JP2001311895A - マルチビーム走査装置・マルチビーム走査方法・マルチビーム走査装置用の光源装置および画像形成装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】高密度書き込みに対しても、必要とする深度余
裕を確実に確保し、スポット径のばらつきの影響を有効
に軽減もしくは防止して、安定したスポット径により良
好なマルチビーム走査を実現する。 【解決手段】半導体レーザアレイ１からの複数ビーム
を、光偏向器５を含む共通の光学系を介して被走査面９
へ導いて、副走査方向に分離した複数の光スポットを形
成し、光偏向器により同時に偏向させることにより、被
走査面の複数走査線を同時に隣接走査する装置におい
て、半導体レーザアレイが、その発光部の配列方向を副
走査方向に対して傾き角：φをもって配置され、走査線
ピッチをＰ、半導体レーザアレイにおける発光部の配列
ピッチをρとするとき、半導体レーザアレイの発光波
長：λ、副走査方向において狙いとするスポット径：ω
ｚに応じて、Ｋ＝０．８２λ／ωｚで定義されるＫが、
条件：(1)0.01＜Ｋ・Ｐ／(ρ・ｃｏｓφ)＜0.30，(2)0.
011＜Ｋ＜0.030を満足する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、マルチビーム走
査装置・マルチビーム走査方法・マルチビーム走査装置
用の光源装置および画像形成装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】光走査装置は、デジタル複写装置や光プ
リンタ等の画像形成装置に関連して広く知られている。
光走査装置による走査を高速化できる方法として、被走
査面の複数走査線を同時走査する「マルチビーム方式」
が注目され、複数の発光部をモノリシックに１列に配列
した半導体レーザアレイを光源として用いる「マルチビ
ーム走査装置」が実現されつつある。半導体レーザアレ
イは発光部相互の間隔が不変であり、しかも発光部のピ
ッチが小さいので、光源から被走査面に至る光路上の光
学系を複数ビームに共通化して使用できるので、機械的
変動に対して安定性の高いマルチビーム方式の光走査装
置が可能になる。マルチビーム走査方式には、隣接する
走査線を同時走査する「隣接走査」と、１以上の走査線
を隔して走査を行う「飛び越し走査」がある。飛び越し
走査は、それなりの利点があるが、良く知られているよ
うに「同時走査する走査線の間隔が走査と共に変動する
走査線ピッチむら」を生じやすいという問題がある。光
走査の書き込みの密度が６００ｄｐｉ以上のように高く
なると、走査線のピッチも小さくなるので、上記走査線
ピッチむらが、走査線ピッチに相対的に大きくなって、
書き込み形成される画像の像質に対する影響も大きくな
り、像質劣化を生じやすい。このような観点からする
と、高密度の画像形成にはマルチビーム走査方式として
「隣接走査」が適している。

【０００３】光走査は被走査面上に形成される光スポッ
トにより行われる。高密度の書き込みを行う場合には、
当然に走査線ピッチが小さくなるのに応じて副走査方向
のスポット径も小さくならねばならない。光スポット
は、設計上は光ビームのビームウエストにより形成され
るが、ビームウエストの形成される像面と被走査面と
は、像面湾曲等の影響により必ずしも合致せず、被走査
面上におけるスポット径は必ずしもビームウエスト径に
等しくはならない。そこで、像面湾曲によるスポット径
変動を極力押さえるために像面湾曲を適性に補正するこ
とが行われる。また、マルチビーム走査装置であるとシ
ングルビーム走査装置であるとにかかわらず、現実の光
走査装置には各種の誤差が内在している。これら誤差と
は、光走査装置を構成する各光学素子の部品精度に対す
る誤差や組み付け精度に対する誤差である。このような
誤差が存在すると、本来は被走査面に対して可及的に合
致されるべき像面が、現実の被走査面に対して相対的に
ずれることなる。このようなずれを光スポットの「デフ
ォーカス」と呼んでいる。現実に組み立てられたマルチ
ビーム走査装置で、デフォーカスが不可避的に存在する
ことに鑑みると、マルチビーム走査装置の設計はデフォ
ーカスの存在を前提として行う必要がある。即ち、ある
程度のデフォーカスの存在下においても「スポット径の
変動範囲が所望の範囲内に収まる」ような設計を行うこ
とになる。

【０００４】光スポットのスポット径の変動の許容幅
は、光走査の基準として想定されるスポット径：Ｗに対
して±１０％の範囲、即ち、Ｗ（１±０．１）の範囲で
あるとされている。

【０００５】例えば、光走査をスポット径：４０μｍの
光スポットで行うことを想定する場合、この「４０μ
ｍ」が上記「光走査の基準として想定されるスポット
径」であるが、これをこの明細書中において「狙いとす
るスポット径」と称する。デフォーカス状態では、スポ
ット径はビームウエスト径よりも大きくなるから、光学
系を設計するにあたっては、ビームスポット径を「狙い
とするスポット径よりも数％〜１０％程度小さく」する
ように設計を行うのが普通である。光スポットのスポッ
ト径の変動が上記「スポット径の変動の許容幅」に収ま
るようなデフォーカスの幅を「深度余裕」と呼ぶ。この
深度余裕が大きいほど「像面と被走査面とのずれ」に対
する許容度が高い。深度余裕は、光学系の部品精度や組
み付け精度を考慮すると、０．９ｍｍ以上必要であるこ
とが経験的に知られている。半導体レーザアレイを光源
として用いるマルチビーム走査における他の問題点とし
て「発散角のばらつき」がある。周知の如く、半導体レ
ーザから放射される光束は発散性の光束であり、その発
散角は活性層の厚さ方向において最大で、これに直交す
る方向で最小であり、光束のファーフィールドパターン
は、上記活性層の厚さ方向を長軸方向とする楕円形状で
ある。半導体レーザアレイでは、複数の発光部から、そ
れぞれ発散光束が放射されるが、その発散角は必ずしも
発光部に共通ではなく、発光部ごとに「ばらつき」があ
る。このため、このような発光部ごとの発散角のばらつ
きに応じて、被走査面上の光スポットのスポット径が、
光スポットごとに異なる場合があり、このような「光ス
ポットごとのスポット径のばらつき」も勿論、画像劣化
の原因となる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】この発明は、例えば６
００ｄｐｉ以上の高密度書き込みに対しても、必要とす
る深度余裕を確実に確保し、スポット径のばらつきの影
響を有効に軽減もしくは防止して、安定したスポット径
により良好なマルチビーム走査を実現することを課題と
する。

【０００７】

【課題を解決するための手段】この発明のマルチビーム
走査装置は「半導体レーザアレイからの複数ビームを、
光偏向器を含む共通の光学系を介して被走査面へ導い
て、副走査方向に分離した複数の光スポットを形成し、
光偏向器により同時に偏向させることにより、被走査面
の複数走査線を同時に隣接走査するマルチビーム走査装
置」である。請求項１記載のマルチビーム走査装置は以
下の如き特徴を有する。光源として用いられる「半導体
レーザアレイ」は、その発光部の配列方向（活性層に平
行な方向）を、副走査方向に対して傾き角：φ（９０＞
φ≧０ 単位：度）をもって配置される。傾き角：φは
「φ＝０」を含む。この場合、発光部の配列方向は副走
査方向に平行になる。走査線ピッチ（隣接する走査線間
の設計上の間隔）をＰ、半導体レーザアレイにおける発
光部の配列ピッチをρとするとき、半導体レーザアレイ
の発光波長：λ、副走査方向において狙いとするスポッ
ト径：ωｚに応じて、係数：Ｋを式： Ｋ＝０．８２λ／ωｚ で定義する。係数：Ｋは、走査線ピッチ：Ｐ、発光部の
配列ピッチ：ρとともに、条件： （１） ０．０１＜Ｋ・Ｐ／(ρ・ｃｏｓφ)＜０．３０ （２） ０．０１１＜Ｋ＜０．０３０ を満足する。請求項１記載のマルチビーム走査装置は、
カップリングレンズと、アパーチュアと、線像結像光学
系と、光偏向器と、走査結像光学系とを有することがで
きる（請求項２）。「カップリングレンズ」は、半導体
レーザアレイからの複数ビームを以後の光学系にカップ
リングするためのレンズである。「アパーチュア」は、
カップリングレンズを透過した複数ビームをビーム整形
するためのものである。「線像結像光学系」は、ビーム
整形された各ビームを副走査方向に集光させて「主走査
方向に長い線像」として結像させる。この線像結像光学
系としては「凸のシリンドリカルレンズ」や「凹のシリ
ンドリカルミラー」を用いることができる。

【０００８】「光偏向器」は、各線像の結像位置の近傍
に偏向反射面を有し、各反射光束を偏向させる。光偏向
器としては「回転鏡」即ち、回転単面鏡や回転２面鏡、
回転多面鏡等を用いることができるほか、ガルバノミラ
ーのような揺動鏡を用いることもできる。中でも上記回
転多面鏡は光偏向器として好適である。「走査結像光学
系」は、光偏向器により偏向された各ビームを被走査面
に向けて集光させる光学系である。走査結像光学系は、
１枚以上のレンズで構成することもできるし、１面以上
の結像ミラー（結像作用を持つミラー）で構成すること
もでき、１枚以上のレンズと１面以上の結像ミラーの組
み合わせで構成することもできる。請求項２記載のマル
チビーム走査装置において、半導体レーザアレイの傾き
角：φは「φ＝０」とすることもできるし（請求項
３）、「φ＞０」とすることもできる（請求項４）。上
記請求項２または３または４記載のマルチビーム走査装
置において、カップリングレンズのカップリング作用は
「コリメート作用」であることもできるし（請求項
５）、「半導体レーザアレイからの複数の発散ビームを
それぞれ、発散性を弱めた発散ビームとする作用」であ
ることもできる（請求項６）。上記請求項２または３ま
たは４記載のマルチビーム走査装置において、光偏向器
を、回転多面鏡等の回転鏡とし、走査結像光学系が「光
スポットによる走査を等速化する機能」を持つように構
成することができる（請求項７）。また、 請求項５記
載のマルチビーム走査装置において、光偏向器を、回転
多面鏡等の回転鏡とし、走査結像光学系を「ｆθ光学系
（ｆθ特性を持つ光学系）」とすることができる（請求
項８）。上記請求項２〜８の任意の１に記載のマルチビ
ーム走査装置において、線像結像光学系を「シリンドリ
カルレンズ」とすることができる（請求項９）。請求項
４記載のマルチビーム走査装置において、半導体レーザ
アレイの傾き角：φが９０度に近い場合には、カップリ
ングレンズと光偏向器との間の光路上に、光束径を主走
査方向に拡大する「主走査方向ビームエキスパンダ」を
有することができる（請求項１０）。

【０００９】この発明の「光源装置」は、請求項１記載
のマルチビーム走査装置に用いられる光源装置であっ
て、半導体レーザアレイと、カップリングレンズと、ア
パーチュアとを有する。「半導体レーザアレイ」は、配
列ピッチ：ρで１列配列された複数の発光部の配列方向
を、副走査方向に対して傾き角：φ（≧０）だけ傾けて
設けられる。この「カップリングレンズ」は、半導体レ
ーザアレイからの複数ビームを、以後の光学系にカップ
リングさせるレンズである。「アパーチュア」は、カッ
プリングレンズを透過した複数ビームをビーム整形す
る。即ち、各ビームは、アパーチュアの開口部を通過す
る際にビーム周辺部を遮光されて、所定の断面形状を持
ったビームとなる。上記アパーチュアにより規定される
副走査方向の開口数：ＮＡｚ(source)は、 条件：（３） ０．０１＜ＮＡｚ(source)＜０．３０ を満足する（請求項１１）。この請求項１１記載の光源
装置において、半導体レーザアレイの傾き角：φは「φ
＝０」とすることもできるし（請求項１２）、「φ＞
０」とすることもできる（請求項１３）。上記請求項１
１または１２または１３記載の光源装置において、カッ
プリングレンズのカップリング作用は「コリメート作
用」とすることができる（請求項１４）。この場合にお
いて、カップリングレンズを「１枚のレンズ」で構成す
ることができる（請求項１５）。カップリング作用とし
ては「半導体レーザアレイからの複数の発散ビームをそ
れぞれ、発散性を弱めた発散ビームとする作用」とする
こともできる（請求項１６）。カップリングレンズのカ
ップリング作用としては他に「半導体レーザアレイから
の複数の発散ビームをそれぞれ収束ビームとする作用」
も可能である。また、実施例にも示すように、カップリ
ングレンズを２枚以上のレンズで構成することも勿論可
能である。上記請求項１１〜１６の任意の１に記載の光
源装置において、半導体レーザアレイにおける発光部の
配列ピッチ：ρは、１０μｍとすることもできるし（請
求項１７）、「ρ＞１０μｍ」とすることもできる。ま
た、請求項１１〜１７の任意の１に記載の光源装置にお
いて、半導体レーザアレイにおける発光波長：λを７０
０ｎｍ以下とすることができる（請求項１８）。

【００１０】この発明のマルチビーム走査方法は「半導
体レーザアレイからの複数ビームを、光偏向器を含む共
通の光学系を介して被走査面へ導いて、副走査方向に分
離した複数の光スポットを形成し、光偏向器により同時
に偏向させることにより、被走査面の複数走査線を同時
に隣接走査するマルチビーム走査方法」であって、光走
査を行う装置として「請求項１〜１０の任意の１に記載
のマルチビーム走査装置」を用いることを特徴とする
（請求項１９）。この発明の画像形成装置は「感光媒体
の感光面に光走査装置による光走査を行って潜像を形成
し、上記潜像を可視化して画像を得る画像形成装置」で
あって、感光媒体の感光面の光走査を行う光走査装置と
して、請求項１〜１０の任意の１に記載のマルチビーム
走査装置を用いたことを特徴とする（請求項２０）。こ
の請求項２０記載の画像形成装置において、感光媒体を
光導電性の感光体とし、感光面の均一帯電と光走査装置
の光走査とにより形成される静電潜像を「トナー画像」
として可視化するように構成できる(請求項２１)。トナ
ー画像は、シート状の記録媒体（転写紙や「ＯＨＰシー
ト（オーバヘッドプロジェクタ用のプラスチックシー
ト」等）に定着される。請求項２０記載の画像形成装置
において、感光媒体として例えば「銀塩写真フィルム」
を用いることもできる。この場合、光走査装置による光
走査により形成された潜像は通常の銀塩写真プロセスの
現像手法で可視化できる。このような画像形成装置は例
えば「光製版装置」あるいは「光描画装置」として実施
できる。また請求項２１記載の画像形成装置は、具体的
にはレーザプリンタやレーザプロッタ、デジタル複写装
置、ファクシミリ装置等として実施できる。

【００１１】

【発明の実施の形態】図１は、この発明のマルチビーム
走査装置の実施の１形態を示している。光源としての半
導体レーザアレイ１は、４つの発光部ｃｈ１〜ｃｈ４を
等間隔で１列に配列したものである。この図では４つの
発光部は副走査方向に配列（傾き角：φ＝０）している
が、半導体レーザアレイ１を副走査方向に対して傾け、
発光部の配列方向が副走査方向に対して傾く（傾き角：
φ＞０）ようにしてもよい。４つの発光部ｃｈ１〜ｃｈ
４から放射された４ビームは、図に示すように「楕円形
のファーフィールドパタン」の長軸方向が主走査方向に
向いた発散性の光束であるが、４ビームに共通のカップ
リングレンズ２により以後の光学系にカップリングされ
る。カップリングされた各ビームの形態は、以後の光学
系の光学特性に応じ、弱い発散性の光束や弱い集束性の
光束となることも、平行光束となることもできる。カッ
プリングレンズ２を透過した４ビームは、アパーチャ３
により「ビーム整形」され、「共通の線像結像光学系」
であるシリンドリカルレンズ４の作用によりそれぞれ副
走査方向に集束され、「光偏向器」である回転多面鏡５
の偏向反射面近傍に、それぞれが主走査方向に長い線像
として、互いに副走査方向に分離して結像する。偏向反
射面により等角速度的に偏向された４ビームは「走査結
像光学系」をなす２枚のレンズ６、７を透過し、折り曲
げミラー８により光路を折り曲げられ、「被走査面」の
実体をなす感光媒体９上に、副走査方向に分離した４つ
の光スポットとして集光し、被走査面の４走査線を同時
に隣接走査する。ビームの１つは、光走査に先立ってミ
ラー１０に入射し、レンズ１１により受光素子１２に集
光される。受光素子１２の出力に基づき、４ビームの書
込開始タイミングが決定される。「走査結像光学系」
は、光偏向器５により同時に偏向される４ビームを、被
走査面９上に４つの光スポットとして集光させる光学系
であって、２枚のレンズ６、７により構成される。

【００１２】図２は、図１に示した光学配置を光路にそ
って直線的に展開し、上下方向を副走査方向として説明
図的に示している。この図はまた、半導体レーザアレイ
１の１つの発光部から放射された光束の「副走査方向の
結像の様子」を示している。図２において、発光部から
放射された発散性の光束はカップリングレンズ２により
以後の光学系にカップリング（図では、カップリング作
用はコリメート作用である）され、アパーチュア３によ
りビーム成形され、シリンドリカルレンズ４により副走
査方向に集光され、回転多面鏡５の偏向反射面位置近傍
に主走査方向（図面に直交する方向）に長い線像として
結像し、偏向反射面に反射されると副走査方向に発散し
つつ走査結像光学系６Ａ（図１におけるレンズ６，７を
合成して示している）に入射し、走査結像光学系６Ａの
作用により被走査面９上に（副走査方向の）スポット
径：ωｚの光スポットを形成する。このとき、スポット
径：ωｚは、被走査面９に入射するビームの副走査方向
の開口数：ＮＡｚ(ｉｍｇ)と、ビーム波長（半導体レー
ザの発光波長）：λにより定まり、良い近似で、 （３） ωｚ＝０．８２λ／ＮＡｚ(ｉｍｇ) と表すことができる。ここで、説明を一般的にするた
め、図３（ａ）に示すように、半導体レーザアレイ１に
おける発光部ｃｈ１〜ｃｈ４の配列方向を副走査方向に
対し、傾き角：φで傾けた状態を考える。すると、発光
部ｃｈ１〜ｃｈ４の「副走査方向の見かけの配列ピッ
チ」は、配列ピッチ：ρを用いて「ρ・ｃｏｓφ」で与
えられることになる。一方、被走査面９上における隣接
走査線の間隔である走査線ピッチをＰとすると、走査線
ピッチ：Ｐは「被走査面９上の書き込み密度（ｄｐ
ｉ）」により定まる。また、光源である半導体レーザア
レイ１と被走査面９との間にある光学系の副走査方向の
合成結像倍率をβｚとする。

【００１３】すると、隣接走査という条件のもとでは、
発光部ｃｈ１〜ｃｈ４の副走査方向の見かけの配列ピッ
チ：ρ・ｃｏｓφのβｚ倍が、走査線ピッチ：Ｐと等し
くなるべきであるから、 （４） βｚ＝Ｐ／(ρ・ｃｏｓφ) が成り立たねばならない。一方、光源側における開口数
を図２に示す如く「ＮＡｚ(source)」とすると、 （５） ＮＡｚ(source)＝βｚ・ＮＡｚ(ｉｍｇ) で表される。（５）式の右辺に（３）式と（４）式を用
いると、 （６） ＮＡｚ(source)＝｛Ｐ／(ρ・ｃｏｓφ)｝・｛０．８２λ／ωｚ｝ となる。ここで、係数：Ｋを Ｋ＝０．８２λ／ωｚ と定義すると、（６）式は、 （６Ａ） ＮＡｚ(source)＝Ｋ・Ｐ／(ρ・ｃｏｓφ) となる。図２を参照すれば明らかなように、ＮＡｚ(sou
rce)は、アパーチュア３の副走査方向の開口幅により規
制される。開口数：ＮＡｚ(source)が適性に設定されな
いと以下の如き不具合が生じる。即ち、上記開口幅を小
さく設定しすぎて開口数：ＮＡｚ(source)が小さすぎる
と、光走査の光エネルギが不足して高速走査ができなく
なる。逆に、開口数を大きく設定しすぎると、前述の
「光スポットごとの発散角のばらつき」に影響されやす
くなり、被走査面上で光スポットのスポット径が不ぞろ
いになったりする。係数：Ｋ（＝０．８２λ／ωｚ）の
範囲は、発光波長：λと、（副走査方向の）狙いとする
スポット径：ωｚにより定まる。また、係数：Ｋの値
は、前述の深度余裕（ここでは副走査方向の深度余裕）
に関連する。

【００１４】発光波長：λを４００〜８００ｎｍ、狙い
とするスポット径：ωｚを１６〜６０μｍとして、係
数：Ｋと深度余裕：Ｗを算出してみると、以下の如くに
なる。 λ（ｎｍ） ωｚ（μｍ） Ｋ Ｗ（ｍｍ） ８００ ２２ ０．０２９８ ０．９０ ８００ ５０ ０．０１３１ ４．６５ ８００ ６０ ０．０１０９ ６．６９ ７８０ ２２ ０．０２９１ ０．９２ ７８０ ３０ ０．０２１３ １．７２ ７８０ ５０ ０．０１２８ ４．７７ ４００ １６ ０．０２０５ ０．９５ ４００ ３０ ０．０１０９ ３．３５ 深度余裕：Ｗは、前述の如く「光学系の部品精度や組み
付け精度を考慮すると、０．９ｍｍ以上必要である」こ
とが経験的に知られているので、上記１欄から明らかな
ように、発光波長：λ（４００〜８００ｎｍ）、狙いと
する副走査方向のスポット系：ωｚ（１６〜６０ｎｍ）
の範囲では、係数：Ｋの範囲を （２） ０．０１１＜Ｋ＜０．０３０ とすべきことが分かる。次ぎに、開口数：ＮＡｚ(sourc
e)の範囲を考えると、その上限は前述の「発散角のばら
つき」の影響を除去するという要請により定まる。図３
（ｂ）〜（ｄ）を参照すると、これらの図は、アパーチ
ュア３の位置におけるビームの形態とアパーチュアの開
口部の状態を示している。（ｂ）は傾き角：φが０のと
き、（ｃ）はφ＝４５度のとき、（ｄ）はφ＝９０度の
ときを示している。発光部から放射される発散性の光束
の、活性層に直交する方向の発散角の半値全角（強度分
布のピーク値の１／２以上の強度を持つ角範囲）：θ
は、発光部によらず、少なくとも２０度はある。そし
て、副走査方向の発散角がもっとも小さくなるのは、図
３（ｂ）に示すように傾き角：φ＝０の場合である。

【００１５】従って、アパーチュアの開口部の副走査方
向の開口幅は、開口数：ＮＡｚ(source)が、 （７）ＮＡｚ(source)≦ｓｉｎ[ｔａｎ^-1{√[(２/ｌｎ２)ｔａｎ(θ/２)]}］ において、発散角：θを２０度としたもの、即ち、 （７Ａ） ＮＡｚ(source)≦０．０３ となるように定めるべきことが分かる。開口数：ＮＡｚ
(source)の下限は、「光学系における副走査方向の結像
倍率：βｚ」により定まる。副走査方向の結像倍率：β
ｚは、光源と光偏向器の偏向反射面との間にある光学系
（カップリングレンズとシリンドリカルレンズ）の副走
査方向の横倍率：｜β₁｜と、走査結像光学系の副走査
方向の横倍率：｜β₂｜の積：｜β₁｜×｜β₂｜」で与
えられる。倍率：｜β₁｜の下限は、経験に照らすと
１．８である。即ち、｜β₁｜≧１．８である。倍率：
｜β₁｜が１．８以下となると、シリンドリカルレンズ
３の位置が光偏向器に近接するため、シリンドリカルレ
ンズ３と光偏向器５とのレイアウト上の干渉が生じる。
この場合、干渉を回避するために、シリンドリカルレン
ズ３を光偏向器５から離すと、倍率を確保するためには
カップリングレンズ２を光源から離す必要が生じ、この
ようにすると、カップリングレンズ２がカップリングで
きる光量が絶対的に小さくなるために、光走査の光量に
不足を生じる虞がある。図２に示す例では、カップリン
グレンズ２のカップリング作用はコリメート作用である
が、この場合、カップリングレンズ２とシリンドリカル
レンズ４との合成の結像倍率：｜β₁｜は、カップリン
グレンズ２の焦点距離：ｆｃｐとシリンドリカルレンズ
４の副走査方向の焦点距離：ｆｃｙとの比：ｆｃｙ／ｆ
ｃｐで与えられる。実用的に使用可能なカップリングレ
ンズの焦点距離：ｆｃｐは最大で３０ｍｍ程度である。
ｆｃｐが３０ｍｍ以上になると、前述の光量不足の問題
が生じてしまう。シリンドリカルレンズの焦点距離：ｆ
ｃｙは、光偏向器との干渉の回避を考慮すると５４ｍｍ
程度が最小値である。従って、この場合も、｜β₁｜の
最小値は１．８ということになる。

【００１６】一方、走査結像光学系の副走査方向の倍
率：｜β₂｜の実用上使用可能な範囲は、０．５≦｜β₂
｜≦２．０である。｜β₂｜≦０．５の倍率範囲では、
被走査面側のレンズを被走査面に近接させて配備させる
必要があり、該レンズの主走査方向の長さが長大化して
加工が難しくなり、コストも高くなる。逆に、｜β₂｜
≧２．０の倍率範囲では、環境変動や走査光学系の取付
誤差による像面位置変動が大きくなりやすく、光スポッ
トの小径化も困難になり、高密度の光走査が困難にな
る。以上を勘案すると「副走査方向の結像倍率：βｚ
（＝｜β₁｜×｜β₂｜）」は１．８×０．５＝０．９程
度が下限値となる。ここで、（４）式と（６Ａ）式を用
いると「ＮＡｚ(source)＝βｚ・Ｋ」となり、係数：Ｋ
の下限値は「０．０１１」であるから、開口数：ＮＡｚ
(source)は （８） ＮＡｚ(source) ≧０．０１ となる。従って、（７Ａ）式と（８）式とを合わせて、 （９） ０．０１≦ＮＡｚ(source)≦０．３０ となり、「ＮＡｚ(source)＝Ｋ・Ｐ／(ρ・ｃｏｓφ)」
を考慮すれば、 （１） ０．０１＜Ｋ・Ｐ／(ρ・ｃｏｓφ)＜０．３０ が得られる。ここで、発光波長：λを４００〜８００ｎ
ｍの範囲とし、狙いとするスポット径：ωｚを３０μｍ
としたときの、係数：Ｋと深度余裕とを例示すると以下
のようになる。 λ（ｎｍ） ωｚ（μｍ） Ｋ Ｗ（ｍｍ） ８００ ３０ ０．０２２ １．６７ ７８０ ３０ ０．０２１ １．７２ ７００ ３０ ０．０１９ １．９１ ６００ ３０ ０．０１６ ２．２３ ５５０ ３０ ０．０１５ ２．４３ ５００ ３０ ０．０１４ ２．６８ ４５０ ３０ ０．０１２ ２．９７ ４００ ３０ ０．０１１ ３．３５ この結果から明らかなように、狙いとするスポット径：
ωｚが同じ場合、発光波長：λが短いほうが、深度余
裕：Ｗが大きくなり、従って、光学系に課せられる精度
条件も緩やかになり、コスト低減化が可能になる。ま
た、発光波長：λが短くなると、それに伴い、開口数：
ＮＡｚ(source)も小さくなるため、発散角のばらつきの
影響を「より受けにくく」なる。このような観点からす
ると、使用する半導体レーザアレイとしては、発光波
長：λが７００ｎｍ以下のものであることが好ましい
（請求項１８）。

【００１７】即ち、図１および図２を参照して上に説明
したマルチビーム走査装置は、半導体レーザアレイ１か
らの複数ビームを、光偏向器５を含む共通の光学系２，
４，６，７を介して被走査面９へ導いて、副走査方向に
分離した複数の光スポットを形成し、光偏向器５により
同時に偏向させることにより、被走査面９の複数走査線
を同時に隣接走査するマルチビーム走査装置において、
半導体レーザアレイ１が、その発光部の配列方向を副走
査方向に対して傾き角：φ（９０＞φ≧０ 単位：度）
をもって配置されるものである。そして、走査線ピッチ
をＰ、半導体レーザアレイにおける発光部の配列ピッチ
をρとするとき、半導体レーザアレイの発光波長：λ、
副走査方向において狙いとするスポット径：ωｚに応じ
て、Ｋ＝０．８２λ／ωｚで定義されるＫと、Ｐおよび
ρが、条件： （１） ０．０１＜Ｋ・Ｐ／(ρ・ｃｏｓφ)＜０．３０ （２） ０．０１１＜Ｋ＜０．０３０ を満足することにより、０．９ｍｍ以上の深度余裕を実
現して、副走査方向のスポット径変動を有効に許容範囲
に押さえることができ、また、光量不足や「発散角のば
らつきに起因するスポット径の不揃い」の問題なしに良
好なマルチビーム走査を実現することができる。また、
上に実施の形態を説明したマルチビーム走査装置は、半
導体レーザアレイ１からの複数ビームを以後の光学系に
カップリングするカップリングレンズ２と、カップリン
グレンズを透過した複数ビームをビーム整形するアパー
チュア３と、ビーム整形された各ビームを副走査方向に
集光させて、主走査方向に長い線像として結像させる線
像結像光学系４と、各線像の結像位置の近傍に偏向反射
面を有する光偏向器５と、この光偏向器により偏向され
た各ビームを被走査面に向けて集光させる走査結像光学
系６，７とを有する（請求項２）。また、上に実施の形
態を説明したマルチビーム走査装置における光源装置
は、配列ピッチ：ρで１列配列された複数の発光部の配
列方向を、副走査方向に対して傾き角：φ（≧０）だけ
傾けて設けられる半導体レーザアレイ１と、この半導体
レーザアレイからの複数ビームを、以後の光学系にカッ
プリングさせるカップリングレンズ２と、このカップリ
ングレンズを透過した複数ビームをビーム整形するアパ
ーチュア３とを有し、アパーチュア３により規定される
副走査方向の開口数：ＮＡｚ(source)が、条件： （３） ０．０１＜ＮＡｚ(source)＜０．３０ を満足する（請求項１１）。

【００１８】

【実施例】以下、具体的な実施例を６例挙げる。

【００１９】以下に挙げる各実施例の光学系構成は、図
１に示す実施の形態と同様のものである。以下の実施例
のうちには、光学面として球面でない面形状が採用され
ているものがあるので、以下に先ず、そのような非球面
形状の表記につき説明する。但し、この発明の内容は、
以下の表現式に限定されるものではない。先ず、主走査
断面（光軸を含み主走査方向に平行な仮想的な平断面）
内の非円弧形状は、以下のように表現する。光軸方向の
デプスをＸ、主走査方向の座標をＹ、主走査断面内の近
軸曲率半径をＲ_m、定数をＫ_m、Ａ_i（ｉ＝１，２，
３，．．．）として、次式で表す。 Ｘ＝（Ｙ²／Ｒ_m）／［１＋√｛（１＋Ｋ_m）(Ｙ／Ｒ_m)²｝］ ＋ΣＡ_iＹⁱ （１０） 副走査断面（主走査方向に直交する仮想的な平断面）内
の曲率が、副走査断面の「主走査方向の位置（座標：
Ｙ）」により変化するときは、曲率：Ｃ_S(Ｙ)を Ｃ_S(Ｙ)＝｛１／Ｒ_S(０)｝＋ΣＢ_iＹⁱ （１１） で表す。Ｒ_S(０)は、Ｙ＝０での副走査断面内における
近軸曲率半径である。右辺第２項の和における「ｉ」
は、１，２，３，．．．である。次ぎに、主走査断面内
の形状が非円弧形状であり、且つ、副走査断面内の形状
も非円弧形状であり、且つ、副走査断面内の非円弧形状
が座標：Ｙとともに変化する場合は、副走査方向の座標
をＺとして次式で表す。 Ｘ＝（Ｙ²／Ｒ_m）／［１＋√｛（１＋Ｋ_m）(Ｙ／Ｒ_m)²｝］ ＋ΣＡ_iＹⁱ ＋Ｃ_S(Ｙ)・Ｚ²／［１＋√｛（１＋Ｋ_S）(Ｃ_S(Ｙ)・Ｚ)²｝］ +(Ｆ₀+Ｆ₁・Ｙ+Ｆ₂・Ｙ²+Ｆ₃・Ｙ³+Ｆ₄・Ｙ⁴+・・)・Ｚ +(Ｇ₀+Ｇ₁・Ｙ+Ｇ₂・Ｙ²+Ｇ₃・Ｙ³+Ｇ₄・Ｙ⁴+・・)・Ｚ² +(Ｈ₀+Ｈ₁・Ｙ+Ｈ₂・Ｙ²+Ｈ₃・Ｙ³+Ｈ₄・Ｙ⁴+・・)・Ｚ³ +(Ｉ₀+Ｉ₁・Ｙ+Ｉ₂・Ｙ²+Ｉ₃・Ｙ³+Ｉ₄・Ｙ⁴+・・)・Ｚ⁴ +(Ｊ₀+Ｊ₁・Ｙ+Ｊ₂・Ｙ²+Ｊ₃・Ｙ³+Ｊ₄・Ｙ⁴+・・)・Ｚ⁵ +(Ｋ₀+Ｋ₁・Ｙ+Ｋ₂・Ｙ²+Ｋ₃・Ｙ³+Ｋ₄・Ｙ⁴+・・)・Ｚ⁶ +(Ｌ₀+Ｌ₁・Ｙ+Ｌ₂・Ｙ²+Ｌ₃・Ｙ³+Ｌ₄・Ｙ⁴+・・)・Ｚ⁷ +(Ｍ₀+Ｍ₁・Ｙ+Ｍ₂・Ｙ²+Ｍ₃・Ｙ³+Ｍ₄・Ｙ⁴+・・)・Ｚ⁸ +(Ｎ₀+Ｎ₁・Ｙ+Ｎ₂・Ｙ²+Ｎ₃・Ｙ³+Ｎ₄・Ｙ⁴+・・)・Ｚ⁹ +．．． （１２） 右辺第３項の「Ｋ_m」は、次式で与えられる。 Ｋ_S(Ｙ)＝Ｋ_S(０)＋ΣＣ_iＹⁱ （１３） で表す。Ｋ_S(０)は、Ｙ＝０での副走査断面内における
円錐定数である。右辺第２項の和における「ｉ」は、
１，２，３，．．．である。

【００２０】実施例１ 実施例１の光学配置を図４に示す。符号１１１は半導体
レーザアレイ、符号１２１はカップリングレンズ、符号
１３１はアパーチュア、符号１４１はシリンドリカルレ
ンズ、符号１５１は回転多面鏡、符号１６１，１７１，
１８１は走査結像光学系を構成するレンズ、符号１９は
被走査面を示している。勿論、マルチビーム走査装置の
レイアウトに応じて、光源から被走査面に至る光路上に
光路屈曲用の平面鏡を配して、光路を適宜に屈曲させる
ことができる。この点は、他の実施例においても同様で
ある。 「光源としての半導体レーザアレイ」 発光部数：４ 発光部の配列ピッチ：ρ＝１４μｍ 発
光波長：７８０ｎｍ 最大出力：１５ｍＷ 傾き角：φ＝０度 「カップリングレンズ」 レンズ構成：１群２枚構成 焦点距離：３０ｍｍ カップリング作用：コリメート作用 「シリンドリカルレンズ」 副走査方向の焦点距離：７０．６２ｍｍ 「アパーチュア」 主走査方向の開口幅：５．２ｍｍ 副走査方向の開口
幅：１．０４ｍｍ 「回転多面鏡」 偏向反射面数：６ 内接円半径：２５ｍｍ 入射角（光
源側からのビーム入射方向と走査結像光学系の光軸とが
なす角）：６０度 書き込み密度：１２００ｄｐｉ 狙いとする副走査方向のスポット径：５０μｍ 「回転多面鏡と被走査面との間にある光学素子のデー
タ」回転多面鏡側から数えて第ｉ番目の面の主走査断面
内の曲率半径：Ｒ_mi、副走査断面内の曲率半径：Ｒ_Si、
面間隔をＸ、面の主走査方向のシフト量（図４で上方へ
のシフト）をＹとする。また屈折率をｎとする。なお、
以下の各実施例において曲率半径：Ｒ_mi、Ｒ_Siは、球面
以外では「近軸曲率半径」である。

【００２１】 面番号：ｉ Ｒ_mi Ｒ_Si Ｘ Ｙ ｎ 偏向反射面 ０ ∞ ∞ 51.38 1.627 レンズ１６１ １ -96.76 球面 15.07 0 1.78571 ２ -93.27 球面 9.76 0 レンズ１７１ ３ -2450.2 球面 19.90 0 1.60909 ４ -161.76 球面 127.00 0 レンズ１８１ ５ -630.00 -55.53 3.00 0 1.57211 ６ -700.00 -24.42 101.72 0 面番号５即ち、レンズ１８１の入射側面は「主走査断面
内の形状が非円弧形状(前記(１０)式で表される)」であ
る。上記（１０）式の各定数を表１に示す。

【００２２】

【表１】

【００２３】実施例１において、条件式（２）の係数：
Ｋは、 Ｋ＝０．８２×７８０×１０^-3／５０＝０．０１２７９ であり、（２）式を満足する。条件式（１）のＫ・Ｐ／
(ρ・ｃｏｓφ)は、 Ｋ・Ｐ／(ρ・ｃｏｓφ)＝０．０１２７９×２１．１６
７／１４＝０．０１９３４ であって、（１）式を満足する。実施例１における発光
部ｃｈ１（カップリングレンズ１２１の光軸から２１μ
ｍだけ、副走査方向に離れている）からの光束の形成す
る光スポットの副走査方向のスポット径の「±１５０ｍ
ｍを９等分した各像高位置におけるデフォーカスによる
変動」を主走査方向について図５（ａ）に、副走査方向
について（ｂ）に示す。「深度余裕」は、主走査方向に
つき３．１０ｍｍ、副走査方向につき２．２５ｍｍであ
り、０．９ｍｍを大幅に上回っているから、主・副走査
方向とも安定したスポット径で「マルチビームによる隣
接走査」を行うことができる。開口数：ＮＡｚ(source)
の値は、０．０１９３４と小さいので、発光部ごとの発
散角のばらつきの影響も有効に回避されている。被走査
面の実体をなすものとして、露光エネルギが４．４ｍＪ
／ｍ²の光導電性の感光体を用いた場合、走査速度：３
８０．８ｍ／ｓｅｃで露光の閾値エネルギは１１．４４
ｍＷであり、用いている半導体レーザアレイの最大出
力：１５ｍＷ以下であるので、マルチビーム走査の光量
不足も生じない。

【００２４】実施例２ 実施例２の光学配置を図６に示す。符号１１２は半導体
レーザアレイ、符号１２２はカップリングレンズ、符号
１３２はアパーチュア、符号１４２はシリンドリカルレ
ンズ、符号１５２は回転多面鏡、符号１６２，１７２は
走査結像光学系を構成するレンズ、符号１９は被走査面
を示している。 「光源としての半導体レーザアレイ」 発光部数：４ 発光部の配列ピッチ：ρ＝２０μｍ 発
光波長：６７０ｎｍ 最大出力：８ｍＷ 傾き角：φ＝２９．４５度 「カップリングレンズ」 レンズ構成：１群１枚構成 焦点距離：３０ｍｍ カップリング作用：コリメート作用 「シリンドリカルレンズ」 副走査方向の焦点距離：５１．８８ｍｍ 「アパーチュア」 主走査方向の開口幅：７．９ｍｍ 副走査方向の開口
幅：１．2ｍｍ 「回転多面鏡」 偏向反射面数：５ 内接円半径：１８ｍｍ 入射角（光
源側からのビーム入射方向と走査結像光学系の光軸とが
なす角）：６０度 書き込み密度：１２００ｄｐｉ 狙いとする副走査方向のスポット径：３０μｍ 「回転多面鏡と被走査面との間にある光学素子のデータ」 面番号：ｉ Ｒ_mi Ｒ_Si Ｘ Ｙ ｎ 偏向反射面 ０ ∞ ∞ 72.49 0.206 レンズ１６２ １ 1617.54 -52.00 35.00 0 1.52657 ２ -146.53 -195.27 62.91 0.204 レンズ１７２ ３ 413.68 -71.31 13.94 0 1.52657 ４ 824.88 -27.70 160.22 0 面番号１〜３は面形状が（１０）、（１１）式で特定さ
れ、面番号４は（１１）〜（１３）式で特定される。上
記（１０）〜（１３）式の各定数を表２〜６に示す。

【００２５】

【表２】

【表３】

【００２６】

【表４】

【表５】

【００２７】

【表６】

【００２８】実施例２において、条件式（２）の係数：
Ｋは、 Ｋ＝０．８２×６７０×１０^-3／３０＝０．０１８３１ で（２）式を満足する。条件式（１）のＫ・Ｐ／(ρ・
ｃｏｓφ)は、 Ｋ・Ｐ／(ρ・ｃｏｓφ) ＝０．０１８３１×２１．１６７／２０・ｃｏｓ（２９．４５度） ＝０．０２２２５ であって（１）式を満足する。実施例２における発光部
ｃｈ１（カップリングレンズ１２２の光軸から２８．４
３μｍだけ、副走査方向に離れている）からの光束の形
成する光スポットの副走査方向のスポット径の「±１５
０ｍｍを２１等分した各像高位置におけるデフォーカス
による変動」を主走査方向について図７（ａ）に、副走
査方向について（ｂ）に示す。「深度余裕」は、主走査
方向につき１．５７ｍｍ、副走査方向につき２．００ｍ
ｍで０．９ｍｍを大幅に上回っているから、主・副走査
方向とも安定したスポット径で「マルチビームによる隣
接走査」を行うことができる。開口数：ＮＡｚ(source)
の値は、０．０２２２５と小さいので、発光部ごとの発
散角のばらつきの影響も有効に回避されている。被走査
面の実体をなすものとして、露光エネルギが６．３ｍＪ
／ｍ²の光導電性の感光体を用いた場合、走査速度：３
８０．８ｍ／ｓｅｃで露光の閾値エネルギは７．２２ｍ
Ｗであり、用いている半導体レーザアレイの最大出力：
８ｍＷ以下であるので、マルチビーム走査の光量不足も
生じない。

【００２９】実施例３ 実施例３の光学配置を図８に示す。符号１１３は半導体
レーザアレイ、符号１２３はカップリングレンズ、符号
１３３はアパーチュア、符号１４３はシリンドリカルレ
ンズ、符号１５３は回転多面鏡、符号１６３，１７３，
１８２は走査結像光学系を構成するレンズ、符号１９は
被走査面を示している。 「光源としての半導体レーザアレイ」 発光部数：４ 発光部の配列ピッチ：ρ＝１４μｍ 発
光波長：７８０ｎｍ 最大出力：１０ｍＷ 傾き角：φ＝０度 「カップリングレンズ」 レンズ構成：１群１枚構成 焦点距離：１５ｍｍ カップリング作用：コリメート作用 「シリンドリカルレンズ」 副走査方向の焦点距離：７０．６２ｍｍ 「アパーチュア」 主走査方向の開口幅：５．５ｍｍ 副走査方向の開口
幅：０．８８ｍｍ 「回転多面鏡」 偏向反射面数：６ 内接円半径：２５ｍｍ 入射角（光
源側からのビーム入射方向と走査結像光学系の光軸とが
なす角）：６０度 書き込み密度：６００ｄｐｉ 狙いとする副走査方向のスポット径：６０μｍ 「回転多面鏡と被走査面との間にある光学素子のデータ」 面番号：ｉ Ｒ_mi Ｒ_Si Ｘ Ｙ ｎ 偏向反射面 ０ ∞ ∞ 51.38 1.627 レンズ１６３ １ -96.76 球面 15.07 0 1.78571 ２ -93.27 球面 9.76 0 レンズ１７３ ３ -2450.2 球面 19.90 0 1.60909 ４ -161.76 球面 127.00 0 レンズ１８２ ５ -630.00 -55.53 3.00 0 1.57211 ６ -700.00 -24.42 101.72 0 面番号５即ち、レンズ１８２の入射側面は「主走査断面
内の形状が非円弧形状（（１０）式で表される）」であ
る。上記（１０）式の各係数を表７に示す。

【００３０】

【表７】

【００３１】実施例３において「査結像光学系」は実施
例１におけるものと同一である。実施例３において、条
件式（２）の係数：Ｋは、 Ｋ＝０．８２×７８０×１０^-3／６０＝０．０１０６６ であり、（２）式を満足する。条件式（１）のＫ・Ｐ／
(ρ・ｃｏｓφ)は、 Ｋ・Ｐ／(ρ・ｃｏｓφ)＝０．０１０６６×４２．３３
３／１４＝０．０３２２３ で（１）式を満足する。実施例３における発光部ｃｈ１
（カップリングレンズ１２３の光軸から２１μｍだけ、
副走査方向に離れている）からの光束の形成する光スポ
ットの副走査方向のスポット径の「±１５０ｍｍを９等
分した各像高位置におけるデフォーカスによる変動」を
主走査方向について図９（ａ）に、副走査方向について
（ｂ）に示す。「深度余裕」は、主走査方向につき８．
１０ｍｍ、副走査方向につき４．５１ｍｍであり、０．
９ｍｍを大幅に上回っているから、主・副走査方向とも
安定したスポット径で「マルチビームによる隣接走査」
を行うことができる。開口数：ＮＡｚ(source)の値は、
０．０３２２３と小さいので、発光部ごとの発散角のば
らつきの影響も有効に回避されている。被走査面の実体
をなすものとして、露光エネルギが６．３ｍＪ／ｍ²の
光導電性の感光体を用いた場合、走査速度：３８０．８
ｍ／ｓｅｃで露光の閾値エネルギは７．２８ｍＷであ
り、用いている半導体レーザアレイの最大出力：１０ｍ
Ｗ以下であるので、マルチビーム走査の光量不足も生じ
ない。

【００３２】実施例４ 実施例４の光学配置を図１０に示す。符号１１４は半導
体レーザアレイ、符号１２４はカップリングレンズ、符
号１３４はアパーチュア、符号１４４はシリンドリカル
レンズ、符号１５４は回転多面鏡、符号１６４，１７４
は走査結像光学系を構成するレンズ、符号１９は被走査
面を示している。 「光源としての半導体レーザアレイ」 発光部数：４ 発光部の配列ピッチ：ρ＝１４μｍ 発
光波長：７８０ｎｍ 最大出力：１０ｍＷ 傾き角：φ＝６２．３度 「カップリングレンズ」 レンズ構成：１群１枚構成 焦点距離：２７ｍｍ カップリング作用：コリメート作用 「シリンドリカルレンズ」 副走査方向の焦点距離：１２６．１８ｍｍ 「アパーチュア」 主走査方向の開口幅：６．５６ｍｍ 副走査方向の開口
幅：２．３ｍｍ 「回転多面鏡」 偏向反射面数：５ 内接円半径：１８ｍｍ 入射角（光
源側からのビーム入射方向と走査結像光学系の光軸とが
なす角）：６０度 書き込み密度：１２００ｄｐｉ 狙いとする副走査方向のスポット径：４５μｍ 「回転多面鏡と被走査面との間にある光学素子のデータ」 面番号：ｉ Ｒ_mi Ｒ_Si Ｘ Ｙ ｎ 偏向反射面 ０ ∞ ∞ 72.56 0.286 レンズ１６４ １ 1616.43 -50.14 35.00 0 1.52398 ２ -146.51 -199.81 61.93 0.254 レンズ１７４ ３ 400.87 -72.03 14.00 0 1.52398 ４ 824.88 -27.59 160.56 0 面番号１〜３は面形状が（１０）、（１１）式で特定さ
れ、面番号４は（１１）〜（１３）式で特定される。上
記（１０）〜（１３）式の各定数を表８〜１２に示す。

【００３３】

【表８】

【００３４】

【表９】

【００３５】

【表１０】

【００３６】

【表１１】

【００３７】

【表１２】

【００３８】実施例４において、条件式（２）の係数：
Ｋは、 Ｋ＝０．８２×７８０×１０^-3／４５＝０．０１４２１ であり、（２）式を満足する。条件式（１）のＫ・Ｐ／
(ρ・ｃｏｓφ)は、 Ｋ・Ｐ／(ρ・ｃｏｓφ)＝０．０１４２１×２１．１６
７／１４・ｃｏｓ（６２．３度）＝０．０４６２２ で（１）式を満足する。実施例４における発光部ｃｈ１
（カップリングレンズ１２の光軸から１８．４８μｍだ
け、副走査方向に離れている）からの光束の形成する光
スポットの副走査方向のスポット径の「±１５０ｍｍを
９等分した各像高位置におけるデフォーカスによる変
動」を主走査方向について図１１（ａ）に、副走査方向
について（ｂ）に示す。「深度余裕」は、主走査方向に
つき３．０４ｍｍ、副走査方向につき３．９３ｍｍで、
０．９ｍｍを大幅に上回っているから、主・副走査方向
とも安定したスポット径で「マルチビームによる隣接走
査」を行うことができる。開口数：ＮＡｚ(source)の値
は、０．０４６２２と小さいので、発光部ごとの発散角
のばらつきの影響も有効に回避されている。被走査面の
実体をなすものとして、露光エネルギが６．３ｍＪ／ｍ
²の光導電性の感光体を用いた場合、走査速度：３８
０．８ｍ／ｓｅｃで露光の閾値エネルギは７．４０ｍＷ
であり、用いている半導体レーザアレイの最大出力：１
０ｍＷ以下であるので、マルチビーム走査の光量不足も
生じない。

【００３９】実施例５ 実施例５の光学配置を図１２に示す。（ａ）は主走査方
向の状態、（ｂ）は副走査方向の状態を示している。符
号１１５は半導体レーザアレイ、符号１２５はカップリ
ングレンズ、符号１３５はアパーチュア、符号１４５は
シリンドリカルレンズ、符号１５５は回転多面鏡、符号
１６５，１７５，１８５，１８Ｍは走査結像光学系を構
成するレンズおよびシリンドリカルミラー、符号１９は
被走査面を示している。即ち、この実施例では、走査結
像光学系が３枚のレンズ１６５，１７５，１８５と１枚
のシリンドリカルミラー１８Ｍとで構成されている。 「光源としての半導体レーザアレイ」 発光部数：４ 発光部の配列ピッチ：ρ＝１０μｍ 発
光波長：６７０ｎｍ 最大出力：８ｍＷ 傾き角：φ＝０度 「カップリングレンズ」 レンズ構成：２群３枚構成 焦点距離：２２ｍｍ カップリング作用：コリメート作用 「シリンドリカルレンズ」 レンズ構成：２枚の張り合わせレンズ 副走査方向の焦点距離：１８９．７７ｍｍ 「アパーチュア」 主走査方向の開口幅：１０．５ｍｍ 副走査方向の開口
幅：１．９６ｍｍ 「回転多面鏡」 偏向反射面数：８ 内接円半径：６５ｍｍ 入射角（光
源側からのビーム入射方向と走査結像光学系の光軸とが
なす角）：６０度 書き込み密度：８５０ｄｐｉ 狙いとする副走査方向のスポット径：３５μｍ 「回転多面鏡と被走査面との間にある光学素子のデータ」 面番号：ｉ Ｒ_mi Ｒ_Si Ｘ Ｙ ｎ 偏向反射面 ０ ∞ ∞ 48.50 0.499 レンズ１６５ １ -78.22 球面 9.80 0 1.58700 ２ -1115.4 球面 3.95 0 レンズ１７５ ３ -318.06 球面 20.6 0 1.78097 ４ -112.85 球面 2.04 0 レンズ１８５ ５ 639.11 球面 23.00 0 1.45419 ６ -158.15 球面 315.00 0 ミラー１８Ｍ ７ ∞ -169.87 99.97 0 実施例５において、条件式（２）の係数：Ｋは、 Ｋ＝０．８２×６７０×１０^-3／３５＝０．０１５７０ であり、（２）式を満足する。条件式（１）のＫ・Ｐ／
(ρ・ｃｏｓφ)は、 Ｋ・Ｐ／(ρ・ｃｏｓφ)＝０．０１５７０×２９．８８
２／１０＝０．０４６９１ であって、（１）式を満足する。実施例５における発光
部ｃｈ１（カップリングレンズ１２の光軸から１５μｍ
だけ、副走査方向に離れている）からの光束の形成する
光スポットの副走査方向のスポット径の「±１５０ｍｍ
を９等分した各像高位置におけるデフォーカスによる変
動」を主走査方向について図１３（ａ）に、副走査方向
について（ｂ）に示す。「深度余裕」は、主走査方向に
つき２．４６ｍｍ、副走査方向につき２．５８ｍｍであ
り、０．９ｍｍを大幅に上回っているから、主・副走査
方向とも安定したスポット径で「マルチビームによる隣
接走査」を行うことができる。開口数：ＮＡｚ(source)
の値は、０．０４６９１と小さいので、発光部ごとの発
散各のばらつきの影響も有効に回避されている。被走査
面の実体をなすものとして、露光エネルギが５．５ｍＪ
／ｍ²の光導電性の感光体を用いた場合、走査速度：３
８０．８ｍ／ｓｅｃで露光の閾値エネルギは４．９６ｍ
Ｗであり、用いている半導体レーザアレイの最大出力：
８ｍＷ以下であるので、マルチビーム走査の光量不足も
生じない。

【００４０】実施例６ 実施例６の光学配置を図１４に示す。符号１１６は半導
体レーザアレイ、符号１２６はカップリングレンズ、符
号ＢＸはビームエキスパンダ、符号１３６はアパーチュ
ア、符号１４６はシリンドリカルレンズ、符号１５６は
回転多面鏡、符号１６６，１７６，１８６は走査結像光
学系を構成するレンズ、符号１９は被走査面を示してい
る。 「光源としての半導体レーザアレイ」 発光部数：４ 発光部の配列ピッチ：ρ＝１０μｍ 発
光波長：７８０ｎｍ 最大出力：１０ｍＷ 傾き角：φ＝８１．１４度 「カップリングレンズ」 レンズ構成：２群３枚構成 焦点距離：３５ｍｍ カップリング作用：半導体レーザアレイからの複数の発
散ビームをそれぞれ、発散性を弱めた発散ビームとする
作用 「ビームエキスパンダ」 ビームエキスパンド機能：カップリングレンズからの光
束の光束径を主走査方向にのみ拡大する。副走査方向に
は作用しない。 拡大倍率：１０倍 「シリンドリカルレンズ」 副走査方向の焦点距離：１４９．４３ｍｍ 「アパーチュア」 主走査方向の開口幅：２．０４ｍｍ 副走査方向の開口
幅：１７．４ｍｍ 「回転多面鏡」 偏向反射面数：８ 内接円半径：７５ｍｍ 入射角（光
源側からのビーム入射方向と走査結像光学系の光軸とが
なす角）：５０度 書き込み密度：１２００ｄｐｉ 狙いとする副走査方向のスポット径：３５μｍ 「回転多面鏡と被走査面との間にある光学素子のデータ」 面番号：ｉ Ｒ_mi Ｒ_Si Ｘ Ｙ ｎ 偏向反射面 ０ ∞ ∞ 108.00 0.381 レンズ１６６ １ -126.00 球面 13.10 0 1.58201 ２ ∞ 142.95 10.60 0 レンズ１７６ ３ -2450.0 球面 22.50 0 1.49282 ４ -150.00 球面 5.60 0 レンズ１８６ ５ ∞ ∞ 27.00 0 1.70400 ６ -294.00 -81.10 655.10 0 若干付言すると、この実施例６においては、傾き角：φ
＝８１．１４度で９０度に近い。即ち、カップリングさ
れた光束のファーフィールドパターンは図３（ｄ）に示
すものに近く、光束径は主走査方向に短く、副走査方向
に長い。主走査方向に必要なスポット径を得るには、カ
ップリングだけでは不充分であるので、ビームエキスパ
ンダを用い、主走査方向の光束径を拡大している。この
ため、アパーチュアの開口形状は、図３（ｄ）に示すよ
うな「副走査方向に長い形状」になる。

【００４１】実施例６において、条件式（２）の係数：
Ｋは、 Ｋ＝０．８２×７８０×１０^-3／３５＝０．０１８２７ であり、（２）式を満足する。条件式（１）のＫ・Ｐ／
(ρ・ｃｏｓφ)は、 Ｋ・Ｐ／(ρ・ｃｏｓφ)＝０．０１８２７×２１．１６
７／１ｃｏｓ（８１．１４度）＝０．２５１０８ であって、（１）式を満足する。実施例６における発光
部ｃｈ１（カップリングレンズ１２の光軸から１２．５
７μｍだけ、副走査方向に離れている）からの光束の形
成する光スポットの副走査方向のスポット径の「±１５
０ｍｍを９等分した各像高位置におけるデフォーカスに
よる変動」を主走査方向について図１５（ａ）に、副走
査方向について（ｂ）に示す。「深度余裕」は、主走査
方向につき２．２２ｍｍ、副走査方向につき１．６５ｍ
ｍであり、０．９ｍｍを大幅に上回っているから、主・
副走査方向とも安定したスポット径で「マルチビームに
よる隣接走査」を行うことができる。開口数：ＮＡｚ(s
ource)の値は、０．２５１０８と小さいので、発光部ご
との発散各のばらつきの影響も有効に回避されている。
被走査面の実体をなすものとして、露光エネルギが４．
４ｍＪ／ｍ²の光導電性の感光体を用いた場合、走査速
度：３８０．８ｍ／ｓｅｃで露光の閾値エネルギは９．
３８ｍＷであり、用いている半導体レーザアレイの最大
出力：１０ｍＷ以下であるので、マルチビーム走査の光
量不足も生じない。なお、実施例１〜６の走査結像光学
系は、光走査を等速化する機能を有する。

【００４２】上に説明した実施例１〜６のマルチビーム
走査装置は、半導体レーザアレイ（１１１等）からの複
数ビームを、光偏向器（１５１等）を含む共通の光学系
を介して被走査面１９へ導いて、副走査方向に分離した
複数の光スポットを形成し、光偏向器により同時に偏向
させることにより、被走査面１９を同時に複数走査線を
隣接走査するマルチビーム走査装置において、半導体レ
ーザアレイが、その発光部の配列方向を副走査方向に対
して傾き角：φ（９０＞φ≧０ 単位：度）をもって配
置され、走査線ピッチをＰ、半導体レーザアレイにおけ
る発光部の配列ピッチをρとするとき、半導体レーザア
レイの発光波長：λ、副走査方向において狙いとするス
ポット径：ωｚに応じて、Ｋ＝０．８２λ／ωｚで定義
されるＫと、Ｐおよびρが条件： （１） ０．０１＜Ｋ・Ｐ／(ρ・ｃｏｓφ)＜０．３０ （２） ０．０１１＜Ｋ＜０．０３０ を満足する（請求項１）。また、半導体レーザアレイ
（１１１等）からの複数ビームを以後の光学系にカップ
リングするカップリングレンズ（１２１等）と、カップ
リングレンズを透過した複数ビームをビーム整形するア
パーチュア（１３１等）と、ビーム整形された各ビーム
を副走査方向に集光させて、主走査方向に長い線像とし
て結像させる線像結像光学系（１４１等）と、各線像の
結像位置の近傍に偏向反射面を有する光偏向器（１５１
等）と、この光偏向器により偏向された各ビームを被走
査面に向けて集光させる走査結像光学系（１６１，１７
１，１８１等）とを有する（請求項２）。そして、実施
例１，３，５においては半導体レーザアレイの傾き角が
０であり（請求項３）、実施例２，４，６においては半
導体レーザアレイの傾き角：φがφ＞０である（請求項
４）。実施例１〜５においてはカップリングレンズのカ
ップリング作用がコリメート作用で（請求項５）、実施
例６においてはカップリングレンズのカップリング作用
が、半導体レーザアレイからの複数の発散ビームをそれ
ぞれ、発散性を弱めた発散ビームとする作用である（請
求項６）。実施例１〜６とも、光偏向器は回転鏡で、走
査結像光学系が、光スポットによる走査を等速化する機
能を持ち（請求項７）、光偏向器が回転鏡で、走査結像
光学系がｆθレンズである（請求項８）。また、実施例
１〜６とも、線像結像光学系はシリンドリカルレンズ
（１４１等）である（請求項９）。また、実施例６で
は、半導体レーザアレイ１１６の傾き角：φが９０度に
近く、カップリングレンズと光偏向器との間の光路に、
光束径を主走査方向に拡大する主走査方向ビームエキス
パンダＢＸを有する（請求項１０）。

【００４３】また、実施例１〜６における光源装置は、
配列ピッチ：ρで１列配列された複数の発光部の配列方
向を、副走査方向に対して傾き角：φ（≧０）だけ傾け
て設けられる半導体レーザアレイ（１１１等）と、この
半導体レーザアレイからの複数ビームを、以後の光学系
にカップリングさせるカップリングレンズ（１２１等）
と、このカップリングレンズを透過した複数ビームをビ
ーム整形するアパーチュア（１３１等）とを有し、アパ
ーチュアにより規定される副走査方向の開口数：ＮＡｚ
(source)が、条件： （３）０．０１＜ＮＡｚ(source)＜０．３０ を満足するものである（請求項１１）。また、実施例
１，３，５における光源装置では、半導体レーザアレイ
の傾き角：φ＝０であり（請求項１２）、実施例２，
４，６における光源装置では、半導体レーザアレイの傾
き角：φ＞０である（請求項１３）。実施例１〜５にお
ける光源装置では、カップリングレンズのカップリング
作用がコリメート作用であり（請求項１４）、実施例２
〜４における光源装置では、カップリングレンズが１枚
のレンズで構成されている（請求項１５）。実施例６の
光源装置では、カップリングレンズのカップリング作用
が、半導体レーザアレイからの複数の発散ビームをそれ
ぞれ、発散性を弱めた発散ビームとする作用である（請
求項１６）。また、実施例５，６における光源装置で
は、半導体レーザアレイにおける発光部の配列ピッチ：
ρが１０μｍである（請求項１７）。また、実施例２，
５における光源装置では、半導体レーザアレイにおける
発光波長：λが７００ｎｍ以下である（請求項１８）。
半導体レーザアレイにおける発光部の配列ピッチが１０
μｍよりも小さくなると、隣接する発光部の発光強度の
変調が互いに干渉し合う「クロストーク」が発生する虞
があり、従って、実施例５，６におけるような配列ピッ
チ：１０μｍは、配列ピッチの下限の例である。そし
て、実施例１〜６のマルチビーム走査装置によれば、半
導体レーザアレイ（１１１等）からの複数ビームを、光
偏向器（１５１等）を含む共通の光学系を介して被走査
面（１９）へ導いて、副走査方向に分離した複数の光ス
ポットを形成し、光偏向器により同時に偏向させること
により、被走査面を同時に複数走査線を隣接走査するマ
ルチビーム走査方法が実施される（請求項１９）。

【００４４】最後に、画像形成装置の実施の１形態を図
１６に示す。この画像形成装置は「レーザプリンタ」で
ある。レーザプリンタ１０００は、感光媒体１１１０と
して「円筒状に形成された光導電性の感光体」を有して
いる。感光媒体１１１０の周囲には、帯電手段としての
帯電ローラ１１２１、現像装置１１３１、転写ローラ１
１４１、クリーニング装置１１５１が配備されている。
帯電手段としては周知の「コロナチャージャ」を用いる
こともできる。また、レーザ光束ＬＢによるマルチビー
ム走査装置１１７１が設けられ、帯電ローラ１１２１と
現像装置１１３１との間で「マルチビーム書き込による
露光」を行うようになっている。図１６において、符号
１１６１は定着装置、符号１１８１はカセット、符号１
１９１はレジストローラ対、符号１２０１は給紙コロ、
符号１２１１は搬送路、符号１２２１は排紙ローラ対、
符号１２３１はトレイ、符号Ｐは記録媒体としての転写
紙を示している。画像形成を行うときは、光導電性の感
光体である感光媒体１１１０が時計回りに等速回転さ
れ、その表面が帯電ローラ１１２１により均一帯電さ
れ、光走査装置１１７１のレーザ光束ＬＢのマルチビー
ム走査による書き込の露光を受けて静電潜像が形成され
る。形成された静電潜像は所謂「ネガ潜像」であって画
像部が露光されている。この静電潜像は、現像装置１１
３１により反転現像され、像担持体１１１０上にトナー
画像が形成される。転写紙Ｐを収納したカセット１１８
１は、画像形成装置１０００本体に着脱可能であり、図
のごとく装着された状態において、収納された転写紙Ｐ
の最上位の１枚が給紙コロ１２０１により給紙される。
給紙された転写紙Ｐは先端部をレジストローラ対１１９
１に銜えられる。レジストローラ対１１９１は、像担持
体１１１０上のトナー画像が転写位置へ移動するのにタ
イミングを合せて、転写紙Ｐを転写部へ送りこむ。送り
こまれた転写紙Ｐは、転写部においてトナー画像と重ね
合わせられ、転写ローラ１１４１の作用によりトナー画
像を静電転写される。トナー画像を転写された転写紙Ｐ
は定着装置１１６１へ送られ、定着装置１１６１におい
てトナー画像を定着され、搬送路１２１１を通り、排紙
ローラ対１２２１によりトレイ１２３１上に排出され
る。トナー画像が転写された後の像担持体１１１０の表
面は、クリーニング装置１１５１によりクリーニングさ
れ、残留トナーや紙粉等が除去される。なお、転写紙に
代えて前述のＯＨＰシートを用いることもでき、トナー
画像の転写は、中間転写ベルト等の「中間転写媒体」を
介して行うようにすることもできる。光走査装置１１７
１として、実施例のマルチビーム走査装置を用いること
により、良好な画像形成を実行することができる。

【００４５】即ち、図１６に示す画像形成装置は、感光
媒体１１１０の感光面に光走査装置１１７１による光走
査を行って潜像を形成し、潜像を可視化して画像を得る
画像形成装置であって、感光媒体１１１０の感光面の光
走査を行う光走査装置として、請求項１〜１０の任意の
１に記載のマルチビーム走査装置を用いたものであり
（請求項２０）、感光媒体１１１０が光導電性の感光体
であり、感光面の均一帯電と光走査装置の光走査とによ
り形成される静電潜像が、トナー画像として可視化され
る（請求項２１）。

【００４６】

【発明の効果】以上に説明したように、この発明によれ
ば、新規なマルチビーム走査装置・マルチビーム走査方
法・マルチビーム走査装置用の光源装置および画像形成
装置を実現できる。この発明のマルチビーム走査装置・
マルチビーム走査方法は、半導体レーザアレイを光源と
して用い、十分に大きい深度余裕を確保しつつ、発光部
ごとの発散角のばらつきの影響を有効に軽減もしくは防
止し、安定したスポット径により良好なマルチビーム走
査を実現することができる。この発明の光源装置は、上
記マルチビーム走査装置の実現を可能にする。また、こ
の発明の画像形成装置は、この発明のマルチビーム走査
装置を用いることにより、良好な画質を画像形成でき
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明のマルチビーム走査装置の実施の１形
態を説明するための図である。

【図２】光源から被走査面に至る光学系の、副走査方向
の結像を説明するための図である。

【図３】半導体レーザアレイと、放射光束のファーフィ
ールドパターンとアパーチュアの関係を説明するための
図である。

【図４】実施例１のマルチビーム走査装置の光学配置を
示す図である。

【図５】実施例１に関する深度余裕を示す図である。

【図６】実施例２のマルチビーム走査装置の光学配置を
示す図である。

【図７】実施例２に関する深度余裕を示す図である。

【図８】実施例３のマルチビーム走査装置の光学配置を
示す図である。

【図９】実施例３に関する深度余裕を示す図である。

【図１０】実施例４のマルチビーム走査装置の光学配置
を示す図である。

【図１１】実施例４に関する深度余裕を示す図である。

【図１２】実施例５のマルチビーム走査装置の光学配置
を示す図である。

【図１３】実施例５に関する深度余裕を示す図である。

【図１４】実施例６のマルチビーム走査装置の光学配置
を示す図である。

【図１５】実施例６に関する深度余裕を示す図である。

【図１６】画像形成装置の実施の１形態を示す図であ
る。

【符号の説明】

１ 半導体レーザアレイ ２ カップリングレンズ ３ アパーチュア ４ シリンドリカルレンズ ５ 回転多面鏡 ６，７ 走査結像光学系 ９ 感光媒体

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０４Ｎ 1/113 Ｈ０４Ｎ 1/04 １０４Ａ (72)発明者 厚海 広道 東京都大田区中馬込１丁目３番６号・株式 会社リコー内 (72)発明者 板橋 彰久 東京都大田区中馬込１丁目３番６号・株式 会社リコー内 Ｆターム(参考） 2C362 AA13 AA14 AA15 AA17 AA26 AA29 AA36 AA40 BA58 BA60 BA61 BA82 BA84 BB14 BB22 2H045 AA01 BA02 BA23 BA33 CA04 CA34 CA55 CA68 CB24 2H087 KA19 LA22 LA24 LA25 PA01 PA02 PA03 PA17 PB01 PB02 PB03 QA02 QA03 QA07 QA12 QA14 QA17 QA18 QA21 QA25 QA26 QA32 QA33 QA37 QA41 QA42 QA45 QA46 RA07 RA08 TA01 TA03 5B047 AA01 BA02 BC09 CA07 5C072 AA03 CA06 HA02 HA06 HA10 XA05

Claims (21)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】半導体レーザアレイからの複数ビームを、
   光偏向器を含む共通の光学系を介して被走査面へ導い
   て、副走査方向に分離した複数の光スポットを形成し、
   上記光偏向器により同時に偏向させることにより、上記
   被走査面の複数走査線を同時に隣接走査するマルチビー
   ム走査装置において、 半導体レーザアレイが、その発光部の配列方向を副走査
   方向に対して傾き角：φ（９０＞φ≧０ 単位：度）を
   もって配置され、 走査線ピッチをＰ、半導体レーザアレイにおける発光部
   の配列ピッチをρとするとき、 半導体レーザアレイの発光波長：λ、副走査方向におい
   て狙いとするスポット径：ωｚに応じて、Ｋ＝０．８２
   λ／ωｚで定義されるＫと、上記Ｐおよびρが、条件： （１） ０．０１＜Ｋ・Ｐ／(ρ・ｃｏｓφ)＜０．３０ （２） ０．０１１＜Ｋ＜０．０３０ を満足することを特徴とするマルチビーム走査装置。
2. 【請求項２】請求項１記載のマルチビーム走査装置にお
   いて、 半導体レーザアレイからの複数ビームを以後の光学系に
   カップリングするカップリングレンズと、 カップリングレンズを透過した複数ビームをビーム整形
   するアパーチュアと、 ビーム整形された各ビームを副走査方向に集光させて、
   主走査方向に長い線像として結像させる線像結像光学系
   と、 上記各線像の結像位置の近傍に偏向反射面を有する光偏
   向器と、 この光偏向器により偏向された各ビームを被走査面に向
   けて集光させる走査結像光学系とを有することを特徴と
   するマルチビーム走査装置。
3. 【請求項３】請求項２記載のマルチビーム走査装置にお
   いて、 半導体レーザアレイの傾き角が０であることを特徴とす
   るマルチビーム走査装置。
4. 【請求項４】請求項２記載のマルチビーム走査装置にお
   いて、 半導体レーザアレイの傾き角：φがφ＞０であることを
   特徴とするマルチビーム走査装置。
5. 【請求項５】請求項２または３または４記載のマルチビ
   ーム走査装置において、 カップリングレンズのカップリング作用がコリメート作
   用であることを特徴とするマルチビーム走査装置。
6. 【請求項６】請求項２または３または４記載のマルチビ
   ーム走査装置において、 カップリングレンズのカップリング作用が、半導体レー
   ザアレイからの複数の発散ビームをそれぞれ、発散性を
   弱めた発散ビームとする作用であることを特徴とするマ
   ルチビーム走査装置。
7. 【請求項７】請求項２または３または４記載のマルチビ
   ーム走査装置において、 光偏向器が回転鏡であり、走査結像光学系が、光スポッ
   トによる走査を等速化する機能を持つことを特徴とする
   マルチビーム走査装置。
8. 【請求項８】請求項５記載のマルチビーム走査装置にお
   いて、 光偏向器が回転鏡であり、走査結像光学系がｆθ光学系
   であることを特徴とするマルチビーム走査装置。
9. 【請求項９】請求項２〜８の任意の１に記載のマルチビ
   ーム走査装置において、 線像結像光学系がシリンドリカルレンズであることを特
   徴とするマルチビーム走査装置。
10. 【請求項１０】請求項４記載のマルチビーム走査装置に
    おいて、 半導体レーザアレイの傾き角：φが９０度に近く、 カップリングレンズと光偏向器との間の光路上に、光束
    径を主走査方向に拡大する主走査方向ビームエキスパン
    ダを有することを特徴とするマルチビーム走査装置。
11. 【請求項１１】請求項１記載のマルチビーム走査装置に
    用いられる光源装置であって、 配列ピッチ：ρで１列配列された複数の発光部の配列方
    向を、副走査方向に対して傾き角：φ（≧０）だけ傾け
    て設けられる半導体レーザアレイと、 この半導体レーザアレイからの複数ビームを、以後の光
    学系にカップリングさせるカップリングレンズと、 このカップリングレンズを透過した複数ビームをビーム
    整形するアパーチュアとを有し、 上記アパーチュアにより規定される副走査方向の開口
    数：ＮＡｚ(source)が、 条件：（３） ０．０１＜ＮＡｚ(source)＜０．３０ を満足することを特徴とするマルチビーム走査装置用の
    光源装置。
12. 【請求項１２】請求項１１記載の光源装置において、 半導体レーザアレイの傾き角：φ＝０であることを特徴
    とするマルチビーム走査装置用の光源装置。
13. 【請求項１３】請求項１１記載の光源装置において、 半導体レーザアレイの傾き角：φ＞０であることを特徴
    とするマルチビーム走査装置用の光源装置。
14. 【請求項１４】請求項１１または１２または１３記載の
    光源装置において、 カップリングレンズのカップリング作用がコリメート作
    用であることを特徴とするマルチビーム走査装置用の光
    源装置。
15. 【請求項１５】請求項１４記載の光源装置において、 カップリングレンズが１枚のレンズで構成されているこ
    とを特徴とするマルチビーム走査装置用の光源装置。
16. 【請求項１６】請求項１１または１２または１３記載の
    光源装置において、 カップリングレンズのカップリング作用が、半導体レー
    ザアレイからの複数の発散ビームをそれぞれ、発散性を
    弱めた発散ビームとする作用であることを特徴とするマ
    ルチビーム走査装置用の光源装置。
17. 【請求項１７】請求項１１〜１６の任意の１に記載の光
    源装置において、 半導体レーザアレイにおける発光部の配列ピッチ：ρが
    １０μｍであることを特徴とするマルチビーム走査装置
    用の光源装置。
18. 【請求項１８】請求項１１〜１７の任意の１に記載の光
    源装置において、 半導体レーザアレイにおける発光波長：λが７００ｎｍ
    以下であることを特徴とするマルチビーム走査装置用の
    光源装置。
19. 【請求項１９】半導体レーザアレイからの複数ビーム
    を、光偏向器を含む共通の光学系を介して被走査面へ導
    いて、副走査方向に分離した複数の光スポットを形成
    し、上記光偏向器により同時に偏向させることにより、
    上記被走査面の複数走査線を同時に隣接走査するマルチ
    ビーム走査方法であって、 請求項１〜１０の任意の１に記載のマルチビーム走査装
    置を用いて行うことを特徴とするマルチビーム走査方
    法。
20. 【請求項２０】感光媒体の感光面に光走査装置による光
    走査を行って潜像を形成し、上記潜像を可視化して画像
    を得る画像形成装置であって、 感光媒体の感光面の光走査を行う光走査装置として、請
    求項１〜１０の任意の１に記載のマルチビーム走査装置
    を用いたことを特徴とする画像形成装置。
21. 【請求項２１】請求項２０記載の画像形成装置におい
    て、 感光媒体が光導電性の感光体であり、感光面の均一帯電
    と光走査装置の光走査とにより形成される静電潜像が、
    トナー画像として可視化されることを特徴とする画像形
    成装置。