JP2001326563A - Dll回路 - Google Patents

Dll回路

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JP2001326563A
JP2001326563A JP2000145991A JP2000145991A JP2001326563A JP 2001326563 A JP2001326563 A JP 2001326563A JP 2000145991 A JP2000145991 A JP 2000145991A JP 2000145991 A JP2000145991 A JP 2000145991A JP 2001326563 A JP2001326563 A JP 2001326563A
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delay
circuit
signal
clock
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Yutaka Ikeda
豊 池田
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Mitsubishi Electric Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 クロックの位相を高精度に調整できるDLL
回路を提供する。 【解決手段】 DLL回路はファイン遅延回路30を備
える。ファイン遅延回路30は、第1のインバータ回路
320と、第2のインバータ回路330と、遅延ユニッ
ト301,309,310とを備える。第1のインバー
タ回路320の出力端子は第2のインバータ回路330
の出力端子に接続されており、第1および第2のインバ
ータ回路320,330は、サイズの異なるインバータ
302〜308から構成される。位相比較器において遅
延クロックCLKDの位相を基準クロックCLKの位相
と比較した比較結果に基づいてカウントされたアドレス
a0〜a2によって第1および第2のインバータ回路3
20,330を構成するインバータ302〜308が選
択駆動され、一定量Tの位相差を有する信号INF,I
NDの間に位相を有する信号OUTがファイン遅延回路
30から出力される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体集積回路
装置に用いて有用なDLL(Delay Locked Loop)回路
に関し、特にクロックの位相を高精度に調整可能なDL
L回路に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、DLL回路は、インバータチェー
ン等のディレイチェーンを用いて位相合せを行なってい
る。その位相合せの方法は、ある一定の値で変化するデ
ィレイチェーンのディレイ量の中から必要なディレイ量
を自動的に選択し、そのディレイ量を保持する方法であ
る。そして、一定の値よりさらに精度よく位相合せを行
なうためには、図14に示すようにインバータ60とイ
ンバータ70との間に容量の異なるキャパシタ62,6
4,66をNチャネルMOSトランジスタ61,63,
65を介して接続し、アドレスa0,a1,a2により
NチャネルMOSトランジスタ61,63,65を選択
的にオン/オフさせる。これにより、2つのインバータ
60,70による一定の遅延量の範囲内でクロックの位
相を調整する。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところが、従来のDL
L回路は、インバータチェーンにより一定量の遅延を行
ない、キャパシタにより一定量より小さい遅延を行なっ
ており、両者の遅延方式が異なるため、電圧、プロセ
ス、温度の影響の度合いが異なり、クロックの位相調整
が非常に困難であるという問題があった。
【0004】図14に示すキャパシタ62,64,66
の容量のバラツキによりキャパシタ62,64,66に
よる遅延量がインバータ60および70による遅延量を
超えてしまい、インバータ60および70による遅延量
の範囲内でクロックの位相を高精度に調整することがで
きないという問題があった。
【0005】そこで、本発明はかかる問題を解決するた
めになされたものであり、その目的は、電圧、プロセ
ス、温度等の影響を受けにくく、クロックの位相を高精
度に調整できるDLL回路を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】この発明によるDLL回
路は、遅延クロックの位相を基準クロックの位相と比較
する位相比較器と、位相比較器の比較結果に基づいてア
ップ/ダウンをカウントし、第1および第2のアドレス
を出力するカウンタと、基準クロックに基づいて一定量
の位相差を有する第1および第2の信号を生成し、その
生成した第1および第2の信号と第1のアドレスとに基
づいて位相が第1の信号の位相と第2の信号の位相との
間に存在する微調整クロックを生成する第1の遅延回路
と、第2のアドレスに基づいて、一定量の整数倍だけ微
調整クロックを遅延させて遅延クロックを出力する第2
の遅延回路とを備える。
【0007】この発明によるDLL回路においては、遅
延クロックの位相を基準クロックの位相と比較した比較
結果に基づいてアップ/ダウンをカウントし、第1およ
び第2のアドレスを生成する。そして、第1のアドレス
に基づいて基準クロックの位相を一定量Tの範囲内で制
御するファイン制御を行ない、第2のアドレスに基づい
て基準クロックの位相を一定量Tの精度で制御する粗制
御を行なう。
【0008】したがって、遅延クロックの位相を基準ク
ロックの位相に一定量Tの範囲内で高精度に一致させる
ことができる。
【0009】好ましくは、第1の遅延回路は、第1のア
ドレスに基づいて第1および第2の信号に対する重み付
けを行なうことにより微調整クロックを生成する。
【0010】第1の遅延回路は、第1のアドレスに基づ
いて、一定量Tの位相差を有する第1および第2の信号
に対する重み付けを行ない、第1の信号の位相と第2の
信号の位相との間に位相が存在する微調整クロックを生
成する。
【0011】したがって、遅延クロックの位相を基準ク
ロックの位相に一定量Tの範囲内で高精度に一致させる
ことができる。
【0012】特に第1の遅延回路は、サイズを決定する
ことにより第1の信号に対する重み付けを行なう第1の
インバータ回路と、第1のインバータ回路の出力端子に
接続された出力端子を有し、サイズを決定することによ
り第2の信号に対する重み付けを行なう第2のインバー
タ回路とを含み、カウンタは、第1および第2のインバ
ータ回路のサイズを決定するための第1のアドレスを第
1の遅延回路へ出力する。
【0013】第1の遅延回路においては、カウンタから
の第1のアドレスに基づいて、第1および第2のインバ
ータ回路のサイズが決定され、その決定されたサイズに
基づいて一定量Tの位相差を有する第1および第2の信
号に対する重み付けが行われる。
【0014】したがって、サイズが可変なインバータを
用いることによって容易に第1および第2の信号に対す
る重み付けを行なうことができる。その結果、一定量T
の範囲内で高精度に基準クロックの位相を調整できる。
【0015】また、粗制御を行なう回路とファイン制御
を行なう回路とをインバータを用いて構成できるので、
電圧、プロセス、温度による両制御への影響の度合いを
同じにでき、遅延クロックの位相を基準クロックの位相
に容易に一致させることができる。
【0016】好ましくは、第1の遅延回路は、互いに異
なるサイズを有し、並列に接続された複数の第1のイン
バータと、複数の第1のインバータの出力端子に接続さ
れた出力端子を有し、互いにサイズが異なる並列に接続
された複数の第2のインバータとを含み、カウンタは、
第1および第2のインバータを選択的に活性化するため
の第1のアドレスを第1の遅延回路へ出力する。
【0017】第1の遅延回路においては、カウンタから
の第1のアドレスに基づいて、互いに異なるサイズを有
し、並列に接続された複数の第1および第2のインバー
タのうち、一部のインバータが選択的に活性化される。
そして、一定量Tの位相差を有する第1および第2の信
号に対する重み付けが行われる。
【0018】したがって、互いにサイズが異なるインバ
ータを並列に接続するだけで容易に第1および第2の信
号に対する重み付けを行なうことができる。その結果、
一定量Tの範囲内で高精度に基準クロックの位相を調整
できる。
【0019】また、粗制御を行なう回路とファイン制御
を行なう回路とをインバータを用いて構成できるので、
電圧、プロセス、温度による両制御への影響の度合いを
同じにでき、遅延クロックの位相を基準クロックの位相
に容易に一致させることができる。
【0020】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について図面
を参照しながら詳細に説明する。なお、図中同一または
相当部分には同一符号を付してその説明は繰返さない。
【0021】図1を参照して、本発明によるDLL回路
100は、位相比較器10と、カウンタ20と、ファイ
ン遅延回路30と、コース遅延回路40とを備える。
【0022】位相比較器10は、基準クロックCLKと
遅延クロックCLKDとを入力し、遅延クロックCLK
Dの位相を基準クロックCLKの位相と比較し、その比
較結果を出力する。
【0023】カウンタ20は、位相比較器10の比較結
果に基づいてアップ/ダウンをカウントし、アドレスa
0〜a2と、アドレスa3〜a5とを出力する。
【0024】ファイン遅延回路30は、クロックを精細
に遅延させるもので、基準クロックCLKとカウンタ2
0からのアドレスa0〜a2とを入力し、後述する方法
により基準クロックCLKから微調整クロックCLKB
を生成して出力する。コース遅延回路40は、クロック
を大まかに遅延させるもので、ファイン遅延回路30か
らの微調整クロックCLKBとカウンタ20からのアド
レスa3〜a5とを入力し、後述する方法により微調整
クロックCLKBを一定量の整数倍だけ遅延させて遅延
クロックCLKDを出力する。出力された遅延クロック
CLKDは位相比較器10に入力されるとともに、出力
端子OUTから外部へ出力される。
【0025】図2を参照して、位相比較器10は、NA
ND101〜107と、インバータ108とを備える。
NAND101とNAND102、NAND103とN
AND104、NAND106とNAND107は、そ
れぞれ、フリップフロップの機能を果たすものである。
その結果、位相比較器10は、遅延クロックCLKDの
位相を基準クロックCLKの位相と比較し、遅延クロッ
クCLKDの位相遅れに応じた信号をUP端子から出力
する。なお、本実施の形態においては、DN端子は使用
しない。
【0026】図3を参照して、カウンタ20は、カウン
タユニット201〜206と、インバータ207〜21
2とを備える。また、カウンタユニット201〜206
の各々は、図4に示すようにインバータ213,21
9,220,224,225,226,231と、Nチ
ャネルMOSトランジスタ214,216,221,2
23,227,229と、PチャネルMOSトランジス
タ215,217,228,230と、クロックドイン
バータ218,222と、NORゲート232とを備え
る。
【0027】図4に示すカウンタユニットに、位相比較
器10からの位相比較結果UP、基準クロックCLK,
/CLKおよびリセット信号RSTが入力されると、図
5に示すようなキャリア信号Cおよびデータ信号Dが出
力される。位相比較器10で遅延クロックCLKDの位
相が基準クロックCLKの位相と比較された結果、基準
クロックCLKの各立上がりで遅延クロックCLKDが
H(論理ハイ)レベルのときは、カウンタユニット20
1〜206の端子UPにはHレベルの信号が入力され、
カウンタ20は図6に示すアドレスa0〜a5を基準ク
ロックCLKの各サイクルにおいて生成する。また、基
準クロックCLKの各立上がりで遅延クロックCLKD
がL(論理ロー)レベルのときは、カウンタ201〜2
06の端子UPにはLレベルの信号が入力され、カウン
タ20は、図7に示すアドレスa0〜a5を基準クロッ
クCLKの各サイクルにおいて生成する。したがって、
カウンタ20は、位相比較器10の比較結果に応じてア
ドレスa0〜a5を生成し、アドレスa0〜a2をファ
イン遅延回路30へ出力し、アドレスa3〜a5をコー
ス遅延回路40へ出力する。
【0028】図8を参照して、ファイン遅延回路30
は、遅延ユニット301と、クロックドインバータ30
2〜308と、遅延ユニット309,310と、インバ
ータ311とを備える。クロックドインバータ302の
出力端子はクロックドインバータ303の出力端子と接
続され、クロックドインバータ304の出力端子はクロ
ックドインバータ305の出力端子と接続され、クロッ
クドインバータ306の出力端子はクロックドインバー
タ307の出力端子と接続される。そして、クロックド
インバータ302,304,306,308は並列に接
続され、クロックドインバータ303,305,307
もまた並列に接続される。また、クロックドインバータ
302,303は、インバータを構成するPチャネルM
OSトランジスタとNチャネルMOSトランジスタのチ
ャネル幅(以下単に「サイズ」という。)が同じであるサ
イズnを有し、クロックドインバータ304,305は
同じサイズ2nを有し、クロックドインバータ306,
307は同じサイズ4nを有し、クロックドインバータ
308はサイズnを有する。さらに、クロックドインバ
ータ302,303はカウンタ20から出力されるアド
レスa0,/a0により駆動され、クロックドインバー
タ302が駆動されたときはクロックドインバータ30
3は駆動されず、クロックドインバータ302が駆動さ
れないときはクロックドインバータ303が駆動され
る。すなわち、アドレスa0がLレベルのときはクロッ
クドインバータ302が駆動され、アドレスa0がHレ
ベルのときはクロックドインバータ303が駆動され
る。クロックドインバータ304,305はカウンタ2
0から出力されるアドレスa1,/a1により駆動さ
れ、クロックドインバータ306,307はカウンタ2
0から出力されるアドレスa2,/a2により駆動され
る。そして、その駆動方法は、アドレスa0,/a0に
よるクロックドインバータ302,303の駆動方法と
同じである。
【0029】図9を参照して、遅延ユニット301,3
09,310の各々は、クロックドインバータ312,
313とインバータ314とを備える。クロックドイン
バータ312は信号RがLレベルのとき駆動し、入力信
号XAに対してインバータとして機能する。この場合、
クロックドインバータ313は駆動されない。また、ク
ロックドインバータ313はR信号がHレベルのとき駆
動され、入力信号XBに対してインバータとして機能す
る。この場合、クロックドインバータ312は駆動され
ない。したがって、信号RがLレベルかHレベルかによ
りクロックドインバータ312またはクロックドインバ
ータ313が駆動され、入力信号XAまたは入力信号X
Bが反転されてインバータ314に入力される。そし
て、その反転された信号がインバータ314によりさら
に反転されて出力信号Yが得られる。よって、遅延ユニ
ット301,309,310は入力信号XA,XBの位
相を一定量T遅延させるものである。
【0030】再び図8を参照して、遅延ユニット301
は、信号RがHレベルであり、信号/RがLレベルであ
るので、入力された基準クロックCLKの位相を一定量
T遅延させて信号INFを出力する。同様に、遅延ユニ
ット309も入力された基準クロックCLKの位相を一
定量T遅延させて信号Yを出力する。遅延ユニット31
0は、信号RがLレベルであり、信号/RがHレベルで
あるので、入力された信号XA(Y)の位相を一定量T
遅延て信号INDを出力する。その結果、信号INFは
基準クロックCLKの位相を一定量T遅延させたもので
あり、信号INDは基準クロックCLKの位相を一定量
T×2遅延させたものであるので、信号INFと信号I
NDとの位相差は一定量Tである。
【0031】クロックドインバータ302〜307は、
カウンタ20から出力されるアドレスa0〜a2により
選択的に活性化される。カウンタ20から出力されるア
ドレスが、a0=a1=a2=0のとき、クロックドイ
ンバータ302,304,306,308が活性化され
るため、並列接続されたクロックドインバータ302,
304,306,308の合成サイズwfは、wf=n+
2n+4n+n=8nとなる。この場合、クロックドイ
ンバータ303,305,307は活性化されないの
で、並列接続されたクロックドインバータ303,30
5,307の合成サイズwdは0である。
【0032】また、アドレスがa0=a1=a2=1の
ときクロックドインバータ302,304,306は活
性化されず、クロックドインバータ303,305,3
07,308が活性化される。その結果、合成サイズw
f=n、合成サイズwd=7nとなる。すべてのアドレス
a0〜a2に対して合成サイズwf、wdを計算すると表
1のようになる。
【0033】
【表1】
【0034】その結果、合成サイズwfは、アドレスa
0〜a2に対して8nからnまで変化し、合成サイズw
dはアドレスa0〜a2に対して0から7nまで変化す
る。したがって、並列接続されたクロックドインバータ
302,304,306,308はアドレスa0〜a2
に対してサイズが8nからnまで変化する1つのクロッ
クドインバータ回路320と考えられ、並列接続された
クロックドインバータ303,305,307はアドレ
スa0〜a2に対してサイズが0から7nまで変化する
もう1つのクロックドインバータ回路330と考えられ
る。
【0035】図10を参照して、アドレスがa0=a1
=a2=0のときクロックドインバータ回路320に信
号INFが入力し、クロックドインバータ回路330に
信号INDが入力すると、信号OUT1が出力される。
また、アドレスがa0=1、a1=a2=0のときは信
号OUT2が出力される。アドレスがa0=a1=a2
=1のときは信号OUT8が出力される。したがって、
クロックドインバータ回路320の合成サイズwfとク
ロックドインバータ回路330の合成サイズwdとの比
により決定される位相を有する信号OUT1,OUT
2,…,OUT8が出力される。その結果、ファイン遅
延回路30はアドレスa0〜a2に応じて位相が直線的
に変化する信号OUT1,OUT2,…,OUT8を出
力できる。
【0036】合成サイズwfが8n、合成サイズwdが0
のとき、信号OUT1が出力されるので、信号OUT1
が信号INFに相当する。したがって、図11を参照し
て、信号INFと信号INFに対して一定量Tの位相差
を有する信号INDとの間に位相が存在する信号OUT
2,OUT3,OUT4,OUT5,OUT6,OUT
7,OUT8がファイン遅延回路30から出力される。
【0037】上記においては、アドレスa0〜a2によ
り決定されるクロックドインバータ回路320の合成サ
イズwfとクロックドインバータ回路330の合成サイ
ズwdとの比により位相が変化する信号OUT1,OU
T2,…,OUT8が出力されると説明したが、これは
一定量Tの位相差を有する2つの信号INF、INDを
入力とし、アドレスa0〜a2により決定される合成サ
イズwf,wdによりそれぞれ信号INF,信号INDに
対する重み付けを変えて位相が変化する信号OUT1〜
OUT8を出力することに相当する。
【0038】また、ファイン遅延回路30は基準クロッ
クCLKを遅延させて一定量Tの位相差を有する信号I
NFと信号INDとを生成すると説明したが、本発明
は、これに限らず、基準クロックCLKの位相を進ませ
たり、または遅延させたりして結果的に一定量Tの位相
差を有する2つの信号INF,INDを生成するもので
あればよい。
【0039】図12を参照して、コース遅延回路40
は、遅延ユニット401〜408と、デコーダ409〜
416とを備える。遅延ユニット401〜408は、図
9に示した遅延ユニット301,309,310と同じ
構成を有し、入力信号XA,XBの位相を一定量Tだけ
遅延させるものである。デコーダ409〜416の各々
は、図13に示すように3入力NAND417と、イン
バータ418とを備える。デコーダ409〜416は、
入力信号A1,A2,A3に応じて信号R,/を出力す
るものである。
【0040】再び図12を参照して、デコーダ409〜
416は、カウンタ20からのアドレスa3〜a5を受
け、遅延ユニット401〜408に信号R,/Rを出力
する。遅延ユニット401〜408は、信号RがLレベ
ルのとき入力信号XAを一定量Tだけ遅延させ、信号R
がHレベルのとき入力信号XBを一定量Tだけ遅延させ
るので、コース遅延回路40はデコーダ409〜416
により入力された微調整クロックCLKBの位相を遅延
させる遅延ユニット401〜408の段数を決定し、そ
の決定した段数分だけ微調整クロックCLKBの位相を
遅延させる。たとえば、アドレスがa3=0、a4=
1、a5=0のときデコーダ409,410,411,
412,413,415,416からはLレベルの信号
Rが出力され、且つ、Hレベルの信号/Rが出力され、
デコーダ414からはHレベルの信号Rが出力され、且
つ、Lレベルの信号/Rが出力される。その結果、遅延
ユニット401〜405,407,408は入力信号X
Aの位相を一定量Tだけ遅延させ、遅延ユニット406
は入力信号XBの位相を一定量Tだけ遅延させる。初段
の遅延ユニット401の入力信号XAは常時Lレベルで
あるので、遅延ユニット401〜405は入力された微
調整クロックCLKBの位相を遅延させず、遅延ユニッ
ト406〜408の各々が微調整クロックCLKBの位
相を一定量Tだけ遅延させる。したがって、アドレスが
a3=0、a4=1、a5=0のとき微調整クロックC
LKBは3段分の遅延ユニット406,407,408
により一定量T×3だけその位相を遅延され、遅延クロ
ックCLKDとして出力される。
【0041】以上説明したように、DLL回路100に
おいては遅延クロックCLKDの位相が基準クロックC
LKの位相と比較され、その比較結果に基づいてアドレ
スa0〜a2とアドレスa3〜a5とが生成される。そ
して、アドレスa0〜a2によりファイン遅延回路30
における遅延量が一定量Tの範囲内で精細に制御され、
アドレスa3〜a5によりコース遅延回路40における
遅延量が一定量Tの精度で制御され、その結果、遅延ク
ロックCLKDの位相が基準クロックCLKの位相に一
致する。なお、上記説明したDLL回路100は、メモ
リセルをアレイ状に配列したDRAMのような高速応答
の半導体集積回路装置に用いて有用なものである。
【0042】今回開示された実施の形態はすべての点で
例示であって制限的なものではないと考えられるべきで
ある。本発明の範囲は、上記した実施の形態の説明では
なくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲
と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる
ことが意図される。
【0043】
【発明の効果】本発明に係るDLL回路は、遅延クロッ
クの位相を基準クロックの位相と比較する位相比較器
と、位相比較器の比較結果に基づいてアップ/ダウンを
カウントし、第1および第2のアドレスを出力するカウ
ンタと、基準クロックに基づいて一定量の位相差を有す
る第1および第2の信号を生成し、その生成した第1お
よび第2の信号と第1のアドレスとに基づいて位相が第
1の信号の位相と第2の信号の位相との間に存在する微
調整クロックを生成する第1の遅延回路と、第2のアド
レスに基づいて、一定量の整数倍だけ微調整クロックを
遅延させて遅延クロックを出力する第2の遅延回路とを
備える構成を有するので、遅延クロックの位相を基準ク
ロックの位相に一定量Tの範囲内で高精度に一致させる
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施の形態によるDLL回路の構成
を示すブロック図である。
【図2】 図1に示すDLL回路の位相比較器の構成を
示す回路図である。
【図3】 図1に示すDLL回路のカウンタの構成を示
すブロック図である。
【図4】 図3に示すカウンタの各カウンタユニットの
構成を示す回路図である。
【図5】 図4のカウンタユニットの動作を示すタイミ
ング図である。
【図6】 基準クロックの各立上がりにおいて遅延クロ
ックがHレベルのとき、図3のカウンタから出力される
アドレスを示すタイミング図である。
【図7】 基準クロックの各立上がりにおいて遅延クロ
ックがLレベルのとき、図3のカウンタから出力される
アドレスを示すタイミング図である。
【図8】 図1に示すDLL回路の第1の遅延回路の構
成を示す図である。
【図9】 図8に示す遅延回路の各ファイン遅延ユニッ
トの構成を示す回路図である。
【図10】 図8に示すファイン遅延回路の動作を示す
タイミング図である。
【図11】 図8に示すファイン遅延回路により一定量
の範囲内で位相を変化させることができることを説明す
る図である。
【図12】 図1に示すDLL回路のコース遅延回路の
構成を示す回路図である。
【図13】 図12に示すコース遅延回路の各デコーダ
の構成を示す回路図である。
【図14】 クロックの位相を微調整する従来のインバ
ータチェーンを示す回路図である。
【符号の説明】
10 位相比較器、20 カウンタ、30 ファイン遅
延回路、40 コース遅延回路、60,70 インバー
タ、61,63,65 NチャネルMOSトランジス
タ、62,64,66 キャパシタ、100 DLL回
路、101〜107 NANDゲート、108 インバ
ータ、201〜206 カウンタユニット、207〜2
12 インバータ、213,219,220,224,
225,226,231 インバータ、214,21
6,221,223,227,229NチャネルMOS
トランジスタ、215,217,228,230 Pチ
ャネルMOSトランジスタ、218,222 クロック
ドインバータ、232 2入力NORゲート、301,
309,310 遅延ユニット、302〜308 クロ
ックドインバータ、311 インバータ、312,31
3 クロックドインバータ、314 インバータ、40
1〜408 遅延ユニット、409〜416デコーダ、
417 3入力NANDゲート、418 インバータ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H03L 7/00 G11C 11/34 354C 7/081 362S H03L 7/08 J Fターム(参考) 5B024 AA03 BA21 BA23 CA07 5B079 BA20 BB10 BC03 CC02 CC14 DD06 DD20 5J001 AA11 BB10 BB12 BB14 BB21 DD02 DD03 5J039 JJ07 JJ14 KK10 KK13 KK23 MM01 MM02 5J106 AA04 CC24 CC59 DD19 DD43 DD48 GG10 HH10 JJ06 KK06 LL01 LL06

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 遅延クロックの位相を基準クロックの位
    相と比較する位相比較器と、前記位相比較器の比較結果
    に基づいてアップ/ダウンをカウントし、第1および第
    2のアドレスを出力するカウンタと、 前記基準クロックに基づいて一定量の位相差を有する第
    1および第2の信号を生成し、その生成した第1および
    第2の信号と前記第1のアドレスとに基づいて位相が前
    記第1の信号の位相と前記第2の信号の位相との間に存
    在する微調整クロックを生成する第1の遅延回路と、 前記第2のアドレスに基づいて、前記一定量の整数倍だ
    け前記微調整クロックを遅延させて前記遅延クロックを
    出力する第2の遅延回路とを備えるDLL回路。
  2. 【請求項2】 前記第1の遅延回路は、前記第1のアド
    レスに基づいて前記第1および第2の信号に対する重み
    付けを行なうことにより前記微調整クロックを生成する
    請求項1に記載のDLL回路。
  3. 【請求項3】 前記第1の遅延回路は、サイズを決定す
    ることにより前記第1の信号に対する重み付けを行なう
    第1のインバータ回路と、 前記第1のインバータ回路の出力端子に接続された出力
    端子を有し、サイズを決定することにより前記第2の信
    号に対する重み付けを行なう第2のインバータ回路とを
    含み、 前記カウンタは、前記第1および第2のインバータ回路
    のサイズを決定するための前記第1のアドレスを前記第
    1の遅延回路へ出力する請求項2に記載のDLL回路。
  4. 【請求項4】 前記第1の遅延回路は、互いに異なるサ
    イズを有し、並列に接続された複数の第1のインバータ
    と、 前記複数の第1のインバータの出力端子に接続された出
    力端子を有し、互いにサイズが異なる並列に接続された
    複数の第2のインバータとを含み、 前記カウンタは、前記第1および第2のインバータを選
    択的に活性化するための前記第1のアドレスを前記第1
    の遅延回路へ出力する請求項1に記載のDLL回路。
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