JP2001291727A - ダイボンディング方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 樹脂封止の不良を防止することができるダイ
ボンディング方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 半導体チップを基板に実装して成る電子
部品を製造する電子部品製造方法において、樹脂封止工
程に先立って半導体チップを基板の複数の実装点に搭載
してボンディングするダイボンディング工程において、
実装点を認識してバッドマークが検出されたならば不良
実装点であると判断して、この実装点には半導体チップ
のうち不良と判定された不良チップを搭載するようにし
た。これにより、樹脂封止工程においてチップ未搭載状
態のモールドキャビティの発生を排除して注入樹脂量を
均一にすることができ、樹脂量のばらつきによる注入不
良の発生を防止して樹脂封止の不良を防止することがで
きる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップを基
板に搭載してボンディングするダイボンディング方法に
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体チップ（以下、本明細書中では単
に「チップ」と略称する。）は、ディスク状のウェハか
ら切り出されて基板へ実装される。一般に、チップを実
装して成る電子部品の製造過程では、１つの基板に設け
られた複数の実装点に半導体ウェハから取り出されたチ
ップをそれぞれ搭載してボンディングし、ボンディング
後にはチップを保護するための樹脂封止を基板単位で一
括して行う。そして樹脂封止後に基板は各チップごとに
分離され個片の電子部品が完成する。

【０００３】ところでチップや基板の製造過程において
は、ある割合で不良の発生が避けられないため、半導体
ウェハや基板の製造過程において各チップごとに、また
各実装点ごとに良否判定のための検査が行われ、不良と
判定されたものは後工程において生産対象から除外され
る。すなわち、不良と判定された実装点に対してはチッ
プの搭載は行われず、不良と判定されたチップは搭載対
象から除外される。

【０００４】このため、一般に検査工程においては後工
程において識別が可能となるように、不良であることを
示す識別マーク（バッドマーク）がチップや実装点に印
加される。そして、搭載後の樹脂封止工程においては、
不良と判定された不良実装点は未搭載のまま樹脂封止が
行われる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この樹
脂封止工程において不良実装点が未搭載状態のまま樹脂
封止をおこなうと、以下に説明するような不具合が生じ
る。樹脂封止工程では、１つまたは複数の基板を対象と
してモールド金型が装着され、モールドプレス装置の同
一射出機構によってこれらの基板の複数の実装点に一括
して樹脂が注入される。

【０００６】このとき、チップが未搭載状態の実装点が
存在すると、この実装点に対応したモールドキャビティ
にはチップの体積に相当する量だけ封止樹脂が他の実装
点よりも多く注入される。１度のモールディング動作に
おいて射出される封止樹脂の量は厳密にコントロールさ
れていることから、不良実装点に余分な封止樹脂が注入
されると他の正常な実装点に注入される樹脂量が不足す
ることとなり、この樹脂量の不足は直接樹脂封止の不良
をもたらす。

【０００７】近年電子部品の小型化に伴い、樹脂封止さ
れた電子部品全体に対する半導体チップの大きさが相対
的に大きくなり、１つの電子部品の樹脂封止に用いられ
る封止樹脂の体積は相対的に減少していることから、不
良実装点の存在が樹脂封止の品質に与える影響は従来と
比較してより大きくなっている。このように、半導体チ
ップを基板に搭載し樹脂封止をおこなう電子部品の製造
においては、不良実装点の存在に起因して樹脂封止の不
良が発生するという問題点があった。

【０００８】そこで本発明は、樹脂封止の不良を防止す
ることができるダイボンディング方法を提供することを
目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】請求項１記載のダイボン
ディング方法は、半導体チップを基板にボンディングす
るダイボンディング方法であって、前記半導体チップを
前記基板に設けられた複数の実装点に搭載してボンディ
ングするダイボンディング工程において、前記実装点の
うち不良と判定された不良実装点に対しては前記半導体
チップのうち不良と判定された不良チップを搭載するよ
うにした。

【００１０】請求項２記載のダイボンディング方法は、
請求項１記載のダイボンディング方法であって、不良チ
ップのうち割れまたは欠けのない不良チップを不良実装
点に搭載するようにした。

【００１１】請求項３記載のダイボンディング方法は、
半導体チップを基板にボンディングするダイボンディン
グ方法であって、前記半導体チップを前記基板に設けら
れた複数の実装点に搭載してボンディングするダイボン
ディング工程において、前記実装点のうち正常な実装点
に対しては良品と判定された半導体チップを実装し、不
良と判定された不良実装点に対しては前記半導体チップ
と略同一体積の代用品を搭載するようにした。

【００１２】請求項４記載のダイボンディング方法は、
請求項３記載のダイボンディング方法であって、代用品
に、不良と判定されかつ割れもしくは欠けのない不良チ
ップを使用するようにした。

【００１３】請求項５記載のダイボンディング方法は、
請求項３記載のダイボンディング方法であって、代用品
が、良品と判定された半導体チップと略同一形状のダミ
ーチップである。

【００１４】本発明によれば、半導体チップを基板に搭
載してボンディングする工程において、実装点のうち不
良と判定された不良実装点に対しては半導体チップのう
ち不良と判定された不良チップを搭載することにより、
樹脂封止工程における注入樹脂量を均一にすることがで
き、樹脂量のばらつきによる注入不良の発生を防止して
樹脂封止の不良を防止することができる。

【００１５】

【発明の実施の形態】（実施の形態１）図１は本発明の
実施の形態１のダイボンディング装置の構成を示すブロ
ック図、図２は本発明の実施の形態１の基板の平面図、
図３は本発明の実施の形態１の半導体ウェハの平面図、
図４は本発明の実施の形態１のダイボンディング方法を
示すフロー図、図５は本発明の実施の形態１のダイボン
ディング方法における良品チップ検索処理のフロー図、
図６は本発明の実施の形態１のダイボンディング方法に
おける不良チップ検索処理のフロー図、図７は本発明の
実施の形態１のモールドプレス装置の部分断面図であ
る。

【００１６】まず、図１を参照してチップ実装装置の構
成を説明する。図１において、チップ供給部１はＸＹテ
ーブル２によって水平方向に移動するウェハリング３を
備えている。ウェハリング３には多数のチップ５（半導
体チップ）が貼付されたウェハシート４が展張されてい
る。ウェハリング３の下方にはダイエジェクタ６が配設
されており、ウェハシート４を突き破ってピンを上方に
突出させることにより貼付されたチップ５を突き上げ
る。

【００１７】チップ供給部１の上方には、第２のカメラ
７が配設されている。第２のカメラ７はウェハシート４
上のチップ５を撮像する。撮像により得られた画像デー
タは第２の画像認識部１５に送られ、チップ５の位置が
認識されるとともに、後述するようにチップ５の良否を
示すバッドマークの有無を検出する。

【００１８】ここで求められた位置情報に基づいてＸＹ
テーブル２を駆動することにより、チップ５の中心をダ
イエジェクタ６の中心に合致させることができる。そし
てこの状態でダイエジェクタ６で突き上げられたチップ
５は搭載ヘッド９によってピックアップされ、移動テー
ブル８によって基板載置部１１上に移動し、ここで搭載
ヘッド９が昇降動作を行うことにより基板１２上にチッ
プ５が実装される。

【００１９】搭載ヘッド９には、移動テーブル８によっ
て搭載ヘッド９とともに一体的に移動する第１のカメラ
１０が設けられている。第１のカメラ１０は基板載置部
１１上の基板１２を撮像する。撮像により得られた画像
データは第１の画像認識部１４に送られる。第１の画像
認識部１４は基板１２に設けられた実装点（図２参照）
の位置を認識するとともに、実装点の良否を示すバッド
マークの有無を検出する。

【００２０】次に制御系について説明する。機構制御部
１３はダイエジェクタ６の突き上げ動作、ＸＹテーブル
２の水平移動、移動テーブル８および搭載ヘッド９の動
作を制御する。演算部１６はプログラム記憶部１７に記
憶された各種プログラムや、データ記憶部１８に記憶さ
れたデータに基づいて、また第１の画像認識部１４およ
び第２の画像認識部１５による認識結果に基づいて機構
制御部１３を制御する。

【００２１】データ記憶部１８は、ウェハシート４上に
おけるチップ５の配列を座標データの形で記憶するほ
か、第２の画像認識部１５によって検出された不良チッ
プの位置を示す不良チップデータを一時記憶する。表示
モニター１９は撮像された画像の表示や、ダイボンディ
ング装置の操作時の操作画面やデータ入力時の入力画面
を表示する。

【００２２】キー入力部２０はキーボードやポインティ
ングデバイスであり、表示画面上での入力操作に用いら
れる。記憶媒体読取部２１は、フロッピー（登録商標）
ディスクなどの記憶媒体のドライブ装置であり、外部か
らのデータ読み込みに用いられる。通信部２２はネット
ワーク手段であり、前後工程の他装置や外部装置とのデ
ータ授受をおこなう。

【００２３】次に図２を参照して、チップ５がボンディ
ングされる基板１２について説明する。図２に示すよう
に、基板１２にはチップが搭載されボンディングされる
実装点１２ａが格子状に複数設けられている。またこれ
らの実装点１２ａのうち、前工程における検査によって
不良であると判定された不良実装点１２Ｍには、不良で
あることを示す識別マークであるバッドマークＭが設け
られている。このバッドマークＭを第１の画像認識部１
４で認識することにより、当該実装点が不良であること
が検出される。

【００２４】次に図３を参照してダイボンディング装置
に供給されるウェハシートについて説明する。図３に示
すウェハシート４には多数のチップ５が格子状に配列さ
れた状態で貼付されている。ウェハシート４には、品質
上問題のない良品チップの他、検査により電気的な不良
が検出された不良チップやウェハの外縁部の部分的に欠
けのあるチップなど種々の形態のチップが存在する。

【００２５】これらのチップのうち、外観的には搭載不
可であることが判別できない不良チップ５ｍには、不良
であることを示す識別マークであるバッドマークｍが付
されている。このバッドマークｍは第２のカメラ７によ
って撮像された各チップ５の画像データを第２の画像認
識部１５によって認識することにより検出される。

【００２６】このダイボンディング装置は上記のように
構成されており、以下ダイボンディング方法について図
４、図５、図６のフロー図に沿って説明する。まず図４
において、基板１２を第１のカメラ１０で撮像して、チ
ップ５が実装される実装点１２ａを認識する（ＳＴ
１）。そして当該実装点１２ａにバッドマークＭが検出
されたか否かを判断する（ＳＴ２）。ここでバッドマー
クＭが検出されないならば、当該実装点１２ａは良品で
あると判断し、チップ実装を行うために良品チップの検
索をおこなう（ＳＴ３）。

【００２７】そして（ＳＴ３）の検査結果が良品チップ
有りか無しだったのかを判断し（ＳＴ４）、良品チップ
が存在しない場合には、ダイボンディングの終了または
ウェハシート交換のいずれかを選択する（ＳＴ５）。
（ＳＴ４）において良品チップが存在する場合には、こ
の良品チップを基板１２の当該実装点に実装する（ＳＴ
６）。そしてこの実装点１２ａが最終実装点であるか否
かを判断し（ＳＴ７）、ＹＥＳであればダイボンディン
グを終了する（ＳＴ８）。ＮＯであれば次の実装点に移
動し、（ＳＴ１）以降の処理を反復しておこなう。

【００２８】（ＳＴ２）においてバッドマークＭが検出
された場合には、当該実装点１２ａは不良実装点１２Ｍ
であるとみなし、この不良実装点１２Ｍに不良チップ５
ｍを搭載するために、既検出不良チップの有無を判断す
る（ＳＴ１０）。この判断はデータ記憶部１８に記憶さ
れている不良チップデータに基づいて行われる。そし
て、既に不良チップ５ｍが検出されていれば、不良チッ
プ５ｍを当該不良実装点１２Ｍに実装する（ＳＴ１
１）。すなわち不良チップデータによってウェハシート
４上の不良チップ５ｍの位置を特定し、この不良チップ
５ｍをピックアップして不良実装点１２Ｍに実装する。
そしてこの後前述の（ＳＴ７）に移行する。

【００２９】（ＳＴ１０）において既検出不良チップが
存在しないと判断されたならば、不良チップ５ｍを新た
に検出するための検索を行う（ＳＴ１２）。そして（Ｓ
Ｔ１２）での検索において不良チップ有りだったかを判
断し（ＳＴ１３）、不良チップ５ｍがある場合には（Ｓ
Ｔ１１）に移行してこの不良チップ５ｍを不良実装点１
２Ｍに実装する。ここで不良チップ５ｍが存在しない場
合には、ダイボンディングの終了またはウェハシート４
の交換の選択を行う（ＳＴ１４）。

【００３０】次に、図４の（ＳＴ３）にて行われる良品
チップ検索処理について説明する。図５のフロー図にお
いて、第２のカメラ７によりウェハシート４を撮像し、
チップ５を認識する（ＳＴ２１）。そして認識したチッ
プ５に外観上の欠陥、すなわち割れや欠けがないか判定
する（ＳＴ２２）。外観上の不具合があれば（ＳＴ２
６）へ移行し、問題なければこのチップにバッドマーク
ｍがないか判定する（ＳＴ２３）。ここでバッドマーク
ｍのない良品チップであると判断されたならば検索結果
を良品チップ有りとして良品チップ検索処理を終了し
（ＳＴ２４）、図４の（ＳＴ４）に移行する。

【００３１】また、バッドマークｍ有りと判断されたな
らば、このチップを外観上欠陥のない既検出不良チップ
としてデータ記憶部１８に当該不良チップの座標を記憶
する（ＳＴ２５）。そして当該チップ５の位置が最終認
識ポイントであるか否かを判断し（ＳＴ２６）、ＹＥＳ
であれば検索結果を良品チップ無しとして良品チップ検
索処理を終了する（ＳＴ２７）。ＮＯであればウェハシ
ート４上の次の認識ポイントへ移動し（ＳＴ２８）、
（ＳＴ２１）以降の処理を反復する。

【００３２】次に図４の（ＳＴ１２）において行われる
不良チップ検索処理について説明する。この不良チップ
検索処理では割れや欠けがなく電気的に欠陥のあるチッ
プを検索する。図６において、第２のカメラ７によりウ
ェハシート４を撮像し、チップ５を認識する（ＳＴ３
１）。そして認識したチップ５に外観上の欠陥、すなわ
ち割れや欠けがないか判定する（ＳＴ３２）。割れや欠
けがなければこのチップにバッドマークｍがないか判定
する（ＳＴ３３）。ここでバッドマークｍが検出されて
不良チップ５ｍであると判断されたならば、検索結果を
不良チップ有りとして不良チップ検索処理を終了し（Ｓ
Ｔ３４）、図４の（ＳＴ１３）に移行する。

【００３３】また、不良チップ５ｍではないと判断され
たならば、データ記憶部１８に記憶されているウェハシ
ート４上のチップ５の配列データに基づいて、当該チッ
プの位置が最終認識ポイントであるか否かを判断し（Ｓ
Ｔ３５）、ＹＥＳであれば検索結果を不良チップ無しと
して不良チップ検索処理を終了する（ＳＴ３６）。ＮＯ
であればウェハシート４上の次の認識ポイントへ移動し
（ＳＴ３７）、（ＳＴ３１）以降の処理を反復する。

【００３４】すなわち、上記ダイボンディング工程にお
いては、基板１２の実装点１２ａのうち不良と判定され
た不良実装点１２Ｍに対しては、半導体チップ５のうち
不良と判定された不良チップ５ｍが搭載される。そして
この不良実装点１２Ｍと不良チップ５ｍは、それぞれダ
イボンディング工程においてバッドマークＭ，ｍを認識
することにより検出される。

【００３５】次にこのようにして、半導体チップ５がボ
ンディングされた基板１２は樹脂封止工程に送られる。
図７に示すように、ダイボンディング後の基板１２はモ
ールドプレス装置３０のベッド３１上に載置される。そ
して基板１２の上面にモールド金型３３を下降させるこ
とにより、基板１２上の各実装点１２ａはモールドキャ
ビティ３３ａによって覆われる。このとき、右端に位置
するモールドキャビティ３３’ａは不良実装点１２Ｍ上
に位置しており、不良実装点１２Ｍには不良チップ５ｍ
がボンディングされている。

【００３６】この状態で、プランジャ３２を上昇させる
ことにより樹脂射出用のシリンダ３１ａ内の封止樹脂
は、モールド金型３３のゲート部３３ｂを介してモール
ドキャビティ３３ａ内に注入される。この後、モールド
金型３３を分離させて基板１２を取り出し、各個片のチ
ップごとに打ち抜くことにより、チップ５を基板１２の
各実装点に実装してなる電子部品が完成する。

【００３７】この電子部品製造方法の樹脂封止工程にお
いて、不良実装点１２Ｍに対しても割れや欠けのない不
良チップ５ｍがボンディングされていることから、各モ
ールドキャビティ３３ａ内には規定量以上の封止樹脂が
注入されることがない。したがって、チップ５がボンデ
ィングされていない実装点が存在する状態で樹脂封止を
行った場合に従来発生していた、注入樹脂量の部分的な
不足によって生じる樹脂封止の不具合が発生しない。ま
た、不良実装点１２Ｍに対しては不良チップ５ｍを用い
るようにしていることから、製品化されずに廃棄される
不良実装点１２Ｍに対して良品チップを使用する無駄を
排除することができる。また、割れや欠けのない不良チ
ップは、その外形形状が良品チップと同一であるので、
良品チップのみを実装するように設計されたダイボンデ
ィング装置でも、装置の動作プログラムを変更するだけ
で容易に対応することができる。

【００３８】（実施の形態２）図８は本発明の実施の形
態２のダイボンディング方法を示すフロー図、図９は本
発明の実施の形態２のウェハシート上における不良チッ
プのマッピングデータを示す図である。本実施の形態２
においては、図１に示すものと同様の構成のダイボンデ
ィング装置を用いてダイボンディング工程が行われる
が、データ記憶部１８に記憶されるデータ内容が実施の
形態１と異なっている。

【００３９】すなわち、データ記憶部１８には、不良実
装点１２Ｍの位置を示す実装点マッピングデータ、すな
わち不良実装点特定データが基板１２ごとに格納されて
いる。この実装点マッピングデータは、フロッピーディ
スクなどの記憶媒体に記憶された前行程での検査結果の
データを、記憶媒体読取部２１によって読み取ることに
より、また検査結果のデータを通信部２２を介して前工
程装置から直接オンラインで受信することにより取得さ
れる。あるいは、このダイボンディング装置を用いて事
前に第１の画像認識部１４によって基板１２の全てのバ
ッドマークＭが付された不良実装点１２Ｍの位置を検出
し、この検出結果をデータ記憶部１８に記憶させる方法
でも良い。

【００４０】またデータ記憶部１８には、チップマッピ
ングデータ、すなわちウェハシート４上におけるチップ
５の配列と各チップ５が不良チップ５ｍであるか否かの
区別とを関連付けして不良チップを特定する不良チップ
特定データが記憶されている。図９に示すように、チッ
プマッピングデータにおいては、ウェハシート４上にお
けるチップ５の配列状態は、格子状配列の各行・各列に
付された番号によって表される。図９においてハッチン
グを施した範囲はチップ５が存在する位置を示してお
り、各チップ５はこの座標によって特定される。そし
て、バッドマークｍが付された不良チップ５ｍの位置も
この座標を用いて特定される。

【００４１】このチップマッピングデータは、フロッピ
ーディスクなどの記憶媒体に記憶された前行程での検査
結果のデータを、記憶媒体読取部２１によって読み取る
ことにより、また検査結果のデータを通信部２２を介し
て前工程装置から直接オンラインで受信することにより
取得される。あるいは、このダイボンディング装置を用
いて事前に第２の画像認識部１５によってウェハシート
４上のバッドマークｍが付された全ての不良チップ５ｍ
の配列位置を検出し、この検出結果をデータ記憶部１８
に記憶させる方法でも良い。

【００４２】次に、ダイボンディング方法について、図
８のフロー図を参照して説明する。まず図８において、
基板１２を第１のカメラ１０で撮像して、チップ５が実
装される実装点１２ａを認識する（ＳＴ４１）。そして
当該実装点１２ａにバッドマークＭが検出されたか否か
を判断する（ＳＴ４２）。ここでバッドマークＭが検出
されないならば、当該実装点１２ａは良品であると判断
してチップ実装を行うために良品チップの検索をおこな
う（ＳＴ４３）。

【００４３】この良品チップの検索は、データ記憶部１
８に記憶されたマッピングデータに基づいて行われる。
すなわち、図９に示すデータに基づいて良品チップの位
置を順次求める。そしてこの検索において良品チップの
有無を判断し（ＳＴ４４）、良品チップが存在しない場
合には、ダイボンディングを終了する（ＳＴ４５）。

【００４４】（ＳＴ４４）において良品チップが存在す
る場合には、この良品チップを基板１２の当該実装点１
２ａに実装する（ＳＴ４６）。そしてこの実装点１２ａ
が最終実装点であるか否かを判断し（ＳＴ４７）、ＹＥ
Ｓであればダイボンディングを終了する（ＳＴ４８）。
ＮＯであれば次の実装点１２ａに移動し、（ＳＴ４１）
以降の処理を反復しておこなう。

【００４５】（ＳＴ４２）においてバッドマークＭが検
出された場合には、当該実装点１２ａは不良実装点１２
Ｍであると判断し、この不良実装点１２Ｍに不良チップ
５ｍを搭載するために不良チップ５ｍの検索を行う（Ｓ
Ｔ５０）。この不良チップ５ｍの検索も、データ記憶部
１８に記憶されたチップマッピングデータに基づいて行
われる。すなわち、図９に示すデータから不良チップ５
ｍの位置を求める。

【００４６】この検索において不良チップ５ｍの有無を
判断し（ＳＴ５１）、不良チップ５ｍがある場合にはこ
の不良チップ５ｍを不良実装点１２Ｍに実装し（ＳＴ５
３）、この後（ＳＴ４７）に移行する。ここで不良チッ
プ５ｍが存在しない場合には、ダイボンディングを終了
する（ＳＴ５２）。

【００４７】すなわち、上記ダイボンディング工程にお
いては、実施の形態１と同様に基板１２の実装点１２ａ
のうち不良と判定された不良実装点１２Ｍに対しては、
半導体チップ５のうち不良と判定された不良チップ５ｍ
が搭載される。そして不良チップ５ｍは、予め記憶され
たチップマッピングデータに基づいて検出される。

【００４８】なお、実装点１２が不良実装点１２Ｍであ
るか否かの判定を予め記憶された実装点マッピングデー
タに基づいて行うようにしてもよい。このように、不良
実装点１２Ｍ、不良チップ５ｍの検出を予め記憶された
マッピングデータに基づいて行うことにより、その都度
認識によって検索するタイムロスを排除して、実装作業
を効率化することができる。

【００４９】次にこのようにして、半導体チップ５がボ
ンディングされた基板１２は樹脂封止工程に送られ、実
施の形態１と同様に各実装点１２ａ上に実装されたチッ
プ５を覆って樹脂封止が行われる。そして樹脂封止後の
基板１２を取り出し、各個片のチップごとに打ち抜くこ
とにより、チップ５を基板１２の各実装点１２ａに実装
してなる電子部品が完成する。本実施の形態２において
も不良実装点１２Ｍには不良チップ５ｍがボンディング
されていることから、実施の形態１と同様に樹脂封止の
不具合を防止することができる。

【００５０】（実施の形態３）図１０は本発明の実施の
形態３のダイボンディング装置の構成を示すブロック
図、図１１は本発明の実施の形態３のダイボンディング
方法を示すフロー図、図１２は本発明の実施の形態３の
ダイボンディング方法における良品チップ検索処理のフ
ロー図である。

【００５１】図１０において、チップ供給部１’は、図
１に示すチップ供給部１と同様の構成のＸＹテーブル２
とウェハリング３を備えており、ウェハリング３に隣接
してチップ５を供給する専用トレイ２３が設けられてい
る。専用トレイ２３上には、検査により不良であると判
定されてウェハシート４から剥離された不良チップ５ｍ
や、あるいは当初から製品として実装する目的でなく製
造され正規の半導体チップ５とほぼ同体積・同形状のダ
ミーチップ５’が多数載置される。これ以外の構成につ
いては、図１に示すものと同様である。

【００５２】次に、図１１、図１２を参照してダイボン
ディング方法について説明する。まず図１１において、
基板１２を第１のカメラ１０で撮像して、チップ５が実
装される実装点１２ａを認識する（ＳＴ６１）。そして
当該実装点１２ａにバッドマークＭが検出されたか否か
を判断する（ＳＴ６２）。ここでバッドマークＭが検出
されないならば当該実装点１２ａは良品であると判断し
てチップ実装を行うために良品チップの検索をおこなう
（ＳＴ６３）。

【００５３】そして（ＳＴ６３）での検索結果が良品チ
ップ有りかどうかを判断し（ＳＴ６４）、良品チップ無
しの場合には、ダイボンディングの終了またはウェハシ
ート交換のいずれかを選択する（ＳＴ６５）。（ＳＴ６
４）において良品チップが有りの場合には、この良品チ
ップを基板１２の当該実装点に実装する（ＳＴ６６）。
そしてこの実装点１２ａが最終実装点であるか否かを判
断し（ＳＴ６７）、ＹＥＳであればダイボンディングを
終了する（ＳＴ６８）。ＮＯであれば次の実装点１２ａ
に移動し（ＳＴ６９）、（ＳＴ６１）以降の処理を反復
しておこなう。

【００５４】（ＳＴ６２）においてバッドマークＭが検
出された場合には、当該実装点１２ａは不良実装点１２
Ｍであると判断し、この不良実装点１２Ｍに専用トレイ
２３に載置されている不良チップ５ｍまたはダミーチッ
プ５’を実装し（ＳＴ７０）、この後（ＳＴ６７）に移
行する。

【００５５】次に、図１１の（ＳＴ６３）にて行われる
良品チップ検索処理について説明する。図１２のフロー
図において、第２のカメラ７によりウェハシート４を撮
像し、チップ５を認識する（ＳＴ７１）。そして認識し
たチップ５に外観上の欠陥、すなわち割れや欠けがない
か判定する（ＳＴ７２）。外観上の不具合があれば（Ｓ
Ｔ７５）へ移行し、問題なければこのチップにバッドマ
ークｍがないか判定する（ＳＴ７３）。ここでバッドマ
ークｍのない良品チップであると判断されたならば検索
結果を良品チップ有りとして良品チップ検索処理を終了
し（ＳＴ７４）、図１１の（ＳＴ６６）に移行して良品
チップを実装する。

【００５６】また、バッドマークｍ有りと判断されたな
らば、当該チップ５の位置が最終認識ポイントであるか
否かを判断し（ＳＴ７５）、ＹＥＳであれば検索結果を
良品チップ無しとして良品チップ検索処理を終了する
（ＳＴ７６）。ＮＯであればウェハシート４上の次の認
識ポイントへ移動し（ＳＴ７７）、（ＳＴ７１）以降の
処理を反復する。

【００５７】すなわち、上記ダイボンディング工程にお
いては、基板１２の実装点１２ａのうち不良と判定され
た不良実装点１２Ｍに対しては、良品の半導体チップ５
の代用品として不良と判定された不良チップ５ｍもしく
はダミーチップ５’が搭載される。そしてこの不良チッ
プ５ｍやダミーチップ５’は予め専用トレイ２３に準備
されている。

【００５８】次にこのようにして、半導体チップ５がボ
ンディングされた基板１２は樹脂封止工程に送られ、実
施の形態１、２と同様に各実装点１２ａ上に実装された
チップ５を覆って樹脂封止が行われる。そして樹脂封止
後の基板１２を取り出し、各個片のチップごとに打ち抜
くことにより、チップ５を基板１２の各実装点１２ａに
実装してなる電子部品が完成する。本実施の形態３にお
いても不良実装点１２Ｍには不良チップ５ｍや半導体チ
ップ５と同体積のダミーチップ５’がボンディングされ
ていることから、実施の形態１、２と同様に樹脂封止の
不具合を防止することができる。また代用品として良品
の半導体チップと略同一形状のダミーチップを用いるの
で、良品チップ用の移載ヘッド９をそのままダミーチッ
プ実装用として使用することができる。

【００５９】

【発明の効果】本発明によれば、半導体チップを基板に
搭載してボンディングする工程において、実装点のうち
不良と判定された不良実装点に対しては半導体チップの
うち不良と判定された不良チップを搭載することによ
り、樹脂封止工程における注入樹脂量を均一にすること
ができ、樹脂量のばらつきによる注入不良の発生を防止
して樹脂封止の不良を防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１のダイボンディング装置
の構成を示すブロック図

【図２】本発明の実施の形態１の基板の平面図

【図３】本発明の実施の形態１の半導体ウェハの平面図

【図４】本発明の実施の形態１のダイボンディング方法
を示すフロー図

【図５】本発明の実施の形態１のダイボンディング方法
における良品チップ検索処理のフロー図

【図６】本発明の実施の形態１のダイボンディング方法
における不良チップ検索処理のフロー図

【図７】本発明の実施の形態１のモールドプレス装置の
部分断面図

【図８】本発明の実施の形態２のダイボンディング方法
を示すフロー図

【図９】本発明の実施の形態２のウェハシート上におけ
る不良チップのマッピングデータを示す図

【図１０】本発明の実施の形態３のダイボンディング装
置の構成を示すブロック図

【図１１】本発明の実施の形態３のダイボンディング方
法を示すフロー図

【図１２】本発明の実施の形態３のダイボンディング方
法における良品チップ検索処理のフロー図

【符号の説明】

１ チップ供給部 ４ ウェハシート ５ チップ ５ｍ 不良チップ ５’ ダミーチップ ７ 第２のカメラ １０ 第１のカメラ １２ 基板 １２ａ 実装点 １２Ｍ 不良実装点 １８ データ記憶部１８ ２３ 専用トレイ

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】半導体チップを基板にボンディングするダ
   イボンディング方法であって、前記半導体チップを前記
   基板に設けられた複数の実装点に搭載してボンディング
   するダイボンディング工程において、前記実装点のうち
   不良と判定された不良実装点に対しては前記半導体チッ
   プのうち不良と判定された不良チップを搭載することを
   特徴とするダイボンディング方法。
2. 【請求項２】不良チップのうち割れまたは欠けのない不
   良チップを不良実装点に搭載することを特徴とする請求
   項１記載のダイボンディング方法。
3. 【請求項３】半導体チップを基板にボンディングするダ
   イボンディング方法であって、前記半導体チップを前記
   基板に設けられた複数の実装点に搭載してボンディング
   するダイボンディング工程において、前記実装点のうち
   正常な実装点に対しては良品と判定された半導体チップ
   を実装し、不良と判定された不良実装点に対しては前記
   半導体チップと略同一体積の代用品を搭載することを特
   徴とするダイボンディング方法。
4. 【請求項４】代用品に、不良と判定されかつ割れもしく
   は欠けのない不良チップを使用することを特徴とする請
   求項３記載のダイボンディング方法。
5. 【請求項５】代用品が、良品と判定された半導体チップ
   と略同一形状のダミーチップであることを特徴とする請
   求項３記載のダイボンディング方法。