JP2001316867A5 - 電解メッキ装置、電解メッキ方法及び液処理方法 - Google Patents

Description

【特許請求の範囲】
【請求項１】
保持体に被処理面を下方に向けて水平保持された半導体基板を電解メッキ浴槽内のメッキ液に浸漬した状態で回転させながら、前記電解メッキ浴槽内に配置されたアノード電極と前記半導体基板との間での電気的導通によりメッキ処理を施す電解メッキ装置において、
前記電解メッキ浴槽を、前記アノード電極を含む第一の領域と浸漬した前記保持体を含む第二の領域に分離し、該第二の領域に前記メッキ液を複数の供給口から供給する分離部を備える、
ことを特徴とする電解メッキ装置。
【請求項２】
前記供給口は、前記分離部の中央部に形成された主流口と、前記分離部の中央部を囲んで配置された複数の副流口からなる、
ことを特徴とする請求項１に記載の電解メッキ装置。
【請求項３】
前記分離部は、
前記主流口が形成された供給管と、
前記供給管に一端が固定され、放射状に伸び、前記副流口に接続された流路を内部に備える複数の枝部と、
前記主流口を貫通して前記メッキ液を供給する供給手段と、
前記枝部と枝部との間を覆う膜と、を備える、
ことを特徴とする請求項２に記載の電解メッキ装置。
【請求項４】
前記主流口はノズルにより形成され、
前記主流口により生成される主流と前記副流口により生成される副流とにより対向する被処理面に均一に前記メッキ液を噴射する、
ことを特徴とする請求項２又は３に記載の電解メッキ装置。
【請求項５】
前記メッキ液を流通させるための流路を備え、処理層内の電界を調整するフィンを該処理層内にさらに備える、
ことを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の電解メッキ装置。
【請求項６】
保持体に被処理面を下方に向けて水平保持された半導体基板を電解メッキ浴槽内のメッキ液に浸漬した状態で回転させながら、前記電解メッキ浴槽内に配置されたアノード電極と前記半導体基板との間で電気的導通によりメッキ処理を施す電解メッキ方法において、
前記電解メッキ浴槽を、前記アノード電極を含む第一の領域と浸漬した前記保持体を含む第二の領域に分離し、該第二の領域に前記メッキ液を複数の供給口から供給する分離部により、前記アノード電極と前記被処理面との間の電界を調整する、
ことを特徴とする電解メッキ方法。
【請求項７】
前記供給口はノズルにより形成され、
前記供給口により生成される主流と副流とにより対向する前記被処理面に均一に前記メッキ液を噴射する、
ことを特徴とする請求項６に記載の電解メッキ方法。
【請求項８】
流路により前記メッキ液を流通させ、フィンにより処理層内の電界を調整する、
ことを特徴とする請求項６又は７に記載の電解メッキ方法。
【請求項９】
保持体に被処理面を下方に向けて水平保持された半導体基板を電解メッキ浴槽内のメッキ液を浸漬した状態で回転させながら、前記電解メッキ浴槽内に配置されたアノード電極と前記半導体基板との間での電気的導通によりメッキ処理を施す液処理方法において、
被処理面と対向する前記アノード電極の上面との距離を一定に維持するように、前記アノード電極の前記メッキ液への溶解の程度に応じて、前記アノード電極の位置を調整する、
ことを特徴とする液処理方法。
【請求項１０】
メッキ液条件と印加生成する電界に応じて、前記アノード電極の上面の所定位置を、被処理体の液処理毎に可変である所定の位置に設定維持する、
ことを特徴とする請求項９に記載の液処理方法。

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、噴流式メッキ槽を有し、陽極電極部と陰極電極部が分離された構造の処理槽を用いる、電解メッキ装置、電解メッキ方法及び液処理方法に関する。

【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであり、均一で高品質な膜を形成することができる電解メッキ装置、電解メッキ方法及び液処理方法を提供することにある。また、本発明は、経過時変化などの起こりにくい電解メッキ装置、電解メッキ方法及び液処理方法を提供することにある。

【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の第１の観点に係る電解メッキ装置は、
保持体に被処理面を下方に向けて水平保持された半導体基板を電解メッキ浴槽内のメッキ液に浸漬した状態で回転させながら、前記電解メッキ浴槽内に配置されたアノード電極と前記半導体基板との間での電気的導通によりメッキ処理を施す電解メッキ装置において、
前記電解メッキ浴槽を、前記アノード電極を含む第一の領域と浸漬した前記保持体を含む第二の領域に分離し、該第二の領域に前記メッキ液を複数の供給口から供給する分離部を備える、ことを特徴とする。

例えば、前記供給口は、前記分離部の中央部に形成された主流口と、前記分離部の中央部を囲んで配置された複数の副流口からなる。

前記分離部は、前記主流口が形成された供給管と、前記供給管に一端が固定され、放射状に伸び、前記副流口に接続された流路を内部に備える複数の枝部と、前記主流口を貫通して前記メッキ液を供給する供給手段と、前記枝部と枝部との間を覆う膜と、を備える。

前記主流口はノズルにより形成され、前記主流口により生成される主流と前記副流口により生成される副流とにより対向する被処理面に均一に前記メッキ液を噴射する。

前記メッキ液を流通させるための流路を備え、処理層内の電界を調整するフィンを該処理層内にさらに備えてもよい。

上記目的を達成するため、この発明の第２の観点にかかる電界メッキ方法は、
保持体に被処理面を下方に向けて水平保持された半導体基板を電解メッキ浴槽内のメッキ液に浸漬した状態で回転させながら、前記電解メッキ浴槽内に配置されたアノード電極と前記半導体基板との間で電気的導通によりメッキ処理を施す電解メッキ方法において、
前記電解メッキ浴槽を、前記アノード電極を含む第一の領域と浸漬した前記保持体を含む第二の領域に分離し、該第二の領域に前記メッキ液を複数の供給口から供給する分離部により、前記アノード電極と前記被処理面との間の電界を調整する、
ことを特徴とする。

例えば、前記供給口はノズルにより形成され、前記供給口により生成される主流と副流とにより対向する前記被処理面に均一に前記メッキ液を噴射する。

例えば、流路により前記メッキ液を流通させ、フィンにより処理層内の電界を調整してもよい。

また、この発明の第３の観点にかかる液処理方法は、
保持体に被処理面を下方に向けて水平保持された半導体基板を電解メッキ浴槽内のメッキ液を浸漬した状態で回転させながら、前記電解メッキ浴槽内に配置されたアノード電極と前記半導体基板との間での電気的導通によりメッキ処理を施す液処理方法において、
被処理面と対向する前記アノード電極の上面との距離を一定に維持するように、前記アノード電極の前記メッキ液への溶解の程度に応じて、前記アノード電極の位置を調整する、
ことを特徴とする。

メッキ液条件と印加生成する電界に応じて、前記アノード電極の上面の所定位置を、被処理体の液処理毎に可変である所定の位置に設定維持するようにしてもよい。