JP2001296555A - 液晶パネル及びその製造方法 - Google Patents
液晶パネル及びその製造方法Info
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- JP2001296555A JP2001296555A JP2000114871A JP2000114871A JP2001296555A JP 2001296555 A JP2001296555 A JP 2001296555A JP 2000114871 A JP2000114871 A JP 2000114871A JP 2000114871 A JP2000114871 A JP 2000114871A JP 2001296555 A JP2001296555 A JP 2001296555A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は表示品位の良好な液晶パネルを得る
ことを目的とする。 【解決手段】 一対の基板間に液晶を挟持しており、前
記基板の少なくとも一方の基板に画素電極及び対向電極
が形成されており、前記画素電極及び前記対向電極の間
に電圧を印加して液晶分子の配列を変化させる液晶パネ
ルにおいて、前記画素電極及び前記対向電極が同一層に
なく、前記対向電極の上には絶縁膜が形成されており、
前記画素電極の上には絶縁膜が全く形成されていないこ
とにより、ゲ−ト以外の電位が露出しており、ゲ−ト電
位部に偏在したイオンが他の電位の露出部分に拡散、非
イオン化されるために表示ムラのない良好な表示品位の
液晶パネルを得ることができる。
ことを目的とする。 【解決手段】 一対の基板間に液晶を挟持しており、前
記基板の少なくとも一方の基板に画素電極及び対向電極
が形成されており、前記画素電極及び前記対向電極の間
に電圧を印加して液晶分子の配列を変化させる液晶パネ
ルにおいて、前記画素電極及び前記対向電極が同一層に
なく、前記対向電極の上には絶縁膜が形成されており、
前記画素電極の上には絶縁膜が全く形成されていないこ
とにより、ゲ−ト以外の電位が露出しており、ゲ−ト電
位部に偏在したイオンが他の電位の露出部分に拡散、非
イオン化されるために表示ムラのない良好な表示品位の
液晶パネルを得ることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置や光シ
ャッタ−などに利用される液晶パネル及びその製造方法
に関するものである。
ャッタ−などに利用される液晶パネル及びその製造方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】液晶パネルは薄型化、軽量化、低電圧駆
動可能などの長所により腕時計、電子卓上計算機、パ−
ソナルコンピュ−タ−、パ−ソナルワ−ドプロセッサ−
などに利用されている。
動可能などの長所により腕時計、電子卓上計算機、パ−
ソナルコンピュ−タ−、パ−ソナルワ−ドプロセッサ−
などに利用されている。
【０００３】従来主として用いられているＴＮ（Twiste
d Nematic）型液晶パネルは上下基板に電極を形成し、
基板に垂直な縦方向電界により液晶をスイッチングさせ
る方式である。
d Nematic）型液晶パネルは上下基板に電極を形成し、
基板に垂直な縦方向電界により液晶をスイッチングさせ
る方式である。
【０００４】これに対して、液晶パネルの視野角を広げ
る方式として、同一基板上に画素電極及び対向電極を形
成し、横方向の電界を印加することにより液晶分子を動
作させる横電界方式が提案されている。この方式はＩＰ
Ｓ（In-Plane-Swiching）方式あるいは櫛形電極方式と
も呼ばれている（液晶ディスプレイ技術：産業図書p42
参照）。
る方式として、同一基板上に画素電極及び対向電極を形
成し、横方向の電界を印加することにより液晶分子を動
作させる横電界方式が提案されている。この方式はＩＰ
Ｓ（In-Plane-Swiching）方式あるいは櫛形電極方式と
も呼ばれている（液晶ディスプレイ技術：産業図書p42
参照）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ＩＰＳパネルの構成を
図１２、図１３に示す。
図１２、図１３に示す。
【０００６】図１２は従来のＩＰＳの液晶パネルの構成
を示す上面図である。
を示す上面図である。
【０００７】図１３（ａ）は図１２のＡ−Ａ'での断面
図である。
図である。
【０００８】図１３（ｂ）は図１２のＢ−Ｂ'での断面
図である。
図である。
【０００９】図１３（ｃ）は図１２のＣ−Ｃ'での断面
図である。
図である。
【００１０】従来のＴＮ型液晶パネルは電極が上下基板
にあるが、ＩＰＳパネルは電極が同一平面上に存在して
いる。
にあるが、ＩＰＳパネルは電極が同一平面上に存在して
いる。
【００１１】また、ドレイン１４と接続された電極８、
９を画素電極と呼び、ドレイン１４と接続されていない
電極５、６を対向電極と呼んでいる。
９を画素電極と呼び、ドレイン１４と接続されていない
電極５、６を対向電極と呼んでいる。
【００１２】ＩＰＳパネルにおいて図１４に示すように
電極間に導電性の異物５０が存在する場合には電極間シ
ョ−トとなる。
電極間に導電性の異物５０が存在する場合には電極間シ
ョ−トとなる。
【００１３】図１４に示すようにゲ−ト電極４と対向電
極６間に異物５０があり、ゲ−ト電極と対向電極間がシ
ョ−トしている場合にはその接合部分（異物のある部
分）にレ−ザ−を照射して異物を除去する方法が用いら
れている。
極６間に異物５０があり、ゲ−ト電極と対向電極間がシ
ョ−トしている場合にはその接合部分（異物のある部
分）にレ−ザ−を照射して異物を除去する方法が用いら
れている。
【００１４】しかし異物を除去した場合はその箇所の電
極も切断されており、ゲ−ト電極上部の絶縁膜が破壊さ
れ、ゲ−ト電極が露出してしまう。
極も切断されており、ゲ−ト電極上部の絶縁膜が破壊さ
れ、ゲ−ト電極が露出してしまう。
【００１５】ゲ−ト電極が露出した状態で高温動作をし
た場合にその部分に表示ムラが発生してしまうことがわ
かった。
た場合にその部分に表示ムラが発生してしまうことがわ
かった。
【００１６】この原因としてはゲ−ト電位はほとんどの
期間が負電位になっているので、液晶中へ電子注入が起
こり、液晶層中にイオンが多数生成する、あるいは液晶
層中のイオンがゲ−トが露出した部分に集まり、イオン
の偏在が起こるためであると考えられる。
期間が負電位になっているので、液晶中へ電子注入が起
こり、液晶層中にイオンが多数生成する、あるいは液晶
層中のイオンがゲ−トが露出した部分に集まり、イオン
の偏在が起こるためであると考えられる。
【００１７】液晶層と電極が直接接しないようにするた
めに保護膜の膜厚をこの保護膜に接する電極の膜厚より
０．４μｍ以上厚くする方法が考案（特開平１０−２０
６８５７号公報）されている。しかしショ−ト対策のた
めにレ−ザ−を照射して電極を切断すると保護膜がいく
ら厚くても保護膜は破壊されてしまう。
めに保護膜の膜厚をこの保護膜に接する電極の膜厚より
０．４μｍ以上厚くする方法が考案（特開平１０−２０
６８５７号公報）されている。しかしショ−ト対策のた
めにレ−ザ−を照射して電極を切断すると保護膜がいく
ら厚くても保護膜は破壊されてしまう。
【００１８】また、液晶の比抵抗が１０13Ω・ｃｍ以上
で、電界を発生させる電極構造の一部を配向膜に直接接
して形成する方法が考案（特開平１０−１８６３９１号
公報）されている。しかしこの方法では電極上に絶縁膜
がないので電極間のショ−トが発生しやすい。特に表面
とほぼ平行な成分を持つ電界を発生させる電極構造を用
いるために画素電極と対向電極は同一平面上（同一層
上）に形成するためにショ−トが発生しやすい。また共
通電極や画素電極をスル−ホ−ルにより対向電圧信号線
やソ−ス電極に接続しなければならず、工程が増えるこ
とになる。また液晶の比抵抗が１０13Ω・ｃｍ以上では
表示の焼き付き現象（ある一定パタ−ンを長時間表示し
た後、他のパタ−ンに切り替えても前のパタ−ンが残る
現象）が顕著に現れてしまう。
で、電界を発生させる電極構造の一部を配向膜に直接接
して形成する方法が考案（特開平１０−１８６３９１号
公報）されている。しかしこの方法では電極上に絶縁膜
がないので電極間のショ−トが発生しやすい。特に表面
とほぼ平行な成分を持つ電界を発生させる電極構造を用
いるために画素電極と対向電極は同一平面上（同一層
上）に形成するためにショ−トが発生しやすい。また共
通電極や画素電極をスル−ホ−ルにより対向電圧信号線
やソ−ス電極に接続しなければならず、工程が増えるこ
とになる。また液晶の比抵抗が１０13Ω・ｃｍ以上では
表示の焼き付き現象（ある一定パタ−ンを長時間表示し
た後、他のパタ−ンに切り替えても前のパタ−ンが残る
現象）が顕著に現れてしまう。
【００１９】本発明は前記従来課題を考慮してなされた
ものであって、ゲ−ト電位が露出した場合でも表示ムラ
や焼き付き現象がなく良好な表示品位の液晶パネルを得
ることができる。しかも製造工程を増やすことなく、現
状の製造工程で容易に作製しうる液晶パネルを得ること
を目的とする。
ものであって、ゲ−ト電位が露出した場合でも表示ムラ
や焼き付き現象がなく良好な表示品位の液晶パネルを得
ることができる。しかも製造工程を増やすことなく、現
状の製造工程で容易に作製しうる液晶パネルを得ること
を目的とする。
【００２０】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
めに請求項１の発明は、一対の基板間に液晶を挟持して
おり、前記基板の少なくとも一方の基板に画素電極及び
対向電極が形成されており、前記画素電極及び前記対向
電極の間に電圧を印加して液晶分子の配列を変化させる
液晶パネルにおいて、前記画素電極及び前記対向電極が
同一層になく、前記対向電極の上には絶縁膜が形成され
ており、前記画素電極の上には全く絶縁膜が形成されて
いないことを特徴としている。
めに請求項１の発明は、一対の基板間に液晶を挟持して
おり、前記基板の少なくとも一方の基板に画素電極及び
対向電極が形成されており、前記画素電極及び前記対向
電極の間に電圧を印加して液晶分子の配列を変化させる
液晶パネルにおいて、前記画素電極及び前記対向電極が
同一層になく、前記対向電極の上には絶縁膜が形成され
ており、前記画素電極の上には全く絶縁膜が形成されて
いないことを特徴としている。
【００２１】前記構成にすることにより、ゲ−ト以外の
電位が露出しているために、ゲ−ト電位部に偏在したイ
オンが導電層の露出部分に拡散、非イオン化されるため
に表示ムラのない良好な表示品位の液晶パネルを得るこ
とができる。
電位が露出しているために、ゲ−ト電位部に偏在したイ
オンが導電層の露出部分に拡散、非イオン化されるため
に表示ムラのない良好な表示品位の液晶パネルを得るこ
とができる。
【００２２】しかも対向電極の上は絶縁膜があるのでシ
ョ−ト欠陥が増大することもない。
ョ−ト欠陥が増大することもない。
【００２３】また請求項２記載の発明は、一対の基板間
に液晶を挟持しており、前記基板の少なくとも一方の基
板に画素電極及び対向電極が形成されており、前記画素
電極及び前記対向電極の間に電圧を印加して液晶分子の
配列を変化させる液晶パネルにおいて、前記画素電極及
び前記対向電極が同一層になく、前記画素電極の上には
絶縁膜が形成されており、前記対向電極の上には全く絶
縁膜が形成されていないことを特徴としている。
に液晶を挟持しており、前記基板の少なくとも一方の基
板に画素電極及び対向電極が形成されており、前記画素
電極及び前記対向電極の間に電圧を印加して液晶分子の
配列を変化させる液晶パネルにおいて、前記画素電極及
び前記対向電極が同一層になく、前記画素電極の上には
絶縁膜が形成されており、前記対向電極の上には全く絶
縁膜が形成されていないことを特徴としている。
【００２４】前記構成にすることにより、ゲ−ト以外の
電位が露出しているために、ゲ−ト電位部に偏在したイ
オンが導電層の露出部分に拡散、非イオン化されるため
に表示ムラのない良好な表示品位の液晶パネルを得るこ
とができる。しかも画素電極の上は絶縁膜があるのでシ
ョ−ト欠陥が増大することもない。
電位が露出しているために、ゲ−ト電位部に偏在したイ
オンが導電層の露出部分に拡散、非イオン化されるため
に表示ムラのない良好な表示品位の液晶パネルを得るこ
とができる。しかも画素電極の上は絶縁膜があるのでシ
ョ−ト欠陥が増大することもない。
【００２５】また請求項３に記載の発明は請求項１また
は２に記載の発明において、前記液晶パネルに封入され
る液晶の比抵抗が１０13Ω・ｃｍよりも小さいことを特
徴としている。
は２に記載の発明において、前記液晶パネルに封入され
る液晶の比抵抗が１０13Ω・ｃｍよりも小さいことを特
徴としている。
【００２６】このように規制することにより表示の焼き
付き現象（ある一定パタ−ンを長時間表示した後、他の
パタ−ンに切り替えても前のパタ−ンが残る現象）を抑
えることができる。
付き現象（ある一定パタ−ンを長時間表示した後、他の
パタ−ンに切り替えても前のパタ−ンが残る現象）を抑
えることができる。
【００２７】また請求項４に記載の発明は請求項１また
は２に記載の発明において、スイッチング素子の上部に
は絶縁膜を形成することにより、トランジスタの劣化を
防ぐことができる。
は２に記載の発明において、スイッチング素子の上部に
は絶縁膜を形成することにより、トランジスタの劣化を
防ぐことができる。
【００２８】また請求項５に記載の発明は請求項１また
は２に記載の発明において、信号配線の上部には絶縁膜
を形成することにより、信号配線を保護することができ
る。
は２に記載の発明において、信号配線の上部には絶縁膜
を形成することにより、信号配線を保護することができ
る。
【００２９】また請求項６に記載の発明は請求項１また
は２に記載の発明において、走査配線の上部には絶縁膜
を形成することにより、走査配線を保護することができ
る。
は２に記載の発明において、走査配線の上部には絶縁膜
を形成することにより、走査配線を保護することができ
る。
【００３０】また請求項７に記載の発明は請求項１また
は２に記載の発明において、ラビング方向に沿った部分
に絶縁膜が存在していることにより、絶縁膜がラビング
の際に邪魔にならないので、良好な表示品位の液晶パネ
ルを得ることができる。
は２に記載の発明において、ラビング方向に沿った部分
に絶縁膜が存在していることにより、絶縁膜がラビング
の際に邪魔にならないので、良好な表示品位の液晶パネ
ルを得ることができる。
【００３１】また請求項８〜１１のいずれかに記載の発
明は画素電極上に絶縁膜を全く形成せず、対向電極上に
絶縁膜を形成する製造方法であり、請求項１２〜１４の
いずれかに記載の発明は対向電極上に絶縁膜を全く形成
せず、画素電極上に絶縁膜を形成する製造方法である。
明は画素電極上に絶縁膜を全く形成せず、対向電極上に
絶縁膜を形成する製造方法であり、請求項１２〜１４の
いずれかに記載の発明は対向電極上に絶縁膜を全く形成
せず、画素電極上に絶縁膜を形成する製造方法である。
【００３２】前記構成にすることにより、ゲ−ト以外の
電位が露出しているために、ゲ−ト電位部に偏在したイ
オンが導電層の露出部分に拡散、非イオン化されるため
に表示ムラのない良好な表示品位の液晶パネルを得るこ
とができる。
電位が露出しているために、ゲ−ト電位部に偏在したイ
オンが導電層の露出部分に拡散、非イオン化されるため
に表示ムラのない良好な表示品位の液晶パネルを得るこ
とができる。
【００３３】また請求項９あるいは１３に記載のように
することによりスイッチング素子と信号線を保護するこ
とができる。
することによりスイッチング素子と信号線を保護するこ
とができる。
【００３４】また請求項１０あるいは１４に記載のよう
にすることによりスイッチング素子と走査線を保護する
ことができる。
にすることによりスイッチング素子と走査線を保護する
ことができる。
【００３５】また請求項１１あるいは１５に記載のよう
にすることによりスイッチング素子と信号線と走査線を
保護することができる。
にすることによりスイッチング素子と信号線と走査線を
保護することができる。
【００３６】
【発明の実施の形態】（実施の形態１）図１は本発明に
よる液晶パネルの構成を示す上面図である。
よる液晶パネルの構成を示す上面図である。
【００３７】図２（ａ）は図１のＡ−Ａ'での断面図で
ある。図２（ｂ）は図１のＢ−Ｂ'での断面図である。
図２（ｃ）は図１のＣ−Ｃ'での断面図である。
ある。図２（ｂ）は図１のＢ−Ｂ'での断面図である。
図２（ｃ）は図１のＣ−Ｃ'での断面図である。
【００３８】以下図１及び図２に示す液晶パネルの実施
例を説明する。
例を説明する。
【００３９】ガラス基板１上に金属配線として映像信号
線（ソ−ス）７と走査信号線（ゲ−ト）４をマトリクス
状に形成し、その交点に能動素子（スイッチング素子）
として半導体層（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）を
形成する。
線（ソ−ス）７と走査信号線（ゲ−ト）４をマトリクス
状に形成し、その交点に能動素子（スイッチング素子）
として半導体層（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）を
形成する。
【００４０】ガラス基板１上にＡｌなどの金属を用いて
ゲ−ト電極４と対向電極５、６を選択的に形成する。
ゲ−ト電極４と対向電極５、６を選択的に形成する。
【００４１】次にプラズマＣＶＤ法を用いて第１のゲ−
ト絶縁膜２０となるＳｉＮｘを３０００Åの厚さで形成
し、トランジスタのチャネル部となる半導体層（アモル
ファスシリコン層）４０を５００Åの厚さで形成し、エ
ッチングストッパ２１となるＳｉＮｘを１５００Åの厚
さで順次形成する。
ト絶縁膜２０となるＳｉＮｘを３０００Åの厚さで形成
し、トランジスタのチャネル部となる半導体層（アモル
ファスシリコン層）４０を５００Åの厚さで形成し、エ
ッチングストッパ２１となるＳｉＮｘを１５００Åの厚
さで順次形成する。
【００４２】この時に図２（ｃ）に示すようにトランジ
スタのチャネル部の形成方法としてゲ−ト電極の上の絶
縁膜ＳｉＮｘをゲ−ト電極４よりも小さく形成してエッ
チングストッパ２１とし、その上にプラズマＣＶＤ法を
用いてリンを含むｎ+のアモルファスシリコン層４１を
５００Åの厚さで形成し、オ−ミック接合を得る
（ｎ +：高濃度のド−ピングであり、ｎ型不純物添加の
割合が多い）。
スタのチャネル部の形成方法としてゲ−ト電極の上の絶
縁膜ＳｉＮｘをゲ−ト電極４よりも小さく形成してエッ
チングストッパ２１とし、その上にプラズマＣＶＤ法を
用いてリンを含むｎ+のアモルファスシリコン層４１を
５００Åの厚さで形成し、オ−ミック接合を得る
（ｎ +：高濃度のド−ピングであり、ｎ型不純物添加の
割合が多い）。
【００４３】次に電極などを形成する周辺部分にコンタ
クトホ−ルを形成し、配線部分とのコンタクトがとれる
ようにする。
クトホ−ルを形成し、配線部分とのコンタクトがとれる
ようにする。
【００４４】次にＡｌ／Ｔｉなどの金属を用いて信号配
線（ソ−ス線）７、ドレイン線１４、画素電極８、９を
４０００Åの厚さで形成する。
線（ソ−ス線）７、ドレイン線１４、画素電極８、９を
４０００Åの厚さで形成する。
【００４５】その後配線を保護するために第２の絶縁膜
（パッシベ−ション膜）２２としてＳｉＮxをプラズマ
ＣＶＤ法を用いて３５００Åの厚さで形成する。
（パッシベ−ション膜）２２としてＳｉＮxをプラズマ
ＣＶＤ法を用いて３５００Åの厚さで形成する。
【００４６】基板を洗浄した後、レジストをスピンナ−
により塗布し、マスク露光を行うことにより、スイッチ
ング素子であるＴＦＴの上部にだけ第２の絶縁膜（パッ
シベ−ション膜）２２を形成するようにする（すなわち
画素電極の上には絶縁膜を形成しないようにする）。
により塗布し、マスク露光を行うことにより、スイッチ
ング素子であるＴＦＴの上部にだけ第２の絶縁膜（パッ
シベ−ション膜）２２を形成するようにする（すなわち
画素電極の上には絶縁膜を形成しないようにする）。
【００４７】その後現像、乾燥を行った後、ＲＩＥ（re
active ion etching）によりドライエッチングを行った
後、レジストを除去する。
active ion etching）によりドライエッチングを行った
後、レジストを除去する。
【００４８】また比較例として画素全体に第２の絶縁膜
２２が形成されたパネルも作製した（図１２、１３）。
２２が形成されたパネルも作製した（図１２、１３）。
【００４９】これらの基板のゲ−ト部分にレ−ザ−を照
射して、ゲ−トの電位を露出させた。
射して、ゲ−トの電位を露出させた。
【００５０】次にカラ−フィルタ−１６のついた対向の
ガラス基板２とアレイが形成された基板１上に配向膜３
０（ＡＬ５４１７：ＪＳＲ製）を印刷し、ラビング処理
を施す。
ガラス基板２とアレイが形成された基板１上に配向膜３
０（ＡＬ５４１７：ＪＳＲ製）を印刷し、ラビング処理
を施す。
【００５１】ラビングの方向はアレイ基板の信号配線
（ソ−スライン）７に沿った方向で行い、アレイ基板と
カラ−フィルタ−基板のラビング方向がパラレルな方向
になるようにした。
（ソ−スライン）７に沿った方向で行い、アレイ基板と
カラ−フィルタ−基板のラビング方向がパラレルな方向
になるようにした。
【００５２】次にガラス基板２の縁部にシ−ル樹脂（ス
トラクトボンド：三井東圧製）を印刷する。
トラクトボンド：三井東圧製）を印刷する。
【００５３】シ−ル樹脂中にはスペ−サ−として４．０
μｍのガラスファイバ−（日本電気硝子製）を混入して
いる。
μｍのガラスファイバ−（日本電気硝子製）を混入して
いる。
【００５４】その後、基板間隔を保持するために表示領
域内にスペ−サ−として直径３．５μｍの樹脂球（エポ
スタ−ＧＰ−ＨＣ：日本触媒（株）製）を散布する。
域内にスペ−サ−として直径３．５μｍの樹脂球（エポ
スタ−ＧＰ−ＨＣ：日本触媒（株）製）を散布する。
【００５５】その後基板１及び対向基板２を貼り合わ
せ、１５０℃で２時間加熱することでシ−ル樹脂を硬化
させる。
せ、１５０℃で２時間加熱することでシ−ル樹脂を硬化
させる。
【００５６】以上のようにして作製した空パネルに誘電
率異方性が正の液晶３を真空注入法（空パネルを減圧し
た槽内に設置し、パネル内を真空にした後、注入口を液
晶に接触させ、槽内を常圧に戻すことにより、液晶をパ
ネル内に注入する方法）にて注入する。
率異方性が正の液晶３を真空注入法（空パネルを減圧し
た槽内に設置し、パネル内を真空にした後、注入口を液
晶に接触させ、槽内を常圧に戻すことにより、液晶をパ
ネル内に注入する方法）にて注入する。
【００５７】（表１）に用いた液晶とその比抵抗を示
す。
す。
【００５８】
【表１】
【００５９】その後、液晶パネルの注入口に封口樹脂と
して光硬化性樹脂（ロックタイト３５２Ａ：日本ロック
タイト製）を注入口全体に塗布し、光を１０ｍＷ／ｃｍ
2で５分間照射して封口樹脂を硬化した。
して光硬化性樹脂（ロックタイト３５２Ａ：日本ロック
タイト製）を注入口全体に塗布し、光を１０ｍＷ／ｃｍ
2で５分間照射して封口樹脂を硬化した。
【００６０】これら基板１、２の上下（ガラス基板の外
側）に偏光板（ＮＰＦ−ＨＥＧ１４２５ＤＵ：日東電工
製）を貼付した。
側）に偏光板（ＮＰＦ−ＨＥＧ１４２５ＤＵ：日東電工
製）を貼付した。
【００６１】これらのパネルを７０℃の高温槽の中に入
れ、１２時間駆動させた後、中間調を表示させて評価し
たところ、画素全面にＳｉＮｘが形成されている従来の
液晶パネルでは、レ−ザ−を照射した箇所から表示ムラ
が発生していたのに対して、画素電極上部の絶縁膜を除
去したパネルでは表示ムラはなく、良好な表示が観察で
きた。
れ、１２時間駆動させた後、中間調を表示させて評価し
たところ、画素全面にＳｉＮｘが形成されている従来の
液晶パネルでは、レ−ザ−を照射した箇所から表示ムラ
が発生していたのに対して、画素電極上部の絶縁膜を除
去したパネルでは表示ムラはなく、良好な表示が観察で
きた。
【００６２】画素電極上部の絶縁膜を除去することによ
り、ゲ−ト電位部に偏在したイオンが画素電極部分に拡
散、非イオン化されるために表示ムラのない良好な表示
品位の液晶パネルを得ることができた。
り、ゲ−ト電位部に偏在したイオンが画素電極部分に拡
散、非イオン化されるために表示ムラのない良好な表示
品位の液晶パネルを得ることができた。
【００６３】また表１からわかるように液晶の比抵抗を
１０13Ω・ｃｍより小さくすることにより表示の焼き付
きのない良好な表示を得ることができた。
１０13Ω・ｃｍより小さくすることにより表示の焼き付
きのない良好な表示を得ることができた。
【００６４】また従来構成では第２の絶縁膜２２は画素
部には全面に形成されているが、電極を取り出す周辺部
分には形成されてないので、そのための工程が必要であ
る。すなわち本発明のように画素内に第２の絶縁膜２２
が形成されていない箇所を形成しても従来のマスクを変
更するだけで良く、工程数は変わらない。
部には全面に形成されているが、電極を取り出す周辺部
分には形成されてないので、そのための工程が必要であ
る。すなわち本発明のように画素内に第２の絶縁膜２２
が形成されていない箇所を形成しても従来のマスクを変
更するだけで良く、工程数は変わらない。
【００６５】（実施の形態２）図３は本発明による液晶
パネルの構成を示す上面図である。
パネルの構成を示す上面図である。
【００６６】図４（ａ）は図３のＡ−Ａ'での断面図で
ある。図４（ｂ）は図１のＢ−Ｂ'での断面図である。
図４（ｃ）は図３のＣ−Ｃ'での断面図である。
ある。図４（ｂ）は図１のＢ−Ｂ'での断面図である。
図４（ｃ）は図３のＣ−Ｃ'での断面図である。
【００６７】第２の絶縁膜２２をＴＦＴ上と信号配線
（ソ−ス配線）上に形成する以外は実施の形態１と同様
である。
（ソ−ス配線）上に形成する以外は実施の形態１と同様
である。
【００６８】ラビングの方向もアレイ基板の信号配線
（ソ−スライン）７に沿った方向で行い、アレイ基板と
カラ−フィルタ−基板のラビング方向がパラレルな方向
になるようにした。
（ソ−スライン）７に沿った方向で行い、アレイ基板と
カラ−フィルタ−基板のラビング方向がパラレルな方向
になるようにした。
【００６９】図３のような構成にすることにより、ＴＦ
Ｔと信号配線７を保護することができる。
Ｔと信号配線７を保護することができる。
【００７０】また第２の絶縁膜が信号配線に沿って形成
されており、ラビングも信号配線に沿って行うので、絶
縁膜がラビングの際に邪魔にならないので良好な配向を
得ることができる。
されており、ラビングも信号配線に沿って行うので、絶
縁膜がラビングの際に邪魔にならないので良好な配向を
得ることができる。
【００７１】（実施の形態３）図５は本発明による液晶
パネルの構成を示す上面図である。
パネルの構成を示す上面図である。
【００７２】第２の絶縁膜２２をＴＦＴ上と走査配線
（ゲ−ト配線）４上に形成することとラビング方向及び
液晶以外は実施の形態１と同様である。
（ゲ−ト配線）４上に形成することとラビング方向及び
液晶以外は実施の形態１と同様である。
【００７３】図５のような構成にすることにより、ＴＦ
Ｔと走査配線４を保護することができる。
Ｔと走査配線４を保護することができる。
【００７４】また第２の絶縁膜２２が走査配線４に沿っ
て形成されており、ラビングも走査配線に沿って行うの
で、絶縁膜がラビングの際に邪魔にならないので良好な
配向を得ることができる。実施の形態１では誘電率異方
性が正の液晶を用いたが、本発明では誘電率異方性が負
の液晶を用いることによりラビング方向を走査配線方向
にすることができる。
て形成されており、ラビングも走査配線に沿って行うの
で、絶縁膜がラビングの際に邪魔にならないので良好な
配向を得ることができる。実施の形態１では誘電率異方
性が正の液晶を用いたが、本発明では誘電率異方性が負
の液晶を用いることによりラビング方向を走査配線方向
にすることができる。
【００７５】（実施の形態４）図６は本発明による液晶
パネルの構成を示す上面図である。
パネルの構成を示す上面図である。
【００７６】第２の絶縁膜をＴＦＴ上と信号配線（ソ−
ス配線）上と走査配線（ゲ−ト配線）上に形成する以外
は実施の形態１と同様である。
ス配線）上と走査配線（ゲ−ト配線）上に形成する以外
は実施の形態１と同様である。
【００７７】図６のような構成にすることにより、ＴＦ
Ｔと信号配線と走査配線を保護することができる。
Ｔと信号配線と走査配線を保護することができる。
【００７８】（実施の形態５）図７は本発明による液晶
パネルの構成を示す上面図である。
パネルの構成を示す上面図である。
【００７９】図８（ａ）は図７のＡ−Ａ'での断面図で
ある。図８（ｂ）は図７のＢ−Ｂ'での断面図である。
図８（ｃ）は図７のＣ−Ｃ'での断面図である。
ある。図８（ｂ）は図７のＢ−Ｂ'での断面図である。
図８（ｃ）は図７のＣ−Ｃ'での断面図である。
【００８０】実施の形態１ではガラス基板１上に走査線
４と対向電極５、６を形成し、その上に第１の絶縁膜を
形成し、その上に半導体層、信号線、画素電極を形成
し、その上に第２の絶縁膜を部分的に形成したが、本発
明ではガラス基板１上に信号線７、ドレイン１４、画素
電極８、９、半導体層４１、４０を形成し、その上に第
１の絶縁膜２０を形成し、その上に走査線４と対向電極
５、６を選択的に形成し、その上に第２の絶縁膜２２を
部分的に形成する。
４と対向電極５、６を形成し、その上に第１の絶縁膜を
形成し、その上に半導体層、信号線、画素電極を形成
し、その上に第２の絶縁膜を部分的に形成したが、本発
明ではガラス基板１上に信号線７、ドレイン１４、画素
電極８、９、半導体層４１、４０を形成し、その上に第
１の絶縁膜２０を形成し、その上に走査線４と対向電極
５、６を選択的に形成し、その上に第２の絶縁膜２２を
部分的に形成する。
【００８１】すなわち実施の形態１では画素電極８上に
絶縁膜がなく、対向電極６上に絶縁膜が形成されている
構成であったが、本発明では画素電極８上に絶縁膜が形
成されており、対向電極６上に絶縁膜が形成されていな
い構成である。
絶縁膜がなく、対向電極６上に絶縁膜が形成されている
構成であったが、本発明では画素電極８上に絶縁膜が形
成されており、対向電極６上に絶縁膜が形成されていな
い構成である。
【００８２】このように対向電極上部の絶縁膜を除去す
ることにより、ゲ−ト電位部に偏在したイオンが画素電
極部分に拡散、非イオン化されるために表示ムラのない
良好な表示品位の液晶パネルを得ることができた。
ることにより、ゲ−ト電位部に偏在したイオンが画素電
極部分に拡散、非イオン化されるために表示ムラのない
良好な表示品位の液晶パネルを得ることができた。
【００８３】（実施の形態６）図９は本発明による液晶
パネルの構成を示す上面図である。
パネルの構成を示す上面図である。
【００８４】第２の絶縁膜２２をＴＦＴ上と信号配線
（ソ−ス配線）上に形成する以外は実施の形態５と同様
である。
（ソ−ス配線）上に形成する以外は実施の形態５と同様
である。
【００８５】ラビングの方向もアレイ基板の信号配線
（ソ−スライン）に沿った方向で行い、アレイ基板とカ
ラ−フィルタ−基板のラビング方向がパラレルな方向に
なるようにした。
（ソ−スライン）に沿った方向で行い、アレイ基板とカ
ラ−フィルタ−基板のラビング方向がパラレルな方向に
なるようにした。
【００８６】図９のような構成にすることにより、ＴＦ
Ｔと信号配線を保護することができる。
Ｔと信号配線を保護することができる。
【００８７】また第２の絶縁膜２２が信号配線に沿って
形成されており、ラビングも信号配線に沿って行うの
で、絶縁膜がラビングの際に邪魔にならないので良好な
配向を得ることができる。
形成されており、ラビングも信号配線に沿って行うの
で、絶縁膜がラビングの際に邪魔にならないので良好な
配向を得ることができる。
【００８８】（実施の形態７）図１０は本発明による液
晶パネルの構成を示す上面図である。
晶パネルの構成を示す上面図である。
【００８９】第２の絶縁膜２２をＴＦＴ上と走査配線
（ゲ−ト配線）上に形成することとラビング方向及び液
晶以外は実施の形態５と同様である。
（ゲ−ト配線）上に形成することとラビング方向及び液
晶以外は実施の形態５と同様である。
【００９０】図１０のような構成にすることにより、Ｔ
ＦＴと走査配線を保護することができる。
ＦＴと走査配線を保護することができる。
【００９１】また第２の絶縁膜２２が走査配線に沿って
形成されており、ラビングも走査配線に沿って行うの
で、絶縁膜がラビングの際に邪魔にならないので良好な
配向を得ることができる。
形成されており、ラビングも走査配線に沿って行うの
で、絶縁膜がラビングの際に邪魔にならないので良好な
配向を得ることができる。
【００９２】（実施の形態８）図１１は本発明による液
晶パネルの構成を示す上面図である。
晶パネルの構成を示す上面図である。
【００９３】第２の絶縁膜２２をＴＦＴ上と信号配線
（ソ−ス配線）上と走査配線（ゲ−ト配線）上に形成す
る以外は実施の形態５と同様である。
（ソ−ス配線）上と走査配線（ゲ−ト配線）上に形成す
る以外は実施の形態５と同様である。
【００９４】図１１のような構成にすることにより、Ｔ
ＦＴと信号配線と走査配線を保護することができる。
ＦＴと信号配線と走査配線を保護することができる。
【００９５】なお本実施の形態では液晶としてネマティ
ック液晶を用いたが、ネマティック液晶に限らず、強誘
電性液晶や反強誘電性液晶など液晶の種類によらず有効
である。
ック液晶を用いたが、ネマティック液晶に限らず、強誘
電性液晶や反強誘電性液晶など液晶の種類によらず有効
である。
【００９６】本発明は液晶材料や配向膜材料によらずに
有効である。
有効である。
【００９７】また本発明では能動素子として３端子素子
のＴＦＴを用いたが、２端子素子のＭＩＭ（Metal−Ins
ulator−Metal）、ＺnＯバリスタやＳiＮxダイオ−ド、
ａ-Ｓiダイオ−ドなどでも良い。
のＴＦＴを用いたが、２端子素子のＭＩＭ（Metal−Ins
ulator−Metal）、ＺnＯバリスタやＳiＮxダイオ−ド、
ａ-Ｓiダイオ−ドなどでも良い。
【００９８】また本実施例ではトランジスタの構造とし
てボトムゲ−ト構造及びトップゲ−ト構造のアモルファ
スシリコン（a-Si）を用いたが、他の構成でも良く、ま
たポリシリコン（p-Si）などでも良い。また基板周辺に
駆動回路が形成されていても良い。
てボトムゲ−ト構造及びトップゲ−ト構造のアモルファ
スシリコン（a-Si）を用いたが、他の構成でも良く、ま
たポリシリコン（p-Si）などでも良い。また基板周辺に
駆動回路が形成されていても良い。
【００９９】また本実施例では両基板をガラス基板で形
成したが、一方あるいは両方の基板をフィルムやプラス
チックなどで形成しても良い。
成したが、一方あるいは両方の基板をフィルムやプラス
チックなどで形成しても良い。
【０１００】また対向基板としてＩＴＯ付きのガラス基
板を用いても良い。またアレイ基板側にカラ−フィルタ
−を形成した基板でも良い。
板を用いても良い。またアレイ基板側にカラ−フィルタ
−を形成した基板でも良い。
【０１０１】また電極として透明電極を用いても良い。
【０１０２】また配向方法としてラビングを用いない配
向（例えば光により配向させる方法）を用いるとさらに
均一な配向を得ることができるのでコントラストが良く
なる。
向（例えば光により配向させる方法）を用いるとさらに
均一な配向を得ることができるのでコントラストが良く
なる。
【０１０３】またセル厚形成方法としてもスペ−サ−散
布法ではない方法（例えば樹脂により柱を形成する方
法）を用いることにより均一なセル厚が形成できる。
布法ではない方法（例えば樹脂により柱を形成する方
法）を用いることにより均一なセル厚が形成できる。
【０１０４】また反射型液晶パネルとして、絶縁膜ある
いは配向膜として着色されたものを用いても良い。
いは配向膜として着色されたものを用いても良い。
【０１０５】また第２の絶縁膜が形成されない部分が小
さすぎるとゲ−ト電位部に偏在したイオンが回収しきれ
ないので、第２の絶縁膜が形成されない部分は画素電極
上のすべてあるいは対向電極上のすべてに形成されてい
ない必要がある。
さすぎるとゲ−ト電位部に偏在したイオンが回収しきれ
ないので、第２の絶縁膜が形成されない部分は画素電極
上のすべてあるいは対向電極上のすべてに形成されてい
ない必要がある。
【０１０６】なお本発明では画素電極上に絶縁膜を形成
しない構成と対向電極上に絶縁膜を形成しない構成を述
べた。ゲ−ト電極以外の電位を発生させるという意味で
どちらも効果はあるが、対向電位は画素電位のようにプ
ラス・マイナスに振れていないので、どちらかといえば
対向電極上に絶縁膜を形成しない方が良い。
しない構成と対向電極上に絶縁膜を形成しない構成を述
べた。ゲ−ト電極以外の電位を発生させるという意味で
どちらも効果はあるが、対向電位は画素電位のようにプ
ラス・マイナスに振れていないので、どちらかといえば
対向電極上に絶縁膜を形成しない方が良い。
【０１０７】また画素電極上と対向電極上のどちらも絶
縁膜を形成しないとショ−トなどの問題が発生してしま
うので不可である。
縁膜を形成しないとショ−トなどの問題が発生してしま
うので不可である。
【０１０８】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、一対の基
板間に液晶を挟持しており、前記基板の少なくとも一方
の基板に画素電極及び対向電極が形成されており、前記
画素電極及び前記対向電極の間に電圧を印加して液晶分
子の配列を変化させる液晶パネルにおいて、前記画素電
極及び前記対向電極が同一層になく、前記対向電極の上
には絶縁膜を形成し、前記画素電極の上には絶縁膜を全
く形成しないことにより、ゲ−ト以外の電位が露出して
いるために、ゲ−ト電位部に偏在したイオンが画素電極
部分に拡散、非イオン化されるために表示ムラのない良
好な表示品位の液晶パネルを得ることができる。
板間に液晶を挟持しており、前記基板の少なくとも一方
の基板に画素電極及び対向電極が形成されており、前記
画素電極及び前記対向電極の間に電圧を印加して液晶分
子の配列を変化させる液晶パネルにおいて、前記画素電
極及び前記対向電極が同一層になく、前記対向電極の上
には絶縁膜を形成し、前記画素電極の上には絶縁膜を全
く形成しないことにより、ゲ−ト以外の電位が露出して
いるために、ゲ−ト電位部に偏在したイオンが画素電極
部分に拡散、非イオン化されるために表示ムラのない良
好な表示品位の液晶パネルを得ることができる。
【図１】本実施の形態１における液晶パネルの構造を模
式的に示す上面図
式的に示す上面図
【図２】本実施の形態１における液晶パネルの構造を模
式的に示す断面図
式的に示す断面図
【図３】本実施の形態２における液晶パネルの構造を模
式的に示す上面図
式的に示す上面図
【図４】本実施の形態２における液晶パネルの構造を模
式的に示す上面図
式的に示す上面図
【図５】本実施の形態３における液晶パネルの構造を模
式的に示す上面図
式的に示す上面図
【図６】本実施の形態４における液晶パネルの構造を模
式的に示す上面図
式的に示す上面図
【図７】本実施の形態５における液晶パネルの構造を模
式的に示す上面図
式的に示す上面図
【図８】本実施の形態５における液晶パネルの構造を模
式的に示す断面図
式的に示す断面図
【図９】本実施の形態６における液晶パネルの構造を模
式的に示す上面図
式的に示す上面図
【図１０】本実施の形態７における液晶パネルの構造を
模式的に示す上面図
模式的に示す上面図
【図１１】本実施の形態８における液晶パネルの構造を
模式的に示す上面図
模式的に示す上面図
【図１２】従来の液晶パネルの構造を模式的に示す上面
図
図
【図１３】従来の液晶パネルの構造を模式的に示す断面
図
図
【図１４】従来の液晶パネルの異物の箇所を摸式的に示
す上面図
す上面図
１，２ ガラス基板 ３ 液晶 ４ 走査配線（ゲ−ト線） ５ 対向電極（走査配線に平行） ６ 対向電極（走査配線に垂直） ７ 信号配線（ソ−ス線） ８ 画素電極（走査配線に垂直） ９ 画素電極（走査配線に平行） １０ 第２の絶縁膜の形成されていない箇所 １４ ドレイン １６ カラ−フィルタ ２０ 第１の絶縁膜（ＳｉＮx）：ゲ−ト絶縁層 ２１ エッチングストッパ層（ＳｉＮx） ２２ 第２の絶縁膜（ＳｉＮx）：パッシベ−ション層 ３０ 配向膜 ４０ 第１のアモルファスシリコン層 ４１ 第２のアモルファスシリコン層 ５０ 異物
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 滝本 昭雄 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 西山 和廣 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 佐藤 一郎 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 分元 博文 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 木津 紀幸 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 2H090 HA03 HA04 HB04X HC03 HD05 KA05 LA01 LA04 LA15 MA02 MA07 MB01 2H092 JA24 JB05 JB16 JB24 JB33 JB56 NA01 NA04 NA16 PA02 PA08 QA07 5C094 AA03 BA03 BA43 CA19 CA24 DA14 DA15 EA04 EA07 EB02 ED02 GB10 HA02 HA03 HA08
Claims (15)
- 【請求項１】一対の基板間に液晶を挟持しており、前記
基板の少なくとも一方の基板に画素電極及び対向電極が
形成されており、前記画素電極及び前記対向電極の間に
電圧を印加して液晶分子の配列を変化させる液晶パネル
において、前記画素電極及び前記対向電極が同一層にな
く、前記対向電極の上には絶縁膜が形成されており、前
記画素電極の上には絶縁膜が全く形成されていないこと
を特徴とする液晶パネル。 - 【請求項２】一対の基板間に液晶を挟持しており、前記
基板の少なくとも一方の基板に画素電極及び対向電極が
形成されており、前記画素電極及び前記対向電極の間に
電圧を印加して液晶分子の配列を変化させる液晶パネル
において、前記画素電極及び前記対向電極が同一層にな
く、前記画素電極の上には絶縁膜が形成されており、前
記対向電極の上には絶縁膜が全く形成されていないこと
を特徴とする液晶パネル。 - 【請求項３】前記液晶パネルに封入される液晶の比抵抗
が１０13Ω・ｃｍよりも小さいことを特徴とする請求項
１または２に記載の液晶パネル。 - 【請求項４】前記液晶パネルにスイッチング素子が形成
されており、スイッチング素子の上部には絶縁膜が形成
されていることを特徴とする請求項１または２に記載の
液晶パネル。 - 【請求項５】前記液晶パネルの信号配線の上部には絶縁
膜を形成していることを特徴とする請求項１または２に
記載の液晶パネル。 - 【請求項６】前記液晶パネルの走査配線の上部には絶縁
膜を形成していることを特徴とする請求項１または２に
記載の液晶パネル。 - 【請求項７】前記液晶パネルのラビング方向に沿った部
分に絶縁膜が存在していることを特徴とする請求項１ま
たは２に記載の液晶パネル。 - 【請求項８】第１の基板に金属層よりなるトランジスタ
のゲ−トを兼ねる走査線と対向電極を選択的に形成する
工程と前記走査線と対向電極の上に第１の絶縁膜を形成
する工程と半導体層を選択的に形成する工程と信号線と
画素電極を選択的に形成する工程と第２の絶縁膜をスイ
ッチング素子の上にだけ選択的に形成する工程とからな
ることを特徴とする液晶パネルの製造方法。 - 【請求項９】第１の基板に金属層よりなるトランジスタ
のゲ−トを兼ねる走査線と対向電極を選択的に形成する
工程と前記走査線と対向電極の上に第１の絶縁膜を形成
する工程と半導体層を選択的に形成する工程と信号線と
画素電極を選択的に形成する工程と第２の絶縁膜をスイ
ッチング素子の上と前記信号線の上にだけ選択的に形成
する工程とからなることを特徴とする液晶パネルの製造
方法。 - 【請求項１０】第１の基板に金属層よりなるトランジス
タのゲ−トを兼ねる走査線と対向電極を選択的に形成す
る工程と前記走査線と対向電極の上に第１の絶縁膜を形
成する工程と半導体層を選択的に形成する工程と信号線
と画素電極を選択的に形成する工程と第２の絶縁膜をス
イッチング素子の上と前記走査線の上にだけ選択的に形
成する工程とからなることを特徴とする液晶パネルの製
造方法。 - 【請求項１１】第１の基板に金属層よりなるトランジス
タのゲ−トを兼ねる走査線と対向電極を選択的に形成す
る工程と前記走査線と対向電極の上に第１の絶縁膜を形
成する工程と半導体層を選択的に形成する工程と信号線
と画素電極を選択的に形成する工程と第２の絶縁膜をス
イッチング素子の上と前記信号線の上と前記走査線の上
にだけ選択的に形成する工程とからなることを特徴とす
る液晶パネルの製造方法。 - 【請求項１２】第１の基板に信号線と画素電極を選択的
に形成する工程と、半導体層を選択的に形成する工程
と、前記信号線及び画素電極の上に第１の絶縁膜を形成
する工程と前記第１の絶縁膜の上にトランジスタのゲ−
トを兼ねる走査線と対向電極を選択的に形成する工程と
第２の絶縁膜をスイッチング素子の上にだけ選択的に形
成する工程とからなることを特徴とする液晶パネルの製
造方法。 - 【請求項１３】第１の基板に信号線と画素電極を選択的
に形成する工程と、半導体層を選択的に形成する工程
と、前記信号線及び画素電極の上に第１の絶縁膜を形成
する工程と前記第１の絶縁膜の上にトランジスタのゲ−
トを兼ねる走査線と対向電極を選択的に形成する工程
と、第２の絶縁膜をスイッチング素子の上と前記信号線
の上にだけ選択的に形成する工程とからなることを特徴
とする液晶パネルの製造方法。 - 【請求項１４】第１の基板に信号線と画素電極を選択的
に形成する工程と、半導体層を選択的に形成する工程
と、前記信号線及び画素電極の上に第１の絶縁膜を形成
する工程と、前記第１の絶縁膜の上にトランジスタのゲ
−トを兼ねる走査線と対向電極を選択的に形成する工程
と、第２の絶縁膜をスイッチング素子の上と前記走査線
の上にだけ選択的に形成する工程とからなることを特徴
とする液晶パネルの製造方法。 - 【請求項１５】第１の基板に信号線と画素電極を選択的
に形成する工程と、半導体層を選択的に形成する工程
と、前記信号線及び画素電極の上に第１の絶縁膜を形成
する工程と、前記第１の絶縁膜の上にトランジスタのゲ
−トを兼ねる走査線と対向電極を選択的に形成する工程
と、第２の絶縁膜をスイッチング素子の上と前記信号線
の上と前記走査線の上にだけ選択的に形成する工程とか
らなることを特徴とする液晶パネルの製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000114871A JP2001296555A (ja) | 2000-04-17 | 2000-04-17 | 液晶パネル及びその製造方法 |
| EP00964742A EP1229378A1 (en) | 1999-10-06 | 2000-10-06 | Liquid crystal element, liquid crystal display device and production methods therefor |
| CN00813948A CN1378657A (zh) | 1999-10-06 | 2000-10-06 | 液晶元件、液晶显示装置及其制造方法 |
| PCT/JP2000/007011 WO2001025843A1 (fr) | 1999-10-06 | 2000-10-06 | Element a cristaux liquides, dispositif afficheur a cristaux liquides et procedes de fabrication s'y rapportant |
| KR1020027004211A KR20020035625A (ko) | 1999-10-06 | 2000-10-06 | 액정소자, 액정표시장치 및 그들의 제조방법 |
| US10/089,888 US6801293B1 (en) | 1999-10-06 | 2000-10-06 | Method for manufacturing an in-plane electric field mode liquid crystal element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000114871A JP2001296555A (ja) | 2000-04-17 | 2000-04-17 | 液晶パネル及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001296555A true JP2001296555A (ja) | 2001-10-26 |
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|---|---|---|---|
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|---|---|
| JP (1) | JP2001296555A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007192854A (ja) * | 2006-01-17 | 2007-08-02 | Stanley Electric Co Ltd | 液晶表示装置 |
-
2000
- 2000-04-17 JP JP2000114871A patent/JP2001296555A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007192854A (ja) * | 2006-01-17 | 2007-08-02 | Stanley Electric Co Ltd | 液晶表示装置 |
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