JP2001307973A - デバイス製造方法、デバイス製造システム、情報処理装置、露光装置および基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ショット単位の詳細なウエハロスト情報をも
とに、半導体製造におけるウエハのリサイクル運用を効
率良く行う。露光装置トラブル時にも、ウエハロスト情
報が混乱しないようなデバイス製造システムを構築す
る。 【解決手段】 原版のパターンを基板に複数ショット露
光してデバイスを製造する際に、露光不良が発生したロ
スト基板の収容部または基板に露光不良をショット単位
で記憶し、この記憶した情報に基づいてロスト基板のリ
サイクル処理を行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、再利用（リサイク
ル）処理を伴う、半導体、液晶等のデバイスを製造する
方法およびデバイス製造システム、並びに、これらに用
いられている情報処理装置、露光装置および基板に関す
るものである。特に、本発明は、ウエハ、ウエハキャリ
ア、ウエハＳＭＩＦ（スタンダードメカニカルインタフ
ェース）それに対応した製造システムの機構、およびウ
エハのロスト情報を管理する機構に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より、露光装置に用いられるウエハ
の各種のロスト情報は、露光装置自身で管理していた。
またその一部は、外部からの要求により必要に応じて、
通信にて出力される形式となっていた。

【０００３】また、通信以外の手法で出力される情報の
形態もあったが、その為には内部に情報を書き込む機構
を持つウエハキャリア、もしくはウエハＳＭＩＦ等が必
要であった。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
技術では、露光装置から通信にて出力される情報は、ウ
エハ内のショット単位ではなくウエハ単位のものであ
り、リサイクル運用に有益なショット単位のロスト情報
については、露光装置自身のみで管理し、また外部に出
力されることがなかった。したがって、ウエハのリサイ
クル運用を効率良く行う為には不十分であり、そのリサ
イクルは、かなり負荷の多いものであった。

【０００５】また、内部に情報を書き込む機構をもたな
いウエハキャリア、もしくはウエハＳＭＩＦを使用した
場合には、露光装置制御部の動作が正常の場合には問題
ないが、何かのトラブルが発生して露光装置制御部の動
作が混乱した場合には、ロスト情報を失ったり、ロスト
物とその情報との間の関連付けが切れてしまうという問
題があった。この問題により、それらロスト情報をもと
に行う予定であったリサイクル処理やメンテナンス処理
に支障をきたし、それがユーザーにとって、結果的に多
大な損失となって計上されていた。

【０００６】よって、本発明の第１の目的は、上記課題
を解決し、ショット単位の詳細なウエハロスト情報をも
とに、半導体製造におけるウエハのリサイクル運用を効
率良く行えるようにするデバイス製造システムを構築す
ることにある。

【０００７】そして、本発明の第２の目的は、ショット
単位のウエハロスト情報を露光装置まかせの管理にせ
ず、露光装置トラブル時にも、これらの情報が混乱しな
いようなデバイス製造システムを構築することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段及び作用】上記目的を達成
する為、本発明は、原版のパターンを半導体ウエハ、液
晶基板等の基板に複数ショット露光してデバイスを製造
する方法において、露光不良が発生したロスト基板の収
容部、ロスト基板または露光装置に露光不良をショット
単位で記録し、この記録した情報に基づいてロスト基板
のリサイクル処理を行うことを特徴とする。

【０００９】本発明のデバイス製造システムは、露光装
置と、露光装置により原版のパターンを露光される基板
と、露光装置の動作を管理する為の情報処理装置とから
なり、第１の構成として、露光不良によりロスト基板が
発生した場合に、そのロスト基板に露光不良に関する情
報を記録し、ロスト基板のリサイクル処理を行う時に記
録した情報を利用する手段を有することを特徴とする。

【００１０】また、第２の構成として、露光不良により
ロスト基板が発生した場合に、ロスト基板を搬送するた
めの容器上もしくは基板上で露光不良の情報を記憶する
とともに、露光装置で露光不良の情報を記憶し、ロスト
基板のリサイクル処理を行う時に、容器または基板上で
記憶した情報と露光装置で記憶した情報を比較し、一致
しないときには信頼性の高い方の情報を利用する手段を
有することを特徴とする。この信頼性は、通常、露光装
置の状態により判断する。

【００１１】上記いずれのシステムにおいても、基板に
複数ショットを露光する場合には露光不良をショット単
位で記憶することが望ましい。

【００１２】すなわち、本発明のデバイス製造システム
は、上述の第１の目的の為に、（１）露光装置におい
て、記憶保持手段に露光不良に関する情報（ロスト情
報）を書き込む手段（図２参照）、（２）露光装置外の
装置において、記憶保持手段からロスト情報を読み出す
手段（図３参照）、（３）半導体製造の全体を制御する
システム内で、露光装置外の記憶保持手段から得た情報
および露光装置から得た情報から、露光装置の状態に鑑
みて、どちらのものが正当情報かを判断する手段（図６
参照）、並びに、（４）露光装置外のウエハもしくは液
晶基板、キャリア、ＳＭＩＦまたはコータデベロッパ上
にロスト時の状況を記憶保持しておく手段（図９参照）
を有している。

【００１３】また、前述の第２の目的を達成するには、
ロスト情報を基板上に確実に記憶しておく手段をもち、
露光装置トラブル時には、（露光装置、コータデベロッ
パといったような多くの半導体製造に係わる装置の）全
てを制御しているシステム内で、その基板上の記憶保持
手段から得た情報を正当情報として判断できることが必
要となる。

【００１４】すなわち、本発明のシステムでは、第２の
目的の為に、前述の（１）〜（３）の手段に加えて、特
に、（４’）露光装置外のウエハまたは液晶基板上にロ
スト時の状況を記憶保持しておく手段（図８参照）とい
った手段を有している。

【００１５】ここで、上記の記憶保持手段および記憶保
持手段に情報を読み書きする手段については、前述の第
１の目的の為には、図２、３および９に示すように、
（５）不揮発性メモリ、および磁気記録媒体等の機構 （６）光通信、電気接点、および磁気へッド、光磁気へ
ッド等の機構が挙げられる。

【００１６】また、前述の第２の目的の為には、図９に
示すように、（５’）磁気記録媒体等の機構 （６’）磁気へッド、光磁気へッド等の機構が挙げられ
る。

【００１７】そして、正当情報か否かを判断する手段と
しては、第１，第２の目的とも、図７に示すように、
（７）半導体製造の全体を制御するシステム内で、前述
の各種情報より、正当情報判断を行うプログラムが挙げ
られる。

【００１８】さらに、ウエハのリサイクル手段として
は、第１，第２の目的とも、図８に示すように、（８）
半導体製造の全体を制御するシステム内で、前述の各種
情報より、ウエハのリサイクルを行うプログラム等の構
造が挙げられる。

【００１９】

【実施例】＜１＞第１の実施例の概要 以下、図面に基づき本発明の第１の目的を達成するため
のデバイス製造システムの一実施例について説明する。
図１は、本発明に係わる半導体デバイス製造システムの
全体ブロックの概略を示したものである。本システム
は、露光装置２１、コータデベロッパ（塗布現像装置）
２２、ストッカ２３、エッチング装置２４、スパッタ装
置２５、搬送ロボット２９、制御システム４０等で構成
されている。

【００２０】また、露光装置２１およびストッカ２３に
は、ウエハ２の受け渡しと同時にロスト情報等を読み書
きできるハンド３，３０が、装備されており、さらにウ
エハキャリア１上には、この情報を記憶保持する為の情
報記憶部４が装着されている。

【００２１】本発明における運用手順としては、図１に
示すように搬送ロボット２９が、露光装置２１よりロス
トウエハの入ったウエハキャリア１と同時に、そのロス
ト情報等も、前述の情報記憶部４により回収する。

【００２２】そして、それをストッカ２３に戻した時、
制御システム４０は、通信４２を経由して、ストッカ２
３上のハンド３０より、ウエハ２とともにロスト情報を
取得する。

【００２３】さらに、制御システム４０は、ロスト情報
を基にロストウエハのリサイクル運用を行う場合、次回
の露光時に利用する情報は、別の通信４３を経由して露
光装置２１から取得した情報であるが、露光装置２１の
トラブル等で、この情報に混乱が生じた場合には、前記
キャリアからの情報を利用することで、確実な運用がで
きることになる。

【００２４】図２および図３は、本実施例の半導体デバ
イス製造システム内における露光装置２１およびストッ
カ２３各々における、ロストウエハおよびそのロスト情
報のやりとりの概略を示したものである。各図における
受け渡し部は、ウエハキャリア１、ウエハ２、ウエハハ
ンド３，３０、ロスト情報記憶部４、受光器５、投光器
６で構成されている。

【００２５】まず、露光中に、アライメントエラー等で
ウエハロストが生じた場合には、図２に示すように、露
光装置２１は、ハンド３にてロストウエハをロスト用の
ウエハキャリア１に収納する処理を行う。

【００２６】さらにこの時、露光装置２１は、そのロス
ト情報を装置自身で記憶するとともに、ハンド３上の投
光器６を用いて、キャリア１上の受光器５に対し光通信
にて、そのロスト情報を送る。すると、ウエハキャリア
１は、ロストウエハとともに、ロスト情報を受光機５か
ら受信して、ロスト情報記憶部４に記憶する。

【００２７】そして、露光装置２１内のロストウエハが
キャリア１内に満杯になり、制御システム４０が、搬送
ロボット２９を用いてキャリア１をストッカ２３に回収
した後は、図３に示すように、ストッカ２３は、ハンド
３０にて、ロストウエハをロスト用のウエハキャリア１
から回収する処理を行う。さらにこの時、キャリア１
は、キャリア１上の投光器６を用いてハンド３０上の受
光器５に対し光通信にてそのロスト情報を送る。する
と、ハンド３０は、ロストウエハとともに、ロスト情報
を受光機５から受信して、ストッカ２３内のバッファに
記憶する。

【００２８】図４および５は、複数ショットを露光した
ウエハを示す図であり、本実施例の半導体デバイス製造
システムにおいて、ロストウエハが出た場合、そのリサ
イクル処理の仕方を説明するための図である。同図にお
いて、ＡはＮＧとＯＫの切り替わるポイント、Ｂ，Ｃ
は、再利用可能な領域である。

【００２９】まず、図４（１）に示すように、Ｂ点まで
の露光は正しく行われ、Ａ点以降の露光がエラーになっ
た場合においては、同図に示すようにＢ点までの部分
（図中の斜線部分）は、次回の露光において再利用可能
な領域となる。

【００３０】同様に、図４（２）に示すように、Ａ点ま
での露光はエラーになり、Ｃ点以降の露光が正しく行わ
れた場合においては、同図に示すようにＣ点以降の部分
（図中の斜線部分）は、次回の露光において再利用可能
な領域となる。

【００３１】さらに、図５に示すように、Ａ，Ｄ点の露
光のみエラーになり、それ以外の部分の露光が正しく行
われた場合においては、同図に示すようにＡ，Ｄ点以外
の部分（図中の斜線部分）は、次回の露光において再利
用可能な領域となる。

【００３２】このように、ロストになったウエハにおい
ても、これらの図に示すような、再利用可能な領域が生
ずることもある為、ロストした状態を正しく把握するこ
とが、そのリサイクル運用において、絶対に必要な条件
となる。

【００３３】＜２＞露光装置側の動作 第１の実施例における露光装置側の動作について説明す
る。図６は、第１の実施例に係る露光装置において、図
４（１）に示すロストウエハが出た場合の露光装置側の
処理のフローを説明する図である。 ＜ステップｆ１＞ロストウエハが発生したかをチェック
し、発生していなければｆ７に、発生していればｆ２へ
進む。 ＜ステップｆ２＞ショットＢまでのウエハ露光履歴情報
をＨｂパラメータに記憶する。 ＜ステップｆ３＞ショットＡでのウエハロスト情報をＬ
ａパラメータに記憶する。 ＜ステップｆ４＞ステップｆ２，ｆ３でＨｂ，Ｌａパラ
メータに記憶した情報をウエハキャリア上の記憶保持手
段に書き込む。 ＜ステップｆ５＞ロストウエハキャリアにロストウエハ
が満杯になったかをチェックし、満杯になっていなけれ
ば全処理を終了し、満杯であればｆ６へ進む。 ＜ステップｆ６＞ロストウエハキャリアの回収要請を制
御システム側に送信し、制御システム応答後、連携し
て、キャリアの交換作業を行う。 ＜ステップｆ７＞キャリア回収作業が終了するまで待
ち、終了なら、ｆ８へ進み、終了していなければｆ７へ
戻る。 ＜ステップｆ８＞ウエハ露光履歴情報の格納変数である
Ｈｂパラメータを０にクリヤする。 ＜ステップｆ９＞ウエハロスト情報の格納変数であるＬ
ａパラメータを０にクリヤする。

【００３４】図７は、第１の実施例に係る露光装置にお
いて、図４（１）に示すロストウエハが出た場合の制御
システム側の処理のフローを説明する図である。 ＜ステップｇ１＞露光装置側より、ロストウエハキャリ
アの回収要請があるかをチェックし、なければｇ１へ、
あればｇ２へ進む。 ＜ステップｇ２＞ロストウエハキャリアの回収作業を行
う。 ＜ステップｇ３＞キャリア回収作業が終了するまで待
ち、終了なら、ｇ４へ進み、終了していなければｇ３へ
戻る。 ＜ステップｇ４＞履歴情報（Ｈｂ１〜Ｈｂｎ）をキャリ
ア上の記憶保持手段より読み込む。 ＜ステップｇ５＞ロスト情報（Ｌａ１〜Ｌａｎ）をキャ
リア上の記憶保持手段より読み込む。 ＜ステップｇ６＞履歴情報（ｈｂ１〜ｈｂｎ）を露光装
置の記憶保持手段より読み込む。 ＜ステップｇ７＞ロスト情報（ｌａ１〜ｌａｎ）を露光
装置の記憶保持手段より読み込む。 ＜ステップｇ８＞キャリア上の記憶保持手段から読み込
んだ情報と、露光装置の記憶保持手段より読み込んだ情
報とが一致しているかチェックし、一致しているなら全
処理を終了し、一致していなければｇ９に進む。 ＜ステップｇ９＞露光装置にハングアップがあったかを
チェックし、あった場合はｇ１１へ進み、なければｇ１
０へ進む。 ＜ステップｇ１０＞露光装置が正常で、かつ両情報にく
い違いが見られる場合は、判定不能でエラーとする。 ＜ステップｇ１１＞キャリア上の記憶保持手段から読み
込んだ履歴情報を正当情報とする。 ＜ステップｇ１２＞キャリア上の記憶保持手段から読み
込んだロスト情報を正当情報とする。

【００３５】＜３＞他の実施例の概要 図９は、本発明の他の実施例に係わる露光装置外でのロ
スト情報の各種保持方法について説明したものである。
ここで、ウエハ２上にロスト情報を記憶する機能は、ウ
エハ２、ウエハ２のオリエンテーションフラット面サイ
ドに付加された磁性媒体等によるロスト情報記憶部
４’、および磁気情報リーダ／ライタ７によって構成さ
れている。そして、ウエハロストが発生すると、前記の
磁気情報リーダ／ライタ７によってロスト情報が、ロス
ト情報記憶部４’に書き込まれるようになっている。

【００３６】また、ウエハキャリア上にロスト情報を記
憶する機能は、ウエハ２、ウエハキャリア１、ウエハキ
ャリア１のサイドに付加されたロスト情報記憶部４、お
よび光学式ロスト情報読み書き装置１５によって構成さ
れている。そして、ウエハロストが発生すると、前記の
光学式ロスト情報読み書き装置１５によってロスト情報
が、ロスト情報記憶部４に書き込まれるようになってい
る。

【００３７】＜４＞リサイクル処理の動作 図８は、本発明に係わる第１の実施例および他の実施例
のデバイス製造システムにおいて、ウエハのリサイクル
処理のフローを説明する図である。 ＜ステップｈ１＞ウエハロスト情報の解析を行う。 ＜ステップｈ２＞ウエハロストがある場合は、ｈ３に進
み、なければ処理を終了する。 ＜ステップｈ３＞ロスト情報からさらに、ロストステッ
プポイントの抽出を行う。 ＜ステップｈ４＞次の露光にて、ロストステップポイン
トを除いた露光を行うジョブプログラムの作成を行う。

【００３８】＜５＞デバイス製造方法の実施例 次に、上記説明した半導体デバイス製造システムを利用
したデバイス製造方法の実施例を説明する。図９は、微
小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネ
ル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製
造のフローを示す。ステップ１（回路設計）ではデバイ
スのパターン設計を行なう。ステップ２（マスク製作）
では設計したパターンを形成したマスクを製作する。一
方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコンやガラス等
の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハ
プロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウ
エハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実
際の回路を形成する。次のステップ５（組立て）は後工
程と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウエハを用
いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程
（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程
（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）で
はステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テ
スト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程を
経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ステップ
７）される。

【００３９】図６は上記ウエハプロセス（ステップ４）
の詳細なフローを示す。ステップ１１（酸化）ではウエ
ハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウ
エハ表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極形
成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステ
ップ１４（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち込
む。ステップ１５（レジスト処理）ではウエハにレジス
トを塗布する。ステップ１６（露光）では上記説明した
露光装置または露光方法によってマスクの回路パターン
をウエハの複数のショット領域に並べて焼付露光する。
ステップ１７（現像）では露光したウエハを現像する。
ステップ１８（エッチング）では現像したレジスト像以
外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）で
はエッチングが済んで不要となったレジストを取り除
く。これらのステップ１１〜１９を繰り返し行なうこと
によって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成され
る。

【００４０】本実施例の生産方法を用いれば、従来は製
造が難しかった高集積度のデバイスを低コストに製造す
ることができる。

【００４１】

【発明の効果】以上説明したように本出願に係わる発明
により、以下のような効果が得られる。 （１）露光装置自身にトラブルが発生したとしても、ロ
スト情報を失うことがなくなる為、これをもとに行う予
定であったウエハのリサイクル処理やメンテナンスに支
障をきたす確率を減らせる。

【００４２】（２）ショット単位の詳細なウエハロスト
情報をもとに、ウエハのリサイクル運用を行えるように
なる為、ウエハのリサイクル効率が上がる。これによっ
て、全体の歩留まりが向上するので、最終的には、それ
を製品価格に反映することも可能性となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の一実施例に係わる半導体デバイス製
造システムの全体ブロックの概略を示した図である。

【図２】 本発明の一実施例に係わるウエハキャリア上
でのウエハとロスト情報のやりとりの機構の概略を示し
た図である。

【図３】 本発明の一実施例に係わる半導体デバイス製
造システムのストッカ内のウエハキャリア上でのウエハ
とロスト情報のやりとりの機構の概略を示した図であ
る。

【図４】 複数ショットを露光したロストウエハの一例
を示す模式図である。

【図５】 複数ショットを露光したロストウエハの他の
例を示す模式図である。

【図６】 本発明の一実施例に係わる露光装置側のロス
トウエハ処理のフローチャートである。

【図７】 本発明の一実施例に係わる半導体製造システ
ム側のロストウエハ処理のフローチャートである。

【図８】 本発明の一実施例に係わる半導体製造システ
ムでのウエハのリサイクル処理方法を説明する為のフロ
ーチャートである。

【図９】 本発明の他の実施例に係わる半導体製造シス
テムにおける露光装置外でのロスト情報の各種保持方法
についての概略を示したものである。

【図１０】 本発明のデバイス製造システムを利用でき
るデバイス製造方法を示すフローチャートである。

【図１１】 図１０中のウエハプロセスの詳細なフロー
チャートである。

【符号の説明】

１：ウエハキャリア、２：ウエハ、３：ウエハハンド
（露光装置側）、４，４’：ウエハロスト情報記憶部、
５：受光器、６：投光器、７：磁気情報リーダ／ライ
タ、１５：光学式ロスト情報読み書き装置、２１：露光
装置、２２：コータデベロッパ、２３：ストッカ、２
４：エッチャ装置、２５：スパッタ装置、２９：搬送ロ
ボット、３０：ウエハハンド（半導体製造システム
側）、４０：制御システム、４１〜４３：制御システム
と各装置間の通信、ｆ１〜ｆ９，ｇ１〜ｇ１２，ｈ１〜
ｈ４：図６〜８におけるフローチャート上の実行単位で
あるステップを示す記号。

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 原版のパターンを基板に複数ショット露
   光してデバイスを製造する方法において、露光不良が発
   生したロスト基板の収容部またはロスト基板に前記露光
   不良をショット単位で記録し、この記録した情報に基づ
   いて前記ロスト基板のリサイクル処理を行うことを特徴
   とするデバイス製造方法。
2. 【請求項２】 原版のパターンを基板に複数ショット露
   光してデバイスを製造する方法において、露光不良によ
   りロスト基板が発生した場合に、前記基板の露光を行う
   露光装置内でその露光不良をショット単位で記録し、こ
   の記録した情報に基づいて前記ロスト基板のリサイクル
   処理を行うことを特徴とするデバイス製造方法。
3. 【請求項３】 露光装置と、前記露光装置により原版の
   パターンを露光される基板と、前記露光装置の動作を制
   御する為の情報処理装置とからなるデバイス製造システ
   ムにおいて、 露光不良によりロスト基板が発生した場合に、そのロス
   ト基板に前記露光不良を記録し、記録した情報を利用し
   てロスト基板のリサイクル処理を行う手段を有すること
   を特徴とするデバイス製造システム。
4. 【請求項４】 露光装置と、前記露光装置により原版の
   パターンを露光される基板と、前記露光装置の動作を管
   理する為の情報処理装置とからなるデバイス製造システ
   ムにおいて、 露光不良によりロスト基板が発生した場合に、そのロス
   ト基板の収容部またはそのロスト基板に前記露光不良を
   記録するとともに、前記露光装置に同じ露光不良の情報
   を記録し、前記収容部またはロスト基板に記録した情報
   と前記露光装置に記録した情報を比較し一致しないとき
   には信頼性の高い方の情報を利用してロスト基板のリサ
   イクル処理を行う手段を有することを特徴とするデバイ
   ス製造システム。
5. 【請求項５】 前記信頼性を、前記露光装置の状態によ
   り判断することを特徴とする請求項４記載のデバイス製
   造システム。
6. 【請求項６】 前記基板に複数ショットを露光する場合
   に、前記露光不良の記録をショット単位で行うことを特
   徴とする請求項３〜５記載のデバイス製造システム。
7. 【請求項７】 前記基板が半導体ウエハまたは液晶基板
   であることを特徴とする請求項３〜６記載のデバイス製
   造システム。
8. 【請求項８】 請求項３〜７のいずれかに記載のデバイ
   ス製造システムにおける前記ロスト基板から、前記露光
   不良の情報を読み出す手段を有することを特徴とする情
   報処理装置。
9. 【請求項９】 前記露光不良の情報を読み出す手段が、
   磁気ヘッドまたは光磁気ヘッドを用いたものであること
   を特徴とする請求項８記載の情報処理装置。
10. 【請求項１０】 請求項３〜７のいずれかに記載のデバ
    イス製造システムにおける前記ロスト基板に、前記露光
    不良に関する情報を書き込む手段を有することを特徴と
    する露光装置。
11. 【請求項１１】 前記露光不良に関する情報を書き込む
    手段が、磁気ヘッドまたは光磁気ヘッドを用いたもので
    あることを特徴とする請求項１０記載の露光装置。
12. 【請求項１２】 請求項３〜７のいずれかに記載のデバ
    イス製造システムに使用され、情報保持手段を有するこ
    とを特徴とする基板。
13. 【請求項１３】 前記情報保持手段が磁性記録媒体を用
    いたものであることを特徴とする請求項１２記載の基
    板。
14. 【請求項１４】 前記磁性記録媒体が磁気テープまたは
    光磁気テープであることを特徴とする請求項１３記載の
    基板。