合金を含有する多量のガリウム及び(又は)インジ
ウム、(2)本質的に窒化硼素からなる熱伝導性粒状固
体、の混合物を調製し、(b)前記混合物を機械的に混
合して前記粒子の表面を前記液体合金で濡らし均一なペ
ーストを形成し、然も、前記液体合金が前記窒化硼素の
個々の粒子をカプセルに包み、(c)前記ペーストを多
量の流動性プラスチック樹脂材料と一緒にし、約10体
積%〜90体積%の金属被覆粒子及び残余の流動性プラ
スチック樹脂からなる熱伝導性物質を形成する、諸工程
を含む上記製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般に熱を発生す
る半導体デバイスから、熱吸収体又は熱分散体(heat s
preader)のような熱消散体(heat dissipator)への熱
移動を改良するための機械的順応性の熱伝導性化合物を
製造する方法に関する。特に、本発明は、液体金属で被
覆された浸透性(percolating)粒子クラスターを導入
又は充填した重合体液体のような高度に熱伝導性の重合
体化合物を製造する方法に関する。そのような化合物
は、液体金属で促進される浸透により一層効果的になっ
ている。特に、本発明は、液体金属で粒状固体を均一な
被覆し、然る後、それら被覆した粒子を液体又は流体重
合体と混合し、熱的通路を有する順応性パッドを形成す
る方法を含む。
【0002】
【従来の技術】従来、熱を発生する半導体デバイスのた
めの熱伝導性ペースト内に配合するものとして液体金属
が提案されてきた。殆どの場合、この目的のために液体
金属を適用することは広く用いられることはなかった。
なぜなら、第一に、液体金属が合金及び/又はアマルガ
ムを形成し、それにより液体金属含有取付けパッドの物
理的性質を変化及び制限する傾向があることによる問題
が生ずるためである。更に、従来法の高度に熱伝導性の
ペーストは、或る用途及び状況では望ましくない熱伝導
性を常に持つからである。或る別の状況では、液体金属
及び/又は液体金属の合金を重合体と混合し、然る後、
その重合体を硬化して複合体熱伝導性取付けパッドを与
えている。これらの部材は有用ではあるが、主に最終製
品中の液体金属成分が不安定であることにより、広く利
用されることはなかった。この不安定性は、液体金属成
分の極めて高い表面張力によることの外、その他の化学
的及び物理的性質によるものである。例として、分散し
た液体金属の液滴は、オストワルト成長過程により凝集
する傾向をもち、重合体マトリックスから金属の巨視的
分離を起こす。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明の主目的は、高
度に熱伝導性であることの外に、液体金属を三相複合体
中に固定する働きをする改良された粒状材料を与えるこ
とにある。
【0004】本発明の更に別な目的は、熱を発生する半
導体デバイスと熱を消失させる表面との相対する表面の
間に熱伝導性ブリッジを形成する改良された方法を与え
ることにあり、その熱伝導性ブリッジは、無機粒状物・
液体金属・液体シリコーン重合体からなる三相複合体か
らなる。
【0005】本発明の更に他の目的は、次の明細書の記
載、特許請求の範囲、及び図面を研究することにより当
業者には明らかになるであろう。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、液体金属被覆
粒子と重合体キャリヤーとの組合せを用い、極めて望ま
しい熱的及び電気的性質を持ち、半導体デバイスと熱消
散体との間に介在させる形状にするのに適合した熱的架
橋を形成する。本発明に記載する製造方法は、巨視的相
分離に関してそれら化合物を極めて安定にする。更に、
その製造方法は、熱移動を促進する液体金属被覆粒子の
大きな浸透性クラスターの形成を可能にする。その組合
せは、希望の機械的性質も有し、そのことが製造操作で
それを使用し易くしている。
【0007】本発明に従い、窒化硼素、アルミナ、又は
窒化アルミニウムのような粒状物を最初に乾燥し、然る
後、液体金属、典型的には室温で液体であるか、又は比
較的低い温度で溶融し、典型的には120℃より低く、
好ましくは60℃より低い温度で溶融する金属と接触さ
せる。液体金属は、ガリウム・インジウム・錫・亜鉛合
金、ビスマス・インジウム合金、又は錫・インジウム・
ビスマス合金のようなガリウム及び/又はインジウムの
合金からなるのが好ましい。粒子の表面を適切に濡らす
ため、乾燥粒子と液体金属との混合物を、粒子が液体金
属で均一に被覆されるまで混合操作にかける。絶対的に
必要な訳ではないが、窒化硼素粒子は液体金属合金と混
合する前に乾燥していることが望ましい。この混合段階
で、液体金属と粉末とのチキソトロピー性ペーストが得
られる。そのペーストは、大きな浸透性クラスターとし
て見ることもできる。
【0008】被覆操作に続き、被覆された粒子を、例え
ば、希望の又は選択された粘度の液体シリコーン油のよ
うな液体重合体キャリヤー材料と混合する。液体金属粒
子は、シリコーン混合物中に充填限界まで又はその近く
まで配合するのが好ましい。液体金属被覆窒化硼素の場
合、充填分率は、約60体積%〜65体積%の被覆粒子
及び残余の液体シリコーンからなるのが典型的である。
これらの体積分率では、大きな充填密度により、優れた
熱伝導度を有する機械的に順応性のある化合物が得られ
る。これは、半導体デバイスと熱吸収体との相対する間
隔を開けた表面間に順応性のある界面を生ずることによ
り熱移動を改良する。
【0009】本発明により極めて熱伝導性の機械的に順
応性のあるブリッジを製造するため、熱伝導性粒子を先
ず選択するが、窒化硼素がその好ましい粒子である。酸
化アルミニウム(アルミナ)及び窒化アルミニウムのよ
うな材料も、液体金属と接触させる前に適当に乾燥され
ているならば、有用であることが判明している。本発明
を適用するため、粒径は、平均断面の厚さが約5μより
小さくなるようにすべきである。液体金属、好ましくは
低融点合金をその粒状物に添加し、粒子表面が液体金属
によって実質的に均一に濡らされ、均一なペーストが形
成されるまで機械的に混合する。然る後、液体重合体、
好ましくは液体又は流体シリコーン重合体をその液体金
属ペーストへ添加し、混合物を形成する。この混合物を
機械的撹拌操作にかけ、その操作は激しいか又は高速混
合工程を含むのが典型的であり、目で見て滑らかなペー
ストが形成されるまで激しい撹拌を継続する。
【0010】液体シリコーン中へ配合すると、液体金属
被覆粒子の添加が粘度を効果的に減少することが見出さ
れている。この粘度の変化に含まれる機構は、「効果的
粒子」・シリコーン油界面で粘性遅滞が減少することに
よるものと考えられる。液体金属被覆は、粒子の形状の
球状性を増大し、さもなければ堅い粒子の効果的「軟
化」にも寄与する。これら二つの因子が、相互に共働す
る仕方で働き、得られる複合体の粘度及びモジュラスの
両方を減少する。
【0011】液体金属被覆粒子は、熱及び/又は熱エネ
ルギーを効果的に移動する外、液体金属を三相複合体中
に固定し、大きな移動を防ぐことが更に見出されてい
る。この三相は粒子・液体金属・重合体である。金属相
の粘度を増大することにより、金属液滴が移動し、大き
な液滴へ凝集して巨視的に分離し、複合体から漏洩する
傾向が著しく遅延される。更に、液体被覆粒子が、得ら
れる複合体にビンガム(Bingham)プラスチック状特性
を与え、これが外部応力が存在しない時にペーストを静
止状態に維持し、更に応力を受けた時に容易に順応し且
つ(又は)流動できるようにしていることが判明してい
る。
【0012】液体金属は、巨視的液・液分離を受ける傾
向があるので、シリコーンを含めた重合体液体とはよく
混合しない。しかし、本発明によれば、特定の窒化硼素
の粒状物を最初にガリウム合金で被覆すると、巨視的分
離現象が減少し、金属相のチキソトロピー性の増大によ
り、液体金属が被覆された粒子の形で支持又は維持され
る。更に、被覆された粒子は、シリコーンに添加する
と、複合体中の熱移動路を効果的に形成する機能を果た
す。或る場合には、窒化硼素のような粒子の熱伝導度
は、液体金属、例えば、ガリウム、錫及びインジウムの
共融合金の熱伝導度さえも越えることがある。
【0013】熱的性質の外に、複合体が望ましい電気的
性質を同様に持つことは、本発明の更に別の特徴であ
る。最適熱的性質を有する配合物は、108〜1012Ω
・cmの範囲の体積抵抗率を有することが判明してい
る。
【0014】簡単に述べると、本発明の方法は、最初に
粒状材料を用途に対し選択する工程を含む。窒化硼素粒
子が特に望ましく、0.3m2/gのBET比表面積を
有する粒子が極めて有用であることが判明している。窒
化硼素は異方性板状子状粒子の形の形態をしているのが
典型的であり、板の直径は約5〜50μmの範囲にあ
り、板の厚さは約2〜3μmである。次の工程は粒子の
被覆である。液体金属で被覆すると、これらの粒子は
4:1〜1:1の範囲の[液体金属]/[窒化硼素]体
積比を有する。被覆は、前に述べたように、機械的に混
合することにより達成される。その次に適当な量の液体
又は流体シリコーンをその被覆粒子に添加し、その添加
の後に、目で見て滑らかなペーストが得られるまで、高
速混合する。
【0015】上で示したように、窒化硼素は好ましい粒
状物であるが、アルミナを使用することにより好ましい
結果が達成されており、そのアルミナは、粒子の完全な
乾燥を含む前処理を必要とするのが典型的である。窒化
アルミニウムのような他の粒状物も、完全な乾燥後に、
液体金属ペーストを形成することができる。
【0016】
【発明の実施の形態】好ましい態様を記述するため、次
の実施例を与える:
【0017】
【0018】選択した粒状物は、窒化硼素で、その粒子
は平均して40μの直径及び2μの断面厚さを持つ正常
な板状子状形態を持っていた。この粒子はガリウム合金
により容易に濡らされた。液体ガリウム合金で被覆する
と、BN粉末は、堅い凝集物は形成せず、むしろチキソ
トロピー性ペーストを形成した。この形態はBNが「面
内(in-plane)」方向に大きな熱伝導度を有する限り望
ましいものであり、その伝導度は液体金属架橋により実
質的に改良される。BNは2.25の比重を有し、35
0W・m-1・K-1の熱伝導度(面内)を有する(方向に
より平均した熱伝導度は約60W・m-1・K-1であると
報告されている)。選択した重合体マトリックスは、1
00センチストークスの動的粘度、0.86の比重、及
び0.15W・m-1・K-1の熱伝導度を有するシリコー
ン油であった。金属は6.5の比重及び20W・m-1
-1の熱伝導度を有する。
【0019】異方性板状子BN粒子を、最初に液体ガリ
ウム合金で被覆した。液体金属対BN体積比は、下の表
Iに記載したように、三つの異なった範囲で選択した:
【0020】
【0021】被覆は、例1の液体ガリウム合金とBN粉
末とを機械的に混合することにより達成され、これは手
で行うか、又は高速混合機により達成することができ
る。混合の後に、適当な量のシリコーン油を添加し、次
に目で見て滑らかなペーストが得られるまで高速混合し
た。
【0022】混合処理は化合物を安定化する。シリコー
ン油の表面張力は約20mN/mであるのに対し、液体
金属については400〜500mN/mの程度である。
このことは、表面を濡らすシリコーン油の能力、即ち拡
散係数が、液体金属のそれよりも遥かに大きいことを意
味する。従って、BN粒子は、シリコーン油と接触させ
る前に液体金属で被覆し、適切で望ましい濡れを達成す
るようにする。特に、次の利点が存在する: 1. その材料は液体架橋を形成する;及び 2. 液体金属の巨視的分離の量は減少する。
【0023】試験は、本発明の連続的工程に従わずに、
配合物の全ての材料を一緒に混合すると、粉末は液体金
属によって適切に濡らされないことを示していた。混合
工程の順序は、安定で熱伝導性の化合物の製造に成功す
る鍵である。
【0024】
【0025】選択した粒状物は、酸化アルミニウム、即
ちアルミナで、球対称の粒子であり、3μmの直径及び
2m2/gのBET比表面積を持っていた。アルミナ及
び合金の両方を100℃(合金2の融点より上)に加熱
し、混合した。液体合金で被覆した時、アルミナは滑ら
かでチキソトロピー性のペーストを形成した。アルミナ
は3.75の比重を有し、25W・m-1・K-1の熱伝導
度を持っている。選択した重合体マトリックスは、10
0センチストークスの動的粘度、0.86の比重、及び
0.15W・m-1・K-1の熱伝導度を有するシリコーン
油であった。液体金属は7.88の比重及び25W・m
-1・K-1の熱伝導度を有する。
【0026】アルミナ粒子は、最初に合金で被覆した。
金属対アルミナ体積比は、下の表IIに記載したように、
三つの異なった範囲で選択した:
【0027】
【0028】被覆は、例2の液体合金とアルミナ粉末と
を機械的に混合することにより達成され、これは手で行
うか、又は高速混合機により達成することができる。混
合の後に、適当な量のシリコーン油を添加し、次に目で
見て滑らかなペーストが得られるまで高速混合した。
【0029】
【0030】選択した粒状物は、例2のアルミナであっ
た。液体ガリウム合金で被覆すると、アルミナは滑らか
でチキソトロピー性のペーストを形成した。選択した重
合体マトリックスは、100センチストークスの動的粘
度、0.86の比重、及び0.15W・m-1・K-1の熱
伝導度を有するシリコーン油であった。液体金属は6.
5の比重及び20W・m-1・K-1の熱伝導度を有する。
【0031】アルミナ粒子は、最初に液体ガリウム合金
で被覆した。液体金属対アルミナ体積比は、下の表III
に記載したように、三つの異なった範囲で選択した:
【0032】
【0033】被覆は、例1の液体ガリウム合金とアルミ
ナ粉末とを機械的に混合することにより達成され、これ
は手で行うか、又は高速混合機により達成することがで
きる。混合の後に、適当な量のシリコーン油を添加し、
次に目で見て滑らかなペーストが得られるまで高速混合
した。
【0034】試験結果 配合物1(表I)を、熱伝導度について試験した。AS
TM D5470法は、8.0W・m-1・K-1の熱伝導
度を与えた。工業的標準材料に対する制御熱インピーダ
ンス試験も行なった。これらの一つは、ダウ・コーニン
グ(Dow Corning)からの一般的熱界面化合物(DC−
340サーマルグリース)であり、もう一つはシン・エ
チュ社(Shin-Etsu Corporation)により製造された高
性能化合物(G−749サーマルグリース)であった。
例1のガリウム液体金属も試験した。熱インピーダンス
試験は図7に模式的に示されている。モトローラ(Moto
rola)社のTO−220パッケージ中のIRF−840
トランジスタを用いた。それに60W(30V、2A)
の電力を与え、二種類の対照化合物及び種々の液体金属
化合物により熱分散体に接続した。熱分散体は錫被覆銅
版であった。その熱分散体は今度は25℃に維持された
無限熱吸収体へ、DC−340熱サーマルグリースによ
り連結した。界面を通る温度低下(即ち、トランジスタ
ケースと熱分散体との温度差)を測定し、出力電力で割
り、℃/Wの単位で熱インピーダンスを得た。標準化数
値を下の表IVに示す。
【0035】
【0036】液体金属促進浸透の物理的証明も、2枚の
ガラス板の間に配合物を入れることにより得られた。図
6の100倍の顕微鏡写真は、粒子クラスタを架橋する
液体金属を示している。
【0037】液体金属被覆粒子の性質 図面に例示したように、図1は、個々の被覆粒子、特に
液体ガリウム合金で被覆したBNの間で改良された接触
が得られる仕方を例示している。複合体の表面特性又は
性質は、液体架橋の形成により接触を改良している。こ
のスケッチは、通常隣接する粒子の間に現れる表面抵抗
率の著しい低下を与える粒子表面の濡れの特徴を示して
いる。
【0038】図2は、臨界に近い充填率から得られる改
良された浸透の特徴を例示している。図2の左側の部分
に示してあるような表面対表面接触が、臨界に近い充填
率が高い濃度によって達成された場合に向上する。
【0039】図3の目的は、粒子の液体金属被覆によっ
て達成される縦横比の減少を実証することにある。窒化
硼素は異方性板状子構造を有するので本発明によって意
図される用途でのその性能は向上する。液体金属被覆に
より「効果的粒子」の形状は一層楕円状になる。
【0040】図4の目的は、個々の粒子を被覆すること
により粘性消散を低下する本発明の有利な特徴を示すこ
とにある。改良された全性能が予想でき、実際に得られ
ている。
【0041】図5は、液体金属で被覆されたばらばらな
個々の粒子が凝集物又は集合体を形成し、被覆粒子をシ
リコーン油のような重合体材料と混合した時に個々の液
滴の分離が達成される本発明の特徴を示している。これ
らの特徴のあるものは、図6の顕微鏡写真から明らかに
なる。
【0042】次に図7に注意すると、全体的に20で示
された組立体は、22で示す適当な又は慣用的銅基板上
に取付けられた21で示す熱発生半導体デバイスを有す
ることが分かるであろう。本発明に従って得られる順応
性のある界面は23で例示されており、その界面は銅基
板22と熱吸収部材24の相対する表面の間に挿入され
ている。熱の流れは線に沿って起き、矢印で示した方向
に起きる。
【0043】図9は、慣用的形状の熱発生半導体デバイ
スに関連して本発明の順応性パッドの使用を例示するた
めに与えられている。従って、図9に示した組立体30
は、32で示した熱吸収体、熱分散体、又は他の熱消散
部材を有する、31で例示した熱発生半導体デバイス又
はパッケージを有する。半導体デバイス31と熱消散部
材32との相対する表面の間に、本発明に従って製造さ
れた機械的順応性パッド33が挿入されている。
【0044】図8は、本発明による順応性パッドの製造
に従って行われる工程の工程図である。その工程図に示
され、それから明らかなように、粒子及び合金を、粒子
の表面が完全に濡らされるまで混合し、然る後、液体重
合体の添加によりペースト配合物を調製する。
【0045】一般的説明 前に示したように、BN又はアルミナ粒子は、約1μま
での直径及び約40μまでの断面厚さの大きさ範囲にす
ることができる。特に窒化硼素の板状子状形態は、液体
金属で濡らされた時、図3に例示した効果的な粒子との
極めて望ましい組合せを与えることが観察されるであろ
う。この特徴により粘度制御が補助される。
【0046】実施例で用いられたシリコーン油は、典型
的な液体シリコーンであり、典型的にはVEB100
〔以前ハルス・アメリカ(Huls America)であったシル
ベント社(Sivento Inc.)〕であり、これらの材料は、
勿論市販されている。約1000センチストークスまで
の粘度を満足に用いることができる。
【0047】本発明の一つの異常な特徴は、抵抗率であ
る。半導体と熱吸収体の相対する表面の間のパッドとし
て配合物1を形成すると、抵抗率は極めて大きく、約1
12Ω・cmまでの値を有することが判明している(表
I、配合物1)。
【0048】上の実施例は例示の目的でのみ与えられて
おり、特許請求の範囲に対する限定として別に見做すべ
きものではないことは認められるであろう。
【図面の簡単な説明】
【図1】液体金属で被覆した粒子(BN)間の改良され
た接点を示す概略的例示図である。粒子の表面の濡れ
が、隣接粒子間の表面抵抗を著しく減少することは明ら
かである。
【図2】一層大きな長さのスケールでクラスターを形成
することによる粒子で充填された重合体マトリックスの
変化を例示し、更に液体金属被覆粒子の体積分率が、球
状粒子として充填限界に近い時の複合体の望ましい状態
を例示する模式的スケッチであり、臨界充填分率に近い
熱浸透が得られるような高濃度の特徴を例示するスケッ
チである。
【図3】液体金属被覆を用い、特にBN粒子の板状子形
状の場合の縦横比の減少を例示する、図2と同様な例示
スケッチである。
【図4】粒子の被覆として軟質液体ガリウム合金を用
い、粘性消散を低下するようにした特徴を例示する図で
ある。
【図5】本発明の結果を達成するように個々の液体ガリ
ウム金属液滴の凝集及び分離を示す図である。
【図6】存在する液体ガリウム合金がシリコーン油マト
リックス中での架橋を伴っている、本発明の特徴を例示
する100倍の顕微鏡写真である。
【図7】本発明の装置の熱的性能を測定するのに用いら
れる試験装置の特徴を模式的に示す図である。
【図8】本発明の順応性パッドを製造するために行う工
程を例示する工程図である。
【図9】蝶番で止めた熱吸収体上に取付けた典型的な半
導体で、その熱吸収体と半導体デバイスの相対する表面
の間に介在させた本発明により製造された順応性パッド
を有する半導体デバイスの例示図である。
【符号の説明】
20 組立体 21 半導体デバイス 22 銅基板 23 順応性界面 30 組立体 31 半導体デバイス 32 熱消散部材 33 順応性パッド
フロントページの続き Fターム(参考) 4F070 AA60 AC15 AC19 AD05 FA02 FA12 FB06 4J002 CP031 DE146 DF016 DK006 FB076 FB286 GQ05 5F036 AA01 BB21 BD01 BD13 BD21

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 機械的順応性の熱伝導性パッドの製造方
    法において、 (a)(1) 120℃より低い温度で液体状態である、ガ
    リウム及び/又はインジウムを含有する多量の合金と、 (2) 本質的に窒化硼素からなる熱伝導性粒状固体と、の
    混合物を調製する工程と、 (b) 前記混合物を機械的に混合して前記粒子の表面
    を前記液体合金で濡らし、均一なペーストを形成する工
    程であって、前記液体合金が前記窒化硼素の個々の粒子
    をカプセル状に包む該工程と、 (c) 前記ペーストを多量の流動性プラスチック樹脂
    材料と一緒にし、金属被覆粒子 約10体積%〜90体
    積%及び残余の流動性プラスチック樹脂からなる熱伝導
    性物質を形成する工程と、を含む、上記製造方法。
  2. 【請求項2】 熱伝導性粒状固体を構成する粒子が、約
    1μ〜40μの直径を有する、請求項1記載の方法。
  3. 【請求項3】 液体合金が粒子を実質的にカプセル状に
    包み、それらの上の被覆を形成し、典型的には[液体金
    属]対[粒子]体積比が、良好な熱的性能を得るために
    少なくとも1:1である、請求項1記載の方法。
  4. 【請求項4】 均一なペーストを、更にシリコーン樹脂
    と混合し、順応性のあるパッドを形成し、前記パッド
    が、均一なペースト 約10体積%〜90体積%及び残
    余のポリシロキサンからなる、請求項1記載の方法。
  5. 【請求項5】 液体金属合金が60℃より低い温度で液
    体状態である、請求項1記載の方法。
  6. 【請求項6】 請求項1に記載の諸工程に従って製造さ
    れた熱伝導性順応性パッド。
  7. 【請求項7】 機械的順応性の熱伝導性パッドの製造方
    法において、 (a)(1) 120℃より低い温度で液体状態である、ガ
    リウム及びインジウムからなる群から選択された成分を
    含有する液体金属合金と、 (2) 窒化硼素、窒化アルミニウム及びアルミナからなる
    群から選択された熱伝導性粒状固体と、の混合物を調製
    する工程と、 (b) 前記混合物を機械的に混合して前記粒子の表面
    を前記液体合金で濡らし均一なペーストを形成する工程
    であって、前記液体合金が前記粒状物からなる個々の粒
    子をカプセル状に包む該工程と、 (c) 前記ペーストを多量の流動性プラスチック樹脂
    材料と一緒にし、金属被覆粒子 約10体積%〜90体
    積%及び残余の流動性プラスチック樹脂からなる熱伝導
    性物質を形成する工程と、を含む、上記製造方法。
JP2001107064A 2000-04-05 2001-04-05 液体金属架橋粒子クラスターによる熱伝導性化合物の製造方法 Pending JP2001329068A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/543,661 US6339120B1 (en) 2000-04-05 2000-04-05 Method of preparing thermally conductive compounds by liquid metal bridged particle clusters
US543661 2000-04-05

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001329068A true JP2001329068A (ja) 2001-11-27

Family

ID=24169008

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001107064A Pending JP2001329068A (ja) 2000-04-05 2001-04-05 液体金属架橋粒子クラスターによる熱伝導性化合物の製造方法

Country Status (10)

Country Link
US (3) US6339120B1 (ja)
EP (1) EP1143512B1 (ja)
JP (1) JP2001329068A (ja)
AT (1) ATE387722T1 (ja)
CA (1) CA2343504A1 (ja)
DE (3) DE1143512T1 (ja)
ES (1) ES2163380T1 (ja)
GR (1) GR20010300073T1 (ja)
TR (1) TR200103156T3 (ja)
TW (1) TW591776B (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005112961A (ja) * 2003-10-07 2005-04-28 Shin Etsu Chem Co Ltd 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置
JP2008510878A (ja) * 2004-08-23 2008-04-10 ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ 熱伝導性組成物およびその作製方法
JP2008094701A (ja) * 2006-10-08 2008-04-24 Momentive Performance Materials Inc 機能強化型窒化ホウ素組成物及びそれで作った組成物
JP2008306202A (ja) * 2008-07-22 2008-12-18 Fujitsu Ltd 電子部品と放熱部材および、それらを使用した半導体装置の製造方法
JP2010095730A (ja) * 2010-01-18 2010-04-30 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置
JP2013010862A (ja) * 2011-06-29 2013-01-17 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 硬化性でグリース状の熱伝導性シリコーン組成物および半導体装置
CN111589464A (zh) * 2020-04-23 2020-08-28 台州学院 一种氮化硼负载铑镓锡液态合金催化剂及其制备方法和应用
CN113491584A (zh) * 2020-03-20 2021-10-12 北京梦之墨科技有限公司 一种用于ct定位的液态金属柔性贴片及其制备方法

Families Citing this family (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6984685B2 (en) * 2000-04-05 2006-01-10 The Bergquist Company Thermal interface pad utilizing low melting metal with retention matrix
US6797758B2 (en) * 2000-04-05 2004-09-28 The Bergquist Company Morphing fillers and thermal interface materials
US6339120B1 (en) * 2000-04-05 2002-01-15 The Bergquist Company Method of preparing thermally conductive compounds by liquid metal bridged particle clusters
US7311967B2 (en) 2001-10-18 2007-12-25 Intel Corporation Thermal interface material and electronic assembly having such a thermal interface material
JP2003201528A (ja) * 2001-10-26 2003-07-18 Ngk Insulators Ltd ヒートシンク材
GB2395360B (en) * 2001-10-26 2005-03-16 Ngk Insulators Ltd Heat sink material
US6946190B2 (en) * 2002-02-06 2005-09-20 Parker-Hannifin Corporation Thermal management materials
DE60229072D1 (de) * 2002-02-06 2008-11-06 Parker Hannifin Corp Wärmesteuerungsmaterialien mit phasenumwandlungsdispersion
US7846778B2 (en) * 2002-02-08 2010-12-07 Intel Corporation Integrated heat spreader, heat sink or heat pipe with pre-attached phase change thermal interface material and method of making an electronic assembly
US6703128B2 (en) * 2002-02-15 2004-03-09 Delphi Technologies, Inc. Thermally-capacitive phase change encapsulant for electronic devices
US6787899B2 (en) * 2002-03-12 2004-09-07 Intel Corporation Electronic assemblies with solidified thixotropic thermal interface material
US7147367B2 (en) * 2002-06-11 2006-12-12 Saint-Gobain Performance Plastics Corporation Thermal interface material with low melting alloy
US6813153B2 (en) * 2002-09-18 2004-11-02 Intel Corporation Polymer solder hybrid
US6919504B2 (en) * 2002-12-19 2005-07-19 3M Innovative Properties Company Flexible heat sink
US20040120129A1 (en) * 2002-12-24 2004-06-24 Louis Soto Multi-layer laminated structures for mounting electrical devices and method for fabricating such structures
US6831835B2 (en) * 2002-12-24 2004-12-14 Ault, Inc. Multi-layer laminated structures, method for fabricating such structures, and power supply including such structures
US7252877B2 (en) * 2003-02-04 2007-08-07 Intel Corporation Polymer matrices for polymer solder hybrid materials
US7193307B2 (en) * 2004-03-25 2007-03-20 Ault Incorporated Multi-layer FET array and method of fabricating
US20050228097A1 (en) * 2004-03-30 2005-10-13 General Electric Company Thermally conductive compositions and methods of making thereof
US7351360B2 (en) * 2004-11-12 2008-04-01 International Business Machines Corporation Self orienting micro plates of thermally conducting material as component in thermal paste or adhesive
US7259580B2 (en) * 2005-02-22 2007-08-21 International Business Machines Corporation Method and apparatus for temporary thermal coupling of an electronic device to a heat sink during test
CN1919962A (zh) * 2005-08-26 2007-02-28 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 一种热界面材料及其制备方法
KR101367040B1 (ko) * 2006-03-28 2014-02-24 파커-한니핀 코포레이션 분배성 경화 수지
KR20100075894A (ko) * 2007-09-11 2010-07-05 다우 코닝 코포레이션 복합재, 복합재를 포함하는 열계면재료, 그리고 이들의 제조방법 및 용도
US8334592B2 (en) * 2007-09-11 2012-12-18 Dow Corning Corporation Thermal interface material, electronic device containing the thermal interface material, and methods for their preparation and use
WO2009131913A2 (en) * 2008-04-21 2009-10-29 Honeywell International Inc. Thermal interconnect and interface materials, methods of production and uses thereof
US8348139B2 (en) * 2010-03-09 2013-01-08 Indium Corporation Composite solder alloy preform
US9835648B2 (en) * 2011-06-30 2017-12-05 Intel Corporation Liquid metal interconnects
KR20160094385A (ko) 2013-12-05 2016-08-09 허니웰 인터내셔날 인코포레이티드 조절된 pH를 갖는 주석(II) 메탄술포네이트 용액
US10068830B2 (en) 2014-02-13 2018-09-04 Honeywell International Inc. Compressible thermal interface materials
BR112016029690A2 (pt) 2014-07-07 2017-08-22 Honeywell Int Inc material de interface térmica, e componente eletrônico
MY183994A (en) 2014-12-05 2021-03-17 Honeywell Int Inc High performance thermal interface materials with low thermal impedance
KR102429873B1 (ko) 2015-08-31 2022-08-05 삼성전자주식회사 이방성 도전 재료와 이방성 도전 재료를 포함하는 전자소자 및 그 제조방법
WO2017044712A1 (en) 2015-09-11 2017-03-16 Laird Technologies, Inc. Devices for absorbing energy from electronic components
US10312177B2 (en) 2015-11-17 2019-06-04 Honeywell International Inc. Thermal interface materials including a coloring agent
EP3426746B1 (en) 2016-03-08 2021-07-14 Honeywell International Inc. Phase change material
US10501671B2 (en) 2016-07-26 2019-12-10 Honeywell International Inc. Gel-type thermal interface material
KR102675774B1 (ko) * 2016-11-30 2024-06-18 삼성전자주식회사 페이스트 재료와 이로부터 형성된 배선 부재 및 배선 부재를 포함하는 전자소자
DE102017116931B4 (de) 2017-07-26 2021-01-14 Deutsches Zentrum für Luft- und Raumfahrt e.V. Reparaturvorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Reparaturvorrichtung
US11041103B2 (en) 2017-09-08 2021-06-22 Honeywell International Inc. Silicone-free thermal gel
CN107501953B (zh) * 2017-09-20 2023-03-10 深圳沃尔提莫电子材料有限公司 一种含液态金属导热填料的导热硅脂
US10428256B2 (en) 2017-10-23 2019-10-01 Honeywell International Inc. Releasable thermal gel
US11072706B2 (en) 2018-02-15 2021-07-27 Honeywell International Inc. Gel-type thermal interface material
US11373921B2 (en) 2019-04-23 2022-06-28 Honeywell International Inc. Gel-type thermal interface material with low pre-curing viscosity and elastic properties post-curing
CN112449546A (zh) * 2019-08-27 2021-03-05 华硕电脑股份有限公司 液态金属散热膏涂布方法及散热模块
TWI698287B (zh) * 2019-08-27 2020-07-11 華碩電腦股份有限公司 液態金屬散熱膏塗佈方法及使用液態金屬散熱膏的散熱模組
DE102019123950A1 (de) 2019-09-06 2021-03-11 Deutsches Zentrum für Luft- und Raumfahrt e.V. Werkzeugvorrichtung mit einer Heizmatte sowie Reparaturverfahren und Herstellverfahren für Werkstücke aus Kunststoffmaterial
DE102019123952A1 (de) 2019-09-06 2021-03-11 Deutsches Zentrum für Luft- und Raumfahrt e.V. Heizmatte
US11937372B2 (en) * 2020-06-24 2024-03-19 Yale University Biphasic material and stretchable circuit board
KR20220016680A (ko) 2020-08-03 2022-02-10 삼성전자주식회사 열 전달 물질 및 그 제조 방법과 이를 포함하는 반도체 패키지
CN115197677A (zh) * 2022-07-27 2022-10-18 空间液金技术研究(昆山)有限公司 具有相变功能的热界面材料、其制备方法和应用
CN115725185B (zh) * 2022-12-20 2024-03-15 深圳先进电子材料国际创新研究院 基于液态金属桥接铝粉的热界面材料及其制备方法

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3226608A (en) 1959-06-24 1965-12-28 Gen Electric Liquid metal electrical connection
US3248615A (en) 1963-05-13 1966-04-26 Bbc Brown Boveri & Cie Semiconductor device with liquidized solder layer for compensation of expansion stresses
US3793106A (en) 1969-12-31 1974-02-19 Macdermid Inc Process for forming plastic parts having surfaces receptive to adherent coatings
CS182611B1 (en) 1976-03-18 1978-04-28 Pavel Reichel Power semiconducting element
US4147669A (en) 1977-03-28 1979-04-03 Rockwell International Corporation Conductive adhesive for providing electrical and thermal conductivity
US4233103A (en) 1978-12-20 1980-11-11 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force High temperature-resistant conductive adhesive and method employing same
US4323914A (en) 1979-02-01 1982-04-06 International Business Machines Corporation Heat transfer structure for integrated circuit package
US4254431A (en) 1979-06-20 1981-03-03 International Business Machines Corporation Restorable backbond for LSI chips using liquid metal coated dendrites
JPS57107501A (en) 1980-12-25 1982-07-05 Sony Corp Conduction material
US4520067A (en) 1982-06-23 1985-05-28 Union Carbide Corporation Composition useful for making circuit board substrates and electrical connectors
US4550140A (en) 1984-03-20 1985-10-29 Union Carbide Corporation Circuit board substrates prepared from poly(aryl ethers)s
US4764327A (en) 1986-01-14 1988-08-16 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Process of producing plastic-molded printed circuit boards
JPH0770650B2 (ja) 1986-10-20 1995-07-31 富士通株式会社 半導体装置の冷却方法
US5225157A (en) 1989-07-19 1993-07-06 Microelectronics And Computer Technology Corporation Amalgam composition for room temperature bonding
US5053195A (en) 1989-07-19 1991-10-01 Microelectronics And Computer Technology Corp. Bonding amalgam and method of making
US5173256A (en) 1989-08-03 1992-12-22 International Business Machines Corporation Liquid metal matrix thermal paste
US5198189A (en) 1989-08-03 1993-03-30 International Business Machines Corporation Liquid metal matrix thermal paste
US5056706A (en) 1989-11-20 1991-10-15 Microelectronics And Computer Technology Corporation Liquid metal paste for thermal and electrical connections
US5538789A (en) 1990-02-09 1996-07-23 Toranaga Technologies, Inc. Composite substrates for preparation of printed circuits
US5170930A (en) 1991-11-14 1992-12-15 Microelectronics And Computer Technology Corporation Liquid metal paste for thermal and electrical connections
US5548034A (en) 1992-07-31 1996-08-20 International Business Machines Corporation Modified dicyanate ester resins having enhanced fracture toughness
US5328087A (en) 1993-03-29 1994-07-12 Microelectronics And Computer Technology Corporation Thermally and electrically conductive adhesive material and method of bonding with same
US5445308A (en) 1993-03-29 1995-08-29 Nelson; Richard D. Thermally conductive connection with matrix material and randomly dispersed filler containing liquid metal
WO1995002313A1 (en) * 1993-07-06 1995-01-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Heat dissipating sheet
US5827907A (en) 1993-08-30 1998-10-27 Ibm Corporation Homo-, co- or multicomponent thermoplastic polymer dispersed in a thermoset resin
JPH0853664A (ja) * 1994-08-10 1996-02-27 Fujitsu Ltd 熱伝導材料及びその製造方法、電子部品の冷却方法、回路基板の冷却方法、並びに電子部品の実装方法
TW340132B (en) * 1994-10-20 1998-09-11 Ibm Structure for use as an electrical interconnection means and process for preparing the same
US5958590A (en) * 1995-03-31 1999-09-28 International Business Machines Corporation Dendritic powder materials for high conductivity paste applications
US5950066A (en) * 1996-06-14 1999-09-07 The Bergquist Company Semisolid thermal interface with low flow resistance
US6339120B1 (en) * 2000-04-05 2002-01-15 The Bergquist Company Method of preparing thermally conductive compounds by liquid metal bridged particle clusters
US6649325B1 (en) 2001-05-25 2003-11-18 The Bergquist Company Thermally conductive dielectric mounts for printed circuitry and semi-conductor devices and method of preparation

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005112961A (ja) * 2003-10-07 2005-04-28 Shin Etsu Chem Co Ltd 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置
JP4551074B2 (ja) * 2003-10-07 2010-09-22 信越化学工業株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置
JP2008510878A (ja) * 2004-08-23 2008-04-10 ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ 熱伝導性組成物およびその作製方法
JP2008094701A (ja) * 2006-10-08 2008-04-24 Momentive Performance Materials Inc 機能強化型窒化ホウ素組成物及びそれで作った組成物
JP2008306202A (ja) * 2008-07-22 2008-12-18 Fujitsu Ltd 電子部品と放熱部材および、それらを使用した半導体装置の製造方法
JP2010095730A (ja) * 2010-01-18 2010-04-30 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置
JP2013010862A (ja) * 2011-06-29 2013-01-17 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 硬化性でグリース状の熱伝導性シリコーン組成物および半導体装置
CN113491584A (zh) * 2020-03-20 2021-10-12 北京梦之墨科技有限公司 一种用于ct定位的液态金属柔性贴片及其制备方法
CN113491584B (zh) * 2020-03-20 2022-08-02 北京梦之墨科技有限公司 一种用于ct定位的液态金属柔性贴片及其制备方法
CN111589464A (zh) * 2020-04-23 2020-08-28 台州学院 一种氮化硼负载铑镓锡液态合金催化剂及其制备方法和应用

Also Published As

Publication number Publication date
EP1143512A3 (en) 2004-10-06
TW591776B (en) 2004-06-11
USRE39992E1 (en) 2008-01-01
DE60132125T2 (de) 2008-12-18
ATE387722T1 (de) 2008-03-15
EP1143512A2 (en) 2001-10-10
DE60132943T2 (de) 2009-02-26
EP1143512B1 (en) 2008-02-27
ES2163380T1 (es) 2002-02-01
DE60132125D1 (de) 2008-02-14
US6339120B1 (en) 2002-01-15
TR200103156T3 (tr) 2002-01-21
GR20010300073T1 (en) 2001-12-31
DE1143512T1 (de) 2002-04-18
US6624224B1 (en) 2003-09-23
DE60132943D1 (de) 2008-04-10
CA2343504A1 (en) 2001-10-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2001329068A (ja) 液体金属架橋粒子クラスターによる熱伝導性化合物の製造方法
CA2401299C (en) Morphing fillers and thermal interface materials
CA2438242C (en) Thermal interface pad utilizing low melting metal with retention matrix
US6841867B2 (en) Gel thermal interface materials comprising fillers having low melting point and electronic packages comprising these gel thermal interface materials
US5056706A (en) Liquid metal paste for thermal and electrical connections
JP2004537163A (ja) 誘発される接着特性を有する相変化熱界面組成物
EP0892978A1 (en) Conductive, resin-based compositions
US20080111111A1 (en) Highly filled polymer materials
EP1143511B1 (en) Method of preparing thermally conductive compounds by liquid metal bridged particle clusters
JP2002121292A (ja) 液体金属架橋粒子クラスターによる熱伝導性化合物の製法
WO2023024570A1 (zh) 金刚石基导热填料及制备方法、复合导热材料和电子设备
TW200302557A (en) Heat-dissipating member, manufacturing method and installation method
WO2021079714A1 (ja) 熱伝導性シリコーン組成物及びその製造方法
Jiao et al. Enhanced thermal conductivity of liquid metal composite with lower surface tension as thermal interface materials
WO2023024571A1 (zh) 复合导热材料和电子设备
JP2022087605A (ja) 熱伝導性樹脂組成物、放熱構造体及び熱伝導性樹脂組成物の製造方法
CN117802349B (zh) 一种液态金属热界面材料及其制备方法和应用
WO2023149175A1 (ja) 熱伝導性シリコーン組成物及びその製造方法
WO2017138326A1 (ja) 樹脂組成物及びそれを備えた半導体デバイス
Wang et al. Breadcrumb-inspired Construction of LM@ BN Core-shell Microparticles for Highly Thermal Conductive Elastomeric Composites with Excellent Flexibility and Stability
WO2016051889A1 (ja) 熱伝導性シート
TWM254884U (en) Thermal interfacial material

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060403

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20081002

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20081007

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20090107

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20090113

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20090403